JP2002369553A - 電力用半導体素子のゲート駆動回路 - Google Patents
電力用半導体素子のゲート駆動回路Info
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- JP2002369553A JP2002369553A JP2001172942A JP2001172942A JP2002369553A JP 2002369553 A JP2002369553 A JP 2002369553A JP 2001172942 A JP2001172942 A JP 2001172942A JP 2001172942 A JP2001172942 A JP 2001172942A JP 2002369553 A JP2002369553 A JP 2002369553A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電力変換器を構成する半導体素子を駆動する
場合における、対向アーム側のダイオードの逆回復時の
電圧変化率（ｄｖ／ｄｔ）を低減する。 【解決手段】 ＩＧＢＴ等からなる電力変換器の下アー
ム側素子Ｔ２の電圧（微分値）を、コンデンサ１１と抵
抗１２との直列回路の抵抗１２により検出し、これをコ
ンパレータ１３にて基準値Ｖｒと比較し、素子Ｔ２の電
圧微分値の方が大きいときは上アーム側ゲート駆動回路
の抵抗値を８と１８の並列抵抗値ではなく抵抗８のみの
値として高抵抗値化し、ｄｖ／ｄｔを低減させる。
場合における、対向アーム側のダイオードの逆回復時の
電圧変化率（ｄｖ／ｄｔ）を低減する。 【解決手段】 ＩＧＢＴ等からなる電力変換器の下アー
ム側素子Ｔ２の電圧（微分値）を、コンデンサ１１と抵
抗１２との直列回路の抵抗１２により検出し、これをコ
ンパレータ１３にて基準値Ｖｒと比較し、素子Ｔ２の電
圧微分値の方が大きいときは上アーム側ゲート駆動回路
の抵抗値を８と１８の並列抵抗値ではなく抵抗８のみの
値として高抵抗値化し、ｄｖ／ｄｔを低減させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、インバータなど
の電力変換器を構成するＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポ
ーラトランジスタ）等の電力用半導体素子のゲート駆動
回路に関する。
の電力変換器を構成するＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポ
ーラトランジスタ）等の電力用半導体素子のゲート駆動
回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３にこの種のＩＧＢＴを用いたインバ
ータ主回路図を示す。
ータ主回路図を示す。
【０００３】同図において、１は直流電源（なお、交流
入力の場合は整流器＋電解コンデンサの構成となる）、
２は直流を交流に変換するインバータで、各アームはＩ
ＧＢＴとこれに逆並列接続されたダイオードなどから構
成される。３Ａ，３ＢはＩＧＢＴのゲート駆動回路（各
素子対応に設けられる）、４はモータなどの負荷であ
る。
入力の場合は整流器＋電解コンデンサの構成となる）、
２は直流を交流に変換するインバータで、各アームはＩ
ＧＢＴとこれに逆並列接続されたダイオードなどから構
成される。３Ａ，３ＢはＩＧＢＴのゲート駆動回路（各
素子対応に設けられる）、４はモータなどの負荷であ
る。
【０００４】図４にゲート駆動回路の具体例を示す。記
号にａを付して上側アーム素子または信号を示し、記号
にｂを付して下側アーム素子または信号を示す。
号にａを付して上側アーム素子または信号を示し、記号
にｂを付して下側アーム素子または信号を示す。
【０００５】５は駆動回路用電源、６，７はＩＧＢＴ
（Ｔ１，Ｔ２）をそれぞれターンオン，ターンオフさせ
るためのスイッチ素子、８，９はターンオン，ターンオ
フ用のゲート抵抗で、スイッチ素子６，７は、上位から
の指令信号Ｓおよび制御部１０からのオン指令信号Ｎま
たはオフ指令信号Ｆによって動作する。
（Ｔ１，Ｔ２）をそれぞれターンオン，ターンオフさせ
るためのスイッチ素子、８，９はターンオン，ターンオ
フ用のゲート抵抗で、スイッチ素子６，７は、上位から
の指令信号Ｓおよび制御部１０からのオン指令信号Ｎま
たはオフ指令信号Ｆによって動作する。
【０００６】また、図５にＩＧＢＴ（Ｔ１）ターンオン
時のコレクタ電流（Ｉｃ）波形と、対向アーム側ダイオ
ード（Ｄ２）の逆回復電圧（Ｖｆ）波形の例を示す。
時のコレクタ電流（Ｉｃ）波形と、対向アーム側ダイオ
ード（Ｄ２）の逆回復電圧（Ｖｆ）波形の例を示す。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】一般に、インバータな
どの電力変換器から発生する放射ノイズのうち、ノイズ
源として支配的なのは、ＩＧＢＴターンオン時における
対向アーム側ダイオードの逆回復時の電圧変化率（ｄｖ
／ｄｔ）である。このｄｖ／ｄｔが高いと、高レベルの
電磁波が放射されることになり、周辺機器が誤動作する
という問題が発生する。定性的にはターンオン用のゲー
ト抵抗値を大きくすればｄｖ／ｄｔを低減できるが、不
必要に大きくするとＩＧＢＴターンオン損失が大きくな
り、効率低下を招く。また、ＩＧＢＴやゲート駆動回路
の内部定数には、特性ばらつきや温度変化による特性変
動があり、さらには、主回路構造や配線方法によっても
このｄｖ／ｄｔ値が変わるため、ｄｖ／ｄｔ値の正確な
管理ができないのが現状である。
どの電力変換器から発生する放射ノイズのうち、ノイズ
源として支配的なのは、ＩＧＢＴターンオン時における
対向アーム側ダイオードの逆回復時の電圧変化率（ｄｖ
／ｄｔ）である。このｄｖ／ｄｔが高いと、高レベルの
電磁波が放射されることになり、周辺機器が誤動作する
という問題が発生する。定性的にはターンオン用のゲー
ト抵抗値を大きくすればｄｖ／ｄｔを低減できるが、不
必要に大きくするとＩＧＢＴターンオン損失が大きくな
り、効率低下を招く。また、ＩＧＢＴやゲート駆動回路
の内部定数には、特性ばらつきや温度変化による特性変
動があり、さらには、主回路構造や配線方法によっても
このｄｖ／ｄｔ値が変わるため、ｄｖ／ｄｔ値の正確な
管理ができないのが現状である。
【０００８】したがって、この発明の課題は、ＩＧＢＴ
ターンオン時の対向アーム側ダイオードの逆回復時のｄ
ｖ／ｄｔを低減することにある。
ターンオン時の対向アーム側ダイオードの逆回復時のｄ
ｖ／ｄｔを低減することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るため、請求項１の発明では、電力変換器を構成する電
力用半導体素子のゲート駆動回路において、前記電力用
半導体素子に印加される電圧の微分値を検出する検出手
段と、この検出値を設定値と比較し検出値が設定値を上
回ったとき所定の出力を出す比較手段と、この比較手段
からの出力に基づき対向アーム側の電力用半導体素子の
ゲート駆動回路のターンオン用ゲート抵抗値を増加させ
るか、または、対向アーム側の電力用半導体素子のゲー
ト・エミッタ間容量を増加させる手段とを備えたことを
特徴とする。
るため、請求項１の発明では、電力変換器を構成する電
力用半導体素子のゲート駆動回路において、前記電力用
半導体素子に印加される電圧の微分値を検出する検出手
段と、この検出値を設定値と比較し検出値が設定値を上
回ったとき所定の出力を出す比較手段と、この比較手段
からの出力に基づき対向アーム側の電力用半導体素子の
ゲート駆動回路のターンオン用ゲート抵抗値を増加させ
るか、または、対向アーム側の電力用半導体素子のゲー
ト・エミッタ間容量を増加させる手段とを備えたことを
特徴とする。
【００１０】つまり、対向アーム側ダイオードの逆回復
時のｄｖ／ｄｔ（素子に印加される電圧の微分値）を検
出し、この値が或る設定値よりも高い場合は、対向アー
ム側のＩＧＢＴのターンオン用ゲート抵抗値またはゲー
ト・エミッタ間容量を大きくする操作を施すことによ
り、ｄｖ／ｄｔを設定値以下に抑制できるようにする。
特性ばらつきや温度変化により、高ｄｖ／ｄｔが印加さ
れる場合でも、速やかにｄｖ／ｄｔを低減できるように
する。
時のｄｖ／ｄｔ（素子に印加される電圧の微分値）を検
出し、この値が或る設定値よりも高い場合は、対向アー
ム側のＩＧＢＴのターンオン用ゲート抵抗値またはゲー
ト・エミッタ間容量を大きくする操作を施すことによ
り、ｄｖ／ｄｔを設定値以下に抑制できるようにする。
特性ばらつきや温度変化により、高ｄｖ／ｄｔが印加さ
れる場合でも、速やかにｄｖ／ｄｔを低減できるように
する。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の第１の実施の形
態を示す回路図である。
態を示す回路図である。
【００１２】図示のように、ＩＧＢＴのコレクタ・エミ
ッタ間にコンデンサ１１と抵抗１２との直列回路を接続
し、ｄｖ／ｄｔが発生するとこれにほぼ比例した変位電
流が流れ、抵抗１２に電圧が発生する。この電圧（微分
値）をコンパレータ１３によりｄｖ／ｄｔの基準値相当
の電圧値Ｖｒと比較する。コンパレータ１３の出力信号
を伝達回路１４により上アーム側に伝達するが、この伝
達回路１４としてはフォトカプラやレベルシフト回路に
よって実現することができる。１５はセットリセットフ
リップフロップ（ＳＲＦＦ）で、ｄｖ／ｄｔが設定値よ
りも高い場合にはセットされ、アンドゲート１６を介し
てスイッチ１７を常にオフとする。
ッタ間にコンデンサ１１と抵抗１２との直列回路を接続
し、ｄｖ／ｄｔが発生するとこれにほぼ比例した変位電
流が流れ、抵抗１２に電圧が発生する。この電圧（微分
値）をコンパレータ１３によりｄｖ／ｄｔの基準値相当
の電圧値Ｖｒと比較する。コンパレータ１３の出力信号
を伝達回路１４により上アーム側に伝達するが、この伝
達回路１４としてはフォトカプラやレベルシフト回路に
よって実現することができる。１５はセットリセットフ
リップフロップ（ＳＲＦＦ）で、ｄｖ／ｄｔが設定値よ
りも高い場合にはセットされ、アンドゲート１６を介し
てスイッチ１７を常にオフとする。
【００１３】これにより、ターンオン用のゲート抵抗値
が抵抗８と１８との並列抵抗値から抵抗８のみの値とな
って、高抵抗値化が実現できる。
が抵抗８と１８との並列抵抗値から抵抗８のみの値とな
って、高抵抗値化が実現できる。
【００１４】その結果、ＩＧＢＴ（Ｔ１）のターンオン
時のｄｉ／ｄｔが低減し、ひいてはダイオード（Ｄ２）
のｄｖ／ｄｔが低減することとなる。また、ＳＲＦＦ１
５は信号Ｔが或る一定期間入力しない場合（インバータ
の運転停止状態）にリセットされるよう、そのリセット
端子にはワンショット回路１９の出力が導入されてい
る。
時のｄｉ／ｄｔが低減し、ひいてはダイオード（Ｄ２）
のｄｖ／ｄｔが低減することとなる。また、ＳＲＦＦ１
５は信号Ｔが或る一定期間入力しない場合（インバータ
の運転停止状態）にリセットされるよう、そのリセット
端子にはワンショット回路１９の出力が導入されてい
る。
【００１５】図２は図１の変形例を示す回路図である。
【００１６】その基本的な動作は図１と同じであるが、
ｄｖ／ｄｔを低減するためにコンデンサ２０を用いる点
が特徴である。
ｄｖ／ｄｔを低減するためにコンデンサ２０を用いる点
が特徴である。
【００１７】すなわち、ＳＲＦＦ１５がセットされると
スイッチ２１がオンし、コンデンサ２０をＩＧＢＴ（Ｔ
１）のゲート・エミッタ間に接続するようにする。これ
により、上記と同様ダイオード（Ｄ２）のｄｖ／ｄｔが
低減されることとなる。
スイッチ２１がオンし、コンデンサ２０をＩＧＢＴ（Ｔ
１）のゲート・エミッタ間に接続するようにする。これ
により、上記と同様ダイオード（Ｄ２）のｄｖ／ｄｔが
低減されることとなる。
【００１８】以上の実施例では、下アーム側ダイオード
のｄｖ／ｄｔを検出して上アーム側のゲート駆動回路を
操作する場合についてのみ説明したが、上アーム側ダイ
オードのｄｖ／ｄｔを検出して下アーム側のゲート駆動
回路を操作する回路も実際に設けられており、上記と同
様に動作させることは勿論である。
のｄｖ／ｄｔを検出して上アーム側のゲート駆動回路を
操作する場合についてのみ説明したが、上アーム側ダイ
オードのｄｖ／ｄｔを検出して下アーム側のゲート駆動
回路を操作する回路も実際に設けられており、上記と同
様に動作させることは勿論である。
【００１９】
【発明の効果】この発明によれば、ＩＧＢＴ，ダイオー
ドおよびゲート駆動回路の特性ばらつきや、温度変化に
よる特性変動や、または主回路構造や配線方法などによ
る相間での差異がある場合でも、ｄｖ／ｄｔを或る値以
下にすることができ、これにより、高い放射ノイズレベ
ルによる周辺機器の誤動作現象などを防止することが可
能となる。
ドおよびゲート駆動回路の特性ばらつきや、温度変化に
よる特性変動や、または主回路構造や配線方法などによ
る相間での差異がある場合でも、ｄｖ／ｄｔを或る値以
下にすることができ、これにより、高い放射ノイズレベ
ルによる周辺機器の誤動作現象などを防止することが可
能となる。
【００２０】また、大容量装置におけるＩＧＢＴ並列接
続の場合の主回路構造上の原因や、並列されるＩＧＢＴ
やダイオードの特性上または駆動上にアンバランスがあ
ることで、或る特定の素子のみに高ｄｖ／ｄｔが印加さ
れる場合でも、この発明によれば、ｄｖ／ｄｔの低減が
可能となる。
続の場合の主回路構造上の原因や、並列されるＩＧＢＴ
やダイオードの特性上または駆動上にアンバランスがあ
ることで、或る特定の素子のみに高ｄｖ／ｄｔが印加さ
れる場合でも、この発明によれば、ｄｖ／ｄｔの低減が
可能となる。
【図１】この発明の第１の実施の形態を示す構成図であ
る。
る。
【図２】この発明の第２の実施の形態を示す構成図であ
る。
る。
【図３】ＩＧＢＴを用いたインバータの従来例を示す構
成図である。
成図である。
【図４】図３のゲート駆動回路例を示す回路図である。
【図５】図４のダイオードにおける逆回復電圧を説明す
るための波形図である。
るための波形図である。
１…直流電源、２…インバータ回路、３Ａ，３Ｂ…ゲー
ト駆動回路、４…モータ（負荷）、５…ゲート駆動回路
用電源、６，７，１７，２１…スイッチ、８，９，１８
…ゲート抵抗、１０…制御回路、１１，２０…コンデン
サ、１２…抵抗、１３…コンパレータ、１４…伝達回
路、１５…セットリセットフリップフロップ（ＳＲＦ
Ｆ）、１６…アンドゲート、１９…ワンショット回路、
Ｔ１，Ｔ２…ＩＧＢＴ、Ｄ１，Ｄ２…ダイオード。
ト駆動回路、４…モータ（負荷）、５…ゲート駆動回路
用電源、６，７，１７，２１…スイッチ、８，９，１８
…ゲート抵抗、１０…制御回路、１１，２０…コンデン
サ、１２…抵抗、１３…コンパレータ、１４…伝達回
路、１５…セットリセットフリップフロップ（ＳＲＦ
Ｆ）、１６…アンドゲート、１９…ワンショット回路、
Ｔ１，Ｔ２…ＩＧＢＴ、Ｄ１，Ｄ２…ダイオード。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０３Ｋ 17/56 Ｈ０３Ｋ 17/56 Ｚ Ｆターム(参考） 5H007 AA03 BB06 CA01 CB04 CB05 CC07 CC23 DB03 5H740 AA05 BA11 BB01 BB05 BB09 BB10 HH05 MM05 5J055 AX25 BX16 CX07 DX09 DX72 EY01 EY10 EY12 EZ10 EZ25 EZ27 EZ32 FX18 FX32 GX01 GX04
Claims (1)
- 【請求項１】 電力変換器を構成する電力用半導体素子
のゲート駆動回路において、 前記電力用半導体素子に印加される電圧の微分値を検出
する検出手段と、この検出値を設定値と比較し検出値が
設定値を上回ったとき所定の出力を出す比較手段と、こ
の比較手段からの出力に基づき対向アーム側の電力用半
導体素子のゲート駆動回路のターンオン用ゲート抵抗値
を増加させるか、または、対向アーム側の電力用半導体
素子のゲート・エミッタ間容量を増加させる手段とを備
えたことを特徴とする電力用半導体素子のゲート駆動回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001172942A JP2002369553A (ja) | 2001-06-07 | 2001-06-07 | 電力用半導体素子のゲート駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001172942A JP2002369553A (ja) | 2001-06-07 | 2001-06-07 | 電力用半導体素子のゲート駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002369553A true JP2002369553A (ja) | 2002-12-20 |
Family
ID=19014487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001172942A Pending JP2002369553A (ja) | 2001-06-07 | 2001-06-07 | 電力用半導体素子のゲート駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002369553A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007166655A (ja) * | 2007-02-05 | 2007-06-28 | Hitachi Ltd | 電力用半導体素子の駆動装置 |
| JP2010233310A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Nissan Motor Co Ltd | 電力変換装置及び電力変換装置の放電方法 |
| WO2010149432A3 (de) * | 2009-06-26 | 2011-07-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur ansteuerung eines rückwärts leitfähigen igbt |
| WO2010149431A3 (de) * | 2009-06-26 | 2011-07-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur ansteuerung eines rückwärts leitfähigen igbt |
| DE102012207147A1 (de) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Ansteuern von Leistungshalbleiterschaltern |
| CN104377941A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-02-25 | 中国电建集团中南勘测设计研究院有限公司 | 一种负载侧控制igbt串联均压电路 |
| CN104377942A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-02-25 | 中国电建集团中南勘测设计研究院有限公司 | 一种高压igbt串联换流均压电路 |
| JP2015211568A (ja) * | 2014-04-28 | 2015-11-24 | 三菱電機株式会社 | ゲート駆動回路 |
| CN112787489A (zh) * | 2019-11-05 | 2021-05-11 | 株式会社日立制作所 | 半导体装置的驱动装置及驱动方法和电力变换装置 |
| WO2023149193A1 (ja) * | 2022-02-02 | 2023-08-10 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電力変換装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61224870A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | パワ−ｍｏｓｆｅｔの駆動回路 |
| JPH05328746A (ja) * | 1992-05-14 | 1993-12-10 | Daikin Ind Ltd | 電圧形スイッチング素子制御方法およびその装置 |
| JPH1032976A (ja) * | 1996-07-16 | 1998-02-03 | Fuji Electric Co Ltd | 自己消弧形半導体素子の駆動回路 |
| JPH10127045A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-15 | Fuji Electric Co Ltd | 電力変換器のゲート駆動回路 |
| JPH10150764A (ja) * | 1996-09-20 | 1998-06-02 | Fuji Electric Co Ltd | 電力変換器におけるゲート駆動回路 |
-
2001
- 2001-06-07 JP JP2001172942A patent/JP2002369553A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61224870A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | パワ−ｍｏｓｆｅｔの駆動回路 |
| JPH05328746A (ja) * | 1992-05-14 | 1993-12-10 | Daikin Ind Ltd | 電圧形スイッチング素子制御方法およびその装置 |
| JPH1032976A (ja) * | 1996-07-16 | 1998-02-03 | Fuji Electric Co Ltd | 自己消弧形半導体素子の駆動回路 |
| JPH10150764A (ja) * | 1996-09-20 | 1998-06-02 | Fuji Electric Co Ltd | 電力変換器におけるゲート駆動回路 |
| JPH10127045A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-15 | Fuji Electric Co Ltd | 電力変換器のゲート駆動回路 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007166655A (ja) * | 2007-02-05 | 2007-06-28 | Hitachi Ltd | 電力用半導体素子の駆動装置 |
| JP2010233310A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Nissan Motor Co Ltd | 電力変換装置及び電力変換装置の放電方法 |
| WO2010149432A3 (de) * | 2009-06-26 | 2011-07-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur ansteuerung eines rückwärts leitfähigen igbt |
| WO2010149431A3 (de) * | 2009-06-26 | 2011-07-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur ansteuerung eines rückwärts leitfähigen igbt |
| DE102012207147B4 (de) * | 2012-04-27 | 2016-01-21 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Ansteuern von Leistungshalbleiterschaltern |
| US8994413B2 (en) | 2012-04-27 | 2015-03-31 | Infineon Technologies Ag | Method for driving power semiconductor switches |
| DE102012207147A1 (de) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Ansteuern von Leistungshalbleiterschaltern |
| JP2015211568A (ja) * | 2014-04-28 | 2015-11-24 | 三菱電機株式会社 | ゲート駆動回路 |
| CN104377941A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-02-25 | 中国电建集团中南勘测设计研究院有限公司 | 一种负载侧控制igbt串联均压电路 |
| CN104377942A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-02-25 | 中国电建集团中南勘测设计研究院有限公司 | 一种高压igbt串联换流均压电路 |
| CN112787489A (zh) * | 2019-11-05 | 2021-05-11 | 株式会社日立制作所 | 半导体装置的驱动装置及驱动方法和电力变换装置 |
| JP2021078166A (ja) * | 2019-11-05 | 2021-05-20 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の駆動装置および駆動方法、並びに電力変換装置 |
| JP7300370B2 (ja) | 2019-11-05 | 2023-06-29 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の駆動装置および駆動方法、並びに電力変換装置 |
| CN112787489B (zh) * | 2019-11-05 | 2023-10-03 | 株式会社日立制作所 | 半导体装置的驱动装置及驱动方法和电力变换装置 |
| WO2023149193A1 (ja) * | 2022-02-02 | 2023-08-10 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電力変換装置 |
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