JP2013094954A - 両面研磨方法 - Google Patents
両面研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013094954A JP2013094954A JP2011243342A JP2011243342A JP2013094954A JP 2013094954 A JP2013094954 A JP 2013094954A JP 2011243342 A JP2011243342 A JP 2011243342A JP 2011243342 A JP2011243342 A JP 2011243342A JP 2013094954 A JP2013094954 A JP 2013094954A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- flatness
- wafer
- double
- carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 273
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 56
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 20
- 238000007665 sagging Methods 0.000 claims description 14
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 8
- 235000012907 honey Nutrition 0.000 claims description 4
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 98
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000555745 Sciuridae Species 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 241000237509 Patinopecten sp. Species 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 235000020637 scallop Nutrition 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/02—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
- B24B49/03—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent according to the final size of the previously ground workpiece
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/10—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving electrical means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/10—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving electrical means
- B24B49/105—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving electrical means using eddy currents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
【解決手段】キャリアに保持されるウェーハを研磨布が貼付された上下の定盤で挟み込み、キャリアを自転及び公転させ、研磨剤を供給しながらウェーハの両面を同時に研磨するウェーハの両面研磨において、高研磨レートで研磨する第1の研磨工程と、次に低研磨レートで研磨する第2の研磨工程とを有する両面研磨方法であって、研磨後にウェーハの平坦度を測定する工程と、平坦度の測定結果に基づいて次回研磨時の第2の研磨工程の研磨条件を設定する工程とを含むことを特徴とする両面研磨方法。
【選択図】 図1
Description
ここで両面研磨装置は図6に示すような遊星歯車式の両面研磨装置と図7に示すような揺動式の両面研磨装置がある。遊星歯車式の両面研磨装置は上下定盤を有し、上定盤は上下動が可能で上定盤を下定盤に押し付けることで上下定盤間に挟まれたウェーハに対して荷重を加えることができる。また、図6に示すように、両面研磨装置101は下定盤内側に設けられたサンギヤ107と、下定盤外側に設けられたインターナルギヤ108とを有している。
遊星歯車式の両面研磨装置は揺動式の両面研磨装置と比べてキャリアの自転数及び公転数を高く設定することができ、その結果研磨中のウェーハの自転運動を促進させることで揺動式研磨機と比べ平坦度の高いウェーハに研磨できる。そのため、近年の両面研磨装置としては遊星歯車式の両面研磨機が主流となっている。
このことから、従来では、キャリアの厚さに対するウェーハの仕上がり厚さを調整することによって平坦度を調整している。一般に、研磨工程は高研磨レートで粗研磨する第1の研磨工程と、次に低研磨レートで精研磨する第2の研磨工程を有しているが、仕上がり厚さの調整はこの第1の研磨工程の研磨時間を変化させることによって行われる。平坦度の高いウェーハに研磨するためにはキャリアの厚さに対して最適な厚さでウェーハを仕上げる必要がある。
このようにすれば、全体の平坦度と外周部の平坦度とのそれぞれの測定結果に基づいて、第2の研磨工程の研磨条件をより詳細に設定でき、平坦度をより効果的に改善できる。
このようにすれば、具体的に第2の研磨工程の研磨条件を設定でき、特に全体の平坦度と外周部の平坦度とを測定する場合において、これらの平坦度を共に効果的に改善できる。
このようにすれば、外周部の平坦度の結果がハネ形状であった場合にはウェーハを凹形状になりやすくし、ダレ形状であった場合にはウェーハを凸形状になりやすくすることができるので、仕上がり厚さによる全体の平坦度の調整と組み合わせて全体及び外周部の平坦度を共に改善できる。
このようにすれば、外周部の平坦度の結果がハネ形状であった場合にはウェーハが凸形状になりやすくなるので、上記の第2の研磨工程の研磨条件の変更によってウェーハが凹形状になりやすくなる効果との組み合わせにより全体及び外周部の平坦度を共に改善できる。また、外周部の平坦度の結果がダレ形状であった場合にはウェーハが凹形状になりやすくなるので、上記の第2の研磨工程の研磨条件の変更によってウェーハが凸形状になりやすくなる効果との組み合わせにより全体及び外周部の平坦度を共に改善できる。
上記したように、平坦度を改善するためにキャリアの厚さを基準にして仕上り厚さを調整する従来の両面研磨方法では平坦度を十分に改善できず、特にウェーハ外周部の平坦度の更なる改善が課題となっている。また、キャリアの厚さの摩耗などによる経時変化に対応するのが困難である。
図1に示すように、前回の研磨終了後(図1のS1)のウェーハをロボットによって両面研磨装置から回収し(図1のS2)、回収槽に収納する。全てのウェーハを両面研磨装置から回収した後、測定するウェーハをロボットが回収槽から取り出し(図1のS3)、必要に応じてウェーハ表面の水分を送風機により除去した後(図1のS4)、仕上がり厚さ及び平坦度を測定する(図1のS5)。
また、測定する平坦度として、ウェーハの中心を通る断面形状である全体の平坦度とウェーハの外周部のダレ形状又はハネ形状である外周部の平坦度とすることができる。
従来のように両面研磨装置外にある平坦度測定器で平坦度を測定するのではなく、上記のように、ウェーハの厚さをインラインで測定し、この厚さから平坦度を数値化するようにすれば、生産性が低下することもないので好ましいが、特にこれに限定されることない。
次に、研磨前のウェーハの厚さと決定した仕上がり厚さの差から必要な総研磨量を算出し(図1のS9)、過去の研磨速度を参考にして必要な第1の研磨工程の研磨時間を算出して設定する。
このようにして研磨条件を設定し、ウェーハの研磨を開始する。
また、上記のように測定する平坦度を全体の平坦度と外周部の平坦度とすることで、全体の平坦度と外周部の平坦度とのそれぞれの測定結果に基づいて、第2の研磨工程の研磨条件をより詳細に設定でき、平坦度をより効果的に改善できる。
このようにすれば、特に全体の平坦度と外周部の平坦度とを測定する場合において、全体の平坦度と外周部の平坦度を共に効果的に改善できる。
ここで、例えば研磨荷重は50〜300g/cm2、上下定盤は1〜50rpm、研磨時間は25分以下の範囲内になるように設定することができる。また、キャリアの自転数及び公転数は上下定盤、サンギア、インターナルギアの回転数によって調整でき、サンギア、インターナルギアの回転数は上下定盤の回転数と同じとすることができる。
外周部の平坦度の結果がハネ形状であった場合には、前回の研磨時よりも、研磨荷重を減少し、かつ上下定盤の回転数とキャリアの自転数及び公転数とを増加する。低荷重で上下定盤の回転数とキャリアの自転数及び公転数とを増加することで、ウェーハ中心部まで研磨剤が行き渡るようになる。またウェーハ中心部は研磨による発熱の影響及び研磨剤の冷却効果が外周部よりも少ないため温度が高くなっている。この2点の理由からウェーハ中心部は外周部に比べて機械的研磨および化学的研磨が促進され中央部分の研磨レートが速く、凹形状になりやすくなる。
このように、第2の研磨工程の研磨条件を設定して凹又は凸形状になりやすくし、これに仕上がり厚さによる全体の平坦度の調整とを組み合わせることで、全体及び外周部の平坦度を共に改善できる。
また上記したように、外周部の平坦度の結果がハネ及びダレ形状でなく平坦であった場合に、第2の研磨工程の研磨条件を前回の研磨時と同じに設定できるが、この場合には、第1の研磨工程の研磨時間を変更して仕上がり厚さを調整することで全体の平坦度を改善できる。具体的には、第1の研磨工程の研磨時間を、全体の平坦度の結果が凹形状であった場合には仕上がり厚さが前回の研磨時よりも厚くなるように設定し、又は全体の平坦度の結果が凸形状であった場合には仕上がり厚さが前回の研磨時よりも薄くなるように設定すれば良い。
平坦度の測定をインラインで行うことができる両面研磨装置を用い、図1に示すような本発明の両面研磨方法に従ってウェーハを研磨し、平坦度を評価した。研磨したウェーハとして、CZ法により製造されたシリコン単結晶インゴットをスライスし、エッジ部の面取り、ラッピング、エッチングを施した直径300mmのシリコンウェーハを用意した。また、両面研磨装置の研磨布として上下定盤側共にウレタン発泡体のものを用い、研磨剤はコロイダルシリカ砥粒を含み、pHを10.0〜11.0の範囲内で調整されたものを使用した。
また、平坦度の測定をインラインで行ったため工程時間を増加することなく、すなわち生産性を低下させることもなく研磨することができた。
このように、本発明の両面研磨方法はウェーハの平坦度を安定的に向上できることが確認できた。また、本発明ではキャリアの厚さを基準に研磨条件を設定しないので、キャリアの厚さの経時変化に影響されず平坦度を改善できることが確認できた。
実施例1における1バッチ目の研磨と同様な条件でシリコン単結晶ウェーハを研磨した。研磨後のウェーハを両面研磨装置外にある平坦度測定器(黒田精工製Nanometro 300TT)で測定したところ平坦度は全体が凸形状で外周部がハネ形状であった。そこで、全体の平坦度を改善するために、2バッチ目の研磨において、キャリアの厚さに対するウェーハの仕上がり厚さを薄く設定した。
その結果、全体の平坦度は改善されたが、外周部の平坦度はハネ形状が強くなってしまい、図5に示すように、実施例と比べ外周部の平坦度が大幅に悪化してしまった。
5…キャリア、 6…保持孔、 7…サンギア、 8…インターナルギア、
9…貫通孔、 10…ノズル、 11…ロボット、 12…厚さ測定器、
13…変位センサ。
従来のように両面研磨装置外にある平坦度測定器で平坦度を測定するのではなく、上記のように、ウェーハの厚さをインラインで測定し、この厚さから平坦度を数値化するようにすれば、生産性が低下することもないので好ましいが、特にこれに限定されることはない。
実施例における1バッチ目の研磨と同様な条件でシリコン単結晶ウェーハを研磨した。研磨後のウェーハを両面研磨装置外にある平坦度測定器(黒田精工製Nanometro 300TT)で測定したところ平坦度は全体が凸形状で外周部がハネ形状であった。そこで、全体の平坦度を改善するために、2バッチ目の研磨において、キャリアの厚さに対するウェーハの仕上がり厚さを薄く設定した。
その結果、全体の平坦度は改善されたが、外周部の平坦度はハネ形状が強くなってしまい、図5に示すように、実施例と比べ外周部の平坦度が大幅に悪化してしまった。
Claims (5)
- キャリアに保持されるウェーハを研磨布が貼付された上下の定盤で挟み込み、前記キャリアを自転及び公転させ、研磨剤を供給しながら前記ウェーハの両面を同時に研磨するウェーハの両面研磨において、高研磨レートで研磨する第1の研磨工程と、次に低研磨レートで研磨する第2の研磨工程とを有する両面研磨方法であって、
研磨後に前記ウェーハの平坦度を測定する工程と、
前記平坦度の測定結果に基づいて次回研磨時の前記第2の研磨工程の研磨条件を設定する工程とを含むことを特徴とする両面研磨方法。 - 前記測定する平坦度として、前記ウェーハの中心を通る断面形状である全体の平坦度と前記ウェーハの外周部のダレ形状又はハネ形状である外周部の平坦度とすることを特徴とする請求項1に記載の両面研磨方法。
- 前記第2の研磨工程の研磨条件を設定する工程において、前記研磨条件として、研磨荷重、前記キャリアの自転数及び公転数、前記上下定盤の回転数、研磨時間の少なくともいずれか1つを設定することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の両面研磨方法。
- 前記第2の研磨工程の研磨条件を設定する工程において、前記外周部の平坦度の結果がハネ形状であった場合には、前回の研磨時よりも、前記研磨荷重を減少し、かつ前記上下定盤の回転数と前記キャリアの自転数及び公転数とを増加し、前記外周部の平坦度の結果がダレ形状であった場合には、前回の研磨時よりも、前記研磨荷重を増加し、かつ前記上下定盤の回転数と前記キャリアの自転数及び公転数とを減少するように前記研磨条件を設定することを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の両面研磨方法。
- 前記第1の研磨工程の研磨時間を、前記外周部の平坦度の結果がハネ形状であった場合に仕上がり厚さが前回の研磨時よりも厚くなるように設定し、前記外周部の平坦度の結果がダレ形状であった場合に仕上がり厚さが前回の研磨時よりも薄くなるように設定することを特徴とする請求項4に記載の両面研磨方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011243342A JP5614397B2 (ja) | 2011-11-07 | 2011-11-07 | 両面研磨方法 |
KR1020147011911A KR101835414B1 (ko) | 2011-11-07 | 2012-10-04 | 양면 연마방법 |
SG11201401560VA SG11201401560VA (en) | 2011-11-07 | 2012-10-04 | Double-side polishing method |
CN201280052936.8A CN103889655B (zh) | 2011-11-07 | 2012-10-04 | 双面研磨方法 |
PCT/JP2012/006374 WO2013069198A1 (ja) | 2011-11-07 | 2012-10-04 | 両面研磨方法 |
DE112012004211.5T DE112012004211B4 (de) | 2011-11-07 | 2012-10-04 | Doppelseitiges Polierverfahren |
US14/350,933 US9156123B2 (en) | 2011-11-07 | 2012-10-04 | Double-side polishing method |
TW101138724A TWI523094B (zh) | 2011-11-07 | 2012-10-19 | Double-sided grinding method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011243342A JP5614397B2 (ja) | 2011-11-07 | 2011-11-07 | 両面研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013094954A true JP2013094954A (ja) | 2013-05-20 |
JP5614397B2 JP5614397B2 (ja) | 2014-10-29 |
Family
ID=48288996
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011243342A Active JP5614397B2 (ja) | 2011-11-07 | 2011-11-07 | 両面研磨方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9156123B2 (ja) |
JP (1) | JP5614397B2 (ja) |
KR (1) | KR101835414B1 (ja) |
CN (1) | CN103889655B (ja) |
DE (1) | DE112012004211B4 (ja) |
SG (1) | SG11201401560VA (ja) |
TW (1) | TWI523094B (ja) |
WO (1) | WO2013069198A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016016457A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-01 | 株式会社ディスコ | 研削方法 |
JP2017207455A (ja) * | 2016-05-20 | 2017-11-24 | スピードファム株式会社 | 断面形状測定方法 |
JP2020150109A (ja) * | 2019-03-13 | 2020-09-17 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの厚み測定方法及び半導体ウェーハの両面研磨装置 |
JP2020151836A (ja) * | 2019-03-22 | 2020-09-24 | 株式会社Sumco | ワークの両面研磨方法及びワークの両面研磨装置 |
WO2023218812A1 (ja) * | 2022-05-11 | 2023-11-16 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨方法 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10335060B1 (en) | 2010-06-19 | 2019-07-02 | Dp Technologies, Inc. | Method and apparatus to provide monitoring |
US9192326B2 (en) | 2011-07-13 | 2015-11-24 | Dp Technologies, Inc. | Sleep monitoring system |
US9459597B2 (en) | 2012-03-06 | 2016-10-04 | DPTechnologies, Inc. | Method and apparatus to provide an improved sleep experience by selecting an optimal next sleep state for a user |
JP5896884B2 (ja) * | 2012-11-13 | 2016-03-30 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨方法 |
US9474876B1 (en) | 2012-12-14 | 2016-10-25 | DPTechnologies, Inc. | Sleep aid efficacy |
US9594354B1 (en) | 2013-04-19 | 2017-03-14 | Dp Technologies, Inc. | Smart watch extended system |
JP6146213B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2017-06-14 | 株式会社Sumco | ワークの両面研磨装置及び両面研磨方法 |
US11963792B1 (en) | 2014-05-04 | 2024-04-23 | Dp Technologies, Inc. | Sleep ecosystem |
US11883188B1 (en) | 2015-03-16 | 2024-01-30 | Dp Technologies, Inc. | Sleep surface sensor based sleep analysis system |
JP6383700B2 (ja) * | 2015-04-07 | 2018-08-29 | 光洋機械工業株式会社 | 薄板状ワークの製造方法及び両頭平面研削装置 |
CN107398780B (zh) * | 2016-05-18 | 2020-03-31 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种晶圆的双面抛光方法 |
CN106078492A (zh) * | 2016-06-15 | 2016-11-09 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种蓝宝石矩形件双面研磨方法 |
JP6635003B2 (ja) * | 2016-11-02 | 2020-01-22 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの両面研磨方法 |
JP6743746B2 (ja) * | 2017-03-31 | 2020-08-19 | 株式会社Sumco | ウェーハの両面研磨装置および両面研磨方法 |
CN107263278A (zh) * | 2017-07-03 | 2017-10-20 | 适新科技(苏州)有限公司 | 双面研磨机及研磨工艺 |
JP6451825B1 (ja) * | 2017-12-25 | 2019-01-16 | 株式会社Sumco | ウェーハの両面研磨方法 |
CN108326727A (zh) * | 2018-04-12 | 2018-07-27 | 新乡日升数控轴承装备股份有限公司 | 用于双面研磨机的尺寸控制***及安全研磨检测方法 |
JP7031491B2 (ja) * | 2018-05-22 | 2022-03-08 | 株式会社Sumco | ワークの両面研磨装置および両面研磨方法 |
JP7010166B2 (ja) * | 2018-07-24 | 2022-01-26 | 株式会社Sumco | ワークの両面研磨装置および両面研磨方法 |
TWI704978B (zh) * | 2018-09-26 | 2020-09-21 | 禾璟科技有限公司 | 可應用於硏磨機的電腦程式產品 |
US11471097B1 (en) | 2018-10-15 | 2022-10-18 | Dp Technologies, Inc. | Hardware sensor system for improved sleep detection |
CN110193775B (zh) * | 2019-03-12 | 2021-09-17 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 化学机械抛光方法以及化学抛光*** |
CN110640621B (zh) * | 2019-07-31 | 2021-03-19 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 双面研磨机及双面研磨方法 |
CN113001379A (zh) * | 2021-03-17 | 2021-06-22 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种大尺寸硅片双面抛光方法 |
JP7296161B1 (ja) * | 2022-06-27 | 2023-06-22 | 不二越機械工業株式会社 | 両面研磨装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000271859A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-03 | Mitsubishi Materials Corp | 研磨レ−トを安定にする研磨装置 |
JP2002057131A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-22 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | ウェーハ研磨加工用定盤の形状制御機構 |
JP2004014780A (ja) * | 2002-06-06 | 2004-01-15 | Renesas Technology Corp | 平坦化処理の評価方法および半導体装置の製造方法 |
JP2007268679A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Speedfam Co Ltd | 両面研磨装置のための研磨パッド用修正治具及びこの修正治具を備えた両面研磨装置 |
WO2010013390A1 (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-04 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの研磨方法および両面研磨装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10132504C1 (de) * | 2001-07-05 | 2002-10-10 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung von Halbleiterscheiben und seine Verwendung |
JP2008142802A (ja) | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Ohara Inc | 基板の製造方法および基板 |
JP5076723B2 (ja) * | 2007-08-09 | 2012-11-21 | 富士通株式会社 | 研磨装置、基板及び電子機器の製造方法 |
JP4605233B2 (ja) * | 2008-02-27 | 2011-01-05 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 |
JP5177539B2 (ja) | 2008-07-14 | 2013-04-03 | 株式会社名機製作所 | 気密構造体のシャッタ装置およびその作動方法 |
DE102008053610B4 (de) * | 2008-10-29 | 2011-03-31 | Siltronic Ag | Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe |
CN102054894A (zh) * | 2009-11-10 | 2011-05-11 | 均豪精密工业股份有限公司 | 光伏装置的蚀刻工艺控制方法 |
DE112011101518B4 (de) * | 2010-04-30 | 2019-05-09 | Sumco Corporation | Verfahren zum Polieren von Siliziumwafern |
-
2011
- 2011-11-07 JP JP2011243342A patent/JP5614397B2/ja active Active
-
2012
- 2012-10-04 US US14/350,933 patent/US9156123B2/en active Active
- 2012-10-04 SG SG11201401560VA patent/SG11201401560VA/en unknown
- 2012-10-04 CN CN201280052936.8A patent/CN103889655B/zh active Active
- 2012-10-04 WO PCT/JP2012/006374 patent/WO2013069198A1/ja active Application Filing
- 2012-10-04 KR KR1020147011911A patent/KR101835414B1/ko active IP Right Grant
- 2012-10-04 DE DE112012004211.5T patent/DE112012004211B4/de active Active
- 2012-10-19 TW TW101138724A patent/TWI523094B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000271859A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-03 | Mitsubishi Materials Corp | 研磨レ−トを安定にする研磨装置 |
JP2002057131A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-22 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | ウェーハ研磨加工用定盤の形状制御機構 |
JP2004014780A (ja) * | 2002-06-06 | 2004-01-15 | Renesas Technology Corp | 平坦化処理の評価方法および半導体装置の製造方法 |
JP2007268679A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Speedfam Co Ltd | 両面研磨装置のための研磨パッド用修正治具及びこの修正治具を備えた両面研磨装置 |
WO2010013390A1 (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-04 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの研磨方法および両面研磨装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016016457A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-01 | 株式会社ディスコ | 研削方法 |
JP2017207455A (ja) * | 2016-05-20 | 2017-11-24 | スピードファム株式会社 | 断面形状測定方法 |
JP2020150109A (ja) * | 2019-03-13 | 2020-09-17 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの厚み測定方法及び半導体ウェーハの両面研磨装置 |
JP2020151836A (ja) * | 2019-03-22 | 2020-09-24 | 株式会社Sumco | ワークの両面研磨方法及びワークの両面研磨装置 |
WO2020194971A1 (ja) * | 2019-03-22 | 2020-10-01 | 株式会社Sumco | ワークの両面研磨方法及びワークの両面研磨装置 |
TWI743650B (zh) * | 2019-03-22 | 2021-10-21 | 日商Sumco股份有限公司 | 工件的兩面研磨方法及工件的兩面研磨裝置 |
CN113573843A (zh) * | 2019-03-22 | 2021-10-29 | 胜高股份有限公司 | 工件的两面抛光方法及工件的两面抛光装置 |
JP7081544B2 (ja) | 2019-03-22 | 2022-06-07 | 株式会社Sumco | ワークの両面研磨方法及びワークの両面研磨装置 |
CN113573843B (zh) * | 2019-03-22 | 2023-10-31 | 胜高股份有限公司 | 工件的两面抛光方法及工件的两面抛光装置 |
WO2023218812A1 (ja) * | 2022-05-11 | 2023-11-16 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140256227A1 (en) | 2014-09-11 |
DE112012004211T5 (de) | 2014-09-11 |
US9156123B2 (en) | 2015-10-13 |
KR20140099232A (ko) | 2014-08-11 |
DE112012004211B4 (de) | 2023-08-31 |
JP5614397B2 (ja) | 2014-10-29 |
TW201334051A (zh) | 2013-08-16 |
CN103889655B (zh) | 2016-07-20 |
SG11201401560VA (en) | 2014-09-26 |
TWI523094B (zh) | 2016-02-21 |
KR101835414B1 (ko) | 2018-03-08 |
CN103889655A (zh) | 2014-06-25 |
WO2013069198A1 (ja) | 2013-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5614397B2 (ja) | 両面研磨方法 | |
JP5896884B2 (ja) | 両面研磨方法 | |
US9293318B2 (en) | Semiconductor wafer manufacturing method | |
TWI418439B (zh) | A double-sided grinding apparatus, a double-sided polishing apparatus using the same, and a double-sided polishing method | |
JP5644401B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ | |
TWI461256B (zh) | A method for manufacturing a carrier for a double-sided polishing apparatus, a double-sided polishing method for a double-sided polishing apparatus, and a wafer | |
KR101994782B1 (ko) | 경면연마 웨이퍼의 제조방법 | |
JP5479390B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP2009302409A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP6027346B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
TW201413804A (zh) | 雙面研磨方法 | |
WO2016170721A1 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
TWI804554B (zh) | 載體的製造方法及晶圓的雙面研磨方法 | |
JP5381304B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP5282440B2 (ja) | 評価用ウェーハ及び両面研磨の研磨代の評価方法 | |
TWI710018B (zh) | 晶圓的雙面研磨方法及雙面研磨裝置 | |
JP5287982B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP6683277B1 (ja) | 半導体ウェーハの厚み測定方法及び半導体ウェーハの両面研磨装置 | |
JP2009135180A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131021 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20140423 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20140513 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140610 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140723 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140812 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140825 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5614397 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |