JP4739244B2 - パーティクル除去方法 - Google Patents

パーティクル除去方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4739244B2
JP4739244B2 JP2007012619A JP2007012619A JP4739244B2 JP 4739244 B2 JP4739244 B2 JP 4739244B2 JP 2007012619 A JP2007012619 A JP 2007012619A JP 2007012619 A JP2007012619 A JP 2007012619A JP 4739244 B2 JP4739244 B2 JP 4739244B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pipette
particle
particles
tip
fib
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007012619A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008181948A (ja
Inventor
修 高岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Science Corp
Original Assignee
SII NanoTechnology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SII NanoTechnology Inc filed Critical SII NanoTechnology Inc
Priority to JP2007012619A priority Critical patent/JP4739244B2/ja
Publication of JP2008181948A publication Critical patent/JP2008181948A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4739244B2 publication Critical patent/JP4739244B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

本発明は半導体集積回路などの電子製品の製造の各種工程で発生するμm単位の微小なパーティクルの除去方法に関するものである。
半導体集積回路のみならず電子製品の性能向上のために部品の小型化が進み、製造工程で発生する今まで問題とならなったサイズのパーティクルが製品の性能に大きく影響を及ぼすようになってきている。そのため各種工程で発生するパーティクル除去技術は製品の歩留まりを上げるために今まで以上に重要になってきつつある。例えばCCDカメラの最終組立工程で発生するマイクロレンズ上の数μmのパーティクルはCCDの局所的な入光量を低くしカメラとしての性能を低下させ、歩留まりを下げていた。
従来洗浄によりパーティクルは除去されてきたが、洗浄で落としきれないパーティクルが増加してきており、最終組立工程で洗浄工程が入れられない場合などにも対応する方法が必要になってきている。また洗浄でパーティクルを除去しようとしてもパーティクルの再付着や新しい汚染でパーティクルが増える場合があり、パーティクルの数が少ない場合には直接ピンポイントで除去できる方法が求められている。
微細なパーティクルを直接ピンポイントで除去できる方法として、フォトマスク上のパーティクルをAFM探針で移動または除去した後洗浄で除去する方法(特許文献1)や、ウェハ上のパーティクルをピンセットでつかみ取る方法(非特許文献1)が提案されている。AFM探針で除去する場合は、除去後に洗浄工程が必要で、ピンセットでつかむ方法は凹凸が大きなサンプルでは干渉により使用できないし、凹凸のないところでも落とさないように確実に挟むためにはピンセットの正確な位置合わせが必要となり、挟む工程と合わせると時間がかかりスループットを高くできなかった。更にピンセットでは挟んだパーティクルをピンセットが開いても落とせないという問題があった。そこで、除去後の洗浄工程の要らない、スループットの高いパーティクル除去方法が求められている。
ガラスピペットを加熱して引き伸ばして先端を細くしたピペットは、パッチクランプ法などで生物・医学分野で広く使われている。最近集束イオンビーム(FIB)装置を用いた除去加工で滑らかな端面のピペット先端が得られている。更に滑らかにしたピペット端面にFIBのデポジションでピペット先端に微細な所望の形状を作製できることも知られている(非特許文献2)。
特開2005-084582号([0007]、図1) 逢坂勉、国安仁、服部毅、宗兼正直、岩崎浩二、林宏樹、今野隆、第52回応用物理学関係連合講演会予稿集、p880(2005) 松井真二、光技術コンタクト、41 356-363(2003)
本発明は上記問題点を解決し、フォトマスク上、ウェハ上、あるいはマイクロレンズ上等に付着した、2〜40μmのサイズのパーティクルを、後洗浄なしで、高スループットで除去することを目的とする。
公知の技術により、ガラスピペットを加熱して引き伸ばすことにより、100nm程度から数10μmの内径を持つ先細(さきぼそ)の円錐台状の端部を有するピペットが作製可能である。この引き伸ばしたピペット先端を、パーティクルと接触させた時にパーティクルとの隙間ができないようにするため、FIBで加工して、凸凹のない端面になるようにする。
先端を先細の円錐台状に尖らせたピペットをパーティクルに接するまで近づけピペット内を真空に引きパーティクルを吸着させて後持ち上げ試料外に移動し、ピペット内を大気または加圧にしてパーティクルを捨て去る。
パーティクルが小さいときには内径の小さいピペットを使用し、パーティクルが大きいときには吸着力が大きくなるように内径の大きなピペットでパーティクルを真空吸引して試料外に移動してパーティクルを捨て去る。
ピペットに金属細線を含有したピペットを使用して、ピペットを引き伸ばし先端から金属細線が突き出たものを用いて、アースした金属細線の先端をパーティクルに押し当ててパーティクルのチャージを取り除いてからパーティクルを真空吸着させた後、持ち上げ試料外に移動し、ピペット内を大気または加圧にしてパーティクルを捨て去る。金属細線が露出しないときにはFIB加工でガラス部を取り除き金属細線を露出させる。
真空度を上げて減圧雰囲気に引き伸ばして薄くなったガラス壁が耐えられなくて破損する場合には先端のガラスをFIBエッチングで除去して凹凸のない滑らか面を出した後にピペット先端にFIBデポ膜で硬い丈夫な凹凸のない滑らかな先端を作製する。このFIB修飾ピペットを用いてパーティクルを真空吸着させて後持ち上げ試料外に移動し、ピペット内を大気または加圧にしてパーティクルを捨て去る。
引き伸ばしたピペット先端をFIBエッチングで除去して凹凸のない滑らか面を出した後に、該滑らかな面の上に、FIBデポ膜で試料よりも硬く、鋭角に尖った壁部先端を有する端部を作製する。このFIBデポ膜で補修したピペットを用いてパーティクルに尖った先端を突き刺した後、真空吸着させて後持ち上げ試料外に移動し、ピペット内を大気または加圧にしてパーティクルを捨て去る。
先端を細くすることで真空の吸着力が低下するが、ガラスピペットの先端面をFIBで凹凸のないように加工することでパーティクルとの隙間を小さくし、弱い吸引力でもパーティクルを吸着することができる。
パーティクルを吸着させて、そのまま持ち上げて試料外に持ち出すためパーティクル除去後の洗浄工程を必要としない。
ピンセットで挟む場合よりも正確な位置合わせや、ピンセットで挟む工程を必要としないためスループットを向上することができる。またピペット先端さえ入れば良いので少々の凹凸があっても適用できる。
試料外で大気または加圧することでピペットに吸着したパーティクルを捨て去ることができるので、ピンセットのようにパーティクルがついたままとれないということもない。もし残っていても真空吸引で真空度をチェックし、ピペット先端にパーティクルが残っているときにはピペットを交換する。
パーティクルに溜まったチャージを取り除くことにより、パーティクルの試料への吸着力を弱くしピペットの真空吸着で除去しやすくすることができる。
ガラス壁が薄くなる先端を丈夫なFIBデポ膜に置き換えることにより、より高い真空度まで吸引できるのでパーティクルの吸着力を高めることができる。
FIBで作製した硬く鋭く尖った壁部先端を突き刺すことにより隙間を減らし、弱い吸引力でもパーティクルを吸着することができる。
以下に本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。
図1a−図1dは、本発明の特徴を最も良く表す先端を先細の円錐台状に尖らせたピペットをパーティクルに接するまで近づけピペット内を真空に引きパーティクルを吸着させて移動後捨て去る場合を説明する図である。
ガラスピペットを加熱して引き伸ばして100nmから5μmくらいの内径をもつ先端の細いピペットを用意する。パーティクルとの隙間をなくすためFIBでピペット先端を凸凹のない滑らかな端面になるように加工したものを用いる。この滑らかな断面は、例えばピペット軸の垂直方向から少ない電流量(数10pA以下)で絞ったビームを照射してエッチングすることにより得られる。
対物レンズ8を有する高倍率の光学顕微鏡、試料3を配置する高精度なステージ、引き伸ばしたピペット1を装着したマニュピュレータ4、及び真空排気系を有するパーティクル除去装置に、パーティクル検査装置で見つかった試料3、例えばCCDカメラのマイクロレンズを導入する。パーティクル検査装置でパーティクルの見つかった位置がパーティクル除去装置の視野中心にくるようにステージを移動し、パーティクルを光学顕微鏡で観察する。大きなパーティクルを除去するには強い吸着力が必要なので、パーティクルの大きさに応じてピペットの内径を選択する。
光学顕微鏡の対物レンズ8の直下にあるパーティクル2に、光学顕微鏡で観察しながら先端を先細の円錐台状に尖らせたピペット1をマニュピュレータ4を使って、接するまで近づけ(図1a)、ピペット1内を真空に引きパーティクル2を吸着させたのち(図1b)、ピペット1を引き上げ試料からパーティクル2を引き離す。パーティクル2を吸着させたまま試料外でパーティクルを廃棄しても良い位置、例えば排気ダクトに移動し(図1c)、ピペット1内を大気または加圧にして吸着していたパーティクル2を捨て去る(図1d)。パーティクル2の吸引はピペットが壊れない程度の真空排気で行う。
図2(a)、(b)は、アースした金属細線5をパーティクルに押し当ててパーティクルのチャージを取り除いてからパーティクルを真空吸着させる場合を説明する図である。
ピペットに金属細線5を含有し先端から金属部が突き出たものを用いて、光学顕微鏡で観察しながらマニュピュレータ4を使って、ピペット1を光学顕微鏡の対物レンズ8の直下にあるパーティクル2に接するまで近づける(図2(a))。アースした金属細線5をパーティクル2に押し当ててパーティクルに溜まったチャージを取り除いてから(図2(b))、上記同様の手順でパーティクル2を真空吸着させたのち、ピペット1を引き上げ試料からパーティクル2を引き離す。パーティクル2を吸着させたまま試料外でパーティクルを廃棄しても良い位置に移動し、ピペット1内を大気または加圧にして吸着していたパーティクル2を捨て去る。
図3(a)、(b)は、ピペット先端にFIBデポ膜で硬い丈夫な先端を作製し、より高い真空度で真空吸着させる場合を説明する図である。
ピペット1の先端に、該先端をFIBエッチングで除去した後FIBデポ膜で更なる減圧雰囲気でも耐えられるような硬い丈夫な凹凸のない滑らかな先細の円錐台状の端部6を作製したものを用い、その先端を光学顕微鏡で観察しながらマニュピュレータ4を使って対物レンズ8直下にあるパーティクル2に接するまで近づける(図3(a))。パーティクル2を今までよりも高い真空度で真空吸着させたのち(図3(b))、上記と同様の手順でピペット1を引き上げ試料からパーティクル2を引き離す。パーティクル2を吸着させたまま試料外でパーティクルを廃棄しても良い位置に移動し、FIB修飾したピペット1内を大気または加圧にして吸着していたパーティクル2を捨て去る。
図4(a)、(b)は、ピペット先端にFIBデポ膜で硬い尖った壁部先端を有する端部7を作製しパーティクルに突き刺した後真空吸着させる場合を説明する図である。
ピペット1先端にFIBデポ膜で硬い鋭く尖った壁部先端を有する端部7を作製したものを用い、光学顕微鏡で観察しながらマニュピュレータ4を使って対物レンズ8直下にあるパーティクル2に接するまで近づける(図4(a))。ピペットの尖った壁部先端を有する端部7をパーティクル2に突き刺して真空吸着させたのち(図4(b))、上記と同様の手順でピペット1を引き上げ試料からパーティクル2を引き離す。パーティクル2を吸着させたまま試料外でパーティクルを廃棄しても良い位置に移動し、尖った壁部先端を有する端部7が形成されたピペット1内を大気または加圧にしてパーティクル2を捨て去る。
パーティクルを捨て去った後真空吸引でピペット内の真空度をチェックし、この真空度がパーティクル除去未使用時のピペットよりも高いときは、ピペット先端にパーティクルが残っているのでピペットを交換する。
先細の円錐台状に尖らせたピペットをパーティクルに接するまで近づけピペット内を真空に引きパーティクルを吸着させて移動後捨て去る場合を説明する図である。 先細の円錐台状に尖らせたピペットをパーティクルに接するまで近づけピペット内を真空に引きパーティクルを吸着させて移動後捨て去る場合を説明する図である。 先細の円錐台状に尖らせたピペットをパーティクルに接するまで近づけピペット内を真空に引きパーティクルを吸着させて移動後捨て去る場合を説明する図である。 先細の円錐台状に尖らせたピペットをパーティクルに接するまで近づけピペット内を真空に引きパーティクルを吸着させて移動後捨て去る場合を説明する図である。 アースした金属部をパーティクルを押し当ててパーティクルのチャージを取り除いてからパーティクルを真空吸着させる場合を説明する図である。 ピペット先端にFIBデポ膜で硬い丈夫な先端を作製しより高い真空度で真空吸着させる場合を説明する図である。 ピペット先端にFIBデポ膜で硬い尖った壁部先端を有する端部を作製しパーティクルに突き刺した後真空吸着させる場合を説明する図である。
符号の説明
1 ピペット
2 パーティクル
3 試料
4 マニュピュレータ
5 金属細線
6 FIBデポジションで形成した先細の円錐台状の丈夫な先端
7 FIBデポジションで形成した壁部を鋭角に尖らせた先端
8 対物レンズ

Claims (7)

  1. 半導体集積回路などの電子製品の製造の各種工程で発生するパーティクルの除去方法であって、ガラスピペットの端部を加熱して引き伸ばすことにより、先細の円錐台状にした後、前記ガラスピペットの先端端面をFIBにて加工して、凹凸の少ない滑らかな端面にした後、前記ピペットでパーティクルを真空吸着させて除去することを特徴とするパーティクル除去方法。
  2. 前記除去しようとするパーティクルの大きさに合わせて前記ピペットの先端の内径を変えることを特徴とする請求項1記載のパーティクル除去方法。
  3. 前記ピペットに、アースされた金属細線を含有させ、前記ピペットの先端から突き出た前記金属細線の先端をパーティクルに押し当ててパーティクルのチャージを取り除いてからパーティクルを真空吸着させて除去することを特徴とする請求項1又は2記載のパーティクル除去方法。
  4. 前記FIBにて加工してできた凹凸のない滑らかな端面に、FIBデポ膜で、凹凸のない滑らかな端面を有する先端部を作製することを特徴とする請求項1又は2記載のパーティクル除去方法。
  5. 前記FIBにて加工してできた凹凸の少ない滑らかな端面に、FIBデポ膜で壁部が鋭角に尖った先端部を作製し、パーティクルに突き刺した後真空吸着させて除去することを特徴とする請求項1又は2記載のパーティクル除去方法。
  6. 前記ピペットに吸着させたパーティクルを試料外でピペット内を大気にして捨て去ることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のパーティクル除去方法。
  7. 前記ピペットに吸着させたパーティクルを試料外でピペット内を加圧して捨て去ることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のパーティクル除去方法。
JP2007012619A 2007-01-23 2007-01-23 パーティクル除去方法 Expired - Fee Related JP4739244B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007012619A JP4739244B2 (ja) 2007-01-23 2007-01-23 パーティクル除去方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007012619A JP4739244B2 (ja) 2007-01-23 2007-01-23 パーティクル除去方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008181948A JP2008181948A (ja) 2008-08-07
JP4739244B2 true JP4739244B2 (ja) 2011-08-03

Family

ID=39725638

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007012619A Expired - Fee Related JP4739244B2 (ja) 2007-01-23 2007-01-23 パーティクル除去方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4739244B2 (ja)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW285721B (ja) * 1994-12-27 1996-09-11 Siemens Ag
JP4260970B2 (ja) * 1999-03-24 2009-04-30 島田理化工業株式会社 半導体ウェーハ洗浄装置
JP4614569B2 (ja) * 2001-04-06 2011-01-19 一雄 岡野 吸引型イオナイザ
JP3637877B2 (ja) * 2001-06-11 2005-04-13 株式会社デンソー 異物の除去方法と異物除去用ノズル
JP2005081503A (ja) * 2003-09-09 2005-03-31 Japan Science & Technology Agency 微小立体構造バイオナノツールの製造方法及びその微小立体構造バイオナノツール
JP2005084582A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Sii Nanotechnology Inc フォトマスクのパーティクル除去方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008181948A (ja) 2008-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4628361B2 (ja) 電子顕微鏡検査用試料の調製方法ならびにそれに用いる試料支持体および搬送ホルダ
US7525087B2 (en) Method for creating observational sample
JP5266236B2 (ja) サンプル抽出および取り扱いのための方法および装置
JP2008191156A (ja) 試料を薄くする方法及び当該方法のための試料キャリア
JP4619695B2 (ja) 微視的サンプルを操作する方法及び装置
JP6396038B2 (ja) 高スループットのサンプル作製のためのナノマニピュレータに対する複数のサンプルの付着
US20060017016A1 (en) Method for the removal of a microscopic sample from a substrate
JP2011124162A (ja) 荷電粒子線装置及び試料観察方法
JP2012073069A (ja) 半導体デバイス基板の欠陥部観察用試料の作製方法
JP2017513216A (ja) 基板を表面処理する方法及び装置
JP4229837B2 (ja) 静電気的マニピュレーティング装置
JP2009216534A (ja) 薄膜試料作製方法
JP2010181339A (ja) 微小マニピュレータ装置
JP4739244B2 (ja) パーティクル除去方法
JP2007194096A (ja) 荷電粒子ビーム装置、及び荷電粒子ビーム装置を用いた試料のピックアップ方法
US7394075B1 (en) Preparation of integrated circuit device samples for observation and analysis
CN113406359A (zh) 用于背面平面视图薄片制备的方法和***
JP4644470B2 (ja) イオンビーム加工装置および試料作製方法
US10416050B2 (en) Liquid sample drying apparatus, dried sample test piece and preparation method thereof
TWI423381B (zh) 輔助載台與輔助載台之使用方法
TWI516755B (zh) 液態樣品乾燥裝置、乾燥樣本試片及乾燥樣本試片製備方法
JP2009133833A (ja) 透過電子顕微鏡用試料作製方法及び透過電子顕微鏡用試料片
JP5024468B2 (ja) 試料加工装置
JPS62163248A (ja) パタ−ン検査装置
CN104766811B (zh) 一种扫描电镜样品的保存方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091006

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20091105

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20091113

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20091118

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110224

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110426

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110427

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4739244

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513

Year of fee payment: 3

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees