KR100661471B1 - 반도체 웨이퍼 및 반도체소자의 제조방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼 및 반도체소자의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100661471B1
KR100661471B1 KR1020040000616A KR20040000616A KR100661471B1 KR 100661471 B1 KR100661471 B1 KR 100661471B1 KR 1020040000616 A KR1020040000616 A KR 1020040000616A KR 20040000616 A KR20040000616 A KR 20040000616A KR 100661471 B1 KR100661471 B1 KR 100661471B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor wafer
semiconductor
support plate
wafer
base
Prior art date
Application number
KR1020040000616A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050003974A (ko
Inventor
네모토요시히코
스노하라마사히로
타카하시켄지
Original Assignee
가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지
가부시끼가이샤 도시바
신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지, 가부시끼가이샤 도시바, 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 filed Critical 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지
Publication of KR20050003974A publication Critical patent/KR20050003974A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100661471B1 publication Critical patent/KR100661471B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S40/00—Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
    • H02S40/20—Optical components
    • H02S40/22—Light-reflecting or light-concentrating means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68363—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving transfer directly from an origin substrate to a target substrate without use of an intermediate handle substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/977—Thinning or removal of substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은, 반도체 웨이퍼 및 지지판의 접착 전후의 반송계를 변화시키지 않고 이용할 수 있음과 아울러, 반도체 웨이퍼의 마무리 정밀도 및 반도체 웨이퍼 및 지지판의 위치 정렬 정밀도가 완화되어, 반도체소자의 제조효율을 향상시킬 수 있는 반도체 웨이퍼를 얻는다. 본 발명의 반도체 웨이퍼는, 주연부에, 이면의 삭제 가공 두께보다도 크고, 또한 평탄면(1a)으로부터 지름의 외측방향으로 연장된 치수가, 반도체 웨이퍼(1) 및 이 반도체 웨이퍼(1)과 거의 동일한 지름을 갖는 지지판의 지름치수의 마무리 공차의 최대 최소차와, 반도체 웨이퍼(1) 및 지지판의 접착시에 생기는 위치 정렬 오차의 최대값과의 합계값보다도 크고, 이면의 삭제에 의해 분리되는 단차부(4)가 형성되어 있다.
반도체 웨이퍼, 지지판, 반도체소자, 최대 최소차, 최대값

Description

반도체 웨이퍼 및 반도체소자의 제조방법{SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
도 1은 본 발명의 실시예 1의 반도체 웨이퍼의 부분단면도,
도 2는 본 발명의 실시예 1의 반도체소자의 각 제조공정도,
도 3은 본 발명의 실시예 1의 반도체소자의 각 제조공정도,
도 4는 본 발명의 실시예 1의 반도체 웨이퍼의 다른 예를 나타낸 부분단면도,
도 5는 본 발명의 실시예 1의 반도체 웨이퍼의 또 다른 예를 나타낸 부분단면도,
도 6은 본 발명의 실시예 1의 반도체 웨이퍼의 또 다른 예를 나타낸 부분단면도,
도 7은 본 발명의 실시예 1의 반도체 웨이퍼의 또 다른 예를 나타낸 부분단면도,
도 8은 본 발명의 실시예 2의 반도체소자의 각 제조공정도,
도 9는 본 발명의 실시예 3의 반도체소자의 각 제조공정도,
도 10은 본 발명의 실시예 4의 반도체소자의 각 제조공정도,
도 11은 (a)가 다른 형상의 반도체 웨이퍼의 평면도, (b)는 (a)의 반도체 웨이퍼가 연삭삭제된 후의 베이스의 평면도,
도 12는 (a)가 또 다른 형상의 반도체 웨이퍼의 평면도, (b)는 (a)의 반도체 웨이퍼가 연삭삭제된 후의 베이스의 평면도,
도 13은 (a)가 또 다른 형상의 반도체 웨이퍼의 평면도, (b)는 (a)의 반도체 웨이퍼가 연삭삭제된 후의 베이스의 평면도,
도 14는 (a)가 또 다른 형상의 반도체 웨이퍼의 평면도, (b)는 (a)의 반도체 웨이퍼가 연삭삭제된 후의 베이스의 평면도,
도 15는 (a)가 상기 도 11a에 나타낸 반도체 웨이퍼를 사용하여 제조되는 반도체소자의 제조공정을 나타낸 단면도, (b)는 (a)의 다음 공정의 단면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
1 : 반도체 웨이퍼 1a : 평탄면
2 : 반도체회로 3 : 지지판
4, 4A, 4B, 4C, 4D : 단차부(분리부)
4a : 수직면 4b : 저면
4c : 얇은 두께부(분리부) 5 : 베이스
6 : 반도체소자체 7 : 접착재
11, 31 : 블록 12 : 반도체소자
20 : 구멍 21 : 전극부
23 : 관통전극 24 : 절연막
26 : 홈 30 : 반도체소자
50 : 웨이퍼 본체
본 발명은, 반도체회로가 형성되는 평탄면인 표면에 지지판이 접착됨과 함께, 이면이 삭제가공되어 박판화된 반도체 웨이퍼, 그 반도체 웨이퍼를 사용하여 제조된 반도체소자, 및 그 반도체소자의 제조방법에 관한 것이다.
종래, 반도체소자의 제조방법으로서, 반도체회로가 형성되는 평탄면인 표면에 반도체 웨이퍼의 기계적 강도를 보강하기 위한 지지판을 접착하고, 그 후 반도체 웨이퍼의 이면을 삭제가공하고 박판화하여 반도체소자를 제조하는 것이 알려져 있고, 이것에 관련된 반도체소자의 제조방법이, 예를 들면 특허문헌1에 나타내어져 있다.
[특허문헌 1]
일본국특개평 10-335195호 공보
그러나, 이 경우, 반도체 웨이퍼의 당초 두께를 1/10정도까지 연삭하여 얇게 해야 하고, 이와 같은 문제점이 있었다.
즉, 일반적으로, 취성이 강하여 단결정이기 때문에 벽개성이 있는 반도체 웨이퍼는 얇게 함에 따라서, 급속히 깨어지기 쉽게 되기 때문에, 일정 두께 이하로 연삭한 후의 반송은 대단히 곤란하고, 그 때문에 연삭전에 소정의 강성을 갖는 지지판에 접착하였지만, 접착하는 지지판은, 반도체 웨이퍼의 이면의 연삭전의 반도체 웨이퍼와 가공설비의 반송계를 공통화할 필요성으로부터 반도체 웨이퍼와 동일한 지름으로 하고 있다. 그런데, 예를 들면, 반도체 웨이퍼와 지지판이 함께 허용되는 공차의 최대값인 경우, 양자를 접착한 후의 지지판이 구비된 반도체 웨이퍼 전체의 외경치수가, 접착시에 발생하는 위치 정렬의 오차 분만큼 더욱 증대해버려, 허용되는 전체 외경치수보다 커지고, 후 공정의 가공설비의 반송계에 걸리지 않는 경우가 생긴다. 그 때문에, 예를 들면 각각의 가공장치에 적합한 지그나, 어태치먼트(attachment)와 같은 것을 제조하여, 그 때마다 지그를 사용하거나, 어태치먼트를 교환해야만 하는 경우가 생겨, 제조효율이 저하한다고 하는 문제점이 있었다.
또한, 실제로 반도체 웨이퍼가 지지판으로부터 돌출한 경우에는, 그 부분은 매우 깨어지기 쉽기 때문에, 불량이나 오염의 원인이 되고, 사실상 반도체 웨이퍼의 돌출은 허용되지 않기 때문에, 반도체 웨이퍼 및 지지판의 치수 정밀도, 및 양자의 접착 위치 정밀도는 매우 높은 정밀도가 요구된다고 하는 문제점도 있었다.
본 발명은, 상기와 같은 문제점을 해결하는 것을 과제로 하는 것으로, 반도체 웨이퍼 및 지지판의 접착 전후의 반송계를 변화시키지 않고 이용할 수 있음과 아울러, 반도체 웨이퍼의 마무리 정밀도 및 반도체 웨이퍼와 지지판과의 위치 정렬 정밀도를 완화할 수 있어, 반도체소자의 제조효율을 향상시킬 수 있는 반도체 웨이퍼를 얻는 것을 목적으로 한다.
또한, 그 반도체 웨이퍼를 사용하여 제조된 반도체소자를 얻는 것을 목적으로 한다.
또한, 그 반도체소자의 제조방법을 얻는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼는, 주연부에, 이면의 삭제가공에 의한 마무리 두께보다도 크고, 또한 평탄면으로부터 지름의 외측방향으로 연장된 치수가, 상기 반도체 웨이퍼 및 이 반도체 웨이퍼와 거의 동일한 지름을 갖는 지지판의 지름치수의 마무리 공차의 최대 최소차와, 상기 반도체 웨이퍼 및 지지판의 접착시에 생기는 위치 정렬 오차의 최대값과의 합계값보다도 크고, 이면의 삭제에 의해 분리되는 분리부가 형성되어 있다.
또한, 본 발명에 따른 반도체소자는, 반도체 웨이퍼의 이면이 삭제되고, 분리부가 제거된 베이스와, 이 베이스의 표면에 형성된 반도체회로를 구비한다.
또한, 본 발명에 따른 반도체소자의 제조방법은, 분리부를 웨이퍼 본체의 표면측 주연부에 형성하여 반도체 웨이퍼를 형성하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼 표면의 평탄면에 반도체회로를 형성하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 접착재를 사용하여 반도체 웨이퍼와 거의 동일한 지름 치수의 지지판을 접착하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 삭제하고 상기 분리부를 제거하여 베이스를 형성하는 공정과, 이 베이스의 이면에 가공처리를 하는 공정을 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 반도체소자의 제조방법은, 웨이퍼 본체의 표면의 평탄면에 반도체회로를 형성하는 공정과, 분리부를 웨이퍼 본체의 표면측의 주연부에 형성하여 반도체 웨이퍼를 형성하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 접착재 를 사용하여 반도체 웨이퍼와 거의 동일한 지름 치수의 지지판을 접착하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 삭제하고 상기 분리부를 제거하여 베이스를 형성하는 공정과, 이 베이스의 이면의 가공처리를 하는 공정을 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 반도체소자의 제조방법은, 웨이퍼 본체 표면의 평탄면에 반도체회로를 형성하는 공정과, 상기 반도체회로로부터 상기 웨이퍼 본체로 연장된 복수개의 구멍을 형성하는 공정과, 상기 웨이퍼 본체의 주연부에 분리부를 형성하여 반도체 웨이퍼를 형성하는 공정과, 상기 구멍에 도전재인 금속을 매립하여, 전극부를 형성하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 접착재를 사용하여 반도체 웨이퍼와 거의 동일한 지름 치수의 지지판을 접착하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 삭제하고 상기 분리부를 제거하여 베이스를 형성함과 동시에 상기 극부의 단면을 노출시키는 공정과, 상기 베이스의 이면을 삭제하여, 상기 전극부를 돌출시키는 공정과, 상기 베이스의 이면에서 절연막을 형성하는 공정과, 상기 전극부의 단면을 가공하여 관통전극을 형성하는 공정을 포함한다.
[발명의 실시예]
이하, 본 발명의 각 실시예에 관해서 설명하는데, 각 실시예에서 동일, 상당부재, 부위에 관해서는, 동일부호를 부착하여 설명한다.
(실시예 1)
도 1은 본 발명의 실시예 1의 반도체 웨이퍼의 부분 측단면도, 도 2I∼도 2V는 반도체소자의 제조방법의 각 공정을 도시한 도면, 도 3I∼도 3VI는, 도 2V의 다 음공정 이후의 반도체소자의 제조방법의 각 공정을 도시한 도면이다.
이 반도체 웨이퍼(1)는, 반도체회로(2)가 형성되는 평탄면(1a)인 표면에 지지판(3)이 접착됨과 아울러, 이면이 연삭가공되어 박판화된다. 원반형의 반도체 웨이퍼(1)는, 표면의 주연부에, 분리부인 단차부(4)가 형성된다. 단차부(4)는, 표면으로부터 수직방향으로 절단된 수직면(4b)과 이 수직면(4b)에 대하여 수평방향으로 절단된 저면(4a)으로 구성되어 있다. 단차부(4)의 저면(4a)은, 이면이 연삭삭제된 후의 베이스(5)의 두께 치수보다도 깊고, 또한 그 저면(4a)의 폭 치수는, 반도체 웨이퍼(1) 및 이 반도체 웨이퍼(1)와 거의 동일한 지름을 갖는 지지판(3)의 지름치수의 마무리 공차의 최대 최소차와, 반도체 웨이퍼(1) 및 지지판(3)의 접착시에 생기는 위치 정렬 오차의 최대값과의 합계값보다도 크다.
상기 반도체 웨이퍼(1)로부터 각 제조공정을 거쳐서 반도체소자(12)가 제조되는데, 이하, 그 각 제조공정에 관해서 설명한다.
우선, 원반형의 웨이퍼 본체의 표면측의 주연부를 단차가공으로 단차부(4)를 형성하여 반도체 웨이퍼(1)를 형성한다(도 2I). 다음에, 반도체 웨이퍼(1)의 표면의 평탄면(1a)에 반도체회로(2)를 형성한다(도 2(II)). 그 후, 단차부(4)를 갖는 반도체 웨이퍼(1)의 표면에 접착재(7)를 사용하여 반도체 웨이퍼(1)과 거의 동일한 지름 치수의 지지판(3)을 접착한다(도 2(III)). 이때, 이 도면에서는 반도체 웨이퍼(1)와 지지판(3)의 사이에서는 접착 오차 A가 생긴다. 그 다음에, 반도체 웨이퍼(1)의 이면을 1/10정도의 마무리 두께가 될 때까지 삭제하여 분리부인 단차부(4)를 제거하여 베이스(5)를 형성한다(도 2(IV)). 다음에, 베이스(5)의 이면에서 절연막(8)을 형성하는 가공처리를 행하여, 반도체소자체(6)를 형성한다(도 2(V)). 이 결과, 반도체소자체(6)가 접착재(7)에 의해 지지판(3)에 고정된 블록(11)이 형성된다.
계속해서, 링형상의 프레임(9) 하면에 설치된 지지필름(10)에 블록(11)의 이면을 접착한다(도 3(I)). 그 후, 블록(11)의 표면측으로부터 자외선을 조사하여, 접착재(7)의 접착력을 잃어, 지지판(3)을 반도체소자체(6)로부터 분리시킨다(도 3(II), 도 3(III)). 다음에, 반도체소자체(6)를 다이싱하여 복수개로 분할하여, 반도체소자(12)를 형성한다(도 3(IV)). 최후에, 지지필름(10)의 이면으로부터 자외선을 조사하여, 지지필름(10)의 표면상의 접착층의 접착력을 잃어, 반도체소자(12)를 지지필름(10)으로부터 박리함으로써, 반도체소자(12)의 제조가 완료된다(도 3(V), 도(VI)).
상기 구성의 반도체소자(12)에서는, 반도체회로(2) 형성 공정의 투입전에, 반도체 웨이퍼(1)의 주연부에, 반도체 웨이퍼(1)의 마무리 두께보다 깊고, 또한 반도체 웨이퍼(1) 및 이것과 동일한 지름의 지지판(3)의 마무리 공차의 최대 최소차와 이들을 접착시켰을 때에 생기는 위치 정렬 오차의 최대값과의 합계값보다 큰 폭의 단차부(4)를 형성하여, 지지판(3)에 접착한 후, 반도체 웨이퍼(1)를 연삭가공하기 때문에, 단차부(4)는 연삭가공에 의해 소실되고, 반도체 웨이퍼(1)의 외경치수보다도 단차부(4)분만큼 외경치수가 작은 베이스(5)가 형성된다. 이때, 단차부(4)의 폭치수는, 반도체 웨이퍼(1) 및 지지판(3)의 마무리 교차 및 위치 정렬의 양오차를 고려하여 적절한 폭으로 되어 있기 때문에, 반도체 웨이퍼(1)의 이면이 연삭된 후의 베이스(5)가 지지판(3)의 외주면으로부터 외측으로 돌출하는 경우는 없다.
따라서, 지지판(3)과 거의 동일한 지름이고, 표면에 반도체회로(2)가 형성된 반도체 웨이퍼(1)의 반송계는, 베이스(5)가 형성되는 공정(도 2(IV))후의 각 공정에서도 그대로 이용가능하다.
또한, 반도체 웨이퍼(1)의 이면이 연삭된 후의 블록(11)의 지름치수는, 거의 지지판(3)의 지름치수이고, 블록(11)의 지름치수 정밀도는, 지지판(3)의 지름치수정밀도로 결정되고, 반도체 웨이퍼(1)의 마무리 정밀도와 반도체 웨이퍼 및 지지판(3)의 위치 정렬 정밀도는 완화된다.
또한, 도 2(IV) 이후의 공정에서는, 베이스(5)의 크기는, 지지판(3)의 크기보다도 작아지기 때문에, 지지판(3)을 베이스(5)로부터 분리할 때는, 이 크기의 차를 이용하여, 베이스(5)와 겹치지 않은 지지판(3)의 부분으로부터, 베이스(5)가 접착되어 있는 지지필름(10)으로부터 떨어지는 방향으로 지지판(3)을 떼는 것이 가능해져, 베이스 및 지지판이 거의 같은 크기의 블록이 지지필름(10)에 접착되어 있는 상태일 때와 비교하여, 지지판(3)을 베이스(5)로부터 분리하는 작업성이 향상한다.
또한, 상기 반도체 웨이퍼(1)의 분리부인 단차부(4)는, 저면(4a)에 대하여 수직면(4b)를 갖지만, 도 4에 나타낸 것처럼, 저면(4a)에 대하여 경사면(4c)을 갖는 형상의 단차부(4A)이어도 되고, 도 5에 나타낸 것처럼 수직면(4b)과 평탄면(1a)이 교차하는 부위에 모따기부(4d)를 갖는 형상의 단차부(4B)이어도 된다.
또한, 도 6에 나타낸 것처럼, 평탄면(1a)으로부터 주연부를 향하여 차차 두 께가 얇아지고 있는 얇은 두께부(4C)를 갖는 반도체 웨이퍼(1)이어도 된다. 이 경우, 지지판(3)에 고착된 반도체 웨이퍼(1)의 이면은 두께 B가 될 때까지 연삭함으로써, 분리부인 얇은 두께부(4C)도 삭제되어, 전술한 블록(11)과 마찬가지로, 블록(11)의 지름치수는, 지지판(3)의 지름치수로 결정되고, 앞에 서술한 반도체 웨이퍼(1)와 완전히 같은 작용 효과를 얻을 수 있다.
또한, 도 7에 나타낸 것처럼, 저면(4a)의 최내경측부에 홈부(4e)를 갖고, 또한 수직면(4b)과 평탄면(1a)이 교차하는 부위에 모따기부(4d)를 갖는 형상의 분리부인 단차부(4D)이어도 된다.
(실시예 2)
도 8(I)∼도 8(IV)는 본 발명의 실시예 2의 반도체소자(12)의 제조방법의 각 공정 중, 실시예 1과 다른 각 공정에 관해서 도시한 도면이다.
상기 실시예 1에서는, 반도체 웨이퍼(1)의 주연부의 얇은 두께화는, 평탄면(1a)에 반도체회로(2)가 형성되기 전에 미리 행해졌지만, 이 경우에는, 반도체 웨이퍼(1)의 마무리 두께나, 반도체 웨이퍼(1) 및 지지판(3)을 접착하는 장치의 위치 정렬 정밀도는, 접착하기 전에 결정되어야 한다.
실제로는, 품종이나 용도에 따라서 반도체 웨이퍼(1)의 마무리 두께가 다른 경우가 많아, 실시예 1에서 서술한 제조방법을 채용하였을 때에는, 품종이나 용도에 따라서 주연부의 가공형상을 바꾼 반도체 웨이퍼(1)를 미리 준비해야 한다.
이에 대해서, 이 실시예에서는, 원반형상의 웨이퍼 본체(50)의 평탄면(1a)에 반도체회로(2)를 형성한 후, 그 반도체회로(2)의 용도에 따라서 웨이퍼 본체(50)의 주연부에 소정폭으로 소정 깊이의 단차가공에 의한 단차부(4)를 형성함으로써(도 8(I)∼(III)), 품종이나 용도에 따라서 마무리 두께가 다른 경우에, 고유의 치수의 단차부(4)를 미리 준비하지 않아도, 실시예 1과 마찬가지의 작용효과를 얻을 수 있다. 이때, 도 8(IV)의 제조공정 이후의 각 공정은, 도 2(IV), 도 3(I)∼도 3(VI)에 나타낸 각 제조공정과 마찬가지이므로, 그 설명은 생략한다.
(실시예 3)
도 9(I)∼도 9(VI)는 본 발명의 실시예 3의 반도체소자체(6)의 제조방법의 각 공정 중, 실시예 1과 다른 각 공정에 관해서 도시한 도면이다.
상기 실시예 2에서는, 도 8(III)의 공정에서 분리부인 단차부(4)를 형성하였지만, 이 실시예에서는, 도 9(III)에 나타낸 것처럼 단차부(4) 대신에, 반도체 웨이퍼(1)의 주연부의 소정 위치에, 반도체 웨이퍼(1) 이면의 연삭에 의해 형성된 베이스(5)의 두께보다도 깊은 홈(26)을 형성하여, 그 홈(26) 및 그 외주부를 분리부로 한 점이 다르다.
이 예에서는, 지지판(3)의 접착 후 반도체 웨이퍼(1)의 이면을 연삭함과 동시에, 이 홈(26) 외측의 반도체 웨이퍼(1)의 외주부가 분리되어, 베이스(5)가 형성된다. 그 후의 제조공정은, 도 2(IV), 도 3(I)∼도 3(VI)에 나타낸 각 제조공정과 마찬가지이고, 또한, 이 실시예의 작용효과는, 상기 실시예 2와 마찬가지다.
(실시예 4)
도 10(I)∼도 10(VIII)은 본 발명의 실시예 4의 반도체소자(30)의 제조방법의 각 공정을 도시한 도면이다.
이 반도체소자(30)는, 표면에 형성된 반도체회로(2)와 전기적으로 접속된 관통전극(23)을 갖지만, 이 반도체소자(30)는, 웨이퍼 본체(50)로부터 각 제조공정을 거쳐서 반도체소자(30)가 제조된다. 이하, 그 각 제조공정에 관해서 설명한다.
우선, 원반형의 웨이퍼 본체(50)의 평탄면(1a)에 반도체회로(2)를 형성한다(도 10(I)). 다음에, 반도체회로(2)로부터 웨이퍼 본체(50)로 연장된 복수개의 구멍(20)을 에칭에 의해 형성함과 동시에, 그 주연부에 단차부(4)를 형성하여 반도체 웨이퍼(1)를 형성한다(도 10(II)). 그 후, 구멍(20)에 도전재인 금속을 매립하고, 전극부(21)를 형성한다(도 10(III)). 그 후, 분리부인 단차부(4)를 갖는 반도체 웨이퍼(1)의 표면에 접착재(7)를 사용하여 반도체 웨이퍼(1)과 거의 동일한 지름 치수의 지지판(3)을 접착한다(도 10(IV)). 그 다음에, 반도체 웨이퍼(1)의 이면을 1/10정도의 마무리 두께가 될 때까지 삭제하고 단차부(4)를 제거하여 베이스(5)를 형성한다. 이때, 단차부(4)의 깊이와 구멍(20)의 깊이가 동일하므로, 이때 단차부(4)의 삭제와 동시에 전극부(21)의 단면이 노출한다(도 10(V)). 다음에, 베이스(5)의 이면을 에칭하여, 전극부(21)를 돌출시킨다(도 10(VI)). 그 후, 베이스(5)의 이면에서 절연막(24)을 형성하는 가공처리를 행한 후, 전극부(21)의 단면에 금속을 부착하여 관통전극(23)을 형성하고, 반도체소자(30)를 갖는 블록(31)을 형성한다(도 10(VII), 도 10VIII).
그 후는, 실시예 1∼3과 마찬가지로, 자외선조사에 의해 블록(31)으로부터 반도체소자(30)를 분리한다.
이 관통전극(23)을 갖는 반도체소자(30)에서는, 웨이퍼 본체(50)에 대한 에 칭가공에 의해서 구멍(20)을 형성함과 동시에, 주연부에서 단차부(4)가 형성되어 있어, 일부러 단차부(4)를 형성하는 공정을 설치할 필요성이 없다. 그리고, 표면에 반도체회로(2)가 형성된 반도체 웨이퍼(1)의 반송계는, 베이스(5)가 형성된 공정(도 10(V)) 이후의 공정에서도 그대로 이용가능하다.
또한, 반도체 웨이퍼(1)의 이면이 연삭되어, 관통전극(23)이 이면으로부터 돌출한 후의 블록(31)의 지름치수는, 지지판(3)의 지름치수이고, 블록(31)의 지름치수 정밀도는, 지지판(3)의 지름치수 정밀도로 결정되고, 반도체 웨이퍼(1)의 정밀도 및 반도체 웨이퍼(1)와 지지판(3)의 위치 정렬 정밀도는 완화된다.
또한, 단차부(4)의 깊이와 구멍(20)의 깊이가 동일하기 때문에, 단차부(4)의 연삭과 동시에 전극부(21)의 단면이 노출하고, 단차부(4)의 삭제와 전극부(21)의 단면노출을 동일 공정으로 할 수 있어, 제조효율이 향상한다.
(실시예 5)
상기 각 실시예에서는, 원반형상의 반도체 웨이퍼(1)에 관해서 설명하였지만, 도 11a, 도 11b 및 도 12a, 도 12b에 나타낸 것처럼, 반도체 웨이퍼(1)의 이면이 연삭삭제된 후의 베이스(5)의 형상이, 도너츠 형상인 것이나, 도 13a, 도 13b 및 도 14a, 도 14b에 나타낸 것처럼, 반도체 웨이퍼(1)의 이면이 연삭삭제된 후의 베이스(5)의 형상이, 거의 사각형상인 것이어도 본 발명은 적용할 수 있다.
예를 들면, 도 11a에 나타낸 반도체 웨이퍼(1)를 사용하여 반도체소자(12)를 제조하는 경우, 제조도중에, 원반형의 웨이퍼 본체 표면측의 주연부를 단차가공으로 단차부(4)를 갖는 반도체 웨이퍼(1) 표면의 평탄면(1a)에 반도체회로(2)를 형성 하고, 그 후 반도체 웨이퍼(1)의 표면에 접착재(7)를 사용하여 반도체 웨이퍼(1)와 거의 동일한 지름 치수의 지지판(3)을 접착한다(도 15a). 그 다음에, 반도체 웨이퍼(1)의 이면을 마무리 두께가 될 때까지 삭제하여 분리부인 단차부(4)를 제거하여 도 11b에 나타낸 베이스(5)를 형성한다(도 15b). 이 후의 공정은, 실시예 1에서 설명한 것과 마찬가지이다.
이상 설명한 것처럼, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼에 의하면, 주연부에, 이면의 삭제가공에 의한 마무리 두께보다도 크고, 또한 평탄면으로부터 지름의 외측방향으로 연장된 치수가, 상기 반도체 웨이퍼 및 이 반도체 웨이퍼와 거의 동일한 지름을 갖는 지지판의 지름치수의 마무리 공차의 최대 최소차와, 반도체 웨이퍼 및 지지판의 접착시에 생기는 위치 정렬 오차의 최대값과의 합계값보다도 크고, 이면의 삭제에 의하여 분리되는 분리부가 형성되어 있기 때문에, 반송계를 반도체 웨이퍼 및 지지판의 접착 후라도, 그 전과 변화시키지 않고 이용할 수 있음과 아울러, 반도체 웨이퍼의 마무리 정밀도 및 반도체 웨이퍼와 지지판과의 위치 정렬 정밀도를 완화할 수 있고, 그 결과 반도체소자의 제조효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 반도체소자에 의하면, 반도체 웨이퍼의 이면이 삭제되고, 분리부가 제거된 베이스와, 이 베이스의 표면에 형성된 반도체회로를 구비한 반도체소자체가 복수개로 분할되어 구성되어 있기 때문에, 제조효율이 향상한다.
또한, 본 발명에 따른 반도체소자의 제조방법에 의하면, 분리부를 웨이퍼 본 체 표면측의 주연부에 형성하여 반도체 웨이퍼를 형성하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼 표면의 평탄면에 반도체회로를 형성하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼 표면에 접착재를 사용하여 반도체 웨이퍼와 거의 동일한 지름 치수의 지지판을 접착하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 삭제하고 상기 분리부를 제거하여 베이스를 형성하는 공정과, 이 베이스의 이면에 가공처리를 하는 공정을 포함하기 때문에, 반송계를 반도체 웨이퍼 및 지지판의 접착 후라도, 그 전과 변화시키지 않고 이용할 수 있음과 아울러, 반도체 웨이퍼의 마무리 정밀도 및 반도체 웨이퍼 및 지지판의 위치 정렬 정밀도가 완화되고, 그 결과 반도체소자의 제조효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 베이스의 크기는 지지판의 크기보다도 작아지기 때문에, 지지판을 베이스로부터 분리하는 분리작업성이 향상한다.
또한, 본 발명에 따른 반도체소자의 제조방법에 의하면, 웨이퍼 본체 표면의 평탄면에 반도체회로를 형성하는 공정과, 분리부를 웨이퍼 본체 표면측의 주연부에 형성하여 반도체 웨이퍼를 형성하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼 표면에 접착재를 사용하여 반도체 웨이퍼와 거의 동일한 지름 치수의 지지판을 접착하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 삭제하고 상기 분리부를 제거하여 베이스를 형성하는 공정과, 이 베이스의 이면의 가공처리를 하는 공정을 포함하기 때문에, 반송계를 반도체 웨이퍼 및 지지판의 접착 후라도, 그 전과 변경시키지 않고 이용할 수 있음과 아울러, 반도체 웨이퍼의 마무리 정밀도 및 반도체 웨이퍼 및 지지판의 위치 정렬 정밀도가 완화되고, 그 결과 반도체소자의 제조효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 베이스의 크기는 지지판의 크기보다도 작아지기 때문에, 지지판을 베이스로부터 분리하는 분리작업성이 향상한다.
또한, 품종이나 용도에 따라서 마무리 두께가 다른 경우에, 고유의 치수의 분리부를 미리 준비하지 않아도 된다.
또한, 본 발명에 따른 반도체소자의 제조방법에 의하면, 웨이퍼 본체 표면의 평탄면에 반도체회로를 형성하는 공정과, 상기 반도체회로로부터 상기 웨이퍼 본체로 연장된 복수개의 구멍을 형성하는 공정과, 웨이퍼 본체의 주연부에 분리부를 형성하여 반도체 웨이퍼를 형성하는 공정과, 상기 구멍에 도전재인 금속을 매립하여, 전극부를 형성하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 접착재를 사용하여 반도체 웨이퍼와 거의 동일한 지름 치수의 지지판을 접착하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 삭제하고 상기 분리부를 제거하여 베이스를 형성함과 동시에 상기 전극부의 단면을 노출시키는 공정과, 상기 베이스의 이면을 삭제하여, 상기 전극부를 돌출시키는 공정과, 상기 베이스의 이면에서 절연막을 형성하는 공정과, 상기 전극부의 단면을 가공하여 관통전극을 형성하는 공정을 포함하기 때문에, 반송계를 반도체 웨이퍼 및 지지판의 접착 후라도, 그 전과 변경시키지 않고 이용할 수 있음과 아울러, 반도체 웨이퍼의 마무리 정밀도 및 반도체 웨이퍼 및 지지판의 위치 정렬 정밀도가 완화되고, 그 결과 반도체소자의 제조효율을 향상시킬 수 있다.

Claims (3)

  1. 삭제
  2. 웨이퍼 본체 표면의 평탄면에 반도체회로를 형성하는 공정과,
    상기 웨이퍼 본체의 표면측의 주연부에 분리부를 형성하여 반도체 웨이퍼를 형성하는 공정과,
    상기 반도체 웨이퍼 표면에 접착재를 사용하여 반도체 웨이퍼와 거의 동일한 지름치수의 지지판을 접착하는 공정과,
    상기 반도체 웨이퍼의 이면을 삭제하고 상기 분리부를 제거하여 베이스를 형성하는 공정과,
    상기 베이스의 이면을 가공처리하는 공정을 포함하고,
    상기 분리부는 수직면 및 저면을 갖고, 상기 수직면은 높이치수가 상기 베이스의 두께보다도 크고, 또한 상기 저면은 폭치수가 상기 반도체 웨이퍼 및 이 반도체 웨이퍼와 거의 동일한 지름의 지지판의 지름치수에 대한 마무리 공차의 최대최소차와, 상기 반도체 웨이퍼 및 상기 지지판의 접착시에 생기는 위치정렬오차의 최대값과의 합계값보다도 크게 이루어지는 반도체소자의 제조방법.
  3. 웨이퍼 본체 표면의 평탄면에 반도체회로를 형성하는 공정과,
    상기 반도체회로로부터 상기 웨이퍼 본체로 연장된 복수개의 구멍을 형성하는 공정과,
    상기 웨이퍼 본체의 주연부에 분리부를 형성하여 반도체 웨이퍼를 형성하는 공정과,
    상기 구멍에 도전재인 금속을 매립하여 전극부를 형성하는 공정과,
    상기 반도체 웨이퍼의 표면에 접착재를 사용하여 반도체 웨이퍼와 거의 동일한 지름치수의 지지판을 접착하는 공정과,
    상기 반도체 웨이퍼의 이면을 삭제하고 상기 분리부를 제거하여 베이스를 형성함과 동시에 상기 전극부의 단면을 노출시키는 공정과,
    상기 베이스의 이면을 삭제하여, 상기 전극부를 돌출시키는 공정과,
    상기 베이스의 이면에서 절연막을 형성하는 공정과,
    상기 전극부의 단면을 가공하여 관통전극을 형성하는 공정을 포함하고,
    상기 분리부는 수직면 및 저면을 갖고, 상기 수직면은 높이치수가 상기 베이스의 두께보다도 크고, 또한 상기 저면은 폭치수가 상기 반도체 웨이퍼 및 이 반도체 웨이퍼와 거의 동일한 지름의 지지판의 지름치수에 대한 마무리 공차의 최대최소차와, 상기 반도체 웨이퍼 및 상기 지지판의 접착시에 생기는 위치정렬오차의 최대값과의 합계값보다도 크게 이루어지는 반도체소자의 제조방법.
KR1020040000616A 2003-07-01 2004-01-06 반도체 웨이퍼 및 반도체소자의 제조방법 KR100661471B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2003-00189574 2003-07-01
JP2003189574A JP2005026413A (ja) 2003-07-01 2003-07-01 半導体ウエハ、半導体素子およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050003974A KR20050003974A (ko) 2005-01-12
KR100661471B1 true KR100661471B1 (ko) 2006-12-27

Family

ID=33549791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040000616A KR100661471B1 (ko) 2003-07-01 2004-01-06 반도체 웨이퍼 및 반도체소자의 제조방법

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7195988B2 (ko)
JP (1) JP2005026413A (ko)
KR (1) KR100661471B1 (ko)
CN (1) CN1311523C (ko)
DE (1) DE102004006494A1 (ko)
TW (1) TWI265551B (ko)

Families Citing this family (244)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8058142B2 (en) * 1996-11-04 2011-11-15 Besang Inc. Bonded semiconductor structure and method of making the same
US8018058B2 (en) * 2004-06-21 2011-09-13 Besang Inc. Semiconductor memory device
US8071438B2 (en) 2003-06-24 2011-12-06 Besang Inc. Semiconductor circuit
FR2860842B1 (fr) * 2003-10-14 2007-11-02 Tracit Technologies Procede de preparation et d'assemblage de substrats
DE102004018249B3 (de) * 2004-04-15 2006-03-16 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks an einem Werkstückträger
FR2880184B1 (fr) 2004-12-28 2007-03-30 Commissariat Energie Atomique Procede de detourage d'une structure obtenue par assemblage de deux plaques
US8367524B2 (en) 2005-03-29 2013-02-05 Sang-Yun Lee Three-dimensional integrated circuit structure
US7786551B2 (en) * 2005-09-16 2010-08-31 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit system with wafer trimming
DE102006042026B4 (de) * 2006-09-07 2016-08-04 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zum Halten eines Substrats und Verfahren zur Behandlung eines Substrats
US7988794B2 (en) * 2007-02-07 2011-08-02 Infineon Technologies Ag Semiconductor device and method
JP2009043992A (ja) * 2007-08-09 2009-02-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
DE102008035055B3 (de) 2008-07-26 2009-12-17 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Verfahren zur Ausrichtung einer elektronischen CMOS-Struktur bezogen auf eine vergrabene Struktur bei gebondeten und rückgedünnten Stapeln von Halbleiterscheiben
US8362800B2 (en) 2010-10-13 2013-01-29 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device including field repairable logics
US8405420B2 (en) 2009-04-14 2013-03-26 Monolithic 3D Inc. System comprising a semiconductor device and structure
US8754533B2 (en) 2009-04-14 2014-06-17 Monolithic 3D Inc. Monolithic three-dimensional semiconductor device and structure
US7986042B2 (en) 2009-04-14 2011-07-26 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8362482B2 (en) 2009-04-14 2013-01-29 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8378715B2 (en) 2009-04-14 2013-02-19 Monolithic 3D Inc. Method to construct systems
US8669778B1 (en) 2009-04-14 2014-03-11 Monolithic 3D Inc. Method for design and manufacturing of a 3D semiconductor device
US8384426B2 (en) 2009-04-14 2013-02-26 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8058137B1 (en) 2009-04-14 2011-11-15 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8373439B2 (en) 2009-04-14 2013-02-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US8427200B2 (en) 2009-04-14 2013-04-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US8395191B2 (en) 2009-10-12 2013-03-12 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9509313B2 (en) 2009-04-14 2016-11-29 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US9711407B2 (en) 2009-04-14 2017-07-18 Monolithic 3D Inc. Method of manufacturing a three dimensional integrated circuit by transfer of a mono-crystalline layer
US9577642B2 (en) 2009-04-14 2017-02-21 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device
US8413905B2 (en) * 2009-10-05 2013-04-09 Visa U.S.A. Inc. Portable prescription transaction payment device
FR2950734B1 (fr) * 2009-09-28 2011-12-09 Soitec Silicon On Insulator Procede de collage et de transfert d'une couche
US11018133B2 (en) 2009-10-12 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D integrated circuit
US11984445B2 (en) 2009-10-12 2024-05-14 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with metal layers
US11374118B2 (en) 2009-10-12 2022-06-28 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D integrated circuit
US8476145B2 (en) 2010-10-13 2013-07-02 Monolithic 3D Inc. Method of fabricating a semiconductor device and structure
US10354995B2 (en) 2009-10-12 2019-07-16 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US10910364B2 (en) 2009-10-12 2021-02-02 Monolitaic 3D Inc. 3D semiconductor device
US10157909B2 (en) 2009-10-12 2018-12-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US8742476B1 (en) 2012-11-27 2014-06-03 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8581349B1 (en) 2011-05-02 2013-11-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor device and structure
US10388863B2 (en) 2009-10-12 2019-08-20 Monolithic 3D Inc. 3D memory device and structure
US9099424B1 (en) 2012-08-10 2015-08-04 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system, device and structure with heat removal
US8450804B2 (en) 2011-03-06 2013-05-28 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure for heat removal
US8536023B2 (en) 2010-11-22 2013-09-17 Monolithic 3D Inc. Method of manufacturing a semiconductor device and structure
US8148728B2 (en) 2009-10-12 2012-04-03 Monolithic 3D, Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US10366970B2 (en) 2009-10-12 2019-07-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10043781B2 (en) 2009-10-12 2018-08-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
CN102110121B (zh) * 2009-12-24 2015-09-23 阿里巴巴集团控股有限公司 一种数据处理方法及其***
US8026521B1 (en) 2010-10-11 2011-09-27 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8492886B2 (en) 2010-02-16 2013-07-23 Monolithic 3D Inc 3D integrated circuit with logic
US8541819B1 (en) 2010-12-09 2013-09-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8373230B1 (en) 2010-10-13 2013-02-12 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US9099526B2 (en) 2010-02-16 2015-08-04 Monolithic 3D Inc. Integrated circuit device and structure
US8461035B1 (en) 2010-09-30 2013-06-11 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
KR101134819B1 (ko) 2010-07-02 2012-04-13 이상윤 반도체 메모리 장치의 제조 방법
US8901613B2 (en) 2011-03-06 2014-12-02 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure for heat removal
US9953925B2 (en) 2011-06-28 2018-04-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system and device
US9219005B2 (en) 2011-06-28 2015-12-22 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system and device
US10217667B2 (en) 2011-06-28 2019-02-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device, fabrication method and system
US8642416B2 (en) 2010-07-30 2014-02-04 Monolithic 3D Inc. Method of forming three dimensional integrated circuit devices using layer transfer technique
JP2012043825A (ja) * 2010-08-12 2012-03-01 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
US8163581B1 (en) 2010-10-13 2012-04-24 Monolith IC 3D Semiconductor and optoelectronic devices
US10497713B2 (en) 2010-11-18 2019-12-03 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11482440B2 (en) 2010-12-16 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with a built-in test circuit for repairing faulty circuits
US8273610B2 (en) 2010-11-18 2012-09-25 Monolithic 3D Inc. Method of constructing a semiconductor device and structure
US10896931B1 (en) 2010-10-11 2021-01-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11315980B1 (en) 2010-10-11 2022-04-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with transistors
US11257867B1 (en) 2010-10-11 2022-02-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with oxide bonds
US11018191B1 (en) 2010-10-11 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10290682B2 (en) 2010-10-11 2019-05-14 Monolithic 3D Inc. 3D IC semiconductor device and structure with stacked memory
US8114757B1 (en) 2010-10-11 2012-02-14 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11024673B1 (en) 2010-10-11 2021-06-01 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11227897B2 (en) 2010-10-11 2022-01-18 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11158674B2 (en) 2010-10-11 2021-10-26 Monolithic 3D Inc. Method to produce a 3D semiconductor device and structure
US11469271B2 (en) 2010-10-11 2022-10-11 Monolithic 3D Inc. Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory
US11600667B1 (en) 2010-10-11 2023-03-07 Monolithic 3D Inc. Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory
US11694922B2 (en) 2010-10-13 2023-07-04 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11164898B2 (en) 2010-10-13 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11327227B2 (en) 2010-10-13 2022-05-10 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators
US11437368B2 (en) 2010-10-13 2022-09-06 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11163112B2 (en) 2010-10-13 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators
US10943934B2 (en) 2010-10-13 2021-03-09 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11133344B2 (en) 2010-10-13 2021-09-28 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US8379458B1 (en) 2010-10-13 2013-02-19 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11043523B1 (en) 2010-10-13 2021-06-22 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US11984438B2 (en) 2010-10-13 2024-05-14 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US10998374B1 (en) 2010-10-13 2021-05-04 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11605663B2 (en) 2010-10-13 2023-03-14 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11929372B2 (en) 2010-10-13 2024-03-12 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11855100B2 (en) 2010-10-13 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11063071B1 (en) 2010-10-13 2021-07-13 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with waveguides
US10833108B2 (en) 2010-10-13 2020-11-10 Monolithic 3D Inc. 3D microdisplay device and structure
US11404466B2 (en) 2010-10-13 2022-08-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US10679977B2 (en) 2010-10-13 2020-06-09 Monolithic 3D Inc. 3D microdisplay device and structure
US9197804B1 (en) 2011-10-14 2015-11-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor and optoelectronic devices
US10978501B1 (en) 2010-10-13 2021-04-13 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with waveguides
US11855114B2 (en) 2010-10-13 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11869915B2 (en) 2010-10-13 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11121021B2 (en) 2010-11-18 2021-09-14 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11482439B2 (en) 2010-11-18 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device comprising charge trap junction-less transistors
US11164770B1 (en) 2010-11-18 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11862503B2 (en) 2010-11-18 2024-01-02 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11784082B2 (en) 2010-11-18 2023-10-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11923230B1 (en) 2010-11-18 2024-03-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11211279B2 (en) 2010-11-18 2021-12-28 Monolithic 3D Inc. Method for processing a 3D integrated circuit and structure
US11495484B2 (en) 2010-11-18 2022-11-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with at least two single-crystal layers
US11508605B2 (en) 2010-11-18 2022-11-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11443971B2 (en) 2010-11-18 2022-09-13 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11094576B1 (en) 2010-11-18 2021-08-17 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11355381B2 (en) 2010-11-18 2022-06-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11355380B2 (en) 2010-11-18 2022-06-07 Monolithic 3D Inc. Methods for producing 3D semiconductor memory device and structure utilizing alignment marks
US11569117B2 (en) 2010-11-18 2023-01-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers
US11004719B1 (en) 2010-11-18 2021-05-11 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11901210B2 (en) 2010-11-18 2024-02-13 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11482438B2 (en) 2010-11-18 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11615977B2 (en) 2010-11-18 2023-03-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11521888B2 (en) 2010-11-18 2022-12-06 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with high-k metal gate transistors
US11031275B2 (en) 2010-11-18 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11804396B2 (en) 2010-11-18 2023-10-31 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11018042B1 (en) 2010-11-18 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11107721B2 (en) 2010-11-18 2021-08-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with NAND logic
US11854857B1 (en) 2010-11-18 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11610802B2 (en) 2010-11-18 2023-03-21 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor device and structure with single crystal transistors and metal gate electrodes
US11735462B2 (en) 2010-11-18 2023-08-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers
US20120129318A1 (en) * 2010-11-24 2012-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Atmospheric pressure plasma etching apparatus and method for manufacturing soi substrate
US8975670B2 (en) 2011-03-06 2015-03-10 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure for heat removal
JP2013008915A (ja) * 2011-06-27 2013-01-10 Toshiba Corp 基板加工方法及び基板加工装置
US10388568B2 (en) 2011-06-28 2019-08-20 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and system
US8687399B2 (en) 2011-10-02 2014-04-01 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9029173B2 (en) 2011-10-18 2015-05-12 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
JP2013131652A (ja) * 2011-12-21 2013-07-04 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置の製造方法、半導体ウェハの加工方法、半導体ウェハ
US9000557B2 (en) 2012-03-17 2015-04-07 Zvi Or-Bach Semiconductor device and structure
US11164811B2 (en) 2012-04-09 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with isolation layers and oxide-to-oxide bonding
US11616004B1 (en) 2012-04-09 2023-03-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11694944B1 (en) 2012-04-09 2023-07-04 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11594473B2 (en) 2012-04-09 2023-02-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11088050B2 (en) 2012-04-09 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with isolation layers
US11476181B1 (en) 2012-04-09 2022-10-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11735501B1 (en) 2012-04-09 2023-08-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US10600888B2 (en) 2012-04-09 2020-03-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US11410912B2 (en) 2012-04-09 2022-08-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with vias and isolation layers
US11881443B2 (en) 2012-04-09 2024-01-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US8557632B1 (en) 2012-04-09 2013-10-15 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
SG2014012934A (en) 2012-06-12 2014-09-26 Erich Thallner Substrate-product substrate combination as well as device and process for producing a substrate-product substrate combination
US20150179494A1 (en) * 2012-06-29 2015-06-25 Hitachi Chemical Company, Ltd. Method for producing semiconductor device
JP6057592B2 (ja) * 2012-08-06 2017-01-11 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6116155B2 (ja) * 2012-08-20 2017-04-19 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6013831B2 (ja) * 2012-08-21 2016-10-25 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2014053351A (ja) * 2012-09-05 2014-03-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2014056910A (ja) * 2012-09-12 2014-03-27 Tokyo Electron Ltd 塗布処理装置、接合システム、塗布処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2014063919A (ja) * 2012-09-21 2014-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
US8686428B1 (en) 2012-11-16 2014-04-01 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8574929B1 (en) 2012-11-16 2013-11-05 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11967583B2 (en) 2012-12-22 2024-04-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11018116B2 (en) 2012-12-22 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11961827B1 (en) 2012-12-22 2024-04-16 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11217565B2 (en) 2012-12-22 2022-01-04 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11784169B2 (en) 2012-12-22 2023-10-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11063024B1 (en) 2012-12-22 2021-07-13 Monlithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11916045B2 (en) 2012-12-22 2024-02-27 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US8674470B1 (en) 2012-12-22 2014-03-18 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11309292B2 (en) 2012-12-22 2022-04-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US10892169B2 (en) 2012-12-29 2021-01-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11430667B2 (en) 2012-12-29 2022-08-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11087995B1 (en) 2012-12-29 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10600657B2 (en) 2012-12-29 2020-03-24 Monolithic 3D Inc 3D semiconductor device and structure
US10115663B2 (en) 2012-12-29 2018-10-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9871034B1 (en) 2012-12-29 2018-01-16 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11177140B2 (en) 2012-12-29 2021-11-16 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11004694B1 (en) 2012-12-29 2021-05-11 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11430668B2 (en) 2012-12-29 2022-08-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US10651054B2 (en) 2012-12-29 2020-05-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9385058B1 (en) 2012-12-29 2016-07-05 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US10903089B1 (en) 2012-12-29 2021-01-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
CN103928290B (zh) * 2013-01-11 2016-08-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆边缘的刻蚀方法
US11869965B2 (en) 2013-03-11 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US10325651B2 (en) 2013-03-11 2019-06-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with stacked memory
US8902663B1 (en) 2013-03-11 2014-12-02 Monolithic 3D Inc. Method of maintaining a memory state
US11935949B1 (en) 2013-03-11 2024-03-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US11398569B2 (en) 2013-03-12 2022-07-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10840239B2 (en) 2014-08-26 2020-11-17 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US8994404B1 (en) 2013-03-12 2015-03-31 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11923374B2 (en) 2013-03-12 2024-03-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11088130B2 (en) 2014-01-28 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9117749B1 (en) 2013-03-15 2015-08-25 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US10224279B2 (en) 2013-03-15 2019-03-05 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
JP5921473B2 (ja) * 2013-03-21 2016-05-24 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US11487928B2 (en) 2013-04-15 2022-11-01 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11030371B2 (en) 2013-04-15 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US9021414B1 (en) 2013-04-15 2015-04-28 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11341309B1 (en) 2013-04-15 2022-05-24 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11574109B1 (en) 2013-04-15 2023-02-07 Monolithic 3D Inc Automation methods for 3D integrated circuits and devices
US11720736B2 (en) 2013-04-15 2023-08-08 Monolithic 3D Inc. Automation methods for 3D integrated circuits and devices
US11270055B1 (en) 2013-04-15 2022-03-08 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
JP6197422B2 (ja) * 2013-07-11 2017-09-20 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法および支持基板付きウェハ
TWI705861B (zh) 2013-08-30 2020-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 支撐體供應裝置及供應支撐體的方法
US8906745B1 (en) * 2013-09-12 2014-12-09 Micro Processing Technology, Inc. Method using fluid pressure to remove back metal from semiconductor wafer scribe streets
CN104576350B (zh) * 2013-10-23 2018-06-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆减薄方法
CN104716017B (zh) * 2013-12-13 2017-10-24 上海华虹宏力半导体制造有限公司 改善晶圆边缘处理的方法
US11031394B1 (en) 2014-01-28 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11107808B1 (en) 2014-01-28 2021-08-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10297586B2 (en) 2015-03-09 2019-05-21 Monolithic 3D Inc. Methods for processing a 3D semiconductor device
KR102261814B1 (ko) * 2014-06-16 2021-06-07 삼성전자주식회사 반도체 패키지의 제조 방법
US20150371956A1 (en) * 2014-06-19 2015-12-24 Globalfoundries Inc. Crackstops for bulk semiconductor wafers
US11056468B1 (en) 2015-04-19 2021-07-06 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10381328B2 (en) 2015-04-19 2019-08-13 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US10825779B2 (en) 2015-04-19 2020-11-03 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11011507B1 (en) 2015-04-19 2021-05-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11956952B2 (en) 2015-08-23 2024-04-09 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
JP6410152B2 (ja) * 2015-09-11 2018-10-24 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法
US11978731B2 (en) 2015-09-21 2024-05-07 Monolithic 3D Inc. Method to produce a multi-level semiconductor memory device and structure
CN115942752A (zh) 2015-09-21 2023-04-07 莫诺利特斯3D有限公司 3d半导体器件和结构
US10522225B1 (en) 2015-10-02 2019-12-31 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device with non-volatile memory
US11114464B2 (en) 2015-10-24 2021-09-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US12016181B2 (en) 2015-10-24 2024-06-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US11296115B1 (en) 2015-10-24 2022-04-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10847540B2 (en) 2015-10-24 2020-11-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11991884B1 (en) 2015-10-24 2024-05-21 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US10418369B2 (en) 2015-10-24 2019-09-17 Monolithic 3D Inc. Multi-level semiconductor memory device and structure
US11937422B2 (en) 2015-11-07 2024-03-19 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US11114427B2 (en) 2015-11-07 2021-09-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor processor and memory device and structure
JP6676365B2 (ja) * 2015-12-21 2020-04-08 キヤノン株式会社 撮像装置の製造方法
US10804407B2 (en) 2016-05-12 2020-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing apparatus and stack processing apparatus
DE102016109693B4 (de) * 2016-05-25 2022-10-27 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Trennen von Halbleiterdies von einem Halbleitersubstrat und Halbleitersubstratanordnung
US11329059B1 (en) 2016-10-10 2022-05-10 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with thinned single crystal substrates
US11711928B2 (en) 2016-10-10 2023-07-25 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with control circuits
US11930648B1 (en) 2016-10-10 2024-03-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with metal layers
US11251149B2 (en) 2016-10-10 2022-02-15 Monolithic 3D Inc. 3D memory device and structure
US11812620B2 (en) 2016-10-10 2023-11-07 Monolithic 3D Inc. 3D DRAM memory devices and structures with control circuits
US11869591B2 (en) 2016-10-10 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with control circuits
KR102524962B1 (ko) 2016-11-14 2023-04-21 삼성전자주식회사 기판 구조체 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 기판 구조체
JP7025235B2 (ja) * 2017-04-19 2022-02-24 キヤノン株式会社 パターン形成方法および物品製造方法
US10388535B1 (en) * 2018-05-25 2019-08-20 Powertech Technology Inc. Wafer processing method with full edge trimming
JP7242220B2 (ja) * 2018-09-03 2023-03-20 キヤノン株式会社 接合ウェハ及びその製造方法、並びにスルーホール形成方法
JP7187115B2 (ja) * 2018-12-04 2022-12-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
CN113272938A (zh) * 2018-12-11 2021-08-17 超极存储器股份有限公司 半导体模块的制造方法
US11158652B1 (en) 2019-04-08 2021-10-26 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11018156B2 (en) 2019-04-08 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11296106B2 (en) 2019-04-08 2022-04-05 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11763864B2 (en) 2019-04-08 2023-09-19 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures with bit-line pillars
US10892016B1 (en) 2019-04-08 2021-01-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
JP7103305B2 (ja) * 2019-05-29 2022-07-20 信越半導体株式会社 インゴットの切断方法
CN111063649B (zh) * 2019-12-03 2022-11-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Micro LED的转移方法及转移装置
JP2022046207A (ja) 2020-09-10 2022-03-23 キオクシア株式会社 半導体装置の製造方法、及び半導体装置
US11841296B2 (en) * 2021-12-02 2023-12-12 Globalfoundries U.S. Inc. Semiconductor substrates for electrical resistivity measurements
TWI810862B (zh) * 2022-03-24 2023-08-01 南茂科技股份有限公司 工件載具

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6088535U (ja) * 1983-11-24 1985-06-18 住友電気工業株式会社 半導体ウエハ
US5225235A (en) * 1987-05-18 1993-07-06 Osaka Titanium Co., Ltd. Semiconductor wafer and manufacturing method therefor
JP2645478B2 (ja) * 1988-10-07 1997-08-25 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JPH0485827A (ja) 1990-07-26 1992-03-18 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2691244B2 (ja) 1990-11-28 1997-12-17 株式会社日立製作所 誘電体分離基板
JPH06215993A (ja) 1993-01-14 1994-08-05 Ube Ind Ltd 複合半導体基板及びその製造方法
US5384008A (en) * 1993-06-18 1995-01-24 Applied Materials, Inc. Process and apparatus for full wafer deposition
JPH0864500A (ja) * 1994-08-25 1996-03-08 Hitachi Ltd 信号処理方法および位置検出光学系の調整方法およびターゲットパターンならびに露光方法および露光装置
US5937312A (en) 1995-03-23 1999-08-10 Sibond L.L.C. Single-etch stop process for the manufacture of silicon-on-insulator wafers
US6291315B1 (en) * 1996-07-11 2001-09-18 Denso Corporation Method for etching trench in manufacturing semiconductor devices
US5821166A (en) * 1996-12-12 1998-10-13 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor wafers
JPH10270298A (ja) 1997-03-27 1998-10-09 Mitsubishi Materials Shilicon Corp 張り合わせ基板の製造方法
JP3368799B2 (ja) * 1997-05-22 2003-01-20 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体ウェハおよびその製造方法
JPH10335195A (ja) 1997-05-27 1998-12-18 Mitsubishi Materials Shilicon Corp 張り合わせ基板の製造方法
JP3390660B2 (ja) 1998-04-28 2003-03-24 株式会社日立製作所 誘電体分離基板の製造方法
US6146463A (en) * 1998-06-12 2000-11-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for aligning a substrate on a support member
JP3515917B2 (ja) 1998-12-01 2004-04-05 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
AU2573801A (en) * 1999-11-02 2001-05-14 University Of Hawaii Method for fabricating arrays of micro-needles
TW587332B (en) * 2000-01-07 2004-05-11 Canon Kk Semiconductor substrate and process for its production
JP4846915B2 (ja) 2000-03-29 2011-12-28 信越半導体株式会社 貼り合わせウェーハの製造方法
JP3991300B2 (ja) * 2000-04-28 2007-10-17 株式会社Ｓｕｍｃｏ 張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法
TW475168B (en) * 2000-05-31 2002-02-01 Via Tech Inc Processing method for disk drive reading
JP2001345294A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US6482749B1 (en) * 2000-08-10 2002-11-19 Seh America, Inc. Method for etching a wafer edge using a potassium-based chemical oxidizer in the presence of hydrofluoric acid
JP2002343972A (ja) 2001-05-15 2002-11-29 Sony Corp 半導体素子の製造方法
JP2003059852A (ja) * 2001-08-10 2003-02-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の熱処理装置
JP3802507B2 (ja) * 2002-05-20 2006-07-26 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US7258931B2 (en) * 2002-08-29 2007-08-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor wafers having asymmetric edge profiles that facilitate high yield processing by inhibiting particulate contamination
US6790748B2 (en) * 2002-12-19 2004-09-14 Intel Corporation Thinning techniques for wafer-to-wafer vertical stacks

Also Published As

Publication number Publication date
TWI265551B (en) 2006-11-01
TW200503050A (en) 2005-01-16
KR20050003974A (ko) 2005-01-12
DE102004006494A1 (de) 2005-01-27
JP2005026413A (ja) 2005-01-27
US7709932B2 (en) 2010-05-04
US7195988B2 (en) 2007-03-27
CN1311523C (zh) 2007-04-18
US20050023647A1 (en) 2005-02-03
CN1577733A (zh) 2005-02-09
US20060038260A1 (en) 2006-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100661471B1 (ko) 반도체 웨이퍼 및 반도체소자의 제조방법
KR100433781B1 (ko) 반도체장치의 제조방법
KR101148052B1 (ko) 기판의 준비 및 어셈블링 방법
US10510626B2 (en) Method for use in manufacturing a semiconductor device die
US20230130127A1 (en) Method for manufacturing a functional chip suitable for being assembled to wire elements
EP3509096B1 (en) Separation of workpiece with three material removal stages
TWI354325B (ko)
JP6301565B1 (ja) マイクロチップをウェーハーから切り離して該マイクロチップを基板上に装着する方法および装置
US5943563A (en) Method for producing a three-dimensional circuit arrangement
JP2008120947A (ja) 転写テープ及びこの転写テープを用いた半導体装置の製造方法
US7790569B2 (en) Production of semiconductor substrates with buried layers by joining (bonding) semiconductor wafers
JPH10209408A (ja) Ｓｏｉ基板の製造方法
JP4046645B2 (ja) 半導体デバイス及びその製造方法
JP2003124147A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH10256200A (ja) 半導体基板およびその製造方法
US20230154914A1 (en) Method of producing hybrid semiconductor wafer
JPH04336448A (ja) 半導体装置の製造方法
CN117524984A (zh) 具有受保护侧壁的半导体器件
US20070184580A1 (en) Method of making a small substrate compatible for processing
JP2003257897A (ja) 半導体チップの形成方法
JPH1116861A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2008277454A (ja) 固体撮像素子モジュールの製造方法
CN112289694A (zh) 晶圆键合方法
CN112864120A (zh) 包括电接触部与布置在电接触部上的金属层的半导体装置
CN111943129A (zh) 一种mems晶圆切割对准方法及mems晶圆

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
N231 Notification of change of applicant
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121121

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131118

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141120

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151118

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161123

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171117

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181115

Year of fee payment: 13