JP2012163519A - イオンビーム分析方法 - Google Patents
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Abstract
【手段】試料10表面に収束イオンビーム24aを照射して、試料10表面に形成された絶縁層12を貫通し、底面に試料10の導電性基板11を表出する凹部10aを形成する工程と、凹部10aの内部に金属イオンビーム23aを照射しつつ、同時に試料10表面に一次イオンビーム22aを照射することを特徴とするイオンビーム分析方法。
【選択図】図2
Description
10a、134、234 凹部
11 導電性基板
12 絶縁層
20 イオンビーム分析装置
21 真空チャンバ
21b 真空排気管
22 一次イオンビームガン
22a 一次イオンビーム
23 金属イオンビームガン
23a 金属イオンビーム
24 収束イオンビームガン
24a 収束イオンビーム
25 二次イオン
26 質量分析器
27 試料保持台
32 走査方向
33 金属薄膜
133 Au膜
233 導電性金属
Claims (5)
- 試料表面に一次イオンビームを照射して前記試料表面を除去しつつ、前記試料の深さ方向の分析を行うイオンビーム分析方法において、
前記試料表面に収束イオンビームを照射して、前記試料表面に形成された絶縁層を貫通し、底面に前記試料の導電性基板を表出する凹部を形成する工程と、
前記凹部の内部に金属イオンビームを照射しつつ、同時に前記試料表面に前記一次イオンビームを照射することを特徴とするイオンビーム分析方法。 - 前記一次イオンビームは、前記試料の被分析領域から前記凹部の一部領域に延在して照射されることを特徴とする請求項1記載のイオンビーム分析方法。
- 前記金属イオンビームは、金イオンビームであることを特徴とする請求項1又は2記載のイオンビーム分析方法。
- 前記金属イオンビームの照射により前記凹部に堆積する金属薄膜の堆積速度が、前記一次イオンビームの照射により除去される前記金属薄膜のエッチング速度より速くなるように前記金属イオンビーム強度を設定したことを特徴とする請求項1、2又は3記載のイオンビーム分析方法。
- 前記一次イオンビームの照射により放出される2次イオンを質量分析することを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載のイオンビーム分析方法。
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