JPS61159730A - エマルジヨンマスクのパ−テイクル除去方法 - Google Patents

エマルジヨンマスクのパ−テイクル除去方法

Info

Publication number
JPS61159730A
JPS61159730A JP60000371A JP37185A JPS61159730A JP S61159730 A JPS61159730 A JP S61159730A JP 60000371 A JP60000371 A JP 60000371A JP 37185 A JP37185 A JP 37185A JP S61159730 A JPS61159730 A JP S61159730A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
jig
particles
mask
particle
charged
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60000371A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeyuki Hoshino
星野　重幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP60000371A priority Critical patent/JPS61159730A/ja
Publication of JPS61159730A publication Critical patent/JPS61159730A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、エマルジョンマスクに付着しｆｌ　／＜−
ティクル（不純具＋！１Ｊ）ｔ−除去する方法に関する
ものである。
〔従来の技術〕
従来、フォトマスク等に付着したパーティクルを除去す
る方法としては、高圧水洗浄法やブラシ等を用いた洗浄
法が行なわれている。この種の洗浄法は例えばクロムマ
スク等のように硬質材のものでは行なうことができるが
、エマルジョンマスクは文献（５ＡＫＵＲＡ、ＰＭ、Ｎ
ＥＷＳ、　　瀧５ｔ−参照）に記載されているように乳
剤（ゼラチン）が用いられているのでパターンが柔らか
く、シたがって上記による洗浄法ではパターンが剥離さ
れたプ傷が付いたシするため不適歯である。このためエ
マルジョンマスクのパーティクル除去Ｂ　ＮＨ７’　ａ
　−−？綿棒による除去が行なわれていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記のようにエマルジョンマスクのパーティクル除去に
おいては、Ｎｌプローでは風によシ発生したごみがマス
クに付着したり、綿棒ではこれ自体に付着しているパル
ティクルがマスクに付着しゃすい上、綿棒は微小なパー
ティクルが除去しきれない等の間亀点があった。
この発８Ａは、以上述べた問題点を除去し、マスク上へ
の新次なパーティクルの付着を防止すると共に、微小パ
ーティクルの除去をも行なうことのできるパーティクル
除去方法を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明におけるパーティクル除去方法は、エマルジョ
ンマスクに付着したパーティクルを静電気が帯電した治
具に吸着し除去するものである。
〔作　用〕
この発明では、エマルジョンマスクに静電気が帯電した
治具を近ずけることによシ、パーティクルがマスクから
離れて治具に吸着させることができる。また静電気は治
具の他の部材による摩擦帯電や帯電器により行なえる。
〔実施例〕
第１図はこの発明の一実施例を示す概！！囚であって、
ｌはエマルジョンマスク、２はこのマスク１上に付着さ
れたパーティクルを示す。３はガラスまたは金属の針状
治具で、治具３の把持部４は絶縁物からできているｏ５
はパーティクル２のバキュームによる吸引口である。
次にパーティクルの除去方法について説明する。
まず、針状治具３に静電気を帯電させておき、エマルジ
ョンマスクｌを顕微鏡を通して拡大視した状態で治具３
の針先をパーティクル２に１〜３簡の距離に接近させる
。これによｐ、パーティクル２はエマルジョンマスク１
から分離して静電帯電している治具３の針先に吸着する
ことができ、その後、パーティクル２ｔ−吸着し之治具
３をバキュームの吸引口５に近ずけてパーティクル２を
吸引排出する。このように治具３’ｉ用いて一つずつの
パーティクル２をエマルジョンマスク１から除去するも
のである。
治具３への静電気の帯電は摩擦による方法が適用され、
静電気はガラス、ａ気、樹脂およびセルロイドの順に負
に帯電しやすいので、例えばガラス製の治具３はセルロ
イド板に摩擦して帯電させればよく、また金属製の治具
３の場合はガラス板に摩擦して帯電させれはよい。
第２図は治具の他の実施例を示すもので、ｆ３はエマル
ジョンマスクｌと略同じ大きさの金属平板治具で、エマ
ルジョンマスクｌと１〜３閤の間隔を隔てて配置させで
ある。７は治具６へ高電圧を帯電させるための帯電器で
、帯電圧は治具７が放電をおこさない範囲で最大にする
とよい。上記のような除去方法では除去可能なパーティ
クルは凡そ１０〜５０μ程度のものまで除去できる。
〔発明の効果〕
以上、説明したようにこの発明によれば、エマルジョン
マスクに付着したパーティクルを帯電した治具に吸着し
除去できるようにしたので、パーティクルの除去がマス
クに無接触で行なえ、柔らかい材質のパターンに傷を付
けることなく微小なパーティクルの除去も可能であると
共に、新たなパーティクルの付着も防止できる。これに
よシ無欠陥なマスクを安価に、しかも簡単に製作できる
。
【図面の簡単な説明】
第１１ｉＶはこの発明のパーティクル除去方法を実施す
るための概ｌ！図、第２図は他の例の概ｌ！崗であるＯ １…エマルジヨンマスク、２１・ｅパーティクル、３・
・・針状治具、５・・・吸引口、６・・・金属平板治具
、７・・・帯電器。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）エマルジョンマスク上に付着したパーティクルを
    除去する方法において、エマルジヨンマスクに帯電した
    治具を近ずけ、この治具にパーティクルを吸着すること
    を特徴とするエマルジョンマスクのパーティクル除去方
    法。
  2. （２）治具がガラスまたは金属の針状治具であることを
    特徴とする特許請求の範囲第１項記載のパーティクル除
    去方法。
  3. （３）治具がマスクと略同じ大きさの金属平板治具であ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のパーテ
    ィクル除去方法。
JP60000371A 1985-01-08 1985-01-08 エマルジヨンマスクのパ−テイクル除去方法 Pending JPS61159730A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60000371A JPS61159730A (ja) 1985-01-08 1985-01-08 エマルジヨンマスクのパ−テイクル除去方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60000371A JPS61159730A (ja) 1985-01-08 1985-01-08 エマルジヨンマスクのパ−テイクル除去方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61159730A true JPS61159730A (ja) 1986-07-19

Family

ID=11471931

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60000371A Pending JPS61159730A (ja) 1985-01-08 1985-01-08 エマルジヨンマスクのパ−テイクル除去方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61159730A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08254817A (ja) * 1994-12-27 1996-10-01 Siemens Ag ホトマスクをクリーニングする方法および装置
US7306680B2 (en) 2002-09-12 2007-12-11 Asml Netherlands B.V. Method of cleaning by removing particles from surfaces, a cleaning apparatus and a lithographic projection apparatus
US7522263B2 (en) 2005-12-27 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
WO2009091642A3 (en) * 2008-01-17 2009-09-24 Applied Materials, Inc. Electrostatic surface cleaning

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08254817A (ja) * 1994-12-27 1996-10-01 Siemens Ag ホトマスクをクリーニングする方法および装置
US7306680B2 (en) 2002-09-12 2007-12-11 Asml Netherlands B.V. Method of cleaning by removing particles from surfaces, a cleaning apparatus and a lithographic projection apparatus
US7522263B2 (en) 2005-12-27 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US8064038B2 (en) 2005-12-27 2011-11-22 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus, lithographic system provided with the inspection apparatus and a method for inspecting a sample
WO2009091642A3 (en) * 2008-01-17 2009-09-24 Applied Materials, Inc. Electrostatic surface cleaning

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2656080B2 (ja) 静電集塵装置
JPS58125079A (ja) 像担持体のクリ−ニング装置
JPS61159730A (ja) エマルジヨンマスクのパ−テイクル除去方法
EP0009857A3 (en) Fly ash agglomerator, flue equipped with this agglomerator and process for removing suspended charged particles of mixed size from a volume of gas
JPH0620442U (ja) 半導体ウェハー用貼着シート
JP2000260671A (ja) ダスト吸着用ウエハ及び半導体装置内のクリーニング方法
JPS60177614A (ja) 除塵装置
JP3611623B2 (ja) 液晶表示ガラス基板に付着した異物の除去方法
JP2003119018A (ja) 石英粉の精製方法および精製石英ルツボ
JPH02232172A (ja) 研磨部材の製造方法
JPH0257156B2 (ja)
JP2746668B2 (ja) 静電集塵装置
JPH03102667A (ja) テープ清浄装置
JPH0782286B2 (ja) 画像記録装置
JPS61224137A (ja) 磁気記録媒体のバニツシユ方法
JPS63306630A (ja) 微粒子の除去方法
JP2964575B2 (ja) クリーナー
JPH0940923A (ja) 感圧性接着テ―プとその供給方法
JPH05323579A (ja) 基板表面の清浄化方法
JPS5778137A (en) Bake furnace
JPH05217979A (ja) 付着微粒子の除去方法及びその除去装置
JPH02281744A (ja) 半導体基板支持装置
JPH01137487A (ja) 光ディスク装置
JPH08227932A (ja) 半導体搬送装置
TW494019B (en) Cleaning device