JP7392308B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 195
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 34
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 34
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 13
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
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- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
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- H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49833—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers the chip support structure consisting of a plurality of insulating substrates
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5384—Conductive vias through the substrate with or without pins, e.g. buried coaxial conductors
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
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- H01L23/5385—Assembly of a plurality of insulating substrates
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
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- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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Description
実施形態に係る半導体装置(半導体モジュール)は、図1~図3に示すように、略直方体形状の封止樹脂1と、封止樹脂1の長手方向において対向する側面に配置された取り付け用フランジ2a,2bとを有する。封止樹脂1としては、例えば耐熱性が高く硬質な熱硬化性樹脂等の樹脂材料が使用可能であり、具体的にはエポキシ樹脂、マレイミド樹脂、シアネート樹脂等が使用可能である。取り付け用フランジ2a,2bは、実施形態に係る半導体装置を冷却フィン(不図示)等に取り付ける際に使用される。封止樹脂1の下面の中央部には、絶縁回路基板3の下面側の導電層31が露出する。
次に、実施形態に係る半導体装置の組立方法の一例を説明する。まず、図11の下側に示すように、1枚の絶縁回路基板3を用意する。そして、絶縁回路基板3の上面に、はんだ等の接合材7を介して半導体チップ8を搭載する。図11の半導体チップ8は、図6の半導体チップ21a~21l,22a~22fに対応する。次に、絶縁回路基板3の上面及び半導体チップ21a~21l,22a~22fの上面に、はんだ等の接合材9を搭載する。
次に、図12~図14を参照して、比較例に係る半導体装置を説明する。図12に示すように、比較例に係る半導体装置は、封止樹脂101と、封止樹脂101の上面から突出した主端子111~116及び補助端子121~124とを備える。図13に示すように、比較例に係る半導体装置の下面側には、絶縁回路基板130a,130bが露出する。
実施形態の第1変形例に係る半導体装置は、図15に示すように、出力端子13a~13fのX軸方向における位置が、制御端子11a~11f及びセンス端子12a~12fのX軸方向における位置と異なる点が、実施形態に係る半導体装置と異なる。
実施形態の第2変形例に係る半導体装置は、図16に破線で模式的に示すように、絶縁回路基板3の導電層31(図4参照)に、絶縁回路基板3の絶縁基板30を露出する溝部(スリット)91~94を設けている点が、実施形態に係る半導体装置と異なる。
実施形態の第3変形例に係る半導体装置は、図17に示すように、SBDを構成する半導体チップ22a~22fの代わりに、IGBTを構成する半導体チップ21m~21rを用いた点が、実施形態に係る半導体装置と異なる。半導体チップ21a~21rは、SBDを内蔵する。
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
2a,2b…取り付け用フランジ
3…絶縁回路基板
4…プリント基板
6…ピン
7,9…接合材
8…半導体チップ
10…端子
11a~11f…制御端子
12a~12f…センス端子
13a~13f…出力端子
14a,14b…P端子
15a,15b…N端子
21a~21r,22a~22f…半導体チップ
30…絶縁基板
31…導電層
32…配線層
32a~32f…制御端子支持パターン層
33a~33f…センス端子支持パターン層
34a~34c…出力端子接続パターン層
35a…P端子接続パターン層
35b…N端子支持パターン層
40…絶縁層
41…下側配線層
41a~41f…下側補助パターン層
42…上側配線層
42a~42f…センス端子接続パターン層
43a~43c…下側中継パターン層
44…下側共通パターン層
45…P端子接続パターン層
46a~46f…センス配線
51a~51f…制御端子接続パターン層
52a~52f…上側補助パターン層
53a~53c…上側中継パターン層
54…上側共通パターン層
55…上側P端子接続パターン層
56a~56f…制御配線
61a~61l…制御ピン
62a~62x,63a~63l,64a~64r,65a~65f…主電流ピン
91~94…溝部
101…封止樹脂
111~116…主端子
121~124…補助端子
130a,130b…絶縁回路基板
131a,131b…絶縁基板
132a,132b…導電層
133a,133b…配線層
140…半導体チップ
150…プリント基板
160…ピン
D1~D6…還流ダイオード
T1~T6…MOSトランジスタ
Claims (10)
- それぞれ制御電極を有する複数の半導体チップと、
前記複数の半導体チップを一方の主面に搭載した絶縁回路基板と、
前記絶縁回路基板の前記一方の主面と対向して配置されたプリント基板と、
前記制御電極のいずれか1つに電気的に接続された複数の制御配線と、
を備え、
前記複数の半導体チップ、前記絶縁回路基板、前記プリント基板を用いて3相分の上下アームを構成し、
前記プリント基板が、
絶縁層と、
前記絶縁層の一方の主面に配列された複数の上側中継パターン層と、
前記絶縁層の前記一方の主面に、前記上側中継パターン層の配列に並行して配置された上側共通パターン層と、
前記絶縁層の一方の主面とは反対側の他方の主面に、前記上側中継パターン層に対向して配列され、且つ前記上側中継パターン層とそれぞれ個別に同電位となる複数の下側中継パターン層と、
前記絶縁層の前記他方の主面に、前記上側共通パターン層に対向して前記下側中継パターン層の配列に並行して配置され、且つ前記上側共通パターン層と同電位となる下側共通パターン層とを有し、
前記制御配線の一部が、前記上側中継パターン層と前記上側共通パターン層との間の領域、又は前記下側中継パターン層と前記下側共通パターン層との間の領域にそれぞれ設けられている
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体チップのいずれか1つに電気的に接続されたセンス配線を複数有し、
前記センス配線の一部が、前記絶縁層を介して前記制御配線に対向する領域に設けられている
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記プリント基板が、前記絶縁層の前記一方の主面に、前記上側中継パターン層の配列に並行して配列された複数の制御端子接続パターン層を更に含み、
前記制御配線が、前記制御端子接続パターン層と、前記半導体チップの制御電極に接続されたピンとを接続する
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記プリント基板が、前記絶縁層の一方の主面に、前記制御端子接続パターン層の配列と前記上側中継パターン層の配列との間において配列された複数の上側補助パターン層を更に含み、
前記制御配線が、前記上側補助パターン層の間の領域を通過する
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 前記プリント基板が、前記絶縁層の他方の主面に、前記下側中継パターン層の配列に並行して、前記上側補助パターン層の配列に対向して配列され、前記上側補助パターン層と同電位となる複数のセンス端子接続パターン層を更に含み、
前記センス配線が、前記センス端子接続パターン層と、前記下側共通パターン層とを接続する
ことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。 - 前記プリント基板が、前記絶縁層の前記他方の主面に、前記センス端子接続パターン層の配列と並行して、前記制御端子接続パターン層の配列に対向する領域に配列され、前記制御端子接続パターン層と同電位となる複数の下側補助パターン層を更に含むことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記プリント基板を貫通し、前記制御端子接続パターン層及び前記下側補助パターン層に接続された制御端子と、
前記プリント基板を貫通し、前記センス端子接続パターン層及び前記上側補助パターン層に接続されたセンス端子と、
を更に備えることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。 - 前記絶縁回路基板は、一方の主面に、第1パターン層、第2パターン層、第3パターン層及び基板側共通パターン層を有し、
前記第1パターン層の前記絶縁回路基板側とは反対側の一方の主面には、第1相の下アーム側の前記半導体チップを有し、
前記第2パターン層の前記絶縁回路基板側とは反対側の一方の主面には、第2相の下アーム側の前記半導体チップを有し、
前記第3パターン層の前記絶縁回路基板側とは反対側の一方の主面には、第3相の下アーム側の前記半導体チップを有し、
前記基板側共通パターン層の前記絶縁回路基板側とは反対側の一方の主面には、前記第1~第3相の上アーム側の前記半導体チップを有し、
前記第1相の下アーム側の前記半導体チップ、前記第2相の下アーム側の前記半導体チップ及び前記第3相の下アーム側の前記半導体チップが、前記上側共通パターン層及び前記下側共通パターン層と電気的に接続され、
前記第1相~第3相の上アーム側の前記半導体チップが、前記複数の上側中継パターン層及び前記複数の下側中継パターン層とそれぞれ電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 側面が前記上側中継パターン層および前記下側中継パターン層に接続し、一端が前記第1相~第3相の上アーム側のいずれか1つの前記半導体チップのプリント基板側の主面に設けられた電極上に接続する第1の主電流ピンと、
側面が前記上側共通パターン層および前記下側共通パターン層に接続し、一端が前記第1相~第3相の下アーム側のいずれか1つの前記半導体チップのプリント基板側の主面に設けられた電極上に接続する第2の主電流ピンと、
を更に備えることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。 - 前記絶縁回路基板は、一方の主面に、第1パターン層、第2パターン層、第3パターン層及び基板側共通パターン層を有し、
前記第1パターン層の前記絶縁回路基板側とは反対側の一方の主面には、第1相の下アーム側の前記半導体チップを有し、
前記第2パターン層の前記絶縁回路基板側とは反対側の一方の主面には、第2相の下アーム側の前記半導体チップを有し、
前記第3パターン層の前記絶縁回路基板側とは反対側の一方の主面には、第3相の下アーム側の前記半導体チップを有し、
前記基板側共通パターン層の前記絶縁回路基板側とは反対側の一方の主面には、前記第1~第3相の上アーム側の前記半導体チップを有し、
前記第1相の下アーム側の前記半導体チップ、前記第2相の下アーム側の前記半導体チップ及び前記第3相の下アーム側の前記半導体チップが、前記上側共通パターン層及び前記下側共通パターン層と電気的に接続され、
前記第1相~第3相の上アーム側の前記半導体チップが、前記複数の上側中継パターン層及び前記複数の下側中継パターン層とそれぞれ電気的に接続され、
側面が前記上側中継パターン層および前記下側中継パターン層に接続し、一端が前記第1相~第3相の上アーム側のいずれか1つの前記半導体チップのプリント基板側の主面に設けられた電極上に接続する第1の主電流ピンと、
側面が前記上側共通パターン層および前記下側共通パターン層に接続し、一端が前記第1相~第3相の下アーム側のいずれか1つの前記半導体チップのプリント基板側の主面に設けられた電極上に接続する第2の主電流ピンと、
前記絶縁回路基板の前記一方の主面とは反対側の他方の主面に配置された導電層と、
前記第1パターン層の前記一方の主面に接続された第1出力端子と、
前記第2パターン層の前記一方の主面に接続された第2出力端子と、
前記第3パターン層の前記一方の主面に接続された第3出力端子と、
前記上アーム側の前記半導体チップに導電的に接続された高電位側端子と、
前記下アーム側の前記半導体チップに導電的に接続された低電位側端子と、
を更に備え、
前記第1~第3出力端子の一端、前記制御端子の一端、前記センス端子の一端、前記高電位側端子の一端、前記低電位側端子の一端および前記導電層の下面を除いて封止する封止樹脂を備えることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019133361A JP7392308B2 (ja) | 2019-07-19 | 2019-07-19 | 半導体装置 |
US16/889,138 US11127714B2 (en) | 2019-07-19 | 2020-06-01 | Printed board and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019133361A JP7392308B2 (ja) | 2019-07-19 | 2019-07-19 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021019063A JP2021019063A (ja) | 2021-02-15 |
JP7392308B2 true JP7392308B2 (ja) | 2023-12-06 |
Family
ID=74344057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019133361A Active JP7392308B2 (ja) | 2019-07-19 | 2019-07-19 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11127714B2 (ja) |
JP (1) | JP7392308B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10651201B2 (en) * | 2017-04-05 | 2020-05-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated circuit including interconnection and method of fabricating the same, the interconnection including a pattern shaped and/or a via disposed for mitigating electromigration |
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JP2017228694A (ja) | 2016-06-23 | 2017-12-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3879150B2 (ja) * | 1996-08-12 | 2007-02-07 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP2006179732A (ja) | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Hitachi Ltd | 半導体パワーモジュール |
WO2013118415A1 (ja) | 2012-02-09 | 2013-08-15 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP5954410B2 (ja) | 2012-03-28 | 2016-07-20 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
EP2804212A4 (en) | 2012-03-28 | 2015-12-09 | Fuji Electric Co Ltd | SEMICONDUCTOR DEVICE |
CN104160504B (zh) | 2012-03-28 | 2017-05-17 | 富士电机株式会社 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 |
DE112013003161T5 (de) | 2012-07-19 | 2015-03-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Leistungs-Halbleitermodul |
EP2908338A4 (en) | 2012-10-15 | 2016-07-13 | Fuji Electric Co Ltd | SEMICONDUCTOR COMPONENT |
WO2014136271A1 (ja) | 2013-03-08 | 2014-09-12 | 株式会社東芝 | 車両用電力変換装置 |
WO2014185050A1 (ja) | 2013-05-16 | 2014-11-20 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP6139330B2 (ja) | 2013-08-23 | 2017-05-31 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
US10109617B2 (en) * | 2016-07-21 | 2018-10-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solid state drive package |
-
2019
- 2019-07-19 JP JP2019133361A patent/JP7392308B2/ja active Active
-
2020
- 2020-06-01 US US16/889,138 patent/US11127714B2/en active Active
Patent Citations (2)
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JP2017228694A (ja) | 2016-06-23 | 2017-12-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021019063A (ja) | 2021-02-15 |
US11127714B2 (en) | 2021-09-21 |
US20210020603A1 (en) | 2021-01-21 |
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