CN102054894A - 光伏装置的蚀刻工艺控制方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种光伏装置的蚀刻工艺控制方法，其包括以下步骤：步骤1：将一晶片送入一蚀刻机台；步骤2：在所述蚀刻机台内测量、计算、记录所述晶片在蚀刻工艺前与蚀刻工艺后的某一特定物理量的差异，并由此计算、记录其蚀刻率；步骤3：由所述蚀刻机台自动判断所述蚀刻率与所述蚀刻机台内设的预定值是否有差异，若为否，则重新回到步骤1，若为是，则往下进行步骤4；步骤4：由所述蚀刻机台计算蚀刻工艺参数修正值；步骤5：由所述蚀刻机台自动修正其蚀刻工艺参数，并且回到步骤1。本发明是在光伏装置的蚀刻程序中，运用自动工艺回馈控制法来调整晶片的蚀刻率，以达到稳定的蚀刻工艺参数。
Description
技术领域
本发明是有关一种光伏装置的蚀刻工艺控制方法，尤其是指运用自动工艺回馈控制法来监控硅晶片的蚀刻率的一种光伏装置蚀刻工艺控制方法，以达到稳定的蚀刻工艺参数。
背景技术
目前在光伏装置的制造程序中的蚀刻工艺，是在一硅晶片(silicon wafer)送入蚀刻机台前，先以人工方式做该硅晶片的蚀刻工艺前重量量测，完成蚀刻工艺后，将所述硅晶片移出机台，再以人工方式做该硅晶片的蚀刻工艺后重量量测，并以人工方式计算蚀刻工艺前与蚀刻工艺后的重量差异，而得出所述蚀刻机台的蚀刻率(etching rate)，然后与预定的蚀刻率比较，以决定是否调整蚀刻工艺的参数，例如机台工艺温度、蚀刻液浓度、硅晶片传送装置的传送速度等等。
因为上述的程序是以人工方式进行，无法对每一片晶片进行上述的程序，只能用随机选取方式，然而，随机选取的方式无法「随时」监控、记录并调整硅晶片的蚀刻工艺参数。
发明内容
本发明为了改善上述现有技术的无法「随时」监控缺点，以期能随时监控、记录并调整硅晶片的蚀刻工艺参数，在此提供一种光伏装置的蚀刻工艺控制方法，其是运用自动工艺回馈控制法来监控硅晶片的蚀刻率。
为了达到上述目的，本发明提供一种光伏装置的蚀刻工艺控制方法，其是包括有下列步骤：
步骤1：将一晶片送入一蚀刻机台；
步骤2：在所述蚀刻机台内测量、计算、记录所述晶片在蚀刻工艺前与蚀刻工艺后的某一特定物理量的差异，并由此计算、记录其蚀刻率；
步骤3：由所述蚀刻机台自动判断所述蚀刻率与所述蚀刻机台内设的预定值是否有差异，若为否，则重新回到步骤1，若为是，则往下进行步骤4；
步骤4：由所述蚀刻机台计算蚀刻工艺参数修正值；
步骤5：由所述蚀刻机台自动修正其蚀刻工艺参数，并且回到步骤1。
本发明运用的自动工艺回馈控制法，其是由蚀刻机台本身自动在机台内量测蚀刻工艺前与蚀刻工艺后硅晶片的某一个特定的物理量，例如重量或者尺寸，并自动计算蚀刻工艺前与蚀刻工艺后的所述物理量差异，而得出所述蚀刻机台的蚀刻率(etching rate)，然后所述蚀刻机台会与预定的蚀刻率比较，以自动判断是否调整蚀刻工艺的参数，例如机台工艺温度、蚀刻液浓度、硅晶片传送装置的传送速度等等。如此周而复始，对每一片送入蚀刻机台内的硅晶片做上述程序，并且自动回馈蚀刻率的记录以调整蚀刻工艺参数，达到能随时监控硅晶片的蚀刻率与稳健的蚀刻工艺，以提升蚀刻工艺的良率。
本发明将在下述以一实施例说明所述光伏装置的蚀刻工艺控制方法的原理与实施方式。
附图说明
图1为本发明光伏装置蚀刻工艺控制方法的流程示意图。
附图标记说明：1～5-步骤。
具体实施方式
为使贵审查委员能对本发明的特征、目的及功能有更进一步的认知与了解，下文特将本发明的相关细部结构以及设计的理念原由进行说明，以使得审查委员可以了解本发明的特点，详细说明陈述如下：
本发明提供一种光伏装置的蚀刻工艺控制方法，其是在光伏装置的蚀刻程序中，运用自动工艺回馈控制法来调整晶片的蚀刻率，以达到稳定的蚀刻工艺参数。
请参阅图1所示，该图为本发明光伏装置蚀刻工艺控制方法的一实施例的流程示意图。如图1所示，本实施例光伏装置的蚀刻工艺控制方法是包括有下列步骤：
步骤1：将一晶片送入一蚀刻机台；
步骤2：在所述蚀刻机台内测量、计算、记录所述晶片在蚀刻工艺前与蚀刻工艺后的某一特定物理量的差异，并由此计算、记录其蚀刻率；
步骤3：由所述蚀刻机台自动判断所述蚀刻率与所述蚀刻机台内设的预定值是否有差异，若为否，则重新回到步骤1，若为是，则往下进行步骤4；
步骤4：由所述蚀刻机台计算蚀刻工艺参数修正值；
步骤5：由所述蚀刻机台自动修正其蚀刻工艺参数，并且回到步骤1。
在本实施例步骤2中所述特定的物理量，可以是所述硅晶片的质量或者是尺寸例如厚度，而步骤4和步骤5的蚀刻工艺的参数，可以是机台工艺温度、蚀刻液浓度或者硅晶片传送装置的传送速度。
如此周而复始地对每一片送入蚀刻机台内的硅晶片重复上述程序，并且自动回馈蚀刻率的记录以调整蚀刻工艺参数，达到能随时监控硅晶片的蚀刻率与稳健的蚀刻工艺，以提升蚀刻工艺的良率。
以下以一实际例子说明本实施例。已知条件如下，蚀刻机台长度为2050mm，起始时，硅晶片传送装置的传送速度为1.2m/min，蚀刻工艺的预定目标值为蚀刻工艺前与蚀刻工艺后的质量差为0.5g，蚀刻工艺控制中所设定的传送装置传送速度的基本调整比例为每克0.1m/min(0.1m/min/g)。依循本发明蚀刻工艺控制方法的工艺如下：
步骤1，将一晶片送入所述蚀刻机台；
步骤2：在所述蚀刻机台内测量蚀刻工艺前与蚀刻工艺后所述硅晶片的质量的差异值为0.39g；
步骤3：由所述蚀刻机台自动判断出所述硅晶片的蚀刻结果差异值与所述蚀刻机台内设的预定值0.5g有差异，所以往下进行步骤4；
步骤4：由所述蚀刻机台计算出蚀刻结果差异值0.39g与预定值0.5g的差值为(0.39g)-(0.5g)＝(-0.11g)(少了0.11g)，换算成硅晶片传送装置的传送速度的修正值为(-0.11g)*(0.1m/min/g)＝(-0.01m/min)；
步骤5：由所述蚀刻机台自动将硅晶片传送装置的传送速度修正为(1.2m/min)+(-0.01m/min)＝(1.19m/min)，然后再回到步骤1。
由上述第一次修正后，硅晶片传送装置的传送速度变更为1.19m/min，蚀刻机台长度不变(2050mm)。然后再回到步骤1将下一片硅晶片送入所述蚀刻机台，并继续重复相同的蚀刻工艺，完整的程序如下；
步骤1，将下一片晶片送入所述蚀刻机台；
步骤2：在所述蚀刻机台内测量蚀刻工艺前与蚀刻工艺后所述硅晶片的质量的差异值为0.49g；
步骤3：由所述蚀刻机台自动判断出所述硅晶片的蚀刻结果差异值与所述蚀刻机台内设的预定值0.5g有差异，所以往下进行步骤4；
步骤4：由所述蚀刻机台计算出蚀刻结果差异值0.49g与预定值0.5g的差值为(0.49g)-(0.5g)＝(-0.01g)(少了0.01g)，换算成硅晶片传送装置的传送速度的修正值为(-0.01g)*(0.1m/min/g)＝(-0.001m/min)；
步骤5：由所述蚀刻机台自动将硅晶片传送装置的传送速度修正为(1.19m/min)+(-0.001m/min)＝(1.189m/min)，四舍五入约等于1.19m/min，也就是维持不变，然后再回到步骤1。
如此周而复始地对每一片送入蚀刻机台内的硅晶片重复上述程序，并且自动回馈蚀刻率的记录以调整蚀刻工艺参数，达到能随时监控硅晶片的蚀刻率与稳健的蚀刻工艺，以提升蚀刻工艺的良率。
以上说明对本发明而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离以下所附权利要求所限定的精神和范围的情况下，可做出许多修改，变化，或等效，但都将落入本发明的保护范围内。
Claims (3)
1.一种光伏装置的蚀刻工艺控制方法，其特征在于，其是包括有下列步骤：
步骤1：将一晶片送入一蚀刻机台；
步骤2：在所述蚀刻机台内测量、计算、记录所述晶片在蚀刻工艺前与蚀刻工艺后的某一特定物理量的差异，并由此计算、记录其蚀刻率；
步骤3：由所述蚀刻机台自动判断所述蚀刻率与所述蚀刻机台内设的预定值是否有差异，若为否，则重新回到步骤1，若为是，则往下进行步骤4；
步骤4：由所述蚀刻机台计算蚀刻工艺参数修正值；
步骤5：由所述蚀刻机台自动修正其蚀刻工艺参数，并且回到步骤1。
2.如权利要求1所述的光伏装置的蚀刻工艺控制方法，其特征在于，在步骤2所量测的特定物理量是所述晶片的质量。
3.如权利要求1所述的光伏装置的蚀刻工艺控制方法，其特征在于，在步骤2所量测的特定物理量是所述晶片的尺寸。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009102108151A CN102054894A (zh) | 2009-11-10 | 2009-11-10 | 光伏装置的蚀刻工艺控制方法 |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN102054894A true CN102054894A (zh) | 2011-05-11 |
Family
ID=43959044
Family Applications (1)
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| CN2009102108151A Pending CN102054894A (zh) | 2009-11-10 | 2009-11-10 | 光伏装置的蚀刻工艺控制方法 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN102054894A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103889655A (zh) * | 2011-11-07 | 2014-06-25 | 信越半导体株式会社 | 双面研磨方法 |
| CN109545721A (zh) * | 2018-12-05 | 2019-03-29 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 控制硅片腐蚀溶液浓度的方法、控制设备及控制*** |
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2009
- 2009-11-10 CN CN2009102108151A patent/CN102054894A/zh active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN103889655A (zh) * | 2011-11-07 | 2014-06-25 | 信越半导体株式会社 | 双面研磨方法 |
| CN103889655B (zh) * | 2011-11-07 | 2016-07-20 | 信越半导体株式会社 | 双面研磨方法 |
| CN109545721A (zh) * | 2018-12-05 | 2019-03-29 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 控制硅片腐蚀溶液浓度的方法、控制设备及控制*** |
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