JPH06249805A - 表面分析方法 - Google Patents
表面分析方法Info
- Publication number
- JPH06249805A JPH06249805A JP5066041A JP6604193A JPH06249805A JP H06249805 A JPH06249805 A JP H06249805A JP 5066041 A JP5066041 A JP 5066041A JP 6604193 A JP6604193 A JP 6604193A JP H06249805 A JPH06249805 A JP H06249805A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- conductive film
- analysis
- covered
- excitation source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁性の試料の帯電現象を防止して正確な分
析を可能にする表面分析方法を提供する。 【構成】 絶縁性の試料２の分析面２ａ以外の表面を第
１の導電性膜１０で覆っておき、そのようなものを分析
装置の真空チャンバー内に導入し、そして分析面２ａに
イオンビーム４を照射してスパッタリングによって分析
面２ａの表面の不純物層を除去し（図２Ａ）、次いで分
析面２ａおよびその周りに粒子１２を被着させて、分析
面２ａを第２の導電性膜１４で、しかもそれが導電性膜
１０につながるように覆う（図２Ｂ）。次いで、導電性
膜１４で覆われた分析面２ａに励起源６を照射して分析
を行う（図２Ｃ）。励起源６の照射時に導電性膜１０は
接地しておく。
析を可能にする表面分析方法を提供する。 【構成】 絶縁性の試料２の分析面２ａ以外の表面を第
１の導電性膜１０で覆っておき、そのようなものを分析
装置の真空チャンバー内に導入し、そして分析面２ａに
イオンビーム４を照射してスパッタリングによって分析
面２ａの表面の不純物層を除去し（図２Ａ）、次いで分
析面２ａおよびその周りに粒子１２を被着させて、分析
面２ａを第２の導電性膜１４で、しかもそれが導電性膜
１０につながるように覆う（図２Ｂ）。次いで、導電性
膜１４で覆われた分析面２ａに励起源６を照射して分析
を行う（図２Ｃ）。励起源６の照射時に導電性膜１０は
接地しておく。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、電子分光法（ここで
はオージェ電子分光法およびＸ線光電子分光法を指す）
によって絶縁性の試料の表面状態を分析する表面分析方
法に関し、より具体的には、試料に照射する励起源の影
響で試料の表面に電荷が溜まるのを防止する手段に関す
る。
はオージェ電子分光法およびＸ線光電子分光法を指す）
によって絶縁性の試料の表面状態を分析する表面分析方
法に関し、より具体的には、試料に照射する励起源の影
響で試料の表面に電荷が溜まるのを防止する手段に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】オージェ電子分光法（ＡＥＳ）およびＸ
線光電子分光法（ＸＰＳ）は、固体の試料の数十Å〜５
０Å程度という極表面層の構成元素やその化学的結合状
態等の分析が可能であり、また、イオンガンを併用する
ことによって深さ方向の分析（デップス・プロファイリ
ング）が可能な分析方法である。これらは、微細構造化
が進む半導体工業を初め各種新素材の研究開発分野でそ
の性能を発揮している。
線光電子分光法（ＸＰＳ）は、固体の試料の数十Å〜５
０Å程度という極表面層の構成元素やその化学的結合状
態等の分析が可能であり、また、イオンガンを併用する
ことによって深さ方向の分析（デップス・プロファイリ
ング）が可能な分析方法である。これらは、微細構造化
が進む半導体工業を初め各種新素材の研究開発分野でそ
の性能を発揮している。
【０００３】このような表面分析方法の従来例を図４を
参照して説明すると、分析対象となる試料２を分析装置
の真空チャンバー（図示省略。以下同じ）内に導入し、
通常はまず試料２の表面にイオンビーム４を照射してス
パッタリングによって試料表面の酸化層等の不純物層を
除去し（図４Ａ）、次いで試料２の表面に励起源６（オ
ージェ電子分光法の場合は電子線、Ｘ線光電子分光法の
場合はＸ線）を照射する（図４Ｂ）。これによって、試
料２の表面から測定対象となる電子８（オージェ電子分
光法の場合はオージェ電子、Ｘ線光電子分光法の場合は
光電子）が放出されるので、この電子８のエネルギーの
解析を行うことによって試料２の前述したような表面状
態の分析を行うことができる。
参照して説明すると、分析対象となる試料２を分析装置
の真空チャンバー（図示省略。以下同じ）内に導入し、
通常はまず試料２の表面にイオンビーム４を照射してス
パッタリングによって試料表面の酸化層等の不純物層を
除去し（図４Ａ）、次いで試料２の表面に励起源６（オ
ージェ電子分光法の場合は電子線、Ｘ線光電子分光法の
場合はＸ線）を照射する（図４Ｂ）。これによって、試
料２の表面から測定対象となる電子８（オージェ電子分
光法の場合はオージェ電子、Ｘ線光電子分光法の場合は
光電子）が放出されるので、この電子８のエネルギーの
解析を行うことによって試料２の前述したような表面状
態の分析を行うことができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な方法で分析する際に、試料２が絶縁性のものである場
合、励起源６の照射に伴って試料２の表面に電荷が溜ま
る帯電現象が発生する。即ち、励起源６が電子線の場合
はその照射に伴って試料２の表面に負の電荷が溜まり、
励起源６がＸ線の場合は試料２から光電子が放出される
ことによって試料２の表面に正の電荷が溜まる。
な方法で分析する際に、試料２が絶縁性のものである場
合、励起源６の照射に伴って試料２の表面に電荷が溜ま
る帯電現象が発生する。即ち、励起源６が電子線の場合
はその照射に伴って試料２の表面に負の電荷が溜まり、
励起源６がＸ線の場合は試料２から光電子が放出される
ことによって試料２の表面に正の電荷が溜まる。
【０００５】このような帯電現象が生じると、試料２か
ら放出される電子８がその影響を受けてそのエネルギー
がシフト（チャージングシフト）するので、試料２の正
確な分析が困難になり、甚だしい場合は分析が不可能に
なる。
ら放出される電子８がその影響を受けてそのエネルギー
がシフト（チャージングシフト）するので、試料２の正
確な分析が困難になり、甚だしい場合は分析が不可能に
なる。
【０００６】そのため従来は、励起源６の加速エネルギ
ー、照射量や試料２の傾斜角度等の測定条件を調節して
帯電現象を幾らかでも回避する手段を講じていたが、試
料２が絶縁性の場合はこのような手段では帯電現象を十
分に回避できないのが実情であった。
ー、照射量や試料２の傾斜角度等の測定条件を調節して
帯電現象を幾らかでも回避する手段を講じていたが、試
料２が絶縁性の場合はこのような手段では帯電現象を十
分に回避できないのが実情であった。
【０００７】そこでこの発明は、絶縁性の試料の帯電現
象を防止して正確な分析を可能にする表面分析方法を提
供することを主たる目的とする。
象を防止して正確な分析を可能にする表面分析方法を提
供することを主たる目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の第１の表面分析方法は、前述したような
試料の分析面以外の表面を導電性膜で覆っておき、この
導電性膜を電気的に接地した状態で試料に励起源を照射
して分析を行うことを特徴とする。
め、この発明の第１の表面分析方法は、前述したような
試料の分析面以外の表面を導電性膜で覆っておき、この
導電性膜を電気的に接地した状態で試料に励起源を照射
して分析を行うことを特徴とする。
【０００９】また、この発明の第２の表面分析方法は、
前述したような試料の分析面以外の表面を第１の導電性
膜で覆っておき、かつ同試料の分析面を、そこから放出
され測定対象となる電子の脱出深さよりも薄い第２の導
電性膜で、しかもそれが第１の導電性膜につながるよう
に覆っておき、そして第１の導電性膜を電気的に接地し
た状態で試料に励起源を照射して分析を行うことを特徴
とする。
前述したような試料の分析面以外の表面を第１の導電性
膜で覆っておき、かつ同試料の分析面を、そこから放出
され測定対象となる電子の脱出深さよりも薄い第２の導
電性膜で、しかもそれが第１の導電性膜につながるよう
に覆っておき、そして第１の導電性膜を電気的に接地し
た状態で試料に励起源を照射して分析を行うことを特徴
とする。
【００１０】また、この発明の第３の表面分析方法は、
前述したような試料の分析面以外の表面を第１の導電性
膜で覆っておき、かつ同試料の分析面を、そこから放出
され測定対象となる電子の脱出深さよりも薄い第２の導
電性膜で、しかもそれが第１の導電性膜につながるよう
に覆っておき、そして第１の導電性膜を電気的に接地し
た状態で試料に励起源を照射して分析を行い、更に第２
の導電性膜およびその下の試料の分析面のエッチングを
行った後に、前記の分析面を第２の導電性膜で覆う以降
の工程を繰り返すことを特徴とする。
前述したような試料の分析面以外の表面を第１の導電性
膜で覆っておき、かつ同試料の分析面を、そこから放出
され測定対象となる電子の脱出深さよりも薄い第２の導
電性膜で、しかもそれが第１の導電性膜につながるよう
に覆っておき、そして第１の導電性膜を電気的に接地し
た状態で試料に励起源を照射して分析を行い、更に第２
の導電性膜およびその下の試料の分析面のエッチングを
行った後に、前記の分析面を第２の導電性膜で覆う以降
の工程を繰り返すことを特徴とする。
【００１１】
【作用】上記第１の表面分析方法によれば、分析時に励
起源の照射に伴って試料の分析面に電荷が発生すると、
この電荷はある分布を持つため、試料の分析面をこの分
布よりも小さくしておけば、この電荷は試料の分析面以
外を覆う導電性膜に流れ、この導電性膜を通してグラウ
ンドに逃がされる。従って試料の帯電現象を防止するこ
とができる。
起源の照射に伴って試料の分析面に電荷が発生すると、
この電荷はある分布を持つため、試料の分析面をこの分
布よりも小さくしておけば、この電荷は試料の分析面以
外を覆う導電性膜に流れ、この導電性膜を通してグラウ
ンドに逃がされる。従って試料の帯電現象を防止するこ
とができる。
【００１２】また、上記第２の表面分析方法によれば、
試料の表面は接地された第１の導電性膜およびそれにつ
ながる第２の導電性膜で覆われているので、分析時に試
料の表面を常にグラウンド電位に保つことができる。従
って試料の帯電現象を完全に防止することができる。し
かも、試料の分析面を覆う第２の導電性膜は、そこから
放出され測定対象となる電子の脱出深さよりも薄いの
で、第２の導電性膜を設けておいても、それを通して上
記電子が放出され、従って試料の分析に支障を来さな
い。
試料の表面は接地された第１の導電性膜およびそれにつ
ながる第２の導電性膜で覆われているので、分析時に試
料の表面を常にグラウンド電位に保つことができる。従
って試料の帯電現象を完全に防止することができる。し
かも、試料の分析面を覆う第２の導電性膜は、そこから
放出され測定対象となる電子の脱出深さよりも薄いの
で、第２の導電性膜を設けておいても、それを通して上
記電子が放出され、従って試料の分析に支障を来さな
い。
【００１３】また、上記第３の表面分析方法によれば、
試料の分析面をエッチングによって徐々に掘り下げ、か
つ掘り下げるごとに分析面を第２の導電性膜で覆うの
で、上記第２の表面分析方法と同様の作用によって試料
の帯電現象を完全に防止しながら、試料の深さ方向の分
析が可能になる。
試料の分析面をエッチングによって徐々に掘り下げ、か
つ掘り下げるごとに分析面を第２の導電性膜で覆うの
で、上記第２の表面分析方法と同様の作用によって試料
の帯電現象を完全に防止しながら、試料の深さ方向の分
析が可能になる。
【００１４】
【実施例】図１は、この発明に係る表面分析方法の一例
を示す工程図である。図４の従来例と同一または相当す
る部分には同一符号を付し、以下においては当該従来例
との相違点を主に説明する。
を示す工程図である。図４の従来例と同一または相当す
る部分には同一符号を付し、以下においては当該従来例
との相違点を主に説明する。
【００１５】この実施例においては、前述したような絶
縁性の試料２の分析面２ａ以外の表面を導電性膜１０で
覆っておき、そのようなものを分析装置の真空チャンバ
ー内に導入し、そしてこの例ではまず試料２の分析面２
ａにイオンビーム４を照射してスパッタリングによって
分析面２ａの表面の酸化層等の不純物層を除去し（図１
Ａ）、次いでこの分析面２ａに励起源６（オージェ電子
分光法の場合は電子線、Ｘ線光電子分光法の場合はＸ
線）を照射して分析を行う（図１Ｂ）。
縁性の試料２の分析面２ａ以外の表面を導電性膜１０で
覆っておき、そのようなものを分析装置の真空チャンバ
ー内に導入し、そしてこの例ではまず試料２の分析面２
ａにイオンビーム４を照射してスパッタリングによって
分析面２ａの表面の酸化層等の不純物層を除去し（図１
Ａ）、次いでこの分析面２ａに励起源６（オージェ電子
分光法の場合は電子線、Ｘ線光電子分光法の場合はＸ
線）を照射して分析を行う（図１Ｂ）。
【００１６】但し、このイオンビーム４を照射してのス
パッタリング工程は、通常はそれを設けているが、本発
明の目的である帯電現象の防止と関係するものではな
く、試料２の分析面２ａの不純物除去の必要がない、あ
るいは他の手段で行えるのであれば、この工程を省いて
も良い（他の実施例においても同様）。
パッタリング工程は、通常はそれを設けているが、本発
明の目的である帯電現象の防止と関係するものではな
く、試料２の分析面２ａの不純物除去の必要がない、あ
るいは他の手段で行えるのであれば、この工程を省いて
も良い（他の実施例においても同様）。
【００１７】上記のように試料２の分析面２ａ以外の表
面を導電性膜１０で覆うには、例えば、分析面２ａ上に
マスクとしてシリコンチップ等を載せておいた状態で導
電性膜１０を全面にコーティングした後、シリコンチッ
プの部分を除去する等の手段を用いれば良い。
面を導電性膜１０で覆うには、例えば、分析面２ａ上に
マスクとしてシリコンチップ等を載せておいた状態で導
電性膜１０を全面にコーティングした後、シリコンチッ
プの部分を除去する等の手段を用いれば良い。
【００１８】導電性膜１０には、例えば金のような試料
２と化合しない材料、あるいはカーボンや金−パラジウ
ムのような膜として形成しやすくしかも試料２を構成し
ない元素の材料を用いるのが好ましい。
２と化合しない材料、あるいはカーボンや金−パラジウ
ムのような膜として形成しやすくしかも試料２を構成し
ない元素の材料を用いるのが好ましい。
【００１９】この導電性膜１０の厚さは、後述する第２
の導電性膜１４と違って薄くする必要はなく、例えば数
千Å〜数μｍ程度とすれば良い。
の導電性膜１４と違って薄くする必要はなく、例えば数
千Å〜数μｍ程度とすれば良い。
【００２０】この導電性膜１０は、この実施例ではイオ
ンビーム４によるスパッタリング工程でも接地している
が、必ずしもそのようにする必要はなく、要は励起源６
の照射に伴う電荷をグラウンドへ逃がすことができれば
良いので、少なくとも励起源６を照射して分析を行う分
析工程で接地していれば良い（他の実施例においても同
様）。
ンビーム４によるスパッタリング工程でも接地している
が、必ずしもそのようにする必要はなく、要は励起源６
の照射に伴う電荷をグラウンドへ逃がすことができれば
良いので、少なくとも励起源６を照射して分析を行う分
析工程で接地していれば良い（他の実施例においても同
様）。
【００２１】この方法によれば、分析時に励起源６の照
射に伴って試料２の分析面２ａに電荷が発生すると、こ
の電荷はある分布を持つため、試料２の分析面２ａをこ
の分布よりも小さくしておけば、この電荷は試料２の分
析面２ａ以外を覆う導電性膜１０に流れ、この導電性膜
１０を通してグラウンドに逃がされる。従って試料２の
帯電現象を防止することができる。その結果、チャージ
ングシフトを防止して、試料２の正確な分析が可能にな
る。
射に伴って試料２の分析面２ａに電荷が発生すると、こ
の電荷はある分布を持つため、試料２の分析面２ａをこ
の分布よりも小さくしておけば、この電荷は試料２の分
析面２ａ以外を覆う導電性膜１０に流れ、この導電性膜
１０を通してグラウンドに逃がされる。従って試料２の
帯電現象を防止することができる。その結果、チャージ
ングシフトを防止して、試料２の正確な分析が可能にな
る。
【００２２】図２は、この発明に係る表面分析方法の他
の例を示す工程図である。この実施例においては、上記
と同様に試料２の分析面２ａ以外の表面を第１の導電性
膜１０で覆っておき、そのようなものを分析装置の真空
チャンバー内に導入し、そして試料２の分析面２ａにイ
オンビーム４を照射してスパッタリングによって分析面
２ａの表面の不純物層を除去し（図２Ａ）、次いで分析
面２ａおよびその周りに粒子１２を被着させて、分析面
２ａを第２の導電性膜１４で、しかもそれが導電性膜１
０につながるように覆う（図２Ｂ）。次いで、導電性膜
１４で覆われた分析面２ａに励起源６を照射して分析を
行う（図２Ｃ）。
の例を示す工程図である。この実施例においては、上記
と同様に試料２の分析面２ａ以外の表面を第１の導電性
膜１０で覆っておき、そのようなものを分析装置の真空
チャンバー内に導入し、そして試料２の分析面２ａにイ
オンビーム４を照射してスパッタリングによって分析面
２ａの表面の不純物層を除去し（図２Ａ）、次いで分析
面２ａおよびその周りに粒子１２を被着させて、分析面
２ａを第２の導電性膜１４で、しかもそれが導電性膜１
０につながるように覆う（図２Ｂ）。次いで、導電性膜
１４で覆われた分析面２ａに励起源６を照射して分析を
行う（図２Ｃ）。
【００２３】導電性膜１０は、少なくとも励起源６を照
射して分析を行う構成で接地しておけば良いのは前述の
とおりである。
射して分析を行う構成で接地しておけば良いのは前述の
とおりである。
【００２４】導電性膜１０を被着させる手段は任意であ
り、例えば真空蒸着やイオンビーム照射による成膜等の
手段が採り得る。
り、例えば真空蒸着やイオンビーム照射による成膜等の
手段が採り得る。
【００２５】導電性膜１４の厚さは、分析面２ａから放
出され測定対象となる電子８（オージェ電子分光法の場
合はオージェ電子、Ｘ線光電子分光法の場合は光電子）
の脱出深さ（例えば数十Å程度）よりも薄く（例えば５
〜１０Å程度）にしておく。
出され測定対象となる電子８（オージェ電子分光法の場
合はオージェ電子、Ｘ線光電子分光法の場合は光電子）
の脱出深さ（例えば数十Å程度）よりも薄く（例えば５
〜１０Å程度）にしておく。
【００２６】導電性膜１４には、Ｘ線光電子分光法の場
合は金のような試料２と化合しない材料、オージェ電子
分光法の場合は試料２を構成しない元素でしかもオージ
ェ電子からスペクトルの離れたカーボン等を用いるのが
好ましい。
合は金のような試料２と化合しない材料、オージェ電子
分光法の場合は試料２を構成しない元素でしかもオージ
ェ電子からスペクトルの離れたカーボン等を用いるのが
好ましい。
【００２７】上記方法によれば、試料２の表面は接地さ
れた第１の導電性膜１０およびそれにつながる第２の導
電性膜１４で覆われているので、分析時に試料２の表面
を常にグラウンド電位に保つことができる。従って試料
２の帯電現象を完全に防止することができる。その結
果、チャージングシフトを防止して、試料２の正確な分
析が可能になる。
れた第１の導電性膜１０およびそれにつながる第２の導
電性膜１４で覆われているので、分析時に試料２の表面
を常にグラウンド電位に保つことができる。従って試料
２の帯電現象を完全に防止することができる。その結
果、チャージングシフトを防止して、試料２の正確な分
析が可能になる。
【００２８】しかも、試料２の分析面２ａを覆う導電性
膜１４は、そこから放出され測定対象となる電子８の脱
出深さよりも薄いので、導電性膜１４を設けておいて
も、それを通して上記電子８が放出され、従って試料２
の分析に支障を来さない。
膜１４は、そこから放出され測定対象となる電子８の脱
出深さよりも薄いので、導電性膜１４を設けておいて
も、それを通して上記電子８が放出され、従って試料２
の分析に支障を来さない。
【００２９】図３は、この発明に係る表面分析方法の更
に他の例を示す工程図である。図２の実施例との相違点
を説明すると、この実施例では、図３Ｃ（これは図２Ｃ
に相当する）の分析工程の後に更に、試料２の分析面２
ａ上の導電性膜１４およびその下の分析面２ａにイオン
ビーム１６を照射してエッチングを行い（図３Ｄ）、そ
の後図３Ｂ（これは図２Ｂに相当する）の導電性膜１４
を成膜する以降の工程を所要回数繰り返すものである。
に他の例を示す工程図である。図２の実施例との相違点
を説明すると、この実施例では、図３Ｃ（これは図２Ｃ
に相当する）の分析工程の後に更に、試料２の分析面２
ａ上の導電性膜１４およびその下の分析面２ａにイオン
ビーム１６を照射してエッチングを行い（図３Ｄ）、そ
の後図３Ｂ（これは図２Ｂに相当する）の導電性膜１４
を成膜する以降の工程を所要回数繰り返すものである。
【００３０】上記エッチング用のイオンビーム１６は、
図３Ａのスパッタリング用のイオンビーム４と別のもの
でも良いし、イオンビーム４と同じでそのエネルギーを
大きくしたもの等でも良い。
図３Ａのスパッタリング用のイオンビーム４と別のもの
でも良いし、イオンビーム４と同じでそのエネルギーを
大きくしたもの等でも良い。
【００３１】上記方法によれば、試料２の分析面２ａを
イオンビーム１６によるエッチングによって徐々に掘り
下げ、かつ掘り下げるごとに分析面２ａを導電性膜１４
で覆うので、図２の実施例と同様の作用によって試料２
の帯電現象を完全に防止しながら、試料２の深さ方向の
分析（即ちデップス・プロファイリング）が可能にな
る。
イオンビーム１６によるエッチングによって徐々に掘り
下げ、かつ掘り下げるごとに分析面２ａを導電性膜１４
で覆うので、図２の実施例と同様の作用によって試料２
の帯電現象を完全に防止しながら、試料２の深さ方向の
分析（即ちデップス・プロファイリング）が可能にな
る。
【００３２】
【発明の効果】以上のようにこの発明に係る第１の表面
分析方法によれば、分析時に励起源の照射に伴って試料
の分析面に電荷が発生すると、この電荷は試料の分析面
以外を覆う導電性膜に流れ、この導電性膜を通してグラ
ウンドに逃がされるので、試料の帯電現象を防止するこ
とができる。その結果、チャージングシフトを防止し
て、試料の正確な分析が可能になる。
分析方法によれば、分析時に励起源の照射に伴って試料
の分析面に電荷が発生すると、この電荷は試料の分析面
以外を覆う導電性膜に流れ、この導電性膜を通してグラ
ウンドに逃がされるので、試料の帯電現象を防止するこ
とができる。その結果、チャージングシフトを防止し
て、試料の正確な分析が可能になる。
【００３３】また、この発明に係る第２の表面分析方法
によれば、試料の表面は接地された第１の導電性膜およ
びそれにつながる第２の導電性膜で覆われているので、
分析時に試料の表面を常にグラウンド電位に保つことが
でき、従って試料の帯電現象を完全に防止することがで
きる。その結果、チャージングシフトを防止して、試料
の正確な分析が可能になる。しかも、試料の分析面を覆
う第２の導電性膜は、そこから放出され測定対象となる
電子の脱出深さよりも薄いので、第２の導電性膜を設け
ておいても、それを通して上記電子が放出され、従って
試料の分析に支障を来さない。
によれば、試料の表面は接地された第１の導電性膜およ
びそれにつながる第２の導電性膜で覆われているので、
分析時に試料の表面を常にグラウンド電位に保つことが
でき、従って試料の帯電現象を完全に防止することがで
きる。その結果、チャージングシフトを防止して、試料
の正確な分析が可能になる。しかも、試料の分析面を覆
う第２の導電性膜は、そこから放出され測定対象となる
電子の脱出深さよりも薄いので、第２の導電性膜を設け
ておいても、それを通して上記電子が放出され、従って
試料の分析に支障を来さない。
【００３４】また、この発明に係る第３の表面分析方法
によれば、試料の分析面をエッチングによって徐々に掘
り下げ、かつ掘り下げるごとに分析面を第２の導電性膜
で覆うので、上記第２の発明と同様の作用によって試料
の帯電現象を完全に防止しながら、試料の深さ方向の分
析が可能になる。
によれば、試料の分析面をエッチングによって徐々に掘
り下げ、かつ掘り下げるごとに分析面を第２の導電性膜
で覆うので、上記第２の発明と同様の作用によって試料
の帯電現象を完全に防止しながら、試料の深さ方向の分
析が可能になる。
【図１】この発明に係る表面分析方法の一例を示す工程
図である。
図である。
【図２】この発明に係る表面分析方法の他の例を示す工
程図である。
程図である。
【図３】この発明に係る表面分析方法の更に他の例を示
す工程図である。
す工程図である。
【図４】従来の表面分析方法の一例を示す工程図であ
る。
る。
２ 試料 ２ａ 分析面 ４ イオンビーム ６ 励起源 ８ 測定対象となる電子 １０ 第１の導電性膜 １４ 第２の導電性膜 １６ イオンビーム
Claims (3)
- 【請求項１】 電子分光法によって絶縁性の試料の表面
状態を分析する表面分析方法において、前記試料の分析
面以外の表面を導電性膜で覆っておき、この導電性膜を
電気的に接地した状態で試料に励起源を照射して分析を
行うことを特徴とする表面分析方法。 - 【請求項２】 電子分光法によって絶縁性の試料の表面
状態を分析する表面分析方法において、前記試料の分析
面以外の表面を第１の導電性膜で覆っておき、かつ同試
料の分析面を、そこから放出され測定対象となる電子の
脱出深さよりも薄い第２の導電性膜で、しかもそれが第
１の導電性膜につながるように覆っておき、そして第１
の導電性膜を電気的に接地した状態で試料に励起源を照
射して分析を行うことを特徴とする表面分析方法。 - 【請求項３】 電子分光法によって絶縁性の試料の表面
状態を分析する表面分析方法において、前記試料の分析
面以外の表面を第１の導電性膜で覆っておき、かつ同試
料の分析面を、そこから放出され測定対象となる電子の
脱出深さよりも薄い第２の導電性膜で、しかもそれが第
１の導電性膜につながるように覆っておき、そして第１
の導電性膜を電気的に接地した状態で試料に励起源を照
射して分析を行い、更に第２の導電性膜およびその下の
試料の分析面のエッチングを行った後に、前記の分析面
を第２の導電性膜で覆う以降の工程を繰り返すことを特
徴とする表面分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5066041A JPH06249805A (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | 表面分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5066041A JPH06249805A (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | 表面分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06249805A true JPH06249805A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=13304403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5066041A Pending JPH06249805A (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | 表面分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06249805A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010256095A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 試料の分析方法 |
| JP2012163519A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-30 | Fujitsu Ltd | イオンビーム分析方法 |
| WO2013058364A1 (ja) * | 2011-10-21 | 2013-04-25 | 日産化学工業株式会社 | 高分子薄膜構造体及び有機膜の深さ方向の分析方法 |
| KR20140087676A (ko) * | 2012-12-31 | 2014-07-09 | 한국기계연구원 | 높이방향으로 경사지게 배치된 추진용 영구자석을 갖는 자기부상 시스템 |
-
1993
- 1993-03-01 JP JP5066041A patent/JPH06249805A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010256095A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 試料の分析方法 |
| JP2012163519A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-30 | Fujitsu Ltd | イオンビーム分析方法 |
| WO2013058364A1 (ja) * | 2011-10-21 | 2013-04-25 | 日産化学工業株式会社 | 高分子薄膜構造体及び有機膜の深さ方向の分析方法 |
| KR20140090207A (ko) * | 2011-10-21 | 2014-07-16 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 고분자 박막 구조체 및 유기막의 깊이 방향의 분석 방법 |
| JPWO2013058364A1 (ja) * | 2011-10-21 | 2015-04-02 | 日産化学工業株式会社 | 高分子薄膜構造体及び有機膜の深さ方向の分析方法 |
| TWI640769B (zh) * | 2011-10-21 | 2018-11-11 | 日產化學工業股份有限公司 | 高分子薄膜構造體及有機膜之深度方向的分析方法 |
| KR20140087676A (ko) * | 2012-12-31 | 2014-07-09 | 한국기계연구원 | 높이방향으로 경사지게 배치된 추진용 영구자석을 갖는 자기부상 시스템 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Stevie et al. | Applications of focused ion beams in microelectronics production, design and development | |
| US4973842A (en) | Lens system for a photo ion spectrometer | |
| JP2774878B2 (ja) | 多層膜絶縁物試料の二次イオン質量分析方法 | |
| US4889987A (en) | Photo ion spectrometer | |
| JPH06249805A (ja) | 表面分析方法 | |
| JPH09162253A (ja) | 半導体評価装置 | |
| GB2262649A (en) | Energy analyser | |
| US4855596A (en) | Photo ion spectrometer | |
| JP2001153826A (ja) | Ｘ線光電子分光装置およびｘ線光電子分光方法 | |
| US5097125A (en) | Photo ion spectrometer | |
| JP2832298B2 (ja) | 絶縁物分析法 | |
| JP2002116163A (ja) | 表面分析装置におけるスペクトルピーク位置の補正方法 | |
| JP2994606B2 (ja) | オージェ電子分光法による絶縁性試料の分析方法 | |
| JP3575822B2 (ja) | プラズマ計測装置 | |
| JPH10239254A (ja) | 粒子散乱分析方法及び装置，並びに半導体装置の製造方法 | |
| JPH0897400A (ja) | 真空電子線干渉装置 | |
| JP2001027623A (ja) | 電子分光装置及びそれを用いた測定方法 | |
| US4843238A (en) | Method for identifying a blistered film in layered films | |
| JP2605630B2 (ja) | 二次イオン質量分析方法 | |
| JP2002071592A (ja) | 二次イオン質量分析方法 | |
| JP2003004675A (ja) | 表面分析における帯電防止法 | |
| JPH0720021A (ja) | 絶縁物の二次イオン質量分析法 | |
| KR100217336B1 (ko) | 반도체 분석시료의 대전방지방법 | |
| JPH08136477A (ja) | 試料分析装置 | |
| JPH0381943A (ja) | 二次イオン質量分析装置 |