TW201334051A - 雙面研磨方法 - Google Patents

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Abstract

本發明是一種雙面研磨方法，其以黏貼有研磨布之上下平台來夾入被保持於載具上之晶圓，並使載具自轉及公轉，一邊供給研磨劑一邊同時研磨晶圓的雙面來進行晶圓的雙面研磨，其特徵在於：具有第1研磨步驟，其以高研磨速率進行研磨；及第2研磨步驟，其繼而以低研磨速率進行研磨；並且包含：於研磨後測定晶圓的平坦度之步驟；及基於平坦度的測定結果，設定下次研磨時的第2研磨步驟的研磨條件之步驟。藉此提供一種雙面研磨方法，其不受載具厚度的經時變化影響，而可穩定地改善晶圓的平坦度。

Description

雙面研磨方法
本發明關於一種一邊供給研磨劑一邊同時研磨晶圓的雙面之雙面研磨方法。
隨著半導體電路線寬的微細化，對作為其基板之半導體晶圓所要求的平坦度愈加嚴格。其中，於研磨大口徑晶圓時，採用加工精度更為優異的雙面研磨方式來代替先前的單面研磨。
其中，雙面研磨裝置，例如有第6圖所示之行星齒輪式雙面研磨裝置與第7圖所示之搖擺式雙面研磨裝置。行星齒輪式雙面研磨裝置，具有上下平台，上平台可上下移動，因而可將上平台壓在下平台上，藉此，可對被夾持於上下平台之間的晶圓施加負載。又，如第6圖所示，雙面研磨裝置101，具有：太陽齒輪107，其設置於下平台內側；及內齒輪108，其設置於下平台外側。
又，於上下平台之間，具有保持晶圓之載具105，其外周部可與太陽齒輪及內齒輪嚙合並旋轉。該載具按照太陽齒輪與內齒輪的轉速，於上下平台之間作自轉及公轉。作為被研磨物之晶圓，利用***至已設置於該載具的保持孔106中而得以被保持，因而不會於研磨中自雙面研 磨裝置飛出。
另一方面，如第7圖所示，搖擺式雙面研磨裝置111，於作旋轉的上下平台之間配置有保持晶圓之載具105，並使載具105不自轉而進行圓周運動，來研磨晶圓。
行星齒輪式雙面研磨裝置，相較於搖擺式雙面研磨裝置，可將載具的自轉轉速及公轉轉速設置成較高，其結果，利用促進研磨中之晶圓的自轉運動，可研磨出較搖擺式研磨機更高平坦度之晶圓。因此，作為近年來的雙面研磨裝置，行星齒輪式雙面研磨機成為主流。
此處，已知於行星齒輪式雙面研磨裝置中，研磨後的晶圓的平坦度，隨著研磨結束時的晶圓厚度，亦即晶圓的精加工厚度與載具的厚度之關係而發生變化(例如參照專利文獻1)。例如，若使精加工厚度厚於載具厚度，則受研磨負載所造成的晶圓向研磨布下沉之影響，晶圓外周部的壓力相較於中央部為高。其結果，晶圓外周部的研磨會被促進，外周部較中心部薄，則為產生所謂的外周塌邊，因而整體形狀亦容易成為凸形。
相反地，若使精加工厚度薄於載具厚度，則由於載具緩和晶圓向研磨布下沉的影響，即護圈效果，外周部的壓力相較於中央部為小。其結果，發生晶圓外周部相對於中心部變厚之外周翹起，於是整體形狀容易成為凹形。
因此，於先前，藉由調整相對於載具的厚度之晶圓的精加工厚度，來調整平坦度。一般而言，研磨步驟具有：第1研磨步驟，其以高研磨速度來進行粗研磨；及，第2 研磨步驟，其繼而以低研磨速度進行精研磨；精加工厚度的調整是藉由改變該第1研磨步驟的研磨時間來進行。需要以相對於載具的厚度為最適宜的厚度來對晶圓進行精加工，以研磨成高平坦度的晶圓。
又，晶圓的精加工厚度及平坦度的測定，是作業人員自雙面研磨裝置取出研磨後的晶圓，利用位於裝置外之平坦度測定器來測定，於測定結束後送回至研磨裝置。基於該平坦度的測定結果來決定下一研磨的精加工厚度，並設定研磨時間。由於此種每次於研磨後取出晶圓進行之測定，導致裝置生產率及勞動生產率的降低，因此，設置為每複數次研磨才進行1次測定。
[先行技術文獻] (專利文獻)
專利文獻1：日本特開平5-177539號公報
但是，使例如GBIR這樣的晶圓整體的平坦度，與例如SFQR或ESFQR這樣的外周部的平坦度均高平坦化之厚度，未必相等。例如，即便以GBIR會為良好之厚度來進行精加工，外周部的平坦度亦可能會產生外周翹起或外周塌邊，因而SFQR和ESFQR等惡化。因此，如上述之先前的精加工厚度的調整，無法充分改善平坦度。又，如上所述，於將載具的厚度用作基準之方法中，難以應對載具厚度的磨耗等所造成之經時變化。
近年來，由於半導體元件的成本削減，晶圓外周部的平坦度的要求變得嚴格，過去處於不會構成問題之範圍內之外周翹起、或外周塌邊，逐漸成為問題，例如，使用如上述之先前的方法，難以研磨成晶圓整體的平坦度與外周部的平坦度均良好之晶圓。
本發明是有鑒於上述問題而完成，其目的在於提供一種雙面研磨方法，其不受載具厚度的經時變化影響，可穩定地改善晶圓的平坦度。
為了達成上述目的，根據本發明，提供一種雙面研磨方法，其以黏貼有研磨布之上下平台來夾入被保持於載具上之晶圓，並使前述載具自轉及公轉，一邊供給研磨劑一邊同時研磨前述晶圓的雙面來進行晶圓的雙面研磨，其特徵在於：具有第1研磨步驟，其以高研磨速率進行研磨；及第2研磨步驟，其繼而以低研磨速率進行研磨；並且包含：於研磨後測定前述晶圓的平坦度之步驟；及基於前述平坦度的測定結果，設定下次研磨時的前述第2研磨步驟的研磨條件之步驟。
若為此種雙面研磨方法，由於不使用載具的厚度作為基準值，因此，亦不受載具厚度的經時變化影響，可基於前次平坦度的測定結果，有效並穩定地改善平坦度。又，若使平坦度的測定於生產線內進行，生產率亦不會降低。
此時，作為前述測定之平坦度，較佳為穿過前述 晶圓的中心之剖面形狀之整體的平坦度、與前述晶圓的外周部的塌邊形狀或翹起形狀之外周部的平坦度。
如此一來，基於整體的平坦度與外周部的平坦度各自的測定結果，可更為詳細地設定第2研磨步驟的研磨條件，因而可更為有效地改善平坦度。
又，此時，具體而言，於設定前述第2研磨步驟的研磨條件之步驟中，作為前述研磨條件，可設定研磨負載、前述載具的自轉轉速及公轉轉速、前述上下平台的轉速、及研磨時間中的至少一種。
如此一來，可具體設定第2研磨步驟的研磨條件，尤其於測定整體的平坦度與外周部的平坦度時，可同時有效地改善該等平坦度。
又，此時，於設定前述第2研磨步驟的研磨條件之步驟中，當前述外周部的平坦度的結果為翹起形狀時，可以相較於前次研磨時，減少前述研磨負載，且增加前述上下平台的轉速與前述載具的自轉轉速及公轉轉速之方式來設定前述研磨條件；當前述外周部的平坦度的結果為塌邊形狀時，可以相較於前次研磨時，增加前述研磨負載，且減少前述上下平台的轉速與前述載具的自轉轉速及公轉轉速之方式來設定前述研磨條件。
如此一來，由於當外周部平坦度的結果為翹起形狀時，可使晶圓容易成為凹形，為塌邊形狀時，可使晶圓容易成為凸形，因此，可配合藉由精加工厚度所達成之整體平坦度的調整，來同時改善整體及外周部的平坦度。
此時，具體而言，當前述外周部的平坦度的結果為翹起形狀時，能以精加工厚度厚於前次研磨時之方式來設定前述第1研磨步驟的研磨時間，當前述外周部的平坦度的結果為塌邊形狀時，能以精加工厚度薄於前次研磨時之方式來設定前述第1研磨步驟的研磨時間。
如此一來，由於當外周部的平坦度的結果為翹起形狀時，晶圓容易成為凸形，因此，藉由與通過變更前述第2研磨步驟的研磨條件，使晶圓容易成為凹形之效果進行配合，可同時改善整體及外周部的平坦度。又，由於當外周部的平坦度的結果為塌邊形狀時，晶圓容易成為凹形，因此，藉由與通過變更前述第2研磨步驟的研磨條件，使晶圓容易成為凸形之效果進行配合，可同時改善整體及外周部的平坦度。
於本發明的晶圓的雙面研磨中，包含在研磨後測定晶圓的平坦度之步驟、及基於平坦度的測定結果來設定下次研磨時的第2研磨步驟的研磨條件之步驟，因此，可不受載具厚度的經時變化影響，而能穩定地改善晶圓的平坦度。又，利用測定整體的平坦度與外周部的平坦度，並基於其等之測定結果來設定第2研磨步驟的研磨條件，可同時改善整體的平坦度與外周部的平坦度。
1‧‧‧雙面研磨裝置
2‧‧‧上平台
3‧‧‧下平台
4‧‧‧研磨布
5‧‧‧載具
6‧‧‧保持孔
7‧‧‧太陽齒輪
8‧‧‧內齒輪
9‧‧‧貫穿孔
10‧‧‧噴嘴
11‧‧‧晶圓自動搬送機械手
12‧‧‧厚度測定器
13‧‧‧位移感測器
101‧‧‧雙面研磨裝置
105‧‧‧載具
106‧‧‧保持孔
107‧‧‧太陽齒輪
108‧‧‧內齒輪
111‧‧‧搖擺式雙面研磨裝置
W‧‧‧晶圓
第1圖是本發明的雙面研磨方法的一例之流程圖。
第2圖是表示可於本發明的雙面研磨方法中使用之雙面研磨裝置的一例之概略圖。
第3(A)圖是表示可於本發明的雙面研磨方法中使用之具備晶圓自動搬送機械手之雙面研磨裝置的一例之概略俯視圖。
第3(B)圖是表示可於本發明的雙面研磨方法中使用之具備晶圓自動搬送機械手之雙面研磨裝置的一例之將機械手的一部分放大後之側視圖。
第4圖是說明本發明的雙面研磨方法的第1及第2研磨步驟之說明圖。
第5圖是表示實施例及比較例的結果之圖。
第6圖是表示通常的行星齒輪式雙面研磨裝置之概略圖。
第7圖是表示通常的搖擺式雙面研磨裝置之概略圖。
以下，說明本發明的實施形態，但本發明並非限定於此實施形態。
如上所述，為了改善平坦度而以載具的厚度為基準來調整精加工厚度之先前的雙面研磨方法，無法充分改善平坦度，尤其是晶圓外周部的平坦度之進一步改善成為問題。又，難以對應由於載具厚度的磨耗等造成之經時變化。
因此，本發明人為了解決如此問題而進行了反復研究。其結果，想到藉由於每次研磨後測定晶圓的平坦度，並將其結果反映至下一批次的第2研磨步驟的研磨負載、 上下平台的轉速等研磨條件中，可不受載具厚度的經時變化影響，而能穩定地研磨成高平坦度之晶圓。進而，本發明人發現，若基於整體及外周部的平坦度的測定結果，來設定第2研磨步驟的研磨負載、上下平台的轉速、載具的自轉轉速及公轉轉速、研磨時間等研磨條件，及根據前次研磨來設定精加工厚度的增減，則可同時改善整體和外周部的平坦度，因而完成了本發明。
此處，對可於本發明的雙面研磨方法中使用之雙面研磨裝置進行說明。如第2圖所示，雙面研磨裝置1，具有圓筒形之上平台2及下平台3，研磨布4分別以其研磨面相對向之方式黏貼於該上下平台2、3上。其中，研磨布4是於不織布中含浸胺基甲酸酯樹脂而成者、或是胺基甲酸酯發泡體等。於下平台3的內側安裝有太陽齒輪7，於外側安裝有內齒輪8。上下平台2、3與太陽齒輪7、內齒輪8具有相同之旋轉中心軸，可繞著該軸相互獨立地進行旋轉運動。
於載具5上設置有用以保持晶圓W之保持孔6，如第3(A)圖所示，複數個載具5被夾持於上下平台2、3之間。一個載具5上設置有複數個保持孔6，因而每批次可研磨複數個晶圓W。又，載具5分別與太陽齒輪7及內齒輪8嚙合，對應太陽齒輪7及內齒輪8的轉速而於上下平台之間進行自轉及公轉。將晶圓W***如此之載具5的保持孔中並加以保持，利用上平台2下降，夾入晶圓W及載具5，藉此來施加研磨負載。並且，其結構為：經由設置於上平 台2上之貫穿孔9，一邊將自噴嘴10供給之研磨劑流入上下平台之間，一邊使上平台2與下平台3相互往相反方向旋轉，來同時研磨晶圓W的雙面。
又，如第3(A)圖、第3(B)圖所示，可於本發明的雙面研磨方法中使用之雙面研磨裝置上，設置有晶圓自動搬送機械手11(以下簡稱為機械手)及測定研磨後的晶圓的精加工厚度之厚度測定器12。該厚度測定器12上，對向配置有兩個位移感測器13，藉由於其間***晶圓W並測定各位移感測器13的位移量，來測定晶圓的厚度。此處，位移感測器13可使用接觸式與非接觸式(靜電容或雷射位移計等)者，若考慮對晶圓的損傷之影響，則較佳為非接觸式。如此一來，可於生產線內測定晶圓的厚度。
本發明的雙面研磨方法，使用此種雙面研磨裝置，如第4圖所示，利用兩個研磨步驟來研磨晶圓，該兩個研磨為：第1研磨步驟，其以高研磨速率進行研磨；以及，第2研磨步驟，其繼而以低研磨速率進行研磨。此處，第1研磨步驟，主要是用以除掉上一步驟中所殘留之晶圓表面的加工歪斜或凹痕，並為了提升生產率而增加研磨負載，以高研磨速率進行研磨。第2研磨步驟，主要是用以調整平坦度，基於前次的平坦度的測定結果，適當設定研磨條件，以低研磨速率進行研磨。再者，於本發明中使用之上述雙面研磨裝置的結構為例示，並非限定於此結構。
以下，使用第1圖來更為具體地說明本發明的雙面研磨方法。
如第1圖所示，藉由機械手將前次研磨結束後(第1圖的S1)的晶圓，自雙面研磨裝置回收(第1圖的S2)，並收納於回收槽中。將所有晶圓自雙面研磨裝置回收後，機械手將要進行測定之晶圓自回收槽取出(第1圖的S3)，並根據需要而藉由鼓風機將晶圓表面的水分去除後(第1圖的S4)，測定精加工厚度及平坦度(第1圖的S5)。
此處，精加工厚度可利用厚度測定器測定。此時，用於測定之晶圓數，為一批次所研磨之晶圓中的1片以上即可，測定2片以上時，則使用平均值。又，可為例如，測定穿過晶圓的中心之水平線上的複數點的位置的厚度，並將精加工厚度設為其平均值。
又，作為要進行測定之平坦度，可為穿過晶圓的中心之剖面形狀之整體的平坦度、與晶圓的外周部的塌邊形狀或翹起形狀之外周部的平坦度。
平坦度之測定，可使用平坦度測定器進行。又，亦可如下所示，藉由測定厚度，並根據該厚度將平坦度數值化來測定平坦度。亦即，首先，利用厚度測定器來測定厚度。根據該測定之厚度，將晶圓的平坦度數值化。例如，晶圓整體的平坦度可為於複數點的位置處所測定之厚度的最大值與最小值之差，外周部的平坦度可為晶圓外周3 mm位置的厚度與1 mm位置的厚度之差。
若並非如先前般，利用位於雙面研磨裝置外之平坦度測定器來測定平坦度，而是如上述，於生產線內測定晶圓的厚度，並根據該厚度將平坦度數值化，則由於生產率不 會降低，因而較佳，但並非特別限定於此。
然後，基於平坦度的測定結果，來設定下次研磨時的第2研磨步驟的研磨條件(第1圖的S6、S7)。此時，若尤其是外周部的平坦度的測定結果良好，則可將第2研磨步驟的研磨條件設定為與前次相同。進而，基於平坦度的測定結果，決定下次研磨時的精加工厚度(第1圖的S8)。
然後，根據研磨前的晶圓的厚度與所決定之精加工厚度之差，計算所需總研磨量(第1圖的S9)，參考過去的研磨速度，計算並設定所需第1研磨步驟的研磨時間。
如此設定研磨條件，並開始晶圓的研磨。
若為此種本發明的雙面研磨方法，由於不使用載具的厚度作為基準值，因此，亦不受載具厚度的經時變化影響，可基於前次的平坦度的測定結果，有效並穩定地改善平坦度。又，若使平坦度的測定於生產線內進行，生產率亦不會降低。
又，藉由將如上測定之平坦度作為整體的平坦度與外周部的平坦度，基於整體的平坦度與外周部的平坦度的各自的測定結果，可更為詳細地設定第2研磨步驟的研磨條件，因而可更為有效地改善平坦度。
於設定第2研磨步驟的研磨條件之步驟中，作為具體的研磨條件，可設定研磨負載、載具的自轉轉速及公轉轉速、上下平台的轉速、及研磨時間中的至少一種。
如此一來，尤其於測定整體的平坦度與外周部的平坦度之情況下，可同時有效地改善整體的平坦度與外周部的 平坦度。
此處，例如可以將研磨負載設為50~300 g/cm2、上下平台設為1~50 rpm、及研磨時間設為25分鐘以下之範圍內之方式來設定。又，載具的自轉轉速及公轉轉速可根據上下平台、太陽齒輪、及內齒輪的轉速進行調整，可使太陽齒輪、內齒輪的轉速與上下平台的轉速相同。
此時，作為具體的設定方法，較佳為如下述般地進行設定。
當外周部的平坦度的結果為翹起形狀時，相較於前次研磨時減少研磨負載，且增加上下平台的轉速與載具的自轉轉速及公轉轉速。藉由低負載並增加上下平台的轉速與載具的自轉轉速及公轉轉速，研磨劑遍佈至晶圓中心部。又，晶圓中心部受研磨所造成之發熱的影響及研磨劑的冷卻效果較外周部小，因此溫度增高。由於該兩點理由，相較於外周部，晶圓中心部之機械性研磨及化學性研磨得以被促進，且中央部分的研磨速率較快，因而容易成為凹形。
另一方面，當外周部的平坦度的結果為塌邊形狀時，以相較於前次研磨時，增加研磨負載，且減少上下平台的轉速與載具的自轉轉速及公轉轉速之方式來設定研磨條件。如此一來，與上述相反，由於研磨劑無法遍佈至晶圓中心部，因此，中央部分的研磨速率較慢，因而容易成為凸形。
如此一來，設定第2研磨步驟的研磨條件，使晶圓容易成為凹形或凸形，之後通過與藉由精加工厚度所達成之 整體的平坦度的調整相配合，可同時改善整體及外周部的平坦度。
例如，當平坦度測定的結果是整體為凸形而外周部為翹起形狀時，相較於前次研磨時，減少研磨負載，且增加上下平台的轉速與載具的自轉轉速及公轉轉速，使其容易成為凹形，與此同時，增加精加工厚度，使其容易成為凸形。藉由如此設定，可同時改善整體及外周部的平坦度。又，當平坦度測定的結果是整體為凹形而外周部為塌邊形狀時，相較於前次研磨時，增加研磨負載，且減少上下平台的轉速與載具的自轉轉速及公轉轉速，使其容易成為凸形，與此同時，降低精加工厚度，使其容易成為凹形。如此一來，同樣可同時改善整體及外周部的平坦度。
再者，於先前，例如，當整體為凸形而外周部為翹起形狀時，由於僅進行降低精加工厚度以改善整體的凸形之調整，因此，由於抑制載具所造成之研磨布的下沉量，亦即所謂的護圈效果，外周部的翹起形狀會進而加劇。
於本發明中，如上所述，設定將翹起及塌邊形狀分別改變為凹形及凸形之條件後，據此設定精加工厚度來使整體變得平坦，因此可同時改善整體及外周部的平坦度。
又，當如上外周部的平坦度的結果並非為翹起及塌邊形狀，而為平坦時，可將第2研磨步驟的研磨條件設定為與前次研磨時相同，此時，藉由變更第1研磨步驟的研磨時間來調整精加工厚度，可改善整體的平坦度。具體而言，當整體的平坦度的結果為凹形時，以精加工厚度厚於前次 研磨時之方式來設定第1研磨步驟的研磨時間，或當整體的平坦度的結果為凸形時，以精加工厚度薄於前次研磨時之方式設定第1研磨步驟的研磨時間即可。
其中，較佳為以達到充分的研磨量之方式來設定第2研磨步驟的研磨時間，來進行上述形狀調整。雖並無特別限定，例如能以研磨量成為1.5~5.0 μm範圍之方式來設定研磨時間。
[實施例]
以下，例示本發明的實施例及比較例，更為具體地說明本發明，但本發明並非限定於此。
(實施例)
使用可於生產線內進行平坦度的測定之雙面研磨裝置，按照如第1圖所示之本發明的雙面研磨方法來研磨晶圓，並評估平坦度。作為經研磨之晶圓，準備一種直徑為300 mm之矽晶圓，該矽晶圓是將藉由CZ法製造出來的矽單晶晶棒切片，並實施邊緣部的倒角加工、磨光、及蝕刻而成。又，作為雙面研磨裝置的研磨布，於上下平台側均使用胺基甲酸酯發泡體，研磨劑是使用包含膠質二氧化矽磨粒，並將pH值調整為10.0~11.0之範圍內。
首先，如下設定第一批次的研磨條件。第1研磨步驟的研磨負載為250 g/cm2，上下平台、太陽齒輪、內齒輪的轉速，是以載具公轉轉速與上平台轉速之差及下平台轉速與載具公轉轉速之差同為20 rpm之方式，且載具自轉轉速為1 rpm之方式，分別設定。第2研磨步驟的研磨負載 為180 g/cm2，上下平台、太陽齒輪、內齒輪的轉速設定為與第1研磨步驟相同。又，第2研磨步驟的研磨時間為3.5分鐘，以精加工厚度為777 μm之方式來設定第1研磨步驟的研磨時間。
以此種研磨條件來研磨晶圓，並測定研磨後的晶圓的平坦度。其結果，平坦度是整體為凸形而外周部為翹起形狀。因此，如下設定第二批次的第2研磨步驟的研磨條件。將研磨負載減少至130 g/cm2，並增加上下平台的轉速與載具的自轉轉速及公轉轉速。此時，使載具公轉轉速與上平台轉速之差及下平台轉速與載具公轉轉速之差同為25 rpm。又，載具的自轉轉速增加至4 rpm。又，將精加工厚度增加至780 μm，且第2研磨步驟的研磨時間為6分鐘。再者，除將研磨時間變更為使精加工厚度為780 μm之研磨時間以外，第1研磨步驟的研磨條件與第一批次條件相同。以此種研磨條件研磨晶圓，並測定研磨後的晶圓的平坦度。
其結果，可同時將整體及外周部的平坦度改善為良好的值。第5圖是表示使後述比較例的結果為1時的平坦度的結果之圖。如第5圖所示，實施例、比較例中，表示整體的平坦度之GBIR均為良好，但對於表示外周部的平坦度之SFQR、ESFQR而言，實施例較比較例有所改善。
又，由於是於生產線內進行平坦度的測定，並未增加步驟時間，即可在不降低生產率之情形下進行研磨。
如此一來，可確認，本發明的雙面研磨方法可穩定地提升晶圓的平坦度。又，可確認，由於本發明並非以載具 的厚度為基準來設定研磨條件，因此，不受載具厚度的經時變化影響，因而可改善平坦度。
(比較例)
以與實施例中的第一批次的研磨相同之條件來研磨矽單晶晶圓。利用位於雙面研磨裝置外之平坦度測定器(日本黑田精工公司(KURODA Precision Industries Ltd.)製造Nanometro300TT)來測定研磨後的晶圓，平坦度是整體為凸形而外周部為翹起形狀。因此，於第二批次的研磨中，使相對於載具的厚度之晶圓的精加工厚度變薄，以改善整體的平坦度。
其結果，雖然整體的平坦度得以改善，但外周部的平坦度的翹起形狀變強，如第5圖所示，相較於實施例，外周部的平坦度大幅惡化。
再者，本發明並不限定於上述實施形態。上述實施形態僅為示例，具有與本發明的申請專利範圍所記載之技術思想實質相同的構成，並發揮相同作用效果之所有發明，均包含在本發明的技術範圍內。

Claims (6)

  1. 一種雙面研磨方法，其以黏貼有研磨布之上下平台來夾入被保持於載具上之晶圓，並使前述載具自轉及公轉，一邊供給研磨劑一邊同時研磨前述晶圓的雙面來進行晶圓的雙面研磨，其特徵在於：具有第1研磨步驟，其以高研磨速率進行研磨；及第2研磨步驟，其繼而以低研磨速率進行研磨；並且包含：於研磨後測定前述晶圓的平坦度之步驟；及基於前述平坦度的測定結果，設定下次研磨時的前述第2研磨步驟的研磨條件之步驟。
  2. 如請求項1所述之雙面研磨方法，其中，作為前述測定之平坦度，為穿過前述晶圓的中心之剖面形狀之整體的平坦度、與前述晶圓的外周部的塌邊形狀或翹起形狀之外周部的平坦度。
  3. 如請求項1所述之雙面研磨方法，其中，於設定前述第2研磨步驟的研磨條件之步驟中，作為前述研磨條件，設定研磨負載、前述載具的自轉轉速及公轉轉速、前述上下平台的轉速、及研磨時間中的至少一種。
  4. 如請求項2所述之雙面研磨方法，其中，於設定前述第2研磨步驟的研磨條件之步驟中，作為前述研磨條件，設定 研磨負載、前述載具的自轉轉速及公轉轉速、前述上下平台的轉速、及研磨時間中的至少一種。
  5. 如請求項2至請求項4中的任一項所述之雙面研磨方法，其中，於設定前述第2研磨步驟的研磨條件之步驟中，當前述外周部的平坦度的結果為翹起形狀時，以相較於前次研磨時，減少前述研磨負載，且增加前述上下平台的轉速與前述載具的自轉轉速及公轉轉速之方式來設定前述研磨條件；當前述外周部的平坦度的結果為塌邊形狀時，以相較於前次研磨時，增加前述研磨負載，且減少前述上下平台的轉速與前述載具的自轉轉速及公轉轉速之方式來設定前述研磨條件。
  6. 如請求項5所述之雙面研磨方法，其中，當前述外周部的平坦度的結果為翹起形狀時，以精加工厚度厚於前次研磨時之方式來設定前述第1研磨步驟的研磨時間；當前述外周部的平坦度的結果為塌邊形狀時，以精加工厚度薄於前次研磨時之方式來設定前述第1研磨步驟的研磨時間。
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