WO2021106602A1 - 紫外分光法によるハロゲンフッ化物含有ガスに含まれるフッ素ガス濃度の測定方法 - Google Patents

紫外分光法によるハロゲンフッ化物含有ガスに含まれるフッ素ガス濃度の測定方法 Download PDF

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    • G01N2021/0112—Apparatus in one mechanical, optical or electronic block

Definitions

  • the present invention relates to a method for measuring the concentration of fluorine gas contained in a halogen fluoride-containing gas.
  • Halogen fluoride is used as an etching gas, cleaning gas, etc. in the semiconductor manufacturing process.
  • the miniaturization of semiconductors has progressed, and high-purity gases are required for etching gases and cleaning gases used in semiconductor manufacturing processes.
  • a method for accurately measuring the concentration of fluorine gas, which is an impurity contained in the etching gas and the cleaning gas is required.
  • Patent Document 1 describes the concentration of fluorine gas contained in a gas such as exhaust gas discharged from an electronic device manufacturing apparatus such as a semiconductor manufacturing apparatus by an ultraviolet spectrophotometer and Fourier transform red.
  • Patent Document 2 discloses a method of measuring the fluorine concentration in the exhaust gas discharged from a semiconductor process apparatus using sulfur hexafluoride using an ultraviolet spectrophotometer and a Fourier transform infrared spectrophotometer.
  • Patent Document 3 discloses a method for analyzing a halogen gas generated from a semiconductor manufacturing process by ultraviolet-visible absorption spectroscopy.
  • the halogen fluoride When the concentration of fluorine gas contained in a halogen fluoride-containing gas is measured by ultraviolet spectroscopy, the halogen fluoride mainly absorbs light having a wavelength of less than 250 nm, so that a part of the halogen fluoride is photodecomposed and fluorine molecules are formed. And fluorine radicals are generated. Therefore, when measuring the concentration of fluorine gas in halogen fluoride, there is a problem that a measurement error occurs due to fluorine and fluorine radicals generated by photolysis.
  • an object of the present invention is to reduce the measurement error caused by fluorine gas or the like caused by photodecomposition of halogen fluoride when measuring the concentration of fluorine gas contained in the halogen fluoride-containing gas using an ultraviolet spectrophotometer. It is to provide a highly accurate measurement method.
  • the present inventors when measuring the concentration of fluorine gas contained in the halogen fluoride-containing gas by irradiating with ultraviolet light, emits ultraviolet light having a wavelength of less than 250 nm.
  • the present invention includes the following [1] to [8].
  • the maximum value of the ultraviolet light intensity in the wavelength region of less than 250nm against ultraviolet light intensity of the wavelength of 285 nm (W F) ratio (W X) (W X / W F) is 1
  • a method for measuring a fluorine gas concentration which comprises irradiating ultraviolet light of / 10 or less and measuring the absorbance at a wavelength of 285 nm to obtain the concentration of fluorine gas contained in a halogen fluoride-containing gas.
  • the halogen fluoride is any one gas selected from the group consisting of chlorine trifluoride, bromine pentafluoride, iodine heptafluoride, bromine trifluoride, and iodine pentafluoride.
  • the halogen fluoride is bromine pentafluoride, and the maximum value (W X ) of the ultraviolet light intensity in the wavelength region of less than 250 nm is the maximum value of the ultraviolet light intensity in the wavelength region of less than 225 nm [1]. ] To [4], the method for measuring the fluorine gas concentration. [7] The halogen fluoride is chlorine trifluoride, and the maximum value (W X ) of the ultraviolet light intensity in the wavelength region of less than 250 nm is the maximum value of the ultraviolet light intensity in the wavelength region of less than 215 nm [1]. ] To [4], the method for measuring the fluorine gas concentration.
  • the present invention it is possible to measure the concentration of fluorine gas contained in the halogen fluoride-containing gas with high accuracy.
  • FIG. 1 is a schematic view of an example of an analyzer used for measuring the fluorine gas concentration of the present invention.
  • the analyzer used in the present invention is not limited to the analyzer shown in FIG.
  • the present invention is, with respect to the halogen fluoride-containing gas, the ratio of the maximum value of the ultraviolet light intensity in the wavelength region of less than 250nm against ultraviolet light intensity of the wavelength of 285nm (W F) (W X ) (W X / W F) is
  • the present invention relates to a method for measuring a fluorine gas concentration, which comprises irradiating ultraviolet light of 1/10 or less and measuring the absorbance at a wavelength of 285 nm to obtain the concentration of fluorine gas contained in the halogen fluoride-containing gas.
  • the halogen fluoride contained in the halogen fluoride-containing gas used in one embodiment of the present invention is a fluorine compound containing halogens such as chlorine, bromine and iodine as constituent elements.
  • Halogen fluorides include, for example, chlorine fluoride, chlorine trifluoride, bromine fluoride, bromine trifluoride, bromine pentafluoride, iodine fluoride, iodine trifluoride, iodine pentafluoride, and iodine heptafluoride. Can be mentioned.
  • chlorine trifluoride, bromine trifluoride, bromine pentafluoride, iodine pentafluoride, and iodine heptafluoride are preferable from the viewpoint of etching performance and cleaning performance, and chlorine trifluoride, iodine heptafluoride, and iodine pentafluoride are preferable.
  • Bromine pentafluoride is more preferred and can be applied to the present invention.
  • the halogen fluoride-containing gas may contain one type of halogen fluoride alone, or may contain a plurality of types.
  • the halogen fluoride-containing gas may contain a fluorine gas to be measured and an impurity gas other than the fluorine gas.
  • the impurity gas include helium, argon, oxygen gas (O 2 ), nitrogen gas (N 2 ), carbon dioxide and carbon tetrafluoride.
  • the halogen fluoride-containing gas may contain one kind or a plurality of kinds of impurity gases, and the content thereof is not particularly limited.
  • the halogen fluoride-containing gas may contain a diluting gas.
  • the diluting gas is a gas that is inactive against the halogen fluoride, the fluorine-containing gas, and the impurity gas.
  • Examples of the diluting gas include helium, argon, nitrogen gas (N 2 ), carbon dioxide, and carbon tetrafluoride.
  • the halogen fluoride-containing gas may contain one kind or a plurality of kinds of diluted gases, and the content thereof is not particularly limited.
  • the halogen fluoride-containing gas is introduced from the halogen fluoride-containing gas supply source 10 into the gas cell 22 described later via the valve 14.
  • the halogen fluoride-containing gas supply source 10 can supply the halogen fluoride-containing gas to the gas cell 22
  • the supply method, form, size, and the like are not particularly limited.
  • the halogen fluoride-containing gas may be supplied from the branch pipe branched from the halogen fluoride-containing gas supply pipe connected to the etching apparatus in the semiconductor manufacturing process to the gas cell 22 via the valve 14.
  • the gas cell 22 may be supplied from a container such as a gas cylinder in which the same halogen fluoride-containing gas as the gas supplied to the etching apparatus is stored.
  • the reference gas is not particularly limited as long as it does not contain a component that absorbs a wavelength in the vicinity of 285 nm.
  • Examples of the reference gas include nitrogen gas (N 2 ) and helium gas.
  • the reference gas is introduced into the gas cell 22 from the reference gas supply source 12 via the valve 16.
  • the reference gas supply source 12 can supply the reference gas to the gas cell 22, the supply method, form, size, and the like are not particularly limited.
  • the reference gas may be supplied to the gas cell 22 from a container such as a gas cylinder in which the reference gas is stored.
  • the light source 18 used in one embodiment of the present invention is used to irradiate the halogen fluoride-containing gas and the reference gas with ultraviolet light.
  • the light source 18 is not particularly limited as long as it emits ultraviolet light having a wavelength of 285 nm.
  • Etc., and a light beam having a wavelength of less than 250 nm and a small amount of light component may be used.
  • the filter 20 when using the means for suppressing the irradiation of ultraviolet light having a wavelength of less than 250 nm, it is efficient to irradiate the halogen fluoride with the ultraviolet light emitted from the light source 18 through the filter 20. It is preferable because it can suppress photodecomposition of halogen fluoride well.
  • the filter 20 is not particularly limited as long as it can sufficiently block ultraviolet light having a wavelength of less than 250 nm, but preferably 50% or more, more preferably 60% or more, still more preferably 70% or more. To do.
  • the filter 20 it is preferable to use a filter that sufficiently transmits ultraviolet light including a wavelength of 285 nm, which is the maximum absorption wavelength of fluorine, in that highly accurate measurement can be performed, and ultraviolet light having a wavelength of 280 to 290 nm is preferably 90. % Or more, more preferably 95% or more.
  • the filter 20 is not particularly limited as long as it has the above performance, but for example, a commercially available filter such as a short wavelength cut filter manufactured by Asahi Spectroscopy Co., Ltd. can be used.
  • the gas cell 22 is used to irradiate ultraviolet light by enclosing or circulating the halogen fluoride-containing gas and the reference gas.
  • the gas cell 22 is provided with a gas introduction port, a gas discharge port connected to the exhaust port 26, an incident window, an exit window, and the like in the gas cell main body.
  • the material of the gas cell 22 main body other than the entrance window and the exit window is not particularly limited as long as it exhibits corrosion resistance to the components contained in the halogen fluoride-containing gas and fluorine gas, and for example, stainless steel, nickel, Inconel, and Monel are used. Can be used.
  • the material of the incident window and the exit window is not particularly limited as long as it does not absorb light having a wavelength around 285 nm and exhibits corrosion resistance to halogen fluoride-containing gas and fluorine-containing gas. Calcium and barium fluoride can be used.
  • the spectroscope 24 measures the absorption spectrum of the wavelength of the ultraviolet light emitted from the exit window of the gas cell 22.
  • the spectroscope 24 is not particularly limited as long as it can measure the absorption spectrum of ultraviolet light, and for example, an ultraviolet spectrophotometer usually used in the field of the present invention can be used.
  • a lens or the like may be provided between the exit end of the light source 18 and the incident window of the gas cell 22.
  • the method for measuring the fluorine gas concentration of the present invention using the gas to be measured and the device or the like will be described.
  • (1) Measurement of Reference Gas In order to measure the concentration of fluorine gas contained in the halogen fluoride-containing gas of the present invention, it is preferable to measure the absorption spectrum of the reference gas in advance. In order to measure the absorption spectrum of the reference gas, the valve 14 is closed to prevent the halogen fluoride-containing gas from being supplied from the halogen fluoride-containing gas supply source 10, the valve 16 is opened, and the reference gas is supplied from the reference gas supply source 12 to the gas cell. Introduced in 22. When introducing the reference gas, the exhaust port 26 may be left open so that the reference gas flows through the gas cell 22, or the exhaust port 26 is closed and the reference gas is sealed in the gas cell 22. You may.
  • the reference gas in the gas cell 22 is irradiated with ultraviolet light emitted from the light source 18 from the incident window of the gas cell 22 preferably through the filter 20.
  • the ultraviolet light of the light source 18 may be applied to the incident window of the gas cell 22 via the optical fiber.
  • purge gas such as nitrogen may be flowed near the incident window, or oxygen and air etc. from the incident window and the exit window. It is preferable to have an airtight structure so that
  • the light source 18 of ultraviolet light applied to the reference gas and halogen fluoride-containing gas the maximum value of the ultraviolet light intensity in the wavelength region of less than 250nm against ultraviolet light intensity of the wavelength of 285 nm (W F) of (W X) the ratio (W X / W F) (hereinafter also referred to as "ultraviolet light intensity ratio".) is required to be less than 1/10.
  • the halogen fluoride is photodecomposed by irradiation with ultraviolet light having a wavelength of less than 250 nm, and the resulting decrease in measurement accuracy due to fluorine gas can be suppressed.
  • the ultraviolet light intensity ratio (W X / W F) is more preferably 1/15 or less.
  • the maximum value of the ultraviolet light intensity in the wavelength region of less than 250 nm is, in other words, the intensity of the ultraviolet light having the highest wavelength among the ultraviolet light having a wavelength of less than 250 nm. It said W F and W X can be measured by the spectroscope 24. The ultraviolet light intensity ratio can be adjusted by the light source 18 and the filter 20.
  • the ultraviolet light intensity ratio may be appropriately set according to the absorption wavelength of halogen fluoride as long as it is within the above range.
  • the maximum absorption wavelength of bromine pentafluoride is 217 nm, but the maximum absorption wavelength plus the maximum value of the ultraviolet light intensity in the wavelength region shorter than the wavelength of 7 to 9 nm, for example, the maximum value of the ultraviolet light intensity in the wavelength region less than 225 nm.
  • W X may be used for calculating the ultraviolet light intensity ratio.
  • the maximum absorption wavelength of chlorine trifluoride is 207 nm
  • the maximum value of the ultraviolet light intensity in the wavelength region of less than 215 nm may be set as W X and used for calculating the ultraviolet light intensity ratio.
  • the maximum absorption wavelength of iodine heptafluoride is 241 nm
  • the maximum value of the ultraviolet light intensity in the wavelength region of less than 250 nm may be set as W X and used for the calculation of the ultraviolet light intensity ratio.
  • the ultraviolet light emitted from the exit window of the gas cell 22 is measured with a spectroscope.
  • the ultraviolet light emitted from the exit window may be introduced into the spectroscope via an optical fiber.
  • a spectroscope for example, operate according to the manual attached to the product to measure the absorption spectrum of the reference gas.
  • a high-purity nitrogen gas is used as the reference gas and the reference gas is irradiated with ultraviolet light using a filter so as to be within the range of the ultraviolet light intensity ratio, nitrogen or halogen is generated in the wavelength region of less than 250 nm. Since the absorption of fluoride is eliminated, the absorption spectrum can be left blank.
  • the halogen fluoride-containing gas is introduced into the gas cell 22 from the halogen fluoride-containing gas supply source 10 by closing the valve 16 and opening the valve 14, and the above reference gas.
  • the absorption spectrum of the halogen fluoride-containing gas is measured in the same manner as in the above.
  • a halogen fluoride-containing gas diluted with a diluting gas such as helium, argon, nitrogen, carbon dioxide, and carbon tetrafluoride may be introduced into the gas cell 22. From the absorption spectrum, the absorbance at a wavelength of 285 nm, which is the maximum absorption wavelength of fluorine, is measured, and the fluorine gas concentration is obtained by absorptiometry.
  • the temperature inside the gas cell 22 when performing the above measurement is not particularly limited as long as it is equal to or higher than the temperature at which the halogen fluoride-containing gas and the reference gas are liquefied and solidified, but 20 to 150 ° C. is preferable, and 50 to 50 to 120 ° C. is more preferable. If the temperature is higher than this range, the reaction between the halogen fluoride and the gas cell and the incident window and the exit window may proceed, or the decomposition of the halogen fluoride may proceed, which is not preferable.
  • the pressure inside the gas cell 22 when the halogen fluoride-containing gas and the reference gas are sealed in the gas cell 22 for measurement is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 0.2 MPaA, preferably 0.05 to 0. .15 MPaA is more preferable. If the pressure is lower than this range, the gas concentration may be lowered and the sensitivity may be lowered, and if the pressure is higher than this range, the device may be damaged.
  • Example 1 Bromine pentafluoride gas was used as the halogen fluoride-containing gas, and the concentration of fluorine gas contained in the bromine pentafluoride gas was measured according to the measurement method of the present invention using the analyzer shown in FIG.
  • the main body of the gas cell 22 was made of SUS316, and the entrance window and the exit window used a gas cell made of calcium fluoride.
  • nitrogen gas is used as the reference gas
  • nitrogen gas is introduced into the gas cell 22 from the high-purity nitrogen gas cylinder which is the reference gas supply source 12
  • a deuterium lamp product name: L10290, manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.
  • the ultraviolet light of the above was irradiated to the nitrogen gas in the gas cell 22.
  • the absorption spectrum of the ultraviolet light emitted from the gas cell 22 was measured with a multi-channel spectroscope (product name: FLAME-S, manufactured by Ocean Optics) as a spectroscope 24.
  • the temperature in the gas cell was 50 ° C. and the pressure was 0.1 MPaA.
  • bromine pentafluoride gas is introduced into the gas cell 22 from the halogen fluoride-containing gas supply source 10 under the same temperature and pressure conditions as in the reference gas measurement.
  • the absorption spectrum of the ultraviolet light emitted from the gas cell 22 was measured by the above spectroscope.
  • the absorption spectrum of nitrogen gas was subtracted from the absorption spectrum of the obtained bromine pentafluoride gas to determine the concentration of fluorine gas contained in the bromine pentafluoride gas. As a result, the fluorine concentration was 2 parts by volume ppm.
  • the fluorine gas concentration in iodine heptafluoride gas was determined in the same manner as in Example 1 except that it was irradiated with ultraviolet light. As a result, the fluorine concentration was 3 parts by volume ppm.
  • Example 3 The same as in Example 1 except that chlorine trifluoride gas was used instead of bromine pentafluoride gas as the halogen fluoride-containing gas and the maximum value of the ultraviolet light intensity in the wavelength region of less than 215 nm was set to W X.
  • the concentration of fluorine gas in chlorine trifluoride gas was determined. As a result, the fluorine concentration was 5 parts by volume ppm.
  • Table 1 shows the conditions and results of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3.

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Abstract

本発明は、紫外分光光度計を用いてハロゲンフッ化物含有ガスに含まれるフッ素ガス濃度を測定する際に、ハロゲンフッ化物の光分解によって生じるフッ素ガス等がもたらす測定誤差を減らし、精度の高い測定方法を提供することを目的とする。　本発明は、ハロゲンフッ化物含有ガスに対し、２８５ｎｍの波長の紫外光強度（ＷF）に対する２５０ｎｍ未満の波長領域における紫外光強度の最大値（ＷX）の比（ＷX／ＷF）が１／１０以下となる紫外光を照射し、２８５ｎｍの波長の吸光度を測定しハロゲンフッ化物含有ガスに含まれるフッ素ガス濃度を得る、フッ素ガス濃度の測定方法である。

Description

紫外分光法によるハロゲンフッ化物含有ガスに含まれるフッ素ガス濃度の測定方法
　本発明は、ハロゲンフッ化物含有ガスに含まれるフッ素ガス濃度の測定方法に関する。
　ハロゲンフッ化物は、半導体製造プロセスにおいてエッチングガスおよびクリーニングガスなどに使用されている。近年、半導体の微細化が進行しており、半導体製造プロセスで使用されるエッチングガスおよびクリーニングガスなどには高純度のガスが求められている。高純度のガスを調製するためには、エッチングガスおよびクリーニングガスなどに含まれる不純物であるフッ素ガス濃度を精度よく測定する方法が必要とされている。
　フッ素ガス濃度を測定する方法として、例えば、特許文献１は、半導体製造装置などの電子デバイス製造装置から排出される排ガスなどのガス中に含まれるフッ素ガス濃度を、紫外分光光度計とフーリエ変換赤外分光光度計とを用いて測定する方法を開示している。特許文献２は、六フッ化イオウを使用する半導体プロセス装置から排出された排ガス中のフッ素濃度を、紫外分光光度計とフーリエ変換赤外分光光度計とを用いて測定する方法を開示している。特許文献３は、半導体製造プロセスから生じるハロゲンガスを紫外－可視吸収分光法によって分析する方法を開示している。
特許第５２２１８８１号公報 特開２０１０－２０３８５５号公報 米国特許第６６８６５９４号明細書
　ハロゲンフッ化物含有ガスに含まれるフッ素ガス濃度を紫外分光法によって測定する場合、ハロゲンフッ化物が主に２５０ｎｍ未満の波長の光を吸収するため、ハロゲンフッ化物の一部が光分解され、フッ素分子やフッ素ラジカルが生じる。そのため、ハロゲンフッ化物中のフッ素ガス濃度を測定する際に、光分解によって発生したフッ素やフッ素ラジカルによって測定誤差が生じてしまうという問題があった。
　従って、本発明の目的は、紫外分光光度計を用いてハロゲンフッ化物含有ガスに含まれるフッ素ガス濃度を測定する際に、ハロゲンフッ化物の光分解によって生じるフッ素ガス等がもたらす測定誤差を減らし、精度の高い測定方法を提供することである。
　本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、紫外光を照射してハロゲンフッ化物含有ガスに含まれるフッ素ガス濃度を測定する際に、２５０ｎｍ未満の波長の紫外光の照射を抑制することで、精度の高い測定ができることを見出し、本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明は以下に示す［１］～［８］を含む。
　［１］ハロゲンフッ化物含有ガスに対し、２８５ｎｍの波長の紫外光強度（ＷF）に対する２５０ｎｍ未満の波長領域における紫外光強度の最大値（ＷX）の比（ＷX／ＷF）が１／１０以下となる紫外光を照射し、２８５ｎｍの波長の吸光度を測定しハロゲンフッ化物含有ガスに含まれるフッ素ガス濃度を得る、フッ素ガス濃度の測定方法。
　［２］前記ハロゲンフッ化物含有ガスに対し、光源から２５０ｎｍ未満の波長の紫外光の照射を抑制する手段を用いて２５０ｎｍ以上の波長の紫外光を照射する、［１］に記載のフッ素ガス濃度の測定方法。
　［３］前記手段が前記光源からハロゲンフッ化物含有ガスに照射される紫外光を、２５０ｎｍ未満の波長の紫外光を５０％以上遮断し、２８０～２９０ｎｍの波長の紫外光を９０％以上透過させるフィルターを介して照射することである、［１］または［２］に記載のフッ素ガス濃度の測定方法。
　［４］前記ハロゲンフッ化物が、三フッ化塩素、五フッ化臭素、七フッ化ヨウ素、三フッ化臭素、および五フッ化ヨウ素からなる群より選択されるいずれか１種のガスである、［１］～［３］のいずれかに記載のフッ素ガス濃度の測定方法。
　［５］前記ハロゲンフッ化物が七フッ化ヨウ素である、［１］～［４］のいずれかに記載のフッ素ガス濃度の測定方法。
　［６］前記ハロゲンフッ化物が五フッ化臭素であり、前記２５０ｎｍ未満の波長領域における紫外光強度の最大値（ＷX）が２２５ｎｍ未満の波長領域における紫外光強度の最大値である、［１］～［４］のいずれかに記載のフッ素ガス濃度の測定方法。
　［７］前記ハロゲンフッ化物が三フッ化塩素であり、前記２５０ｎｍ未満の波長領域における紫外光強度の最大値（ＷX）が２１５ｎｍ未満の波長領域における紫外光強度の最大値である、［１］～［４］のいずれかに記載のフッ素ガス濃度の測定方法。
　［８］前記ハロゲンフッ化物含有ガスに前記紫外光を照射して測定した吸収スペクトルから、リファレンスガスに前記紫外光を照射して測定した吸収スペクトルを差し引き、得られた吸収スペクトルの２８５ｎｍの波長の吸光度からフッ素ガス濃度を得る、［１］～［７］のいずれかに記載のフッ素ガス濃度の測定方法。
　本発明によれば、ハロゲンフッ化物含有ガスに含まれるフッ素ガス濃度について、精度の高い測定をすることができる。
図１は、本発明のフッ素ガス濃度の測定に使用する分析装置の一例の概略図である。
　以下、本発明について、必要に応じて図１を参照しつつ詳細に説明する。なお、本発明で使用する分析装置は、図１に示す分析装置に限定されない。
　本発明は、ハロゲンフッ化物含有ガスに対し、２８５ｎｍの波長の紫外光強度（ＷF）に対する２５０ｎｍ未満の波長領域における紫外光強度の最大値（ＷX）の比（ＷX／ＷF）が１／１０以下となる紫外光を照射し、２８５ｎｍの波長の吸光度を測定しハロゲンフッ化物含有ガスに含まれるフッ素ガス濃度を得る、フッ素ガス濃度の測定方法に関する。
　＜フッ素ガス濃度の測定に使用する被測定ガスおよび機器等＞
　（ハロゲンフッ化物含有ガス）
　本発明の一実施態様で使用するハロゲンフッ化物含有ガスに含まれるハロゲンフッ化物は、構成元素に塩素、臭素およびヨウ素等のハロゲンを含むフッ素化合物である。ハロゲンフッ化物としては、例えば、フッ化塩素、三フッ化塩素、フッ化臭素、三フッ化臭素、五フッ化臭素、フッ化ヨウ素、三フッ化ヨウ素、五フッ化ヨウ素、および七フッ化ヨウ素が挙げられる。このうち、エッチング性能やクリーニング性能の点から三フッ化塩素、三フッ化臭素、五フッ化臭素、五フッ化ヨウ素、七フッ化ヨウ素が好ましく、三フッ化塩素、七フッ化ヨウ素および五フッ化臭素がより好ましく本発明に適用できる。ハロゲンフッ化物含有ガスには、ハロゲンフッ化物が一種単独で含まれてもよいし、複数種が含まれてもよい。
　ハロゲンフッ化物含有ガスには、測定対象であるフッ素ガス、およびフッ素ガス以外の不純物ガスが含まれていてもよい。不純物ガスとしては、例えば、ヘリウム、アルゴン、酸素ガス（Ｏ2）、窒素ガス（Ｎ2）、二酸化炭素および四フッ化炭素が挙げられる。ハロゲンフッ化物含有ガスには一種単独または複数種の不純物ガスが含まれていてもよく、その含有量は特に制限されない。
　また、ハロゲンフッ化物含有ガスには、希釈ガスが含まれていてもよい。希釈ガスは、上記ハロゲンフッ化物、フッ素含有ガスおよび不純物ガスに対して不活性なガスである。希釈ガスとしては、例えば、ヘリウム、アルゴン、窒素ガス（Ｎ2）、二酸化炭素、四フッ化炭素が挙げられる。ハロゲンフッ化物含有ガスには一種単独または複数種の希釈ガスが含まれていてもよく、その含有量は特に制限されない。
　ハロゲンフッ化物含有ガスは、ハロゲンフッ化物含有ガス供給源１０からバルブ１４を介して後述するガスセル２２に導入される。ハロゲンフッ化物含有ガス供給源１０は、ハロゲンフッ化物含有ガスをガスセル２２に供給することできれば、供給方法、形態および大きさ等は特に制限されない。例えば、半導体製造プロセスにおけるエッチング装置に接続されているハロゲンフッ化物含有ガスの供給管から分岐している分岐管から、バルブ１４を介してガスセル２２へハロゲンフッ化物含有ガスを供給してもよいし、エッチング装置に供給するガスと同じハロゲンフッ化物含有ガスが貯留されたガスボンベ等の容器からガスセル２２に供給してもよい。
　（リファレンスガス）
　上記ハロゲンフッ化物含有ガスに対し、後述する方法で紫外光を照射して吸収スペクトルを測定するに際し、リファレンスガスをブランクとして使用し、後述するガスセル２２におけるリファレンスガスの吸収スペクトルを測定することが好ましい。リファレンスガスは、２８５ｎｍ付近の波長を吸収する成分が含まれていなければ特に制限されない。リファレンスガスとしては、例えば、窒素ガス（Ｎ２）およびヘリウムガスが挙げられる。
　リファレンスガスは、リファレンスガス供給源１２からバルブ１６を介してガスセル２２に導入される。リファレンスガス供給源１２は、リファレンスガスをガスセル２２に供給することができれば、供給方法、形態および大きさ等は特に制限されない。例えば、リファレンスガスが貯留されたガスボンベ等の容器からガスセル２２にリファレンスガスを供給してもよい。
　（光源１８）
　本発明の一実施態様で使用する光源１８は、上記ハロゲンフッ化物含有ガスおよびリファレンスガスに紫外光を照射するために使用する。光源１８は２８５ｎｍの波長を含む紫外光を発するものであれば特に制限されず、例えば、重水素ランプ、キセノンランプ、水銀ランプ（低圧，高圧）、メタルハライドランプ、蛍光ランプ、ブラックライト（ブルーランプ）等を使用することができ、２５０ｎｍ未満の波長の光成分が少ない光線を用いてもよい。
　（フィルター２０）
　本発明の一実施態様において、２５０ｎｍ未満の波長の紫外光の照射を抑制する手段を用いる際、上記光源１８から照射される紫外光をフィルター２０を介してハロゲンフッ化物に照射することが、効率よくハロゲンフッ化物の光分解を抑制できる点で好ましい。フィルター２０としては、２５０ｎｍ未満の波長の紫外光を充分遮断できるフィルターであれば特に制限はされないが、好ましくは５０％以上、より好ましくは６０％以上、さらに好ましくは７０％以上遮断できるものを使用する。フィルター２０を介して紫外光を照射することにより、２５０ｎｍ未満の波長領域に最大吸収波長を有するハロゲンフッ化物の光分解によって生じるフッ素ガス等による測定精度の低下を抑制することができる。
　フィルター２０は、フッ素の最大吸収波長である２８５ｎｍの波長を含む紫外光を充分透過させるフィルターを使用することが精度の高い測定ができる点で好ましく、２８０～２９０ｎｍの波長の紫外光を好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上透過させることが好ましい。フィルター２０は、上記性能を有しているものであれば特に制限されないが、例えば、朝日分光株式会社製の短波長カットフィルターなどの市販品のものを使用することができる。
　（ガスセル２２）
　ガスセル２２は、上記ハロゲンフッ化物含有ガスおよびリファレンスガスを封入または流通させて紫外光を照射するために使用する。ガスセル２２にはガスセル本体に、ガス導入口、排気口２６に接続されたガス排出口、入射窓、出射窓などが備えられている。入射窓および出射窓以外のガスセル２２本体の材質は、ハロゲンフッ化物含有ガスに含まれる成分およびフッ素ガスに対する耐食性を示すものであれば特に制限されず、例えば、ステンレス鋼、ニッケル、インコネル、モネルが使用できる。
　また、入射窓および出射窓の材質は、２８５ｎｍ付近の波長の光を吸収せず、ハロゲンフッ化物含有ガスおよびフッ素含有ガスに対して耐食性を示すものであれば特に制限されないが、例えば、フッ化カルシウム、フッ化バリウムが使用できる。
　（分光器２４）
　分光器２４は、上記ガスセル２２の出射窓から出射した紫外光の波長の吸収スペクトルを測定する。分光器２４は、紫外光の吸収スペクトルを測定することができれば特に制限されず、例えば、本発明の分野で通常使用されている紫外分光光度計を用いることができる。
　（その他）
　光源１８からの光を効率よくガスセル２２に取り込むため、光源１８の出射端とガスセル２２の入射窓との間に、レンズなどを設けてもよい。
　＜フッ素ガス濃度の測定方法＞
　以下、上記被測定ガスおよび機器等を用いた、本発明のフッ素ガス濃度の測定方法について説明する。
　（１）リファレンスガスの測定
　本発明のハロゲンフッ化物含有ガスに含まれるフッ素ガス濃度を測定するため、予めリファレンスガスの吸収スペクトルを測定することが好ましい。リファレンスガスの吸収スペクトルを測定するため、バルブ１４を閉じて、ハロゲンフッ化物含有ガス供給源１０からハロゲンフッ化物含有ガスが供給されないようにし、バルブ１６を開きリファレンスガス供給源１２からリファレンスガスをガスセル２２に導入する。リファレンスガス導入の際、排気口２６を開いたままにしてリファレンスガスがガスセル２２を流通するようにして行ってもよいし、排気口２６を閉じてリファレンスガスをガスセル２２に封入するようにして行ってもよい。
　ガスセル２２内のリファレンスガスに対し、光源１８から出射される紫外光を、好適にはフィルター２０を介してガスセル２２の入射窓から照射する。このとき、光源１８の紫外光を、光ファイバを介してガスセル２２の入射窓に照射してもよい。また、短波長の紫外光によって空気中の酸素からオゾンが生じ測定に影響が出る可能性があるため、入射窓付近に窒素などのパージガスを流すこと、または入射窓および出射窓から酸素および空気等が入り込まないよう気密構造にすることが好ましい。
　また、光源１８からリファレンスガスおよびハロゲンフッ化物含有ガスに照射される紫外光の、２８５ｎｍの波長の紫外光強度（ＷF）に対する２５０ｎｍ未満の波長領域における紫外光強度の最大値（ＷX）の比（ＷX／ＷF）（以下「紫外光強度比」とも称する。）が１／１０以下であることが必要である。これによって、２５０ｎｍ未満の波長の紫外光照射によってハロゲンフッ化物が光分解され、その結果生じるフッ素ガスによる測定精度の低下を抑制できる。前記紫外光強度比（ＷX／ＷF）は１／１５以下であることがより好ましい。なお、２５０ｎｍ未満の波長領域における紫外光強度の最大値とは、換言すると、２５０ｎｍ未満の波長の紫外光の中で、最も強度が高い波長の紫外光の強度である。上記ＷFおよびＷXは、上記の分光器２４によって測定することができる。上記紫外光強度比は、光源１８およびフィルター２０によって調整することができる。
　上記紫外光強度比は、上記範囲内であればハロゲンフッ化物の吸収波長に合わせて適宜設定してもよい。例えば、五フッ化臭素の最大吸収波長は２１７ｎｍであるが、この最大吸収波長プラス７～９ｎｍの波長より短い波長領域の紫外光強度、例えば、２２５ｎｍ未満の波長領域の紫外光強度の最大値をＷXとし、紫外光強度比の算出に供してもよい。
　同様に、三フッ化塩素の最大吸収波長は２０７ｎｍであるので、例えば、２１５ｎｍ未満の波長領域の紫外光強度の最大値をＷXとし、紫外光強度比の算出に供してもよい。また、七フッ化ヨウ素の最大吸収波長は２４１ｎｍであるので、例えば、２５０ｎｍ未満の波長領域の紫外光強度の最大値をＷXとし、紫外光強度比の算出に供してもよい。
　ガスセル２２の出射窓から出射した紫外光を分光器で測定する。出射窓から出射した紫外光は光ファイバを介して分光器に導入してもよい。分光器を使用するときは、例えば、製品付属のマニュアルに従って操作して、リファレンスガスの吸収スペクトルを測定する。リファレンスガスとして、例えば、高純度の窒素ガスを使用し、上記紫外光強度比の範囲となるようにフィルターを用いてリファレンスガスに紫外光を照射すると、２５０ｎｍ未満の波長領域には、窒素やハロゲンフッ化物の吸収が無くなるため、吸収スペクトルをブランクとすることができる。
　（２）ハロゲンフッ化物含有ガスの２８５ｎｍの波長の吸光度の測定
　バルブ１６を閉じ、バルブ１４を開けハロゲンフッ化物含有ガス供給源１０から、ガスセル２２にハロゲンフッ化物含有ガスを導入し、上記リファレンスガスと同様にしてハロゲンフッ化物含有ガスの吸収スペクトルを測定する。この際、ヘリウム、アルゴン、窒素、二酸化炭素、四フッ化炭素などの希釈ガスで希釈したハロゲンフッ化物含有ガスをガスセル２２に導入してもよい。該吸収スペクトルから、フッ素の最大吸収波長である２８５ｎｍの波長の吸光度を測定し、吸光光度法によりフッ素ガス濃度を得る。
　また、ハロゲンフッ化物含有ガスの吸収スペクトルから上記リファレンスガスの吸収スペクトルを差し引き、得られた吸収スペクトルから２８５ｎｍの波長の吸光度を測定し、吸光光度法によりフッ素ガス濃度を得ることが、精度の高い測定ができる点で好ましい。
　（３）測定条件
　上記測定を行う際のガスセル２２内の温度は、ハロゲンフッ化物含有ガスおよびリファレンスガスが液化および固化する温度以上であれば特に制限されないが、２０～１５０℃が好ましく、５０～１２０℃がさらに好ましい。この範囲より温度が高くなると、ハロゲンフッ化物とガスセル並びに入射窓および出射窓との反応が進行する場合や、ハロゲンフッ化物の分解が進行する場合があるので好ましくない。
　また、上記ハロゲンフッ化物含有ガスおよびリファレンスガスをガスセル２２に封入して測定を行う際のガスセル２２内の圧力は、特に制限されないが、０．０１～０．２ＭＰａＡが好ましく、０．０５～０．１５ＭＰａＡがより好ましい。この範囲より圧力が低くなると上記ガス濃度が低くなり感度が低下する場合があり、またこの範囲より圧力が高くなると装置が損傷する場合がある。
　以下、本発明を実施例に基づいて更に具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
　［実施例１］
　ハロゲンフッ化物含有ガスとして五フッ化臭素ガスを使用し、図１に示した分析装置を使用して本発明の測定方法に従って五フッ化臭素ガスに含まれるフッ素ガス濃度を測定した。ガスセル２２は本体がＳＵＳ３１６製で、入射窓および出射窓はフッ化カルシウムで構成されたガスセルを使用した。
　まず、リファレンスガスとして窒素ガスを使用し、リファレンスガス供給源１２である高純度窒素ガスボンベからガスセル２２に窒素ガスを導入し、光源１８として重水素ランプ（製品名：Ｌ１０２９０、浜松ホトニクス株式会社製）からフィルター２０として短波長カットフィルター（製品名：ＬＵ０２５０、朝日分光株式会社製）を介して、２２５ｎｍ未満の波長領域の紫外光強度の最大値をＷXとし、ＷX／ＷF＝１／２０の紫外光をガスセル２２内の窒素ガスに照射した。ガスセル２２から出射した紫外光の吸収スペクトルを分光器２４としてマルチチャンネル分光器（製品名：ＦＬＡＭＥ－Ｓ、Ｏｃｅａｎ　Ｏｐｔｉｃｓ社製）で測定した。ガスセル内の温度は５０℃、圧力は０．１ＭＰａＡであった。
　次いで、ガスセル２２中の窒素ガスを排気口２６から排気した後、ハロゲンフッ化物含有ガス供給源１０からガスセル２２に五フッ化臭素ガスを導入し、リファレンスガス測定時と同一温度および同一圧力条件下で、光源から上記フィルターを介して、ＷX／ＷF＝１／２０の紫外光をガスセル２２内の五フッ化臭素ガスに照射した。ここで、ガスセル２２から出射した紫外光の吸収スペクトルを上記分光器で測定した。得られた五フッ化臭素ガスの吸収スペクトルから窒素ガスの吸収スペクトルを差し引いて、五フッ化臭素ガスに含まれるフッ素ガス濃度を求めた。その結果、フッ素濃度は２体積ｐｐｍであった。
　［実施例２］
　ハロゲンフッ化物含有ガスとして五フッ化臭素ガスの代わりに七フッ化ヨウ素ガスを使用し、２５０ｎｍ未満の波長領域の紫外光強度の最大値をＷXとし、ＷX／ＷF＝１／１８の紫外光を照射したこと以外は、実施例１と同様にして七フッ化ヨウ素ガス中のフッ素ガス濃度を求めた。その結果、フッ素濃度は、３体積ｐｐｍであった。
　［実施例３］
　ハロゲンフッ化物含有ガスとして五フッ化臭素ガスの代わりに三フッ化塩素ガスを使用し、２１５ｎｍ未満の波長領域の紫外光強度の最大値をＷXとしたこと以外は、実施例１と同様にして三フッ化塩素ガス中のフッ素ガス濃度を求めた。その結果、フッ素濃度は、５体積ｐｐｍであった。
　［比較例１］
　フィルターを用いず、ＷX／ＷF＝１／５の紫外光を照射したこと以外は、実施例１と同様にして、五フッ化臭素ガスに含まれるフッ素ガス濃度を求めた。その結果、フッ素濃度は２０体積ｐｐｍであり、五フッ化臭素の分解反応が進んだことが確認された。
　［比較例２］
　フィルターを用いず、ＷX／ＷF＝１／５の紫外光を照射したこと以外は、実施例２と同様にして、七フッ化ヨウ素ガスに含まれるフッ素ガス濃度を求めた。その結果、フッ素濃度は２４体積ｐｐｍであり、七フッ化ヨウ素の分解反応が進んだことが確認された。
　［比較例３］
　フィルターを用いず、ＷX／ＷF＝１／５の紫外光を照射したこと以外は、実施例３と同様にして、三フッ化塩素ガスに含まれるフッ素ガス濃度を求めた。その結果、フッ素濃度は１８体積ｐｐｍであり、三フッ化塩素の分解反応が進んだことが確認された。
　上記実施例１～３および比較例１～３の条件と結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　１０・・・ハロゲンフッ化物含有ガス供給源
　１２・・・リファレンスガス供給源
　１４・・・バルブ
　１６・・・バルブ
　１８・・・光源
　２０・・・フィルター
　２２・・・ガスセル
　２４・・・分光器
　２６・・・排気口

Claims (8)

  1. 　ハロゲンフッ化物含有ガスに対し、２８５ｎｍの波長の紫外光強度（ＷF）に対する２５０ｎｍ未満の波長領域における紫外光強度の最大値（ＷX）の比（ＷX／ＷF）が１／１０以下となる紫外光を照射し、２８５ｎｍの波長の吸光度を測定しハロゲンフッ化物含有ガスに含まれるフッ素ガス濃度を得る、フッ素ガス濃度の測定方法。
  2. 　前記ハロゲンフッ化物含有ガスに対して、光源から２５０ｎｍ未満の波長の紫外光の照射を抑制する手段を用いて２５０ｎｍ以上の波長の紫外光を照射する、請求項１に記載のフッ素ガス濃度の測定方法。
  3. 　前記手段が前記光源からハロゲンフッ化物含有ガスに照射される紫外光を、２５０ｎｍ未満の波長の紫外光を５０％以上遮断し、２８０～２９０ｎｍの波長の紫外光を９０％以上透過させるフィルターを介して照射することである、請求項１または２に記載のフッ素ガス濃度の測定方法。
  4. 　前記ハロゲンフッ化物が、三フッ化塩素、五フッ化臭素、七フッ化ヨウ素、三フッ化臭素、および五フッ化ヨウ素からなる群より選択されるいずれか１種のガスである、請求項１～３のいずれか一項に記載のフッ素ガス濃度の測定方法。
  5. 　前記ハロゲンフッ化物が七フッ化ヨウ素である、請求項１～４のいずれか一項に記載のフッ素ガス濃度の測定方法。
  6. 　前記ハロゲンフッ化物が五フッ化臭素であり、前記２５０ｎｍ未満の波長領域における紫外光強度の最大値（ＷX）が２２５ｎｍ未満の波長領域における紫外光強度の最大値である、請求項１～４のいずれか一項に記載のフッ素ガス濃度の測定方法。
  7. 　前記ハロゲンフッ化物が三フッ化塩素であり、前記２５０ｎｍ未満の波長領域における紫外光強度の最大値（ＷX）が２１５ｎｍ未満の波長領域における紫外光強度の最大値である、請求項１～４のいずれか一項に記載のフッ素ガス濃度の測定方法。
  8. 　前記ハロゲンフッ化物含有ガスに前記紫外光を照射して測定した吸収スペクトルから、リファレンスガスに前記紫外光を照射して測定した吸収スペクトルを差し引き、得られた吸収スペクトルの２８５ｎｍの波長の吸光度からフッ素ガス濃度を得る、請求項１～７のいずれか一項に記載のフッ素ガス濃度の測定方法。
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