JP2006286902A - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents

半導体レーザ及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006286902A
JP2006286902A JP2005104448A JP2005104448A JP2006286902A JP 2006286902 A JP2006286902 A JP 2006286902A JP 2005104448 A JP2005104448 A JP 2005104448A JP 2005104448 A JP2005104448 A JP 2005104448A JP 2006286902 A JP2006286902 A JP 2006286902A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor layer
layer
type
semiconductor
quantum dots
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005104448A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4639107B2 (ja
Inventor
Nobuaki Hatori
伸明 羽鳥
Takayuki Yamamoto
剛之 山本
Koji Otsubo
孝二 大坪
Yasuhiko Arakawa
泰彦 荒川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
University of Tokyo NUC
Original Assignee
Fujitsu Ltd
University of Tokyo NUC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd, University of Tokyo NUC filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2005104448A priority Critical patent/JP4639107B2/ja
Priority to EP06250417A priority patent/EP1717919B1/en
Priority to US11/341,588 priority patent/US7522647B2/en
Publication of JP2006286902A publication Critical patent/JP2006286902A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4639107B2 publication Critical patent/JP4639107B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/341—Structures having reduced dimensionality, e.g. quantum wires
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
    • H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/06226—Modulation at ultra-high frequencies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
    • H01S5/3054—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure p-doping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
    • H01S5/3086—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure doping of the active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
    • H01S5/3086—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure doping of the active layer
    • H01S5/309—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure doping of the active layer doping of barrier layers that confine charge carriers in the laser structure, e.g. the barriers in a quantum well structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/341—Structures having reduced dimensionality, e.g. quantum wires
    • H01S5/3412—Structures having reduced dimensionality, e.g. quantum wires quantum box or quantum dash
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34306—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000nm, e.g. InP based 1300 and 1500nm lasers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

【課題】 ｐ型ドープの量子ドット活性層を用いても高速変調動作及び高い信頼性を確保することができる半導体レーザ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２上に真性ＧａＡｓ導波層９が形成され、その上に量子ドット活性層３が形成されている。そして、量子ドット活性層３の中央部上に選択的にｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４が形成されている。このような構造では、ｐｎ接合面の面積が小さく抑えられる。また、量子ドット活性層３のうちレーザ発振に寄与する中心部を加工する必要がないため、高い信頼性が得られる。
【選択図】 図１Ｅ

Description

本発明は、光ファイバ通信用の光源に好適な半導体装置及びその製造方法に関する。
従来、半導体レーザとして、ｎ型基板上にノンドープの量子ドット活性層が形成されたものが用いられている。また、近年では、ノンドープ量子ドット活性層の代わりに、ｐ型ドープ又はｐ型変調ドープ（以下、これらを総称してｐ型ドープという）の量子ドット活性層が形成された半導体レーザに関する研究も開示されている。後者の半導体レーザでは、前者と比較すると、微分利得が増大して変調特性が向上する。また、レーザ光の温度依存性を容易に抑制することができる。このため、後者の半導体レーザは、メトロ系／アクセス系光ファイバ通信用の光源として有望視されている。
ここで、従来の半導体レーザの構造について説明する。従来の半導体レーザの構造は、主にリッジ構造及びハイメサ構造に大別される。図４は、従来のリッジ構造の半導体レーザを示す断面図であり、図５は、従来のハイメサ構造の半導体レーザを示す断面図である。
リッジ構造の半導体レーザでは、図４に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上にｎ型クラッド層１０２が形成され、その上に量子ドット活性層１０３が形成されている。量子ドット活性層１０３では、ノンドープの真性ＧａＡｓ層１０３ｃ、ｐ型ＧａＡｓ層１０３ｄ及びノンドープの真性ＧａＡｓ層１０３ｅが積層されている。そして、真性ＧａＡｓ層１０３ｅ上に、複数のＩｎＡｓ量子ドット１０３ｂが形成されている。更に、ＩｎＡｓ量子ドット１０３ｂを覆うようにして、真性ＧａＡｓ層１０３ｃ、ｐ型ＧａＡｓ層１０３ｄ及び真性ＧａＡｓ層１０３ｅが積層されている。
また、量子ドット活性層１０３の中央部上にｐ型クラッド層１０４が形成され、その上にｐ型コンタクト層１０５が形成されている。更に、量子ドット活性層１０３、ｐ型クラッド層１０４及びｐ型コンタクト層１０５を覆うＳｉＯ2膜１０６が形成されている。ＳｉＯ2膜１０６には、ｐ型コンタクト層１０５の中央部を露出する開口部が形成されており、この開口部内に電極１０７が形成されている。また、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の裏面に電極１０８が形成されている。
一方、ハイメサ構造の半導体レーザでは、図５に示すように、量子ドット活性層１０３が、ｎ型クラッド層１０２の中央部上に形成されている。そして、量子ドット活性層１０３上にｐ型クラッド層１０４及びｐ型コンタクト層１０５が形成されている。
なお、これらのｐ型ドープの量子ドット活性層を備えた半導体レーザについては、研究はなされているが、実用に適したものであるか否かについての報告はされていない。
そして、本願発明者が実際に動作の確認を行ったところ、リッジ構造の半導体レーザでは、１０Ｇｂ／ｓを超える高速変調動作が不可能であった。また、ハイメサ構造の半導体レーザでは、表面非発光再結合等のためにレーザ発振に寄与しない電流成分が発生し、信頼性が低下してしまう。
特開２００４−６３９５７号公報 特開２００３−３０９３２２号公報 特開２００１−１４４３７９号公報 特開平９−１８０８６号公報 62nd Device Research Conferenceの予稿集 講演番号VI.C-4 Japanese Journal of Applied Physics Vol. 43, No. 8B, 2004, pp. L1124-L1126 30th European Conference on Optical Communicationの予稿集 講演番号Th4.3.4
本発明は、ｐ型ドープの量子ドット活性層を用いても高速変調動作及び高い信頼性を確保することができる半導体レーザ及びその製造方法を提供することを目的とする。
本願発明者が、前記課題の原因を究明すべく鋭意検討を重ねた。この結果、従来のリッジ構造の半導体レーザでは、ｐｎ接合面の面積が広くなっているために、大きな寄生容量が存在し、高速変調動作が困難になっていることを見出した。即ち、図４に示すように、リッジ構造の半導体レーザでは、ｎ型クラッド層１０２と量子ドット活性層１０３との接合面がｐｎ接合面となっており、このｐｎ接合面が素子全体にわたって存在している。このため、例えば素子長が５００μｍの半導体レーザでは、寄生容量（静電容量）が数十ｐｆ程度となっている。
一方、従来のハイメサ構造の半導体レーザでは、ｐｎ接合面が素子の中央部のみに存在しているため、例えば素子長が５００μｍの半導体レーザでも、寄生容量は４ｐｆ程度となる。但し、ハイメサ構造の形成のためには、量子ドット活性層１０３を構成する各層をエッチングする必要があるため、表面非発光再結合等が発生してしまう。
そして、本願発明者は、これらの見解に基づいて、以下に示す発明の諸態様に想到した。
本発明に係る半導体レーザには、ｐ型の第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成され、前記第１の半導体層よりもバンドギャップが小さい第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に直接又は間接的に形成され、前記第２の半導体層よりもバンドギャップが小さい量子ドットと、前記量子ドット上に直接又は間接的に形成され、前記量子ドットよりもバンドギャップが大きい第３の半導体層と、前記第３の半導体層上に選択的に形成され、前記第３の半導体層よりもバンドギャップが大きいｎ型の第４の半導体層と、が設けられている。そして、前記第２の半導体層、前記量子ドット及び前記第３の半導体層からなる群から選択された少なくとも１種の導電型がｐ型である。
本発明に係る半導体レーザの製造方法では、ｐ型の第１の半導体層上に、前記第１の半導体層よりもバンドギャップが小さい第２の半導体層を形成した後に、前記第２の半導体層上に直接又は間接的に、前記第２の半導体層よりもバンドギャップが小さい量子ドットを形成する。次に、前記量子ドット上に直接又は間接的に、前記量子ドットよりもバンドギャップが大きい第３の半導体層を形成する。次いで、前記第３の半導体層上に、前記第３の半導体層よりもバンドギャップが大きいｎ型の第４の半導体層を選択的に形成する。但し、前記第２の半導体層、前記量子ドット及び前記第３の半導体層からなる群から選択された少なくとも１種の導電型をｐ型とする。
本発明によれば、ｐ型ドープの量子ドット活性層を用いた場合でも、ｐｎ接合面の面積の増大を抑えることができる。このため、高速変調動作が可能となる。また、量子ドット活性層を構成する膜（層）を加工する必要がないため、高い信頼性を確保することができる。
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。
（第１の実施形態）
先ず、本発明の第１の実施形態について説明する。但し、ここでは、便宜上、半導体レーザの構造については、その製造方法と共に説明する。図１Ａ乃至図１Ｅは、本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザの製造方法を工程準に示す断面図である。
本実施形態では、先ず、図１Ａに示すように、ｐ型ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層２及び不純物を含まない真性ＧａＡｓ導波層９を順次形成する。ｐ型ＧａＡｓ基板１としては、例えば表面が（００１）のものを用いる。また、例えば、ｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層２及び真性ＧａＡｓ導波層９の厚さは、夫々１．４μｍ程度、３６ｎｍ程度とする。
次に、真性ＧａＡｓ導波層９上にｐ型の量子ドット活性層３を形成する。ｐ型の量子ドット活性層３の形成に当たっては、先ず、自己形成法により複数のＩｎＡｓ量子ドット３ａを真性ＧａＡｓ導波層９上に形成する。このとき、図示しないが薄いウェッティング層（ぬれ層）もＩｎＡｓ量子ドット３ａの底部及びその周囲に形成される。次に、ＩｎＡｓ量子ドット３ａを覆うようにして、不純物を含まない真性ＧａＡｓ障壁層３ｂを形成する。真性ＧａＡｓ障壁層３ｂの厚さは、例えば１４ｎｍ程度とする。なお、真性ＧａＡｓ障壁層３ｂを形成する前に、波長を調整するために、ＩｎＡｓ量子ドット３ａの凹凸を埋めるようにＩｎＧａＡｓ層（図示せず）を形成しておくことが好ましい。この場合、真性ＧａＡｓ障壁層３ｂがＩｎＡｓ量子ドット３ａ上に、部分的又は全体的にＩｎＧａＡｓ層を介して形成され、ＩｎＡｓ量子ドット３ａが真性ＧａＡｓ障壁層３ｂにより部分的又は全体的に間接的に覆われることになる。同様に、ＩｎＡｓ量子ドット３ａを形成する前に、波長を調整するために、真性ＧａＡｓ導波層９上にＩｎＧａＡｓ層を形成しておくことが好ましい。この場合、ＩｎＡｓ量子ドット３ａが真性ＧａＡｓ導波層９上にＩｎＧａＡｓ層を介して形成されることになる。１又は２つのＩｎＧａＡｓ層を形成する場合、ＩｎＧａＡｓ層のバンドギャップを、ウェッティング層のそれよりも小さくＩｎＡｓ量子ドットのそれよりも大きなものとする。また、２つのＩｎＧａＡｓ層を形成する場合、両ＩｎＧａＡｓ層間では、これらのバンドギャップの大小関係を限定する必要はない。
真性ＧａＡｓ障壁層３ｂの形成後には、真性ＧａＡｓ障壁層３ｂ上にｐ型ＧａＡｓ障壁層３ｃを形成する。ｐ型ＧａＡｓ障壁層３ｃとしては、ｐ型不純物として、例えばＢｅを５×１０17ｃｍ-3程度含有するものを形成する。また、ｐ型ＧａＡｓ障壁層３ｃの厚さは、例えば１０ｎｍ程度とする。その後、ｐ型ＧａＡｓ障壁層３ｃ上に不純物を含まない真性ＧａＡｓ障壁層３ｄを形成する。真性ＧａＡｓ障壁層３ｄの厚さは、例えば１２ｎｍ程度とする。
続いて、これらと同様のＩｎＡｓ量子ドット３ａ、真性ＧａＡｓ障壁層３ｂ、ｐ型ＧａＡｓ障壁層３ｃ及び真性ＧａＡｓ障壁層３ｄからなる積層体を連続して９組形成する。従って、量子ドット活性層３には、ＩｎＡｓ量子ドット３ａの層が１０層存在することになる。
次に、図１Ｂに示すように、ｐ型の量子ドット活性層３上に、ｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層４及びｎ型ＧａＡｓコンタクト層５を順次形成する。例えば、ｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層４及びｎ型ＧａＡｓコンタクト層５の厚さは、夫々１．４μｍ程度、０．４μｍ程度とする。
これらの半導体層の形成は、例えば分子ビーム成長（ＭＢＥ：molecular beam epitaxy）法により行う。
次いで、図１Ｃに示すように、フォトリソグラフィ及びウェットエッチングにより、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層５及びｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層４をパターニングすることにより、これらからなるリッジメサ部１４を量子ドット活性層３の中央部上にのみ残存させる。ｎ型ＧａＡｓコンタクト層５及びｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層４のパターニングは、例えば時間制御により終了する。
その後、図１Ｄに示すように、量子ドット活性層３の表面、ｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層４の側面、並びにｎ型ＧａＡｓコンタクト層５の表面及び側面を覆うＳｉＯ2膜６を形成する。続いて、ＳｉＯ2膜６にｎ型ＧａＡｓコンタクト層５の表面の一部を露出する開口部６ａを形成する。
そして、図１Ｅに示すように、開口部６ａ内に電流注入用の電極７を形成する。また、ｐ型ＧａＡｓ基板１の裏面に電流注入用の電極８を形成する。これらの電極７及び８は、例えばレーザ加工により形成する。
このようにして製造された半導体レーザにおいては、真性ＧａＡｓ導波層９（第２の半導体層）のバンドギャップがｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層２（第１の半導体層）のものよりも小さい。ＩｎＡｓ量子ドット３ａのバンドギャップが真性ＧａＡｓ導波層９のものよりも小さい。また、真性ＧａＡｓ障壁層３ｂ、ｐ型ＧａＡｓ障壁層３ｃ及び真性ＧａＡｓ障壁層３ｄ（第３の半導体層）のバンドギャップがＩｎＡｓ量子ドット３ａのものよりも大きい。更に、ｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層４（第４の半導体層）のバンドギャップが真性ＧａＡｓ障壁層３ｂ、ｐ型ＧａＡｓ障壁層３ｃ及び真性ＧａＡｓ障壁層３ｄ（第３の半導体層）のものよりも大きい。
また、ｐｎ接合面はｐ型の量子ドット活性層３とｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層４との接合面である。そして、ｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層４は量子ドット活性層３の中央部上のみに存在している。従って、従来のハイメサ構造の半導体レーザ（図５参照）と同様に、ｐｎ接合面の面積を狭く抑えることができるため、高速変調動作を不可能にするほどの寄生容量の発生を抑制することができる。また、その製造過程においては、量子ドット活性層３を構成する各層３ａ〜３ｄを加工する必要がないため、表面非発光再結合等に伴う信頼性の低下を抑制することもできる。
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。ここでは、第１の実施形態と相違する部分を中心にして説明する。図２は、本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザを示す断面図である。
第２の実施形態では、先ず、図２に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１１上に、ｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層２及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層１２を順次形成する。ｎ型ＧａＡｓ基板１１としては、例えば表面が（００１）のものを用いる。また、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の代わりに高抵抗ＧａＡｓ基板を用いてもよい。ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１２の厚さは、例えば０．４μｍとする。
次に、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１２上に、第１の実施形態と同様にして、真性ＧａＡｓ導波層９、量子ドット活性層３、ｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層４及びｎ型ＧａＡｓコンタクト層５を順次形成する。次いで、第１の実施形態と同様にして、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層５及びｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層４をパターニングすることにより、リッジメサ部１４を形成する。更に、量子ドット活性層３及び真性ＧａＡｓ導波層９をパターニングすることにより、リッジメサ幅とキャリアの拡散長とを合わせた長さより十分大きな幅をもつメサ部１５を形成する。
その後、第１の実施形態と同様にして、ＳｉＯ2膜６及び電極７を形成する。また、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１２上に電極１３を形成する。但し、ＳｉＯ2膜６は、量子ドット活性層３の電極１３側の側面にも形成する。
このような第２の実施形態によっても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、第２の実施形態では、量子ドット活性層３のパターニングを行っているが、レーザ発振に寄与する中心部は加工の影響をほとんど受けない。このため、第１の実施形態と同様に高い信頼性を得ることができる。
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。図３は、本発明の第３の実施形態に係る半導体レーザを示す断面図である。
第３の実施形態では、量子ドット活性層３上にｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層４ａが形成されている。ｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層４ａの厚さは、例えば１５０ｎｍである。また、ｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層４ａの中央部上にｎ型ＡｌＡｓ層２１が形成され、その周囲にＡｌＡｓ酸化物層２２が形成されている。ｎ型ＡｌＡｓ層２１及びＡｌＡｓ酸化物層２２の厚さは、例えば３０ｎｍである。そして、ｎ型ＡｌＡｓ層２１及びＡｌＡｓ酸化物層２２上にｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層４ｂが形成されている。ｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層４ｂの厚さは、例えば１．２５μｍ程度である。その他の構造は第１の実施形態と同様である。
このように構成された第３の実施形態では、ｎ型ＡｌＡｓ層２１及びＡｌＡｓ酸化物層２２が電流狭窄部として作用する。このため、レーザ光の安定性がより高くなる。なお、ｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層４ａを省略して、電流狭窄部が量子ドット活性層３上に直接形成されていてもよい。
なお、上述のような電流狭窄部を形成するためには、例えば、ｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層４ａの上にｎ型ＡｌＡｓ層及びｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層４ｂを順次形成した後、これらをパターニングし、その後、選択的にｎ型ＡｌＡｓ層の縁部を酸化すればよい。即ち、リッジメサ構造を形成した後に、水蒸気雰囲気中で熱酸化を行えばよい。
また、各半導体層の成分及び組成は、第１乃至第３の実施形態のものに限定されず、第１の実施形態と同様のバンドギャップの関係が成立していればよい。更に、各半導体層の厚さ、並びにドーパントの種類及び濃度も特に限定されない。また、ＩｎＡｓ量子ドット３ａ及び／又はＧａＡｓ導波層９の導電型をｐ型としてもよい。ＩｎＡｓ量子ドット３ａ及び／又はＧａＡｓ導波層９の導電型がｐ型であれば、ｐ型ＧａＡｓ障壁層３ｃを不純物を含まない真性半導体から構成してもよい。
更に、ＦＰ（ファブリ・ペロー）レーザ構造、ＤＦＢ（分布帰還型）レーザ構造又はＤＢＲ（分布ブラッグ反射型）レーザ構造等の種々の構造に本発明を適用することができる。
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
（付記１）
ｐ型の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に形成され、前記第１の半導体層よりもバンドギャップが小さい第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上に形成され、前記第２の半導体層よりもバンドギャップが小さい量子ドットと、
前記量子ドット上に形成され、前記量子ドットよりもバンドギャップが大きい第３の半導体層と、
前記第３の半導体層上に選択的に形成され、前記第３の半導体層よりもバンドギャップが大きいｎ型の第４の半導体層と、
を有し、
前記第２の半導体層、前記量子ドット及び前記第３の半導体層からなる群から選択された少なくとも１種の導電型がｐ型であることを特徴とする半導体レーザ。
（付記２）
前記第２の半導体層及び前記第３の半導体層からなる群から選択された少なくとも一方の導電型がｐ型であり、
前記量子ドットは真性半導体から構成されていることを特徴とする付記１に記載の半導体レーザ。
（付記３）
前記量子ドットの導電型がｐ型であり、
前記第２の半導体層及び前記第３の半導体層からなる群から選択された少なくとも一方は真性半導体から構成されていることを特徴とする付記１に記載の半導体レーザ。
（付記４）
前記量子ドット及び前記第３の半導体層からなる群から選択された少なくとも１種の導電型がｐ型であり、
前記量子ドット及び前記第３の半導体層からなる構造体が連続して複数積層されていることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１項に記載の半導体レーザ。
（付記５）
導波路の構造がリッジ構造となっていることを特徴とする付記１乃至４のいずれか１項に記載の半導体レーザ。
（付記６）
前記第４の半導体層上に形成された電流狭窄部と、
前記電流狭窄部上に形成されたｎ型の第５の半導体層と、
を有することを特徴とする付記１乃至５のいずれか１項に記載の半導体レーザ。
（付記７）
前記電流狭窄部は、
ｎ型半導体層と、
前記ｎ型半導体層の周囲に形成された酸化物層と、
を有することを特徴とする付記６に記載の半導体レーザ。
（付記８）
ｐ型の第１の半導体層上に、前記第１の半導体層よりもバンドギャップが小さい第２の半導体層を形成する工程と、
前記第２の半導体層上に、前記第２の半導体層よりもバンドギャップが小さい量子ドットを形成する工程と、
前記量子ドット上に、前記量子ドットよりもバンドギャップが大きい第３の半導体層を形成する工程と、
前記第３の半導体層上に、前記第３の半導体層よりもバンドギャップが大きいｎ型の第４の半導体層を選択的に形成する工程と、
を有し、
前記第２の半導体層、前記量子ドット及び前記第３の半導体層からなる群から選択された少なくとも１種の導電型をｐ型とすることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
（付記９）
前記第２の半導体層及び前記第３の半導体層からなる群から選択された少なくとも一方の導電型をｐ型とし、
前記量子ドットを真性半導体から構成することを特徴とする付記８に記載の半導体レーザの製造方法。
（付記１０）
前記量子ドットの導電型をｐ型とし、
前記第２の半導体層及び前記第３の半導体層からなる群から選択された少なくとも一方を真性半導体から構成することを特徴とする付記８に記載の半導体レーザの製造方法。
（付記１１）
前記量子ドット及び前記第３の半導体層からなる群から選択された少なくとも１種の導電型をｐ型とし、
前記第４の半導体層を形成する工程の前に、前記量子ドット及び前記第３の半導体層からなる構造体を連続して複数積層することを特徴とする付記８乃至１０いずれか１項に記載の半導体レーザの製造方法。
（付記１２）
導波路の構造をリッジ構造とすることを特徴とする付記８乃至１１のいずれか１項に記載の半導体レーザの製造方法。
（付記１３）
前記第４の半導体層を選択的に形成する工程は、
前記第３の半導体層上にｎ型半導体層を形成する工程と、
前記ｎ型半導体層をパターニングする工程と、
を有することを特徴とする付記１２に記載の半導体レーザの製造方法。
（付記１４）
前記ｎ型半導体層をパターニングする工程は、前記第１乃至第３の半導体層及び量子ドットを含む量子ドット活性層の表面が露出するまで前記ｎ型半導体層をエッチングする工程を有することを特徴とする付記１３に記載の半導体レーザの製造方法。
（付記１５）
前記第４の半導体層上に電流狭窄部を形成する工程と、
前記電流狭窄部上にｎ型の第５の半導体層を形成する工程と、
を有することを特徴とする付記８乃至１４のいずれか１項に記載の半導体レーザの製造方法。
（付記１６）
前記電流狭窄部を形成する工程は、
ｎ型半導体層を形成する工程と、
前記ｎ型半導体層の縁部を酸化する工程と、
を有することを特徴とする付記１５に記載の半導体レーザの製造方法。
（付記１７）
前記量子ドットを自己形成的に形成することを特徴とする付記８乃至１６のいずれか１項に記載の半導体レーザの製造方法。
本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザの製造方法を工程準に示す断面図である。 図１Ａに引き続き、半導体レーザの製造方法を工程準に示す断面図である。 図１Ｂに引き続き、半導体レーザの製造方法を工程準に示す断面図である。 図１Ｃに引き続き、半導体レーザの製造方法を工程準に示す断面図である。 図１Ｄに引き続き、半導体レーザの製造方法を工程準に示す断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザを示す断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る半導体レーザを示す断面図である。 従来のリッジ構造の半導体レーザを示す断面図である。 従来のハイメサ構造の半導体レーザを示す断面図である。
符号の説明
１：ｐ型ＧａＡｓ基板
２：ｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層
３：量子ドット活性層
３ａ：ＩｎＡｓ量子ドット
３ｂ：真性ＧａＡｓ障壁層
３ｃ：ｐ型ＧａＡｓ障壁層
３ｄ：真性ＧａＡｓ障壁層
４、４ａ、４ｂ：ｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層
５：ｎ型ＧａＡｓコンタクト層
７、８：電極
９：真性ＧａＡｓ導波層
１１：ｎ型ＧａＡｓ基板
１２：ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
２１：ｎ型ＡｌＡｓ層
２２：ＡｌＡｓ酸化物層

Claims (10)

  1. ｐ型の第１の半導体層と、
    前記第１の半導体層上に形成され、前記第１の半導体層よりもバンドギャップが小さい第２の半導体層と、
    前記第２の半導体層上に形成され、前記第２の半導体層よりもバンドギャップが小さい量子ドットと、
    前記量子ドット上に形成され、前記量子ドットよりもバンドギャップが大きい第３の半導体層と、
    前記第３の半導体層上に選択的に形成され、前記第３の半導体層よりもバンドギャップが大きいｎ型の第４の半導体層と、
    を有し、
    前記第２の半導体層、前記量子ドット及び前記第３の半導体層からなる群から選択された少なくとも１種の導電型がｐ型であることを特徴とする半導体レーザ。
  2. 前記第２の半導体層及び前記第３の半導体層からなる群から選択された少なくとも一方の導電型がｐ型であり、
    前記量子ドットは真性半導体から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
  3. 前記量子ドットの導電型がｐ型であり、
    前記第２の半導体層及び前記第３の半導体層からなる群から選択された少なくとも一方は真性半導体から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
  4. 前記量子ドット及び前記第３の半導体層からなる群から選択された少なくとも１種の導電型がｐ型であり、
    前記量子ドット及び前記第３の半導体層からなる構造体が連続して複数積層されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体レーザ。
  5. 前記第４の半導体層上に形成された電流狭窄部と、
    前記電流狭窄部上に形成されたｎ型の第５の半導体層と、
    を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体レーザ。
  6. ｐ型の第１の半導体層上に、前記第１の半導体層よりもバンドギャップが小さい第２の半導体層を形成する工程と、
    前記第２の半導体層上に、前記第２の半導体層よりもバンドギャップが小さい量子ドットを形成する工程と、
    前記量子ドット上に、前記量子ドットよりもバンドギャップが大きい第３の半導体層を形成する工程と、
    前記第３の半導体層上に、前記第３の半導体層よりもバンドギャップが大きいｎ型の第４の半導体層を選択的に形成する工程と、
    を有し、
    前記第２の半導体層、前記量子ドット及び前記第３の半導体層からなる群から選択された少なくとも１種の導電型をｐ型とすることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
  7. 前記第２の半導体層及び前記第３の半導体層からなる群から選択された少なくとも一方の導電型をｐ型とし、
    前記量子ドットを真性半導体から構成することを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザの製造方法。
  8. 前記量子ドットの導電型をｐ型とし、
    前記第２の半導体層及び前記第３の半導体層からなる群から選択された少なくとも一方を真性半導体から構成することを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザの製造方法。
  9. 前記量子ドット及び前記第３の半導体層からなる群から選択された少なくとも１種の導電型をｐ型とし、
    前記第４の半導体層を形成する工程の前に、前記量子ドット及び前記第３の半導体層からなる構造体を連続して複数積層することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の半導体レーザの製造方法。
  10. 前記第４の半導体層上に電流狭窄部を形成する工程と、
    前記電流狭窄部上にｎ型の第５の半導体層を形成する工程と、
    を有することを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の半導体レーザの製造方法。
JP2005104448A 2005-03-31 2005-03-31 半導体レーザ及びその製造方法 Active JP4639107B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005104448A JP4639107B2 (ja) 2005-03-31 2005-03-31 半導体レーザ及びその製造方法
EP06250417A EP1717919B1 (en) 2005-03-31 2006-01-25 Semiconductor laser and method of fabricating the same
US11/341,588 US7522647B2 (en) 2005-03-31 2006-01-30 Semiconductor laser and method of fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005104448A JP4639107B2 (ja) 2005-03-31 2005-03-31 半導体レーザ及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006286902A true JP2006286902A (ja) 2006-10-19
JP4639107B2 JP4639107B2 (ja) 2011-02-23

Family

ID=36940266

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005104448A Active JP4639107B2 (ja) 2005-03-31 2005-03-31 半導体レーザ及びその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7522647B2 (ja)
EP (1) EP1717919B1 (ja)
JP (1) JP4639107B2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100846293B1 (ko) 2007-02-28 2008-07-14 광주과학기술원 발광 다이오드 및 그 제조방법
JP2008166371A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Fujitsu Ltd 光半導体素子及びその製造方法
JP2008251989A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Fujitsu Ltd 半導体光素子
WO2009011184A1 (ja) * 2007-07-17 2009-01-22 Qd Laser Inc. 半導体レーザ及びその製造方法
JP2009088392A (ja) * 2007-10-02 2009-04-23 Fujitsu Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
WO2010106841A1 (ja) * 2009-03-17 2010-09-23 株式会社Ｑｄレーザ 半導体レーザ
WO2010134426A1 (ja) * 2009-05-19 2010-11-25 株式会社Ｑｄレーザ 半導体レーザ
US8558245B2 (en) * 2006-09-27 2013-10-15 Fujitsu Limited Optical semiconductor device having ridge structure formed on active layer containing p-type region and its manufacture method
JP2017085113A (ja) * 2010-04-06 2017-05-18 ザ ガバニング カウンシル オブ ザ ユニバーシティ オブ トロント 空乏ヘテロ接合とシェルパッシベートナノ粒子を有する光起電力デバイス

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7679102B2 (en) * 2005-12-28 2010-03-16 Group Iv Semiconductor, Inc. Carbon passivation in solid-state light emitters
KR100833489B1 (ko) * 2006-02-21 2008-05-29 한국전자통신연구원 실리콘 나노 점을 이용한 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
JP4571920B2 (ja) * 2006-03-14 2010-10-27 富士通株式会社 光検知器
JP2008098299A (ja) 2006-10-10 2008-04-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体光素子及びその製造方法
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
JP4445556B2 (ja) 2008-02-18 2010-04-07 国立大学法人広島大学 発光素子およびその製造方法
US8044382B2 (en) * 2008-03-26 2011-10-25 Hiroshima University Light-emitting device and method for manufacturing the same
EP2297762B1 (en) 2008-05-06 2017-03-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
JP2013502047A (ja) 2009-08-14 2013-01-17 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 照明装置、照明装置用光学部品および方法
WO2011106860A1 (en) 2010-03-01 2011-09-09 Group Iv Semiconductor, Inc. Deposition of thin film dielectrics and light emitting nano-layer structures
GB2480265B (en) * 2010-05-10 2013-10-02 Toshiba Res Europ Ltd A semiconductor device and a method of fabricating a semiconductor device
WO2012100038A2 (en) * 2011-01-19 2012-07-26 The Research Foundation Of State University Of New York Photovoltaic cells with quantum dots with built-in-charge and methods of making same
JP5817833B2 (ja) * 2011-10-14 2015-11-18 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法、電源装置
JP6004063B1 (ja) * 2015-09-09 2016-10-05 富士ゼロックス株式会社 面発光型半導体レーザ素子の製造方法
CN108736317B (zh) * 2018-05-15 2021-01-12 深圳市光脉电子有限公司 一种发光二极管外延结构及其矩阵式激光器器件
CN114389150A (zh) * 2020-10-05 2022-04-22 新科实业有限公司 光源单元、热辅助磁头、头万向节总成和硬盘驱动器
JP2022078795A (ja) * 2020-11-13 2022-05-25 株式会社デンソー 半導体レーザ装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001274510A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Toshiba Corp 導波路型光素子及びその製造方法
JP2005072338A (ja) * 2003-08-26 2005-03-17 Fujitsu Ltd 光半導体装置及びその製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0513882A (ja) * 1990-11-16 1993-01-22 Furukawa Electric Co Ltd:The ワイドバンドギヤツプ材料をｐｎ電流阻止層に用いた半導体光素子
JP3278035B2 (ja) 1995-07-03 2002-04-30 キヤノン株式会社 電流狭窄構造を持った量子箱構造及びその作成法
JPH10209569A (ja) * 1997-01-16 1998-08-07 Hewlett Packard Co <Hp> ｐ型窒化物半導体装置とその製造方法
JPH10233529A (ja) * 1997-02-14 1998-09-02 Hewlett Packard Co <Hp> 窒化物半導体素子およびその製造方法
US6507042B1 (en) * 1998-12-25 2003-01-14 Fujitsu Limited Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2001144379A (ja) 1999-11-15 2001-05-25 Hitachi Ltd 半導体レーザ装置及びそれを用いた光通信装置
US6816525B2 (en) * 2000-09-22 2004-11-09 Andreas Stintz Quantum dot lasers
JP2002184970A (ja) * 2000-12-15 2002-06-28 Fujitsu Ltd 量子ドットを含む半導体装置、その製造方法及び半導体レーザ装置
JP5023419B2 (ja) * 2001-07-10 2012-09-12 日本電気株式会社 半導体量子ドット・デバイス
JP3911140B2 (ja) * 2001-09-05 2007-05-09 シャープ株式会社 半導体レーザの製造方法
US6891202B2 (en) * 2001-12-14 2005-05-10 Infinera Corporation Oxygen-doped Al-containing current blocking layers in active semiconductor devices
JP4006729B2 (ja) 2002-04-16 2007-11-14 富士通株式会社 自己形成量子ドットを用いた半導体発光素子
JP2004063957A (ja) 2002-07-31 2004-02-26 Hitachi Ltd 半導体量子ドットを有する半導体部材の製造方法、半導体レーザ及びそれを用いた光モジュール
JP3854560B2 (ja) * 2002-09-19 2006-12-06 富士通株式会社 量子光半導体装置
JP4947567B2 (ja) * 2004-10-13 2012-06-06 富士通株式会社 発光素子及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001274510A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Toshiba Corp 導波路型光素子及びその製造方法
JP2005072338A (ja) * 2003-08-26 2005-03-17 Fujitsu Ltd 光半導体装置及びその製造方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A.PASSASEO ET AL.: ""Dependence of the emission wavelength on the internal electric field in quantum-dot laser structure", APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 79, no. 10, JPN6010043189, 3 September 2001 (2001-09-03), pages 1435 - 1437, XP012028790, ISSN: 0001684976, DOI: 10.1063/1.1400088 *
DENNIS G. DEPPE ET AL.: ""Modulation Characteristics of Quantum-Dot Lasers: The Influence of P-Type Doping and the Electronic", IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, vol. 38, no. 12, JPN6010043192, December 2002 (2002-12-01), pages 1587 - 1593, XP011065313, ISSN: 0001684978 *
K.OTSUBO ET AL.: ""Temperature-Insensitive Eye-Opening under 10-Gb/s Modulation of 1.3-um P-Doped Quantum-Dot Lasers w", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. Vol.43, No.8B, JPN6010043190, 2004, pages 1124 - 1126, ISSN: 0001684977 *

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8716044B2 (en) 2006-09-27 2014-05-06 Fujitsu Limited Optical semiconductor device having ridge structure formed on active layer containing P-type region and its manufacture method
US8558245B2 (en) * 2006-09-27 2013-10-15 Fujitsu Limited Optical semiconductor device having ridge structure formed on active layer containing p-type region and its manufacture method
US8232125B2 (en) 2006-12-27 2012-07-31 Fujitsu Limited Optical semiconductor device having active layer of p-type quantum dot structure and its manufacture method
JP2008166371A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Fujitsu Ltd 光半導体素子及びその製造方法
KR100846293B1 (ko) 2007-02-28 2008-07-14 광주과학기술원 발광 다이오드 및 그 제조방법
JP2008251989A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Fujitsu Ltd 半導体光素子
WO2009011184A1 (ja) * 2007-07-17 2009-01-22 Qd Laser Inc. 半導体レーザ及びその製造方法
US8160116B2 (en) 2007-07-17 2012-04-17 Qd Laser Inc. Semiconductor laser and method for manufacturing the same
JP5379002B2 (ja) * 2007-07-17 2013-12-25 株式会社Ｑｄレーザ 半導体レーザ及びその製造方法
JP2009088392A (ja) * 2007-10-02 2009-04-23 Fujitsu Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
US8906721B2 (en) 2007-10-02 2014-12-09 Fujitsu Limited Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
WO2010106841A1 (ja) * 2009-03-17 2010-09-23 株式会社Ｑｄレーザ 半導体レーザ
WO2010134426A1 (ja) * 2009-05-19 2010-11-25 株式会社Ｑｄレーザ 半導体レーザ
JP2017085113A (ja) * 2010-04-06 2017-05-18 ザ ガバニング カウンシル オブ ザ ユニバーシティ オブ トロント 空乏ヘテロ接合とシェルパッシベートナノ粒子を有する光起電力デバイス
US10784388B2 (en) 2010-04-06 2020-09-22 The Governing Council Of The University Of Toronto Photovoltaic devices with depleted heterojunctions and shell-passivated nanoparticles

Also Published As

Publication number Publication date
EP1717919A2 (en) 2006-11-02
JP4639107B2 (ja) 2011-02-23
US7522647B2 (en) 2009-04-21
EP1717919B1 (en) 2011-10-12
US20060222028A1 (en) 2006-10-05
EP1717919A3 (en) 2010-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4639107B2 (ja) 半導体レーザ及びその製造方法
US7638792B2 (en) Tunnel junction light emitting device
JP3225942B2 (ja) 半導体光素子、その製造方法及び半導体光学装置
JP5026905B2 (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
US8716044B2 (en) Optical semiconductor device having ridge structure formed on active layer containing P-type region and its manufacture method
JP4937673B2 (ja) 半導体発光素子、その製造方法および半導体発光装置
JP2008053649A (ja) 埋め込み型半導体レーザ
JP2018056212A (ja) 光半導体素子、光モジュール及び光半導体素子の製造方法
JP4947778B2 (ja) 光半導体素子及びその製造方法
JP5170869B2 (ja) 光半導体素子及び光半導体素子の製造方法
JP2005051124A (ja) 面発光型半導体素子
JP4599700B2 (ja) 分布帰還型半導体レーザ
US20190067908A1 (en) Vertical cavity surface emitting laser, method for fabricating vertical cavity surface emitting laser
US20070127533A1 (en) Long-wavelength vertical cavity surface emitting lasers having oxide aperture and method for manufacturing the same
JP7019821B2 (ja) 半導体レーザ装置の製造方法、および半導体レーザ装置
JP4617684B2 (ja) 半導体レーザ素子
WO2024134788A1 (ja) 半導体光素子
JP2007005642A (ja) 半導体発光素子
JP2002217489A (ja) 分布帰還型レーザダイオードおよびその製造方法
JP2002076515A (ja) 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2000101186A (ja) 半導体光素子およびその製造方法
JP2001168470A (ja) 半導体光素子の作製方法及び半導体光素子
JP2005159072A (ja) 半導体レーザ素子及びその製造方法
JP2004327838A (ja) 半導体レーザ素子
JP2005159073A (ja) 半導体レーザ素子及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070920

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100722

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100803

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101004

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101116

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101129

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131203

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4639107

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250