JP2003015600A - 電力回収率を改善したプラズマディスプレイパネル駆動装置及び方法 - Google Patents
電力回収率を改善したプラズマディスプレイパネル駆動装置及び方法Info
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Abstract
法、特にプラズマディスプレイパネル発光及び消費電力
に寄与するサステイン回路を簡略化させ、電力回収率を
向上させるためのプラズマディスプレイパネル駆動装置
及び方法を提供する。 【解決手段】 PDP充放電時に電力回収回路のインダ
クタ電流を増加させる過渡期を最小化すべく回路構成及
びスイッチングシーケンスを設計する。よって、無効電
力の回収率を向上させられる効果が生じ、スイッチング
損失が0になるようにしてEMIを減らせる効果が生
じ、それのみでなく従来のPDP駆動回路に比べて回路
素子数を減らせる効果が生じる。
Description
イパネル駆動装置及び方法に係り、特にプラズマディス
プレイパネル発光及び消費電力に寄与するサステイン回
路を簡略化させ、電力回収率を向上させるためのプラズ
マディスプレイパネル駆動装置及び方法に関する。
(PDP)は気体放電により生成されたプラズマを利用
して文字または映像を表示する次世代平板ディスプレイ
装置であり、PDPは大きさにより数十から数百万以上
のピクセルがマトリックス状に配列されている。
ある。
ためにADS(Address Display Sep
aration)方式に基づいてスイッチング動作が決
まる。図1のスイッチYs,Yg,Xs,XgはPDP
の発光期間にパネルに高周波の交流方形波電圧を印加す
るためのサステインスイッチであり、発光期間中(Y
s,Xg)に、(Xs,Yg)のスイッチ対として交代
でオン/オフを反復する。スイッチYr,Yf,Xr,
Xfは発光期間にパネル電圧及びキャパシタ無効電流の
急激な変化を防止して消費電力を抑制するための電力回
収回路のスイッチである。LY,LXは電力回収のため
のインダクタであり、キャパシタC_Yerc,C_X
erc、ダイオードD_Yr,D_Xf,D_Xr,D
_Xf,D_YVsC,D_YGCはウェッバなどによ
り提案された既存の電力回収回路に必要な要素である。
一般的に、サステインスイッチ、電力回収スイッチ、そ
して受動素子が形成する回路網を「サステイン」回路と
言い、ADS方式によれば、サステイン回路はPDPの
サステイン区間に作用する。スイッチYpはADS方式
にてPDPのサステイン区間と他の区間(アドレス区間
とリセット区間)との回路動作分離のためのスイッチで
あり、スイッチYrr,Yfr,Xrrはリセット区間
にパネルにランプ型高圧電圧を印加するためのスイッチ
であり、Cset,C_Xsinkのキャパシタと共に
作用して電源電圧より高い高圧電圧をリセット区間に印
加する。スイッチYsc,YspはADS方式にてアド
レス区間に作動するスイッチであり、アドレス区間でY
spはオン、Yscはオフ、他の区間(リセット、サス
テイン区間)でYspはオフ、Yscはオンされる。ア
ドレス区間にシフトレジスタ及び電圧バッファより構成
されたスキャンドライバIC 100がPDPスクリー
ンの水平同期信号印加のための動作を果たし、他の区間
ではショートする。スイッチング順序による既存PDP
駆動回路の具体的な動作は米国特許第US4,866,
349号公報に開示されている。
路において直接的にパネル発光及び消費電力に寄与する
既存のサステイン回路はスイッチ素子数及び受動素子の
数が多いだけでなく、PDP充放電時に純粋なLC共振
作用を利用するので、パネルの寄生抵抗の存在時に常に
急激なパネル充放電が生じ、電界効果トランジスタ(M
OSFET)スイッチのスイッチング損失が生じる。こ
れにより、回路の電力効率が低下し、電子波障害(EM
I)問題が大きくなる問題点があった。特に、キャパシ
タ無効電流が大きくなり無効電力及び素子ストレスが大
きくなって発光効率が低下する問題点があった。
技術的課題は前述の問題点を解決するためにPDP駆動
回路の素子数を減らし、無効電力を減らすための電力回
収率を改善したPDP駆動装置及び方法を提供するとこ
ろにある。
るために本発明による電力回収率を改善したPDP駆動
装置は、電力回収回路及び複数のスイッチング手段を含
むPDP駆動装置において、前記電力回収回路は前記P
DPの発光期間に電圧源を印加するためのスイッチ、前
記電圧源と接地間に直列に連結されたキャパシタC1,
C2及び前記キャパシタC1及びC2間の接点と前記ス
イッチ出力端子に接続されたインダクタLを含み、前記
PDP充放電遷移時点に前記PDPに前記インダクタの
最大瞬時電流が流れるべく前記スイッチ及び複数のスイ
ッチング手段のオン/オフを制御するスイッチングシー
ケンスを設定することを特徴とする。
明による電力回収率を改善したPDP駆動方法は、イン
ダクタを備える電力回収回路を含み、リセット区間、ア
ドレス区間及びサステイン区間を反復するスイッチング
シーケンスを有するPDPの駆動方法において、前記サ
ステイン区間においてパネル充放電遷移時点に前記PD
Pに前記インダクタの最大瞬時電流が流れるべくスイッ
チングシーケンスを制御することを特徴とする。
第1実施形態による電力回収率を改善したPDP駆動装
置は、電力回収部10、Y電極サステインスイッチング
回路20、分離回路30、Y電極ランプ波形発生回路4
0、スキャンパルス発生回路50、PDP 6O(C
p)、X電極サステインスイッチング回路70及びX電
極ランプ波形発生回路80を備える。
電圧源Vsを印加するためのスイッチSa、外部電圧源
Vsと接地間に直列に連結されたキャパシタC1,C2
及びキャパシタC1及びC2間の接点とスイッチSaの
出力端子に接続されたインダクタL、キャパシタC1及
びC2にそれぞれ並列にダイオードD1,D2を接続す
る回路構成よりなる。
びX電極サステイン回路70はPDP発光期間にパネル
Cpに高周波の交流方形波電圧を印加するための複数の
スイッチYs,Yg,Xs,Xgにより構成されてい
る。
60のサステイン区間と他の区間(アドレス区間とリセ
ット区間)との回路動作分離のためのスイッチである。
ランプ波形発生回路80はリセット区間パネルにランプ
型高圧電圧を発生させるための回路である。
間にシフトレジスタ及び電圧バッファより構成されたス
キャンドライバIC 50aがPDPスクリーンの水平
同期信号印加のための動作を行い、他の区間ではショー
トする。
形態としてMOSFETより構成する。
容は、PDP 60の充放電時に電力回収部10のイン
ダクタL電流を増加させる過渡期を最小化さすべく回路
構成及びスイッチングシーケンスを設計して無効電力を
ほとんど0に保持するところにある。このために本発明
では、PDP 60の充放電遷移時点にPDP 60にイ
ンダクタLの最大瞬時電流が流れるべく設計した。
スはリセット区間、アドレス区間及びサステイン区間を
反復的に実行するのであるが、本発明において提案され
た電力回収を改善したサステイン区間のスイッチングシ
ーケンスを細部的なモードに分けて説明する。
ード;V_Y;0→Vs,V_X=0,time in
terval=Tr) モード1ではスイッチYs,Xg、Yspはオンにな
り、その他のスイッチはオフになり、スキャンパルス発
生回路50のスキャンドライバIC 50aは短絡され
ている。従って、PDP 60のX電極電圧V_Xは接
地状態を保持し、Y電極電圧V_YはVsに遷移され
る。すなわち、インダクタLに流れていた最大瞬時イン
ダクタ電流IL,PKによりPDP 60(Cp)はC
2−L−Ys−Yp−Ysp−Cp−Xgの経路で充電
が始まり、V_Y電圧は上昇する。V_Y電圧がVsに
なればパネルは充電が終わる。この区間にパネル電圧は
Lの瞬時電流により一定の傾きで徐々に増加し、既存の
サステイン回路とは異なり寄生抵抗の存在時にもV_Y
電圧が急激な電圧変動を生じない。タイムインターバル
Trは一般的に300ns−500nsになるべく設計
する。
電モード;V_Y=Vs,V_X=0,time in
terval=Tsus) モード2ではパネルのY電極電圧のV_Y電圧がVsに
なり、スイッチSaの内部ボディダイオードがオンされ
る。この時、スイッチSaをターンオンすれば、スイッ
チSaはゼロ電圧スイッチング動作をしてスイッチング
損失はゼロになる。経路Sa−Ys−Cp−Xgを通じ
てパネルは発光を保持し、経路C1−L−Saを経てイ
ンダクタ電流ILは線形的に減少する。インダクタ電流
は+IL ,PKから−IL,PKになり、スイッチSa
がオフさればモード2は終わる。タイムインターバルT
susは一般的に、1.6us−2.0usほどに設計
し、すぐにスイッチSaのオン時間になる。
間;V_Y=Vs→0,V_X=0,time int
erval=Tf) モード3ではスイッチSaがターンオフされ、インダク
タLに流れる瞬時最大電力−IL,PKによりパネルは
Xg−Cp−Ysp−Yp−Ys−L−C2の経路を経
て放電が始まり、V_Y電圧は降下する。V_Y電圧が
ゼロになればパネル放電は終わる。この区間にパネル電
圧はインダクタLの瞬時電流により一定の傾きで徐々に
減少し、寄生電圧の存在時にもV_Y電圧は急激に変化
しない。Tfは一般的に、300ns−500nsにな
るようにし、一般的にTfと同じである。
ード;V_Y=0,V_X=0,time inter
val=Tgnd) モード4ではV_Yが0になり、スイッチYgとスイッ
チXaの内部ボディダイオードがオンする。この区間に
おいてスイッチYgとXaとをターンオンすれば、Yg
とXaとはゼロ電圧スイッチング動作を行い、スイッチ
ング損失はゼロになる。経路Xg−Cp−Ygを通じて
パネルはゼロ電圧状態を保持し、経路C2−L−Ys,
Yg,Xs,Xgを経てインダクタ電流ILは線形的に
増加し、−IL,PKから+IL,PKになる。スイッ
チYsとXgtがターンオフされればこのモードは終わ
る。Tgndは一般的に、300ns−500nsにす
る。
ード;V_Y=0,V_X=0→Vs,time in
terval=Tr) モード5ではスイッチXs,Yg、Yp、Yspはオン
になり、他のスイッチはオフされる。スキャンドライバ
IC 50aは短絡されている。インダクタLに流れて
いた最大瞬時インダクタ電流IL,PKによりパネルC
pはC2−L−Xs−Cp−Ysp−Yp−Ygの経路
で充電が始まり、V_X電圧は上昇する。V_X電圧が
Vsになれば、パネル充電は終わる。
電モード;V_Y=0,V_X=Vs,time in
terval=Tsus) この区間ではパネルのX電極電圧のV_X電圧がVsに
なり、スイッチSaの内部ボディダイオードがオンされ
る。この時、スイッチSaをターンオンすれば、スイッ
チSaはゼロ電圧スイッチング動作を行ってスイッチン
グ損失はゼロになる。経路Sa−Xs−Cp−Ygを通
じてパネルは発光を保持し、経路C1−L−Saを経て
インダクタ電流ILは線形的に減少する。インダクタ電
流は+I L,PKから−IL,PKになり、スイッチS
aがオフされればモード6は終わる。
ード;V_Y=0,V_X=Vs→0,time in
terval=Tf) この区間ではスイッチSaがターンオフされ、インダク
タLに流れる瞬時最大電力−IL,PKによりパネルは
Yg−Cp−Ysp−Yp−Xs−L−C2の経路で放
電が始まり、V_X電圧は降下する。V_X電圧がゼロ
になればパネル放電は終わる。
NDモード;V_Y=0,V_X=0,time in
terval=Tgnd) この区間ではV_Yが0になり、スイッチYgとスイッ
チXaの内部ボディダイオードがオンする。この区間に
おいてスイッチYgとXaとをターンオンすれば、Yg
とXaとはゼロ電圧スイッチング動作を行い、スイッチ
ング損失はゼロになる。経路Xg−Cp−Ygを通じて
パネルはゼロ電圧状態を保持し、経路C2−L−Ys,
Yg,Xs,Xgを経てインダクタ電流ILは線形的に
増加し、−IL,PKから+IL,PKになる。
解釈すれば次の通りである。
両端にかかる電圧Vc1,Vc2はそれぞれ式(1)及
び式(2)の通りである。
の通りである。
り大きいので、Vc2はほとんどVsに近く、Vc1は
ほとんど0になる。この事実はサステインではない区間
で、過渡期時にインダクタの漏れ電流が非常に小さくな
るということを意味する。また、既存回路のインダクタ
最大瞬時電流ILpk*値に比べれば
回路に比べて小さくなり、従って無効電力が減少する。
間ではモード1からモード8−aまでの動作を反復して
パネルの高周波電圧パルスを生じる。パルス数はADS
法のサブ−フィールド(SF)により2つから128個
まで変わりうる。サステイン区間が終わり、リセットが
始まる過渡期にはモード8−aの代わりに次に説明する
モード8−bになる。
区間遷移モード;パネルゼロ電圧保持;V_Y=0,V
_X=0,time interval=Tgnd_S
R) この区間ではV_Yが0になり、スイッチYgとスイッ
チXaの内部ボディダイオードがオンされる。この区間
にてスイッチYgはターンオンされ、Ysはターンオフ
されす。この時、スイッチYgのターンオン、Ysのタ
ーンオフは同時に起こり、モード8−aのTgnd区間
の半分より短い瞬間に起こらせる。インダクタ電流IL
は−IL,PKから0になり、この時までの時間はおよ
そTgnd/2となる。この後でILは0になり、パネ
ルは0電圧を保持する。
間遷移モード;パネルゼロ電圧保持;V_Y=0,V_
X=0,time interval=T9) この区間ではスイッチSaはターンオンされ、Xgはタ
ーンオフされる。この区間にてリセット区間、アドレス
区間にスイッチSaはオンされる。この区間においてパ
ネル電圧は変更がなく0になり、ILとVc1とは式
(4),(5)のようにそれぞれ増加、減少する。
区間遷移モード;パネル電圧徐々に上昇;V_Y=0,
V_X=0→増加,time interval=T1
0) この区間は厳密に言えばPDPのリセット区間であり、
スイッチX_rampがオンしてX極電圧が徐々に上昇
する。ただし、インダクタ電流ILとVc1とがモード
9のように同一になってILが最大値に達すば(Vc1
が0になれば)、モード10は終わる。T9とT10と
は式(6)のように示される。
値はILの最大値がサステイン区間のインダクタ最大瞬
時値より小さいか同じように設計する。
区間遷移モード:IL減少) Vc1が0になれば、ダイオードD1がオンし、ILは
減少する。ILが0になればモード11が終わる。この
後、Vc1は0になり、Vc2はVsとなる。
説明は従来技術によるADS駆動法と同一なので省略す
る。同じ区間はサステイン区間の最初のパルス(V_Y
=Vs,V_X=0)まで続き、このパルスが終わる時
から詳細な動作説明をすれば次の通りである。
ルゼロ電圧:IL:0→IL,PK増加) サステインの最初のパルスが終われば、スイッチSaを
ターンオフし、スイッチYsとYgとをターンオンす
る。経路C2−L−Ys−Ygを経てILとVc2とは
式(7),(8)の通りである。
ターンオフすればモード12が終わり、モード1動作を
反復する。この時に必要なモード12の期間T12は式
(9)のようである。
満足すべくタイミングを付与すれば、理想的にサステイ
ン区間にモードスイッチのゼロ電圧スイッチングを保証
してスイッチング損失が0になり、EMIが減少する。
P駆動装置での無効電力及び各種パラメータの比較を表
1に示す。
たPDP駆動装置の構成図であり、共通電極ドライブボ
ード200とスキャン電極ドライブボード100とより
なることを特徴とする。
サステインスイッチXs,Xg、X電極ランプ波形発生
回路Xrr,Ds,Rs及びランプ信号発生回路及び電
力回収部L,Sa,C1,C2が内蔵され、スキャン電
極ドライブボード100にはY電極サステインスイッチ
Ys,Yg、Y電極ランプ波形発生回路Yfr,Yr
r,Cset,Dset,Rset及びランプ信号発生
回路、分離回路Yp及びスキャンパルス発生回路100
a,Ysc,Ysp,D_Ysink,Rsc,Ds
c,C_Ysinkが内蔵される。
スキャン電極ドライブボード100とはPDP300の
X電極端子及びY電極端子にそれぞれ連結されており、
またPDP300のアドレス端子にはアドレスドライブ
IC 400が連結されている。
スは図3に示された回路構成による説明と同一なので細
部的な動作説明は省略する。
はY電極ドライブ回路ブロックに配したが、図5の他の
実施形態ではX電極ドライブ回路ブロックに設けたとい
う点で異なり、他の構成及び動作においては同一であ
る。
に説明したような方法でPDP300充放電時に電力回
収部L,Sa,C1,C2のインダクタL電流を増加さ
せる過渡期を最小化させるように回路構成及びスイッチ
ングシーケンスを設計して無効電力をほとんど0に保持
する。このために、本発明ではPDP300の充放電遷
移時点にPDP 300にインダクタLの最大瞬時電流
が流れるべく設計した。
放電時に電力回収回路のインダクタ電流を増加させる過
渡期を最小化させるように回路構成及びスイッチングシ
ーケンスを設計することにより、無効電力の回収率を向
上させられる効果が生じ、スイッチング損失が0になる
ようにしてEMIを減らせる効果が生じ、それのみでな
く従来のPDP駆動回路に比べて回路素子数を減らせる
効果が生じる。
できる。ソフトウェアで実行される時、本発明の構成手
段は必然的に必要な作業を実行するコードセグメントで
ある。プログラムまたはコードセグメントはプロセッサ
判読可能媒体に貯蔵可能であり、または伝送媒体または
通信網にて搬送波と結びついたコンピュータデータ信号
により伝送されうる。プロセッサ判読可能媒体は情報を
貯蔵または伝送できるいかなる媒体をも含む。プロセッ
サ判読可能媒体の例としては、電子回路、半導体メモリ
素子、ROM、フラッシュメモリ、E2PROM、フロ
ッピー(登録商標)ディスク、光ディスク、ハードディ
スク、光ファイバ媒体、無線周波数(RF)網などがあ
る。コンピュータデータ信号は電子網チャンネル、光フ
ァイバ、空気、電子系、RF網などのような伝送上で伝
播できるいかなる信号も含まれる。
実施形態は、単に本発明の例と理解され、本発明の範囲
を限定するものではなく、本発明が属する技術分野で本
発明に記述された技術的思想の範囲でも多様な他の変更
ができるので、本発明は示された特定の構成及び配列に
制限されないことは自明である。
る。
である。
したPDP駆動装置の構成図である。
ーケンスの主要波形図である。
したPDP駆動装置の構成図である。
Claims (17)
- 【請求項1】 電力回収回路及び複数のスイッチング手
段を含むプラズマディスプレイパネル駆動装置におい
て、前記電力回収回路は、 前記プラズマディスプレイパネルの発光期間に電圧源を
印加するためのスイッチと、 前記電圧源と接地間に直列に連結されたキャパシタと、 前記キャパシタ間の接点と前記スイッチ出力端子に接続
されたインダクタとを含み、 前記プラズマディスプレイパネル充放電遷移時点に前記
プラズマディスプレイパネルに前記インダクタの最大瞬
時電流が流れるべく前記スイッチ及び複数のスイッチン
グ手段のオン/オフを制御するスイッチングシーケンス
を設定することを特徴とする電力回収率を改善したプラ
ズマディスプレイパネル駆動装置。 - 【請求項2】 前記スイッチ及び複数のスイッチング手
段は、ゼロ電圧スイッチングするべくスイッチングシー
ケンスを設計することを特徴とする請求項1に記載の電
力回収率を改善したプラズマディスプレイパネル駆動装
置。 - 【請求項3】 前記キャパシタにそれぞれ並列にダイオ
ードを接続する回路構成をさらに含むことを特徴とする
請求項1に記載の電力回収率を改善したプラズマディス
プレイパネル駆動装置。 - 【請求項4】 サステイン区間において前記キャパシタ
の接点と接地間にかかる電圧は前記電圧源電圧とほとん
ど同じようにサステイン発光モードに比べてサステイン
接地モードのインターバル時間を短くすべくスイッチン
グシーケンスを設計することを特徴とする請求項1に記
載の電力回収率を改善したプラズマディスプレイパネル
駆動装置。 - 【請求項5】 スイッチングシーケンスはリセット区
間、アドレス区間及びサステイン区間を反復的に実行
し、前記サステイン区間は、 Y電極パネル充電モード、Y電極パネル発光モード、Y
電極パネル放電モード、ゼロ電圧保持モード、X電極パ
ネル充電モード、X電極パネル発光モード、X電極パネ
ル放電モード、ゼロ電圧保持モードをサブフィールドの
数に応じて反復的に実行し、前記サステイン区間のゼロ
電圧モード保持モードとリセット区間との過渡期は前記
ゼロ電圧保持モードタイムインターバルの1/2より短
く設計することを特徴とする請求項1に記載の電力回収
率を改善したプラズマディスプレイパネル駆動装置。 - 【請求項6】 前記サステイン区間のゼロ電圧モード保
持モードとリセット区間との過渡期の前記インダクタに
流れる電流は、 【数1】 になり、前記電流がサステイン区間のインダクタ最大瞬
時電流値より小さいか同じになるようキャパシタ値を決
定することを特徴とする請求項5に記載の電力回収率を
改善したプラズマディスプレイパネル駆動装置。 - 【請求項7】 前記サステイン区間のゼロ電圧モード保
持モードにおいてインダクタ電流が0から最大瞬時イン
ダクタ電流に増加する期間は、 【数2】 (ここで、CPはプラズマディスプレイパネルの容量性
負荷値である)に設定することを特徴とする請求項5に
記載の電力回収率を改善したプラズマディスプレイパネ
ル駆動装置。 - 【請求項8】 インダクタを備える電力回収回路を含
み、リセット区間、アドレス区間及びサステイン区間を
反復するスイッチングシーケンスを有するプラズマディ
スプレイパネルの駆動方法において、 前記サステイン区間においてパネル充放電遷移時点に前
記プラズマディスプレイパネルに前記インダクタの最大
瞬時電流が流れるべくスイッチングシーケンスを制御す
ることを特徴とする電力回収率を改善したプラズマディ
スプレイパネル駆動方法。 - 【請求項9】 前記プラズマディスプレイパネル駆動回
路のスイッチはサステイン区間にゼロ電圧スイッチング
さるべく、スイッチングタイミングを制御することを特
徴とする請求項8に記載の電力回収率を改善したプラズ
マディスプレイパネル駆動方法。 - 【請求項10】 リセット区間、アドレス区間及びサス
テイン区間を反復するスイッチングシーケンスによるプ
ラズマディスプレイパネル駆動装置において、 サステイン区間に前記プラズマディスプレイパネルのY
電極に高周波の方形波電圧を印加するためのY電極サス
テインスイッチング回路と、 サステイン区間とアドレス区間及びリセット区間の回路
動作を分離させるための分離回路と、 リセット区間に前記プラズマディスプレイパネルのY電
極にランプ型高圧電圧を印加するためのY電極ランプ波
形発生回路と、 アドレス区間水平同期信号を印加し、その他の区間では
ショートするスキャンパルス発生回路と、 サステイン区間に前記プラズマディスプレイパネルのX
電極に高周波の方形波電圧を印加するためのX電極サス
テインスイッチング回路と、 リセット区間に前記プラズマディスプレイパネルのX電
極にランプ型高圧電圧を印加するためのX電極ランプ波
形発生回路と、 サステイン区間の前記プラズマディスプレイパネルの充
放電時に電力を回収するためのインダクタより構成され
た電力回収回路を含み、サステイン区間においてパネル
充放電遷移時点に前記プラズマディスプレイパネルに前
記電力回収回路を構成するインダクタの最大瞬時電流が
流れるべくスイッチングシーケンスを制御することを特
徴とする電力回収率を改善したプラズマディスプレイパ
ネル駆動装置。 - 【請求項11】 前記Y電極サステインスイッチング回
路、前記分離回路、前記Y電極ランプ波形発生回路及び
前記スキャンパルス発生回路はスキャン電極ドライブボ
ードに設計し、前記X電極サステインスイッチング回
路、X電極ランプ波形発生回路及び前記電力回収回路は
共通電極ドライブボードに設計し、前記プラズマディス
プレイパネルのY電極端子及びX電極端子にそれぞれ連
結される構造を有することを特徴とする請求項10に記
載の電力回収率を改善したプラズマディスプレイパネル
駆動装置。 - 【請求項12】 前記電力回収回路は、 前記プラズマディスプレイパネルの発光期間に電圧源を
印加するためのスイッチと、 前記電圧源と接地間に直列に連結されたキャパシタC
1,C2と、 前記キャパシタ間の接点と前記スイッチ出力端子に接続
されたインダクタとを含み、前記プラズマディスプレイ
パネル充放電遷移時点に前記プラズマディスプレイパネ
ルに前記インダクタの最大瞬時電流が流れるべく前記ス
イッチを制御するスイッチングシーケンスを設定するこ
とを特徴とする請求項10に記載の電力回収率を改善し
たプラズマディスプレイパネル駆動装置。 - 【請求項13】 前記プラズマディスプレイパネル駆動
装置に含まれたスイッチング手段はゼロ電圧スイッチン
グさるべく、スイッチングシーケンスを設計することを
特徴とする請求項10に記載の電力回収率を改善したプ
ラズマディスプレイパネル駆動装置。 - 【請求項14】 サステイン区間において前記キャパシ
タの接点と接地間にかかる電圧は前記電圧源電圧とほと
んど同じようにサステイン発光モードに比べてサステイ
ン接地モードのインターバル時間を短くすべくスイッチ
ングシーケンスを設計することを特徴とする請求項12
に記載の電力回収率を改善したプラズマディスプレイパ
ネル駆動装置。 - 【請求項15】 スイッチングシーケンスはリセット区
間、アドレス区間及びサステイン区間を反復的に実行
し、前記サステイン区間は、 Y電極パネル充電モード、Y電極パネル発光モード、Y
電極パネル放電モード、ゼロ電圧保持モード、X電極パ
ネル充電モード、X電極パネル発光モード、X電極パネ
ル放電モード、ゼロ電圧保持モードをサブフィールドの
数に応じて反復的に実行し、前記サステイン区間のゼロ
電圧モード保持モードとリセット区間過渡期間は前記ゼ
ロ電圧保持モードのインターバル時間の1/2より短く
設計することを特徴とする請求項10に記載の電力回収
率を改善したプラズマディスプレイパネル駆動装置。 - 【請求項16】 前記サステイン区間のゼロ電圧モード
保持モードとリセット区間過渡期間の前記インダクタに
流れる電流は、 【数3】 になり、前記電流がサステイン区間のインダクタ最大瞬
時電流値より小さいか同じになるようキャパシタ値を決
定することを特徴とする請求項15に記載の電力回収率
を改善したプラズマディスプレイパネル駆動装置。 - 【請求項17】 前記サステイン区間のゼロ電圧モード
保持モードにおいてインダクタ電流が0から最大瞬時イ
ンダクタ電流に増加する期間は、 【数4】 (ここで、Cpはプラズマディスプレイパネルの容量性
負荷値である)に設定することを特徴とする請求項15
に記載の電力回収率を改善したプラズマディスプレイパ
ネル駆動装置。
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