JP4644014B2 - レジストカバー膜形成材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
パターンの微細化を図るためには、露光光源の短波長化と、該光源の特性に応じた高解像度を有するレジスト材料の開発とが要求される。しかし、前記露光光源の短波長化の実現を目的とした露光装置の改良には莫大なコストがかかるという問題がある。近年、従来より使用されてきたKrF(フッ化クリプトン)エキシマレーザー光(波長248nm)に代わり露光光としてArF(フッ化アルゴン)エキシマレーザー光(波長193nm)が実用化されている。将来の更なる微細化に対応するためには、該ArFエキシマレーザー光よりも更に短波長のF2エキシマレーザー光(波長157nm)や、EUV(超紫外線:波長13nm)が検討されているが、開発費用を含めて装置コストが非常に高く、実用化に多大な時間がかかることが予想される。また、前記短波長露光に対応したレジスト材料の開発も容易ではなく、未だ短波長露光に効果的なレジスト材料は提案されていない。このため、これまでのレジストパターンの形成方法では、パターンの微細化を実現することは困難であった。
これらの不具合を防止するために、前記レジスト膜の上面にレジストカバー膜を形成する方法が検討されているものの、前記レジスト膜を溶解させることなく、かつ前記レジスト膜とミキシングさせることなくレジストカバー膜を塗布形成することは困難である。また、波長が193nmの前記ArFエキシマレーザー光や、該ArFエキシマレーザー光よりも更に短波長(157nm)のF2エキシマレーザー光では、通常の有機物を透過し難くく、レジストカバー膜の存在により、露光不良が生じるため、使用可能な材料の選択の幅は極めて狭く、レジストカバー膜に使用可能な材料を選択することができても、露光後の除去が容易でないという問題がある。
本発明は、露光装置の投影レンズとウエハとの間に屈折率nが1(空気の屈折率)よりも大きい媒質(液体)を満たすことにより解像度の向上を実現する液浸露光技術において、前記液体からレジスト膜を保護する液浸露光用のレジストカバー膜に好適に使用することができ、露光対象表面に疎水性を付与可能なレジストカバー膜形成材料を提供することを目的とする。
また、本発明は、前記レジスト膜を前記液体から有効に保護して、前記レジスト膜の機能を損なうことなく、またレンズ汚れの発生を抑制して液浸露光により高精細に露光を行うことができ、微細かつ高精細なレジストパターンを簡便かつ効率的に形成することができるレジストパターンの形成方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、前記レジスト膜の機能を損なうことなく、前記レンズ汚れの発生を抑制して液浸露光により微細かつ高精細なレジストパターンを形成可能であり、該レジストパターンを用いて形成した微細な配線パターンを有する高性能な半導体装置を効率的に量産可能な半導体装置の製造方法、及び該半導体装置の製造方法により製造され、微細な配線パターンを有し、高性能な半導体装置を提供することを目的とする。
本発明のレジストカバー膜形成材料は、レジスト膜に対して液浸露光を行う際に該レジスト膜をカバーするレジストカバー膜を形成するのに用いられ、該レジストカバー膜の形成前後で露光対象表面の表面エネルギーを20mN/m以上低下させることを特徴とする。このため、該レジストカバー膜形成材料を用いて形成したレジストカバー膜においては、露光対象表面(レジスト膜表面)の表面エネルギーが低下されて、該露光対象表面の疎水性が向上され、該露光対象表面を投影レンズとウエハとの間に満たされる高屈折率液体から有効に保護して、レジストの特性劣化及び前記レンズ汚れの発生を抑制することができる。なお、前記レジストカバー膜形成材料は、ArFエキシマレーザー光やF2エキシマレーザー光を透過可能であり、更には容易に除去することができる。
該レジストパターンの形成方法においては、前記被加工表面上にレジスト膜を少なくとも有する膜が形成された後、該膜上に、前記レジストカバー膜形成材料を用いて前記レジストカバー膜が形成される。該レジストカバー膜は、形成前後において、露光対象表面(レジスト表面)の表面エネルギーを20mN/m以上低下させる前記レジストカバー膜形成材料により形成されているので、前記露光対象表面の疎水性が向上される。該レジストカバー膜を介して前記レジスト膜に対して前記液浸露光により露光光が照射されて露光される。該露光の際には、前記レジストカバー膜により前記露光対象表面の疎水性が向上されているので、前記レジスト膜を投影レンズとウエハとの間に満たされる高屈折率液体から有効に保護して、レジストの特性劣化及び前記レンズ汚れの発生が抑制される。なお、前記レジストカバー膜の形成が、前記レジスト膜を少なくとも有する膜の表面に、レジストカバー膜形成材料を相互作用させることにより行われる場合、前記レジスト膜を少なくとも有する膜が溶解されない。また、前記レジストカバー膜形成材料は、ArFエキシマレーザー光やF2エキシマレーザー光を透過可能であるので、高精細に前記露光が行われる。なお、前記レジストカバー膜は、特定の溶剤を用いて容易に除去可能である。その後現像される。その結果、簡便かつ効率よくレジストパターンが形成される。このようにして得られたレジストパターンは、前記レジスト膜の機能を損なうことなく高精細に露光が行われるため、微細かつ高精細である。
該半導体装置の製造方法では、まず、前記レジストパターン形成工程において、前記被加工表面上に、本発明の前記レジストパターンの形成方法を用いて、配線パターン等のパターンが形成される。該レジストパターン形成工程においては、本発明の前記レジストパターンの形成方法により、レジスト膜の機能を損なうことなく高精細に液浸露光が行われるので、微細かつ高精細なレジストパターンが形成される。次に、前記パターニング工程において、前記レジストパターン形成工程において形成したレジストパターンを用いてエッチングが行われる。その結果、前記被加工表面が微細かつ高精細にしかも寸法精度よくパターニングされ、極めて微細かつ高精細で、しかも寸法精度に優れた配線パターン等のパターンを有する高品質かつ高性能な半導体装置が効率よく製造される。
本発明の半導体装置は、本発明の前記半導体装置の製造方法により製造されたことを特徴とする。該半導体装置は、極めて微細かつ高精細で、しかも寸法精度に優れた配線パターン等のパターンを有し、高品質かつ高性能である。
また、本発明によると、露光装置の投影レンズとウエハとの間に屈折率nが1(空気の屈折率)よりも大きい媒質(液体)を満たすことにより解像度の向上を実現する液浸露光技術において、前記液体からレジスト膜を保護する液浸露光用のレジストカバー膜に好適に使用することができ、露光対象表面に疎水性を付与可能なレジストカバー膜形成材料を提供することができる。
また、本発明によると、前記レジスト膜を前記液体から有効に保護して、前記レジスト膜の機能を損なうことなく、またレンズ汚れの発生を抑制して液浸露光により高精細に露光を行うことができ、微細かつ高精細なレジストパターンを簡便かつ効率的に形成することができるレジストパターンの形成方法を提供することができる。
また、本発明によると、前記レジスト膜の機能を損なうことなく、前記レンズ汚れの発生を抑制して液浸露光により微細かつ高精細なレジストパターンを形成可能であり、該レジストパターンを用いて形成した微細な配線パターンを有する高性能な半導体装置を効率的に量産可能な半導体装置の製造方法、及び該半導体装置の製造方法により製造され、微細な配線パターンを有し、高性能な半導体装置を提供することができる。
本発明のレジストカバー膜形成材料は、レジスト膜に対して液浸露光を行う際に該レジスト膜をカバーするレジストカバー膜を形成するのに用いられ、該レジストカバー膜の形成前後で露光対象表面の表面エネルギーを20mN/m以上低下させる。
前記露光対象表面の表面エネルギーが、前記レジストカバー膜の形成前後で20mN/m以上低下されると、前記露光対象表面の疎水性が向上され、前記レジスト膜の機能を損なうことなく、前記液浸露光を高精細に行うことができる。
前記レジストカバー膜形成後の前記露光対象表面の表面エネルギーが、30mN/mを超えると、該露光対象表面の疎水性に劣り、レジスト成分が溶け出し、前記レジスト膜の機能が低下することがあるほか、前記溶け出したレジスト成分により液浸露光装置のレンズが汚れ、露光不良による解像度の低下が生ずることがある。
なお、前記露光対象表面は、露光対象となる膜の最表面を意味し、前記レジストカバー膜の形成前において、露光対象となる膜が前記レジスト膜のみから形成される場合には、該レジスト膜の表面であり、前記レジスト膜上に反射防止膜等のその他の膜を有する積層膜である場合には、該積層膜の最外部に位置する膜の表面である。一方、レジストカバー膜形成後は、該レジストカバー膜の表面が前記露光対象表面となる。
前記両親媒性物質を含むと、後述する本発明のレジストパターンの形成方法において、露光対象表面と該両親媒性物質における親水部との相互作用により、容易にレジストカバー膜を形成することができ、前記両親媒性物質における疎水部により、前記露光対象表面に疎水性を付与することができる。
前記両親媒性物質としては、一つの分子中に親水部と疎水部とを併せもつ限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、フッ素を少なくとも含むのが好ましい。一般に、炭化水素の水素をフッ素に置換することにより、前記露光対象表面の表面エネルギーを減少させる効果を大きくすることができる点で有利である。
また、前記両親媒性物質は極性基を有するのが好ましい。この場合、該極性基により前記両親媒性物質が前記露光対象表面に対して容易に相互作用される。
前記極性基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、OH基、CN基、フッ素原子、塩素原子などが挙げられる。これらの中でも、親水性の膜に対して容易に相互作用可能な点で、OH基が好ましい。
前記直鎖状化合物における前記極性基の結合位置としては、前記直鎖の両末端における炭素原子に結合して位置していてもよいし、前記直鎖の片末端における炭素原子に結合して位置していてもよい。前記直鎖の長さにより異なるが、例えば、前者の場合、両末端に位置する前記極性基が親水性の膜に対して相互作用し、前記直鎖状化合物が円弧状に該膜の表面に対して存在し、後者の場合、片末端に位置する前記極性基が親水性の膜に対して相互作用し、前記直鎖状化合物が該膜の表面に対向する方向に直線状に存在する。
前記一般式(1)で表される両親媒性物質の平均分子量としては、親水性膜への吸着性に優れる点で、例えば、2,000〜6,000が好ましい。
前記その他の成分としては、本発明の効果を害しない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、公知の各種添加剤が挙げられる。
前記その他の成分の前記レジストカバー膜形成材料における含有量としては、前記両親媒性物質等の種類や含有量などに応じて適宜決定することができる。
本発明のレジストカバー膜形成材料は、レジスト膜を少なくとも有する膜上に塗布して使用するのが好ましく、該塗布の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記レジストカバー膜形成材料を溶剤に溶解させて得られる塗布液をスピンコート法により塗布する方法が挙げられる。
前記レジストカバー膜形成材料の前記塗布液における含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、0.01〜1.0質量%が好ましく、0.05〜0.2質量%がより好ましい。
前記含有量が、0.01質量%未満であると、ピンホールが発生する等、成膜性が悪化することがあり、1.0質量%を超えると、吸着する前記両親媒性物質によるレジストカバー膜の厚みが増大し、露光光が透過し難くなり、解像度が低下することがある。
前記露光光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、KrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光、F2エキシマレーザー光、などが挙げられる。これらの中でも、高精細なレジストパターンの形成が可能な点で、260nm以下の短波長を有するのが好ましく、例えば、ArFエキシマレーザー光(193nm)、F2エキシマレーザー光(157nm)などが好ましい。
前記レジスト膜(本発明のレジストカバー膜形成材料が塗布されるレジスト膜)の材料としては、特に制限はなく、公知のレジスト材料の中から目的に応じて適宜選択することができ、ネガ型、ポジ型のいずれであってもよく、例えば、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、F2エキシマレーザーなどでパターニング可能なKrFレジスト、ArFレジスト、F2レジストなどが好適に挙げられる。これらは、化学増幅型であってもよいし、非化学増幅型であってもよい。これらの中でも、KrFレジスト、ArFレジスト、アクリル系樹脂を含んでなるレジスト、などが好ましく、より微細なパターニング、スループットの向上等の観点からは、解像限界の延伸が急務とされているArFレジスト、及びアクリル系樹脂を含んでなるレジストの少なくともいずれかがより好ましい。
なお、前記レジスト膜(前記レジスト膜形成材料)は、酸発生剤を含んでいてもよい。この場合、前記液浸露光の際に、前記レジスト膜から前記発生剤からの酸性分が溶け出し、前記レジスト膜の特性を劣化させるが、本発明の前記レジストカバー膜形成材料によるレジストカバー膜を形成することにより、前記レジスト膜の特性劣化を効果的に抑制することができる。
前記レジスト膜の形成方法、大きさ、厚みなどについては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、特に厚みについては、加工対象である被加工表面、エッチング条件等により適宜決定することができるが、一般に0.1〜2μm程度である。
本発明のレジストパターンの形成方法においては、被加工表面上にレジスト膜を少なくとも有する膜を形成した後、該膜上に、レジストカバー膜形成材料を用いてレジストカバー膜を形成し、該レジストカバー膜を介して前記レジスト膜に対して液浸露光により露光光を照射し、現像することを含み、更に必要に応じて適宜選択したその他の処理を含む。
前記レジスト膜形成工程は、前記被加工表面上にレジスト膜を少なくとも有する膜を形成する工程である。
前記レジスト膜を少なくとも有する膜は、前記レジスト膜を少なくとも有する限り、その他の膜を有していてもよく、該その他の膜としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、反射防止膜などが挙げられる。
前記レジスト膜の材料としては、本発明の前記レジストカバー膜形成材料において上述したものが好適に挙げられる。
前記反射防止膜は、前記レジスト膜の表面を覆うように形成される膜であり、前記露光光が被加工面から反射して生ずる定在波によりハレーションが起こるのを防ぐ機能を有する。
前記反射防止膜の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アクリル酸などが挙げられる。
なお、前記反射防止膜の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、40〜200nmが好ましい。
前記反射防止膜の厚みが、40nm未満であると、ピンホール等の膜欠陥が多発することがあり、200nmを超えると、前記露光光の透過率が低下することがある。
前記被加工表面(基材)としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記レジスト膜が半導体装置等に形成される場合には、該被加工表面(基材)としては、半導体基材表面が挙げられ、具体的には、シリコンウエハ等の基板、各種酸化膜などが好適に挙げられる。
前記レジストカバー膜形成工程は、前記レジスト膜を少なくとも有する膜上に、前記レジスト膜に対して液浸露光を行う際に該レジスト膜をカバーするレジストカバー膜を形成するのに用いられ、該レジストカバー膜の形成前後で露光対象表面の表面エネルギーを20mN/m以上低下させるレジストカバー膜形成材料を用いてレジストカバー膜を形成する工程であり、本発明の前記レジストカバー膜形成材料を用いて前記レジストカバー膜を形成するのが好ましい。
前記レジストカバー膜形成材料として、本発明の前記レジストカバー膜形成材料を用いると、前記露光対象表面の表面エネルギーを低下させることができ、前記露光対象表面の疎水性を向上させることができるため、前記露光対象表面を液浸露光用の液体から有効に保護して、レジストの特性劣化及び前記レンズ汚れの発生を抑制することができ、液浸露光を高精細に行うことができる。
前記レジストカバー膜形成後の前記露光対象表面の表面エネルギーが、30mN/mを超えると、該露光対象表面の疎水性に劣り、前記レジスト成分が溶け出し、前記レジスト膜の機能が低下することがあるほか、前記溶け出したレジスト成分により液浸露光装置のレンズが汚れ、露光不良による解像度の低下が生ずることがある。
なお、前記露光対象表面の詳細については、前記レジストカバー膜形成材料において、上述した通りである。
前記レジストカバー膜形成材料としては、本発明の前記レジストカバー膜形成材料において上述したものが挙げられ、特に、前記両親媒性物質を少なくとも含むのが好ましい。
前記化学吸着としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、共有結合、水素結合、配位結合、イオン結合、などが挙げられる。
前記物理吸着としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、例えば分子間力(ファン・デル・ワールス力)、粘着などが挙げられる。
前記レジストカバー膜形成材料が、前記両親媒性物質を含む場合、該両親媒性物質における親水部が、前記レジスト膜を少なくとも有する膜の表面と相互作用し、該膜の表面上に、前記両親媒性物質が規則的に配置されてなる。その結果、前記両親媒性物質における疎水部が、前記膜の最表面に配置され、前記露光対象表面を構成する。このため、前記露光対象表面の疎水性が向上され、前記レジスト膜の特性劣化が抑制される。
特に、前記両親媒性物質を用い、相互作用により該両親媒性の一分子膜を形成させると、無欠陥の超薄膜(例えばLB膜)のレジストカバー膜を形成させることができる。
前記塗布は、前記レジストカバー膜と溶剤とを含む溶液(塗布液)を用いて行うことができ、該レジストカバー膜形成材料が、上記両親媒性物質を含む場合、該両親媒性物質を溶剤に溶解させて得られる溶液を用いるのが好ましい。
前記溶剤としては、前記両親媒性物質を溶解可能である限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、フッ素を含むのが好ましい。この場合、前記レジスト膜を溶解させることなく前記レジストカバー膜を形成することができる点で有利である。該フッ素を含む溶剤としては、例えば、H−GALDEN(ソルベイソレクシス社製)、FC−77(住友3M製)などが挙げられる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
前記溶剤の前記レジストカバー膜形成材料に対する使用量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、0.01〜1.0質量%が好ましく、0.05〜0.2質量%がより好ましい。前記使用量が0.01質量%未満であると、ピンホールが発生する等、成膜性が悪化することがあり、1.0質量%を超えると、露光光が透過し難くなり、解像度が低下することがある。
なお、前記ベーク(加温及び乾燥)の条件、方法などとしては、前記レジスト膜を軟化させない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、その温度としては、40〜150℃程度が好ましく、80〜120℃がより好ましく、また、その時間としては、10秒〜5分程度が好ましく、30秒〜90秒がより好ましい。
前記厚みが20nmを超えると、ArFエキシマレーザー光やF2エキシマレーザー光の透過率が低下し、解像性や露光感度が低下することがある。一方、前記厚みが1nm未満であると、ピンホールなどの欠陥が生じ易くなることがある。
前記レジストカバー膜の厚みは、例えば、X線光電子分光法(ESCA)のC1sスペクトル及び赤外分光光度計(「JIR−100」;日本電子製)により、CFの伸縮振動の吸収強度を測定することにより求めることができる。
前記液浸露光工程は、前記レジストカバー膜を介して前記レジスト膜に対して液浸露光により露光光を照射する工程である。
前記液浸露光は、公知の液浸露光装置により好適に行うことができ、前記レジストカバー膜を介して前記レジスト膜に対し前記露光光が照射されることにより行われる。該露光光の照射は、前記レジスト膜の一部の領域に対して行われることにより、該一部の領域が硬化され、後述の現像工程において、該硬化させた一部の領域以外の未硬化領域が除去されてレジストパターンが形成される。
前記液浸露光に用いられ、ステッパーの投影レンズとウエハとの間に満たされる液体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、高解像度を得るためには、空気の屈折率(屈折率=1)よりも高い屈折率を有する液体であるのが好ましい。
前記屈折率が1よりも大きい液体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、水を少なくとも含む液体が好ましく、例えば、塩化セシウム水溶液、水、純水(屈折率=1.44)などが好適に挙げられる。これらの中でも、純水が好ましい。
前記露光光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、短波長の光であるのが好ましく、例えば、KrFエキシマレーザー光(248nm)、ArFエキシマレーザー光(193nm)、F2エキシマレーザー光(157nm)などが挙げられる。これらの中でも、高精細なレジストパターンが得られる点で、260nm以下の短波長を有するのが好ましく、ArFエキシマレーザー光、F2エキシマレーザー光が好ましい。
前記現像工程は、前記液浸露光工程により前記レジストカバー膜を介して前記レジスト膜を露光し、該レジスト膜の露光した領域を硬化させた後、未硬化領域を除去することにより現像し、レジストパターンを形成する工程である。
前記未硬化領域の除去方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、現像液を用いて除去する方法などが挙げられる。
前記現像液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記レジストカバー膜を、前記レジスト膜の未硬化領域と同時に溶解除去することができるものが好ましく、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液などが好適に挙げられる。該現像液による現像を行うことにより、前記レジスト膜の前記露光光が照射されていない部分と共に前記レジストカバー膜が溶解除去され、レジストパターンが形成(現像)される。
前記剥離液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記レジストカバー膜を容易に除去することができる点で、フッ素を少なくとも含む溶剤であるのが好ましく、例えば、H−GALDEN(ソルベイソレクシス社製)、FC−77(住友3M製)などが好適に挙げられる。
前記レジストカバー膜を除去した後に、前記現像を行う場合、使用する現像液としては、特に制限はなく、目的に応じて公知の現像液の中から適宜選択することができ、例えば、アルカリ現像液を使用することができる。
図1に示すように、被加工表面(基板)1上にレジスト形成材料を塗布してレジスト膜2を形成した後、該レジスト膜2の表面にレジストカバー膜形成材料を塗布し、ベーク(加温及び乾燥)をしてレジストカバー膜3を形成する。そして、レジスト膜2及びレジストカバー膜3が形成された被加工基板1と、図2に示す液浸露光装置5とを用いて露光する。
図2は、液浸露光装置の一例を示す概略説明図である。該液浸露光装置5は、投影レンズ6を有するステッパー(逐次移動露光装置)と、ウエハステージ7とを備えている。ウエハステージ7は、被加工基板1が搭載可能に設けられており、また、投影レンズ6とウエハステージ7上の被加工基板1との間には、媒質(液体)8が満たされるようになっている。ステッパーの解像度は、下記式(1)で表され、光源の波長が短かければ短いほど、また、投影レンズ6のNA(投影レンズ6の明るさN.A.(開口数))が大きければ大きいほど高い解像度が得られる。
解像度=k(プロセス係数)×λ(光源からの光の波長)/NA(開口数)・・・式(1)
前記式(1)中、NAは、次式、NA=n×sinθ、により求めることができる。図2中、X部分の拡大図を図3に示す。図3に示すように、nは露光光が通過する媒質(液体)8の屈折率を表し、θは露光光が形成する角度を表す。通常の露光方法では、露光光が通過する媒質は空気であるため、屈折率n=1であり、投影レンズ(縮小投影レンズ)6の開口数NAは理論的には最高でも1.0未満であり、実際には0.9程度(θ=65°)にとどまる。一方、液浸露光装置5では、媒質8として、屈折率nが1より大きい液体を使用することにより、nを拡大することとなり、同一の露光光の入射角θでは、最小解像寸法を1/nに縮小させることができ、同一の開口数NAでは、θを小さくさせることができ、焦点深度をn倍に拡大させることができる。例えば、媒質8として純水を利用すると、光源がArFである場合には、n=1.44であり、NAを1.44倍にまで増加させることができ、より微細なパターンを形成することができる。
本発明の半導体装置の製造方法は、レジストパターン形成工程と、パターニング工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて適宜選択したその他の工程を含む。
前記レジストパターン形成工程は、被加工表面上に、本発明の前記レジストパターン形成方法を用いてレジストパターンを形成する工程である。即ち、前記レジスト膜を少なくとも有する膜を形成した後、該膜上に、形成前後で露光対象表面の表面エネルギーを20mN/m以上低下させるレジストカバー膜を形成し、該レジストカバー膜を介して前記レジスト膜に対して液浸露光により露光光を照射し、現像することによりレジストパターンを形成する工程である。該レジストパターン形成工程により、前記被加工表面上にレジストパターンが形成される。
該レジストパターン形成工程における詳細は、本発明の前記レジストパターンの形成方法と同様である。
なお、前記被加工表面としては、半導体装置等における各種部材の表面層が挙げられるが、シリコンウエハ等の基板乃至その表面、各種酸化膜などが好適に挙げられる。前記液浸露光の方法は上述した通りである。前記レジストパターンは上述した通りである。
前記パターニング工程は、前記レジストパターンをマスクとして用いて(マスクパターンなどとして用いて)、エッチングにより前記被加工表面をパターニングする工程である。
前記エッチングの方法としては、特に制限はなく、公知の方法の中から目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ドライエッチングが好適に挙げられる。該エッチングの条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
−レジストカバー膜形成材料の調製−
含フッ素潤滑剤(ソルベイソレクシス社製)を原料として、超臨界抽出装置(「SCF−201」;日本分光製)を用い、炭酸ガスによる超臨界抽出を行い、下記一般式(1)で表される、平均分子量4,000の両親媒性物質(レジストカバー膜形成材料(1))を調製した。
シリコン基板上に、ArFエキシマレーザー光用レジスト材料(「AX5910」;住友化学製)を、300nmの厚みとなるように回転塗布した後、110℃にて60秒間ベークを行い、レジスト膜を形成した。次いで、該レジスト膜上に、前記レジストカバー膜形成材料(1)を、フッ素系溶剤(「FC−77」;住友3M製)に溶解させて0.1質量%濃度に調製した塗布液を、スピンコート法により、2,500rpm、1分の条件で回転塗布した。すると、前記両親媒性物質における親水部がレジスト膜表面と相互作用し、該レジスト膜表面に吸着した。110℃のホットプレートで60秒間ベークして、レジストカバー膜を形成した。
また、レジストカバー膜形成前後の露光対象表面の表面エネルギー変化を、接触角計(「CA−QI」;協和界面科学製)を用いて測定した接触角の変化により求めた。
レジストカバー膜形成前の露光対象表面としてのレジスト膜表面の純水に対する接触角は70°であり、表面エネルギーは45mN/m以上であった。一方、レジストカバー膜形成後の露光対象表面としてのレジストカバー膜表面の純水に対する接触角は112°であり、表面エネルギーは20mN/m以下であった。したがって、レジストカバー膜形成前後で、露光対象表面の表面エネルギーが25mN/m以上低下しており、露光対象表面が疎水化されたことが判った。
また、前記レジストカバー膜形成後の露光対象表面(レジストカバー膜表面)上に純水を滴下し、10分間、純水のイオンクロマト分析を行ったところ、レジスト膜からの汚染物の溶出は検出限界以下であり、また、上記露光操作を5000回繰り返しても投影レンズを透過後の光強度にも全く変化は観られず、レンズ汚れは生じていなかった。
実施例1において、前記レジストカバー膜を形成しなかった以外は、実施例1と同様にしてレジストパターンを形成した。その結果、露光量42mJ/cm2で、75nmのラインパターン(レジストパターン)が得られた。
また、露光対象表面(レジスト膜表面)上に純水を滴下し、10分間、純水のイオンクロマト分析を行ったところ、レジスト膜が含有する酸発生剤の1.5質量%が純水中に溶出し、上記露光操作を5000回繰り返すと、投影レンズを透過後の光強度が0.5%減少し、レンズ汚れが発生していた。
レジストカバー膜形成材料として、下記一般式(1)で表される、平均分子量2,600の両親媒性物質(レジストカバー膜形成材料(2))を用いた。
シリコン基板上に、ArFエキシマレーザー光用レジスト材料(「AR1244」;JSR社製)を、300nmの厚みとなるように回転塗布した後、115℃にて60秒間ベークを行い、レジスト膜を形成した。次いで、該レジスト膜上に、前記レジストカバー膜形成材料(2)を、フッ素系溶剤(「H−GALDEN」;ソルベイソレクシス社製)に溶解させて0.1質量%濃度に調製した塗布液を、スピンコート法により、2,000rpm、1分の条件で回転塗布した。すると、前記両親媒性物質における親水部がレジスト膜表面と相互作用し、該レジスト膜表面に吸着した。110℃のホットプレートで60秒間ベークして、レジストカバー膜を形成した。
また、レジストカバー膜形成前後の露光対象表面の表面エネルギー変化を、接触角計(「CA−QI」;協和界面科学製)を用いて測定した接触角の変化により求めた。
レジストカバー膜形成前の露光対象表面としてのレジスト膜表面の純水に対する接触角は70°であり、表面エネルギーは48mN/mであった。一方、レジストカバー膜形成後の露光対象表面としてのレジストカバー膜表面の純水に対する接触角は112°であり、表面エネルギーは18mN/mであった。したがって、レジストカバー膜形成前後で、露光対象表面の表面エネルギーが30mN/m低下しており、露光対象表面が疎水化されたことが判った。
また、前記レジストカバー膜形成後の露光対象表面(レジストカバー膜表面)上に純水を滴下し、10分間、純水のイオンクロマト分析を行ったところ、レジスト膜からの汚染物の溶出は検出限界以下であり、また、上記露光操作を5000回繰り返しても投影レンズを透過後の光強度にも全く変化は観られず、レンズ汚れは生じていなかった。
実施例2において、前記レジストカバー膜を形成しなかった以外は、実施例2と同様にしてレジストパターンを形成した。その結果、露光量34mJ/cm2で、70nmのラインパターン(レジストパターン)が得られた。
また、露光対象表面(レジスト膜表面)上に純水を滴下し、10分間、純水のイオンクロマト分析を行ったところ、レジスト膜が含有する酸発生剤の3質量%が純水中に溶出し、上記露光操作を5000回繰り返すと、投影レンズを透過後の光強度が1.0%減少し、レンズ汚れが発生していた。
レジストカバー膜形成材料として、下記一般式(1)で表される、平均分子量2,000の両親媒性物質(「フォンブリン Z−Dol」;ソルベイソレクシス社製):レジストカバー膜形成材料(3))を用いた。
シリコン基板上に、ArFエキシマレーザー光用レジスト材料(「AR1244」;JSR社製)を、300nmの厚みとなるように回転塗布した後、115℃にて60秒間ベークを行い、レジスト膜を形成した。次いで、前記レジストカバー膜形成材料(3)を開放した容器に入れ、該容器と共に、前記レジスト膜が形成されたシリコン基板をオーブンに入れ、90℃にて30分間ベークを行った。すると、前記両親媒性物質の蒸気が前記レジスト膜表面に暴露され、前記両親媒性物質における親水部が該レジスト膜表面に吸着し、レジストカバー膜が形成された。
また、レジストカバー膜形成前後の露光対象表面の表面エネルギー変化を、接触角計(「CA−QI」;協和界面科学製)を用いて測定した接触角の変化により求めた。
レジストカバー膜形成前の露光対象表面としてのレジスト膜表面の純水に対する接触角は70°であり、表面エネルギーは48mN/mであった。一方、レジストカバー膜形成後の露光対象表面としてのレジストカバー膜表面の純水に対する接触角は110°であり、表面エネルギーは19mN/mであった。したがって、レジストカバー膜形成前後で、露光対象表面の表面エネルギーが29mN/m低下しており、露光対象表面が疎水化されたことが判った。
また、前記レジストカバー膜形成後の露光対象表面(レジストカバー膜表面)上に純水を滴下し、10分間、純水のイオンクロマト分析を行ったところ、レジスト膜からの汚染物の溶出は検出限界以下であり、また、上記露光操作を5000回繰り返しても投影レンズを透過後の光強度にも全く変化は見られず、レンズ汚れは生じていなかった。
実施例3において、前記レジストカバー膜を形成しなかった以外は、実施例3と同様にしてレジストパターンを形成した。その結果、露光量34mJ/cm2で、70nmのラインパターン(レジストパターン)が得られた。
また、露光対象表面(レジスト膜表面)上に純水を滴下し、10分間、純水のイオンクロマト分析を行ったところ、レジスト膜が含有する酸発生剤の1.5質量%が純水中に溶出し、投影レンズを透過後の光強度が1.0%減少し、レンズ汚れが発生していた。
図5に示すように、シリコン基板11上に層間絶縁膜12を形成し、図6に示すように、層間絶縁膜12上にスパッタリング法によりチタン膜13を形成した。次に、図7に示すように、液浸露光法を用い、公知のフォトリソグラフィー技術によりレジストパターン14を形成し、これをマスクとして用い、反応性イオンエッチングによりチタン膜13をパターニングして開口部15aを形成した。引き続き、反応性イオンエッチングによりレジストパターン14を除去するととともに、図8に示すように、チタン膜13をマスクにして層間絶縁膜12に開口部15bを形成した。
この実施例4では、レジストパターン14が、本発明の前記レジストカバー膜形成材料により形成された前記レジストカバー膜を用いて液浸露光を行い、実施例1〜3における場合と同様にして製造したレジストパターンである。
−フラッシュメモリ及びその製造−
実施例5は、本発明のレジストカバー膜形成材料を用いた半導体装置の製造方法の一例である。なお、この実施例5では、以下のレジスト膜26、27、29及び32が、本発明のレジストカバー膜形成材料を用いて実施例1〜4におけるのと同様の方法により形成されたものである。
以上により、図27に示すように、半導体装置としてFLASH EPROMを製造した。
なお、ここでは、高融点金属膜(第4導電体膜)として高融点金属膜(第4導電体膜)42a及び42bを用いているが、チタンシリサイド(TiSi)膜等の高融点金属シリサイド膜を用いてもよい。
なお、ここでは、第3導電体膜53a又は53bと、高融点金属膜(第4導電体膜)42とをそれぞれ別々に形成しているが、共通の高融点金属膜として同時に形成してもよい。
−磁気ヘッドの製造−
実施例6は、本発明のレジストカバー膜形成材料を用いて形成したレジストパターンの応用例としての磁気ヘッドの製造に関する。なお、この実施例6では、以下のレジストパターン102及び126が、本発明のレジストカバー膜形成材料を用いて実施例1におけるのと同様の方法により形成されたものである。
まず、図31に示すように、層間絶縁層100上に、厚みが6μmとなるようにレジスト膜を形成し、露光、現像を行って、渦巻状の薄膜磁気コイル形成用の開口パターンを有するレジストパターン102を形成した。
次に、図32に示すように、層間絶縁層100上における、レジストパターン102上及びレジストパターン102が形成されていない部位、即ち開口部104の露出面上に、厚みが0.01μmであるTi密着膜と厚みが0.05μmであるCu密着膜とが積層されてなるメッキ被加工表面106を蒸着法により形成した。
次に、図34に示すように、レジストパターン102を溶解除去し層間絶縁層100上からリフトオフすると、薄膜導体108の渦巻状パターンによる薄膜磁気コイル110が形成される。
以上により磁気ヘッドを製造した。
図35示すように、セラミック製の非磁性基板112上にスパッタリング法によりギャップ層114を被覆形成した。なお、非磁性基板112上には、図示していないが予め酸化ケイ素による絶縁体層及びNi−Feパーマロイからなる導電性被加工表面がスパッタリング法により被覆形成され、更にNi−Feパーマロイからなる下部磁性層が形成されている。そして、図示しない前記下部磁性層の磁性先端部となる部分を除くギャップ層114上の所定領域に熱硬化樹脂により樹脂絶縁膜116を形成した。次に、樹脂絶縁膜116上にレジスト材を塗布してレジスト膜118を形成した。
以上により、図41の平面図に示すような、樹脂絶縁膜116上に磁性層132を有し、表面に薄膜磁気コイル130が設けられた磁気ヘッドを製造した。
(付記1) 被加工表面上にレジスト膜を少なくとも有する膜を形成した後、該膜上に、レジストカバー膜の形成前後で露光対象表面の表面エネルギーを20mN/m以上低下させるレジストカバー膜形成材料を用いてレジストカバー膜を形成し、該レジストカバー膜を介して前記レジスト膜に対して液浸露光により露光光を照射し、現像することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
(付記2) レジストカバー膜形成後の露光対象表面の表面エネルギーが30mN/m以下である付記1に記載のレジストパターンの形成方法。
(付記3) レジストカバー膜形成材料が、両親媒性物質を少なくとも含む付記1から2のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。
(付記4) レジストカバー膜の形成が、レジスト膜を少なくとも有する膜の表面に、レジストカバー膜形成材料を相互作用させることにより行われる付記1から3のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。
(付記5) 相互作用が、化学吸着及び物理吸着の少なくともいずれかである付記4に記載のレジストパターンの形成方法。
(付記6) 両親媒性物質が、フッ素を少なくとも含む化合物である付記3から5のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。
(付記7) 両親媒性物質が、極性基を少なくとも有する付記3から6のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。
(付記8) 両親媒性物質が直鎖状化合物であり、該直鎖の末端の少なくとも一方に極性基を有する付記7に記載のレジストパターンの形成方法。
(付記9) 両親媒性物質が、下記一般式(1)で表される付記3から8のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。
(付記10) レジスト膜が酸発生剤を少なくとも含む付記1から9のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。
(付記11) レジスト膜を少なくとも有する膜が、該レジスト膜上に反射防止膜を有する付記1から10のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。
(付記12) 液浸露光に用いられる露光光が、193nmの波長を有するArFエキシマレーザー光、及び157nmの波長を有するF2エキシマレーザー光の少なくともいずれかである付記1から11のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。
(付記13) 液浸露光に用いられる液体の屈折率が1より大きい付記1から12のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。
(付記14) 液体が水を少なくとも含む付記13に記載のレジストパターンの形成方法。
(付記15) 液浸露光が、縮小投影により行われる付記1から14のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。
(付記16) レジストカバー膜の厚みが、20nm以下である付記1から15のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。
(付記17) レジストカバー膜の形成が、両親媒性物質を溶剤に溶解させて得られる溶液を、レジスト膜を少なくとも有する膜上に塗布することにより行われる付記3から16のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。
(付記18) 溶剤がフッ素を含む付記17に記載のレジストパターンの形成方法。
(付記19) レジストカバー膜の形成が、両親媒性物質の蒸気に、レジスト膜を少なくとも有する膜を暴露することにより行われる付記3から16のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。
(付記20) 現像が、レジストカバー膜の除去後に行われる付記1から19のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。
(付記21) レジストカバー膜の除去が、フッ素を少なくとも含む溶剤を用いて行われる付記20に記載のレジストパターンの形成方法。
(付記22) 被加工表面上に、付記1から21のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法を用いてレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記23) 付記22に記載の半導体装置の製造方法により製造されたことを特徴とする半導体装置。
(付記24) レジスト膜に対して液浸露光を行う際に該レジスト膜をカバーするレジストカバー膜を形成するのに用いられ、該レジストカバー膜の形成前後で露光対象表面の表面エネルギーを20mN/m以上低下させることを特徴とするレジストカバー膜形成材料。
(付記25) レジストカバー膜形成後の露光対象表面の表面エネルギーが30mN/m以下である付記24に記載のレジストカバー膜形成材料。
本発明のレジストパターンの形成方法は、例えば、マスクパターン、レチクルパターン、磁気ヘッド、LCD(液晶ディスプレイ)、PDP(プラズマディスプレイパネル)、SAWフィルタ(弾性表面波フィルタ)等の機能部品、光配線の接続に利用される光部品、マイクロアクチュエータ等の微細部品、半導体装置などの製造に好適に適用することができ、本発明の半導体装置の製造方法に好適に用いることができる。
本発明の半導体装置の製造方法は、本発明の半導体装置の製造に好適に用いることができる。本発明の半導体装置は、フラッシュメモリ、DRAM、FRAM、等を初めとする各種半導体装置の分野で好適に使用可能である。
2 レジスト膜
3 レジストカバー膜(本発明のレジストカバー膜形成材料)
4 レジストパターン
5 液浸露光装置
6 投影レンズ
7 ウエハステージ
8 媒質(液体)
11 シリコン基板
12 層間絶縁膜
13 チタン膜
14 レジストパターン
15a 開口部
15b 開口部
16 TiN膜
16a TiN膜
17 Cu膜
17a 配線
18 層間絶縁膜
19 Cuプラグ
20 配線
21 配線
22 Si基板(半導体基板)
23 フィールド酸化膜
24a 第1ゲート絶縁膜
24b 第2ゲート絶縁膜
25a 第1閾値制御層
25b 第2閾値制御層
26 レジスト膜
27 レジスト膜
28 第1ポリシリコン層(第1導電体膜)
28a フローティングゲート電極
28b ゲート電極(第1ポリシリコン膜)
28c フローティングゲート電極
29 レジスト膜
30a キャパシタ絶縁膜
30b キャパシタ絶縁膜
30c キャパシタ絶縁膜
30d SiO2膜
31 第2ポリシリコン層(第2導電体膜)
31a コントロールゲート電極
31b 第2ポリシリコン膜
32 レジスト膜
33a 第1ゲート部
33b 第2ゲート部
33c 第2ゲート部
35a S/D(ソース・ドレイン)領域層
35b S/D(ソース・ドレイン)領域層
36a S/D(ソース・ドレイン)領域層
36b S/D(ソース・ドレイン)領域層
37 層間絶縁膜
38a コンタクトホール
38b コンタクトホール
39a コンタクトホール
39b コンタクトホール
40a S/D(ソース・ドレイン)電極
40b S/D(ソース・ドレイン)電極
41a S/D(ソース・ドレイン)電極
41b S/D(ソース・ドレイン)電極
42 高融点金属膜(第4導電体膜)
42a 高融点金属膜(第4導電体膜)
42b 高融点金属膜(第4導電体膜)
44a 第1ゲート部
44b 第2ゲート部
45a S/D(ソース・ドレイン)領域層
45b S/D(ソース・ドレイン)領域層
46a S/D(ソース・ドレイン)領域層
46b S/D(ソース・ドレイン)領域層
47 層間絶縁膜
48a コンタクトホール
48b コンタクトホール
49a コンタクトホール
49b コンタクトホール
50a S/D(ソース・ドレイン)電極
50b S/D(ソース・ドレイン)電極
51a S/D(ソース・ドレイン)電極
51b S/D(ソース・ドレイン)電極
52a 開口部
52b 開口部
53a 高融点金属膜(第3導電体膜)
53b 高融点金属膜(第3導電体膜)
54 絶縁膜
100 層間絶縁層
102 レジストパターン
104 開口部
106 メッキ被加工表面
108 薄膜導体(Cuメッキ膜)
110 薄膜磁気コイル
112 非磁性基板
114 ギャップ層
116 樹脂絶縁層
118 レジスト膜
118a レジストパターン
120 第1渦巻状パターン
122 導電性被加工表面
124 レジスト膜
126 レジストパターン
128 Cu導体膜
130 薄膜磁気コイル
132 磁性層
Claims (5)
- 被加工表面上にレジスト膜を少なくとも有する膜を形成した後、該膜上に、レジストカバー膜の形成前後で露光対象表面の表面エネルギーを20mN/m以上低下させるレジストカバー膜形成材料を用いてレジストカバー膜を形成し、該レジストカバー膜を介して前記レジスト膜に対して液浸露光により露光光を照射し、現像する工程を含み、前記レジストカバー膜形成材料は、両親媒性物質を少なくとも含み、前記両親媒性物質は、下記一般式(1)で表されることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
- レジストカバー膜の形成が、レジスト膜を少なくとも有する膜の表面に、レジストカバー膜形成材料を相互作用させることにより行われ、該相互作用が化学吸着及び物理吸着の少なくともいずれかである請求項1に記載のレジストパターンの形成方法。
- レジストカバー膜の形成が、該両親媒性物質を溶剤に溶解させて得られる溶液を、レジスト膜を少なくとも有する膜上に塗布することにより行われる請求項1から2のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。
- 両親媒性物質が、フッ素を少なくとも含む化合物である請求項3に記載のレジストパターンの形成方法。
- 両親媒性物質を少なくとも含み、前記両親媒性物質は、下記一般式(1)で表され、レジスト膜に対して液浸露光を行う際に該レジスト膜をカバーするレジストカバー膜を形成するのに用いられ、該レジストカバー膜の形成前後で露光対象表面の表面エネルギーを20mN/m以上低下させることを特徴とするレジストカバー膜形成材料。
前記一般式(1)中、Rは、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、下記構造式(1)から(3)のいずれかで表される基である。mは1以上の整数を表す。
ただし、前記構造式(2)中、nは1以上の整数を表す。
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JP2006047351A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Asahi Glass Co Ltd | フォトレジスト保護膜用組成物、フォトレジスト保護膜およびフォトレジストパターン形成方法 |
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