JP2773597B2 - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置及びその製造方法Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体発光装置及びそ
の製造方法に関し、より詳しくは、高輝度且つ純粋な緑
色発光が得られる半導体発光装置及びその製造方法に関
する。
の製造方法に関し、より詳しくは、高輝度且つ純粋な緑
色発光が得られる半導体発光装置及びその製造方法に関
する。
【０００２】
【発明の背景技術】発光ダイオード等の半導体発光装置
は、通常、半導体基板上に更に複数の半導体層を積層し
てｐｎ接合を有する多層半導体基板を作製し、これを素
子化することにより得られる。このうち緑色発光する半
導体発光装置としては、ｎ型ＧａＰ単結晶基板上にｎ型
及びｐ型ＧａＰ層を各々一層以上順次形成し、これを素
子化したものが実用化されている。
は、通常、半導体基板上に更に複数の半導体層を積層し
てｐｎ接合を有する多層半導体基板を作製し、これを素
子化することにより得られる。このうち緑色発光する半
導体発光装置としては、ｎ型ＧａＰ単結晶基板上にｎ型
及びｐ型ＧａＰ層を各々一層以上順次形成し、これを素
子化したものが実用化されている。
【０００３】しかし、ＧａＰは間接遷移型のバンド構造
を持っているので、ｐｎ接合を形成してもそのままでは
発光効率が十分でなく、輝度が極めて小さい発光装置し
か得られない。そのため、発光中心として働く等電子ト
ラップのドーピングが発光効率の向上に有効な手段とし
て用いられ、例えば窒素（Ｎ）をｐｎ接合近傍のＧａＰ
層に添加してＰサイトと置換させることにより、発光効
率が高められている。このように窒素ドープされたＧａ
Ｐ系発光装置からは、ピーク波長が５６７ｎｍ前後の黄
緑色の発光が得られる。
を持っているので、ｐｎ接合を形成してもそのままでは
発光効率が十分でなく、輝度が極めて小さい発光装置し
か得られない。そのため、発光中心として働く等電子ト
ラップのドーピングが発光効率の向上に有効な手段とし
て用いられ、例えば窒素（Ｎ）をｐｎ接合近傍のＧａＰ
層に添加してＰサイトと置換させることにより、発光効
率が高められている。このように窒素ドープされたＧａ
Ｐ系発光装置からは、ピーク波長が５６７ｎｍ前後の黄
緑色の発光が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＧａＰを用いた半導体
発光装置に関しては、その研究の歴史も古く、ＧａＰ系
の半導体発光装置の発光効率も材料的な限界まで高めら
れてきている。しかし、ＧａＰは上述したように本質的
に間接遷移型のバンド構造を持っているため、十分な発
光効率が得られないという問題があった。また、窒素ド
ープされたＧａＰ系発光装置は、発光効率の向上は達成
できたが、窒素の準位がＧａＰのバンドギャップ中にあ
るため、発光波長が長波長化して黄緑色となり、純粋な
緑色発光が得られないという問題があった。
発光装置に関しては、その研究の歴史も古く、ＧａＰ系
の半導体発光装置の発光効率も材料的な限界まで高めら
れてきている。しかし、ＧａＰは上述したように本質的
に間接遷移型のバンド構造を持っているため、十分な発
光効率が得られないという問題があった。また、窒素ド
ープされたＧａＰ系発光装置は、発光効率の向上は達成
できたが、窒素の準位がＧａＰのバンドギャップ中にあ
るため、発光波長が長波長化して黄緑色となり、純粋な
緑色発光が得られないという問題があった。
【０００５】そこで本発明は、高輝度で且つ純粋な緑色
発光が得られる半導体発光装置及びその製造方法を提供
することを目的とする。
発光が得られる半導体発光装置及びその製造方法を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、周期律表第ＩＩＩ族及び第Ｖ族からなる
化合物半導体単結晶基板上に、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙ
Ｉｎ１−ｙＰ（但し０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）で表され
る混晶型化合物半導体に５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３以上２．５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の濃度
の窒素をドープしてなるエピタキシャル層を形成した。
前記有機アルミニウム化合物は、例えばトリメチルアル
ミニウム（ＴＭＡｌ）である。そして、窒素をドープし
てなるエピタキシャル層が、２．３０ｅＶ以上をバンド
ギャップを有し、且つ間接遷移領域もしくはそれにちか
い混晶組成の混晶型化合物半導体からなる活性層であれ
ば、高輝度且つ純粋な緑色を発光する活性層として使用
できる。
成するために、周期律表第ＩＩＩ族及び第Ｖ族からなる
化合物半導体単結晶基板上に、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙ
Ｉｎ１−ｙＰ（但し０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）で表され
る混晶型化合物半導体に５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３以上２．５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の濃度
の窒素をドープしてなるエピタキシャル層を形成した。
前記有機アルミニウム化合物は、例えばトリメチルアル
ミニウム（ＴＭＡｌ）である。そして、窒素をドープし
てなるエピタキシャル層が、２．３０ｅＶ以上をバンド
ギャップを有し、且つ間接遷移領域もしくはそれにちか
い混晶組成の混晶型化合物半導体からなる活性層であれ
ば、高輝度且つ純粋な緑色を発光する活性層として使用
できる。
【０００７】
【作用】本発明者らは、（ＡｌｘＧａ１−Ｘ）ｙＩｎ
１−ｙＰ（但し０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）で表される混
晶型化合物半導体に、有機アルミニウム化合物の導入量
を制御すると、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）に
より効率よく窒素をドープできることを見出した。そし
て、バンドギャップが２．３０ｅＶ以上で且つ間接遷移
領域もしくはそれにちかい混晶組成の（ＡｌｘＧａ
１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰに５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３以上２．５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の濃
度の窒素をドープしてなるエピタキシャル層を形成する
ことにより、波長が５５５ｎｍの純粋な緑色発光を得ら
れることを見出した。すなわち本発明者らの実験による
と、窒素は（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ中でも
有効な等電子トラップとして働くことが見出された。窒
素を仲介した発光では、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ
１−ｙＰのバンド端発光よりも長波長化するが、バンド
ギャップが２．３０ｅＶ以上であれば、発光波長が純緑
色領域にとどまる。しかも、その発光効率は、従来のＧ
ａＰ系発光装置と比較しても極めて高く、十分高い輝度
が得られるものである。
１−ｙＰ（但し０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）で表される混
晶型化合物半導体に、有機アルミニウム化合物の導入量
を制御すると、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）に
より効率よく窒素をドープできることを見出した。そし
て、バンドギャップが２．３０ｅＶ以上で且つ間接遷移
領域もしくはそれにちかい混晶組成の（ＡｌｘＧａ
１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰに５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３以上２．５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の濃
度の窒素をドープしてなるエピタキシャル層を形成する
ことにより、波長が５５５ｎｍの純粋な緑色発光を得ら
れることを見出した。すなわち本発明者らの実験による
と、窒素は（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ中でも
有効な等電子トラップとして働くことが見出された。窒
素を仲介した発光では、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ
１−ｙＰのバンド端発光よりも長波長化するが、バンド
ギャップが２．３０ｅＶ以上であれば、発光波長が純緑
色領域にとどまる。しかも、その発光効率は、従来のＧ
ａＰ系発光装置と比較しても極めて高く、十分高い輝度
が得られるものである。
【０００８】また、ＮＨ3を原料に用いて窒素ドープを
行う場合には、有機アルミニウム化合物の存在が窒素の
効率的なドーピングに寄与するものと考えられ、窒素の
ドープ量を高くすることが可能となっている。
行う場合には、有機アルミニウム化合物の存在が窒素の
効率的なドーピングに寄与するものと考えられ、窒素の
ドープ量を高くすることが可能となっている。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の半導体発光装置及びその製造
方法の実施例について詳細に説明する。本実施例では、
（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰのうち、最も単純なｙ＝１
の場合、すなわちＡｌxＧａ1-xＰをＧａＰ基板上に成長
する場合を例にとって説明する。
方法の実施例について詳細に説明する。本実施例では、
（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰのうち、最も単純なｙ＝１
の場合、すなわちＡｌxＧａ1-xＰをＧａＰ基板上に成長
する場合を例にとって説明する。
【００１０】なお、ＡｌxＧａ1-xＰ層をＧａＰ基板上に
成長する方法は、ＭＯＶＰＥ法を用いた。また、Ａｌ、
Ｇａ及びＰの原料としては、それぞれトリメチルアルミ
ニウム（ＴＭＡｌ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）
及びホスフィン（ＰＨ3）を用い、窒素の供給源として
は、最も高純度のものが得られるＮＨ3を用いた。さら
に、ｎ型及びｐ型ドーパント源としてはそれぞれセレン
化水素（Ｈ2Ｓｅ）及びジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）を用
いた。
成長する方法は、ＭＯＶＰＥ法を用いた。また、Ａｌ、
Ｇａ及びＰの原料としては、それぞれトリメチルアルミ
ニウム（ＴＭＡｌ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）
及びホスフィン（ＰＨ3）を用い、窒素の供給源として
は、最も高純度のものが得られるＮＨ3を用いた。さら
に、ｎ型及びｐ型ドーパント源としてはそれぞれセレン
化水素（Ｈ2Ｓｅ）及びジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）を用
いた。
【００１１】図１は、本発明の一実施例の半導体発光装
置の概略断面図である。この発光装置は、ｎ型ＧａＰ基
板５上に、ＭＯＶＰＥ法により、ｎ型ＡｌＧａＰ層４、
Ｎドープｎ型ＡｌＧａＰ層３、Ｎドープｐ型ＡｌＧａＰ
層２、ｐ型ＡｌＧａＰ層１を順次成長したものである。
置の概略断面図である。この発光装置は、ｎ型ＧａＰ基
板５上に、ＭＯＶＰＥ法により、ｎ型ＡｌＧａＰ層４、
Ｎドープｎ型ＡｌＧａＰ層３、Ｎドープｐ型ＡｌＧａＰ
層２、ｐ型ＡｌＧａＰ層１を順次成長したものである。
【００１２】ＭＯＶＰＥ法で成長させる場合、例えば図
２に示すような構成の成長装置を用いる。すなわち、各
種のIII族有機金属元素の有機物の蒸気と気相のＶ族元
素の水素化物及びアンモニアとを、成長層の組成に応じ
て分圧及び流量を選択して得た混合ガスを反応管２０に
供給し、反応管２０内に配置したｎ型ＧａＰ基板５上に
所望の成長層を順次形成する。
２に示すような構成の成長装置を用いる。すなわち、各
種のIII族有機金属元素の有機物の蒸気と気相のＶ族元
素の水素化物及びアンモニアとを、成長層の組成に応じ
て分圧及び流量を選択して得た混合ガスを反応管２０に
供給し、反応管２０内に配置したｎ型ＧａＰ基板５上に
所望の成長層を順次形成する。
【００１３】具体的には、５０Ｔｏｒｒの減圧下でバレ
ル型のＭＯＶＰＥ成長装置により、直径５０ｍｍ、結晶
方位（１００）のｎ型ＧａＰ基板５上に、Ｖ族元素とII
I族元素との供給量比（Ｖ／III比）が１００となるよう
に混合したガスを成長層の原料ガスとして用い、成長温
度８５０℃、成長速度約４μｍ／時の成長条件でｎ型Ａ
ｌＧａＰ層４を成長させる。続いて、上記の成長条件で
ＮＨ3を流してＮドープｎ型ＡｌＧａＰ層３を成長させ
る。次に、Ｎドープｐ型ＡｌＧａＰ層２、さらにｐ型Ａ
ｌＧａＰ層１を成長させる。なお、その上にさらに酸化
防止用のｐ型ＧａＰ層を成長させてもよい。このように
して、図１に示す構造が得られ、これを素子化すること
により発光ダイオード等の発光装置が得られる。
ル型のＭＯＶＰＥ成長装置により、直径５０ｍｍ、結晶
方位（１００）のｎ型ＧａＰ基板５上に、Ｖ族元素とII
I族元素との供給量比（Ｖ／III比）が１００となるよう
に混合したガスを成長層の原料ガスとして用い、成長温
度８５０℃、成長速度約４μｍ／時の成長条件でｎ型Ａ
ｌＧａＰ層４を成長させる。続いて、上記の成長条件で
ＮＨ3を流してＮドープｎ型ＡｌＧａＰ層３を成長させ
る。次に、Ｎドープｐ型ＡｌＧａＰ層２、さらにｐ型Ａ
ｌＧａＰ層１を成長させる。なお、その上にさらに酸化
防止用のｐ型ＧａＰ層を成長させてもよい。このように
して、図１に示す構造が得られ、これを素子化すること
により発光ダイオード等の発光装置が得られる。
【００１４】次に、窒素のドーピング特性について検討
を行った。すなわち、ＮドープＡｌＧａＰ層の成長の際
に、混合ガス中のＮＨ3の割合を種々の割合にし、他の
成長条件を一定にした場合に、ＡｌＧａＰ層への窒素の
ドープ量がどのように変化するかを調べた。
を行った。すなわち、ＮドープＡｌＧａＰ層の成長の際
に、混合ガス中のＮＨ3の割合を種々の割合にし、他の
成長条件を一定にした場合に、ＡｌＧａＰ層への窒素の
ドープ量がどのように変化するかを調べた。
【００１５】図３は、ＮＨ3の濃度とＡｌＧａＰ層中の
窒素濃度の関係を示す。図から分るように両者は極めて
高い相関を示す。従って、ＡｌＧａＰ層への窒素のドー
プ量はＮＨ3の濃度により制御することが可能であるこ
とが理解できる。また、ＮＨ3濃度が各成長条件に対応
する臨界濃度以下の場合には、単結晶を保ったままで窒
素ドーピングが可能であることが分った。臨界濃度以上
では、ウルツ鉱構造のＡｌＮが形成されてエピタキシャ
ル層が多結晶化する。
窒素濃度の関係を示す。図から分るように両者は極めて
高い相関を示す。従って、ＡｌＧａＰ層への窒素のドー
プ量はＮＨ3の濃度により制御することが可能であるこ
とが理解できる。また、ＮＨ3濃度が各成長条件に対応
する臨界濃度以下の場合には、単結晶を保ったままで窒
素ドーピングが可能であることが分った。臨界濃度以上
では、ウルツ鉱構造のＡｌＮが形成されてエピタキシャ
ル層が多結晶化する。
【００１６】次に、ＡｌＧａＰ層の成長を種々の条件下
で行い、ＡｌＧａＰ層中の窒素濃度がどのように変化す
るかを調べた。図４はその結果を示す。図において、各
記号で表された測定点の成長条件はそれぞれ次頁の表１
に示す通りである。
で行い、ＡｌＧａＰ層中の窒素濃度がどのように変化す
るかを調べた。図４はその結果を示す。図において、各
記号で表された測定点の成長条件はそれぞれ次頁の表１
に示す通りである。
【００１７】図４において、他の条件が同一のものを比
較した場合、同一量のＮＨ3を流した場合においては、
混晶ＡｌxＧａ1-xＰの混晶比ｘが大きいほどＡｌＧａＰ
層中の窒素濃度が高くなり、効率的な窒素ドープが行わ
れることが分る。つまり、ＮＨ3を原料に用いた場合
は、ＮＨ3とＴＭＡｌの間でアダクト（ＴＭＡｌ：Ｎ
Ｈ3）が形成されてそのＡｌ−Ｎ間の化学結合がＡｌＧ
ａＰにＮをドープする際に重要な役割を果していると考
えられる。実際、ＭＯＶＰＥ法においてＴＭＡｌを介在
させないで成長させたＧａＰにＮをドープすることは非
常に困難であった。
較した場合、同一量のＮＨ3を流した場合においては、
混晶ＡｌxＧａ1-xＰの混晶比ｘが大きいほどＡｌＧａＰ
層中の窒素濃度が高くなり、効率的な窒素ドープが行わ
れることが分る。つまり、ＮＨ3を原料に用いた場合
は、ＮＨ3とＴＭＡｌの間でアダクト（ＴＭＡｌ：Ｎ
Ｈ3）が形成されてそのＡｌ−Ｎ間の化学結合がＡｌＧ
ａＰにＮをドープする際に重要な役割を果していると考
えられる。実際、ＭＯＶＰＥ法においてＴＭＡｌを介在
させないで成長させたＧａＰにＮをドープすることは非
常に困難であった。
【００１８】その他、効率的な窒素ドープを行う条件と
して、成長温度が高いほど、またＶ／III比が小さいほ
ど良いことも図４より分る。
して、成長温度が高いほど、またＶ／III比が小さいほ
ど良いことも図４より分る。
【００１９】
【表１】
【００２０】表２は、ＡｌＧａＰ層に窒素をドープした
本実施例の発光装置とＧａＰ系の従来の発光装置の諸特
性を比較しものである。
本実施例の発光装置とＧａＰ系の従来の発光装置の諸特
性を比較しものである。
【００２１】
【表２】
【００２２】表２から分るように、発光波長は窒素をド
ープしないＧａＰ系発光装置と同じ発光波長５５５ｎｍ
の純緑色発光が得られ、輝度の指標となる外部量子効率
や視感効率は窒素をドープしないＧａＰ系発光装置より
も大幅に向上し、窒素をドープしたＧａＰ系発光装置と
比べてもそれほど遜色のない値が得られる。
ープしないＧａＰ系発光装置と同じ発光波長５５５ｎｍ
の純緑色発光が得られ、輝度の指標となる外部量子効率
や視感効率は窒素をドープしないＧａＰ系発光装置より
も大幅に向上し、窒素をドープしたＧａＰ系発光装置と
比べてもそれほど遜色のない値が得られる。
【００２３】本実施例ではＡｌxＧａ1-xＰをＧａＰ基板
上に成長する場合を例にとって説明したが、ＧａＡｓ基
板上に格子整合する（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰを成長
させてもよい。また、上記実施例においては窒素の供給
源としてＮＨ3を用いたが、他の窒素化合物として、例
えばトリメチルアミン、ジメチルヒドラジン等を用いて
もよい。さらに、エピタキシャル成長法としてＭＯＶＰ
Ｅ法を用いたが、その他ＣＢＥ法（ガス分子線エピタキ
シャル法）等を用いても可能と考えられる。
上に成長する場合を例にとって説明したが、ＧａＡｓ基
板上に格子整合する（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰを成長
させてもよい。また、上記実施例においては窒素の供給
源としてＮＨ3を用いたが、他の窒素化合物として、例
えばトリメチルアミン、ジメチルヒドラジン等を用いて
もよい。さらに、エピタキシャル成長法としてＭＯＶＰ
Ｅ法を用いたが、その他ＣＢＥ法（ガス分子線エピタキ
シャル法）等を用いても可能と考えられる。
【００２４】また、Ａｌ、Ｇａ及びＰの原料としては、
それぞれトリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリメ
チルガリウム（ＴＭＧａ）及びホスフィン（ＰＨ3）を
用い、ｎ型及びｐ型ドーパントとしてはそれぞれセレン
化水素（Ｈ2Ｓｅ）及びジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）を用
いたが、これら以外の原料を用いることも可能であるこ
とは言うまでもない。
それぞれトリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリメ
チルガリウム（ＴＭＧａ）及びホスフィン（ＰＨ3）を
用い、ｎ型及びｐ型ドーパントとしてはそれぞれセレン
化水素（Ｈ2Ｓｅ）及びジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）を用
いたが、これら以外の原料を用いることも可能であるこ
とは言うまでもない。
【００２５】本実施例では、ＡｌＧａＰのホモ接合の場
合について説明したが、Ｎドープｎ型及びｐ型ＡｌＧａ
Ｐ層２、３に隣接するｎ型及びｐ型ＡｌＧａＰ層１、４
の混晶比を調節することによって、ヘテロ接合を利用し
たキャリアの閉じ込め効果を持たせることも可能であ
る。
合について説明したが、Ｎドープｎ型及びｐ型ＡｌＧａ
Ｐ層２、３に隣接するｎ型及びｐ型ＡｌＧａＰ層１、４
の混晶比を調節することによって、ヘテロ接合を利用し
たキャリアの閉じ込め効果を持たせることも可能であ
る。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
輝度で且つ純粋な緑色発光が得られる半導体発光装置を
得ることができる。
輝度で且つ純粋な緑色発光が得られる半導体発光装置を
得ることができる。
【図１】本発明の一実施例の半導体発光装置を示す概略
断面図である。
断面図である。
【図２】ＭＯＶＰＥ法で用いる成長装置の一例を示す説
明図である。
明図である。
【図３】活性層の成長時に流すガス中のＮＨ3濃度と活
性層中の窒素濃度との関係を示す図である。
性層中の窒素濃度との関係を示す図である。
【図４】活性層の成長条件を種々変更した場合の活性層
中の窒素濃度を示す図である。
中の窒素濃度を示す図である。
１ ｐ型ＡｌＧａＰ ２ Ｎドープｐ型ＡｌＧａＰ層 ３ Ｎドープｎ型ＡｌＧａＰ層 ４ ｎ型ＡｌＧａＰ層 ５ ｎ型ＧａＰ基板 ２０ 反応管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹中卓夫 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 半導体株式会社 半導体磯部研究所内 (56)参考文献 特開 昭58−46685（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−4987（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−205921（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−128775（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 33/00
Claims (5)
- 【請求項１】 周期律表第ＩＩＩ族及び第Ｖ族からなる
化合物半導体単結晶基板上に、（ＡｌｘＧａ１−Ｘ）ｙ
Ｉｎ１−ｙＰ（但し０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）で表され
る混晶型化合物半導体に５×１０ １９ ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３ 以上２．５×１０ ２０ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ３ 以下の濃度
の窒素をドープしてなるエピタキシャル層を形成したこ
とを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項２】 前記窒素をドープしてなるエピタキシャ
ル層は、２．３０ｅＶ以上のバンドギャップを有し、且
つ間接遷移領域もしくはそれに近い混晶組成を有する前
記混晶型化合物半導体からなる活性層である、請求項１
に記載の半導体発光装置。 - 【請求項３】 周期律表第ＩＩＩ族及び第Ｖ族からなる
化合物半導体単結晶基板上に、（ＡｌｘＧａ１−Ｘ）ｙ
Ｉｎ１−ｙＰ（但し０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）で表され
る混晶型化合物半導体に窒素をドープしてなるエピタキ
シャル層を、有機アルミニウム化合物の導入量で窒素ド
ープの効率を制御しながら有機金属気相成長法（ＭＯＶ
ＰＥ法）により形成することを特徴とする半導体発光装
置の製造方法。 - 【請求項４】 前記有機アルミニウム化合物がトリメチ
ルアルミニウム（ＴＭＡｌ）である請求項３に記載の半
導体発光装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記窒素をドープしてなるエピタキシャ
ル層は、２．３０ｅＶ以上のバンドギャップを有し、且
つ間接遷移領域もしくはそれに近い混晶組成を有する前
記混晶型化合物半導体からなる活性層である、請求項３
又は請求項４に記載の半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9073693A JP2773597B2 (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| EP94104630A EP0617470A3 (en) | 1993-03-25 | 1994-03-23 | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same. |
| US08/216,278 US5442201A (en) | 1993-03-25 | 1994-03-23 | Semiconductor light emitting device with nitrogen doping |
| US08/402,487 US5597761A (en) | 1993-03-25 | 1995-03-10 | Semiconductor light emitting device and methods of manufacturing it |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9073693A JP2773597B2 (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283760A JPH06283760A (ja) | 1994-10-07 |
| JP2773597B2 true JP2773597B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=14006867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9073693A Expired - Lifetime JP2773597B2 (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0617470A3 (ja) |
| JP (1) | JP2773597B2 (ja) |
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| EP1182282A4 (en) | 1999-03-18 | 2008-12-10 | Sharp Kk | CRYSTAL DRAWING, FORMING A FINE SEMICONDUCTOR STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND SYSTEM |
| JP3791672B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2006-06-28 | 信越半導体株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
| CA2583504A1 (en) * | 2004-10-08 | 2006-07-06 | The Regents Of The University Of California | High efficiency light-emitting diodes |
| US8242480B2 (en) * | 2010-06-23 | 2012-08-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Engineering emission wavelengths in laser and light emitting devices |
| JP2015525965A (ja) * | 2012-07-05 | 2015-09-07 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 窒素及びリンを含有する発光層を有する発光ダイオード |
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|---|---|---|---|---|
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| US4101920A (en) * | 1975-01-29 | 1978-07-18 | Sony Corporation | Green light emitting diode |
| FR2508244A1 (fr) * | 1981-06-19 | 1982-12-24 | Thomson Csf | Laser a semi-conducteur a courte longueur d'onde |
| JPS584987A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-12 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| JPS586184A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-13 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS584988A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-12 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS5846685A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-18 | Fujitsu Ltd | 高輝度黄緑色発光ダイオ−ド |
| JPS5861684A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光半導体装置 |
| JPS63128775A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 発光素子 |
| JPS63205921A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-25 | Toshiba Corp | 光半導体素子の製造方法 |
| US5115286A (en) * | 1988-08-26 | 1992-05-19 | Hewlett-Packard Company | Electro-optical device with inverted transparent substrate and method for making same |
| JPH0712094B2 (ja) * | 1988-10-19 | 1995-02-08 | 信越半導体株式会社 | 発光半導体素子用エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| US5008718A (en) * | 1989-12-18 | 1991-04-16 | Fletcher Robert M | Light-emitting diode with an electrically conductive window |
| US5173751A (en) * | 1991-01-21 | 1992-12-22 | Pioneer Electronic Corporation | Semiconductor light emitting device |
| JPH04278522A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-10-05 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | ＳｉドープＧａＩｎＰキャップ層を有する半導体材料 |
| US5164798A (en) * | 1991-07-05 | 1992-11-17 | Hewlett-Packard Company | Diffusion control of P-N junction location in multilayer heterostructure light emitting devices |
-
1993
- 1993-03-25 JP JP9073693A patent/JP2773597B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-03-23 US US08/216,278 patent/US5442201A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-23 EP EP94104630A patent/EP0617470A3/en not_active Ceased
-
1995
- 1995-03-10 US US08/402,487 patent/US5597761A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0617470A3 (en) | 1995-03-01 |
| JPH06283760A (ja) | 1994-10-07 |
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