DE102008005547A1 - Kontaktelement, Leistungshalbleitermodul und Schaltungsanordnung mit einem Leistungshalbleitermodul - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein elektrisch leitendes, sich in einer Längsrichtung erstreckendes Kontaktelement (100) mit einem ersten Ende (101) und einem dem ersten Ende (101) gegenüberliegenden zweiten Ende (102). An seinem ersten Ende (101) weist das Kontaktelement (100) eine erste Umbördelung (111) auf, die so ausgebildet ist, dass sie beim Auflegen des Kontaktelementes (100) mit der ersten Umbördelung (111) voran auf eine zu der Längsrichtung (z) senkrechte Ebene (E1) mit dieser Ebene (E1) eine Anzahl N1 >= 2 voneinander beabstandete erste Kontaktflächen (11', 12', 13'; 11'', 12'', 13'') aufweist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Leistungshalbleitermodul mit einem Kontaktelement und eine Schaltungsanordnung mit einem solchen Leistungshalbleitermodul.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Kontaktelement, wie es beispielsweise in einem Leistungshalbleitermodul eingesetzt werden kann.
- Leistungshalbleitermodule weisen einen metallisierten Schaltungsträger auf, der elektrisch leitend mit weiteren Komponenten, beispielsweise mit einer Ansteuereinheit, oder mit einem Flachleiter wie z. B. einer Stripline, verbunden werden muss. Die hierzu verwendete Verbindungstechnik soll einfach und preisgünstig herzustellen sein und außerdem eine ausreichende Langzeitstabilität bei auftretenden mechanischen Spannungen und Vibrationen aufweisen. Die Verbindungstechnik kann hierzu Kontaktelemente aufweisen, die auf eine Metallisierung des Schaltungsträgers gelötet werden.
- Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Kontaktelement bereitzustellen, das die vorgenannten Eigenschaften erfüllt und das eine zuverlässige und einfache Lötung ermöglicht. Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Leistungshalbleitermodul sowie eine Schaltungsanordnung mit einem Leistungshalbleitermodul bereitzustellen, das auf einfache Weise mittels eines Kontaktelements elektrisch kontaktiert werden kann. Diese Aufgaben werden durch ein Kontaktelement gemäß Patentanspruch 1, durch ein Leistungshalbleitermodul gemäß Patentanspruch 34 sowie durch eine Schaltungsanordnung gemäß Patentanspruch 38 gelöst. Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprüchen.
- Das Kontaktelement erstreckt sich in einer Längsrichtung und weist ein erstes Ende und ein dem ersten Ende gegenüberliegendes zweites Ende auf. An dem ersten Ende ist eine erste Umbördelung vorgesehen, die so ausgebildet ist, dass sie beim Auflegen des Kontaktelementes mit der ersten Umbördelung voran auf eine zu der Längsrichtung senkrechte Ebene mit dieser Ebene eine Anzahl N1 ≥ 2 voneinander beabstandete erste Kontaktflächen aufweist. Da die erste Umbördelung somit nicht vollflächig auf der Ebene aufliegt, verbleiben freie Bereiche zwischen der ersten Umbördelung und der Ebene. Wenn diese Ebene beispielsweise durch eine Leiterfläche gebildet wird, auf die das Kontaktelement aufgelötet werden soll, kann das beim Löten flüssige Lot zwischen die erste Umbördelung und die Leiterfläche eindringen und so eine sichere, feste und dauerhafte Verbindung zwischen dem Kontaktelement und der Leiterfläche bewirken.
- Ein solches Kontaktelement lässt sich beispielsweise dadurch realisieren, dass die Umbördelung mit zwei, drei oder mehr Stegen versehen wird. Über die Höhe und/oder die Form dieser Stege lässt sich zumindest an einigen Stellen der herzustellenden Lötverbindung ein definierter Abstand zwischen dem Kontaktelement und der Leiterfläche einstellen.
- Bei der Leiterfläche kann es sich beispielsweise um die Metallisierung eines Schaltungsträgers eines Leistungshalbleitermoduls handeln. Das Kontaktelement kann z. B. rohrartig ausgebildet sein, so dass ein elektrisch leitender Kontaktstift in das aufgelötete Kontaktelement eingesteckt werden kann. Der aus dem Kontaktelement herausragende Teil des Kontaktstiftes kann dazu verwendet werden, das Leistungshalbleitermodul elektrisch leitend mit einer externen Komponente, beispielsweise einer Ansteuerplatine oder einem Flachleiter, zu verbinden.
- Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf Figuren näher erläutert. Es zeigen:
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1 ein Foto eines rohrförmigen Kontaktelements, das sich in einer in einer vertikalen Richtung z ver laufenden Längsrichtung erstreckt und das an seinen zwei einander gegenüberliegenden Enden jeweils eine mit Stegen versehene Umbördelung aufweist, -
2 eine graphische Darstellung des Kontaktelements gemäß1 in perspektivischer Ansicht, -
3 ein Foto eines Abschnitts eines Schaltungsträgers, der eine Anzahl voneinander beabstandeter Metallisierungsabschnitte aufweist, wobei auf einige Metallisierungsabschnitte jeweils ein Kontaktelement gemäß den1 und2 aufgelötet ist, -
4 einen Vertikalschnitt durch das Kontaktelement gemäß den1 und2 , -
5 eine Draufsicht auf das Kontaktelement gemäß den1 und2 entgegen der vertikalen Richtung z, -
6 einen Vertikalschnitt durch eine Anordnung, bei der das Kontaktelement gemäß4 mit einer Umbördelung voran auf eine Metallisierung eines Schaltungsträgers aufgelötet ist, wobei diese Umbördelung Stege aufweist, die die Metallisierung unmittelbar kontaktieren, -
7 eine Ansicht entsprechend der Anordnung gemäß6 , mit dem Unterschied, dass zwischen den Stegen und der Metallisierung eine Lotschicht angeordnet ist, -
8 die Kontaktflächen, die das Kontaktelement gemäß4 mit einer zur Längsrichtung senkrechten Ebene aufweist, auf die es mit einer Umbördelung aufgelegt ist, wobei die Kontaktflächen einen segmentierten Ring bilden, -
9 eine Anordnung entsprechend8 , wobei die Kontaktflächen speichenartig zueinander angeordnet sind, -
10 einen Horizontalschnitt durch das Kontaktelement gemäß4 in einer zur Längsrichtung senkrechten Ebene E4, -
11 einen Horizontalschnitt durch einen Kontaktstift, -
12 einen Horizontalschnitt durch das Kontaktelement gemäß4 entsprechend dem Horizontalschnitt gemäß10 , wobei der ein Übermaß aufweisende Kontaktstift in das Kontaktelement eingeschoben ist, -
13 ein Leistungshalbleitermodul, das einen gemäß6 mit Kontaktelementen versehenen Schaltungsträger aufweist, wobei in die Kontaktelemente Kontaktstifte eingesteckt sind, die aus einem Gehäuse des Leistungshalbleitermoduls herausragen, um dessen elektrischen Anschluss an eine Leiterplatte zu ermöglichen, und -
14 das Leistungshalbleitermodul gemäß13 bei aufgesetzter Leiterplatte. - Sofern nicht anders angegeben, bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche Elemente mit gleicher Funktion.
-
1 zeigt ein Foto und2 eine zeichnerische Darstellung eines Kontaktelements100 . Das Kontaktelement100 umfasst einen Schaft103 , der als Zylinderohr ausgebildet ist und eine Zylinderachse A aufweist. An einem ersten Ende101 weist das Kontaktelement100 eine erste Umbördelung111 auf. Außerdem ist an seinem dem ersten Ende101 gegenüberliegenden zweiten Ende102 eine optionale zweite Umbördelung112 vorge sehen. Auf ihrer dem zweiten Ende102 abgewandten Seite besitzt die erste Umbördelung111 drei voneinander beabstandete Stege, von denen in2 nur der erste und der zweite Steg11 bzw.12 erkennbar sind, während ein dritter Steg verdeckt ist. Die erste Umbördelung111 besitzt außerdem auf ihrer dem zweiten Ende abgewandten Seite einen optionalen, zur Längsrichtung senkrechten ebenen Oberflächenabschnitt19 , über den sich die Stege11 ,12 hinaus erstrecken. - Entsprechend kann die zweite Umbördelung
112 auf ihrer dem ersten Ende101 abgewandten Seite einen optionalen ebenen Oberflächenabschnitt29 aufweisen, über den sich voneinander beabstandete Stege21 ,22 ,23 der zweiten Umbördelung112 hinaus erstrecken. -
3 zeigt einen Schaltungsträger mit einem isolierenden Träger53 , auf den voneinander beanstandete Leiterflächen51 aufgebracht sind. Auf einige dieser Leiterflächen51 ist jeweils ein Kontaktelement gemäß den1 und2 mit seiner ersten Umbördelung111 und damit mit seinem ersten Ende101 voran aufgelötet. An seinem dem ersten Ende101 in Längsrichtung gegenüberliegenden zweiten Ende102 weist das Kontaktelement100 eine optionale zweite Umbördelung112 auf, die beispielsweise identisch zu der ersten Umbördelung111 ausgebildet sein kann. In3 ist erkennbar, dass die oberen Enden102 jeweils einen trichterförmigen Abschnitt aufweisen können, der das Einstecken eines Kontaktstiftes in das betreffende Kontaktelement100 erleichtert. -
4 zeigt einen Vertikalschnitt durch das Kontaktelement gemäß2 . In dieser Ansicht sind die jeweils optionalen ebenen Oberflächenabschnitte19 der ersten Umbördelung111 bzw.29 der zweiten Umbördelung112 deutlich erkennbar. Der ebene Oberflächenabschnitt19 ist in einer zur Längsrichtung z senkrechten Ebene E1 angeordnet. Entsprechend ist der ebene Oberflächenabschnitt29 in einer zur Längsrichtung z senkrechten Ebene E2 angeordnet. Die Stege11 ,12 der ersten Um bördelung111 erstrecken sich um eine Höhe h1 über den ersten ebenen Oberflächenabschnitt19 hinaus. Entsprechend erstrecken sich die Stege21 ,22 der zweiten Umbördelung112 um eine Höhe h2 über den zweiten ebenen Oberflächenabschnitt29 hinaus. Die Höhen h1 und/oder h2 können, unabhängig voneinander, jeweils weniger als 1 mm, beispielsweise 10 μm bis 200 μm, betragen. Das Kontaktelement100 insgesamt erstreckt sich in der Längsrichtung z des Schaftes103 über eine Länge l. Diese Länge l ist grundsätzlich frei wählbar und kann beispielsweise 2 mm bis 4 mm betragen. - Weiterhin sind
4 noch der Außenradius R103 und der Innenradius r103 des Schaftes103 sowie die Radien R111 der ersten Umbördelung111 und R112 der zweiten Umbördelung112 zu entnehmen. Wie nachfolgend in5 näher erläutert wird, können die Stege11 ,12 ,13 der ersten Umbördelung111 einen segmentierten Ring mit einem Außenradius R1 und einem Innenradius r1 bilden. Entsprechend können auch die Stege21 ,22 ,23 der zweiten Umbördelung112 einen segmentierten Ring mit einem Außenradius R2 und einem Innenradius r2 bilden. Diese Außenradien R1, R2 und Innenradien r1, r2 sind ebenfalls in4 eingetragen. Die Außenradien R1 und/oder R2 können z. B. jeweils im Bereich von 0,5 mm bis 2 mm liegen und unabhängig voneinander, aber auch identisch gewählt werden. Der Außenradius R103 des Schaftes103 kann beispielsweise 1 mm bis 2 mm, sein Innenradius r103 beispielsweise 0,5 mm bis 1 mm betragen. -
5 zeigt eine Draufsicht auf die erste Umbördelung111 des Kontaktelements100 gemäß4 in der vertikalen Richtung z. In dieser Ansicht ist zu erkennen, dass die Stege11 ,12 ,13 voneinander beabstandet und entlang des Umfangs der ersten Umbördelung111 angeordnet sind. Die ersten Stege11 ,12 ,13 bilden einen segmentierten Ring mit einem Außenradius R1 und einem Innenradius r1. Der Außenradius R1 kann wie bei dem Ausführungsbeispiel gemäß5 ebenso groß gewählt werden wie der Außenradius R111 der ersten Umbördelung111 . - Alternativ zu der vorliegenden Darstellung kann der Außenradius R1 des segmentierten Rings jedoch auch kleiner gewählt werden als der Außenradius R111 der ersten Umbördelung
111 . - Wie
5 weiterhin zu entnehmen ist, kann der Innenradius r1 des segmentierten Ringes größer gewählt werden als der Innenradius r103 des Schaftes103 . Alternativ dazu können der Innenradius r1 des segmentierten Ringes und der Innenradius r103 des Schaftes103 auch identisch gewählt werden. - Das zweite Ende des in
4 dargestellten Kontaktelements100 kann optional ebenso ausgebildet sein wie dessen erstes Ende101 . Beispielsweise können das erste Ende101 und das zweite Ende102 spiegelsymmetrisch zu einer zur Längsrichtung z senkrechten Ebene E4 ausgebildet sein. Eine solche Spiegelsymmetrie ist jedoch nicht zwingend, beispielsweise können die Enden101 und102 mit ihren Umbördelungen111 bzw.112 zwar identisch aufgebaut, jedoch gegeneinander verdreht sein. - Für das in
4 gezeigte, spiegelsymmetrische Kontaktelement100 entspricht die5 außerdem der Ansicht des Kontaktelementes100 entgegen der vertikalen Richtung z. Die für diese Ansicht geltenden Angaben und Bezugszeichen sind in Klammern gesetzt. -
6 zeigt das Kontaktelement100 gemäß4 , aufgelötet auf eine Metallisierung51 eines Schaltungsträgers50 . Die Metallisierung51 ist insgesamt oder zumindest in dem Abschnitt, in dem das Kontaktelement100 aufgelötet ist, eben ausgebildet. Die Längsachse A verläuft dabei im Idealfall senkrecht zu der ebenen Metallisierung51 bzw. zu deren ebenem Abschnitt. Da das Kontaktelement100 auf der Metallisierung51 aufliegt und diese somit kontaktiert, weist das verwendete Lot40 zumindest im Bereich des ebenen Oberflächenabschnitts19 die Dicke h1 auf, welche der Höhe entspricht, um die die Stege11 sowie die aus5 ersichtlichen Stege12 ,13 der ersten Umbördelung111 die Ebene E1 der ebenen Abschnitte19 überragen. - Abweichend von der Darstellung gemäß
6 muss das Kontaktelement100 die Metallisierung51 nicht unmittelbar kontaktieren. Wie in7 dargestellt ist, kann beispielsweise zwischen den Stegen11 der ersten Umbördelung111 und der Metallisierung51 noch ein Abschnitt des Lotes40 der Dicke d40 verbleiben. Die Dicke d40 kann z. B. von größer 0 mm bis 100 mm betragen. Eine Anordnung gemäß7 kann beispielsweise daraus resultieren, dass die Lötverbindung zwischen dem Kontaktelement100 und der Metallisierung51 dadurch hergestellt wird, dass auf die Metallisierung51 zunächst ein Lot40 in Form einer Lotpaste aufgetragen wird. Auf diese Lotpaste wird das Kontaktelement100 aufgesetzt. Danach wird die Lotpaste aufgeschmolzen und dann unter ihren Schmelzpunkt abgekühlt. Aufgrund des Benetzungsverhaltens des flüssigen Lotes40 während der Aufschmelzphase nimmt das Lot40 eine Form an, wie sie in7 dargestellt ist. Zwischen dem Steg11 der ersten Umbördelung111 und der Metallisierung51 verbleibt dabei eine Teilschicht des Lotes40 der Dicke d40. -
8 zeigt Kontaktflächen11' ,12' und13' , die das Kontaktelement100 gemäß4 bei dessen Aufsetzen mit der ersten Umbördelung111 voran auf eine ebene Fläche, beispielsweise die Metallisierung51 , mit dieser Ebene aufweist. Die Kontaktflächen11' ,12' und13' korrespondieren – in der genannten Reihenfolge – mit den Stegen11 ,12 ,13 der ersten Umbördelung111 . - Aufgrund der im Vertikalschnitt rechteckigen Ausgestaltung der Stege der ersten Umbördelung
111 , wie sie aus4 am Beispiel des Steges11 ersichtlich ist, sind die Konturen der Kontaktflächen11' ,12' ,13' identisch mit den Konturen der Stege11 ,12 ,13 , wie sie sich aus der Ansicht gemäß5 ergeben. Die Stege11 ,12 ,13 müssen jedoch nicht notwendigerweise rechteckige Vertikalschnitte aufweisen. Beispiels weise könnte sich der Steg11 gemäß4 in der dort dargestellten Querschnittsansicht von einer dem zweiten Ende102 zugewandten Seite zu seiner dem zweiten Ende102 abgewandten Seite konisch verjüngen. In diesem Fall wären die in8 dargestellten Kontaktflächen11' ,12' ,13' in radialer Richtung schmäler als abgebildet. - Die ersten Stege
11 ,12 ,13 des Kontaktelements100 gemäß den4 und5 bilden wie erläutert einen segmentierten Ring. Alternativ oder zusätzlich können die voneinander beabstandeten Stege11 ,12 ,13 radial zueinander verlaufen, so dass sich Kontaktflächen11'' ,12'' ,13'' ergeben, wie sie beispielhaft in9 dargestellt sind. -
10 zeigt eine Querschnittsansicht durch das Kontaktelement100 gemäß4 in einer zur Längsrichtung z senkrechten Ebene E4. In dieser Ansicht ist die zylinderringförmige Struktur des Schaftes103 deutlich zu erkennen. Der Schaft103 weist einen Innendurchmesser auf, der dem Doppelten des Innenradius r103 entspricht. Um die Metallisierung51 in den6 bzw.7 mit Hilfe des Kontaktelementes100 zu kontaktieren, ist es vorgesehen, in den Schaft103 des Kontaktelements100 einen Kontaktstift einzustecken, der mit anderen elektrischen Komponenten elektrisch leitend verbunden ist oder verbunden werden kann. -
11 zeigt einen Querschnitt durch ein Ausführungsbeispiel eines einen hierfür geeigneten Kontaktstiftes200 . Der Kontaktstift200 weist abgesehen von abgerundeten Ecken einen im Wesentlichen quadratischen Querschnitt auf. In der dargestellten Schnittebene besitzt der Kontaktstift200 in der Querschnittsebene eine maximale Abmessung D200. Diese maximale Abmessung D200 ist größer gewählt als der doppelte Innenradius r103 des Schaftes103 des Kontaktelements gemäß den6 ,7 und10 . Hierdurch entsteht beim Einstecken des Kontaktstiftes200 gemäß11 in das Kontaktelement100 gemäß den6 ,7 und10 eine feste, elektrisch leitende Verbindung zwischen dem Kontaktelement100 und dem Kontaktstift200 , wobei der Schaft103 beim Einstecken des Kontaktstiftes200 aufgrund von dessen Übermaß geringfügig verformt wird, was anhand von12 in einer zu den Querschnittsansichten gemäß den10 und11 korrespondierenden Querschnittsansicht beispielhaft erläutert ist. -
13 zeigt ein Leistungshalbleitermodul300 mit einem Schaltungsträger50 , der unter anderem eine strukturierte Metallisierung51 mit voneinander beabstandeten, ebenen Abschnitten51a ,51b und51c aufweist. Jeweils ein Kontaktelement100 , das beispielsweise gemäß einem der vorangehend erläuterten Kontaktelemente100 ausgebildet sein kann, ist auf einem der ebenen Abschnitte der Metallisierung51 , wie anhand der6 und7 erläutert, aufgelötet. Bei diesem Leistungshalbleitermodul ist der Schaltungsträger50 als Keramiksubstrat53 ausgebildet, das auf einander gegenüberliegenden Seiten mit Metallisierungen51 ,52 versehen ist. Bei der verwendeten Keramik53 kann es sich beispielsweise um Aluminiumoxid oder um Aluminiumnitrid handeln. Als Material für die Metallisierungen51 ,52 kann beispielsweise Kupfer oder eine Kupferlegierung gewählt werden. Auf die Metallisierungsabschnitte51a und51c ist jeweils ein Leistungshalbleiterchip1 aufgebracht und durch Bonddrähte30 mit dem Metallisierungsabschnitt51b elektrisch leitend verbunden. - Um die Metallisierungsabschnitte
51a ,51b ,51c elektrisch an eine grundsätzlich beliebige andere elektronische Komponente anzuschließen, ist in jedes der Kontaktelemente100 ein Kontaktstift200 eingesteckt. Die oberen Enden202 der Kontaktstifte200 können mit der anderen Komponente verbunden werden oder bereits einen Bestandteil derselben darstellen. - Die andere elektronische Komponente kann innerhalb oder außerhalb des Gehäuses
70 angeordnet sein. Für den Anschluss einer außerhalb des Gehäuses70 angeordneten, externen elektronischen Komponente sind die obere Enden202 der Kontakt stifte200 durch Öffnungen des Gehäuses70 hindurchgeführt sind und ragen aus diesem heraus. - Um das Leistungshalbleitermodul
300 mit einer weiteren Komponente elektrisch leitend zu verbinden, kann diese Komponente mit Öffnungen versehen sein, die in der Komponente korrespondierend zur Anordnung der Kontaktstifte200 zueinander angeordnet sind. - In
13 ist als weitere Komponente eine Leiterplatte400 vorgesehen, die außerhalb des Gehäuses70 angeordnet ist. Die Leiterplatte400 weist eine strukturierte Metallisierung451 auf, sowie Durchkontaktierungen401 , mit denen die Leiterplatte400 auf die Enden202 der Kontaktstifte200 aufgesteckt wird, so dass die Enden202 in die Durchkontaktierungen401 zumindest eintauchen und optional durch die Durchkontaktierungen401 hindurch ragen. - Um eine feste und dauerhafte Verbindung zwischen den Kontaktstiften
200 und den Durchkontaktierungen401 sowie den jeweils damit verbundenen Metallisierungsabschnitten der Metallisierung451 herzustellen, kann die Verbindung als Einpressverbindung (”Press-Fit-Kontakt”) ausgestaltet sein, wenn das obere Ende202 des betreffenden Kontaktstiftes gegenüber der korrespondierenden Öffnung401 ein Übermaß aufweist. Alternativ zu einer Einpressverbindung kann ein in eine Öffnung401 eingeführter Kontaktstift200 jedoch auch mit dem korrespondierenden Abschnitt der Metallisierung451 der Leiterplatte400 verlötet werden.14 zeigt die durch das Aufsetzen der Leiterplatte400 auf das Leistungshalbleitermodul300 erzeugte Schaltungsanordnung. - Anstelle einer Einpressverbindung kann bei einem oder mehreren der Kontaktstifte
200 das obere Ende202 federartig ausgestaltet sein, um einen sicheren und dauerhaften elektrischen Kontakt mit einer externen Komponente zu ermöglichen. - Ebenso kann das obere Ende eines solchen Kontaktstiftes eine Anschraub-Öse, eine Schraubklemme oder ein Gewinde aufweisen.
- Um den Gedanken der Erfindung zu veranschaulichen, wurden vorangehend verschiedene Ausführungsbeispiele erläutert. Die Erfindung richtet sich jedoch auch auf andere als die erläuterten Ausgestaltungen. So können beispielsweise anstelle der gezeigten drei voneinander beabstandeten Stegen
11 ,12 ,13 bzw.21 ,22 ,23 einer Umbördelung111 bzw.112 auch zwei, vier oder mehr Stege vorgesehen sein. Die Form des Schaftes103 muss auch nicht notwendigerweise zylinderringförmig ausgebildet sein. Andere Formen sind ebenfalls denkbar, solange sichergestellt bleibt, dass sich durch Einstecken eines Kontaktstiftes in den Schaft103 des Kontaktelementes100 eine sichere und dauerhafte elektrisch leitende Verbindung ergibt. Beispielsweise kann es ausreichend sein, wenn der Schaft103 nur abschnittweise zylinderringförmig ausgebildet ist, und/oder wenn er eine Verengung aufweist, in die ein Kontaktstift mit geeignetem Querschnitt eingepresst werden kann. - Ein Kontaktelement
100 muss außerdem nicht notwendigerweise symmetrisch aufgebaut sein. Allerdings ist es von Vorteil, wenn die auf einander gegenüberliegenden Seiten des Schaftes103 angeordneten Enden101 ,102 jeweils eine mit Stegen versehene Umbördelung111 bzw.112 aufweisen, weil dann die Kontaktelemente mittels eines Pick-and-Place Verfahrens zusammen mit Halbleiterchips und/oder anderen Bauelementen auf einen mit einer Lötpaste versehenen Schaltungsträger aufgesetzt und in einem gemeinsamen Aufschmelzschritt der Lötpaste mit dem Schaltungsträger verlötet werden können, ohne dass beim Bestücken darauf geachtet werden muss, ob das Kontaktelement100 richtig orientiert ist oder ”auf dem Kopf steht”. - Anstelle der in den
13 und14 gezeigten Leiterplatte400 können auch andere externe Komponenten auf die aus dem Leistungshalbleitermodul300 herausragenden Enden202 der Kontaktstifte200 aufgepresst und/oder aufgelötet werden. Bei solchen anderen Komponenten kann es sich beispielsweise um Flachbandleiter, beispielsweise um Striplins handeln. Ebenso ist es natürlich möglich, verschiedene Kontaktstifte200 bzw. Kontaktstiftgruppen des Leistungshalbleitermoduls300 mit unterschiedlichen externen Komponenten auf diese Weise zu verbinden.
Claims (38)
- Elektrisch leitendes, sich in einer Längsrichtung erstreckendes Kontaktelement (
100 ) mit einem ersten Ende (101 ) und einem dem ersten Ende (101 ) gegenüber liegenden zweiten Ende (102 ), wobei das Kontaktelement (100 ) an dem ersten Ende (101 ) eine erste Umbördelung (111 ) aufweist, die so ausgebildet ist, dass sie beim Auflegen des Kontaktelementes (100 ) mit der ersten Umbördelung (111 ) voran auf eine zu der Längsrichtung (z) senkrechte Ebene (E1) mit dieser Ebene (E1) eine Anzahl N1 ≥ 2 voneinander beabstandete erste Kontaktflächen (11' ,12' ,13' ;11'' ,12'' ,13'' ) aufweist. - Kontaktelement nach Anspruch 1, bei dem die erste Umbördelung (
111 ) eine Anzahl N1 ≥ 2 voneinander beabstandete erste Stege (11 ,12 ,13 ) aufweist. - Kontaktelement nach Anspruch 2, bei dem die ersten Stege (
11 ,12 ,13 ) und die erste Umbördelung (111 ) einstückig ausgebildet sind. - Kontaktelement nach Anspruch 2 oder 3, bei dem die erste Umbördelung (
111 ) auf ihrer dem zweiten Ende (102 ) abgewandten Seite einen ebenen, zur Längsrichtung senkrechten ersten Oberflächenabschnitt (19 ) aufweist, auf dem die ersten Stege (11 ,12 ,13 ) angeordnet sind. - Kontaktelement nach Anspruch 4, bei dem die ersten Stege (
11 ,12 ,13 ) bezogen auf den ersten Oberflächenabschnitt (19 ) eine Höhe (h1) von 10 μm bis 200 μm aufweisen. - Kontaktelement nach einem der Ansprüche 2 bis 5, bei dem zwei, drei oder mehr der ersten Stege (
11 ,12 ,13 ) einen segmentierten ersten Ring bilden. - Kontaktelement nach Anspruch 6, bei dem der segmentierte erste Ring und die erste Umbördelung (
111 ) denselben Außenradius aufweisen. - Kontaktelement nach Anspruch 6 oder 7, bei dem der segmentierte erste Ring einen Außenradius (R1) von 0,5 mm bis 2 mm aufweist.
- Kontaktelement nach einem der Ansprüche 6 bis 8, bei dem die den segmentierten ersten Ring bildenden ersten Stege (
11 ,12 ,13 ) speichenartig zueinander angeordnet sind. - Kontaktelement nach einem der Ansprüche 6 bis 9, das zwischen dem ersten Ende (
101 ) und dem zweiten Ende (102 ) als Rohr (103 ) ausgebildet ist, das einen Innenradius (r103) aufweist, welcher kleiner ist als der Innenradius (r1) des segmentierten ersten Ringes. - Kontaktelement nach einem der Ansprüche 6 bis 10, bei dem das Rohr (
103 ) zylinderringförmig ausgebildet ist und einen Innenradius (r103) von 0,5 mm bis 1 mm aufweist. - Kontaktelement nach einem der Ansprüche 6 bis 11, bei dem das Rohr (
103 ) zylinderringförmig ausgebildet ist und einen Außenradius (R103) von 1 mm bis 2 mm aufweist. - Kontaktelement nach einem der Ansprüche 6 bis 12, bei dem der segmentierte erste Ring einen Außenradius (R1) von 0,5 mm bis 2 mm aufweist.
- Kontaktelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die erste Umbördelung (
111 ) einen Außenradius (R111) von 1 mm bis 3 mm aufweist. - Kontaktelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem N1 = 3 ist.
- Kontaktelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, das an dem zweiten Ende (
102 ) eine zweite Umbördelung (112 ) aufweist, die so ausgebildet ist, dass sie beim Auflegen des Kontaktelementes (100 ) mit der zweiten Umbördelung (112 ) voran auf eine zu der Längsrichtung (z) senkrechte Ebene (E2) mit dieser Ebene (E2) eine Anzahl N2 ≥ 2 voneinander beabstandete zweite Kontaktflächen aufweist. - Kontaktelement nach Anspruch 16, bei dem die zweite Umbördelung (
112 ) eine Anzahl N2 ≥ 2 voneinander beabstandete zweite Stege (21 ,22 ,23 ) aufweist. - Kontaktelement nach Anspruch 17, bei dem die zweiten Stege (
21 ,22 ,23 ) und die zweite Umbördelung (112 ) einstückig ausgebildet sind. - Kontaktelement nach Anspruch 17 oder 18, bei dem die zweite Umbördelung (
112 ) auf ihrer dem ersten Ende (101 ) abgewandten Seite einen ebenen, zur Längsrichtung (z) senkrechten zweiten Oberflächenabschnitt (29 ) aufweist, auf dem die zweiten Stege (21 ,22 ,23 ) angeordnet sind. - Kontaktelement nach Anspruch 19, bei dem die zweiten Stege (
21 ,22 ,23 ) bezogen auf den zweiten Oberflächenabschnitt (29 ) eine Höhe (h2) von 10 μm bis 200 μm aufweisen. - Kontaktelement nach einem der Ansprüche 17 bis 20, bei dem zwei, drei oder mehr der zweiten Stege (
21 ,22 ,23 ) einen segmentierten zweiten Ring bilden. - Kontaktelement nach Anspruch 21, bei dem der segmentierte zweite Ring und die zweite Umbördelung (
112 ) denselben Außenradius (R112) aufweisen. - Kontaktelement nach Anspruch 21 oder 22, bei dem der segmentierte zweite Ring einen Außenradius (R2) von 0,5 mm bis 2 mm aufweist.
- Kontaktelement nach einem der Ansprüche 21 bis 23, bei dem die den segmentierten zweiten Ring bildenden zweiten Stege (
21 ,22 ,23 ) speichenartig zueinander angeordnet sind. - Kontaktelement nach einem der Ansprüche 22 bis 24, das zwischen dem ersten Ende (
101 ) und dem zweiten Ende (102 ) als Rohr ausgebildet ist, das einen Innenradius (r103) aufweist, welcher kleiner ist als der Innenradius (r2) des segmentierten zweiten Ringes. - Kontaktelement nach einem der Ansprüche 16 bis 25, bei dem die zweite Umbördelung (
112 ) einen Außenradius (R112) von 1 mm bis 3 mm aufweist. - Kontaktelement nach einem der Ansprüche 16 bis 26, bei dem N2 = 3 ist.
- Kontaktelement nach einem der Ansprüche 16 bis 27, bei dem die erste Umbördelung (
111 ) und die zweite Umbördelung (112 ) identisch aufgebaut sind. - Kontaktelement nach Anspruch 28, bei dem die erste Umbördelung (
111 ) und die zweite Umbördelung (112 ) bezüglich einer zur Längsrichtung (z) senkrechten Symmetrieebene (E4) spiegelsymmetrisch angeordnet sind. - Kontaktelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, das Kupfer aufweist oder aus Kupfer gebildet ist.
- Kontaktelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, das Kupfer, eine Kupferlegierung oder Stahl oder das aus einem dieser Materialien gebildet ist.
- Kontaktelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, das eine Beschichtung aus Zinn oder Gold oder Nickel aufweist.
- Kontaktelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, das eine Länge (l) von 2 mm bis 4 mm aufweist.
- Leistungshalbleitermodul, das einen Schaltungsträger (
50 ) mit wenigstens einer ebenen Leiterfläche (51 ) aufweist, sowie wenigstens ein gemäß einem der Ansprüche 1 bis 28 ausgebildetes Kontaktelement (100 ), wobei jedes der Kontaktelemente (100 ) mit seiner ersten Umbördelung (101 ) voran so auf eine der ebenen Leiterflächen (51 ) aufgelötet ist, dass die Längsrichtung (z) dieses Kontaktelementes (100 ) senkrecht zu der betreffenden ebenen Leiterfläche (51 ) verläuft. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 34, bei dem zwischen der ersten Umbördelung (
111 ) und der ebenen Leiterfläche (51 ) ein Lot (40 ) angeordnet ist. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 34 oder 35, bei dem für jedes der Kontaktelemente (
100 ) ein elektrisch leitender Kontaktstift (200 ) vorgesehen ist, der in ein zugehöriges Kontaktelement (100 ) eingesteckt ist. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 36 mit einem Gehäuse (
70 ), in dem der Schaltungsträger (50 ) und das wenigstens eine Kontaktelement (100 ) angeordnet sind, wobei jeder der Kontaktstifte (200 ) ein aus dem Gehäuse heraus ragendes Ende (202 ) aufweist. - Schaltungsanordnung mit einem Leistungshalbleitermodul (
300 ) gemäß Anspruch 32, sowie mit einer Leiterplatte (400 ), in die zumindest eines der aus dem Gehäuse heraus ragenden Enden eingepresst oder eingelötet ist.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008005547A DE102008005547B4 (de) | 2008-01-23 | 2008-01-23 | Leistungshalbleitermodul und Schaltungsanordnung mit einem Leistungshalbleitermodul |
CN2009101267733A CN101546741B (zh) | 2008-01-23 | 2009-01-22 | 接触元件、功率半导体模块和具有该模块的电路装置 |
US12/358,987 US8087943B2 (en) | 2008-01-23 | 2009-01-23 | Power semiconductor module including a contact element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008005547A DE102008005547B4 (de) | 2008-01-23 | 2008-01-23 | Leistungshalbleitermodul und Schaltungsanordnung mit einem Leistungshalbleitermodul |
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Publication Number | Publication Date |
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DE102008005547A1 true DE102008005547A1 (de) | 2009-11-05 |
DE102008005547B4 DE102008005547B4 (de) | 2013-08-29 |
Family
ID=40930855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102008005547A Active DE102008005547B4 (de) | 2008-01-23 | 2008-01-23 | Leistungshalbleitermodul und Schaltungsanordnung mit einem Leistungshalbleitermodul |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8087943B2 (de) |
CN (1) | CN101546741B (de) |
DE (1) | DE102008005547B4 (de) |
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