JP4032224B2 - 燐化ガリウム発光素子及びその製造方法 - Google Patents
燐化ガリウム発光素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4032224B2 JP4032224B2 JP2001535239A JP2001535239A JP4032224B2 JP 4032224 B2 JP4032224 B2 JP 4032224B2 JP 2001535239 A JP2001535239 A JP 2001535239A JP 2001535239 A JP2001535239 A JP 2001535239A JP 4032224 B2 JP4032224 B2 JP 4032224B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gallium phosphide
- concentration
- type
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 title claims description 186
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 19
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 19
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 15
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- YUWBVKYVJWNVLE-UHFFFAOYSA-N [N].[P] Chemical compound [N].[P] YUWBVKYVJWNVLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 48
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 2
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000008450 motivation Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/025—Physical imperfections, e.g. particular concentration or distribution of impurities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/914—Doping
- Y10S438/918—Special or nonstandard dopant
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
本発明は、燐化ガリウム発光素子及びその製造方法に関し、さらに詳しくは、輝度の高い燐化ガリウム発光素子及びその製造方法に関する。
背景技術
発光ダイオード等の発光素子は、通常、半導体基板上に更に複数の半導体層を積層してp−n接合を有する多層半導体ウエーハを作製し、これを素子化することにより得られる。このうち、ドミナント発光波長(主波長)555nm〜580nmの発光ダイオードは、n型燐化ガリウム(以下、単に「GaP」と記載することがある)単結晶基板上にn型及びp型GaP層を一層以上順次形成することにより作製した多層半導体ウェーハを素子化することにより得ることができる。なお、ドミナント発光波長(主波長)の求め方は、JIS−Z8701(1995)に規定されている。
GaPに発光中心となる窒素(N)を添加しない場合、ドミナント発光波長559nm以上560nm未満の緑色光を発光するが、間接遷移型であるためその発光効率は極めて低い。そこで、GaPに窒素(N)を添加すると、発光効率を大幅に高めることができる。これは、主に以下のようなメカニズムによるものと考えられている。すなわち、NはGaP中の燐(P)と置換するが、NとPは同じV族元素であるため、Nは電気的に中性の不純物となる。しかし、NはPよりも電子親和力が大きいから、近傍の電子を捕えることができる。このような不純物はアイソエレクトロニックトラップ(Isoelectronic Trap)と呼ばれる。電子が一旦捕えられると、遠くまでおよぶクーロン力によって正孔を引き付け、エキシトン(Exciton)が形成される。このエキシトンが再結合消滅する際、バンドギャップに近いエネルギーを有するドミナント発光波長が560nm以上580nm以下である緑色から黄緑色の発光を行う。この範囲の波長のうち、ドミナント発光波長が560nm以上564nm以下のものは、実質的に緑色として認識される。ここで、Nの電子に対するポテンシャルは、実空間にて非常に幅が狭く深い短距離力であることが知られており、結果として電子の波動関数は運動量空間では拡がりが非常に大きくなる。その結果、間接遷移型であるが、運動量空間(波数ベクトル空間と等価である)での波動関数の拡がりにより、波数ベクトルがゼロの直接遷移成分が大きくなり、大きな発光再結合確率を有するようになるものと考えられる。
図9に、従来より使用されているGaP発光素子の断面構造及び各層のキャリア濃度分布の一例を示す。図9において(A)に示すように、従来のGaP発光素子は、n型GaP単結晶基板40上に、n型GaP結晶性改善層41、Nのドープされていないn型GaP層42、Nドープn型GaP層43、Nドープp型GaP層44及び、Nのドープされていないp型GaP層45が積層された構造を有する。p−n接合は、Nドープn型GaP層43とNドープp型GaP層44の間に形成される。n型GaP基板40及びn型GaP層41〜43にはn型ドーパントとして珪素(Si)が添加され、p型GaP層44〜45にはp型ドーパントとして亜鉛(Zn)が添加されている。
図9の(A)に示すGaP発光素子の構造は、発光領域を形成するp−n接合部にNが添加されているので、Nが全く添加されていないものに比べると発光効率が高く、輝度も高くなる。ここで、輝度とは、発光体の単位面積あたりの明るさをいう。輝度は、発光体の形状や測定方法等によりその値が大きく変わるので、本発明においては相対値で評価される。
しかし、p−n接合部にNが添加されたGaP発光素子の発光効率は、例えばGaP:Zn−O赤色LED等のそれに比べると低いため、低欠陥で良質の結晶によるp−n接合を成長させることが、輝度を高める上で重要である。p−n接合部を構成するNドープp型GaP層44は、いわゆる不純物補償方式により形成されることが多い。これは、n型GaP層43を成長した後、ガリウム溶液に亜鉛(Zn)などのアクセプターを添加し、ドナーを補償してp型GaP層44を成長する方式であり、一種類の溶液でp−n接合部を形成することができる。
ところで、p−n接合部を構成するNドープn型GaP層43を液相成長する際には、Siが添加されたガリウム溶液を収容した成長容器内に、N原料としてアンモニアガスを導入するようにする。他方、Nドープp型GaP層44は、上記のSi添加ガリウム溶液にさらにZnを添加してドナー不純物(Si)を補償し、同様にアンモニアガスを導入して成長を行う。n型GaP層43にもp型GaP層44にもNを添加することで、原理的には、いずれの層でも発光する確率が生ずる。しかし、p型GaP層44は上記の通り不純物補償方式で成長するため、n型GaP層43のドナー濃度に比べてアクセプター濃度が必然的に高くなり、その結果、正孔注入によるn型GaP層43での発光が支配的となる。
ここで、アンモニアによるNドープを行う際には、Siがアンモニアと反応して安定な化合物を作るのでガリウム溶液中のSiが減少し、図9において(B)に示すようにNドープn型GaP層43中のSi濃度(ドナー濃度:結果的に、キャリア濃度)は下がる。発光領域において、ドナーは非発光中心として働くので、ドナー濃度を極力低減し、キャリアのライフタイムを長くすることが重要である。そこで、上記したように、n型GaP層43を成長する際にアンモニアガスを導入してドナーであるSiの濃度を減少させると、その分だけ発光に寄与する正孔の注入効率が上がりやすくなる。
上記したように、p−n接合部を構成するGaP層にNを添加することにより、発光効率を高くすることができる。しかしながら、Nの高濃度化とともにドミナント発光波長は長波長側にシフトし黄色成分が強くなってしまうため、同一波長においてさらなる高輝度化を達成することが困難であった。
また、n型GaP層43を成長する際のアンモニアガス導入により、ドナーであるSiの濃度減少は不可避的に生ずるから、発光に寄与する正孔の注入効率が上がりやすくなる利点はあるものの、n型GaP層43のドナー濃度が、アンモニアガスの形で導入される発光中心のN濃度と常に連動して変化することになり、キャリア濃度をN濃度から独立して制御することが困難となる問題が別途生ずる。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、輝度の高い燐化ガリウム発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
発明の開示
本発明は、n型GaP層とp型GaP層との間のp−n接合部に、窒素がドープされ、且つ、ドナー濃度及びアクセプター濃度が1×1016個/cm3より低い低キャリア濃度層を設けることにより、輝度を従来より20%〜30%も向上させることを主旨とする。これは、p−n接合部を構成するp型GaP層を不純物補償方式で成長する従来技術においては試みることのできなかった技術であり、本発明者らにより初めてその効果が明らかにされたものである。
低キャリア濃度層のドナー濃度及びアクセプター濃度が1×1016個/cm3より低く設定されると、ドナー濃度とアクセプター濃度の差として表されるキャリア濃度は、必然的に1×1016個/cm3より低くなる。しかし、ここで重要なことは、非発光中心として働くドナーの濃度を1×1016個/cm3より低く設定することによりキャリアのライフタイムを長くすると同時に、キャリア濃度を隣接する層よりも相当低いレベルに設定すること、具体的には1×1016個/cm3より低く設定することにより、電子あるいは正孔の注入による発光効率を向上した点である。
前記低キャリア濃度層はドーパントとして硫黄と炭素とを含むが、炭素濃度を硫黄濃度よりも高くすることにより、低キャリア濃度層の導電型をp型にすると、電子の注入による発光が支配的となる。電子の移動度は正孔の移動度よりもはるかに大きいので、電子の注入効率が大きくなり輝度も向上する。
低キャリア濃度層のn型ドーパントとして硫黄を用いるのは、硫黄の蒸気圧が比較的高く、成長容器内を減圧することにより硫黄を容易に揮発させて除去することができるからである。減圧の程度を大きくしたり、減圧処理時間を長くして、揮発する硫黄の量を増すことにより、ガリウム溶液中の硫黄濃度を減じることができる。また、低キャリア濃度層のp型ドーパントとして用いられる炭素は、カーボン製の成長容器からガリウム溶液中に溶出したものである。ガリウム溶液の温度が低くなるに従い、ガリウム溶液中に溶出する炭素の量が少なくなる。すなわち、減圧処理条件やガリウム溶液の温度を変化させることにより、N濃度から独立させて炭素濃度や硫黄濃度を制御することが可能である。
本発明の燐化ガリウム発光素子の輝度は、前記低キャリア濃度層の厚さによって変化し、その厚さが3μm以上20μm以下の場合に最も高い輝度が得られる。
なお、窒素(N)がドープされていない低キャリア濃度層をn型GaP層とp型GaP層との間のp−n接合部に設けることは、特開平6−342935号公報に開示されている。しかし、その出願は純緑色(ピーク波長:約555nm)発光するGaP発光素子を製造することを目的とするものであり、低キャリア濃度層中にNをドープする技術との組み合わせを示唆する記載も全くない。むしろ、低キャリア濃度層中にNをドープすると、ドミナント発光波長は長波長側にシフトして黄緑色となり、純緑色発光を得るという解決課題の観点からはNドープは却って不利に作用する。従って、上記公報技術には、Nをドープする技術と組み合わせるための動機付けが本質的に存在しない。
また、National Technical Report Vol.25 No.6 Dec.1979の第1152頁〜第1158頁、ならびに、特開昭54−53974号公報には、n型GaP層にNをドープすることが記載されているものの、いずれの場合もn型ドーパントが多量に残存してキャリア濃度が1×1016個/cm3より高いn型であり、発光効率の十分な向上は期待できない。少なくとも、p型が主体の低キャリア濃度層中にNをドープした構造のGaP層は開示されていない。
また、特開昭57−93589号公報には、p−n接合の一方を形成するn型GaP層のキャリア濃度より低いキャリア濃度のp型GaP層(p型GaP層に浅いドナーとなる不純物を添加して正味アクセプター濃度を低くした層)を設けた構造を有するGaP発光ダイオードが開示されている。しかし、このGaP発光ダイオードの低キャリア濃度p型GaP層(Znドープ)では、硫黄(S)等の浅いドナーをその濃度NDが1×1016個/cm3≦ND≦3×1017個/cm3程度の範囲で添加してキャリア濃度を低くしており、十分輝度の高い緑色光を得ることができない。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の実施の形態を説明する。
(実施の形態1)
図1は、本発明のGaP発光素子の一実施例を示す断面構造及び各層のキャリア濃度分布を示す。簡略化の為に、図1においては、n側及びp側表面に形成されている電極を図示していない。
本実施例のGaP発光素子1は、図1において(A)に示すように、n型GaP単結晶基板10上に、n型GaP結晶性改善層11、n型GaP層12、低キャリア濃度層13、p型GaP層14,15が積層された構造を有する。n型GaP単結晶基板10及びn型GaP結晶性改善層11には、n型ドーパントとして珪素(Si)が添加されている。一方、n型GaP層12には硫黄(S)と炭素(C)とが不純物として添加されている(なお、本実施の形態では、該n型GaP層12にはNがドープされていない)。
次に、低キャリア濃度層13は、本実施の形態ではp型GaP層であり、n型GaP層12との間にp−n接合を形成する。該低キャリア濃度層13においては、SとCとがドーパントとして添加され、さらにNがドープされているが、ドナーであるS濃度及びアクセプターであるC濃度は、共に1×1016個/cm3より低く設定され、キャリア濃度も1×1016個/cm3より低く設定されている。また、ここではS濃度とC濃度との大小関係が、n型GaP層12とは逆になっており、n型ドーパントであるSがp型ドーパントであるCにより不純物補償される形となっている。さらに、低キャリア濃度層13の厚さは、3μm以上20μm以下の範囲にて調整される。一方、p型GaP層14,15は、SとCとの他にp型ドーパントとしてZnが添加されており、いずれにもNはドープされていない。
各層11〜15は、図2に示すように、カーボン製の成長容器50内に収容したガリウム溶液中において、n型GaP単結晶基板10’(チップに切断する前のものであるので、ダッシュを付けて表している;また、符号51は基板保持具である)上に、液相エピタキシャル成長させたものである。
図1において、n型GaP層12及び低キャリア濃度層たる13に添加されるドーパントはSとCであるが、Cは、カーボン製の成長容器50(図2)からガリウム溶液中にオートドープされる。他方、Sは、ガリウム溶液中に溶かし込まれており、層成長時にGaPとともに取り込まれる。図1において(B)に示すように、各層11〜15のS濃度を一点鎖線により、C濃度を破線により、さらに、両者の差として与えられるキャリア濃度を実線にて表している(なお、不純物濃度には実効値を考慮している)。
低キャリア濃度層13は、導電型を前述の通りp型とするために、層中のS濃度をC濃度よりも低くする必要がある。具体的には、図2の成長容器50内を減圧にして、蒸気圧の高いSをガリウム溶液から蒸発させることにより、低キャリア濃度層13中のS濃度を下げることができる。こうすれば、n型GaP層12を成長させるのと同じガリウム溶液を用いることができる。さらに、減圧の圧力や時間の調整により、ガリウム溶液から蒸発するSの量を容易に制御することができ、ひいては低キャリア濃度層13中のS濃度を容易にかつ高精度に制御できる。なお、低キャリア濃度層13中のS濃度を下げる別の方法として、容器内を減圧する代わりに、S濃度の低いガリウム溶液と交換するようにしてもよい(実施の形態3を参照)。他方、低キャリア濃度層13にはNがドープされるが、これは例えば、S蒸発のために一旦容器50内を減圧した後、成長容器50内にアンモニアを導入して行うことができる(実施の形態2を参照)。
GaP層の液相エピタキシャル成長は、ガリウム溶液の温度を降下させて過飽和になったGaPを析出させることにより行われるが、ガリウム溶液の温度が降下するに従って、カーボン製の成長容器50(図2)から溶液中に溶出するCの量が減少する。一方、ガリウム溶液中のS濃度は溶液の温度によって変化しないものの、溶液の温度が降下するにしたがってGaP層中に取り込まれる量が増加するので、成長が進むに従いGaP層中に取り込まれるCの量が相対的に少なくなる。そして、キャリア濃度は、ドナーとして働くS濃度とアクセプターとして働くC濃度の差であるので、成長が進むにつれてキャリア濃度が若干増加する現象が、図1の(B)に示すGaP層12において観察される。また、図1の(B)に示す低キャリア濃度層13においては、S濃度が充分低くp型である。ここで、上記したように成長が進むに従いGaP層中に取り込まれるCの量が少なくなるので、キャリア濃度は逆に若干減少する現象が現れる。
次に、p型GaP層14,15は、n型GaP層12あるいは低キャリア濃度層13を成長させたものと同じガリウム溶液を用いて成長させることができるが、この場合、成長容器からのCのオートドープのみではp型ドーパントが不足するので、新たなp型ドーパント、ここではZnを添加している。なお、p型GaP層14,15の液相エピタキシャル成長は徐冷法により行われるが、温度降下に伴い、後で析出するGaPほど結晶中に取り込まれるSの量が増大するので、図1に示すように、p型GaP層14,15中のS濃度は成長が進むに連れて若干増加する。
低キャリア濃度層13は、Nドープによる効果に加え、非発光中心として働くドナー濃度が1×1016個/cm3より小さいためキャリアのライフタイムが長くなり、また、キャリア濃度(=ドナー濃度とアクセプター濃度との差)が隣接する層12,14よりも相当低く設定されることで、低キャリア濃度層13へのキャリアの注入効率も高められる。結果、それらの相乗作用により発光効率が極めて顕著に向上する。また、本実施の形態のように、C濃度をS濃度よりも高くすることにより、低キャリア濃度層13の導電型をp型にすると、正孔よりも移動度の高い電子の注入による発光が支配的となって、輝度はさらに向上する。
なお、低キャリア濃度層13に隣接するp型層14は、低キャリア濃度層13内にて再結合消滅する正孔の供給源として十分に機能するように、キャリア濃度をある程度高めておく必要がある。他方、金属電極が形成される最も外側のp型層15は、電極との接触抵抗を小さくする(例えばオーミック接触とする)という別の観点から、キャリア濃度を高めておく必要がある。この場合、オーミック接触が可能となる程度にキャリア濃度を高めたp型層を、低キャリア濃度層13に直接接触させることも考えられるが、オーミック接触が実現される程度にまでキャリア濃度を高めると、光の吸収率が大きくなり過ぎて、輝度が却って損なわれてしまう問題がある。そこで、本実施例では、金属電極の形成されるp型GaP層15は、キャリア濃度を3×1017個/cm3〜1×1018個/cm3(ここでは、8×1017個/cm3程度)にまで高める一方、その厚さを、例えば5〜10μm程度に小さくする。そして、該p型GaP層15と低キャリア濃度層13との間に、それらの中間のキャリア濃度(例えば1×1017個/cm3〜7×1017個/cm3(ここでは、5×1017個/cm3程度))を有し、かつp型GaP層15よりも厚いp型GaP層14を挿入することで、正孔供給源としての機能と、p型GaP層による光吸収防止との両立を図っている。
図1において、n型GaP単結晶基板10のキャリア濃度は、例えば2×1017個/cm3程度である。n型GaP結晶性改善層11は、キャリア濃度が、基板1側で例えば8×1016個/cm3程度、n型GaP層12側で例えば1.5×1017個/cm3程度であり、層厚さは約60μmである。n型GaP層12は、キャリア濃度が、n型GaP結晶性改善層11側で例えば8×1016個/cm3程度、低キャリア濃度層13側で例えば1×1017個/cm3程度であり、層厚さは約100μmである。低キャリア濃度層13は、キャリア濃度が、n型GaP層12側で例えば8×1015個/cm3程度、p型GaP層14側で例えば5×1015個/cm3程度であり、層厚さは約10μmである。
図1に示した本実施例のGaP発光素子1において、低キャリア濃度層13中のN濃度を適宜変化させたときの、ドミナント発光波長の値を図3に示す。また、各種ドミナント発光波長に対応する輝度(相対値)の値を図4に示す。なお、使用した素子チップは、0.26mm×0.26mmの角状であり、発光波長及び輝度の測定は、通電電流値は50mAにて室温にて行った。図3と図4との比較により、N濃度が増加するほど輝度が増大することがわかる。また、図3より、比較的広いN濃度範囲、具体的には1×1017個/cm3〜2×1018個/cm3にて、ドミナント発光波長が約562nm〜573nmの範囲で良好な緑色から黄緑色の発光が実現されていることがわかる。そして、図4には、従来技術により製造した図9に示すGaP発光素子において、本実施例のGaP発光素子と同じ条件で測定した輝度も比較例として示されている。すなわち、本発明によると、上記の緑色から黄緑色の発光領域において、輝度を従来法より20%〜30%向上できることがわかる。
また、図1に示した本実施の形態のGaP発光素子1において、低キャリア濃度層13中のN濃度を適宜変化させたときの、残光率の値を図5に示す。なお、本実施の形態において残光率は、電流値50mAで室温にて通電したときの、通電開始時の輝度I0、同じく100時間連続通電後の輝度I1をそれぞれ測定し、{(I0−I1)/I0}×100(%)にて算出したものである。この結果によると、Nを添加しない場合と比較して、Nの添加により残光率が顕著に向上することがわかる。特に、3×1017個/cm3以下のN濃度では図3に示すようにドミナント発光波長が564nm以下であり、Nを添加しないものと実質的に同一の緑色として認識される。すなわち、低キャリア濃度層13に3×1017個/cm3以下という微量のNをドープすることで、図5に示すように、Nをドープしていないものに比べて残光率が2〜3倍に増加し、発光素子の寿命(すなわち、発光輝度の持続性)が顕著に向上する効果が達成される。
また、図1に示した本実施の形態のGaP発光素子1において、通電開始直後のドミナント発光波長と、1000時間連続通電後のドミナント発光波長の関係を図10に示す。図10より、ドミナント発光波長が560nm以上562nm以下の場合、1000時間連続通電後も発光波長は実質的には変化しないことがわかる。これに対して、ドミナント発光波長が560nmより短い場合は発光波長が短波長側にシフトし、ドミナント発光波長が562nmより長い場合は発光波長が長波長側にシフトする傾向がある。
ドミナント発光波長を560nm以上562nm以下にするためには、低キャリア濃度層13を成長中に供給するアンモニアガスを極微量に調整し、低キャリア濃度層13中のN濃度を3×1016個/cm3以上1.5×1017個/cm3以下にすることが好ましい。
なお、図1のGaP発光素子1において、n型GaP層12は、Nを添加してもよい。当該Nの添加により、n型GaP層12への正孔注入による発光効率も高めることができるようになる。他方、低キャリア濃度層13において、1×1016個/cm3より低い範囲においてS濃度をC濃度よりも高く設定することも可能であり、この場合は、その導電型はn型になる。そして、p−n接合は、p型GaP層14との間に形成され、該層14からの正孔注入による発光が主体的となる。なお、その場合、GaP層13中のキャリア濃度は成長が進むに従い、若干増加する傾向となる。
(実施の形態2)
以下に、図1のGaP発光素子1を製造する一実施形態につき説明する。図6は、GaP単結晶基板10’上に各層を液相エピタキシャル成長法で成長させる際に用いる液相エピタキシャル成長装置の構成を示す。図6において、プロセスチューブ23内には、基板(n型GaP単結晶基板10’上にエピタキシャル成長層を形成済みの基板)30を収容するウエーハ室25が設けられたカーボン製のスライドボート24(成長容器)がセットされ、そのスライドボート24上を、ガリウム溶液28を収容する下部が開口した溶液溜め27がスライド棒26によってスライドするように(すなわち、スライドボート24がガリウム溶液28に対して相対的にスライドするように)設けられている。ガリウム溶液中28には、n型ドーパントであるSが溶かし込まれている。
また、プロセスチューブ23内のキャリアガス供給口31側にはp型ドーパント源となるZn29がセットされている。さらに、プロセスチューブ23の外周には溶液溜め27近辺を加熱するためのメインヒーター21とZn29の近辺を加熱するためのサブヒーター22がそれぞれ設けられている。さらに、キャリアガス供給口31からは、H2及びArの混合ガスからなるキャリアガスがプロセスチューブ23内に供給され、ガス排出口32から排出される。
図7は、GaP単結晶基板10上に既にn型GaP結晶性改善層11を形成してある化合物半導体ウェーハ30の上にn型GaP層(N非ドープ)12、低キャリア濃度層(p型GaP層、Nドープ)13、p型GaP層14及びp型GaP層15を順次成長させる際の成長プログラムを示す。具体的な反応手順は以下の通りである。
▲1▼溶液溜め27にGa融液、GaP多結晶及びS(サルファ)を適量入れ、溶液溜め27を図6のAの位置にセットする。
▲2▼メインヒーターの温度を上げて溶液溜め27を1000℃付近に昇温し、GaP多結晶及びドーパントしてのS(硫黄)をGa融液に溶かし込んでガリウム溶液28とする。
▲3▼溶液溜め27をAの位置からBの位置にスライドさせ、ガリウム溶液28をウエーハ室25内に流し込んだ後、溶液溜め27を再びAの位置に戻す。
▲4▼メインヒーター21を一定の降温速度で所定の温度まで下げ、化合物半導体ウェーハ30上にn型GaP層12を成長させる。
▲5▼プロセスチューブ23内を減圧し(数Torr〜数十Torr)、ガリウム溶液中のn型ドーパントであるSを揮発させる。
▲6▼キャリアガス(H2、Ar)を、Nドープ源であるアンモニアガスとともに流す。
▲7▼サブヒーター22の温度を上げずにメインヒーター21を一定の降温速度で数℃〜数十℃だけ下げ、S濃度及びC濃度(カーボン製のスライドボート24からのオートドープに基づく)が、いずれも1×1016個/cm3より低く、かつS濃度がC濃度よりも低い低キャリア濃度層13を形成する。
▲8▼サブヒーター22の温度を上げてZn29を気化させるとともに、メインヒーター21を一定の降温速度で所定温度まで下げてp型GaP層14を成長させ、さらにp型GaP層15を成長させる。なお、p型GaP層15を形成する際には、そのZn濃度がp型GaP層14よりも高くなるように、サブヒーター22の温度を若干高く設定する。
以上の工程により、図1に対応する多層構造の発光素子基板が得られる。そして、そのn型GaP単結晶基板10側にn電極、p型GaP層15側にp電極を各々形成してダイシング後、その半導体チップを支持体に固着し、さらにリード線をワイヤボンディングして樹脂封止することによりGaP発光素子1が得られる。
(実施の形態3)
以下、図1のGaP発光素子1を、他の方法にて製造する実施形態につき、図8に示す工程図を参照して説明する。まず、図8Aに示すように、1060℃でGaP多結晶及びn型ドーパントとなるSiを溶解させたガリウム溶液16をn型GaP単結晶基板10’上に配置する。次に、前記ガリウム溶液16を含む系の温度を徐々に降温させ、ガリウム溶液16に溶解しているGaPをn型GaP単結晶基板10’上に析出させる。このようにして、Siがドープされたn型GaP結晶性改善層11がn型GaP単結晶基板10’上に形成された化合物半導体ウェーハ30が作製される(図8B)。
次に、図8Cに示すように、前記化合物半導体ウェーハ30上にn型ドーパントとしてSを、後述するガリウム溶液18よりは高濃度に溶かし込んだガリウム溶液17を配置する。この時の温度は600℃に設定する。そして、前記ガリウム溶液17を含む系の温度を1000℃まで昇温させる。すると、n型GaP結晶性改善層11の上部は徐々にGa融液17に溶解して、このGa融液17は1000℃におけるGaPの飽和溶液(ガリウム溶液17a)となる(図8D)。
次に、温度を降温させ、n型ドーパント(Si,S)がドープされたn型GaP層12を成長させる(図8E)。このとき、化合物半導体ウェーハ30を収容している図示しないカーボン製のスライドボートからCがオートドープされるが、ガリウム溶液17に添加されたSにより補償されて導電型はn型となる。次に、化合物半導体ウェーハ30をガリウム溶液17から切り離し、前記スライドボートをスライドさせ、アンモニアガスを成長容器内に供給しながら、n型ドーパントであるSが極低濃度にあるいは全く溶かし込まれていないガリウム溶液18と接触させ、温度を降温させる。これにより、n型GaP層12上に、Nがドープされるとともに、S濃度及びC濃度(カーボン製のスライドボート24からのオートドープに基づく)が、いずれも1×1016個/cm3より低く、かつS濃度がC濃度よりも低い低キャリア濃度層13が形成される(図8F)。
次に、アンモニアガスを流すのをやめ、図示しないサブヒータによりZnをセットした系の温度を700℃程度に昇温させ、引き続きガリウム溶液18の降温を行う。これにより、ZnがキャリアガスのH2とともに流れ、Znがドープされたp型GaP層14が低キャリア濃度層13上に形成される(図8G)。さらに、サブヒータによる加熱温度を上昇させ、より高濃度のZnがドープされたp型GaP層15がp型GaP層14上に形成される。
以上の工程により、図1に対応する多層構造の発光素子基板が得られ、以降、実施の形態2と同様の工程によりGaP発光素子1が得られる。
【図面の簡単な説明】
図1は、本発明のGaP発光素子の断面を、その厚さ方向のキャリア濃度分布とともに示す概念図。
図2は、液相成長法により化合物半導体単結晶基板上にエピタキシャル層を形成するための成長容器を説明する図。
図3は、図1の低キャリア濃度層中のN濃度と、得られるGaP発光素子のドミナント発光波長の関係を示すグラフ。
図4は、図3のドミナント発光波長と、得られるGaP発光素子の輝度との関係を示すグラフ。
図5は、図1の低キャリア濃度層中のN濃度と、得られるGaP発光素子の残光率の関係を示すグラフ。
図6は、実施の形態2で使用した、液相エピタキシャル成長装置の一例を示す構成図。
図7は、同じく、その液相成長プログラムの温度パターンを示す図。
図8Aは、実施の形態3の工程説明図、図8Bは、図8Aに続く工程図、図8Cは、図8Bに続く工程図、図8Dは、図8Cに続く工程図、図8Eは、図8Dに続く工程図、図8Fは、図8Eに続く工程図、図8Gは、図8Fに続く工程図、図8Hは、図8Gに続く工程図、。
図9は、従来法によるGaP発光素子の断面を、その厚さ方向のキャリア濃度分布とともに示す概念図。
図10は、図1のGaP発光素子において、通電開始直後のドミナント発光波長と、1000時間連続通電後のドミナント発光波長との関係を示すグラフ。
Claims (15)
- 燐化ガリウム単結晶基板上に、n型燐化ガリウム層とp型燐化ガリウム層とが少なくとも一層ずつ形成された燐化ガリウム発光素子において、n型燐化ガリウム層とp型燐化ガリウム層との間のp−n接合部のp型燐化ガリウム層にのみ窒素がドープされ、かつ、ドナー濃度及びアクセプター濃度がいずれも1×1016個/cm3より低い低キャリア濃度層を前記p型燐化ガリウム層にのみ設けてなることを特徴とする燐化ガリウム発光素子。
- 前記低キャリア濃度層のキャリア濃度は、1×1016個/cm3より低いことを特徴とする請求項1に記載の燐化ガリウム発光素子。
- 前記低キャリア濃度層へのドーパントは、硫黄と炭素を含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の燐化ガリウム発光素子。
- 前記低キャリア濃度層中の炭素濃度は、硫黄濃度よりも高いことを特徴とする請求項3に記載の燐化ガリウム発光素子。
- 前記低キャリア濃度層の厚さは、3μm以上20μm以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の燐化ガリウム発光素子。
- 前記低キャリア濃度層中の窒素濃度は、3×1017個/cm3以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の燐化ガリウム発光素子。
- 前記燐化ガリウム発光素子の発光波長は、560nm以上562nm以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の燐化ガリウム発光素子。
- 前記燐化ガリウム発光素子の低キャリア濃度層中の窒素濃度は、3×1016個/cm3以上1.5×1017個/cm3以下であることを特徴とする請求項7に記載の燐化ガリウム発光素子。
- 請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の燐化ガリウム発光素子の製造方法であって、カーボン製の成長容器内に収容されたガリウム溶液中に溶かし込まれたn型ドーパントを、前記成長容器内を減圧して揮発させた後に、アンモニアガスを前記成長容器内に供給しながらガリウム溶液中で液相エピタキシャル成長を行うことにより、n型燐化ガリウム層とp型燐化ガリウム層との間のp−n接合部のp型燐化ガリウム層にのみ、窒素がドープされ、かつ、ドナー濃度及びアクセプター濃度がいずれも1×1016個/cm3より低い低キャリア濃度層を前記p型燐化ガリウム層にのみ設けることを特徴とする燐化ガリウム発光素子の製造方法。
- 前記低キャリア濃度層中に残存するn型ドーパントの濃度が炭素濃度よりも低くなるように、前記成長容器内を減圧することを特徴とする請求項9に記載の燐化ガリウム発光素子の製造方法。
- 前記n型ドーパントは硫黄を含むことを特徴とする請求項9又は請求項10に記載の燐化ガリウム発光素子の製造方法。
- 請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の燐化ガリウム発光素子の製造方法であって、カーボン製のスライドボートに収容され高濃度にn型ドーパントが溶かし込まれたガリウム溶液中で、燐化ガリウム単結晶基板上にn型燐化ガリウム層を液相エピタキシャル成長した後に、該n型燐化ガリウム層が燐化ガリウム単結晶基板上に成長した化合物半導体ウェーハをガリウム溶液から切り離し、前記スライドボートを前記ガリウム溶液に対して相対的にスライドさせ、アンモニアガスを前記成長容器内に供給しながら、n型ドーパントが低濃度に溶かし込まれたか、あるいは全く溶かし込まれていないガリウム溶液中で液相エピタキシャル成長を行うことにより、n型燐化ガリウム層とp型燐化ガリウム層との間のp−n接合部のp型燐化ガリウム層にのみ窒素がドープされ、かつ、ドナー濃度及びアクセプター濃度がいずれも1×1016個/cm3より低い低キャリア濃度層を前記p型燐化ガリウム層にのみ設けることを特徴とする燐化ガリウム発光素子の製造方法。
- 前記低キャリア濃度層のキャリア濃度は、1×1016個/cm3より低いことを特徴とする請求項9ないし請求項12のいずれかに記載の燐化ガリウム発光素子の製造方法。
- 前記低キャリア濃度層の窒素濃度が3×1017個/cm3以下になるようにアンモニアガスを供給することを特徴とする請求項9ないし請求項13のいずれかに記載の燐化ガリウム発光素子の製造方法。
- 前記低キャリア濃度層の窒素濃度は、3×1016個/cm3以上1.5×1017個/cm3以下であることを特徴とする請求項14に記載の燐化ガリウム発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30993999 | 1999-10-29 | ||
PCT/JP2000/007530 WO2001033642A1 (fr) | 1999-10-29 | 2000-10-27 | Dispositif luminescent au phosphure de gallium |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4032224B2 true JP4032224B2 (ja) | 2008-01-16 |
Family
ID=17999177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001535239A Expired - Fee Related JP4032224B2 (ja) | 1999-10-29 | 2000-10-27 | 燐化ガリウム発光素子及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6479312B1 (ja) |
EP (1) | EP1156534A4 (ja) |
JP (1) | JP4032224B2 (ja) |
KR (1) | KR100761929B1 (ja) |
TW (1) | TW513817B (ja) |
WO (1) | WO2001033642A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7780715B2 (en) * | 2004-03-04 | 2010-08-24 | Y Med, Inc. | Vessel treatment devices |
DE102005004582A1 (de) * | 2005-01-26 | 2006-07-27 | Philipps-Universität Marburg | III/V-Halbleiter |
JP4946247B2 (ja) * | 2006-08-04 | 2012-06-06 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャル基板および液相エピタキシャル成長方法 |
JP5310369B2 (ja) * | 2009-08-06 | 2013-10-09 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハおよび発光ダイオード |
JP2010206220A (ja) * | 2010-06-09 | 2010-09-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハ |
JP5862472B2 (ja) * | 2012-06-15 | 2016-02-16 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ |
JP6595801B2 (ja) | 2014-05-30 | 2019-10-23 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子 |
DE102017104719A1 (de) * | 2017-03-07 | 2018-09-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterkörper und Halbleiterchip |
JP7351241B2 (ja) * | 2020-03-02 | 2023-09-27 | 信越半導体株式会社 | 化合物半導体エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5121756B2 (ja) * | 1972-08-01 | 1976-07-05 | ||
JPS5453974A (en) | 1977-10-07 | 1979-04-27 | Toshiba Corp | Manufacture for gallium phosphide green light emitting element |
JPS5793589A (en) | 1980-12-02 | 1982-06-10 | Semiconductor Res Found | Gap light emitting diode |
US4562378A (en) * | 1982-07-08 | 1985-12-31 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Gallium phosphide light-emitting diode |
JPS5980981A (ja) * | 1982-11-01 | 1984-05-10 | Sanyo Electric Co Ltd | ガリウム燐緑色発光ダイオードの製造方法 |
JPH01245569A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Toshiba Corp | GaP緑色発光素子とその製造方法 |
JPH04263478A (ja) * | 1991-02-18 | 1992-09-18 | Toshiba Corp | 発光ダイオード用エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 |
JP2719870B2 (ja) * | 1992-09-30 | 1998-02-25 | 信越半導体株式会社 | GaP系発光素子基板及びその製造方法 |
JP2817577B2 (ja) * | 1993-05-31 | 1998-10-30 | 信越半導体株式会社 | GaP純緑色発光素子基板 |
JP3163217B2 (ja) | 1994-05-31 | 2001-05-08 | シャープ株式会社 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JPH08228023A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Sharp Corp | GaP系半導体発光素子 |
JPH098344A (ja) * | 1995-06-14 | 1997-01-10 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP3523412B2 (ja) * | 1996-04-24 | 2004-04-26 | シャープ株式会社 | GaP:N発光ダイオードの製造方法 |
JP3356041B2 (ja) * | 1997-02-17 | 2002-12-09 | 昭和電工株式会社 | リン化ガリウム緑色発光素子 |
DE19729919A1 (de) * | 1997-07-04 | 1999-01-07 | Epigap Optoelektronik Gmbh | Halbleiter-Struktur für LED purgrüner Emission |
-
2000
- 2000-10-27 EP EP00970122A patent/EP1156534A4/en not_active Withdrawn
- 2000-10-27 KR KR1020017006512A patent/KR100761929B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-10-27 TW TW089122658A patent/TW513817B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-10-27 WO PCT/JP2000/007530 patent/WO2001033642A1/ja active Application Filing
- 2000-10-27 JP JP2001535239A patent/JP4032224B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-27 US US09/869,266 patent/US6479312B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1156534A1 (en) | 2001-11-21 |
KR100761929B1 (ko) | 2007-09-28 |
KR20010093791A (ko) | 2001-10-29 |
EP1156534A4 (en) | 2006-09-06 |
US6479312B1 (en) | 2002-11-12 |
WO2001033642A1 (fr) | 2001-05-10 |
TW513817B (en) | 2002-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970007135B1 (ko) | 이중 헤테로 구조체를 구비한 발광 질화갈륨계 화합물 반도체장치 | |
KR101485890B1 (ko) | 3족 질화물계 백색 발광 다이오드 및 양자 우물 구조 | |
JP3780887B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
Münch et al. | Silicon carbide light-emitting diodes with epitaxial junctions | |
JP4032224B2 (ja) | 燐化ガリウム発光素子及びその製造方法 | |
KR100700529B1 (ko) | 전류 확산층을 구비한 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
US6445127B1 (en) | Light-emitting device comprising gallium-nitride-group compound-semiconductor and method of manufacturing the same | |
US5597761A (en) | Semiconductor light emitting device and methods of manufacturing it | |
GB2323210A (en) | Light emitting device | |
EP0631330B1 (en) | A GaP pure green light emitting element substrate | |
JP3792817B2 (ja) | GaAsPエピタキシャルウェーハ及びその製造方法 | |
US5643827A (en) | GaP light emitting substrate and a method of manufacturing it | |
JPH09186361A (ja) | 化合物半導体エピタキシャルウエーハ | |
JP3633806B2 (ja) | エピタキシャルウエハ及び、これを用いて製造される発光ダイオード | |
JP3104218B2 (ja) | 窒素ドープGaPエピタキシャル層の成長方法 | |
JP3316406B2 (ja) | 窒化インジウムガリウム半導体の製造方法 | |
JP7351241B2 (ja) | 化合物半導体エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 | |
US5886369A (en) | Epitaxial wafer for GaP pure green light-emitting diode and GaP pure green light-emitting diode | |
JP3042566B2 (ja) | GaP系発光素子基板の製造方法 | |
JPH07335940A (ja) | 化合物半導体発光素子 | |
JPH03161981A (ja) | 半導体装置と2―6族化合物半導体結晶層の製造方法 | |
JPS6358383B2 (ja) | ||
JP2000164923A (ja) | エピタキシャルウエハおよび発光ダイオード | |
JPS5831736B2 (ja) | ハツコウダイオ−ドノセイゾウホウ | |
JPS6158992B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20030708 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060512 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060711 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060919 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061120 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070110 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070308 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070502 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070926 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071009 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121102 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121102 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131102 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |