JP6013831B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Description
W ウエーハ(半導体基板)
WS 表面
WR 裏面
J,JA 樹脂
P キャリアプレート
Pa 裏面
D デバイス
S 分割予定ライン
E Via電極
Eb 頭
H 深さ
DR デバイス領域
GR 外周余剰領域
C 面取り部
T ダイシングテープ
V バンプ
Z 絶縁膜
Claims (1)
- 半導体基板の表面に複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され、デバイスの電極から半導体基板の裏面に向かって埋設されたVia電極を有するデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域に面取り部を備えたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
外周余剰領域に切削ブレードを位置づけて所定の深さ切削し面取り部を除去する面取り部除去工程と、
ウエーハの表面に樹脂を介してキャリアプレートを配設するキャリアプレート配設工程と、
ウエーハの裏面からVia電極の深さを検出するVia電極検出工程と、
Via電極が裏面に露出しない程度にウエーハの裏面を研削して薄化する裏面研削工程と、
ウエーハの裏面から半導体基板をエッチングしてVia電極を突出させるエッチング工程と、
ウエーハの裏面に絶縁膜を被覆する絶縁膜被覆工程と、
裏面から突出したVia電極を削り絶縁膜から露出させると共にVia電極の頭を絶縁膜と同一面に仕上げる仕上げ工程と、
Via電極の頭にバンプを配設するバンプ配設工程と、
ウエーハの裏面にダイシングテープを貼着すると共にウエーハの表面からキャリアプレートを取り外しウエーハをダイシングテープに移し替える移し替え工程と、
を少なくとも含み、
該裏面研削工程の後でかつ該エッチング工程の前に、該キャリアプレート配設工程において使用した樹脂の一部が面取り部が除去されたウエーハの外周からはみ出していて、ウエーハの外周を支持しウエーハの裏面およびキャリアプレートの裏面を洗浄する洗浄装置を用いた洗浄工程において、砥石が設けられかつ軸心回りに回転自在な該洗浄装置の複数のエッジクランプ間に該ウエーハを挟み込み、少なくともそのはみ出した樹脂を該砥石に当接させて除去するウエーハの加工方法。
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