JPH07253674A - 反射防止膜材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 基板上に形成したフォトレジスト層上に形成
され、露光後に溶剤で除去される透明な反射防止膜を形
成する反射防止膜材料において、炭化水素系の有機溶剤
に可溶なフッ素系樹脂を主成分とすることを特徴とする
反射防止膜材料。 【効果】 本発明の反射防止材料は、入射光の損失無し
にレジスト層表面での反射光を低減し、かつレジスト層
での光多重干渉によるパターン寸法の変動量を低減する
反射防止膜を形成する材料として有用である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の製造
などにおいて、特にフォトリソグラフィーのパターン形
成時に使用されるフォトレジストにおいて、フォトレジ
スト膜内で照射光と基板からの反射光が干渉するために
生じるパターン寸法精度の低下を防ぎ、微細加工を可能
にし得る反射防止膜材料に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】ＬＳＩ
の高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの微細化
が求められているなか、現在汎用技術として用いられて
いる光露光では、光源の波長に由来する本質的な解像度
の限界に近づきつつある。ｇ線（４３６ｎｍ）もしくは
ｉ線（３６５ｎｍ）を光源とする光露光では、おおよそ
０．５μｍのパターンルールが限界とされており、これ
を用いて作製したＬＳＩの集積度は、１６ＭビットＤＲ
ＡＭ相当までとなる。しかし、ＬＳＩの試作はすでにこ
の段階まできており、更なる微細化技術の開発が急務と
なっている。

【０００３】このような背景により、次世代の微細加工
技術として遠紫外線リソグラフィーが有望視されてい
る。遠紫外線リソグラフィーは、０．３〜０．４μｍの
加工も可能であり、光吸収の小さいレジストを用いた場
合、基板に対して垂直に近い側壁を有したパターン形成
が可能になる。また、一括にパターン転写することがで
きるために、電子線リソグラフィーよりもスルートップ
の点で有利である。近年、遠紫外線の光源として高輝度
なＫｒＦエキシマレーザーを利用する技術が注目されて
いる。

【０００４】ところが、遠紫外線光、特にＫｒＦエキシ
マレーザーのような単色光を用いると、基板材料のシリ
コンもしくはその他の材料で反射率が高いため、透明性
の高いフォトレジストの場合、入射光と基板からの反射
光の干渉作用が生じる。この干渉作用が、レジストの膜
厚に対してパターン寸法を変動させるため、パターン寸
法の精度を低下させてしまう。特に基板に凸凹がある場
合、段差部分でレジストの膜厚が大きく変わるので光の
干渉の影響を受け、レジストの寸法精度が低下してしま
い、このことにより正確なサイズにパターン加工できな
くなる。さらに、合わせ露光のためのアライメントマー
クの寸法精度も低下し、合わせ精度の低下につながると
いった問題も生じる。

【０００５】そこで、基板表面の凹凸によって生じる上
記問題点を解決したパターン形成法として、多層レジス
ト法（特開昭５１−１０７７５号公報等）、ＡＲＣ（レ
ジスト下層に形成した反射防止膜）法（特開昭５９−９
３４４８号公報）、ＡＲＣＯＲ（レジスト上層に形成し
た反射防止膜）法（特開昭６２−６２５２０，６２５２
１号公報）などが提案されている。

【０００６】しかし、多層レジスト法は、レジスト層を
２層又は３層形成した後、パターン転写を行うことによ
ってマスクとなるレジストパターンを形成する方法であ
るので工程数が多く、このため生産性が悪く、また中間
層からの光反射によって寸法精度が低下するという問題
点がある。

【０００７】また、ＡＲＣ法は、レジスト層の下部に形
成した反射防止膜をエッチングする方法であるため、寸
法精度の低下が大きく、エッチング工程が増えるため生
産性も悪くなるという問題がある。

【０００８】これに対し、ＡＲＣＯＲ法は、レジスト層
の上部に反射防止膜を形成し、露光後剥離する工程を含
む方法であり、簡便かつ微細で、寸法精度及び合わせ精
度が高いレジストパターンを形成することができる方法
である。

【０００９】特開昭６２−６２５２０号公報の場合で
は、反射防止膜としてパーフルオロアルキルポリエーテ
ル、パーフルオロアルキルアミン等のパーフルオロアル
キル化合物などの低屈折率を有する材料を用いることに
よって、レジスト層−反射防止膜界面における反射光を
大幅に低減させ、このことによってレジスト像のパター
ン寸法の変動量をレジスト単層に比べ１／３に抑えるも
のである。

【００１０】しかしながら、上記パーフルオロアルキル
化合物は、有機溶剤に対する溶解性が低いことから塗布
膜厚を制御するためにフロン等のフッ素系の希釈液で希
釈して用い、かつ上記パーフルオロアルキル化合物から
なる反射防止膜の除去剤として再度フロン等を用いてい
るが、フロンは下層レジストとの相互混和（インターミ
キシング）を引き起こさない利点があるものの、現在、
フロンは環境保護の観点からその使用が問題となってお
り、また、工程数も増えるという問題、さらに非常に高
価な溶剤であって工業的に不経済であるといった問題を
有している。

【００１１】特開昭６２−６２５２１号公報の場合で
は、反射防止膜材料として水溶性である多糖類を用いる
ことによって、レジスト−反射防止膜界面でのインター
ミキシングを起こすことなく、また反射防止膜の除去を
現像工程と共用できるのでプロセス的にも問題がなくし
かも簡便であるというものである。

【００１２】しかしながら、上記多糖類は上記パーフル
オロアルキル化合物に比べ屈折率が低くないためにパタ
ーン寸法の変動量がレジスト単層に比べ２／３しか抑え
ることができず、満足できるものではない。

【００１３】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
微細で寸法精度及び合わせ精度が高く、簡便で生産性が
高く、再現性良くレジストパターンを形成し、安価で、
環境に安全な反射防止膜材料を提供することを目的とす
る。

【００１４】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明者らは、
上記目的を達成するために鋭意検討した結果、フロン以
外の有機溶剤、なかでもトルエン、キシレン、ヘキサ
ン、オクタン、デカリンといった比較的極性の低い炭化
水素系有機溶剤にも容易に溶解可能で低屈折率、具体的
には６３３ｎｍの波長光で１．４５以下であるフッ素系
樹脂、特に下記一般式（１）で示される側鎖フッ素変性
シロキサン構造を有したポリシロキサン、下記一般式
（２）で示される側鎖フッ素変性アルキルアクリル構造
を有した共重合体、または、下記一般式（３）で示され
るパーフルオロエチレン−ビニルエーテル共重合体のフ
ッ素樹脂を反射防止膜材料に用いることにより、入射光
の損失無しにレジスト層表面での反射光を低減し、かつ
レジスト層での光多重干渉によるパターン寸法の変動量
をレジスト単層に比べ１／２に抑えることができ得るこ
とを知見した。

【００１５】

【化４】 （式中、Ｒ¹は脂肪族もしくは芳香族の非置換又は置換
の１価炭化水素基を表わし、Ｒ²は２価の有機基を表わ
し、Ｒ³は炭素原子数４〜２０のパーフルオロアルキル
基もしくはパーフルオロアルキルエーテル基を表わ
す。）

【００１６】

【化５】 （式中、Ｒ²は２価の有機基を表わし、Ｒ³は炭素原子数
４〜２０のパーフルオロアルキル基もしくはパーフルオ
ロアルキルエーテル基を表わし、Ｒ⁴はメチル基もしく
は水素原子を表わす。）

【００１７】

【化６】 （式中、ａ／（ａ＋ｂ）＝０．１〜０．９、Ｒ⁵は置換
もしくは非置換芳香族基又は炭素数１〜２０のアルキル
基を表わす。）

【００１８】即ち、上記式（１）で示される側鎖フッ素
変性シロキサン構造を有したポリシロキサンを反射防止
膜層として用いるため膜形成をした場合、低屈折率（屈
折率；約１．４０）となり、また、上記式（２）で示さ
れる側鎖フッ素変性アルキルアクリル構造を有した共重
合体、上記式（３）で示されるパーフルオロエチレン−
ビニルエーテル共重合体を同様に膜形成した場合、低屈
折率（それぞれ、屈折率；約１．４４）であって、これ
ら樹脂をレジスト層の上層としたとき、光の反射率を大
幅に低減することができるのでレジスト像の寸法精度を
向上させることができ、かつレジスト層での光多重干渉
によるパターン寸法の変動量をレジスト単層に比べ１／
２に抑えることができる。しかも、上記式（１）、
（２）、（３）のフッ素系樹脂は、フロン以外のトルエ
ン、キシレン、ヘキサン、オクタン、デカリンといった
比較的極性の低い溶剤に容易に溶解するため、反射防止
膜形成が容易に行え、かつ反射防止膜の除去に際しても
前述の溶剤を用いて容易に完全に行えること、さらにレ
ジスト−反射防止膜界面でのインターミキシングを起こ
すことがなく、プロセス工程も問題なく、環境に安全で
あることを知見し、本発明をなすに至ったものである。

【００１９】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明は、基板上に形成したフォトレジスト層上に形成
され、露光後に溶剤で除去される透明な反射防止膜を形
成する反射防止膜材料において、炭化水素系の有機溶剤
に可溶なフッ素系樹脂を主成分とする反射防止膜材料を
提供する。

【００２０】ここで、上記フッ素系樹脂としては、下記
一般式（１）で示される側鎖フッ素変性シロキサン単位
を含有するポリシロキサンが好適に用いられる。

【００２１】

【化７】 （式中、Ｒ¹は脂肪族もしくは芳香族の非置換又は置換
の１価炭化水素基を表わし、Ｒ²は２価の有機基を表わ
し、Ｒ³は炭素原子数４〜２０のパーフルオロアルキル
基もしくはパーフルオロアルキルエーテル基を表わ
す。）

【００２２】Ｒ¹は脂肪族もしくは芳香族の非置換又は
置換の１価炭化水素基から選ばれるが、炭素数１〜１２
のもの、特に１〜８のもの、具体的にはメチル基、フェ
ニル基などが好ましい。

【００２３】Ｒ²はケイ素原子と含フッ素有機基Ｒ³との
間に介在する２価の基であり、例えば脂肪族不飽和結合
を有しない２価の炭化水素基あるいは下記一般式（４）
で示されるエーテル結合を有する２価の有機基である。
この場合、炭素数は１〜１２、特に１〜８が好ましい。 −Ｒ⁶−Ｏ−Ｒ⁷− …（４） （式中、Ｒ⁶及びＲ⁷は、脂肪族不飽和結合を有しない２
価の有機基である。）特に、好適な基は、−ＣＨ₂ＣＨ₂
−，−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂−，−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ
Ｈ₂−，−ＣＯＯ−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂−である。

【００２４】Ｒ³は、パーフルオロアルキル基又はパー
フルオロアルキルエーテル基であり、このパーフルオロ
アルキル基としては、−Ｃ_pＦ_2p+1（式中、ｐは４〜２
０の整数である）で表わされるものが例示され、好適に
は−Ｃ ₄Ｆ₉，−Ｃ ₈Ｆ₁₇，−Ｃ ₁₀Ｆ₂₁等である。パーフ
ルオロアルキルエーテル基としては、特に炭素原子数５
〜２０のものが例示され、好適には下記のものが例示さ
れる。

【００２５】

【化８】

【００２６】この場合、このポリシロキサンとしては、
上記式（１）以外の単位としてＲ⁸ ₂ＳｉＯ単位、Ｒ⁸Ｈ
ＳｉＯ単位、Ｒ⁸ＳｉＯ_3/2単位、ＳｉＯ_4/2単位、Ｒ⁸ ₃
ＳｉＯ_1/2単位のいずれか１又は２以上を有しているこ
とが好ましい。なお、Ｒ⁸は炭素数１〜１０の置換又は
非置換のアルキル基又はアリール基である。

【００２７】上記一般式（１）で示される側鎖フッ素変
性シロキサン単位は、ポリシロキサンの全シロキサン単
位の０．１〜５ｍｏｌ％が好ましく、特に０．１〜４ｍ
ｏｌ％が好ましい。この側鎖フッ素変性シロキサン単位
が０．１ｍｏｌ％未満であった場合、低屈折率の膜を得
ることはできず、５ｍｏｌ％以上の場合、炭化水素系の
有機溶剤への溶解性が乏しくなる。

【００２８】また、上記フッ素系樹脂として、下記一般
式（２）で表わされる側鎖フッ素変性アルキルアクリル
構造を有する共重合体も好適に用いられる。

【００２９】

【化９】 （式中、Ｒ²は２価の有機基を表わし、Ｒ³は炭素原子数
４〜２０のパーフルオロアルキル基もしくはパーフルオ
ロアルキルエーテル基を表わし、Ｒ⁴はメチル基もしく
は水素原子を表わし、Ｒ²，Ｒ³としては上記と同様のも
のを挙げることができる。）

【００３０】ここで、この共重合体は、上記式（２）の
側鎖フッ素変性アルキルアクリル構造単位と、これと共
重合可能な単位とからなり、この共重合可能な単位は上
記式（２）の単位と共重合できるものであればいずれの
ものでもよいが、好ましいものとしては以下のものが挙
げられる。

【００３１】

【化１０】 （Ｒ⁹はメチル基もしくは水素原子、Ｒ¹⁰は置換又は非
置換の炭素数１〜２０のアルキル基又はアリール基であ
る。）

【００３２】なお、側鎖フッ素変性アルキルアクリルエ
ステル構造の共重合比は１０〜９０ｍｏｌ％が良く、特
に３０〜６０ｍｏｌ％が好ましい。共重合比がこの範囲
より小さい共重合体の場合、低屈折率の膜を得ることが
できず、大きい場合は炭化水素系の有機溶剤に溶解し難
くなる。

【００３３】上記一般式（２）で表わされる側鎖フッ素
変性アルキルアクリル構造を有した共重合体は、パーフ
ルオロアルキルアクリル酸エステルもしくはパーフルオ
ロアルキルメタクリル酸エステルと、種々のアルキル基
を有したアクリル酸エステルもしくはメタクリル酸エス
テルの共重合によって容易に得ることができる。このと
きパーフルオロモノマーは、１種以上のモノマーと共重
合しても良い。

【００３４】更に、上記フッ素系樹脂としては、下記一
般式（３）で表わされるパーフルオロエチレン−ビニル
エーテル共重合体も好ましく用いられる。

【００３５】

【化１１】

【００３６】ここで、Ｒ⁵は置換もしくは非置換の芳香
族基又は炭素数１〜２０のアルキル基であり、具体的に
はメチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基
のような直鎖状アルキル基、イソプロピル基、イソブチ
ル基のような分枝状アルキル基、シクロヘキシル基のよ
うな環状アルキル基、水酸基、ハロゲン原子等を有する
アルキル基などが挙げられる。

【００３７】また、ａ／（ａ＋ｂ）＝０．１〜０．９が
好ましく、特に０．３〜０．６が好ましい。ａがこの範
囲より小さいと低屈折率の膜を得ることができず、大き
い場合炭化水素系の有機溶剤に溶解し難くなる。

【００３８】上記一般式（３）で表わされるパーフルオ
ロエチレン−ビニルエーテル共重合体は、テトラフルオ
ロエチレンと、種々のアルキルビニルエーテルの共重合
によって容易に得ることができる。このときテトラフル
オロエチレンは、１種以上のビニルエーテルと共重合し
ても良い。

【００３９】上記フッ素系樹脂は、比較的極性の低い有
機溶剤に溶解して用いることが好ましい。このような溶
剤としては上記のフッ素系樹脂を溶解するものであれば
どのような溶剤でも使用できるが、レジスト膜上へ塗布
するためレジスト膜を溶解する溶剤は避けるべきであ
る。具体的な溶剤の例としては、トルエン、キシレン、
エチルベンゼン、ヘキサン、オクタン、デカリン、塩化
メチレンといった比較的極性の低い炭化水素系溶剤を挙
げることができる。この場合、本発明者らは、上記のフ
ッ素系樹脂を種々の溶剤に溶解し、かつレジスト膜は全
く溶解しない炭化水素系有機溶剤を更に細かく探索した
結果、使用する有機溶剤の溶解度パラメーターが９．５
以下、特に９．０〜８．０が好ましいことを知見した。
即ち、有機溶剤の溶解度パラメーターが９．５を越える
とき、レジスト膜のベースポリマーを溶解してしまうた
め好ましくない。

【００４０】これらの溶剤に上記のフッ素系樹脂は１〜
５０重量％濃度で溶解させることが好ましく、特に１〜
４０重量％の範囲が好ましい。この範囲より濃度が高い
場合は、粘度が高くなり、成膜性が悪くなる。また、こ
の範囲未満では、反射防止膜としての機能が発揮されな
い恐れがあるので好ましくない。

【００４１】更に、本発明材料には、成膜性を向上させ
るために界面活性剤を添加させることが好ましい。界面
活性剤としては、ベタイン系界面活性剤、アミンオキサ
イド系界面活性剤、アミンカルボン酸塩系界面活性剤、
ポリオキシエチレンアルキルエーテル系界面活性剤、あ
るいはこれらのフッ素含有の界面活性剤を挙げることが
できる。界面活性剤の配合割合は、フッ素系樹脂の有機
溶剤全系に対し、０〜２重量％、特に０〜１重量％の範
囲が望ましい。

【００４２】ところで、本発明の反射防止材料を用いた
レジストパターンを形成するには、公知の方法を採用し
得、例えば図１に示すリソグラフィー工程により行うこ
とができる。まず、ケイ素ウエハー等の基板１上にスピ
ンコート等の方法でフォトレジスト層２を形成し、この
フォトレジスト層２の上に本発明の反射防止膜材料をス
ピンコート等の方法で塗布して反射防止層３を形成し、
反射防止層３に波長１９０〜５００ｎｍの紫外線もしく
はエキシマレーザー４を縮小投影法により所望のパター
ン形状に露光し、即ち図１（ｃ）においてＡ部分を露光
し、次いでトルエン、キシレン、ヘキサン、オクタン、
デカリンといった有機溶剤により反射防止層３を除去
し、現像液を用いて現像する方法によりレジストパター
ン５を形成することができる。

【００４３】この場合、反射防止層３は、３００〜２０
００Åの厚さ、特に２４８ｎｍの露光光の場合４２０
Å、１２７０Å程度の厚さに形成することが好ましい。

【００４４】図１に示した例においてはフォトレジスト
層２としてポジ型レジストを用いたのでＢ部分がレジス
トパターンとして残るが、フォトレジストとしては所定
波長の光に対して所定レベルのコントラスト閾値を示す
ものであればポジ型、ネガ型のいずれも使用することが
できる。

【００４５】ここで、本発明の反射防止材料による反射
防止膜の光散乱低減効果について図２，３を参照して説
明すると、図２に示すように、基板１にレジスト層２を
形成しただけでは、入射光Ｉ_oが空気−レジスト層界面
でかなりの反射（Ｉ_r1）が起こり、入射光量が損失する
と共に、レジスト層２内に入った光がレジスト層−基板
界面で反射（Ｉ_r2）し、この反射光Ｉ_r2がレジスト層−
空気界面で再度反射（Ｉ_r3）することが繰り返されるた
め、レジスト層で光多重干渉が生じる。

【００４６】これに対し、図３に示すように、レジスト
層２上に本発明の反射防止層３を形成することにより、
入射光Ｉ_oの空気−反射防止層界面での反射光Ｉ_r4、反
射防止層−レジスト界面での反射光Ｉ_r5を低減し得る。
このように、反射光Ｉ_r4，Ｉ_r5を低減し得るので入射光
量の損失が減少し、また反射光Ｉ_r6とＩ_r7は光の位相が
逆であるので互いに弱め合い、レジスト層２内での光多
重干渉が抑制される。

【００４７】即ち、反射防止の原理から、レジストの露
光光に対する屈折率をｎ、露光光の波長をλとすると、
反射防止膜の屈折率ｎ’を√ｎ、その膜厚をλ／４ｎ’
の奇数倍に近付けるほど、この反射防止の反射率（振幅
比）は低減する。従って、この場合、レジスト材料とし
てフェノールノボラック系の材料を用いると、その屈折
率は約１．６３であり、一方本発明の反射防止膜の屈折
率は約１．４３であり、更に波長３６５ｎｍ（ｉ線）の
光を用いる場合、反射防止膜の最適膜厚は約６３０Å，
１８９０Åであるから、かかる条件において、本発明の
反射防止膜を用いた場合における上記反射光の低減効
果、光多重干渉効果が有効に発揮されるものである。

【００４８】また、レジスト材料としてポリヒドロキシ
スチレン系の材料を用いると、その屈折率は約１．５６
であり、一方本発明の反射防止膜の屈折率は約１．４６
であり、更に波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー
を用いる場合、反射防止膜の最適膜厚は約４３０Å，１
２７０Åであるから、かかる条件において、本発明の反
射防止膜を用いた場合における上記反射光の低減効果、
光多重干渉効果が有効に発揮されるものである。

【００４９】

【発明の効果】本発明の反射防止材料は、入射光の損失
無しにレジスト層表面での反射光を低減し、かつレジス
ト層での光多重干渉によるパターン寸法の変動量を低減
する反射防止膜を形成する材料として有用である。

【００５０】

【実施例】以下、実施例を示して本発明を具体的に説明
するが、本発明は下記実施例に制限されるものではな
い。

【００５１】〔実施例１〕反射防止膜材料として、メチ
ル−ヘプタデカフルオロデシルシロキサン（３．７モル
％）／ジメチルシロキサン（９６．３モル％）コポリマ
ーの側鎖フッ素変性シロキサン樹脂の３．５％キシレン
溶液を用い、図１に示すリソグラフィー工程に従ってレ
ジストパターンを形成した。

【００５２】まず、ケイ素ウエハー等からなる基板１に
ＴＨＭＲ−ｉＰ２０００（東京応化工業（株）社製、ポ
ジ型レジスト）をスピンコート後プリベーク（９０℃，
９０秒）を行ってレジスト層２を形成し（図１
（ａ））、次にレジスト層２上に上記反射防止膜材料を
スピンコートして反射防止層３を膜厚６３０Åもしくは
１８９０Åで形成し（図１（ｂ））、縮小投影法により
Ａ部分に選択的に３６５ｎｍの紫外線４を露光した（図
１（ｃ））。その後、反射防止層３をキシレンを用いて
除去し、アルカリ現像液を用いて現像を行い、レジスト
パターン５を形成した（図１（ｄ））。得られたレジス
トパターンは、フォトレジストとの界面においてインタ
ーミキシングを起こすことなく、フォトレジスト単層リ
ソグラフィーでは約±１，０００Åあった寸法バラツキ
を約±５００Åまで低減することができた。

【００５３】〔実施例２〕反射防止膜材料として、メチ
ル−ヘプタデカフルオロデシルシロキサン（３．７モル
％）／ジメチルシロキサン（９６．３モル％）コポリマ
ーの側鎖フッ素変性シロキサン樹脂の３．５％キシレン
溶液を用い、図１に示すリソグラフィー工程に従ってレ
ジストパターンを形成した。

【００５４】まず、ケイ素ウエハー等からなる基板１に
化学増幅型ポジ型レジストをスピンコート後プリベーク
（１００℃，１２０秒）を行ってレジスト層２を形成し
（図１（ａ））、次にレジスト層２上に上記反射防止膜
材料をスピンコートして反射防止層３を膜厚４３０Åも
しくは１２９０Åで形成し（図１（ｂ））、縮小投影法
によりＡ部分に選択的に２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレ
ーザー４を露光した（図１（ｃ））。その後、反射防止
層３をキシレンを用いて除去し、アルカリ現像液を用い
て現像を行い、レジストパターン５を形成した（図１
（ｄ））。得られたレジストパターンは、フォトレジス
トとの界面においてインターミキシングを起こすことな
く、フォトレジスト単層リソグラフィーでは約±１，０
００Åあった寸法バラツキを約±５００Åまで低減する
ことができた。

【００５５】〔実施例３，４〕反射防止膜材料として、
メチル−ペンタフルオロエトキシオクタフルオロブチル
シロキサン（３．５モル％）／ジメチルシロキサン（９
６．５モル％）コポリマーの側鎖フッ素変性シロキサン
樹脂の３．５％キシレン溶液を用い、実施例１及び２と
同様にレジストパターンを形成したところ、同様な結果
が得られた。

【００５６】〔実施例５，６〕反射防止膜材料として、
ヘプタデカフルオロデシルアクリレート（４１モル％）
／アルキルアクリレート（５９モル％）コポリマーの側
鎖フッ素変性アルキルアクリル樹脂の３０．０％キシレ
ン溶液を用い、実施例１及び２と同様にレジストパター
ンを形成したところ、同様な結果が得られた。

【００５７】〔実施例７，８〕反射防止膜材料として、
ペンタフルオロエトキシオクタフルオロブチルアクリレ
ート（４２モル％）／アルキルアクリレート（５８モル
％）コポリマーの側鎖フッ素変性アルキルアクリル樹脂
の３０．０％キシレン溶液を用い、実施例１及び２と同
様にレジストパターンを形成したところ、同様な結果が
得られた。

【００５８】〔実施例９，１０〕反射防止膜材料とし
て、パーフルオロエチレン−ビニルエーテルのフッ素系
樹脂ルミフロンＬＦ−２００ｃ（旭硝子（株）社製）の
３０．０％キシレン溶液を用い、実施例１及び２と同様
にレジストパターンを形成したところ、同様な結果が得
られた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の反射防止材料を用いたリソグラフィー
工程を説明する断面図である。

【図２】反射防止膜を形成しないレジスト層の光散乱状
態を説明する断面図である。

【図３】本発明の反射防止材料を用いたレジスト層の光
散乱状態を説明する断面図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ フォトレジスト層 ３ 反射防止膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丸山 和政 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−１ 信越化学工業株式会社合成技術研究所内 (72)発明者 木下 博文 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 山口 浩一 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に形成したフォトレジスト層上に
   形成され、露光後に溶剤で除去される透明な反射防止膜
   を形成する反射防止膜材料において、炭化水素系の有機
   溶剤に可溶なフッ素系樹脂を主成分とすることを特徴と
   する反射防止膜材料。
2. 【請求項２】 フッ素系樹脂が、下記一般式（１）で示
   される側鎖フッ素変性シロキサン単位を少なくとも含有
   するポリシロキサンであり、屈折率が６３３ｎｍの波長
   光で１．４５以下であることを特徴とする請求項１記載
   の反射防止膜材料。 【化１】 （式中、Ｒ¹は脂肪族もしくは芳香族の非置換又は置換
   の１価炭化水素基を表わし、Ｒ²は２価の有機基を表わ
   し、Ｒ³は炭素原子数４〜２０のパーフルオロアルキル
   基もしくはパーフルオロアルキルエーテル基を表わ
   す。）
3. 【請求項３】 フッ素系樹脂が、下記一般式（２）で示
   される側鎖フッ素変性アルキルアクリル単位を有した共
   重合体であり、屈折率が６３３ｎｍの波長光で１．４５
   以下であることを特徴とする請求項１記載の反射防止膜
   材料。 【化２】 （式中、Ｒ²は２価の有機基を表わし、Ｒ³は炭素原子数
   ４〜２０のパーフルオロアルキル基もしくはパーフルオ
   ロアルキルエーテル基を表わし、Ｒ⁴はメチル基もしく
   は水素原子を表わす。）
4. 【請求項４】 フッ素系樹脂が、下記一般式（３）で示
   されるパーフルオロエチレン−ビニルエーテル共重合体
   であり、屈折率が６３３ｎｍの波長光で１．４５以下で
   あることを特徴とする請求項１記載の反射防止膜材料。 【化３】 （式中、ａ／（ａ＋ｂ）＝０．１〜０．９、Ｒ⁵は置換
   もしくは非置換芳香族基又は炭素数１〜２０のアルキル
   基を表わす。）
5. 【請求項５】 有機溶剤が、溶解度パラメーター９．５
   以下のものである請求項１乃至４のいずれか１項記載の
   反射防止膜材料。