JP2007166655A - 電力用半導体素子の駆動装置 - Google Patents
電力用半導体素子の駆動装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007166655A JP2007166655A JP2007024985A JP2007024985A JP2007166655A JP 2007166655 A JP2007166655 A JP 2007166655A JP 2007024985 A JP2007024985 A JP 2007024985A JP 2007024985 A JP2007024985 A JP 2007024985A JP 2007166655 A JP2007166655 A JP 2007166655A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- circuit
- power semiconductor
- drive
- driving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
電圧駆動型半導体素子を含む半導体装置において、どのような特性の半導体素子に対しても特に調整することなく最適な駆動を実現することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】
スイッチング動作における素子状態に応じて変化する電気量の時間変化率を検出し、この検出結果に基づいて、電圧駆動型半導体素子を含む半導体装置を駆動するために、半導体素子のゲートに印加する駆動電圧を半導体素子のスイッチング動作中における複数の素子状態に応じて変化させ、素子の状態の変化のタイミングを複数の素子状態の変化に応じて変化する電流又は電圧に関する電気量の変化率を検出したものに基づいて設定することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
Highレベルとなり、駆動回路2が停止するとともに、NANDゲート14にはJKフリップフロップ11の出力が入力されるためpMOSトランジスタSbのゲート電位は
Lowレベルとなり駆動回路3が起動して抵抗5が有効となる。
Highレベル、K入力はLowレベルに固定されているが図面上では省略されている。
ANDゲート12に入力される。
35と、ターンオフゲート用電源V′と、各駆動回路の動作を制御する制御回路36とが付加された構成となっている。
30,31によって反転して入力され、駆動回路を切り換えるタイミングを決定し、そのタイミングに応じて駆動回路32と駆動回路33とを切り換える論理回路を有する。
ANDゲート42に入力される。
42に入力されるため、RSフリップフロップ43の出力は図6(7)に示したようになり、ターンオフ動作における2番目のスロープの始まりを検出することができる。
Vaが有効となる。
Highレベルとなり、駆動回路2が停止するとともに、NANDゲート14にはJKフリップフロップ11の出力が入力されるためpMOSトランジスタSbのゲート電位は
Lowレベルとなり駆動回路3が起動してゲート駆動電圧Vbが有効となる。
6,36…制御回路、7…スロープ検出回路、8…微分回路又は変化率検出回路、9…波形整形回路、10…タイマー回路、11,41…JKフリップフロップ、12,42,
44,46…ANDゲート、13,43…RSフリップフロップ、14,16…NANDゲート、15,30,31,45…インバータ。
Claims (5)
- 第1抵抗を介して、電力用半導体素子を駆動する第1駆動回路と、
前記第1抵抗より低い抵抗値を有する第2抵抗を介して、前記電力用半導体素子を駆動する第2駆動回路と、
前記電力用半導体素子のゲート電圧の時間変化率を検出するスロープ検出回路と、
前記スロープ検出回路からの出力信号に基づいて、前記第1駆動回路及び前記第2駆動回路の動作を制御する制御装置と、を有する電力用半導体素子の駆動装置であって、
前記制御装置は、前記電力用半導体素子のスイッチング動作時の初期において、前記第1駆動回路が前記電力用半導体素子を駆動するように制御し、
前記制御装置は、前記スロープ検出回路からの前記出力信号に基づいて、前記電力用半導体素子のゲート電圧が一定となるミラー期間中において、前記第2駆動回路が前記電力用半導体素子の駆動を開始するように制御することを特徴とする電力用半導体素子の駆動装置。 - 請求項1記載の電力用半導体素子の駆動装置において、
前記制御装置は、前記スロープ検出回路からの前記出力信号の1番目のパルス信号に基づいて、前記第2駆動回路が前記電力用半導体素子の駆動を開始するように制御することを特徴とする電力用半導体素子の駆動装置。 - 請求項2記載の電力用半導体素子の駆動装置において、
前記電力用半導体素子の駆動装置は、タイマー回路を有し、
前記タイマー回路は、前記スロープ検出回路からの前記出力信号を所定時間だけ遅延させた遅延信号を前記制御回路に出力することを特徴とする電力用半導体素子の駆動装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一に記載の電力用半導体素子の駆動装置において、
前記スロープ検出回路は、前記電力用半導体素子のゲート電圧の時間変化率を検出する変化率検出回路と、前記変化率検出回路からの出力信号の波形を調整する波形整形回路と、を有することを特徴とする電力用半導体素子の駆動装置。 - 電力用半導体素子のターンオン時において、第1抵抗を介して、前記電力用半導体素子を駆動する第1駆動回路と、
前記ターンオン時において、前記第1抵抗より低い抵抗値を有する第2抵抗を介して、前記電力用半導体素子を駆動する第2駆動回路と、
前記電力用半導体素子のターンオフ時において、第3抵抗を介して、前記電力用半導体素子を駆動する第3駆動回路と、
前記ターンオフ時において、前記第3抵抗より低い抵抗値を有する第4抵抗を介して、前記電力用半導体素子を駆動する第4駆動回路と、
前記電力用半導体素子のゲート電圧の時間変化率を検出するスロープ検出回路と、
前記スロープ検出回路からの出力信号に基づいて、前記第1駆動回路及び前記第2駆動回路の動作を制御する第1制御装置と、
前記スロープ検出回路からの前記出力信号に基づいて、前記第3駆動回路及び前記第4駆動回路の動作を制御する第2制御装置と、を有する電力用半導体素子の駆動装置であって、
前記第1制御装置は、前記ターンオン時、前記電力用半導体素子のスイッチング動作時の初期において、前記第1駆動回路が前記電力用半導体素子を駆動するように制御し、
前記第1制御装置は、前記ターンオン時、前記スロープ検出回路からの前記出力信号に基づいて、前記電力用半導体素子のゲート電圧が一定となるミラー期間中において、前記第2駆動回路が前記電力用半導体素子の駆動を開始するように制御し、
前記第2制御装置は、前記ターンオフ時、前記電力用半導体素子のスイッチング動作時の初期において、前記第3駆動回路が前記電力用半導体素子を駆動するように制御し、
前記第2制御装置は、前記ターンオフ時、前記スロープ検出回路からの前記出力信号に基づいて、前記電力用半導体素子のゲート電圧が一定となるミラー期間中において、前記第4駆動回路が前記電力用半導体素子の駆動を開始するように制御することを特徴とする電力用半導体素子の駆動装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007024985A JP2007166655A (ja) | 2007-02-05 | 2007-02-05 | 電力用半導体素子の駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007024985A JP2007166655A (ja) | 2007-02-05 | 2007-02-05 | 電力用半導体素子の駆動装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003041980A Division JP4023336B2 (ja) | 2003-02-14 | 2003-02-20 | 半導体装置の駆動方法および装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007166655A true JP2007166655A (ja) | 2007-06-28 |
Family
ID=38248939
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007024985A Pending JP2007166655A (ja) | 2007-02-05 | 2007-02-05 | 電力用半導体素子の駆動装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007166655A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7592853B2 (en) | 2006-10-18 | 2009-09-22 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd | Drive circuit for insulated gate device |
JP2009273071A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置の駆動装置及びその駆動方法 |
US7859315B2 (en) | 2007-12-06 | 2010-12-28 | Fuji Electric Systems Co., Ltd. | Driver circuit |
WO2013038775A1 (ja) * | 2011-09-13 | 2013-03-21 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体素子のゲート駆動回路、および電力用半導体素子の駆動方法 |
DE102012223088A1 (de) | 2012-02-17 | 2013-08-22 | Mitsubishi Electric Corp. | Leistungsvorrichtungs-Steuerschaltung und Leistungsvorrichtungsschaltung |
JP2014220059A (ja) * | 2013-05-07 | 2014-11-20 | 株式会社ダイヘン | 高周波電源 |
US9490705B2 (en) | 2014-03-06 | 2016-11-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Inverter device and air conditioner |
CN116667834A (zh) * | 2023-07-28 | 2023-08-29 | 深圳市格睿德电气有限公司 | 驱动电路、继电器驱动电路及晶闸管驱动电路 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0818423A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の制御回路 |
JPH0974344A (ja) * | 1995-09-04 | 1997-03-18 | Fuji Electric Co Ltd | 絶縁ゲート半導体素子の駆動回路 |
JPH10304650A (ja) * | 1997-04-22 | 1998-11-13 | Toshiba Corp | 電圧駆動形スイッチ素子のゲート駆動回路 |
JPH11262243A (ja) * | 1998-03-10 | 1999-09-24 | Toshiba Corp | 電圧駆動型電力素子の駆動装置 |
JP2000059189A (ja) * | 1998-08-05 | 2000-02-25 | Toshiba Corp | ゲート回路 |
JP2000232347A (ja) * | 1999-02-08 | 2000-08-22 | Toshiba Corp | ゲート回路及びゲート回路制御方法 |
JP2001045742A (ja) * | 1999-07-29 | 2001-02-16 | Nissan Motor Co Ltd | パワーmos駆動回路 |
JP2002369495A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Nissan Motor Co Ltd | 電圧駆動型素子の駆動回路 |
JP2002369553A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Fuji Electric Co Ltd | 電力用半導体素子のゲート駆動回路 |
JP2003158868A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-05-30 | Nissan Motor Co Ltd | パワー半導体駆動回路 |
-
2007
- 2007-02-05 JP JP2007024985A patent/JP2007166655A/ja active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0818423A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の制御回路 |
JPH0974344A (ja) * | 1995-09-04 | 1997-03-18 | Fuji Electric Co Ltd | 絶縁ゲート半導体素子の駆動回路 |
JPH10304650A (ja) * | 1997-04-22 | 1998-11-13 | Toshiba Corp | 電圧駆動形スイッチ素子のゲート駆動回路 |
JPH11262243A (ja) * | 1998-03-10 | 1999-09-24 | Toshiba Corp | 電圧駆動型電力素子の駆動装置 |
JP2000059189A (ja) * | 1998-08-05 | 2000-02-25 | Toshiba Corp | ゲート回路 |
JP2000232347A (ja) * | 1999-02-08 | 2000-08-22 | Toshiba Corp | ゲート回路及びゲート回路制御方法 |
JP2001045742A (ja) * | 1999-07-29 | 2001-02-16 | Nissan Motor Co Ltd | パワーmos駆動回路 |
JP2002369553A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Fuji Electric Co Ltd | 電力用半導体素子のゲート駆動回路 |
JP2002369495A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Nissan Motor Co Ltd | 電圧駆動型素子の駆動回路 |
JP2003158868A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-05-30 | Nissan Motor Co Ltd | パワー半導体駆動回路 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7592853B2 (en) | 2006-10-18 | 2009-09-22 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd | Drive circuit for insulated gate device |
US7859315B2 (en) | 2007-12-06 | 2010-12-28 | Fuji Electric Systems Co., Ltd. | Driver circuit |
JP2009273071A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置の駆動装置及びその駆動方法 |
WO2013038775A1 (ja) * | 2011-09-13 | 2013-03-21 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体素子のゲート駆動回路、および電力用半導体素子の駆動方法 |
DE102012223088A1 (de) | 2012-02-17 | 2013-08-22 | Mitsubishi Electric Corp. | Leistungsvorrichtungs-Steuerschaltung und Leistungsvorrichtungsschaltung |
US9182772B2 (en) | 2012-02-17 | 2015-11-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Power device control circuit and power device circuit |
JP2014220059A (ja) * | 2013-05-07 | 2014-11-20 | 株式会社ダイヘン | 高周波電源 |
US9490705B2 (en) | 2014-03-06 | 2016-11-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Inverter device and air conditioner |
CN116667834A (zh) * | 2023-07-28 | 2023-08-29 | 深圳市格睿德电气有限公司 | 驱动电路、继电器驱动电路及晶闸管驱动电路 |
CN116667834B (zh) * | 2023-07-28 | 2024-04-19 | 深圳市格睿德电气有限公司 | 驱动电路、继电器驱动电路及晶闸管驱动电路 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4023336B2 (ja) | 半導体装置の駆動方法および装置 | |
JP2007166655A (ja) | 電力用半導体素子の駆動装置 | |
JP6882976B2 (ja) | スイッチング制御回路 | |
US8305122B2 (en) | Laser diode driver | |
US9182772B2 (en) | Power device control circuit and power device circuit | |
KR100392799B1 (ko) | 제어된셧다운제공회로및프리드라이버회로동작방법 | |
US7969237B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
JP2014075694A (ja) | ゲートドライバ、及びスイッチング方法 | |
JP4735429B2 (ja) | 負荷駆動装置 | |
JP2004253582A (ja) | 半導体装置の駆動方法および装置 | |
JP2018157617A (ja) | ゲート電位制御装置 | |
JP6355775B2 (ja) | ゲートドライバ、及びスイッチング方法 | |
KR100942972B1 (ko) | 출력 드라이버 | |
JP2023063081A (ja) | スイッチング回路、dc/dcコンバータおよびその制御回路 | |
JP2017028649A (ja) | 半導体集積回路 | |
US9712148B2 (en) | Switching device driving apparatus | |
CN105553236A (zh) | 驱动电路 | |
JP5447575B2 (ja) | 駆動装置 | |
KR100723526B1 (ko) | 단락 전류를 제어할 수 있는 출력 드라이버 | |
JP2018207276A (ja) | ゲート駆動回路 | |
JP5369987B2 (ja) | ゲート駆動回路 | |
JP4124363B2 (ja) | Pwm出力回路 | |
JP2005073423A (ja) | モータ駆動装置 | |
JP2007116228A (ja) | 誘導性負荷駆動装置および駆動方法 | |
KR100238231B1 (ko) | 반도체장치 및 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090417 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090512 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090710 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091208 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100105 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100208 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100727 |