JP2831607B2 - ホトマスクをクリーニングする方法および装置 - Google Patents

ホトマスクをクリーニングする方法および装置

Info

Publication number
JP2831607B2
JP2831607B2 JP33534595A JP33534595A JP2831607B2 JP 2831607 B2 JP2831607 B2 JP 2831607B2 JP 33534595 A JP33534595 A JP 33534595A JP 33534595 A JP33534595 A JP 33534595A JP 2831607 B2 JP2831607 B2 JP 2831607B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
photomask
contaminants
particle
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP33534595A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08254817A (ja
Inventor
マウラー ヴィルヘルム
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of JPH08254817A publication Critical patent/JPH08254817A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2831607B2 publication Critical patent/JP2831607B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体リソグラフ
ィーの間欠陥を惹起しうる望ましくない粒子をホトマス
クから除去する方法および装置に関する。詳言すれば、
本発明はホトマスク上の欠陥粒子を確認し、クリーニン
グプローブを、該粒子を１つずつ物理的に除去するため
に急送する方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ホトマスク上の望ましくない粒子の存在
は、汚染されたホトマスクを半導体リソグラフィーに使
用する場合、半導体ウエーハ中に相応する欠陥を生起し
うる。多数の半導体装置において使用される高度の小型
化のため、極めて小さい粒子さえも、得られる半導体装
置を役に立たなくする。
【０００３】ホトマスクは、しばしば多数回長期にわた
って使用される。ホトマスクを使用の間清浄に保つため
に、代表的にはホトマスク上に保護薄膜層が設けられ
る。保護薄膜層は、代表的にはフレームにより支持され
た透明な膜である。薄膜層は、ホトマスクから所定距離
に保持されるので、マスク上に落下する粒子は薄膜層上
に捕捉され、***しないようにするため、リソグラフィ
ーの間焦点外に保たれる。
【０００４】粒子が保護薄膜層を通過する場合、薄膜層
は代表的には除去され、廃棄される。次ぎに、ホトマス
クはクリーニングされ、新しい薄膜層がホトマスク上に
配置される。もとの薄膜層を廃棄し、ホトマスクをクリ
ーニングし、薄膜層を取り替える費用が、ホトマスクを
使用し、維持する費用に大きく加わる。
【０００５】先行技術の記録においては、薄膜層を除去
した後または薄膜層を最初に適用するに先立ち、ホトマ
スクを洗滌するか、さもなくばクリーニングするために
使用される多数の装置が存在する。かかる先行技術の装
置は、アベ（Ａｂｅ）等の米国特許第４７１５３９２号
（名称：ホトマスクまたはレティクル自動洗滌およびク
リーニングシステム）およびニシザワ（Ｎｉｓｉｚａｗ
ａ）の米国特許第４８１１４４３号（名称：基板の両面
を洗滌する装置）により例示されている。かかる先行技
術の洗滌装置の問題は、該装置が限られたパーセントの
欠陥ゼロのホトマスクを製造するにすぎないことであ
る。高パーセントのホトマスクは限られた欠陥を有して
製造される。この限られた欠陥を有するホトマスクは、
その欠陥状態で使用するかまたは廃棄するかまたは再び
洗滌される。ホトマスクの多数回洗滌と関連した問題
は、洗滌操作の繰返し実施に包含される時間および労力
である。さらに、最初の洗滌により除去されなかった欠
陥粒子は、次ぎの洗滌に対し鈍感になるという特性を有
する傾向がある。ホトマスクの多数回洗滌に有効な費用
も有効な時間も存在しないことを認識して、最初の洗滌
操作を切り抜ける欠陥粒子を標的にして除去するため
に、補足的先行技術の装置が開発された。通常の先行技
術のアプローチは、欠陥粒子を焼却するためにレーザー
を使用することである。かかる先行技術の装置は、アッ
シュ（Ａｓｃｈ）等の米国特許第４９８０５３６号（名
称：レーザー衝撃による固体状態の表面からの粒子の除
去）およびボー（Ｖａｕｇｈｔ）の米国特許第５０２３
４２４号（名称：衝撃波粒子除去方法および装置）によ
り例示されている。しかし、レーザーの使用は欠点を有
する。それと言うのも除去された粒子は燃焼する際に残
留物を残すかまたは燃焼しないからである。さらに、特
定のホトマスクに対してレーザーからのエネルギーは強
すぎ、標的粒子が除去される前にホトマスクを損傷しう
る。しかし、レーザーの使用は好ましく、その欠点は無
視された。それというのもこれは、存在する薄膜層を廃
棄しなければならないことなくホトマスクから欠点を除
去する多くの実際的方法の１つであるからである。レー
ザーは薄膜層を通り、その下にあるホトマスク上に簡単
に集束される。
【０００６】ホトマスクから汚染物を除去するもう１つ
の先行技術の方法は、空気振動の使用による。かかる先
行技術のシステムは、ハギンス（Ｈｕｇｇｉｎｓ）の米
国特許第４６６７７０４号（名称：静電帯電された半導
体ウエーハ表面に対するクリーニングシステム）により
例示されている。空気力システムは複雑であり、しばし
ば強固に付着した汚染物粒子を、汚染物の存在する基板
を損傷せずに除去することは不可能である。また、この
方法もホトマスクを保護する薄膜層の除去を必要とす
る。
【０００７】ホトマスクから汚染物粒子を除去するため
に静電力も使用される。先行技術の静電装置は代表的に
は、ホトマスク上に存在する任意の汚染物粒子およびす
べての汚染物粒子を引きつけることが望まれる、ホトマ
スクの全面積にわたり帯電面を適用する。かかる先行技
術のシステムは、クーパー（Ｃｏｏｐｅｒ）等の米国特
許第４７４４８３３号（名称：汚染物の静電除去）によ
り例示されている。かかるシステムの問題は、ホトマス
ク上に帯電板を置くことにより、ホトマスク上に押し付
けられた粒子がホトマスクの最上位にあるこれら粒子よ
りも小さい引力に曝されることである。さらに帯電板
は、ホトマスクとの物理的接触を避けかつ特定の電気的
アークの問題を避けるために、ホトマスクから所定距離
にもたらすことができるにすぎない。静電システムを使
用するためには、薄膜層を再び除去しなければならない
ので、汚染物粒子が静電帯電された表面に到達しうる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】それ故、先行技術の装
置に特有の問題を考慮して、本発明の１つの目的はホト
マスクから汚染物粒子を、一度に１つの粒子を除去し、
これによりホトマスクに付随する損傷の懸念なしにすべ
ての欠陥を積極的に除去する装置および方法を提供する
ことである。
【０００９】本発明のもう１つの目的は、ホトマスクを
保護するために使用した保護薄膜層を除去および廃棄し
なければならないことなしに、ホトマスクをクリーニン
グするための装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、ホトマスクの
ような目的物から顕微鏡的粒子を除去するための装置お
よびそれと関連した方法である。装置は、ホトマスクを
検査しかつホトマスク上の汚染物粒子の位置を確認する
ための検査装置を利用する。ひとたび粒子汚染物の位置
が確認されると、プローブは１つの粒子汚染物の位置に
急送される。プローブはホトマスクとホトマスク上に位
置する薄膜層との間の隙間中へ伸びる。プローブがホト
マスクから粒子汚染物を除去し、クリーニング区画室に
移動し、この室中で粒子汚染物がプローブから除去され
る。次いでプローブは、すべての汚染物がホトマスクか
ら除去されるまで、次ぎの粒子汚染物に移動される。ホ
トマスクから粒子汚染物を１つずつ除去することによっ
て、すべての粒子を、ホトマスク上に配置された保護薄
膜層を除去または損傷することなしに除去することがで
きる。本発明は、下記の詳細な記載、上記の従来の技術
および請求項を参照し、添付図面と関連して考慮するこ
とにより十分に理解される。
【００１１】
【実施例】本発明は、半導体ウエーハ、プリント回路等
のような目的物から汚染物粒子を除去することが望まし
い多数の異なる適用分野において使用することができる
が、本発明は殊にホトマスクのクリーニングにおける使
用に適当である。従って、本発明の装置および方法を、
ホトマスクと関連して記載し、これにより本発明に意図
された最良の態様を提示する。
【００１２】図１に関し、フレームアセンブリ１６によ
りホトマスク１０の上面の上に懸架された保護薄膜層１
２を有するホトマスク１０が示されている。フレームア
センブリ１６は、選択的に開閉することのできる少なく
とも１つの開口１８を有する。図示の実施例は１側面だ
けに開口１８を有するフレームアセンブリ１６を示す
が、類似の開口は任意数の側面に存在しうることは明ら
かである。図示の実施例において、開口１８は、２つの
重なり薄膜材料片１９ａ，１９ｂから形成される。以下
に説明するように、プローブまたは他の物体が開口１８
中へ侵入する場合、重なり部片１９ａ，１９ｂは分離す
る。プローブが取り除かれた場合、重なり部片１９ａ，
１９ｂはそのもとの配列に戻り、これによりホトマスク
１０の直接上方の環境を隔離する。
【００１３】図２に関し、自動的クリーニングアセンブ
リ３０が示されている。ホトマスク１０は、手によるか
または自動的装填機構によって支持台３２上に置かれ
る。支持台３２は、ホトマスク１０を検査位置とクリー
ニング位置との間で移動させる駆動機構３４に結合され
ている。最初に、ホトマスク１０は検査位置に置かれ、
ここでホトマスク１０が粒子汚染物につき検査される。
ホトマスクを粒子汚染物につき検査するための一般に使
用される多数の方法が存在する。１つの普通の検査技術
はレーザ走査顕微鏡法を使用する。レーザ走査顕微鏡法
による粒子汚染物を検出するために使用される装置およ
び方法の記述は、アルフォード（Ａｌｆｏｒｄ）等（Ｐ
ｒｏｃ．ＩＥＥＥ，ｖｏｌ．７０，ｐｐ．６４１〜６５
１、１９８２年６月）によるレーザ走査顕微鏡法なる表
題の論文に示されている。
【００１４】一度ホトマスクが検査されたら、ホトマス
ク１０はクリーニング位置に移動され、ここでプローブ
４０が、開口１８を通して薄膜枠１６中に置かれる。そ
の結果として、プローブ４０の先端が薄膜層１２とホト
マスク１０の間に配置される。検査の間に見出された粒
子汚染物の位置は、中央処理装置（ＣＰＵ）４５に読み
込まれる。プローブ４０は、水平ＸＹ面ならびに垂直Ｚ
面内でプローブ４０を移動させることのできる駆動機構
４６により移動される。駆動機構４６は、ＣＰＵ４５に
結合されていて、これにより選択された粒子汚染物の座
標はＣＰＵから駆動機構４６に読取られる。ＵＰＣ４５
の制御により、プローブ４０は、水平ＸおよびＹ面によ
りホトマスク１０上の任意の点に移動させることができ
る。次ぎにプローブ４０の先端４１が、垂直面によりホ
トマスク１０上の標的汚染粒子に接触するかまたは殆ど
接触する点に下げられる。
【００１５】プローブ４０は若干の形を有することがで
きかつ種々の技術を用いてホトマスク上の汚染物粒子に
結合することができる。たとえば、プローブの先端４１
は実際にホトマスク１０上の汚染物粒子に接触し、該粒
子を表面張力、付着、静電的相互作用等を使用して除去
に努めることができる。プローブ４０は、ホトマスク１
０上の汚染物粒子と結合して、ホトマスク上に残留物を
留めることなく除去することのできる接着剤で塗布され
ていてもよい。もう１つの実施例においては、プローブ
４０は真空源に所属した中央毛管を有することができ、
この中で汚染物粒子を空気力でプローブ４０中に引き込
むことができる。汚染物粒子に物理的に接触するのは、
粒子の移動および除去を確実にする最も有効な方法であ
る。しかし、ホトマスク上の粒子に物理的に接触するこ
とにより、もろいホトマスクの損傷する機会が著しく増
加する。その結果、好ましい実施例においては、プロー
ブ４０の先端４１は、粒子に物理的に接触することな
く、汚染物粒子の極めて近くにもたらされる。次ぎに、
プローブ４０は分極され、静電力が汚染物粒子をホトマ
スクから引き離し、プローブ４０上にもたらすために使
用される。
【００１６】ひとたびプローブ４０がホトマスク１０か
ら後退すると、プローブ４０はクリーニング室４７中へ
向かう。クリーニング室４７中で、プローブ４０はプロ
ーブ４０から汚染物粒子を除去するためクリーニングさ
れる。プローブ４０は任意の通常の方法でクリーニング
することができるが、好ましい実施例においてはプロー
ブから粒子を反発させ、粒子を取外し可能な濾過板４８
上へ引きつけるために静電力が使用される。取外し可能
な濾過板４８は取り替えるかまたは必要に応じクリーニ
ングすることができる。
【００１７】図３に関し、ホトマスクをクリーニングす
る本発明方法の論理的流れが表わされている。例示され
た方法は、先に説明した装置の好ましい実施例に対する
方法である。ブロック５０および５１から認められるよ
うに、ホトマスクは通常の技術を用いて製造され、クリ
ーニングされる。ホトマスクをクリーニングした後、ホ
トマスクは検査室に入れられ、ここで汚染物につき検査
される（ブロック５２参照）。ブロック５３により表わ
されているように、汚染物粒子が見出されない場合に
は、ホトマスクはゼロ欠陥を有するものと推測され、使
用準備ができている。汚染物粒子が見出された場合に
は、これら粒子のＸおよびＹ座標が中央制御装置により
読み取られる（ブロック５４参照）。ブロック５５に関
し、確認された粒子のＸおよびＹ座標はプローブをこれ
ら座標に駆動するために使用されることを認めることが
できる。プローブの尖端が確認された粒子の座標に到達
すると、プローブは該粒子をプローブに引き付けるため
に粒子の極めて近くにもたらされる（ブロック５６参
照）。ブロック５７および５８に関して、プローブは取
り除かれ、プローブの先端がクリーニングされる。ブロ
ック５９において、ブロック５２の検査処理で見出され
た予め確認された粒子の幾つかがスクリーン上に残って
いれば、ブロック５４の操作が繰り返される。しかしな
がら、ブロック５２の検査処理で見出された予め確認さ
れた粒子の全てが除去されると、ホトマスクは再びブロ
ック５２の処理に基づき検査される。粒子が見出されな
い場合（ブロック５２）には、ホトマスクは使用準備が
できている。
【００１８】ここに記載した本発明の詳細な実施例はた
んに例示的なもので、本発明の最良の態様を表わすため
に存在することは明らかである。しかし、当業者は機能
的に等価の成分および工程を使用することにより、記載
された実施例に対し多数の変更および修正を行なうこと
ができる。すべてのかかる変更、修正および実施例は、
請求項に記載されているような本発明の範囲内と考慮さ
れるものとする。
【図面の簡単な説明】
【図１】フレームおよび保護薄膜層を有するホトマスク
の概略断面図
【図２】本発明の１つの好ましい実施例の概略ブロック
線図
【図３】本発明の好ましい実施例の操作方法を示す論理
的流れ図
【符号の説明】
１０ ホトマスク １２ 保護薄膜層 １４ 上面 １６ フレームアセンブリ １８ 開口 １９ａ，ｂ 重なり ３０ クリーニングアセンブリ ３２ 支持台 ３４ 駆動機構 ４０ プローブ ４１ プローブの先端 ４５ 中央処理装置 ４６ 駆動機構 ４７ クリーニング室 ４８ 濾過板 ５０〜５９ ブロック
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−204648（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−231248（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−29175（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−159730（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−244046（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−27643（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−273922（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 1/08 H01L 21/027

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 薄膜層により保護されたホトマスクの表
    面から粒子汚染物を除去する装置において、 ホトマスクと薄膜層との間に位置決め可能なプローブ
    と、 ホトマスク上の粒子汚染物の位置を決定する位置決定手
    段と、 前記位置決定手段に応答して、プローブを粒子汚染物に
    近接して位置決めする位置決め手段とを有し、前記プロ
    ーブが該プローブと協働する、粒子汚染物と結合しかつ
    除去するための手段を有する ことを特徴とする、薄膜層
    により保護されたホトマスクの表面から粒子汚染物を除
    去する装置。
  2. 【請求項２】 位置決定手段が粒子汚染物の位置を演算
    するためのマイクロプロセッサを有し、該マイクロプロ
    セッサはプローブを選択的に粒子汚染物の位置に移動さ
    せる位置決め手段を制御する、請求項１記載の装置。
  3. 【請求項３】 プローブが静電荷を維持するように分極
    されている、請求項１記載の装置。
  4. 【請求項４】 さらに、プローブから粒子汚染物をクリ
    ーニングするための手段を有する、請求項１記載の装
    置。
  5. 【請求項５】 プローブが、近接して位置決めされたプ
    ローブから僅かに離れた粒子汚染物を該プローブに引付
    けるための手段を有し、それにより粒子汚染物質をホト
    マスクから除去する、請求項１記載の装置。
  6. 【請求項６】 プローブが、近接して位置決めされたプ
    ローブと接触する粒子汚染物を該プローブに付着させる
    ための手段を有し、それにより粒子汚染物質をホトマス
    クから除去する、請求項１記載の装置。
JP33534595A 1994-12-27 1995-12-22 ホトマスクをクリーニングする方法および装置 Expired - Fee Related JP2831607B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US36416594A 1994-12-27 1994-12-27
US08/364165 1994-12-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08254817A JPH08254817A (ja) 1996-10-01
JP2831607B2 true JP2831607B2 (ja) 1998-12-02

Family

ID=23433334

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33534595A Expired - Fee Related JP2831607B2 (ja) 1994-12-27 1995-12-22 ホトマスクをクリーニングする方法および装置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5634230A (ja)
EP (1) EP0720050B1 (ja)
JP (1) JP2831607B2 (ja)
KR (1) KR100485024B1 (ja)
AT (1) ATE180901T1 (ja)
DE (1) DE69510023T2 (ja)
HK (1) HK1004992A1 (ja)
TW (1) TW285721B (ja)

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6353219B1 (en) 1994-07-28 2002-03-05 Victor B. Kley Object inspection and/or modification system and method
US6337479B1 (en) * 1994-07-28 2002-01-08 Victor B. Kley Object inspection and/or modification system and method
US6339217B1 (en) 1995-07-28 2002-01-15 General Nanotechnology Llc Scanning probe microscope assembly and method for making spectrophotometric, near-field, and scanning probe measurements
US5751683A (en) * 1995-07-24 1998-05-12 General Nanotechnology, L.L.C. Nanometer scale data storage device and associated positioning system
EP1012584A4 (en) * 1997-01-21 2006-10-04 Rave L L C SYSTEM AND METHOD FOR MONITORING AND / OR MODIFYING OBJECTS
US6076216A (en) * 1997-08-04 2000-06-20 Ben-Gurion University Of Negev Apparatus for dust removal from surfaces
US5938860A (en) 1997-08-28 1999-08-17 Micron Technology, Inc. Reticle cleaning without damaging pellicle
JP3920429B2 (ja) * 1997-12-02 2007-05-30 株式会社ルネサステクノロジ 位相シフトフォトマスクの洗浄方法および洗浄装置
US7196328B1 (en) 2001-03-08 2007-03-27 General Nanotechnology Llc Nanomachining method and apparatus
US6802646B1 (en) 2001-04-30 2004-10-12 General Nanotechnology Llc Low-friction moving interfaces in micromachines and nanomachines
US6752008B1 (en) 2001-03-08 2004-06-22 General Nanotechnology Llc Method and apparatus for scanning in scanning probe microscopy and presenting results
US6787768B1 (en) 2001-03-08 2004-09-07 General Nanotechnology Llc Method and apparatus for tool and tip design for nanomachining and measurement
DE19815872C1 (de) * 1998-04-08 1999-07-15 Siemens Ag Musterzeichner für Maskenblank
US6356653B2 (en) * 1998-07-16 2002-03-12 International Business Machines Corporation Method and apparatus for combined particle location and removal
GB9821826D0 (en) * 1998-10-08 1998-12-02 Magna Specialist Confectioners Moulding hollow articles
IL127720A0 (en) 1998-12-24 1999-10-28 Oramir Semiconductor Ltd Local particle cleaning
AU6061100A (en) * 1999-07-01 2001-01-22 General Nanotechnology, Llc Object inspection and/or modification system and method
US6827816B1 (en) * 1999-12-16 2004-12-07 Applied Materials, Inc. In situ module for particle removal from solid-state surfaces
DE10039337A1 (de) * 2000-08-04 2002-02-28 Infineon Technologies Ag Kombination von abtastenden und abbildenden Methoden bei der Überprüfung von Photomasken
JP3479838B2 (ja) * 2000-10-19 2003-12-15 日本電気株式会社 パターン修正方法及びパターン修正装置
US6931710B2 (en) 2001-01-30 2005-08-23 General Nanotechnology Llc Manufacturing of micro-objects such as miniature diamond tool tips
US20020170897A1 (en) * 2001-05-21 2002-11-21 Hall Frank L. Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser
US7053369B1 (en) * 2001-10-19 2006-05-30 Rave Llc Scan data collection for better overall data accuracy
US6813937B2 (en) 2001-11-28 2004-11-09 General Nanotechnology Llc Method and apparatus for micromachines, microstructures, nanomachines and nanostructures
EP1329770A1 (en) * 2002-01-18 2003-07-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7008487B1 (en) 2002-03-04 2006-03-07 Micron Technology, Inc. Method and system for removal of contaminates from phaseshift photomasks
JP2003302745A (ja) * 2002-04-12 2003-10-24 Dainippon Printing Co Ltd 異物の無害化方法
US6948537B2 (en) 2002-05-31 2005-09-27 John Jones Systems and methods for collecting a particulate substance
JP2005538855A (ja) * 2002-09-09 2005-12-22 ジェネラル ナノテクノロジー エルエルシー 走査型プローブ顕微鏡の流体送達
US6829035B2 (en) * 2002-11-12 2004-12-07 Applied Materials Israel, Ltd. Advanced mask cleaning and handling
JP2005084582A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Sii Nanotechnology Inc フォトマスクのパーティクル除去方法
WO2005116758A2 (en) * 2004-05-28 2005-12-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Cleaning a mask substrate
JP4739244B2 (ja) * 2007-01-23 2011-08-03 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 パーティクル除去方法
US7993464B2 (en) * 2007-08-09 2011-08-09 Rave, Llc Apparatus and method for indirect surface cleaning
US11311917B2 (en) 2007-08-09 2022-04-26 Bruker Nano, Inc. Apparatus and method for contamination identification
US8287653B2 (en) * 2007-09-17 2012-10-16 Rave, Llc Debris removal in high aspect structures
US10330581B2 (en) 2007-09-17 2019-06-25 Rave Llc Debris removal from high aspect structures
US10618080B2 (en) 2007-09-17 2020-04-14 Bruker Nano, Inc. Debris removal from high aspect structures
US10384238B2 (en) 2007-09-17 2019-08-20 Rave Llc Debris removal in high aspect structures
US20090183322A1 (en) * 2008-01-17 2009-07-23 Banqiu Wu Electrostatic surface cleaning
KR101053450B1 (ko) * 2008-09-26 2011-08-03 참엔지니어링(주) 마스크 리페어 장치 및 방법
TWI369546B (en) 2008-12-03 2012-08-01 Au Optronics Corp Light guide plate microstructure
JP2010210527A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Horiba Ltd 異物検査除去装置及び異物検査除去プログラム
JP5481401B2 (ja) 2011-01-14 2014-04-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡
JP6045787B2 (ja) * 2011-12-05 2016-12-14 Ntn株式会社 異物除去装置および異物除去方法
US10459353B2 (en) 2013-03-15 2019-10-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography system with an embedded cleaning module
DE102014020027B3 (de) 2013-03-15 2023-03-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithographiesystem mit eingebettetem reinigungsmodul sowie verfahren
CN105467777A (zh) * 2015-12-14 2016-04-06 深圳市华星光电技术有限公司 曝光机及光罩洁净设备
TWI770024B (zh) * 2016-05-20 2022-07-11 美商瑞弗股份有限公司 決定粒子及從基板移除之粒子的組成物的方法
TWI787181B (zh) * 2016-05-20 2022-12-21 美商瑞弗股份有限公司 從高深寬比結構移除碎片
DE102017208103A1 (de) * 2017-05-15 2018-11-15 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Verfahren zur automatischen Entfernung von Fremdkörpern aus einer flüssigen Beschichtung eines Substrats
EP3655819A1 (en) * 2017-07-21 2020-05-27 Carl Zeiss SMT GmbH Method and apparatuses for disposing of excess material of a photolithographic mask
DE102018206278A1 (de) 2018-04-24 2019-10-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Entfernen eines Partikels von einer photolithographischen Maske
DE102018210098B4 (de) 2018-06-21 2022-02-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Untersuchen und/oder zum Bearbeiten einer Probe
US11062898B2 (en) 2018-07-30 2021-07-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Particle removal apparatus, particle removal system and particle removal method
US11017996B2 (en) * 2019-04-05 2021-05-25 Asm Technology Singapore Pte Ltd Automated particle removal system
US11600484B2 (en) * 2019-08-22 2023-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Cleaning method, semiconductor manufacturing method and a system thereof
JP6827509B1 (ja) * 2019-10-11 2021-02-10 浜松ホトニクス株式会社 ミラーデバイスの製造方法、及び、ミラーユニットの製造方法
CN112230511A (zh) * 2020-10-21 2021-01-15 上海华力集成电路制造有限公司 光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3877371A (en) * 1972-09-28 1975-04-15 Precision Screen Machines Screen printing lint removing apparatus and method
JPS5938090B2 (ja) * 1981-02-12 1984-09-13 一雄 坂東 プラスチック成形金型面のクリ−ニング装置
DE3145278C2 (de) * 1981-11-14 1985-02-14 Schott-Zwiesel-Glaswerke Ag, 8372 Zwiesel Verfahren zum berührungslosen Abtragen von Material von der Oberfläche eines Glasgegenstandes und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
JPH0750664B2 (ja) * 1983-06-23 1995-05-31 富士通株式会社 レチクルの検査方法
US4470508A (en) * 1983-08-19 1984-09-11 Micro Lithography, Inc. Dustfree packaging container and method
US4715392A (en) * 1983-11-10 1987-12-29 Nippon Kogaku K. K. Automatic photomask or reticle washing and cleaning system
JPS61159730A (ja) * 1985-01-08 1986-07-19 Oki Electric Ind Co Ltd エマルジヨンマスクのパ−テイクル除去方法
US4776462A (en) * 1985-09-27 1988-10-11 Canon Kabushiki Kaisha Container for a sheet-like article
JP2531581B2 (ja) * 1985-10-30 1996-09-04 ダイセル化学工業株式会社 光デイスクの表面浄化方法および浄化具
US4677704A (en) * 1986-04-22 1987-07-07 Huggins Richard A Cleaning system for static charged semiconductor wafer surface
JPS62272258A (ja) * 1986-05-21 1987-11-26 Hitachi Ltd 異物除去装置
US4737387A (en) * 1986-07-07 1988-04-12 Yen Yung Tsai Removable pellicle and method
JPH0695508B2 (ja) * 1986-11-28 1994-11-24 大日本スクリ−ン製造株式会社 基板の両面洗浄装置
US4744833A (en) * 1987-06-11 1988-05-17 International Business Machines Corporation Electrostatic removal of contaminants
DE3721940A1 (de) * 1987-07-02 1989-01-12 Ibm Deutschland Entfernen von partikeln von oberflaechen fester koerper durch laserbeschuss
JP2642637B2 (ja) * 1987-08-18 1997-08-20 三井石油化学工業 株式会社 防塵膜
JPH02244046A (ja) * 1988-11-22 1990-09-28 Seiko Epson Corp フォトマスク及び半導体装置の製造方法
US5000203A (en) * 1989-04-07 1991-03-19 Nitto Denko Corp. Foreign matter removing method
CA2031776A1 (en) * 1989-12-08 1991-06-09 Masanori Nishiguchi Pickup method and the pickup apparatus for chip-type part
JPH03204648A (ja) * 1990-01-08 1991-09-06 Seiko Epson Corp 異物除去方法
US5023424A (en) * 1990-01-22 1991-06-11 Tencor Instruments Shock wave particle removal method and apparatus
JPH03231248A (ja) * 1990-02-06 1991-10-15 Seiko Epson Corp 異物検査装置及び露光装置
US5168001A (en) * 1991-05-20 1992-12-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Perfluoropolymer coated pellicle
JP3089590B2 (ja) * 1991-07-12 2000-09-18 キヤノン株式会社 板状物収納容器およびその蓋開口装置
JPH0629175A (ja) * 1992-07-08 1994-02-04 Seiko Epson Corp マスク異物検査装置と半導体装置の製造方法
JPH0627643A (ja) * 1992-07-08 1994-02-04 Seiko Epson Corp フォトマスクおよび半導体装置の製造方法
JP3200776B2 (ja) * 1992-08-06 2001-08-20 大日本印刷株式会社 基板保持用ケース
US5361453A (en) * 1992-09-11 1994-11-08 Gerber Garment Technology, Inc. Bristle bed cleaner for sheet material cutting machine
JP3251665B2 (ja) * 1992-11-12 2002-01-28 大日本印刷株式会社 位相シフト層を有するフォトマスクの修正方法
JPH06273922A (ja) * 1993-03-22 1994-09-30 Nippon Precision Circuits Kk マスク保護用ペリクル
US5350428A (en) * 1993-06-17 1994-09-27 Vlsi Technology, Inc. Electrostatic apparatus and method for removing particles from semiconductor wafers

Also Published As

Publication number Publication date
EP0720050A2 (en) 1996-07-03
DE69510023T2 (de) 1999-10-21
KR960026110A (ko) 1996-07-22
JPH08254817A (ja) 1996-10-01
EP0720050B1 (en) 1999-06-02
KR100485024B1 (ko) 2005-08-03
ATE180901T1 (de) 1999-06-15
TW285721B (ja) 1996-09-11
HK1004992A1 (en) 1998-12-18
EP0720050A3 (en) 1996-11-20
US5634230A (en) 1997-06-03
DE69510023D1 (de) 1999-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2831607B2 (ja) ホトマスクをクリーニングする方法および装置
US11378894B2 (en) Lithography system with an embedded cleaning module
US6856376B2 (en) Lithographic apparatus, apparatus cleaning method, device manufacturing method and device manufactured thereby
US5584938A (en) Electrostatic particle removal and characterization
US7297895B2 (en) Apparatus for removal of minute particles from a surface using thermophoresis to prevent particle redeposition
EP1329773A2 (en) Lithographic apparatus, apparatus cleaning method, and device manufacturing method
JP2000228439A (ja) ステージ上のパーティクル除去方法及び清掃板
US5953107A (en) Mask pellicle remove tool
JPH09330895A (ja) 静電粒子除去装置
DE102014102651B4 (de) Lithographiesystem mit eingebettetem Reinigungsmodul und Lithographie-Belichtungsverfahren
JPH11224895A (ja) パーティクル除去用円板治具及びこれを用いたパーティクル管理方法
JP2004327485A (ja) 露光用マスクの異物除去方法
US6486072B1 (en) System and method to facilitate removal of defects from a substrate
JPH0582411A (ja) 半導体露光装置
CN112230511A (zh) 光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法
US6490032B1 (en) Method and apparatus for improving a dark field inspection environment
JP2555783B2 (ja) レチクル・マスクの防塵方法
US6635390B1 (en) Method and system for reducing particulate contamination in a pellicle air space
JP2005033072A (ja) 荷電粒子線用転写マスクの異物除去方法及び異物除去装置
JPH06224105A (ja) 露光装置のステージのゴミ粒子除去方法
TWI673567B (zh) 光罩靜電清潔設備以及光罩靜電清潔方法
JPS63266832A (ja) ウエハクリ−ナ
TW202415460A (zh) 光罩清潔設備、光罩翻轉機構及光罩清潔方法
JPS62272258A (ja) 異物除去装置
Hayes et al. Evaluation of backside particle contamination and electrostatic chuck design on the cleanliness of EUV reticle mask blanks in a multilayer Mo/Si ion beam deposition system

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19980818

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080925

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090925

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100925

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110925

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120925

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120925

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130925

Year of fee payment: 15

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees