JP2001113455A - 化学的機械研磨装置及び方法 - Google Patents
化学的機械研磨装置及び方法Info
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- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ドレッサーのダイヤモンド粒子間に研磨液の
固まりが形成されるのを防止したり、そのような固まり
を除去することにより、ドレッサーの所期の寿命が短縮
化するのを防止することができる化学的機械研磨装置及
び方法を提供する。 【解決手段】 上面に研磨パッド１４を保持するターン
テーブル１２と、下面に保持した被研磨材１８を研磨パ
ッドに接触させて回転、加圧する加圧ヘッド１６と、下
面を研磨パッドに接触させて回転、加圧することにより
研磨パッドの上面を研磨してリフレッシュするドレッサ
ー２０とを備え、被研磨材と研磨パッドとの間に研磨液
を流し込んで被研磨材を研磨する化学的機械研磨装置３
０において、ドレッサーの非動作時にドレッサーをリフ
レッシュ液Ｗ中に浸漬してこのリフレッシュ液に超音波
振動子３６から超音波を印加することによりドレッサー
をリフレッシュするドレッサーリフレッシュ手段３２を
設けた。
固まりが形成されるのを防止したり、そのような固まり
を除去することにより、ドレッサーの所期の寿命が短縮
化するのを防止することができる化学的機械研磨装置及
び方法を提供する。 【解決手段】 上面に研磨パッド１４を保持するターン
テーブル１２と、下面に保持した被研磨材１８を研磨パ
ッドに接触させて回転、加圧する加圧ヘッド１６と、下
面を研磨パッドに接触させて回転、加圧することにより
研磨パッドの上面を研磨してリフレッシュするドレッサ
ー２０とを備え、被研磨材と研磨パッドとの間に研磨液
を流し込んで被研磨材を研磨する化学的機械研磨装置３
０において、ドレッサーの非動作時にドレッサーをリフ
レッシュ液Ｗ中に浸漬してこのリフレッシュ液に超音波
振動子３６から超音波を印加することによりドレッサー
をリフレッシュするドレッサーリフレッシュ手段３２を
設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学的機械研磨装
置及び方法に関し、特にその被研磨材を研磨する研磨パ
ッドに接触させて回転すると共に加圧することにより、
その研磨パッドの上面を研磨してリフレッシュするドレ
ッサーに関するものである。
置及び方法に関し、特にその被研磨材を研磨する研磨パ
ッドに接触させて回転すると共に加圧することにより、
その研磨パッドの上面を研磨してリフレッシュするドレ
ッサーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】化学的機械研磨（ＣＭＰ、Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装
置とは、近年の、システムＬＳＩ（Ｌａｇｅ Ｓｃａｌ
ｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の配線
が多層化することに伴い、配線間の層間絶縁膜の平坦化
に用いられるものである。この化学的機械研磨装置を用
いることにより、その層間絶縁膜の凹凸を１００ｎｍ程
度にすることができる。
ａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装
置とは、近年の、システムＬＳＩ（Ｌａｇｅ Ｓｃａｌ
ｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の配線
が多層化することに伴い、配線間の層間絶縁膜の平坦化
に用いられるものである。この化学的機械研磨装置を用
いることにより、その層間絶縁膜の凹凸を１００ｎｍ程
度にすることができる。
【０００３】従来の化学的機械研磨装置としては、たと
えば図７に示すようなものがある。同図に示す化学的機
械研磨装置１０において、ターンテーブル１２の上には
研磨パッド１４が貼着されて保持されており、この研磨
パッド１４は発泡ポリウレタン等の材料により形成され
ている。
えば図７に示すようなものがある。同図に示す化学的機
械研磨装置１０において、ターンテーブル１２の上には
研磨パッド１４が貼着されて保持されており、この研磨
パッド１４は発泡ポリウレタン等の材料により形成され
ている。
【０００４】研磨パッド１４の上方には加圧ヘッド１６
が回転可能、及び研磨パッド１４に向けて加圧可能に配
置されており、この加圧ヘッド１６の下面には被研磨材
の半導体ウェーハ１８が真空吸着されて、半導体ウェー
ハ１８の研磨したい方の面を下に向けて保持されてい
る。
が回転可能、及び研磨パッド１４に向けて加圧可能に配
置されており、この加圧ヘッド１６の下面には被研磨材
の半導体ウェーハ１８が真空吸着されて、半導体ウェー
ハ１８の研磨したい方の面を下に向けて保持されてい
る。
【０００５】また、研磨パッド１４の上方で加圧ヘッド
１６がない位置には、ドレッサー２０が回転可能、及び
研磨パッド１４に向けて加圧可能に配置されている。こ
のドレッサー２０の上層部の基盤はステンレス材（ＳＵ
Ｓ）により形成され、この基盤の下面にはニッケルメッ
キが施され、このメッキ面にはダイヤモンド粒子（＃１
００）が固着されて設けられている。
１６がない位置には、ドレッサー２０が回転可能、及び
研磨パッド１４に向けて加圧可能に配置されている。こ
のドレッサー２０の上層部の基盤はステンレス材（ＳＵ
Ｓ）により形成され、この基盤の下面にはニッケルメッ
キが施され、このメッキ面にはダイヤモンド粒子（＃１
００）が固着されて設けられている。
【０００６】さらに研磨パッド１４の中央部の上方には
ノズル２２が配置されて、このノズル２２から研磨パッ
ド１４上の中央部に研磨液が滴下されて供給されるよう
になっている。この研磨液は研磨パッド１４の遠心力に
より、研磨パッド１４と半導体ウェーハ１８との間に流
れ込んで、半導体ウェーハ１８の研磨に用いられるよう
になっている。
ノズル２２が配置されて、このノズル２２から研磨パッ
ド１４上の中央部に研磨液が滴下されて供給されるよう
になっている。この研磨液は研磨パッド１４の遠心力に
より、研磨パッド１４と半導体ウェーハ１８との間に流
れ込んで、半導体ウェーハ１８の研磨に用いられるよう
になっている。
【０００７】上記研磨液は、ＳｉＯ2の研磨剤と０．５
ｗｔ％のＫＯＨの混合液体（スラリー）で、１次粒子
（ＳｉＯ2の粒子が１個の状態）の径が４０ｎｍ程度、
平均粒子（シロキサンボンドＳｉ−Ｏ−Ｓｉの形成のた
めにＳｉＯ2の粒子が２〜３個くっついている状態）の
径が１００ｎｍ前後のものである。
ｗｔ％のＫＯＨの混合液体（スラリー）で、１次粒子
（ＳｉＯ2の粒子が１個の状態）の径が４０ｎｍ程度、
平均粒子（シロキサンボンドＳｉ−Ｏ−Ｓｉの形成のた
めにＳｉＯ2の粒子が２〜３個くっついている状態）の
径が１００ｎｍ前後のものである。
【０００８】このような化学的機械研磨装置１０におい
て、半導体ウェーハ１８の研磨を行なう場合は、回転す
る加圧ヘッド１６を、回転するターンテーブル１２上の
研磨パッド１４に向けて加圧することにより、半導体ウ
ェーハ１８を研磨パッド１４に接触させて、互いに摺動
させることにより行なう。この半導体ウェーハ１８の研
磨時は、常にノズル２２から滴下する研磨液が、研磨パ
ッド１４と半導体ウェーハ１８との間に供給されるよう
になっている。
て、半導体ウェーハ１８の研磨を行なう場合は、回転す
る加圧ヘッド１６を、回転するターンテーブル１２上の
研磨パッド１４に向けて加圧することにより、半導体ウ
ェーハ１８を研磨パッド１４に接触させて、互いに摺動
させることにより行なう。この半導体ウェーハ１８の研
磨時は、常にノズル２２から滴下する研磨液が、研磨パ
ッド１４と半導体ウェーハ１８との間に供給されるよう
になっている。
【０００９】また回転するドレッサー２０も、回転する
ターンテーブル１２上の研磨パッド１４に向けて加圧す
ることにより、ドレッサー２０を研磨パッド１４に接触
させて、互いに摺動させる。このことによりドレッサー
２０が、研磨パッド１４の表面を研磨して削ることによ
り常に新しい面を再生するよう、ドレッサー２０が研磨
パッド１４の表面をリフレッシュするようになってい
る。
ターンテーブル１２上の研磨パッド１４に向けて加圧す
ることにより、ドレッサー２０を研磨パッド１４に接触
させて、互いに摺動させる。このことによりドレッサー
２０が、研磨パッド１４の表面を研磨して削ることによ
り常に新しい面を再生するよう、ドレッサー２０が研磨
パッド１４の表面をリフレッシュするようになってい
る。
【００１０】この化学的機械研磨装置の代表的な研磨条
件としては、加圧ヘッド１６の回転数は４０ｒ．ｐ．
ｍ．、加圧ヘッド１６の研磨パッド１４に対する加圧力
は５８．８ｋＮ／ｍ2、ターンテーブル１２の回転数は
４２ｒ．ｐ．ｍ．、ドレッサー２０の回転数は３４ｒ．
ｐ．ｍ．、ドレッサー２０の研磨パッド１４に対する加
圧力は５０Ｎ／ｍ2、層間絶縁膜の研磨量は１０００ｎ
ｍ、研磨時間は約２分間、層間絶縁の膜の種類はＰ−Ｔ
ＥＯＳである。
件としては、加圧ヘッド１６の回転数は４０ｒ．ｐ．
ｍ．、加圧ヘッド１６の研磨パッド１４に対する加圧力
は５８．８ｋＮ／ｍ2、ターンテーブル１２の回転数は
４２ｒ．ｐ．ｍ．、ドレッサー２０の回転数は３４ｒ．
ｐ．ｍ．、ドレッサー２０の研磨パッド１４に対する加
圧力は５０Ｎ／ｍ2、層間絶縁膜の研磨量は１０００ｎ
ｍ、研磨時間は約２分間、層間絶縁の膜の種類はＰ−Ｔ
ＥＯＳである。
【００１１】次に、研磨特性を表すパラメータの説明を
する。研磨特性を表すパラメータとしては、研磨均一性
（％）、研磨レート（ｎｍ／ｍｉｎ）がある。
する。研磨特性を表すパラメータとしては、研磨均一性
（％）、研磨レート（ｎｍ／ｍｉｎ）がある。
【００１２】前者の研磨均一性の計算方法は、一般的
に、半導体ウェーハ１８上の４９ポイントの研磨した膜
の前後差の（ＭＡＸ値−ＭＩＮ値）を、４９ポイントの
研磨した膜の前後差の平均値（ＡＶＥ値）の２倍の値で
割った値の百分率となる。すなわち、研磨均一性（％）
＝（ＭＡＸ値−ＭＩＮ値）×１００／（２×ＡＶＥ値）
となる。
に、半導体ウェーハ１８上の４９ポイントの研磨した膜
の前後差の（ＭＡＸ値−ＭＩＮ値）を、４９ポイントの
研磨した膜の前後差の平均値（ＡＶＥ値）の２倍の値で
割った値の百分率となる。すなわち、研磨均一性（％）
＝（ＭＡＸ値−ＭＩＮ値）×１００／（２×ＡＶＥ値）
となる。
【００１３】また後者の研磨レートの計算方法は、一般
的に、４９ポイントの研磨した膜の前後差の平均値（Ａ
ＶＥ値）を、研磨した時間（分）で割った値となる。す
なわち、研磨レート（ｎｍ／ｍｉｎ）＝（ＡＶＥ値）／
時間（分）となる。
的に、４９ポイントの研磨した膜の前後差の平均値（Ａ
ＶＥ値）を、研磨した時間（分）で割った値となる。す
なわち、研磨レート（ｎｍ／ｍｉｎ）＝（ＡＶＥ値）／
時間（分）となる。
【００１４】ここで、図５に示す、ドレッサー２０の使
用時間と、研磨パッド１４を半導体ウェーハ１８の研磨
に使用する累積使用時間との関係を示すグラフについて
説明する。同図のグラフのＸ軸はドレッサー２０の使用
時間、Ｙ軸は研磨パッド１４を半導体ウェーハ１８の研
磨に使用する累積使用時間を示している。このグラフに
よれば、ドレッサー２０の使用時間が伸びるほど、研磨
パッド１４を半導体ウェーハ１８の研磨に使用する累積
使用時間も飛躍的に伸びることが分かる。
用時間と、研磨パッド１４を半導体ウェーハ１８の研磨
に使用する累積使用時間との関係を示すグラフについて
説明する。同図のグラフのＸ軸はドレッサー２０の使用
時間、Ｙ軸は研磨パッド１４を半導体ウェーハ１８の研
磨に使用する累積使用時間を示している。このグラフに
よれば、ドレッサー２０の使用時間が伸びるほど、研磨
パッド１４を半導体ウェーハ１８の研磨に使用する累積
使用時間も飛躍的に伸びることが分かる。
【００１５】これは、ドレッサー２０のダイヤモンド粒
子の摩耗が進むことにより、研磨パッド１４が摩耗する
量が減少するために、研磨パッド１４を半導体ウェーハ
１８の研磨に使用する累積使用時間が伸びるものと思わ
れる。研磨パッド１４の寿命は、研磨パッド１４がその
当初の厚さから約０．８ｍｍ減ったときが寿命となる。
またドレッサー２０の寿命は、その使用時間が３００時
間に達したときが寿命となる。
子の摩耗が進むことにより、研磨パッド１４が摩耗する
量が減少するために、研磨パッド１４を半導体ウェーハ
１８の研磨に使用する累積使用時間が伸びるものと思わ
れる。研磨パッド１４の寿命は、研磨パッド１４がその
当初の厚さから約０．８ｍｍ減ったときが寿命となる。
またドレッサー２０の寿命は、その使用時間が３００時
間に達したときが寿命となる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の化学的機械研磨装置にあっては、図８に示す
ように、ドレッサー２０の各ダイヤモンド粒子２４の間
に研磨液の固まり２６が形成されるために、ドレッサー
２０の寿命であるその使用時間が３００時間も持たず、
例えば、１００時間位でその研磨特性が悪化して使えな
くなり、その寿命が著しく短縮化する。このため、別の
ドレッサー２０と交換しなければならなくなり、ドレッ
サー２０の交換頻度が高くなってドレッサー２０による
生産性が低減するという問題があった。
うな従来の化学的機械研磨装置にあっては、図８に示す
ように、ドレッサー２０の各ダイヤモンド粒子２４の間
に研磨液の固まり２６が形成されるために、ドレッサー
２０の寿命であるその使用時間が３００時間も持たず、
例えば、１００時間位でその研磨特性が悪化して使えな
くなり、その寿命が著しく短縮化する。このため、別の
ドレッサー２０と交換しなければならなくなり、ドレッ
サー２０の交換頻度が高くなってドレッサー２０による
生産性が低減するという問題があった。
【００１７】そこで本発明は、上記問題点に鑑みて、ド
レッサーのダイヤモンド粒子間に研磨液の固まりが形成
されるのを防止したり、そのような固まりが既にある場
合はそれを除去することにより、ドレッサーの所期の寿
命が短縮化するのを防止することができる化学的機械研
磨装置及び方法を提供することを課題とするものであ
る。
レッサーのダイヤモンド粒子間に研磨液の固まりが形成
されるのを防止したり、そのような固まりが既にある場
合はそれを除去することにより、ドレッサーの所期の寿
命が短縮化するのを防止することができる化学的機械研
磨装置及び方法を提供することを課題とするものであ
る。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明による化学的機械研磨装置は、上面に研磨パ
ッドを保持して回転するターンテーブルと、下面に保持
した被研磨材を前記研磨パッドに接触させて回転すると
共に加圧する加圧ヘッドと、下面を前記研磨パッドに接
触させて回転すると共に加圧することにより研磨パッド
の上面を研磨してリフレッシュするドレッサーとを備
え、前記被研磨材と前記研磨パッドとの間に研磨液を流
し込んで被研磨材を研磨する化学的機械研磨装置におい
て、前記ドレッサーの非動作時にドレッサーをリフレッ
シュ液中に浸漬してこのリフレッシュ液に超音波を印加
することによりドレッサーをリフレッシュするドレッサ
ーリフレッシュ手段を設けたことを構成としたものであ
る。
に、本発明による化学的機械研磨装置は、上面に研磨パ
ッドを保持して回転するターンテーブルと、下面に保持
した被研磨材を前記研磨パッドに接触させて回転すると
共に加圧する加圧ヘッドと、下面を前記研磨パッドに接
触させて回転すると共に加圧することにより研磨パッド
の上面を研磨してリフレッシュするドレッサーとを備
え、前記被研磨材と前記研磨パッドとの間に研磨液を流
し込んで被研磨材を研磨する化学的機械研磨装置におい
て、前記ドレッサーの非動作時にドレッサーをリフレッ
シュ液中に浸漬してこのリフレッシュ液に超音波を印加
することによりドレッサーをリフレッシュするドレッサ
ーリフレッシュ手段を設けたことを構成としたものであ
る。
【００１９】また上記課題を解決するために、本発明に
よる化学的機械研磨方法は、下面に保持した被研磨材を
ターンテーブル上に保持した研磨パッドに接触させて回
転及び加圧すると共に被研磨材と前記研磨パッドとの間
に研磨液を流し込むことにより被研磨材を研磨し、ドレ
ッサーの研磨動作時はドレッサーの下面を前記研磨パッ
ドに接触させて回転すると共に加圧することにより研磨
パッドの上面を研磨してリフレッシュし、ドレッサーの
非研磨動作時はドレッサーを前記研磨パッドから離して
リフレッシュ液中に浸漬してこのリフレッシュ液に超音
波を印加することによりドレッサーをリフレッシュする
ようにしたことを特徴とするものである。
よる化学的機械研磨方法は、下面に保持した被研磨材を
ターンテーブル上に保持した研磨パッドに接触させて回
転及び加圧すると共に被研磨材と前記研磨パッドとの間
に研磨液を流し込むことにより被研磨材を研磨し、ドレ
ッサーの研磨動作時はドレッサーの下面を前記研磨パッ
ドに接触させて回転すると共に加圧することにより研磨
パッドの上面を研磨してリフレッシュし、ドレッサーの
非研磨動作時はドレッサーを前記研磨パッドから離して
リフレッシュ液中に浸漬してこのリフレッシュ液に超音
波を印加することによりドレッサーをリフレッシュする
ようにしたことを特徴とするものである。
【００２０】このような化学的機械研磨装置及び方法に
よれば、ドレッサーの非研磨動作時はドレッサーを研磨
パッドから離してリフレッシュ液中に浸漬して，このリ
フレッシュ液に超音波を印加することによりドレッサー
をリフレッシュするようにしたので、ドレッサーの各ダ
イヤモンド粒子の間に研磨液の固まりが形成されるのを
防止したり、そのような固まりが既にある場合はそれを
除去することにより、ドレッサーの所期の寿命が短縮化
するのを防止することができる。
よれば、ドレッサーの非研磨動作時はドレッサーを研磨
パッドから離してリフレッシュ液中に浸漬して，このリ
フレッシュ液に超音波を印加することによりドレッサー
をリフレッシュするようにしたので、ドレッサーの各ダ
イヤモンド粒子の間に研磨液の固まりが形成されるのを
防止したり、そのような固まりが既にある場合はそれを
除去することにより、ドレッサーの所期の寿命が短縮化
するのを防止することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面に基づいて具体的に説明する。図１ないし図６
は、本発明による化学的機械研磨装置及び方法の第１の
実施の形態について説明するために参照する図である。
て、図面に基づいて具体的に説明する。図１ないし図６
は、本発明による化学的機械研磨装置及び方法の第１の
実施の形態について説明するために参照する図である。
【００２２】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る
化学的機械研磨装置３０を示す図である。同図に示す化
学的機械研磨装置３０において、ターンテーブル１２の
上には研磨パッド１４が貼着されて保持されており、こ
の研磨パッド１４は発泡ポリウレタン等の材料により形
成されている。
化学的機械研磨装置３０を示す図である。同図に示す化
学的機械研磨装置３０において、ターンテーブル１２の
上には研磨パッド１４が貼着されて保持されており、こ
の研磨パッド１４は発泡ポリウレタン等の材料により形
成されている。
【００２３】研磨パッド１４の上方には加圧ヘッド１６
が回転可能、及び研磨パッド１４に向けて加圧可能に配
置されており、この加圧ヘッド１６の下面には被研磨材
の半導体ウェーハ１８が真空吸着されて、半導体ウェー
ハ１８の研磨したい方の面を下に向けて保持されてい
る。
が回転可能、及び研磨パッド１４に向けて加圧可能に配
置されており、この加圧ヘッド１６の下面には被研磨材
の半導体ウェーハ１８が真空吸着されて、半導体ウェー
ハ１８の研磨したい方の面を下に向けて保持されてい
る。
【００２４】また、研磨パッド１４の上方で加圧ヘッド
１６がない位置には、ドレッサー２０が回転可能、及び
研磨パッド１４に向けて加圧可能に配置されている。こ
のドレッサー２０の上層部の基盤はステンレス材（ＳＵ
Ｓ）により形成され、この基盤の下面にはニッケルメッ
キが施され、このメッキ面にはダイヤモンド粒子（＃１
００）が固着されて設けられている。また、このドレッ
サー２０は、その保持部（図示せず）に着脱自在に保持
されている。
１６がない位置には、ドレッサー２０が回転可能、及び
研磨パッド１４に向けて加圧可能に配置されている。こ
のドレッサー２０の上層部の基盤はステンレス材（ＳＵ
Ｓ）により形成され、この基盤の下面にはニッケルメッ
キが施され、このメッキ面にはダイヤモンド粒子（＃１
００）が固着されて設けられている。また、このドレッ
サー２０は、その保持部（図示せず）に着脱自在に保持
されている。
【００２５】さらに研磨パッド１４の中央部の上方には
ノズル２２が配置されて、このノズル２２から研磨パッ
ド１４上の中央部に研磨液が滴下されて供給されるよう
になっている。この研磨液は研磨パッド１４の遠心力に
より、研磨パッド１４と半導体ウェーハ１８との間に流
れ込んで、半導体ウェーハ１８の研磨に用いられるよう
になっている。
ノズル２２が配置されて、このノズル２２から研磨パッ
ド１４上の中央部に研磨液が滴下されて供給されるよう
になっている。この研磨液は研磨パッド１４の遠心力に
より、研磨パッド１４と半導体ウェーハ１８との間に流
れ込んで、半導体ウェーハ１８の研磨に用いられるよう
になっている。
【００２６】上記研磨液は、ＳｉＯ2の研磨剤と０．５
ｗｔ％のＫＯＨの混合液体（スラリー）で、１次粒子
（ＳｉＯ2の粒子が１個の状態）の径が４０ｎｍ程度、
平均粒子（シロキサンボンドＳｉ−Ｏ−Ｓｉの形成のた
めにＳｉＯ2の粒子が２〜３個くっついている状態）の
径が１００ｎｍ前後のものである。
ｗｔ％のＫＯＨの混合液体（スラリー）で、１次粒子
（ＳｉＯ2の粒子が１個の状態）の径が４０ｎｍ程度、
平均粒子（シロキサンボンドＳｉ−Ｏ−Ｓｉの形成のた
めにＳｉＯ2の粒子が２〜３個くっついている状態）の
径が１００ｎｍ前後のものである。
【００２７】化学的機械研磨装置３０のターンテーブル
１２とは別の位置には、超音波を印加することによりド
レッサー２０をリフレッシュする超音波洗浄部３２（ド
レッサーリフレッシュ手段）が設けられている。この超
音波洗浄部３２は、ターンテーブル１２の上方の保持部
から取り外したドレッサー２０を、中に充填した純水
（リフレッシュ液）中に浸漬する箱状のドレッサー浸漬
部３４と、このドレッサー浸漬部３４の中におけるドレ
ッサー２０の有無を検出するセンサー３５と、ドレッサ
ー浸漬部３４と連結してそれに超音波振動を印加する超
音波振動子３６とを有している。
１２とは別の位置には、超音波を印加することによりド
レッサー２０をリフレッシュする超音波洗浄部３２（ド
レッサーリフレッシュ手段）が設けられている。この超
音波洗浄部３２は、ターンテーブル１２の上方の保持部
から取り外したドレッサー２０を、中に充填した純水
（リフレッシュ液）中に浸漬する箱状のドレッサー浸漬
部３４と、このドレッサー浸漬部３４の中におけるドレ
ッサー２０の有無を検出するセンサー３５と、ドレッサ
ー浸漬部３４と連結してそれに超音波振動を印加する超
音波振動子３６とを有している。
【００２８】超音波洗浄部３２には、例えば、スタンド
アローン（商品名）の超音波洗浄機を用いることができ
る。この超音波洗浄機は、定格出力が１５０ワット
（Ｗ）、発振周波数が２６キロヘルツ（ｋＨｚ）で、１
２時間以上その周波数の発振動作を継続することができ
る。上記センサー３５には、反射型、透過型等の光電セ
ンサーを用いることができる。
アローン（商品名）の超音波洗浄機を用いることができ
る。この超音波洗浄機は、定格出力が１５０ワット
（Ｗ）、発振周波数が２６キロヘルツ（ｋＨｚ）で、１
２時間以上その周波数の発振動作を継続することができ
る。上記センサー３５には、反射型、透過型等の光電セ
ンサーを用いることができる。
【００２９】このような化学的機械研磨装置３０の動作
について、図２ないし図４に基づいて、以下に説明す
る。まず化学的機械研磨装置３０は電源スイッチをＯＮ
させて研磨動作を開始し（図４のステップＳ１）、回転
する加圧ヘッド１６を、図２に示すように、回転するタ
ーンテーブル１２上の研磨パッド１４に向けて加圧する
ことにより（図４のステップＳ２）、半導体ウェーハ１
８を研磨パッド１４に接触させて、互いに摺動させるこ
とにより半導体ウェーハ１８の研磨を行なう。
について、図２ないし図４に基づいて、以下に説明す
る。まず化学的機械研磨装置３０は電源スイッチをＯＮ
させて研磨動作を開始し（図４のステップＳ１）、回転
する加圧ヘッド１６を、図２に示すように、回転するタ
ーンテーブル１２上の研磨パッド１４に向けて加圧する
ことにより（図４のステップＳ２）、半導体ウェーハ１
８を研磨パッド１４に接触させて、互いに摺動させるこ
とにより半導体ウェーハ１８の研磨を行なう。
【００３０】この半導体ウェーハ１８の研磨時は、図１
に示すように、常にノズル２２から滴下する研磨液が、
研磨パッド１４と半導体ウェーハ１８との間に供給され
るようになっている。
に示すように、常にノズル２２から滴下する研磨液が、
研磨パッド１４と半導体ウェーハ１８との間に供給され
るようになっている。
【００３１】また回転するドレッサー２０も、図２に示
すように、加圧ヘッド１６と同時に、回転するターンテ
ーブル１２上の研磨パッド１４に向けて加圧することに
より（図４のステップＳ２）、ドレッサー２０を研磨パ
ッド１４に接触させて、互いに摺動させる。このためド
レッサー２０が、研磨パッド１４の表面を研磨して削る
ことにより、常に研磨パッド１４の新しい面を再生する
よう、ドレッサー２０が研磨パッド１４の表面をリフレ
ッシュするようになっている。
すように、加圧ヘッド１６と同時に、回転するターンテ
ーブル１２上の研磨パッド１４に向けて加圧することに
より（図４のステップＳ２）、ドレッサー２０を研磨パ
ッド１４に接触させて、互いに摺動させる。このためド
レッサー２０が、研磨パッド１４の表面を研磨して削る
ことにより、常に研磨パッド１４の新しい面を再生する
よう、ドレッサー２０が研磨パッド１４の表面をリフレ
ッシュするようになっている。
【００３２】この化学的機械研磨装置３０の代表的な研
磨条件としては、加圧ヘッド１６の回転数は４０ｒ．
ｐ．ｍ．、加圧ヘッド１６の研磨パッド１４に対する加
圧力は５８．８ｋＮ／ｍ2、ターンテーブル１２の回転
数は４２ｒ．ｐ．ｍ．、ドレッサー２０の回転数は３４
ｒ．ｐ．ｍ．、ドレッサー２０の研磨パッド１４に対す
る加圧力は５０Ｎ／ｍ2、層間絶縁膜の研磨量は１００
０ｎｍ、研磨時間は約２分間、層間絶縁の膜の種類はＰ
−ＴＥＯＳである。
磨条件としては、加圧ヘッド１６の回転数は４０ｒ．
ｐ．ｍ．、加圧ヘッド１６の研磨パッド１４に対する加
圧力は５８．８ｋＮ／ｍ2、ターンテーブル１２の回転
数は４２ｒ．ｐ．ｍ．、ドレッサー２０の回転数は３４
ｒ．ｐ．ｍ．、ドレッサー２０の研磨パッド１４に対す
る加圧力は５０Ｎ／ｍ2、層間絶縁膜の研磨量は１００
０ｎｍ、研磨時間は約２分間、層間絶縁の膜の種類はＰ
−ＴＥＯＳである。
【００３３】このような化学的機械研磨装置３０の研磨
動作が終了したら（図４のステップＳ３）、加圧ヘッド
１６とドレッサー２０は、図３に示すように、各々の待
機位置に移動する（図４のステップＳ４）。このときド
レッサー２０は、その待機位置としての超音波洗浄部３
２に移動して、そのドレッサー浸漬部３４内に常に供給
されている純水Ｗ中に浸漬する。
動作が終了したら（図４のステップＳ３）、加圧ヘッド
１６とドレッサー２０は、図３に示すように、各々の待
機位置に移動する（図４のステップＳ４）。このときド
レッサー２０は、その待機位置としての超音波洗浄部３
２に移動して、そのドレッサー浸漬部３４内に常に供給
されている純水Ｗ中に浸漬する。
【００３４】このとき、センサー３５がドレッサー浸漬
部３４の中にドレッサー２０が有ることを検出すると
（図４のステップＳ５のＹＥＳ）、超音波振動子３６が
ドレッサー浸漬部３４に超音波振動を印加する（図４の
ステップＳ６）。すると、ドレッサー２０の各ダイヤモ
ンド粒子２４の間に研磨液の固まり２６が形成されるの
を防止、或は除去することができるので、ドレッサーの
所期の寿命が短縮化するのを防止することができる。
部３４の中にドレッサー２０が有ることを検出すると
（図４のステップＳ５のＹＥＳ）、超音波振動子３６が
ドレッサー浸漬部３４に超音波振動を印加する（図４の
ステップＳ６）。すると、ドレッサー２０の各ダイヤモ
ンド粒子２４の間に研磨液の固まり２６が形成されるの
を防止、或は除去することができるので、ドレッサーの
所期の寿命が短縮化するのを防止することができる。
【００３５】図４のステップＳ５において、センサー３
５がドレッサー浸漬部３４の中にドレッサー２０が有る
ことを検出しなかったときは（ステップＳ５のＮＯ）、
化学的機械研磨装置３０は異常（故障）と判断される
（図４のステップＳ８）。
５がドレッサー浸漬部３４の中にドレッサー２０が有る
ことを検出しなかったときは（ステップＳ５のＮＯ）、
化学的機械研磨装置３０は異常（故障）と判断される
（図４のステップＳ８）。
【００３６】化学的機械研磨装置３０が次の半導体ウェ
ーハ１８の研磨動作を準備し（図４のステップＳ９）、
加圧ヘッド１６及びドレッサー２０を研磨パッド１４上
に移動する（図４のステップＳ１０）。すると、ドレッ
サー浸漬部３４の中からドレッサー２０が無くなるの
で、センサー３５はドレッサー浸漬部３４の中のドレッ
サー２０を検出することはない（図４のステップＳ１１
のＮＯ）。このため、超音波振動子３６は動作を停止す
る（図４のステップＳ１２）。
ーハ１８の研磨動作を準備し（図４のステップＳ９）、
加圧ヘッド１６及びドレッサー２０を研磨パッド１４上
に移動する（図４のステップＳ１０）。すると、ドレッ
サー浸漬部３４の中からドレッサー２０が無くなるの
で、センサー３５はドレッサー浸漬部３４の中のドレッ
サー２０を検出することはない（図４のステップＳ１１
のＮＯ）。このため、超音波振動子３６は動作を停止す
る（図４のステップＳ１２）。
【００３７】図４のステップＳ１１において、センサー
３５がドレッサー浸漬部３４の中にドレッサー２０が有
ることを検出したときは（ステップＳ１１のＹＥＳ）、
化学的機械研磨装置３０は異常（故障）と判断される
（ステップＳ１３）。
３５がドレッサー浸漬部３４の中にドレッサー２０が有
ることを検出したときは（ステップＳ１１のＹＥＳ）、
化学的機械研磨装置３０は異常（故障）と判断される
（ステップＳ１３）。
【００３８】次に、研磨特性を表すパラメータの説明を
する。研磨特性を表すパラメータとしては、研磨均一性
（％）、研磨レート（ｎｍ／ｍｉｎ）がある。
する。研磨特性を表すパラメータとしては、研磨均一性
（％）、研磨レート（ｎｍ／ｍｉｎ）がある。
【００３９】前者の研磨均一性の計算方法は、一般的
に、半導体ウェーハ１８上の４９ポイントの研磨した膜
の前後差の（ＭＡＸ値−ＭＩＮ値）を、４９ポイントの
研磨した膜の前後差の平均値（ＡＶＥ値）の２倍の値で
割った値の百分率となる。すなわち、研磨均一性（％）
＝（ＭＡＸ値−ＭＩＮ値）×１００／（２×ＡＶＥ値）
となる。
に、半導体ウェーハ１８上の４９ポイントの研磨した膜
の前後差の（ＭＡＸ値−ＭＩＮ値）を、４９ポイントの
研磨した膜の前後差の平均値（ＡＶＥ値）の２倍の値で
割った値の百分率となる。すなわち、研磨均一性（％）
＝（ＭＡＸ値−ＭＩＮ値）×１００／（２×ＡＶＥ値）
となる。
【００４０】また後者の研磨レートの計算方法は、一般
的に、４９ポイントの研磨した膜の前後差の平均値（Ａ
ＶＥ値）を、研磨した時間（分）で割った値となる。す
なわち、研磨レート（ｎｍ／ｍｉｎ）＝（ＡＶＥ値）／
時間（分）となる。
的に、４９ポイントの研磨した膜の前後差の平均値（Ａ
ＶＥ値）を、研磨した時間（分）で割った値となる。す
なわち、研磨レート（ｎｍ／ｍｉｎ）＝（ＡＶＥ値）／
時間（分）となる。
【００４１】ここで、図５に示す、ドレッサー２０の使
用時間と、研磨パッド１４を半導体ウェーハ１８の研磨
に使用する累積使用時間との関係を示すグラフについて
説明する。同図のグラフのＸ軸はドレッサー２０の使用
時間、Ｙ軸は研磨パッド１４を半導体ウェーハ１８の研
磨に使用する累積使用時間を示している。このグラフに
よれば、ドレッサー２０の使用時間が伸びるほど、研磨
パッド１４を半導体ウェーハ１８の研磨に使用する累積
使用時間も飛躍的に伸びることが分かる。
用時間と、研磨パッド１４を半導体ウェーハ１８の研磨
に使用する累積使用時間との関係を示すグラフについて
説明する。同図のグラフのＸ軸はドレッサー２０の使用
時間、Ｙ軸は研磨パッド１４を半導体ウェーハ１８の研
磨に使用する累積使用時間を示している。このグラフに
よれば、ドレッサー２０の使用時間が伸びるほど、研磨
パッド１４を半導体ウェーハ１８の研磨に使用する累積
使用時間も飛躍的に伸びることが分かる。
【００４２】これは、ドレッサー２０のダイヤモンド粒
子の摩耗が進むことにより、研磨パッド１４が摩耗する
量が減少するために、研磨パッド１４を半導体ウェーハ
１８の研磨に使用する累積使用時間が伸びるものと思わ
れる。研磨パッド１４の寿命は、研磨パッド１４がその
当初の厚さから約０．８ｍｍ減ったときが寿命となる。
またドレッサー２０の寿命は、その使用時間が３００時
間に達したときが寿命となる。
子の摩耗が進むことにより、研磨パッド１４が摩耗する
量が減少するために、研磨パッド１４を半導体ウェーハ
１８の研磨に使用する累積使用時間が伸びるものと思わ
れる。研磨パッド１４の寿命は、研磨パッド１４がその
当初の厚さから約０．８ｍｍ減ったときが寿命となる。
またドレッサー２０の寿命は、その使用時間が３００時
間に達したときが寿命となる。
【００４３】本実施の形態の化学的機械研磨装置３０に
よれば、上述したようにドレッサーの所期の寿命が短縮
化するのを防止することができるので、ドレッサー２０
はその所期の寿命である３００時間位迄使用することが
できる。このため、研磨パッド１４を半導体ウェーハ１
８の研磨に使用する累積使用時間も飛躍的に伸ばすこと
ができる。
よれば、上述したようにドレッサーの所期の寿命が短縮
化するのを防止することができるので、ドレッサー２０
はその所期の寿命である３００時間位迄使用することが
できる。このため、研磨パッド１４を半導体ウェーハ１
８の研磨に使用する累積使用時間も飛躍的に伸ばすこと
ができる。
【００４４】図６は、超音波洗浄部３２によりドレッサ
ー２０の各ダイヤモンド粒子２４の間の研磨液の固まり
２６が除去される前後の、研磨均一性と研磨レートのト
レンドデータを示すグラフである。同図のグラフから分
かるように、日付が７月２３日（７／２３）に、ドレッ
サー２０を超音波洗浄部３２により１２時間以上超音波
洗浄したことにより、白のプロットで示す研磨均一性が
１１％以上に上昇していたものが、７％前後にまで低く
なっている。研磨均一性は１１％以上あるときは異常と
すると、大幅に改善されていることが分かる。
ー２０の各ダイヤモンド粒子２４の間の研磨液の固まり
２６が除去される前後の、研磨均一性と研磨レートのト
レンドデータを示すグラフである。同図のグラフから分
かるように、日付が７月２３日（７／２３）に、ドレッ
サー２０を超音波洗浄部３２により１２時間以上超音波
洗浄したことにより、白のプロットで示す研磨均一性が
１１％以上に上昇していたものが、７％前後にまで低く
なっている。研磨均一性は１１％以上あるときは異常と
すると、大幅に改善されていることが分かる。
【００４５】また黒のプロットで示す研磨レートは、上
記日付にドレッサー２０を超音波洗浄したことにより、
２１０ｎｍ／ｍｉｎ程度迄低下していたものが、２５０
ｎｍ／ｍｉｎ程度にまで高くなっている。研磨レートは
２００ｎｍ／ｍｉｎ以下のときは異常とすると、大幅に
改善されていることが分かる。
記日付にドレッサー２０を超音波洗浄したことにより、
２１０ｎｍ／ｍｉｎ程度迄低下していたものが、２５０
ｎｍ／ｍｉｎ程度にまで高くなっている。研磨レートは
２００ｎｍ／ｍｉｎ以下のときは異常とすると、大幅に
改善されていることが分かる。
【００４６】このため、超音波洗浄部３２によりドレッ
サー２０に付着した研磨液の固まり２６を除去してドレ
ッサー２０をリフレッシュすることにより、研磨特性
（研磨均一性、研磨レート）が大幅に改善され、同じド
レッサー２０を引き続き使用することが可能となって、
ドレッサー２０の寿命の短縮化を確実に防止することが
できる。このため、ドレッサー２０の交換頻度が低減し
てドレッサー２０による生産性を向上させることができ
る。
サー２０に付着した研磨液の固まり２６を除去してドレ
ッサー２０をリフレッシュすることにより、研磨特性
（研磨均一性、研磨レート）が大幅に改善され、同じド
レッサー２０を引き続き使用することが可能となって、
ドレッサー２０の寿命の短縮化を確実に防止することが
できる。このため、ドレッサー２０の交換頻度が低減し
てドレッサー２０による生産性を向上させることができ
る。
【００４７】またドレッサー２０により研磨パッド１４
を研磨してリフレッシュすることにより、研磨パッド１
４に付いていたゴミや研磨液の固まり２６等を除去する
ことができ、そのゴミや研磨液の固まり２６等により半
導体ウェーハ１８の研磨面に傷が付くことを防止するこ
とができる。
を研磨してリフレッシュすることにより、研磨パッド１
４に付いていたゴミや研磨液の固まり２６等を除去する
ことができ、そのゴミや研磨液の固まり２６等により半
導体ウェーハ１８の研磨面に傷が付くことを防止するこ
とができる。
【００４８】なお、上記実施の形態においてはドレッサ
ー２０の待機時に超音波振動子３６により超音波振動を
印加する場合について説明したが、超音波振動を印加す
る代りに、超音波洗浄部３２のドレッサー浸漬部３４内
に５０℃以上の温水を供給するようにしてもよい。この
ように５０℃以上の温水を供給することにより水の分子
の動きが、温度が低い純水を用いたときよりも激しく動
くため、超音波振動を印加するのと同様の効果を得るこ
とができる。
ー２０の待機時に超音波振動子３６により超音波振動を
印加する場合について説明したが、超音波振動を印加す
る代りに、超音波洗浄部３２のドレッサー浸漬部３４内
に５０℃以上の温水を供給するようにしてもよい。この
ように５０℃以上の温水を供給することにより水の分子
の動きが、温度が低い純水を用いたときよりも激しく動
くため、超音波振動を印加するのと同様の効果を得るこ
とができる。
【００４９】さらに、ドレッサー浸漬部３４内に５０℃
以上の温水を供給すると共に、ドレッサー浸漬部３４に
超音波振動子３６により超音波振動を印加するようにし
てもよい。
以上の温水を供給すると共に、ドレッサー浸漬部３４に
超音波振動子３６により超音波振動を印加するようにし
てもよい。
【００５０】以上、本発明の実施の形態について具体的
に述べてきたが、本発明は上記の実施の形態に限定され
るものではなく、本発明の技術的思想に基づいて、その
他にも各種の変更が可能なものである。
に述べてきたが、本発明は上記の実施の形態に限定され
るものではなく、本発明の技術的思想に基づいて、その
他にも各種の変更が可能なものである。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ドレッサーの非研磨動作時はドレッサーを研磨パッドか
ら離してリフレッシュ液中に浸漬して，このリフレッシ
ュ液に超音波を印加することによりドレッサーをリフレ
ッシュするようにしたので、ドレッサーの各ダイヤモン
ド粒子の間に研磨液の固まりが形成されるのを防止した
り、そのような固まりが既にある場合はそれを除去する
ことにより、ドレッサーの所期の寿命が短縮化するのを
防止することができる。このため、ドレッサー２０の交
換頻度が低減してドレッサー２０による生産性を向上さ
せることができる。
ドレッサーの非研磨動作時はドレッサーを研磨パッドか
ら離してリフレッシュ液中に浸漬して，このリフレッシ
ュ液に超音波を印加することによりドレッサーをリフレ
ッシュするようにしたので、ドレッサーの各ダイヤモン
ド粒子の間に研磨液の固まりが形成されるのを防止した
り、そのような固まりが既にある場合はそれを除去する
ことにより、ドレッサーの所期の寿命が短縮化するのを
防止することができる。このため、ドレッサー２０の交
換頻度が低減してドレッサー２０による生産性を向上さ
せることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る化学的機械研
磨装置３０を示す要部斜視図である。
磨装置３０を示す要部斜視図である。
【図２】化学的機械研磨装置３０の動作について説明す
るための要部側面図である。
るための要部側面図である。
【図３】化学的機械研磨装置３０の他の動作について説
明するための要部側面図である。
明するための要部側面図である。
【図４】化学的機械研磨装置３０の動作手順について説
明するためのフローチャートである。
明するためのフローチャートである。
【図５】ドレッサー２０の使用時間と研磨パッド１４の
累積使用時間との関係を示すグラフを示す図である。
累積使用時間との関係を示すグラフを示す図である。
【図６】ドレッサー２０に超音波振動を印加することに
よる研磨均一性と研磨レートの変化を示すトレンドデー
タをグラフにして示す図である。
よる研磨均一性と研磨レートの変化を示すトレンドデー
タをグラフにして示す図である。
【図７】従来の化学的機械研磨装置１０を示す要部斜視
図である。
図である。
【図８】従来の化学的機械研磨装置１０に用いたドレッ
サー２０の各ダイヤモンド粒子２４間の研磨液の固まり
２６を示すドレッサー２０の部分拡大図である。
サー２０の各ダイヤモンド粒子２４間の研磨液の固まり
２６を示すドレッサー２０の部分拡大図である。
１０…化学的機械研磨装置、１２…ターンテーブル、１
４…研磨パッド、１６…加圧ヘッド、１８…半導体ウェ
ーハ、２０…ドレッサー、２２…ノズル、２４…ダイヤ
モンド粒子、２６…研磨液の固まり、３０…化学的機械
研磨装置、３２…超音波洗浄部、３４…ドレッサー浸漬
部、３５…センサー、３６…超音波振動子、Ｗ…純水
４…研磨パッド、１６…加圧ヘッド、１８…半導体ウェ
ーハ、２０…ドレッサー、２２…ノズル、２４…ダイヤ
モンド粒子、２６…研磨液の固まり、３０…化学的機械
研磨装置、３２…超音波洗浄部、３４…ドレッサー浸漬
部、３５…センサー、３６…超音波振動子、Ｗ…純水
Claims (2)
- 【請求項１】 上面に研磨パッドを保持して回転するタ
ーンテーブルと、 下面に保持した被研磨材を前記研磨パッドに接触させて
回転すると共に加圧する加圧ヘッドと、 下面を前記研磨パッドに接触させて回転すると共に加圧
することにより研磨パッドの上面を研磨してリフレッシ
ュするドレッサーとを備え、 前記被研磨材と前記研磨パッドとの間に研磨液を流し込
んで被研磨材を研磨する化学的機械研磨装置において、 前記ドレッサーの非動作時にドレッサーをリフレッシュ
液中に浸漬してこのリフレッシュ液に超音波を印加する
ことによりドレッサーをリフレッシュするドレッサーリ
フレッシュ手段を設けたことを特徴とする化学的機械研
磨装置。 - 【請求項２】 下面に保持した被研磨材をターンテーブ
ル上に保持した研磨パッドに接触させて回転及び加圧す
ると共に被研磨材と前記研磨パッドとの間に研磨液を流
し込むことにより被研磨材を研磨し、 ドレッサーの研磨動作時はドレッサーの下面を前記研磨
パッドに接触させて回転すると共に加圧することにより
研磨パッドの上面を研磨してリフレッシュし、 ドレッサーの非研磨動作時はドレッサーを前記研磨パッ
ドから離してリフレッシュ液中に浸漬してこのリフレッ
シュ液に超音波を印加することによりドレッサーをリフ
レッシュするようにしたことを特徴とする化学的機械研
磨方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29232999A JP2001113455A (ja) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | 化学的機械研磨装置及び方法 |
| US09/689,987 US6780088B1 (en) | 1999-10-14 | 2000-10-12 | Chemical mechanical polishing apparatus and a method of chemical mechanical polishing using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29232999A JP2001113455A (ja) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | 化学的機械研磨装置及び方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001113455A true JP2001113455A (ja) | 2001-04-24 |
Family
ID=17780388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29232999A Pending JP2001113455A (ja) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | 化学的機械研磨装置及び方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6780088B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001113455A (ja) |
Cited By (4)
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| CN111347486A (zh) * | 2020-03-13 | 2020-06-30 | 刘丰源 | 一种中药饮片定位打孔机 |
| CN114683097A (zh) * | 2022-03-07 | 2022-07-01 | 广州大学 | 一种圆柱滚子轴承滚动体超声强化加工***和方法 |
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| JP2014130881A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Ebara Corp | 研磨装置 |
| JP6489973B2 (ja) * | 2015-07-30 | 2019-03-27 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
| CN109015335A (zh) * | 2018-09-27 | 2018-12-18 | 德淮半导体有限公司 | 化学机械研磨装置及其工作方法 |
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