JP6683277B1 - 半導体ウェーハの厚み測定方法及び半導体ウェーハの両面研磨装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 149
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 108
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 89
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 86
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 36
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 16
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 168
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
図1のフローに従って、両面研磨後の半導体ウェーハの厚み測定を行った。まず、両面研磨する半導体ウェーハWとして、以下のようにしてシリコンウェーハを準備した。まず、チョクラルスキー法にしたがって単結晶引上装置により引き上げられた単結晶インゴットをスライスしてアズスライスウェーハとした。このアズスライスウェーハのエッジ部を面取りした後、ラッピングし、残留ひずみを取り除くためにエッチングした。このようにして直径300mmのCWウェーハを準備した。
オゾン水42への半導体ウェーハWの浸漬を行わないことを除き、実施例1〜5と同様にして半導体ウェーハの厚み測定を行った。すなわち、上記の研磨条件の元、両面研磨し、ウェーハ回収を行い、乾燥、厚み測定を行った。
14…サンギア、 15…インターナルギア、
16…研磨スラリー供給手段 17…研磨スラリー、
21…キャリア、 22…保持孔、
30…純水浸漬槽、 32…純水、
40…オゾン水浸漬槽、 42…オゾン水、
50…乾燥手段、 60…厚み測定手段、 70…ウェーハ搬送手段、
100…両面研磨装置、
W…半導体ウェーハ。
Claims (4)
- 高分子のセルロース誘導体を含む研磨スラリーを用いて両面研磨された半導体ウェーハの厚みを測定する半導体ウェーハの厚み測定方法であって、
前記両面研磨された半導体ウェーハを、オゾン濃度を5ppm以上としたオゾン水に10秒以上浸漬させる工程と、
前記浸漬を行った半導体ウェーハを乾燥させる工程と、
前記乾燥させた半導体ウェーハの厚みを測定する工程と
を有することを特徴とする半導体ウェーハの厚み測定方法。 - 前記オゾン水に浸漬させる工程の前に、前記両面研磨された半導体ウェーハを、純水に浸漬させる工程を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェーハの厚み測定方法。
- 半導体ウェーハを両面研磨する両面研磨装置であって、
前記半導体ウェーハを両面研磨する際に用いる研磨スラリーとして、高分子のセルロース誘導体を含むものを供給する研磨スラリー供給手段と、
前記半導体ウェーハを、オゾン濃度を5ppm以上としたオゾン水に10秒以上浸漬するためのオゾン水浸漬槽と、
前記半導体ウェーハを乾燥させる乾燥手段と、
前記半導体ウェーハの厚みを測定する厚み測定手段と
を具備することを特徴とする半導体ウェーハの両面研磨装置。 - 前記半導体ウェーハを純水に浸漬するための純水浸漬槽をさらに具備することを特徴とする請求項3に記載の半導体ウェーハの両面研磨装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019045717A JP6683277B1 (ja) | 2019-03-13 | 2019-03-13 | 半導体ウェーハの厚み測定方法及び半導体ウェーハの両面研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019045717A JP6683277B1 (ja) | 2019-03-13 | 2019-03-13 | 半導体ウェーハの厚み測定方法及び半導体ウェーハの両面研磨装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6683277B1 true JP6683277B1 (ja) | 2020-04-15 |
JP2020150109A JP2020150109A (ja) | 2020-09-17 |
Family
ID=70166568
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019045717A Active JP6683277B1 (ja) | 2019-03-13 | 2019-03-13 | 半導体ウェーハの厚み測定方法及び半導体ウェーハの両面研磨装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6683277B1 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3337895B2 (ja) * | 1996-02-29 | 2002-10-28 | 株式会社東芝 | 半導体基板洗浄方法 |
WO2001096065A1 (fr) * | 2000-06-13 | 2001-12-20 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de polissage de pieces |
WO2006035864A1 (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Soiウエーハの洗浄方法 |
JP5321430B2 (ja) * | 2009-12-02 | 2013-10-23 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハ研磨用研磨剤およびシリコンウェーハの研磨方法 |
DE112011101518B4 (de) * | 2010-04-30 | 2019-05-09 | Sumco Corporation | Verfahren zum Polieren von Siliziumwafern |
JP5614397B2 (ja) * | 2011-11-07 | 2014-10-29 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨方法 |
-
2019
- 2019-03-13 JP JP2019045717A patent/JP6683277B1/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020150109A (ja) | 2020-09-17 |
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