CN112230511A - 光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法 - Google Patents

光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112230511A
CN112230511A CN202011132115.8A CN202011132115A CN112230511A CN 112230511 A CN112230511 A CN 112230511A CN 202011132115 A CN202011132115 A CN 202011132115A CN 112230511 A CN112230511 A CN 112230511A
Authority
CN
China
Prior art keywords
particles
protection film
pollution
film comprises
mask protection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011132115.8A
Other languages
English (en)
Inventor
刘向南
刘小虎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd filed Critical Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd
Priority to CN202011132115.8A priority Critical patent/CN112230511A/zh
Publication of CN112230511A publication Critical patent/CN112230511A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/04—Cleaning by suction, with or without auxiliary action

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本发明公开了一种光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，包括步骤：步骤一、采用显微镜在光罩的防护薄膜表面上找到污染颗粒。步骤二、将真空吸管和污染颗粒接触。步骤三、开启真空将所接触的污染颗粒去除，防止在去除过程中污染颗粒在防护薄膜表面产生移动并实现对污染颗粒的有效去除。本发明能提高光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除效果，且能防止产生污染颗粒物的印记残留和防止光罩二次污染。

Description

光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法
技术领域
本发明涉及一种半导体集成电路的制造方法，特别涉及一种光罩(mask)防护薄膜(pellicle)表面上的污染颗粒(particle)去除方法。
背景技术
光罩又称光掩膜版、掩膜版，是由石英玻璃作为衬底，在其上面镀上一层金属铬(Cr)和感光胶，成为一种感光材料，把已设计好的电路图通过电子激光设备曝光在感光胶上，被曝光的区域会被显影出来，在金属铬上形成电路图形，成为类似曝光后的底片的光掩膜版，然后应用于对集成电路进行投影定位，通过集成电路光刻机对所投影的电路进行光刻蚀。
在半导体制造中，经常会遇到光罩表面被超出规格的颗粒物污染的情况，需要及时处理才可使生产正常进行，目前业界普遍使用吹风机构去除光罩表面的颗粒污染物。现有技术中的吹风机构在工作状态时，***位于光罩的上方进行吹扫，以去除光罩表面颗粒物污染，这种吹风机构具有以下缺陷：(1)光罩在机构内所处环境即为工厂内大环境，环境本身存在大量超规格污染物，光罩有被再次污染的风险；(2)目前去除光罩pellicle面的particle时，为避免因吹扫气压太大，造成pellicle损伤，都会控制吹扫压力，导致吹扫效果不佳。(3)由于光罩处于***下方，气流吹向光罩，污染颗粒去除效果不佳，且污染颗粒会在光罩表面留下擦痕或印记，可导致光罩二次污染，更难去除。此种情况只能送回厂家进行清洗修复，期间生产无法进行，工厂损失巨大。
随着半导体产业的快速发展，光罩表面的污染颗粒如果不能被有效快速去除，将会影响半导体行业以及相关产业的生产效率和产值。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，能提高光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除效果，且能防止产生污染颗粒物的印记残留和防止光罩二次污染。
为解决上述技术问题，本发明提供的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法包括如下步骤：
步骤一、采用显微镜在光罩的防护薄膜表面上找到污染颗粒。
步骤二、将真空吸管和污染颗粒接触。
步骤三、开启真空将所接触的所述污染颗粒去除，防止在去除过程中所述污染颗粒在所述防护薄膜表面产生移动并实现对所述污染颗粒的有效去除。
进一步的改进时，所述显微镜为光学显微镜。
进一步的改进时，根据所述污染颗粒大小选择所述显微镜的镜头倍数，保证能对所述污染颗粒进行观察和精确定位。
进一步的改进时，所述光罩上包括图形层。
进一步的改进时，所述图形层由金属铬光刻刻蚀后形成。
进一步的改进时，所述图形层形成在由石英玻璃组成的衬底上。
进一步的改进时，所述防护薄膜设置在所述图形层的顶部，所述防护薄膜和所述图形层的顶部表面之间具有间距。
进一步的改进时，所述防护薄膜为透明薄膜。
进一步的改进时，步骤一至步骤三在集成电路制造工厂的无尘室环境中进行。
进一步的改进时，步骤一至步骤三在集成电路制造工厂的无尘室环境中设置的洁净等级更高的无尘区域内进行。
进一步的改进时，步骤一中对找到所述污染颗粒进行自动放大和定位。
进一步的改进时，步骤二中采用手动或自动方式实现所述真空吸管和所述污染颗粒的接触。
进一步的改进时，步骤三中，采用手动或自动方式实现真空开启。
进一步的改进时，步骤三中开启真空后需要移走所述真空吸管，之后关闭真空，之后在进行下一个所述污染颗粒的去除。
进一步的改进时，步骤一至步骤三中，所述光罩放置在设置了静电消除器的光罩推车上。
和现有技术中采用吹风机构吹扫去除光罩防护薄膜表面上的污染颗粒不同，本发明采用定点接触加真空吸除的方法去除光罩防护薄膜表面上的污染颗粒，能提高光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除效果，且能防止产生污染颗粒物的印记残留和防止光罩二次污染。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是本发明实施例光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法的流程图；
图2是本发明实施例方法中设备示意图；
图3是本发明实施例方法中的污染颗粒的观察照片。
具体实施方式
如图1所示，是本发明实施例光罩防护薄膜1表面上的污染颗粒3去除方法的流程图；如图2所示，是本发明实施例方法中设备示意图；如图3所示，是本发明实施例方法中的污染颗粒3的观察照片；本发明实施例光罩防护薄膜1表面上的污染颗粒3去除方法包括如下步骤：
步骤一、采用显微镜2在光罩的防护薄膜1表面上找到污染颗粒3。
图2中显示了所述显微镜2的一个高倍镜头。图3中显示了在所述显微镜2下观察到的所述污染颗粒3的照片。
所述显微镜2为光学显微镜2。
本发明实施例中，根据所述污染颗粒3大小选择所述显微镜2的镜头倍数，保证能对所述污染颗粒3进行观察和精确定位。较佳为，对找到所述污染颗粒3进行自动放大和定位。
所述光罩上包括图形层。所述图形层由金属铬光刻刻蚀后形成。所述图形层形成在由石英玻璃组成的衬底上。所述防护薄膜1设置在所述图形层的顶部，所述防护薄膜1和所述图形层的顶部表面之间具有间距。所述防护薄膜1为透明薄膜。
步骤二、将真空吸管4和污染颗粒3接触。
本发明实施例中，采用手动实现所述真空吸管4和所述污染颗粒3的接触。也能为：采用自动方式实现所述真空吸管4和所述污染颗粒3的接触。
步骤三、开启真空将所接触的所述污染颗粒3去除，防止在去除过程中所述污染颗粒3在所述防护薄膜1表面产生移动并实现对所述污染颗粒3的有效去除。
本发明实施例中，采用手动实现真空开启。也能为：采用自动方式实现真空开启。
步骤三中开启真空后需要移走所述真空吸管4，之后关闭真空，之后在进行下一个所述污染颗粒3的去除。
步骤一至步骤三在集成电路制造工厂的无尘室环境中进行。更优选择为，步骤一至步骤三在集成电路制造工厂的无尘室环境中设置的洁净等级更高的无尘区域内进行，这样能够根据需要设置所需要的结净等级，但是需要额外设置无尘区域。
步骤一至步骤三中，所述光罩放置在设置了静电消除器的光罩推车上。
和现有技术中采用吹风机构吹扫去除光罩防护薄膜1表面上的污染颗粒3不同，本发明实施例采用定点接触加真空吸除的方法去除光罩防护薄膜1表面上的污染颗粒3，能提高光罩防护薄膜1表面上的污染颗粒3去除效果，且能防止产生污染颗粒3物的印记残留和防止光罩二次污染。
以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (15)

1.一种光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、采用显微镜在光罩的防护薄膜表面上找到污染颗粒；
步骤二、将真空吸管和污染颗粒接触；
步骤三、开启真空将所接触的所述污染颗粒去除，防止在去除过程中所述污染颗粒在所述防护薄膜表面产生移动并实现对所述污染颗粒的有效去除。
2.如权利要求1所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：所述显微镜为光学显微镜。
3.如权利要求2所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：根据所述污染颗粒大小选择所述显微镜的镜头倍数，保证能对所述污染颗粒进行观察和精确定位。
4.如权利要求1所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：所述光罩上包括图形层。
5.如权利要求4所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：所述图形层由金属铬光刻刻蚀后形成。
6.如权利要求5所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：所述图形层形成在由石英玻璃组成的衬底上。
7.如权利要求6所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：所述防护薄膜设置在所述图形层的顶部，所述防护薄膜和所述图形层的顶部表面之间具有间距。
8.如权利要求7所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：所述防护薄膜为透明薄膜。
9.如权利要求1所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：步骤一至步骤三在集成电路制造工厂的无尘室环境中进行。
10.如权利要求9所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：步骤一至步骤三在集成电路制造工厂的无尘室环境中设置的洁净等级更高的无尘区域内进行。
11.如权利要求1所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：步骤一中对找到所述污染颗粒进行自动放大和定位。
12.如权利要求11所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：步骤二中采用手动或自动方式实现所述真空吸管和所述污染颗粒的接触。
13.如权利要求12所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：步骤三中，采用手动或自动方式实现真空开启。
14.如权利要求1所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：步骤三中开启真空后需要移走所述真空吸管，之后关闭真空，之后在进行下一个所述污染颗粒的去除。
15.如权利要求1所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：步骤一至步骤三中，所述光罩放置在设置了静电消除器的光罩推车上。
CN202011132115.8A 2020-10-21 2020-10-21 光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法 Pending CN112230511A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011132115.8A CN112230511A (zh) 2020-10-21 2020-10-21 光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011132115.8A CN112230511A (zh) 2020-10-21 2020-10-21 光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112230511A true CN112230511A (zh) 2021-01-15

Family

ID=74118287

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011132115.8A Pending CN112230511A (zh) 2020-10-21 2020-10-21 光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112230511A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112934850A (zh) * 2021-01-26 2021-06-11 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 光罩杂质去除设备和光罩杂质去除方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5634230A (en) * 1994-12-27 1997-06-03 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus and method for cleaning photomasks
JPH10116765A (ja) * 1996-10-11 1998-05-06 Nikon Corp 荷電粒子線投影装置
CN101666972A (zh) * 2008-09-05 2010-03-10 台湾积体电路制造股份有限公司 光罩及检测其污染的方法
CN111474821A (zh) * 2020-04-27 2020-07-31 长沙韶光铬版有限公司 一种掩膜版的缺陷修复方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5634230A (en) * 1994-12-27 1997-06-03 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus and method for cleaning photomasks
JPH10116765A (ja) * 1996-10-11 1998-05-06 Nikon Corp 荷電粒子線投影装置
CN101666972A (zh) * 2008-09-05 2010-03-10 台湾积体电路制造股份有限公司 光罩及检测其污染的方法
CN111474821A (zh) * 2020-04-27 2020-07-31 长沙韶光铬版有限公司 一种掩膜版的缺陷修复方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112934850A (zh) * 2021-01-26 2021-06-11 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 光罩杂质去除设备和光罩杂质去除方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0720050B1 (en) Apparatus and method for cleaning photomasks
US6327021B1 (en) Mask inspection system and method of manufacturing semiconductor device
US8709682B2 (en) Mask and method for forming the mask
TWI830485B (zh) 防塵薄膜組件框架、防塵薄膜組件、附防塵薄膜組件的光阻、曝光方法、圖案的製造方法以及半導體裝置的製造方法
US6734443B2 (en) Apparatus and method for removing photomask contamination and controlling electrostatic discharge
TWI761607B (zh) 防護薄膜框架、防護薄膜組件、通氣結構、曝光原版、曝光方法、半導體裝置製造方法及液晶顯示器製造方法
US20140268074A1 (en) Lithography System with an Embedded Cleaning Module
KR101461437B1 (ko) 포토마스크 세정 장치 및 이를 이용한 포토마스크 세정 방법
US20120279519A1 (en) Integrated Substrate Cleaning System and Method
US5953107A (en) Mask pellicle remove tool
CN112230511A (zh) 光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法
CN101625528B (zh) 掩模版夹具
JPWO2004051369A1 (ja) フォトマスクブランク、及びフォトマスク
JP4512782B2 (ja) マスク構造体及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
KR20170023327A (ko) 포토마스크 검사장치
CN116634683A (zh) 玻璃基Mini LED线路板及其制备方法
CN112034678A (zh) 一种修补光罩的方法及设备
CN106914454A (zh) 一种清除光罩表面颗粒污染物的装置及清除方法
US20200124994A1 (en) Mask treating method and system thereof
US6893780B1 (en) Photomask and method for reducing electrostatic discharge on the same with an ESD protection pattern
US20120154771A1 (en) Immersion multiple-exposure method and immersion exposure system for separately performing multiple exposure of micropatterns and non-micropatterns
TWI673566B (zh) 光罩洗淨設備以及光罩洗淨方法
TWI440971B (zh) 防塵薄膜組件框架
US20050238964A1 (en) Photomask
TWI673567B (zh) 光罩靜電清潔設備以及光罩靜電清潔方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination