JP2000349334A - 発光ダイオードおよびその製造方法 - Google Patents
発光ダイオードおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高輝度の発光ダイオードおよびその製造方法
を提供する。 【解決手段】 ｎ型ＧａＰ単結晶基板上に、少なくとも
ｎ型ＧａＰエピタキシャル層、第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエ
ピタキシャル層および第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシ
ャル層を積層してなる発光ダイオードにおいて、第１と
第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層の間に、第１の
ｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層側から第２のｐ型Ｎ：
ＧａＰエピタキシャル層側の方向に向かってキャリア濃
度が大きくなる第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層
を有することを特徴とする発光ダイオードおよびその製
造方法による。
を提供する。 【解決手段】 ｎ型ＧａＰ単結晶基板上に、少なくとも
ｎ型ＧａＰエピタキシャル層、第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエ
ピタキシャル層および第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシ
ャル層を積層してなる発光ダイオードにおいて、第１と
第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層の間に、第１の
ｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層側から第２のｐ型Ｎ：
ＧａＰエピタキシャル層側の方向に向かってキャリア濃
度が大きくなる第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層
を有することを特徴とする発光ダイオードおよびその製
造方法による。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高輝度のＧａＰ発
光ダイオードおよびその製造方法に関するものであり、
屋外表示板等のディスプレイに利用されるものである。
なお、この発明においては、窒素をドープしたＧａＰ
を、Ｎ：ＧａＰと記す。
光ダイオードおよびその製造方法に関するものであり、
屋外表示板等のディスプレイに利用されるものである。
なお、この発明においては、窒素をドープしたＧａＰ
を、Ｎ：ＧａＰと記す。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＰ発光ダイオードの場合、高輝度タ
イプとして挙げられるのは、Ｎ（窒素）をアイソエレク
トロニックトラップとして利用したものである。発光色
は黄緑色で、通常、赤色系のＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ
発光ダイオードを組み合わせて屋外表示板等のディスプ
レイとして利用されている。
イプとして挙げられるのは、Ｎ（窒素）をアイソエレク
トロニックトラップとして利用したものである。発光色
は黄緑色で、通常、赤色系のＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ
発光ダイオードを組み合わせて屋外表示板等のディスプ
レイとして利用されている。
【０００３】ＧａＰ発光ダイオードは発光機構が間接遷
移型であるため、高輝度化の手段として最も重要な点は
結晶性を向上することである。そのための１つの手段と
して、ｐｎ接合近傍のキャリア濃度を小さくすることに
より、ドーパント添加による結晶性の低下を抑えること
が考えられている。例えば、図３に示すような、ｎ型Ｇ
ａＰ単結晶基板１上に第１のｎ型ＧａＰエピタキシャル
層２、窒素ドープした第２のｎ型Ｎ：ＧａＰエピタキシ
ャル層７およびｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層９を積
層してなる発光ダイオードであり、第２のｎ型Ｎ：Ｇａ
Ｐエピタキシャル層７のキャリア濃度が第１のｎ型Ｇａ
Ｐエピタキシャル層２の濃度の１／１０以下に設定され
ているものが提案されている。
移型であるため、高輝度化の手段として最も重要な点は
結晶性を向上することである。そのための１つの手段と
して、ｐｎ接合近傍のキャリア濃度を小さくすることに
より、ドーパント添加による結晶性の低下を抑えること
が考えられている。例えば、図３に示すような、ｎ型Ｇ
ａＰ単結晶基板１上に第１のｎ型ＧａＰエピタキシャル
層２、窒素ドープした第２のｎ型Ｎ：ＧａＰエピタキシ
ャル層７およびｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層９を積
層してなる発光ダイオードであり、第２のｎ型Ｎ：Ｇａ
Ｐエピタキシャル層７のキャリア濃度が第１のｎ型Ｇａ
Ｐエピタキシャル層２の濃度の１／１０以下に設定され
ているものが提案されている。
【０００４】また、別の手段として、ｎ型ＧａＰ単結晶
基板上に格子欠陥の少ない低Ｅ．Ｐ．Ｄ．（Etch Pit D
ensity）のバッファ層を形成することでｎ型ＧａＰ単結
晶基板からの転移の伝播を緩和させることにより結晶性
の低下を抑えることも考えられている。例えば、図４に
示すように、先に示した図３のｎ型ＧａＰ単結晶基板１
と第１のｎ型ＧａＰエピタキシャル層２の間に膜厚１０
０μｍ程度のｎ型ＧａＰエピタキシャル層８（バッファ
層）を形成した発光ダイオードが提案されている。
基板上に格子欠陥の少ない低Ｅ．Ｐ．Ｄ．（Etch Pit D
ensity）のバッファ層を形成することでｎ型ＧａＰ単結
晶基板からの転移の伝播を緩和させることにより結晶性
の低下を抑えることも考えられている。例えば、図４に
示すように、先に示した図３のｎ型ＧａＰ単結晶基板１
と第１のｎ型ＧａＰエピタキシャル層２の間に膜厚１０
０μｍ程度のｎ型ＧａＰエピタキシャル層８（バッファ
層）を形成した発光ダイオードが提案されている。
【０００５】また、本発明者らは、高輝度化を目的とし
た結晶性の向上および少数キャリアの注入効率の向上を
図るために図２に示した構造を有する発光ダイオードを
提案した（特開平７−３２６７９２号）。即ち、ｎ型Ｇ
ａＰ単結晶基板１上に第１のｎ型ＧａＰエピタキシャル
層２、窒素をドープした第２のｎ型Ｎ：ＧａＰエピタキ
シャル層３、第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層
４、および第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層５を
順次形成させた構造を有し、それぞれのキャリア濃度、
膜厚が例えば以下のとおりである発光ダイオードを提案
した。
た結晶性の向上および少数キャリアの注入効率の向上を
図るために図２に示した構造を有する発光ダイオードを
提案した（特開平７−３２６７９２号）。即ち、ｎ型Ｇ
ａＰ単結晶基板１上に第１のｎ型ＧａＰエピタキシャル
層２、窒素をドープした第２のｎ型Ｎ：ＧａＰエピタキ
シャル層３、第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層
４、および第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層５を
順次形成させた構造を有し、それぞれのキャリア濃度、
膜厚が例えば以下のとおりである発光ダイオードを提案
した。
【０００６】第１のｎ型ＧａＰエピタキシャル層２ キャリア濃度：２×１０17ｃｍ-3 膜厚 ：６０μｍ 第２のｎ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層３ キャリア濃度：第１のｎ型ＧａＰエピタキシャル層２側
が２×１０17ｃｍ-3、第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシ
ャル層４側が２×１０16ｃｍ-3 膜厚 ：２μｍ 第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層４ キャリア濃度：２×１０16ｃｍ-3 膜厚 ：１５μｍ 第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層５ キャリア濃度：１×１０18ｃｍ-3 膜厚 ：３０μｍ
が２×１０17ｃｍ-3、第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシ
ャル層４側が２×１０16ｃｍ-3 膜厚 ：２μｍ 第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層４ キャリア濃度：２×１０16ｃｍ-3 膜厚 ：１５μｍ 第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層５ キャリア濃度：１×１０18ｃｍ-3 膜厚 ：３０μｍ
【０００７】このような発光ダイオードでは、ｐｎ接合
およびその近傍のキャリア濃度が小さいために結晶性が
損なわれず、さらにｐｎ接合を構成する第１のｐ型Ｎ：
ＧａＰエピタキシャル層４が発光領域となるため、従来
のものでは正孔だった注入キャリアが電子に変えられ、
注入効率を向上させることが可能になった。その結果、
高輝度の発光ダイオードを提供することができた。
およびその近傍のキャリア濃度が小さいために結晶性が
損なわれず、さらにｐｎ接合を構成する第１のｐ型Ｎ：
ＧａＰエピタキシャル層４が発光領域となるため、従来
のものでは正孔だった注入キャリアが電子に変えられ、
注入効率を向上させることが可能になった。その結果、
高輝度の発光ダイオードを提供することができた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな発光ダイオードにおいて、第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエ
ピタキシャル層５のキャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3以
上のときは、発光波長に対する吸収量が大きくなるとと
もにｐ型ドーパントが第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシ
ャル層４へ拡散してしまうので注入効率が悪くなり輝度
が低下する懸念がある。
うな発光ダイオードにおいて、第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエ
ピタキシャル層５のキャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3以
上のときは、発光波長に対する吸収量が大きくなるとと
もにｐ型ドーパントが第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシ
ャル層４へ拡散してしまうので注入効率が悪くなり輝度
が低下する懸念がある。
【０００９】この発明はこのような問題を解決するため
になされたものであり、第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキ
シャル層５と第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層４
との間に、第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層側か
ら第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層側の方向に向
かってキャリア濃度が大きくなる第３のｐ型Ｎ：ＧａＰ
エピタキシャル層を設けることにより、第２のｐ型Ｎ：
ＧａＰエピタキシャル層５から第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエ
ピタキシャル層４へのｐ型ドーパントの拡散を抑えて注
入効率を向上させること、または第３のｐ型Ｎ：ＧａＰ
エピタキシャル層の低濃度領域において効果的に発光に
寄与することにより高輝度の発光ダイオードおよびその
製造方法を提供するものである。
になされたものであり、第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキ
シャル層５と第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層４
との間に、第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層側か
ら第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層側の方向に向
かってキャリア濃度が大きくなる第３のｐ型Ｎ：ＧａＰ
エピタキシャル層を設けることにより、第２のｐ型Ｎ：
ＧａＰエピタキシャル層５から第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエ
ピタキシャル層４へのｐ型ドーパントの拡散を抑えて注
入効率を向上させること、または第３のｐ型Ｎ：ＧａＰ
エピタキシャル層の低濃度領域において効果的に発光に
寄与することにより高輝度の発光ダイオードおよびその
製造方法を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】かくして本発明によれ
ば、ｎ型ＧａＰ単結晶基板上に、少なくともｎ型ＧａＰ
エピタキシャル層、第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャ
ル層および第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層を積
層してなる発光ダイオードにおいて、第１と第２のｐ型
Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層の間に、第１のｐ型Ｎ：Ｇ
ａＰエピタキシャル層側から第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピ
タキシャル層側の方向に向かってキャリア濃度が大きく
なる第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層を有するこ
とを特徴とする発光ダイオードが提供される。
ば、ｎ型ＧａＰ単結晶基板上に、少なくともｎ型ＧａＰ
エピタキシャル層、第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャ
ル層および第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層を積
層してなる発光ダイオードにおいて、第１と第２のｐ型
Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層の間に、第１のｐ型Ｎ：Ｇ
ａＰエピタキシャル層側から第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピ
タキシャル層側の方向に向かってキャリア濃度が大きく
なる第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層を有するこ
とを特徴とする発光ダイオードが提供される。
【００１１】また、第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャ
ル層上に、液相エピタキシャル成長で第１のｐ型Ｎ：Ｇ
ａＰエピタキシャル層を形成させながらｐ型ドーパント
を供給することにより第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシ
ャル層を形成する工程を含む上記発光ダイオードの製造
方法が提供される。
ル層上に、液相エピタキシャル成長で第１のｐ型Ｎ：Ｇ
ａＰエピタキシャル層を形成させながらｐ型ドーパント
を供給することにより第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシ
ャル層を形成する工程を含む上記発光ダイオードの製造
方法が提供される。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の発光ダイオードは、ｎ型
ＧａＰ単結晶基板上に、少なくともｎ型ＧａＰエピタキ
シャル層、第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層、第
１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層側から第２のｐ型
Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層側の方向に向かってキャリ
ア濃度が大きくなる第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャ
ル層および第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層を順
次積層して構成されてなるものである。
ＧａＰ単結晶基板上に、少なくともｎ型ＧａＰエピタキ
シャル層、第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層、第
１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層側から第２のｐ型
Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層側の方向に向かってキャリ
ア濃度が大きくなる第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャ
ル層および第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層を順
次積層して構成されてなるものである。
【００１３】上記ｎ型ＧａＰエピタキシャル層２は、あ
らかじめｎ型ドーパントを添加したＧａＰ原料を用いて
ｎ型ＧａＰ単結晶基板上に液相エピタキシャル成長を行
うことにより形成できる。液相エピタキシャル成長で行
うならば、その具体的な方法、条件等は適宜選択するこ
とができ、例えば、ディッピング法、スライドボード法
等のいかなる方法を用いてもよい。あらかじめ添加する
ｎ型ドーパントとしては、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｓ等が挙げら
れ、なかでもＳｉが好ましい。
らかじめｎ型ドーパントを添加したＧａＰ原料を用いて
ｎ型ＧａＰ単結晶基板上に液相エピタキシャル成長を行
うことにより形成できる。液相エピタキシャル成長で行
うならば、その具体的な方法、条件等は適宜選択するこ
とができ、例えば、ディッピング法、スライドボード法
等のいかなる方法を用いてもよい。あらかじめ添加する
ｎ型ドーパントとしては、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｓ等が挙げら
れ、なかでもＳｉが好ましい。
【００１４】ｎ型ＧａＰエピタキシャル層のキャリア濃
度および膜厚は、発光ダイオードの輝度を低下させなけ
れば特に限定されず、例えば、キャリア濃度は１〜３×
１０ 17ｃｍ-3程度、膜厚は４０〜８０μｍ程度が挙げら
れる。
度および膜厚は、発光ダイオードの輝度を低下させなけ
れば特に限定されず、例えば、キャリア濃度は１〜３×
１０ 17ｃｍ-3程度、膜厚は４０〜８０μｍ程度が挙げら
れる。
【００１５】第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層
は、窒素ドープ用のガスを供給しながらｎ型ＧａＰエピ
タキシャル層上に液相エピタキシャル成長を行うことに
より形成できる。液相エピタキシャル成長で行うなら
ば、その具体的な方法、条件等は適宜選択することがで
き、例えば、ディッピング法、スライドボード法等のい
かなる方法を用いてもよい。窒素ドープ用のガスとして
は、例えば、ＮＨ3 ガスが挙げられる。
は、窒素ドープ用のガスを供給しながらｎ型ＧａＰエピ
タキシャル層上に液相エピタキシャル成長を行うことに
より形成できる。液相エピタキシャル成長で行うなら
ば、その具体的な方法、条件等は適宜選択することがで
き、例えば、ディッピング法、スライドボード法等のい
かなる方法を用いてもよい。窒素ドープ用のガスとして
は、例えば、ＮＨ3 ガスが挙げられる。
【００１６】第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層の
キャリア濃度および膜厚は、発光ダイオードの輝度を低
下させなければ特に限定されず、例えば、キャリア濃度
は０．５〜２×１０16ｃｍ-3程度であり、膜厚は５〜２
０μｍが好ましく、７〜１２μｍがさらに好ましい。
キャリア濃度および膜厚は、発光ダイオードの輝度を低
下させなければ特に限定されず、例えば、キャリア濃度
は０．５〜２×１０16ｃｍ-3程度であり、膜厚は５〜２
０μｍが好ましく、７〜１２μｍがさらに好ましい。
【００１７】第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層
は、ｐ型ドーパントをＧａＰ溶液上に供給しながら、第
１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層上に液相エピタキ
シャル成長を行うことにより形成できる。液相エピタキ
シャル成長で行うならば、その具体的な方法、条件等は
適宜選択することができ、例えば、ディッピング法、ス
ライドボード法等のいかなる方法を用いてもよい。ｐ型
ドーパントとしては、例えば、Ｚｎ、Ｃ、Ｍｇ等種々あ
るが、中でもＺｎが好ましい。ｐ型ドーパントの供給
は、公知の方法により行うことができる。第３のｐ型
Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層は、第１のｐ型Ｎ：ＧａＰ
エピタキシャル層側から第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキ
シャル層の方向に向かってキャリア濃度が大きくなり、
そのキャリア濃度の範囲としては、例えば、０．５×１
０16〜２×１０18ｃｍ-3であることが好ましく、１×１
０16〜１×１０18ｃｍ-3であることがさらに好ましい。
は、ｐ型ドーパントをＧａＰ溶液上に供給しながら、第
１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層上に液相エピタキ
シャル成長を行うことにより形成できる。液相エピタキ
シャル成長で行うならば、その具体的な方法、条件等は
適宜選択することができ、例えば、ディッピング法、ス
ライドボード法等のいかなる方法を用いてもよい。ｐ型
ドーパントとしては、例えば、Ｚｎ、Ｃ、Ｍｇ等種々あ
るが、中でもＺｎが好ましい。ｐ型ドーパントの供給
は、公知の方法により行うことができる。第３のｐ型
Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層は、第１のｐ型Ｎ：ＧａＰ
エピタキシャル層側から第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキ
シャル層の方向に向かってキャリア濃度が大きくなり、
そのキャリア濃度の範囲としては、例えば、０．５×１
０16〜２×１０18ｃｍ-3であることが好ましく、１×１
０16〜１×１０18ｃｍ-3であることがさらに好ましい。
【００１８】また第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル
層の膜厚は、発光ダイオードの輝度を低下させなければ
特に限定されないが、５〜２０μｍ程度が挙げられる。
第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層は、上記のｐ型
ドーパントをＧａＰ溶液上に供給しながら、第３のｐ型
Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層上に液相エピタキシャル成
長を行うことにより形成できる。液相エピタキシャル成
長で行うならば、その具体的な方法、条件等は適宜選択
することができ、例えば、ディッピング法、スライドボ
ード法等のいかなる方法を用いてもよい。
層の膜厚は、発光ダイオードの輝度を低下させなければ
特に限定されないが、５〜２０μｍ程度が挙げられる。
第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層は、上記のｐ型
ドーパントをＧａＰ溶液上に供給しながら、第３のｐ型
Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層上に液相エピタキシャル成
長を行うことにより形成できる。液相エピタキシャル成
長で行うならば、その具体的な方法、条件等は適宜選択
することができ、例えば、ディッピング法、スライドボ
ード法等のいかなる方法を用いてもよい。
【００１９】第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層の
キャリア濃度および膜厚は、発光ダイオードの輝度を低
下させなければ特に限定されないが、キャリア濃度は
０．８〜２×１０18ｃｍ-3程度、膜厚は２０〜３５μｍ
程度が挙げられる。
キャリア濃度および膜厚は、発光ダイオードの輝度を低
下させなければ特に限定されないが、キャリア濃度は
０．８〜２×１０18ｃｍ-3程度、膜厚は２０〜３５μｍ
程度が挙げられる。
【００２０】本発明の発光ダイオードは、少なくとも上
記各エピタキシャル層により構成されるが、第１のｎ型
ＧａＰエピタキシャル層上に窒素ドープされた第２のｎ
型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層や、結晶成長方向に向か
ってキャリア濃度が低くなる第２のｎ型Ｎ：ＧａＰエピ
タキシャル層を有したものであってもよい。
記各エピタキシャル層により構成されるが、第１のｎ型
ＧａＰエピタキシャル層上に窒素ドープされた第２のｎ
型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層や、結晶成長方向に向か
ってキャリア濃度が低くなる第２のｎ型Ｎ：ＧａＰエピ
タキシャル層を有したものであってもよい。
【００２１】これらの窒素ドープされた第２のｎ型Ｎ：
ＧａＰエピタキシャル層や、結晶成長方向に向かってキ
ャリア濃度が低くなる第２のｎ型Ｎ：ＧａＰエピタキシ
ャル層は、ＮＨ3 ガスを供給量４〜６ｃｃ／４ｌＨ2 で
供給しながら第１のｎ型ＧａＰエピタキシャル層上に液
相エピタキシャル成長を行うことにより形成できる。液
相エピタキシャル成長で行うならば、その具体的な方
法、条件等は適宜選択することができ、例えば、ディッ
ピング法、スライドボード法等のいかなる方法を用いて
もよい。以上のことは、窒素ドープ用ガスを供給すれ
ば、窒素ドープ用ガスとＧａＰ溶液に添加されたｎ型ド
ーパントとが反応し、ｎ型ドーパントが液相エピタキシ
ャル成長に寄与しなくなることに基づいている。
ＧａＰエピタキシャル層や、結晶成長方向に向かってキ
ャリア濃度が低くなる第２のｎ型Ｎ：ＧａＰエピタキシ
ャル層は、ＮＨ3 ガスを供給量４〜６ｃｃ／４ｌＨ2 で
供給しながら第１のｎ型ＧａＰエピタキシャル層上に液
相エピタキシャル成長を行うことにより形成できる。液
相エピタキシャル成長で行うならば、その具体的な方
法、条件等は適宜選択することができ、例えば、ディッ
ピング法、スライドボード法等のいかなる方法を用いて
もよい。以上のことは、窒素ドープ用ガスを供給すれ
ば、窒素ドープ用ガスとＧａＰ溶液に添加されたｎ型ド
ーパントとが反応し、ｎ型ドーパントが液相エピタキシ
ャル成長に寄与しなくなることに基づいている。
【００２２】また、本発明の発光ダイオードは、ｎ型Ｇ
ａＰ単結晶基板１上にバッファ層を設けたものであって
もよい。バッファ層としては、格子欠陥が少なく転移密
度の低い（Ｅ．Ｐ．Ｄ．の低い）バッファ層が好まし
く、具体的には、バッファ層成長終了時点で５００００
／ｃｍ2 以下のＥ．Ｐ．Ｄ．を有するバッファ層が好ま
しい。バッファ層は、公知の方法、例えば、液相エピタ
キシャル成長法により形成できる。
ａＰ単結晶基板１上にバッファ層を設けたものであって
もよい。バッファ層としては、格子欠陥が少なく転移密
度の低い（Ｅ．Ｐ．Ｄ．の低い）バッファ層が好まし
く、具体的には、バッファ層成長終了時点で５００００
／ｃｍ2 以下のＥ．Ｐ．Ｄ．を有するバッファ層が好ま
しい。バッファ層は、公知の方法、例えば、液相エピタ
キシャル成長法により形成できる。
【００２３】なお、上記した第１のｎ型ＧａＰエピタキ
シャル層、第２のｎ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層、第
１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層、第３のｐ型Ｎ：
ＧａＰエピタキシャル層および第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエ
ピタキシャル層の各キャリア濃度をｎ1 、ｎ2 、ｐ1 、
ｐ3 、ｐ2 とすると、ｎ1 ≧ｎ2 であり、ｎ2 とｐ1は
略同等であり、ｐ3 の範囲はｐ1 ≦ｐ3 ≦ｐ2 であり、
ｐ1 ≦ｐ2 であることが好ましい。なお、ｐ3 はｐ1 か
らｐ2 の方にかけて段階的または連続的に増大するもの
であってもよい。
シャル層、第２のｎ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層、第
１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層、第３のｐ型Ｎ：
ＧａＰエピタキシャル層および第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエ
ピタキシャル層の各キャリア濃度をｎ1 、ｎ2 、ｐ1 、
ｐ3 、ｐ2 とすると、ｎ1 ≧ｎ2 であり、ｎ2 とｐ1は
略同等であり、ｐ3 の範囲はｐ1 ≦ｐ3 ≦ｐ2 であり、
ｐ1 ≦ｐ2 であることが好ましい。なお、ｐ3 はｐ1 か
らｐ2 の方にかけて段階的または連続的に増大するもの
であってもよい。
【００２４】キャリア濃度が段階的に増大する場合は２
段、３段以上の変化であってもよく、連続的に変化する
場合は所望の電流、拡散性、ドーパントの拡散防止性が
得られるように適宜調製することができる。
段、３段以上の変化であってもよく、連続的に変化する
場合は所望の電流、拡散性、ドーパントの拡散防止性が
得られるように適宜調製することができる。
【００２５】
【実施例】本発明に関する実施例を以下に示す。液相エ
ピタキシャル成長のプログラムを図５に示したグラフに
従って行った。液相エピタキシャル成長用カーボンボー
トにＧａＰ原料をセットし、水素雰囲気中で１０００℃
まで昇温してＧａＰ原料を充分溶解させることにより所
定のＧａＰ溶液を作製した。この原料にはｎ型ドーパン
トとしてのＳｉをＧａＰ原料１００重量部に対し３×１
０-4重量部あらかじめ添加した。９０分経過した後、原
料を降温速度０．５℃／分で降温した。１０分間、５℃
で過冷却した後、ＧａＰ溶液をｎ型ＧａＰ単結晶基板１
上に接触させた。さらに９４０℃まで降温することによ
り第１のｎ型ＧａＰエピタキシャル層２を形成した。こ
の第１のｎ型ＧａＰエピタキシャル層２は、キャリア濃
度が２×１０17ｃｍ-3であり、膜厚が６０μｍであっ
た。
ピタキシャル成長のプログラムを図５に示したグラフに
従って行った。液相エピタキシャル成長用カーボンボー
トにＧａＰ原料をセットし、水素雰囲気中で１０００℃
まで昇温してＧａＰ原料を充分溶解させることにより所
定のＧａＰ溶液を作製した。この原料にはｎ型ドーパン
トとしてのＳｉをＧａＰ原料１００重量部に対し３×１
０-4重量部あらかじめ添加した。９０分経過した後、原
料を降温速度０．５℃／分で降温した。１０分間、５℃
で過冷却した後、ＧａＰ溶液をｎ型ＧａＰ単結晶基板１
上に接触させた。さらに９４０℃まで降温することによ
り第１のｎ型ＧａＰエピタキシャル層２を形成した。こ
の第１のｎ型ＧａＰエピタキシャル層２は、キャリア濃
度が２×１０17ｃｍ-3であり、膜厚が６０μｍであっ
た。
【００２６】次いで、ＧａＰ溶液上に窒素ドープ用ガス
としてのＮＨ3 ガスを供給量５ｃｃ／４ｌＨ2 で供給
し、ＧａＰ溶液の温度を９４０℃で４０分間保持した。
これによりＧａＰ溶液が有するＰの拡散長だけの過飽和
度分が第１のｎ型ＧａＰエピタキシャル層２上にエピタ
キシャル成長され、第２のｎ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャ
ル層３が形成された。この第２のｎ型Ｎ：ＧａＰエピタ
キシャル層３は、膜厚が２μｍであり、ＮＨ3 ガスが供
給され始めてから成長する層なので１０17ｃｍ3程度窒
素ドープされていた。またキャリア濃度は、第１のｎ型
ＧａＰエピタキシャル層２側から後述する第１のｐ型
Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層４側の方向に向かって、２
×１０17ｃｍ-3から２×１０16ｃｍ-3までの濃度勾配を
有していた。これは、エピタキシャル成長中にＧａＰ溶
液中のｎ型ドーパントであるＳｉがＮＨ3 ガスと反応す
るためエピタキシャル成長に寄与しなくなることから起
こる。
としてのＮＨ3 ガスを供給量５ｃｃ／４ｌＨ2 で供給
し、ＧａＰ溶液の温度を９４０℃で４０分間保持した。
これによりＧａＰ溶液が有するＰの拡散長だけの過飽和
度分が第１のｎ型ＧａＰエピタキシャル層２上にエピタ
キシャル成長され、第２のｎ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャ
ル層３が形成された。この第２のｎ型Ｎ：ＧａＰエピタ
キシャル層３は、膜厚が２μｍであり、ＮＨ3 ガスが供
給され始めてから成長する層なので１０17ｃｍ3程度窒
素ドープされていた。またキャリア濃度は、第１のｎ型
ＧａＰエピタキシャル層２側から後述する第１のｐ型
Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層４側の方向に向かって、２
×１０17ｃｍ-3から２×１０16ｃｍ-3までの濃度勾配を
有していた。これは、エピタキシャル成長中にＧａＰ溶
液中のｎ型ドーパントであるＳｉがＮＨ3 ガスと反応す
るためエピタキシャル成長に寄与しなくなることから起
こる。
【００２７】次いで、ＮＨ3 ガスを供給し続けながらＧ
ａＰ溶液を降温速度０．５℃／分で９２０℃まで降温
し、第２のｎ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層３上に液相
エピタキシャル成長させ、１０18ｃｍ3 程度窒素ドープ
された第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層４を形成
した。この第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層４
は、キャリア濃度が２×１０16ｃｍ-3であり、膜厚が１
０μｍであった。第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル
層４のキャリア濃度は、ＮＨ3 ガスの供給によりバック
グラウンドの状態（ｐ型）が現れたものである。
ａＰ溶液を降温速度０．５℃／分で９２０℃まで降温
し、第２のｎ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層３上に液相
エピタキシャル成長させ、１０18ｃｍ3 程度窒素ドープ
された第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層４を形成
した。この第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層４
は、キャリア濃度が２×１０16ｃｍ-3であり、膜厚が１
０μｍであった。第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル
層４のキャリア濃度は、ＮＨ3 ガスの供給によりバック
グラウンドの状態（ｐ型）が現れたものである。
【００２８】次いで、９２０℃で、Ｚｎ蒸気をＧａＰ溶
液上に供給させ始める。このＺｎ蒸気は大気圧雰囲気中
７２０℃で蒸気化されたもので水素ガスをキャリアとし
て供給量３５ｍｇ／分程度でＧａＰ溶液上に供給し、Ｇ
ａＰ溶液を降温速度０．５℃／分で９００℃まで降温
し、第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層４上に液晶
エピタキシャル成長させて第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタ
キシャル層６を形成した。この第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエ
ピタキシャル層６は、キャリア濃度が第１のｐ型Ｎ：Ｇ
ａＰエピタキシャル層４側から後述する第２のｐ型Ｎ：
ＧａＰエピタキシャル層５に向かって、１×１０16ｃｍ
-3から１×１０18ｃｍ-3に変化していて、膜厚が５μｍ
であった。
液上に供給させ始める。このＺｎ蒸気は大気圧雰囲気中
７２０℃で蒸気化されたもので水素ガスをキャリアとし
て供給量３５ｍｇ／分程度でＧａＰ溶液上に供給し、Ｇ
ａＰ溶液を降温速度０．５℃／分で９００℃まで降温
し、第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層４上に液晶
エピタキシャル成長させて第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタ
キシャル層６を形成した。この第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエ
ピタキシャル層６は、キャリア濃度が第１のｐ型Ｎ：Ｇ
ａＰエピタキシャル層４側から後述する第２のｐ型Ｎ：
ＧａＰエピタキシャル層５に向かって、１×１０16ｃｍ
-3から１×１０18ｃｍ-3に変化していて、膜厚が５μｍ
であった。
【００２９】次いで、Ｚｎ蒸気の供給量を一定に保ち、
ＧｐＡ溶液を降温速度１．０℃／分で８５０℃まで降温
して第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層６上に液相
エピタキシャル成長させ、第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタ
キシャル層５を形成した。この第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエ
ピタキシャル層５は、キャリア濃度が１×１０18ｃｍ -3
であり、膜厚が３０μｍであった。
ＧｐＡ溶液を降温速度１．０℃／分で８５０℃まで降温
して第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層６上に液相
エピタキシャル成長させ、第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタ
キシャル層５を形成した。この第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエ
ピタキシャル層５は、キャリア濃度が１×１０18ｃｍ -3
であり、膜厚が３０μｍであった。
【００３０】図１に示したように、上記方法で製造され
た本発明の発光ダイオードは、第１と第２のｐ型Ｎ：Ｇ
ａＰエピタキシャル層の間に第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピ
タキシャル層４側から第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシ
ャル層５側の方向に向かってキャリア濃度が大きくなる
第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層６を有してい
る。
た本発明の発光ダイオードは、第１と第２のｐ型Ｎ：Ｇ
ａＰエピタキシャル層の間に第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピ
タキシャル層４側から第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシ
ャル層５側の方向に向かってキャリア濃度が大きくなる
第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層６を有してい
る。
【００３１】第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層４
の膜厚をｄ（μｍ）とし、図１に示された本発明の発光
ダイオードにおける第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャ
ル層４の膜厚をｄ１、図２の発光ダイオードと同じ構造
を有する発光ダイオードにおける第１のｐ型Ｎ：ＧａＰ
エピタキシャル層４の膜厚をｄ２として、ｄ１およびｄ
２をそれぞれ変化させて、ｄ１およびｄ２と輝度との関
係を比較し、その結果を図６のグラフに示した。このグ
ラフに示されるように、ｄ２は、５μｍ以上では輝度へ
の依存性が小さく、５μｍ以下の場合は小さくなるにつ
れて輝度が低下している。この輝度の低下は、第２のｐ
型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層５から第１のｐ型Ｎ：Ｇ
ａＰエピタキシャル層４へのｐ型ドーパントの拡散によ
り発光効率が低下するものと考えられている。また、同
グラフには示されていないが、ｄ２が大きくなりすぎる
と直列抵抗が大きくなり電流拡がりが悪くなるため、輝
度（光取り出し効率）の低下が現れている。
の膜厚をｄ（μｍ）とし、図１に示された本発明の発光
ダイオードにおける第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャ
ル層４の膜厚をｄ１、図２の発光ダイオードと同じ構造
を有する発光ダイオードにおける第１のｐ型Ｎ：ＧａＰ
エピタキシャル層４の膜厚をｄ２として、ｄ１およびｄ
２をそれぞれ変化させて、ｄ１およびｄ２と輝度との関
係を比較し、その結果を図６のグラフに示した。このグ
ラフに示されるように、ｄ２は、５μｍ以上では輝度へ
の依存性が小さく、５μｍ以下の場合は小さくなるにつ
れて輝度が低下している。この輝度の低下は、第２のｐ
型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層５から第１のｐ型Ｎ：Ｇ
ａＰエピタキシャル層４へのｐ型ドーパントの拡散によ
り発光効率が低下するものと考えられている。また、同
グラフには示されていないが、ｄ２が大きくなりすぎる
と直列抵抗が大きくなり電流拡がりが悪くなるため、輝
度（光取り出し効率）の低下が現れている。
【００３２】これに対して、ｄ１は、５μｍ以下でも比
較的ある程度の輝度が得られ、５μｍ〜２０μｍの範囲
においては、ｄ２よりも非常に大きい輝度が得られてい
る。ｄ１が１０μｍ前後のときに輝度の最大値が得られ
ている。この値はｄ２のものに比べて１．３倍強大き
い。これにより、図１に示されるような本発明の発光ダ
イオードは、図２のような従来の発光ダイオードに比べ
て高輝度であり、第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル
層４の膜厚が５μｍ以下でもある程度の輝度が得られる
ことが分かる。
較的ある程度の輝度が得られ、５μｍ〜２０μｍの範囲
においては、ｄ２よりも非常に大きい輝度が得られてい
る。ｄ１が１０μｍ前後のときに輝度の最大値が得られ
ている。この値はｄ２のものに比べて１．３倍強大き
い。これにより、図１に示されるような本発明の発光ダ
イオードは、図２のような従来の発光ダイオードに比べ
て高輝度であり、第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル
層４の膜厚が５μｍ以下でもある程度の輝度が得られる
ことが分かる。
【００３３】以上の結果は、本発明の発光ダイオード
は、第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層６を有する
ため、第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層５から第
１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層４へのｐ型ドーパ
ントの拡散を抑えられたことによるものとして考えられ
る。その結果、注入効率が向上し、第３のｐ型Ｎ：Ｇａ
Ｐエピタキシャル層６の低濃度領域が発光に寄与すると
考えられる。
は、第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層６を有する
ため、第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層５から第
１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層４へのｐ型ドーパ
ントの拡散を抑えられたことによるものとして考えられ
る。その結果、注入効率が向上し、第３のｐ型Ｎ：Ｇａ
Ｐエピタキシャル層６の低濃度領域が発光に寄与すると
考えられる。
【００３４】従来の発光ダイオードは、ｐｎ接合近傍の
結晶性を向上させることにより可能な限りキャリア濃度
を下げる工夫をしたが、発光現象にとってはある程度の
キャリア濃度が必要であることから、輝度を向上させる
には限界があった。
結晶性を向上させることにより可能な限りキャリア濃度
を下げる工夫をしたが、発光現象にとってはある程度の
キャリア濃度が必要であることから、輝度を向上させる
には限界があった。
【００３５】これに対して、本発明の発光ダイオード
は、第１と第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層の間
にキャリアー濃度勾配を有する第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエ
ピタキシャル層６を有しているので、第３のｐ型Ｎ：Ｇ
ａＰエピタキシャル層６の低濃度領域が電流の増加（特
に、実使用電流である２０ｍＡのときにおいて）にとも
なって効果的に発光に寄与する。またさらに第２のｐ型
Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層５から第１のｐ型Ｎ：Ｇａ
Ｐエピタキシャル層４へのｐ型ドーパントの拡散を抑え
ることができ、高輝度が得られる。
は、第１と第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層の間
にキャリアー濃度勾配を有する第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエ
ピタキシャル層６を有しているので、第３のｐ型Ｎ：Ｇ
ａＰエピタキシャル層６の低濃度領域が電流の増加（特
に、実使用電流である２０ｍＡのときにおいて）にとも
なって効果的に発光に寄与する。またさらに第２のｐ型
Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層５から第１のｐ型Ｎ：Ｇａ
Ｐエピタキシャル層４へのｐ型ドーパントの拡散を抑え
ることができ、高輝度が得られる。
【００３６】図７に図１および図２の構造を有する各発
光ダイオードにおけるチップ輝度（Ｉｖ）と順電流（Ｉ
ｆ）との関係を表すグラフを示した。このグラフによれ
ば、図１の本発明の発光ダイオードは、図２の発光ダイ
オードに比べて、順電流の増加にともない（ｄＩｖ／ｄ
Ｉｆ）が大きくなり、輝度が大きくなることが確かめら
れる。
光ダイオードにおけるチップ輝度（Ｉｖ）と順電流（Ｉ
ｆ）との関係を表すグラフを示した。このグラフによれ
ば、図１の本発明の発光ダイオードは、図２の発光ダイ
オードに比べて、順電流の増加にともない（ｄＩｖ／ｄ
Ｉｆ）が大きくなり、輝度が大きくなることが確かめら
れる。
【００３７】また、本発明の発光ダイオードにおいて、
ｎ型ＧａＰ単結晶基板１と第１のｎ型Ｎ：ＧａＰエピタ
キシャル層２との間に低いＥ．Ｐ．Ｄ．のバッファ層を
設けることにより結晶性を向上させたものも、図１の発
光ダイオードと同様の効果が得られる。
ｎ型ＧａＰ単結晶基板１と第１のｎ型Ｎ：ＧａＰエピタ
キシャル層２との間に低いＥ．Ｐ．Ｄ．のバッファ層を
設けることにより結晶性を向上させたものも、図１の発
光ダイオードと同様の効果が得られる。
【００３８】
【発明の効果】本発明の発光ダイオードによれば、第１
と第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層の間に第１の
ｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層側から第２のｐ型Ｎ：
ＧａＰエピタキシャル層側の方向に向かってキャリア濃
度が大きくなる第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層
を有しているので、第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャ
ル層から第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層へのｐ
型ドーパントの拡散を抑えることができる。結果、注入
効率が損なわれず、第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャ
ル層の低濃度領域で効果的に発光に寄与するため、高輝
度が得られる。
と第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層の間に第１の
ｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層側から第２のｐ型Ｎ：
ＧａＰエピタキシャル層側の方向に向かってキャリア濃
度が大きくなる第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層
を有しているので、第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャ
ル層から第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層へのｐ
型ドーパントの拡散を抑えることができる。結果、注入
効率が損なわれず、第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャ
ル層の低濃度領域で効果的に発光に寄与するため、高輝
度が得られる。
【図１】本発明の発光ダイオードの構造を示す図であ
る。
る。
【図２】従来の発光ダイオードの構造を示す図である。
【図３】従来の発光ダイオードの構造を示す図である。
【図４】従来の発光ダイオードの構造を示す図である。
【図５】本発明の方法における成長プログラムを示すグ
ラフである。
ラフである。
【図６】図１および図２の各発光ダイオードにおけるチ
ップ輝度と第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層４の
膜厚との関係を示すグラフである。
ップ輝度と第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層４の
膜厚との関係を示すグラフである。
【図７】図１および図２の各発光ダイオードにおけるチ
ップ輝度と順電流との関係を示すグラフである。
ップ輝度と順電流との関係を示すグラフである。
１ ｎ型ＧａＰ単結晶基板 ２ 第１のｎ型ＧａＰエピタキシャル層 ３ 第２のｎ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層 ４ 第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層 ５ 第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層 ６ 第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層 ７ 第２のｎ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層 ８ バッファ層 ９ ｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層
Claims (5)
- 【請求項１】 ｎ型ＧａＰ単結晶基板上に、少なくとも
ｎ型ＧａＰエピタキシャル層、第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエ
ピタキシャル層および第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシ
ャル層を積層してなる発光ダイオードにおいて、第１と
第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層の間に、第１の
ｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層側から第２のｐ型Ｎ：
ＧａＰエピタキシャル層側の方向に向かってキャリア濃
度が大きくなる第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層
を有することを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２】 第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層
のキャリア濃度が、第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャ
ル層側から第２のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層側の
方向に向かって、１×１０16ｃｍ-3から１×１０18ｃｍ
-3に変化している請求項１に記載の発光ダイオード。 - 【請求項３】 第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層
が、５〜２０μｍの膜厚を有する請求項１または２に記
載の発光ダイオード。 - 【請求項４】 ｎ型ＧａＰ単結晶基板上にバッファ層を
有する請求項１〜３のいずれかに記載の発光ダイオー
ド。 - 【請求項５】 第１のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル層
上に、液相エピタキシャル成長で第１のｐ型Ｎ：ＧａＰ
エピタキシャル層を形成させながらｐ型ドーパントを供
給することにより第３のｐ型Ｎ：ＧａＰエピタキシャル
層を形成する工程を含む請求項１の発光ダイオードの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15698399A JP2000349334A (ja) | 1999-06-03 | 1999-06-03 | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15698399A JP2000349334A (ja) | 1999-06-03 | 1999-06-03 | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000349334A true JP2000349334A (ja) | 2000-12-15 |
Family
ID=15639617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15698399A Pending JP2000349334A (ja) | 1999-06-03 | 1999-06-03 | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000349334A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009206283A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ |
| JP2009212112A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハ |
| JP2010206220A (ja) * | 2010-06-09 | 2010-09-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハ |
| JP2011035350A (ja) * | 2009-08-06 | 2011-02-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハおよび発光ダイオード |
| CN109148656A (zh) * | 2017-06-19 | 2019-01-04 | 信越半导体株式会社 | 磊晶晶圆以及其制造方法 |
-
1999
- 1999-06-03 JP JP15698399A patent/JP2000349334A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009206283A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ |
| JP4572942B2 (ja) * | 2008-02-27 | 2010-11-04 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ |
| JP2009212112A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハ |
| JP2011035350A (ja) * | 2009-08-06 | 2011-02-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハおよび発光ダイオード |
| JP2010206220A (ja) * | 2010-06-09 | 2010-09-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハ |
| CN109148656A (zh) * | 2017-06-19 | 2019-01-04 | 信越半导体株式会社 | 磊晶晶圆以及其制造方法 |
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