JP2817577B2 - GaP純緑色発光素子基板 - Google Patents
GaP純緑色発光素子基板Info
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Description
板に関し、さらに詳しくは純緑色発光する高輝度GaP
発光素子を製造する際に用いる基板で複数のGaP層が
積層されたGaP純緑色発光素子基板に関する。
常、半導体基板上に更に複数の半導体層を積層してpn
接合を有する多層半導体基板を作製し、これを素子化す
ることにより得られる。このうち、緑色発光する発光ダ
イオードは、n型GaP単結晶基板上に、n型及びp型
GaP層を各々一層以上順次形成することにより作製し
た発光素子基板を用いて得ることができる。
り、pn接合を形成してもそのままでは輝度が極めて低
いため、通常は発光中心となるN(窒素)をpn接合近
傍のn型GaP層に添加して輝度を高めている。しか
し、窒素が添加されたn型GaP層を有するGaP系発
光素子基板から作製した発光ダイオードは、ピーク波長
が567nm前後の黄緑色の発光となり、555nm前
後の純緑色の発光が得られない。
色発光を得るために、pn接合部付近のn型GaP層又
はp型GaP層のキャリア濃度を低くした構造が提案さ
れている。
上にキャリア濃度(正味ドナー濃度)の低いn型GaP
層を設けた構造を有するGaP発光ダイオードの断面構
造(電極は図示せず)を示すもので、例えば特開昭59
−214276号公報に開示されている。このGaP発
光ダイオードは、図5(A)に示すように、n型GaP
単結晶基板50上にn型GaP層51、低キャリア濃度
n型GaP層52、及びp型GaP層53が順次形成さ
れ、低キャリア濃度n型GaP層52が発光層となる。
(B)に示すように、低キャリア濃度n型GaP層52
の正味ドナー濃度NDが5×1015〜1×1016個/c
m3とp型GaP層53のそれに対して相対的に相当低
くしてあるので、p型GaP層53から低キャリア濃度
n型GaP層52への正孔の注入効率が改善され、発光
効率が向上するというものである。
公報に開示されている構造であり、pn接合の一方を形
成するn型GaP層のキャリア濃度(n)より低いキャ
リア濃度(p)のp型GaP層(p型GaP層に浅いド
ナーとなる不純物を添加して正味アクセプター濃度を低
くした層)を設けた構造を有するGaP発光ダイオード
の断面構造(電極は図示せず)を示す。このGaP発光
ダイオードは、n型GaP単結晶基板60上にn型Ga
P層61、n型GaP層61よりキャリア濃度を低くし
た低キャリア濃度p型GaP層62及びp型GaP層6
3が形成され、低キャリア濃度p型GaP層62が発光
層となる。
度p型GaP層62(Znドープ)では、S(サルフ
ァ)等の浅いドナー(不純物)をその濃度NDが1×1
016≦ND≦3×1017個/cm3程度の範囲で添加して
キャリア濃度(NA(アクセプター濃度)−ND(ドナー
濃度))を低くしており、低キャリア濃度p型GaP層
62中の浅いドナーが発光中心となる。
従来のGaP発光ダイオードでも十分輝度の高い純緑色
光を得ることができず、さらに高輝度の純緑色発光が得
られるGaP純緑色発光ダイオードの開発が望まれてい
た。
aP発光ダイオードを製造することができるGaP純緑
色発光素子基板を提供することを目的とする。
結晶基板上にn型GaP層とp型GaP層とが少なくと
も一層づつ形成されたGaP純緑色発光素子基板におい
て、前記n型GaP層とp型GaP層との間のpn接合
部に、ドナー濃度NDが1×1016個/cm3未満で
あり、且つドナー濃度NDとアクセプター濃度NAがほ
ぼ等しい中間GaP層を設けたことを特徴とするGaP
純緑色発光素子基板を提供する。前記中間GaP層の厚
さは3〜5μmの範囲であるのが好ましい。また、前記
ドナーとなる不純物は例えばS(サルファ)及び/又は
Si(シリコン)であり、前記アクセプターとなる不純
物は例えばC(カーボン)であり、前記中間GaP層の
導電型はp型又はn型のどちらでもよい。
GaP層とp型GaP層とを少なくとも一層づつ形成し
たGaP純緑色発光素子基板のn型Gaじ層とp型Ga
P層との間のpn接合部に、カーボン製のスライドボー
トに収容されたGa溶液中で液相エピタキシャル成長法
により中間GaP層を形成する方法において、Ga溶液
中に溶かし込んだn型ドーパントを減圧して揮発させた
後に該Ga溶液を用いて液相エピタキシャル成長を行う
ことにより、前記n型GaP層と前記p型GaP層との
間のpn接合部に、ドナー濃度N D が1×10 16 個/
cm 3 未満であり、且つドナー濃度N D 及びアクセプタ
ー濃度N A がほぼ等しい中間GaP層を形成することを
特徴とするGaP純緑色発光素子基板の製造方法を提供
する。
層との間のpn接合部にドナー及びアクセプター濃度の
ともに低い中間GaP層を設けることにより、p型Ga
P層からn型GaP層への正孔の注入効率及び/又はn
型GaP層からp型GaP層への電子の注入効率を高め
ている。この中間GaP層の厚さを3〜5μm程度とす
ることにより、キャリアはこの中間GaP層を通過して
n型GaP層及び/又はp型GaP層へ到達し、ドナー
濃度の高いn型GaP層及び/又はアクセプター濃度の
高いp型GaP層で発光性再結合して効率良く発光する
ことが可能となる。
実施例について図面を参照しながら説明する。なお、本
発明は以下に示す実施例に限定されず、本発明の趣旨を
逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うま
でもない。
板の一実施例を示す断面構造図及び各層のキャリア濃度
分布を示す。本実施例のGaP純緑色発光素子基板は、
図1(A)に示すように、Te等を不純物として添加し
たn型GaP単結晶基板10上に、Te等を不純物とし
て添加したn型GaPバッファ層11及びS(サルフ
ァ)等を不純物として添加したn型GaP層12が形成
され、さらに再上層にはZn等が不純物として添加され
たp型GaP層14が形成されているが、前記n型Ga
P層12とp型GaP層14との間に厚さ3〜5μmの
中間GaP層13が形成されている。
ルファ)及び/又はSi(シリコン)とアクセプターと
なるC(カーボン)等の不純物が添加されているが、ド
ナー濃度NDとアクセプター濃度NAとがほぼ等しく、且
つこれらの濃度がいずれも低く設定されている。すなわ
ち、図1(B)に示すように、中間GaP層13の正味
ドナー濃度又はアクセプター濃度は1×1014個/cm
3程度の極めて弱いp型又はn型で、実質的にはほとん
ど中性である。
造方法の一例を説明する。図2は、GaP単結晶基板1
0上に各層を液相エピタキシャル成長法で成長させる際
に用いる液相エピタキシャル成長装置の構成を示す。
は、基板(n型GaP単結晶基板10上にエピタキシャ
ル成長層を形成済みの基板)30を収容するウエーハ室
25が設けられたカーボン製のスライドボート24がセ
ットされ、そのスライドボート24上を、Ga溶液28
を収容する下部が開口した溶液溜め27がスライド棒2
6によってスライドするように設けられている。
ガス供給口31側にはp型ドーパント源となるZn29
がセットされている。さらに、プロセスチューブ23の
外周には溶液溜め27近辺を加熱するためのメインヒー
ター21とZn29の近辺を加熱するためのサブヒータ
ー22がそれぞれ設けられている。
Arの混合ガスからなるキャリアガスがプロセスチュー
ブ23内に供給され、ガス排出口32から排出される。
型GaPバッファ層11を形成してある基板30の上に
n型GaP層12、中間GaP層12及びp型GaP層
14を順次成長させる際の成長プログラムを示す。具体
的な反応手順は以下の通りである。
及びS(サルファ)を適量入れ、溶液溜め27を図2の
Aの位置にセットする。 メインヒーターの温度を上げて溶液溜め27を100
0℃付近に昇温し、GaP多結晶及びドーパントしての
S(サルファ)をGa融液に溶かし込んでGa溶液28
とする。 溶液溜め27をAの位置からBの位置にスライドさ
せ、Ga溶液28をウエーハ室25内に流し込んだ後、
溶液溜め27を再びAの位置に戻す。 メインヒーター21を一定の降温速度で所定の温度ま
で下げ、基板30上にn型GaP層12を成長させる。 プロセスチューブ23内を減圧し(数Torr〜数十
Torr)、Ga溶液中のn型ドーパントであるS(サ
ルファ)を揮発させる。 キャリアガス(H2、Ar)を流す。 サブヒーター22の温度を上げずにメインヒーター2
1を一定の降温速度で数℃〜数十℃だけ下げ、n型ドー
パントのS(サルファ)及びp型ドーパントとも少ない
中間GaP層13を成長させる。 サブヒーター22の温度を上げてZn29を気化させ
るとともに、メインヒーター21を一定の降温速度で所
定温度まで下げてp型GaP層14を成長させる。
基板を素子化することにより、純緑色発光する発光素子
(発光ダイオード)が得られる。
aP発光素子基板を素子化したGaP発光素子の輝度
(相対値)との関係を示したものである。図において、
中間GaP層13の厚さが0(ゼロ)の場合が従来法に
対応する。図から、中間GaP層13の厚さが約4μm
の時に輝度が最大となり、中間GaP層13の厚さが3
〜5μmにおいて、従来法より15%以上の輝度の向上
が見られる。
緑色発光する高輝度のGaP発光素子が得られ、その輝
度は従来の純緑色発光素子に比し約20%と大幅に向上
することができる。
を示し、(A)はその断面構造図、(B)は各層のキャ
リア濃度分布を示すグラフである。
相エピタキシャル成長法により成長させる際に用いる液
相エピタキシャル成長装置の一例を示す構成図である。
相エピタキシャル成長法により成長させる際の成長プロ
グラムを示すグラフである。
て得たGaP純緑色発光素子の輝度(相対値)と中間G
aP層13の厚さとの関係を示すグラフである。
し、(A)はその断面構造図(電極は図示せず)、
(B)は各層のキャリア濃度分布を示すグラフである。
示し、(A)はその断面構造図(電極は図示せず)、
(B)は各層のキャリア濃度分布を示すグラフである。
Claims (4)
- 【請求項1】 GaP単結晶基板上にn型GaP層とp
型GaP層とが少なくとも一層づつ形成されたGaP純
緑色発光素子基板において、前記n型GaP層とp型G
aP層との間のpn接合部に、ドナー濃度NDが1×1
016個/cm3未満であり、且つドナー濃度NDとア
クセプター濃度NAがほぼ等しい中間GaP層を設けた
ことを特徴とするGaP純緑色発光素子基板。 - 【請求項2】 前記中間GaP層の厚さが3〜5μmの
範囲である請求項1に記載のGaP純緑色発光素子基
板。 - 【請求項3】 前記ドナーとなる不純物はS(サルフ
ァ)及び/又はSi(シリコン)であり、前記アクセプ
ターとなる不純物はC(カーボン)である請求項1又は
請求項2に記載のGaP純緑色発光素子基板。 - 【請求項4】 GaP単結晶基板上にn型GaP層とp
型GaP層とを少なくとも一層づつ形成したGaP純緑
色発光素子基板のn型GaP層とp型GaP層との間の
pn接合部に、カーボン製のスライドボートに収容され
たGa溶液中で液相エピタキシャル成長法により中間G
aP層を形成する方法において、 Ga溶液中に溶かし込んだn型ドーパントを減圧して揮
発させた後に該Ga溶液を用いて液相エピタキシャル成
長を行うことにより、前記n型GaP層と前記p型Ga
P層との間のpn接合部に、ドナー濃度N D が1×10
16 個/cm 3 未満であり、且つドナー濃度N D 及びア
クセプター濃度N A がほぼ等しい中間GaP層を形成す
ることを特徴とするGaP純緑色発光素子基板の製造方
法。
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