JP2013123792A - 半導体装置の製造方法及び研削装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 砥石の目詰まりを除去し、効率的な研削加工を行う。
【解決手段】 複数の砥粒を含み、砥粒の間に空隙が形成されている砥石を用いて、樹脂を含む対象物の表層部を研削する。研削する期間中に、砥石の表面のうち対象物に接触していない領域に、酸化性ガスが触れている状態で紫外線を照射することにより、活性酸素を生成する。
【選択図】 図４

Description

本発明は、支持基板上に絶縁性樹脂層と配線層とを形成する半導体装置の製造方法、及びその製造に用いられる研削装置に関する。

半導体装置のさらなる小型化及び高集積化の要請が高まっている。その要請に伴って、多層配線化が必要になりつつあり、多層配線化のために高度な平坦化技術が求められている。この平坦化技術は、主にシリコンウエハに代表される半導体基板に適用される。さらに、近年注目されているシリコンインパッケージ（ＳｉＰ）への多層配線薄膜の適用が有望視されている。

従来、シリコンウエハ上に形成された絶縁層や配線層を平坦化する技術として、主に化学機械研磨（ＣＭＰ）が用いられてきた。ＣＭＰを用いれば、精緻な平坦化を実現することが可能である。ところが、加工装置が高価であり、スループットも低いため、半導体装置の製造コストの低減を図ることが困難である。

ＣＭＰに代わる平坦化技術として、ダイヤモンドやキュービックボロンナイトライド（ｃＢＮ）等の超硬材料を用いたバイトによる切削加工が知られている。この加工方法では、一定の切り込み厚さで強制的に除去加工を行うことにより、平坦化が実現される。切削加工により樹脂と金属のような複合材料を加工する場合には、バイトの磨耗や磨滅が大きく、バイトを高頻度に交換しなければならない。

ダイヤモンドやｃＢＮ等の超硬材料からなる数μｍ〜数十μｍの粒径の砥粒を接着剤で固着した砥石や研磨紙を用い、負荷を与えて被研削物を除去する研削研磨では、研削を行うことにより、磨滅、磨耗した砥粒が脱落して新しい砥粒が露出する。このため、表面粗さの小さい平坦面を安定して製造可能な手法として、配線の平坦化に適用され始めている。

特開２０１１−１６５６９０

インターポーザやウエハレベルパッケージの製造に、研削加工技術が適用されている。この研削加工では、まず、基板上に形成した金属製のビアポストを樹脂材料で封止する。その後、ビアポストと樹脂材料とを同時に研削除去し、樹脂表面に、ビアポストを露出させる。研削加工は、遊離砥粒を用いたＣＭＰ等の研磨と比較して、コスト及び加工時間の点で優れている。

研削加工においては、砥粒を結合剤によって密に充填した砥石が用いられるため、研削屑の逃げる空間が少なく、目詰まりが生じやすい。研削加工の対象には、シリコンやガラス等のように、靱性が低く、硬くて脆い脆性材料が適している。樹脂等の弾性材料や、金属等の延性材料は、研削加工の対象として適していない。樹脂等の柔らかく粘性を有する材料による目詰まりは除去しにくく、通常の水洗等による砥面洗浄では除去できない。高圧水洗すると、砥石自体が破壊されてしまう危険性もある。

砥石に目詰まりが発生すると、加工面における研削焼け、粗さの増大等の変質、ビアポスト露出面の金属引きずりの増大等が発生しやすくなる。「金属引きずり」とは、研削された表面上において金属材料が横方向に延びる現象をいう。さらに、目詰まりが生じると、砥石に与える負荷の増大によって砥石破壊の危険性も高まる。従って、目詰まりが発生すると、ドレッシングを行うことが必要である。

ドレッシングは、スループットの低下、砥石あたりの加工可能枚数の減少をもたらす。以下に説明する実施例では、砥石の目詰まりを除去し、効率的な研削加工を行うことが課題となる。

本発明の一観点によると、
複数の砥粒を含み、砥粒の間に空隙が形成されている砥石を用いて、樹脂を含む対象物の表層部を研削する工程と、
前記研削する期間中に、前記砥石の表面のうち前記対象物に接触していない領域に、酸化性ガスが触れている状態で紫外線を照射することにより、活性酸素を生成する工程と
を有する半導体装置の製造方法が提供される。

本発明の他の観点によると、
対象物を保持するステージと、
前記ステージに対向し、砥石が固定されたホイールと、
前記ホイールに固定されている前記砥石の一部分に、酸化性ガスを供給するとともに、前記砥石の表面に紫外線を照射する酸化装置と
を有する研削装置が提供される。

活性酸素により、砥石に付着した樹脂を除去することができる。これにより、砥石の目詰まりの発生を抑制することができる。

図１は、実施例による研削装置の概略図である。 図２は、ステージ、研削対象物、砥石、及び酸化装置の平面配置を示す図である。 図３Ａ及び図３Ｂは、それぞれ図２の一点鎖線３Ａ−３Ａ、３Ｂ−３Ｂにおける断面図である。 図４Ａは砥石の概略断面図であり、図４Ｂは目詰まりが生じた状態の砥石の概略断面図であり、図４Ｃは、目詰まりを除去した状態の砥石の概略断面図である。 図５Ａは、従来の方法を適用したときの研削抵抗の時刻歴の一例を示すグラフであり、図５Ｂは、実施例の方法を適用したときの研削抵抗及び紫外線パワー密度の時刻歴の一例を示すグラフである。 図６Ａ〜図６Ｃは、実施例による半導体装置の製造方法の製造途中段階における装置の断面図である。 図６Ｄ〜図６Ｆは、実施例による半導体装置の製造方法の製造途中段階における装置の断面図である。

図１に、実施例による研削装置の概略斜視図を示す。回転ステージ１０の上に研削対象物１５が載置され、固定されている。研削対象物１５の固定には、例えば真空チャック等が用いられる。ステージ１０の上方に、カップホイール２０が配置されている。カップホイール２０の側面の下側の端面に砥石２２が固定されている。砥石２２は、円周に沿った平面形状を有する。カップホイール２０は、その上面に取り付けられた回転軸２１により回転する。回転中心は、砥石２２が沿う円周の中心と一致する。

さらに、カップホイール２０は、研削対象物１５の表面に平行な一次元方向に移動可能である。カップホイール２０を回転させながら一次元方向に移動させることにより、研削対象物１５の表面の全域を研削することができる。なお、カップホイール２０を移動させる代わりに、ステージ１０を移動させてもよい。

モータ３０が、回転軸２１を回転させる。パワーコントローラ３１がモータ３０を制御する。モータ３０は、一定の回転速度になるように制御される。このため、モータ３０の負荷が大きくなると、一定の回転速度を保つために、駆動電流（主軸負荷電流）が大きくなる。従って、駆動電流の変動を測定することにより、カップホイール２０に加わっている負荷（回転抵抗）の変動を知ることができる。

円周に沿って配置された砥石２２の一部分の近傍に、酸化装置４０が配置されている。酸化装置４０は、パワーコントローラ３１によって制御され、砥石２２に付着した樹脂等を酸化して除去する。カップホイール２０が一次元方向に移動するとき、酸化装置４０もそれに追随して移動する。

図２に、ステージ１０、研削対象物１５、砥石２２、及び酸化装置４０の平面的な位置関係を示す。円周に沿って配置された砥石２２が、ステージ１０及び研削対象物１５と交差している。砥石２２は、円周の全周に亘って連続的に配置してもよいし、断続的に配置してもよい。さらに、砥石２２は、ステージ１０と交差していない箇所において、酸化装置４０と交差している。ステージ１０の中心と、砥石２２が沿う円周の中心とを結ぶ直線に平行な方向に、ステージ１０または砥石２２が移動する。

図２では、酸化装置４０を１か所に配置したが、砥石２２が沿う円周上の複数個所に配置してもよい。

図３Ａに、図２の一点鎖線３Ａ−３Ａにおける断面図を示す。研削対象物１５は、支持基板５０、複数のビアポスト５２、及び絶縁膜５１を含む。複数のビアポスト５２は、支持基板５０の表面に分布している。絶縁膜５１は、ビアポスト５２及び支持基板５０の表面を覆っている。

カップホイール２０は、円形の底板２０Ａと、底板２０Ａの縁に連続する側壁２０Ｂとを含む。側壁２０Ｂの端面に砥石２２が固定されている。カップホイール２０は、砥石２２が固定されている端面が下方を向く姿勢で配置されている。カップホルダ２０を自転させながら図３Ａの左方に移動させることにより、砥石２２によって、絶縁膜５１及びビアポスト５２の表層部分が研削される。

図３Ｂに、図２の一点鎖線３Ｂ−３Ｂにおける断面図を示す。酸化装置４０の箱４１の上面に開口４２が形成されている。カップホイール２０の側壁２０Ｂの下端、及び砥石２２が、開口４２を通って箱４１内に挿入されている。カップホール２０が静止した状態では、円周方向に関して砥石２２の一部分のみが箱４１内に収容される。カップホイール２０が自転すると、砥石２２の全域が箱４１内を通過することになる。

酸化ガス供給装置４４から箱４１内に酸化ガスが供給される。酸化ガスとして、例えばＯ_２、Ｏ_３、Ｏ_２とＯ_３との混合ガス、空気とＯ_３との混合ガス等が用いられる。Ｏ_３は、空気または酸素ガスに高電界を印可することによって発生させることができる。紫外線照射装置４５が、箱４１内に挿入されている砥石２２に紫外線を照射する。紫外線照射装置４５には、例えば低圧水銀ランプ、エキシマランプ等が用いられる。低圧水銀ランプから放射される紫外線の主波長は、１８５ｎｍ及び２５４ｎｍである。キセノンエキシマランプから放射される紫外線の主波長は１７２ｎｍである。酸化ガスの供給量及び紫外線のパワーが、パワーコントローラ３１（図１）により制御される。

図４Ａに、砥石２２の拡大断面図を示す。砥石２２は、結合剤２６で相互に固定された複数の砥粒２５を含む。砥粒２５には、例えばダイヤモンドやｃＢＮ等の超硬材料が用いられる。砥石２５の内部には、複数の空洞２７が形成されている。研削対象物に接触する表面には、砥粒２５が露出している。シリコンやガラス等の脆性材料を研削する場合には、研削によって磨耗または磨滅した砥粒２５が結着剤２６から脱落し、新しい砥粒２５が露出する。このため、複数の研削対象物を、連続して研削することが可能である。

図４Ｂに、樹脂等の粘性を有する材料の研削を連続して行った後の砥石２２の断面を示す。研削された樹脂の研削屑２８によって砥石２２の目詰まりが発生する。目詰まりが発生すると、砥石２２と研削対象物１５（図１）との間の摩擦が大きくなり、研削焼け、表面粗さの増大、金属引きずりの増大等が発生しやすくなる。

Ｃｕからなる導電ポストをエポキシ樹脂で埋め込んだ研削対象物を、表面から３０μｍの深さまで研削して導電ポストを露出させる研削を行ったとき、目詰まりが発生しなければ、砥石２２は１０〜５０μｍ程度磨耗する。砥粒２５の粒径が５〜２０μｍである場合、上述の研削によって、１〜５層分の砥粒２５が脱落することになる。すなわち、研削によって磨耗した砥粒２５が脱落し、新しい砥粒２５が露出することにより、所望の加工精度及び加工効率が維持される。砥石２２に研削屑２８が付着すると、砥粒２５の脱落と、新しい砥粒の露出というサイクルが阻害する。

図４Ｃに示すように、砥石２２に、酸化ガス中で紫外線を照射することにより、研削屑２８を酸化して砥石２２から除去することができる。図２に示したように、研削対象物１５と交差している領域で、砥石２２が研削対象物１５を研削した後、酸化装置４０と交差している領域で、砥石２２に付着した研削屑２８が除去される。研削屑２８が除去された領域の砥石２２が、再度研削対象物１５と交差することにより、研削を行う。このため、砥石２２への目詰まりの蓄積を抑制することができる。

研削屑２８の酸化は、紫外線照射によって生成された活性酸素によって進行する。低圧水銀ランプを用いた場合の活性酸素の生成プロセスを以下に示す。

Ｏ_２＋ｈν（１８５ｎｍ）→Ｏ（３Ｐ）＋Ｏ（３Ｐ）
Ｏ_２＋Ｏ（３Ｐ）＋Ｍ→Ｏ_３
Ｏ_３＋ｈν（２５４ｎｍ）→Ｏ_２＋Ｏ（１Ｄ）
キセノンエキシマランプを用いた場合の活性酸素の生成プロセスを以下に示す。

Ｏ２＋ｈν（１７２ｎｍ）→Ｏ（１Ｄ）＋Ｏ（３Ｐ）
上記化学反応式において、ｈνは紫外線を表し、Ｍは生成直後の振動オゾンを緩和する酸素または窒素等の分子を表し、Ｏ（３Ｐ）は基底状態の酸素原子を表し、Ｏ（１Ｄ）は一重項酸素原子（活性酸素）を表す。

オゾンの自己分解では、基底状態の酸素原子Ｏ（３Ｐ）は生成されるが、活性酸素Ｏ（１Ｄ）は生成されない。活性酸素を生成するために、砥石２２の周囲の酸素またはオゾンに紫外線を照射することが好ましい。砥石２２に付着した樹脂等の研削屑２８は、活性酸素によって酸化され、最終的にＣＯ_２、Ｈ_２Ｏ、Ｏ_２、Ｎ_２等の分子にまで分解される。

次に、図５Ａ及び図５Ｂを参照して、酸化装置４０（図１）の制御方法について説明する。

図５Ａに、酸化装置４０を動作させない場合の研削抵抗の時刻歴の一例を示す。横軸は経過時間を表し、縦軸は研削抵抗を表す。研削抵抗の変動は、モータ３０の主軸負荷電流の変動として現れる。このため、図５Ａの縦軸は、モータ３０の駆動電流と読み替えてもよい。

時刻ｔｓにおいて研削が開始される。砥石２２（図４Ａ）に目詰まりが発生するに従って、研削抵抗が増加する。時刻ｔｅで研削が終了すると、研削抵抗が０になる。

図５Ｂに、実施例による研削方法を適用したときの研削抵抗と、砥石２２（図３Ｂ）に照射される紫外線パワー密度との時刻歴の一例を示す。時刻ｔｓにおいて研削が開始されると、研削抵抗が増加し始める。研削抵抗が、ある閾値を超えると、パワーコントローラ３１が酸化装置４０を制御し、酸化ガスの供給と紫外線の照射とを行う。これにより、砥石２２に付着していた研削屑２８（図４Ｂ）が除去される。

研削屑２８が除去されて砥粒２５が露出するため、研削抵抗が低下する。酸化ガスの供給と紫外線の照射とを行っても研削抵抗が低下しない場合には、砥石２２に照射している紫外線のパワー密度を上昇させる。酸化ガスの供給と紫外線の照射とによって研削抵抗が低下したら、紫外線のパワー密度を低下させる。紫外線照射開始、紫外線のパワー密度の上昇及び低下等の契機となる研削抵抗の好適な閾値は、種々の評価実験を行うことにより決定することが可能である。また、紫外線のパワー密度の上昇及び低下の好適な刻み幅も、種々の評価実験を行うことにより決定することが可能である。紫外線のパワー密度の増減に加えて、酸化ガスの供給量を増減させてもよい。

図６Ａ〜図６Ｆを参照して、実施例による半導体装置の製造方法について説明する。以下に説明する実施例では、ウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）の再配線層を形成する工程に、上記研削方法が適用される。上記研削方法は、その他、インターポーザの層配層、支持基板上に複数の半導体チップを配した再構築ウエハの配線層等の形成にも適用することが可能である。

図６Ａに示すように、ＭＯＳトランジスタ（図示せず）等が形成された半導体ウエハ６０の上に、多層配線層６１が形成されている。多層配線層６０の表面に、複数の電極パッド６２が形成されている。なお、図６Ａでは、１つの電極パッド６２のみを示している。多層配線層６１の表面のうち電極パッド６２が形成されていない領域が、保護膜６３で覆われている。

半導体ウエハ６０は、行列状に配置された複数のチップ領域を含む。電極パッド６２は、各チップ領域の周辺部に配置（ペリフェラル配置）されている。例えば、電極パッド６２はアルミニウム（Ａｌ）で形成され、保護膜６３は窒化シリコンで形成される。

電極パッド６２の上に、Ｃｕ等からなるビアポスト６４を形成する。ビアポスト６４の形成には、例えばセミアディティブ法を適用することができる。ビアポスト６４の高さは、例えば２０μｍである。ビアポスト６４を埋め込むように、保護膜６３の上に絶縁膜６５を、例えば塗布法により形成する。絶縁膜６５には、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が用いられる。絶縁膜６５の厚さは、例えば２０μｍ〜３０μｍである。

図６Ｂに示すように、絶縁膜６５の表層部を砥石２２で研削する。図６Ｃに、研削後の半導体ウエハ６０から絶縁膜６５までの積層構造の断面図を示す。ビアポスト６４の上面が露出している。研削後の絶縁膜６５の厚さは、例えば１０μｍ〜１５μｍである。

図６Ｄに示すように、絶縁膜６５の上に、Ｃｕ等の配線６６を形成する。配線６６の形成には、例えばセミアディティブ法が適用される。配線６６はビアポスト６４に接続されている。配線６６の厚さは、例えば３μｍ〜１０μｍである。

図６Ｅに示すように、絶縁膜６５及び配線６６の上に、ビアポストと配線とを含む配線層７０を形成する。配線層７０は、単層の配線層で構成してもよいし、複数の配線層で構成してもよい。配線層７０の最上層の表面に、パッド７２を形成する。配線層７０の上に、ソルダーレジスト層７３を形成する。ソルダーレジスト層７３の露光及び現像を行うことにより、パッド７２に対応する位置に開口を形成する。開口を形成した後、加熱処理を行うことにより、ソルダーレジスト層７３を硬化させる。硬化後のソルダーレジスト層７３の厚さは、例えば１０μｍ〜５０μｍである。

図６Ｆに示すように、ソルダーレジスト層７３の開口内にバンプ７５を形成する。バンプ７５を形成した後、半導体ウエハ６０をダイシングすることにより、チップごとに分割する。

上記実施例による方法で、実際に種々の試料の研削を行い、その効果を評価した。以下、評価例１〜３について説明する。

［評価例１］
評価例１では、図６Ａに示した半導体ウエハ６０として８インチウエハを用い、ビアポスト６４の高さを３０μｍとし、絶縁膜６５として、シリカフィラーを含有したエポキシ樹脂を用いた。エポキシ樹脂に対するシリカフィラーの重量比は２０％である。絶縁膜６５の厚さは５０μｍである。砥石２２（図６Ｂ）として、ダイヤモンド砥粒を含む粒度＃２０００の砥石を用いた。砥石２２は、カップホイール２０（図１）の全周に亘って断続的に配置されている。

カップホイール２０の直径は４００ｍｍであり、砥石２２の半径方向の幅は５ｍｍである。カップホイール２０の回転数は１０００ｒｐｍ、進み速度は４０ｍｍ〜６０ｍｍ／分、加工深さは２５μｍとした。カップホイール２０の送り速度（下降速度、すなわち研削速度）は、１０μｍ／分とした。

酸化装置４０（図３Ｂ）を動作させることなく研削加工を行ったところ、５枚目の試料の研削中に研削抵抗が上昇し始め、１０枚目の試料の研削中に研削抵抗が急激に上昇した。１０枚目の試料の加工表面には、摩擦による研削焼けが生じていた。

次に、酸化装置４０を動作させて研削を行った。紫外線照射装置４５（図３Ｂ）として、パワー密度１０〜４０ｍＷ／ｃｍ^２を確保することができる低圧水銀ランプを用いた。酸化ガスとしてＯ_２を用い、その流量を１〜１０ｓｌｍとした。この酸化条件で、エポキシ樹脂のエッチング速度を測定したところ、約０．０５μｍ／分であった。

研削開始前の酸化ガスの流量を１ｓｌｍとし、研削抵抗が上昇し始めた時点で１０ｓｌｍまで増加させた。研削開始時は紫外線を照射せず、研削抵抗が上昇し始めた時点で、紫外線の照射を開始した。モータ３０（図１）の主軸負荷電流が１Ａ増加するごとに、紫外線のパワー密度を１０ｍＷ／ｃｍ^２刻みで上昇させた。逆に、主軸負荷電流が１Ａ減少するごとに、紫外線のパワー密度を１０ｍＷ／ｃｍ^２刻みで低下させた。

上述の条件で研削を行ったところ、５０枚以上連続して研削加工を行うことができた。５枚目の試料の加工が完了した後、紫外線のパワー密度が１０〜３０ｍＷ／ｃｍ^２の間で変動した。紫外線の照射を開始した後は、モータ３０の主軸負荷電流の大きさはほぼ一定であった。加工が終了した時点で、パワーコントローラ３１が、紫外線照射及び酸化ガスの供給を停止させる。

［評価例２］
評価例２では、絶縁膜６５として、無機フィラーを含有していないエポキシ樹脂を用いた。その他の条件は、評価例１の条件と同一である。

酸化装置４０（図３Ｂ）を動作させることなく加工を行ったところ、２枚目の試料の研削中に研削抵抗が上昇し始め、４枚目の試料の研削中に研削抵抗が急激に上昇した。４枚目の試料の加工表面には、摩擦による研削焼けが生じていた。絶縁膜６５にフィラーが含有されていないため、評価例１に比べて砥石２２の目詰まりが発生しやすいことがわかる。

次に、酸化装置４０を動作させて研削を行った。紫外線照射装置４５（図３Ｂ）として、パワー密度４０ｍＷ／ｃｍ^２を確保することができる低圧水銀ランプを用いた。酸化ガスとしてＯ_３を用い、その流量を１０ｓｌｍとした。この酸化条件で、エポキシ樹脂のエッチング速度を測定したところ、約０．５〜０．６μｍ／分であった。評価例１に比べて目詰まりが生じやすいことが判明していたため、研削開始前から、酸化ガスの流量を１０ｓｌｍとし、紫外線のパワー密度を４０ｍＷ／ｃｍ^２とした。

上述の条件で研削を行ったところ、５０枚以上連続して研削加工を行うことができた。モータ３０の主軸負荷電流は、評価例１の場合に比べてやや大きな値であった。

［評価例３］
評価例３では、ビアポスト６４（図６Ａ）の高さを１０μｍとし、絶縁膜６５として、フィラーを含有していないポリイミド樹脂を用いた。研削前の絶縁膜６５の厚さは１５μｍとした。紫外線照射装置４５（図３Ｂ）として、パワー密度２０ｍＷ／ｃｍ^２を確保することができるエキシマランプを用いた。酸化ガスとしてＯ_２を用い、その流量を１〜１０ｓｌｍとした。この条件でポリイミド樹脂のエッチング速度を測定したところ、０．５μｍ／分であった。

酸化装置４０（図３Ｂ）を動作させることなく加工を行ったところ、５枚目の試料の研削中に研削抵抗が上昇し始め、７枚目の試料の研削中に研削抵抗が急激に上昇した。７枚目の試料の加工表面には、摩擦による研削焼けが生じていた。

次に、酸化装置４０を動作させて研削を行った。研削開始前から、酸化ガスの流量を１０ｓｌｍとし、紫外線のパワー密度を２０ｍＷ／ｃｍ^２とした。その結果、５０枚以上連続して研削加工を行うことができた。

上述の評価例１〜３の評価結果からわかるように、酸化装置４０（図３Ｂ）を用いて、砥石２２に付着した研削屑２８（図４Ｂ）を除去しながら研削を行うことにより、砥石２２のドレッシングを行うことなく研削できる研削対象物の枚数を増加させることができる。これにより、スループットを高め、加工コストの低減を図ることができる。

以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。

１０ ステージ
１５ 対象物
２０ カップホイール
２１ 回転軸
２２ 砥石
２５ 砥粒
２６ 結合剤
２７ 空洞
２８ 研削屑
３０ モータ
３１ パワーコントローラ
４０ 酸化装置
４１ 箱
４２ 開口
４３ 排気口
４４ 酸化ガス供給装置
４５ 紫外線照射装置
５０ 下地基板
５１ 絶縁膜
５２ ビアポスト
６０ 半導体ウエハ
６１ 多層配線層
６２ 電極パッド
６３ 保護膜
６４ 導電ポスト
６５ 絶縁膜
６６ 配線
７２ パッド
７３ 絶縁膜
７５ バンプ

Claims (5)

1. 複数の砥粒を含み、砥粒の間に空隙が形成されている砥石を用いて、樹脂を含む対象物の表層部を研削する工程と、
   前記研削する期間中に、前記砥石の表面のうち前記対象物に接触していない領域に、酸化性ガスが触れている状態で紫外線を照射することにより、活性酸素を生成する工程と
   を有する半導体装置の製造方法。
2. 前記砥石は、複数の砥粒が結合剤で相互に固定された構造を有する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記砥石は、回転するホイールに、円周に沿って固定されており、前記研削する工程において、前記円周の中心を回転中心として前記ホイールを回転させながら、前記対象物の表層部を研削し、
   前記紫外線を照射することにより活性酸素を生成する工程において、前記円周のうち前記対象物と重なっていない部分の少なくとも一部に、前記紫外線を照射する請求項１乃至２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
4. 対象物を保持するステージと、
   前記ステージに対向し、砥石が固定されたホイールと、
   前記ホイールに固定されている前記砥石の一部分に、酸化性ガスを供給するとともに、前記砥石の表面に紫外線を照射する酸化装置と
   を有する研削装置。
5. 前記砥石は、前記ホイールに、円周に沿って固定されており、
   前記ホイールを、前記円周の中心を回転中心として回転させる回転機構を、さらに有し、
   前記酸化装置は、前記円周の一部分に対応する領域に配置されている請求項４に記載の研削装置。

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