JP2832298B2 - 絶縁物分析法 - Google Patents
絶縁物分析法Info
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- JP2832298B2 JP2832298B2 JP1075848A JP7584889A JP2832298B2 JP 2832298 B2 JP2832298 B2 JP 2832298B2 JP 1075848 A JP1075848 A JP 1075848A JP 7584889 A JP7584889 A JP 7584889A JP 2832298 B2 JP2832298 B2 JP 2832298B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は絶縁物分析法、さらに詳細には二次イオン質
量分析法を用いた絶縁物の分析法に関する。
量分析法を用いた絶縁物の分析法に関する。
（従来技術） 二次イオン質量分析法ではイオンビーム照射を用いる
ため、イオンビームのもたらす電荷や二次的に発生する
電子、イオンにより絶縁物表面に帯電が生じる。帯電が
生じると試料表面の電位が変化するために二次イオンの
軌道が変化する。このため、絶縁物の分析を行う場合質
量分析器を二次イオンが通過することが妨げられ、二次
イオンの検出が困難になる。従来、二次イオン質量分析
法による絶縁物分析の帯電を防止する方法としては、
絶縁物の表面の電荷を導電性の物質を介して逃がす方
法、負イオンビームを一次イオンとして用いることに
より、二次電子放出による正電荷の蓄積を補償する方
法、及び、過剰な正電荷を電子ビーム照射により直接
的に補償する方法、の３手法が主に用いられていた。
ため、イオンビームのもたらす電荷や二次的に発生する
電子、イオンにより絶縁物表面に帯電が生じる。帯電が
生じると試料表面の電位が変化するために二次イオンの
軌道が変化する。このため、絶縁物の分析を行う場合質
量分析器を二次イオンが通過することが妨げられ、二次
イオンの検出が困難になる。従来、二次イオン質量分析
法による絶縁物分析の帯電を防止する方法としては、
絶縁物の表面の電荷を導電性の物質を介して逃がす方
法、負イオンビームを一次イオンとして用いることに
より、二次電子放出による正電荷の蓄積を補償する方
法、及び、過剰な正電荷を電子ビーム照射により直接
的に補償する方法、の３手法が主に用いられていた。
（発明が解決しようとする問題点） 第１の方法は導電性のメッシュを絶縁物の表面に接触
させるか、導電性薄膜を絶縁物表面に蒸着するものであ
った。この場合、一般的に試料表面から二次イオンを検
出する領域のサイズ（一辺または直径）が数十μｍ以上
であったため、分析中に絶縁物が露出している面積を10
0μｍ×100μｍ以上にし、導電膜あるいはメッシュ中に
含まれる元素を検出しないようにしていた。しかし、こ
の方法単独では絶縁物表面に生じた電荷を完全に逃がす
ことができない場合が多く、上に第３の方法として挙げ
た電子ビーム照射と併用する必要があった（y.Honma.M.
Oshima and Y.Ishii:質量分析32（（1984）345）。
させるか、導電性薄膜を絶縁物表面に蒸着するものであ
った。この場合、一般的に試料表面から二次イオンを検
出する領域のサイズ（一辺または直径）が数十μｍ以上
であったため、分析中に絶縁物が露出している面積を10
0μｍ×100μｍ以上にし、導電膜あるいはメッシュ中に
含まれる元素を検出しないようにしていた。しかし、こ
の方法単独では絶縁物表面に生じた電荷を完全に逃がす
ことができない場合が多く、上に第３の方法として挙げ
た電子ビーム照射と併用する必要があった（y.Honma.M.
Oshima and Y.Ishii:質量分析32（（1984）345）。
第２の負イオンビームを用いる方法の有効性は、試料
の二次電子放出能や試料電位に強く依存し、この方法単
独で絶縁物表面の電荷を補償できる場合は第１の方法以
上に限定されていた。このため、上記の第１、あるいは
第３の方法と併用して用いられる場合が多かった。
の二次電子放出能や試料電位に強く依存し、この方法単
独で絶縁物表面の電荷を補償できる場合は第１の方法以
上に限定されていた。このため、上記の第１、あるいは
第３の方法と併用して用いられる場合が多かった。
第３の電子ビーム照射法は、他の２法と組み合わせも
含め、従来最も広く用いられていた方法である。しか
し、この場合にも次のような問題があった。まず第１
に、低融点の材料や電子線損傷の大きな材料には適用で
きなかった。例えば、有機材料では電子ビーム照射によ
り炭化を起こす場合があった。また、脱ガス量が大きい
薄膜材料では、電子ビーム照射により薄膜の剥離が生じ
る場合があった。第２に、帯電補償に最適な電子ビーム
照射量は一次イオンビーム量や二次電子放出量との微妙
なバランスで決まっており、長時間、例えば１時間の連
続測定が必要な場合、一次イオンビーム量や電子ビーム
量の変動により、あるいは、試料の温度変化に伴う二次
電子放出量の変動により、帯電補償条件が変化して安定
な二次イオン測定ができない場合があった。例えば、厚
い絶縁物試料を一次イオンビームによりスパッタしなが
ら試料中の深さ方向の元素分布を得ようとする場合、所
望の深さまで到達する前に帯電補償条件が崩れ、再び表
面から分析をやり直すということが少なかった。特に、
試料が複数の種類の絶縁物の薄膜を積み重ねた多層絶縁
膜の場合、各絶縁層ごとに帯電補償条件が変化し、多層
絶縁膜全体の深さ方向の元素分布を一度に得ることは極
めて困難であった。
含め、従来最も広く用いられていた方法である。しか
し、この場合にも次のような問題があった。まず第１
に、低融点の材料や電子線損傷の大きな材料には適用で
きなかった。例えば、有機材料では電子ビーム照射によ
り炭化を起こす場合があった。また、脱ガス量が大きい
薄膜材料では、電子ビーム照射により薄膜の剥離が生じ
る場合があった。第２に、帯電補償に最適な電子ビーム
照射量は一次イオンビーム量や二次電子放出量との微妙
なバランスで決まっており、長時間、例えば１時間の連
続測定が必要な場合、一次イオンビーム量や電子ビーム
量の変動により、あるいは、試料の温度変化に伴う二次
電子放出量の変動により、帯電補償条件が変化して安定
な二次イオン測定ができない場合があった。例えば、厚
い絶縁物試料を一次イオンビームによりスパッタしなが
ら試料中の深さ方向の元素分布を得ようとする場合、所
望の深さまで到達する前に帯電補償条件が崩れ、再び表
面から分析をやり直すということが少なかった。特に、
試料が複数の種類の絶縁物の薄膜を積み重ねた多層絶縁
膜の場合、各絶縁層ごとに帯電補償条件が変化し、多層
絶縁膜全体の深さ方向の元素分布を一度に得ることは極
めて困難であった。
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、従
来の絶縁物分析法における上記の欠点を改善するために
提案されたもので、その目的は、二次イオン質量分析法
による絶縁物分析を容易ならしめる分析法を提供するこ
とにある。
来の絶縁物分析法における上記の欠点を改善するために
提案されたもので、その目的は、二次イオン質量分析法
による絶縁物分析を容易ならしめる分析法を提供するこ
とにある。
（問題点を解決するために手段） 上記の目的を達成するため、本発明は二次イオン質量
分析法を用いた斜め研磨した絶縁物の表面に100μｍ以
内の幅を持つ絶縁物の露出した領域と、前記絶縁物の露
出領域を囲む導電性領域を形成し、前記絶縁物の露出領
域から発生する二次イオンを位置敏感検出器を用いて検
出し、絶縁物表面の元素分布を分析することを特徴とす
るものである。
分析法を用いた斜め研磨した絶縁物の表面に100μｍ以
内の幅を持つ絶縁物の露出した領域と、前記絶縁物の露
出領域を囲む導電性領域を形成し、前記絶縁物の露出領
域から発生する二次イオンを位置敏感検出器を用いて検
出し、絶縁物表面の元素分布を分析することを特徴とす
るものである。
しかして本発明は電子ビーム照射などの補助的手段を
必要とせず、低融点の試料や多層構造の絶縁物にも適用
できること、および、試料面内や斜め研磨による深さ方
向の情報を一度に得られることを主要な特徴とする。
必要とせず、低融点の試料や多層構造の絶縁物にも適用
できること、および、試料面内や斜め研磨による深さ方
向の情報を一度に得られることを主要な特徴とする。
実施例 次に本発明の実施例について説明する。なお、実施例
は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱しない範囲
で、種々の変更あるいは改良を行いうることは言うまで
もない。
は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱しない範囲
で、種々の変更あるいは改良を行いうることは言うまで
もない。
（絶縁物表面が露出している部分（以下窓部という）の
巾と帯電量の関係を示す実験） 第１図は窓部の巾と帯電量の関係を示す実験に使用し
た試料の説明図であり、第２図は第１図の試料を用いた
絶縁物分析法の第１の実施例を説明する図である。
巾と帯電量の関係を示す実験） 第１図は窓部の巾と帯電量の関係を示す実験に使用し
た試料の説明図であり、第２図は第１図の試料を用いた
絶縁物分析法の第１の実施例を説明する図である。
第１図において、１は絶縁物、２は導電膜、３は導電
膜２に開けられた穴であって絶縁物１の表面が露出して
いる部分（窓部）である。第２図において、４は導電膜
と同電位に保たれた試料ホルダ、５は一次イオンビー
ム、６は二次イオン、７は二次イオンの光学系および質
量分析系、８は二次イオン像、９は位置敏感検出器、10
は画像メモリーを有するコンピュータである。以下、図
に従って絶縁物の分析法を説明する。
膜２に開けられた穴であって絶縁物１の表面が露出して
いる部分（窓部）である。第２図において、４は導電膜
と同電位に保たれた試料ホルダ、５は一次イオンビー
ム、６は二次イオン、７は二次イオンの光学系および質
量分析系、８は二次イオン像、９は位置敏感検出器、10
は画像メモリーを有するコンピュータである。以下、図
に従って絶縁物の分析法を説明する。
分析に先立って、絶縁物１の表面に金属などの導電性
の膜２を被着する。膜の被着法としては、真空蒸着法、
スパッタ法、塗布法などを用いることができる。窓部３
は導電膜２の被着時にマスクを用いるか、あるいは、導
電膜２の被着後にエッチングすることにより形成する。
窓部３の幅はこの中にある絶縁物の表面に生じる帯電量
に大きく影響する。
の膜２を被着する。膜の被着法としては、真空蒸着法、
スパッタ法、塗布法などを用いることができる。窓部３
は導電膜２の被着時にマスクを用いるか、あるいは、導
電膜２の被着後にエッチングすることにより形成する。
窓部３の幅はこの中にある絶縁物の表面に生じる帯電量
に大きく影響する。
第３図に窓部３内の絶縁物表面の帯電量と窓部の幅と
の関係を、絶縁物１としてガラス、導電膜２として銀、
一次イオンビーム５として酸素イオンビームを用いた場
合について示す。帯電量は一次イオン照射下において、
試料ホルダ４の電位に対する窓部３の中央部の絶縁物表
面の電位の変化量を用いて表現した。帯電が生じない場
合には電位変化量は０であり、帯電量が大きいほど電位
変化量が大きくなる。電位変化量は窓部の幅が100μｍ
で約60Vであり、それ以下の場合、窓部の幅にほぼ比例
して増加する。窓部の幅が100μｍより大きくなると、
電位変化量は急激に増加し、二次イオン６の軌道に与え
る影響が無視できなくなる。電位変化が60V以下であれ
ば、軌道の変化は小さく、二次イオン光学系７内部のエ
ネルギーフィルタのウインド幅や、試料ホルダ４に印加
するバイアス電圧により、軌道変化に伴う二次イオン強
度の減少を容易に補償することができる。従って、窓部
３の幅は100μｍ以下、望ましくは、50μｍ以下である
のがよい。窓部３の長さは任意で良い。導電膜２は、一
次イオンビーム５によりスパッタエッチングされるの
で、分析中にスパッタし尽くされない程度の厚さ、例え
ば１μｍとする。
の関係を、絶縁物１としてガラス、導電膜２として銀、
一次イオンビーム５として酸素イオンビームを用いた場
合について示す。帯電量は一次イオン照射下において、
試料ホルダ４の電位に対する窓部３の中央部の絶縁物表
面の電位の変化量を用いて表現した。帯電が生じない場
合には電位変化量は０であり、帯電量が大きいほど電位
変化量が大きくなる。電位変化量は窓部の幅が100μｍ
で約60Vであり、それ以下の場合、窓部の幅にほぼ比例
して増加する。窓部の幅が100μｍより大きくなると、
電位変化量は急激に増加し、二次イオン６の軌道に与え
る影響が無視できなくなる。電位変化が60V以下であれ
ば、軌道の変化は小さく、二次イオン光学系７内部のエ
ネルギーフィルタのウインド幅や、試料ホルダ４に印加
するバイアス電圧により、軌道変化に伴う二次イオン強
度の減少を容易に補償することができる。従って、窓部
３の幅は100μｍ以下、望ましくは、50μｍ以下である
のがよい。窓部３の長さは任意で良い。導電膜２は、一
次イオンビーム５によりスパッタエッチングされるの
で、分析中にスパッタし尽くされない程度の厚さ、例え
ば１μｍとする。
上記の手順で導電化処理を施した試料を二次イオン質
量分析装置の試料室に導入し、一次イオンビーム５を窓
部３を含む領域に照射する。これにより、絶縁物１に含
まれている元素の二次イオン６が表面から発生する。こ
の二次イオン６を二次イオン光学系および質量分析系７
を通して質量分離し、かつ、窓部３内部から発生した二
次イオン６を試料表面の像として結像面に二次イオン像
８として結像させる。この二次イオン像８を位置敏感検
出器９により検出し、像を構成する各点の強度をコンピ
ュータ10を用いて取り込み、メモリーに記録する。分析
後にメモリーに記録されたイオン強度のデータを処理す
ることにより、窓部３内にある絶縁物１の表面の元素分
布、例えば、窓部３内部の平面的な元素分布や、ある線
に沿った元素の濃度分布などを得ることができる。ま
た、表面をスパッタしながら表面元素の時間的な濃度変
化を記録することにより、窓部３内部の３次元的な元素
の濃度分布や、ある点における深さ方向の濃度分布など
を得ることができる。なお、窓部３の周囲から発生した
二次イオン６には導電膜２の中の元素も含まれている
が、メモリーに記録されたイオン像８の各点のイオン強
度のうち、窓部３の周囲の部分のイオン強度を取り除く
ことにより、導電膜２の中の元素の影響を容易に除くこ
とができる。
量分析装置の試料室に導入し、一次イオンビーム５を窓
部３を含む領域に照射する。これにより、絶縁物１に含
まれている元素の二次イオン６が表面から発生する。こ
の二次イオン６を二次イオン光学系および質量分析系７
を通して質量分離し、かつ、窓部３内部から発生した二
次イオン６を試料表面の像として結像面に二次イオン像
８として結像させる。この二次イオン像８を位置敏感検
出器９により検出し、像を構成する各点の強度をコンピ
ュータ10を用いて取り込み、メモリーに記録する。分析
後にメモリーに記録されたイオン強度のデータを処理す
ることにより、窓部３内にある絶縁物１の表面の元素分
布、例えば、窓部３内部の平面的な元素分布や、ある線
に沿った元素の濃度分布などを得ることができる。ま
た、表面をスパッタしながら表面元素の時間的な濃度変
化を記録することにより、窓部３内部の３次元的な元素
の濃度分布や、ある点における深さ方向の濃度分布など
を得ることができる。なお、窓部３の周囲から発生した
二次イオン６には導電膜２の中の元素も含まれている
が、メモリーに記録されたイオン像８の各点のイオン強
度のうち、窓部３の周囲の部分のイオン強度を取り除く
ことにより、導電膜２の中の元素の影響を容易に除くこ
とができる。
なお、導電膜２の代わりに窓部３に接する線状あるい
はメッシュ状の導電体を使用することもできる。
はメッシュ状の導電体を使用することもできる。
（実施例１） 第４図は本発明の実施例における試料の導電化処理を
説明する図であり、11は斜め研磨した絶縁物、12は研磨
面である。
説明する図であり、11は斜め研磨した絶縁物、12は研磨
面である。
本実施例では絶縁物11を表面に対し角度Θで鏡面に研
磨し、深さ方向の長さを1/sinΘ倍に拡大する。例え
ば、Θ＝２゜53′であれば拡大率は20倍、Θ＝１゜８′
では50倍となる。また、第４図に示すように、研磨面を
角度φが90度よりも大きくなるようにして研磨すれば、
試料面方向の拡大を行うこともできる。この研磨面12に
窓部３を残して導電膜２を被着することにより、第２図
と同様の方法で窓部３内にある絶縁物１の研磨面12の表
面の元素分布を得ることができる。この場合のイオン像
は深さ方向の拡大像であるので、表面の元素分布は深さ
方向の元素分布に対応するものである。なお、導電膜２
の代わりに窓部３に接する線状あるいはメッシュ状の導
電体を使用することもできある。
磨し、深さ方向の長さを1/sinΘ倍に拡大する。例え
ば、Θ＝２゜53′であれば拡大率は20倍、Θ＝１゜８′
では50倍となる。また、第４図に示すように、研磨面を
角度φが90度よりも大きくなるようにして研磨すれば、
試料面方向の拡大を行うこともできる。この研磨面12に
窓部３を残して導電膜２を被着することにより、第２図
と同様の方法で窓部３内にある絶縁物１の研磨面12の表
面の元素分布を得ることができる。この場合のイオン像
は深さ方向の拡大像であるので、表面の元素分布は深さ
方向の元素分布に対応するものである。なお、導電膜２
の代わりに窓部３に接する線状あるいはメッシュ状の導
電体を使用することもできある。
第５図は本実施例の効果を示す図であって、同図
（ａ）に示すようなシリコン基板20上に窒化シリコン
（膜厚１μｍ）13、ゲルマニウムガラス（膜厚５μｍ）
14、ホウ素ガラス（膜厚20μｍ）15からなる絶縁物１の
多層膜中の元素の深さ方向分布を測定した結果である。
測定に用いた試料は斜め研磨角度は、Θ＝２゜53′、φ
＝90゜とし、深さ方向を20倍に拡大したものである。導
電膜としては銀２を蒸着し、窓部の大きさは25μｍ×20
0μｍとした。この試料にセシウムイオンビームを照射
し、シリコンと窒素が結合した二次イオン、SiN-の像、
ゲルマニウムの二次イオン、Ge-の像、および、シリコ
ンとホウ素が結合した二次イオン、SiB-の像を観察し
た。得られた各元素の二次イオン像を模式的に第５図
（ｂ）に示した。
（ａ）に示すようなシリコン基板20上に窒化シリコン
（膜厚１μｍ）13、ゲルマニウムガラス（膜厚５μｍ）
14、ホウ素ガラス（膜厚20μｍ）15からなる絶縁物１の
多層膜中の元素の深さ方向分布を測定した結果である。
測定に用いた試料は斜め研磨角度は、Θ＝２゜53′、φ
＝90゜とし、深さ方向を20倍に拡大したものである。導
電膜としては銀２を蒸着し、窓部の大きさは25μｍ×20
0μｍとした。この試料にセシウムイオンビームを照射
し、シリコンと窒素が結合した二次イオン、SiN-の像、
ゲルマニウムの二次イオン、Ge-の像、および、シリコ
ンとホウ素が結合した二次イオン、SiB-の像を観察し
た。得られた各元素の二次イオン像を模式的に第５図
（ｂ）に示した。
これらの二次イオン像をコンピュータのメモリに取り
込み、Ａ−Ｂ線に沿ったイオン強度のデータを取り出し
て、各イオンの強度分布を重ねてプロットした結果が第
５図（ｃ）のグラフである。グラフの横軸は、Ａ−Ｂ線
に沿った二次イオン像の長さを表面からの深さに換算し
た値を示した。異なる種類の絶縁物からなる多層膜であ
るにも係わらず、各層間で帯電量の差が生じることな
く、安定な二次イオン強度が得られ、ゲルマニウムガラ
スとホウ素ガラスとの間の元素の拡散の様子が明瞭に認
められる。しかも、10μｍに渡る深さ方向の情報が５分
以内の二次イオン像測定で得ることができた。
込み、Ａ−Ｂ線に沿ったイオン強度のデータを取り出し
て、各イオンの強度分布を重ねてプロットした結果が第
５図（ｃ）のグラフである。グラフの横軸は、Ａ−Ｂ線
に沿った二次イオン像の長さを表面からの深さに換算し
た値を示した。異なる種類の絶縁物からなる多層膜であ
るにも係わらず、各層間で帯電量の差が生じることな
く、安定な二次イオン強度が得られ、ゲルマニウムガラ
スとホウ素ガラスとの間の元素の拡散の様子が明瞭に認
められる。しかも、10μｍに渡る深さ方向の情報が５分
以内の二次イオン像測定で得ることができた。
（発明の効果） 以上説明したように、絶縁物の表面に、100μｍ以内
の幅を持つ絶縁物の露出した領域と、絶縁物の露出領域
を囲む試料ホルダと同電位に保たれた導電性領域を形成
し、この絶縁物の露出した領域から発生する二次イオン
を位置敏感検出器を用いて分析することにより、二次イ
オン質量分析法による絶縁物の分析が容易になり、か
つ、分析可能な材料の種類を広げることができた。これ
により、ガラス材料やセラミックス材料、有機材料など
絶縁性材料の研究開発に多大な効果をもたらす。
の幅を持つ絶縁物の露出した領域と、絶縁物の露出領域
を囲む試料ホルダと同電位に保たれた導電性領域を形成
し、この絶縁物の露出した領域から発生する二次イオン
を位置敏感検出器を用いて分析することにより、二次イ
オン質量分析法による絶縁物の分析が容易になり、か
つ、分析可能な材料の種類を広げることができた。これ
により、ガラス材料やセラミックス材料、有機材料など
絶縁性材料の研究開発に多大な効果をもたらす。
第１図は窓部の巾と帯電量の関係を示す実験に使用した
試料の説明図、第２図は上記実験及び実施例に使用した
分析方法の説明図、第３図は帯電量と窓部の幅との関係
を説明する図、第４図は本発明の第２の実施例における
導電化処理の説明図、第５図は本発明の第２の実施例の
効果を説明する図であって、シリコン基板上の窒化シリ
コン、ゲルマニウムガラス、ホウ素ガラスの３層からな
る絶縁性多層膜の分析例を示す。 １……絶縁物、２……導電膜、３……窓部、４……試料
ホルダ、５……一次イオンビーム、６……二次イオン、
７……二次イオン光学系・質量分析系、８……イオン
像、９……位置敏感検出器、10……コンピュータ、11…
…斜め研磨した絶縁物、12……研磨面。
試料の説明図、第２図は上記実験及び実施例に使用した
分析方法の説明図、第３図は帯電量と窓部の幅との関係
を説明する図、第４図は本発明の第２の実施例における
導電化処理の説明図、第５図は本発明の第２の実施例の
効果を説明する図であって、シリコン基板上の窒化シリ
コン、ゲルマニウムガラス、ホウ素ガラスの３層からな
る絶縁性多層膜の分析例を示す。 １……絶縁物、２……導電膜、３……窓部、４……試料
ホルダ、５……一次イオンビーム、６……二次イオン、
７……二次イオン光学系・質量分析系、８……イオン
像、９……位置敏感検出器、10……コンピュータ、11…
…斜め研磨した絶縁物、12……研磨面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−50351（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−114935（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01J 37/252,37/20,49/26 H01L 21/66 G01N 23/225
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁物である試料に一次イオンビームを照
射し、それによって前記絶縁物表面から発生する二次イ
オンを引き出して質量分析することにより前記絶縁物中
に含まれる元素の種類と量を分析する絶縁物の二次イオ
ン質量分析法において、斜め研磨した絶縁物の表面に、
100μｍ以内の幅を持つ絶縁物の露出した領域と、前記
絶縁物の露出領域を囲む導電性領域を形成し、前記絶縁
物の露出領域から発生する二次イオンを位置敏感検出器
を用いて検出し、絶縁物表面の元素分布を分析すること
を特徴とする絶縁物分析法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1075848A JP2832298B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 絶縁物分析法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1075848A JP2832298B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 絶縁物分析法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02253553A JPH02253553A (ja) | 1990-10-12 |
| JP2832298B2 true JP2832298B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=13588045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1075848A Expired - Fee Related JP2832298B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 絶縁物分析法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2832298B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002005309A1 (de) * | 2000-07-07 | 2002-01-17 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Detektor für variierende druckbereiche und elektronenmikroskop mit einem entsprechenden detektor |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0754683B2 (ja) * | 1987-08-20 | 1995-06-07 | 株式会社日立製作所 | 帯電防止法 |
-
1989
- 1989-03-28 JP JP1075848A patent/JP2832298B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02253553A (ja) | 1990-10-12 |
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