JP4437473B2 - レジストパターン形成方法 - Google Patents
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Description
前記現象(ii)と(iii)とは、表裏一体の現象であり、レジスト膜の液による変質程度を確認することによって、把握できる。
また、これらのフッ素系溶剤と相溶性を有する他の有機溶剤、界面活性剤等も適宜混合して用いることが可能である。
(a1)単位は、酸解離性溶解抑制基を有する(メタ)アクリル酸エステルから誘導される構成単位である。この(a1)における酸解離性溶解抑制基は、露光前は樹脂成分全体をアルカリ不溶とするアルカリ溶解抑制性を有するとともに、露光後は発生した酸の作用により解離し、この樹脂成分全体をアルカリ可溶性へ変化させるものであれば特に限定せずに用いることができる。一般的には、(メタ)アクリル酸のカルボキシル基と、環状または鎖状の第3級アルキルエステルを形成する基、第3級アルコキシカルボニル基、または鎖状アルコキシアルキル基などが広く知られている。
前記多環式基としては、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テロラシクロアルカンなどから1個の水素元素を除いた基などを例示できる。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。この様な多環式基は、ArFレジストにおいて、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。これらの中でもアダマンチル基、ノルボルニル基、テトラシクロドデカニル基が工業上好ましい。
上記R1〜R3およびR6〜R7はそれぞれ、炭素数1〜5の低級の直鎖または分岐状アルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などが挙げられる。工業的にはメチル基またはエチル基が好ましい。
また、R4は、tert−ブチル基やtert−アミル基のような第3級アルキル基であり、tert−ブチル基である場合が工業的に好ましい。
このような(a2)単位は、ラクトン単位を有し、樹脂成分の他の構成単位と共重合可能なものであればよい。
例えば、単環式のラクトン単位としては、γ−ブチロラクトンから水素原子1つを除いた基などが挙げられる。また、多環式のラクトン単位としては、ラクトン含有ポリシクロアルカンから水素原子を1つを除いた基などが挙げられる。
前記アルコール性水酸基含有多環式基における水酸基は極性基であるため、これを用いることにより樹脂成分全体の現像液との親水性が高まり、露光部におけるアルカリ溶解性が向上する。従って、樹脂成分が(a3)を有すると、解像性が向上するため好ましい。
そして、(a3)における多環式基としては、前記(a1)の説明において例示したものと同様の脂肪族多環式基から適宜選択して用いることができる。
さらに、この水酸基含有アダマンチル基が、下記一般式(13)で表されるものであると、耐ドライエッチング性を上昇させ、パターン断面形状の垂直性を高める効果を有するため、好ましい。なお、一般式中、lは1〜3の整数である。
具体的には、下記一般式(14)で表される構成単位が好ましい。なお、一般式(14)中、Rは水素原子またはメチル基である。
特にトリシクロデカニル基、アダマンチル基、テトラシクロドデカニル基から選ばれる少なくとも1種以上であると、工業上入手し易いなどの点で好ましい。
(a4)単位としては、上記のような多環式基を有し、かつ樹脂成分の他の構成単位と共重合可能なものであればよい。
また、樹脂成分を構成する構成単位の合計に対して、(a2)単位が20〜60モル%、好ましくは30〜50モル%であると、解像度に優れ、好ましい。
また、(a3)単位を用いる場合、樹脂成分を構成する構成単位の合計に対して、5〜50モル%、好ましくは10〜40モル%であると、レジストパターン形状に優れ、好ましい。
(a4)単位を用いる場合、樹脂成分を構成する構成単位の合計に対して、1〜30モル%、好ましくは5〜20モル%であると、孤立パターンからセミデンスパターンの解像性に優れ、好ましい。
このようなものとして、例えば、下記一般式(21)〜(25)のような、嵩高い、脂肪族の単環または多環式基を含有する炭化水素基からなる酸解離性溶解抑制基が挙げられる。このような酸解離性溶解抑制基を用いることにより、解離後の溶解抑制基がガス化しにくく、脱ガス現象が防止される。
さらには、前記樹脂成分としては、ジカルボン酸モノエステル単位を有する重合体からなる樹脂成分(a9)も好ましい。
このようなジカルボン酸モノエステル化合物としては、フマル酸、イタコン酸、メサコン酸、グルタコン酸、トラウマチン酸等が挙げられる。
上記ネガ型レジストに用いられる樹脂成分は、単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また樹脂成分の重量平均分子量は1000〜50000、好ましくは2000〜30000である。
その配合量は、前述の樹脂成分100質量部に対し、0.5質量部、好ましくは1〜10質量部とされる。0.5質量部未満ではパターン形成が十分に行われないし、30質量部を超えると、均一な溶液が得られにくく、保存安定性が低下する原因となるおそれがある。
これらのアミンは、前記樹脂成分に対して、通常0.01〜2.0質量%の範囲で用いられる。
これらの有機酸は、好ましくは前記アミンと等モル以下の範囲で用いられる。
これら架橋剤は単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
まず、シリコンウェーハ等の基板上に、慣用のレジスト組成物をスピンナーなどで塗布した後、プレベーク(PAB処理)を行う。
なお、基板とレジスト組成物の塗布層との間には、有機系または無機系の反射防止膜を設けた2層積層体とすることもできる。
下記の樹脂成分、酸発生剤、および含窒素有機化合物を有機溶剤に均一に溶解し、ポジ型レジスト組成物1を調整した。
樹脂成分としては、下記化学式(39a)、(39b)、(39c)に示した3種の構成単位からなるメタクリル酸エステル・アクリル酸エステルの共重合体100質量部を用いた。樹脂成分の調製に用いた各構成単位p、q、rの比は、p=50モル%、q=30モル%、r=20モル%とした。調製した樹脂成分の質量平均分子量は10000であった。
また、前記有機溶媒としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと乳酸エチルの混合溶媒1900質量部との混合溶剤(質量比6:4)を用いた。
さらに、前記含窒素有機化合物としては、トリエタノールアミン0.3質量部を用いた。
まず、有機系反射防止膜組成物「AR−19」(商品名、Shipley社製)をスピナーを用いてシリコンウェハー上に塗布し、ホットプレート上で215℃、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚82nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、この反射防止膜上に、前記ポジ型レジスト組成物1をスピナーを用いて塗布し、ホットプレート上で115℃、90秒間プレベークして、乾燥させることにより、反射防止膜上に膜厚150nmのレジスト膜を形成した。
上記実施例1と同様の手順で、基板上に反射防止膜、ArFポジ型レジスト、保護膜を形成した。
この保護膜を形成した基板に対して、プリズムと液体と波長193nmの2光束干渉露光を用いた株式会社ニコン製の実験装置を用いて浸漬露光を行った(このプリズム下面は水を介して保護膜と接触していた)。
前記実施例1と同様にPEB処理し、保護膜をパーフルオロ(2−ブチルテトラヒドロフラン)を用いて除去した。その後、該レジスト膜を、前記実施例1と同様の条件にて現像処理した。
保護膜を設けなかったこと以外は、前記実施例2と同様の操作にて、同様のレジストパターンを形成した。
その結果、感度の変動こそ見られなかったものの、パターンプロファイルにおいて若干のゆらぎ(ラインの部分的狭隘化)が観察された。さらに、得られたパターンに対して、集束イオンビームSEM(FEI社製Altura835)にて断面形状を観察したところ、僅かだがTトップ形状が観察された。
下記の樹脂成分、酸発生剤、および含窒素有機化合物を有機溶媒に均一に溶解し、ポジ型レジスト組成物2を調製した。
前記樹脂成分としては、下記化学式(40)に示される構成単位からなる重合体100質量部を用いた。調製した樹脂成分の質量平均分子量は10000であった。
また、前記有機溶媒としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと乳酸エチルの混合溶媒1900質量部との混合溶剤(質量比6:4)を用いた。
さらに、前記含窒素有機化合物としては、トリエタノールアミン0.3質量部を用いた。
まず、有機系反射防止膜組成物「AR−19」(商品名、Shipley社製)をスピナーを用いてシリコンウェハー上に塗布し、ホットプレート上で215℃、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚82nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、この反射防止膜上に、前記ポジ型レジスト組成物1をスピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で115℃、90秒間プレベークして、乾燥させることにより、反射防止膜上に膜厚150nmのレジスト膜を形成した。
次に、マスクパターンを介して、露光装置NSR−S302B(ニコン社製、NA(開口数)=0.60、σ=0.75)により、ArFエキシマレーザー(波長193nm)を用いて、パターン光を照射(露光)した。そして、液浸露光処理として、該露光後のレジスト膜を設けたシリコンウェハーを回転させながら、レジスト膜上に23℃にて純水を5分間滴下し続けた。この部分の工程は、実際の製造プロセスでは、完全浸漬状態にて露光する工程であるが、先の液浸露光法に対する分析に基づいて、光学系における露光自体は完全に行われることは理論的にも保証されるので、先にレジスト膜を露光しておき、浸漬液のレジスト膜への影響のみを評価できるように、露光後に屈折率液体(浸漬液)である純水をレジスト膜に負荷させるという簡略的な構成としている。
次に、115℃、90秒間の条件でPEB処理し、さらに23℃にてアルカリ現像液で60秒間現像した。アルカリ現像液としては、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いた。
下記の樹脂成分、酸発生剤、および含窒素有機化合物を有機溶媒に均一に溶解し、ポジ型レジスト組成物3を調製した。
樹脂成分としては、ヒドロキシスチレン単位63モル%、スチレン単位24モル%及びtert−ブチルアクリレート単位13モル%の構成単位からなる共重合体100質量部を用いた。調製した樹脂成分の質量平均分子量は12000であった。
酸発生剤としては、ビス(tert−ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート2.8質量部と、ジメチルモノフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート1.0質量部を用いた。
有機溶媒としては、乳酸エチル600質量部を用いた。
含窒素有機化合物としては、トリエタノールアミン0.26質量部を用い、その他の成分として、フェニルホスホン酸0.28質量部を用いた。
まず、有機系反射防止膜組成物「AR−3」(商品名、Shipley社製)をスピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で220℃、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚62nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、上記で得られたポジ型レジスト組成物3をスピンナーを用いて反射防止膜上に塗布し、ホットプレート上で110℃、90秒間プレベークして、乾燥させることにより、反射防止膜上に膜厚280nmのレジスト膜を形成した。
次に、マスクパターンを介して、露光装置NSR−S203(ニコン社製、NA(開口数)=0.60、σ=0.75)により、KrFエキシマレーザー(波長248nm)を用いて、パターン光を照射(露光)した。そして、液浸露光処理として、該露光後のレジスト膜を設けたシリコンウェハーを回転させながら、23℃にて純水をレジスト膜上に5分間滴下し続けた。この部分の工程は、実際の製造プロセスでは、完全浸漬状態にて露光する工程であるが、先の液浸露光法に対する分析に基づいて、光学系の露光自体は完全に行われることは理論的にも保証されるので、先にレジスト膜を露光しておき、浸漬液のレジスト膜への影響のみを評価できるように、露光後に屈折率液体(浸漬液)である純水をレジスト膜に負荷させるという簡略的な構成としている。
次に、110℃、90秒間の条件でPEB処理し、さらに23℃にてアルカリ現像液で60秒間現像した。アルカリ現像液としては2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いた。
下記の樹脂成分、酸発生剤、および含窒素有機化合物を有機溶媒に均一に溶解し、ポジ型レジスト組成物4を調製した。
樹脂成分としては、ヒドロキシスチレン単位64モル%、1−エトキシ−1−エチルオキシスチレン単位36モル%構成単位からなる共重合体70質量部とヒドロキシスチレン単位67モル%、テトラヒドロピラニルオキシスチレン単位33モル%構成単位からなる共重合体30質量部の混合樹脂を用いた。調製した樹脂成分の質量平均分子量はそれぞれ8000であった。
酸発生剤としては、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン4質量部、tert−ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート1質量部を用いた。
有機溶媒としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと乳酸エチルの混合溶媒600質量部との混合溶剤(質量比6:4)を用いた。
含窒素有機化合物としては、トリイソプロパノールアミン0.52質量部を用い、その他の成分として、ドデカン酸0.54質量部を用いた。
まず、有機系反射防止膜組成物「DUV−44」(商品名、ブリューワサイエンス社製)をスピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で225℃、90秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚65nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、上記で得られたポジ型レジスト組成物4をスピンナーを用いて反射防止膜上に塗布し、ホットプレート上で90℃、90秒間プレベークして、乾燥させることにより、反射防止膜上に膜厚280nmのレジスト膜を形成した。
次に、マスクパターンを介して、露光装置NSR−S203(ニコン社製、NA(開口数)=0.60、σ=0.75)により、KrFエキシマレーザー(波長248nm)を用いて、パターン光を照射(露光)した。そして、液浸露光処理として、該露光後のレジスト膜を設けたシリコンウェハーを回転させながら、23℃にて純水をレジスト膜上に5分間滴下し続けた。この部分の工程は、実際の製造プロセスでは、完全浸漬状態にて露光する工程であるが、先の液浸露光法に対する分析に基づいて、光学系の露光自体は完全に行われることは理論的にも保証されるので、先にレジスト膜を露光しておき、浸漬液のレジスト膜への影響のみを評価できるように、露光後に屈折率液体(浸漬液)である純水をレジスト膜に負荷させるという簡略的な構成としている。
次に、110℃、90秒間の条件でPEB処理し、さらに23℃にてアルカリ現像液で60秒間現像した。アルカリ現像液としては2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いた。
下記樹脂成分、酸発生剤、および含窒素有機化合物を有機溶剤に均一に溶解し、ポジ型レジストを調整した。
樹脂成分としては、前記一般式(40)に示した構成単位からなる重合体100質量部を用いた。樹脂成分の質量平均分子量は10000であった。
前記酸発生剤としては、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート3.5質量部と、(4−メチルフェニル)ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート1.0質量部を用いた。
また、前記有機溶媒としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと乳酸エチルの混合溶媒1900質量部との混合溶剤(質量比6:4)を用いた。
さらに、前記含窒素有機化合物としては、トリエタノールアミン0.3質量部を用いた。
この保護膜を形成した基板に対して、実施例2と同様の手段で浸漬露光処理を行った。
該レジスト膜を、前記実施例1と同様の条件にて保護膜を除去し、PEB処理し、続いて現像処理した。
上記実施例3にて示したポジ型ホトレジストを用いて、保護膜を形成しなかった以外は全く同様の手段で、90nmのラインアンドスペースが1:1となるレジストパターンを形成したものの、走査型電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、パターンのゆらぎ、膨潤等が激しくパターンは観察できなかった。
下記樹脂成分、酸発生剤、および含窒素有機化合物を有機溶剤に均一に溶解し、ポジ型レジスト組成物を調整した。
樹脂成分としては、下記一般式(41)、(42)に示した構成単位からなる重合体(式(41)のユニット85質量部と式(42)のユニット15質量部)を用いた。樹脂成分の質量平均分子量は10000であった。
前記酸発生剤としては、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート3.0質量部を用いた。
また、前記有機溶媒としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと乳酸エチルの混合溶媒1900質量部との混合溶剤(質量比6:4)を用いた。
さらに、前記含窒素有機化合物としては、トリエタノールアミン0.25質量部を用いた。
この保護膜を形成した基板に対して、実施例2と同様の手段で浸漬露光処理を行った。
該レジスト膜を、前記実施例1と同様の条件にて保護膜を除去し、PEB処理し、続いて現像処理した。
上記実施例4にて示したポジ型ホトレジストを用いて、保護膜を形成しなかった以外は全く同様の手段で、90nmのラインアンドスペースが1:1となるレジストパターンを形成したものの、走査型電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、パターンのゆがみ、膨潤等が僅かに発生していた。
下記樹脂成分、酸発生剤、および含窒素有機化合物を有機溶剤に均一に溶解し、ネガ型レジスト組成物を調整した。
樹脂成分としては、下記一般式(43)に示した構成単位からなる重合体を用いた。
この樹脂成分に対して、10質量%のテトラブトキシメチル化グリコールウリルからなる架橋剤と、1質量%のトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートからなる酸発生剤と、0.6質量%の4−フェニルピリジンからなるアミン成分とを、プロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解し、固形分重量を8.1質量%としたネガ型レジスト材料を用いた。
まず、有機系反射防止膜組成物「AR−19」(商品名、Shipley社製)をスピナーを用いてシリコンウェハー上に塗布し、ホットプレート上で215℃、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚32nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、この反射防止膜上に、前記ネガ型レジスト組成物をスピナーを用いて塗布し、ホットプレート上で110℃、60秒間プレベークして、乾燥させることにより、反射防止膜上に膜厚300nmのレジスト膜を形成した。
該レジスト膜上に、デムナムS−10(ダイキン工業社製)およびサイトップ(旭硝子社製)(混合重量比=1:5)からなる混合樹脂をパーフルオロトリブチルアミンに溶解させ、樹脂濃度を2.5wt%とした保護膜材料を回転塗布し、90℃にて60秒間加熱し、膜厚37nmの保護膜を形成した。
この保護膜を形成した基板に対して、実施例1と同様の手段で露光処理、続いてレジスト膜上への水の滴下処理を行った(ただし、水の滴下処理は2分間とした)。
該レジスト膜を、前記実施例1と同様の条件にて保護膜を除去し、PEB処理し、続いて現像処理した。
上記実施例5にて示したネガ型ホトレジストを用いて、保護膜を形成しなかった以外は全く同様の手段で、160nmのラインアンドスペースが1:1となるレジストパターンを形成したものの、走査型電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、パターンのゆがみ、膨潤等が僅かに発生していた。
下記の樹脂成分、酸発生剤、および含窒素有機化合物を有機溶剤に均一に溶解し、ポジ型レジスト組成物を調整した。
樹脂成分としては、下記一般式(44)に示した3種の構成単位からなるメタクリル酸エステルの共重合体100質量部を用いた。樹脂成分の調製に用いた各構成単位s、t、uの比を、s=40モル%、t=40モル%、u=20モル%とした。調製した樹脂成分の質量平均分子量は10000であった。
また、前記有機溶媒としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと乳酸エチルとの混合溶剤1520質量部(質量比6:4)とγ−ブチロラクトン380質量部との混合溶剤を用いた。
さらに、前記含窒素有機化合物としては、トリエタノールアミン0.25質量部を用いた。
まず、有機系反射防止膜組成物「AR−19」(商品名、Shipley社製)をスピンナーを用いてシリコンウェハー上に塗布し、ホットプレート上で215℃、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚82nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、この反射防止膜上に、前記ポジ型レジスト組成物をスピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で130℃、90秒間プレベークして、乾燥させることにより、反射防止膜上に膜厚200nmのレジスト膜を形成した。
また、その際の感度は17.0mJ/cm2で、焦点深度幅は1.0μmであった。さらに、130nmのラインパターンが±10%内の範囲で得られる露光余裕度は13.15%と良好であった。
下記樹脂成分、酸発生剤、および含窒素有機化合物を有機溶剤に均一に溶解し、ポジ型レジスト組成物を調整した。
樹脂成分としては、前記一般式(41)と下記一般式(45)とにそれぞれ示した構成単位からなる重合体(式(41)のユニット85質量部と式(45)のユニット15質量部)を用いた。樹脂成分の質量平均分子量は10000であった。
前記酸発生剤としては、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート2.4質量部を用いた。
また、前記有機溶媒としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと乳酸エチルの混合溶媒1900質量部との混合溶剤(質量比6:4)を用いた。
さらに、前記含窒素有機化合物としては、トリエタノールアミン0.27質量部用いた。有機カルボン酸としてサリチル酸0.26質量部を用いた。
この保護膜を形成した基板に対して、実施例2と同様の手段で浸漬露光処理を行った。
該レジスト膜を、PEB処理した後、前記実施例1と同様の条件にて保護膜を除去し、大気中のアミン濃度が約5ppbの場所で180秒間引き置き、続いて現像処理した。
保護膜を用いなかったこと以外は、上記実施例7で調製したレジスト組成物を用いて、実施例7と同様な方法で180秒間引き置いた後、レジストパターンの形成を行った。
130nmのラインアンドスペースが1:1となるレジストパターンを走査型電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、このパターンプロファイルはT−TOP形状となった。また、その際の感度は33.0mJ/cm2であった。
これは、保護膜を用いなかったことで、大気中のアミンによりレジスト膜上の酸が失活したためである。
(A)成分として、下記化学式(46)のシルセスキオキサン樹脂85質量部と、下記化学式(47)に示した3種の構成単位からなるメタクリル酸エステル・アクリル酸エステルの共重合体15質量部との混合樹脂を用いた。前記化学式(47)の共重合体の各構成単位v、w、xの比は、v=40モル%、w=40モル%、x=20モル%であり、その質量平均分子量は10000であった。
(C)成分としては、乳酸エチルとγ−ブチロラクトンとの混合溶媒1900質量部(質量比8:2)との混合溶剤を用いた。
(D)成分としては、トリエタノールアミン0.27質量部を用いた。
(E)成分としてサリチル酸0.26質量部を用いた。
そして、評価試験2として、浸漬露光は、ニコン社作成の実験装置を用いて、プリズムと水と193nmの2本の光束干渉による実験(二光束干渉実験)を行った。同様の方法は、前記文献2(J.Vac.Sci.Technol.B(2001)19(6),p2353−2356)にも開示されており、実験室レベルで簡易にL&Sパターンが得られる方法として公知である。
なお、露光量は、L&Sパターンが安定して得られる露光量を選択した。次に、90℃で90秒間の条件でPEB処理し、保護膜をパーフルオロ(2−ブチルテトラヒドロフラン)を用いて除去した。その後、実施例1と同様に現像処理を行ったところ、65nmのライアンドスペース(1:1)が得られた。そのパターン形状は矩形性の高いものであった。
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(J.Vac.Sci.Technol.B)((発行国)アメリカ)、1999年、第17巻、6号、3306−3309頁.
2. Journal of Vacuum Science & Technology B(ジャーナルオブバキュームサイエンステクノロジー)
(J.Vac.Sci.Technol.B)((発行国)アメリカ)、2001年、第19巻、6号、2353−2356頁.
3. Proceedings of SPIE Vol.4691(プロシーディングスオブエスピーアイイ((発行国)アメリカ)2002年、第4691巻、459−465頁.
Claims (5)
- 液浸露光プロセスを用いたレジストパターン形成方法であって、
基板上にレジスト膜を形成し、
前記レジスト膜の上に、フッ素置換ポリマーを少なくとも含有するレジスト保護膜形成用材料により保護膜を形成し、
前記レジスト膜と前記保護膜とが積層された前記基板の少なくとも前記保護膜上に直接所定厚みの液浸露光用液体を配置し、
前記液浸露光用液体および前記保護膜を介して前記レジスト膜に選択的に光を照射し、必要に応じて加熱処理を行い、
前記照射後のレジスト膜から前記保護膜を除去し、
前記保護膜を除去したレジスト膜を現像し、レジストパターンを得ることを含み、
前記レジスト保護膜形成用材料が、露光光に対して透明で、前記液浸露光用液体に対して実質的な相溶性を持たず、かつ前記レジスト膜との間でミキシングを生じない特性を有するレジストパターン形成方法。 - 前記液浸露光プロセスが、リソグラフィー露光光がレジスト膜に到達するまでの経路の少なくとも前記レジスト膜上に、空気より屈折率が大きくかつ前記レジスト膜よりも屈折率が小さい所定厚さの前記液浸露光用液体を介在させた状態で、前記レジスト膜を露光することによってレジストパターンの解像度を向上させる構成であることを特徴とする請求項1に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記液浸露光用液体が実質的に純水もしくは脱イオン水からなる水であることを特徴とする請求項1または2に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記フッ素置換ポリマーが環式及び/又は鎖式パーフルオロアルキルポリエーテルであることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記レジスト保護膜形成用材料が、環式及び/又は鎖式パーフルオロアルキルポリエーテルがフッ素系溶剤に溶解されたものであることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。
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