JP7031491B2 - ワークの両面研磨装置および両面研磨方法 - Google Patents

ワークの両面研磨装置および両面研磨方法 Download PDF

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Description

本発明は、ワークの両面研磨装置および両面研磨方法に関する。
研磨に供するワークの典型例であるシリコンウェーハなどの半導体ウェーハの製造において、より高精度なウェーハの平坦度品質や表面粗さ品質を得るために、表裏面を同時に研磨する両面研磨工程が一般的に採用されている。半導体ウェーハに要求される形状(主に全面及び外周の平坦度)は、その用途等によって様々であり、それぞれの要求に応じて、ウェーハの研磨量の目標を決定し、その研磨量を正確に制御することが必要である。
特に近年、半導体素子の微細化と、半導体ウェーハの大口径化により、露光時における半導体ウェーハの平坦度要求が厳しくなってきているという背景から、ウェーハの研磨量を適切に制御する手法が強く希求されている。そこで、例えば特許文献1には、研磨中における両面研磨装置の定盤駆動トルクの低下量から、ウェーハの研磨量を制御する方法が記載されている。
しかし、特許文献1に記載の方法では、ウェーハの研磨量の変化に対する定盤トルクの変化の応答性が悪く、トルクの変化量とウェーハの研磨量との相関をとることが困難である。また、ウェーハを保持するキャリアプレートと定盤とが接触した場合に、大きなトルク変動として研磨終了時点を判断するものであるため、キャリアプレートと定盤とが接触しない状態での研磨量の検出は行えないという問題があった。
そこで、特許文献2には、両面研磨の初期段階において、キャリアプレートの温度が、キャリアプレートの回転と同期して周期的に変化することに着目し(特許文献2の図7および図8参照)、キャリアプレートの温度変化の振幅に基づいてワークの研磨量を制御する両面研磨装置について記載されている。
図1は、特許文献2に記載された両面研磨装置を示している。この図に示した両面研磨装置100は、両面研磨に供するワーク1を保持する1つ以上の保持孔2が形成されたキャリアプレート3と、キャリアプレート3を挟み込む一対の上定盤5および下定盤4とを備える。キャリアプレート3の保持孔2は、キャリアプレート3の中心に対して偏心しており、サンギア7とインターナルギア8とによって、回転可能に構成されている。また、上下定盤4、5の対向面には、それぞれ研磨パッド6が貼付されている。
また、両面研磨装置100は、キャリアプレート3の温度を計測する、赤外線センサ等で構成された温度計測手段9と、ワークの両面研磨を制御する制御手段10とをさらに備えている。
上述のように、特許文献2に記載された両面研磨装置100において、温度計測手段9によって計測されたキャリアプレート3の温度は、両面研磨の初期段階において、キャリアプレート3の温度が、キャリアプレート3の回転と同期して周期的に変化する。図2は、温度計測手段9によって計測された、キャリアプレート3の温度変化の振幅を示しており、ウェーハ1の厚みがキャリアプレート3の厚みに近づくにつれて小さくなり、ウェーハ1の厚みがキャリアプレート3の厚みと一致した段階でゼロとなる。
特許文献2に記載された両面研磨装置100においては、制御手段10は、上記キャリアプレート3の温度変化の振幅に基づいて両面研磨を終了させるようにワーク1の研磨量を制御する。これにより、平坦度が高く、所望の形状を有するワーク1が得られるとされている。
特開2002-254299号公報 特許第5708864号公報
本発明者らは、特許文献2に記載された両面研磨装置100を用いて、キャリアプレート3の温度変化の振幅に基づいて研磨量を制御してワーク1、具体的にはシリコンウェーハの両面研磨を行った。その結果、製造直後の平坦度の高いキャリアプレートを用いて両面研磨を行った場合には、所望の形状のワーク1を得ることができた。しかし、両面研磨を繰り返し行うにつれて、両面研磨後のワーク1の形状が所望の形状から徐々にずれて悪化することが判明した。
そこで、本発明の目的は、ワークの両面研磨を繰り返し行った場合にも、所望とする形状でワークの両面研磨を終了させることができるワークの両面研磨装置および両面研磨方法を提供することにある。
[1]研磨に供するワークを保持する1つ以上の保持孔が形成されたキャリアプレートと、前記キャリアプレートを挟み込む一対の上定盤および下定盤とを備えるワークの両面研磨装置において、
前記キャリアプレートの温度を計測する温度計測手段と、
前記ワークの両面研磨を制御する制御手段とを更に備え、
前記制御手段は、前記温度計測手段によって計測された前記キャリアプレートの温度変化の振幅に基づいて決定された、両面研磨の終了時点を決定するための基準時点から、両面研磨を追加で行う時間であるオフセット時間を次回のバッチについて決定し、前記基準時点から決定した前記オフセット時間が経過した時点でワークの両面研磨を終了し、
前記オフセット時間の決定は、前回以前のバッチにおいて両面研磨されたワークの形状指標の実績値、およびバッチ間のオフセット時間の差から予測される、次回のバッチにおいて両面研磨されるワークの形状指標の予測値に基づいて行うことを特徴とするワークの両面研磨装置。
[2]前記予測値をY、前記実績値をX、前記オフセット時間の差をX、A、BおよびCを定数として、前記予測値Yは下記の式(1)で与えられる、前記[1]に記載のワークの両面研磨装置。
Y=AX+BX+C (1)
[3]3回前までの3つのバッチに関するワークの形状指標の実績値の平均値をX、オフセット時間のバッチ間の差の平均値をXとする、前記[2]に記載のワークの両面研磨装置。
[4]前記基準時点は、前記キャリアプレートの温度変化の振幅がゼロとなる時点である、前記[1]~[3]のいずれか一項に記載のワークの両面研磨装置。
[5]前記基準時点は、前記キャリアプレートの温度変化の振幅がゼロとなる時点よりも前の時点である、前記[1]~[3]のいずれか一項に記載のワークの両面研磨装置。
[6]前記形状指標はGBIRである、前記[1]~[5]のいずれか一項に記載のワークの研磨装置。
[7]研磨に供するワークを保持する1つ以上の保持孔が形成されたキャリアプレートにワークを保持して上定盤と下定盤とで挟み込み、前記キャリアプレートと前記上下定盤とを相対回転させて前記ワークの両面を同時に研磨するワークの両面研磨方法において、
両面研磨中の前記キャリアプレートの温度を計測し、計測した温度変化の振幅に基づいて、両面研磨の終了時点を決定するための基準時点を決定し、
上記基準時点から両面研磨を追加で行う時間であるオフセット時間を次回のバッチについて決定し、前記基準時点から決定した前記オフセット時間が経過した時点でワークの両面研磨を終了させ、
前記オフセット時間の決定は、前回以前のバッチにおいて両面研磨されたワークの形状指標の実績値およびオフセット時間のバッチ間の差から予測される、次回のバッチにおいて両面研磨されるワークの形状指標の予測値に基づいて行うことを特徴とするワークの両面研磨方法。
[8]前記予測値Yは、前記実績値をX、前記オフセット時間の差をX、A、BおよびCを定数として、下記の式(2)で与えられる、前記[7]に記載のワークの両面研磨方法。
Y=AX+BX+C (2)
[9]3回前までの3つのバッチに関するワークの形状指標の実績値の平均値をX、オフセット時間のバッチ間の差の平均値をXとする、前記[8]に記載のワークの両面研磨方法。
[10]前記基準時点は、前記キャリアプレートの温度変化の振幅がゼロとなる時点である、前記[7]~[9]のいずれか一項に記載のワークの両面研磨方法。
[11]前記基準時点は、前記キャリアプレートの温度変化の振幅がゼロとなる時点よりも前の時点である、前記[7]~[9]のいずれか一項に記載のワークの両面研磨方法。
[12]前記形状指標はGBIRである、前記[7]~[11]のいずれか一項に記載のワークの研磨方法。
本発明によれば、ワークの両面研磨を繰り返し行った場合にも、所望とする形状でワークの両面研磨を終了させることができる。
特許文献2に記載された両面研磨装置を示す図である。 両面研磨の初期におけるキャリアプレートの温度変化の振幅を示す図である。 ワークの両面研磨を繰り返し行うことによって、キャリアプレートおよびワークの断面形状が変化する様子を説明する図である。 本発明におけるオフセット時間を説明する図である。 本発明による両面研磨装置の一例を示す図である。 従来例および発明例2に関するシリコンウェーハのGBIRの分布を示す図である。
(両面研磨装置)
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。上述のように、図1に示した特許文献2に記載された両面研磨装置100においては、キャリアプレート3の温度変化の振幅に基づいて、ワーク1の両面研磨の研磨量の制御を行っている。本発明者らの検討によれば、製造直後の平坦度の高いキャリアプレート3を用いてワーク1の両面研磨を開始し、両面研磨の繰り返し回数(すなわち、バッチ数)が少ない段階では、ワーク1の形状が所望の形状となった段階で両面研磨を終了させることができる。しかしながら、両面研磨の繰り返し回数(すなわち、バッチ数)が増えていくと、両面研磨後のワーク1の形状が所望の形状から徐々にずれて悪化することが判明した。
すなわち、製造直後のキャリアプレート3を用いてワーク1の両面研磨を行う場合には、図3(a)に示すように、キャリアプレート3の温度変化の振幅に基づいて決定された時点、例えば振幅がゼロとなる時点で両面研磨を終了することにより、平坦度が高く、所望の形状を有するワーク1を得ることができる。
しかし、ワーク1の両面研磨を繰り返し行うにつれて、研磨パッド6によってキャリアプレート3の外周部がキャリア内外周の走行量の差により、内周部より多く研磨されて平坦度が悪化する。こうした平坦度が悪化したキャリアプレート3を用いてワーク1の両面研磨を行い、キャリアプレート3の温度変化の振幅に基づいて決定された時点、例えば振幅がゼロとなる時点で両面研磨を終了すると、図3(b)に示すように、ワーク1の形状が凸状となり、平坦度が悪化して所望の形状のワーク1を得ることができない。
そして、こうした平坦度が悪化したキャリアプレート3を用いて両面研磨をさらに繰り返し行うと、図3(c)に示すように、キャリアプレート3の平坦度はさらに悪化し、ワーク1の形状もさらに悪化する。
このように、キャリアプレート3の温度変化の振幅に基づいて決定された時点で両面研磨を終了すると、ワーク1の両面研磨を繰り返し行うにつれて、ワーク1の形状が所望とする形状となった段階で両面研磨を終了させることができない。そのため、ワーク1の形状を所望の形状とするために、所定の時間だけ両面研磨をさらに行う必要がある。以下、図4に示すように、キャリアプレート3の温度変化の振幅がゼロとなる時点を基準時点とし、この基準時点から両面研磨を追加で行う時間を「オフセット時間」と呼ぶ。
本発明者らは、上記オフセット時間をどのように決定すれば、ワーク1の形状が所望の形状となった段階で両面研磨を終了させることができるかについて鋭意検討した。そのために、様々なオフセット時間について、オフセット時間と両面研磨後のワーク1の形状指標(具体的には、GBIR)との関係について詳細に調査した。その結果、前回以前の過去のバッチにおいて両面研磨されたワーク1の形状指標の実績値、およびバッチ間のオフセット時間の差(次回のバッチにおけるオフセット時間と前回のバッチにおけるオフセット時間との差)から、次回のバッチにおいて両面研磨されるワーク1の形状指標の値を予測できることを見出した。
上述のように、ワーク1の両面研磨を繰り返し行うにつれて、研磨パッド6によってキャリアプレート3の外周部がキャリア内外周の走行量の差により、内周部より多く研磨されて平坦度が悪化する。本発明者らは、こうした刻一刻と変化するキャリアプレート3の形状を予測するためには、パラメータとしてオフセット時間の変化量、すなわち差を用いることが肝要と考えた。そして、前回以前の過去のバッチにおいて両面研磨されたワーク1の形状指標の実績値およびバッチ間のオフセット時間の差を用いることにより、次回のバッチにおいて両面研磨されるワーク1の形状指標の値を予測できることを見出したのである。
そこで、本発明者らは、上記オフセット時間を、前回以前のバッチにおいて両面研磨されたワークの形状指標の実績値およびバッチ間のオフセット時間の差から予測される、次回のバッチにおいて両面研磨されるワークの形状指標の予測値に基づいて決定することに想到し、本発明を完成させたのである。
図5は、本発明による両面研磨装置の一例を示している。なお、図5において、図1に示した両面研磨装置100の構成と同じ構成には同じ符号が付されている。図1に示した特許文献2に記載された両面研磨装置100と、図5に示した本発明による両面研磨装置200との相違点は、制御手段10、20の構成である。具体的には、特許文献2に記載された両面研磨装置100においては、制御手段10は、キャリアプレート3の温度変化の振幅に基づいて決定された時点で両面研磨を終了させるように構成されている。
これに対して、本発明による両面研磨装置200においては、制御手段20は、上記両面研磨装置100の制御手段10において決定された基準時間から、上述のように決定されたオフセット時間が経過した時点でワーク1の両面研磨を終了させるように構成されている。これにより、ワーク1の両面研磨を繰り返し行った場合にも、所望とする形状でワーク1の両面研磨を終了させることができる。
本発明者らは、次回のバッチに関するワーク1の形状指標の予測値Yは、前回のバッチに関するワーク1の形状指標(例えば、GBIR)の実績値をX、次回のバッチにおけるオフセット時間と前回のバッチにおけるオフセット時間との差をX、A、BおよびCを定数とすると、下記の式(3)で与えられることを見出した。
Y=AX+BX+C (3)
上記式(3)は、前回のバッチに関するワーク1の形状指標の実績値X、および次回のバッチにおけるオフセット時間と前回のバッチにおけるオフセット時間との差Xを説明変数とすることにより、目的変数である、次回のバッチに関するワーク1の形状指標の予測値Yを重回帰分析で求めることができることを示している。
上記式(3)から、次回のバッチにおけるオフセット時間と前回のバッチにおけるオフセット時間との差X、すなわち、次回のバッチにおいて、オフセット時間を前回のバッチに比べてどの程度増やすかを決定しさえすれば、次回のバッチにおいて両面研磨された後のワーク1の形状指標の値を予測することができる。
換言すれば、次回のバッチにおける目標の形状指標を決定して式(3)の左辺のYに入力すれば、両面研磨後のワーク1の形状指標が目標の形状指標となるような、次回のバッチにおけるオフセット時間と前回のバッチにおけるオフセット時間との差Xを求めることができ、次回のバッチにおけるオフセット時間を求めることができる。そして、基準時間から求めたオフセット時間だけ追加の両面研磨を行うことによって、目標の形状指標を有するワーク1を得ることができる。
なお、上記式(3)から次回のバッチにおけるオフセット時間を求める際、上記式(3)から得られた、次回のバッチにおけるオフセット時間と前回のバッチにおけるオフセット時間との差Xに係数α(0<α≦1)を掛け合わせることによって、ワーク1の形状指標の実績値の測定誤差の影響を低減するようにしてもよい。上記αの値は、例えば0.2とすることができる。
また、本発明者らの検討によれば、上記式(3)において、前回の1バッチだけでなく、前回以前の複数のバッチに基づいてXおよびXのそれぞれを平均化することによって、オフセット時間とワーク1の形状指標の値との間のばらつきの影響を低減して、次回のバッチにおけるワーク1の形状指標の予測値Yをより高精度に予測できることが分かった。
すなわち、上記式(3)におけるXを、前回以前の複数のバッチに関する形状指標の実績値の平均値、Xを前回以前の複数のバッチに関する隣接するバッチ間のオフセット時間の差の平均値とすることによって、次回のバッチに関するワーク1の形状指標をより高精度に予測することができるのである。
そして、本発明者らがさらなる検討を行った結果、3回前までの3つのバッチの実績を考慮することによって、次回のバッチに関するワーク1の形状指標の予測値Yを最も高精度に予測できることが分かった。具体的には、上記式(3)において、3回前までの3バッチに関する形状指標の実績値の平均値をX、バッチ間のオフセット時間の差の平均値をXとする。例えば、3回前、2回前、前回のバッチにおけるワーク1の形状指標、例えばGBIRの値が、それぞれ80nm、70nm、60nmであり、3回前、2回前、前回、次回のバッチにおけるオフセット時間が50秒、60秒、80秒、X秒であったとする。
このような場合、式(3)におけるXをX=(80+70+60)/3=70秒とする。また、X=((60-50)+(80-60)+(X-80))/3=(X-50)/3秒とする。これらXおよびXを式(3)の右辺に入力し、次回のバッチでの目標とするGBIRをYに入力することによって、次回のバッチにおけるオフセット時間Xを決定することができる。後述する実施例に示すように、3回前までの3バッチの実績を用いることによって、前回の1バッチのみの実績を用いた場合に比べて、次回のバッチにおけるワーク1の形状指標を最も高精度に予測することができる。
以上の説明においては、両面研磨の終了時点を決定するための基準時点として、キャリアプレート3の温度変化の振幅がゼロとなる時点としているが、本発明の特徴は、基準時点からのオフセット時間の決定方法に特徴を有している。そのため、基準時間自体を上述の温度変化の振幅がゼロとなる時点に固定する必要はなく、キャリアプレート3の温度変化の振幅がゼロとなるよりも前の時点とすることができる。
この場合には、決定した、キャリアプレート3の温度変化の振幅がゼロとなる前の時点を基準時点として、様々なオフセット時間についてワークの形状指標のデータを測定しておく。そして、重回帰分析によって、上記式(3)に対応する式を求め、得られた式を用いて、次回のバッチに関するワークの形状指標の予測値を求めればよい。
(両面研磨方法)
次に、本発明によるワークの両面研磨方法について説明する。本発明によるワークの両面研磨方法は、両面研磨中のキャリアプレートの温度を計測し、計測した温度変化の振幅に基づいて、両面研磨の終了時点を決定するための基準時点を決定し、上記基準時点から両面研磨を追加で行う時間であるオフセット時間を次回のバッチについて決定し、基準時点から決定したオフセット時間が経過した時点でワークの両面研磨を終了させる。その際、オフセット時間の決定は、以前のバッチにおいて両面研磨されたワークの形状指標の実績値およびオフセット時間のバッチ間の差から予測される、次回のバッチにおいて両面研磨されるワークの形状指標の予測値に基づいて行うことを特徴とする。これにより、ワークの両面研磨を繰り返し行った場合にも、所望とする形状でワークの両面研磨を終了させることができる。
次回のバッチに関するワーク1の形状指標の予測値Yは、前回のバッチに関するワーク1の形状指標(例えば、GBIR)の実績値をX、次回のバッチにおけるオフセット時間と前回のバッチにおけるオフセット時間との差をX、A、BおよびCを定数とすると、下記の式(4)で与えられることは既述の通りである。
Y=AX+BX+C (4)
また、上記式(4)において、次回のバッチに関するワーク1の形状指標の予測値Yは、3回前までの3つのバッチに関するワーク1の形状指標の実績値の平均値をX、オフセット時間のバッチ間の差の平均値をXとすることにより、最も高い精度で予測できることも既述の通りである。
上記基準時点は、キャリアプレート3の温度変化の振幅がゼロとなる時点とすることも、振幅がゼロとなる時点よりも前の時点とすることもできる。また、ワーク1の形状指標としては、GBIRを用いることができ、ワーク1の中心部が外周部よりも高さが低く、ワーク1が凹形状を有する場合にはマイナスの値、ワーク1の中心部が外周部よりも高さが高く、ワーク1が凸形状を有する場合にはプラスの値を有する。
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は実施例に限定されない。
(従来例)
図1に示した両面研磨装置100を用いて、直径300mmのシリコンウェーハ1400枚を両面研磨した。具体的には、GBIRの目標値(固定値)に対し、実際に測定されたGBIR(X)から、次回のバッチのオフセット時間の差(X)を決定し、全バッチのオフセット時間から、次回のバッチのオフセット時間をオペレータ(作業者)が経験の基づいて決定した。両面研磨後のシリコンウェーハについて、GBIRの平均値、分散およびGBIRが200nm以下の歩留まりを表1に示す。
(発明例1)
まず、様々なオフセット時間について両面研磨後のシリコンウェーハのGBIRの実績値を求め、前回のバッチに関するGBIRの実績値、および次回のバッチにおけるオフセット時間と前回のバッチにおけるオフセット時間の差を目的変数、次回のバッチに関するGBIRの予測値を説明変数として、重回帰分析により、式(3)の定数A、BおよびCを求めた。
次に、図5に示した両面研磨装置200を用いて、直径300mmのシリコンウェーハ1400枚を両面研磨した。具体的には、GBIRの目標値(固定値)に対し、実際に測定されたGBIR(X)から、次回のバッチのオフセット時間の差(X)を決定し、前バッチのオフセット時間から、式(3)を用いて次回のバッチのオフセット時間を決定した。その際、制御手段20は、前回のバッチの実績値のみを用いてオフセット時間を設定した。両面研磨後のシリコンウェーハについて、GBIRの平均値、分散およびGBIRが200nm以下の歩留まりを表1に示す。
(発明例2)
発明例1と同様に両面研磨を行った。ただし、式(3)から次回のバッチに関するシリコンウェーハのGBIRを予測する際に、3バッチ前までの実績値を用いた。その他の条件は発明例1と全て同じである。両面研磨後のシリコンウェーハについて、GBIRの平均値、分散およびGBIRが200nm以下の歩留まりを表1に示す。
(発明例3)
発明例1と同様に両面研磨を行った。ただし、式(3)から次回のバッチに関するシリコンウェーハのGBIRを予測する際に、5バッチ前までの実績値を用いた。その他の条件は発明例1と全て同じである。両面研磨後のシリコンウェーハについて、GBIRの平均値、分散およびGBIRが200nm以下の歩留まりを表1に示す。
Figure 0007031491000001
表1から明らかなように、発明例1~3は、従来例に比べて、GBIRの平均値が減少し、発明例1および2はGBIRの分散も減少していることが分かる。また、GBIRが200nm未満の歩留まりも従来例に比べて向上している。さらに、発明例1~3を比較すると、考慮するバッチ数が3バッチである発明例2の場合にGBIRの平均値および分散が最小となり、また歩留まりが最大になることも分かる。
図6は、従来例および発明例2に関するシリコンウェーハのGBIRの分布を示している。図6および表1から明らかなように、発明例2のGBIRの平均値は、従来例に比べて13nmも小さくなり、GBIRのばらつきも小さくなる上に、歩留まりは2%も向上することが分かる。
4台の両面研磨装置のそれぞれについて、様々なオフセット時間について両面研磨後のシリコンウェーハのGBIRを求めた。そして、求めたGBIRの値およびバッチ間のオフセット時間の差を目的変数、次回のバッチに関するGBIRの予測値を説明変数として、重回帰分析により、式(3)の定数A、BおよびCを求めた。その際、3バッチ前までの実績値を用いた。得られたA、BおよびCの値を表1に示す。なお、式(3)におけるXの単位はnm、Xの単位は秒である。
Figure 0007031491000002
表2から明らかなように、式(3)の定数A、BおよびCは、両面研磨装置に依存することが分かる。よって、式(3)は、各両面研磨装置において測定された、様々なオフセット時間について両面研磨後のシリコンウェーハの形状指標を求めて、導出することが重要であることが分かる。
本発明によれば、ワークの両面研磨を繰り返し行っても、所望とする形状でワークの両面研磨を終了することができるため、半導体ウェーハ製造業において有用である。
1 ワーク
2 保持孔
3 キャリアプレート
4 下定盤
5 上定盤
6 研磨パッド
7 サンギア
8 インターナルギア
9 温度計測手段
10 制御手段
100,200 両面研磨装置

Claims (12)

  1. 研磨に供するワークを保持する1つ以上の保持孔が形成されたキャリアプレートと、前記キャリアプレートを挟み込む一対の上定盤および下定盤とを備えるワークの両面研磨装置において、
    前記キャリアプレートの温度を計測する温度計測手段と、
    前記ワークの両面研磨を制御する制御手段とを更に備え、
    前記制御手段は、前記温度計測手段によって計測された前記キャリアプレートの温度変化の振幅に基づいて決定された、両面研磨の終了時点を決定するための基準時点から、両面研磨を追加で行う時間であるオフセット時間を次回のバッチについて決定し、前記基準時点から決定した前記オフセット時間が経過した時点でワークの両面研磨を終了し、
    前記オフセット時間の決定は、前回以前のバッチにおいて両面研磨されたワークの形状指標の実績値、およびバッチ間のオフセット時間の差から予測される、次回のバッチにおいて両面研磨されるワークの形状指標の予測値に基づいて行うことを特徴とするワークの両面研磨装置。
  2. 前記予測値をY、前記実績値をX、前記オフセット時間の差をX、A、BおよびCを定数として、前記予測値Yは下記の式(1)で与えられる、請求項1に記載のワークの両面研磨装置。
    Y=AX+BX+C (1)
  3. 3回前までの3つのバッチに関するワークの形状指標の実績値の平均値をX、オフセット時間のバッチ間の差の平均値をXとする、請求項2に記載のワークの両面研磨装置。
  4. 前記基準時点は、前記キャリアプレートの温度変化の振幅がゼロとなる時点である、請求項1~3のいずれか一項に記載のワークの両面研磨装置。
  5. 前記基準時点は、前記キャリアプレートの温度変化の振幅がゼロとなる時点よりも前の時点である、請求項1~3のいずれか一項に記載のワークの両面研磨装置。
  6. 前記形状指標はGBIRである、請求項1~5のいずれか一項に記載のワークの研磨装置。
  7. 研磨に供するワークを保持する1つ以上の保持孔が形成されたキャリアプレートにワークを保持して上定盤と下定盤とで挟み込み、前記キャリアプレートと前記上下定盤とを相対回転させて前記ワークの両面を同時に研磨するワークの両面研磨方法において、
    両面研磨中の前記キャリアプレートの温度を計測し、計測した温度変化の振幅に基づいて、両面研磨の終了時点を決定するための基準時点を決定し、
    上記基準時点から両面研磨を追加で行う時間であるオフセット時間を次回のバッチについて決定し、前記基準時点から決定した前記オフセット時間が経過した時点でワークの両面研磨を終了させ、
    前記オフセット時間の決定は、前回以前のバッチにおいて両面研磨されたワークの形状指標の実績値およびオフセット時間のバッチ間の差から予測される、次回のバッチにおいて両面研磨されるワークの形状指標の予測値に基づいて行うことを特徴とするワークの両面研磨方法。
  8. 前記予測値Yは、前記実績値をX、前記オフセット時間の差をX、A、BおよびCを定数として、下記の式(2)で与えられる、請求項7に記載のワークの両面研磨方法。
    Y=AX+BX+C (2)
  9. 3回前までの3つのバッチに関するワークの形状指標の実績値の平均値をX、オフセット時間のバッチ間の差の平均値をXとする、請求項8に記載のワークの両面研磨方法。
  10. 前記基準時点は、前記キャリアプレートの温度変化の振幅がゼロとなる時点である、請求項7~9のいずれか一項に記載のワークの両面研磨方法。
  11. 前記基準時点は、前記キャリアプレートの温度変化の振幅がゼロとなる時点よりも前の時点である、請求項7~9のいずれか一項に記載のワークの両面研磨方法。
  12. 前記形状指標はGBIRである、請求項7~11のいずれか一項に記載のワークの研磨方法。
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