JP2003236337A - 排ガスの処理方法および処理装置 - Google Patents
排ガスの処理方法および処理装置Info
- Publication number
- JP2003236337A JP2003236337A JP2002037344A JP2002037344A JP2003236337A JP 2003236337 A JP2003236337 A JP 2003236337A JP 2002037344 A JP2002037344 A JP 2002037344A JP 2002037344 A JP2002037344 A JP 2002037344A JP 2003236337 A JP2003236337 A JP 2003236337A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- combustion
- exhaust gas
- combustion chamber
- nickel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
- F23G—CREMATION FURNACES; CONSUMING WASTE PRODUCTS BY COMBUSTION
- F23G7/00—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals
- F23G7/06—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals of waste gases or noxious gases, e.g. exhaust gases
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
- F23G—CREMATION FURNACES; CONSUMING WASTE PRODUCTS BY COMBUSTION
- F23G7/00—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals
- F23G7/06—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals of waste gases or noxious gases, e.g. exhaust gases
- F23G7/061—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals of waste gases or noxious gases, e.g. exhaust gases with supplementary heating
- F23G7/065—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals of waste gases or noxious gases, e.g. exhaust gases with supplementary heating using gaseous or liquid fuel
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
- F23J—REMOVAL OR TREATMENT OF COMBUSTION PRODUCTS OR COMBUSTION RESIDUES; FLUES
- F23J2215/00—Preventing emissions
- F23J2215/30—Halogen; Compounds thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Incineration Of Waste (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガスを、高
濃度もしくは大量に含む、半導体製造工程から排出され
る排気ガスを処理することができ、安全で省エネルギー
であり、より効率的に除害処理することが可能な除害方
法および装置を提供する。 【解決手段】 エッチング工程またはクリーニング工程
から排出される、フッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガス
を含む排ガスを、表面にフッ化不動態膜が形成された燃
焼室を備えた燃焼装置に導入し、前記排ガスを燃焼させ
る処理方法。
濃度もしくは大量に含む、半導体製造工程から排出され
る排気ガスを処理することができ、安全で省エネルギー
であり、より効率的に除害処理することが可能な除害方
法および装置を提供する。 【解決手段】 エッチング工程またはクリーニング工程
から排出される、フッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガス
を含む排ガスを、表面にフッ化不動態膜が形成された燃
焼室を備えた燃焼装置に導入し、前記排ガスを燃焼させ
る処理方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、排ガスの処理方法
および処理装置に関し、さらに詳細には半導体製造工程
におけるエッチング工程またはクリーニング工程から排
出されるフッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガスを含む排
ガスを処理する方法および装置に関する。
および処理装置に関し、さらに詳細には半導体製造工程
におけるエッチング工程またはクリーニング工程から排
出されるフッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガスを含む排
ガスを処理する方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体を製造する各種工程から排出され
る排ガスは、半導体材料ガス、エッチングガス、クリー
ニングガス等のガスを含み、これらのガスは有害である
場合がある。また、環境に対し負荷を与えるガスが含ま
れている場合もあり、このような成分を含む排ガスはそ
のままでは大気中に排出することができない。
る排ガスは、半導体材料ガス、エッチングガス、クリー
ニングガス等のガスを含み、これらのガスは有害である
場合がある。また、環境に対し負荷を与えるガスが含ま
れている場合もあり、このような成分を含む排ガスはそ
のままでは大気中に排出することができない。
【０００３】そこで従来から、（１）苛性ソーダ（水酸
化ナトリウム）等の中和剤を用いて酸化反応ないしは中
和反応させる湿式除害方法、（２）触媒層による反応分
解方法、（３）酸化物等への吸着による乾式除害方法、
（４）電気ヒーターを組み込んだ熱分解方法、（５）燃
焼式除害方法、等の方法が広く知られ、各々の特徴を生
かして活用されている。
化ナトリウム）等の中和剤を用いて酸化反応ないしは中
和反応させる湿式除害方法、（２）触媒層による反応分
解方法、（３）酸化物等への吸着による乾式除害方法、
（４）電気ヒーターを組み込んだ熱分解方法、（５）燃
焼式除害方法、等の方法が広く知られ、各々の特徴を生
かして活用されている。
【０００４】近年、半導体製造工程から排出される排ガ
ス中に含まれる有害成分は多様化しており、さらにウェ
ハーや液晶パネル等の大型化が著しく、それに伴って製
造装置も大型化し、製造工程で使用されるガスの量が大
幅に増大している。また、枚葉装置の普及に伴うマルチ
チャンバー化、製造プロセスの複雑化等によって、異な
る経路から排出される大量の排ガスを同時に処理した
り、同一経路に時間サイクルを変えて流される性状の大
きく異なる排ガスを同一の除害装置で安全に処理するこ
とが必要な場合が生じている。こうしたことから、近
年、可燃性燃料ガス等を高温で燃焼し、排ガス中に含ま
れる有毒成分や環境に負荷を与える排ガス成分を無害な
物質に変換し、あるいは容易に処理できる物質に変換す
る除害方法として燃焼方式や熱分解方式等の熱処理式除
害方法が検討されている。
ス中に含まれる有害成分は多様化しており、さらにウェ
ハーや液晶パネル等の大型化が著しく、それに伴って製
造装置も大型化し、製造工程で使用されるガスの量が大
幅に増大している。また、枚葉装置の普及に伴うマルチ
チャンバー化、製造プロセスの複雑化等によって、異な
る経路から排出される大量の排ガスを同時に処理した
り、同一経路に時間サイクルを変えて流される性状の大
きく異なる排ガスを同一の除害装置で安全に処理するこ
とが必要な場合が生じている。こうしたことから、近
年、可燃性燃料ガス等を高温で燃焼し、排ガス中に含ま
れる有毒成分や環境に負荷を与える排ガス成分を無害な
物質に変換し、あるいは容易に処理できる物質に変換す
る除害方法として燃焼方式や熱分解方式等の熱処理式除
害方法が検討されている。
【０００５】しかしながら、特に燃焼除害方式の場合に
は、半導体製造工程から排出される排気ガスを、都市ガ
ス、ＬＰＧ、メタン等の燃料ガス、および空気または酸
素などの助燃ガスと供に高温で燃焼処理するため、排ガ
ス中に含まれる窒素元素分や空気中の窒素などにより、
副生物としてＮＯｘが生成するという問題がある。
は、半導体製造工程から排出される排気ガスを、都市ガ
ス、ＬＰＧ、メタン等の燃料ガス、および空気または酸
素などの助燃ガスと供に高温で燃焼処理するため、排ガ
ス中に含まれる窒素元素分や空気中の窒素などにより、
副生物としてＮＯｘが生成するという問題がある。
【０００６】燃焼後の排ガス中に含まれるＮＯｘの生成
量は、使用する装置や燃焼条件にもよるが、１〜３０％
と非常に高濃度になる場合があり、ＴＬＶ（ＮＯで２５
ｐｐｍ、ＮＯ2で３ｐｐｍ）を越えないようにするため
に様々な方法が検討されている。例えば、特開２００１
−１９３９１８には、ＮＯｘの生成量を低くするため
に、燃焼室の形状、ノズルの形状等について様々な検討
が行われたことが記載されている。しかしながら、エッ
チングおよびクリーニング工程において大量に使用され
ているＮＦ3ガスを含む排ガスを燃焼する場合には、特
にＮＯｘの発生量が多くなる場合があるので改善が望ま
れている。
量は、使用する装置や燃焼条件にもよるが、１〜３０％
と非常に高濃度になる場合があり、ＴＬＶ（ＮＯで２５
ｐｐｍ、ＮＯ2で３ｐｐｍ）を越えないようにするため
に様々な方法が検討されている。例えば、特開２００１
−１９３９１８には、ＮＯｘの生成量を低くするため
に、燃焼室の形状、ノズルの形状等について様々な検討
が行われたことが記載されている。しかしながら、エッ
チングおよびクリーニング工程において大量に使用され
ているＮＦ3ガスを含む排ガスを燃焼する場合には、特
にＮＯｘの発生量が多くなる場合があるので改善が望ま
れている。
【０００７】一方、半導体製造プロセスにおいて、より
高性能なクリーニングガスとして、フッ素ガスもしくは
フッ化ハロゲンガス、またはこれらの混合ガスによるク
リーニングが試みられている。例えば、J.APPL.Phys.P2
939 56(10)No.15 1984には、フッ素ガスおよびフッ化ハ
ロゲンガスのクリーニング性能が、ＮＦ3ガスを用いた
クリーニングに比べて優れているという研究報告がされ
ている。
高性能なクリーニングガスとして、フッ素ガスもしくは
フッ化ハロゲンガス、またはこれらの混合ガスによるク
リーニングが試みられている。例えば、J.APPL.Phys.P2
939 56(10)No.15 1984には、フッ素ガスおよびフッ化ハ
ロゲンガスのクリーニング性能が、ＮＦ3ガスを用いた
クリーニングに比べて優れているという研究報告がされ
ている。
【０００８】しかしながら、フッ素ガスやフッ化ハロゲ
ンガスは非常に活性の強い酸化剤であり、化学的な反応
性が強く、常温で酸化性物質とも反応して発火する場合
があり、また装置材料に対する腐食性も大きい。従っ
て、装置材料については特定の高耐食性金属の中から厳
選する必要があり、禁油禁水とされる他、高耐食性樹脂
として半導体製造装置に多用されている四フッ化エチレ
ン樹脂においても使用条件によって不適合とされる場合
がある。
ンガスは非常に活性の強い酸化剤であり、化学的な反応
性が強く、常温で酸化性物質とも反応して発火する場合
があり、また装置材料に対する腐食性も大きい。従っ
て、装置材料については特定の高耐食性金属の中から厳
選する必要があり、禁油禁水とされる他、高耐食性樹脂
として半導体製造装置に多用されている四フッ化エチレ
ン樹脂においても使用条件によって不適合とされる場合
がある。
【０００９】また、フッ素ガスや三フッ化塩素ガス等の
フッ化ハロゲンガスの除害装置としては、苛性ソーダや
水酸化カリ等のアルカリ水溶液を用いたスクラバーによ
って中和吸収する湿式吸収装置や活性アルミナやソーダ
ライム等の固体吸着剤によって吸着除去する乾式除害装
置が用いられている。しかしながら、いずれも場合にお
いても、高濃度のフッ素ガスやフッ化ハロゲンガスを含
有する排ガスの処理ができないことが課題となってい
る。しかも、フッ素ガスやフッ化ハロゲンガスの使用量
が増大すると、アルカリスクラバー等の湿式除害装置の
場合、吸収塔の大型化、吸収液の廃液処理の煩雑さによ
る問題、ランニングコストの上昇等が問題となる。また
乾式分解除害装置や吸着除去除害装置では、大流量の除
害装置化が困難なうえ、固体分解剤や吸着剤等の交換頻
度の増加により運転経費が莫大になり、メンテナンス操
作の増加から安全管理上トラブルを起こし易いという問
題も発生する。
フッ化ハロゲンガスの除害装置としては、苛性ソーダや
水酸化カリ等のアルカリ水溶液を用いたスクラバーによ
って中和吸収する湿式吸収装置や活性アルミナやソーダ
ライム等の固体吸着剤によって吸着除去する乾式除害装
置が用いられている。しかしながら、いずれも場合にお
いても、高濃度のフッ素ガスやフッ化ハロゲンガスを含
有する排ガスの処理ができないことが課題となってい
る。しかも、フッ素ガスやフッ化ハロゲンガスの使用量
が増大すると、アルカリスクラバー等の湿式除害装置の
場合、吸収塔の大型化、吸収液の廃液処理の煩雑さによ
る問題、ランニングコストの上昇等が問題となる。また
乾式分解除害装置や吸着除去除害装置では、大流量の除
害装置化が困難なうえ、固体分解剤や吸着剤等の交換頻
度の増加により運転経費が莫大になり、メンテナンス操
作の増加から安全管理上トラブルを起こし易いという問
題も発生する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような背
景の下、フッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガスを、高濃
度もしくは大量に含む、半導体製造工程から排出される
排気ガスを処理することができ、安全で省エネルギーで
あり、より効率的に除害処理することが可能な除害方法
および装置を提供することを課題とする。前述のよう
に、半導体製造工程において、フッ素ガスまたはフッ化
ハロゲンガスを使用した場合は、専用の除害装置によっ
て単独にて排ガス処理されているが、本発明の方法を用
いることによって、半導体装置の大型化、マルチ化、複
雑化、また除害装置の設置スペースの縮小化ができ、前
記の課題を解決することができる。
景の下、フッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガスを、高濃
度もしくは大量に含む、半導体製造工程から排出される
排気ガスを処理することができ、安全で省エネルギーで
あり、より効率的に除害処理することが可能な除害方法
および装置を提供することを課題とする。前述のよう
に、半導体製造工程において、フッ素ガスまたはフッ化
ハロゲンガスを使用した場合は、専用の除害装置によっ
て単独にて排ガス処理されているが、本発明の方法を用
いることによって、半導体装置の大型化、マルチ化、複
雑化、また除害装置の設置スペースの縮小化ができ、前
記の課題を解決することができる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは前記の課題
を解決すべく鋭意検討した結果、エッチング工程または
クリーニング工程から排出される、フッ素ガスまたはフ
ッ化ハロゲンガスを含む排ガスを、表面にフッ化不動態
膜が形成された燃焼室を備えた燃焼装置に導入し、前記
排ガスを燃焼させる処理方法を用いることにより前記の
課題を解決できることを見いだし、本発明を完成させる
に至った。
を解決すべく鋭意検討した結果、エッチング工程または
クリーニング工程から排出される、フッ素ガスまたはフ
ッ化ハロゲンガスを含む排ガスを、表面にフッ化不動態
膜が形成された燃焼室を備えた燃焼装置に導入し、前記
排ガスを燃焼させる処理方法を用いることにより前記の
課題を解決できることを見いだし、本発明を完成させる
に至った。
【００１２】すなわち、本発明の排ガスの処理方法は、
エッチング工程またはクリーニング工程から排出され
る、フッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガスを含む排ガス
を、表面にフッ化不動態膜が形成された燃焼室を備えた
燃焼装置に導入し、前記排ガスを燃焼させることを特徴
とする。前記のフッ化不動態膜がフッ化ニッケルからな
ることが好ましい。フッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガ
スの濃度が５ｖｏｌ％以下であることが好ましい。燃焼
後の排ガス中に含まれる窒素酸化物の含有量が５ｖｏｌ
ｐｐｍ未満であることが好ましい。
エッチング工程またはクリーニング工程から排出され
る、フッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガスを含む排ガス
を、表面にフッ化不動態膜が形成された燃焼室を備えた
燃焼装置に導入し、前記排ガスを燃焼させることを特徴
とする。前記のフッ化不動態膜がフッ化ニッケルからな
ることが好ましい。フッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガ
スの濃度が５ｖｏｌ％以下であることが好ましい。燃焼
後の排ガス中に含まれる窒素酸化物の含有量が５ｖｏｌ
ｐｐｍ未満であることが好ましい。
【００１３】本発明の排ガスの処理装置は、排ガス導入
口、燃料導入口、燃焼前室、燃焼室、空気導入口および
排気管を備え、少なくとも燃焼前室および燃焼室の表面
にフッ化不動態膜が形成されていることを特徴とする。
燃焼室が、ニッケル、高ニッケル含有合金およびモネル
からなる群から選ばれる金属により形成され、該金属の
表面にフッ化不動態膜が形成されていることが好まし
い。燃焼室が、ステンレスおよび鉄鋼材からなる群から
選ばれる金属により形成され、該金属の表面にニッケ
ル、ニッケル合金電気鍍金、電鋳鍍金、ニッケル合金無
電解鍍金からなる薄膜もしくはアルミナまたは窒化アル
ミニウムからなるセラミックス薄膜を有し、該薄膜の表
面にフッ化不動態膜が形成されていることが好ましい。
口、燃料導入口、燃焼前室、燃焼室、空気導入口および
排気管を備え、少なくとも燃焼前室および燃焼室の表面
にフッ化不動態膜が形成されていることを特徴とする。
燃焼室が、ニッケル、高ニッケル含有合金およびモネル
からなる群から選ばれる金属により形成され、該金属の
表面にフッ化不動態膜が形成されていることが好まし
い。燃焼室が、ステンレスおよび鉄鋼材からなる群から
選ばれる金属により形成され、該金属の表面にニッケ
ル、ニッケル合金電気鍍金、電鋳鍍金、ニッケル合金無
電解鍍金からなる薄膜もしくはアルミナまたは窒化アル
ミニウムからなるセラミックス薄膜を有し、該薄膜の表
面にフッ化不動態膜が形成されていることが好ましい。
【００１４】また、本発明は半導体デバイスの製造方法
を提供するものであり、本発明の半導体デバイスの製造
方法は、エッチングガスまたはクリーニングガスとし
て、フッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガスを用いるエッ
チング工程またはクリーニング工程と、それらの工程か
ら排出されるフッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガスを含
有するガスを燃焼させる除害工程を有する半導体デバイ
スの製造方法において、該除害工程が表面にフッ化不動
態膜が形成された燃焼室を備えた燃焼装置を用いること
を特徴とする。前記フッ化不動態膜がフッ化ニッケルか
らなることが好ましい。
を提供するものであり、本発明の半導体デバイスの製造
方法は、エッチングガスまたはクリーニングガスとし
て、フッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガスを用いるエッ
チング工程またはクリーニング工程と、それらの工程か
ら排出されるフッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガスを含
有するガスを燃焼させる除害工程を有する半導体デバイ
スの製造方法において、該除害工程が表面にフッ化不動
態膜が形成された燃焼室を備えた燃焼装置を用いること
を特徴とする。前記フッ化不動態膜がフッ化ニッケルか
らなることが好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳しく説明
する。本発明の排ガスの処理方法は、エッチング工程ま
たはクリーニング工程から排出される、フッ素ガスまた
はフッ化ハロゲンガスを含む排ガスを、表面にフッ化不
動態膜が形成された燃焼室を備えた燃焼装置に導入し、
前記排ガスを燃焼させることを特徴とする。すなわち、
本発明はフッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガスと共に、
例えば成膜ガスとして使用したＳｉＨ4などのガスやそ
の他のガスを含む半導体製造工程から排出される排ガス
を所定の温度にて無害化処理することを特徴とする。
する。本発明の排ガスの処理方法は、エッチング工程ま
たはクリーニング工程から排出される、フッ素ガスまた
はフッ化ハロゲンガスを含む排ガスを、表面にフッ化不
動態膜が形成された燃焼室を備えた燃焼装置に導入し、
前記排ガスを燃焼させることを特徴とする。すなわち、
本発明はフッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガスと共に、
例えば成膜ガスとして使用したＳｉＨ4などのガスやそ
の他のガスを含む半導体製造工程から排出される排ガス
を所定の温度にて無害化処理することを特徴とする。
【００１６】本発明の処理方法は、フッ素ガスやフッ化
ハロゲンガスを含まない通常の燃焼条件に比べ、燃料の
供給量を削減し、燃焼温度を低下させた条件において十
分に無害化処理、無害化し易い化合物への処理が可能で
あり、こうした条件下で運転することで、除害装置から
排出される分解副成物である二酸化炭素とＮＯｘの量を
著しく削減することができる。
ハロゲンガスを含まない通常の燃焼条件に比べ、燃料の
供給量を削減し、燃焼温度を低下させた条件において十
分に無害化処理、無害化し易い化合物への処理が可能で
あり、こうした条件下で運転することで、除害装置から
排出される分解副成物である二酸化炭素とＮＯｘの量を
著しく削減することができる。
【００１７】本発明は、燃焼方式の除害装置を用い、半
導体を製造する工程において通常使用される、Ｓｉ
Ｈ4、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＮＨ3、ＰＨ3、ＷＦ6、Ｓｉ（ＯＣ
2Ｈ5）4、ＮＦ3、Ｈ2、Ｂ2Ｈ6、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ2等の成膜
ガス、クリーニングガスその他半導体製造プロセスで排
出されるガス成分と、フッ素ガスおよびフッ化ハロゲン
ガスを同時に除害処理する。この場合、排ガス中に含ま
れる被処理成分がフッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガス
のみであってもよい。排ガス中に含まれるフッ素ガスま
たはフッ化ハロゲンガスの濃度は５ｖｏｌ％以下である
ことが好ましい。
導体を製造する工程において通常使用される、Ｓｉ
Ｈ4、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＮＨ3、ＰＨ3、ＷＦ6、Ｓｉ（ＯＣ
2Ｈ5）4、ＮＦ3、Ｈ2、Ｂ2Ｈ6、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ2等の成膜
ガス、クリーニングガスその他半導体製造プロセスで排
出されるガス成分と、フッ素ガスおよびフッ化ハロゲン
ガスを同時に除害処理する。この場合、排ガス中に含ま
れる被処理成分がフッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガス
のみであってもよい。排ガス中に含まれるフッ素ガスま
たはフッ化ハロゲンガスの濃度は５ｖｏｌ％以下である
ことが好ましい。
【００１８】また、本発明の燃焼式除害装置の運転方法
は、導入した排ガスがフッ素ガスやフッ化ハロゲンガス
を含まない燃焼条件（例えば三フッ化窒素ガスを分解す
るために必要な燃焼条件）に比べ、燃料の供給量を１０
〜３０％削減し、燃焼温度を５０℃以上低下させた運転
条件においても、有毒ガス成分が無害化されたり、容易
に分解除去可能な物質に変換することができる。従っ
て、本発明の処理方法を用いれば、除害装置から排出さ
れる分解副成物である二酸化炭素は使用する燃料ガスの
削減量に比例して削減することができる。また燃焼温度
の低下によってＮＯｘの生成量も著しく削減することが
でき、ＮＯｘの生成量を５ｖｏｌｐｐｍ未満とすること
が可能である。
は、導入した排ガスがフッ素ガスやフッ化ハロゲンガス
を含まない燃焼条件（例えば三フッ化窒素ガスを分解す
るために必要な燃焼条件）に比べ、燃料の供給量を１０
〜３０％削減し、燃焼温度を５０℃以上低下させた運転
条件においても、有毒ガス成分が無害化されたり、容易
に分解除去可能な物質に変換することができる。従っ
て、本発明の処理方法を用いれば、除害装置から排出さ
れる分解副成物である二酸化炭素は使用する燃料ガスの
削減量に比例して削減することができる。また燃焼温度
の低下によってＮＯｘの生成量も著しく削減することが
でき、ＮＯｘの生成量を５ｖｏｌｐｐｍ未満とすること
が可能である。
【００１９】また、燃焼温度を低くして運転すること
は、運転管理上、安全面に大きく寄与することが明らか
であり、排ガスが燃焼している部位やその前室部分の機
器の材料表面温度が低下するので装置材料への腐食負担
等が大きく低減する。従って、装置のメンテナンスの頻
度が削減され、装置の長期的な寿命を考慮するとコスト
メリットは明らかである。また、燃焼処理された排ガス
は、最終的に燃焼式除害塔の排気管に接続しているアル
カリスクラバーのような湿式除害設備において、フッ化
水素等のハロゲン化水素、ＮＯｘ、その他の分解物質で
ある四フッ化ケイ素等が吸収処理される。
は、運転管理上、安全面に大きく寄与することが明らか
であり、排ガスが燃焼している部位やその前室部分の機
器の材料表面温度が低下するので装置材料への腐食負担
等が大きく低減する。従って、装置のメンテナンスの頻
度が削減され、装置の長期的な寿命を考慮するとコスト
メリットは明らかである。また、燃焼処理された排ガス
は、最終的に燃焼式除害塔の排気管に接続しているアル
カリスクラバーのような湿式除害設備において、フッ化
水素等のハロゲン化水素、ＮＯｘ、その他の分解物質で
ある四フッ化ケイ素等が吸収処理される。
【００２０】本発明の排ガスの処理装置は、排ガス導入
口、燃料導入口、燃焼前室、燃焼室、空気導入口および
排気管を備え、少なくとも燃焼前室および燃焼室の表面
にフッ化不動態膜が形成されていることを特徴とする。
図１は本発明の排ガスの処理方法を実施することができ
る処理装置の１例を示しており、フッ素ガスまたはフッ
化ハロゲンガスを含む混合排ガスを火炎壁へ通して助燃
ガスの渦巻流中に導入し、燃焼分解処理する方式を用い
た装置の１例である。
口、燃料導入口、燃焼前室、燃焼室、空気導入口および
排気管を備え、少なくとも燃焼前室および燃焼室の表面
にフッ化不動態膜が形成されていることを特徴とする。
図１は本発明の排ガスの処理方法を実施することができ
る処理装置の１例を示しており、フッ素ガスまたはフッ
化ハロゲンガスを含む混合排ガスを火炎壁へ通して助燃
ガスの渦巻流中に導入し、燃焼分解処理する方式を用い
た装置の１例である。
【００２１】図１の装置の材質は、フッ素ガスまたはフ
ッ化ハロゲンガスを流通させることから高耐食性の材料
が必須となる。燃焼室８は、燃焼熱によって高温となる
ことから、ニッケル、高ニッケル含有合金またはモネル
により形成され、その表面にフッ化不動態膜が形成され
ていることが好ましい。また、燃焼室８は通常のステン
レスや一般鉄鋼材により形成され、その表面にニッケ
ル、ニッケル合金電気鍍金、電鋳鍍金またはニッケル合
金無電解鍍金からなる薄膜、もしくは溶射法等によって
耐フッ素ガス性に優れ、耐熱性を有しているアルミナま
たは窒化アルミニウムからなるセラミックス薄膜を有
し、該薄膜の表面にフッ化不動態膜が形成されているこ
とが好ましい。ニッケル鍍金の場合は耐熱性に優れるニ
ッケルホウ素系の無電解鍍金処理が望ましい。また、燃
焼前室７も同様にしてその表面にフッ化不動態膜が形成
されていることが好ましい。装置部品については、あら
かじめフッ素ガスにて不動態化処理を実施することが望
ましい。特に排ガスの燃焼している部位の周囲部分は、
燃焼部位からの輻射熱、伝熱によってかなりの高温下に
曝される。従ってこの部位の材料については、ニッケ
ル、高ニッケル含有合金、モネル等にて作製されること
が好ましい。通常のステンレスや鉄鋼材へニッケル電気
鍍金、電鋳鍍金、ニッケル無電解鍍金等の耐食処理を施
工してもよい。また、装置部材についても同様にしてあ
らかじめフッ素ガスにて不動態化処理を実施することが
望ましい。
ッ化ハロゲンガスを流通させることから高耐食性の材料
が必須となる。燃焼室８は、燃焼熱によって高温となる
ことから、ニッケル、高ニッケル含有合金またはモネル
により形成され、その表面にフッ化不動態膜が形成され
ていることが好ましい。また、燃焼室８は通常のステン
レスや一般鉄鋼材により形成され、その表面にニッケ
ル、ニッケル合金電気鍍金、電鋳鍍金またはニッケル合
金無電解鍍金からなる薄膜、もしくは溶射法等によって
耐フッ素ガス性に優れ、耐熱性を有しているアルミナま
たは窒化アルミニウムからなるセラミックス薄膜を有
し、該薄膜の表面にフッ化不動態膜が形成されているこ
とが好ましい。ニッケル鍍金の場合は耐熱性に優れるニ
ッケルホウ素系の無電解鍍金処理が望ましい。また、燃
焼前室７も同様にしてその表面にフッ化不動態膜が形成
されていることが好ましい。装置部品については、あら
かじめフッ素ガスにて不動態化処理を実施することが望
ましい。特に排ガスの燃焼している部位の周囲部分は、
燃焼部位からの輻射熱、伝熱によってかなりの高温下に
曝される。従ってこの部位の材料については、ニッケ
ル、高ニッケル含有合金、モネル等にて作製されること
が好ましい。通常のステンレスや鉄鋼材へニッケル電気
鍍金、電鋳鍍金、ニッケル無電解鍍金等の耐食処理を施
工してもよい。また、装置部材についても同様にしてあ
らかじめフッ素ガスにて不動態化処理を実施することが
望ましい。
【００２２】前述のように、本発明に従えば、エッチン
グ工程またはクリーニング工程から排出される、フッ素
ガスまたはフッ化ハロゲンガスを含む排ガスを、表面に
フッ化不動態膜が形成された燃焼室を備えた燃焼装置に
導入し、前記排ガスを燃焼させることによって効率よく
排ガスの処理を行うことができる。本発明は、エッチン
グガスまたはクリーニングガスとして、フッ素ガスまた
はフッ化ハロゲンガスを用いるエッチング工程またはク
リーニング工程と、それらの工程から排出されるフッ素
ガスまたはフッ化ハロゲンガスを含有するガスを燃焼さ
せる除害工程を有する半導体デバイスの製造方法におい
て、該除害工程が表面にフッ化不動態膜が形成された燃
焼室を備えた燃焼装置を用いることを特徴とする半導体
デバイスの製造方法を提供するものである。
グ工程またはクリーニング工程から排出される、フッ素
ガスまたはフッ化ハロゲンガスを含む排ガスを、表面に
フッ化不動態膜が形成された燃焼室を備えた燃焼装置に
導入し、前記排ガスを燃焼させることによって効率よく
排ガスの処理を行うことができる。本発明は、エッチン
グガスまたはクリーニングガスとして、フッ素ガスまた
はフッ化ハロゲンガスを用いるエッチング工程またはク
リーニング工程と、それらの工程から排出されるフッ素
ガスまたはフッ化ハロゲンガスを含有するガスを燃焼さ
せる除害工程を有する半導体デバイスの製造方法におい
て、該除害工程が表面にフッ化不動態膜が形成された燃
焼室を備えた燃焼装置を用いることを特徴とする半導体
デバイスの製造方法を提供するものである。
【００２３】
【実施例】以下に実施例および比較例を用いて本発明を
さらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。 （実施例１）燃焼式除害装置におけるステンレス製の燃
焼室およびその周囲の部品に対してニッケルメッキおよ
びフッ素不動態化処理を施して、フッ素ガスを用いる燃
焼除害実験を行った。燃焼式除害装置の運転条件とフッ
素導入条件を表１に、燃焼除害後に排出される排ガスの
組成分析結果を表２に示した。燃焼室温度は燃焼室外壁
に取り付けた熱電対により測定した。燃焼後の排ガス中
に含まれる一酸化窒素および二酸化窒素の濃度はガス検
知管により測定し、フッ化水素ガスの濃度は赤外分光法
により測定した。三フッ化窒素は検出器を用い測定し
た。また、ヨウ化カリウム水溶液によるサンプリングを
行って、サンプル液のチオ硫酸ナトリウム溶液による滴
定でフッ素ガス濃度を測定し、サンプル液の誘導結合プ
ラズマ発光分析法により金属濃度を測定した。
さらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。 （実施例１）燃焼式除害装置におけるステンレス製の燃
焼室およびその周囲の部品に対してニッケルメッキおよ
びフッ素不動態化処理を施して、フッ素ガスを用いる燃
焼除害実験を行った。燃焼式除害装置の運転条件とフッ
素導入条件を表１に、燃焼除害後に排出される排ガスの
組成分析結果を表２に示した。燃焼室温度は燃焼室外壁
に取り付けた熱電対により測定した。燃焼後の排ガス中
に含まれる一酸化窒素および二酸化窒素の濃度はガス検
知管により測定し、フッ化水素ガスの濃度は赤外分光法
により測定した。三フッ化窒素は検出器を用い測定し
た。また、ヨウ化カリウム水溶液によるサンプリングを
行って、サンプル液のチオ硫酸ナトリウム溶液による滴
定でフッ素ガス濃度を測定し、サンプル液の誘導結合プ
ラズマ発光分析法により金属濃度を測定した。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】表２より明らかなように、燃焼後の排ガス
中に一酸化窒素および二酸化窒素は全く含まれず、燃焼
式除害装置に導入されたフッ素は全量が反応してフッ化
水素ガスに変換された。また、燃焼排ガス中にはフッ化
水素ガス、水蒸気および二酸化炭素以外の燃焼反応生成
物がないことを赤外分光法とサンプル液の誘導結合プラ
ズマ発光分析法による測定で確認した。
中に一酸化窒素および二酸化窒素は全く含まれず、燃焼
式除害装置に導入されたフッ素は全量が反応してフッ化
水素ガスに変換された。また、燃焼排ガス中にはフッ化
水素ガス、水蒸気および二酸化炭素以外の燃焼反応生成
物がないことを赤外分光法とサンプル液の誘導結合プラ
ズマ発光分析法による測定で確認した。
【００２７】（比較例１）導入ガスをフッ素ガスの代わ
りに三フッ化窒素として、三フッ化窒素の流量を９．０
L/minとした燃焼除害実験を行った。燃焼式除害装置の
運転条件と三フッ化窒素の導入条件を表３に、燃焼排ガ
スの組成分析結果を表４に示した。
りに三フッ化窒素として、三フッ化窒素の流量を９．０
L/minとした燃焼除害実験を行った。燃焼式除害装置の
運転条件と三フッ化窒素の導入条件を表３に、燃焼排ガ
スの組成分析結果を表４に示した。
【００２８】
【表３】
【００２９】
【表４】
【００３０】表３に示す運転条件は、排ガス中に三フッ
化窒素ガスが検出されない燃焼運転条件として示したも
のである。従って、燃焼式除害装置に導入された三フッ
化窒素は全量が反応してフッ化水素ガスに変換された
が、排出ガス中には一酸化窒素および二酸化窒素がそれ
ぞれ生成し、許容濃度を大きく超過した。
化窒素ガスが検出されない燃焼運転条件として示したも
のである。従って、燃焼式除害装置に導入された三フッ
化窒素は全量が反応してフッ化水素ガスに変換された
が、排出ガス中には一酸化窒素および二酸化窒素がそれ
ぞれ生成し、許容濃度を大きく超過した。
【００３１】（比較例２）実施例１と比較して燃料メタ
ン流量を３０L/minに増加し、燃焼室温度を３５０℃以
上に上げた以外は、実施例１と同様の燃焼除害実験を行
った。燃焼式除害装置の運転条件とフッ素導入条件を表
５に、燃焼排ガスの組成分析結果を表６に示した。
ン流量を３０L/minに増加し、燃焼室温度を３５０℃以
上に上げた以外は、実施例１と同様の燃焼除害実験を行
った。燃焼式除害装置の運転条件とフッ素導入条件を表
５に、燃焼排ガスの組成分析結果を表６に示した。
【００３２】
【表５】
【００３３】
【表６】
【００３４】表６より明らかなように、燃焼式除害装置
に導入されたフッ素の一部はフッ化水素として排出され
ず、燃焼室およびその周囲の部材表面と反応して消費さ
れていた。その一部は金属フッ化物が形成され、微粉化
していることが確認された。排ガス分析の結果として
は、一酸化窒素および二酸化窒素の生成も確認された。
に導入されたフッ素の一部はフッ化水素として排出され
ず、燃焼室およびその周囲の部材表面と反応して消費さ
れていた。その一部は金属フッ化物が形成され、微粉化
していることが確認された。排ガス分析の結果として
は、一酸化窒素および二酸化窒素の生成も確認された。
【００３５】（比較例３）燃焼室のコーティングを行わ
ずにステンレス（SUS304材）のままとした以外は実施例
１と同一の燃焼除害実験を行った。燃焼式除害装置の運
転条件とフッ素の導入条件を表７に、燃焼排ガスの組成
分析結果を表８に示した。
ずにステンレス（SUS304材）のままとした以外は実施例
１と同一の燃焼除害実験を行った。燃焼式除害装置の運
転条件とフッ素の導入条件を表７に、燃焼排ガスの組成
分析結果を表８に示した。
【００３６】
【表７】
【００３７】
【表８】
表８より明らかなように、燃焼式除害装置に導入された
フッ素のかなりの割合がフッ化水素として確認されず、
フッ化クロムのようなガス成分も生成していることもな
かった。
フッ素のかなりの割合がフッ化水素として確認されず、
フッ化クロムのようなガス成分も生成していることもな
かった。
【００３８】（比較例４）燃焼室のコーティングをニッ
ケルメッキのみとしてフッ素処理を行わなかった以外は
実施例と同一の燃焼除害実験を行った。燃焼式除害装置
の運転条件とフッ素の導入条件を表９に、燃焼排ガスの
組成分析結果を表１０に示した。
ケルメッキのみとしてフッ素処理を行わなかった以外は
実施例と同一の燃焼除害実験を行った。燃焼式除害装置
の運転条件とフッ素の導入条件を表９に、燃焼排ガスの
組成分析結果を表１０に示した。
【００３９】
【表９】
【００４０】
【表１０】
表１０より明らかなように、燃焼式除害装置に導入され
たフッ素ガスは僅かに燃焼装置材料表面と反応して消費
された。
たフッ素ガスは僅かに燃焼装置材料表面と反応して消費
された。
【００４１】（比較例５）導入ガスを三フッ化窒素とし
て、三フッ化窒素の流量を９．０L/minとした以外は実
施例１と同一の燃焼除害実験を行った。但し燃焼室の表
面処理はせずステンレス（SUS304）をそのまま使用し
た。燃焼式除害装置の運転条件と三フッ化窒素の導入条
件を表１１に、燃焼排ガスの組成分析結果を表１２に示
した。
て、三フッ化窒素の流量を９．０L/minとした以外は実
施例１と同一の燃焼除害実験を行った。但し燃焼室の表
面処理はせずステンレス（SUS304）をそのまま使用し
た。燃焼式除害装置の運転条件と三フッ化窒素の導入条
件を表１１に、燃焼排ガスの組成分析結果を表１２に示
した。
【００４２】
【表１１】
【００４３】
【表１２】
【００４４】表１２より明らかなように、燃焼式除害装
置に導入された三フッ化窒素は反応してフッ化水素ガス
に変換されたが、一部が装置材料との反応により消失し
た他、一酸化窒素および二酸化窒素がそれぞれ生成し許
容濃度を大きく超過した。さらに燃焼除害の運転終了
後、実施例１および比較例１、比較例２、比較例３、比
較例４、比較例５の燃焼室の内面についての金属表面分
析を行った。測定はエネルギー分散型Ｘ線分析装置にて
行った。
置に導入された三フッ化窒素は反応してフッ化水素ガス
に変換されたが、一部が装置材料との反応により消失し
た他、一酸化窒素および二酸化窒素がそれぞれ生成し許
容濃度を大きく超過した。さらに燃焼除害の運転終了
後、実施例１および比較例１、比較例２、比較例３、比
較例４、比較例５の燃焼室の内面についての金属表面分
析を行った。測定はエネルギー分散型Ｘ線分析装置にて
行った。
【００４５】
【表１３】
【００４６】ニッケルを表面処理した燃焼室は大きな損
傷もなくフッ素ガス、三フッ化窒素に対して大きな耐食
性を示した。次に実施例１および比較例１、比較例２、
比較例３、比較例４、比較例５の燃焼除害を行った後の
燃焼前室の内面について金属表面分析を行った。測定は
エネルギー分散型Ｘ線分析装置にて行った。
傷もなくフッ素ガス、三フッ化窒素に対して大きな耐食
性を示した。次に実施例１および比較例１、比較例２、
比較例３、比較例４、比較例５の燃焼除害を行った後の
燃焼前室の内面について金属表面分析を行った。測定は
エネルギー分散型Ｘ線分析装置にて行った。
【００４７】
【表１４】
【００４８】比較例３は著しく素材からＣｒが消失して
いることが確認された。また比較例５の場合においても
Ｃｒ濃度がわずかに減少している。顕微鏡による観察で
はクラックも生じており、Ｃｒのフッ化物が形成され気
化する現象やステンレス素材のＦｅの二価から三価への
高次フッ化物形成反応が起こる等、フッ化形成膜の剥が
れが生じていた。燃焼室と燃焼前室のステンレスの損傷
状態は、フッ素ガスと三フッ化窒素を比較するとフッ素
ガスを燃焼した比較例３のＣｒ濃度変化がいずれも大き
く、外観上も著しく劣化していた。また燃焼室と燃焼前
室のステンレスの損傷状態燃焼室と比べると燃焼室より
燃焼前室の方がフッ素ガス、三フッ化窒素いずれの場合
においても燃焼前室の方がＣｒ濃度変化がいずれも大き
く、外観上も著しく劣化していた。このことは燃焼室、
特にその壁の部位では、燃料ガスの燃焼の際に酸化炎に
よる酸化反応が優勢であるためと考えられる。
いることが確認された。また比較例５の場合においても
Ｃｒ濃度がわずかに減少している。顕微鏡による観察で
はクラックも生じており、Ｃｒのフッ化物が形成され気
化する現象やステンレス素材のＦｅの二価から三価への
高次フッ化物形成反応が起こる等、フッ化形成膜の剥が
れが生じていた。燃焼室と燃焼前室のステンレスの損傷
状態は、フッ素ガスと三フッ化窒素を比較するとフッ素
ガスを燃焼した比較例３のＣｒ濃度変化がいずれも大き
く、外観上も著しく劣化していた。また燃焼室と燃焼前
室のステンレスの損傷状態燃焼室と比べると燃焼室より
燃焼前室の方がフッ素ガス、三フッ化窒素いずれの場合
においても燃焼前室の方がＣｒ濃度変化がいずれも大き
く、外観上も著しく劣化していた。このことは燃焼室、
特にその壁の部位では、燃料ガスの燃焼の際に酸化炎に
よる酸化反応が優勢であるためと考えられる。
【００４９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の処理方法を
用いることにより、フッ素ガスまたはフッ素化ハロゲン
ガスが高濃度、大量に排出された場合、またこれらを含
み、異なった性状のガスを、同時に同一の除害装置にて
処理することができる。本発明の方法は半導体の製造工
程において好ましく使用され、安全対策を十分に考慮し
た効率的・経済的な除害処理方法であり、地球環境を保
全することから、産業上の利用価値が高いものである。
用いることにより、フッ素ガスまたはフッ素化ハロゲン
ガスが高濃度、大量に排出された場合、またこれらを含
み、異なった性状のガスを、同時に同一の除害装置にて
処理することができる。本発明の方法は半導体の製造工
程において好ましく使用され、安全対策を十分に考慮し
た効率的・経済的な除害処理方法であり、地球環境を保
全することから、産業上の利用価値が高いものである。
【図１】 本発明の排ガスの処理方法を実施することが
できる処理装置の１例である。
できる処理装置の１例である。
１ プロセス排ガス
２ 希釈用ガス
３ 助燃用ガス
４ 燃焼用可燃性ガス
５ 空気
６ 大気放出ガス
７ 燃焼前室
８ 燃焼室
９ 燃焼ガス冷却装置
１０ アルカリスクラバ−
１１ 排気ブロアー
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 星野 恭之
神奈川県川崎市川崎区扇町５−１ 昭和電
工株式会社川崎生産・技術統括部内
(72)発明者 朴 炳渉
東京都墨田区太平三丁目４番８号 小池酸
素工業株式会社内
(72)発明者 金 炳哲
東京都墨田区太平三丁目４番８号 小池酸
素工業株式会社内
Ｆターム(参考） 3K078 AA09 BA20 BA26 CA01
4D002 AA22 AC10 BA05 DA56 GA01
GB20 HA03
5F004 AA13 AA16 DA00 FA08
Claims (9)
- 【請求項１】 エッチング工程またはクリーニング工程
から排出される、フッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガス
を含む排ガスを、表面にフッ化不動態膜が形成された燃
焼室を備えた燃焼装置に導入し、前記排ガスを燃焼させ
ることを特徴とする排ガスの処理方法。 - 【請求項２】 前記フッ化不動態膜がフッ化ニッケルか
らなる請求項１に記載の処理方法。 - 【請求項３】 フッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガスの
濃度が５ｖｏｌ％以下である請求項１または２に記載の
処理方法。 - 【請求項４】 燃焼後の排ガス中に含まれる窒素酸化物
の含有量が５ｖｏｌｐｐｍ未満である請求項１〜３のい
ずれかに記載の処理方法。 - 【請求項５】 排ガス導入口、燃料導入口、燃焼前室、
燃焼室、空気導入口および排気管を備え、少なくとも燃
焼前室および燃焼室の表面にフッ化不動態膜が形成され
ていることを特徴とする排ガスの処理装置。 - 【請求項６】 燃焼室が、ニッケル、高ニッケル含有合
金およびモネルからなる群から選ばれる金属により形成
され、該金属の表面にフッ化不動態膜が形成されている
請求項５に記載の処理装置。 - 【請求項７】 燃焼室が、ステンレスおよび鉄鋼材から
なる群から選ばれる金属により形成され、該金属の表面
にニッケル、ニッケル合金電気鍍金、電鋳鍍金またはニ
ッケル合金無電解鍍金からなる薄膜もしくはアルミナま
たは窒化アルミニウムからなるセラミックス薄膜を有
し、該薄膜の表面にフッ化不動態膜が形成されている請
求項５に記載の処理装置。 - 【請求項８】 エッチングガスまたはクリーニングガス
として、フッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガスを用いる
エッチング工程またはクリーニング工程と、それらの工
程から排出されるフッ素ガスまたはフッ化ハロゲンガス
を含有するガスを燃焼させる除害工程を有する半導体デ
バイスの製造方法において、該除害工程が表面にフッ化
不動態膜が形成された燃焼室を備えた燃焼装置を用いる
ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項９】 前記フッ化不動態膜がフッ化ニッケルか
らなる請求項８に記載の製造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002037344A JP4172938B2 (ja) | 2002-02-14 | 2002-02-14 | 排ガスの処理方法および処理装置 |
| PCT/JP2003/001507 WO2003069228A1 (fr) | 2002-02-14 | 2003-02-13 | Procede de traitement de gaz d'echappement |
| CNB038001454A CN1259524C (zh) | 2002-02-14 | 2003-02-13 | 废气处理方法和处理*** |
| KR1020037013443A KR100544760B1 (ko) | 2002-02-14 | 2003-02-13 | 배기 가스 처리 방법 및 처리 장치 |
| AU2003211966A AU2003211966A1 (en) | 2002-02-14 | 2003-02-13 | Method for treating exhaust gas |
| US10/474,765 US20050115674A1 (en) | 2002-02-14 | 2003-02-13 | Method for treating exhaust gas |
| TW092103139A TW592797B (en) | 2002-02-14 | 2003-02-14 | Exhaust gas treatment process and treatment system |
| HK04109106A HK1066262A1 (en) | 2002-02-14 | 2004-11-18 | Method for treating exhaust gas |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002037344A JP4172938B2 (ja) | 2002-02-14 | 2002-02-14 | 排ガスの処理方法および処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003236337A true JP2003236337A (ja) | 2003-08-26 |
| JP4172938B2 JP4172938B2 (ja) | 2008-10-29 |
Family
ID=27678109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002037344A Expired - Fee Related JP4172938B2 (ja) | 2002-02-14 | 2002-02-14 | 排ガスの処理方法および処理装置 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050115674A1 (ja) |
| JP (1) | JP4172938B2 (ja) |
| KR (1) | KR100544760B1 (ja) |
| CN (1) | CN1259524C (ja) |
| AU (1) | AU2003211966A1 (ja) |
| HK (1) | HK1066262A1 (ja) |
| TW (1) | TW592797B (ja) |
| WO (1) | WO2003069228A1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006289238A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Kanto Denka Kogyo Co Ltd | 排ガスの処理方法 |
| JP2008169448A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Stella Chemifa Corp | フッ化不動態膜を形成した炭素鋼又は特殊鋼及びその形成方法 |
| JP2010276307A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Japan Pionics Co Ltd | 熱分解装置 |
| CN106524191A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-03-22 | 江苏优瑞德环境科技有限公司 | 含氟烷烃废气焚烧处理工艺及装置 |
| CN112827341A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-05-25 | 北京京仪自动化装备技术有限公司 | 一种半导体工艺的废气处理***及其废气的处理方法 |
| WO2021106602A1 (ja) * | 2019-11-27 | 2021-06-03 | 昭和電工株式会社 | 紫外分光法によるハロゲンフッ化物含有ガスに含まれるフッ素ガス濃度の測定方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0509944D0 (en) * | 2005-05-16 | 2005-06-22 | Boc Group Plc | Gas combustion apparatus |
| JP5659491B2 (ja) * | 2009-01-30 | 2015-01-28 | セントラル硝子株式会社 | フッ素ガス発生装置を含む半導体製造設備 |
| CN102163643B (zh) * | 2010-10-09 | 2013-01-02 | 浙江哈氟龙新能源有限公司 | 废气处理热循环烘干*** |
| WO2014031678A1 (en) * | 2012-08-20 | 2014-02-27 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Real-time online determination of caustic in process scrubbers using near infrared spectroscopy and chemometrics |
| JP6257442B2 (ja) * | 2014-05-15 | 2018-01-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧処理装置における排ガス防爆方法 |
| FR3043080B1 (fr) * | 2015-11-04 | 2021-01-08 | Haffner Energy | Procede de production de gaz synthetique hypergaz |
| CN106884134B (zh) * | 2015-12-16 | 2020-07-03 | 中国科学院上海应用物理研究所 | 一种镍基合金的表面钝化处理方法 |
| GB2554406A (en) * | 2016-09-26 | 2018-04-04 | Edwards Korea Ltd | Plasma abatement |
| SG11202112025TA (en) * | 2019-11-27 | 2021-12-30 | Showa Denko Kk | Method for measuring concentration of fluorine gas in halogen fluoride-containing gas using mass spectrometer |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63166783A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | 三石耐火煉瓦株式会社 | 塵埃焼却炉用耐火煉瓦 |
| JPH1179871A (ja) * | 1997-08-27 | 1999-03-23 | Harima Ceramic Co Ltd | 焼却炉の内張り構造 |
| JP2001065838A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-03-16 | Nisshin Steel Co Ltd | 耐高温腐食性に優れた焼却炉体および焼却炉付帯設備 |
| JP2001082723A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-03-30 | Nippon Sanso Corp | 燃焼式除害装置及び燃焼式除害装置用バーナー |
| WO2001033141A1 (fr) * | 1999-11-02 | 2001-05-10 | Ebara Corporation | Appareil de combustion pour le traitement de gaz d'emission |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4236464A (en) * | 1978-03-06 | 1980-12-02 | Aerojet-General Corporation | Incineration of noxious materials |
| JPH01261208A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-18 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 三弗化窒素ガスの精製方法 |
| CA1318108C (en) * | 1988-04-11 | 1993-05-25 | Isao Harada | Process for purifying nitrogen trifluoride gas |
| US5009963A (en) * | 1988-07-20 | 1991-04-23 | Tadahiro Ohmi | Metal material with film passivated by fluorination and apparatus composed of the metal material |
| FR2667134B1 (fr) * | 1990-09-24 | 1995-07-21 | Pavese Guy | Procede d'amelioration de la combustion pour bruleur a air souffle et moyens destines a le mettre en óoeuvre. |
| US5510093A (en) * | 1994-07-25 | 1996-04-23 | Alzeta Corporation | Combustive destruction of halogenated compounds |
| US6146606A (en) * | 1999-02-09 | 2000-11-14 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Reactive agent and process for decomposing nitrogen fluoride |
| US6630421B1 (en) * | 1999-04-28 | 2003-10-07 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Reactive agent and process for decomposing fluorine compounds and use thereof |
-
2002
- 2002-02-14 JP JP2002037344A patent/JP4172938B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-13 KR KR1020037013443A patent/KR100544760B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-02-13 WO PCT/JP2003/001507 patent/WO2003069228A1/ja active Application Filing
- 2003-02-13 US US10/474,765 patent/US20050115674A1/en not_active Abandoned
- 2003-02-13 AU AU2003211966A patent/AU2003211966A1/en not_active Abandoned
- 2003-02-13 CN CNB038001454A patent/CN1259524C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-02-14 TW TW092103139A patent/TW592797B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-11-18 HK HK04109106A patent/HK1066262A1/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63166783A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | 三石耐火煉瓦株式会社 | 塵埃焼却炉用耐火煉瓦 |
| JPH1179871A (ja) * | 1997-08-27 | 1999-03-23 | Harima Ceramic Co Ltd | 焼却炉の内張り構造 |
| JP2001082723A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-03-30 | Nippon Sanso Corp | 燃焼式除害装置及び燃焼式除害装置用バーナー |
| JP2001065838A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-03-16 | Nisshin Steel Co Ltd | 耐高温腐食性に優れた焼却炉体および焼却炉付帯設備 |
| WO2001033141A1 (fr) * | 1999-11-02 | 2001-05-10 | Ebara Corporation | Appareil de combustion pour le traitement de gaz d'emission |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006289238A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Kanto Denka Kogyo Co Ltd | 排ガスの処理方法 |
| JP2008169448A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Stella Chemifa Corp | フッ化不動態膜を形成した炭素鋼又は特殊鋼及びその形成方法 |
| JP2010276307A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Japan Pionics Co Ltd | 熱分解装置 |
| CN106524191A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-03-22 | 江苏优瑞德环境科技有限公司 | 含氟烷烃废气焚烧处理工艺及装置 |
| WO2021106602A1 (ja) * | 2019-11-27 | 2021-06-03 | 昭和電工株式会社 | 紫外分光法によるハロゲンフッ化物含有ガスに含まれるフッ素ガス濃度の測定方法 |
| CN112827341A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-05-25 | 北京京仪自动化装备技术有限公司 | 一种半导体工艺的废气处理***及其废气的处理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW592797B (en) | 2004-06-21 |
| AU2003211966A1 (en) | 2003-09-04 |
| JP4172938B2 (ja) | 2008-10-29 |
| CN1259524C (zh) | 2006-06-14 |
| HK1066262A1 (en) | 2005-03-18 |
| KR100544760B1 (ko) | 2006-01-24 |
| KR20030085596A (ko) | 2003-11-05 |
| WO2003069228A1 (fr) | 2003-08-21 |
| US20050115674A1 (en) | 2005-06-02 |
| CN1498328A (zh) | 2004-05-19 |
| TW200303236A (en) | 2003-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4172938B2 (ja) | 排ガスの処理方法および処理装置 | |
| JP5307556B2 (ja) | ガス処理装置 | |
| JP2022002845A (ja) | オゾン破壊物質の蒸気プラズマアーク加水分解 | |
| EP0885648A1 (en) | A treatment method for decomposing fluorine compounds, and catalyst and apparatus therefor | |
| US20050249643A1 (en) | Apparatus and process for the abatement of semiconductor manufacturing effluents containing fluorine gas | |
| EP2000195B1 (en) | Method of making hcd gas harmless and apparatus therefor | |
| EP1450936A1 (en) | Method and apparatus for treating exhaust gas | |
| US6126906A (en) | Apparatus for removing harmful components in a semiconductor exhaust gas | |
| KR20120021651A (ko) | ＰＦＣｓ 가스 분해 장치 및 방법 | |
| KR101097240B1 (ko) | 배기 가스 처리 방법 및 장치 | |
| JP2008253903A (ja) | ガス処理方法およびガス処理装置 | |
| JP2001054721A (ja) | フロン類の分解方法および分解装置 | |
| JP4518460B2 (ja) | 排ガスからフッ素成分を選択的に回収する方法 | |
| JP2010058009A (ja) | 三フッ化窒素分解処理方法および三フッ化窒素分解処理装置 | |
| JP4937548B2 (ja) | パーフルオロカーボンガスの除害方法及び除害装置 | |
| JP4400067B2 (ja) | ハロゲン耐食性部材及びパーフルオロコンパウンド分解処理装置 | |
| CN1341478A (zh) | 全氟化碳或全氟化物的除害方法及除害装置 | |
| JP3971843B2 (ja) | 半導体製造排ガスの除害装置及び除害方法 | |
| KR102296714B1 (ko) | 질소 산화물 제거장치 | |
| JP2007237150A (ja) | 排ガスの触媒除害処理方法 | |
| KR20040007676A (ko) | 배출 가스 처리 방법 및 처리 장치 | |
| KR200405302Y1 (ko) | 폐가스 정화처리장치의 연소챔버부 | |
| JPH0985045A (ja) | Ｎｆ３排ガスの除害方法及び除害装置 | |
| JP3734963B2 (ja) | 混合溶融塩による有機塩素化合物等の無害化処理方法 | |
| JP2005111433A (ja) | フッ素化合物含有排ガスの処理方法およびその装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040611 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071218 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080213 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080312 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080715 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080812 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4172938 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140822 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |