TWI489222B - Electron beam rendering device and electron beam rendering method - Google Patents

Electron beam rendering device and electron beam rendering method Download PDF

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TWI489222B
TWI489222B TW102100695A TW102100695A TWI489222B TW I489222 B TWI489222 B TW I489222B TW 102100695 A TW102100695 A TW 102100695A TW 102100695 A TW102100695 A TW 102100695A TW I489222 B TWI489222 B TW I489222B
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Description

電子束描繪裝置及電子束描繪方法
本發明係關於電子束描繪裝置及電子束描繪方法。
近年來，伴隨大型積體電路(LSI；Large Scale Integration)之高積體化及大容量化，半導體元件所要求的電路線寬變為越窄。半導體元件，係使用形成有電路圖案的原畫圖案(係指光罩(Mask)或倍縮光罩(reticle)，以下總稱為光罩)，藉由稱為所謂步進式曝光機(Stepper)的縮小投影露光裝置於晶圓上進行圖案之露光轉印而形成電路而被製造。於此，在將微細的電路圖案轉印至晶圓用的光罩之製造，係使用藉由電子束的描繪裝置。該裝置本質上具有良好的解像度，亦可確保較大的焦點深度，具有即使於高的段差上亦可以抑制尺寸變動。
特開平9-293670號公報揭示，電子束微影成像技術所使用的可變成形型電子束描繪裝置。此種裝置中之描繪資料，係針對產生CAD(Computer Aided Design)系統設計的半導體積體電路等設計資料(CAD資料)，實施補正或圖形圖案之分割等處理而作成。
例如藉由電子束之size(尺寸)所界定的最大景别(shot size)單位進行圖形圖案之分割處理，同時對分割的各shot(鏡頭)之座標位置、size及照射時間進行設定。對應於欲描繪的圖形圖案之形狀或大小使shot被成形，而作成描繪資料。描繪資料係依據短尺狀之視景框(frame)(主偏向區域)單位被切斷，更進一步於其中被分割為副偏向區域。亦即，晶片全體之描繪資料，係成為由和主偏向區域之size對應之複數個帶狀的視景框資料，及在視景框內較主偏向區域為更小的複數個副偏向區域單位所構成的資料階層構造。
副偏向區域，係藉由副偏向器以較主偏向區域更高速進行電子束之掃描而被描繪的區域，通常係成為最小描繪單位。進行副偏向區域內之描繪時，係藉由成形偏向器將和圖案圖形對應而準備的尺寸及形狀的shot予以形成。具體言之為，由電子槍射出的電子束，係藉由第1光圈(Aperture)被成形為矩形狀之後，藉由成形偏向器投射至第2光圈上，變化該射束形狀及尺寸。之後，藉由對物透鏡對準焦點後，藉由副偏向器及主偏向器進行偏向，而照射至平台(stage)上所載置的光罩。
但是，電子束被照射至光罩時，撞及光罩而反射的電子(反射電子)或射入光罩而產生的電子(2次電子)於 電子鏡筒內會朝上方行進。
圖3係對具有50keV能量的反射電子的軌道進行模擬者。於此，係對10°，30°，50°，70°及90°之各射出角限定一方向而進行模擬。
又，圖4係對具有100eV能量的2次電子的軌道進行模擬者。同樣針對10°、30°、50°、70°及90°之各射出角限定一方向進行模擬。
又，於圖3及圖4，橫軸係表示X方向，亦即和電子束軸呈正交的方向。又，縱軸係表示Z方向，亦即和電子束軸呈平行的方向。又，彼等之情況下，係以磁場型透鏡，亦即對線圈流入電流而產生磁場的透鏡作為對物透鏡使用。
由圖3或圖4所示模擬結果可知，反射電子或2次電子係沿著電子束軸而進行捲繞其之螺旋運動。因此，電子束受到反射電子或2次電子之影響而產生飄移，而被照射至偏離目標位置的位置。
本發明有鑑於上述問題。亦即本發明目的在於提供可以減少反射電子或2次電子引起的電子束飄移之電子束描繪裝置及電子束描繪方法。
本發明其他目的及優點可由以下記載理解。
本發明第1態樣之電子束描繪裝置，係具備：平台，用於載置試料；及 電子鏡筒，係配置有：用於射出電子束的電子槍，及具備被配列於電子束之軸方向的電極之靜電透鏡；具有對靜電透鏡常時施加正電壓的電壓供給手段。
本發明第2態樣之電子束描繪方法，係由係配置於電子鏡筒內的電子槍射出電子束，對載置於平台上的試料之上進行特定圖案之描繪者；其特徵為：係對在電子束之軸方向配列著電極的靜電透鏡常時施加正電壓。
依據本發明之第1態樣，具有對靜電透鏡常時施加正電壓的電壓供給手段，因此可提供能減低反射電子或2次電子引起的電子束之飄移的電子束描繪裝置。
依據本發明之第2態樣，係對電極被配列於電子束之軸方向的靜電透鏡常時施加正電壓，因此可提供能減低反射電子或2次電子引起的電子束之飄移的電子束描繪方法。
100‧‧‧電子束描繪裝置
150‧‧‧描繪部
160‧‧‧控制部
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
212‧‧‧遮斷偏向器
214‧‧‧遮斷光圈
203‧‧‧第1成形光圈
204‧‧‧投影透鏡
205‧‧‧成形偏向器
206‧‧‧第2成形光圈
207‧‧‧對物透鏡
208‧‧‧主偏向器
209‧‧‧副偏向器
210‧‧‧靜電透鏡
200‧‧‧電子束
216‧‧‧試料
211‧‧‧遮蔽板
105‧‧‧XY平台
106‧‧‧反射鏡
145‧‧‧雷射測長機
110‧‧‧控制電腦
112‧‧‧描繪資料處理部
107‧‧‧Z感側器
143‧‧‧檢測器
120‧‧‧偏向控制電路
130~133‧‧‧DAC放大單元
144‧‧‧記憶裝置
121‧‧‧偏向量演算部
124‧‧‧偏向信號產生部
135‧‧‧電壓供給手段
[圖1]本實施形態之電子束描繪裝置之構成圖。
[圖2]藉由電子束的描繪方法之說明圖。
[圖3]對具有50keV之能量的反射電子之軌道進行模擬的圖。
[圖4]對具有100eV之能量的2次電子之軌道進行 模擬的圖。
[圖5]靜電透鏡之構成及配置的模式圖。
圖1係表示本實施形態中之電子束描繪裝置之構成圖。
於圖1，電子束描繪裝置100為可變成形型之電子束描繪裝置之一例，係具備：描繪部150與控制部160。
描繪部150，係具備：電子鏡筒102與描繪室103。
於電子鏡筒102內係配置有，電子槍201，照明透鏡202，遮斷(blanking)偏向器212，遮斷光圈(blanking aperture)214，第1成形光圈203，投影透鏡204，成形偏向器205，第2成形光圈206，對物透鏡207，主偏向器208，副偏向器209及靜電透鏡210。
照明透鏡202，投影透鏡204，對物透鏡207及靜電透鏡210均為調節電子束200之結像位置的透鏡。彼等，如圖1所示，係配列於電子束200之軸方向。於本實施形態，照明透鏡202、投影透鏡204及對物透鏡207均為磁場型透鏡。另外，靜電透鏡210係具有配列於電子束200之軸方向的電極，藉由施加於電極間之電壓，可控制電子束200之焦點位置。
欲有效控制電子束200之焦點位置時，靜電透鏡210需要配置於磁場內。在偏向器配置於磁場中之構成之電子束描繪裝置，偏向器可以兼作為靜電透鏡。另外，於本實 施形態之電子鏡筒102，磁場係朝偏向器之下方，因此靜電透鏡210係位於偏向器之下方，具體言之為，位於主偏向器208之下方。此為本實施形態之電子束描繪裝置和習知之不同點之一。
圖5係表示靜電透鏡210之構成與配置之模式圖。如該圖所示，靜電透鏡210係配置於主偏向器208之下方。
於圖5之例，主偏向器208為8極之靜電偏向器。主偏向器208，係使電子束偏向特定的副偏向區域。例如偏向XY方向之特定方向，因此由圖1之DAC放大單元133對電極(1)施加(y)，對電極(2)施加{(x+y)/}，對電極(3)施加(x)，對電極(4)施加{(x-y)/}，對電極(5)施加(-y)，對電極(6)施加{(-x-y)/}，對電極(7)施加(-x)，對電極(8)施加{(-x+y)/}之電壓。如此則，可使電子束朝特定方向偏向。又，DAC放大單元133，於圖5之例係由設於8極之靜電偏向器之各電極的放大器構成。又，電子束之偏向必要的電壓係例如250V。
於圖5，靜電透鏡210係具有配列於鉛直方向(亦即圖1之電子束200之軸方向)的3個電極。其中，中央之電極(102)為透鏡電極，係被接地電極(101)、(103)挾持的構造。藉由施加於彼等電極間之電壓來進行電子束200之焦點位置控制。於本實施形態，如後述說明，係藉由圖1之電壓供給手段135使常時為正之電壓被施加於靜電透鏡210。又，電壓供給手段135之動作，係 藉由圖1之控制電腦110進行控制。
照明透鏡202，係使由電子槍201射出的電子束200照射至第1成形光圈203。如此則，電子束200被成形為例如矩形。之後，藉由投影透鏡204投影至第2成形光圈206。於此，第2成形光圈206上之第1成形光圈像之位置，係藉由成形偏向器205進行控制。如此則，可以變化電子束之形狀與尺寸。透過第2成形光圈206的電子束200，係藉由對物透鏡207進行焦點之對準後，藉由主偏向器208與副偏向器209進行偏向。之後，更進一步藉由靜電透鏡210進行焦點位置補正，照射至載置於描繪室103的試料216。
本實施形態亦如圖1所示，較好是於電子鏡筒102之下部，具體言之為於靜電透鏡210之下方配置遮蔽板211。藉由遮蔽板211之設置，可以減少電子束200對試料216之照射所產生的反射電子或2次電子之進入電子鏡筒102。
但是，如使用圖3或圖4之說明，反射電子或2次電子係沿著電子束200之光軸進行繞行其之螺旋運動。因此，一部分之反射電子或2次電子會透過遮蔽板211之開口部而於電子鏡筒102內形成電子雲。該電子雲會變化電子束200之軌道，電子束200變為無法照射至試料216上之目標位置。
上述電子雲之形成可推測為，電子鏡筒102內之電場之影響。亦即，於電子鏡筒102內形成負之電場時，反射 電子或2次電子之持有能量之間會產生電位差，該電位差成為電位障壁而形成電子雲。又，反射電子或2次電子之能量低、移動速度慢，容易滯留於電子鏡筒102內。此乃容易形成電子雲之要因。
於此，本發明者，係對配列於電子束之軸方向的靜電透鏡之構成用電極常時施加正之電壓，而防止電子雲之形成，而完成本發明。
於本實施形態，係對配置於遮蔽板211之上方的透鏡(具體言之為靜電透鏡210)之構成用電極常時施加正之電壓。如此則，透過遮蔽板211之開口部而進入電子鏡筒102內的反射電子或2次電子，會被靜電透鏡210所形成的電場吸引而移動。此時，於靜電透鏡210之上方不存在產生磁場的磁場透鏡，因此反射電子或2次電子被隨機吸引至電子鏡筒102內。亦即，被吸入的電子會集中於一處而不會形成電子雲。因此，依據本實施形態之構成，可以防止反射電子或2次電子滯留電子鏡筒102內，可以抑制電子束200之軌道變化。
例如靜電透鏡210由設於電子槍201側之第1電極，及設於試料216側之第2電極構成時，係對彼等之電極施加正之電壓。施加電壓可設為例如0V至250V之範圍內，可施加平均為100V至200V之電壓。藉由調整該範圍內之電壓值，則例如電子束200之焦點位置最大可於10μm左右變化。
於圖1，係於描繪室103之內部配置XY平台105。
於XY平台105上將描繪對象之光罩等之試料216予以載置。試料216使用光罩時，其構成例如係於石英等之光罩基板上形成鉻(Cr)膜或矽化鉬(MoSi)膜等之遮光膜，更進一步於其上形成阻劑膜。於該阻劑膜上藉由電子束200進行特定圖案之描繪。
又，於XY平台105上，在和試料216不同的位置配置有雷射測長用之反射鏡106。雷射測長機145射出的雷射光被反射鏡106反射，該信號被雷射測長機145接收，而求出XY平台105之位置。獲得的資料，係被輸出至控制電腦110之描繪資料處理部112。
於描繪室103之上部，配置著檢測試料216之高度方向(Z方向)之位置的Z感側器107。Z感側器107係由投光器與受光器之組合構成，投光器所照射的光係被試料216之表面反射，該反射光由受光器接收，而可測定試料216之高度。Z感側器107檢測的高度資料，係傳送至檢測器143轉換為數位資料後，輸出至控制電腦110之描繪資料處理部112。
遮斷偏向器212，例如係由2極或4極等之複數個電極構成。成形偏向器205，主偏向器208及副偏向器209，例如係由4極或8極等之複數個電極構成。於各偏向器，係對應於每一電極至少連接1個DAC(Digital Analog Converter)放大單元。
控制部160，係具備：控制電腦110，偏向控制電路120，DAC放大單元130~133及磁碟裝置等之記憶裝置 144。
控制電腦110，偏向控制電路120及記憶裝置144，係經由未圖示的匯流排互相連接。又，偏向控制電路120與DAC放大單元130~133亦經由未圖示的匯流排互相連接。
DAC放大單元130係連接於遮斷偏向器212，DAC放大單元131係連接於成形偏向器205，DAC放大單元132係連接於副偏向器209，DAC放大單元133係連接於主偏向器208。
偏向控制電路120係對各DAC放大單元(130~133)輸出個別獨立的控制用之數位信號。於各DAC放大單元(130~133)，個別之數位信號係被轉換為類比信號，更進一步被放大。之後，該信號作為偏向電壓而輸出至所連接的偏向器。如此則，電子束200可以偏向所要之位置。
圖2係表示電子束200的描繪方法之說明圖。
如圖1、2所示，於試料216之上被描繪的圖案51，係分割為短尺狀之視景框區域(frame area)52。電子束200的描繪，於圖1係使XY平台105朝一方向(例如X方向)連續移動之同時，對應於每一視景框區域52而進行。視景框區域52係更進一步被分割為副偏向區域53，電子束200係僅對副偏向區域53內之必要的部分進行描繪。又，視景框區域52係由主偏向器208之偏向幅決定的短尺狀之描繪區域，副偏向區域53係由副偏向器209 之偏向幅決定的單位描繪區域。
副偏向區域53之基準位置之定位係由主偏向器208進行，副偏向區域53內之描繪係由副偏向器209控制。亦即藉由主偏向器208使電子束200定位於特定副偏向區域53，藉由副偏向器209對副偏向區域53內之描繪進行定位。另外，藉由成形偏向器205與射束成形用之光圈203、206，而決定電子束200之形狀與尺寸。使XY平台105朝一方向連續移動之同時，進行副偏向區域53內之描繪，1個副偏向區域53之描繪終了後，進行次一副偏向區域53之描繪。視景框區域52內之全部之副偏向區域53之描繪終了後，使XY平台105朝連續移動方向之正交方向(例如Y方向)進行步進移動。之後，重複進行同樣之處理，依序進行視景框區域52之描繪。
副偏向區域53，係藉由副偏向器209以較主偏向區域更高速進行電子束200掃描的描繪區域，通常為最小描繪單位。進行副偏向區域53內之描繪時，係對應於圖案圖形藉由成形偏向器205形成所準備的尺寸與形狀的shot。具體言之為，由電子槍201射出的電子束200，係於第1成形光圈203成形為矩形狀後，藉由成形偏向器205投影至第2成形光圈206，變化該射束形狀與尺寸。之後，電子束200，係如上述說明，藉由副偏向器209與主偏向器208進行偏向，照射至XY平台105上所載置的試料216。
電子束200照射至試料216後產生反射電子或2次電 子。彼等之電子會沿著電子束200之光軸進行繞行其之螺旋運動，而於電子鏡筒102內朝上方前進。但是，於本實施形態，構成靜電透鏡210的電極常時被施加正之電位，因此進入電子鏡筒102內的反射電子或2次電子受到靜電透鏡210所形成的電場之吸引而移動。如此則，可阻止電子鏡筒102內之電子雲之形成。可防止電子束200之飄移，可於試料216上之所要之位置進行電子束200之照射。
以下說明使用圖1之電子束描繪裝置於試料216上進行所要圖案之描繪的方法。
於圖1，控制電腦110係連接於記憶裝置144。控制電腦110係於內部具有描繪資料處理部112。
設計者(使用者)作成的CAD資料，係被轉換為OASIS等之階層化的格式之設計中間資料。設計中間資料，係對應於每一層(layer)作成，試料216之上所形成的設計圖案資料係被儲存。於此，一般電子束描繪裝置不構成為直接讀取OASIS資料。亦即對應於電子束描繪裝置之製造廠商，使用各自之格式資料。因此，OASIS資料，係對應於每一層被轉換為各電子束描繪裝置固有之格式資料之後被輸入至裝置。
圖1係經由記憶裝置144對電子束描繪裝置100輸入格式資料。
包含於設計圖案的圖形係以長方形或三角形為基本圖形，因此於記憶裝置144記憶著例如圖形之基準位置中之 座標(x，y)，邊之長度，長方形或三角形等之圖形種之區別用的成為識別子之圖形碼等資訊，針對各圖案圖形之形狀、大小、位置等進行定義的圖形資料。
另外，數十μm左右之範圍內存在的圖形之集合通常稱為集群(cluster)或格(cell)，使用其進行資料之階層化。於集群或格亦將各種圖形單獨配置，或隔開間隔而重複配置時之配置座標或重複記述加以定義。集群或格資料，係另外稱為視景框(frame)或條帶(stripe)，寬度為數百μm，長度為對應於試料216之X方向或Y方向之全長的100mm左右之短尺狀區域。
圖形圖案之分割處理，係依據電子束200之size界定的最大景别單位進行，同時亦對分割的各shot之座標位置，size及照射時間進行設定。以對應於描繪的圖形圖案之形狀或大小而使shot被成形的方式來作成描繪資料。描繪資料，係依據短尺狀之視景框(主偏向區域)單位被切斷，更進一步將其中分割為副偏向區域。亦即，晶片全體之描繪資料，係成為和主偏向區域之size呈對應的複數個帶狀的視景框資料，及於視景框內比主偏向區域為更小的複數個副偏向區域單位所構成的資料階層構造。
於圖1，藉由控制電腦110由記憶裝置144讀出的描繪資料，於描繪資料處理部112係接受複數段之資料處理。如此而產生shot資料。shot資料係被傳送至偏向控制電路120內之偏向量演算部121。
偏向量演算部121，係由描繪資料處理部112被傳送 shot資料、XY平台105之位置資訊及試料216之高度資訊。遮斷偏向器212，係對成形偏向器205、副偏向器209及主偏向器208中之各偏向量進行運算。獲得的各偏向量係被傳送至偏向信號產生部124。
偏向信號產生部124，係產生應施加於遮斷偏向器212、成形偏向器205、副偏向器209及主偏向器208之各電極的偏向信號。各偏向信號，係被輸出至對應的各DAC放大單元(130~133)。
DAC放大單元130~133，係個別將偏向信號產生部124所輸出的數位信號之偏向信號轉換為類比信號之後，將其放大而產生偏向電壓。產生的偏向電壓係分別施加於對應的偏向器212、205、209、208。
電子槍201射出的電子束200，係藉由照明透鏡202而照射至第1成形光圈203。如此則，電子束200被成形為例如矩形。接著，電子束200係藉由投影透鏡204投影至第2成形光圈206。於第2成形光圈206之投影位置，係藉由施加於成形偏向器205的偏向電壓予以決定。
又，遮斷光圈214與遮斷偏向器212，係達成控制試料216上之電子束200之照射之目的。
透過第2成形光圈206的電子束200，係被成形為所要之形狀與尺寸。接著，於對物透鏡207對準焦點後，藉由主偏向器208與副偏向器209進行偏向。亦即電子束200被朝和施加於彼等之各偏向電壓對應的位置偏向。主偏向器208係使電子束200定位於特定副偏向區域。另 外，副偏向器209，係進行副偏向區域內之圖形描繪單位之定位。
藉由主偏向器208與副偏向器209偏向的電子束200，係藉由靜電透鏡210對準於試料216上之焦點位置。本實施形態中，構成靜電透鏡210的電極之電位常時為正。亦即，描繪時，於靜電透鏡210係由電壓供給手段135施加常時為正的電壓。控制電腦110，係進行電壓供給手段135之動作控制。例如可使0V至-250V之範圍內之電壓，由電壓供給手段135供給至靜電透鏡210。藉由變化施加電壓可以變化電子束200之焦點位置。此時，考慮補償電壓而較好是施加例如平均為100V至200V之電壓。
如上述說明，試料216係載置於XY平台105上。又，於XY平台105與電子鏡筒102之間配置遮蔽板211。於此，試料216、XY平台105、遮蔽板211之各電位均為0(零)V。因此，使靜電透鏡210常時設為負之電位，則被照射至試料216產生的反射電子或2次電子，會受到靜電透鏡210所形成的電場之吸引而於電子鏡筒102內朝上方移動。亦即藉由靜電透鏡210之形成正的之電場，而使反射電子或2次電子被加速，阻止其滯留電子鏡筒102內。如此則，電子束200之飄移可以抑制，電子束200可以被照射至試料216上之所要之位置。
又，本發明不限定於上述各實施形態，在不脫離本發明之趣旨範圍內，可作各種變形實施。
例如於上述各實施形態，照明透鏡202、投影透鏡204及對物透鏡207雖設為磁場型透鏡，彼等之中之至少1個可設為靜電透鏡。此時，藉由對電子鏡筒102內之任一靜電透鏡常時施加正之電壓，即可獲得本發明之效果。
又，例如上述各實施形態雖使用電子束，但本發明不限定於此，例如亦適用於使用離子束等其他之荷電粒子束。
100‧‧‧電子束描繪裝置
150‧‧‧描繪部
160‧‧‧控制部
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
212‧‧‧遮斷偏向器
214‧‧‧遮斷光圈
203‧‧‧第1成形光圈
204‧‧‧投影透鏡
205‧‧‧成形偏向器
206‧‧‧第2成形光圈
207‧‧‧對物透鏡
208‧‧‧主偏向器
209‧‧‧副偏向器
210‧‧‧靜電透鏡
200‧‧‧電子束
216‧‧‧試料
211‧‧‧遮蔽板
105‧‧‧XY平台
106‧‧‧反射鏡
145‧‧‧雷射測長機
110‧‧‧控制電腦
112‧‧‧描繪資料處理部
107‧‧‧Z感側器
143‧‧‧檢測器
120‧‧‧偏向控制電路
130~133‧‧‧DAC放大單元
144‧‧‧記憶裝置
121‧‧‧偏向量演算部
124‧‧‧偏向信號產生部
135‧‧‧電壓供給手段

Claims (8)

  1. 一種電子束描繪裝置，其特徵為具備：平台，用於載置試料；電子鏡筒，係配置有：用於射出電子束的電子槍，及具備被配列於上述電子束之軸方向的電極之靜電透鏡；對上述靜電透鏡常時施加正電壓的電壓供給手段；及遮蔽板，係設於上述平台與上述電子鏡筒之間，用於遮蔽上述電子束照射至上述試料而產生的反射電子或2次電子；上述靜電透鏡，係配置於上述遮蔽板之正上方，係變化上述電子束之焦點位置者。
  2. 如申請專利範圍第1項之電子束描繪裝置，其中，由上述電壓供給手段對上述靜電透鏡施加0V至250V之範圍內之正電壓。
  3. 如申請專利範圍第2項之電子束描繪裝置，其中，由上述電壓供給手段對上述靜電透鏡施加平均為100V至200V之正電壓。
  4. 如申請專利範圍第1項之電子束描繪裝置，其中，具有：使上述電子槍射出的電子束成形之第1光圈；使透過上述第1光圈的電子束更進一步成形之第2光 圈；使上述電子束對上述第1光圈進行照明之照明透鏡；使透過上述第1光圈的電子束投影至上述第2光圈之投影透鏡；及使透過上述第2光圈的電子束之焦點進行對準的對物透鏡；上述照明透鏡、上述投影透鏡及上述對物透鏡均為磁場型透鏡；上述靜電透鏡，係配置於上述對物透鏡與上述遮蔽板之間。
  5. 一種電子束描繪方法，係由配置於電子鏡筒內的電子槍射出電子束，對載置於平台上的試料之上進行特定圖案之描繪者；其特徵為：係對在上述電子束之軸方向配列著電極的靜電透鏡常時施加正電壓；在上述平台與上述電子鏡筒之間係配置著遮蔽板，用於遮蔽上述電子束被照射至上述試料而產生的反射電子或2次電子；將上述靜電透鏡配置於上述遮蔽板之正上方，用於變化上述電子束之焦點位置。
  6. 如申請專利範圍第5項之電子束描繪方法，其中，具有：藉由照明透鏡使上述電子槍所射出的電子束照射至第 1光圈的工程；藉由投影透鏡使透過上述第1光圈的電子束投影至第2光圈之工程；藉由對物透鏡針對透過上述第2光圈的電子束之焦點進行對準的工程；及使透過上述對物透鏡的電子束，經由上述靜電透鏡而照射至上述試料的工程。
  7. 如申請專利範圍第6項之電子束描繪方法，其中，對上述靜電透鏡施加0V至250V之範圍內之正電壓。
  8. 如申請專利範圍第7項之電子束描繪方法，其中，對上述靜電透鏡施加平均為100V至200V之正電壓。
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