JP2012084900A - 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法 - Google Patents

発光ダイオードパッケージ及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2012084900A
JP2012084900A JP2011259253A JP2011259253A JP2012084900A JP 2012084900 A JP2012084900 A JP 2012084900A JP 2011259253 A JP2011259253 A JP 2011259253A JP 2011259253 A JP2011259253 A JP 2011259253A JP 2012084900 A JP2012084900 A JP 2012084900A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led
submount
pad
led package
package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011259253A
Other languages
English (en)
Inventor
Bernd Keller
ケラー ベルント
Medendorp Nicholas Jr
メデンドープ ジュニア ニコラス
Chung Shin Yuan Thomas
チェン−シン ユアン トーマス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wolfspeed Inc
Original Assignee
Cree Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=40304573&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2012084900(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Cree Inc filed Critical Cree Inc
Publication of JP2012084900A publication Critical patent/JP2012084900A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01087Francium [Fr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0025Processes relating to coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

【課題】発光ダイオードパッケージおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】LEDパッケージ30は上面40および底面を有し、その上面40上に複数の上部導電性要素および上部導熱性要素を有するサブマウント32を備える。LED34が、上部要素に印加された電気信号がLED34を発光させるように、上部要素の1つの上に設けられる。導電性要素は、LEDからの熱をサブマウントの上面の大部分にわたって拡散する。下部導熱性要素が、サブマウントの底面上に設けられ、サブマウントからの熱を拡散し、レンズ70が、LEDの上に直接に形成される。
【選択図】図2a

Description

本発明は、発光ダイオードに関し、より詳細には、モールドレンズを有する発光ダイオードパッケージに関する。
発光ダイオード(LEDまたはLEDs)は、電気エネルギーを光に変換する固体デバイスであり、一般的に、反対にドープされた層の間に挟まれた1つ又は複数の半導体材料の活性層を備える。ドープ層間にバイアスがかけられると、正孔および電子が活性層中に注入され、活性層で再結合して光を生成する。光は、活性層から及びLEDの全表面から発せられる。
回路または他の同様の構成物(arrangement)においてLEDチップを使用するために、パッケージの中にLEDチップを封入して、環境的および/または機械的保護、色の選択、集束などを可能にすることが知られている。また、LEDパッケージは、外部回路にLEDパッケージを電気的に接続するためのリード線(electrical
lead)、コンタクトまたはトレース(trace)を備える。図1aに図示される典型的なLEDパッケージ10においては、LEDチップ12が、はんだ接合剤(solder bond)または導電性エポキシ樹脂(conductive epoxy)を用いて反射カップ13上に取り付けられる。1つ又は複数のワイヤボンド11が、リード15Aおよび/または15BにLEDチップ12のオーミックコンタクトを接続しており、リード15Aおよび/または15Bは、反射カップ13に付着されていても、反射カップ13と一体化されていてもよい。反射カップ13は、燐光体などの波長変換物質を含む封入材料(encapsulant material)16を充填されていてもよい。LEDによって第1の波長で発せられた光が燐光体によって吸収されてもよく、燐光体はそれに応答して第2の波長で光を発してもよい。次に、アセンブリ全体が、透明の保護樹脂14内に封入されるが、透明の保護樹脂14は、LEDチップ12から発せられる光を平行にするために、レンズ形状に成形されてもよい。反射カップ13は上方向に光を方向付けることができるが、光が反射される際に光学的損失が生じる場合がある(すなわち、光の幾分かが反射されずに、反射体カップに吸収される場合がある。)。さらに、図1aに図示されるパッケージ10などのパッケージに関して、リード15A、15Bを介して熱を取り出すことが困難な場合があるため、保熱(heat retention)が問題となることがある。
図1bに図示される従来のLEDパッケージ20は、熱をより生成する場合のある高出力動作にさらに適したものである。LEDパッケージ20において、1つ又は複数のLEDチップ22が、プリント回路基板(PCB)キャリア、基板またはサブマウント23などのキャリア(carrier)の上に取り付けられている。サブマウント23上に取り付けられた金属反射体24が、LEDチップ(または複数のLEDチップ)22を包囲し、LEDチップ22により発せられる光をパッケージ20から離れる方向に反射する。また、反射体24は、LEDチップ22に対して機械的保護を与える。1つ又は複数のワイヤボンド接続部11が、LEDチップ22上のオーミックコンタクトと、キャリア23上の電気トレース25A、25Bとの間に形成される。次いで、取り付けられたLEDチップ22は封入材料26で覆われるが、封入材料26は、チップに対して環境的および機械的保護を与えると同時にレンズとしても機能することができる。一般的に、金属反射体24は、はんだ接合剤またはエポキシ樹脂接合剤を用いてキャリアに付着される。
米国特許第Re.34861号明細書 米国特許第4946547号明細書 米国特許第5200022号明細書 米国特許出願第11/656759号明細書 米国特許出願第11/899790号明細書 米国特許出願第11/473089号明細書
図1bに図示されるパッケージ20などのパッケージは、高出力動作に関するいくつかの利点を有しうるが、金属反射体として別個の金属部材を使用することに伴ういくつかの潜在的な問題が存在する場合がある。例えば、小さな金属パーツは、手頃な費用で高精度に再現可能に製造することが困難な場合がある。さらに、反射体は一般的に接着剤を使用してキャリアに固着されるため、反射体を慎重に位置合わせして取り付けるためのいくつかの製造ステップが必要となる場合があり、これによって、そのようなパッケージの製造プロセスの費用および複雑性が増す場合がある。
また、より高出力の動作に関しては、LEDチップ22により生成される熱を分散することが困難な場合がある。サブマウントは、頑丈ではあるが熱を効率的に伝達しないセラミックスなどの材料から構成することが可能である。LEDチップからの熱は、LEDチップの下方のサブマウント内に移動するが、LEDの下方から、熱を分散することのできる外方へ効率的に広がらない。LEDからの熱は、LEDの下方に集中する傾向があり、LEDパッケージの作動時に上昇するおそれがある。この熱の上昇により、パッケージの寿命の短縮または故障がもたらされる可能性がある。
本発明によるLEDパッケージの一実施形態は、上面および底面を有し、その上面の上に複数の上部導電性および導熱性要素(top electrically and thermally conductive element)を有するサブマウントを備える。LEDが、前記上部要素のうちの1つの上に備えられ、前記上部要素に印加された電気信号がLEDを発光させる。また、前記導電性要素は、LEDからの熱をサブマウントの上面の大部分にわたって拡散する。下部導熱性要素(bottom thermally conductive element)が、前記サブマウントの底面の上に備えられ、サブマウントからの熱を伝達する。レンズが、LEDの上に直接に形成される。
本発明によるLEDパッケージの別の実施形態は、上面および底面を有するサブマウントを備え、付着パッド(attach pad)が前記上面の上にあり、前記上面の上の第1のコンタクトパッドが前記付着パッドと一体化されており、第2のコンタクトパッドが前記上面の上にある。LEDが、前記付着パッドに取り付けられ、電気信号が前記第1のコンタクトパッドおよび前記第2のコンタクトパッドに印加されると、LEDを発光させる。また、パッドは、前記LEDからの熱を前記上面の大部分に拡散するために、前記上面のほとんどを覆う導熱性層を備える。光学素子が、前記LEDの上に直接に形成される。
本発明によるLEDパッケージの別の実施形態は、上面および底面を有するサブマウントを備え、LEDが前記上面の上に取り付けられる。レンズが、前記LEDおよび前記上面の一部分の上に直接に形成される。前記上面の上の上部熱拡散要素が、前記LEDからの熱を前記上面の大部分にわたって拡散し、前記サブマウントの底面の上の下部熱拡散要素が、サブマウントからの熱を伝達する。
本発明によるLEDパッケージを製造する方法の一実施形態は、複数のLEDパッケージサブマウントに分離されるように寸法を設定されたサブマウントパネルを設けるステップを含む。上部導電性要素が、複数のLEDパッケージのためのサブマウントパネルの1つの表面の上に形成される。LEDが前記上部要素に付着され、前記LEDは、前記上部導電性要素に電気的に接続される。レンズが前記LEDの上に成形され、基板パネルが個片化されて複数のLEDパッケージに分離される。
本発明による複数の表面実装LEDパッケージを製造する方法は、複数のLEDパッケージの形成に適合するように寸法を設定されたサブマウントパネルを設けるステップを含む。付着パッド及びコンタクトパッドの組が、サブマウントパネルの1つの表面の上に形成され、それらの組のそれぞれは、前記サブマウントパネルから形成されることになるLEDパッケージの1つに対応する。複数のLEDがサブマウントパネルに付着され、前記LEDのそれぞれは、前記付着パッド及びコンタクトパッドの組のうちの1つに付着され、電気的に接続される。複数のレンズが前記サブマウントパネル上に成形され、前記レンズはそれぞれ、前記LEDのうちの1つの上に位置する。表面実装コンタクトの組が、前記付着パッド及びコンタクトパッドの組とは反対側の前記サブマウントパネルの表面上に形成され、前記表面実装コンタクトの組のそれぞれは、前記付着パッド及びコンタクトパッドの組のそれぞれに対応する。基板パネルが個片化されて複数のLEDパッケージに分離される。
本発明のこれら及びその他の側面および利点は、本発明の特徴を例示として示す以下の詳細な説明および添付図面より明らかになるであろう。
先行技術のLEDパッケージの断面図である。 別の先行技術のLEDパッケージの断面図である。 本発明によるLEDパッケージの一実施形態の上面図である。 図2aに図示されるLEDパッケージの側面図である。 図2aに図示されるLEDパッケージの底面図である。 図2aに図示されるLEDパッケージの上面斜視図である。 図2aに図示されるLEDパッケージの底面斜視図である。 図2aに図示されるLEDパッケージの分解図である。 図2aに図示されるLEDパッケージの、切断線2g−2gに沿った断面図である。 本発明によるLEDパッケージの別の実施形態の側面図である。 図3aに図示されるLEDパッケージの上面図である。 図3aに図示されるLEDパッケージの底面図である。 図3aに図示されるLEDパッケージの上面斜視図である。 図3aに図示されるLEDパッケージの底面斜視図である。 本発明によるLEDパッケージの別の実施形態の上面斜視図である。 図4aに図示されるLEDパッケージの底面斜視図である。 本発明による製造方法の一実施形態に関する流れ図である。 本発明によるレンズモールドの一実施形態の断面図である。 図6aに図示されるレンズモールドの別の断面図である。 本発明にしたがって構成されたレンズを有するサブマウントパネルの一実施形態の平面図である。 図7aに示されたサブマウントパネルの、切断線7b−7bに沿った断面図である。
本発明は、コンパクトで簡易で効率的なLEDパッケージと、その製造方法とを対象とする。種々の実施形態は、一般的に高温で作動する1つ又は複数の高出力LEDを備えることが可能である。本発明によるパッケージは、LEDから熱を拡散することによる改善された温度管理を可能にする形体を備えることが可能である。さらに、熱は、大気中に分散させることが可能である。また、本発明によるパッケージは、LEDを保護しつつ、さらに効率的な発光特性を可能にする、1つ又は複数のLEDの上に直接に成形されたレンズを備えることが可能である。
また、本発明は、複数のパッケージの同時形成を可能にする加工ステップを利用した、LEDパッケージの製造方法を対象とする。これにより、LEDパッケージ製造の製造複雑性およびコストを低下させることが可能となる。
本発明は、効率的であるにもかかわらず小サイズの光源を実現する、低コストで比較的小サイズのLEDパッケージを提供する。特に、本発明によるこのパッケージは、表面実装技術に適合し、良好な放熱を可能にする形体を提供して、パッケージが過熱することなく高出力レベルで作動することを可能にする。
層、領域または基板などのある要素が別の要素「の上に」存在する、と言及される場合、ある要素は他方の要素の上に直接に存在しても、介在要素が存在してもよいことが理解される。さらに、本明細書において、「内方」、「外方」、「上部(upper)」、「上方(above)」、「下部(lower)」、「下方(beneath)」、および「下(below)」、ならびに同様の語などの相対的な語が、ある層や領域の関係性を説明するために使用される場合がある。これらの語は、図中に示されたデバイスの方向付けに加えて、デバイスの別の方向付けを包含することが意図されることが理解される。
本明細書において、第1、第2などの語が、様々な要素、コンポーネント、領域、層および/または区域を説明するために使用されることがあるが、これらの要素、コンポーネント、領域、層および/または区域は、これらの語によって限定されるべきではない。これらの語は、ある要素、コンポーネント、領域、層または区域を、別の要素、コンポーネント、領域、層または区域から区別するために使用されるにすぎない。したがって、本発明の教示から逸脱することなく、以下で説明される第1の要素、コンポーネント、領域、層または区域を、第2の要素、コンポーネント、領域、層または区域と呼ぶことが可能である。
本発明の実施形態は、本発明の理想的な実施形態の概略図である断面図を参照して説明される。そのため、例えば製造技術および/または製造公差による、図の形状からの変形が予期される。本発明の実施形態は、本明細書に示される領域の特定の形状に限定されるものと解釈されるべきではなく、例えば製造方法による形状の偏差が含まれるべきである。典型的には、正方形または矩形として図示または説明される領域が、通常の製造公差により丸みのある又は湾曲した形体を有する。したがって、図示される領域は、本質的に概略的なものであり、それらの形状は、デバイスの領域の正確な形状を図示することを意図されておらず、本発明の範囲を限定することを意図されていない。
本発明は、多数の様々な固体エミッタにおいて使用することが可能であり、以下では、本発明の実施形態を、LEDに、特に白色発光LEDおよびLEDパッケージに関して説明する。また、本発明は、示される実施形態以外の他の固体エミッタパッケージを使用することが可能であることが理解される。また、本発明は、複数のLEDを有するLEDパッケージなどの複数のエミッタパッケージと共に使用することが可能である。本発明は、エミッタからの光の波長を下降変換するために変換材料を使用する任意の用途において使
用することが可能であり、以下の実施形態を参照する本発明の説明は、そのような特定の実施形態または同様の実施形態に限定するものとして解釈されるべきではない。
図2aから図2gは、本発明によるLEDパッケージ30の一実施形態を示し、同実施形態は、同一または種々の色を発光する1つ又は複数のLEDを有する基板/サブマウント(「サブマウント」)32を概して備える。図示される実施形態において、単一のLED34がサブマウント32上に取り付けられる。LED34は、様々に構成された多数の種々の半導体層を有することが可能である。LED構造ならびにその製造および作動は、当技術分野において一般的に知られており、本明細書においては簡単にのみ説明する。LED34の層は、既知のプロセスを使用して製造することが可能であり、適切なプロセスは、有機金属化学気相成長法(MOCVD)を使用する製造である。概して、LED34の層には、反対にドープされた第1および第2のエピタキシャル層の間に挟まれた活性層/領域が含まれ、それらはすべて、成長用基板の上に連続的に形成される。LEDをウェーハの上に形成し、次いでパッケージ内に取り付けるために個片化することが可能である。成長用基板は、個片化された最終LEDの一部として残るか、完全に又は部分的に除去することが可能であることが理解される。
また、LED34内には、バッファ層、核形成層、コンタクト層および電流拡散層、ならびに光抽出層および光抽出要素を含むがそれらに限定されない他の層および要素を備えることも可能であることが理解される。活性領域には、単一量子井戸(SQW)、多重量子井戸(MQW)、ダブルヘテロ構造または超格子構造を含むことが可能である。活性領域およびドープ層は、種々の材料系から製造することができ、好ましい材料系は、III
族窒化物ベースの材料系である。III族窒化物とは、窒素と、周期表のIII族中の元素(通常はアルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)およびインジウム(In))との間で形成される半導体化合物を指す。また、III族窒化物という語は、アルミニウムガリウム窒化物(AlGaN)及びアルミニウムインジウムガリウム窒化物(AlInGaN)などの三元化合物および四元化合物を指す。好ましい実施形態においては、ドープ層はガリウム窒化物(GaN)であり、活性領域はInGaNである。代替実施形態においては、ドープ層は、AlGaN、アルミニウムガリウムヒ化物(AlGaAs)またはアルミニウムガリウムインジウムヒ化リン化物(AlGaInAsP)であってもよい。
成長用基板は、サファイア、炭化ケイ素、窒化アルミニウム(AlN)、GaNなどの多くの材料から構成することが可能であり、適切な基板は4Hポリタイプの炭化ケイ素であるが、3C、6Hおよび15Rのポリタイプを含む他の炭化ケイ素ポリタイプを使用することも可能である。炭化ケイ素は、サファイアに比べて、III族窒化物に対する結晶格子の整合性がより近いなどのいくつかの利点を有し、より高品質のIII族窒化物膜をもたらす。また、炭化ケイ素は、非常に高い熱伝導性を有し、そのため一般的に、炭化ケイ素上のIII族窒化物の総出力は、基板の熱散逸(dissipation)により制限されない(サファイア上に形成されたいくつかのデバイスでは制限される。)。SiC基板は、米国ノースカロライナ州、DurhamのCree Research社より市販されており、その製造方法は、科学文献および特許文献1〜3に記載されている。
また、LED34は、その上面上に導電性の電流拡散構造体36およびワイヤボンドパッド38を備えることが可能であり、電流拡散構造体36およびワイヤボンドパッド38は共に導電性材料から構成され、既知の方法を使用して堆積することが可能である。これらの要素のために使用することが可能ないくつかの材料としては、Au、Cu、Ni、In、Al、Agまたはそれらの組合せ、ならびに導電性酸化物および透明導電性酸化物が含まれる。一般的に、電流拡散構造体36は、LED34上にグリッド状に配置された導電性フィンガー37を備え、これらのフィンガーは、パッド38からLEDの上面への電流拡散を高めるために離間される。作動時に、電気信号が、以下で説明されるワイヤボン
ドを介してなど、パッド38に印加され、電気信号は、電流拡散構造体36のフィンガー37とLEDの上面とを介して、LED34内に拡散する。電流拡散構造体は、LEDにおいてしばしば使用され、上面はp型であるが、n型材料についても使用することが可能である。
LEDを1つ又は複数の燐光体で被覆することが可能であり、燐光体は、LED光の少なくとも幾分かを吸収して異なる波長の光を発し、それによって、LEDは、LEDおよび燐光体からの光の組合せを発する。好ましい実施形態においては、LEDは、LEDおよび燐光体の光の組合せの白色光を発する。LEDは、多数の様々な方法を使用して被覆し製造することが可能であり、1つの適切な方法が、共に「Wafer Level Phosphor Coating Method and Devices Fabricated Utilizing Method」と題された特許文献4および5
に記載されており、これらは共に参照により本明細書に組み込まれる。あるいは、電気泳動堆積法(EPD)などの他の方法を使用してLEDを被覆することが可能であり、1つの適切なEPD方法が、「Close Loop Electrophoretic Deposition of Semiconductor Devices」と題された特許文献6に記載されており、これもまたは参照により本明細書に組み込まれる。また、本発明によるLEDパッケージは、種々の色の複数のLEDを有することが可能であり、それらの中の1つ又は複数が白色発光であってもよいことが理解される。
サブマウント32は、多数の様々な材料から形成することが可能であり、好ましい材料は電気的に絶縁性のものである。適切な材料としては、酸化アルミニウムおよび窒化アルミニウムなどのセラミック材料、またはポリイミド(PI)およびポリフタルアミド(PPA)などの有機絶縁体が含まれるが、それらに限定されない。他の実施形態においては、サブマウント32は、プリント回路基板(PCB)、サファイアまたはシリコン、あるいは米国ミネソタ州ChanhassenのBergquist社より市販の、T−Clad thermal clad insulated substrate materialなどの他の適切な材料を含むことができる。PCBの実施形態に関して、標準FR−4PCB、メタルコアPCB、または任意の他のタイプのプリント回路基板などの種々のPCBのタイプを使用することが可能である。以下でさらに十分に説明されるように、本発明によるLEDパッケージは、複数のサブマウントを収容するように寸法が設定されたサブマウントパネルを使用する方法を用いて製造することが可能である。複数のLEDパッケージをこのパネルの上に形成することが可能であり、個々のパッケージが、このパネルから個片化される。
サブマウント32は、一体化された第1のコンタクトパッド44を有するダイ付着パッド42を備えることが可能なパターニングされた導電性形体を備える上面40を有する。また、第2のコンタクトパッド46が、サブマウントの上面40上に設けられ、LED34は、付着パッド42のほぼ中央に取り付けられる。これらのパターニングされた導電性形体は、既知の接触方法を使用して、LED34への電気的接続のための導電性パスを提供する。LEDは、導熱性および導電性のものであってもよいフラックス(flux)材料またはディスペンスト・ポリマー(dispensed polymeric)材料を含むことがある、または含まないことがある、従来のはんだ材料などを使用した、既知の方法および材料実装法を使用して、付着パッド42に取り付けることが可能である。
パッケージ30におけるサブマウント32のサイズは、種々の要因に応じて変わることが可能であり、1つとしては、LEDのサイズがある。例えば、パッケージ30のサイズは、付着パッド42、第1のコンタクトパッド44および第2のコンタクトパッド46内の有効熱拡散領域と実質的に同一の寸法であることが可能である。1mmのLEDを有するパッケージにおいては、サブマウントは、約3.5mm×3.5mmであることが可能であり、0.7mmのチップを有するパッケージについては、サブマウントは、3.2m
m×3.2mmであることが可能であり、どちらの場合でも概して正方形の形状である。さらに、サブマウントは、円形、矩形または他の多辺形の形状を含む他の形状を有することが可能であることが理解される。
付着パッド42、ならびに、第1および第2のコンタクトパッド44、46は、金属その他の導電性材料などの大きく異なる材料を含むことが可能である、一実施形態においては、パッド42、44、46は、めっきなどの既知の技術を使用して堆積された銅を含む。典型的なめっきプロセスにおいては、チタン接着層および銅シード層が、基板上に連続してスパッタされる。次いで、約75ミクロンの銅が、この銅シード層上にめっきされる。堆積された結果として得られる銅層は、次いで標準的なリソグラフィプロセスを使用してパターニングすることが可能である。他の実施形態においては、この層を、所望のパターンを形成するためのマスクを使用してスパッタすることが可能である。
本発明によるいくつかの実施形態においては、導電性形体のあるものが銅のみを含み、導電性形体の他のものが他の材料を含むことが可能である。例えば、付着パッド42をLED34の取付により適したものにするために、付着パッド42を追加の金属または材料でめっき又は被覆することが可能である。例えば、付着パッド42は、接着材料またはボンディング材料、あるいは反射層およびバリア層でめっきすることが可能である。
第2のパッド46と付着パッド42との間に、サブマウント32の表面に至るギャップ48(図2aおよび図2dにおいて最も良く図示される)が含まれ、このギャップは、付着パッド42と第2のパッド46との間に電気的絶縁を与える。以下でさらに説明されるように、電気信号が、第2のパッド46および第1のパッド44を介してLED34に印加され、第1のパッド44への電気信号は、付着パッド42を介してLED34へ直接に進み、第2のパッドからの信号は、ワイヤボンドを介してLED34に進む。ギャップ48は、LED34に印加された信号の短絡を回避するために、第2のパッド46と付着パッドとの間に電気的絶縁を与える。
いくつかの実施形態においては、PCBへのはんだコンタクトその他の導電性パスなどにより、第1および第2のボンドパッド44、46への外部からの電気的接触を可能にすることによって、電気信号をパッケージ30に印加することが可能である。図示される実施形態においては、LEDパッケージ30は、表面実装技術を使用して実装し、内部導電性パスを有するように構成されている。LED30は、第1および第2のコンタクトパッド44、46のそれぞれに少なくとも部分的に整列された状態でサブマウントの背面54上に形成することが可能な第1および第2の表面実装パッド50、52(図2cおよび2eに最もよく示されている)を備える。導電性ビア56が、第1の実装パッド50と第1のコンタクトパッド44との間にサブマウント32を貫通して形成され、それにより、信号が第1の実装パッド50に印加されると、その信号は、第1のコンタクトパッド44に伝達される。同様に、導電性ビア56は、第2の実装パッド52と第2のコンタクトパッド46との間に形成されて、第2の実装パッド52と第2のコンタクトパッド46との間で電気信号を伝達する。第1および第2の実装パッド50、52は、LED34に印加されるべき電気信号が第1および第2の実装パッド50、52の間に印加される状態でのLEDパッケージ30の表面実装を可能にする。ビア56および実装パッド50、52は、付着パッド42およびコンタクトパッド44、46について使用される技術などの種々の技術を用いて堆積される多数の様々な材料から形成することが可能である。
実装パッド50、52およびビア56は、多数の様々な様式で構成することが可能であり、多数の様々な形状およびサイズを有することが可能であることが理解される。また、ビアの代わりに、1つ又は複数の導電性トレースを、サブマウントの側部表面に沿ってなど、実装パッドとコンタクトパッドとの間にサブマウントの表面上に設けることが可能で
あることが理解される。
従来の材料から構成されるソルダマスク(solder mask)58をサブマウントの上面40上に設け、付着パッド42と第1および第2のコンタクトパッド44、46とを少なくとも部分的に覆い、ギャップ48を少なくとも部分的に覆うことが可能である。ソルダマスク58は、その後の加工ステップの間、特にLED34を付着パッド42に取り付けてワイヤボンディングする間、これらの形体を保護する。これらのステップの間に、望ましくない領域にはんだその他の材料が堆積する危険がある可能性があり、これは、この領域に損傷を与える、または電気的短絡をもたらすおそれがある。ソルダマスクは、これらの危険を減らす又は回避させることが可能な絶縁および保護材料としての役割を果たす。ソルダマスクは、付着パッド42にLED34を実装するための、かつ第2のコンタクトパッド46にワイヤボンドを装着するための開口を備える。また、ソルダマスクは、製造の際のパッケージ30の検査のための、コンタクトパッド44、46への好都合な電気的アクセスを可能にする側部開口60を備える。また、ソルダマスク58は、パッケージ30の製造の際の位置合わせを可能にし、またエンドユーザが定位置に取り付ける際の位置合わせを可能にするアラインメントホールを有する。
いくつかの実施形態においては、ソルダマスクは、パッケージに印加すべき信号のプラスまたはマイナスに、LEDパッケージ30のどちらの側を結合すべきかを示すための記号または標識69を備えることが可能である。これによって、機械または手作業のいずれによってかにかかわらず、PCBその他の固定物(fixture)にLEDパッケージ30を確実に正確に実装することが可能となる。図示される実施形態においては、記号69は、第1のコンタクトパッド44の上にプラス(+)の符号を備えており、正の信号が第1の実装パッド50に結合される状態でパッケージ30が実装されるように指示する。したがって、負の信号が第2の実装パッド52に結合されることとなる。多数の様々な記号タイプを使用することが可能であり、また第2の導電性パッド46の上に記号を含むことが可能であることが理解される。また、ソルダマスク58以外の他の位置に記号を配置することが可能であることが理解される。
また、パッケージ30は、静電放電(ESD)による破壊から保護するための素子を備えることが可能である。図示される実施形態においては、この素子はオンチップのものであり、様々な垂直シリコン(Si)ツェナーダイオード、並列に配置され、LED34に対して逆バイアスが印加される様々なLED、表面実装バリスタおよび水平Siダイオードなどの、種々の素子を使用することが可能である。図示される実施形態においては、ツェナーダイオード62が使用され、既知の実装技術を使用して付着パッド42に実装される。このダイオードは、比較的小さく、そのためサブマウント32の表面上の過大な領域を覆わない。
ソルダマスク58は、ESDダイオード62を付着パッド42に取り付けることが可能となるように、ESDダイオード62のための開口を備えることが分かる。付着パッド42にLED34を実装するために使用される材料および方法などの、様々な実装材料および方法を使用することが可能である。ESDワイヤボンド64が、ソルダマスク開口の位置の第2のコンタクトパッド46と、ESDダイオード62との間に設けられる。また、2つのLEDワイヤボンド65が、第2のコンタクトパッド46中のソルダマスク開口と、LED34上のワイヤボンドパッド38との間に設けられる。他の実施形態においては、1つのワイヤボンドだけを、LED34と第2のコンタクトパッドとの間に設けることが可能である。このLED34とESDダイオード62との構成は、ESDの発生によりLEDパッケージ30を貫流する過剰電圧および/または過剰電流が、LED34の代わりにダイオード62を貫流するのを可能にし、LED34を損傷から保護する。ワイヤボンド64および65は、既知の方法を用いて適用することが可能であり、既知の導電性材
料を含むことが可能であり、適切な材料は金(Au)である。ESD素子/ダイオードを伴わずに、またはLEDパッケージ30の外部に存在するESD素子/ダイオードを伴って、本発明によるLEDパッケージの他の実施形態を提供することが可能であることが理解される。
上述のように、熱は一般的に、サブマウント32、特にセラミックなどの材料から構成されるサブマウント中に効率的に拡散しない。LEDが、LEDの下方にのみ概して延在する付着パッドの上に設けられる場合には、熱は、サブマウントのほとんどの部分にわたり拡散せず、LEDの直下の領域に概して集中する。これは、LEDパッケージの作動出力レベルを制限するおそれのあるLEDの過熱を引き起こす可能性がある。
LEDパッケージ30における放熱性の改善のため、熱がLED34の直下の領域を越えてサブマウントの他の領域に拡散することが可能となるように、LED34から離れるように熱を側方に伝達するための導熱性パスが、パッド42、44、46によって実現される。付着パッド42は、LED34よりも広くサブマウント32の表面を覆い、付着パッドは、LED34の端部からサブマウント32の端部の方に延在する。図示される実施形態においては、付着パッド42は、全体的に円形であり、LED34からサブマウント32の端部の方に径方向に延在する。付着パッド42の一部分が、第1および第2のコンタクトパッド44、46と交差し、ギャップ48が、第2のコンタクトパッド46に隣接する付着パッドの一部を分離する。コンタクトパッド42は多数の他の形状であることが可能であり、いくつかの実施形態では、コンタクトパッド42はサブマウント32の端部まで延在することが可能であることが理解される。
また、コンタクトパッド44、46が、ビアから外方に延在してサブマウント32の表面を覆い、ビア56の間の領域と、ビア56とサブマウント32の端部との間の領域とを覆う。このようにパッド42、44、46を延在させることにより、LED34からの熱拡散が改善される。これは、LED34において生成される熱の放熱性を改善し、これにより、LED34の作動寿命が向上し、より高い作動出力が可能となる。パッド42、44、46は、サブマウント32の上面40の様々なパーセンテージを覆うことが可能であり、覆う面積は、典型的には50%を超える。このLEDパッケージ30では、パッド42、44、46は、サブマウントの約70%を覆うことが可能である。他の実施形態においては、覆う面積は75%を超えることが可能である。
さらに、LEDパッケージ30は、サブマウントの背面54の上に、第1の実装パッド50と第2の実装パッド52との間に金属領域66を備えることが可能である。この金属領域は、好ましくは導熱性材料から構成され、好ましくはLED34に少なくとも部分的に垂直方向に整列される。一実施形態においては、金属領域は、サブマウント32の上面上の素子と、またはサブマウント32の背面上の第1および第2の実装パッドと電気的接触状態にない。LEDからの熱は、付着パッド42およびパッド44、46によってサブマウントの上面にわたって側方に拡散するが、より多くの熱が、LED34の直下および周囲のサブマウント32中に進む。金属領域は、この熱がより容易に分散可能である金属領域中へのこの熱の拡散を可能にすることによって、この拡散を補助することが可能である。また、熱はサブマウント32の上面からビア56を介して伝達することが可能であり、熱はビア56において第1および第2の実装パッド50、52中に拡散することが可能であり、熱は第1および第2の実装パッド50、52で分散することも可能であることを指摘しておく。表面実装において使用されるパッケージ30について、金属領域66(図2cおよび図2eにおいて最も良く図示される)と、第1および第2のパッド50、52とは、これら3つが全てPCBなどの外側面に接触するように、ほぼ同一の厚さにすべきである。
LED34の実装のために、付着パッド42の領域の周囲に3つのはんだダム67を設けることが可能であり、これらのはんだダムは、LEDを中央に置くのを補助し、実装用はんだが液体状態にある間にLEDが実装領域から移動するのを低減させる役割を果たす。液状はんだがそれらのダムのうちの任意の1つに接触すると、移動が弱まる、または止まる。これは、はんだが硬化するまで、LEDの移動を低減させるのに役立つ。
光学素子またはレンズ70が、環境的および/または機械的保護を実現するために、LED34の上方に、サブマウント32の上面40上に形成される。レンズ70は、上面40上の様々な位置に位置することが可能であり、レンズベースのほぼ中央にLED34がある状態ではレンズは図示されるように配置される。いくつかの実施形態においては、レンズは、LED34およびサブマウントの上面40に直接に接触する状態で形成することが可能である。他の実施形態においては、介在する材料または層が、LED34および/または上面40の間にあってもよい。LED34に直接に接触させることにより、光抽出の向上および製造の容易化などのいくつかの利点がもたらされる。
以下でさらに説明されるように、レンズ70は、様々な成形技術を用いて成形することが可能であり、レンズは、光出力の所望の形状に応じて多数の様々な形状のものが可能である。図示される1つの適切な形状は、半球形であり、他の形状のいくつかの例としては、楕円弾(ellipsoid bullet)形、平形、六角形および正方形がある。シリコーン、プラスチック、エポキシ樹脂またはガラスなどの多数の様々な材料をレンズ用に使用することが可能であるが、適切な材料は、成形プロセスに適合するものである。シリコーンは、成形に適しており、適切な光伝送特性を実現する。また、シリコーンは、後のリフロープロセスに耐えることが可能であり、経時的に著しく劣化することがない。また、光抽出を向上させるためにレンズ70をテクスチャリングすることが可能であり、あるいはレンズ70が燐光体または散乱粒子などの材料を含むことが可能であることが理解される。
また、LEDパッケージ30は、レンズ70とサブマウント32の端部との間に、サブマウントの上面40を覆う保護層74を備えることが可能である。この層74は、上面上の素子に対して追加の保護を与えて、後の加工ステップの際および使用の際の損傷および汚染を低減させる。保護層74は、レンズ70の形成の際に形成することが可能であり、レンズ70と同一の材料を含むことが可能である。しかし、LEDパッケージ30は、保護層74を伴わずに提供することも可能であることが理解される。
また、レンズ70は、サブマウント32から移動させられる前にいくらかの剪断力に耐えることが可能であるべきである。一実施形態においては、レンズは、1キログラム(kg)またはそれ以上の剪断力に耐えることが可能である。硬化後にはより硬くなり、ショアA(Shore A)70またはそれ以上などのより高いデュロメータ(durometer)測定値を有するシリコーンを用いたLEDパッケージの実施形態は、剪断力に対して耐えることにより優れている傾向がある。また、高密着性および高引張強度などの特性が、剪断力に耐えるレンズの能力に寄与することがある。
また、LEDパッケージ30のレンズ構成は、ビーム成形を容易にするためにエンドユーザがレンズの上に設けることが可能な二次レンズまたは光学素子と共に使用するように容易に適合される。これらの二次レンズは、当技術分野において一般的に知られており、それらの多くは市販されている。
図3aから図3eは、LEDパッケージ30におけるものと同様の形体を有する、本発明によるLEDパッケージの別の実施形態100を図示する。同様の形体については、上述の説明がこの実施形態に対して等しく適用されるという理解により、本明細書および以
下の図4aおよび図4bにおいて同一の参照番号が使用される。LEDパッケージ100は、サブマウント32、LED34、レンズ70およびワイヤボンド64、65を備える。LEDパッケージ30と同様に、LEDパッケージ100は、表面実装用に構成されるが、サブマウント32の一側部での接触を可能にする導電性パッドについて異なる構成を有する。
LEDパッケージは、第2のコンタクトパッド106からギャップ108によって離隔される、一体化された第1のコンタクトパッド104を有する付着パッド102を備える。ギャップ108は、上述のような電気的絶縁を与える。LED34は、上述の方法を用いて付着パッドに実装され、ワイヤボンド65は、第2のコンタクトパッド106との間に延びて、LED34に第2のコンタクトパッド106の電気信号を伝達する。第1および第2のコンタクトパッド104、106は、サブマウント32の対向する側に位置しているのではなく同一の側に位置する。付着パッド102は、サブマウントの上面40の大部分を覆って、上述のような熱拡散の向上を可能にする。また、第1および第2のコンタクトパッド104、106は、上面の一部分を覆って、電流拡散を補助する。
サブマウントの背面54上には、第1および第2のコンタクトパッド104、106のそれぞれに少なくとも部分的に垂直に整列された状態で、第1および第2の表面実装コンタクト110、112が設けられる。導電性ビア114が、第1の表面実装コンタクト110と第1のコンタクトパッド104との間、および第2の表面実装コンタクト112と第2のコンタクトパッド106との間でサブマウントを貫通して延び、それによって、表面実装コンタクト110、112上の電気信号が、ビアを介してコンタクトパッド104、106に伝達される。次いで、この信号は、LED34に伝達される。また、LEDパッケージ100は、LED34およびサブマウント32からの熱拡散をさらに向上させるために、金属領域(metallized area)116を備える。しかし、金属領域116は、表面実装コンタクト110、112の間にはなく、それらに対向する背面54の領域を覆う。
図示されるLEDパッケージ100は、レンズ70の端部と上面40の端部との間に、サブマウントの上面40を覆う保護層を有しないが、他の実施形態においてはそのような保護層を備えることが可能である。また、LEDパッケージ100は、上述のように、ESD保護素子62およびソルダマスク58を備えることが可能である。LEDパッケージ100は、LEDパッケージ30における場合のように、改善された温度管理を可能にするが、サブマウントの両側に沿ってではなく、サブマウントの一側部に沿った表面実装接触を可能にする。また、このLEDパッケージは、エンドユーザによる位置合わせを補助する記号118を備えることが可能である。
図4aおよび図4bが、サブマウント32、LED34、第1および第2のコンタクトパッド50、52、ビア56、ESDダイオード62、ワイヤボンド64、65、金属領域66、レンズ70ならびに保護層74を概して備える、本発明によるLEDパッケージのさらに別の実施形態150を示している。しかし、この実施形態においては、付着パッドは、円形ではなく、第1のコンタクトパッドと共に、サブマウント32の大部分の上を覆う矩形形状の第1の導電性層152を備える。ビア56は、第1の層152の一側方で、第1の層152と第1のコンタクトパッド50との間に延び、LEDおよびESDダイオードは、付着パッド領域にその反対側で実装される。
第2の導電性層154が、サブマウントの上面の残りの部分のほとんどを覆い、ギャップ156が、第1および第2の層152、154の間にある。ビア56は、第2の層154と第2のコンタクトパッド52との間に延び、ワイヤボンド64、65は、第2の層154とLED34及びESDダイオード62との間に延びる。上述の実施形態と同様に、
第1および第2のコンタクトパッド50、52に印加される電気信号が、LED34に伝達され、LED34を発光させる。
この実施形態においては、第1および第2の層152、154は、サブマウントの上面の全てを実質的に覆い、LED34からの広い側方への熱拡散の能力をもたらす。しかし、この構成は、組立ての際のパターン認識のために最小限のパターンを呈している。比較によれば、図2a〜図2gに図示されるパッドの構成は、組立てのためのより優れたパターン認識を可能にするとともに、同時に適切な側方電流拡散を実現する。
また、本発明は、複数のパッケージを同時に製造することが可能な、LEDパッケージを製造するための改善された方法を提供する。これは、製造におけるコストおよび複雑性を軽減し、制御された形体および発光特性を有するデバイスの製造を可能にする。図5は、本発明によるLEDパッケージ製造方法の一実施形態200を示している。202において、その後の製造ステップにおいてさいの目状に切断して、複数の個別のサブマウントを提供することが可能な基板(サブマウント)パネルが、複数のパッケージの同時製造を可能にするために提供される。このパネルの上にLEDパッケージ導電性形体(LED package conductive feature)を形成するために、独立した加工ステップが必要であることが理解される。これらの形体としては、付着パッド、コンタクトパッド、表面実装パッド、ビアおよび金属領域が含まれることが可能であり、それらは全て、LEDにより生成される熱の放散を補助するように構成することが可能である。パネルは、組として構成された複数のこれらの形体を備え、これらの組のそれぞれが、パネルから形成されることとなる複数のパッケージの1つに対応する。例えば3インチ×4インチ、2インチ×4インチ、および4インチ×4インチなどの、多数の様々なパネルサイズを使用することが可能である。
204において、複数のLEDが提供され、LEDはそれぞれ、基板パネルの上の付着パッドのそれぞれに実装される。一実施形態においては、複数のLEDは、白色発光LEDチップを備え、多数の様々な白色チップを使用することが可能であるが、適切な白色チップは、上述のおよび本明細書に組み込まれる特許文献において説明されるものである。他の実施形態においては、付着パッドのそれぞれに実装するために2つ以上のLEDを提供することが可能である。また、このステップにおいては、複数のESD保護素子を提供することが可能であり、ESD保護素子はそれぞれ、そのLEDパッケージのESD保護を行うために、付着パッドの1つと組み合わせて実装することが可能である。
206において、LEDはそれぞれ、付着パッドの1つにダイ付着され、上述のように、多数の様々な取付方法および材料を使用することが可能であるが、適切な方法は、従来のはんだ材料および方法を用いた取付方法である。また、このステップにおいては、ESD素子はそれぞれ、同一の取付方法および材料を用いて各付着パッドに実装することが可能である。また、ESD素子は、他の方法を用いて他の位置に実装することが可能であることが理解される。
208において、パネルは、前の加工ステップの際に蓄積される場合がある任意のフラックスを除去するために、はんだフラックス洗浄を受ける。210において、ワイヤボンドが、各LEDおよびESD素子の上に形成され、各コンタクトパッドの適切な1つに各LEDおよびESD素子を電気的に接続する。上述のように、LEDおよび付随するESD素子はそれぞれ、第2のコンタクトパッドにワイヤボンディングすることが可能である。ワイヤボンドは、既知のプロセスを用いて形成することが可能であり、金などの既知の導電性材料から形成することが可能である。
いくつかの実施形態においては、LEDは、所望の変換物質を伴わずに設け、パネルに
実装することが可能である。これらの実施形態においては、変換材料は、ワイヤボンディングの後にLED上に堆積させることが可能である。任意の212において、従来の材料または燐光体をLED上に堆積するが、電気泳動堆積またはEPDなどの多数の様々な既知の燐光体堆積方法を使用することが可能である。多数の様々な燐光体堆積プロセスを、上述の特許文献中に説明される適切なEPDプロセスと共に用いることが可能である。
214において、レンズが、LEDのそれぞれの上に成形されるが、多数の様々な成形方法を使用することが可能である。一実施形態においては、サブマウントパネル内のLEDの上にレンズを同時形成する成形プロセスを使用する。そのような1つの成形プロセスは、圧縮成形プロセス(compression molding process)と呼ばれる。次に図6aおよび図6bを参照すると、圧縮成形の一実施形態が図示され、レンズと逆の形状をそれぞれが有する複数の空洞(cavity)252を有するモールド(mold)250が提供され、各空洞252は、基板パネル256の上のLED254のそれぞれと整列するように構成されている。モールド250は、空洞252を満たす液体状態のレンズ材料257を充填されるが、好ましい材料は、液状硬化可能シリコーンである。図6bを参照すると、パネル256は、空洞の方向に移動され、LED254はそれぞれ、空洞252のそれぞれの中の液状シリコーン中に嵌め込まれる。また、一実施形態においては、サブマウントの上面の上に保護層を提供するシリコーンの層が、隣接し合うレンズ間に残ることが可能である。次いで、液状シリコーンは、既知の硬化プロセスを用いて硬化させることが可能である。次いで、モールドからパネルを除去することが可能であり、図7aおよび図7bに図示されるように、パネルは、複数のレンズ258を備えることが可能であり、レンズ258はそれぞれ、LED254のそれぞれの上にある。次いで、個々のLEDパッケージは、図示される破線に沿ってなど、パネルから分離することが可能である。
再度図5を参照すると、次いで216において、パネルをさいの目状に切断/個片化して、個々のLEDパッケージに分離するが、既知のソーによる個片化方法(saw singulation method)などの様々な方法を使用することが可能である。この方法を用いる場合には、パネルおよび個々のLEDパッケージを保持し安定化させるために、個片化の前にパネルにテープを装着することが可能である。個片化に続いて、LEDパッケージを洗浄し乾燥させることが可能である。
218において、LEDパッケージが正確に作動していることを確認するために、かつ各デバイスの出力光特性を測定するために、LEDパッケージのそれぞれを検査することが可能である。また、サブマウントパネルをプロービングすることによって、この方法において様々な位置でパッケージを検査することが可能であることが理解される。220において、LEDパッケージは、それらの出力特性に応じて分類し、各分類に応じてパッケージし、顧客に配送することが可能である。
本明細書においては方法の一実施形態が説明されたが、本発明による方法の様々な実施形態が、異なる順序で同一のステップを使用することが可能であり、または異なるステップを有することが可能であることが理解される。LEDパッケージに関して、そのいくつかの好ましい構成を参照として本発明が詳細に説明されてきたが、他の変形形態が可能である。したがって、本発明の精神および範囲は、上述の形態に限定されるべきではない。

Claims (11)

  1. 上面および底面を有するサブマウントと、
    前記サブマウントの前記上面の上の複数の上部導電性要素および上部導熱性要素と、
    前記上部要素のうちの1つの上のLEDであって、前記上部要素に印加された電気信号が前記LEDを発光させ、前記導電性要素は前記LEDからの熱を前記サブマウントの前記上面の大部分にわたって拡散するものであるLEDと、
    前記上部要素と電気的接触状態になく、前記サブマウントからの熱を伝達する、前記底面の上の下部導熱性要素と、
    前記LEDの上に直接に形成されたレンズと
    を備えることを特徴とするLEDパッケージ。
  2. 前記上部要素は、一体化された第1のコンタクトパッドと、第2のコンタクトパッドとを有する付着パッドを備えることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  3. 前記LEDは、前記付着パッドに取り付けられ、
    前記付着パッドは、前記サブマウントの前記上面の上で、前記LEDの端部を越えて延在することを特徴とする請求項2に記載のLEDパッケージ。
  4. 前記付着パッドは、前記上面の上で、前記LEDの前記端部を越えて径方向に延在することを特徴とする請求項3に記載のLEDパッケージ。
  5. 前記上部要素は、前記上面の50%超を覆うことを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  6. 前記底面の上の第1および第2の実装パッドと、
    前記サブマウントを貫通して延在する複数の導電性ビアと
    をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  7. 前記第1および第2の実装パッドは、前記第1および第2のコンタクトパッドと少なくとも部分的にそれぞれ整列され、
    前記ビアは、前記実装パッドと前記コンタクトパッドとの間の電気パスの間を延在すること、および、前記電気パスを提供することを特徴とする請求項6に記載のLEDパッケージ。
  8. 静電放電から前記LEDを保護するためにESD素子をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  9. 前記上部要素の少なくとも一部分を覆うソルダマスクをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  10. 前記レンズの端部と前記上面の端部との間に存在し、前記上面および前記上部要素を覆う保護層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  11. LEDパッケージを製造する方法であって
    複数のLEDパッケージサブマウントに分離されるように寸法を設定されたサブマウントパネルを設けるステップと、
    複数のLEDパッケージのための前記サブマウントパネルの1つの表面の上に上部導電性要素を形成するステップと、
    前記上部要素にLEDを付着するステップであって、前記LEDは前記上部導電性要素
    に電気的に接続されるステップと、
    前記LEDの上にレンズを成形するステップと、
    前記基板パネルを個片化して、複数のLEDパッケージに分離するステップと
    を含むことを特徴とする方法。
JP2011259253A 2007-10-31 2011-11-28 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法 Pending JP2012084900A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/982,275 2007-10-31
US11/982,275 US9070850B2 (en) 2007-10-31 2007-10-31 Light emitting diode package and method for fabricating same

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008281533A Division JP2009111395A (ja) 2007-10-31 2008-10-31 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012084900A true JP2012084900A (ja) 2012-04-26

Family

ID=40304573

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008281533A Pending JP2009111395A (ja) 2007-10-31 2008-10-31 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
JP2011259253A Pending JP2012084900A (ja) 2007-10-31 2011-11-28 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
JP2012288000A Pending JP2013093604A (ja) 2007-10-31 2012-12-28 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008281533A Pending JP2009111395A (ja) 2007-10-31 2008-10-31 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012288000A Pending JP2013093604A (ja) 2007-10-31 2012-12-28 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (3) US9070850B2 (ja)
EP (1) EP2056363B1 (ja)
JP (3) JP2009111395A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014157976A (ja) * 2013-02-18 2014-08-28 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2015537387A (ja) * 2012-11-27 2015-12-24 エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag 半導体装置
US9274343B2 (en) 2012-05-02 2016-03-01 Rockwell Automation Safety Ag Lens carrier and optical module for a light curtain and fabrication method

Families Citing this family (150)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7821023B2 (en) * 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US9780268B2 (en) 2006-04-04 2017-10-03 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
USD738832S1 (en) 2006-04-04 2015-09-15 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) package
US9335006B2 (en) * 2006-04-18 2016-05-10 Cree, Inc. Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED
US9484499B2 (en) 2007-04-20 2016-11-01 Cree, Inc. Transparent ohmic contacts on light emitting diodes with carrier substrates
KR101320514B1 (ko) * 2007-08-21 2013-10-22 삼성전자주식회사 칩-온-보드 방식에 의한 led 패키지
US9593810B2 (en) * 2007-09-20 2017-03-14 Koninklijke Philips N.V. LED package and method for manufacturing the LED package
US9082921B2 (en) 2007-10-31 2015-07-14 Cree, Inc. Multi-die LED package
US8866169B2 (en) * 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US9666762B2 (en) * 2007-10-31 2017-05-30 Cree, Inc. Multi-chip light emitter packages and related methods
US9172012B2 (en) 2007-10-31 2015-10-27 Cree, Inc. Multi-chip light emitter packages and related methods
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8368100B2 (en) 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US9640737B2 (en) 2011-01-31 2017-05-02 Cree, Inc. Horizontal light emitting diodes including phosphor particles
US9754926B2 (en) 2011-01-31 2017-09-05 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
US9660153B2 (en) 2007-11-14 2017-05-23 Cree, Inc. Gap engineering for flip-chip mounted horizontal LEDs
US10008637B2 (en) 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US9255686B2 (en) 2009-05-29 2016-02-09 Cree, Inc. Multi-lens LED-array optic system
US9035328B2 (en) 2011-02-04 2015-05-19 Cree, Inc. Light-emitting diode component
US8598809B2 (en) 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
JP5623062B2 (ja) 2009-11-13 2014-11-12 シャープ株式会社 発光装置およびその製造方法
US8845130B2 (en) 2009-12-09 2014-09-30 Tyco Electronics Corporation LED socket assembly
US8878454B2 (en) 2009-12-09 2014-11-04 Tyco Electronics Corporation Solid state lighting system
US8235549B2 (en) * 2009-12-09 2012-08-07 Tyco Electronics Corporation Solid state lighting assembly
US8210715B2 (en) * 2009-12-09 2012-07-03 Tyco Electronics Corporation Socket assembly with a thermal management structure
US8241044B2 (en) * 2009-12-09 2012-08-14 Tyco Electronics Corporation LED socket assembly
US8511851B2 (en) * 2009-12-21 2013-08-20 Cree, Inc. High CRI adjustable color temperature lighting devices
JP2011151268A (ja) 2010-01-22 2011-08-04 Sharp Corp 発光装置
US8486761B2 (en) * 2010-03-25 2013-07-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Hybrid combination of substrate and carrier mounted light emitting devices
US8319247B2 (en) 2010-03-25 2012-11-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Carrier for a light emitting device
US8431942B2 (en) * 2010-05-07 2013-04-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED package with a rounded square lens
CN103222073B (zh) * 2010-08-03 2017-03-29 财团法人工业技术研究院 发光二极管芯片、发光二极管封装结构、及用以形成上述的方法
US9178107B2 (en) 2010-08-03 2015-11-03 Industrial Technology Research Institute Wafer-level light emitting diode structure, light emitting diode chip, and method for forming the same
WO2012031703A1 (de) 2010-09-06 2012-03-15 Heraeus Noblelight Gmbh Beschichtungsverfahren für ein optoelektronisches chip-on-board-modul
US9627361B2 (en) * 2010-10-07 2017-04-18 Cree, Inc. Multiple configuration light emitting devices and methods
DE102010049961A1 (de) * 2010-10-28 2012-05-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterchip, einem Trägersubstrat und einer Folie und ein Verfahren zu dessen Herstellung
JP5450559B2 (ja) 2010-11-25 2014-03-26 シャープ株式会社 植物栽培用led光源、植物工場及び発光装置
KR101242218B1 (ko) * 2011-01-07 2013-03-11 에이텍 테크놀로지 코포레이션 발광 소자 및 그의 형성 방법
US9831220B2 (en) 2011-01-31 2017-11-28 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
US9673363B2 (en) 2011-01-31 2017-06-06 Cree, Inc. Reflective mounting substrates for flip-chip mounted horizontal LEDs
US9053958B2 (en) 2011-01-31 2015-06-09 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
US9401103B2 (en) 2011-02-04 2016-07-26 Cree, Inc. LED-array light source with aspect ratio greater than 1
US9245874B2 (en) 2011-04-18 2016-01-26 Cree, Inc. LED array having embedded LED and method therefor
JP5105132B1 (ja) 2011-06-02 2012-12-19 三菱化学株式会社 半導体発光装置、半導体発光システムおよび照明器具
US8814621B2 (en) 2011-06-03 2014-08-26 Cree, Inc. Methods of determining and making red nitride compositions
US8729790B2 (en) 2011-06-03 2014-05-20 Cree, Inc. Coated phosphors and light emitting devices including the same
US8906263B2 (en) 2011-06-03 2014-12-09 Cree, Inc. Red nitride phosphors
US8747697B2 (en) 2011-06-07 2014-06-10 Cree, Inc. Gallium-substituted yttrium aluminum garnet phosphor and light emitting devices including the same
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
USD700584S1 (en) 2011-07-06 2014-03-04 Cree, Inc. LED component
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
KR20140038553A (ko) 2011-07-21 2014-03-28 크리,인코포레이티드 향상된 화학적 내성을 위한 발광 장치 패키지들, 부품들 및 방법들 그리고 관련된 방법들
US8742671B2 (en) 2011-07-28 2014-06-03 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus and methods using integrated driver circuitry
US9510413B2 (en) 2011-07-28 2016-11-29 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus and methods of forming
KR101817807B1 (ko) 2011-09-20 2018-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템
US9249955B2 (en) 2011-09-26 2016-02-02 Ideal Industries, Inc. Device for securing a source of LED light to a heat sink surface
US9429309B2 (en) 2011-09-26 2016-08-30 Ideal Industries, Inc. Device for securing a source of LED light to a heat sink surface
US9423119B2 (en) 2011-09-26 2016-08-23 Ideal Industries, Inc. Device for securing a source of LED light to a heat sink surface
KR101896661B1 (ko) * 2011-10-28 2018-09-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치
US10043960B2 (en) * 2011-11-15 2018-08-07 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages and related methods
US9496466B2 (en) * 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
US9318669B2 (en) 2012-01-30 2016-04-19 Cree, Inc. Methods of determining and making red nitride compositions
EP2810308B1 (en) * 2012-02-02 2021-06-23 Bridgelux, Inc. Packaging photon building blocks having only top side connections in a molded interconnect structure
US8568001B2 (en) 2012-02-03 2013-10-29 Tyco Electronics Corporation LED socket assembly
WO2013119927A1 (en) * 2012-02-10 2013-08-15 Cree, Inc. Light emitting devices and packages and related methods with electrode marks on leads
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
JP2013187400A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Unistar Opto Corp ジャンパ線のない発光ダイオードライトモジュール
US10222032B2 (en) 2012-03-30 2019-03-05 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved electrical contacts
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
CN104364904B (zh) 2012-04-06 2017-12-08 克利公司 用于发射期望的光束图案的发光二极管部件和方法
US9515055B2 (en) 2012-05-14 2016-12-06 Cree, Inc. Light emitting devices including multiple anodes and cathodes
US10439112B2 (en) * 2012-05-31 2019-10-08 Cree, Inc. Light emitter packages, systems, and methods having improved performance
USD749051S1 (en) * 2012-05-31 2016-02-09 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) package
US9349929B2 (en) 2012-05-31 2016-05-24 Cree, Inc. Light emitter packages, systems, and methods
USD753612S1 (en) * 2012-09-07 2016-04-12 Cree, Inc. Light emitter device
US9331230B2 (en) * 2012-10-30 2016-05-03 Cbrite Inc. LED die dispersal in displays and light panels with preserving neighboring relationship
US9437788B2 (en) 2012-12-19 2016-09-06 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) component comprising a phosphor with improved excitation properties
US9316382B2 (en) 2013-01-31 2016-04-19 Cree, Inc. Connector devices, systems, and related methods for connecting light emitting diode (LED) modules
US8916896B2 (en) * 2013-02-22 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved performance
US9219202B2 (en) 2013-04-19 2015-12-22 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including red phosphors that exhibit good color rendering properties and related red phosphors
USD735683S1 (en) 2013-05-03 2015-08-04 Cree, Inc. LED package
CN105359284B (zh) * 2013-06-28 2019-05-14 西铁城时计株式会社 Led装置
US9461024B2 (en) 2013-08-01 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips
USD758976S1 (en) 2013-08-08 2016-06-14 Cree, Inc. LED package
US10074781B2 (en) 2013-08-29 2018-09-11 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including multiple red phosphors that exhibit good color rendering properties with increased brightness
USD746240S1 (en) * 2013-12-30 2015-12-29 Cree, Inc. LED package
CN105849461B (zh) * 2014-01-02 2019-11-12 泰科电子连接荷兰公司 Led插座组件
USD741821S1 (en) * 2014-04-10 2015-10-27 Kingbright Electronics Co., Ltd. LED component
US9691949B2 (en) 2014-05-30 2017-06-27 Cree, Inc. Submount based light emitter components and methods
US10797204B2 (en) 2014-05-30 2020-10-06 Cree, Inc. Submount based light emitter components and methods
US10622522B2 (en) * 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
USD790486S1 (en) * 2014-09-30 2017-06-27 Cree, Inc. LED package with truncated encapsulant
DE102014116079A1 (de) * 2014-11-04 2016-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US10453825B2 (en) 2014-11-11 2019-10-22 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) components and methods
USD826871S1 (en) * 2014-12-11 2018-08-28 Cree, Inc. Light emitting diode device
USD777122S1 (en) * 2015-02-27 2017-01-24 Cree, Inc. LED package
US11431146B2 (en) 2015-03-27 2022-08-30 Jabil Inc. Chip on submount module
USD772181S1 (en) * 2015-04-02 2016-11-22 Genesis Photonics Inc. Light emitting diode package substrate
USD778848S1 (en) * 2015-04-07 2017-02-14 Cree, Inc. Solid state light emitter component
USD783547S1 (en) * 2015-06-04 2017-04-11 Cree, Inc. LED package
US9780266B2 (en) 2015-06-30 2017-10-03 Cree, Inc. Stabilized quantum dot structure and method of making a stabilized quantum dot structure
US10074635B2 (en) 2015-07-17 2018-09-11 Cree, Inc. Solid state light emitter devices and methods
JP2017045951A (ja) * 2015-08-28 2017-03-02 パナソニックIpマネジメント株式会社 Ledモジュール及びそれを備えた照明器具
CN108369977B (zh) 2015-10-01 2021-06-15 克利公司 低光学损失倒装芯片固态照明设备
US9813008B2 (en) * 2016-04-06 2017-11-07 Lcdrives Corp Half-bridge switching circuit system
EP4303486A3 (en) 2016-10-24 2024-03-13 Invuity, Inc. Lighting element
US10672957B2 (en) 2017-07-19 2020-06-02 Cree, Inc. LED apparatuses and methods for high lumen output density
US11101248B2 (en) * 2017-08-18 2021-08-24 Creeled, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US11107857B2 (en) * 2017-08-18 2021-08-31 Creeled, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US10546843B2 (en) 2017-11-03 2020-01-28 Ideal Industries Lighting Llc White light emitting devices having high luminous efficiency and improved color rendering that include pass-through violet emissions
US10541353B2 (en) 2017-11-10 2020-01-21 Cree, Inc. Light emitting devices including narrowband converters for outdoor lighting applications
US10741730B2 (en) 2017-11-10 2020-08-11 Cree, Inc. Stabilized luminescent nanoparticles comprising a perovskite semiconductor and method of fabrication
US10347799B2 (en) 2017-11-10 2019-07-09 Cree, Inc. Stabilized quantum dot composite and method of making a stabilized quantum dot composite
JP1618491S (ja) * 2017-11-21 2018-11-19
US11031527B2 (en) 2018-01-29 2021-06-08 Creeled, Inc. Reflective layers for light-emitting diodes
US11923481B2 (en) 2018-01-29 2024-03-05 Creeled, Inc. Reflective layers for light-emitting diodes
US11387389B2 (en) 2018-01-29 2022-07-12 Creeled, Inc. Reflective layers for light-emitting diodes
CN110197867A (zh) * 2018-02-26 2019-09-03 世迈克琉明有限公司 半导体发光器件及其制造方法
US10957736B2 (en) 2018-03-12 2021-03-23 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) components and methods
US10522722B2 (en) 2018-04-19 2019-12-31 Cree, Inc. Light-emitting diode package with light-altering material
JP1628923S (ja) * 2018-04-26 2019-04-08
US10608148B2 (en) 2018-05-31 2020-03-31 Cree, Inc. Stabilized fluoride phosphor for light emitting diode (LED) applications
US10651351B1 (en) 2018-11-13 2020-05-12 Cree, Inc. Light emitting diode packages
US11145689B2 (en) * 2018-11-29 2021-10-12 Creeled, Inc. Indicia for light emitting diode chips
US10879441B2 (en) 2018-12-17 2020-12-29 Cree, Inc. Interconnects for light emitting diode chips
CN109860165A (zh) * 2018-12-29 2019-06-07 广东晶科电子股份有限公司 一种led器件及其制作方法
US11189766B2 (en) 2019-01-16 2021-11-30 Creeled, Inc. Light emitting diode packages
US10985294B2 (en) 2019-03-19 2021-04-20 Creeled, Inc. Contact structures for light emitting diode chips
WO2020207604A1 (en) * 2019-04-12 2020-10-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting device and method for producing a plurality of radiation-emitting devices
US11094848B2 (en) 2019-08-16 2021-08-17 Creeled, Inc. Light-emitting diode chip structures
US11083059B2 (en) 2019-10-03 2021-08-03 Creeled, Inc. Lumiphoric arrangements for light emitting diode packages
USD926714S1 (en) * 2019-10-30 2021-08-03 Creeled, Inc. Light emitting diode package
US11688832B2 (en) 2020-04-16 2023-06-27 Creeled, Inc. Light-altering material arrangements for light-emitting devices
US11508715B2 (en) 2020-04-24 2022-11-22 Creeled, Inc. Light-emitting diode chip with electrical overstress protection
US11367810B2 (en) 2020-08-14 2022-06-21 Creeled, Inc. Light-altering particle arrangements for light-emitting devices
US11705542B2 (en) 2020-08-25 2023-07-18 Creeled, Inc. Binder materials for light-emitting devices
US11552229B2 (en) 2020-09-14 2023-01-10 Creeled, Inc. Spacer layer arrangements for light-emitting diodes
US20220165923A1 (en) 2020-11-24 2022-05-26 Creeled, Inc. Cover structure arrangements for light emitting diode packages
US11791441B2 (en) 2020-12-16 2023-10-17 Creeled, Inc. Support structures for light emitting diode packages
US20220254962A1 (en) 2021-02-11 2022-08-11 Creeled, Inc. Optical arrangements in cover structures for light emitting diode packages and related methods
USD1000400S1 (en) * 2021-04-16 2023-10-03 Creeled, Inc. Light emitting diode package
USD996377S1 (en) 2022-02-17 2023-08-22 Creeled, Inc. Light-emitting diode package
US12018833B1 (en) 2023-06-30 2024-06-25 Creeled, Inc. Asymmetric LED optic for asymmetric luminaire applications

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07202271A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Matsushita Electric Works Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2003318449A (ja) * 2003-05-20 2003-11-07 Sanyo Electric Co Ltd Led光源及びその製造方法
JP2004327955A (ja) * 2003-04-09 2004-11-18 Citizen Electronics Co Ltd Ledランプ
JP2004335880A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
JP2005347401A (ja) * 2004-06-01 2005-12-15 Meiko:Kk 光素子チップ部品
JP2006019557A (ja) * 2004-07-02 2006-01-19 Fujikura Ltd 発光装置とその実装方法、照明器具及びディスプレイ
WO2006046981A2 (en) * 2004-10-25 2006-05-04 Cree, Inc. Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
JP2007165840A (ja) * 2005-09-09 2007-06-28 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2007243226A (ja) * 2007-06-20 2007-09-20 Sony Corp 光源装置、表示装置

Family Cites Families (637)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US473089A (en) 1892-04-19 Charles e
US656759A (en) 1899-12-11 1900-08-28 Reuben D Wirt Automatic hose-valve.
US2002111A (en) 1933-08-25 1935-05-21 Edmund H Hansen System for synchronizing sound with motion pictures
US3008676A (en) 1957-07-30 1961-11-14 Manganese Steel Forge Company Wire fabric
US3011818A (en) 1959-04-24 1961-12-05 Roy A Matthiessen Automobile trunk lid holder
US3674990A (en) 1970-05-12 1972-07-04 Sumitomo Electric Industries Moving object identification system
US3760237A (en) 1972-06-21 1973-09-18 Gen Electric Solid state lamp assembly having conical light director
DE2315709A1 (de) 1973-03-29 1974-10-10 Licentia Gmbh Strahlung abgebende halbleiteranordnung mit hoher strahlungsleistung
US3900863A (en) 1974-05-13 1975-08-19 Westinghouse Electric Corp Light-emitting diode which generates light in three dimensions
JPS5939839Y2 (ja) 1977-02-28 1984-11-08 株式会社三協精機製作所 直流電動機の速度制御回路
JPS53126570U (ja) 1977-03-15 1978-10-07
JPS5932039B2 (ja) 1977-03-24 1984-08-06 松下電器産業株式会社 高分子圧電トランスデユ−サ
JPS53126570A (en) 1977-04-13 1978-11-04 Saburou Sakakibara Mechanism for opening and closing filter medium in filter press
US4152044A (en) 1977-06-17 1979-05-01 International Telephone And Telegraph Corporation Galium aluminum arsenide graded index waveguide
JPS5479985A (en) 1977-12-09 1979-06-26 Tokyo Shibaura Electric Co Ultrasonic scanning device
FR2436505A1 (fr) 1978-09-12 1980-04-11 Radiotechnique Compelec Dispositif optoelectronique a emetteur et recepteur couples
JPS604991B2 (ja) 1979-05-11 1985-02-07 株式会社東芝 ディスプレイ装置
JPS5927559Y2 (ja) 1979-06-08 1984-08-09 才市 岡本 防振装置
JPS5927559B2 (ja) 1980-05-14 1984-07-06 株式会社村田製作所 電気音響変成器
JPS587441U (ja) 1981-07-08 1983-01-18 デイエツクスアンテナ株式会社 震動スイツチ
US4500914A (en) 1981-08-01 1985-02-19 Sharp Kabushiki Kaisha Color imaging array and color imaging device
JPS58123066U (ja) 1982-02-15 1983-08-22 小林記録紙株式会社 計測用記録紙
JPS5927559A (ja) 1982-08-07 1984-02-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置パツケ−ジ
US5184114A (en) 1982-11-04 1993-02-02 Integrated Systems Engineering, Inc. Solid state color display system and light emitting diode pixels therefor
US4511425A (en) 1983-06-13 1985-04-16 Dennison Manufacturing Company Heated pad decorator
US4675575A (en) 1984-07-13 1987-06-23 E & G Enterprises Light-emitting diode assemblies and systems therefore
JPS6148951A (ja) 1984-08-16 1986-03-10 Toshiba Corp 半導体装置
JPS6148951U (ja) 1984-08-29 1986-04-02
JPS6247156A (ja) 1985-08-26 1987-02-28 Toshiba Corp 絶縁ゲ−ト型半導体装置
FR2586844B1 (fr) 1985-08-27 1988-04-29 Sofrela Sa Dispositif de signalisation utilisant des diodes electroluminescentes.
JPS62140758A (ja) 1985-12-16 1987-06-24 Kobe Steel Ltd メカニカルワイヤカツトソー
JPS62160564A (ja) 1986-01-09 1987-07-16 Fujitsu Ltd パイプライン制御方式
JPH0429580Y2 (ja) 1986-02-28 1992-07-17
JPH0416467Y2 (ja) 1986-03-31 1992-04-13
US4866005A (en) 1987-10-26 1989-09-12 North Carolina State University Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide
JPH0832120B2 (ja) 1988-05-27 1996-03-27 松下電器産業株式会社 音場可変装置
US4972089A (en) 1989-04-03 1990-11-20 Motorola Inc. Single package electro-optic transmitter-receiver
US4992704A (en) 1989-04-17 1991-02-12 Basic Electronics, Inc. Variable color light emitting diode
DE58909875D1 (de) 1989-05-31 2000-08-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Montieren eines oberflächenmontierbaren Opto-Bauelements
US4946547A (en) 1989-10-13 1990-08-07 Cree Research, Inc. Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth
JPH03171780A (ja) 1989-11-30 1991-07-25 Toshiba Lighting & Technol Corp 発光ダイオード表示素子
JP2650236B2 (ja) 1990-01-11 1997-09-03 ローム 株式会社 Ledアレイ光源の製造方法
US5042048A (en) 1990-03-02 1991-08-20 Meyer Brad E Target illuminators and systems employing same
US5167556A (en) 1990-07-03 1992-12-01 Siemens Aktiengesellschaft Method for manufacturing a light emitting diode display means
US5130761A (en) 1990-07-17 1992-07-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Led array with reflector and printed circuit board
US5200022A (en) 1990-10-03 1993-04-06 Cree Research, Inc. Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product
US5300788A (en) 1991-01-18 1994-04-05 Kopin Corporation Light emitting diode bars and arrays and method of making same
US5122943A (en) 1991-04-15 1992-06-16 Miles Inc. Encapsulated light emitting diode and method for encapsulation
JPH05308107A (ja) 1991-07-01 1993-11-19 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置及びその製作方法
US5351106A (en) 1991-07-01 1994-09-27 Amergraph Corporation Exposure system
JPH0545812A (ja) 1991-08-16 1993-02-26 Konica Corp ハロゲン化銀カラー感光材料
WO1994003036A1 (en) 1992-07-24 1994-02-03 Tessera, Inc. Semiconductor connection components and methods with releasable lead support
US5278432A (en) 1992-08-27 1994-01-11 Quantam Devices, Inc. Apparatus for providing radiant energy
DE4228895C2 (de) 1992-08-29 2002-09-19 Bosch Gmbh Robert Kraftfahrzeug-Beleuchtungseinrichtung mit mehreren Halbleiterlichtquellen
JP2783093B2 (ja) 1992-10-21 1998-08-06 日本電気株式会社 プリント配線板
JPH06177424A (ja) 1992-12-03 1994-06-24 Rohm Co Ltd 発光ダイオードランプおよび集合型発光ダイオード表示装置
JP3341347B2 (ja) 1993-04-07 2002-11-05 日産自動車株式会社 車両用座席の制御装置
US5454437A (en) 1993-06-24 1995-10-03 Rock Bit International, Inc. Roller cone core bit
JP3431038B2 (ja) 1994-02-18 2003-07-28 ローム株式会社 発光装置とその製造方法およびledヘッドの製造方法
US5790298A (en) 1994-05-03 1998-08-04 Gentex Corporation Method of forming optically transparent seal and seal formed by said method
JP2994219B2 (ja) 1994-05-24 1999-12-27 シャープ株式会社 半導体デバイスの製造方法
JPH0832120A (ja) 1994-07-19 1996-02-02 Rohm Co Ltd 面発光表示器
JPH08139257A (ja) 1994-11-07 1996-05-31 Hitachi Ltd 面実装型半導体装置
DE4446566A1 (de) 1994-12-24 1996-06-27 Telefunken Microelectron Mehrpoliges, oberflächenmontierbares, elektronisches Bauelement
EP0775369B1 (en) 1995-05-10 2001-10-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Miniature semiconductor device for surface mounting
JPH08322573A (ja) 1995-05-31 1996-12-10 Seikagaku Kogyo Co Ltd スルホトランスフェラーゼをコードするdna
JP3410256B2 (ja) 1995-06-22 2003-05-26 日本信号株式会社 列車位置検出装置
DE19549818B4 (de) 1995-09-29 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement
JPH09246602A (ja) 1996-03-05 1997-09-19 Matsushita Electron Corp 発光ダイオード整列光源
US6388272B1 (en) 1996-03-07 2002-05-14 Caldus Semiconductor, Inc. W/WC/TAC ohmic and rectifying contacts on SiC
WO1997034780A2 (en) 1996-03-19 1997-09-25 Donnelly Mirrors Limited Electro-optic rearview mirror system
US6600175B1 (en) 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
DE19621124A1 (de) 1996-05-24 1997-11-27 Siemens Ag Optoelektronischer Wandler und dessen Herstellungsverfahren
JPH09321343A (ja) 1996-05-31 1997-12-12 Dowa Mining Co Ltd 光通信用の部品装置
JPH1012915A (ja) 1996-06-26 1998-01-16 Oki Electric Ind Co Ltd 光学式パターン読取りセンサ
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JP3504079B2 (ja) 1996-08-31 2004-03-08 株式会社東芝 半導体発光ダイオード素子の製造方法
JP3672280B2 (ja) 1996-10-29 2005-07-20 株式会社シチズン電子 スルーホール電極付き電子部品の製造方法
JP3492178B2 (ja) 1997-01-15 2004-02-03 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
FR2759188B1 (fr) 1997-01-31 1999-04-30 Thery Hindrick Dispositif de signalisation lumineuse, notamment pour regulation du trafic routier
JPH10244706A (ja) 1997-03-06 1998-09-14 Oki Data:Kk Ledヘッド
US6399358B1 (en) 1997-03-31 2002-06-04 Thomas Jefferson University Human gene encoding human chondroitin 6-sulfotransferase
US6093940A (en) 1997-04-14 2000-07-25 Rohm Co., Ltd. Light-emitting diode chip component and a light-emitting device
JP3741512B2 (ja) 1997-04-14 2006-02-01 ローム株式会社 Ledチップ部品
JP3882266B2 (ja) 1997-05-19 2007-02-14 日亜化学工業株式会社 半導体装置
US5813753A (en) 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
US6784463B2 (en) 1997-06-03 2004-08-31 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
DE19723176C1 (de) 1997-06-03 1998-08-27 Daimler Benz Ag Leistungshalbleiter-Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US7635687B2 (en) * 1997-06-04 2009-12-22 Oxford Biomedica (Uk) Limited Vector system
JPH1054802A (ja) 1997-06-17 1998-02-24 Nec Corp 薬液組成モニタ方法
JPH118405A (ja) 1997-06-17 1999-01-12 Oki Electric Ind Co Ltd 発光ダイオードアレイおよび発光ダイオード
EP2267797A1 (de) 1997-07-29 2010-12-29 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches Bauelement
JPH1154802A (ja) 1997-07-30 1999-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置およびそれを用いて作製されたディスプレイ装置
GB2329238A (en) 1997-09-12 1999-03-17 Hassan Paddy Abdel Salam LED light source
US6183100B1 (en) 1997-10-17 2001-02-06 Truck-Lite Co., Inc. Light emitting diode 360° warning lamp
JPH11167805A (ja) 1997-12-05 1999-06-22 Kyocera Corp 複数チップ搭載反射形led素子
DE19755734A1 (de) 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
JP3585097B2 (ja) 1998-06-04 2004-11-04 セイコーエプソン株式会社 光源装置,光学装置および液晶表示装置
DE19829197C2 (de) 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
US7253445B2 (en) 1998-07-28 2007-08-07 Paul Heremans High-efficiency radiating device
US6266476B1 (en) 1998-08-25 2001-07-24 Physical Optics Corporation Optical element having an integral surface diffuser
US7066628B2 (en) 2001-03-29 2006-06-27 Fiber Optic Designs, Inc. Jacketed LED assemblies and light strings containing same
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
DE19848078C2 (de) 1998-10-19 2003-08-14 Insta Elektro Gmbh Anordnung von Platinen zur beliebigen Erstellung von Leuchtdioden-Beleuchtungseinheiten
US6274924B1 (en) 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
JP3334864B2 (ja) 1998-11-19 2002-10-15 松下電器産業株式会社 電子装置
JP2000223751A (ja) 1998-11-25 2000-08-11 Nichia Chem Ind Ltd Ledランプ及びそれを用いた表示装置
US6429583B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
US6495964B1 (en) 1998-12-18 2002-12-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED luminaire with electrically adjusted color balance using photodetector
JP3784976B2 (ja) 1998-12-22 2006-06-14 ローム株式会社 半導体装置
JPH11261113A (ja) 1999-01-14 1999-09-24 Rohm Co Ltd 面実装型発光器
JP4279388B2 (ja) 1999-01-29 2009-06-17 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその形成方法
JP3349109B2 (ja) 1999-03-04 2002-11-20 株式会社シチズン電子 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP2000349348A (ja) 1999-03-31 2000-12-15 Toyoda Gosei Co Ltd 短波長ledランプユニット
US6259608B1 (en) 1999-04-05 2001-07-10 Delphi Technologies, Inc. Conductor pattern for surface mount devices and method therefor
JP2001042792A (ja) 1999-05-24 2001-02-16 Sony Corp Led表示装置
JP4412787B2 (ja) 1999-06-09 2010-02-10 三洋電機株式会社 金属基板を採用した照射装置および照射モジュール
JP2001000043A (ja) 1999-06-18 2001-01-09 Mitsubishi Chemicals Corp 栽培用光源
US6344520B1 (en) 1999-06-24 2002-02-05 Wacker Silicones Corporation Addition-crosslinkable epoxy-functional organopolysiloxane polymer and coating compositions
JP2001044506A (ja) 1999-07-26 2001-02-16 Ichikoh Ind Ltd 発光ダイオードの固定構造
EP1072884A3 (en) 1999-07-28 2002-01-23 KELLY, William, M. Improvements in and relating to ring lighting
US6367949B1 (en) 1999-08-04 2002-04-09 911 Emergency Products, Inc. Par 36 LED utility lamp
JP2001050072A (ja) 1999-08-06 2001-02-23 Kokusan Denki Co Ltd 2サイクル内燃機関用制御装置
JP2001060072A (ja) 1999-08-23 2001-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示装置
US6590152B1 (en) 1999-08-26 2003-07-08 Rohm Co., Ltd. Electromagnetic shield cap and infrared data communication module
US6710373B2 (en) 1999-09-27 2004-03-23 Shih-Yi Wang Means for mounting photoelectric sensing elements, light emitting diodes, or the like
US6296367B1 (en) 1999-10-15 2001-10-02 Armament Systems And Procedures, Inc. Rechargeable flashlight with step-up voltage converter and recharger therefor
JP2001168400A (ja) 1999-12-09 2001-06-22 Rohm Co Ltd ケース付チップ型発光装置およびその製造方法
US6486499B1 (en) 1999-12-22 2002-11-26 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
US6885035B2 (en) 1999-12-22 2005-04-26 Lumileds Lighting U.S., Llc Multi-chip semiconductor LED assembly
US6573537B1 (en) 1999-12-22 2003-06-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs
DE19964252A1 (de) 1999-12-30 2002-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Bauelement für eine LED-Weißlichtquelle
DE10002521A1 (de) 2000-01-21 2001-08-09 Infineon Technologies Ag Elektrooptisches Datenübertragungsmodul
EP1187228A4 (en) 2000-02-09 2007-03-07 Nippon Leiz Corp LIGHT SOURCE
US6224216B1 (en) 2000-02-18 2001-05-01 Infocus Corporation System and method employing LED light sources for a projection display
JP3729012B2 (ja) 2000-02-24 2005-12-21 松下電工株式会社 Ledモジュール
GB2370992B (en) 2000-03-23 2002-11-20 Photo Therapeutics Ltd Therapeutic light source and method
US6517218B2 (en) 2000-03-31 2003-02-11 Relume Corporation LED integrated heat sink
TW200529308A (en) 2000-03-31 2005-09-01 Toyoda Gosei Kk Method for dicing semiconductor wafer into chips
US6661029B1 (en) 2000-03-31 2003-12-09 General Electric Company Color tunable organic electroluminescent light source
JP2001351404A (ja) 2000-04-06 2001-12-21 Kansai Tlo Kk 発光ダイオードを用いた面発光装置
WO2001082386A1 (fr) 2000-04-24 2001-11-01 Rohm Co., Ltd. Dispositif semi-conducteur electroluminescent a emission laterale et son procede de production
JP2001326390A (ja) 2000-05-18 2001-11-22 Rohm Co Ltd 裏面発光チップ型発光素子およびそれに用いる絶縁性基板
US6577073B2 (en) 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
US6330111B1 (en) 2000-06-13 2001-12-11 Kenneth J. Myers, Edward Greenberg Lighting elements including light emitting diodes, microprism sheet, reflector, and diffusing agent
US6331915B1 (en) 2000-06-13 2001-12-18 Kenneth J. Myers Lighting element including light emitting diodes, microprism sheet, reflector, and diffusing agent
US20020066905A1 (en) 2000-06-20 2002-06-06 Bily Wang Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes
JP2002083506A (ja) 2000-06-21 2002-03-22 Moritex Corp Led照明装置およびその製造方法
JP4431756B2 (ja) 2000-06-23 2010-03-17 富士電機システムズ株式会社 樹脂封止型半導体装置
US6737801B2 (en) 2000-06-28 2004-05-18 The Fox Group, Inc. Integrated color LED chip
JP2002033058A (ja) 2000-07-14 2002-01-31 Sony Corp 電界放出型表示装置用の前面板
DE10038213A1 (de) 2000-08-04 2002-03-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsquelle und Verfahren zur Herstellung einer Linsensform
DE10041328B4 (de) 2000-08-23 2018-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verpackungseinheit für Halbleiterchips
US6614103B1 (en) 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
EP1187226B1 (en) 2000-09-01 2012-12-26 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type light emitting diode and method of manufacturing same
US6345903B1 (en) * 2000-09-01 2002-02-12 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same
US7064355B2 (en) * 2000-09-12 2006-06-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
JP3839236B2 (ja) 2000-09-18 2006-11-01 株式会社小糸製作所 車両用灯具
DE10051159C2 (de) 2000-10-16 2002-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle
US6795011B1 (en) * 2000-10-31 2004-09-21 Agere Systems Inc. Remote control help feature
JP2002151928A (ja) 2000-11-08 2002-05-24 Toshiba Corp アンテナ、及びアンテナを内蔵する電子機器
JP2002184207A (ja) 2000-12-15 2002-06-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Led照明用電球
JP3614776B2 (ja) 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ledとその製造方法
US6610863B2 (en) 2000-12-22 2003-08-26 Eastman Chemical Company Continuous process for producing L-ascorbic acid
AT410266B (de) 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
US6940704B2 (en) 2001-01-24 2005-09-06 Gelcore, Llc Semiconductor light emitting device
US6891200B2 (en) 2001-01-25 2005-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting unit, light-emitting unit assembly, and lighting apparatus produced using a plurality of light-emitting units
JP3851174B2 (ja) 2001-01-25 2006-11-29 松下電器産業株式会社 発光ユニット、発光ユニット組合せ体、および照明装置
JP2002223005A (ja) 2001-01-26 2002-08-09 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード及びディスプレイ装置
US6791119B2 (en) 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
US6929384B2 (en) 2001-02-09 2005-08-16 Nichia Corporation Led indicator lamp
US6297598B1 (en) 2001-02-20 2001-10-02 Harvatek Corp. Single-side mounted light emitting diode module
JP2002280479A (ja) 2001-03-22 2002-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表面実装型の半導体装置
US6746889B1 (en) 2001-03-27 2004-06-08 Emcore Corporation Optoelectronic device with improved light extraction
US6507159B2 (en) 2001-03-29 2003-01-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Controlling method and system for RGB based LED luminary
CN1266451C (zh) 2001-04-03 2006-07-26 沃思测量技术股份有限公司 用于照明物体的测量仪和方法
JP3659635B2 (ja) 2001-04-10 2005-06-15 株式会社東芝 光半導体装置
JP2002313890A (ja) 2001-04-11 2002-10-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 被加熱物搭載用ヒータ部材およびそれを用いた基板処理装置
EP1386357A1 (en) 2001-04-23 2004-02-04 Plasma Ireland Limited Illuminator
US20020163001A1 (en) 2001-05-04 2002-11-07 Shaddock David Mulford Surface mount light emitting device package and fabrication method
JP2002344029A (ja) 2001-05-17 2002-11-29 Rohm Co Ltd 発光ダイオードの色調調整方法
EP1393374B1 (en) 2001-05-26 2016-08-24 GE Lighting Solutions, LLC High power led lamp for spot illumination
JP3844196B2 (ja) 2001-06-12 2006-11-08 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP2002374007A (ja) 2001-06-15 2002-12-26 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2003007946A (ja) 2001-06-27 2003-01-10 Enomoto Co Ltd 表面実装型led用リードフレーム及びその製造方法
DE10133255A1 (de) 2001-07-09 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul für Beleuchtungsvorrichtungen
TW543128B (en) 2001-07-12 2003-07-21 Highlink Technology Corp Surface mounted and flip chip type LED package
US20030015708A1 (en) 2001-07-23 2003-01-23 Primit Parikh Gallium nitride based diodes with low forward voltage and low reverse current operation
US6617795B2 (en) 2001-07-26 2003-09-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multichip LED package with in-package quantitative and spectral sensing capability and digital signal output
US6700136B2 (en) * 2001-07-30 2004-03-02 General Electric Company Light emitting device package
CN1464953A (zh) 2001-08-09 2003-12-31 松下电器产业株式会社 Led照明装置和卡型led照明光源
CN2498694Y (zh) 2001-08-14 2002-07-03 北京利亚德电子科技有限公司 一种带倾角的led像素模块
CN100477297C (zh) 2001-08-23 2009-04-08 奥村幸康 可调整色温的led灯
US6812481B2 (en) 2001-09-03 2004-11-02 Toyoda Gosei Co., Ltd. LED device and manufacturing method thereof
WO2003021691A1 (en) 2001-09-03 2003-03-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting device, light emitting apparatus and production method for semiconductor light emitting device
US6773139B2 (en) 2001-09-17 2004-08-10 Gelcore Llp Variable optics spot module
JP4067802B2 (ja) 2001-09-18 2008-03-26 松下電器産業株式会社 照明装置
US6739735B2 (en) 2001-09-20 2004-05-25 Illuminated Guidance Systems, Inc. Lighting strip for direction and guidance systems
KR100894372B1 (ko) 2001-10-01 2009-04-22 파나소닉 주식회사 반도체 발광소자와 이를 이용한 발광장치
WO2003034508A1 (en) 2001-10-12 2003-04-24 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacture thereof
US6734465B1 (en) 2001-11-19 2004-05-11 Nanocrystals Technology Lp Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting
US7009627B2 (en) 2001-11-21 2006-03-07 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus, and image signal processing apparatus and drive control apparatus for the same
WO2003044870A1 (fr) 2001-11-22 2003-05-30 Mireille Georges Dispositif optique d'eclairage a diodes electroluminescentes
DE10241989A1 (de) 2001-11-30 2003-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP4009097B2 (ja) 2001-12-07 2007-11-14 日立電線株式会社 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム
KR100439402B1 (ko) 2001-12-24 2004-07-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
US6480389B1 (en) 2002-01-04 2002-11-12 Opto Tech Corporation Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package
JP2003218405A (ja) 2002-01-22 2003-07-31 Alps Electric Co Ltd 電子部品の実装構造及び実装方法
JP4057302B2 (ja) 2002-01-28 2008-03-05 古河電気工業株式会社 レーザダイオードモジュールからなる小型光源
JP3973082B2 (ja) 2002-01-31 2007-09-05 シチズン電子株式会社 両面発光ledパッケージ
US6924514B2 (en) 2002-02-19 2005-08-02 Nichia Corporation Light-emitting device and process for producing thereof
JP2003258305A (ja) 2002-02-27 2003-09-12 Oki Degital Imaging:Kk 半導体素子アレイ
JP3801931B2 (ja) 2002-03-05 2006-07-26 ローム株式会社 Ledチップを使用した発光装置の構造及び製造方法
JP3616608B2 (ja) 2002-03-05 2005-02-02 Necパーソナルプロダクツ株式会社 標的装置
AU2003211644A1 (en) 2002-03-08 2003-09-22 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device using semiconductor chip
JP3924481B2 (ja) 2002-03-08 2007-06-06 ローム株式会社 半導体チップを使用した半導体装置
JP3939177B2 (ja) 2002-03-20 2007-07-04 シャープ株式会社 発光装置の製造方法
CA2419519A1 (en) * 2002-03-27 2003-09-27 Kuraray Co., Ltd. Process for producing diamines
US7262434B2 (en) 2002-03-28 2007-08-28 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device with a silicon carbide substrate and ohmic metal layer
WO2004044877A2 (en) 2002-11-11 2004-05-27 Cotco International Limited A display device and method for making same
CN2549313Y (zh) 2002-04-17 2003-05-07 杨英琪 大厦风扇夜光灯
JP2003324214A (ja) 2002-04-30 2003-11-14 Omron Corp 発光モジュール
US7002546B1 (en) 2002-05-15 2006-02-21 Rockwell Collins, Inc. Luminance and chromaticity control of an LCD backlight
TW546854B (en) 2002-05-21 2003-08-11 Harvatek Corp White light emitting device
DE10223157C1 (de) 2002-05-24 2003-10-23 Max Planck Gesellschaft Induzierte Remineralisation von humanem Zahnschmelz
EP1536487A4 (en) 2002-05-28 2008-02-06 Matsushita Electric Works Ltd LIGHT EMISSION ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE AND THIS USE SURFACE EMISSION LIGHTING DEVICE
CN2549312Y (zh) 2002-05-31 2003-05-07 林志徽 台式触控型薰香灯
JP3707688B2 (ja) 2002-05-31 2005-10-19 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
CN1649766A (zh) 2002-06-11 2005-08-03 安芸电器株式会社 自行车的前照灯以及前照灯电路
JP4002476B2 (ja) 2002-06-18 2007-10-31 ローム株式会社 半導体装置
JP3912607B2 (ja) 2002-06-19 2007-05-09 サンケン電気株式会社 半導体発光装置の製法
TW546799B (en) 2002-06-26 2003-08-11 Lingsen Precision Ind Ltd Packaged formation method of LED and product structure
DE10229067B4 (de) 2002-06-28 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
NO317228B1 (no) 2002-07-01 2004-09-20 Bard Eker Ind Design As Projektor
JP2004047748A (ja) 2002-07-12 2004-02-12 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
JP4118742B2 (ja) 2002-07-17 2008-07-16 シャープ株式会社 発光ダイオードランプおよび発光ダイオード表示装置
WO2004038759A2 (en) 2002-08-23 2004-05-06 Dahm Jonathan S Method and apparatus for using light emitting diodes
JP2004095580A (ja) 2002-08-29 2004-03-25 Citizen Electronics Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP4407204B2 (ja) 2002-08-30 2010-02-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
US7224000B2 (en) 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
KR200299491Y1 (ko) 2002-09-02 2003-01-03 코리아옵토 주식회사 표면실장형 발광다이오드
US7264378B2 (en) 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
JP2004103775A (ja) 2002-09-09 2004-04-02 Eeshikku Kk チップled発光体の製造方法およびチップled発光体
DE10243247A1 (de) 2002-09-17 2004-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leadframe-basiertes Bauelement-Gehäuse, Leadframe-Band, oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
JP2004128057A (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Fuji Photo Film Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2004146815A (ja) 2002-09-30 2004-05-20 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子
US6686609B1 (en) 2002-10-01 2004-02-03 Ultrastar Limited Package structure of surface mounting led and method of manufacturing the same
US7187505B2 (en) 2002-10-07 2007-03-06 Fresnel Technologies, Inc. Imaging lens for infrared cameras
US6717353B1 (en) 2002-10-14 2004-04-06 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor converted light emitting device
US20050288482A1 (en) 2002-10-15 2005-12-29 Masahiro Hamada Process for the production of sulfoalkyl-containing polymers
US6730940B1 (en) 2002-10-29 2004-05-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Enhanced brightness light emitting device spot emitter
US20050082575A1 (en) 2002-10-29 2005-04-21 Lung-Chien Chen Structure and manufacturing method for GaN light emitting diodes
TW200414572A (en) 2002-11-07 2004-08-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd LED lamp
US7180099B2 (en) 2002-11-11 2007-02-20 Oki Data Corporation Semiconductor apparatus with thin semiconductor film
TW578280B (en) 2002-11-21 2004-03-01 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and package scheme and method thereof
DE10255932A1 (de) 2002-11-29 2004-06-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US7692206B2 (en) 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
JP4299535B2 (ja) 2002-12-16 2009-07-22 パナソニック株式会社 発光ダイオード表示装置
JP3716252B2 (ja) 2002-12-26 2005-11-16 ローム株式会社 発光装置及び照明装置
KR100495215B1 (ko) 2002-12-27 2005-06-14 삼성전기주식회사 수직구조 갈륨나이트라이드 발광다이오드 및 그 제조방법
US7148632B2 (en) 2003-01-15 2006-12-12 Luminator Holding, L.P. LED lighting system
JP4633333B2 (ja) 2003-01-23 2011-02-16 株式会社光波 発光装置
CN2617039Y (zh) 2003-02-21 2004-05-19 游尚桦 粘着型led引线架
EP1597777B1 (en) 2003-02-26 2013-04-24 Cree, Inc. Composite white light source and method for fabricating
WO2004077558A1 (de) 2003-02-28 2004-09-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauteil mit strukturiert metallisiertem gehäusekörper, verfahren zur herstellung eines derartigen bauteils und verfahren zur strukturierten metallisierung eines kunststoff enthaltenden körpers
JP4131178B2 (ja) * 2003-02-28 2008-08-13 豊田合成株式会社 発光装置
JP2004266168A (ja) 2003-03-03 2004-09-24 Sanyu Rec Co Ltd 発光体を備えた電子機器及びその製造方法
JP4182783B2 (ja) 2003-03-14 2008-11-19 豊田合成株式会社 Ledパッケージ
USD517025S1 (en) 2003-03-17 2006-03-14 Nichia Corporation Light emitting diode
TW594950B (en) * 2003-03-18 2004-06-21 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and package scheme and method thereof
US20040184272A1 (en) 2003-03-20 2004-09-23 Wright Steven A. Substrate for light-emitting diode (LED) mounting including heat dissipation structures, and lighting assembly including same
US20040188696A1 (en) 2003-03-28 2004-09-30 Gelcore, Llc LED power package
JP4274843B2 (ja) 2003-04-21 2009-06-10 シャープ株式会社 Ledデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびlcd表示装置
KR20040092512A (ko) 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
US7087936B2 (en) 2003-04-30 2006-08-08 Cree, Inc. Methods of forming light-emitting devices having an antireflective layer that has a graded index of refraction
EP2270887B1 (en) 2003-04-30 2020-01-22 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US7528421B2 (en) 2003-05-05 2009-05-05 Lamina Lighting, Inc. Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation
US20070013057A1 (en) 2003-05-05 2007-01-18 Joseph Mazzochette Multicolor LED assembly with improved color mixing
US7095053B2 (en) 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
JP4341951B2 (ja) 2003-05-07 2009-10-14 シチズン電子株式会社 発光ダイオード及びそのパッケージ構造
US7021797B2 (en) 2003-05-13 2006-04-04 Light Prescriptions Innovators, Llc Optical device for repositioning and redistributing an LED's light
JP2004342870A (ja) 2003-05-16 2004-12-02 Stanley Electric Co Ltd 大電流駆動用発光ダイオード
JP2005158957A (ja) 2003-11-25 2005-06-16 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2004356506A (ja) 2003-05-30 2004-12-16 Stanley Electric Co Ltd ガラス封止型発光ダイオード
JP3977774B2 (ja) 2003-06-03 2007-09-19 ローム株式会社 光半導体装置
JP4120813B2 (ja) 2003-06-12 2008-07-16 セイコーエプソン株式会社 光学部品およびその製造方法
US6919584B2 (en) 2003-06-19 2005-07-19 Harvatek Corporation White light source
JP4645071B2 (ja) 2003-06-20 2011-03-09 日亜化学工業株式会社 パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
JP4034241B2 (ja) 2003-06-27 2008-01-16 日本ライツ株式会社 光源装置および光源装置の製造方法
US7683377B2 (en) 2003-07-16 2010-03-23 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and lighting apparatus and display apparatus using the same
TWI312582B (en) 2003-07-24 2009-07-21 Epistar Corporatio Led device, flip-chip led package and light reflecting structure
DE102004001312B4 (de) 2003-07-25 2010-09-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Chip-Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP4360858B2 (ja) 2003-07-29 2009-11-11 シチズン電子株式会社 表面実装型led及びそれを用いた発光装置
US7473934B2 (en) 2003-07-30 2009-01-06 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting module and lighting apparatus
US6876008B2 (en) 2003-07-31 2005-04-05 Lumileds Lighting U.S., Llc Mount for semiconductor light emitting device
JP2005064047A (ja) 2003-08-13 2005-03-10 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2005079167A (ja) 2003-08-28 2005-03-24 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
US7204607B2 (en) 2003-09-16 2007-04-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. LED lamp
JP4140042B2 (ja) 2003-09-17 2008-08-27 スタンレー電気株式会社 蛍光体を用いたled光源装置及びled光源装置を用いた車両前照灯
JP4805829B2 (ja) 2003-09-24 2011-11-02 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング 定義された色温度を有する白色発光led
US6942360B2 (en) 2003-10-01 2005-09-13 Enertron, Inc. Methods and apparatus for an LED light engine
US6995402B2 (en) 2003-10-03 2006-02-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Integrated reflector cup for a light emitting device mount
US20050077535A1 (en) 2003-10-08 2005-04-14 Joinscan Electronics Co., Ltd LED and its manufacturing process
CN2646873Y (zh) 2003-10-16 2004-10-06 上海三思科技发展有限公司 表面贴装式、光轴倾斜的发光二极管
DE10351081A1 (de) 2003-10-31 2005-06-09 Lite-On Technology Co. Weißlicht-emittierende Vorrichtung
JP2005142311A (ja) 2003-11-06 2005-06-02 Tzu-Chi Cheng 発光装置
TWI291770B (en) 2003-11-14 2007-12-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Surface light source device and light emitting diode
JP4231391B2 (ja) 2003-11-19 2009-02-25 パナソニック株式会社 半導体装置用リードフレームとそれを用いた面発光装置
JP2005191530A (ja) 2003-12-03 2005-07-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
US7196459B2 (en) 2003-12-05 2007-03-27 International Resistive Co. Of Texas, L.P. Light emitting assembly with heat dissipating support
AU2004300444B2 (en) 2003-12-11 2009-06-11 Signify North America Corporation Thermal management methods and apparatus for lighting devices
US6932497B1 (en) 2003-12-17 2005-08-23 Jean-San Huang Signal light and rear-view mirror arrangement
JP2005183531A (ja) 2003-12-17 2005-07-07 Sharp Corp 半導体発光装置
US7102152B2 (en) 2004-10-14 2006-09-05 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material
JP4442216B2 (ja) 2003-12-19 2010-03-31 豊田合成株式会社 Ledランプ装置
US7321161B2 (en) 2003-12-19 2008-01-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LED package assembly with datum reference feature
KR100576855B1 (ko) 2003-12-20 2006-05-10 삼성전기주식회사 고출력 플립 칩 발광다이오드
JP4370158B2 (ja) 2003-12-24 2009-11-25 シャープ株式会社 光結合器およびそれを用いた電子機器
TWI239108B (en) 2004-01-19 2005-09-01 Chi Mei Optoelectronics Corp LED array and direct type back light module
JP2005223222A (ja) 2004-02-06 2005-08-18 Toyoda Gosei Co Ltd 固体素子パッケージ
US7675231B2 (en) 2004-02-13 2010-03-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting diode display device comprising a high temperature resistant overlay
JP2005228695A (ja) 2004-02-16 2005-08-25 Seiko Epson Corp 照明装置及びプロジェクタ
US7355562B2 (en) 2004-02-17 2008-04-08 Thomas Schubert Electronic interlocking graphics panel formed of modular interconnecting parts
US20050179041A1 (en) * 2004-02-18 2005-08-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Illumination system with LEDs
JP2005259754A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi 静電破壊防止可能な発光ダイオード装置
US20050199899A1 (en) 2004-03-11 2005-09-15 Ming-Der Lin Package array and package unit of flip chip LED
JP2005259972A (ja) 2004-03-11 2005-09-22 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型led
JP2005310756A (ja) 2004-03-26 2005-11-04 Koito Mfg Co Ltd 光源モジュールおよび車両用前照灯
US20050225976A1 (en) 2004-04-08 2005-10-13 Integrated Illumination Systems, Inc. Marine LED lighting network and driver
WO2005104247A1 (ja) 2004-04-19 2005-11-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led照明光源の製造方法およびled照明光源
JP2005310935A (ja) 2004-04-20 2005-11-04 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子収納用パッケージ
WO2005106973A1 (ja) 2004-04-27 2005-11-10 Kyocera Corporation 発光素子用配線基板
WO2005103199A1 (en) 2004-04-27 2005-11-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same
US20050247944A1 (en) 2004-05-05 2005-11-10 Haque Ashim S Semiconductor light emitting device with flexible substrate
TWM258416U (en) 2004-06-04 2005-03-01 Lite On Technology Corp Power LED package module
US20070295975A1 (en) 2004-06-25 2007-12-27 Sanyo Electric Co., Ltd. Light-Emitting Device
WO2006001221A1 (en) 2004-06-29 2006-01-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Illumination source
WO2006005062A2 (en) 2004-06-30 2006-01-12 Cree, Inc. Chip-scale methods for packaging light emitting devices and chip-scale packaged light emitting devices
KR100616595B1 (ko) 2004-07-02 2006-08-28 삼성전기주식회사 Led 패키지 및 이를 구비한 광원
JP2006019598A (ja) 2004-07-05 2006-01-19 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US7252408B2 (en) 2004-07-19 2007-08-07 Lamina Ceramics, Inc. LED array package with internal feedback and control
US7088059B2 (en) 2004-07-21 2006-08-08 Boca Flasher Modulated control circuit and method for current-limited dimming and color mixing of display and illumination systems
KR101163091B1 (ko) 2004-08-06 2012-07-20 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. Led 램프 시스템
US7476913B2 (en) 2004-08-10 2009-01-13 Renesas Technology Corp. Light emitting device having a mirror portion
JP5060017B2 (ja) 2004-08-12 2012-10-31 セイコーエプソン株式会社 プロジェクタ
JP4547569B2 (ja) 2004-08-31 2010-09-22 スタンレー電気株式会社 表面実装型led
US7173383B2 (en) 2004-09-08 2007-02-06 Emteq, Inc. Lighting apparatus having a plurality of independently controlled sources of different colors of light
JP4747726B2 (ja) 2004-09-09 2011-08-17 豊田合成株式会社 発光装置
EP1794808B1 (en) 2004-09-10 2017-08-09 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having multiple molding resins
WO2006038543A2 (ja) 2004-10-04 2006-04-13 Toshiba Kk 発光装置及びそれを用いた照明器具または液晶表示装置
JP4635551B2 (ja) 2004-10-06 2011-02-23 ソニー株式会社 カラー液晶表示装置
JP5128047B2 (ja) * 2004-10-07 2013-01-23 Towa株式会社 光デバイス及び光デバイスの生産方法
JP2006108517A (ja) 2004-10-08 2006-04-20 Citizen Watch Co Ltd Led接続用基板及びそれを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置
JP4172455B2 (ja) 2004-10-08 2008-10-29 ソニー株式会社 バックライト用光源ユニット、液晶表示用バックライト装置及び透過型カラー液晶表示装置
JP2006114854A (ja) 2004-10-18 2006-04-27 Sharp Corp 半導体発光装置、液晶表示装置用のバックライト装置
KR101080355B1 (ko) 2004-10-18 2011-11-04 삼성전자주식회사 발광다이오드와 그 렌즈
JP2006119357A (ja) 2004-10-21 2006-05-11 Koha Co Ltd 表示装置
EP1653255A3 (en) 2004-10-29 2006-06-21 Pentair Water Pool and Spa, Inc. Selectable beam lens for underwater light
JP2006128512A (ja) 2004-10-29 2006-05-18 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子用セラミック基板
US8816369B2 (en) * 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
US7772609B2 (en) 2004-10-29 2010-08-10 Ledengin, Inc. (Cayman) LED package with structure and materials for high heat dissipation
DE102004053116A1 (de) 2004-11-03 2006-05-04 Tridonic Optoelectronics Gmbh Leuchtdioden-Anordnung mit Farbkonversions-Material
TWI235511B (en) 2004-11-03 2005-07-01 Chipmos Technologies Inc Method of manufacturing light emitting diode package and structure of the same
JP4796293B2 (ja) 2004-11-04 2011-10-19 株式会社 日立ディスプレイズ 照明装置の製造方法
US7303315B2 (en) 2004-11-05 2007-12-04 3M Innovative Properties Company Illumination assembly using circuitized strips
JP4670315B2 (ja) 2004-11-09 2011-04-13 ソニー株式会社 バックライト装置及び表示装置
JP2006140281A (ja) 2004-11-11 2006-06-01 Stanley Electric Co Ltd パワーled及びその製造方法
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US7462502B2 (en) 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
GB2420221B (en) 2004-11-12 2009-09-09 Unity Opto Technology Co Ltd Solid-state semiconductor light emitting device
US7352011B2 (en) 2004-11-15 2008-04-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wide emitting lens for LED useful for backlighting
US7344902B2 (en) * 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
US7119422B2 (en) 2004-11-15 2006-10-10 Unity Opto Technology Co., Ltd. Solid-state semiconductor light emitting device
US7452737B2 (en) 2004-11-15 2008-11-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Molded lens over LED die
CN101061590B (zh) 2004-11-18 2010-05-12 皇家飞利浦电子股份有限公司 发光器及其制造方法
US8017955B2 (en) 2004-11-19 2011-09-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Composite LED modules
TWI243442B (en) * 2004-12-14 2005-11-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Bond positioning method for wire-bonding process and substrate for the bond positioning method
JP2006173271A (ja) 2004-12-14 2006-06-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置、照明装置、携帯通信機器、及びカメラ
WO2006065007A1 (en) 2004-12-16 2006-06-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Leadframe having a heat sink supporting ring, fabricating method of a light emitting diodepackage using the same and light emitting diodepackage fabbricated by the method
JP4902114B2 (ja) 2004-12-16 2012-03-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4591071B2 (ja) 2004-12-20 2010-12-01 日亜化学工業株式会社 半導体装置
US7285802B2 (en) 2004-12-21 2007-10-23 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and method of making same
TWI374553B (en) 2004-12-22 2012-10-11 Panasonic Corp Semiconductor light emitting device, illumination module, illumination apparatus, method for manufacturing semiconductor light emitting device, and method for manufacturing semiconductor light emitting element
US20060139580A1 (en) 2004-12-29 2006-06-29 Conner Arlie R Illumination system using multiple light sources with integrating tunnel and projection systems using same
CN100389503C (zh) 2005-01-07 2008-05-21 北京大学 分立晶粒垂直结构的led芯片制备方法
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
JP5140922B2 (ja) 2005-01-17 2013-02-13 オムロン株式会社 発光光源及び発光光源アレイ
US7221044B2 (en) 2005-01-21 2007-05-22 Ac Led Lighting, L.L.C. Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter
DE102005059362A1 (de) 2005-02-01 2006-09-07 Helmut Dipl.-Ing. Grantz Farblich einstellbare Tageslichtquelle
DE102005041065A1 (de) 2005-02-16 2006-08-24 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungseinrichtung
KR100665117B1 (ko) 2005-02-17 2007-01-09 삼성전기주식회사 Led 하우징 및 그 제조 방법
US7710016B2 (en) 2005-02-18 2010-05-04 Nichia Corporation Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic
US7932111B2 (en) 2005-02-23 2011-04-26 Cree, Inc. Substrate removal process for high light extraction LEDs
TWI255566B (en) 2005-03-04 2006-05-21 Jemitek Electronics Corp Led
US7262438B2 (en) 2005-03-08 2007-08-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED mounting having increased heat dissipation
EP1864339A4 (en) 2005-03-11 2010-12-29 Seoul Semiconductor Co Ltd LIGHT-EMITTING DIODE DIODE WITH PHOTO-EMITTING CELL MATRIX
US7381995B2 (en) 2005-03-16 2008-06-03 Industrial Technology Research Institute Lighting device with flipped side-structure of LEDs
JP2006261375A (ja) 2005-03-17 2006-09-28 Toyoda Gosei Co Ltd Led光源装置
JP4486535B2 (ja) 2005-03-18 2010-06-23 小泉産業株式会社 照明装置および多点光源ユニット
JP4915052B2 (ja) 2005-04-01 2012-04-11 パナソニック株式会社 Led部品およびその製造方法
JP2006294898A (ja) 2005-04-12 2006-10-26 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子収納用パッケージ
WO2006111805A1 (en) 2005-04-16 2006-10-26 Acol Technologies Sa Optical light source having displaced axes
US7994702B2 (en) 2005-04-27 2011-08-09 Prysm, Inc. Scanning beams displays based on light-emitting screens having phosphors
JP2006324331A (ja) 2005-05-17 2006-11-30 Sony Corp 発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに窒化物系iii−v族化合物半導体の成長方法ならびに窒化物系iii−v族化合物半導体成長用基板ならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器
US7989827B2 (en) 2005-05-19 2011-08-02 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Multichip light emitting diode package
JP2006324589A (ja) 2005-05-20 2006-11-30 Sharp Corp Led装置およびその製造方法
JP2006332234A (ja) 2005-05-25 2006-12-07 Hitachi Aic Inc 反射機能を有するled装置
US8272757B1 (en) 2005-06-03 2012-09-25 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diode lamp capable of high AC/DC voltage operation
CN1874011A (zh) 2005-06-03 2006-12-06 邢陈震仑 一种发光二极管装置
JP2006344690A (ja) 2005-06-07 2006-12-21 Fujikura Ltd 発光素子実装用ホーロー基板、発光素子モジュール、照明装置、表示装置及び交通信号機
JP4064412B2 (ja) 2005-06-07 2008-03-19 株式会社フジクラ 発光素子実装用基板および発光素子モジュール
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
US9412926B2 (en) 2005-06-10 2016-08-09 Cree, Inc. High power solid-state lamp
CN101194375B (zh) 2005-06-15 2011-03-23 日亚化学工业株式会社 发光装置
KR100638868B1 (ko) * 2005-06-20 2006-10-27 삼성전기주식회사 금속 반사 층을 형성한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
DE202005021665U1 (de) 2005-06-20 2009-04-02 Austriamicrosystems Ag Stromquellenanordnung
JP2007012323A (ja) 2005-06-28 2007-01-18 Cheil Ind Co Ltd 面光源装置及び液晶表示装置
JP2008545279A (ja) 2005-07-05 2008-12-11 インターナショナル レクティファイアー コーポレイション サージ能力が向上されたショットキーダイオード
JP4645984B2 (ja) 2005-07-05 2011-03-09 株式会社デンソー 排出ガスセンサの劣化検出装置
KR100780198B1 (ko) 2005-07-11 2007-11-27 삼성전기주식회사 색 얼룩 특성이 개선된 led 면 광원 및 이를 구비하는lcd 백라이트 유닛
US7985357B2 (en) * 2005-07-12 2011-07-26 Towa Corporation Method of resin-sealing and molding an optical device
KR100757196B1 (ko) 2005-08-01 2007-09-07 서울반도체 주식회사 실리콘 렌즈를 구비하는 발광소자
JP2007042901A (ja) 2005-08-04 2007-02-15 Rohm Co Ltd 発光モジュールおよび発光ユニット
US7646035B2 (en) 2006-05-31 2010-01-12 Cree, Inc. Packaged light emitting devices including multiple index lenses and multiple index lenses for packaged light emitting devices
US8163580B2 (en) 2005-08-10 2012-04-24 Philips Lumileds Lighting Company Llc Multiple die LED and lens optical system
US20070034886A1 (en) 2005-08-11 2007-02-15 Wong Boon S PLCC package with integrated lens and method for making the package
JP4492486B2 (ja) 2005-08-24 2010-06-30 パナソニック電工株式会社 Ledを用いた照明器具
JP2007059260A (ja) 2005-08-25 2007-03-08 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置及び照明器具
US8563339B2 (en) 2005-08-25 2013-10-22 Cree, Inc. System for and method for closed loop electrophoretic deposition of phosphor materials on semiconductor devices
US7317403B2 (en) 2005-08-26 2008-01-08 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LED light source for backlighting with integrated electronics
JP2007067103A (ja) 2005-08-30 2007-03-15 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオード装置
JP4678388B2 (ja) 2005-09-20 2011-04-27 パナソニック電工株式会社 発光装置
JP2007094088A (ja) 2005-09-29 2007-04-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示装置
CN1945822B (zh) 2005-10-07 2012-05-23 日立麦克赛尔株式会社 半导体器件、半导体模块及半导体模块的制造方法
JP2007109836A (ja) 2005-10-13 2007-04-26 Fuji Electric Holdings Co Ltd プリント配線板
JP4856463B2 (ja) 2005-10-17 2012-01-18 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
DE102005049579A1 (de) 2005-10-17 2007-04-19 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Lichtquelle, die mischfarbiges Licht aussendet, und Verfahren zur Steuerung des Farbortes einer solchen Lichtquelle
US20070096139A1 (en) 2005-11-02 2007-05-03 3M Innovative Properties Company Light emitting diode encapsulation shape control
KR100618941B1 (ko) 2005-11-08 2006-09-01 김성규 투명발광장치 및 그 제조방법
KR101171186B1 (ko) 2005-11-10 2012-08-06 삼성전자주식회사 고휘도 발광 다이오드 및 이를 이용한 액정 표시 장치
JP4724618B2 (ja) 2005-11-11 2011-07-13 株式会社 日立ディスプレイズ 照明装置及びそれを用いた液晶表示装置
JP5166278B2 (ja) * 2005-11-18 2013-03-21 クリー インコーポレイテッド 固体素子照明タイル
US7621655B2 (en) 2005-11-18 2009-11-24 Cree, Inc. LED lighting units and assemblies with edge connectors
JP3992059B2 (ja) 2005-11-21 2007-10-17 松下電工株式会社 発光装置の製造方法
JP2007184542A (ja) 2005-12-09 2007-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置
JP2007165029A (ja) 2005-12-12 2007-06-28 Hitachi Displays Ltd 表示装置
US7213940B1 (en) 2005-12-21 2007-05-08 Led Lighting Fixtures, Inc. Lighting device and lighting method
US7768192B2 (en) 2005-12-21 2010-08-03 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
JP5614766B2 (ja) 2005-12-21 2014-10-29 クリー インコーポレイテッドCree Inc. 照明装置
CN101351891B (zh) 2005-12-22 2014-11-19 科锐公司 照明装置
JP2007201420A (ja) 2005-12-27 2007-08-09 Sharp Corp 半導体発光装置、半導体発光素子、および半導体発光装置の製造方法
JP2007189150A (ja) 2006-01-16 2007-07-26 Enomoto Co Ltd 低背ledデバイス用リードフレーム及びその製造方法
TW200728848A (en) 2006-01-20 2007-08-01 Au Optronics Corp Light diffusion module and backlight module using the same
US7528422B2 (en) 2006-01-20 2009-05-05 Hymite A/S Package for a light emitting element with integrated electrostatic discharge protection
EP2002488A4 (en) 2006-01-20 2012-05-30 Cree Inc DISTRIBUTION OF SPECTRAL CONTENT IN SOLID PHYSICIANS BY SPATIAL SEPARATION OF LUMIPHORIDE FILMS
JP2009087538A (ja) 2006-01-20 2009-04-23 Sharp Corp 光源ユニット、及びそれを用いた照明装置、及びそれを用いた表示装置
US20070170449A1 (en) 2006-01-24 2007-07-26 Munisamy Anandan Color sensor integrated light emitting diode for LED backlight
JP5357379B2 (ja) 2006-02-23 2013-12-04 パナソニック株式会社 発光装置
EP2383560B1 (en) 2006-02-27 2018-08-29 Illumination Management Solutions, Inc. An improved led device for wide beam generation
JP4992250B2 (ja) * 2006-03-01 2012-08-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR100703218B1 (ko) * 2006-03-14 2007-04-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
USD572670S1 (en) 2006-03-30 2008-07-08 Nichia Corporation Light emitting diode
JP2007273763A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2007281323A (ja) 2006-04-11 2007-10-25 Toyoda Gosei Co Ltd Ledデバイス
US9084328B2 (en) 2006-12-01 2015-07-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US8998444B2 (en) 2006-04-18 2015-04-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
US8513875B2 (en) 2006-04-18 2013-08-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
JP2007287981A (ja) 2006-04-18 2007-11-01 Konica Minolta Opto Inc 発光装置
WO2007121486A2 (en) 2006-04-18 2007-10-25 Lamina Lighting, Inc. Optical devices for controlled color mixing
CN101438630B (zh) 2006-04-18 2013-03-27 科锐公司 照明装置及照明方法
US7777166B2 (en) 2006-04-21 2010-08-17 Cree, Inc. Solid state luminaires for general illumination including closed loop feedback control
EP3422425B1 (en) 2006-04-24 2022-02-23 CreeLED, Inc. Side-view surface mount white led
US11210971B2 (en) 2009-07-06 2021-12-28 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Light emitting diode display with tilted peak emission pattern
US7635915B2 (en) 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
US7655957B2 (en) 2006-04-27 2010-02-02 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting device packages and semiconductor light emitting device packages including the same
JP2007299905A (ja) 2006-04-28 2007-11-15 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置
US7829899B2 (en) 2006-05-03 2010-11-09 Cree, Inc. Multi-element LED lamp package
US7722220B2 (en) 2006-05-05 2010-05-25 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
JP4830768B2 (ja) 2006-05-10 2011-12-07 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
US20070269586A1 (en) 2006-05-17 2007-11-22 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing composition
EP2027412B1 (en) 2006-05-23 2018-07-04 Cree, Inc. Lighting device
US7718991B2 (en) 2006-05-23 2010-05-18 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of making
JP5119610B2 (ja) 2006-05-26 2013-01-16 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP4805026B2 (ja) 2006-05-29 2011-11-02 シャープ株式会社 発光装置、表示装置及び発光装置の制御方法
JP4182989B2 (ja) 2006-05-30 2008-11-19 ソニー株式会社 照明装置および液晶表示装置
US8596819B2 (en) 2006-05-31 2013-12-03 Cree, Inc. Lighting device and method of lighting
JP4427552B2 (ja) 2006-05-31 2010-03-10 株式会社地球環境平和センター 情報表示メモリーマーク
KR101044812B1 (ko) 2006-05-31 2011-06-27 가부시키가이샤후지쿠라 발광소자 실장용 기판과 그 제조방법, 발광소자 모듈과 그 제조방법, 표시장치, 조명장치 및 교통 신호기
KR100789951B1 (ko) 2006-06-09 2008-01-03 엘지전자 주식회사 발광 유닛 제작 장치 및 방법
US20070294975A1 (en) 2006-06-22 2007-12-27 Paul Nadar Support panel for removable brackets and the like
TWI319629B (en) 2006-06-27 2010-01-11 Au Optronics Corp Light emitting diode module
KR100904152B1 (ko) 2006-06-30 2009-06-25 서울반도체 주식회사 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지
JP4300223B2 (ja) 2006-06-30 2009-07-22 株式会社 日立ディスプレイズ 照明装置および照明装置を用いた表示装置
EP2041805A1 (en) 2006-07-06 2009-04-01 TIR Technology LP Lighting device package
TWM303325U (en) 2006-07-13 2006-12-21 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting diode package
US7960819B2 (en) 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
JP4151717B2 (ja) 2006-07-21 2008-09-17 ソニー株式会社 光源モジュール、光源装置及び液晶表示装置
CA2554497C (en) 2006-07-28 2010-02-16 Mabe Canada Inc. Blower wheel attachment for clothes dryer
US7804147B2 (en) 2006-07-31 2010-09-28 Cree, Inc. Light emitting diode package element with internal meniscus for bubble free lens placement
US7943952B2 (en) 2006-07-31 2011-05-17 Cree, Inc. Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method
US7820075B2 (en) 2006-08-10 2010-10-26 Intematix Corporation Phosphor composition with self-adjusting chromaticity
US8367945B2 (en) 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
JP4905009B2 (ja) 2006-09-12 2012-03-28 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
US7959329B2 (en) 2006-09-18 2011-06-14 Cree, Inc. Lighting devices, lighting assemblies, fixtures and method of using same
JP4981390B2 (ja) 2006-09-20 2012-07-18 オスラム・メルコ株式会社 Ledランプ
WO2008036873A2 (en) 2006-09-21 2008-03-27 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting assemblies, methods of installing same, and methods of replacing lights
JP5564162B2 (ja) 2006-09-29 2014-07-30 フューチャー ライト リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光ダイオード装置
WO2008045927A2 (en) 2006-10-12 2008-04-17 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of making same
US7862214B2 (en) 2006-10-23 2011-01-04 Cree, Inc. Lighting devices and methods of installing light engine housings and/or trim elements in lighting device housings
TWI313943B (en) 2006-10-24 2009-08-21 Chipmos Technologies Inc Light emitting chip package and manufacturing thereof
KR20080038878A (ko) 2006-10-31 2008-05-07 삼성전자주식회사 광원장치와 이를 포함하는 액정표시장치
USD572210S1 (en) 2006-11-01 2008-07-01 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting diode (LED)
US8029155B2 (en) 2006-11-07 2011-10-04 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US7897980B2 (en) 2006-11-09 2011-03-01 Cree, Inc. Expandable LED array interconnect
JP4264558B2 (ja) 2006-11-10 2009-05-20 ソニー株式会社 バックライト装置、バックライト駆動方法及びカラー画像表示装置
US9605828B2 (en) 2006-11-14 2017-03-28 Cree, Inc. Light engine assemblies
TWI524033B (zh) 2006-11-30 2016-03-01 克里公司 照明設備、照明裝置及用於其之元件
WO2008070607A1 (en) 2006-12-04 2008-06-12 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting assembly and lighting method
JP2008140704A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Stanley Electric Co Ltd Ledバックライト
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
WO2008127460A2 (en) 2006-12-08 2008-10-23 Evident Technologies Light-emitting device having semiconductor nanocrystal complexes
US7902560B2 (en) 2006-12-15 2011-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Tunable white point light source using a wavelength converting element
KR101329413B1 (ko) 2006-12-19 2013-11-14 엘지디스플레이 주식회사 광학 렌즈, 이를 구비하는 광학 모듈 및 이를 구비하는백라이트 유닛
US7687823B2 (en) 2006-12-26 2010-03-30 Nichia Corporation Light-emitting apparatus and method of producing the same
WO2008081794A1 (ja) 2006-12-28 2008-07-10 Nichia Corporation 発光装置およびその製造方法
CN101507004B (zh) 2006-12-28 2011-04-20 日亚化学工业株式会社 发光装置、封装体、发光装置的制造方法、封装体的制造方法以及封装体制造用模具
KR100788265B1 (ko) 2006-12-28 2007-12-27 서울반도체 주식회사 다수의 수직형 발광소자를 구비하는 발광 다이오드 패키지
US7800304B2 (en) 2007-01-12 2010-09-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multi-chip packaged LED light source
JP5106862B2 (ja) 2007-01-15 2012-12-26 昭和電工株式会社 発光ダイオードパッケージ
US7688526B2 (en) 2007-01-18 2010-03-30 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co. Ltd. Light-emitting devices and lens therefor
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8013538B2 (en) 2007-01-26 2011-09-06 Integrated Illumination Systems, Inc. TRI-light
CN100550374C (zh) 2007-01-30 2009-10-14 深圳市联众达光电有限公司 Led封装结构及封装方法
US9944031B2 (en) 2007-02-13 2018-04-17 3M Innovative Properties Company Molded optical articles and methods of making same
TWI481064B (zh) 2007-02-13 2015-04-11 3M Innovative Properties Co 具有透鏡之發光二極體裝置及其製造方法
US20080204366A1 (en) 2007-02-26 2008-08-28 Kane Paul J Broad color gamut display
US20080212332A1 (en) 2007-03-01 2008-09-04 Medinis David M LED cooling system
US7638811B2 (en) 2007-03-13 2009-12-29 Cree, Inc. Graded dielectric layer
US7478922B2 (en) 2007-03-14 2009-01-20 Renaissance Lighting, Inc. Set-point validation for color/intensity settings of light fixtures
JP4970095B2 (ja) 2007-03-19 2012-07-04 富士フイルム株式会社 照明装置及びその発光方法、並びに撮影装置
KR101350605B1 (ko) 2007-03-19 2014-01-10 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그의 구동방법
US7777412B2 (en) 2007-03-22 2010-08-17 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Phosphor converted LED with improved uniformity and having lower phosphor requirements
JP4689637B2 (ja) 2007-03-23 2011-05-25 シャープ株式会社 半導体発光装置
US7568815B2 (en) 2007-03-26 2009-08-04 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light source having a plurality of white LEDs with different output spectra
US7618163B2 (en) 2007-04-02 2009-11-17 Ruud Lighting, Inc. Light-directing LED apparatus
US7964888B2 (en) 2007-04-18 2011-06-21 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device packages and methods
KR101289069B1 (ko) 2007-05-09 2013-07-22 엘지디스플레이 주식회사 2중 렌즈구조의 led 패키지 및 이를 구비한액정표시장치
US7622795B2 (en) 2007-05-15 2009-11-24 Nichepac Technology Inc. Light emitting diode package
US7923831B2 (en) 2007-05-31 2011-04-12 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED-based light source having improved thermal dissipation
KR100801621B1 (ko) 2007-06-05 2008-02-11 서울반도체 주식회사 Led 패키지
DE202007012162U1 (de) 2007-06-05 2008-03-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED-Gehäuse
US7843060B2 (en) 2007-06-11 2010-11-30 Cree, Inc. Droop-free high output light emitting devices and methods of fabricating and operating same
US7999283B2 (en) 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
US7759237B2 (en) 2007-06-28 2010-07-20 Micron Technology, Inc. Method of forming lutetium and lanthanum dielectric structures
US20090008662A1 (en) 2007-07-05 2009-01-08 Ian Ashdown Lighting device package
USD576574S1 (en) 2007-07-17 2008-09-09 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode module
EP2171502B1 (en) 2007-07-17 2016-09-14 Cree, Inc. Optical elements with internal optical features and methods of fabricating same
CN100574543C (zh) 2007-07-30 2009-12-23 深圳莱特光电有限公司 一种暖白光led封装过程中隔离银层的方法
US11114594B2 (en) 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
US7968899B2 (en) 2007-08-27 2011-06-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED light source having improved resistance to thermal cycling
DE102007041136A1 (de) 2007-08-30 2009-03-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Gehäuse
US7791093B2 (en) 2007-09-04 2010-09-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color
JP2007329516A (ja) 2007-09-14 2007-12-20 Sharp Corp 半導体発光装置
CN101388161A (zh) 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
US9012937B2 (en) 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
US8098364B2 (en) 2007-10-19 2012-01-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Exposure apparatus and method for photolithography process
CN201119078Y (zh) 2007-10-26 2008-09-17 精碟科技股份有限公司 可调整色温的发光装置
JP2009117536A (ja) * 2007-11-05 2009-05-28 Towa Corp 樹脂封止発光体及びその製造方法
US8368100B2 (en) 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US7524087B1 (en) 2007-11-16 2009-04-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical device
US8866410B2 (en) 2007-11-28 2014-10-21 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods of manufacturing the same
WO2009074919A1 (en) 2007-12-11 2009-06-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Side emitting device with hybrid top reflector
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
CN101217840B (zh) 2007-12-29 2011-05-25 友达光电股份有限公司 发光二极管光源***的色彩控制方法
US8878219B2 (en) 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8940561B2 (en) 2008-01-15 2015-01-27 Cree, Inc. Systems and methods for application of optical materials to optical elements
US8178888B2 (en) 2008-02-01 2012-05-15 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with high color rendering
JP5212785B2 (ja) 2008-02-22 2013-06-19 スタンレー電気株式会社 車両用前照灯
US8177382B2 (en) 2008-03-11 2012-05-15 Cree, Inc. Apparatus and methods for multiplanar optical diffusers and display panels for using the same
US20090231832A1 (en) 2008-03-15 2009-09-17 Arturas Zukauskas Solid-state lamps with complete conversion in phosphors for rendering an enhanced number of colors
JP5279329B2 (ja) 2008-04-24 2013-09-04 パナソニック株式会社 レンズ付発光ユニット
US8049230B2 (en) 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
EP2123775A1 (en) 2008-05-20 2009-11-25 Stiftung Tierärztliche Hochschule Hannover Analysis for the genetic disposition for hip dysplasia in Canidae
US8348475B2 (en) 2008-05-23 2013-01-08 Ruud Lighting, Inc. Lens with controlled backlight management
WO2010005294A1 (en) 2008-06-15 2010-01-14 Stichting Administratiekantoor Vomgroup A method for manufacturing a lens to be added to a led, and a lens obtained with that method
CN102124263B (zh) 2008-06-25 2013-07-24 克里公司 包括光混合的固态照明装置
US7891835B2 (en) 2008-07-15 2011-02-22 Ruud Lighting, Inc. Light-directing apparatus with protected reflector-shield and lighting fixture utilizing same
KR100924912B1 (ko) 2008-07-29 2009-11-03 서울반도체 주식회사 웜화이트 발광장치 및 그것을 포함하는 백라이트 모듈
GB2458972B (en) 2008-08-05 2010-09-01 Photonstar Led Ltd Thermally optimised led chip-on-board module
JP5284006B2 (ja) 2008-08-25 2013-09-11 シチズン電子株式会社 発光装置
US8022626B2 (en) 2008-09-16 2011-09-20 Osram Sylvania Inc. Lighting module
JP5181982B2 (ja) 2008-09-30 2013-04-10 ソニー株式会社 固体撮像装置及びカメラシステム
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
GB2466633A (en) 2008-12-12 2010-07-07 Glory Science Co Ltd Method of manufacturing a light emitting unit
JP5327601B2 (ja) 2008-12-12 2013-10-30 東芝ライテック株式会社 発光モジュールおよび照明装置
JP2010199547A (ja) 2009-01-30 2010-09-09 Nichia Corp 発光装置及びその製造方法
FI20095567A0 (fi) 2009-05-22 2009-05-22 Ooo Optogan Valonlähteen valmistaminen
US8384114B2 (en) 2009-06-27 2013-02-26 Cooledge Lighting Inc. High efficiency LEDs and LED lamps
US20110049545A1 (en) 2009-09-02 2011-03-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led package with phosphor plate and reflective substrate
CN102032526B (zh) 2009-09-30 2013-08-07 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管模组
US8738711B2 (en) * 2009-11-03 2014-05-27 Oto Technologies, Llc System and method for redirecting client-side storage operations
CN102648426B (zh) 2009-11-05 2015-07-15 鲁米尼特有限责任公司 为封装的高亮度led芯片提供微结构的方法
KR101081069B1 (ko) 2009-12-21 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛
JP5703561B2 (ja) 2009-12-29 2015-04-22 オムロン株式会社 照明装置および照明装置の製造方法
CN102116453A (zh) 2010-01-05 2011-07-06 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 光学透镜以及照明装置
JP5678629B2 (ja) 2010-02-09 2015-03-04 ソニー株式会社 発光装置の製造方法
US9057511B2 (en) 2010-03-03 2015-06-16 Cree, Inc. High efficiency solid state lamp and bulb
US9062830B2 (en) 2010-03-03 2015-06-23 Cree, Inc. High efficiency solid state lamp and bulb
US20110242807A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Aphos Lighting Llc Light cover and illuminating apparatus applying the same
KR101659357B1 (ko) 2010-05-12 2016-09-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자패키지
KR101064036B1 (ko) 2010-06-01 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
CN102418848A (zh) 2010-09-27 2012-04-18 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管灯泡
US8789744B2 (en) 2010-10-19 2014-07-29 Philip Premysler Reflow solderable, surface mount optic mounting
CN103299441B (zh) 2011-01-20 2016-08-10 夏普株式会社 发光装置、照明装置、显示装置以及发光装置的制造方法
WO2012147271A1 (ja) 2011-04-27 2012-11-01 パナソニック株式会社 表示装置
US8957430B2 (en) 2011-06-15 2015-02-17 Cree, Inc. Gel underfill layers for light emitting diodes
US20120327649A1 (en) 2011-06-24 2012-12-27 Xicato, Inc. Led based illumination module with a lens element
US20130056774A1 (en) 2011-09-02 2013-03-07 Phostek, Inc. Lens, package and packaging method for semiconductor light-emitting device
JP2013077798A (ja) 2011-09-14 2013-04-25 Toyoda Gosei Co Ltd ガラス封止ledランプ及びその製造方法
US9777897B2 (en) 2012-02-07 2017-10-03 Cree, Inc. Multiple panel troffer-style fixture
US8889517B2 (en) 2012-04-02 2014-11-18 Jds Uniphase Corporation Broadband dielectric reflectors for LED with varying thickness
US20130328074A1 (en) 2012-06-11 2013-12-12 Cree, Inc. Led package with multiple element light source and encapsulant having planar surfaces
US9887327B2 (en) 2012-06-11 2018-02-06 Cree, Inc. LED package with encapsulant having curved and planar surfaces
US9034672B2 (en) 2012-06-19 2015-05-19 Epistar Corporation Method for manufacturing light-emitting devices
DE102012213343B4 (de) 2012-07-30 2023-08-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEILs MIT SAPHIR-FLIP-CHIP
US20140175473A1 (en) 2012-12-21 2014-06-26 Cree, Inc. Light emitting diodes including light emitting surface barrier layers, and methods of fabricating same
US9318674B2 (en) 2013-02-05 2016-04-19 Cree, Inc. Submount-free light emitting diode (LED) components and methods of fabricating same
US10439107B2 (en) 2013-02-05 2019-10-08 Cree, Inc. Chip with integrated phosphor
JP6148951B2 (ja) 2013-09-26 2017-06-14 住友理工株式会社 流体封入式筒形防振装置
WO2020191110A1 (en) 2019-03-18 2020-09-24 Recorded Future, Inc. Cross-network security evaluation

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07202271A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Matsushita Electric Works Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2004327955A (ja) * 2003-04-09 2004-11-18 Citizen Electronics Co Ltd Ledランプ
JP2004335880A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
JP2003318449A (ja) * 2003-05-20 2003-11-07 Sanyo Electric Co Ltd Led光源及びその製造方法
JP2005347401A (ja) * 2004-06-01 2005-12-15 Meiko:Kk 光素子チップ部品
JP2006019557A (ja) * 2004-07-02 2006-01-19 Fujikura Ltd 発光装置とその実装方法、照明器具及びディスプレイ
WO2006046981A2 (en) * 2004-10-25 2006-05-04 Cree, Inc. Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
JP2007165840A (ja) * 2005-09-09 2007-06-28 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2007243226A (ja) * 2007-06-20 2007-09-20 Sony Corp 光源装置、表示装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9274343B2 (en) 2012-05-02 2016-03-01 Rockwell Automation Safety Ag Lens carrier and optical module for a light curtain and fabrication method
JP2015537387A (ja) * 2012-11-27 2015-12-24 エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag 半導体装置
US9693482B2 (en) 2012-11-27 2017-06-27 Epcos Ag Semiconductor device
JP2014157976A (ja) * 2013-02-18 2014-08-28 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009111395A (ja) 2009-05-21
US20150236219A1 (en) 2015-08-20
US20090108281A1 (en) 2009-04-30
US20210143302A1 (en) 2021-05-13
US9070850B2 (en) 2015-06-30
JP2013093604A (ja) 2013-05-16
EP2056363A2 (en) 2009-05-06
EP2056363A3 (en) 2014-09-10
EP2056363B1 (en) 2022-01-12
US11791442B2 (en) 2023-10-17
US10892383B2 (en) 2021-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11791442B2 (en) Light emitting diode package and method for fabricating same
US8866169B2 (en) LED package with increased feature sizes
US8791471B2 (en) Multi-chip light emitting diode modules
EP2056014B1 (en) LED array and method for fabricating same
US7329905B2 (en) Chip-scale methods for packaging light emitting devices and chip-scale packaged light emitting devices
US7977686B2 (en) Chip-scale methods for packaging light emitting devices and chip-scale packaged light emitting devices
US9082921B2 (en) Multi-die LED package
KR101548022B1 (ko) 웨이퍼 레벨 형광체 코팅 방법 및 이 방법을 이용하여 제조된 소자
US10256385B2 (en) Light emitting die (LED) packages and related methods
JP4325412B2 (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
US9583681B2 (en) Light emitter device packages, modules and methods
JP2016129233A (ja) 発光デバイス用キャリア
JP2007073575A (ja) 半導体発光装置
KR102413224B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130520

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130528

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130828

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140325

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140718

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20140725

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20141003

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150507

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150603

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150702

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150803