JP4912180B2 - 露光・現像処理方法 - Google Patents
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Description
液浸露光後の洗浄において、ウエハ表面(具体的には保護膜の表面)に疑似のシミ(Drying Stain)を作製し、純水による洗浄(比較例1)と2−ブタノールによる洗浄(実施例1)を行った後のシミ(Drying Stain)の個数を調べたところ、図8に示すような結果が得られた。
純水による洗浄(比較例2)と2−ブタノールによる洗浄(実施例2)を行い、その後に現像処理を行った後のウエハ表面上のパーティクル数を調べたところ、図9に示すような結果が得られた。
レジストへのダメージを調べるために、洗浄液として、イソプロピルアルコール(IPA)(比較例3)、エタノール(比較例4)、2−ブタノール(実施例3)を用いてレジスト層の洗浄を行ったところ、図10に示すような結果が得られた。
液浸露光後の保護膜に付着するパーティクルの保護膜剥離後の転写メカニズムについて、表面電位に着目して、上記実施形態の洗浄液(2−ブタノール)を用いて現像処理前に保護膜を剥離する方法(実施例A)と、従来の現像処理(現像液+純水リンス)により保護膜を剥離する方法(比較例B)とを比較して、表面電位とパーティクル転写率(パーティクル除去率)を調べたところ、表1に示すような結果が得られた。なお、実験条件として、レジストを塗布した基板(以下に基板Wという)上をSi片パーティクルにて汚染させ、パーティクル測定(パーティクル測定サイズ:100nm以上)を実施した。この場合、表面電位測定は、ケルビン法(振動容量法)を用いた。
R レジスト層
TC トップ反射防止膜(保護膜)
1 キャリアステーション
2 処理部
3 インターフェース部
4 露光部
24 トップ反射防止膜(保護膜)塗布ユニット
25 レジスト塗布ユニット
26 現像ユニット
34 洗浄装置
45A,45B 第1,第2の洗浄液供給ノズル
50A 加熱・冷却ユニット
50 熱処理装置
70 コントローラ(制御手段)
Claims (5)
- レジスト層の表面に現像液可溶型の材料からなる保護膜が積層された被処理基板の表面に、光を透過する液層を形成した状態で被処理基板の表面を露光した後、露光された被処理基板の表面を現像する露光・現像処理方法において、
上記露光後の現像前に、上記被処理基板の表面を、上記保護膜の溶媒からなる洗浄液である、2−ブタノール,イソブタノール,n−デカン,2−オクタノール,n−ペンタノール,イソブチルアルコール,ジイソアミルエーテル,2−メチル−1−ブタノール,ジブチルエーテル,2−メチル−2−ブタノール,2−メチル−4−ペンタノール,4−メチル−2−ペンタノール又は上記洗浄液の混合液のいずれかにより洗浄する洗浄工程を有する、ことを特徴とする露光・現像処理方法。 - 請求項1記載の露光・現像処理方法において、
上記洗浄工程の後に、レジストの膜厚,反応を安定にすべく被処理基板を所定温度で加熱する加熱工程を更に有する、ことを特徴とする露光・現像処理方法。 - 請求項1又は2記載の露光・現像処理方法において、
上記洗浄工程において、洗浄液により保護膜の表層部を剥離する、ことを特徴とする露光・現像処理方法。 - 請求項1又は2記載の露光・現像処理方法において、
上記洗浄工程において、洗浄液により保護膜の全部を剥離する、ことを特徴とする露光・現像処理方法。 - 請求項4記載の露光・現像処理方法において、
上記保護膜の全部が剥離された被処理基板の洗浄処理後から加熱処理開始までの時間を一定に制御する、ことを特徴とする露光・現像処理方法。
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