KR100578933B1 - 플라즈마 표시 장치와 플라즈마 표시 패널의 구동 장치 및구동 방법 - Google Patents

플라즈마 표시 장치와 플라즈마 표시 패널의 구동 장치 및구동 방법 Download PDF

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Abstract

플라즈마 표시 패널의 주사 전극 구동 회로에서, 주사 전극에 제1 트랜지스터의 드레인이 연결되고 제1 트랜지스터의 게이트와 소스에는 제1 트랜지스터의 구동부가 연결되어 있다. 구동부는 제1 트랜지스터를 턴온하여 주사 전극의 전압을 감소시키면서 제1 트랜지스터의 소스에 연결된 커패시터를 충전한다. 커패시터의 전압이 일정 전압 이상으로 증가하면 제1 트랜지스터가 턴오프되어 주사 전극이 플로팅된다. 이러한 동작이 반복되어 주사 전극의 전압이 서서히 감소한다. 이때, 방전이 일어나면 플로팅 중에 주사 전극의 전압이 증가한다. 이러한 주사 전압의 증가량이 큰 경우에, 구동부는 이를 감지하여 커패시터를 추가로 방전시킨다.
PDP, 주사 전극, 리셋, 하강, 트랜지스터, 구동 회로

Description

플라즈마 표시 장치와 플라즈마 표시 패널의 구동 장치 및 구동 방법{PLASMA DISPLAY DEVICE AND DRIVING APPARATUS AND METHOD OF PLASMA DISPLAY PANEL}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 개략적인 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 파형도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 구동 파형에 의한 전극의 전압 및 방전 전류를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 구동 회로의 개략적인 회로도이다.
도 5는 도 4의 구동 회로에 대한 구동 파형도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 구동 회로의 개략적인 회로도이다.
도 7은 도 6의 구동 회로에 대한 구동 파형도이다.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 구동 회로의 개략적인 회로도이다.
도 9는 도 8의 구동 회로에 대한 구동 파형도이다.
본 발명은 플라즈마 표시 장치와 플라즈마 표시 패널의 구동 장치 및 구동 방법에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널은 기체 방전에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 문자 또는 영상을 표시하는 평면 표시 장치로서, 그 크기에 따라 수십에서 수백 만개 이상의 화소가 매트릭스 형태로 배열되어 있다. 이러한 플라즈마 디스플레이 패널은 인가되는 구동 전압 파형의 형태와 방전 셀의 구조에 따라 직류형(DC형)과 교류형(AC형)으로 구분된다.
일반적으로 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법은 시간적인 동작 변화로 표현하면 리셋 기간, 어드레스 기간 및 유지 기간으로 이루어진다.
리셋 기간은 이전의 유지방전에 의해 형성된 벽전하 상태를 소거하고, 다음의 어드레싱 동작이 원활히 수행되도록 하기 위해 각 셀의 상태를 초기화시키는 기간이다. 어드레스 기간은 패널에서 켜지는 셀과 켜지지 않는 셀을 선택하여 켜지는 셀에 벽전하를 쌓아두는 동작을 수행하는 기간이다. 유지 기간은 켜지도록 선택된 셀에 실제로 화상을 표시하기 위한 방전을 수행하는 기간이다.
종래에는 리셋 기간에서 벽 전하를 설정하기 위해 미국특허 5,745,086호에 기재된 바와 같이 램프 파형을 주사 전극에 인가하였다. 즉, 주사 전극에 천천히 상승하는 상승 램프 파형을 인가한 후에 천천히 하강하는 하강 램프 파형을 인가하였다. 이러한 램프 파형을 인가하는 경우에는 벽 전하의 제어 정밀도가 램프의 기울기에 강하게 의존하기 때문에, 정해진 시간 내에서 벽 전하를 정밀하게 제어할 수 없다는 문제점이 있었다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 정해진 시간 내에서 벽 전하를 제어할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법과 구동 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 한 특징에 따르면, 용량성 부하를 형성하는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극을 포함하는 플라즈마 표시 패널과 상기 제1 전극에 구동 전압을 인가하는 구동부를 포함하는 플라즈마 표시 장치가 제공된다. 구동부는 제1 트랜지스터, 제1 커패시터, 제2 트랜지스터 및 제1 스위치 구동부를 포함한다. 제1 트랜지스터는 제1 주 단자가 제1 전극에 연결되고 제2 주 단자가 제1 커패시터의 제1단에 연결된다. 제1 커패시터는 제1 전압을 공급하는 제1 전원에 제2단이 연결되어 제1 트랜지스터가 턴온되는 경우에 용량성 부하로부터 전하를 수신한다. 제2 트랜지스터는 제1 커패시터의 제1단과 제2 전압을 공급하는 제2 전원 사이에 연결되며, 제1 스위치 구동부는 제2 트랜지스터의 제어 단자에 연결되어 제1 전극의 전압이 상승하는 경우에 제2 트랜지스터의 제어 단자 전압을 상승시킨다.
본 발명의 한 실시예에 따르면, 제1 스위치 구동부는, 제1 전극에 캐소드가 연결되는 제1 다이오드, 제1 다이오드에 병렬로 연결되는 제1 저항, 제1 다이오드의 애노드에 제1단이 연결되고 제2 트랜지스터의 제어 단자에 제2단이 연결되는 제2 커패시터, 그리고 제2 커패시터의 제2단에 캐소드가 연결되고 제2 전원에 애노느가 연결되는 제2 다이오드를 포함한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 용량성 부하를 형성하는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극을 포함하는 플라즈마 표시 패널의 구동 장치가 제공된다. 본 발명의 구동 장치는 제1 트랜지스터, 제1 커패시터, 방전 경로, 제2 트랜지스터 및 제2 커패시터를 포함한다. 제1 트랜지스터는 제1 전극에 제1 주 단자가 연결되며 제어 단자에 제1 전압과 제2 전압을 교대로 가지는 구동 신호가 인가되며 제1 전압에 응답하여 턴온된다. 제1 커패시터는 제1 트랜지스터의 제2 주 단자에 제1단이 연결되고 제3 전압을 공급하는 제1 전원에 제2단이 연결된다. 방전 경로는 제1 커패시터의 제1단에 연결되어 구동 신호가 제2 전압인 경우에 제1 커패시터에 충전된 전하 중 적어도 일부를 방전시킨다. 제2 트랜지스터는 제1 커패시터의 제1단과 제4 전압을 공급하는 제2 전원 사이에 연결되며, 제2 커패시터는 제2 트랜지스터의 제어 단자와 제1 주 전극 사이에 연결되어 제1 주 전극의 전압 증가량에 대응하여 제어 단자의 전압을 증가시킨다.
본 발명의 또다른 특징에 따르면, 용량성 부하를 형성하는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극을 포함하는 플라즈마 표시 패널의 구동 방법이 제공된다. 본 발명의 구동 방법에 의하면, 제1 레벨의 제어 신호에 응답하여 제1 전극에 제1 주 단자가 연결되는 제1 트랜지스터가 턴온된다. 제1 트랜지스터의 턴온에 응답하여 용량성 부하가 방전되어 제1 트랜지스터의 제2 주 단자에 연결된 커패시터가 충전되고, 제1 전극과 제2 전극 사이에 방전이 형성된다. 그리고 커패시터의 전압 증가에 응답하여 제1 트랜지스터가 턴오프되고, 제1 전극과 제2 전극 사이의 방전에 응답하여 제1 전극의 전압이 변경된다. 제1 전극의 전압 변경에 응답하여 커패시터에 연결되는 제2 트랜지스터의 제어 단자의 전압이 변경되고, 제2 레벨의 제어 신호에 응답하여 커패시터가 방전된다.
본 발명의 한 실시예에 따르면, 제2 트랜지스터의 제어 단자의 전압 변경에 응답하여 커패시터가 추가로 방전된다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 본 발명에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다.
그리고 본 발명에서 언급되는 벽 전하란 셀의 벽(예를 들어, 유전체층) 상에서 각 전극에 가깝게 형성되는 전하를 말한다. 그리고 벽 전하는 실제로 전극 자체에 접촉되지는 않지만, 여기서는 전극에 "형성됨", "축적됨" 또는 "쌓임"과 같이 설명한다. 또한 벽 전압은 벽 전하에 의해서 셀의 벽에 형성되는 전위차를 말한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 개략적인 도면이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치는 플라즈마 표시 패널(100), 제어부(200), 어드레스 전극 구동부(300), 유지 전극 구동부(400) 및 주사 전극 구동부(500)를 포함한다.
플라즈마 표시 패널(100)은 열 방향으로 뻗어 있는 복수의 어드레스 전극(이하, "A 전극"이라 함)(A1-Am), 그리고 행 방향으로 배열되어 있는 복수의 유지 전극(이하 "X 전극"이라 함)(X1-Xn) 및 주사 전극(이하 "Y 전극"이라 함)(Y1-Yn)을 포함한다. X 전극(X1-Xn)은 각 Y 전극(Y1-Yn)에 대응해서 형성되며, 일반적으로 그 일단이 서로 공통으로 연결되어 있다. 이때, A 전극(A1-Am)과 X 및 Y 전극(X1-Xn, Y1-Yn)의 교차부에 있는 방전 공간이 방전 셀을 형성한다.
제어부(200)는 외부로부터 영상 신호를 수신하여 A 전극, X 전극 및 Y 전극 구동부(300, 400, 500)를 구동하는 제어 신호를 출력한다. 그리고 제어부(200)는 한 프레임을 각각의 휘도 가중치를 가지는 복수의 서브필드로 분할하여 구동하며, 각 서브필드는 시간적인 동작 변화로 표현하면 리셋 기간, 어드레스 기간, 유지 기간으로 이루어진다.
Y 전극 구동부(500)는 어드레스 기간에서 순차적으로 Y 전극(22)에 주사 펄스를 인가하고, A 전극 구동부(300)는 각 Y 전극(22)에 주사 펄스가 인가될 때마다 켜질 방전 셀을 선택하기 위한 어드레스 전압을 각 A 전극(11)에 인가한다. 즉, 어드레스 기간에서 주사 펄스가 인가된 Y 전극(22)과 그 Y 전극(22)에 주사 펄스가 인가될 때 어드레스 전압이 인가된 A 전극(11)에 의해 형성되는 방전 셀이 켜질 방전 셀로 선택된다. 그리고 X 전극 구동부(400)와 Y 전극 구동부(500)는 유지 기간에서 X 전극(21)과 Y 전극(22)에 유지방전 펄스를 교대로 인가하여 어드레스 기간에서 선택된 방전 셀에 대하여 표시 동작을 수행한다.
아래에서는 도 2 및 도 3을 참조하여 각 서브필드에서 A 전극(A1-Am), X 전극(X1-Xn) 및 Y 전극(Y1-Yn)에 인가되는 구동 파형에 대하여 설명한다. 그리고 아래에서는 하나의 A 전극, X 전극 및 Y 전극에 의해 형성되는 방전 셀을 기준으로 설명을 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 파형도이며, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 구동 파형에 의한 전극의 전압 및 방전 전류를 나타내는 도면이다.
도 2를 보면, 하나의 서브필드는 리셋 기간(Pr), 어드레스 기간(Pa) 및 유지 기간(Ps)으로 이루어지며, 리셋 기간(Pr)은 상승 기간(Pr1) 및 하강 기간(Pr2)을 포함한다.
리셋 기간(Pr)의 상승 기간(Pr1)에서는 X 전극을 0V로 유지한 상태에서 Y 전극에 Vs 전압에서 Vset 전압까지 완만하게 상승하는 상승 파형을 인가한다. 그러면 Y 전극으로부터 A 전극 및 X 전극으로 각각 미약한 리셋 방전이 일어나서, Y 전극에 (-) 벽 전하가 쌓이고 A 전극 및 X 전극에 (+) 벽 전하가 쌓인다.
도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이 리셋 기간(Pr)의 하강 기간(Pr2)에서는 X 전극을 Ve 전압으로 유지시킨 상태에서 Y 전극에 인가되는 전압을 일정량만큼 감소시킨 후, Y 전극에 공급되는 전압을 차단하여 Y 전극을 일정 기간(Tf) 동안 플로팅시킨다. 그리고 Y 전극의 전압을 일정량만큼 감소시키고 Y 전극을 일정 기간(Tf) 플로팅시키는 동작을 반복한다.
이 동작을 반복하는 중에 X 전극의 전압(Vx)과 Y 전극의 전압(Vy) 사이의 전압차가 방전 개시 전압(Vf) 이상이 되면, X 전극과 Y 전극 사이에서는 방전이 일어난다. 즉, 방전 공간에서 방전 전류(Id)가 흐르게 된다. 그리고 X 전극과 Y 전극 사이에서 방전이 개시된 후 Y 전극이 플로팅 상태로 되면, 외부 전원으로부터 유입 되는 전하가 없으므로 Y 전극의 전압이 벽 전하의 양에 따라 변한다.
즉, X 전극과 Y 전극 사이의 방전에 의해 X 전극과 Y 전극에 형성된 벽 전하가 소멸되면서, 방전 공간 내부의 전압이 급격히 감소한다. 그래서 Y 전극과 X 전극 사이의 전압이 방전 개시 전압 이하로 되어 방전이 급격히 소멸한다. 그리고 방전 공간 내부의 전압이 감소할 때 X 전극은 Ve 전압으로 고정되어 있으므로 플로팅되어 있는 Y 전극의 전압이 도 3에 나타낸 바와 같이 일정 전압만큼 증가한다. 따라서 벽 전하의 변화량이 곧바로 방전 공간 내부 전압을 감소시켜서 적은 양의 벽 전하 변화만으로도 방전이 소멸한다.
그리고 나서, 다시 Y 전극의 전압을 감소시켜 방전을 형성시킨 후 Y 전극을 플로팅 상태로 하면, 앞서와 마찬가지로 벽 전하가 줄어드는 동시에 방전 공간 내부에 강한 방전 소멸이 발생한다. 그리고 Y 전극 전압을 감소시키고 Y 전극을 플로팅시키는 동작이 소정 횟수만큼 반복되면, X 전극 및 Y 전극의 벽 전하 상태가 원하는 상태로 된다.
이와 같이 하면 적은 양의 벽 전하 변화만으로도 방전이 소멸하기 때문에 벽 전하의 제어가 가능하다. 또한 종래의 램프 파형에서는 Y 전극의 전압을 완만하게 하강시켜 강한 방전을 방지하여 벽 전하를 제어하였으므로, 램프 파형의 기울기 제약 때문에 리셋 기간의 하강 기간(Pr2)이 길어야 했다. 그런데 본 발명의 실시예에서는 플로팅에 의한 강한 방전 소멸을 이용하므로 Y 전극의 전압을 급격하게 하강시켜도 되며, 이에 따라 리셋 기간을 단축시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에서는 리셋 기간(Pr)의 하강 기간(Pr2)에 대해서만 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 하강 램프를 사용하여 벽 전하를 제어하는 모든 경우에 적용할 수 있다. 그리고 본 발명의 실시예에서는 전극의 전압이 하강하는 파형에 대해서 설명하였지만, 전극의 전압이 상승하는 파형에도 위에서 설명한 방전의 급격한 소멸 메커니즘을 적용할 수도 있다. 즉, Y 또는 X 전극에 상승 램프 전압을 인가하는 대신에 전극의 전압을 일정량만큼 상승시킨 후에 그 전극을 플로팅시키는 동작을 반복할 수도 있다.
아래에서는 Y 전극에 인가되는 전압을 하강시킨 후 플로팅시키는 동작을 반복할 수 있는 구동 회로에 대하여 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한다. 이러한 구동 회로는 도 2의 구동 파형에서는 Y 전극에 연결되는 Y 전극 구동부(500)에 형성될 수 있다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 구동 회로의 개략적인 회로도이며, 도 5는 도 4의 구동 회로에 대한 구동 파형도이다. 도 5의 패널 커패시터(Cp)는 Y 전극과 X 전극 사이에 형성되는 용량성 부하이다. 그리고 설명의 편의상 패널 커패시터(Cp)의 제2단인 X 전극에는 접지 전압이 인가되어 있는 것으로 가정하고, 패널 커패시터(Cp)는 일정량의 전하로 충전되어 있는 것으로 가정한다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 구동 회로는 트랜지스터(M1), 커패시터(Cd), 저항(R1), 다이오드(D1) 및 스위치 구동부(510)를 포함한다. 도 4에서는 트랜지스터(M1)를 n채널 전계 효과 트랜지스터로 도시하였지만, 아래에서 설명하는 트랜지스터(M1)의 기능과 동일 또는 유사한 기능을 하는 다른 스 위치를 대신 사용할 수 있다.
트랜지스터(M1)의 하나의 주 단자인 드레인은 패널 커패시터(Cp)의 제1단인 Y 전극에 연결되고 다른 하나의 주 단자인 소스가 커패시터(Cd)의 제1단에 연결되어 있다. 커패시터(Cd)의 제2단은 Vnf 전압을 공급하는 전원에 연결되어 있다. 스위치 구동부(510)는 트랜지스터(M1)의 제어 단자인 게이트와 전원(Vnf) 사이에 연결되어, 입력되는 제어 신호(IN1)에 따라 트랜지스터(M1)를 구동하기 위한 구동 신호를 출력한다. 이 구동 신호는 제어 신호(IN1)가 하이 레벨인 경우(TON)에는 Vnf 전압보다 Vcc 전압만큼 높은 전압을 가지며, 제어 신호(IN1)가 로우 레벨인 경우(TOFF)에는 Vnf 전압을 가진다. 그리고 스위치 구동부(510)의 출력단과 트랜지스터(M1)의 게이트 사이에는 저항(R2)이 연결될 수도 있다.
그리고 다이오드(D1)와 저항(R1)은 커패시터(Cd)의 제1단과 스위치 구동부(510)사이에 연결되어 커패시터(Cd)가 방전될 수 있는 방전 경로를 형성한다. 또한, 스위칭 구동부(510)와 트랜지스터(M1)의 게이트 사이에는 저항(R2)이 연결될 수도 있다.
다음, 도 5를 참조하여 도 4의 구동 회로의 동작에 대하여 상세하게 설명한다. 도 5에서 실선으로 표시된 구동 파형(①)은 일정 시간 후(영역 Ⅱ, Ⅲ)에 Y 전극과 X 전극 사이에서 방전이 일어나는 경우를 나타내며, 점선으로 표시된 구동 파형(②)은 Y 전극과 X 전극 사이에서 방전이 일어나지 않은 경우를 나타낸다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 제어 신호(IN1)가 하이 레벨이면 트랜지스터(M1)의 게이트 전압이 트랜지스터(M1)의 소스 전압에 비해 Vcc 전압만큼 높아져서 트랜지스터(M1)가 턴온된다. 그러면 패널 커패시터(Cp)에 충전되어 있는 전하가 커패시터(Cd)로 이동한다. 커패시터(Cd)에 전하가 충전되면 커패시터(Cd)의 제1단 전압이 상승하여 트랜지스터(M1)의 소스 전압이 증가한다. 그런데 트랜지스터(M1)의 게이트 전압은 트랜지스터(M1)를 턴온할 때의 전압으로 유지되는 반면, 커패시터(Cd)의 제1단 전압이 증가하므로 트랜지스터(M1)의 소스 전압이 상대적으로 증가하게 된다. 이때, 트랜지스터(M1)의 소스 전압이 일정 전압까지 증가하면, 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압이 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(Vt)보다 작아져서 트랜지스터(M1)는 턴오프된다.
이와 같이 트랜지스터(M1)가 턴오프되면 패널 커패시터(Cp)에 공급되는 전압이 차단되므로 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극은 플로팅 상태로 된다. 그리고 트랜지스터(M1)가 턴오프될 때 커패시터(Cd)에 축적되는 전하량(ΔQi)은 수학식 1과 같이 된다. 이때, 패널 커패시터(Cp)에서 커패시터(Cd)로의 전하 이동은 순간적으로 이루어지기 때문에 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극 전압(Vy)은 순간적으로 일정량만큼 감소한다. 즉, 제어 신호(IN1)의 레벨 제어로 패널 커패시터(Cp)가 플로팅되는 것보다 빨리 플로팅될 수 있다.
Figure 112005004259818-pat00001
여기서, Cd는 커패시터(Cd)의 커패시턴스이다.
다음, 제어 신호(IN1)가 로우 레벨로 되면 스위치 구동부(510)의 출력 전압이 커패시터(Cd)의 제1단 전압보다 낮아지므로, 커패시터(Cd), 다이오드(D1), 저항(R1) 및 스위치 구동부(510)의 경로를 통해 커패시터(Cd)는 방전된다. 이때, 커패시터(Cd)는 (Vcc-Vt)의 전압이 충전된 상태에서 방전하므로, 커패시터(Cd)의 전압이 감소하는 양(ΔVd)은 수학식 2와 같이 된다. 그리고 제어 신호(IN1)가 로우 레벨인 경우에도 트랜지스터(M1)는 턴오프 상태를 유지한다.
Figure 112005004259818-pat00002
여기서, R1은 저항(R1)의 저항값이다.
그리고 커패시터(Cd)에서 방전되는 전하량(ΔQd)은 제어 신호가 로우 레벨로 유지되는 시간(Toff)에 따라 수학식 3과 같이 되며, 커패시터(Cd)에 남아있는 전하량(Qd)은 수학식 4와 같이 된다.
Figure 112005004259818-pat00003
Figure 112005004259818-pat00004
다음, 제어 신호(IN1)가 다시 하이 레벨로 되면 트랜지스터(M1)가 턴온되어 패널 커패시터(Cp)에서 커패시터(Cd)로 전하가 이동한다. 앞에서 설명한 것처럼 커패시터(Cd)에 ΔQi만큼의 전하가 축적되면 트랜지스터(M1)가 턴오프되므로, 패널 커패시터(Cp)에서 ΔQd만큼의 전하가 다시 커패시터(Cd)로 이동하여 트랜지스터(M1)는 턴오프된다. 이때, 리셋 기간 초기(영역 Ⅰ)와 같이 방전이 일어나지 않으면 Y 전극의 플로팅 시에 Y 전극의 전압을 하강된 상태를 그대로 유지한다. 그리고 Y 전극의 전압이 점진적으로 하강함에 따라 방전이 일어나면(영역 Ⅱ, Ⅲ의 ①), Y 전극의 플로팅 시에 Y 전극의 전압은 일정 전압만큼 증가한다.
이와 같이, 제어 신호(IN1)의 하이 레벨에 응답하여 트랜지스터(M1)가 턴온되면, Y 전극 전압(Vy)이 일정 전압만큼 감소하고 커패시터(Cd)의 전압이 일정 전압만큼 증가하여 트랜지스터는 턴오프된다. 그리고 제어 신호(IN1)가 로우 레벨로 되면 트랜지스터(M1)가 턴오프, 즉 Y 전극이 플로팅된 상태에서 커패시터(Cd)는 방전된다. 따라서 제어 신호(IN1)가 하이 레벨과 로우 레벨을 교대로 가지면, 전극의 전압을 하강시키고 전극을 플로팅시키는 동작이 반복되는 파형이 생성된다.
그리고 도 4에서 방전 경로는 스위치 구동부(510)에 연결되지 않고 다른 경로로 형성될 수 있다. 예를 들어, 커패시터(Cd)의 제1단과 전원(Vnf)사이에 스위치를 연결하여 방전 경로로 사용할 수 있다. 이와 같이 하면, 커패시터(Cd)를 방전시키는 기간에 이 스위치를 턴온하면 된다. 또한, 패널 커패시터(Cp)에서 방전되는 전류의 크기를 제한하기 위해 패널 커패시터(Cp)와 트랜지스터(M1) 사이에 저항 (R3)을 연결할 수 있으며, 또는 인덕터 등의 전류의 크기를 제한할 수 있는 소자를 연결할 수도 있다.
그리고 일반적으로 리셋 기간(하강 기간)의 후반(영역 Ⅲ)에서는 방전이 진행됨에 따라 1회의 방전량이 커지는 경우가 많다. 1회의 방전이 커지면 도 5에 도시한 바와 같이 플로팅에 의한 전압 변화가 크게 발생하여 Y 전극 전압(Vy)이 하강하는 평균 속도가 느려진다. 그러면 방전이 크게 발생하는 경우와 방전이 발생하지 않는 경우의 Y 전극 전압(Vy)의 하강 속도의 차이가 심해지므로, 방전이 크게 발생하는 경우를 대비하여 리셋 기간을 길게 설정하여야 한다. 아래에서는 리셋 기간 후반에서 방전이 커지는 경우에 Y 전극 전압(Vy)의 하강 속도를 빠르게 할 수 있는 실시예에 대해서 도 6 내지 도 9를 참조하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 구동 회로의 개략적인 회로도이며, 도 7은 도 6의 구동 회로에 대한 구동 파형도이다.
도 6에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 구동 회로는 제1 실시예에 비해 트랜지스터(Q1) 및 스위치 구동부(520)를 더 포함한다. 그리고 도 6에서는 트랜지스터(Q1)를 npn형 바이폴라 트랜지스터로 도시하였지만, 아래에서 설명하는 트랜지스터(Q1)의 기능과 동일 또는 유사한 기능을 하는 다른 스위치를 대신 사용할 수 있다.
트랜지스터(Q1)의 하나의 주 단자인 컬렉터는 저항(R1)과 다이오드(D1)의 접점에 연결되고 다른 주 단자인 이미터는 커패시터(Cd)의 제2단인 전원(Vnf)에 연결 되어 있다. 이때, 트랜지스터(Q1)의 컬렉터는 커패시터(Cd)의 제1단에 연결될 수도 있다. 그리고 스위치 구동부(520)는 트랜지스터(Q1)의 제어 단자인 베이스와 전원(Vnf)에 연결되어, 입력되는 제어 신호(IN2)에 따라 트랜지스터(Q1)를 구동하기 위한 구동 신호를 출력한다. 이 구동 신호는 제어 신호(IN2)가 하이 레벨인 경우에는 트랜지스터(Q1)를 턴온시킬 수 있는 레벨을 가지며, 제어 신호(IN2)가 로우 레벨인 경우에는 트랜지스터(Q1)를 턴오프시킬 수 있는 레벨을 가진다. 트랜지스터(Q1)의 베이스와 스위치 구동부(520) 사이에는 저항(R4)이 연결될 수도 있다.
다음, 도 7을 참조하여 도 6의 구동 회로의 동작에 대하여 상세하게 설명한다. 도 7에서 영역 Ⅰ과 Ⅱ는 도 5와 동일하므로 아래에서는 영역 Ⅲ에 대해서만 설명한다.
도 7에 도시한 바와 같이, 리셋 기간의 후반(영역 Ⅲ)에서 방전이 크게 발생하여 Y 전극의 플로팅 시에 Y 전극 전압(Vy)이 크게 상승하면, 제어 신호(IN2)가 하이 레벨과 로우 레벨을 교대로 가진다. 그리고 제어 신호(IN2)는 제어 신호(IN1)가 로우 레벨일 때 하이 레벨을 가진다.
먼저, 제어 신호(IN1)가 로우 레벨인 상태에서 제어 신호(IN2)가 하이 레벨로 되면, 커패시터(Cd)에 축적된 전하가 다이오드(D1)에 의해 형성되는 방전 경로 이외에 트랜지스터(Q1)에 의해 형성되는 방전 경로로도 방전된다. 그러면 커패시터(Cd)에서 제1 실시예보다 많은 양의 전하가 방전되어 커패시터(Cd)에 남은 전하량이 수학식 3의 전하량(Qd)보다 적어진다.
다음, 제어 신호(IN2)가 로우 레벨로 되고 제어 신호(IN1)가 하이 레벨로 되어 트랜지스터(Q1)가 턴오프되고 트랜지스터(M1)가 턴온된다. 커패시터(Cd)에서 많은 양의 전하가 방전되었으므로 패널 커패시터(Cp)에서 커패시터(Cd)로 방전되는 전하량이 영역 Ⅱ에서보다 많아진다. 따라서 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극 전압(Vy)이 영역 Ⅱ에서보다 큰 폭으로 감소한다.
이러한 동작이 반복되면, 영역 Ⅲ에서는 큰 방전에 의해 플로팅 시에 전압 상승량이 증가한 만큼 트랜지스터(M1)의 턴온 시에 Y 전극 전압(Vy)이 크게 감소하므로 영역 Ⅲ에서 Y 전극 전압(Vy)이 감소하는 속도가 느려지는 문제를 해결할 수 있다.
그런데, 도 6의 구동 회로에서는 트랜지스터(Q1)를 구동하기 위해 제어 신호(IN2)에 의해 제어되는 스위치 구동부(520)가 추가로 형성된다. 아래에서는 이러한 스위치 구동부(520)없이 트랜지스터(Q1)를 제어할 수 있는 구동 회로에 대해서 도 8을 참조하여 설명한다.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 구동 회로의 개략적인 회로도이며, 도 9는 도 8의 구동 회로에 대한 구동 파형도이다.
도 8에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 구동 회로는 제2 실시예와 달리 제어 신호(IN2)에 의해 구동되지 않은 스위치 구동부(530)를 포함한다.
스위칭 구동부(530)는 두 다이오드(D2, D3), 저항(R4) 및 커패시터(C1)를 포 함한다. 다이오드(D2)의 캐소드는 패널 커패시터(Cp)의 제1단, 즉 Y 전극에 연결되고, 다이오드(D2)의 애노드에 커패시터(C1)의 제1단이 연결되어 있다. 저항(R4)은 다이오드(D2)에 병렬로 연결되며, 커패시터(C1)의 제2단은 트랜지스터(Q1)의 베이스에 연결되어 있다. 그리고 커패시터(C1)의 제1단에는 다이오드(D3)의 캐소드가 연결되고, 다이오드(D3)의 애노드는 전원(Vnf)에 연결되어 있다.
먼저, 제어 신호(IN1)가 하이 레벨로 되기 전에 커패시터(C1)의 제1단 전압(V1)이 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극 전압(Vy)과 동일하고, 커패시터(C1)의 제2단 전압(V2)이 Vnf 전압과 동일하다고 가정한다.
이때, 하이 레벨의 제어 신호(IN1)에 의해 트랜지스터(M1)가 턴온되어 패널 커패시터(Cp)의 전압(Vy)이 하강하면, 다이오드(D2, D3)는 순방향으로 연결된다. 그러면 도 9와 같이 커패시터(C1)의 양단 전압이 패널 커패시터(Cp)의 전압 감소량만큼 감소한다.
다음, 트랜지스터(M1)가 턴오프된 상태에서 방전에 의해 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극 전압(Vy)이 일정 전압만큼 증가하면, 다이오드(D2, D3)는 역방향으로 연결된다. 그러면 도 9와 같이 저항(R4)을 통하여 전류가 흘러서 커패시터(C1)의 전압(V1, V2)이 상승한다.
이때, 도 9의 영역 Ⅲ과 같이 패널 커패시터(Cp)의 전압 증가량이 일정 전압 이상으로 커지면 커패시터(C1)의 제2단 전압(V2)의 증가량이 트랜지스터(Q1)를 턴 온시킬 수 있는 문턱 전압(Vth) 이상으로 커진다. 그러면 트랜지스터(Q1)가 턴온되어 커패시터(Cd)를 추가로 방전시킬 수 있다. 즉, 스위치 구동부(530)는 도 6 및 도 7에서 설명한 스위치 구동부(520)에서의 역할을 할 수 있으므로, 제어 신호(IN2)를 사용하는 구동부를 사용하지 않아도 된다.
그리고 스위치 구동부(510)에 하이 레벨과 로우 레벨을 교대로 가지는 제어 신호(IN1)가 인가되지 않는 경우에, 패널 커패시터(Cp)의 급격한 전압 변화가 있을 때 트랜지스터(Q1)의 베이스 전압을 보호하기 위해 다이오드(D3)는 도 8과 같이 제너 다이오드로 형성될 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예에서는 Y 전극을 플로팅시키는 방법을 위주로 설명하였지만, 이와는 달리 본 발명은 Y 전극, X 전극 및 A 전극으로 이루어지는 방전 셀에서 어느 하나의 전극을 플로팅시키는 모든 방법에 적용될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
본 발명에 의하면, 방전 셀을 형성하는 전극에 인가되는 전압을 하강시킨 다음 전극을 플로팅시키는 동작을 반복할 수 있는 구동 회로를 제공할 수 있다. 그리고 이러한 구동 파형에 의해 정해진 시간 내에 벽 전하를 제어할 수 있다.

Claims (15)

  1. 용량성 부하를 형성하는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극을 포함하는 플라즈마 표시 패널과 상기 제1 전극에 구동 전압을 인가하는 구동부를 포함하는 플라즈마 표시 장치에 있어서,
    상기 구동부는,
    상기 제1 전극에 제1 주 단자가 연결되는 제1 트랜지스터,
    상기 제1 트랜지스터의 제2 주 단자에 제1단이 연결되고 제1 전압을 공급하는 제1 전원에 제2단이 연결되어 상기 제1 트랜지스터가 턴온되는 경우에 상기 용량성 부하로부터 전하를 수신하는 제1 커패시터,
    상기 제1 커패시터의 제1단과 제2 전압을 공급하는 제2 전원 사이에 연결되는 제2 트랜지스터, 그리고
    상기 제2 트랜지스터의 제어 단자에 연결되어 상기 제1 전극의 전압이 증가하는 경우에 상기 제2 트랜지스터의 제어 단자 전압을 증가시키는 제1 스위치 구동부
    를 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 스위치 구동부는,
    상기 제1 전극에 캐소드가 연결되는 제1 다이오드,
    상기 제1 다이오드에 병렬로 연결되는 제1 저항,
    상기 제1 다이오드의 애노드에 제1단이 연결되고 상기 제2 트랜지스터의 제어 단자에 제2단이 연결되는 제2 커패시터, 그리고
    상기 제2 커패시터의 제2단에 캐소드가 연결되고 상기 제2 전원에 애노느가 연결되는 제2 다이오드
    를 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 다이오드는 제너 다이오드인 플라즈마 표시 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터의 제어 단자에 상기 제1 트랜지스터를 턴온시킬 수 있는 레벨의 제3 전압과 상기 제1 트랜지스터를 턴오프시킬 수 있는 레벨의 제4 전압을 교대로 가지는 구동 신호가 인가되는 플라즈마 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 구동부는, 상기 구동 신호가 상기 제4 전압인 경우에 상기 제1 커패시터에 충전된 전하 중 적어도 일부를 방전시키는 방전 경로를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 방전 경로는 제2 저항 및 상기 제1 커패시터를 충전시키는 방향의 전류를 차단하는 제3 다이오드를 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 구동부는, 제어 신호에 따라 상기 구동 신호를 상기 제1 트랜지스터의 제어 단자로 출력하는 제2 스위치 구동부를 더 포함하며,
    상기 방전 경로는 상기 제1 커패시터와 상기 제2 스위치 구동부의 출력단 사이에 연결되는 플라즈마 표시 장치.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 전압과 상기 제2 전압은 동일한 전압인 플라즈마 표시 장치.
  9. 용량성 부하를 형성하는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극을 포함하는 플라즈마 표시 패널의 구동 장치에 있어서,
    상기 제1 전극에 제1 주 단자가 연결되며 제어 단자에 제1 전압과 제2 전압을 교대로 가지는 구동 신호가 인가되며 상기 제1 전압에 응답하여 턴온되는 제1 트랜지스터,
    상기 제1 트랜지스터의 제2 주 단자에 제1단이 연결되고 제3 전압을 공급하는 제1 전원에 제2단이 연결되는 제1 커패시터,
    상기 제1 커패시터의 제1단에 연결되어 상기 구동 신호가 상기 제2 전압인 경우에 상기 제1 커패시터에 충전된 전하 중 적어도 일부를 방전시키는 방전 경로,
    상기 제1 커패시터의 제1단과 제4 전압을 공급하는 제2 전원 사이에 연결되는 제2 트랜지스터,
    상기 제2 트랜지스터의 제어 단자와 상기 제1 주 전극 사이에 연결되어 상기 제1 트랜지스터의 턴오프 시에 상기 제1 주 전극의 전압 변화량에 대응하여 상기 제어 단자의 전압을 변경하는 제2 커패시터
    를 포함하는 플라즈마 표시 패널의 구동 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 주 전극과 상기 제2 커패시터 사이에 병렬로 연결되는 제1 다이오드 및 제1 저항, 그리고
    상기 제2 커패시터와 상기 제2 전원 사이에 연결되는 제2 다이오드
    를 더 포함하는 플라즈마 표시 패널의 구동 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 다이오드는 상기 제1 주 전극에 캐소드가 연결되며, 상기 제2 다이오드는 상기 제2 전원에 애노드가 연결되는 플라즈마 표시 장치의 구동 장치.
  12. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    제어 신호에 응답하여 상기 구동 신호를 출력하는 스위치 구동부를 더 포함하며,
    상기 방전 경로는 상기 제1 커패시터의 제1단과 상기 스위치 구동부의 출력단 사이에 연결되는 제3 다이오드를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 장치.
  13. 용량성 부하를 형성하는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극을 포함하는 플라즈마 표시 패널의 구동 방법에 있어서,
    제1 레벨의 제어 신호에 응답하여 상기 제1 전극에 제1 주 단자가 연결되는 제1 트랜지스터를 턴온하는 단계,
    상기 제1 트랜지스터의 턴온에 응답하여 상기 용량성 부하를 방전시켜 상기 제1 트랜지스터의 제2 주 단자에 연결된 커패시터를 충전하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 방전을 형성하는 단계,
    상기 커패시터의 전압 증가에 응답하여 상기 제1 트랜지스터를 턴오프하는 단계,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 방전에 응답하여 상기 제1 전극의 전압을 변경시키는 단계,
    상기 제1 전극의 전압 변경에 응답하여 상기 커패시터에 연결되는 제2 트랜지스터의 제어 단자의 전압을 변경시키는 단계, 그리고
    제2 레벨의 제어 신호에 응답하여 상기 커패시터를 방전시키는 단계
    를 포함하는 플라즈마 표시 패널의 구동 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제2 트랜지스터의 제어 단자의 전압 변경에 응답하여 상기 커패시터를 추가로 방전시키는 단계를 더 포함하는 플라즈마 표시 패널의 구동 방법.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서,
    상기 제어 신호는 상기 제1 레벨과 상기 제2 레벨을 교대로 가지는 플라즈마 표시 패널의 구동 방법.
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