TW592797B - Exhaust gas treatment process and treatment system - Google Patents

Description

592797 C1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於廢氣的處理方法及處理裝置，特別是於 半導體製程中的蝕刻過程或淸淨過程所排放之含有含氟氣 fk或S氣化鹵氣體〆；廢氣的處理方法及裝置以及應用該方 法或裝置的半導體裝置之製造方法。 【先行技術】 製造半導體的各過程所排放之廢氣會有含有半導體材 料用氣體、蝕刻用氣體、淸淨用氣體等的氣體，且會有這 些氣體爲有害氣體的情況。另外也有含有對環境造成破壞 之氣體的情況，含有此種成分的廢氣無法直接排放到大氣 中 〇 因此’此類廢氣的處理方法，過去以來已知有下列幾 種方法： (1 ) 應用苛性鈉（氫氧化鈉）等的中和劑使其氧 化反應或中和反應之濕式除害方法。 (2 ) 觸媒層所引發的反應分解法。 (3 )吸附到氧化物等之乾式除害方法。 (4 ) 裝設電熱器之熱分解方法。 (5 ) 燃燒式除害方法。 ，然則廢氣處理方法則是利用上述各方法的特徵點加以活 用。 近年’半導體製程中所排放之廢氣中所含有的有害成 ί>4·κ (2) (2)592797 分已是多樣化；進而晶圓或液晶面板等顯著大型化，因而 製造裝置也大型化，製程所使用之氣體的量大幅增加。另 外，隨著單片處理裝置的普及，由於多室化、製造過程複 雜化’因而造成必須同時處理不同路徑所排放大量的廢氣 ’或用相同的處理裝置安全處理同一路徑上改變循環時間 所流通大量不同的廢氣之情形。因有此情形，所以將高溫 下燃燒可燃性氣體而含在廢氣中的有毒成分或對環境造成 影響的廢氣成分轉換成無害的物質，或是轉換成容易處理 的物質之除害方法’經檢討有燃燒方式或熱分解方的熱處 理式除害方法。 不過’特別是以燃燒除害方式的情況，由於用天然瓦 斯、LPG、甲烷等的燃料氣體與空氣或氧氣等的助燃氣體 一起在高溫下燃燒處理半導體製程中所排放的廢氣，因而 會有經由含在廢氣中的氮元素或空氣中的氮等而衍生N〇 x 的副生成物之問題。 含在燃燒後的廢氣中之Ν ο X的生成量，依據所使用的 裝置或燃燒條件’會有產生1〜3 〇 %的非常高濃度的情況， 爲了使其不超過TLV(NO爲25ppm，N02爲3ppm)而檢討 種種的方法。例如日本專利特開2 0 0 1 - 1 9 3 9 1 8號公報中載 示爲了降低Ν Ο X的生成量而針對燃燒室的形狀、噴嘴的形 狀等進行種種的檢討。不過當使蝕刻及淸淨過程中大量使 用之含有NF3氣體的廢氣燃燒時，因會有產生多量的n〇x 之情況所以期望加以改善。 此外，半導體製造過程中，更高性能的淸淨用氣體， -8 - (3) (3)592797 嘗試使用含氟氣體或含氟化鹵氣體或這些的混合氣體進行 淸淨。例如，在 J. APPL. Phys. p 29 3 9，56(10)，No.15, 1 9 84中，已有含氟氣體及含氟化鹵氣體的淸淨性能比用 NF3氣體的淸淨性能更優良之硏究報告。 不過，含氟氣體或含氟化鹵氣體爲活性非常強的氧化 劑，化學反應性較強，會有在常溫下與氧化性物質起化學 反應而著火的情況；另外對裝置材料具較大的腐蝕性。因 此，裝置材料必須從特定的高耐蝕性金屬當中選用，即使 設足爲禁油禁水或設定日局耐触性樹脂而大多用於半導體 製造裝置之四氟化乙烯樹脂也會有依使用條件而不適用的 情況。 另外’含氟氣體或三氟化氯氣體等含氟化鹵氣體的除 害裝置，採用以苛性納或苛性鉀等鹼性水溶液之淸淨器來 中和吸收之濕式吸收裝置或是以活性氧化鋁或鹼石灰等的 固體吸附劑來吸附除去之乾式除害裝置。不過其課題爲用 任何一種裝置都無法處理含有高濃度的含氟氣體或含氟化 鹵氣體的廢氣。而且含氟氣體或含氟化鹵氣體的使用量增 大，當以鹼式淸淨器的濕式除害裝置時，則會有吸收塔大 型化、吸收液的廢液處理過度煩雜、運轉成本上升等的問 題。另外，乾式分解除害裝置或吸附除去除害裝置，也會 發生對於大流量的除害裝置化會有困難，又固體分解劑或 吸附劑的更換頻率增加而增大運轉經費，且維修操作的增 加而容易引起管理安全上困擾之問題。 (4) (4)592797 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 本發明的課題爲提供在於上述狀況下能夠處理從含有 高濃度且大量的含氟氣體或含氟化鹵氣體的半導體製程中 所排放的廢氣，且能安全又省能量而更有效率進行除害處 理之除害方法及除害裝置。 如同前述，在於半導體製程中使用含氟氣體或含氟化 鹵氣體時，用專用的除害裝置單獨進行廢氣處理，不過用 本發明之方法，半導體裝置的大型化、多次化、複雜都能 解決，另外除害裝置的設置空間也能縮小，而能解決上述 的課題。 〔用以解決課題之手段〕 本發明者爲了解決上述的課題而經詳加檢討的結果： 發現經由將蝕刻過程或淸淨過程所排放之含有含氟氣體或 含氟化鹵氣體的廢氣，導入到備有表面形成有氟化鈍態膜 的燃燒室之燃燒裝置中，採行使前述廢氣燃燒的處理方法 就能解決前述的課題，而硏發完成本發明。 即是本發明提供包括使蝕刻過程或淸淨過程所排放之 含有含氟氣體或含氟化鹵氣體的廢氣在於表面形成有氟化 鈍態膜的燃燒室內燃燒之廢氣的處理方法。 前述的氟化鈍態膜由氟化鎳所形成較爲理想。 含氟氣體或含氟化鹵氣體的濃度爲5 vol%以下較佳。 含在燃燒後的廢氣中之氮氧化物的含量未滿5volppm -10- (5) (5)592797 較佳。 本發明提供備有廢氣導入口、燃料導入□、燃燒前室 、空氣導入口以及排氣管，至少在燃燒室表面形成有氟化 鈍態膜之廢氣的處理裝置。 燃燒室由從含有局鎳合金及筒強度耐蝕銅合金的群組 中選出的至少1種材料所形成，在該材料的表面形成有氟 化鈍態膜較爲理想。 燃燒室由從不銹鋼及鋼鐵材的群組中選出的至少1種 材料所形成，在該材料的表面具有由鎳、電鍍鎳合金、電 f尋鍍金、無電解電鍍鎳合金所形成的薄膜或是由氧化鋁或 炎^化iS所形成的陶瓷溥膜，在該薄膜的表面形成有化鈍 態膜較佳。 另外’本發明針對包括有使用含氟氣體或含氟化鹵氣 體作爲蝕刻用氣體或淸淨用氣體之蝕刻過程或淸淨過程， 及使上述製程中所排放之含有含氟氣體或含氟化鹵氣體的 氣體燃燒之除害過程的半導體裝置之製造方法，提供該除 害過程在表面形成有氟化鈍態膜之燃燒室內進行的半導體 裝置之製造方法。 前述気化鈍態膜由氟化鎳所形成較佳。 【實施方式】 以下，詳細說明本發明。 本發明的廢氣處理方法是蝕刻過程或淸淨過程所排放 Z含有含E氣體或含氟化鹵氣體的廢氣，在於表面形成有 -11 - (6) (6)592797 氟化鈍態膜的燃燒室內燃燒。即是本發明包括含有例如當 作成膜氣體使用之SiH4等的氣體或其他氣體之半導體製程 中所排出的廢氣與含氟氣體或含氟化鹵氣體一起以一定的 溫度進行無害化處理。 本發明的處理方法，比不含含氟氣體或含氟化鹵氣體 的一般燃燒條件更削減燃料的供應量，在於使燃燒溫度降 低的條件下能充分進行無害化處理，即是能處理易於無害 化的化合物，以此條件下運轉，能顯著削減除害裝置所排 放的分解副產物之二氧化碳及NOx的量。 本發明則是用燃燒方式的除害裝置，同時將製造半導 體的過程中常用的 SiH4 、SiH2Cl2 、NH3、PH3、WF6、 Si ( 〇C2H5 ) 4、NF3、H2、B2H6、CH4、C2H2等的成膜用 氣體’淸淨用氣體或其他的半導體製造過程所排放的氣體 成分與含氟氣體和含氟化鹵氣體進行除害處理。此情況， 含在廢氣中的被處理成分只有含氟氣體或含氟化鹵氣體亦 可。含在廢氣中之含氟氣體或含氟化鹵氣體的濃度爲 5vol%以下較爲理想。 當運轉本發明的燃燒式除害裝置之際，與所導入的廢 氣中未含有含氟氣體或含氟化鹵氣體的燃燒條件（例如爲 了分解三氟化氮氣體所必要的燃燒條件）作比較，燃料的 供應量削減1 〇〜3 0%，即使在於燃燒溫度爲5 0 °C以上的運 轉條件’仍能使有毒氣體成分無害化或是轉換成容易分解 除去的物質。因此若是採用本發明的處理方法，則可以與 所使用燃料氣體的削減量成比例削減除害裝置所排放的分

-12- (7) (7)592797 解副產物的二氮化碳。另外降低燃燒溫度也能顯著削減 ΝΟχ的生成量，而能將N0x的生成量設成未滿5 volppm 〇 另外，降低燃燒溫度後運轉對運轉管理層面’安全層 面都有很大助益已能明白’因燃燒廢氣的部位或其前室部 位之機器上的材料表面溫度降低’所以大幅減低對裝置材 料的腐蝕負擔。因此裝置維修的頻率減少’對裝置的使用 壽命則明顯具成本優勢。 另外，經燃燒處理過的廢氣’在於最後連接到燃燒式 除害塔的排氣管之鹼性淸淨器的濕式除害裝置中，吸收處 理氟化氫等的鹵化氫、NO X 、其他分解物質的四氟化矽 等。 本發明的廢氣處理裝置具備有廢氣導入口、燃料導入 口、燃燒前室、燃燒室、空氣導入口以及排氣管，至少在 燃燒室的表面形成有氟化鈍態膜。 第1圖表示能實施本發明的廢氣處理方法之處理裝置 的範例，也是將含有含氟氣體或含氟化鹵氣體之混合廢氣 通過火焰壁後導入到助燃氣體的渦流中，用燃燒分解處理 的方式之裝置的範例。 第1圖中裝置的材質，因使其流通含氟氣體或含氟化 鹵氣體’所以必須是高耐蝕性的材料。燃燒室8因燃燒熱 而變高濕所以由鎳，含有高鎳合金或高強度耐熱銅合金屬 所形成’在其表面形成有氟化鈍態膜較爲理想。另外，燃 燒室由一般的不銹鋼或一般的鋼鐵材所形成，在其表面具 -13 · (8) (8)592797 有由感、電鍍鎳合金、電纟#電鍍或無電解電鍍鎳合金所形 成的薄膜或是由經熔射法等而耐含氟氣體性優良又具有耐 熱性的氧化鋁或氮化鋁所形成之陶瓷薄膜，且在該薄膜的 表面形成有氟化鈍態膜較爲理想。電鍍鎳時爲耐熱性優良 之鎳硼元素類的無電解電鍍處理較佳。另外，燃燒前室7 也是同樣地在其表面形成有氟化鈍態膜較爲理想。 針對裝置零件預先用含氟氣體實施鈍態化處理較佳。 特別是燃燒廢氣之部位的周圍部分經由從燃燒部位的輻射 熱、傳導熱而曝露在相當的高溫下。因此，此部位由鎳、 含有高鎳合金、高強度耐熱銅合金等製成較爲理想。若爲 對一般的不銹鋼或鋼鐵材施予電鍍鎳、電鑄電鍍、無電解 電鍍鎳等的耐蝕處理亦可。另外，至於裝置構件也是同樣 地預先用含氟氣體實施鈍態化處理較佳。 用含氟氣體實施鈍態化處理之方法採用眾知的方法， 例如採用日本專利特開平1 1 -929 1 2號公報中所記載的方法 。即是例如將作爲裝置零件使用之鎳的表面一度強制氧化 ，之後使該氧化皮膜與含氟氣體起反應而形成氟化鈍態膜 。另外，例如使用不銹鋼表面形成有鎳的薄膜之裝置零件 時也是同樣地經由進行氧化及氟化的處理而在表面形成氟 化鈍化膜。 如前述，依據本發明，將蝕刻過程或淸淨過程所排放 之含有含氟氣體或含氟化鹵的廢氣，導入到具備有表面形 成有氟化鈍態膜的燃燒室之燃燒裝置中，經由使前述廢氣 燃燒就能有效率進行廢氣處理。

-14 - (9) (9)592797 本發明也是包括有用含氟氣體或含氟化鹵氣體作爲蝕 刻用氣體或淸淨用氣體之蝕刻過程或淸淨過程，及使上述 過程中所排放的含有含氟氣體或含氟化鹵氣體的氣體燃燒 之除害過程的半導體裝置之製造方法，提供該除害過程在 於表面形成有氟化鈍態膜之燃燒室內進行的半導體裝置之 製造方法。 〔實施例〕 以下，用實施例及比較例進一步說明本發明，然則本 發明並不侷限於這些實施例。 (實施例1 ) 對燃燒式除害裝置中不銹鋼製的燃燒室及其周圍的零 件施予電鍍鎳及氟化鈍態化處理後，用含氟氣體進行燃燒 除害實驗。燃燒室除害裝置的運轉條件及氟導入條件記載 在表1中，燃燒除害後所排放之廢氣的組成分析結果記載 在表2中。燃燒室溫度是以安裝在燃燒室外壁的熱電偶加 以測定。含在燃燒後的廢氣中之一氧化氮及二氧化氮的濃 度是瓦斯偵測管加以測定，氟化氫氣體的濃度是以紅外分 光法加以測定。三氟化氮是用檢測器加以測定。另外，進 行碘化鉀水溶液的抽樣，以抽樣液的硫代硫酸鈉溶液的滴 定法測定含氟氣體旳濃度，再以抽樣液之誘發結合電漿發 光分析法測定金屬濃度。 (10)592797 〈表1 > 燃料甲 燃燒輔助 冷卻空氣 Μ流量 稀釋氮 燃燒室 烷流量 空氣流量 排氣風量 流量 溫度 (L / m i η ) (L / m i η) (m3/min) (L / m i η) (L/m i η) (°C ) 25 3 0 3 0 13.5 240 3 05〜3 1 5 〈表2> 氟化氫氣 氟化氫氣 氟測定 一氧化氮 二氧化氮 其他燃燒 體計算濃 體測定濃 濃度 測定濃度 測定濃度 反應衍生 度 度 物 (vol-ppm) (vol-ppm) (vol-ppm) (vol-ppm) (vol-ppm) 900 900 <10 <0.1 <0.1 未檢測出 從表2中能明白，燃燒後的廢氣中完全未含有一氧化 氮及二氧化氮，導入到燃燒式除害裝置中的氟全部都反應 而轉換成氟化氫氣體。另外，燃燒廢氣中沒有氟化氫氣體 、水蒸氣及二氧化碳以外的燃燒反應衍生物，經由紅外分 光法及抽樣液的誘發結合電漿發光分析法的測定加以確認 (比較例1 ) 導入氣體取代含氟氣體改而以三氟化氮，進行三戴化 氮的流量設爲9. OL/min之燃燒除害實驗。燃燒室除害裝置 的運轉條件及二氛化氮的導入條件記載在表3中，燃燒廢 -16 -

.8 W (11)592797 氣的組成分析結果記載在表4中。 <表3> 燃料甲 燃燒輔助 冷卻空氣 三氟化氮 稀釋氮 燃燒室 烷流量 空氣流量 排氣風量 流量 流量 溫度 (L/ m i η ) (L/min) (m3/min) (L/min) fL/min) (°C ) 3 0 3 I 1 3 0 9.0 240 3 5 0〜360 〈表 4> Φ 氟化氫氣 氟化氫氣 三氟化氮 一氧化氮 二氧化氮 其他燃燒 體計算濃 體測定濃 測定濃度 測定濃度 測定濃度 反應衍生 度 度 物 (vol-ppm) (vol-ppm) (vol-ppm) (vol-ppm) (vol-ppm) 900 900 <1 72 12 未檢測出 表3中所記載的運轉條件爲廢氣中未被檢測出三氟化 氮氣體之燃燒運轉條件。因此，導入到燃燒室除害裝置中 之三氟化氮全部起反應而轉換成氟化氫氣體，不過在廢氣 中分別衍生出一氧化氮及二氧化氮，且大幅超出容許濃度 (比較例2 ) 與實施例1作比較，除了燃料甲烷流量增加爲3〇L/min ’燃燒溫度提高到3 5 0 °C以上之外，進行與實施例1相同 的燃燒除害實驗。燃燒式除害裝置的運轉條件及氟導入條 -17- (12)592797 件記載在表5中，燃燒廢氣的組成分析結果記載在表6中。 〈表 5> —________ 燃料甲 燃燒輔助 冷卻空氣 氯流量 稀釋氮 燃燒室 院流量 空氣流量 排氣風量 流量 溫度 (L/min) (L/min) (m3/min) (L/min) (L/min) (°C ) 3 0 34 1 30 13.5 240 3 60〜3 70 <表6 > 氟化氫氣 體計算濃 度 氟化氫氣 體測定濃 度 氟測定濃 度 一氧化氮 測定濃度 二氧化氮 測定濃度 其他燃燒反 應衍生物 (vol-ppm) (vol-ppm) (vol-ppm) (vol-ppm) (vol-ppm) 900 850 <10 0.5 1.0 未檢測出 由表6中能明白，導入到燃燒式除害裝置中之氟的一 部分成未被當作氟化氫排出，與燃燒室及其周圍的構件表 面起反應而被消耗掉。另外一部分形成爲金屬氟化物，經 微粉化被確認。廢氣分析的結果也確認出衍生一氧化氮及 二氧化氮。 (比較例3 ) 除了不施行燃燒室的塗敷（氟化鈍態化處理），使用 原來的不錄鋼（S U S 3 0 4材）之外，進行與實施例i相同的 燃燒除害實驗。燃燒式除害裝置的運轉條件及氟的導入條 -18- (13) 件記載在表7中，燃燒廢氣的組成分析結果記載在表8中。 〈表7> 燃料甲 燃燒輔助 冷卻空氣 氟流量 稀釋氮 燃燒室 院流量 空氣流量 排氣風量 流量 溫度 (L / m i η ) (L / m i η ) Γ m3/mi π) (L/min) (L/min) CC ) 25 3 08 3 0 13.5 240 3 10〜320 〈表8> 氟化氫氣 體計算濃 度 氟化氫氣 體測定濃 度 氟測定濃 度 一氧化氮 測定濃度 二氧化氮 測定濃度 其他燃燒反 應衍生物 (vol-ppm) (vol-ppm) (vol-ppm) (vol-ppm) (vol-ppm) 900 700 <10 <0.1 <0· 1 鉻化合物 592797 由表8中能明白，未被確認出導入到燃燒式除害裝置 中的氟相當程度成爲氟化氫，也沒有衍生出如同氟化鉻的 氣體成分。 (比較例4 ) 除了燃燒室的塗層只電鍍鎳而未施行含氟處理之外， 進行與實施例相同的燃燒除害處理。燃燒式除害裝置的運 轉條件及氟的導入條件記載在表9中，燃燒廢氣的組成分 析結果記載在表1 〇中。 (14)592797 〈表9> 燃料甲 燃燒輔助 冷卻空氣 氟流量 稀釋氮 燃燒室 院流量 空氣流量 排氣風量 流量 溫度 (L/min) (L/min) (m3/min) (L/min) (L/min) (°C ) 25 299 30 13.5 240 3 1 0〜3 20 < 表 1 Ο > 氟化氫氣 體計算濃 度 氟化氫氣 體測定濃 度 氟測定濃 度 一氧化氮 測定濃度 二氧化氮 測定濃度 其他燃燒反 應衍生物 (vol-ppm) (vol-ppm) (vol-ppm) (vol-ppm) (vol-ppm) 900 820 <10 <0· 1 <0.1 未檢測出

由表1 〇中能明白，導入到燃燒式除害裝置中的含氟氣 體些微與燃燒裝置材料表面起反應而被消耗掉。 (比較例5 ) 除了將導入氣體設爲三氧化氮，三氟化氮的流量設爲 9. OL/m in之外’進行與實施例1相同的燃燒除害實驗。只 不過燃燒室的表面未作任何處理，使用原狀的不銹鋼（ S US 3 (Μ )。燃燒式除害裝置的運轉條件及三氟化氮的導 入條件記載在表1 1中’燃燒廢氣的組成分析結果記載在表 1 2中。 -20- (15) 〈表Η > 燃料甲 燃燒輔助 冷卻空氣 三氟化氮 稀釋氮 燃燒室 院流量 空氣流量 排氣風量 流量 流量 溫度 (L / m i η ) (L/min) (m3/mi η) (L/min) (L/min) (°C ) 30 305 3 0 9.0 240 350〜360 〈表 12〉 氟化氫氣 體計算濃 度 氟化氫氣 體測定濃 度 三氟化氮 測定濃度 一氧化氮 測定濃度 二氧化氮 測定濃度 其他燃燒反 應衍生物 (vol-ppm) (vol-ppm) (vol-ppm) (vol-ppm) (vol-ppm) 900 860 <1 70 11 未檢測出 592797 由表1 2中能明白，導入到燃燒式除害裝置中之三氟化 氮起反應而轉換成氟化氫氣體，不過一部分與裝置材料起 反應而消失掉，其他一氧化氮及二氧化氮分別都大幅超過 容許濃度。 進而，燃燒除害運轉結束後，針對實施例1及比較例1 、比較例2 、比較例3 、比較例4 、比較例5中之燃燒室 的內面進行金屬表面分析。測定則是以能量分散型X線分 析裝置來進行。 -21 - (16)592797 < 表 1 3 > 被檢測出金屬（質量％ )

Ni Fe Cr 其他 實施例1 1 00 0 0 0 比較例1 100 0 0 0 比較例2 1 0 0 0 0 0 比較例3 7.7 75.8 16.5 0 比較例4 1 00 0 0 0 比較例5 7.5 73.5 19 0 參考 SUS316L 12 69.5 16 Mo2.5 參考S U S 3 0 4 8 74 18 0

以鎳作表面處理之燃燒室顯示出沒有大損傷而對含氟 氣體，三氟化氮具有較大的耐蝕性。 其次，針對實施例1及比較例1 、比較例2 、比較例 3 、比較例4 、比較例5中進行燃燒除害後之燃燒前室的 內面，進行金屬表面分析。測定則是以能量分散型X線分 析裝置來進行。 -22- (17)592797 〈表 14> 被檢測出金屬(質量％ )

Ni Fe Cr 其他 實施例1 1 00 0 0 0 比較例1 1 00 0 0 0 比較例2 100 0 0 0 比較例3 7.9 88.1 7.9 0 比較例4 100 0 0 0 比較例5 9.6 75.8 14.7 0 參考 SUS316L 12 69.5 16 Mo2.5 參考SUS304 8 74 18 0 比較例3中明顯確認出從素材中正在消失C r。另外在 於比較例5的情況也是C r濃度稍微減少。用顯微鏡觀察 則也發現有撕裂，引起形成Cr*的氟化物且氣化的現象或不 銹鋼材的Fe從二價轉爲三價之高次氟化物形成反應等，而 造成氟化形成膜脫落。 燃燒室及燃燒前室之不銹鋼的損傷，與燃燒含氟氣體 及三氟化氮作比較，燃燒含氟氣體之比較例中的Cr濃度 都有較大變化，外觀上也顯著劣化。 另外，與燃燒室及燃燒前室之不銹鋼的損傷狀態燃燒 室作比較，燃燒前室比燃燒室在於含氟氣體、三氟化氮的 任一情況都是燃燒前室的Cr濃度起較大的變化，外觀上 顯著劣化。此情況被認爲是因燃燒室，特別是其壁的部位 -23- (18) (18)592797 ，當燃料氣體燃燒之際氧化火焰較具氧化反應優勢之故。 〔發明之效果〕 如以上所述，採用本發明的處理方法，而高濃度且大 量排放含氟氣體或含氟化鹵氣體時，可以同時用相同的除 害裝置來處理含有上述氣體且不同性質的氣體。本發明的 方法適於半導體的製造過程中使用，且是充分考慮到安全 性之有效率又具經濟性之除害處理方法，從維護地球環境 層面上，對產業具有高利用價値。 【圖式簡單說明】 第1圖是顯示能夠實施本發明的廢氣之處理方法的處理 裝置之一例的示意圖。 【符號說明】 1 處理廢氣 2 稀釋用氣體 3 助燃用氣體 4 燃燒用可燃性氣體 5 空氣 6 大氣中放出氣體 7 燃燒前室 8 燃燒室 9 燃燒氣體冷卻裝置 -24- (19)592797 10 鹼性淸淨器 11 排氣鼓風機

-25* •Kf>4

Claims (1)

1. 592797 …、…-tit ' 拾、申請專利範圍 第9 2 1 0 3 1 3 9號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國93年2月26日修正 1 . 一種廢氣的處理方法，其特徵爲： 在於表面形成有氟化鈍態膜的燃燒室內，使蝕刻過程 或淸淨過程所排放之含有含氟氣體或氟化鹵氣體的廢氣燃 燒。 2 ·如申請專利範圍第1項之廢氣的處理方法，其中前 述氟化鈍態膜由氟化鎳所形成。 3 .如申請專利範圍第1或2項之廢氣的處理方法，其 中含氟氣體或含氟化鹵氣體的濃度是在5vol %以下。 4. 如申請專利範圍第1或2項之廢氣的處理方法， 其中含在燃燒後的廢氣中之氮氧化物的含量未達5vo】 ppm ο 5. 一種廢氣的處理裝置，其特徵爲： 備有：廢氣導入口、燃料導入口、燃燒前室、燃燒室 、空氣導入口以及排氣管，至少在燃燒室的表面形成有氟 化鈍態膜。 6 .如申請專利範圍第5項之廢氣的處理裝置，其中燃 燒室由從鎳、含商鎳合金、及局強度耐触銅合金（monel metal)的組群中所選出的至少1種材料所形成，在該材料 的表面形成有氟化鈍態膜。 (2) (2)592797 7.如申請專利範圍第5項之廢氣的處理裝置，其中燃 燒室由從不銹鋼及鋼鐵材的組群中所選出的至少！種材料 所形成，在該材料的表面具有由鎳、電鑛鎳合金、電鑄電 鍍或非電解鍍鎳合金所形成的薄膜或由氧化鋁或氮化鋁所 形成的陶瓷薄膜，在該薄膜的表面形成有氟化鈍態膜。 8* 一種半導體裝置之製造方法，是包括有用含氟氣 體或含氟化鹵氣體作爲蝕刻用氣體或淸淨用氣體之蝕刻過 程或淸淨過程，及使上述過程所排放之含有含氟氣體或含 氟化鹵氣體的氣體燃燒之除害過程的半導體裝置之製造方 法’其特徵爲：該除害過程在於表面形成有氟化鈍態膜之 燃燒室內進行。 9·如申請專利範圍第8項的半導體裝置之製造方法， 其中前述氟化鈍態膜由氟化鎳所形成。 1 〇 ·如申請專利範圍第8項的半導體裝置之製造方法 ’其中前述燃燒室由從鎳、含高鎳合金、及高強度耐鈾銅 合金（monel metal)組群中所選出的至少1種材料所形成， 在該材料的表面形成氟化鈍態膜。 ]1.如申請專利範圍第8項的半導體裝置之製造方法 ’其中前述燃燒室由從不銹鋼及鋼鐵材的組群中所選出的 至少1種材料所形成，在該材料的表面具有由鎳、電鍍鎳 合金、電鑄電鍍或非電解鍍鎳合金所形成的薄膜或由氧化 金呂或氮化錕所形成的陶瓷薄膜，在該薄膜的表面形成有氟 化鈍態膜。