JP2015185800A - 荷電粒子ビーム描画装置、情報処理装置、パターン検査装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents

荷電粒子ビーム描画装置、情報処理装置、パターン検査装置及び荷電粒子ビーム描画方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015185800A
JP2015185800A JP2014063639A JP2014063639A JP2015185800A JP 2015185800 A JP2015185800 A JP 2015185800A JP 2014063639 A JP2014063639 A JP 2014063639A JP 2014063639 A JP2014063639 A JP 2014063639A JP 2015185800 A JP2015185800 A JP 2015185800A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
attribute information
information
graphic
information file
file
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014063639A
Other languages
English (en)
Inventor
健一 安井
Kenichi Yasui
健一 安井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nuflare Technology Inc
Original Assignee
Nuflare Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nuflare Technology Inc filed Critical Nuflare Technology Inc
Priority to JP2014063639A priority Critical patent/JP2015185800A/ja
Priority to TW104103931A priority patent/TWI585807B/zh
Priority to US14/619,281 priority patent/US9659745B2/en
Priority to KR1020150039945A priority patent/KR101748934B1/ko
Publication of JP2015185800A publication Critical patent/JP2015185800A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/3002Details
    • H01J37/3005Observing the objects or the point of impact on the object
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84Inspecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023Programme control
    • H01J37/3026Patterning strategy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/22Treatment of data
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175Lithography
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175Lithography
    • H01J2237/31761Patterning strategy
    • H01J2237/31762Computer and memory organisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175Lithography
    • H01J2237/31761Patterning strategy
    • H01J2237/31764Dividing into sub-patterns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175Lithography
    • H01J2237/31776Shaped beam
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175Lithography
    • H01J2237/31793Problems associated with lithography
    • H01J2237/31798Problems associated with lithography detecting pattern defects

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

【課題】処理効率を向上させることができる荷電粒子ビーム描画装置、情報処理装置、パターン検査装置及び荷電粒子ビーム描画方法を提供する。【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置は、階層毎に要素を有する階層構造の描画データにおける特定階層要素(例えばセル)に対応する下階層要素(例えばパターン)毎の図形情報を格納する図形情報ファイルF1と、下階層要素毎に付与する属性情報を特定階層要素に係る情報(例えばインデックス番号)に関連付けて格納する属性情報ファイルF2とを備える。【選択図】図3

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置、情報処理装置、パターン検査装置及び荷電粒子ビーム描画方法に関する。
近年の大規模集積回路(LSI)の高集積化及び大容量化に伴って、半導体デバイスに要求される回路線幅は益々微小になってきている。半導体デバイスに所望の回路パターンを形成するためには、リソグラフィ技術が用いられており、このリソグラフィ技術では、マスク(レチクル)と称される原画パターンを用いたパターン転写が行われている。このパターン転写に用いる高精度なマスクを製造するためには、優れた解像度を有する荷電粒子ビーム描画装置が用いられている。
この描画粒子ビーム描画装置において、描画データは、チップ階層、フレーム階層、ブロック階層、セル階層及び図形階層というように階層化されている。この階層構造の描画データでは、特定の図形に関する描画条件(例えば、照射量)を調整する場合には、特定の図形の図形情報に加えて属性情報(例えば、照射量を定義する属性情報)を付与している。これまで多数の図形のうち一部の図形に属性情報を付与していたが、近年の高解像度化の要求に伴って全ての図形に属性情報を付与することが増加している。
特許第3545190号公報
しかしながら、前述のような属性情報の付与方法では、属性情報は図形情報と共に図形情報ファイルに含まれることになるため、例えば、特定の図形に対する属性情報を変更したい場合には、図形情報及び属性情報の両方を含む図形情報ファイル全体を再作成しなければならず、処理効率が低下してしまう。また、図形情報は同じでも属性情報が異なるチップをマスク上に配置したい場合には、図形情報を重複して作成することになるため、データ量が大きくなると共に、処理効率も低下してしまう。このようなことから、処理効率の向上が求められている。
本発明が解決しようとする課題は、処理効率を向上させることができる荷電粒子ビーム描画装置、情報処理装置、パターン検査装置及び荷電粒子ビーム描画方法を提供することである。
本発明の実施形態に係る荷電粒子ビーム描画装置は、階層毎に要素を有する階層構造の描画データにおける特定階層要素に対応する下階層要素毎の図形情報を格納する図形情報ファイルと、下階層要素毎に付与する属性情報を特定階層要素に係る情報に関連付けて格納する属性情報ファイルとを備える。
また、上記荷電粒子ビーム描画装置において、図形情報ファイルは、下階層要素毎に図形情報と共に属性情報を格納し、属性情報ファイルは、図形情報ファイルの属性情報に自身の属性情報を上書きするための上書き情報を格納することが望ましい。
本発明の実施形態に係る情報処理装置は、階層毎に要素を有する階層構造の描画データにおける特定階層要素に対応する下階層要素毎の図形情報を格納する図形情報ファイルと、下階層要素毎に付与する属性情報を特定階層要素に係る情報に関連付けて格納する属性情報ファイルとを備える。
本発明の実施形態に係るパターン検査装置は、階層毎に要素を有する階層構造の描画データにおける特定階層要素に対応する下階層要素毎の図形情報を格納する図形情報ファイルと、下階層要素毎に付与する属性情報を特定階層要素に係る情報に関連付けて格納する属性情報ファイルとを備える。
本発明の実施形態に係る荷電粒子ビーム描画方法は、階層毎に要素を有する階層構造の描画データにおける特定階層要素に対応する下階層要素毎の図形情報を格納する図形情報ファイルを生成する工程と、下階層要素毎に付与する属性情報を特定階層要素に係る情報に関連付けて格納する属性情報ファイルを生成する工程とを有する。
本発明によれば、荷電粒子ビーム描画装置、情報処理装置、パターン検査装置及び荷電粒子ビーム描画方法において、データの処理効率を向上させることができる。
第1の実施形態に係る荷電粒子ビーム描画装置の概略構成を示す図である。 第1の実施形態に係る描画データを説明するための説明図である。 第1の実施形態に係る図形情報ファイル及び属性情報ファイルを説明するための説明図である。 第1の実施形態に係る属性情報値及び照射量の関係を示すグラフである。 第2の実施形態に係る図形情報ファイル及び属性情報ファイルを説明するための説明図である。 第3の実施形態に係る図形情報ファイル及び属性情報ファイルを説明するための説明図である。 第4の実施形態に係る図形情報ファイル及び属性情報ファイルを説明するための説明図である。 第5の実施形態に係るパターン検査装置の概略構成を示す図である。
(第1の実施形態)
第1の実施形態について図1乃至図4を参照して説明する。
図1に示すように、第1の実施形態に係る荷電粒子ビーム描画装置1は、荷電粒子ビームによる描画を行う描画部2と、その描画部2を制御する制御部3とを備えている。この荷電粒子ビーム描画装置1は、荷電粒子ビームとして例えば電子ビームを用いた可変成形型の描画装置の一例である。なお、荷電粒子ビームは電子ビームに限られるものではなく、イオンビームなどの他の荷電粒子ビームであっても良い。
描画部2は、描画対象となる試料Wを収容する描画チャンバ(描画室)2aと、その描画チャンバ2aにつながる光学鏡筒2bとを有している。描画チャンバ2aは気密性を有する真空チャンバとして機能する。また、光学鏡筒2bは、描画チャンバ2aの上面に設けられており、光学系により電子ビームを成形及び偏向し、描画チャンバ2a内の試料Wに対して照射する。このとき、描画チャンバ2a及び光学鏡筒2bの両方の内部は減圧されて真空状態にされている。
描画チャンバ2a内には、マスクやブランクなどの試料Wを支持するステージ11が設けられている。このステージ11は水平面内で互いに直交するX軸方向とY軸方向(以下、単にX方向及びY方向という)に移動可能に形成されている。また、光学鏡筒2b内には、電子ビームBを出射する電子銃などの出射部21と、その電子ビームBを集光する照明レンズ22と、ビーム成形用の第1の成形アパーチャ23と、投影用の投影レンズ24と、ビーム成形用の成形偏向器25と、ビーム成形用の第2の成形アパーチャ26と、試料W上にビーム焦点を結ぶ対物レンズ27と、試料Wに対するビームショット位置を制御するための副偏向器28及び主偏向器29とが配置されている。
この描画部2では、電子ビームBが出射部21から出射され、照明レンズ22により第1の成形アパーチャ23に照射される。この第1の成形アパーチャ23は例えば矩形状の開口を有している。これにより、電子ビームBが第1の成形アパーチャ23を通過すると、その電子ビームの断面形状は矩形状に成形され、投影レンズ24により第2の成形アパーチャ26に投影される。なお、この投影位置は成形偏向器25により偏向可能であり、投影位置の変更により電子ビームBの形状と寸法を制御することができる。その後、第2の成形アパーチャ26を通過した電子ビームBは、その焦点が対物レンズ27によりステージ11上の試料Wに合わされて照射される。このとき、ステージ11上の試料Wに対する電子ビームBのショット位置は副偏向器28及び主偏向器29により変更可能である。
制御部3は、レイアウトデータやチップデータ(設計データやCADデータなど)などの情報を処理して描画データを生成する情報処理部3aと、描画データを記憶する描画データ記憶部3bと、その描画データを処理してショットデータを生成するショットデータ生成部3cと、描画部2を制御する描画制御部3dとを備えている。なお、情報処理部3a、ショットデータ生成部3cや描画制御部3dは、電気回路などのハードウエアにより構成されても良く、また、各機能を実行するプログラムなどのソフトウエアにより構成されても良く、あるいは、それらの両方の組合せにより構成されても良い。
情報処理部3aは、例えばレイアウトデータやチップデータ(設計データやCADデータなど)などのデータを変換して描画装置用フォーマットに基づく描画データを生成する。なお、レイアウトデータやチップデータは、半導体集積回路の設計者などによって作成されたデータであり、そのレイアウトデータを保管するデータベースなどの記憶装置(図示せず)から例えば有線又は無線のネットワークを介して情報処理部3aに入力される。
描画データ記憶部3bは、情報処理部3aにより生成された描画装置用フォーマットの描画データを記憶する記憶部である。この描画データ記憶部3bとしては、例えば、磁気ディスク装置や半導体ディスク装置(フラッシュメモリ)などを用いることが可能である。
ショットデータ生成部3cは、描画データにより規定される描画パターンをストライプ状(短冊状)の複数のストライプ領域(長手方向がX方向であり、短手方向がY方向である)に分割し、さらに、各ストライプ領域を行列状の多数のサブ領域に分割する。加えて、ショットデータ生成部3cは、各サブ領域内の図形の形状や大きさ、位置などを決定し、さらに、図形を一回のショットで描画不可能である場合には、描画可能な複数の部分領域に分割し、ショットデータを生成する。なお、ストライプ領域の短手方向(Y方向)の長さは電子ビームBを主偏向で偏向可能な長さに設定されている。
描画制御部3dは、前述の描画パターンを描画する際、ステージ11をストライプ領域の長手方向(X方向)に移動させつつ、電子ビームBを主偏向器29により各サブ領域に位置決めし、副偏向器28によりサブ領域の所定位置にショットして図形を描画する。その後、一つのストライプ領域の描画が完了すると、ステージ11をY方向にステップ移動させてから次のストライプ領域の描画を行い、これを繰り返して試料Wの描画領域の全体に電子ビームBによる描画を行う(描画動作の一例)。なお、描画中には、ステージ11が一方向に連続的に移動しているため、描画原点がステージ11の移動に追従するように、主偏向器29によってサブ領域の描画原点をトラッキングさせている。
このように電子ビームBは、副偏向器28と主偏向器29によって偏向され、連続的に移動するステージ11に追従しながら、その照射位置が決められる。ステージ11のX方向の移動を連続的に行うとともに、そのステージ11の移動に電子ビームBのショット位置を追従させることで、描画時間を短縮することができる。ただし、第1の実施形態では、ステージ11のX方向の移動を連続して行っているが、これに限るものではなく、例えば、ステージ11を停止させた状態で一つのサブ領域の描画を行い、次のサブ領域に移動するときは描画を行わないステップアンドリピート方式の描画方法を用いても良い。
ここで、描画データは、通常、多数の微小なパターン(図形など)を含んでおり、そのデータ量はかなりの大容量になる。このため、描画データでは、データを階層化することによってデータ量の圧縮化が図られており、荷電粒子ビーム描画装置1では、階層構造の描画データが用いられることになる。
例えば、図2に示すように、描画データは、チップ階層CP、そのチップ階層CPよりも下位のフレーム階層FR、そのフレーム階層FRよりも下位のブロック階層BL、そのブロック階層BLよりも下位のセル階層CL、そのセル階層CLよりも下位の図形階層FGに階層化されている(階層構造)。なお、描画データは基本的にフォーマット変換前後に関係なく階層化されている。このような描画データにおいて、ある階層が第1階層であるとすると、その第1階層の下階層が第2階層となり、その第2階層の下階層が第3階層となる。
図2の例では、チップ階層CPの要素群(チップ群)の一部であるチップCP1が、フレーム階層FRの要素群(フレーム群)の一部である三個のフレームFR1〜FR3に対応している。また、フレーム階層FRの要素群の一部であるフレームFR2が、ブロック階層BLの要素群(ブロック群)の一部である十八個のブロックBL1〜BL18に対応している。ブロック階層BLの要素群の一部であるブロックBL9が、セル階層CLの要素群(セル群)の一部である四個のセルCL1〜CL4に対応している。セル階層CLの要素群の一部であるCL1が図形階層FGの要素群(図形群)の一部である複数の図形FG1、FG2に対応している。
次に、前述の情報処理部3aについて詳しく説明する。
情報処理部3aは、図3に示すように、図形情報ファイルF1と、その図形情報ファイルF1とは別に属性情報ファイルF2とを生成する。図形情報ファイルF1は、例えばフレーム情報ファイルであり、セル配置情報ファイルF1a、関連記録ファイルF1b及びセルパターン情報ファイル(セル図形情報ファイル)F1cにより構成されている。
セル配置情報ファイルF1aは、ヘッダー(Header)と、セル配置情報(Cell location)及びインデックス番号(Index1,Index2,Index3,Index4,・・・)とを格納するファイルである。インデックス番号(種データ番号)はセル配置情報毎に設定されており、セル配置情報のインデックス情報(識別情報)として機能する。
関連記録ファイルF1bは、ヘッダー(Header)と、関連記録情報(Index1→Pointer,Index2→Pointer,・・・)とを格納するファイルである。ポインタ(Pointer)は、情報の格納位置を示す格納位置情報として機能する。
セルパターン情報ファイルF1cは、ヘッダー(Header)と、複数のセルパターン情報(Cell Pattern Data1,Cell Pattern Data2,・・・)とを格納するファイルである。各セルパターン情報は、それぞれ複数のパターン情報(Pattern1,Pattern2,・・・)を有している。
このような図形情報ファイルF1は、前述のように階層毎に要素を有する階層構造の描画データにおいて特定階層要素に対応する下階層要素毎に図形情報、すなわち図3では、セル階層のセルに対応する図形階層のパターン(図形)毎にパターン情報(図形情報)を格納するファイルである。
属性情報ファイルF2は、ヘッダー(Header)と、関連テーブル(Relation Table)T1と、属性情報グループテーブル(AI group1,AI group2・・・)T2とを格納するファイルである。
関連テーブルT1は、属性情報グループポインタ(Pointer to AI group1,Pointer to AI group2,・・・)を定義するテーブルである。この関連テーブルT1は、インデックス番号に対応する属性情報グループポインタを特定の順序で格納するテーブルである。属性情報グループポインタは、セルパターン情報内の各パターンに付与する属性情報のグループ(属性情報グループ)の先頭アドレスを格納している。
属性情報グループテーブルT2は、属性情報グループのヘッダー(Header of AI group)と、属性情報値(AI)及び属性情報の繰り返し回数(Rep)とを定義するテーブルである。この属性情報グループテーブルT2は、グループ番号に対応する属性情報及びその属性情報の繰り返し回数情報を格納する属性情報テーブルとして機能する。
属性情報グループのヘッダーは、属性情報グループのサイズ(Length of the AI group)、属性情報フィールドの長さ(Byte info)、圧縮の要否のフラグ(Comp Info)、属性情報の数(Number of AIs)を定義するヘッダーである。なお、圧縮要否のフラグが立っている場合には、情報処理部3aは圧縮を行うと判断し、属性情報グループテーブルT2の属性情報を所定形式で所定のサイズに圧縮する。
このような属性情報ファイルF2は、特定階層要素に対応する下階層要素毎に特定階層要素に係る情報に関連付けて、すなわち図3では、セル階層のセルに対応する図形階層のパターン毎に付与する属性情報(描画条件に関する属性情報)をセル階層のセルに係る情報であるセル配置情報のインデックス番号に関連付けて格納するファイルである。
なお、描画条件に関する属性情報としては、例えば、照射量が挙げられる。また、この照射量以外の属性情報としては、例えば、セトリング時間の有無やパス属性(1パス目に描画し、2パス目に描画しないなど、あるいは、1パス目と2パス目を重ねて描画するなどのパス毎の描画設定)などの各種属性情報が挙げられる。
ここで、例えば、図4に示すように、属性情報値(AI値)と照射量(dose)との関係が決定されている。属性情報値が0である場合に照射量はd0となり、属性情報値が1である場合に照射量はd1となり、属性情報値が2である場合に照射量はd2となり、属性情報値が3である場合に照射量はd3となり、属性情報値が4である場合に照射量はd4となる。この属性情報値(AI値)が描画対象のパターン(図形)の属性情報として属性情報ファイルF2から決定され、その属性情報に基づいて描画対象の図形の描画が実行される。
図3に示す図形情報ファイルF1においては、セル配置情報ファイルF1aの一番上のセル配置情報の「Cell location」が読み込まれると、そのセル配置情報のインデックス番号の「Index1」が用いられ、その「Index1」に対応する「Pointer」が関連記録ファイルF1bから決まり、その「Pointer」に対応するセルパターン情報の「Cell Pattern Data1」がセルパターン情報ファイルF1cから読み込まれることになる。
このとき、前述の「Index1」が用いられ、その「Index1」に対応する属性情報グループポインタの「Pointer to AI group1」が関連テーブルT1から決まる。この「Pointer to AI group1」は属性情報グループの「AI group1」を指しており、その「AI group1」に対応する属性情報グループテーブルT2が読み込まれる。この属性情報グループテーブルT2に基づき、前述のセルパターン情報ファイルF1cの「Cell Pattern Data1」の各パターンに対して属性情報が付与されることになる。
例えば、図3に示す属性情報グループテーブルT2では、AI=1、Rep=2であるため、AI値が1であり、そのAI値の繰り返し回数(繰り返し使用回数)が2回となる。同様に、AI=2、Rep=1であるため、AI値が2であり、そのAI値の繰り返し回数が1回となる。また、AI=3、Rep=1であるため、AI値が3であり、そのAI値の繰り返し回数が1回となる。
この属性情報グループテーブルT2に基づき、セルパターン情報ファイルF1cの「Cell Pattern Data1」において、まず、「Pattern1」及び「Pattern2」に対して1のAI値が付与される(AI=1、Rep=2)。次いで、「Pattern3」に対して2のAI値が付与され(AI=2、Rep=1)、「Pattern4」に対して3のAI値が付与される(AI=3、Rep=1)。このようにパターン毎にAI値が順次付与されていく。
このような属性情報ファイルF2は、情報処理部3aによって図形情報ファイルF1と別に生成されており、その図形情報ファイルF1と共に描画データとして描画データ記憶部3bに保存されている。このため、例えば、特定の図形(パターン)に対する属性情報を変更したい場合には、属性情報ファイルF2のみを変更又は再作成すれば良くなる。これにより、図形情報及び属性情報を含むような図形情報ファイル全体を再作成する場合に比べ、処理効率を向上させることが可能となる。また、図形情報は同じでも属性情報が異なるチップをマスク上に配置したい場合には、図形情報ファイルF1を同一とし、属性情報が異なる属性情報ファイルF2を作成すれば良くなる。このため、図形情報及び属性情報を含む図形情報ファイルを二つ作成する場合(図形情報を重複して作成する場合)に比べ、データ量を抑えることが可能となり、さらに、処理効率を向上させることが可能となる。
特に、同一の図形情報が重複して生成されないため、レイアウトデータ量を大幅に削減することができる。これにより、描画データ変換時間やデータ転送時間、データ処理時間の短縮が可能となるため、結果として、マスク描画時間(主にデータ準備時間)を短縮することができる。また、本データを旧データ(属性情報を持たないデータあるいは属性情報を持つデータ)と容易に組み合わせることが可能となるため、データ互換性を向上させることができる。
以上説明したように、第1の実施形態によれば、階層毎に要素を有する階層構造の描画データにおける特定階層要素(例えばセル)に対応する下階層要素(例えばパターン)毎の図形情報を格納する図形情報ファイルF1と、下階層要素毎に付与する属性情報を特定階層要素に係る情報(例えばインデックス番号)に関連付けて格納する属性情報ファイルF2とが生成される。これにより、図形情報ファイルF1に基づいて図形(パターン)を描画する場合には、特定階層要素に係る情報を用いて属性情報ファイルF2から属性情報を選択して図形に付与し、その属性情報及び図形情報に基づく図形を描画することが可能となる。
したがって、例えば、特定の図形に対する属性情報を変更したい場合には、属性情報ファイルF2のみを変更あるいは再作成すれば良く、図形情報及び属性情報を含む図形情報ファイル全体を再作成する場合に比べ、処理効率を向上させることができる。また、図形情報は同じでも属性情報が異なるチップをマスク上に配置したい場合には、図形情報ファイルF1を同一とし、属性情報が異なる属性情報ファイルF2を作成すれば良く、図形情報及び属性情報を含む図形情報ファイルを二つ作成する場合に比べ、データ量を削減することに加え、処理効率を向上させることができる。
(第2の実施形態)
第2の実施形態について図5を参照して説明する。
第2の実施形態は基本的に第1の実施形態と同様である。第2の実施形態では、第1の実施形態との相違点(図形情報ファイル)について説明し、その他の説明は省略する。
図5に示すように、第2の実施形態に係る図形情報ファイルF1は、オープンスタンダードフォーマット(例えば、SEMI(半導体製造機器の業界団体)により標準化されたオアシス形式のフォーマット)のファイルである。この図形情報ファイルF1は、階層構造を有する描画データの図形情報を格納するファイルであり、セル名(Cell NAME1,Cell NAME2,Cell NAME3,・・・)やセル情報(CELL1,CELL2,CELL3,・・・)などを格納する。また、関連テーブルT1は、セル名に対応する属性情報グループポインタを特定の順序で格納するテーブルであり、その他は第1の実施形態と同様である。
図5に示す図形情報ファイルF1においては、セル名の「CELL NAME1」が読み込まれると、その「CELL NAME1」に対応する属性情報グループポインタの「Pointer to AI group1」が関連テーブルT1から決まる。この「Pointer to AI group1」は属性情報グループの「AI group1」を指している。その後の処理は第1の実施形態と同様である。
このように、オープンスタンダードフォーマットなどの各種フォーマット形式の図形情報ファイルF1に合わせて属性情報ファイルF2を形成することが可能であり、各種フォーマット形式の図形情報ファイルF1に対し、属性情報ファイルF2を別個に設けることが可能となる。これにより、第1の実施形態と同様に、処理効率を向上させることができる。
以上説明したように、第2の実施形態によれば、前述の第1の実施形態と同様の効果を得ることが可能であり、処理効率を向上させることができる。
(第3の実施形態)
第3の実施形態について図6を参照して説明する。
第3の実施形態は基本的に第1の実施形態と同様である。第3の実施形態では、第1の実施形態との相違点(属性情報ファイル)について説明し、その他の説明は省略する。
図6に示すように、第3の実施形態に係る属性情報ファイルF2は、第1の実施形態に係る関連テーブルT1を有しておらず、インデックス番号(種データ番号)に対応する属性情報をセルパターン情報毎に格納する属性情報テーブルT3を有している。
図6に示す属性情報テーブルT3では、インデックス番号に順次対応させて、AI=1、AI=2、AI=3・・・というようにAI値が格納されている。すなわち、インデックス番号の「Index1」に対応するAI値が1であり、「Index2」に対応するAI値が2であり、「Index3」に対応するAI値が3であるというように格納されている。
この属性情報テーブルT3に基づき、セルパターン情報ファイルF1cにおいて、「Cell Pattern Data1」の全パターンに対して1のAI値が付与される。また、他の「Cell Pattern Data2」の全パターンに対して2のAI値が付与され、「Cell Pattern Data3」の全パターンに対して3のAI値が付与される。このようにセルパターン情報毎に情報内の全パターンのAI値が同じ値になるように付与されていく。
このように、セルパターン情報内の全パターンのAI値を同じにする場合など、必要に応じて関連テーブルT1を不要とすることが可能となり、属性情報ファイルF2のデータ量を削減することができる。
以上説明したように、第3の実施形態によれば、前述の第1の実施形態と同様の効果を得ることが可能であり、処理効率を向上させることができ、さらに、属性情報ファイルF2のデータ量を削減することもできる。
(第4の実施形態)
第4の実施形態について図7を参照して説明する。
第4の実施形態は基本的に第1の実施形態と同様である。第4の実施形態では、第1の実施形態との相違点(図形情報ファイル及び属性情報ファイル)について説明し、その他の説明は省略する。
図7に示すように、第4の実施形態に係る図形情報ファイルF1は、第1の実施形態の構成に加えて、セルパターン情報のパターン(図形)毎に属性情報を定義するファイルであり、図形情報及び属性情報を含む図形情報ファイルとなる。
図7に示す図形情報ファイルF1のセルパターン情報ファイルF1cでは、セルパターン情報の「Cell Pattern Data1」内の「Pattern1」及び「Pattern2」の各AI値が1である。次に、「Pattern3」のAI値が2であり、「Pattern4」乃至「Pattern7」の各AI値が3であり、「Pattern8」のAI値が4である。このようにパターン毎にAI値が順次与えられている。
属性情報グループテーブルT2は、第1の実施形態と同様の属性情報グループのヘッダー(Header of AI group)と、属性情報値(AI)と、属性情報の上書き開始図形番号(Start Number)及び終了図形番号(End Number)とを定義するテーブルである。これらの上書き開始図形番号及び終了図形番号は上書き情報として機能する。このため、属性情報グループテーブルT2内のAI値の方がセルパターン情報ファイルF1c内のAI値よりも優先度が高くなる。
図7に示す属性情報グループテーブルT2では、インデックス番号の「Index1」に対応する「AI group1」のAI値が4であり、属性情報の上書き開始図形番号の「Start Number」が3であり、上書き終了図形番号の「End Number」が5である。
前述のセルパターン情報ファイルF1cの「Cell Pattern Data1」において、まず、「Pattern1」及び「Pattern2」に対して1のAI値が付与される。次に、「Pattern3」に対して2のAI値が付与されるが、属性情報グループテーブルT2の「Start Number」が3であるため、その属性情報グループテーブルT2内の4のAI値が前述の2のAI値に上書きされて付与されることになる(2→4)。次いで、同様に、「Pattern4」及び「Pattern5」に対して4のAI値が上書きされて付与される(3→4)。その後、「Pattern6」及び「Pattern7」に対して3のAI値が上書き無しで付与され、最後に、「Pattern8」に対して4のAI値が付与される。
このようにパターン毎にAI値が順次付与されていくが、このとき、セルパターン情報内の所望パターンのAI値が強制的に上書きされることになる。このため、図形情報及び属性情報を含む図形情報ファイルF1を直接処理することなく、属性情報ファイルF2のみを変更又は再作成すれば良くなる。したがって、図形情報及び属性情報を含むような図形情報ファイル全体を処理する場合に比べ、処理効率を向上させることが可能となる。
以上説明したように、第4の実施形態によれば、前述の第1の実施形態と同様の効果を得ることが可能であり、処理効率を向上させることができる。
(第5の実施形態)
第5の実施形態について図8を参照して説明する。第5の実施形態では、第1の実施形態との相違点(パターン検査装置)について説明し、その他の説明は省略する。
図8に示すように、第5の実施形態に係るパターン検査装置51は、第1乃至第4のいずれかの実施形態に係る情報処理部3aと、パターンを検査する検査部52とを備えている。この検査部52には、前述の情報処理部3aにより生成された描画データの第1データが入力される。また、検査部52には、第1の実施形態に係る荷電粒子ビーム描画装置1により試料W上に実際に描画されたパターンに基づいて作成された描画データの第2データが入力される。
第1データは、そのデータを保管するデータベースなどの記憶装置(図示せず)から有線又は無線のネットワークを介して情報処理部3aに入力され、次いで、その情報処理部3aによる処理後に検査部52に入力される。また、第2データは、そのデータを保管するデータベースなどの記憶装置(図示せず)から有線又は無線のネットワークを通って検査部52に入力される。これらのデータは第1の実施形態に係る描画データと同様に、例えば、チップ階層CP、フレーム階層FR、ブロック階層BL、セル階層CL及び図形階層FGにより階層化されている(図2参照)。
検査部52は、入力された各データに基づいて、例えば、第1の実施形態に係る荷電粒子ビーム描画装置1により試料W上に実際に描画されたパターンなどを検査する。この検査では、例えば、実際に描画されたパターンと描画データとを比較するような検査が行われる。なお、検査には、描画条件などの各種情報が必要となる。
以上説明したように、第5の実施形態によれば、前述の第1乃至第4のいずれかの実施形態と同様の効果を得ることが可能であり、処理効率を向上させることができる。
(他の実施形態)
前述の第1乃至第5の実施形態においては、情報処理部3aを荷電粒子ビーム描画装置1又はパターン検査装置51に適用して説明を行っているが、これに限るものではなく、例えば、情報処理部3aを情報処理装置(一例として、コンピュータ端末)に適用するようにしても良い。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 荷電粒子ビーム描画装置
2 描画部
2a 描画チャンバ
2b 光学鏡筒
3 制御部
3a 情報処理部
3b 描画データ記憶部
3c ショットデータ生成部
3d 描画制御部
11 ステージ
21 出射部
22 照明レンズ
23 第1の成形アパーチャ
24 投影レンズ
25 成形偏向器
26 第2の成形アパーチャ
27 対物レンズ
28 副偏向器
29 主偏向器
51 パターン検査装置
52 検査部
B 電子ビーム
F1 図形情報ファイル
F1a セル配置情報ファイル
F1b 関連記録ファイル
F1c セルパターン情報ファイル
F2 属性情報ファイル
T1 関連テーブル
T2 属性情報グループテーブル
T3 属性情報テーブル
W 試料

Claims (5)

  1. 階層毎に要素を有する階層構造の描画データにおける特定階層要素に対応する下階層要素毎の図形情報を格納する図形情報ファイルと、
    前記下階層要素毎に付与する属性情報を前記特定階層要素に係る情報に関連付けて格納する属性情報ファイルと、
    を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
  2. 前記図形情報ファイルは、前記下階層要素毎に前記図形情報と共に前記属性情報を格納し、
    前記属性情報ファイルは、前記図形情報ファイルの前記属性情報に自身の前記属性情報を上書きするための上書き情報を格納することを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
  3. 階層毎に要素を有する階層構造の描画データにおける特定階層要素に対応する下階層要素毎の図形情報を格納する図形情報ファイルと、
    前記下階層要素毎に付与する属性情報を前記特定階層要素に係る情報に関連付けて格納する属性情報ファイルと、
    を備えることを特徴とする情報処理装置。
  4. 階層毎に要素を有する階層構造の描画データにおける特定階層要素に対応する下階層要素毎の図形情報を格納する図形情報ファイルと、
    前記下階層要素毎に付与する属性情報を前記特定階層要素に係る情報に関連付けて格納する属性情報ファイルと、
    を備えることを特徴とするパターン検査装置。
  5. 階層毎に要素を有する階層構造の描画データにおける特定階層要素に対応する下階層要素毎の図形情報を格納する図形情報ファイルを生成する工程と、
    前記下階層要素毎に付与する属性情報を前記特定階層要素に係る情報に関連付けて格納する属性情報ファイルを生成する工程と、
    を有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
JP2014063639A 2014-03-26 2014-03-26 荷電粒子ビーム描画装置、情報処理装置、パターン検査装置及び荷電粒子ビーム描画方法 Pending JP2015185800A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014063639A JP2015185800A (ja) 2014-03-26 2014-03-26 荷電粒子ビーム描画装置、情報処理装置、パターン検査装置及び荷電粒子ビーム描画方法
TW104103931A TWI585807B (zh) 2014-03-26 2015-02-05 Charged particle beam drawing device, information processing device, pattern checking device and charged particle beam rendering method
US14/619,281 US9659745B2 (en) 2014-03-26 2015-02-11 Charged particle beam drawing apparatus, information processing apparatus and pattern inspection apparatus
KR1020150039945A KR101748934B1 (ko) 2014-03-26 2015-03-23 하전 입자 빔 묘화 장치, 정보 처리 장치, 패턴 검사 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014063639A JP2015185800A (ja) 2014-03-26 2014-03-26 荷電粒子ビーム描画装置、情報処理装置、パターン検査装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015185800A true JP2015185800A (ja) 2015-10-22

Family

ID=54191373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014063639A Pending JP2015185800A (ja) 2014-03-26 2014-03-26 荷電粒子ビーム描画装置、情報処理装置、パターン検査装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9659745B2 (ja)
JP (1) JP2015185800A (ja)
KR (1) KR101748934B1 (ja)
TW (1) TWI585807B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111208713B (zh) * 2020-03-17 2022-08-16 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 处理曝光图形数据的方法、曝光控制单元和直写式曝光机

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63186428A (ja) * 1987-01-29 1988-08-02 Toshiba Corp 荷電ビ−ム描画方法及び描画装置
JPH10214764A (ja) * 1997-01-28 1998-08-11 Toshiba Corp パターン形成方法
US6035113A (en) * 1998-01-05 2000-03-07 International Business Machines Corporation Electron beam proximity correction method for hierarchical design data
JP2002033263A (ja) * 2000-07-13 2002-01-31 Hitachi Ltd 電子ビーム描画方法、フォトマスク製作方法および電子ビーム描画装置
JP2002184680A (ja) * 2000-12-19 2002-06-28 Sony Corp 図形データ変換方法
JP3545190B2 (ja) * 1997-01-20 2004-07-21 富士通株式会社 Cadシステムおよび記録媒体
JP2007103923A (ja) * 2005-09-07 2007-04-19 Nuflare Technology Inc 荷電粒子線描画データの作成方法、荷電粒子線描画データの変換方法及び荷電粒子線描画方法
JP2008130862A (ja) * 2006-11-22 2008-06-05 Nuflare Technology Inc 描画データの作成方法、描画データの変換方法及び荷電粒子線描画方法
JP2008244196A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Nuflare Technology Inc 描画データ作成方法及び描画データファイルを格納した記憶媒体
JP2009206248A (ja) * 2008-02-27 2009-09-10 Nuflare Technology Inc 重なり図形の検査装置、荷電粒子ビーム描画装置及び重なり図形の検査方法
JP2012174780A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2013207254A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置、検査装置、及び描画データの検査方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8301096D0 (en) * 1983-01-15 1983-02-16 Cambridge Instr Ltd Electron scanning microscopes
CA2138363C (en) * 1993-12-22 1999-06-22 Yasuyuki Todokoro Electron beam generating apparatus, image display apparatus, and method of driving the apparatuses
JP5063035B2 (ja) * 2006-05-30 2012-10-31 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP5205983B2 (ja) * 2008-01-18 2013-06-05 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置のデータ作成方法、および電子線露光システム
US8266571B2 (en) * 2008-06-10 2012-09-11 Oasis Tooling, Inc. Methods and devices for independent evaluation of cell integrity, changes and origin in chip design for production workflow
JP5525798B2 (ja) * 2009-11-20 2014-06-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置およびその帯電効果補正方法
JP5662756B2 (ja) * 2010-10-08 2015-02-04 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US8893059B2 (en) * 2012-02-06 2014-11-18 Kla-Tencor Corporation Pattern data system for high-performance maskless electron beam lithography
TWI489222B (zh) * 2012-02-16 2015-06-21 Nuflare Technology Inc Electron beam rendering device and electron beam rendering method
JP5985852B2 (ja) * 2012-03-27 2016-09-06 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63186428A (ja) * 1987-01-29 1988-08-02 Toshiba Corp 荷電ビ−ム描画方法及び描画装置
JP3545190B2 (ja) * 1997-01-20 2004-07-21 富士通株式会社 Cadシステムおよび記録媒体
JPH10214764A (ja) * 1997-01-28 1998-08-11 Toshiba Corp パターン形成方法
US6035113A (en) * 1998-01-05 2000-03-07 International Business Machines Corporation Electron beam proximity correction method for hierarchical design data
JP2002033263A (ja) * 2000-07-13 2002-01-31 Hitachi Ltd 電子ビーム描画方法、フォトマスク製作方法および電子ビーム描画装置
JP2002184680A (ja) * 2000-12-19 2002-06-28 Sony Corp 図形データ変換方法
JP2007103923A (ja) * 2005-09-07 2007-04-19 Nuflare Technology Inc 荷電粒子線描画データの作成方法、荷電粒子線描画データの変換方法及び荷電粒子線描画方法
JP2008130862A (ja) * 2006-11-22 2008-06-05 Nuflare Technology Inc 描画データの作成方法、描画データの変換方法及び荷電粒子線描画方法
JP2008244196A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Nuflare Technology Inc 描画データ作成方法及び描画データファイルを格納した記憶媒体
JP2009206248A (ja) * 2008-02-27 2009-09-10 Nuflare Technology Inc 重なり図形の検査装置、荷電粒子ビーム描画装置及び重なり図形の検査方法
JP2012174780A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2013207254A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置、検査装置、及び描画データの検査方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101748934B1 (ko) 2017-06-19
TW201543525A (zh) 2015-11-16
US9659745B2 (en) 2017-05-23
TWI585807B (zh) 2017-06-01
US20150279617A1 (en) 2015-10-01
KR20150111859A (ko) 2015-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5809419B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US20070053242A1 (en) Creation method and conversion method of charged particle beam writing data, and writing method of charged particle beam
US20180061614A1 (en) Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method
US8878149B2 (en) Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method
TWI603365B (zh) Charged particle beam drawing device and drawing data creation method
US8471225B2 (en) Charged particle beam writing method and apparatus therefor
US8755924B2 (en) Charged particle beam writing method and apparatus therefor
US9164044B2 (en) Charged particle beam lithography apparatus, inspection apparatus and inspection method of pattern writing data
JP5620725B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US20120292536A1 (en) Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method
KR101748934B1 (ko) 하전 입자 빔 묘화 장치, 정보 처리 장치, 패턴 검사 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법
JP4828460B2 (ja) 描画データ作成方法及び描画データファイルを格納した記憶媒体
US10096452B2 (en) Data processing method, charged particle beam writing method, and charged particle beam writing apparatus
JP6110685B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置、及びバッファメモリのデータ格納方法
JP5586343B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5956217B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置、検査装置、及び描画データの検査方法
JP2008085248A (ja) 荷電粒子ビーム描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画データの変換方法
JP2016219829A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
TWI526776B (zh) Charged particle beam rendering device, format inspection device and format inspection method
KR20180136409A (ko) 데이터 처리 방법, 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 시스템
TWI434328B (zh) 描繪系統及描繪裝置之參數監視方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160615

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170324

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170331

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170530

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170926

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171121

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180306

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180904