JP5662816B2 - 荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム描画装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5662816B2 JP5662816B2 JP2011019250A JP2011019250A JP5662816B2 JP 5662816 B2 JP5662816 B2 JP 5662816B2 JP 2011019250 A JP2011019250 A JP 2011019250A JP 2011019250 A JP2011019250 A JP 2011019250A JP 5662816 B2 JP5662816 B2 JP 5662816B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- height
- height data
- data
- mask
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0275—Photolithographic processes using lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/52—Details
- G03B27/522—Projection optics
- G03B27/525—Projection optics for slit exposure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/202—Movement
- H01J2237/20221—Translation
- H01J2237/20235—Z movement or adjustment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/202—Movement
- H01J2237/20292—Means for position and/or orientation registration
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
Description
試料に光を照射し、試料からの反射光を受光することにより、試料の高さ測定を行う高さ測定部と、
描画前に高さ測定部で測定した値に基づく高さデータマップから得られる高さデータと、描画時に高さ測定部で測定した高さデータのいずれか一方のデータを受けて、試料上での荷電粒子ビームの照射位置を調整する制御部とを有することを特徴とするものである。
ここで、描画時に高さ測定部で測定した高さデータをHr(n+1)(n:整数)とすれば、前回測定した高さデータはHrnとすることができる。
試料に光を照射し、試料からの反射光を受光することにより、試料の高さ測定を行う高さ測定部と、
描画前に高さ測定部で測定した値に基づく高さデータマップから得られる高さデータと、描画時に高さ測定部で測定した高さデータとの差から得られるオフセット値を高さデータマップに加算した値を受けて、試料上での荷電粒子ビームの照射位置を調整する制御部とを有することを特徴とするものである。
2 マスク
3 ステージ
4 ステージ駆動回路
6 電子銃
7、8、9、11、12 各種レンズ
10 光学系
13 ブランキング用偏向器
14 成形偏向器
15 主偏向器
16 副偏向器
17 第1のアパーチャ
18 第2のアパーチャ
19 制御計算機
20 入力部
21 パターンメモリ
22 パターンデータデコーダ
23 描画データデコーダ
24 ブランキング回路
25 ビーム成形器ドライバ
26 主偏向器ドライバ
27 副偏向器ドライバ
28 副偏向領域偏向量算出部
29 セトリング時間決定部
30 偏向制御部
31 描画データ補正部
40 高さ測定部
41 光源
42 投光レンズ
43 受光レンズ
44 受光素子
49 位置回路
50 ステージ制御部
51 描画されるパターン
52 フレーム領域
53 副偏向領域
54 電子ビーム
60 信号処理部
70 高さデータ処理部
Claims (3)
- 荷電粒子ビームによって、ステージ上に載置される試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記試料に光を照射し、前記試料からの反射光を受光することにより、前記試料の高さ測定を行う高さ測定部と、
描画前に前記高さ測定部で測定した値に基づく高さデータマップから得られる高さデータと、描画時に前記高さ測定部で測定した高さデータのいずれか一方のデータを受けて、前記試料上での前記荷電粒子ビームの照射位置を調整する制御部とを有し、
前記制御部は、前記反射光の光量が閾値以上であれば、描画時に前記高さ測定部で測定した高さデータを受け、前記反射光の光量が閾値より小さければ、前記高さデータマップから得られる高さデータを受けることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 荷電粒子ビームによって、ステージ上に載置される試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記試料に光を照射し、前記試料からの反射光を受光することにより、前記試料の高さ測定を行う高さ測定部と、
描画前に前記高さ測定部で測定した値に基づく高さデータマップから得られる高さデータと、描画時に前記高さ測定部で測定した高さデータのいずれか一方のデータを受けて、前記試料上での前記荷電粒子ビームの照射位置を調整する制御部とを有し、
前記制御部は、予め定められた所定の領域内の座標については、前記高さデータマップから得られる高さデータを受けることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 荷電粒子ビームによって、ステージ上に載置される試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記試料に光を照射し、前記試料からの反射光を受光することにより、前記試料の高さ測定を行う高さ測定部と、
描画前に前記高さ測定部で測定した値に基づく高さデータマップから得られる高さデータと、描画時に前記高さ測定部で測定した高さデータのいずれか一方のデータを受けて、前記試料上での前記荷電粒子ビームの照射位置を調整する制御部とを有し、
前記制御部は、描画時に前記高さ測定部において測定した高さデータと前回測定した高さデータとの差が閾値以下であれば、描画時に前記高さ測定部で測定した高さデータを受け、前記差が閾値より大きければ、前記高さデータマップから得られる高さデータを受けることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011019250A JP5662816B2 (ja) | 2011-01-31 | 2011-01-31 | 荷電粒子ビーム描画装置 |
US13/312,173 US8610096B2 (en) | 2011-01-31 | 2011-12-06 | Charged particle beam writing apparatus and method |
TW101101989A TWI464773B (zh) | 2011-01-31 | 2012-01-18 | Charged particle beam mapping device |
KR1020120006022A KR101352996B1 (ko) | 2011-01-31 | 2012-01-19 | 하전 입자빔 묘화 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011019250A JP5662816B2 (ja) | 2011-01-31 | 2011-01-31 | 荷電粒子ビーム描画装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012160574A JP2012160574A (ja) | 2012-08-23 |
JP5662816B2 true JP5662816B2 (ja) | 2015-02-04 |
Family
ID=46576573
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011019250A Expired - Fee Related JP5662816B2 (ja) | 2011-01-31 | 2011-01-31 | 荷電粒子ビーム描画装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8610096B2 (ja) |
JP (1) | JP5662816B2 (ja) |
KR (1) | KR101352996B1 (ja) |
TW (1) | TWI464773B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI489222B (zh) | 2012-02-16 | 2015-06-21 | Nuflare Technology Inc | Electron beam rendering device and electron beam rendering method |
JP5896775B2 (ja) * | 2012-02-16 | 2016-03-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法 |
JP5970213B2 (ja) | 2012-03-19 | 2016-08-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6018811B2 (ja) * | 2012-06-19 | 2016-11-02 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | ドリフト補正方法および描画データの作成方法 |
JP6080540B2 (ja) | 2012-12-26 | 2017-02-15 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置 |
JP6057700B2 (ja) | 2012-12-26 | 2017-01-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2015109310A (ja) * | 2013-12-03 | 2015-06-11 | キヤノン株式会社 | 描画装置、描画方法、及び物品の製造方法 |
JP7017129B2 (ja) * | 2018-08-10 | 2022-02-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP7167750B2 (ja) * | 2019-02-08 | 2022-11-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2022144237A (ja) * | 2021-03-18 | 2022-10-03 | キオクシア株式会社 | 描画方法、原版製造方法および描画装置 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6134936A (ja) | 1984-07-26 | 1986-02-19 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置における試料面高さ補正方法 |
JPH0547648A (ja) | 1991-08-19 | 1993-02-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電子ビーム露光装置における照射位置の高さ設定方法 |
JP2000091225A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-03-31 | Advantest Corp | 荷電粒子ビ―ム露光装置及び露光方法 |
TW546549B (en) * | 1998-11-17 | 2003-08-11 | Advantest Corp | Electron beam exposure apparatus and exposure method |
US6313476B1 (en) * | 1998-12-14 | 2001-11-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged beam lithography system |
JP2002008960A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-11 | Advantest Corp | ターゲットマーク部材、その製造方法および電子ビーム露光装置 |
JP2003100246A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Toshiba Corp | 荷電ビーム装置並びにパターン測定方法およびパターン描画方法 |
JP3969640B2 (ja) * | 2002-04-10 | 2007-09-05 | 日本電信電話株式会社 | 荷電粒子ビーム描画装置およびそれを用いた描画方法 |
SG123601A1 (en) | 2003-03-10 | 2006-07-26 | Asml Netherlands Bv | Focus spot monitoring in a lithographic projectionapparatus |
JP4330421B2 (ja) * | 2003-10-14 | 2009-09-16 | 株式会社日立製作所 | 金属体とセラミックスとの接合構造及びこれを用いた真空開閉器 |
US20050134816A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-06-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method of exposing a substrate, method of measurement, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP4476975B2 (ja) | 2005-10-25 | 2010-06-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム照射量演算方法、荷電粒子ビーム描画方法、プログラム及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP5087318B2 (ja) * | 2007-05-30 | 2012-12-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2008311581A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Toshiba Corp | 荷電粒子ビーム装置、露光データ作成方法およびパターン露光方法 |
JP2009124024A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Nuflare Technology Inc | 電子線描画装置 |
JP5203992B2 (ja) | 2008-03-25 | 2013-06-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 |
JP2010073870A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5406551B2 (ja) * | 2009-02-16 | 2014-02-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
TWI489222B (zh) | 2012-02-16 | 2015-06-21 | Nuflare Technology Inc | Electron beam rendering device and electron beam rendering method |
JP5896775B2 (ja) | 2012-02-16 | 2016-03-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法 |
-
2011
- 2011-01-31 JP JP2011019250A patent/JP5662816B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-06 US US13/312,173 patent/US8610096B2/en active Active
-
2012
- 2012-01-18 TW TW101101989A patent/TWI464773B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-01-19 KR KR1020120006022A patent/KR101352996B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201236046A (en) | 2012-09-01 |
KR101352996B1 (ko) | 2014-01-21 |
TWI464773B (zh) | 2014-12-11 |
JP2012160574A (ja) | 2012-08-23 |
KR20120088568A (ko) | 2012-08-08 |
US8610096B2 (en) | 2013-12-17 |
US20120193553A1 (en) | 2012-08-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5662816B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置 | |
KR100878970B1 (ko) | 하전 입자빔 묘화 장치 | |
US8461555B2 (en) | Charged particle beam writing method and charged particle beam writing apparatus | |
CN103257529B (zh) | 电子束描绘装置以及电子束描绘方法 | |
JP5406551B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP6155044B2 (ja) | 電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法 | |
KR20090004730A (ko) | 하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법 | |
JP2017098285A (ja) | 荷電粒子ビームの照射量補正用パラメータの取得方法、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP4747112B2 (ja) | パターン形成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP5461878B2 (ja) | ドリフト測定方法、荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 | |
KR102238893B1 (ko) | 전자 빔 조사 방법, 전자 빔 조사 장치 및 프로그램을 기록한 컴퓨터로 판독 가능한 비일시적인 기록 매체 | |
JP5437124B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 | |
KR102219532B1 (ko) | 하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법 | |
KR20200141494A (ko) | 하전 입자 빔 묘화 장치, 하전 입자 빔 묘화 방법 및 프로그램 | |
JP5547113B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 | |
US10211027B2 (en) | Method for measuring resolution of charged particle beam and charged particle beam drawing apparatus | |
JP2008311311A (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置 | |
JP2012044044A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP2008042173A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画装置及びプログラム | |
KR102292724B1 (ko) | 조사량 보정량의 취득 방법, 하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치 | |
JP5809912B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP2014041862A (ja) | 荷電粒子ビーム補正方法および荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP2011228501A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP5643618B2 (ja) | 高さ測定方法および荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP2014038945A (ja) | ビームドリフトの補正間隔パターンの設定方法、荷電粒子ビーム描画装置の部品メンテナンスの実施時期判定方法、及び荷電粒子ビーム描画装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130918 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140313 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140408 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140519 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141118 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141205 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5662816 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |