JP6075380B2 - 半導体装置 - Google Patents

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Description

本発明は、パワー半導体チップを搭載した半導体装置に関する。
例えば電力変換装置を構成するインバータ装置にはパワー半導体モジュールが使用されている。
従来の半導体装置としては、例えば図１５に示すものが提案されている。
この従来の半導体装置は、例えば２ｉｎ１の半導体モジュール１００の例として挙げている。
この半導体モジュール１００は、放熱用の金属ベース板１０１上に導体パターン付絶縁基板（セラミックス絶縁基板）１０２がハンダ１０３で接合されている。導体パターン付絶縁基板１０２は、セラミックス基板１０２ａを有し、このセラミックス基板１０２ａの表面に貼り合わせた導体パターン１０２ｂと、セラミックス基板１０２ａの裏面に貼り合わせた裏面導電膜１０２ｃとで構成されている。
導体パターン付絶縁基板１０２の導体パターン１０２ｂ上には半導体チップ（半導体パワーチップ）１０４がハンダ１０５を介してマウントされている。
そして、金属ベース板１０１、導体パターン付絶縁基板１０２及び半導体チップ１０４が下端を開放した箱状の樹脂ケース１０６内に配置され、この樹脂ケース１０６内に樹脂封止材を注入することにより固定されている。なお、１０７は導体パターン１０２ｂにハンダ付けされた外部導出端子となる金属バー端子、１０８は半導体チップ１０４同士や半導体チップ１０４と導体パターン１０２ｂとの間を接続するボンディングワイヤである。
他の従来例としては、導体パターン付絶縁基板上に半導体チップを配置し、半導体チップや導体パターンにプリント基板に固着した多数のポスト電極を固着し、プリント基板の表裏に金属箔形成して、放熱性を確保することにより、熱膨張等による変形を防止して高信頼性で、優れた動作特性を有し、且つ高い生産性を有する半導体装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
また、電力用半導体装置（ＩＧＢＴ）とこれに逆並列接続されたダイオード（ＦＷＤ）の直列接続回路からなる電力用半導体モジュールに対して、第１の電源電位出力電極などに接続され電極バーと付加電極などに接続される電極バーと第２の電源電位出力電極などに接続される電極バーとをそれぞれ板状に形成し、絶縁物を挟み互いに近接させて配置することにより、電力用半導体モジュール内部のインダクタンス値をほぼゼロとした電力用半導体モジュールも提案されている（例えば、特許文献２参照）。
さらに、底面基板の上部に、この底面基板の端縁部上方を覆うように矩形環状の配線基板を配設し、この配線基板の中央部の開口部に主コレクタ電極端子及び主エミッタ電極端子を通過させて樹脂ケースの開口部から突出させ、制御エミッタパッド及びゲートパッドは均等な長さのワイヤ配線を介して制御エミッタ電極およびゲート電極と電気的に接続した電力用半導体装置も提案されている（例えば、特許文献３参照）。
さらにまた、半導体チップを封止した半導体装置用ユニット、配線基板およびボルト締めユニットを備え、少なくとも半導体装置用ユニットとボルト締めユニットとは弾性接着剤により固着され、半導体装置用ユニットは銅ブロック、導体パターン付絶縁基板、ＩＧＢＴチップ、ダイオードチップ、コレクタ端子ピン、インプラントピンを固着したプリント基板、エミッタ端子ピン、制御端子ピン、コレクタ端子ピンおよびこれらを封止する樹脂ケースとから構成された半導体装置も提案されている（例えば、特許文献４）。
また、パワー半導体チップを搭載した、銅板と絶縁板を有する絶縁基板、パワー半導体チップに接続したピン付プリント基板、銅板に接続した接続端子および絶縁基板とピン付プリント基板を内部に封入する直方体状の樹脂封止材を少なくとも備え、樹脂封止材の両側部にエミッタ側接続端子、コレクタ側接続端子、出力端子を樹脂封止材の側縁に沿って一列に配置し、ゲート端子及びエミッタ信号用端子を一方の長手方向端縁に沿って一列に配置したパワー半導体モジュールが提案されている（例えば、特許文献５参照）。
特開２００９−６４８５２号公報 特開２００４−２１４４５２号公報 特開２０１０−１１８６９９号公報 特開２０１１−１４２１２４号公報 特開２０１２−１１９６１８号公報
ところで、上記図１５に記載した従来例にあっては、細いボンディングワイヤを引き回す必要性から、高速スイッチングに対応させるためにインダクタンスを低減させることが困難であり、外部接続端子を導体パターンにハンダ付けするので、外部接続端子の取付けを正確に行うことができないという未解決の課題がある。さらに、ボンディングワイヤとつなぐ配線を引き回すパターンを絶縁基板上に配置しなければならないので、小型化が困難であると共に、生産性および組立性も劣り、構造が複雑となり放熱性も低下する。
また、特許文献１に記載された従来例にあっては、ボンディングワイヤより短く断面積の大きいポスト電極（ピン）を使用しているので、インダクタンス低減が可能であるし、絶縁基板とプリント基板の２階建て配線とすることができるので小型化も可能である。しかし、プリント基板及び絶縁基板間の配線インダクタンス低減までは考慮していないので、ＳｉＣなどに代表される高速スイッチング素子の能力を十分に発揮させるには、このままでは不十分である。また、安価にモジュールを形成する手段として、トランスファー成型などを用いたフルモールド化が挙げられるが、特許文献１に開示されている形状は、必ずしもモールド成型に適したものではない。
さらに、特許文献２に記載された従来例にあっては、電流通路を重ねて配線インダクタンスをほぼゼロにすることができ、相互インダクタンスを大幅に低減できる有効な手段であるが、実際の半導体パッケージは、様々な形状要求があり、特に、プリント基板と接続するために、外部端子をピン形状にして上方に出す場合などでは、正極側及び負極側の電源配線をラミネート構造にできない部位が存在することは明白であるし、ラミネートしているところでも電流の方向が完全に正反対のところしか相互インダクタンスを“０”とすることはできないので、この手法だけに頼ることは難しい。さらに、小型の半導体チップは、１ｍｍ以下の幅のパッドを採用していることも多く、ＢＵＳバーをラミネート化しつつ複数のチップを機械的に接合することは困難である。小型チップの場合は、ワイヤーボンディングや特許文献１に記載されているポスト電極を採用せざるを得ない。特に、ＳｉＣなどは、周知のとおりウェハ欠陥密度の関係から、小型チップであることが多い。
また、一般的に、モジュールサイズが小型になるほど、配線がほそくなり、ラミネートなどの工夫もしにくくなるため、インダクタンスが増加することが多い。
さらにまた、特許文献３に記載された従来例にあっては、主コレクタ端子及び主エミッタ端子については底面基板に主コレクタ基板及び主エミッタ基板を介して配設し、制御エミッタパッド及びゲートパッドはＩＧＢＴ素子にワイヤ配線を介して接続されていると共に、制御エミッタ中継端子及びゲート中継端子を介して配線基板に接続され、この配線基板に設けた制御エミッタ電極およびゲート電極に電気的に接続している。このため、外部接続端子の連結構造が複雑となり、組立性及び生産性が低下するという未解決の課題がある。
また、特許文献４に記載された従来例にあっては、コレクタ端子ピンは絶縁基板の第２銅ブロックにハンダ付けで接続され、エミッタ端子ピン及び制御端子ピンはプリント基板に接続されており、外部接続端子の配置及び接続を容易に行うことができず、組立性及び生産性か低下するという未解決の課題がある。
同様に、特許文献５に記載された従来例にあっては、コレクタ側接続端子及びエミッタ側接続端子が絶縁基板の異なる第１銅板に固着され、ゲート端子及びエミッタ信号用端子がプリント基板に固着されており、外部接続端子の配置及び接続を容易に行うことができず、組立性及び生産性が低下するという未解決の課題がある。
そこで、本発明は、上記従来例の未解決の課題に着目してなされたものであり、小型でありながら、高速スイッチングに対応した低インダクタンスとすることができる半導体装置を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置の第１の態様は、第１半導体チップが実装された第１導電パターン部材及び第２半導体チップが実装された第２導電パターン部材と、第１配線パターン及び第２配線パターンが形成されたプリント基板とを備えている。そして、前記第１導電パターン部材は幅狭部と幅広部とで形成され、前記第１半導体チップは第１棒状接続部材を介して前記第１配線パターンに接続され、前記第２半導体チップは第２棒状接続部材を介して前記第２配線パターンに接続され、前記第１導電パターン部材の前記幅狭部は第３棒状接続部材を介して前記第２配線パターンに接続され、前記第１導電パターン部材と前記第２半導体チップが前記第３棒状接続部材、前記第２棒状接続部材及び前記第２配線パターンを介して電気的に接続されている。
また、本発明に係る半導体装置の第２の態様は、前記第１導電パターン部材と前記第１配線パターンが対向して配置されている。
また、本発明に係る半導体装置の第３の態様は、前記第１導電パターン部材に流れる電流の変化率と前記第１導電パターン部材に対向する前記プリント基板に流れる電流の変化率との符号が正負逆符号となるように前記プリント基板の前記第１配線パターンを配置している。
また、本発明に係る半導体装置の第４の態様は、前記幅狭部の外側に形成され、外部接続端子を接続する端子接続パターン部材をさらに有している。
また、本発明に係る半導体装置の第５の態様は、前記第１導電パターン部材および第２導電パターン部材は、厚みが０．５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下の銅パターンで構成されている。
また、本発明に係る半導体装置の第６の態様は、前記端子接続パターン部材は、厚みが前記外部接続端子を保持可能な０．５ｍｍ以上の銅パターンで構成されている。
また、本発明に係る半導体装置の第７の態様は、前記第１導電パターン部材及び第２導電パターン部材は絶縁基板上に配置されている。
また、本発明に係る半導体装置の第８の態様は、前記第１導電パターン部材及び第２導電パターン部材は個別の絶縁基板上に配置されている。
また、本発明に係る半導体装置の第９の態様は、前記絶縁基板は、前記第１導電パターン部材及び第２導電パターン部材が形成された面とは反対側に放熱用伝熱パターン部材が形成され、当該放熱用伝熱パターン部材の数が前記第１導電パターン部材及び第２導電パターン部材の数と同じか、または少なく設定されている。
また、本発明に係る半導体装置の第１０の態様は、前記プリント基板は、表裏両面に前記第１配線パターン及び前記第２配線パターンが形成され、前記第１配線パターン同士が同電位とされ、前記第２配線パターン同士が同電位とされている。
また、本発明に係る半導体装置の第１１の態様は、前記第１半導体チップ及び第２半導体チップが主電極を有する電圧制御形半導体素子で構成され、
前記第１半導体チップの主電極は前記第１配線パターンに接続され、前記第２半導体チップの主電極は前記第２配線パターンに接続されている。
また、本発明に係る半導体装置の第１２の態様は、前記第１導電パターン部材と前記プリント基板とを内部に封入する封止部材を備え、前記端子接続パターン部材が前記幅狭部の外側に所定間隔を保って配置された第１パターン及び第２パターンを有し、前記外部接続端子が前記第１パターンに接続された第１端子及び第２パターンに接続された第２端子を有し、第１端子及び第２端子は前記半導体装置の幅方向の中心線に対して対称の位置に形成されるとともに前記封止部材から同一方向に突出している。
また、本発明に係る半導体装置の第１３の態様は、前記第１半導体チップ及び第２半導体チップがそれぞれゲート電極と電流検出用の補助電極とを有する電圧制御形半導体素子で構成され、前記ゲート電極に接続された第３配線パターンが、前記プリント基板の一方の面に形成され、前記補助電極に接続された第４配線パターンが、前記プリント基板の他方の面であって前記第３配線パターンと対向する位置に形成されている。
また、本発明に係る半導体装置の第１４の態様は、前記第１半導体チップ及び第２半導体チップがそれぞれゲート電極を有する電圧制御形半導体素子で構成され、前記第１半導体チップのゲート電極と前記第２半導体チップのゲート電極が前記絶縁基板を複数配置した際の長手方向に沿う前記絶縁基板の外周側に位置するように配置されている。
また、本発明に係る半導体装置の第１５の態様は、一ないし複数のパワー半導体チップがそれぞれ実装された複数の導電パターン部材と、該導電パターン部材との対向面に前記パワー半導体チップに接続するチップ用棒状導電接続部材及び前記導電パターン部材に接続するパターン用棒状導電接続部材を配置したプリント基板とを備え、前記導電パターン部材に流れる電流の変化率と当該導電パターン部材に対向する前記プリント基板に流れる電流の変化率との符号が正負逆符号となるように前記プリント基板の配線パターンを配置している。
また、本発明に係る半導体装置の第１５の態様は、一ないし複数のパワー半導体チップがそれぞれ実装された複数の導電パターン部材と、該導電パターン部材との対向面に前記パワー半導体チップに接続するチップ用棒状導電接続部材及び前記導電パターン部材に接続するパターン用棒状導電接続部材を配置したプリント基板とを備えている。そして、前記導電パターン部材に流れる電流の向きと前記導電パターン部材に対向する前記プリント基板に流れる電流の向きとが同一である部分において、前記導電パターン部材に流れる電流の絶対値の変化率と前記プリント基板に流れる電流の絶対値の変化率との符号が正負逆符号となるように前記プリント基板の配線パターンを配置している。
また、本発明に係る半導体装置の第１６の態様は、一ないし複数のパワー半導体チップがそれぞれ実装された複数の導電パターン部材と、前記パワー半導体チップに接続するチップ用棒状導電接続部材を配置したプリント基板とを備えている。そして、前記導電パターン部材は幅狭部と幅広部とで形成され、少なくとも１つの前記導電パターン部材の幅狭部と、前記プリント基板に前記チップ用棒状導電接続部材を介して接続されている前記パワー半導体チップとの間の電流路が形成され、前記パワー半導体チップがゲート電極と電流検出用の補助電極とを有する電圧制御形半導体素子で構成され、前記プリント基板に形成された配線パターンのうち、前記ゲート電極に接続される配線パターンが前記プリント基板の一方の面に形成され、前記電流検出用の補助電極に接続される配線パターンは、前記プリント基板の他方の面であって前記ゲート電極に接続される配線パターンと対向する位置に形成されている。
本発明によれば、絶縁基板上に形成された導体パターンが幅狭部と半導体チップを搭載する幅広部とで形成され、この導電バターンの幅狭部とプリント基板との間を棒状導電接続部材で接続して複数の主回路構成部品間の電流路を形成している。このため、寸法を拡大することなくインダクタンスを低減し、樹脂成型し易い構成とすることができ、ひいては小型で、高速スイッチング素子に対応できる半導体装置を提供できる。
本発明に係る半導体装置の一実施形態を示す斜視図であって、（ａ）は平面側から見た斜視図、（ｂ）は底面側から見た斜視図である。 半導体チップを搭載した絶縁基板の平面図である。 図１の半導体装置の図２のＡ−Ａ線上を通る断面図である。 本発明に適用し得る絶縁基板を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は底面図である。 本発明に適用し得るプリント基板を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は底面図である。 半導体装置の等価回路を示す回路図である。 図６のトランジスタＱ１ａをオン状態からオフ状態に反転させたときの電流経路を示す回路図である。 絶縁基板上にプリント基板を載置した状態を示す斜視図である。 本発明に適用し得る樹脂封止金型を示す平面図である。 従来の樹脂封止金型を示す平面図である。 絶縁基板の第１の変形例を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は底面図である。 絶縁基板の第２の変形例を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は底面図である。 絶縁基板の第３の変形例を示す平面図である。 絶縁基板の第４の変形例を示す平面図である。 従来例を示す断面図である。
以下、図面を参照してこの発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明に係る半導体装置を示す斜視図である。
図中、２は半導体装置としてのパワー半導体モジュールである。このパワー半導体モジュール２は、図２〜図８で特に明らかなように、絶縁基板１１Ａ、１１Ｂ上にそれぞれ実装される第１の半導体チップ１２Ａ及び第２の半導体チップ１２Ｂを含む２組の主回路構成部品１３Ａ、１３Ｂと、これら主回路構成部品１３Ａ、１３Ｂの上方で共通の配線回路を構成するプリント基板１６とを備えている。
第１の半導体チップ１２Ａは、パワーＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）（または絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（Insulated Gate Bipolar Transistor，ＩＧＢＴ））を内蔵して構成されている。第２の半導体チップ１２Ｂは、フリー・ホイーリング・ダイオード（Free Wheeling Diode，ＦＷＤ）を内蔵して構成されている。
そして、絶縁基板１１Ａ上に、図２に示すように、２個の第２の半導体チップ１２Ｂが長手方向（図面に向かって左右方向）の中心線上に所定間隔保って配置され、これら第２の半導体チップ１２Ｂの両外側に第１の半導体チップ１２Ａが２個ずつ所定距離を保って配置されている。絶縁基板１１Ｂ上にも同様に２個の第２の半導体チップ１２Ｂと、これら第２の半導体チップ１２Ｂを挟んで４個の第１の半導体チップ１２Ａとが配置されている。
ここで、第１の半導体チップ１２Ａは、ドレイン電極１２Ａｄ、ソース電極１２Ａｓ及びゲート電極１２Ａｇを有し、ゲート電極１２Ａｇが第２の半導体チップ１２Ｂとは反対側の端部側（絶縁基板外側）となるように配置されている。
これらの半導体チップ１２Ａ，１２Ｂは、上記のような各種パワーデバイスであるが、シリコン基板上に形成したものでもよいし、ＳｉＣ、他の基板上に形成したものでもよい。
絶縁基板１１Ａは、伝熱性の良いアルミナ等のセラミックスを主成分とする例えば正方形状の基板１３を有し、この基板１３の表面には厚みが０．５ｍｍ以上の銅板で構成される導電パターン部材としての導電パターン１４が貼り付けられており、裏面には同様の厚みを有する放熱用伝熱パターン１５が貼り付けられている。
導電パターン１４は、図２及び図３に示すように、平面形状が凸（Ｔ）字形状に形成されたチップ搭載パターン１４ｃを有する。チップ搭載パターン１４ｃは、図面向かって右側の端部が基板１３の幅と略等しい幅を有する幅広部１４ａと、この幅広部１４ａの左側に連接する幅広部１４ａより狭い幅の幅狭部１４ｂとを備える。
また、導電パターン１４は、チップ搭載パターン１４ｃの幅狭部１４ｂの外側に所定間隔を保って独立した端子接続パターン１４ｄ及び１４ｅを有する。これら端子接続パターン１４ｄ及び１４ｅの側縁はチップ搭載パターン１４ｃの幅広部１４ａの側縁と一致されている。
ここで、チップ搭載パターン１４ｃの幅広部１４ａには、図２に示すように、ハンダ等の接合部材を介して第１の半導体チップ１２Ａ及び第２の半導体チップ１２Ｂが実装されていると共に、第１の半導体チップ１２Ａの幅方向外側に２つの嵌合孔１４ｆが形成されている。嵌合孔１４ｆには主回路用外部接続端子となる導電端子ピン１９が圧入される。また、端子接続パターン１４ｄ及び１４ｅには嵌合孔１４ｇがそれぞれ形成されている。嵌合孔１４ｇには外部接続端子としてのソース端子Ｓ２となる導電端子ピン２０が圧入される。
また、絶縁基板１１Ｂも、絶縁基板１１Ａと同様にセラミックスを主成分とする基板１３とその表裏に形成された導電パターン１４及び放熱用伝熱パターン１５とを有する。導電パターン１４は、平面形状が凸（Ｔ）字形状に形成されたチップ搭載パターン１４ｊを有する。チップ搭載パターン１４ｊは、絶縁基板１１Ａと同様に、幅広部１４ｈ及び幅狭部１４ｉとを備える。このチップ搭載パターン１４ｊの幅狭部１４ｉの外側に所定間隔を保って独立して形成されたそれぞれ２つの端子接続パターン１４ｋ，１４ｌ及び１４ｍ，１４ｎが形成されている。
そして、チップ搭載パターン１４ｊには、図２に示すように、第１の半導体チップ１２Ａ及び第２の半導体チップ１２Ｂがハンダ等の接合部材を介して実装されていると共に、第１の半導体チップ１２Ａの幅方向外側に２つの嵌合孔１４ｏが形成されている。嵌合孔１４ｏには外部接続端子としてのドレイン端子となる導電端子ピン１８が圧入される。端子接続パターン１４ｋ及び１４ｍには嵌合孔１４ｐがそれぞれ形成されている。嵌合孔１４ｐには外部接続端子としてのソース補助端子となる導電端子ピン２１ａ，２１ｂが圧入される。端子接続パターン１４ｌ及び１４ｎには嵌合孔１４ｑがそれぞれ形成されている。嵌合孔１４ｑには外部接続端子としてのゲート端子となる導電端子ピン２２ａ，２２ｂが圧入される。
ここで、導電端子ピン１８、２０及び１９の材質は、導電性に優れた銅（Cu）、あるいはアルミニウム（Al）系のものであることが望ましい。しかし、はんだ接合の容易さを考慮するとき、導電端子ピン１８、２０及び１９にはニッケル（Ni）あるいは錫系の表面処理を施して、はんだ接合の濡れ性を改善することによって、実装効率を高めることが可能である。
図６に示す等価回路図から分かるように、絶縁基板１１Ｂの導電パターン１４には、上アームを構成する第１の半導体チップ１２Ａとなる例えばＮチャネルのＭＯＳＦＥＴ（以下、単にトランジスタという）Ｑ１ａ〜Ｑ１ｄおよび第２の半導体チップ１２ＢとなるＦＷＤ（以下、ダイオードという）Ｄｉ１ａ，Ｄｉ１ｂを備える逆並列接続回路が形成される。絶縁基板１１Ａの導電パターン１４には、下アームを構成する第１の半導体チップ１２ＡとなるトランジスタＱ２ａ〜Ｑ２ｄおよび第２の半導体チップ１２ＢとなるダイオードＤｉ２ａ，Ｄｉ２ｂを備える逆並列回路が形成される。２つの逆並列回路は直列に接続されている。
ここで、一つの絶縁基板１１Ａ、１１Ｂ上に配置される半導体チップ（パワーデバイス）は、図６に示すトランジスタとダイオードの逆並列回路を等価的に構成すればよいので、トランジスタとダイオードは、１つずつでもよいし、互いに同数の複数であってもよい。
そして、一対のトランジスタＱ１ａ〜Ｑ１ｄ、Ｑ２ａ〜Ｑ２ｄとダイオードＤｉ１ａ，Ｄｉ１ｂ、Ｄｉ２ａ，Ｄｉ２ｂとからなる２組の逆並列回路は、さらに上面に配置されたプリント基板１６と棒状導電接続部材としての円柱状のポスト電極１７を介して直列に接続される。
なお、図２のように２つの半導体チップ１２Ａ及び１２Ｂの配置は前後方向に並べて配置する場合に代えて左右方向に並べて配置することもできる。
そして、第１の半導体チップ１２Ａの下面にはトランジスタＱ１ａ〜Ｑ１ｄ（又はＱ２ａ〜Ｑ２ｄ）のドレイン電極１２Ａｄが形成され、導電パターン１４のチップ搭載パターン１４ｊ（又は１４ｃ）を介してパワー半導体モジュール２の外部入力用端子（ドレイン端子Ｄ１）を構成する接続端子としての導電端子ピン１８（又は主回路用外部接続端子（ソース兼ドレイン端子Ｓ１／Ｄ２）となる導電端子ピン１９）に接続されている。第２の半導体チップ１２Ｂの裏面に形成されたカソード電極も、チップ搭載パターン１４ｊ（又は１４ｃ）を介して導電端子ピン１８（又は導電端子ピン１９）に接続されている。
また、第１の半導体チップ１２Ａのおもて面には、トランジスタＱ１ａ〜Ｑ１ｄ（又はＱ２ａ〜Ｑ２ｄ）のソース電極１２Ａｓ及びゲート電極１２Ａｇが形成され、それぞれチップ用棒状導電接続部材としてのポスト電極１７を介してプリント基板１６に接続されている。
ここで、トランジスタＱ１ａ〜Ｑ１ｄ（又はＱ２ａ〜Ｑ２ｄ）のソース電極１２Ａｓ及びゲート電極１２Ａｇは、プリント基板１６に形成された配線パターンに接続されるが、ゲート電極に接続される配線パターンはプリント基板１６の一方の面に形成され、ソースセンス電極（図示せず）に接続される配線パターンは、プリント基板１６の他方の面であって前記ゲート電極に接続される配線パターンと対向する位置に形成されている。
このように、ゲート電極に接続される配線パターンとソースセンス電極に接続される配線パターンを配置することにより、両配線パターンの間の相互インダクタンスを低減することができる。相互インダクタンスを低減することにより、トランジスタＱ１ａ〜Ｑ１ｄ（又はＱ２ａ〜Ｑ２ｄ）の制御を安定させることができる。特に、配線インダクタンスの影響による誤点弧の抑制に有効である。
また、第２の半導体チップ１２Ｂのおもて面にはアノード電極が形成され、このアノード電極がチップ用棒状導電接続部材としてのポスト電極１７を介してプリント基板１６に接続されている。
これらの導電端子ピン１８〜２０は、図１に示すようにパワー半導体モジュール２の幅方向の中心線に対して対称の位置に１本ずつ形成されている。また、パワー半導体モジュール２は導電端子ピン１８の長手方向外側に片側２本ずつ計４本の導電端子ピン２１ａ，２１ｂ及び２２ａ，２２ｂをさらに有している。これらの導電端子ピン１８〜２０及び２１ａ，２１ｂ、２２ａ，２２ｂはパワー半導体モジュール２の両側縁に沿って略直線状に二列に配置されている。
導電端子ピン２１ａ，２１ｂはソース補助端子であって、プリント基板１６に接続されて、トランジスタＱ１ａ〜Ｑ１ｄ、Ｑ２ａ〜Ｑ２ｄのドレイン―ソース間に流れる電流をセンシングするソースに接続されてセンス信号を出力する電流検出端子ＳＳ１、ＳＳ２を構成している。また、残りの２本の導電端子ピン２２ａ，２２ｂは、プリント基板１６に接続されて、ハーフブリッジ回路のトランジスタＱ１ａ〜Ｑ１ｄ、Ｑ２ａ〜Ｑ２ｄのゲート電極にゲート制御信号を供給するゲート端子Ｇ１、Ｇ２を構成している。
また、絶縁基板１１Ａ、１１Ｂの裏面側の放熱用伝熱パターン１５は、導電パターン１４と同様に銅板を貼り付けて構成され、放熱用伝熱パターン１５の下面がパワー半導体モジュール２の底面と面一か底面より僅かに突出している。
プリント基板１６は、図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、表面側に主回路構成部品１３Ａの電流路となる右側に向かって凸形状で幅広の主回路配線パターン１６ａと、主回路構成部品１３Ｂの電流路となる同様に幅広の主回路配線パターン１６ｂとが形成されている。また、プリント基板１６の表面には、主回路構成部品１３Ａ及び１３Ｂの第１の半導体チップ１２Ａのゲート電極にポスト電極１７を介して接続されるゲート用配線パターン１６ｃ及び１６ｄが形成されている。
ゲート用配線パターン１６ｃは冠状パターン１６ｅおよび接続パターン１６ｈで構成されている。冠状パターン１６ｅは凸形状の配線パターン１６ａの幅狭部を所定距離保って囲むように形成されている。接続パターン１６ｈは、冠状パターン１６ｅの中央部と端子接続パターン１６ｇとの間を結ぶようにプリント基板１６の側縁に沿って延長されている。端子接続パターン１６ｇはプリント基板１６の左端部に穿設された、導電端子ピン２２ａを挿通するための挿通孔１６ｆの周囲に形成されている。
ゲート用配線パターン１６ｄは冠状パターン１６ｊおよび接続パターン１６ｍで構成されている。冠状パターン１６ｊは主回路配線パターン１６ｂの左側端部を囲むように形成されている。接続パターン１６ｍは、冠状パターン１６ｊの中央部と端子接続パターン１６ｌとの間を結ぶように略Ｌ字状に形成されている。端子接続パターン１６ｌはプリント基板１６の左端部に穿設された、導電端子ピン２２ｂを挿通するための挿通孔１６ｋの周囲に形成されている。
プリント基板１６には、導電端子ピン１８及び１９を非接触で挿通する単純挿通孔１６ｏ、及び１６ｐや、導電端子ピン２０を非接触で挿通するスルーホール１６ｑが穿設されている。
ここで、スルーホール１６ｑは、導電端子ピン２０に対して非接触としているが、更なるインダクタンス低減が必要な場合、スルーホール１６ｑと導電端子ピン２０とをはんだ付け等によって電気的に接続することにより、配線長さを短縮することができる。
さらに、プリント基板１６の裏面には、図５（ｂ）に示すように、表面側の主回路配線パターン１６ａ及び１６ｂと平面から見て重なるように主回路構成部品１３Ａの電流路となる幅広の右側に向かって凸形状の主回路配線パターン１６ａ及び１６ｂが形成されている。また、プリント基板１６の裏面には、主回路構成部品１３ＡのダイオードＤｉ１ａのアノードと主回路構成部品１３ＢのダイオードＤｉ２ｂのアノードにポスト電極１７を介して接続されるソースセンス端子用配線パターン１６ｒ及び１６ｓが形成されている。これらソースセンス端子用配線パターン１６ｒ及び１６ｓは表側のゲート用配線パターン１６ｃ及び１６ｄと平面から見て概ね重なるように形成され、導電端子ピン２１ａ及び２１ｂを挿通するための挿通孔１６ｔ及び１６ｕの周囲に形成された、プリント基板１６の左端の端子接続パターン１６ｖ及び１６ｗに接続されている。
ここで、プリント基板１６の表裏の主回路配線パターン１６ｂの主回路配線パターン１６ａ側の端部がパターン用棒状導電接続部材としての複数例えば６本のポスト電極１７ｂによって絶縁基板１１Ａのチップ搭載パターン１４ｃの幅狭部１４ｂに電気的に接続され、ポスト電極１７ｂによって主回路構成部品１３Ａ及び１３Ｂ間の電流路を形成している。図に示すように、主回路配線パターン１６ａの左側の切り欠き部に主回路配線パターン１６ｂ右側のポスト電極１７ｂが設けられた端部を配置することにより、主回路配線パターン１６ａとチップ搭載パターン１４ｃが重なる面積を確保しながら半導体装置を小型にすることができ、望ましい。
また、プリント基板１６の表裏の主回路配線パターン１６ａ同士が互いに同電位に設定され、同様に表裏の主回路配線パターン１６ｂ同士も互いに同電位に設定されている。
そして、上述した主回路構成部品１３Ａ及び１３Ｂに導電端子ピン１８〜２０、２１ａ，２１ｂ及び２２ａ，２２ｂを圧入して垂直に保持した状態で、主回路構成部品１３Ａ及び１３Ｂとプリント基板１６とが、図８に示すように、接合されている。この場合、プリント基板１６に穿設した挿通孔１６ｏ及び１６ｐ、１６ｑ、１６ｔ、１６ｕ、１６ｆ、１６ｋに導電端子ピン１９、１８、２０、２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂをそれぞれ挿通する。
また、プリント基板１６に形成されたチップ用棒状導電接続部材となるポスト電極１７を第１の半導体チップ１２Ａ及び第２の半導体チップ１２Ｂにハンダを介して当接させるとともに、パターン用導電接続部材となるポスト電極１７ｂを絶縁基板１１Ａの導体パターン１４ａにハンダを介して当接させる。この状態でリフロー処理することにより、プリント基板１６のポスト電極１７とポスト電極１７ｂとが第１の半導体チップ１２Ａ及び第２の半導体チップ１２Ｂと導電パターン１４とに電気的且つ機械的に接合される。
これと同時に、プリント基板１６の主回路配線パターン１６ａが絶縁基板１１Ａの端子接続パターン１４ｄ及び１４ｅにパターン用棒状導電接続部材としてのポスト電極１７ａを介して電気的に接合される。また、プリント基板１６の端子接続パターン１６ｇ及び１６ｌが絶縁基板１１Ａの端子接続パターン１４ｌ及び１４ｎに同様にポスト電極１７ａを介して電気的に接続される。さらに、プリント基板１６の端子接続パターン１６ｖ及び１６ｗが絶縁基板１１Ａの端子接続パターン１４ｋ及び１４ｍに同様にポスト電極１７ａを介して電気的に接合される。
このように主回路構成部品１３Ａ及び１３Ｂとプリント基板１６とを接合した後に、図９に示すように、導電端子ピン１８〜２０、２１ａ，２１ｂ、２２ａ，２２ｂの内側を支持する固定金型３０に固定し、この固定金型３０の前後端部にスライド金型３１及び３２を接触させた状態で、例えば固定金型３０の右端側から例えば熱硬化性樹脂のエポキシ樹脂材料を注入することによって図９に矢印で示す樹脂流れ方向に樹脂が流れてモールド成型される。このとき、樹脂流れ方向に沿って各導電端子ピン１８〜２０、２１ａ，２１ｂ、２２ａ，２２ｂが配置されているので、樹脂流れを阻害することがなく、円滑にボイドの発生を防いで接着性を向上させることができる。
このようにモールド成型することにより、パワー半導体モジュール２の外形は、全体として図１に示すように平面視で矩形形状をなす直方体状のモールド成型体（封止樹脂材）２４として形成されている。
そして、モールド成型体２４には、その長手方向の両端部側に、図１に示すように、絶縁用壁部２５Ａ、２５Ｂが形成されている。これら絶縁用壁部２５Ａ、２５Ｂは、モールド成型体２４の長手方向端面より内方側に形成されて表面から突出する比較的大径の半円筒突出部２５ａとこの半円筒突出部２５ａの両端面から接線方向にモールド成型体２４の端面に延長する側壁部２５ｂとからなるＵ字状突出部２５ｃと、このＵ字状突出部２５ｃの内周面に連接してモールド成型体２４の約半分の厚みまで掘り込まれて端面側を開放した凹部２６とで形成されている。
これら絶縁用壁部２５Ａ、２５Ｂを構成する凹部２６の底部に、例えば半円筒突出部２５ａの中心軸を中心とする取付孔２７がモールド成型体２４の底面に貫通して形成されている。ここで、絶縁用壁部２５Ａ、２５Ｂの半円筒突出部２５ａの内径は、取付孔２７に挿通される取付ボルト、取付ねじ等の固定具の頭部より大きな径に設定され、且つ隣接する導電端子ピン１８、２２ａ，２２ｂと固定具の頭部との間に必要とする沿面距離を十分確保可能な壁面高さに設定されている。
そして、上記構成を有するパワー半導体モジュール２を所要数並列に配置した状態で、導電端子ピン１８〜２０を個別に主端子バーに接続すると共に、導電端子ピン２１ａ，２１ｂ、２２ａ，２２ｂをワイヤ配線やプリント配線を介して駆動回路に接続することにより、たとえばインバータ回路のＵ相を形成することができ、これらを３組合わせることによりＵ相、Ｖ相及びＷ相を形成することができる。
このようにして、例えばインバータ装置を構成すると、パワー半導体モジュール２に内装された主回路構成部品１３Ａ及び１３ＢのトランジスタＱ１ａ〜Ｑ１ｄ及びＱ２ａ〜Ｑ２ｄは一方がオン状態であるときに他方がオフ状態となるように交互にオン・オフ制御される。
このため、パワー半導体モジュール２では、トランジスタＱ１ａ〜Ｑ１ｄがオン状態で、トランジスタＱ２ａ〜Ｑ２ｄがオフ状態であるものとすると、図３において実線矢印で示すように、ドレイン端子Ｄ１となる導電端子ピン１８から入力される大電流Ｉａが主回路構成部品１３Ｂの導電パターン１４を介してトランジスタＱ１ａ〜Ｑ１ｄのドレイン電極１２Ａｄに供給される。
トランジスタＱ１ａ〜Ｑ１ｄのソース電極１２Ａｓから出力される電流はポスト電極１７を介してプリント基板１６の主回路配線パターン１６ｂを通り、ポスト電極１７ｂを介して主回路構成部品１３Ａの導電パターン１４に供給される。
この主回路構成部品１３Ａの導電パターン１４に供給された電流は、導電端子ピン１９を通じて例えばＵ相出力として誘導性負荷(inductive load)に出力される。
このとき、主回路構成部品１３ＡのトランジスタＱ２ａ〜Ｑ２ｄはオフ状態を維持しているので、ソース端子Ｓ２には出力電流は得られず導電端子ピン２０は電流遮断状態を維持する。
以上の電流経路をトランジスタＱ１ａ〜Ｑ１ｄを、トランジスタＱ１ａを代表として等価回路上で表すと、図７で実線図示のように、ドレイン端子Ｄ１（導電端子ピン１８）から入力される電流が、トランジスタＱ１ａのドレインからソースを通って出力端子となるＳ１Ｄ２端子（導電端子ピン１９）に出力される。
この状態から主回路構成部品１３ＢのトランジスタＱ１ａ〜Ｑ１ｄがオフ状態に移行すると、図３及び図７の実線図示の電流Ｉａが減少するが、誘導性負荷の影響で出力端子となるＳ１Ｄ２端子（導電端子ピン１９）の出力電流が継続することになる。この不足分が図７で点線図示のように、ソース端子Ｓ２（導電端子ピン２０）から主回路構成部品１３ＡのフリーホイールダイオードＤｉ２ａを及びＤｉ２ｂを介して供給される。
この電流経路を図３で表すと、点線図示のように、導電端子ピン２０（ソース端子Ｓ２）から入力される電流は、絶縁基板１１Ａの導電パターン１４における端子接続パターン１４ｄ及び１４ｅからポスト電極１７ａを介しプリント基板１６の主回路配線パターン１６ａに供給される。
主回路配線パターン１６ａに供給された電流は、ポスト電極１７を介してフリーホイールダイオードＤｉ２ａ（半導体チップ１２Ｂ）のアノード１２Ｂａからカソード１２Ｂｋを通って絶縁基板１１Ａの導電パターン１４における導体パターン１４ａに供給される。
この導体パターン１４ａに供給された電流は、導電端子ピン１９（出力端子Ｓ１Ｄ２）を通じて誘導性負荷に供給される。
このとき、トランジスタＱ１ａを通る電流は減少し、フリーホイールダイオードＤｉ２ａを通る電流は増加することになり、これら電流が互いに対向する絶縁基板１１Ａの導体パターン１４の幅広部１４ａ、幅狭部１４ｂ及びプリント基板１６の主回路配線パターン１６ａを通り、最終的に導電端子ピン１９で一緒になって誘導性負荷に出力される。
このため、主回路構成部品１３Ａの導体パターン１４ａでは実線図示の電流が減少して電流変化率ｄｉ／ｄｔが例えば負となり、プリント基板１６の主回路配線パターン１６ａを通る点線図示の電流が増加して電流変化率ｄｉ／ｄｔが例えば正となる。このため、導電パターン１４の自己インダクタンスＬ１とプリント基板１６の主回路配線パターン１６ａの自己インダクタンスＬ２が直列に接続されることになり、両者の相互インダクタンスをＭとすると、端子間電圧ｖは次式で表すことができる。
ｖ＝｛L1(di/dt)+M(di/dt)}+{L2(di/dt)+M(di/dt)}
したがって、主回路構成部品１３Ａの導体パターン１４ａの電流変化率ｄｉ／ｄｔが負であり、プリント基板１６の主回路配線パターン１６ａの電流変化率ｄｉ／ｄｔが正であるので、相互インダクタンスＭを相殺することができる。
その後、所定のデッドタイムが経過した後に、トランジスタＱ２ａ〜Ｑ２ｄがオン状態となり、トランジスタＱ１ａ〜Ｑ１ｄはオフ状態を継続する。
このように、本実施形態によると、前述したように、一方の第１の半導体チップ１２Ａ及び第２の半導体チップ１２Ｂが実装された主回路構成部品１３Ａ及び他方の第１の半導体チップ１２Ａ及び第２の半導体チップ１２Ｂが実装された主回路構成部品１３Ｂ間の電流路が、絶縁基板１１Ｂの導体パターン１４に実装された第１の半導体チップ１２Ａ及び第２の半導体チップ１２Ｂからポスト電極１７を通じてプリント基板１６に形成された主回路配線パターン１６ｂを介して主回路配線パターン１６ａ側の端部で複数のポスト電極１７ｂを介して絶縁基板１１Ａの導電パターン１４（チップ搭載パターン１４ｃ）に至るように形成されている。このため、ポスト電極１７ｂによって絶縁基板１１Ａの導電パターン１４とプリント基板１６との電気的接続を行うことができ、配線距離を短くするとともに、電流路の断面積を大きくすることができ、配線インダクタンスを低減することができる。
しかも、主回路構成部品１３Ａの導電パターン１４とプリント基板１６の主回路配線パターン１６ａとを流れる電流の電流変化率（ｄｉ／ｄｔ）の符号が一方を正、他方を負とするように逆符号とすることにより、主回路構成部品１３Ａの導電パターン１４とプリント基板１６の主回路配線パターン１６ａの相互インダクタンスＭを減少させることができ、高速なスイッチング動作を確保することができる。
さらに、主回路構成部品１３Ａ及び１３Ｂの絶縁基板１１Ａ及び１１Ｂに形成する導電パターン１４の厚みを０．５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下の銅パターンとして外部接続端子となる導電端子ピン１８〜２０、２１ａ，２１ｂ、２２ａ，２２ｂを圧入によって保持するようにしている。導電パターン１４の厚みを０．５ｍｍ以上とすることにより、導電端子ピン１８〜２０、２１ａ，２１ｂ、２２ａ，２２ｂがそれぞれ嵌合穴１４ｏ、１４ｆ、１４ｇ、１４ｐ、１４ｑに確実に保持され、導電端子ピン１８等の装着を容易に行うことができる。このとき、導電パターン１４の導電端子ピン１８〜２０、２１ａ，２１ｂ、２２ａ，２２ｂを圧入する嵌合孔の内周面にリフロー処理によって溶解するメッキ層を形成しておくことにより、導電端子ピン１８等の保持をさらに確実に行うことができ、この分信頼性も向上する。
なお、導電端子ピン１８〜２０、２１ａ，２１ｂ、２２ａ，２２ｂの直径は好ましくは０．５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下の範囲であり、例えば約１．０ｍｍである。０．５ｍｍ未満だとインダクタンスが増え、１．５ｍｍより大きいとピンと他の部材とのはんだ付けが難しくなる。また、嵌合穴１４ｏ、１４ｆ、１４ｇ、１４ｐ、１４ｑの深さは、導電パターン１４の厚みが上限であり、好ましくは導電端子ピン１８等の直径の０．５〜１．５倍の範囲である。この範囲であれば、導電パターン１４に形成した嵌合穴１４ｏ等への導電端子ピン１８等の装着作業が容易である。
また、導電パターン１４の厚みを１．５ｍｍ以下に制限している。この理由は、導電パターン１４の厚みが１．５ｍｍを超えて厚くなると、サイドエッチにより導電パターン１４を形成するためのエッチングを良好に行うことができなくなり、正確なパターン形状の形成が困難となる。
また、絶縁基板１１Ａ及び１１Ｂの裏面側に形成した放熱用伝熱パターン１５の厚みは、導電パターン１４の厚みと等しくするのが、熱膨張による絶縁基板１１Ａ及び１１Ｂの曲がりを防止する上で好ましく、この放熱用伝熱パターン１５の厚みを０．５ｍｍより薄くすると、冷却性能の点で好ましくなく、また前述したように、樹脂封止材で全体を封止したときに、基板１３の下側に回り込む樹脂封止材の厚みが薄くなり、樹脂封止材に割れが生じ易くなって好ましくない。
しかも、主回路構成部品１３Ａ及び１３Ｂの絶縁基板１１Ａ（又は１１Ｂ）に形成した導電パターン１４を第１の半導体チップ１２Ａ及び第２の半導体チップ１２Ｂを搭載するチップ搭載パターン１４ｃ（又は１４ｊ）を幅広部１４ａ（又は１４ｈ）と幅狭部１４ｂ（又は１４ｉ）とで凸状に形成し、幅狭部１４ｂ（又は１４ｉ）を挟む両外側に独立して端子接続パターン１４ｄ及び１４ｅ（又は１４ｋ，１４ｌ、１４ｍ，１４ｎ）を形成している。このため、基板１３を小型化することができ、この分パワー半導体モジュール２自体も小型化することができる。
さらに、上記実施形態のように主回路構成部品１３Ａ及び１３Ｂで絶縁基板１１Ａ及び１１Ｂを個別に設け、各絶縁基板１１Ａ及び１１Ｂに導電パターン１４及び放熱用伝熱パターン１５を形成するので、第１の半導体チップ１２Ａで生じる発熱による温度上昇と線膨張係数差による内部応力抑制することができ、パワー半導体モジュール２の信頼性をより向上させることができる。
さらにまた、主回路構成部品１３Ａ及び１３Ｂの基板１３の両面に形成する導電パターン１４と放熱用伝熱パターン１５とのパターン数を導電パターン１４より少なくして、放熱用伝熱パターン１５を基板１３の略全面に配置することができる。このため、放熱面積を増加させて放熱効果をより向上させることができる。この場合、凸状の導電パターン１４の幅狭部１４ｂ及び１４ｉは、電流の経路としてだけではなく、伝熱にも寄与する。これは、一般的にセラミックス等の絶縁物より銅パターンの方が、圧倒的に熱伝導が良いためで、熱は半導体チップ直下に伝わるだけでなく、幅狭部１４ｂ及び１４ｉまで広がって冷却面側の放熱用伝熱パターン１５に伝わり、さらに冷却面全体に広がるためである。
また、主回路構成部品１３Ａ及び１３Ｂで第１の半導体チップ１２Ａのゲート電極を第２の半導体チップ１２Ｂ側とは反対側に形成しているので、ゲート用配線パターン１６ｃ及び１６ｄの経路を主回路配線パターン１６ａ及び１６ｂを横切ることなく配置することが可能となり、配線レイアウトを容易に行うができる。
さらに、外部接続端子となる導電端子ピン１８〜２０、２１ａ，２１ｂ、２２ａ，２２ｂがパワー半導体モジュール２の長手方向の側縁に沿って略直線状に２列に配列したので、図９で前述したように、モールド成型のための金型を１つの固定金型３０と２つのスライド金型３１及び３２とで構成することができる。したがって、金型の製造が容易となると共に、樹脂封止材の流れを妨げることがなく、歩留りのよい良好なモールド成型を行うことができる。
ちなみに、特許文献５に記載されているように、パワー半導体モジュールの長手方向の端面側にゲート端子、エミッタ補助端子を設ける場合には、モールド成型のための金型が図１０に示すように、１つの固定金型３０に対して３方からスライドする３つのスライド金型３１、３２及び３３を設ける必要がある。このため、金型の製作コストが上昇すると共に、樹脂封止材の流れをスライド金型３３が妨げることになり、樹脂流れ方向を阻害するようにゲート端子およびエミッタ補助端子が配置されるので、樹脂封止材が行き渡らない部分が生じたり、ボイドが発生したりするなど、歩留りが悪化する要因となる。
なお、上記実施形態においては、主回路構成部品１３Ａ及び１３Ｂ毎に絶縁基板１１Ａ及び１１Ｂを設けた場合について説明したが、これに限定されるものではなく、絶縁基板を構成する部材と封止材の線膨張係数差が問題にならない場合などでは、図１１（ａ）〜（ｃ）に示すように、一枚の基板１３に主回路構成部品１３Ａ及び１３Ｂ用の導電パターン１４を形成すると共に、共通の放熱用伝熱パターン１５を形成するようにしてもよい。
また、上記実施形態においては絶縁基板１１Ａ，１１Ｂ及び１１は、上記構成に限定されるものではなく、セラミックスと銅をロウ付けし、エッチングによって銅をパターニングした所謂ＡＭＢ（Ａｃｔｉｖｅ Ｍｅｔａｌ Ｂｒａｚｉｎｇ）基板、セラミックス基板と銅とを直接接合したＤＣＢ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｏｐｐｅｒ Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板を適用することができる。また、セラミックス基板材料としては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）等を適用することができる。さらに、セラミックス基板に代えて樹脂基板を適用することもできる。要は絶縁性を確保できる基板であればよい。
また、上記実施形態においては、プリント基板１６と絶縁基板１１Ａ，１１Ｂの導電パターン１４及び半導体チップ１２Ａ，１２Ｂとの間を円柱状のポスト電極１７，１７ａ，１７ｂで接続する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、四角柱、三角柱、多角柱、楕円柱等の任意の形状のポスト電極を適用することができ、要はインダクタンスの減少に寄与する棒状導電接続部材であれば良い。
また、上記実施形態においては、全ての端子を絶縁基板上に取り付けたが、これに限定されるものではなく、ゲートやソース補助端子など大電流が流れない端子は、冷却の必要が無いので、プリント板に直接取り付けても良い。この場合、絶縁基板１１を図１２（ａ）〜（ｃ）に示すように、２つの凸状のチップ搭載パターン４１及び４２を幅狭部４１ａ及び４２ｂが互いに対向するように配置し、両者の幅狭部４１ａ及び４２ｂを挟んで両外側に端子接続パターン４３ａ及び４３ｂを独立して形成するようにすればよい。この場合、上記実施形態に比べて、絶縁基板とプリント基板の２箇所に端子を立てることによる組み立て性の低下や、樹脂成型時にプリント基板に立つ端子が不安定になるなどの課題が出てくるものの、チップ搭載パターンの面積が増加し、冷却性能が向上するという効果がある。
また、上記実施形態では、チップ搭載パターンとして幅狭部と幅広部とを一つずつ形成する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、図１３に示すように、中央部の幅広部５１ａを挟む両側に幅狭部５１ｂ及び５１ｃを形成するようにしてもよい。さらには、図１４に示すように、中央部の幅狭部５２ａを挟む両側に幅広部５２ｂ及び５２ｃを形成するようにしてもよい。
また、上記実施形態では、第１の半導体チップ１２ＡにパワーＭＯＳＦＥＴを内蔵する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、第１の半導体チップ１２ＡにＩＧＢＴを内蔵するようにしてもよく、他の電圧制御型半導体素子を内蔵するようにしてもよい。また、第１の半導体チップ１２Ａと第２の半導体チップ１２Ｂの組合せに代えて、ＦＷＤを内蔵した逆導通ＩＧＢＴ（ＲＣ−ＩＧＢＴ）を第１の半導体チップ１２Ａとして用いてもよい。
また、上記実施形態においては、絶縁基板１１Ａ及び１１Ｂに第１の半導体チップ１２Ａ及び第２の半導体チップ１２Ｂを複数配置する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、トランジスタ内蔵ダイオードを使用できる場合や、同期整流方式を採用する場合などは、第２の半導体チップ１２Ｂを省略して第１の半導体チップ１２Ａのみで構成することもできる。
また、外部接続端子としては、導電端子ピン１８〜２０、２１ａ，２１ｂ、２２ａ，２２ｂに代えてリードフレームや他の端子を適用することができる。また、端子の突出方向としてはパワー半導体モジュール２の上面に限定されるものではなく、側面から突出させて上方に折り曲げるようにしてもよい。
また、本発明は、半導体モジュールの端子接続の組み合わせだけで所望する回路構成が得られることから、本発明は上述した電力変換用インバータ装置に限定されるものではなく、パワー半導体モジュールを使用する他の電力変換装置や高周波用途のスイッチングＩＣ等の他の半導体装置に本発明を適用することができる。
１…半導体装置、２…パワー半導体モジュール、１１Ａ，１１Ｂ…絶縁基板、１２Ａ…第１の半導体チップ、１２Ｂ…第２の半導体チップ、１３Ａ，１３Ｂ…主回路構成部品、１４…導電パターン、１４ａ，１４ｈ…幅広部、１４ｂ，１４ｉ…幅狭部、１４ｃ，１４ｊ…チップ搭載パターン、１４ｃ，１４ｅ，１４ｋ，１４ｌ，１４ｍ，１４ｎ…端子接続パターン、１５…放熱用伝熱パターン、１６…プリント基板、１８〜２０、２１ａ，２１ｂ、２２ａ，２２ｂ…導電端子ピン、２４…モールド成型体、３０…固定金型、３１，３２…スライド金型

Claims (16)

  1. 第１半導体チップが実装された第１導電パターン部材及び第２半導体チップが実装された第２導電パターン部材と、
    第１配線パターン及び第２配線パターンが形成されたプリント基板とを備え、
    前記第１導電パターン部材は幅狭部と幅広部とで形成され、
    前記第１半導体チップは第１棒状接続部材を介して前記第１配線パターンに接続され、前記第２半導体チップは第２棒状接続部材を介して前記第２配線パターンに接続され、前記第１導電パターン部材の前記幅狭部は第３棒状接続部材を介して前記第２配線パターンに接続され、
    前記第１導電パターン部材と前記第２半導体チップが前記第３棒状接続部材、前記第２棒状接続部材及び前記第２配線パターンを介して電気的に接続されている、
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. 前記第１導電パターン部材と前記第１配線パターンが対向して配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記第１導電パターン部材に流れる電流の変化率と前記第１導電パターン部材に対向する前記プリント基板に流れる電流の変化率との符号が正負逆符号となるように前記プリント基板の前記第１配線パターンを配置したことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  4. 前記幅狭部の外側に形成され、外部接続端子を接続する端子接続パターン部材をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  5. 前記第１導電パターン部材および第２導電パターン部材は、厚みが０．５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下の銅パターンで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  6. 前記端子接続パターン部材は、厚みが前記外部接続端子を保持可能な０．５ｍｍ以上の銅パターンで構成されていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
  7. 前記第１導電パターン部材及び第２導電パターン部材は絶縁基板上に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  8. 前記第１導電パターン部材及び第２導電パターン部材は個別の絶縁基板上に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  9. 前記絶縁基板は、前記第１導電パターン部材及び第２導電パターン部材が形成された面とは反対側に放熱用伝熱パターン部材が形成され、当該放熱用伝熱パターン部材の数が前記第１導電パターン部材及び第２導電パターン部材の数と同じか、または少ないことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
  10. 前記プリント基板は、表裏両面に前記第１配線パターン及び前記第２配線パターンが形成され、前記第１配線パターン同士が同電位とされ、前記第２配線パターン同士が同電位とされていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  11. 前記第１半導体チップ及び第２半導体チップが主電極を有する電圧制御形半導体素子で構成され、
    前記第１半導体チップの主電極は前記第１配線パターンに接続され、前記第２半導体チップの主電極は前記第２配線パターンに接続されている
    ことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
  12. 前記第１導電パターン部材と前記プリント基板とを内部に封入する封止部材を備え、前記端子接続パターン部材が前記幅狭部の外側に所定間隔を保って配置された第１パターン及び第２パターンを有し、前記外部接続端子が前記第１パターンに接続された第１端子及び第２パターンに接続された第２端子を有し、第１端子及び第２端子は前記半導体装置の幅方向の中心線に対して対称の位置に形成されるとともに前記封止部材から同一方向に突出していることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
  13. 前記第１半導体チップ及び第２半導体チップがそれぞれゲート電極と電流検出用の補助電極とを有する電圧制御形半導体素子で構成され、
    前記ゲート電極に接続された第３配線パターンが、前記プリント基板の一方の面に形成され、
    前記補助電極に接続された第４配線パターンが、前記プリント基板の他方の面であって前記第３配線パターンと対向する位置に形成されている
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  14. 前記第１半導体チップ及び第２半導体チップがそれぞれゲート電極を有する電圧制御形半導体素子で構成され、
    前記第１半導体チップのゲート電極と前記第２半導体チップのゲート電極が前記絶縁基板を複数配置した際の長手方向に沿う前記絶縁基板の外周側に位置するように配置されている
    ことを特徴とする請求項７または８に記載の半導体装置。
  15. 一ないし複数のパワー半導体チップがそれぞれ実装された複数の導電パターン部材と、
    該導電パターン部材との対向面に前記パワー半導体チップに接続するチップ用棒状導電接続部材及び前記導電パターン部材に接続するパターン用棒状導電接続部材を配置したプリント基板とを備え、
    前記導電パターン部材に流れる電流の向きと前記導電パターン部材に対向する前記プリント基板に流れる電流の向きとが同一である部分において、前記導電パターン部材に流れる電流の絶対値の変化率と前記プリント基板に流れる電流の絶対値の変化率との符号が正負逆符号となるように前記プリント基板の配線パターンを配置した
    ことを特徴とする半導体装置。
  16. 一ないし複数のパワー半導体チップがそれぞれ実装された複数の導電パターン部材と、
    前記パワー半導体チップに接続するチップ用棒状導電接続部材を配置したプリント基板とを備え、
    前記導電パターン部材は幅狭部と幅広部とで形成され、
    少なくとも１つの前記導電パターン部材の幅狭部と、前記プリント基板に前記チップ用棒状導電接続部材を介して接続されている前記パワー半導体チップとの間の電流路が形成され、
    前記パワー半導体チップがゲート電極と電流検出用の補助電極とを有する電圧制御形半導体素子で構成され、
    前記プリント基板に形成された配線パターンのうち、前記ゲート電極に接続される配線パターンが前記プリント基板の一方の面に形成され、前記電流検出用の補助電極に接続される配線パターンは、前記プリント基板の他方の面であって前記ゲート電極に接続される配線パターンと対向する位置に形成されている
    ことを特徴とする半導体装置。
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