JPH06268345A - 回路形成用基板の製造方法および回路形成用基板 - Google Patents

回路形成用基板の製造方法および回路形成用基板

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JPH06268345A
JPH06268345A JP7784093A JP7784093A JPH06268345A JP H06268345 A JPH06268345 A JP H06268345A JP 7784093 A JP7784093 A JP 7784093A JP 7784093 A JP7784093 A JP 7784093A JP H06268345 A JPH06268345 A JP H06268345A
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勝秀 塚本
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 出発基材に被圧縮性の多孔質基材を使用し、
任意の電極層間のインナビアホール接続を安定に行うこ
とが可能な回路形成用基板の製造方法およびそれを用い
た回路基板並びに多層回路基板を得る。 【構成】 離形性フィルム１を備えた被圧縮性の多孔質
基材２に貫通孔３を設け、前記貫通孔３に導電性ペース
ト４を充填してペースト中のバインダ成分を基材２中に
浸透させてペースト中のバインダに対する導電物質の構
成比を増大させる工程、離形性フィルム１を剥離した基
材面に金属箔５を張り合わせて加熱加圧し、積層基材を
圧縮する工程によって導電物質を緻密化させて金属箔間
の電気的接続を図る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、両面に金属箔を有する
回路形成用基板の製造方法および回路形成用基板に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、高密度化に伴
い、産業用にとどまらず民生用の分野においても多層回
路基板が強く要望されるようになってきた。このような
多層回路基板では、複数層の回路パターンの間をインナ
ビアホール接続する接続方法および信頼度の高い構造が
必要である。
【０００３】以下従来の２層回路基板の製造方法につい
て説明する。図８（ａ）〜（ｅ）は従来の２層回路基板
の製造方法を示す工程断面図である。まず、図８（ａ）
に示すように、シート８１を片面に張り付けたガラスエ
ポキシ基板などの絶縁基板８２の所定の箇所に貫通孔８
３を形成し、その絶縁基板８２の下面に第１の銅箔８４
を接着する。次に図８（ｂ）に示すように、貫通孔８３
に導電性ペースト８５を充填する。この導電性ペースト
８５はシート８１を印刷マスクとして印刷することによ
り充填される。次に図８（ｃ）に示すように、絶縁基板
８２からシート８１を剥離すると貫通孔８３の内部に導
電性ペースト８５が充填される。しかしながら、貫通孔
８３の上部にはシート８１の厚みに依存する量の導電性
ペースト８５が絶縁基板８２の表面以上に盛り上がった
形状で残ることがある。次に図８（ｄ）に示すように、
絶縁基板８２の上面に第２の銅箔８６を張り付けた後、
絶縁基板８２と第２の銅箔８６とを本接着するととも
に、導電性ペースト８５を硬化させる。次に図８（ｅ）
に示すように、第１の銅箔８４および第２の銅箔８６を
選択的にエッチングして第１の回路パターン８７ａおよ
び第２の回路パターン８７ｂを形成する。
【０００４】このようにして、第１の回路パターン８７
ａと第２の回路パターン８７ｂとは貫通孔８３に充填さ
れた導電性ペースト８５によってインナビアホール接続
され、２層配線回路基板８８が得られる。
【０００５】次に従来の多層回路基板の製造方法につい
て、４層回路基板を例として説明する。
【０００６】図９（ａ）〜（ｄ）は従来の多層回路基板
の製造方法を示す工程断面図であり、４層回路基板を例
として示している。まず、図９（ａ）に示すように、図
８（ａ）〜（ｅ）の工程を経て製造された第１の２層回
路基板８８の上に、シート９１を備え所定の箇所に貫通
孔９３が形成された絶縁基板９２を張り付ける。次に図
９（ｂ）に示すように、貫通孔９３に導電性ペースト９
４を充填する。この導電性ペースト９４はシート９１を
マスクとして印刷することにより充填される。次に図９
（ｃ）に示すように、絶縁基板９２からシート９１を剥
離すると貫通孔９３内のみに導電性ペースト９４が充填
される。次に図９（ｄ）に示すように、図８（ａ）〜
（ｅ）と同様の工程を経て製造された回路パターン９６
ａ、９６ｂが形成された第２の２層回路基板９５を絶縁
基板９２の上に張り付けて接着することにより４層回路
基板が得られる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、次のような課題を有していた。
【０００８】第１に、従来の構成においては、貫通孔に
導電性ペーストを充填する印刷工程において使用できる
導電性ペースト中の導電物質の含有量に制限があり、そ
のために導電性ペーストおよび導電性ペーストと金属箔
間の抵抗値を下げるには不適当であった。すなわち、貫
通孔に充填された導電性ペーストの硬化後の抵抗を下げ
るために導電性ペースト中の導電物質の含有量を上げる
と、流動性が悪くなり、印刷適性が低下するために充填
不良などが発生しやすくなる。
【０００９】よって、小口径の貫通孔に導電性ペースト
を充填するためには導電性ペーストの流動性をある程度
上げる必要がある。そのために、導電性ペースト中の導
電物質の含有量を下げると流動性が上がり印刷適性は向
上するが、導電物質の含有量を下げた分だけ導電性ペー
ストの硬化後の抵抗が高くなる。
【００１０】第２に、従来の構成においては、図８
（ｃ）に示すように、シート８１の厚みに依存する量の
導電性ペースト８５が絶縁基板８２の表面以上に盛り上
がった形状で残ることがある。この状態で絶縁基板８２
の上に第２の銅箔８６を張り付けると、盛り上がった導
電性ペースト８５の逃げ場がなくなり、図１０（ａ）に
示すように、第２の銅箔８６と絶縁基板８２との隙間に
導電性ペースト８５が入り込むことがある。このような
絶縁基板８２の第２の銅箔８６をエッチングして第２の
回路パターン８７ｂを形成すると、図１０（ｂ）に示す
ように、第２の銅箔８６と絶縁基板８２との間に入り込
んでいた導電性ペースト８５によって短絡路８５ａが形
成され、近接する回路パターン間の短絡不良の原因とな
る。
【００１１】以上のような課題を有しているために、従
来の回路形成用基板では単位面積当たりに形成できるイ
ンナビアホール接続の個数および回路パターン密度に限
界があり、今後ますます需要が増大する高密度実装用多
層基板を実現することが困難である。
【００１２】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、導電性ペーストの印刷適性を確保しながらインナビ
アホール接続時の導電性ペーストおよび導電性ペースト
と金属箔間の接続抵抗を下げ、かつ近接したインナビア
ホール間の短絡不良をなくした高性能、高信頼性および
高品質の回路基板を実現するための回路形成用基板の製
造方法、回路形成用基板およびこの回路形成用基板を用
いて構成される多層回路基板を提供することを目的とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の回路形成用基板の製造方法は、離型性フィル
ムを備えた被圧縮性を有し不織布と熱硬化性樹脂の複合
材からなる多孔質基材に貫通孔を設ける工程と、貫通孔
に導電性ペーストを充填する工程と、貫通孔に導電性ペ
ーストを充填した多孔質基材から離型性フィルムを剥離
する工程と、多孔質基材の離型性フィルムを剥離した面
に金属箔を張り合わせる工程と、金属箔を張り合わせた
多孔質基材を加熱加圧して圧縮する工程からなるもので
ある。
【００１４】
【作用】このように被圧縮性を有し不織布と熱硬化性樹
脂の複合材からなる多孔質基材を使用することによっ
て、導電物質の含有量が比較的少なく印刷適性に優れた
導電性ペーストを使用して貫通孔に容易に導電性ペース
トを充填することができ、さらに製造工程中において導
電性ペースト中のバインダ成分の一部が不織布の空孔に
浸透し、導電性ペースト中の導電物質の構成比が増大す
る。
【００１５】また、被圧縮性を有し不織布と熱硬化性樹
脂の複合材からなる多孔質基材を使用することによっ
て、多孔質基材が加熱加圧によって圧縮される工程にお
いて導電性ペーストも圧縮されるが、そのときに導電物
質間からバインダ成分が押し出され、導電物質同士およ
び導電物質と金属箔間の結合が強固になり、導電性ペー
スト中の導電物質が緻密化される。
【００１６】また、被圧縮性を有する多孔質基材を使用
することによって、貫通孔に充填された導電性ペースト
のバインダ成分が多孔質基材側に浸透するため充填量が
減少し、多孔質基材とその両面に張り付けられた金属箔
との間に導電性ペーストが侵入することがなくなり、近
接する回路パターン間の短絡不良の発生を防止できる。
【００１７】
【実施例】以下本発明の一実施例における回路形成用基
板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００１８】（実施例１）図１（ａ）〜（ｅ）は本発明
の第１の実施例における回路形成用基板の製造工程を示
す工程断面図である。まず図１（ａ）に示すように、両
面にポリエステルなどの離型性フィルム１を備えた厚さ
ｔ1 の多孔質基材２を準備する。この多孔質基材２とし
ては、例えば芳香族ポリアミド繊維に熱硬化性エポキシ
樹脂を含浸させた内部に空孔２ａを有する複合材からな
る基材（以下アラミド−エポキシシートと称する）が用
いられる。次に図１（ｂ）に示すように、アラミド−エ
ポキシシート２の所定の箇所にレーザ加工法などを利用
して貫通孔３を形成する。次に図１（ｃ）に示すよう
に、貫通孔３に導電性ペースト４を充填する。導電性ペ
ースト４を充填する方法としては、貫通孔３を有するア
ラミド−エポキシシート２を印刷機（図示せず）のテー
ブル上に設置し、直接導電性ペースト４を離型性フィル
ム１の上から印刷する。このとき、上面の離型性フィル
ム１は印刷マスクの役割と、アラミド−エポキシシート
２の表面の汚染防止の役割を果たしている。この段階で
すでに導電性ペースト４のバインダの一部はアラミド−
エポキシシート２側へ浸透し、導電性ペースト４の内部
ではバインダに対する導電物質の構成比が漸次増大して
行く。次にアラミド−エポキシシート２の両面から離型
性フィルム１を剥離する。次に図１（ｄ）に示すよう
に、アラミド−エポキシシート２の両面に銅箔などの金
属箔５を張り付ける。この状態で加熱加圧することによ
り、図１（ｅ）に示すように、アラミド−エポキシシー
ト２が圧縮されるとともにアラミド−エポキシシート２
と金属箔５とが接着される。この工程において、導電性
ペーストも圧縮されるが、そのときに導電物質間からバ
インダ成分が押し出され、導電物質同士および導電物質
と金属箔間の結合が強固になり、導電性ペースト中の導
電物質が緻密化されるとともに、アラミド−エポキシシ
ート２の厚さはｔ2 に圧縮され、アラミド−エポキシシ
ート２の一構成成分であるエポキシ樹脂および導電性ペ
ースト４が硬化する。
【００１９】本実施例をさらに詳しく説明すると、アラ
ミド−エポキシシート２として厚さｔ1 が１５０〜２２
０μｍ、空孔率が１０〜６０％のアラミド−エポキシシ
ートを用いた場合、図１（ｅ）に示す加熱加圧による圧
縮工程の後の厚さ、すなわちｔ2 は６０〜２００μｍ、
空孔率は０〜５％となり、空孔２ａの形状も小さくなっ
ている。
【００２０】（実施例２）次に本発明の第２の実施例に
おける回路形成用基板の製造方法について、図２（ａ）
〜（ｆ）を参照しながら説明する。まず図２（ａ）に示
すように、第１の実施例と同様のアラミド−エポキシシ
ート２を準備する。このアラミド−エポキシシート２の
厚さをｔ3 とする。次に図２（ｂ）に示すように、アラ
ミド−エポキシシート２を加熱加圧して予備圧縮を行
う。このときアラミド−エポキシシート２はその厚さが
ｔ4 に圧縮され、空孔率が減少するとともに、空孔２ａ
の形状も小さくなる。この予備圧縮の目的は、離型フィ
ルム１とアラミド−エポキシシート２との密着性を向上
させることにより以降の工程において、アラミド−エポ
キシシート２と金属箔５との界面に導電性ペースト４が
侵入するのを防止することと、導電性ペースト４中のバ
インダがアラミド−エポキシシート２側へ浸透す量を制
御することにある。次に図２（ｃ）に示すように、アラ
ミド−エポキシシート２の所定の箇所にレーザ加工法な
どを利用して貫通孔３を形成する。次に図２（ｄ）に示
すように、貫通孔３に導電性ペースト４を充填する。導
電性ペースト４を充填する方法としては、貫通孔３を有
するアラミド−エポキシシート２を印刷機（図示せず）
のテーブル上に設置し、直接導電性ペースト４を離型性
フィルム１の上から印刷する。このとき、上面の離型性
フィルム１は印刷マスクの役割とアラミド−エポキシシ
ート２の表面の汚染防止の役割を果たしている。この段
階ですでに導電性ペースト４のバインダの一部はアラミ
ド−エポキシシート２側へ浸透し、導電性ペースト４の
内部ではバインダに対する導電物質の構成比が漸次増大
して行く。次にアラミド−エポキシシート２の両面から
離型性フィルム１を剥離する。次に図２（ｅ）に示すよ
うに、アラミド−エポキシシート２の両面に銅箔などの
金属箔５を張り付ける。この状態で加熱加圧することに
より、図２（ｆ）に示すように、アラミド−エポキシシ
ート２が圧縮されるとともにアラミド−エポキシシート
２と金属箔５とが接着される。この工程において、導電
性ペーストも圧縮されるが、そのときに導電物質間から
バインダ成分が押し出され、導電物質同士および導電物
質と金属箔間の結合が強固になり、導電性ペースト中の
導電物質が緻密化されるとともにアラミド−エポキシシ
ート２の厚さはｔ5に圧縮され、アラミド−エポキシシ
ート２の一構成成分であるエポキシ樹脂と導電性ペース
ト４とが硬化する。
【００２１】本実施例をさらに詳しく説明すると、アラ
ミド−エポキシシート２として厚さｔ3 が１５０〜２２
０μｍで空孔率が４０〜６０％のアラミド−エポキシシ
ートを用いた場合、まず図２（ｂ）に示す加熱加圧によ
る予備圧縮工程の後の厚さ、すなわちｔ4 は１００〜１
５０μｍ、空孔率は１０〜３０％となり、空孔２ａの形
状も小さくなっている。さらに図２（ｆ）に示す圧縮工
程の後の厚さ、すなわちｔ5 は９０〜１００μｍ、空孔
率は０〜５％となり、空孔２ａの形状もさらに小さくな
っている。
【００２２】（実施例３）次に本発明の第３の実施例に
おける回路形成用基板の製造方法について、図３（ａ）
〜（ｆ）を参照しながら説明する。まず図３（ａ）に示
すように、少なくとも一方の面にポリエステルなどの離
型性フィルム１を備えた厚さｔ6 のアラミド−エポキシ
シート２を準備する。このアラミド−エポキシシート２
としては、第１の実施例と同様内部に空孔２ａを有する
アラミドエポキシシートが用いられる。次に図３（ｂ）
に示すように、アラミド−エポキシシート２の所定の箇
所にレーザ加工法などを利用して貫通孔３を形成する。
次に図３（ｃ）に示すように、アラミド−エポキシシー
ト２の下面に銅箔などの第１の金属箔５ａを張り付け
る。なお両面に離型性フィルム１を備えた多孔質基材を
使用した場合は、下面の離型性フィルムを剥離してから
第１の金属箔５ａを張り付ける。次に図３（ｄ）に示す
ように、貫通孔３に導電性ペースト４を充填する。導電
性ペースト４を充填する方法としては、貫通孔３を有す
るアラミド−エポキシシート２を印刷機（図示せず）の
テーブル上に設置し、直接に導電性ペースト４を離型性
フィルム１の上から印刷する。このとき、上面の離型性
フィルム１は印刷マスクの役割と、アラミド−エポキシ
シート２の表面の汚染防止の役割を果たしている。この
段階ですでに導電性ペースト４のバインダの一部はアラ
ミド−エポキシシート２側へ浸透し、導電性ペースト４
の内部ではバインダに対する導電物質の構成比が漸次増
大して行く。次にアラミド−エポキシシート２の上面か
ら離型性フィルム１を剥離する。次に図３（ｅ）に示す
ように、アラミド−エポキシシート２の上面に銅箔など
の第２の金属箔５ｂを張り付ける。この状態で加熱加圧
することにより、図３（ｆ）に示すように、アラミド−
エポキシシート２が圧縮されるとともにアラミド−エポ
キシシート２の下面には第１の金属箔５ａが、上面には
第２の金属箔５ｂがそれぞれ接着される。この工程にお
いて、導電性ペーストも圧縮されるが、そのときに導電
物質間からバインダ成分が押し出され、導電物質同士お
よび導電物質と金属箔間の結合が強固になり、導電性ペ
ースト中の導電物質が緻密化されるとともにアラミド−
エポキシシート２の厚さはｔ7に圧縮され、アラミド−
エポキシシート２の一構成成分であるエポキシ樹脂と導
電性ペースト４とが硬化する。
【００２３】本実施例をさらに詳しく説明すると、アラ
ミド−エポキシシート２として厚さｔ6 が１５０〜２２
０μｍ、空孔率が１０〜６０％のアラミド−エポキシシ
ートを用いた場合、図３（ｆ）に示す加熱加圧による圧
縮工程の後の厚さ、すなわちｔ7 は６０〜２００μｍ、
空孔率は０〜５％となり、空孔２ａの形状も小さくなっ
ている。
【００２４】なお図３（ａ）に示すアラミド−エポキシ
シート２として第２の実施例において使用したところの
予備圧縮して厚さと空孔率を減じたものを用いてもよ
い。
【００２５】以上説明した第１、第２または第３の実施
例において使用する導電性ペースト４に含有される導電
物質としては、銀、金、銀パラジウム、銅およびこれら
の合金の一種以上のもが使用できる。また導電物質の形
状は球状であることが望ましい。すなわち、導電物質と
して球状の金属粒子を使用することにより、導電性ペー
スト４に圧力が加えられた時、金属粒子同士の接触部か
らバインダを押し出し易く、また金属粒子同士の接触部
が塑性変形しやすいために金属粒子同士および金属粒子
と金属箔とが強固に結合し、インナビアホール接続時の
抵抗を極めて低くすることができる。
【００２６】また第１、第２または第３の実施例におい
て、金属箔５によって挟持されたアラミド−エポキシシ
ート２を加熱加圧して圧縮する工程を、導電性ペースト
４の粘度を上昇させる第１の工程と、金属箔５とアラミ
ド−エポキシシート２とを接着する第２の工程とから構
成してもよい。この場合には、まず第１の工程で導電性
ペースト４の粘度が上昇するため、第２の工程で導電性
ペースト４がアラミド−エポキシシート２と金属箔５と
の界面に侵入することを防止できる。このことは特に高
密度実装用の回路基板で貫通孔３同士の間隔が狭くなっ
てきた場合に効果を発揮する。
【００２７】また第１、第２または第３の実施例におい
て、導電性ペースト４のゲル化温度をアラミド−エポキ
シシート２の一構成成分であるエポキシ樹脂の軟化温度
より低く設定しておくことにより、金属箔５に挟持され
たアラミド−エポキシシート２を加熱加圧して圧縮する
工程において、まず最初に導電性ペースト４のゲル化が
始まり、ある程度粘度が上昇してからアラミド−エポキ
シシート２の一構成成分であるエポキシ樹脂が軟化し始
めるため、導電性ペースト４がアラミド−エポキシシー
ト２と金属箔５との界面に侵入することを防止できる。
このことは特に高密度実装用の回路基板で貫通孔３同士
の間隔が狭くなってきた場合に効果を発揮する。
【００２８】次に第１、第２または第３の実施例におい
て特に重要な意味を持つ、加熱加圧による多孔質基材の
圧縮について説明する。圧縮率は、加熱加圧前の多孔質
基材の厚さをＴ、加熱加圧後のアラミド−エポキシシー
ト２の厚さをｔとして式（１）で表される。
【００２９】圧縮率＝（Ｔ−ｔ）／Ｔ （１） 図４は多孔質基材を圧縮するプレス圧力と圧縮率および
厚さの関係を示す図である。さらに詳しく説明すると、
多孔質基材として厚さ２００μｍ、空孔率４０％のアラ
ミド−エポキシシートを使用し、１００℃で３分間加圧
したときのプレス圧力と圧縮率および厚さとの関係を示
したものである。図４に示すように、プレス圧力の増大
とともに多孔質基材の厚さは減少するが、プレス圧力が
圧縮率の転移点Ｐを超えると厚さの変化は小さくなる。
圧縮率はこの厚さの変化を式（１）に代入して求めたも
のである。
【００３０】したがって、第２の実施例における図２
（ｂ）の工程で行う予備圧縮は図４に示す圧縮率の転移
点Ｐに達するまでの領域内で行い、図２（ｆ）の工程、
図１（ｅ）の工程および図３（ｆ）の工程で行う圧縮は
圧縮率の転移点Ｐ以降の領域で行うことが望ましい。
【００３１】図５は圧縮率と貫通孔に充填された導電性
ペーストの抵抗値との関係を示す図であり、縦軸は貫通
孔１個あたりの抵抗値を示している。図５の測定に使用
した試料は次のようにして作成した。まず多孔質基材と
して厚さ２００μｍのアラミド−エポキシシートを使用
し、１００℃で予備圧縮を行った後、レーザ加工法を用
いて直径０．２mmの貫通孔を形成した。次にこの貫通孔
に、金属粒子としての銀パウダーをバインダとしての無
溶剤型エポキシ樹脂に分散させた導電性ペーストを充填
した後、アラミド−エポキシシートの両面に銅箔を張り
合わせ、１７０℃で６０分間プレスした。次に両面の銅
箔をエッチングして５００個の貫通孔が直列に接続され
た回路パターンを形成した。この回路パターンの総抵抗
値を測定し、貫通孔１個あたりの抵抗値を算出した。
【００３２】図５に示すように、抵抗値は圧縮率の増加
とともに急激に減少し、その圧縮率が抵抗値の転移点Ｒ
を超えると抵抗値の変化は小さくなり、安定した電気的
接続が得られた。
【００３３】（実施例４）次に本発明の一実施例におけ
る回路形成用基板について、図面を参照しながら説明す
る。
【００３４】図６は本発明の一実施例における回路形成
用基板の断面図である。図６に示すように、本実施例の
回路形成用基板は、アラミド−エポキシシート２に設け
られた貫通孔３に充填された導電性ペースト４によって
アラミド−エポキシシート２の両面に接着された金属箔
５が電気的に接続されている。貫通孔３に充填された導
電性ペースト４は、導電性ペースト４を充填する工程以
降に漸次導電物質の構成比が増大して行き、金属箔５を
接着した後の圧縮工程で導電物質間からバインダ成分が
押し出され、導電物質同士および導電物質と金属箔間の
結合が強固になる。その結果、本実施例における導電性
ペースト４は従来のインナビアホール接続に用いられて
いる導電性ペーストに比べて導電物質が緻密化されてい
る。
【００３５】（実施例５）次に本発明の一実施例におけ
る多層回路基板の製造方法について、図面を参照しなが
ら説明する。
【００３６】図７（ａ）〜（ｉ）は、本発明の一実施例
における多層回路基板の製造方法を示す工程断面図であ
り、（ａ）、（ｂ）は第１の回路基板を形成する工程
を、（ｃ）、（ｄ）は第２の回路基板を形成する工程
を、（ｅ）〜（ｇ）は第１の回路基板と第２の回路基板
とを積層し相互接続するために用いる中間接続体を形成
する工程を、（ｈ）、（ｉ）は第１の回路基板と第２の
回路基板との間に中間接続体を介在させて積層し多層回
路基板を形成する工程をそれぞれ示している。
【００３７】まず図７（ａ）に示すように、図１（ａ）
〜（ｅ）、図２（ａ）〜（ｆ）または図３（ａ）〜
（ｆ）によって形成された第１の回路形成用基板２１を
準備する。次に図７（ｂ）に示すように、両面の銅箔な
どの金属箔５をそれぞれ通常のパターン形成方法により
エッチングして回路パターン２２を備えた第１の回路基
板２３を製造する。同様に図７（ｃ）、（ｄ）により第
２の回路形成用基板２４を処理して、回路パターン２５
を備えた第２の回路基板２６を製造する。なおこれらの
回路基板２３、２６はこの状態で２層配線回路基板とし
て使用できる。
【００３８】第１の回路基板２３および第２の回路基板
２６の製造工程とは別に、図７（ｅ）〜（ｇ）に示す工
程で中間接続体３１を製造する。まず図７（ｅ）に示す
ように、離型性フィルム２７を備えた厚さｔ8 のアラミ
ド−エポキシシート２８を準備する。次に図７（ｆ）に
示すように、アラミド−エポキシシート２８の所定の箇
所にレーザ加工法などを利用して貫通孔２９を形成す
る。次に図７（ｇ）に示すように、貫通孔２９に導電性
ペースト３０を充填する。導電性ペースト３０を充填す
る方法としては、貫通孔２９を形成したアラミド−エポ
キシシート２８を印刷機のテーブル（図示せず）の上に
設置し、直接導電性ペースト３０を離型性フィルム２７
の上から印刷する。このとき、上面の離型性フィルム２
７は印刷マスクの役割と、アラミド−エポキシシート２
８の表面の汚染防止の役割を果たしている。導電性ペー
スト３０を印刷した後、離型性フィルム２７を除去して
中間接続体３１が製造される。なお貫通孔２９は図７
（ｈ）、（ｉ）の工程において、相互接続すべき回路パ
ターンに対応させて必要な数だけ設けておく。
【００３９】次に第１の回路基板２３と第２の回路基板
２６とを中間接続体３１を用いて積層する工程について
説明する。まず図７（ｈ）に示すように、第１の回路基
板２３の上に中間接続体３１を重ね、その上に第２の回
路基板２６を重ねる。次に図７（ｉ）に示すように、加
熱加圧して第１の回路基板２３と第２の回路基板２６と
を接着するとともに、回路パターン２２と回路パターン
２５は導電性ペースト３０によりインナビアホール接続
される。この工程において、中間接続体３１が厚さｔ9
に圧縮されるとともに硬化し、導電性ペースト３０が硬
化する。
【００４０】本実施例における中間接続体３１の製造工
程についてさらに詳しく説明すると、アラミド−エポキ
シシート２８として厚さｔ8 が１５０〜２２０μｍ、空
孔率が１０〜６０％のアラミド−エポキシシートを用い
た場合、図７（ｈ）に示す加熱加圧による圧縮工程の後
の厚さ、すなわちｔ9 は６０〜２００μｍ、空孔率は０
〜５％にまで圧縮される。
【００４１】またさらに積層数の多い多層回路基板を製
造するには、必要な枚数の回路基板とそれらの間を相互
接続する中間接続体を準備し、それぞれの回路基板の間
に中間接続体を挿入した後、加熱加圧して一度に積層す
るか、または図７（ｈ）、（ｉ）の工程を繰り返して中
間接続体と回路基板および回路基板とを１組づつ重ねて
加熱加圧して積層してもよい。
【００４２】なお回路基板の上に中間接続体を積層し、
その上にさらに他の金属箔を積層し、加熱加圧して回路
基板と中間接続体と他の金属箔とを接着した後、他の金
属箔をエッチングして回路パターンを形成する方法また
はこの方法を繰り返すことによっても多層回路基板を製
造することができる。
【００４３】以上説明した多層回路基板の製造方法にお
いては、中間接続体３１の貫通孔２９の下面が開放され
た状態で導電性ペースト３０が充分に充填されており、
図７（ｇ）の工程の後に光学的手段等を用いて、中間接
続体３１を単体で検査することができる。したがって、
図７（ｈ）の工程では、第１の回路基板２３、第２の回
路基板２６および中間接続体３１が総て検査済みの状態
で積層することになるため、高い工程歩留まりが確保で
き、コスト上昇が抑えられる。一方従来の多層回路基板
の製造工程においては、図９（ａ）〜（ｃ）に示すよう
に、本実施例の中間接続体３１に相当するものが回路基
板８８の上に直接積層する方法で形成されるため、それ
ぞれの工程で不良が発生すると良品である回路基板８８
も同時に捨てなければならないため、コストが上昇す
る。
【００４４】また以上説明した製造方法により製造され
た多層回路基板では、第１の回路基板２３と第２の回路
基板２６とが加熱加圧により圧縮する中間接続体３１を
用いて相互接続されており、導電性ペースト３０中の導
電物質が緻密化されるとともに導電物質と回路パターン
２２、２５の間の接触が良くなるためにインナビアホー
ル接続時の抵抗が極めて低くなる。したがって、インナ
ビアホール接続の個数が増大する高密度または高多層の
回路基板に適用して特に上記の効果が顕著になる。
【００４５】
【発明の効果】以上のように本発明は、離型性フィルム
を備えた被圧縮性を有する不織布と熱硬化性樹脂の複合
材からなる多孔質基材に貫通孔を設ける工程と、その貫
通孔に導電性ペーストを充填する工程と、貫通孔に導電
性ペーストを充填した多孔質基材から離型性フィルムを
剥離する工程と、多孔質基材の離型性フィルムを剥離し
た面に金属箔を張り合わせる工程と、金属箔を張り合わ
せた多孔質基材を加熱加圧して圧縮する工程とから構成
されているため、低抵抗で高信頼性のインナビアホール
接続を有する回路形成用基板の製造方法および回路形成
用基板を実現できる。
【００４６】すなわち本発明によれば、製造工程中にお
いて導電性ペースト中のバインダ成分の一部が多孔質基
材の空孔に浸透し、導電性ペースト中の導電物質の構成
比が増大する。
【００４７】さらに、金属箔を張りつけた後に多孔質基
材を加熱加圧する工程において導電性ペーストも圧縮さ
れるが、そのときに導電物質間からバインダ成分が押し
出され、導電物質同士および導電物質と金属箔間の結合
が強固になり、導電性ペースト中の導電物質が緻密化さ
れる。
【００４８】したがって本発明によれば、微小な口径の
インナビアホール接続を必要とする高密度回路基板、多
数個のインナビアホール接続を必要とする高多層の多層
回路基板、低回路インピーダンスが要求される低雑音用
回路基板または高周波用回路基板などを容易に実現でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例における回路形成用基板
の製造方法を示す工程断面図
【図２】本発明の第２の実施例における回路形成用基板
の製造方法を示す工程断面図
【図３】本発明の第３の実施例における回路形成用基板
の製造方法を示す工程断面図
【図４】多孔質基材を圧縮するプレス圧力と圧縮率およ
び厚さの関係を示す図
【図５】圧縮率と貫通孔に充填された導電性ペーストの
抵抗値との関係を示す図
【図６】本発明の一実施例における回路形成用基板の断
面図
【図７】本発明の一実施例における多層回路基板の製造
方法を示す工程断面図
【図８】従来の２層回路基板の製造方法を示す工程断面
図
【図９】従来の多層回路基板の製造方法を示す工程断面
図
【図１０】従来の２層回路基板の製造方法における課題
を示す断面図
【符号の説明】
１ 離型性フィルム ２ アラミド−エポキシシート（多孔質基材） ３ 貫通孔 ４ 導電性ペースト ５ 金属箔
フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平5−3263 (32)優先日 平５(1993)１月12日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 堀尾 泰彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 塚本 勝秀 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 福村 泰司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】離型性フィルムを備えた被圧縮性を有する
    多孔質基材に貫通孔を設ける工程と、前記貫通孔に導電
    性ペーストを充填する工程と、前記貫通孔に前記導電性
    ペーストを充填した前記多孔質基材から前記離型性フィ
    ルムを剥離する工程と、前記多孔質基材の前記離型性フ
    ィルムを剥離した面に金属箔を張り合わせる工程と、前
    記金属箔を張り合わせた前記多孔質基材を加熱加圧して
    圧縮する工程とを有する回路形成用基板の製造方法。
  2. 【請求項２】離型性フィルムを備えた被圧縮性を有する
    多孔質基材に貫通孔を設ける工程と、前記貫通孔に導電
    性ペーストを充填し、かつ前記導電性ペースト中のバイ
    ンダに対する導電物質の構成比を増大させる工程と、前
    記貫通孔に前記導電性ペーストを充填した前記多孔質基
    材から前記離型性フィルムを剥離する工程と、前記多孔
    質基材の前記離型性フィルムを剥離した面に金属箔を張
    り合わせる工程と、前記金属箔を張り合わせた前記多孔
    質基材を加熱加圧して圧縮し、前記導電性ペースト中の
    導電物質を緻密化する工程とを有する回路形成用基板の
    製造方法。
  3. 【請求項３】多孔質基材を加熱加圧して圧縮する工程に
    おいて、その圧縮率が１０〜６０％である請求項１また
    は２記載の回路形成用基板の製造方法。
  4. 【請求項４】貫通孔に導電性ペーストを充填する工程以
    前に、離型性フィルムを備えた被圧縮性を有する多孔質
    基材を予備圧縮する工程を付加した請求項１または２記
    載の回路形成用基板の製造方法。
  5. 【請求項５】離型性フィルムを備えた被圧縮性を有する
    多孔質基材が有機材料を主材料とし、前記多孔質基材の
    空孔率が１０〜６０％である請求項１または２記載の回
    路形成用基板の製造方法。
  6. 【請求項６】離型性フィルムを備えた被圧縮性を有する
    多孔質基材が不織布と熱硬化性樹脂との複合材である請
    求項１または２記載の回路形成用基板の製造方法。
  7. 【請求項７】導電性ペースト中の導電物質が、銀、金、
    銀パラジウム、銅およびこれらの合金の内の一種以上か
    らなる請求項１または２記載の回路形成用基板の製造方
    法。
  8. 【請求項８】両面に金属箔を張り合わせた多孔質基材を
    加熱加圧して圧縮する工程が、導電性ペーストの粘度を
    上昇させる第１の工程と、前記金属箔と前記多孔質基材
    とを接着する第２の工程とからなる請求項１または２記
    載の回路形成用基板の製造方法。
  9. 【請求項９】導電性ペーストのゲル化温度が多孔質基材
    を構成する樹脂の軟化温度より低い請求項１または２記
    載の回路形成用基板の製造方法。
  10. 【請求項１０】多孔質基材に設けられた貫通孔に充填さ
    れた導電性ペーストによって前記多孔質基材の両面に接
    着された金属箔が電気的に接続されており、かつ前記多
    孔質基材は両面に前記金属箔が接着された後に加熱加圧
    して圧縮されたものである回路形成用基板。
  11. 【請求項１１】多孔質基材に設けられた貫通孔に充填さ
    れた導電性ペーストによって前記多孔質基材の両面に接
    着された金属箔が電気的に接続されており、かつ前記多
    孔質基材は両面に前記金属箔が接着された後に加熱加圧
    して圧縮され、かつ前記導電性ペーストは前記貫通孔に
    充填されるときにバインダに対する導電物質の構成比が
    増大させられ、前記多孔質基材が加熱加圧して圧縮され
    るときに前記導電性ペースト中の導電物質が緻密化され
    るものである回路形成用基板。
  12. 【請求項１２】多孔質基材が、加熱加圧により圧縮率が
    １０〜６０％の範囲で圧縮されたものである請求項１０
    または１１記載の回路形成用基板。
  13. 【請求項１３】多孔質基材が、貫通孔に導電性ペースト
    を充填する以前に予備圧縮されたものである請求項１０
    または１１記載の回路形成用基板。
  14. 【請求項１４】多孔質基材が有機材料を主材料とし、前
    記多孔質基材の空孔率が１０〜６０％である請求項１０
    または１１記載の回路形成用基板。
  15. 【請求項１５】多孔質基材が、不織布と熱硬化性樹脂と
    の複合材である請求項１０または１１記載の回路形成用
    基板。
  16. 【請求項１６】導電性ペースト中の導電物質が、銀、
    金、銀パラジウム、銅およびこれらの合金の内の一種以
    上からなる請求項１０または１１記載の回路形成用基
    板。
  17. 【請求項１７】多孔質基材が、導電性ペーストの粘度を
    上昇させる第１の工程と金属箔と多孔質基材とを接着す
    る第２の工程において加熱加圧されたものである請求項
    １０または１１記載の回路形成用基板。
  18. 【請求項１８】導電性ペーストのゲル化温度が多孔質基
    材を構成する樹脂の軟化温度より低い請求項１０または
    １１記載の回路形成用基板。
  19. 【請求項１９】請求項１０または１１記載の回路形成用
    基板の両面に回路パターンを形成する回路基板の製造工
    程と、多孔質基材に貫通孔を設け、前記貫通孔に導電性
    ペーストを充填する中間接続体の製造工程と、複数の前
    記回路基板の間にそれぞれ前記中間接続体を挟持し、加
    熱加圧する工程とを有する多層回路基板の製造方法。
  20. 【請求項２０】請求項１０または１１記載の回路形成用
    基板の両面に回路パターンを形成してなる複数の回路基
    板と貫通孔に導電性ペーストを充填した多孔質基材から
    なる中間接続体とが前記回路基板が最外層に配されるよ
    うに交互に積層されている多層回路基板。
  21. 【請求項２１】請求項１０または１１記載の回路形成用
    基板の両面に回路パターンを形成する回路基板の製造工
    程と、多孔質基材に貫通孔を設け、前記貫通孔に導電性
    ペーストを充填する中間接続体の製造工程と、前記回路
    基板の上に前記中間接続体を張り付け、その上に他の金
    属箔を張り付けた後、加熱加圧する工程と、前記他の金
    属箔を加工して回路パターンを形成する工程とを有する
    多層回路基板の製造方法。
  22. 【請求項２２】請求項１０または１１記載の回路形成用
    基板の両面に回路パターンを形成してなる回路基板の上
    に、貫通孔に導電性ペーストを充填した多孔質基材が加
    熱加圧して圧縮されて積層されており、前記多孔質基材
    の上の金属箔に他の回路パターンが形成されてなる多層
    回路基板。
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