JP2006173271A - 半導体発光装置、照明装置、携帯通信機器、及びカメラ - Google Patents

Abstract

【課題】従来よりも色むらの少ない白色光を出力することができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１１０と、前記半導体発光素子１１０を覆う蛍光体１２０とを備え、前記半導体発光素子１１０は、第１の発光出力部と前記第１の発光出力部より発光出力が高い第２の発光出力部とを有し、前記半導体発光素子１１０の主発光面と平行な方向において、前記第１の発光出力部から前記蛍光体１２０の膜厚の最薄部までの距離は、前記半導体発光素子１１０の第２の発光出力部から前記蛍光体１２０の膜厚の最薄部までの距離に比べて短い半導体発光装置１００とした。
【選択図】 図１

Description

本発明は、白色光を出力する半導体発光装置、照明装置、携帯通信機器、及びカメラに関する。

近年、半導体技術の向上に伴い、照明用等の白色光を出力する半導体発光装置の普及が進んでいる（例えは特許文献１、２）。
上記半導体発光装置は、青色光を出力する半導体発光素子と、青色光を補色である黄緑色光に変換する蛍光物質を透光性樹脂に混入させた蛍光体とを備え、半導体発光素子が発光し透光性樹脂を透過する青色光の一部と、蛍光物質により変換される黄緑色光とを、適度な割合で同時に出力することにより、白色に見える光を出力する。
特許第３２５７４５５号公報 特開２０００−２０８８２２号公報

しかしながら、従来の白色光を出力する半導体発光装置において、透光性樹脂に蛍光物質が略均一に混入されているものとすると、透光性樹脂が厚い部分は薄い部分よりも、透過する青色光の割合が少なくなり黄色味がかった色に見えてしまうので、蛍光体の厚さにばらつきがあると色むらが生じてしまうという課題があった。
また、蛍光体の厚さにばらつきが無くても半導体発光素子の発光出力にばらつきがあるため、発光出力が低い部分は発光出力が高い部分よりも、透過する青色光の割合が少なくなり黄色味がかった色に見えてしまうので、色むらが生じてしまうという課題があった。

本発明は、従来よりも色むらの少ない白色光を出力することができる半導体発光装置、照明装置、携帯通信機器、及び、デジタルカメラを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係る半導体発光装置は、半導体発光素子と、前記半導体発光素子を覆う蛍光体とを備え、前記半導体発光素子は、第１の発光出力部と前記第１の発光出力部より発光出力が高い第２の発光出力部とを有し、前記半導体発光素子の主発光面と平行な方向において、前記第１の発光出力部から前記蛍光体の膜厚の最薄部までの距離は、前記半導体発光素子の第２の発光出力部から前記蛍光体の膜厚の最薄部までの距離に比べて短いことを特徴とする。

したがって、出力が低いことによる色特性と、蛍光体が薄いことによる色特性がうち消しあい、色むらを抑えることができる。

課題を解決するための手段に記載した構成により、従来よりも色むらの少ない白色光を出力する半導体発光装置を提供することができる。
ここで、半導体発光装置において、前記第１の発光出力部は、前記半導体発光素子の発光出力が最も低い部分であることを特徴とすることもできる。
これにより、より色むらの少ない白色光を出力する半導体発光装置を提供することができる。

ここで、半導体発光装置において、前記主発光面と平行な面において、前記主発光面の中央部分から前記第１の発光出力部へ向かう方向と、前記主発光面の中央部分から前記蛍光体の膜厚の最薄部へ向かう方向とが一致していることを特徴とすることができる。
これにより、白色光をバランスよく出力することができる。
ここで、半導体発光装置において、前記第１の発光出力部は、半導体発光素子の角部であることを特徴とすることができる。

これにより、第１の発光出力部と最薄部とを近接させやすい。
ここで、半導体発光装置において、前記主発光面は、四角形であることを特徴とすることができる。
これにより、蛍光体が四角形であれば、四辺の最薄部と第１の発光出力部とを近接させやすい。

ここで、半導体発光装置において、前記第１の発光出力部の発光出力は、前記第２の発光出力部の発光出力に対し６０〜８０％であることを特徴とすることができる。
これにより、従来ならば色むらが顕著になる条件の元においても色むらを抑えることができ、特に顕著な効果が得られる。
ここで、半導体発光装置において、前記蛍光体の膜厚の最薄部は、前記蛍光体の膜厚の最厚部に対し６０〜８０％の厚さであることを特徴とすることができる。

これにより、より色むらの少ない白色光を出力する半導体発光装置を提供することができる。
ここで、半導体発光装置において、半導体発光素子は、サブマウントの上に配置されていることを特徴とすることができる。
これにより、このサブマウントを基準にサブマウント上に半導体発光素子と蛍光体との位置関係を定めることができるので、製造が容易となる。

ここで、半導体発光装置において、前記半導体発光素子は、前記サブマウントの上にフリップチップ配置されていることを特徴とすることができる。
これにより、主発光面側に電極がないので、より色むらの少ない白色光を出力する半導体発光装置を提供することができる。
ここで、半導体発光装置において、前記サブマウントの上面に電極と前記電極よりも光の反射率の高い反射膜とが設けられていることを特徴とすることができる。

これにより、電極に反射膜としての機能を持たせる方法よりも、より効果的に半導体発光素子が出力する光を外部に出力することができる。
ここで、半導体発光装置において、サブマウントと、前記サブマウントの上方に位置し、主発光面が四角形の半導体発光素子と、前記半導体発光素子を覆い、主発光面と平行な面が四角形の蛍光体とを有し、前記半導体発光素子の１辺は、前記蛍光体の１辺に対して、４５度ずれていることを特徴とすることができる。

これにより、第１の発光出力部が四隅の部分であり、最薄部が、蛍光体の各四辺のほぼ中央なので、半導体発光素子と蛍光体とを４５°ずらすだけで、第１の発光出力部と最薄部とを容易に近接させるとができる。
ここで、照明装置において、上記半導体発光装置と、前記半導体発光装置の主発光方向に配置されるレンズ部とを備えたことを特徴とする。

これにより、上記半導体発光装置を複数用いたシーリングライトやダウンライト等の室内用照明を始め、スタンド等の卓上用照明、懐中電灯等の携帯用照明、カメラのストロボ等の撮影用照明等の各種照明装置において、従来よりも色むらの少ない白色光を出力することができる。
ここで、携帯通信機器において、上記半導体発光装置、または、上記照明装置を備えたことを特徴とする。

これにより、携帯通信機器の液晶画面のバックライト、携帯通信機器に内蔵するデジタルカメラの静止画用のストロボや動画用の照明等、携帯通信機器において、従来よりも色むらの少ない白色光を出力することができる。したがって、液晶画面のバックライトにおいては色彩を正しく出力でき、また、静止画用のストロボや動画用の照明においては色彩を正しく撮影できるという効果が期待できる。

ここで、カメラにおいて、上記半導体発光装置、または、上記照明装置を備えたことを特徴とする。
これにより、デジタルスチルカメラや銀鉛カメラ用のストロボ、ビデオカメラ用の照明等、各種カメラにおいても、従来よりも色むらの少ない白色光を出力することができ、ひいては正しい色彩で撮影できるという効果が期待できる。

（実施の形態１）
＜構成＞
本発明の実施の形態１に係る半導体発光装置は、半導体発光素子と蛍光体とを相対的に回転させてサブマウント上に配置し、半導体発光素子の最も発光出力が低い部分である第１の発光出力部を、蛍光体の膜厚の最も薄い部分である最薄部と近接させることにより、従来よりも色むらの少ない白色光を出力することができる。

図１（ａ）は、本発明の実施の形態１における半導体発光装置１００の外観を示す斜視図である。なお、本実施の形態１においては、図１（ａ）に示すＸ軸方向を半導体発光装置１００の前後方向（＋側が前側、−側が後ろ側）とし、Ｙ軸方向を左右方向（＋側が左側、−側が右側）とし、Ｚ軸方向を上下方向（＋側が上側、−側が下側）とする。図１（ｂ）は、半導体発光装置１００を、上側（前記Ｚ軸方向＋側）、即ち主に光を出力する方の主面側から見た平面図である。図１（ｃ）は、半導体発光装置１００を、右側（前記Ｙ軸方向−側）から見た側面図である。

図１（ａ）に示すように、本発明の実施の形態１における半導体発光装置１００は、白色光を出力するデバイスであって、半導体発光素子１１０、蛍光体１２０、及びサブマウント１３０を備える。
図２は、半導体発光素子１１０を、上側（前記Ｚ軸方向＋側）、即ち主に光を出力する方の主面（以下、「主発光面」という）側から見た平面図である。

半導体発光素子１１０は、例えばサファイア基板上に、薄層のＧａＮからなるバッファ層が形成され、その上に、ｎ型ＧａＮ層、ｎ型ＡｌＧａＮ下部クラッド層、ノンドープＡｌＧａＩｎＮ系活性層、ｐ型ＡｌＧａＮ上部クラッド層、ｐ型ＧａＮキャップ層が積層形成された青色光を出力する発光ダイオードである。また半導体発光素子１１０は、直方体形状の外形を有し、主発光面の形状が略０．３ｍｍ角の正方形、厚さが０．１ｍｍ程度である。そして、半導体発光素子１１０の主発光面上には、負電極１１１と、正電極１１２とが形成されている。

図３（ａ）は、半導体発光装置１００の概略平面図であり、図１（ｂ）は、半導体発光装置１００の概略右側面図である。
図３に示すように、半導体発光素子１１０は、サブマウント１３０に対して略４５度の角度を付けて、ボンディングペースト１４０により固定されている。
ここで半導体発光素子１１０は、主発光面上において発光出力が最も低い第１の発光出力部と、前記第１の発光出力部より発光出力が高い第２の発光出力部とを有する。主発光面が角部を有する場合、前記角部が第１の発光出力部である。

ここでは主発光面が四角形であるため、四隅にある４箇所の角部が第１の発光出力部である。主発光面がＮ角形の場合には、Ｎ箇所の角部が第１の発光出力部である。なお、角部とは、図３における頂点部分Ａ１〜Ａ４、又は、前記頂点部分Ａ１〜Ａ４を中心とする所定範囲部分（図３（ａ）および（ｂ）における斜線部分）を意味する。
第２の発光出力部は、第１の発光出力部以外の部分全体、又は、前記第１の発光出力部分以外の部分の一部である。ここでは図３（ａ）および（ｂ）における斜線部分以外の部分である。

蛍光体１２０は、半導体発光素子１１０により出力される青色光を、その補色である黄緑色光に変換する蛍光物質（図示せず）を含み、蛍光物質により変換されなかった青色光と、蛍光物質により変換された黄緑色光とを透過する樹脂材料からなる。
図１に示すように、蛍光体１２０は、半導体発光素子１１０の全部とその周辺を覆うようにして、前記半導体発光素子１１０に対して略４５度の角度を付けて、サブマウント１３０上に配置されている。なお、蛍光体１２０は、半導体発光素子１１０の全部を覆っているが、必ずしも全部を覆わなくてもよく、少なくとも発光部分の一部を覆っていればよい。

蛍光体１２０は、四角錐台形状の外形を有し、上面の形状が略０．５２ｍｍ角の正方形、下面の形状が略０．５６ｍｍ角の正方形、厚さが０．２ｍｍ程度である。
図３に示すように、蛍光体１２０は、半導体発光素子１１０の主発光面と平行な方向（前記Ｚ軸と直交する面と平行な方向）において、第１の発光出力部から蛍光体１２０の膜厚の最薄部までの距離が、前記半導体発光素子１１０の第２の発光出力部から前記蛍光体１２０の膜厚の最薄部までの距離に比べて短かくなるように配置されている。

ここで最薄部とは、蛍光体１２０の膜厚の最も薄い部分である。蛍光体１２０の膜厚とは、半導体発光素子１１０を覆う樹脂材料の厚さであって、前記半導体発光素子１１０の外表面から蛍光体１２０の外表面までの距離のことである。膜厚の最も薄い部分とは、蛍光体１２０の外周面における、半導体発光素子１１０の外表面から前記蛍光体１２０の外表面までの距離が最短となる部分である。

図３に示すように、半導体発光素子１１０の主発光面と平行な方向において、半導体発光素子１１０の外表面から蛍光体１２０の外表面までの距離は、距離Ｌ１が最短であるため、最薄部は、Ｂ１〜Ｂ４で示す部分である。最薄部は、半導体発光素子１１０で出力された光が蛍光体１２０内を透過して外部空間へ達するまでの距離が最短の部分であるため、他の部分よりも透過する青色光の割合が多い。

一方、蛍光体１２０の膜厚の最も厚い部分を、前記蛍光体１２０の膜厚の最厚部とする。膜厚の最も厚い部分とは、蛍光体１２０の外周面における、半導体発光素子１１０の外表面から前記蛍光体１２０の外表面までの距離が最長となる部分である。図３に示すように、半導体発光素子１１０の主発光面と平行な方向において、半導体発光素子１１０の外表面から蛍光体１２０の外表面までの距離は距離Ｌ２が最長である。したがって、最厚部は、Ｃ１〜Ｃ４で示す蛍光体１２０の角部である。最厚部は、半導体発光素子１１０で出力された光が蛍光体１２０内を透過して外部空間へ達するまでの距離が最長の部分であるため、他の部分よりも透過する青色光の割合が少ない。

図４（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ変形例に係る半導体発光装置１００を示す概略平面図である。なお、図４においては、実施の形態１と同様の機能を有する装置及び部材には、実施の形態１と同じの符号を付している。
図４（ａ）及び（ｂ）を用いて最薄部をさらに説明すると、例えば図４（ａ）に示すように、蛍光体１２０が平面視長方形の場合、最薄部は、半導体発光素子１１０の頂点部分Ａ１との距離が最短となるＢ１で示す部分、及び、頂点部分Ａ２との距離が最短となるＢ２で示す部分である。また、図４（ｂ）に示すように、蛍光体１２０が平面視楕円形の場合、最薄部は、半導体発光素子１１０の頂点部分Ａ１との距離が最短となるＢ１で示す部分、及び、頂点部分Ａ２との距離が最短となるＢ２で示す部分である。なお、最厚部は、図４（ａ）においてＣ１〜Ｃ４で示す部分、および、図４（ｂ）においてＣ１で示す部分である。

半導体発光装置１００は、第１の発光出力部から蛍光体１２０の膜厚の最薄部までの距離が、前記半導体発光素子１１０の第２の発光出力部から前記蛍光体１２０の膜厚の最薄部までの距離に比べて短かくなるように配置されているため、それぞれの第１の発光出力部が、いずれかの最薄部に、主発光面上の他のいかなる部分よりも近いことになる。したがって、主発光面上において発光出力が最も低い部分である第１の発光出力部が黄色味がかった色に見えてしまうことを防ぐことができる。

より詳しく説明すると、半導体発光素子１１０の四隅の各第１の発光出力部からそれぞれ出力される比較的弱い青色光は、蛍光体の各辺のほぼ中央である各最薄部において、一部が蛍光体により変換されて黄緑色光となるのであるが、この部分は蛍光体が薄いので変換される絶対量が比較的少ない。よって、半導体発光素子１１０が出力する光が過度に変換されて黄色味がかった色に見えてしまうことが抑制され、色むらが減少する。

また、主発光面に対して平行な面において、主発光面の略中央部から第１の発光出力部へ向かう方向と、前記主発光面の中央部分から前記蛍光体の膜厚の最薄部へ向かう方向とが一致していることになり、第１の発光出力部と最薄部とがほぼ重なるので、白色光をバランスよく出力することができる。
なお、第１の発光出力部の発光出力が第２の発光出力部の発光出力に対して６０〜８０％の場合に、特に顕著な効果が得られる。また、蛍光体１２０の膜厚の最薄部が前記蛍光体１２０の膜厚の最厚部に対し６０〜８０％の厚さである場合に、特に顕著な効果が得られる。

さらに、例えば、第１の発光出力部の発光出力が第２の発光出力部の発光出力部の発光出力の６０％であり、蛍光体１２０の最薄部が前記蛍光体１２０の最厚部の６０％の厚さである場合、発光出力が弱いため黄色味がかった色に見えてしまう色特性と、前記蛍光体１２０が薄いことによる色特性とがより効果的にうち消しあって、さらに顕著に色むらを抑えることができる。

上述したように、半導体発光素子１１０の主発光面は四角形であり、蛍光体１２０の前記主発光面と平行な面も四角形である。そして、図３に示すように、半導体発光素子１１０の各辺は、蛍光体１２０の各辺に対して、４５度ずれている。したがって、主発光面の第１の発光出力部を蛍光体１２０の最薄部に近接させやすい。
なお、ここでは、サブマウントと半導体発光素子とが４５度ずれているが、サブマウントと蛍光体とが４５度ずれていてもよい。図５（ａ）は、サブマウント２１０と蛍光体２２０とが４５度ずれている半導体発光装置２００の外観を示す斜視図であり、図５（ｂ）は、前記半導体発光装置２００の平面図であり、図５（ｃ）は、前記半導体発光装置２００の側面図である。

半導体発光素子の主発光面がＮ角形で、蛍光体が平面視Ｎ角形の場合には、半導体発光素子の各辺と蛍光体の各辺とがそれぞれ対応し、それぞれが略１８０／Ｎ°ずれていることになる。よって、半導体発光素子と蛍光体とを１８０／Ｎ°ずらすだけで、第１の発光出力部と最薄部とを容易に近接させるとができる。
図６（ａ）は、組立前のサブマウント１３０を、上側（前記Ｚ軸方向＋側）、即ち半導体発光素子１１０を搭載する搭載面側から見た平面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示したサブマウント１３０のＡ−Ａ'線断面を、右側（前記Ｙ軸方向−側）から見たＡ−Ａ'線縦断面図である。

サブマウント１３０は、半導体発光素子１１０と蛍光体１２０との下に配置されている。サブマウント１３０は、外形が直方体形状であって、主面の形状が略０．６×１．０ｍｍの長方形、厚さが０．２ｍｍ程度である。実施の形態１に係る半導体発光装置１００は、サブマウント１３０を基準に前記サブマウント上に半導体発光素子１１０と蛍光体１２０との位置関係を定めることができるので、製造が容易である。

なお、サブマウント１３０には、ツェナーダイオード、ｐｎダイオード、ｐｉｎダイオード、ショットキーバリアダイオード、トンネルダイオード、及びガンダイオード等の各種ダイオードを用いることができる。
ここでは、保護用ダイオードであるサブマウント１３０と、発光ダイオードである半導体発光素子１１０とを、逆極性の電極同士で接続している。このように発光ダイオードに保護用ダイオードを接続しているため、発光ダイオードに逆方向電圧を印加しようとしても、電流が保護用ダイオードに順方向に流れるので発光ダイオードにはほとんど逆方向電圧が印加されず、また発光ダイオードに過大な順方向電圧を印加しようとしても、保護用ダイオードの逆方向ブレイクダウン電圧（ツェナー電圧）以上の順方向電圧は印加されない。

保護用ダイオードにシリコンダイオードを用いた場合、通常、順方向電圧は約０．９Ｖであるため、逆方向ブレイクダウン電圧を１０Ｖ程度に設定することができる。その結果、ＧａＮ系の発光ダイオードの順方向ブレイクダウン電圧が１００Ｖ程度、逆方向ブレイクダウンが３０Ｖ程度であることから、静電気等による過大な電圧によって発光ダイオードが破壊されるという事態を防ぐことができる。

特に、青色光を出力する発光ダイオードは主にＧａＮ系であり、他のバルク化合物半導体（ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ等）に較べて静電気に弱いので、上記のようにサブマウント１３０を各種のダイオードで構成する効果は大きい。但し、外部からの静電気に対する別の対策が施されている場合や、他のバルク化合物半導体のように静電気に強い半導体発光素子を用いる場合等では、サブマウント１３０は必ずしもダイオードでなくてもよい。

サブマウント１３０は、配置面に電極１３１、電極１３２、及び、反射部１３３が配置されたベース基板１３４を有する。ベース基板１３４は、例えばセラミックやガラスエポキシ樹脂等で形成された絶縁性の平板であり、半導体発光素子１１０及び蛍光体１２０が配置されている側の主面が配置面である。
電極１３１は、半導体発光素子１１０の正電極１１２に、ボンディングワイヤ１４１によって電気的に接続され、同様に、電極１３２は、半導体発光素子１１０の負電極１１１に、ボンディングワイヤ１４２によって電気的に接続される。

ここで電極１３１、及び電極１３２の材質は、エレクトロマイグレーションが起こりにくい等の電極として適している特性を持つ金属である。例えば、電極１３１、及び電極１３２の材質は、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｒｈ（ロジウム）、Ａｌ（アルミニウム）のうちの何れか１つ、複数の組み合わせ、又はこれらを含む合金等である。ここではＡｕであるものとする。

なお、エレクトロマイグレーションとは、電界の影響で、金属成分が非金属媒体の上や中を横切って移動する現象であり、使用時間の経過にともなって電極間の絶縁抵抗値が低下し短絡故障に至る。なお、エレクトロマイグレーションは電界が無ければ発生しない。例えば、光の波長が３４０ｎｍ以上８００ｎｍ以下において反射率が比較的高いＡｇは、特にエレクトロマイグレーションが起こりやすい金属であり、電極としては不適当であり到底使用できない。

反射部１３３は光を反射する反射膜であり、少なくともサブマウント１３０の開放部分に形成され、ここでは電極１３１及び電極１３２の部分を除く配置面のほぼ全面に渡って形成されている。反射部１３３は、電極１３１、及び、電極１３２のいずれにも直接接触しておらず、半導体発光素子１１０により出力される波長帯の光、及び、蛍光体１２０中の蛍光物質により変換される波長帯の光に対する反射率が高い。

反射部１３３の材質は、例えば半導体発光素子１１０により出力される光の波長に応じて、Ａｇ（銀）、又はＡｇを含む合金（Ａｇ−Ｂｉ，Ａｇ−Ｂｉ−Ｎｄ）、や、Ａｌ、又はＡｌを含む合金等を使い分けることが望ましく、ここではＡｇであるものとする。
このようにサブマウントの配置面に、従来からあるＡｕやＡｌ等の電極とは別に、電極よりも反射率の高いＡｇ等の金属からなる反射部１３３を設けているため、その金属が電極として適しているか否かにかかわらず、これを用いて、半導体発光素子が出力する青色光や紫外光、及び、蛍光物質により変換された黄緑色光等を効率良く外部に出力することができる。

また、反射部１３３は、発光時等における電圧の印加が小さいので、電界の影響も小さく、エレクトロマイグレーションが起こりにくい為、エレクトロマイグレーションが起こりやすい等の電極として適していない特性を持っていても構わない。したがって、反射部１３３の材質は、エレクトロマイグレーションが起こりやすい金属であってもよい。
このように、電極とは別に電界の影響を受けないように、反射率が高い材料で反射部を設けることによって、反射率が高い材料がエレクトロマイグレーションが起こり易いか否かにかかわらず、これを用いて、半導体発光素子が出力する青色光や紫外光、及び、蛍光物質により変換された黄緑色光等を効率良く外部に出力することができ、電極に反射膜としての機能を持たせる方法よりも、より効果的に半導体発光素子が出力する光を外部に出力することができる。

ボンディングワイヤ１４１、及びボンディングワイヤ１４２の材質は、例えばＡｕ又はＡｌである。ここではボンディングワイヤ１４１、及びボンディングワイヤ１４２の材質は、Ａｕであるものとする。
実施の形態１に係る半導体発光装置１００の動作及び作用について説明する。
電極１３１と電極１３２との間に電圧を印加すると、電極１３１、ボンディングワイヤ１４１、正電極１１２、負電極１１１、ボンディングワイヤ１４２、電極１３２の順に電流が流れ、半導体発光素子１１０から青色光が出力される。出力された青色光の一部が蛍光体により変換されて黄緑色光となり、蛍光体により変換されなかった青色光と共に出力されて、白色に見える光となる。

＜製造方法＞
図７は、本発明の実施の形態１における半導体発光装置１００の製造方法の概略を示す図である。
以下に図７を用いて、半導体発光装置１００の製造方法を説明する。
（１）セラミックの平板上に、エッチング加工等により、Ａｕで電極１３１と電極１３２とを形成し、Ａｇで反射部１３３を形成して、サブマウント１３０を製造する（ステップＳ１１）。

（２）半導体発光素子１１０のウェハを製造する（ステップＳ１２）。
（３）サブマウント１３０を、ダイボンディング機の所定位置に固定する（ステップＳ１３）。
（４）半導体発光素子１１０を、サブマウント１３０の各辺と半導体発光素子１１０の各辺とが略４５度の位置関係になるように、ダイボンディング機の所定位置に固定する（ステップＳ１４）。

（５）ダイボンディング機において、各サブマウント１３０上のボンディングすべき位置に、ディスペンザ等により適量のボンディングペースト１４０をつける（ステップＳ１５）。なお、ボンディングペースト１４０は、ダイボンディング機へ投入する前にスクリーン印刷等によりまとめて塗布してもよい。
（６）ダイボンディング機で、各サブマウント１３０のボンディング位置に半導体発光素子１１０をダイボンディングする。ここで、サブマウント１３０の各辺と半導体発光素子１１０の各辺とが略４５度の位置関係になるようにダイボンディングする（ステップＳ１６）。

（７）半導体発光素子１１０がダイボンディングされたサブマウント１３０を、ダイボンディング機からワイヤボンディング機へ移送し、ワイヤボンディング機の所定位置に固定する（ステップＳ１７）。
（８）ワイヤボンディング機において、負電極１１１と電極１３２との間をワイヤボンディングしてボンディングワイヤ１４２を生成し、同様に、正電極１１２と電極１３１との間をワイヤボンディングしてボンディングワイヤ１４１を生成する（ステップＳ１８）。

（９）全てのワイヤボンディングが終了したら、これをワイヤボンディング機からポッティング印刷機へ移送する（ステップＳ１９）。
（１０）ポッティング印刷機において、各サブマウント１３０上の半導体発光素子１１０とその周辺を覆うポッティングすべき位置に蛍光体１２０を、四角錐台形状になるようにポッティング印刷する。ここで、蛍光体１２０の各底辺が、サブマウント１３０の各辺と角度を付けず、かつ半導体発光素子１１０の各辺と略４５度の位置関係になるようにポッティング印刷する（ステップＳ１１０）。

（１１）半導体発光装置１００が完成する（ステップＳ１１１）。
＜まとめ＞
以上のように、本発明の実施の形態１の半導体発光装置によれば、半導体発光素子の発光出力が低い第１の発光出力部と、蛍光体の膜厚の薄い最薄部とを近接させたので、出力が低いことによる色特性と、蛍光体が薄いことによる色特性とがうち消しあい、色むらを抑えることができる。

従って、本発明の実施の形態１の半導体発光装置は、従来よりも色むらの少ない白色光を出力することができる。
（実施の形態２）
＜構成＞
実施の形態１が半導体発光素子の主発光面側に電極を有するフェイスアップ型であるのに対し、実施の形態２は半導体発光素子の主発光面の対面側に電極を有するフリップチップ型である点が異なる。

フリップチップ型は主発光面側に電極がないので、フェイスアップ型より色むらの少ない白色光を出力することができる。
図８（ａ）は、本発明の実施の形態２における半導体発光装置４００の外観を示す斜視図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）に示した半導体発光装置４００の平面図であり、図８（ｃ）は、図７（ｂ）に示した半導体発光装置４００のＡ−Ａ'線縦断面図である。

図９は、組立前の半導体発光素子３１０の底面図である。
図１０（ａ）は、組立前のサブマウント４１０の平面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に示したサブマウント４１０のＡ−Ａ'線縦断面図である。
なお、図８〜図１０におけるＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸が示す方向は、図１（ａ）における各軸の定義に準ずる。

図８に示すように、本発明の実施の形態２における半導体発光装置４００は、白色光を出力するデバイスであって、半導体発光素子３１０、蛍光体３２０、及びサブマウント４１０を備える。
図９に示すように、半導体発光素子３１０は、サブマウント４１０に面した一方の主面に負電極３１１と正電極３１２とを備え、もう一方の主面に主に光を出力する主発光部がある。半導体発光素子３１０は、直方体形状の外形を有し、主面の形状が０．３ｍｍ角の正方形、厚さが０．１ｍｍ程度であって、サブマウント４１０上に図８に示すように配置されるものとする。蛍光体３２０は、半導体発光素子３１０の全部とその周辺を覆うように、サブマウント４１０上に図８に示すように配置される。

図１０に示すように、サブマウント４１０は、例えばシリコンを基材とするツェナーダイオード等の保護用ダイオードであるシリコン基板４１６を含み、半導体発光素子３１０と蛍光体３２０との下に配置され、これらが配置されている側のシリコン基板４１６の主面である配置面に、正電極４１１、負電極４１２、反射部４１３、及びマイクロバンプ４２０〜４２４を設け、また配置面の裏側の主面に裏面電極４１４を設け、ｎ型シリコン基板内に選択的にイオン注入を行うことにより、ｐ型半導体領域が正電極４１１の隣接部分に形成されており、配置面側から見て半導体発光素子３１０により遮蔽されない開放部分には少なくとも反射部４１３がある。

またサブマウント４１０の配置面側から見て蛍光体３２０により遮蔽されない部分には、少なくとも正電極４１１があって、その一部がボンディングパッド４１５となる。ここでは、サブマウント４１０は、直方体形状の外形を有し、主面の形状が０．５×０．８ｍｍの長方形、厚さが０．２ｍｍ程度である。
正電極４１１は、半導体発光素子３１０の負電極３１１に、マイクロバンプ４２０によって電気的に接続され、同様に、負電極４１２は、半導体発光素子３１０の正電極３１２に、マイクロバンプ４２１〜４２４によって電気的に接続され、正電極４１１と負電極４１２との間に電圧が印加される。

マイクロバンプ４２０〜４２４は、接続部であって、それぞれ、半導体発光素子と電極とを電気的に接続する導体である。
ここで、正電極４１１、負電極４１２、及び、マイクロバンプ４２０〜４２４を合わせて電極部と称する。電極部は、発光時等における電圧の印加が大きいので、電界の影響も大きく、エレクトロマイグレーションが起こり易い為、エレクトロマイグレーションが起こりにくい金属であることが望ましい。

反射部４１３は光を反射する反射膜であって、半導体発光素子１１０、正電極４１１、及び、負電極４１２のいずれにも直接接触しておらず、発光時における電圧の印加が電極部よりも小さい。
裏面電極４１４の材質は金属であって、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ａｌ、Ａｇのうちの何れか１つ、複数の組み合わせ、又はこれらを含む合金等である。

＜製造方法＞
図１１は、本発明の実施の形態２における半導体発光装置４００の製造方法の概略を示す図である。
以下に図１１を用いて、半導体発光装置４００の製造方法を説明する。なお、実施の形態１の製造方法と、同様の作業を行うステップについては、簡略して説明する。

（１）サブマウント４１０及び半導体発光素子３１０のウェハを製造し、それぞれを所定位置に固定する（ステップＳ１１〜Ｓ１４）。
（２）各サブマウント４１０上の、半導体発光素子３１０をバンプ接続すべき位置に、マイクロバンプ４２０〜４２４を生成する（ステップＳ２１）。
（３）サブマウント４１０に半導体発光素子３１０をバンプ接続する。ここで、サブマウント４１０の各辺と半導体発光素子３１０の各辺とが略４５度の位置関係になるようにバンプ接続する（ステップＳ２２）。

（４）ポッティング印刷機で蛍光体３２０をポッティング印刷し、半導体発光装置４００が完成する（ステップＳ１９〜Ｓ１１１）。
＜まとめ＞
以上のように、本発明の実施の形態２の半導体発光装置によれば、実施の形態１と同様に、半導体発光素子の発光出力が低い第１の発光出力部と、蛍光体の厚さが薄い最薄部とを近接させたので、出力が低いことによる色特性と、蛍光体が薄いことによる色特性とがうち消しあい、色むらを抑えることができる。

従って、本発明の実施の形態２の半導体発光装置は、従来よりも色むらの少ない白色光を出力することができる。
（実施の形態３）
＜構成＞
本発明の実施の形態３は、実施の形態２の半導体発光装置を改良したものであって、反射部等の形状を、半導体発光素子から遠い部分が近い部分よりも、発光方向側に対して高くなるように傾斜させ、半導体発光素子から遠くなる程減衰して弱くなる光を、効率よく回収することにより輝度むらや色むらを抑える半導体発光装置である。

本発明の実施の形態３における半導体発光装置５００は、実施の形態２の半導体発光装置４００と同様に白色光を出力するデバイスであって、半導体発光素子３１０、蛍光体３２０、及びサブマウント５１０を備え、サブマウント４１０がサブマウント５１０に置き換わったものである。
図１２（ａ）は、組立前のサブマウント５１０の平面図であり、図１２（ｂ）は、半導体発光装置５００を、図１２（ａ）に示したサブマウント５１０のＡ−Ａ'の位置において切断したＡ−Ａ'線縦断面図であり、図１２（ｃ）は、半導体発光装置５００を、図１２（ａ）に示したサブマウント５１０のＢ−Ｂ'の位置において切断したＢ−Ｂ'線縦断面図である。なお、図１２におけるＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸が示す方向は、図１（ａ）における各軸の定義に準ずる。

図１２に示すように、本発明の実施の形態３におけるサブマウント５１０は、実施の形態２のサブマウント４１０と同様に、例えばシリコンを基材とするツェナーダイオード等の保護用ダイオードであるシリコン基板５１３を含み、半導体発光素子３１０と蛍光体３２０との下に配置され、これらが配置されている側のシリコン基板５１３の主面である配置面に、正電極５１１、負電極４１２、反射部５１２、及びマイクロバンプ４２０〜４２４を設け、また配置面の裏側の主面に裏面電極４１４を設け、正電極４１１が正電極５１１に、反射部４１３が反射部５１２に置き換わったものである。

正電極５１１は形状のみが正電極４１１と異なり、蛍光体３２０に覆われ、かつ半導体発光素子３１０を配置しない部分において、半導体発光素子から遠い部分が近い部分よりも、発光方向側に対して高くなるように傾斜し、材質等の他の特徴は正電極４１１と同様である。ここで、正電極５１１の蛍光体３２０に覆われていない部分は傾斜していないが、これはボンディングパッド４１５の形状を変えない為であって、この部分を蛍光体３２０に覆われた部分と同様に傾斜させてもよい。

反射部５１２は形状のみが反射部４１３と異なり、少なくとも蛍光体３２０に覆われている部分において、半導体発光素子から遠い部分が近い部分よりも、発光方向側に対して高くなるように傾斜し、材質等の他の特徴は反射部４１３と同様である。
＜製造方法＞
サブマウント５１０の配置面に傾斜を付けるには、例えばポジ型のフォトレジストを傾斜を付ける前のサブマウント上に塗布し、グラデーションマスクを介して露光し、フォトレジストを現像及びリンスすることにより、フォトレジストによる傾斜のある表面形状パターンをこの基板上に形成した後、これをマスクとしてフォトレジストとこの基板に対して異方性ドライエッチングやサンドブラスト等を行い、フォトレジストの表面形状パターンをこの基板表面に掘り写して転写すればよい。

＜まとめ＞
以上のように、本発明の実施の形態３によれば、正電極及び反射部の形状を、少なくとも透光性樹脂に覆われている部分において、半導体発光素子から遠い部分が近い部分よりも、発光方向側に対して高くなるように傾斜させたので、半導体発光素子から遠くなる程減衰して弱くなる光を、効率よく回収することができ、輝度むらや色むらを抑えることができる。
（実施の形態４）
＜構成＞
本発明の実施の形態４は、実施の形態２の半導体発光装置を改良したものであって、反射部の表面に凹凸を設け、表面積を増やすことにより反射効率を向上させ、また乱反射させることにより波長の変換効率を向上させ、さらに、半導体発光素子から遠い部分の凹凸を近い部分の凹凸よりも大きくして、半導体発光素子から遠くなる程減衰して弱くなる光を、遠い部分程多く乱反射させることにより、さらに、輝度むらや色むらを抑える半導体発光装置である。

本発明の実施の形態４における半導体発光装置６００は、実施の形態２の半導体発光装置４００と同様に白色光を出力するデバイスであって、半導体発光素子３１０、蛍光体３２０、及びサブマウント６１０を備え、サブマウント４１０がサブマウント６１０に置き換わったものである。
図１３（ａ）は、組立前のサブマウント６１０の平面図であり、図１３（ｂ）は、半導体発光装置６００を、図１３（ａ）に示したサブマウント６１０のＡ−Ａ'の位置において切断したＡ−Ａ'線縦断面図であり、図１３（ｃ）は、半導体発光装置６００を、図１３（ａ）に示したサブマウント６１０の、Ｂ−Ｂ'の位置において切断したＢ−Ｂ'線縦断面図である。なお、図１３におけるＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸が示す方向は、図１（ａ）における各軸の定義に準ずる。

図１３に示すように、本発明の実施の形態４におけるサブマウント６１０は、実施の形態２のサブマウント４１０と同様に、例えばシリコンを基材とするツェナーダイオード等の保護用ダイオードであるシリコン基板６１２を含み、半導体発光素子３１０と蛍光体３２０との下に配置され、これらが配置されている側のシリコン基板６１２の主面である配置面に、正電極４１１、負電極４１２、反射部６１１、及びマイクロバンプ４２０〜４２４を設け、また配置面の裏側の主面に裏面電極４１４を設け、反射部４１３が反射部６１１に置き換わったものである。

反射部６１１は、表面の形状のみが反射部４１３と異なり、表面に凹凸が有り、半導体発光素子から遠い部分の凹凸が近い部分の凹凸よりも大きく、材質等の他の特徴は反射部４１３と同様である。
ここで正電極には凹凸を設けていないが、反射部６１１と同様に、凹凸を設けてもよい。

＜製造方法＞
サブマウント６１０の配置面に凹凸を付けるには、例えばポジ型のフォトレジストを凹凸を付ける前のサブマウント上に塗布し、グラデーションマスクを介して露光し、フォトレジストを現像及びリンスすることにより、フォトレジストによる凹凸のある表面形状パターンをこの基板上に形成した後、これをマスクとしてフォトレジストとこの基板に対して異方性ドライエッチングやサンドブラスト等を行い、フォトレジストの表面形状パターンをこの基板表面に掘り写して転写すればよい。

＜まとめ＞
以上のように、本発明の実施の形態４によれば、反射部の表面に凹凸を設けたので、表面積が増え反射効率が向上し、また乱反射することにより波長の変換効率が向上する。
さらに、半導体発光素子から遠い部分の凹凸を近い部分の凹凸よりも大きくしたので、半導体発光素子から遠くなる程減衰して弱くなる光を、遠い部分程多く乱反射させることにより、輝度むらや色むらを抑えることができる。

なお、色むらを抑える為には、少なくとも透光性樹脂に覆われ、かつ半導体発光素子を配置しない部分の反射部において凹凸を設ければよく、また少なくとも半導体発光素子が出力する青色光を反射すればよい。
（実施の形態５）
＜構成＞
本発明の実施の形態５は、実施の形態２の半導体発光装置を改良したものであって、反射部の表面に球面を設け、表面積を増やすことにより反射効率を向上させ、また乱反射させることにより波長の変換効率を向上させ、さらに、半導体発光素子から遠い部分の球面の曲率を近い部分よりも大きくして、半導体発光素子から遠くなる程減衰して弱くなる光を、遠い部分程多く乱反射させることにより、さらに、輝度むらや色むらを抑える半導体発光装置である。

本発明の実施の形態５における半導体発光装置７００は、実施の形態２の半導体発光装置４００と同様に白色光を出力するデバイスであって、半導体発光素子３１０、蛍光体３２０、及びサブマウント７１０を備え、サブマウント４１０がサブマウント７１０に置き換わったものである。
図１４（ａ）は、組立前のサブマウント７１０を、半導体発光素子３１０を配置する配置面側から見た斜視図であり、図１４（ｂ）は、半導体発光装置７００を、図１４（ａ）に示したサブマウント７１０のＡ−Ａ'の位置において切断したＡ−Ａ'線縦断面図であり、図１４（ｃ）は、半導体発光装置７００を、図１４（ａ）に示したサブマウント７１０の、Ｂ−Ｂ'の位置において切断したＢ−Ｂ'線縦断面図である。なお、図１４におけるＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸が示す方向は、図１（ａ）における各軸の定義に準ずる。

図１４に示すように、本発明の実施の形態５におけるサブマウント７１０は、実施の形態２のサブマウント４１０と同様に、例えばシリコンを基材とするツェナーダイオード等の保護用ダイオードであるシリコン基板７１２を含み、半導体発光素子３１０と蛍光体３２０との下に配置され、これらが配置されている側のシリコン基板７１２の主面である配置面に、正電極４１１、負電極４１２、反射部７１１、及びマイクロバンプ４２０〜４２４を設け、また配置面の裏側の主面に裏面電極４１４を設け、を備え、反射部４１３が反射部７１１に置き換わったものである。

反射部７１１は、表面の形状のみが反射部４１３と異なり、表面に球面が有り、半導体発光素子から遠い部分の球面の曲率が近い部分よりも大きく、材質等の他の特徴は反射部４１３と同様である。
ここで正電極には球面を設けていないが、反射部７１１と同様に、球面を設けてもよい。

＜製造方法＞
サブマウント７１０に球面を設けるには、例えば、従来のバンプを形成する方法により加工すればよい。
また、サブマウント７１０の配置面に半球の形状を設けるのであれば、例えばポジ型のフォトレジストを半球の形状を設ける前のサブマウント上に塗布し、グラデーションマスクを介して露光し、フォトレジストを現像及びリンスすることにより、フォトレジストによる半球の形状のある表面形状パターンをこの基板上に形成した後、これをマスクとしてフォトレジストとこの基板に対して異方性ドライエッチングやサンドブラスト等を行い、フォトレジストの表面形状パターンをこの基板表面に掘り写して転写すればよい。

＜まとめ＞
以上のように、本発明の実施の形態５によれば、反射部の表面に球面を設けたので、表面積が増え反射効率が向上し、また乱反射することにより波長の変換効率が向上する。
さらに、半導体発光素子から遠い部分の球面の曲率を近い部分よりも大きくしたので、半導体発光素子から遠くなる程減衰して弱くなる光を、遠い部分程多く乱反射させることにより、輝度むらや色むらを抑えることができる。

なお、色むらを抑える為には、少なくとも透光性樹脂に覆われ、かつ半導体発光素子を配置しない部分の反射部において球面を設ければよく、また少なくとも半導体発光素子が出力する青色光を反射すればよい。
（実施の形態６）
本発明の実施の形態６は、本発明の半導体発光装置と、前記半導体発光装置の主発光方向に配置されるレンズ部とを備えた照明装置である。

ここでは、実施の形態２の半導体発光装置４００を用いて説明する。
図１５は、半導体発光装置４００を有する照明装置８００を示す図である。
図１５に示す照明装置８００は、リードフレーム８０１、８０２上に各１個の半導体発光装置４００を、Ａｇペースト８０５を用いてダイボンディングし、リードフレーム８０３、８０４と各半導体発光装置４００上のボンディングパッド４１５とをＡｕ線８０６、８０７によりワイヤーボンディングし、透明エポキシ樹脂８０８によりモールドした後、レンズ部としての全反射パラボラ付きマイクロレンズ８０９を取り付けたものである。

なお、本発明の半導体発光装置を光源とする照明装置は、図１５に示した照明装置８００に限られず、例えば、本発明の半導体発光装置を多数用いたシーリングライトやダウンライト等の室内用照明を始め、スタンド等の卓上用照明、懐中電灯等の携帯用照明、カメラのストロボ等の撮影用照明等のいかなる照明装置であってもよい。
＜まとめ＞
本発明の実施の形態６の照明装置によれば、実施の形態１〜５の半導体発光装置の効果と同様の効果が得られる。特に、従来よりも色むらの少ない白色光を出力することができるので、室内用照明や卓上用照明においては高品質な照明として販売促進効果が期待でき、また、携帯用照明においては色彩を正しく認識できるという効果が期待できる。
（実施の形態７）
本発明の実施の形態７は、本発明の半導体発光装置を照明用光源とする携帯通信機器である。

ここでは、実施の形態６の照明装置８００を用いて説明する。
図１６は、照明装置８００を照明用光源とする携帯通信機器８１０である。
なお、本発明の半導体発光装置を搭載する携帯通信機器は、図１６に示した携帯通信機器８１０に限られず、例えば、本発明の半導体発光装置を、携帯通信機器の液晶画面のバックライト、携帯通信機器に内蔵するデジタルカメラの静止画用のストロボや動画用の照明等のいかなる用途に用いた携帯通信機器であってもよい。

＜まとめ＞
本発明の実施の形態７の携帯通信機器によれば、実施の形態１〜５の半導体発光装置の効果と同様の効果が得られる。特に、従来よりも色むらの少ない白色光を発することができるので、液晶画面のバックライトにおいては色彩を正しく出力でき、また、静止画用のストロボや動画用の照明においては色彩を正しく撮影できるという効果が期待できる。
（実施の形態８）
本発明の実施の形態８は、本発明の半導体発光装置を撮影用光源とするカメラである。

ここでは、実施の形態６の照明装置８００を用いて説明する。
図１７は、照明装置８００を撮影用光源とするカメラ８２０である。
なお、本発明の半導体発光装置を搭載するカメラは、図１７に示したカメラ８２０に限られず、例えば、静止画用のストロボや動画用の照明等に、本発明の半導体発光装置を用いた、デジタルスチルカメラや銀鉛カメラ、ビデオカメラ等の、いかなるカメラであってもよい。

＜まとめ＞
本発明の実施の形態８のカメラによれば、実施の形態１〜５の半導体発光装置の効果と同様の効果が得られる。特に、従来よりも色むらの少ない白色光を出力することができるので、色彩を正しく撮影できるという効果が期待できる。
なお、本発明の半導体発光素子は、青色光を出力する素子に限られず、例えば、紫外光を出力する素子でもよく、この様な場合には、透光性樹脂は、半導体発光素子により出力される紫外光から、青色光と、赤色光と、緑色光とを励起させる蛍光物質を含み、この蛍光物質により励起された青色光と、赤色光と、緑色光とを透過する樹脂材料からなる透光性を備えた蛍光体となる。

本発明は、室内用照明、卓上用照明、携帯用照明、携帯通信機器等の液晶画面のバックライト、及び、各種カメラ用の静止画用のストロボや動画用の照明等に広く適用することができる。

（ａ）は、本発明の実施の形態１における半導体発光装置１００の外観を示す斜視図である。（ｂ）は、（ａ）に示した半導体発光装置１００の平面図である。（ｃ）は、（ｂ）に示した半導体発光装置１００の側面図である。 半導体発光素子１１０の平面図である。 （ａ）は、半導体発光装置１００の概略平面図である。（ｂ）は、半導体発光装置１００の概略側面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、それぞれ変形例に係る半導体発光装置１００を示す概略平面図である。 （ａ）は、サブマウントと蛍光体とを４５度回転させた半導体発光装置２００の外観を示す斜視図である。（ｂ）は、（ａ）に示した半導体発光装置２００の平面図である。（ｃ）は、（ｂ）に示した半導体発光装置２００の側面図である。 （ａ）は、組立前のサブマウント１３０の平面図である。（ｂ）は、（ａ）に示したサブマウント１３０のＡ−Ａ’線縦断面図である。 本発明の実施の形態１における半導体発光装置１００の製造方法の概略を示す図である。 （ａ）は、本発明の実施の形態２における半導体発光装置４００の外観を示す斜視図である。（ｂ）は、（ａ）に示した半導体発光装置４００の平面図である。（ｃ）は、（ｂ）に示した半導体発光装置４００のＡ−Ａ’線縦断面図である。 組立前の半導体発光素子３１０の底面図である。 （ａ）は、組立前のサブマウント４１０の平面図である。（ｂ）は、（ａ）に示したサブマウント４１０のＡ−Ａ’線縦断面図である。 本発明の実施の形態２における半導体発光装置４００の製造方法の概略を示す図である。 （ａ）は、組立前のサブマウント５１０の平面図である。（ｂ）は、半導体発光装置５００を、（ａ）に示したサブマウント５１０のＡ−Ａ’の位置において切断したＡ−Ａ’線縦断面図である。（ｃ）は、半導体発光装置５００を、（ａ）に示したサブマウント５１０のＢ−Ｂ’の位置において切断したＢ−Ｂ’線縦断面図である。 （ａ）は、組立前のサブマウント６１０の平面図である。（ｂ）は、半導体発光装置６００を、（ａ）に示したサブマウント６１０のＡ−Ａ’の位置において切断したＡ−Ａ’線縦断面図である。（ｃ）は、半導体発光装置６００を、（ａ）に示したサブマウント６１０のＢ−Ｂ’の位置において切断したＢ−Ｂ’線縦断面図である。 （ａ）は、組立前のサブマウント７１０の平面図である。（ｂ）は、半導体発光装置７００を、（ａ）に示したサブマウント７１０のＡ−Ａ’の位置において切断したＡ−Ａ’線縦断面図である。（ｃ）は、半導体発光装置７００を、（ａ）に示したサブマウント７１０のＢ−Ｂ’の位置において切断したＢ−Ｂ’線縦断面断面を示す図である。 半導体発光装置４００を有する照明装置８００を示す図である。 照明装置８００を照明用光源とする携帯通信機器８１０である。 照明装置８００を撮影用光源とするカメラ８２０である。

符号の説明

１００ 半導体発光装置
１１０ 半導体発光素子
１１１ 負電極
１１２ 正電極
１２０ 蛍光体
１３０ サブマウント
１３１ 電極
１３２ 電極
１３３ 反射部
１３４ ベース基板
１４０ ボンディングペースト
１４１ ボンディングワイヤ
１４２ ボンディングワイヤ
２００ 半導体発光装置
２１０ サブマウント
３１０ 半導体発光素子
３１１ 負電極
３１２ 正電極
３２０ 蛍光体
４００ 半導体発光装置
４１０ サブマウント
４１１ 正電極
４１２ 負電極
４１３ 反射部
４１４ 裏面電極
４１５ ボンディングパッド
４１６ シリコン基板
４２０〜４２４ マイクロバンプ
５００ 半導体発光装置
５１０ サブマウント
５１１ 正電極
５１２ 反射部
５１３ シリコン基板
６００ 半導体発光装置
６１０ サブマウント
６１１ 反射部
６１２ シリコン基板
７００ 半導体発光装置
７１０ サブマウント
７１１ 反射部
７１２ シリコン基板
８００ 照明装置
８０１〜８０４ リードフレーム
８０５ ペースト
８０６，８０７ Ａｕ線
８０８ 透明エポキシ樹脂
８０９ マイクロレンズ
８１０ 携帯通信機器
８２０ カメラ

Claims (14)

1. 半導体発光素子と、前記半導体発光素子を覆う蛍光体と、を備え、
   前記半導体発光素子は、第１の発光出力部と前記第１の発光出力部より発光出力が高い第２の発光出力部とを有し、
   前記半導体発光素子の主発光面と平行な方向において、前記第１の発光出力部から前記蛍光体の膜厚の最薄部までの距離は、前記半導体発光素子の第２の発光出力部から前記蛍光体の膜厚の最薄部までの距離に比べて短い半導体発光装置。
2. 前記第１の発光出力部は、前記半導体発光素子の発光出力が最も低い部分である請求項１記載の半導体発光装置。
3. 前記主発光面と平行な面において、前記主発光面の中央部分から前記第１の発光出力部へ向かう方向と、前記主発光面の中央部分から前記蛍光体の膜厚の最薄部へ向かう方向とが一致している請求項１または請求項２に記載の半導体発光装置。
4. 前記第１の発光出力部は、半導体発光素子の角部である請求項１から請求項３のいずれか１項記載の半導体発光装置。
5. 前記主発光面は、四角形である請求項１から請求項４のいずれか１項記載の半導体発光装置。
6. 前記第１の発光出力部の発光出力は、前記第２の発光出力部の発光出力に対し６０〜８０％である請求項１から請求項５のいずれか１項記載の半導体発光装置。
7. 前記蛍光体の膜厚の最薄部は、前記蛍光体の膜厚の最厚部に対し６０〜８０％の厚さである請求項１から請求項６のいずれか１項記載の半導体発光装置。
8. 半導体発光素子は、サブマウントの上に配置されている請求項１から請求項７のいずれか１項記載の半導体発光装置。
9. 前記半導体発光素子は、前記サブマウントの上にフリップチップ配置されている請求項８記載の半導体発光装置。
10. 前記サブマウントの上面に電極と前記電極よりも光の反射率の高い反射膜とが設けられている請求項８または請求項９に記載の半導体発光装置。
11. サブマウントと、
    前記サブマウントの上方に位置し、主発光面が四角形の半導体発光素子と、
    前記半導体発光素子を覆い、主発光面と平行な面が四角形の蛍光体と、を有し、
    前記半導体発光素子の１辺は、前記蛍光体の１辺に対して、４５度ずれている半導体発光装置。
12. 請求項１から請求項１１のいずれか１項記載の半導体発光装置と、前記半導体発光装置の主発光方向に配置されるレンズ部とを備えた照明装置。
13. 請求項１から請求項１１のいずれか１項記載の半導体発光装置、または、請求項１２に記載の照明装置を備えた携帯通信機器。
14. 請求項１から請求項１１のいずれか１項記載の半導体発光装置、または、請求項１２に記載の照明装置を備えたカメラ。

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