JP5121642B2 - マスク検査装置及びマスク検査方法 - Google Patents

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Description

本発明は、マスク検査装置及びマスク検査方法に関する。
半導体装置の製造過程において、基板上にパターンを形成するためにレチクルもしくはフォトマスク(以下「マスク」という)が用いられている。マスクが欠陥を有すると、基板上に欠陥が転写されてしまうため、マスクの欠陥検査が行われている。
マスクの検査方法としては、ダイ・トゥ・ダイ(Die-to-Die)検査と、ダイ・トゥ・データベース(Die-to-Database)検査とが知られている。
ダイ・トゥ・ダイ検査では、マスクの異なる位置に描画された同一パターンの光学画像同士が比較される。これに対し、ダイ・トゥ・データベース検査では、マスク作成時に使用した設計データ(CADデータ)から生成した参照画像と、マスクに描画されたパターンの光学画像とが比較される。
例えば、特許文献1記載のマスク検査装置では、マスクを保持した状態でX方向及びY方向に移動するステージの位置がレーザ干渉計により測定され、その測定結果を用いて光学画像が取得され、取得された光学画像が所定の参照画像と比較される。
ここで、図8に示すように、レーザ干渉計112、114は、ステージ102に設けられたミラー111、113に向けてレーザ光を照射し、ミラー111、113による反射光を受光することでステージ102のX方向及びY方向の位置を測定するものである。
然し、これらミラー111、113の研磨の加工精度は有限であり、実際には、図8に示すようにミラー111、113の表面は屈曲していることから、位置ずれが発生する。また、XYステージ102の支持部102aにより支持されたマスク101が重力の影響で撓むことから、例えばX方向にΔxの位置ずれが発生する。これらの位置ずれが合成されると、図8に示すように、取得した光学画像が20nm乃至30nmのオーダで歪む。この光学画像の歪みは、再現性を有することが判った。
また、上記ダイ・トゥ・データベース検査で光学画像と比較される参照画像は、設計データから生成されるため、上述したような歪みを生じない。このため、マスクの検査を精度良く行うことが困難であった。
また、近年、半導体デバイスの回路パターンの微細化及び高密度化が進んでおり、解像度の限界に近づいている。そこで、パターンを2枚のマスクに分割し、これら2枚のマスクを用いることで高密度のパターンを転写するダブルパターニングやダブル露光技術が研究されている。
ダブルパターニングで用いられる2枚のマスクのパターンの重ね合わせは、2nm乃至3nm程度の高い精度で要求される。従って、特に、ダブルパターニングで用いられるマスクの検査を行う場合、マスクから得られた光学画像に局所的な歪みが無いことが要求される。ところが、実際には、光学画像が20nm乃至30nmのオーダで歪んでしまい、この要求を満たすことが困難であった。
特開2006−266864号公報
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の課題は、ミラーの屈曲とマスクの撓みに起因する光学画像の歪みを排除でき、マスク検査を精度良く行うことが可能なマスク検査装置及びマスク検査方法を提供することにある。
本発明の他の課題および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
上記課題を解決するため、本発明の第1の態様は、第1のミラーと第2のミラーを有し、マスクを保持した状態でX方向及びY方向に移動可能なステージと、前記第1のミラーにレーザ光を照射してその反射光を受光することにより、前記ステージのX方向の位置を測定する第1のレーザ干渉計と、前記第2のミラーにレーザ光を照射してその反射光を受光することにより、前記ステージのY方向の位置を測定する第2のレーザ干渉計と、前記ステージをX方向及びY方向に移動させ、前記第1及び第2のレーザ干渉計の測定結果を用いながら、前記マスクに描画されたパターンの光学画像を取得する光学画像取得部と、予め測定された前記マスクの撓み並びに前記第1及び第2のミラーの曲がりに起因する光学画像の位置ずれ量を記憶する位置ずれ量記憶部と、前記位置ずれ量記憶部に記憶された位置ずれ量に基づいて、前記光学画像取得部により取得された光学画像の位置ずれを補正する位置ずれ補正部と、前記位置ずれ補正部により補正された光学画像と、所定の参照画像とを比較する画像比較部とを備えたことを特徴とする。
本発明の第1の態様において、前記位置ずれ量記憶部は、予め測定された位置ずれ量を多項式にフィッティングして求めたパラメータと、予め測定された位置ずれ量を記述したマップとを記憶し、前記位置ずれ補正部は、前記パラメータ及び前記マップを用いて、前記光学画像取得部により取得された光学画像の位置ずれを補正するように構成してもよい。
また、上記課題を解決するため、本発明の第2の態様は、マスクを保持したステージをX方向及びY方向に移動させ、このステージのX方向及びY方向の位置をレーザ干渉計により測定し、その測定結果を用いながら前記マスクに描画されたパターンの光学画像を取得する取得ステップと、予め記憶された前記マスクの撓み及び前記レーザ干渉計から照射されたレーザ光を反射するミラーの曲がりに起因する光学画像の位置ずれ量を読み出し、読み出した位置ずれ量に基づいて、前記取得ステップで取得された光学画像の位置ずれを補正する補正ステップと、前記補正ステップで補正された光学画像と、所定の参照画像とを比較するステップとを含むことを特徴とする。
本発明の第2の態様において、前記補正ステップは、予め測定された前記位置ずれ量を多項式にフィッティングして求めたパラメータを読み出し、このパラメータを用いて前記取得ステップで取得された光学画像の位置ずれを補正する多項式補正ステップを有するように構成してもよい。
本発明の第2の態様において、前記補正ステップは、予め測定された前記位置ずれ量を記述したマップを読み出し、このマップを用いて前記多項式補正ステップの実行後に残存する光学画像の位置ずれを補正するマップ補正ステップを更に有するように構成してもよい。
本発明の第1の態様では、マスクの撓み並びに第1及び第2のミラーの曲がりに起因する光学画像の位置ずれ量を予め測定しておき、測定した位置ずれ量を位置ずれ量記憶部に記憶する。この記憶された位置ずれ量に基づいて、光学画像取得部により取得された光学画像の位置ずれを位置ずれ補正部により補正する。この第1の態様によれば、ミラーの屈曲とマスクの撓みに起因する光学画像の歪みを排除でき、マスクの検査を精度良く行うことができる。
本発明の第2の態様では、マスクパターンの光学画像を取得した後、予め記憶されたマスクの撓み及びミラーの曲がりに起因する光学画像の位置ずれ量を読み出し、読み出した位置ずれ量に基づいて、上記取得した光学画像の位置ずれを補正する。この第2の態様によれば、ミラーの屈曲とマスクの撓みに起因する光学画像の歪みを排除でき、マスクの検査を精度良く行うことができる。
図1は、本発明の実施の形態によるマスク検査装置100の構成を示す概念図である。マスク検査装置100は、検査対象であるマスク101を保持するステージ102を備えている。ステージ102は、図8に示す保持部102aによりマスク101を保持している。
ステージ102は、図示省略するモータにより、X方向及びY方向に駆動可能である。ステージ102の駆動制御は、制御部150によって実行される。制御部150は、マスク検査に関する全体的な制御を実行するものである。
ステージ102のY方向に平行な側面にはミラー111が設けられており、このミラー111に対向してX軸レーザ干渉計112が配置されている。X軸レーザ干渉計112は、ミラー111に向けてレーザ光を発し、ミラー111による反射光を受光することにより、ステージ102のX方向の位置を測定するものである。
同様に、ステージ102のX方向に平行な側面にはミラー113が設けられており、このミラー113に対向してY軸レーザ干渉計114が配置されている。Y軸レーザ干渉計114は、ミラー113に向けてレーザ光を発し、ミラー113による反射光を受光することにより、ステージ102のY方向の位置を測定するものである。
X軸及びY軸レーザ干渉計112、114の測定結果は、光学画像入力部116に送信され、光学画像の生成に用いられる。
また、マスク検査装置100は、レーザ光を発する光源104を備えている。光源104からのレーザ光は、透過照明光学系を構成するコレクタレンズ106を介して、マスク101に照射される。
マスク101を透過したレーザ光は、対物レンズ108を介して透過光検出部110たるTDIセンサに結像される。TDIセンサ110は、長方形(例えば、2048画素×512画素)の撮像領域を有する。尚、1画素のサイズは、例えば、70nm×70nmである。
図示省略するが、TDIセンサ110は、TDI方向(電荷蓄積方向)に並ぶ複数段(例えば、512段)のラインによって構成され、各ラインはTDI方向に垂直な方向に並ぶ複数の画素(例えば、2048画素)によって構成されている。
TDIセンサ110は、TDI方向とステージ102のX方向が一致するように配置されている。従って、ステージ102をX方向に移動させると、TDIセンサ110がマスク101に対して相対的に移動するため、TDIセンサ110によりマスク101のパターンが撮像される(図2参照)。
尚、TDIセンサ110は、双方向から電荷を出力可能に構成されている。
TDIセンサ110の1ライン分の出力(光学画像)は、図示しないアンプにより増幅された後、光学画像入力部116に格納される。このとき、上記X軸及びY軸レーザ干渉計112、114により測定されたX方向及びY方向の位置と関連づけて1ライン分の光学画像が格納される。
図2に示すように、マスク101の被検査領域101Aは、Y方向に沿って短冊状の複数の検査ストライプに仮想分割される。各検査ストライプの幅(スキャン幅)は、上記TDIセンサ110のライン長に応じて設定される。
マスク101を保持した状態でステージ102をX方向に連続移動させながら、上記仮想分割された1つの検査ストライプの光学画像をTDIセンサ110によって撮像する。その検査ストライプの終端に達すると、ステージ102をY方向に移動させる。その後、ステージ102を反対のX方向に連続移動させながら、次の検査ストライプの光学画像をTDIセンサ110によって撮像する。これを繰り返すことで、マスク101の被検査領域全体の光学画像が光学画像入力部116によって取得される。
光学画像入力部116で取得された光学画像は、前述したように、ミラー111、113の曲がり及びマスク101の重力による撓みに起因する位置ずれの影響を受けており、図8に示すような歪みを生じている。
そこで、本実施の形態では、ミラー111、113の屈曲及びマスク101の撓みに起因する位置ずれ量を後述する方法により予め測定しておき、測定した位置ずれ量を位置ずれ量記憶部118に記憶させておく。
位置ずれ補正部120は、位置ずれ量記憶部118に記憶された位置ずれ量を用いて、光学画像入力部116から入力される光学画像の位置ずれを図3に示すように補正(逆補正)する。即ち、位置ずれ補正部120は、光学画像の位置ずれ補正(GMC:Grid Matching Correction)を実行するものである。
次に、図4乃至図6を参照し、マスクの検査前に行う位置ずれ量の測定及び記憶について説明する。
図4は、位置ずれ量の測定に用いられるマスク1を示す概略図である。マスク1は、透明基板(例えば、ガラス基板)10の領域10Aに、クロム膜からなる複数の十字型のマーク11が規則的に形成されたものである。これら複数のマーク11の中心(交差点)は、等間隔の理想的な座標系で配置される。尚、領域10Aは、上記被検査領域101Aに相当する。
このマスク1をステージ102に載置し、ステージ102をX方向及びY方向に駆動させながら複数のマーク11の光学画像を取得する。取得した光学画像から各マーク11の位置を求める。
図5は、各マークの位置ずれ量を示す一のマップである。図5の例では、実線で示す理想座標系での9点(3点×3点)のマークの位置が、破線で示すようにずれている。つまり、9点のマークの位置が、図中に矢印で示す量(ベクトル量)だけ各々ずれている。
この9点の位置ずれ量を用いて、ステージ102における任意の座標(x,y)での位置ずれ量(Δx,Δy)を、下式(1)及び(2)で表される3次多項式でフィッティングする。即ち、フィッティングによりX方向の3次多項式(1)のパラメータa乃至aと、y方向の3次多項式(2)のパラメータb乃至bとを求める。
Δx=a+ax+ay+a+axy+a+a+ay+axy+a ・・・(1)
Δy=b+bx+by+b+bxy+b+b+by+bxy+b ・・・(2)
そして、求めたパラメータa〜aとパラメータb〜bを位置ずれ量記憶部118に記憶しておき、位置ずれ補正部120により光学画像の位置ずれを補正する際に用いるようにする。
尚、フィッティングを行う多項式は、上式(1)及び(2)のような3次多項式に限らず、4次以上の多項式でもよい。
上記パラメータを用いた位置ずれ補正(以下「多項式補正」ともいう)は、位置ずれが滑らかである場合には効果的である。一方、ある座標での位置ずれが突出している場合、上記パラメータを用いた位置ずれ補正では補正しきれない可能性がある。この場合、マップによる補正が有効である。
図6は、各マークの位置ずれ量を示す他のマップである。図6の例では、実線で示す理想座標系での49点(7点×7点)のマークの位置が、破線で示すようにずれている。図6に示すマップを位置ずれ量記憶部118に記憶しておき、位置ずれ補正部120により光学画像の位置ずれ補正する際に用いるようにする。
図6に実線で示す理想座標系での任意の座標g(x,y)における位置ずれ量Δg(Δxx、y,Δyx,y)は、その座標g(x,y)を取り囲む周辺の4点の位置ずれ量から内挿する方法で求めてればよい。
例えば、図6における座標g(i+s,j+t)における位置ずれ量Δgi+sj+t(Δxi+sj+t,Δyi+sj+t)は、下式(3)及び(4)により求めることができる。
Δxi+sj+t=Δxi,j(1−s)(1−t)+Δxi+1,js(1−t)+Δxi,j+1(1−s)t+Δxi+1,j+1st ・・・(3)
Δyi+sj+t=Δyi,j(1−s)(1−t)+Δyi+1,js(1−t)+Δyi,j+1(1−s)t+Δyi+1,j+1st ・・・(4)
また、図1に示すマスク検査装置100は、参照画像生成部122を備えている。参照画像生成部122は、記憶装置152に格納されたマスク生成時の設計データ(CADデータ)から参照画像を生成するものである。
参照画像生成部122により生成された参照画像は画像比較部124に入力される。画像比較部124は、この参照画像と、上記位置ずれ補正部120により位置ずれが補正された光学画像とを比較し、その比較結果(検査結果)を制御部150に出力する。
次に、図7を参照して、本実施の形態によるマスク検査方法を説明する。図7に示すルーチンは、制御部150により実行される。
図7に示すルーチンによれば、先ず、光学画像を取得する(ステップS100)。このステップS100では、XYステージをX方向及びY方向に移動させながら、TDIセンサ110により撮像された光学画像が光学画像入力部116に順次格納される。このとき、レーザ干渉計112、114の測定結果を用いて光学画像が合成される。
次に、1マスク分の光学画像の取得が終了したか否かを判別する(ステップS102)。このステップS102では、マスク101の被検査領域101Aの光学画像が全て取得されたか否かが判別される。このステップS102で1マスク分の光学画像の取得が未だ終了していないと判別された場合、上記ステップS100の処理に戻る。
一方、上記ステップS102で1マスク分の光学画像の取得が終了したと判別された場合、位置ずれ補正部120により、上記パラメータa〜a及びb〜bを用いて、上記ステップS100で取得された光学画像の位置ずれを補正する(ステップS104)。このステップS104では、位置ずれ量記憶部118に記憶された上式(1)及び(2)のパラメータa〜a及びb〜bを読み出し、これらのパラメータを入力した3次多項式(1)及び(2)により、光学画像のX方向及びY方向の位置ずれが補正される。
その後、位置ずれ補正部120により、上記マップを用いて、上記ステップS104の多項式補正によってもなお光学画像の一部に残存する位置ずれを補正する(ステップS106)。このステップS106では、位置ずれ量記憶部118に記憶された図6に示すようなマップを読み出し、このマップを用いて光学画像の一部の位置ずれが補正される。
尚、マップ補正が必要な部分、すなわち、光学画像の位置ずれが周辺部分と滑らかでなく、多項式補正では補正しきれない程大きい部分は、マップを作成する際に特定することができるため、上記ステップS106ではその特定された部分に対してマップ補正を行うようにすればよい。
最後に、マップ補正後の光学画像と、参照画像生成部122により生成された参照画像とを画像比較部124により比較する(ステップS108)。この比較結果(検査結果)は制御部150に送られ、図示しない表示部に表示される。
以上説明したように、本実施の形態では、ミラー111,113の曲がりとマスク101の重力による撓みに起因する光学画像の位置ずれ量を予め測定し、測定した位置ずれ量を多項式及びマップとして位置ずれ量記憶部118に記憶しておき、この多項式及びマップを用いて位置ずれ補正部120により光学画像の位置ずれを補正する。これにより、ミラー111,113の曲がりとマスク101の重力による撓みに起因する光学画像の歪みを排除でき、マスク検査を精度良く行うことができる。従って、ダブルパターニングに用いられるマスクの検査に本発明を適用することが好適である。
また、多項式補正を行った後にマップ補正を行うことで、多項式補正では補正しきれないような位置ずれを補正することができる。
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。例えば、上記実施の形態では、透過照明系を用いて光学画像を取得しているが、本発明はこれに限られるものではなく、反射照明系を用いて光学画像を取得する場合にも本発明を適用可能である。
また、上記実施の形態では、位置ずれ補正後の光学画像と、設計データから生成された参照画像とを比較するダイ・トゥ・データベース検査の例について説明しているが、光学画像同士を比較するダイ・トゥ・ダイ検査に対して本発明を適用可能である。この場合、位置ずれ補正後の光学画像同士を比較すればよい。
また、上記実施の形態では、多項式補正とマップ補正の両方を実施しているが、光学画像の歪みの程度に応じて、何れか一方を実施するようにしてもよい。
本発明の実施の形態によるマスク検査装置100の構成を示す概念図である。 マスク101の検査ストライプを示す概念図である。 座標の位置ずれの補正を示す概念図である。 位置ずれ量の測定に用いられるマスク1を示す概略図である。 各マークの位置ずれ量を示す一のマップである。 各マークの位置ずれ量を示す他のマップである。 本発明の実施の形態によるマスク検査方法を説明するフローチャートである。 ミラーの曲がりとマスクの重力による撓みに起因する光学画像の歪みを説明する概念図である。
符号の説明
100 マスク検査装置
101 マスク
102 ステージ
111、113 ミラー
112 X軸レーザ干渉計
114 Y軸レーザ干渉計
110 透過光検出部
116 光学画像入力部
118 位置ずれ量記憶部
120 位置ずれ補正部
124 画像比較部
150 制御部

Claims (5)

  1. 第1のミラーと第2のミラーを有し、マスクを保持した状態でX方向及びY方向に移動可能なステージと、
    前記第1のミラーにレーザ光を照射してその反射光を受光することにより、前記ステージのX方向の位置を測定する第1のレーザ干渉計と、
    前記第2のミラーにレーザ光を照射してその反射光を受光することにより、前記ステージのY方向の位置を測定する第2のレーザ干渉計と、
    前記ステージをX方向及びY方向に移動させ、前記第1及び第2のレーザ干渉計の測定結果を用いながら、前記マスクに描画されたパターンの光学画像を取得する光学画像取得部と、
    予め測定された前記マスクの撓み並びに前記第1及び第2のミラーの曲がりに起因する光学画像の位置ずれ量を記憶する位置ずれ量記憶部と、
    前記位置ずれ量記憶部に記憶された位置ずれ量に基づいて、前記光学画像取得部により取得された光学画像の位置ずれを補正する位置ずれ補正部と、
    前記位置ずれ補正部により補正された光学画像と、所定の参照画像とを比較する画像比較部とを備えたことを特徴とするマスク検査装置。
  2. 前記位置ずれ量記憶部は、予め測定された位置ずれ量を多項式にフィッティングして求めたパラメータと、予め測定された位置ずれ量を記述したマップとを記憶し、
    前記位置ずれ補正部は、前記パラメータ及び前記マップを用いて、前記光学画像取得部により取得された光学画像の位置ずれを補正するように構成されたことを特徴とする請求項1記載のマスク検査装置。
  3. マスクを保持したステージをX方向及びY方向に移動させ、このステージのX方向及びY方向の位置をレーザ干渉計により測定し、その測定結果を用いながら前記マスクに描画されたパターンの光学画像を取得する取得ステップと、
    予め記憶された前記マスクの撓み及び前記レーザ干渉計から照射されたレーザ光を反射するミラーの曲がりに起因する光学画像の位置ずれ量を読み出し、読み出した位置ずれ量に基づいて、前記取得ステップで取得された光学画像の位置ずれを補正する補正ステップと、
    前記補正ステップで補正された光学画像と、所定の参照画像とを比較するステップとを含むことを特徴とするマスク検査方法。
  4. 前記補正ステップは、予め測定された前記位置ずれ量を多項式にフィッティングして求めたパラメータを読み出し、このパラメータを用いて前記取得ステップで取得された光学画像の位置ずれを補正する多項式補正ステップを有することを特徴とする請求項3記載のマスク検査方法。
  5. 前記補正ステップは、予め測定された前記位置ずれ量を記述したマップを読み出し、このマップを用いて前記多項式補正ステップの実行後に残存する光学画像の位置ずれを補正するマップ補正ステップを更に有することを特徴とする請求項4記載のマスク検査方法。
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