TWI226085B - Mounting method of electronic component and electronic component forming-body - Google Patents

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TWI226085B
TWI226085B TW090114601A TW90114601A TWI226085B TW I226085 B TWI226085 B TW I226085B TW 090114601 A TW090114601 A TW 090114601A TW 90114601 A TW90114601 A TW 90114601A TW I226085 B TWI226085 B TW I226085B
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TW
Taiwan
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aforementioned
bonding
electronic component
bonding material
bumps
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TW090114601A
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English (en)
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Hidenobu Nishikawa
Kazuto Nishida
Kazumichi Shimizu
Shuji Ono
Hiroyuki Otani
Original Assignee
Matsushita Electric Ind Co Ltd
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Description

經濟部智M.?財產局員工消費合作社印製 1226085 五、發明說明（ 技術領域 本發明係有關於一種電子零件之安裝方法及依此而製 k之電子零件安裝體，其係至少藉含有樹脂之接合材料而 將半導體零件等接合並固定於電子零件基板等之電路形成 體上者。 背景技術 習知者係使形成於四邊形IC晶片接合面電極上之凸塊 與電路基板之電極接觸外，並將接合材料配置於ic晶片與 電路基㈣，藉接合㈣使接合並固持於電路 但前述結構者中，在配列於四邊形之IC晶片接合面上 之凸塊間之配列之較大間隙、或四邊形邊部分上配列有凸 塊時於無配列凸塊之角部間隙等巾，藉由接合材料使冗晶 片接合於電路基板時，因夾細晶片與電路基板間之接合 材料將通過K：晶片之凸塊間之前述間隙而逸出Μ片之周 圍部分’於IC晶片之中央部分’接合材料之密度將容易降 低’進而使接合力及密封力降低。 因此，本發明之目的在於解決前述問題，對電路形成 趙進行接合時謀求電子料接合面内之接合材料分布均勾 =，而提供—種可提高接合及密封之可靠性之電子零件之 安裝方法及電子零件安裝體。 發明之揭示 為達成前述目的，本發明係如下構成。 若依本發明之第㈣態，則本發明可提供—種電子零件 表纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G χ撕公爱y
0W--------tT--------- 麵 m (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -4- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I226085 A7 五、發明說明（2 ) ---- 属^安裝方法’其係包含以下程序，即：將含有樹脂之接合 材料供至電路形成體或電子零件之程序； * 丨位㈣’係藉由前述接合㈣將前述電子零件血前 •述電路形成Μ位，而使該電子零件接合面上之多數凸狀 電極與前述電路形成趙之電極可相互電性接觸者；及 丨式加_合程序’係藉加熱及加壓將前述電子零件 # _接合後’於前述電子科之前述凸狀電極與前述電路 %成趙之前述電極呈電性接觸之狀態下，使前述電子零件 ^前述接合面與前述電路形成體間之前述接合材料硬化 丨，於前述正式加Μ接合程序時，並藉設於前述電子 零件之前述接合面上之接合材料阻流構件阻止前述接合材 料朝前述電子零件之前述接合面周邊部流動。 #依本發明之第2形態，則本發明可提供一種電子零件 」 <安裝方法，其係包含以下程序者，即：將含有樹脂之接 _ 合材料供至電路形成鱧或電子零件上之程序； ^ 疋位程序，係藉由前述接合材料將前述電子零件與前 ^電路形成趙定位，而使該電子零件接合面上所具有之多 數電極上之多數凸塊與前述電路形成趙之電極可相互電性 接觸者；及 正式加壓接合程序，係藉加熱及加壓將前述電子零件 2壓接合後，於前述電子零件之前述電極上之前述凸塊與 前述電路形成體之前述電極呈電性接觸之狀態下，使前述 電子零件之前述接合面與前述電路形成體間<前述接合材 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）
——裝--------訂—— 請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -線· -5- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226085 五、發明說明（3 ) 料硬化者； 且於則述正式加壓接合程序時，並藉設於前述電子 零件之前述接合面上之接合材料阻流構件阻止前述接人材 料朝前述電子零件之前述接合面周邊部流動。 若依本發明之第3形態，則可提供—種如第2形態之電 子零件之安裝方法，其中前述接合材料阻流構件係指一種 虛設凸塊，設於前述電子零件之前述接合面上兩兩相鄰之 凸塊中凸塊間隔較其他凸塊間隔寬之部份，而可於前述正 式加壓接合程序中，藉前述虛設凸塊阻止前述接合材料朝 前述電子零件之前述接合面上前述凸塊間隔較寬部分之周 邊部流動。 右依本發明之第4形態，則可提供一種如第2形態之電 子零件之安裝方法，其於前述電子零件之四邊形接合面中 相對之兩邊各形成有呈列狀之前述多數凸塊時前述接合 材料阻流構件係指分別成列設置於另外無凸塊之相對兩邊 上:作為前述接合材料阻流構件用之多數虛設凸塊，而可 於前述正式;^接合程序巾，藉前述虛設凸塊阻止前述接 合材料㈣述電子零件之前述接合面上前述料相對兩邊 之周邊部流動。 若依本發明之第5形態，則可提供一種如第2形態之電 子零件之安裝方法，其中於前述電子零件之四邊形接合面 中相對之兩對邊上各自形成有前述多數之凸塊時，前述接 合材料阻流構件係指設置於無凸塊之角落部上以作為前述 接口材料阻流構件用之虛設凸塊，而可於前述正式加壓接 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） --------tr---------— , M m (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -6- 五、發明說明（4 ) 口程序中，藉前述虛設凸塊阻止前述接合材料於前述角落 部中朝前述電子零件之前述接合面周邊部流動。 若依本發明之第6形態，則可提供—種如第2形態之電 子零件之安裝方法，其於前述電子零件之四邊形接合面中 央上形成有-列前述多數凸塊時，前述接合材料阻流構件 係指設置於無凸塊之角落部上以作為前述接合材料阻流構 件用之虛設凸塊’而可於前述正式加壓接合程序中藉前 述虛設凸塊阻止前述接合㈣於前述角落部巾朝前述^子 零件之前述接合面周邊部流動。 若依本發明第7形態，則可提供一種如第2至第6形態中 任-形態之電子料之録^，其㈣將前述接合㈣ 供至前述電路形成體之程序前，設一於前述電子零件之前 述接合面上形成前述多數凸塊之程序； 且，於前述凸塊形成程序中，係於前述電子零件之前 述接合面上兩兩相鄰之凸塊中凸塊間隔較其他凸塊間隔寬 之部分形成虛設凸塊。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 若依本發明之第8形態，則可提供一種如第2至第7形態 中任一形態之電子零件之安裝方法，其係將前述虛設凸塊 設置成前述電子零件之前述凸塊間或前述凸塊與前述虛設 凸塊間之節距中最大節距pmax與最小節距Pmin具有如下 關係者，即：Pmax$(Pminx 2α)【其中α係1〜6之任意值】。 若依本發明之第9形態，則可提供一種如第2至第8形態 中任一形態之電子零件之安裝方法，其於前述電子零件接 合面上各邊邊部附近之前述多數凸塊之列内側之四邊形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -7- 1226085
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 域設置有鈍化膜時，前述接合材料阻流構件係指設置於前 述電子零件之前述接合面上無前述純化膜部分之接合材料 阻流膜，而可於前述正式加壓接合程序中，藉前述接合材 料阻流膜阻止位於前述電子零件之前述接合面上無前述純 化膜部分之前述接合材料流動速度上升。 若依本發明之第10形態，則可提供一種如第2至第8形 態中任一形態之電子零件之安裝方A，其力前述電子零件 接合面上各邊邊部附近之前述多數凸塊之列内側之四邊形 領域設置有鈍化膜時，前述接合材料阻流構件係指設置於 刖述電子零件之前述接纟面上各邊邊部附近前述凸塊之列 外側周邊部分四邊形外框領域之辅助鈍化膜，而可於前述 正式加壓接合程序中，藉前述輔助鈍化膜阻止前述電子零 件之前述接合面上各邊邊部附近前述凸塊之列外側周邊部 分四邊形外框領域之前述接合材料流動速度上升。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 若依本發明之第U形態，則可提供一種如第2至第8形 態中任一形態之電子零件之安裝方法，其於前述電子零件 接合面上各邊邊部附近之前述多數凸塊之列内側四邊形領 域上備有鈍化膜時，前述接合材料阻流構件係指略呈四邊 形且僅設置於前述電子零件之前述接合面邊部附近前述凸 塊之列外側周it部分各角落部之辅助鈍化膜，而可於前述 正式加壓接合程序中，藉前述輔助鈍化膜阻止前述電子零 件之前述接合面各邊邊部附近上前述凸塊之列外側周邊部 分各角落部之前述接合材料流動速度上升。 若依本發明之第12形態，則可提供一種如第2至第8形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -8· 五、發明說明（6 ) 態令任-形態之電子零件之安裝方法，其於前述電子零件 接合面上各邊邊部附近之前述多數凸塊之列内側四邊形領 域設置有純化膜時，前述接合材料阻流構件係指略呈 形且設置於前述電子零件之前述接合面各邊邊部附近前述 凸塊之列外侧周邊部分與由前述鈍化膜領域角落部至外側 周邊^分角落部領域上之辅助鈍化膜，而可於前述正式加 壓接著程序中’藉前述輔助鈍化膜阻止前述電子零件之前 述接合面各邊邊部附近上前述凸塊之列外側周邊部分與由 前述鈍化膜領域角落部至外側周邊部分角落部之領域上前 述接合材料流動速度上升。 ? 經¾部智慧財產局員工消費合作社印製 若依本發明之第13形態，則可提供一種如第2至第8形 態中任一形態之電子零件之安裝方法，#於前述電子零件 接，合面上各邊邊部附近之前述多數凸塊之列内側之四邊形 領域上設置有鈍化膜時，前述接合材料阻流構件係指設置 於前述電子零件之前述接合面上前述凸塊以外所有領域之 鈍化膜，而可於前述正式加壓接著程序中，藉前述辅助鈍 化膜阻止前述電子零件之前述接合面上前述凸塊以外所有 領域之前述接合材料流動速度上升。 若依本發明之第14實施形態，則可提供一種如第1〇至 第13形態中任一形態之電子零件之安裝方法，其係於將前 述接合材料供至前述電路形成體之程序前，設一於前述電 子零件之前述接合面上形成前述鈍化膜之程序； 且，於刖述鈍化膜形成程序中，係於前述電子零件之 前述接合面上無前述鈍化膜形成之領域形成作前述接合材 參紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G X 297公爱) 麵 ' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226085 A7 g—___ B7 "------- 五、發明說明（7 ) 料阻流構件用之辅助鈍化膜。 若依本發明之第15形態，則可提供一種電子零件安裝 體，其係以電子零件接合面上多數電極之多數凸塊與電路 形成體之電極呈電性接觸之狀態下，藉由含有樹脂之接合 材料使前述電子零件至少接合於前述電路形成體上而構成 者； 而其用以阻止前述接合材料朝前述電子零件之前述接 合面周邊部流動之接合材料阻流構件係設置於前述電子零 件之别述接合面上。 右依本發明之第16形態，則可提供一種如第15形態之 電子零件安裝體，其中前述接合材料阻流構件係指一種虛 設凸塊，設於前述電子零件之前述接合面上兩兩相鄰之凸 塊中凸塊間隔較其他凸塊間隔寬之部分者。 若依本發明之第17形態，則可提供一種如第15形態之 電子零件安裝體，其於前述電子零件之四邊形接合面中相 對之兩邊各形成有呈列狀之前述多數凸塊時，前述接合材 料阻流構件係指分別成列設置於另外無凸塊之相對兩邊上 以作為前述接合材料阻流構件用之多數虛設凸塊。 右依本發明之第18形態，則可提供一種如第15形態之 電子零件安裝體，其中前述電子零件之四邊形接合面中相 對之兩對邊各呈列狀形成有前述多數凸塊時，前述接合材 料阻流構件係指設置於無凸塊之角落部以作為前述接合材 料阻流構件用之虛設凸塊。 若依本發明之第19形態，則可提供一種如第15形態之 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） ^ ^裝--------11---------^.· Λ· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •10-
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1226085 電子零件安裝體，其中前述電子零件之四邊形接合面之中 央上形成有-列前述多數凸塊時，前述接合材料阻流構件 係指設置於無凸塊之角落部以作為前述接合材料阻流構件 用之虛設凸塊。 若依本發明之第20形態，則可提供一種如第15至第Η 形態中任-形態之電子零件安裝體，#中前述接合材料阻 流構件係-種虛設凸塊，且係將前述虛設凸塊設置成前述 電子零件之前述凸塊間或前述凸塊與前述虛設凸塊間之節 距中最大綠距Pmax與最小節距Pmin具有如了關係者即·· PmaXS(Pminx2a)【其之任意值】。 若依本發明之第21形態，則可提供一種如第15至第2〇 形態中任一形態之電子零件安裝冑，其係於前述電子零件 接合面上各邊邊部附近前述多數凸塊之列内側四邊形領域 上設置有鈍化膜之同時，於前述電子零件之前述接合面上 無前述鈍化膜之部分設置作為前述接合材料阻流構件用之 接合材料阻流膜，以阻止前述電子零件之前述接合面上無 前述鈍化膜部分之前述接合材料流動速度上升。 若依本發明之第22形態，則可提供一種如第21形態之 電子零件安裝體，其中作前述接合材料阻流構件用之前述 接合材料阻流膜係一種辅助鈍化膜，設置於前述電子零件 之前述結合面邊部附近上前述凸塊列之外側周邊部分之四 邊形外框領域。 若依本發明之第23形態，則可提供一種如第21形態之 電子零件安裝體，其中作前述接合材料阻流構件用之前述
AU 1226085 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
---------------^«· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1226085 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ----------- 五、發明說明（10 ) 若依本發明之第28形態，則可提供一種如第27形態之 電子零件，其中前述接合材料阻流構件係指一種虛設凸 ‘塊，設置於前述電子零件之前述接合面上兩兩相鄰之凸塊 ► 中凸塊間隔較其他凸塊間隔寬之部分。 若依本發明之第29形態，則可提供一種如第27或第28 形態之電子零件，其於前述電子零件接合面上各邊邊部附 近之前述多數凸塊之列内側四邊形領域上設置有鈍化膜， 同時並於前述電子零件之前述接合面上無前述鈍化膜之部 分設置有用以作為前述接合材料阻流構件用之接合材料阻 流膜，該接合材料阻流膜係用以阻止前述電子零件之前述 接合面上無别述鈍化膜部分之前述接合材料流動速度上升 者。 若依本發明之第30形態，則可提供一種電子零件之安 裝方法，包含以下程序，即：將含有樹脂之接合材料供至 電路形成體或電子零件至少其中之一上之程序； 定位程序，係藉由前述接合材料將前述電子零件與前 述電路形成鱧定位，而使前述電子零件接合面上之多數凸 狀電極與前述電路形成體之電子零件接合領域所具有之電 極可相互電性接觸；及， 正式加壓接合程序，係藉加熱及加壓將前述電子零件 熱壓接合，並於前述電子零件之前述凸狀電極與前述電路 形成體之前述電極呈電性接觸之狀態下，使前述電子零件 之前述接合面與前述電路形成體間之前述接合材料硬化 者； 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公爱）
線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --裝--------訂. •13- 1226085
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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 材料阻流構件係指設於與無凸塊角落部對應之前述電路形 成體上前述電子零件接合領域之角落部且無電性接合必要 •之凸部，而可於前述正式加壓接合時，藉前述凸部阻止前 •述接合材料於前述角落部中朝前述電路形成體之前述電子 零件接合領域周邊部流動。 若依本發明之第33形態，則可提供一種如第31形態之 電子零件之安裝方法，其中前述接合材料阻流構件係指設 於前述電路形成體之前述電子零件接合領域上兩兩相鄰電 極中間隔較其他間隔寬之部分且無電性接合必要之凸部， 而可於前述正式加壓接合時，藉前述凸部阻止前述接合材 料於前述較寬間隔部>中朝前述電路形成體之前述電子零 件接合領域周邊部流動。 若依本發明之第34形態，則可提供一種如第32或第33 形態之電子零件之安裝方法，其於前述接合程序中係使 為前述接合材料阻流構件之前述凸部與無須與前述電子零 件側電性連接之虛設凸塊接觸。 若依本發明之第35形態，則可提供一種如第31至第34 形態中任-形態之電子零件之安裝前述正式加 壓接合程序中，係藉配置於前述電路形成體之前述電子零 件接合領域外側及前述電子零件接合領域周邊部上以作為 前述接合材料阻流構件用之有機膜，而可阻止前述接合材 料朝前述電路形成體之前述電子零件接合領域周邊部流 動。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂： 線· -I ϋ ·1 - 若依本發明之第36形態，則可提供一種如第31至第34
本纸張尺度適用中國國家標準（CNs)A4規格（210 X 297公釐 -15·
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226085 形態中任一形態之電子零件之安裝方法，其於前述接合程 序刖更設一阻流構件配置程序，係將作為前述接合材料阻 流構件用之有機膜配置於前述形成體之電子零件接合領域 外側及前述電子零件接合領域之周邊部上者。 若依本發明第37形態，則可提供一種如第31至第“形 態中任-形態之電子零件之安裝方法，Μ前述正式加壓 接著程序中，前述電路形成體之前述電子零件接合領域係 呈四邊形，且前述四邊形之前述電子零件接合領域於中央 上配置有一列前述多數電極時，係藉作為前述接合材料阻 流構件用之焊料光阻劑膜阻止前述接合材料朝前述電路形 成體之前述電子零件接合領域之周邊部流動，且該焊料光 阻膜係配置於由前述電子零件接合領域之外側至前述中央 一列之前述多數電極附近者。 若依本發明第38形態，則可提供一種如第31至第36形 態中任-形態之電子零件之安裝方法，其中前述電路形成 體之前述電子零件接合領域係呈四邊形且該四邊形之前述 電子零件接合領域中央配置有一列前述多數電極時，更設 一阻流構件配置程序，其係將前述作為接合材料阻流構件 用之焊料光阻劑膜配置於由前述電路形成體之前述電子零 件接合領域外側至前述中央一列之前述多數電極附近者。 若依本發明第39形態，則可提供一種如第31至38形態 中任-形態之電子零件之安裝方法，#述正式減接合程 序中前述電路形成體之前述電子零件接合領域係呈四邊形 且別述四邊形之接合領域中相對兩邊上各形成有呈列狀之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）
-16- 五、發明說明（Η ) 月J述多數凸塊時，可藉作為前述接合材料阻流構件用之 機膜阻止前述接合材料朝前述電路形成體之前述電子零件 接合領域周邊部流動，且該有機膜係配置於除與前述電子 零件之前述電極接合所需之前述電極接合部外，前述電路 形成想之前述電子零件接合領域外側及前述電子零件接合 領域全面上者。 若依本發明之第40形態，則可提供-種如第31至第38 形態中任-形態之電子零件之安裝方法，其中前述電路形 成體之前述電子零件接合領域係呈四邊形且該四邊形接合 領域中相對兩邊上各形成有呈列狀之前述多數凸塊時，乃 更設有-阻流構件設置程序，其係將前述作為接合材料阻 流構件用之有機膜配置於除與前述電子零件之前述電極接 合所必須之前述電極接合部外，前述電路形成部之前述電 子零件接合領域外側及前述電子零件之接合領域全面上 者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 若依本發明第41形態，則可提供一種如第31至第4〇形 態中任一形態之電子零件之安裝方法，其於前述正式加壓 接合程序中，係藉作為前述接合材料阻流構件用且配置於 前述電路形成體之前述電子零件接合領域外側周邊部上之 嵌條形成用凸部，而可阻止前述接合材料朝前述電路形成 體之前述電子零件接合領域周邊部流動，並形成用以遮蓋 前述電子零件側面之嵌條。 若依本發明第42形態’則可提供一種如第31至第4〇形 態中任一形態之電子零件之安裝方法，其中前述接合材料
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 -17·
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226085 I1⑽構件係才曰種嵌條形成用凸部，其係配置於前述電路 形成體之前述電子零件接合領域外侧周邊部且用以形成可 覆蓋前述電子零件側面之嵌條者。 若依本發明第43形態，則可提供一種如第41或第42形 〜之電子零件之女裝方法’纟中前述嵌條形成用凸部係由 一層以上之膜所構成者。 右依本發明第44形態，則可提供一種如第41或第42形 態之電子零件之安裝方法，纟中前述嵌條形成用凸部係由 層以上之基板焊料光阻劑膜所構成者。 若依本發明第45形態，則可提供一種如第41或第鄉 ^之電子零件之安裝方法，#中前述嵌條形成用凸部係由 與前述電路形成體之前述電極結構相同且較前述電極為厚 之虛設電極所構成者。 若依本發明第46形態，則可提供一種如第31至第杉形 態中任-㈣之電子零件之安裝方》，其於前述正式加壓 接合程序中，係藉作為前述接合材料阻流構件用且位於前 述電路形成體之前述電子零件接合領域内前述接合材料顯 示有不均勻流動之領域上之凸部，而可阻止前述接合材料 朝前述電路形成體之前述電子零件接合領域周邊部流動。 若依本發明第47形態，則可提供一種如第31至第45形 態中任-形態之電子零件之安裝方》，其係、於前述電路形 成體之前述電子零件接合領域内前述接合材料顯示有不均 勻流動之領域上，設置與前述電極大略厚度相同之凸部者。 若依本發明第48形態，則可提供一種如第46或第47形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）
— 1. 麵裝--------II---------疼 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -18- 1226085
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 態之電子零件之安裝方法，《中前述凸部係指_種呈網目 狀之虛設電極，且該虛設電極不影響前述電路形成體之前 述電子零件接合領域之電性配線。 若依本發明第49形態，則可提供一種如第扑或第”形 態之電子零件之安裝方法，其中前述凸部係指一種虛設電 極，該虛設電極不影響前述電路形成體之前述電子零件接 合領域之電性配線且設有前述接合材料可貫通之貫通孔。 若依本發明第50形態，則可提供一種電子零件安裝 體，其係依第30至第49形態中任一形態之電子零件安裝方 法而製造者。 若依本發明第51形態，則可提供一種電子零件安裝 體，其係以電子零件接合面上之多數電極及多數凸塊與電 路形成體之電子零件接合領域所具有之電極相互呈電性接 觸之狀態下，藉由含有樹脂之接合材料而將前述電子零件 至少接合於前述電路形成體上； 且’用以阻止前述接合材料朝前述電路形成體之前述 電子零件接合領域周邊部流動之接合材料阻流構件係設置 於前述電路形成體之前述電子零件接合領域中前述接合材 料不均勻流出之部分者。 若依本發明第52形態，則可提供一種如第51形態之電 子零件安裝體，其於前述電路形成體之前述電子零件接合 領域呈四邊形且該呈四邊形之前述電子零件接合領域中相 對之兩對邊各形成有前述多數凸塊時，前述接合材料阻流 構件係指一種設置於與無凸塊角落部對應之前述電路形成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -19-
1226〇85 五、發明說明（π 趙之前述電子零件接合領域角落部上，無需電性接合且用 以阻止前心落部中前述接合材料朝前述電路形成體之前 述電子零件接合領域周邊部流動之凸部。 若依本發明第53形態，則可提供一種如第51形態之電 子零件安裝體，其中前述接合材料阻流構件更於前述電路 形成體之前述電子零件接合領域上兩兩相鄰之電極中電極 間隔較其他電極間隔寬之部分設有凸部，該凸部無須電性 接合且係用以阻止前述接合材料於前述較寬間隔部分中朝 前述電路形成體之前述電子零件接合領域周邊部流動者。 右依本發明第54形態，則可提供一種如第52或第53形 態之電子零件安裝體，其係使為前述接合材料阻流構件之 前述凸部與前述電子零件側無須電性接合之虛設凸塊相接 觸者。 若依本發明第55形態，則可提供一種如第51至54形態 中任一形態之電子零件安裝體，其係於前述電路形成體之 則述電子零件接合領域之外側及前述電子零件領域接合領 域之周邊部上設有作為前述接合材料阻流構件用之有機 膜，而可阻止前述接合材料朝前述電路形成體之前述電子 零件周邊部流動者。 若依本發明第56形態，則可提供一種如第51至第55形 態中任一形態之電子零件安裝體，其於前述電路形成體之 前述電子零件接合領域呈四邊形且前述呈四邊形之前述電 子零件接合領域中央配置有一列之前述多數電極時，於前 述電路形成體之前述電子零件接合領域外側至前述中央之 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (tr先閱涂背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20- 1226085 A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一列前述多數電極㈣乃設有作為前述接合材料阻流構件 用之焊料光_膜，而可阻切述接合㈣朝前述電路形 成體之電子零件接合領域周邊部流動。 若依本發明第57形態，則可提供一種如第51至第冗形 f中任-形態之電子零件安裝體，其於前述電路形成體之 前述電子零件接合領域呈四邊形且前述呈四邊形之接合領 域中相對兩邊各形成有呈列&之前述多&凸塊冑，係設有 作為前述接合材料阻流構件用之有機膜，該有機膜係設置 於除前述電子零件與前述電極於接合上所必須之前述電極 之接合部外、前述電路形成體之前述電子零件接合領域外 側及前述電子零件接合領域全面上，而可阻止前述接合材 料朝前述電路形成體之前述電子零件接合領域周邊部流 動。 若依本發明第58形態，則可提供一種如第51至第57形 態中任一形態之電子零件安裝體，其於前述電路形成體之 前述電子零件接合領域外側周邊部上設有作為前述接合材 料阻流構件用之嵌條形成用凸部，而可阻止前述接合材料 朝前述電路形成體之前述電子零件接合領域周邊部流動且 形成用以覆蓋前述電子零件側面之嵌條。 若依本發明第59形態，則可提供一種如第58形態之電 子零件安裝體，其中前述嵌條形成用凸部係由1層以上之膜 所構成者。 若依本發明第60形態，則可提供一種如第58形態之電 子零件安裝體，其中前述嵌條形成用凸部係由1層以上之基 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐）
-2U 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226085 若依本發明第62形態，則可提供一種如第51至第㈣ 態中任-形態之電子零件安裝趙，其係於前述電路形成體 之前述電子零件接合領域㈣述接合㈣㈣有不均勾流 動之領域上設有作為前述接合材料阻流構件用之凸部，該 :部與前述電極大致厚度相同，且可阻止前述接合材料朝 前述電路形成ϋ之前述電子零件接合領域料部流動。 若依本發明第63形態，則可提供一種如第卿態之電 子零件安裝趙，其中前述凸部係指—種呈網目狀之虛設電 極，且該虛設電極不影響前述前述電路形成體之前述電子 零件接合領域之電性配線。 若依本發明第64形態，則可提供一種如第鄉態之電 子零件安裝If，其中前述凸部係—種虛設f極該虛設電 極不影響前述電路形成體之前述電子零件接合領域之電性 配線且設有前述接合材料可貫通之貫通孔。 若依本發明第65形態，則可提供一種電子零件之安裝 方法’係包含以下步驟，即：將含有樹脂之接合材料供至 電路形成體或電子零件至少其中之一上； 藉由前述接合材料將前述電子零件與前述電路形成體 定位’而使該電子零件接合面上多數凸狀電極與前述電路 本纸張尺度刺中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公爱)
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五、發明說明（2〇 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 形成體上電子零件接合領域之電極可相互電性接觸；及 藉加熱及加壓將前述電子零件熱壓接合後，於前述電 子零件之前述^狀電極與料電料成體之前述電極呈電 性接觸之狀態下使前述電子零件之前述接合面與前述電路 形成體間之前述接合材料硬化，以進行正式之加壓接合； 且，於前述正式加壓接合時，並藉於前述電子零件之 前述接合面或前述電路形成體之前述電子零件接合領域上 前述接合材料不均勻流出之部分設置接合材料阻流構件， 而可阻止前述接合材料朝前述電子零件之前述接合面或前 述電路形成體之前述電子零件接合領域周邊部流動。 圖示之簡單說明 本發明之前述及其他目的與特徵乃可藉所附圖之較佳 實施形態相關之以下記敘而清楚呈現。關於該等圖式之說 明如下。 第1A圖、第1B圖及第1C圖係說明圖，各自用以說明本 發明第1實施形態相關之電子零件之安裝方法之程序。 第2圖延續第1C圖，係一說明圖，用以說明本發明第1 實施形態相關之電子零件之安裝方法之程序；其亦為一透 視性平面圖，用以顯示依前述電子零件之安裝方法進行安 裝時’電子零件與電路基板間接合材料之流動狀態。 第3A圖及第3B圖係說明圖，各用以說明本發明第1實 施形態之習知例相關電子零件之安裝方法之程序。 第4A圖及第4B圖各延續第3B圖，係一說明圖，用以說 明習知例相關之電子零件之安裝方法之程序；其等亦為透 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -23- 1226085 A7 B7 五、發明說明（21 ) 視性平面圖，用以顯示依前述電子零件之安裝方法實行安 裝時，電子零件與電路基板間接合材料之流動狀態。 第5A圖、第5B圖及第5C圖係說明圖，各用以說明本發 明第2實施形態相關之電子零件之安裝方法之程序；第5D 圖係一透視性平面圖，用以說明依前述電子零件之安裝方 法進行安裝時，電子零件與電路基板間接合材料之流動狀 態。 第6A圖、第6B圖及第6C圖係說明圖，各用以說明本發 明第2實施形態之實施例相關電子零件之安裝方法之程 序；第6D圖係一透視性平面圖，用以說明依前述電子零件 之安裝方法進行安裝時，電子零件與電路基板間接合材料 之流動狀態。 第7A圖、第7B圖及第7C圖係說明圖，各用以說明本發 明第3實施形態之習知例相關電子零件之安裝方法之程序。 第8圖延續第7C圖，係一說明圖，用以說明本發明第3 實施形態相關之電子零件之安裝方法之程序；其亦為一透 視性平面圖，用以顯示依前述電子零件之安裝方法進行安 裝時，電子零件與電路基板間接合材料之流動狀態。 第9A圖、第9B圖及第9C圖係說明圖，各用以說明本發 明第3實施形態之習知例相關電子零件之安裝方法之程 序；第9D圖係一透視性平面圖，用以說明依前述電子零件 之安裝方法進行安裝時，電子零件與電路基板間接合材料 之流動狀態。 第10A圖、第10B圖及第10C圖係說明圖，各用以說 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · I------訂--— — — — — — — 一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -24- 1226085
五、發明說明（22 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明第4實施形態相關之電子零件之安裝方法之程序第 10D圖係一透視性平面圖，用以說明依前述電子零件之安 裝方法進行安裝時，電子零件與電路基板間接合材料之流 動狀態。 ^ 第11A圖、第11B圖及第lie圖係說明圖，各用以說明 本發明第4實施形態之習知例相關電子零件之安裝方法之 程序，·第11D圖係一透視性平面圖，用以說明依前述電子 零件之安裝方法進行安裝時，電子零件與電路基板間接合 材料之流動狀態。 第12A圖、第12B圖及第12C圖係說明圖，各用以說明 本發明第5實施形態相關之電子零件之安裝方法之程序；第 12D圖係說明圖，用以說明於第12C圖之狀態下，由與第12C 圖相差90度之方向所見程序。 第13圖延續第12D圖，係一透視性平面圖，用以顯示 依本發明第5實施形態相關之前述電子零件之安裝方法進 行安裝時，電子零件與電路基板間接合材料之流動狀態。 第14A圖、第14B圖及第14C圖係說明圖，各用以說明 本發明第5實施形態之習知例相關電子零件之安裝方法之 程序。 第15 A圖延續第14C圖，係一說明圖，用以說明本發明 第5實施形態之習知例相關電子零件之安裝方法之程序；第 15B圖係一透視性平面圖，用以說明依前述電子零件之安 裝方法進行安裝時，電子零件與電路基板間接合材料之流 動狀態。 各紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^--------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -25- 1226085
五、發明說明（23 第16A圖及第16B圖係說明圖，各用以說明本發明第6 實施形態相關電子零件之安裝方法之程序。 第17圖延續第16B圖，係一側面圖，用以顯示依本發 明第6實施形態相關前述電子零件之安裝方法進行安穿 時，電子零件與電路基板間接合材料之流動狀態。 第18A圖及第18B圖係說明圖，各用以說明本發明第6〜 第9實施形態之實施例相關電子零件之安裝方法之程序。 第19圖延續第18B圖，係一側面圖，用以顯示依本發 明第6〜第9實施形態之習知例相關電子零件之安裝方法進 行安裝時，電子零件與電路基板間接合材料之流動狀態。 第2 0A圖及第20B圖係說明圖，各用以說明本發明第7 實施形態相關電子零件之安裝方法之程序。 第21圖延續第20B圖’係一側面圖，用以顯示依本發 明第7實施形態相關之前述電子零件之安裝方法進行安裝 時，電子零件與電路基板間接合材料之流動狀態。 第22A圖及第22B圖係說明圖，各用以說明本發明第8 實施形態相關電子零件之安裝方法之程序。 第23圖延續第22B圖，係一側面圖，用以顯示依本發 明第8實施形態相關之前述電子零件之安裝方法進行安裝 時’電子零件與電路基板間接合材料之流動狀態。 第24A圖及第24B圖係說明圖，各用以說明本發明第9 實施形態相關電子零件之安裝方法之程序。 第25圖延續第24B圖，係一側面圖，用以顯示依本發 明第9實施形態相關之前述電子零件之安裝方法進行安裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂-------I I 一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -26· 1226085 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（24 ) 時，電子零件與電路基板間接合材料之流動狀態。 第26圖係一說明圖，用以說明前述實施形態中虛設凸 塊之配置部位。 第27A圖、第27B圖、第27C圖、第27D圖及第27E圖係 說明圖，各用以顯示於前述實施形態中，使用作為1C晶片 安裝方法例示用之無銷凸塊（NSD)形式之安裝方法。 第28F圖及第28G圖延續第27E圖，係一說明圖，各用 以顯示前述實施形態中1C晶片之安裝方法。 第29H圖、第291圖及第29J圖各延續第28G圖，係一說 明圖，用以顯示前述實施形態中1C晶片之安裝方法。 第30A圖、第30B圖、第30C圖、第30D圖、第30E圖、 第30F圖及第30G圖係說明圖，各用以顯示前述實施形態之 安裝方法中，使用引線接合器之1C晶片之凸塊形成程序。 第31A圖、第31B圖及第31C圖係說明圖，各用以顯示 前述實施形態相關之安裝方法中，電路基板與1(：晶片之接 合程序。 第32A圖、第32B圖及第32C圖係說明圖，各用以說明 本發明第2實施形態變形例相關之電子零件之安裝方法之 程序；其等亦為透視性平面圖，用以顯示依前述電子零件 之安裝方法進行安裝時，電子零件與電路基板間接合材料 之流動狀態。 第33圖延續第1C圖，係一說明圖，用以說明本發明第 2實施形態變形例相關之電子零件之安裝方法之程序；其亦 為透視性平面圖，用以顯示依前述電子零件之安裝方法、 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)
-27- 1226085 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（25 ) 行安裝時，電子零件與電路基板間接合材料之流動狀態。 第34A圖及第34B圖各自係本發明第1〇實施形態相關 之1C晶片安裝方法之接合程序前電路基板之側面圖及平面 圖。 第35A圖及第35B圖各自係第1〇實施形態相關之IC晶 片安裝方法之加壓接合程序下，1C晶片、電路基板與接合 材料之部分截面側面圖及透視1C晶片而顯示電路基板上接 合材料動向之平面圖。 第36圖係第10實施形態相關之1(：晶片安裝方法之加壓 接合程序下，將1C晶片、電路基板與接合材料作部分擴大 之部分截面側面圖。 第37A圖及第37B圖各自係用以說明第1〇實施形態之 習知例相關之1C晶片安裝方法之接合程序前，前述電路基 板之側面圖及平面圖。 第38A圖及第38B圖各自延續第37B圖，係習知例相關 之ic晶片安裝方法之加壓接合程序下，IC晶片、電路基板 與接合材料之部分截面側面圖及透視1(：晶片而顯示電路基 板上接合材料動向之平面圖。 第39圖延續第38B圖，係習知例相關之IC晶片之安裝 方法之加壓接合程序下，將1C晶片、電路基板與接合材料 作部分擴大之部分截面側面圖。 第40A圖及第40B圖各自係本發明第11實施形態相關 之1C晶片安裝方法之接合程序前，IC晶片之側面圖及平面 圖〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 装 訂---------線| -28- 1226085 A7 B7
•I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（26 ) 第41A圖及第41B圖各自係第11實施形態相關之1(：晶 片安裝方法之接合程序前電路基板之側面圖及顯示加壓接 合程序下接合材料之流動狀態並透視IC晶片而顯示電路基 板上接合材料動向之平面圖。 第42圖係於第丨丨實施形態相關之IC晶片安裝方法之加 壓接合程序中，將1C晶片、電路基板與接合材料作部分擴 大之部分截面側面圖。 第43A圖及第43B圖係用以說明第11實施形態知習知 例相關之電子零件安裝方法之接合程序前，IC晶片之側面 圖及裏面圖。 第44A圖延續第43B圖，係習知例相關之電子零件安裝 方法之接合程序前電路基板之側面圖；第44B圖係一平面 圖，，用以顯示習知例之加壓接合程序中接合材料之流動狀 態’且透視1C晶片而顯示電路基板上之接合材料之動向。 第45圖延續第44B圖，係於習知例相關之電子零件安 裝方法之接合程序中，將IC晶片、電路基板及接合材料作 部分擴大之部分截面側面圖。 第46A圖及第46B圖係本發明第12實施形態相關1(：晶 片安裝方法之接合程序前，前述電路基板之側面圖及平面 圖；第46C圖係前述加壓接合程序中1(：晶片、電路基板及 接合材料之部分截面斷面圖。 第47圖係於前述第12實施形態相關之前述1(：晶片安裝 方法之前述接合程序中，將IC晶片、電路基板及接合材料 作部分擴大之部分擴大截面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） — — — — — — --------訂----！11· *5^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -29- A7 1226085 _____B7_____ 五、發明說明（27 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第48A圖及第48B圖各自係用以說明前述實施形態12 之習知例相關之電子零件安裝方法之接合程序前，前述電 路基板之側面圖及平面圖；第48C圖係於前述習知例之加 壓接合程序中，1C晶片、電路基板及接合材料之部分斷面 截面圖。 第49圖係第48圖之前述習知例之加壓接合程序中，將 1C晶片、電路基板及接合材料做部分擴大之部分截面側面 圖。 第50A圖及第50B圖各自係本發明第13實施形態相關 之1C晶片安裝方法之接合程序前，前述IC晶片之側面圖及 裏面圖。 第51圖係一平面圖，用以顯示前述第13實施形態相關 之1C晶片安裝方法之加壓接合程序中接合材料之流動狀 態’並透視1C晶片而顯示電路基板上之接合材料之動向。 第52圖係前述第13實施形態相關之1(：晶片安裝方法之 加壓接合程序中，1C晶片、電路基板及接合材料之部分截 面側面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第53A圖及第53B圖係用以前述實施形態13之習知例 相關之ic晶片安裝方法之接合程序前，前述IC晶片之側面 圖及裏面圖。 第54圖係一平面圖，用以顯示第53圖之習知例之加壓 接合程序中接合材料之流動狀態，並透視1C晶片而顯示電 路基板上接合材料之動向。 第55圖係第53圖之習知例之加壓接合程序中，1C晶 各紙張尺度適用中國國家標準（CI^A4^^210了297公爱）-- " -30- 1226〇85 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五·、發明說明（28) 片、電路基板及接合材料之部分截面側面圖。 第56A圖及第56B圖各自係本發明第14實施形態相關 之ic晶片安裝方法之接合程序前，前述IC晶片之側面圖及 •裏面圖。 第57圖係一平面圖，用以顯示前述第14形態相關之IC 日曰片女裝方法之接壓接合程序中接合材料之流動狀態，並 透視1C晶片而顯示電路基板上接合材料之動向。 第58 A圖及第5 8B圖各自係用以說明第丨4實施形態之 習知例相關之ic晶片安裝方法之接合程序前，前述IC晶片 之側面圖及裏面圖。 第59圖係一平面圖，用以顯示第58A圖及第58B圖之習 知例之加壓接合程序中接合材料之流動狀態，並透視1(：晶 片而顯示電路基板上接合材料之動向。 第60A圖及第60B圖各自係本發明第15實施形態相關 之1C晶片安裝方法之接合程序前，電路基板之側面圖及平 面圖；第60C圖係加壓接合程序中，將IC晶片、電路基板 及接合材料作部分擴大之部分截面側面圖。 第61圖係第15實施形態相關之1(：晶片安裝方法之加壓 接合程序中，將1C晶片、電路基板及接合材料作部分擴大 之部分截面側面圖。 第62A圖及第62B圖各自係用以說明第15實施形態之 習知例相關之1C晶片安裝方法之接合程序前，前述電路基 板之側面圖及平面圖；第62C圖係前述習知例之加壓接合 程序中’ 1C晶片、電路基板及接合材料之部分截面側面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------^--------t---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -31- 1226085 A7 B7 五、發明說明（29 ) 第63圖係第62A圖、第62B圖及第62C圖之習知例之加 壓接合程序中，1C晶片、電路基板及接合材料之部分戴面 側面圖。 第64A圖及第64B圖各自係本發明第16實施形態相關 1C晶片安裝方法之接合程序前，電路基板之側面圖及平面 圖；第64C圖係加壓接合程序中1C晶片、電路基板及接合 材料之部分截面側面圖。 第65圖係一平面圖，用以顯示加壓接合程序中接合材 料之流動狀態，並透視1C晶片而顯示電路基板上接合材料 之動向。 第66A圖及第66B圖係用以說明第16實施形態之習知 例相關之1C晶片安裝方法之接合程序前，電路基板之側面 圖及平面圖；第66C圖係加壓接合程序中ic晶片、電路基 板及接合材料之部分截面側面圖。 第67圖係一平面圖，用以顯示第66A圖、第66B圖及第 66C圖之習知例之加壓接合程序中接合材料之流動狀態， 並透視1C晶片而顯示電路基板上接合材料之動向。 第68A圖及第68B圖各自係本發明第17實施形態相關 之1C晶片安裝方法之接合程序前，電路基板之側面圖及平 面圖。 第69A圖及第69B圖各自係第π實施形態相關之IC晶 片安裝方法之加壓接合程序中，1C晶片、電路基板及接合 材料之部分截面側面圖及部分擴大截面側面圖。 第70圖係一平面圖，用以顯示加壓接合程序中接合 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，裝--------訂---------線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -32- 1226085 A7 B7 五、發明說明（3〇 ) 料之流動狀態，並透視1C晶片而顯示電路基板上接合材料 之動向。 •第71圖係用以說明第16實施形態之對照例相關之1C晶 • 片安裝方法之加壓接著程序中1C晶片、電路基板與接合材 料之部分擴大截面側面圖。 第72圖係用以說明第16實施形態之對照例相關之晶片 安裝方法之加壓接合程序中1C晶片、電路基板及接合材料 之部分擴大截面側面圖。 第73A圖及第73B圖各自係本發明第18實施形態相關 之1C晶片安裝方法之接合程序前，電路基板之側面圖及平 面圖。 第74A圖及第74B圖各自係第18實施形態相關之1C晶 片安裝方法之加壓接合程序中，將1C晶片、電路基板及接 合材料作部分擴大之部分截面側面圖。 第75圖係本發明第19實施形態相關之1C晶片安裝方法 之接合程序前電路基板之平面圖。 第76圖係第19實施形態相關之1C晶片安裝方法之加壓 接合程序中，將1C晶片、電路基板及接合材料作部分擴大 之部分載面側面圖。 第77圖係一平面圖，用以說明第19實施形態之習知例 相關1C晶片安裝方法之接合程序前之電路基板。 第78圖係第77圖之習知例之加壓接合程序中，將1C晶 片、電路基板及接合材料作部分擴大之部分截面側面圖。 第79圖係一說明圖，用以說明前述實施形態中虛設凸 參紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) _ - ;線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -33- 1226085 A7 _ B7 五、發明說明（31 ) 塊之配置部位。 第80A圖、第80B圖 '第80C圖、第80D圖、第80E圖、 第80F圖及第80G圖係說明圖，各自用以顯示前述實施形態 之女裝方法中’使用引線接合器之1C晶片之凸塊形成程序。 第81A圖、第81B圖、第81C圖、第8id圖及第圖係 說明圖，各自用以顯示於前述實施形態中，使用作為IC晶 片安裝方法例示用之無銷凸塊（NSD)形式之安裝方法。 第82F圖及第82G圖延續第60圖，係說明圖，各自用以 顯示前述實施形態中1C晶片之安裝方法。 第83H圖、第831圖及第83J圖延續第61圖，係說明圖， 各自用以顯示前述實施形態中1C晶片之安裝方法。 第84A圖、第84B圖及第84C圖係說明圖，各自用以顯 示前述實施形態相關安裝方法中，電路基板與1C晶片之接 合程序。 第85A圖及第85B圖各自係本發明第11實施形態之變 形例相關之1C晶片安裝方法之接合程序前，1C晶片之側面 圖及平面圖。 本發明之最佳實施形態 繼續本發明之記敘前，於附圖上對同一零件乃標上相 同之參閱符號。 以下，依圖式詳細說明本發明相關之實施形態。又， 於各平面圖中，為圖簡略化而以四邊形顯示各凸塊及虛設 凸塊，但其等實際之形狀並不限於此。 (第1實施形態） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -! I I I I I 訂·111!111 15^ - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -34-
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1226085 將作為本發明第1實施形態相關電子零件之安裝方法 及依該方法而製造之電子零件安裝體例示用之1(:晶片之安 裝方法及依此方法製造之1(:晶片安裝體以第以圖、第⑺圖 及第1C圖〜第2圖加以說明。第1A圖及第1B圖係第J實施形 態相關之ic晶片安裝方法之接合程序前，前述IC晶片之側 面圖及裏面圖；第1C圖係接合程序中ic晶片、電路基板及 接合材料之側面圖。第2圖係一平面圖，用以顯示加壓接合 程序中接合材料之流動狀態，並透視1(：晶片而顯示電路基 板上接合材料之動向。又，第3A圖及第紐圖係用以說明第 1實施形態之習知例相關之電子零件安裝方法之接合程序 前，前述1C晶片之側面圖及裏面圖。第4八圖係接合程序中 1C晶片、電路基板及接合材料之側面圖；第43圖係一平面 圖，用以顯示加壓接合程序中接合材料之流動狀態，並透 視1C晶片而顯示電路基板上接合材料之動向。 刖述1C晶片之安裝方法如第1八圖、第16圖、第lc圖及 第2圖所示，於作為電子零件例示用之正方形或長方形之Ic 晶片1(第1A圖、第1B圖及第1C圖中為正方形之1(：晶片）之 結合面中，除其四隅之角落部外，係於四邊之各邊部之端 緣附近部分上具有與邊大致平行且大略等間隔之一列凸塊 2、…、2者，而於1C晶片i之接合面上前述邊部附近無凸塊 2之部位（第1B圖係IC晶片以四邊中，上下兩邊之邊部附近 中無凸塊2之部位）上形成作接合材料阻流構件用之虛設凸 塊3，藉該虛設凸塊3以阻止接合材料5之流動。 習知者係如第3A圖、第把圖、第4A圖及第仞圖所示， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） ^--------^---------Μ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -35-
1226〇85 五、發明說明（％) 各於正方形之1C晶片101中相對兩邊（第3圖係上下兩邊）之 邊部附近中電極1〇4、…、1〇4上，大約等間隔地配設有凸 塊102、…、1〇2，其中，假設有欠缺凸塊1〇2之位置1〇3， 換5之’即假設兩兩相鄰凸塊丨〇2、i 〇2中具有凸塊間隔較 其他凸塊間隔寬之寬幅間隔部分103。如前述般，凸塊 i〇2、…、1〇2配置在iC晶片ι〇1上之狀態下，將接合材料1〇5 供至電路基板1〇6後，如第4A圖及第4B圖所示，於接合面 之電極104上形成有凸塊102之ic晶片101的前述接合面與 前述電路基板106間，係藉前述接合材料105使前述IC晶片 1〇1之前述電極104上之前述凸塊1〇2與前述電路基板1〇6之 電極107呈電性接觸而接合，將前述電路基板1〇6載置於基 台11〇上，使已加熱之按壓構件1〇8直接接觸於IC晶片1〇1 上後再施壓’藉此於加熱及加壓狀態下將前述JC晶片1 〇 j 加壓接合’而使刖述1C晶片ιοί之前述接合面與前述電路基 板106間之前述接合材料1〇5硬化。此時，接合材料1〇5將由 大致成等間隔配列之凸塊1 〇2、…、1 〇2間之間隙中欠缺凸 塊102之較寬間隔部分1 〇3大量流至前述IC晶片1 〇丨之前述 接合面周邊部上，因此接合材料之密度於IC晶片1〇1之中央 部分將較其他部分者為低，而使接合力與密封力降低。 為防止前述之接合力及密封力降低，第1實施形態中， 於前述接合材料供給程序前，如第1A圖及第1B圖所示般， 各於1C晶片1之四邊中相對兩邊（第1B圖係上下兩邊）之邊 部附近内，凸塊2、…、2大致配列呈等間隔，其中，於欠 缺凸塊2之寬幅間隔部分（參閱第3A圖、第3B圖、第4A圖及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------1--------- (皆先閱t»·背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -36- 1226085 A7 B7 Φ 經濟部智慧財產局員工，消費合作社印製 五、發明說明（34 ) 第4B圖之103)，換言之即兩兩相鄰凸塊2、2中凸塊間隔較 其他凸塊間隔為寬之位置上與其他凸塊2相同地形成虛設 凸塊3，而使凸塊2大致配列成等間隔。結果，1C晶片1之前 述相對兩邊（第1B圖係上下兩邊）將成為與1C晶片1之其他 相對兩邊（第1B圖係左右兩邊）相同之狀態，即各於邊部附 近上不欠缺凸塊2且凸塊2、…、2大致配置成等間隔狀。 又，形成各凸塊2及各虛設凸塊3之方法則有後述之如 第30A圖〜第30G圖所示之凸塊形成方法等。 以如前述般形成有凸塊2、…、2之狀態下，於接合材 料供給程序中，至少將含有樹脂之接合材料5供至1C晶片1 之接合面或作為電路形成體例示用之電路基板6之1C晶片 接合領域6a中至少一者上。接合材料5之供給方法於接合材 料5為液體時係藉塗佈進行之，而接合材料5呈片狀等固體 時則藉載置或貼合而進行之。 接合材料之例示於其為液體時則有異向性導電糊或密 封樹脂糊等，其為固體狀時則有片狀之異向性導電模或密 封樹脂膜等。 又，本說明書中所謂電路形成體係指樹脂基板、紙_ 苯酚基板、陶瓷基板、膠膜基板及玻璃環氧基板等電路基 板、單層基板或多層基板等電路基板、零件、框體或外框 等形成有電路之對象物。 接著於接合程序中，使電路基板6之1C晶片接合領域6a 挾接合材料5而與1C晶片1之接合面重疊，並於前述各電極4 上形成有凸塊之1C晶片1的前述接合面與前述電路基板6之 ------装·-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·. --線. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -37- 1226085
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--------1--------- (tt先閱t#.背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明說明（35 ) 1C晶片接合領域^間，藉前述接合材料5使前述IC晶片1之 前述各電極4上之前述凸塊2與前述電路基板6之各電極7呈 電性接觸而加以定位後並進行接合。該接合程序可於電路 基板ό載置於基台10上之狀態下進行，亦可於其他部位藉接 合材料5使1C晶片1重疊於電路基板6上進行接合程序後，於 正式加壓接合程序中藉接合材料5使重疊有1(：晶片1之電路 基板6載置於基台1〇上。 接著，於正式加壓接合程序中，使按壓構件8直接接觸 於1C晶片上卜而使按壓構件8朝向載置有藉接合材料$而與 1C晶片1重疊之電路基板6之基台1〇施加按壓力，同時，使 内藏於按壓構件8内之加熱器所產生之熱能由按壓構件8傳 達至1C晶片1。結果，藉於預定溫度下使預定之加壓力作 用’而將1C晶片1之接合面按壓於電路基板6之IC晶片接合 領域6a，藉此使ic晶片！接合面上各電極4之凸塊2較接合程 序時更接觸於電路基板6之1C晶片接合領域6a内之各電極 7。此時，將前述ic晶片1之前述接合面與前述電路基板6 之ic晶片接合領域6a間之前述接合材料5由前述IC晶片1之 前述接合面之中央部朝周邊部押出。於此，如前述般將虛 設凸塊3配置於欠缺凸塊2之寬幅間隔部分，結果於…晶片！ 之則述接合面各邊之邊部附近中，任一邊之邊部附近均同 樣地大略等間隔配置有凸塊2、…、2及虛設凸塊3,如第2 圖之箭號所示般，各邊之邊部附近均同樣地可阻止接合材 料5由中央部朝向周邊部流動，而可防止接合材料5不均勻 地流動，且將接合材料5保持在至少大致均勻分布於…晶
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1226085 五、發明說明（36 ) 1之全體接合面上並藉前述之熱使其硬化，進而可製造IC 晶片安裝體。即，於前述正式加壓接合程序中，藉於前述 1C晶片1上設置虛設凸塊3,而可於前述Ic晶片i之前述接合 面由中央部朝向周邊部進行加壓接合時，阻止前述接合材 料5不均勻地押出。 作為前述接合材料阻流構件之例，各虛設凸塊3之高度 宜為1C晶片1與電路基板6結合後，IC晶片j與電路基板6間 之間隔之10%〜30%，舉一例言之則宜為2〇%。具體之數值 例則為，接合後1C晶片1與電路基板6間之間隔之高度尺寸 為30μιη〜40μπι時，使虛設凸塊之高度為7μηι程度。 各虛没凸塊3宜為具有耐熱性者。作為耐熱性之一例， 舉例吕之，係指於無須圓滑熱處理（refl〇w)程序時可於2⑼ °C下耐20秒程度之熱，而通過圓滑熱處理程序時可於25〇 °C下耐10秒程度之熱之性質。 又接合材料5不限於僅由絕緣性之熱硬化性樹脂構成 者，可使絕緣性樹脂中含有含導電性粒子之導電性材料， 亦可使其含無機填料。該等接合材料5中，無論係含有導電 性材料或無機填料時，均藉虛設凸塊3使加壓接合時樹脂之 流動於1C晶片1之接合面内得以均勻化，而可均勻配置導電 性材料或無機填料。對此，無虛設凸塊3時，於添加無機填 料之樹脂中’若加壓接合時樹脂之流動不均勻，則無機填 料將變得有疏有密，將因部分樹脂物性不同而易使品質劣 化，而於添加有導電性材料之樹脂中，若加壓接著時樹脂 之流動不均勻，導電性材料將變得有疏有密而發生部分短 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I----I ^--------^--— II---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經请部智慧財產局員工消費合作社印製 -39- 1226085 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（37 路ο 又，前述說明中，雖記載於接合程序中使IC晶片1之各 凸塊2與電路基板6之各電極7接觸，但本發明並不限於此， 接口程序中可使1C晶片1之各凸塊2與電路基板6之各電極7 不接觸’而於正式加壓接合程序中首次使Μ ^之各凸塊 2與電路基板6之各電極7相接觸。 依前述第1實施形態，其於正方形或長方形之IC晶片i 之接合面上，除四隅之角落部外，於四邊之各邊邊部附近 上具有大致等間隔之-列凸塊2、、2,藉於IC晶片】之接 合面上前述邊之邊部附近無凸塊2之部位形成虛設凸塊3, 可使凸塊2、…、2之配列狀態大致與IC晶片】各邊之邊部附 近相同，而於前述加壓接合程序中前述IC晶片i之前述接合 面與前述電路基板6之IC晶片接合領域㈣之前述接合材 料5由中央部分朝周邊部流動時，虛設凸塊3可作為接合材 料阻流構件發揮機能，而可大致使前述接合材料5於^晶片 1各邊邊部附近上由中央部朝周邊部均勻流動，且使IC晶片 1之接合面内之接合材料5均句分布’進而提高密著力及接 合與密封之可靠性。 作前述接合材料阻流構件例示用之虛設凸塊於IC晶片 1接合面上之配置位置並不限於前述相對之一對邊部附 近，而僅需與其他凸塊2相同地將虛設凸塊3形成於任一邊 部附近之凸塊2、…、2之列中兩兩相鄰凸塊2、…、2之間 隔較其他凸塊間隔寬之位置上，使凸塊2大致等間隔地配列 即可。 本紐尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G X 297公髮)'------ -40- I I I I I I I I I ·1111111 ^ ·11111111 (皆先閱t#·背面之注意事項再填寫本頁) # 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226085 A7 B7 五、發明說明（38 ) 又，本發明並不限定於前述實施形態，而可如下所示， 以其他種種樣態加以實施。 (第2實施形態） 係以第5A圖、第5B圖、第5C圖及第5D圖說明1C晶片 之安裝方法及依該方法而製造之1C晶片安裝體，其係作為 本發明第2實施形態相關之電子零件之安裝方法及依該方 法而製造之電子零件安裝體之例示用者。第5A圖及第5B圖 係第2實施形態相關之1C晶片安裝方法之接合程序前前述 1C晶片之側面圖及裏面圖；第5C圖係接合程序中1C晶片、 電路基板與接合材料之側面圖；第5D圖係一平面圖，用以 顯示加壓接合程序中接合材料之流動狀態，並透視1(：晶片 而顯示電路基板上接合材料之動向。又，第6A圖及第6B圖 係用以說明第2實施形態之習知例相關IC晶片安裝方法之 接合程序前，前述1C晶片之側面圖及裏面圖；第6C圖係接 合程序中1C晶片、電路基板及接合材料之側面圖；第6£)圖 係一平面圖’用以顯示加壓接合程序中接合材料之流動狀 態，並透視1C晶片而顯示電路基板上接合材料之動向。 前述第1實施形態中，正方形或長方形之IC晶片1四邊 之各邊邊部附近上具有一列凸塊2、…、2 ,但本發明並不 限於此。舉例言之，於第2實施形態中，如第5A圖〜第5D 圖所不’作為電子零件例示用之長方形IC晶片丨丨之接合面 上’僅於四邊中相對兩邊（第5B圖係左右兩邊）之邊部附近 具有各自與邊大致平行且大致呈等間隔之一列凸塊 12、…、12 ’且僅於IC晶片11接合面上殘餘兩邊（第5B圖係 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)XIi^；撕公楚） ---------I 11 I --------訂 ----— In (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 41- 1226085 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（39 ) 上下兩邊）之邊部附近，即，無凸塊2之部分上，各自形成 作為接合材料阻流構件例示用之與邊大致平行且大致呈等 間隔之虛設凸塊13、…、13，並藉該虛設凸塊13阻止接合 材料15之流動。 習知技術係如第6 A〜6D圖所示般，假設各自於長方形 1C晶片111之相對兩邊（第6B圖中係左右兩邊）邊部附近之 電極114、…、114上大略等間隔地配列有凸塊112、…、112 , 但1C晶片111接合面上殘餘兩邊（第6B圖係上下兩邊）之邊 部附近113、…、113上卻完全無凸塊112。如前述般，凸塊 112、…、112配置於1C晶片111上之狀態下，將接合材料115 供至電路基板116後即藉前述接合材料115，於接合面之電 極114上形成有凸塊112之1C晶片111的前述接合面與前述 電路基板116間，使前述1C晶片111之前述電極114上前述凸 塊112與前述電路基板丨16之電極117呈電性接觸而接合，並 將前述電路基板116載置於基台120上，使已加熱之按壓構 件118直接接觸1C晶片111後對其加壓，藉此於加熱及加壓 狀態下加壓接合前述1C晶片111，並使前述1C晶片111之前 述接合面與前述電路基板116間之前述接合材料115硬化。 此時，相較於大致等間隔地配置有凸塊112、…、112之邊 部附近，接合材料11 5將由欠缺凸塊112之位置113之邊部附 近大量流出至前述1C晶片111之前述接合面周邊部上，而導 致1C晶片111中央部分之接合材料115密度降低，進而使接 合力與密封力降低。 為防止前述之接合力及密封力降低，第2實施形態中， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 11--· 11-----^-------- (皆先閱沐背面之注意事項再填寫本頁) »42- 1226〇85
五、發明說明（4〇 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於前述接合材料供給程序前，如第5A圖及第5B圖所示般， 各於長方形晶片11之無凸塊12且相對之兩邊（第5A圖及第 5B圖中係上下長邊之兩邊）之邊部附近，即邊部附近113、 113上，與其他配列有凸塊12、…、12之短邊邊部附近相同， 大致等間隔形成一列虛設凸塊13、…、13。結果，長方形 1C晶片11之前述相對兩邊（第5B圖係左右短邊之兩邊）之邊 部附近及長方形1C晶片11之其他相對兩邊（第5B圖係上下 長邊之兩邊）之邊部附近將不致全無凸塊，而成為所有邊部 附近上各自大致均勻地配列有一列凸塊12、…、12或虛設 凸塊13、…、13之狀態。 又，形成各凸塊12及各虛設凸塊13之方法係與第1實施 形態相同。 於如則述般凸塊12、…、12或虛設凸塊13、…、13之 列形成於長方形1C晶片11各邊部附近之狀態下，接合材料 供給程序中，至少將含絕緣性之熱硬性樹脂之接合材料i 5 供至1C晶片11之接合面或作為電路形成鱧例示用之電路基 板16之1C晶片接合領域16a中至少一者。接合材料15之供給 方法係與第1實施形態相同。 接著，於接合程序中，挾接合材料15而使電路基板16 之1C晶片接合領域16a與1C晶片11之接合面重叠，前述各電 極14上形成有凸塊12之1C晶片11之前述接合面與前述電路 基板16之1C晶片接合領域16a間係藉前述接合材料15而使 前述1C晶片11之前述各電極14上之前述凸塊12與前述電路 基板16之各電極17呈電性接觸而對位後接合。該接合程序 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ·1111111 ^ ·111111-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -43- 1226085
五、發明說明（41 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可於電路基板16載置於基台20上之狀態下進行，亦可於其 他部位藉接合材料15使1C晶片11重疊於電路基板16上而進 行接合程序後，於正式之加壓接合程序中，使藉接合材料 15而與1C晶片11重疊之電路基板16載置於基台20上。 接著，於正式加壓接著程序中，使按壓構件18直接接 觸1C晶片11，使按壓構件18朝向載置有藉接合材料15而與 1C晶片11重疊之電路基板16之基台20施加按壓力，同時， 使内藏於按壓構件18内之加熱器所產生之熱能由按壓構件 18傳達至1C晶片11。結果，藉於預定溫度下使預定之加壓 力發生作用，而將1C晶片11之接合面按壓於電路基板16之 1C晶片接合領域16a，藉此使1C晶片11接合面上各電極14 之凸塊12接觸於電路基板16之1C晶片接合領域16a内之各 電極17。此時，將前述1C晶片11之前述接合面與前述電路 基板16之1C晶片接合領域16a間之前述接合材料15由前述 1C晶片11之前述接合面之中央部朝周邊部押出。於此，如 前述般將虛設凸塊13配置於欠缺凸塊12之位置，結果於ic 晶片11之前述接合面各邊之邊部附近中，任一邊之邊部附 近均同樣地大致等間隔配置有凸塊12、…、12及虛設凸塊 13，如第5D圖之箭號所示般，各邊之邊部附近均同樣地可 阻止接合材料15由中央部朝向周邊部流動，而可防止接合 材料15不均勻地流動，且將接合材料15保持至少大致均勻 分布於1C晶片11之全體接合面上並藉前述之熱使其硬化， 進而可製造1C晶片安裝體。即，於前述正式加壓接合程序 中，藉於前述1C晶片11上設置虛設凸塊13、…、13，而可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------^---------^ (tr先閱t#*背面之注意事項再填寫本頁) -44- 1226085 A7 五、發明說明（42 ) 於刖述1C晶片11之前述接合面由中央部朝向周邊部進行加 壓接合時，阻止前述接合材料15不均勻地押出。 作為刖述接合材料阻流構件例示用之各虛設凸塊1 3之 咼度、各虛設凸塊13之耐熱性及接合材料丨5之例則與第j 實施形態相同。 又’前述說明中’接合程序時1C晶片11之各凸塊12雖 與電路基板16之各電極17接觸，但本發明並不限於此，接 合程序中亦可使ic晶片11之各凸塊12與電路基板16之各電 極17不接觸’而於正式加壓接著程序中初次使IC晶片^之 各凸塊12與電路基板16之各電極17接觸。 訂 若依前述第2實施形態，其於長方形IC晶片丨丨之接合面 上，除四隅之角落部外，於四邊之各邊邊部附近上具有大 致等間隔之一列凸塊12、…、12，藉於1C晶片11之接合面 上前述邊之邊部附近無凸塊丨2之部位形成虛設凸塊 13、…、13，可使凸塊12、…、12之配列狀態大致與1(：晶 片11各邊之邊部附近相同，而於前述加壓接合程序中前述 1C晶片11之前述接合面與前述電路基板16之1(：晶片接合領 域16a間之前述接合材料丨5由中央部分朝周邊部流動時，虛 β又凸塊13可作為接合材料阻流構件發揮機能，而可大致使 前述接合材料15於1C晶片11各邊邊部附近上由中央部朝周 邊部均勻流動，且使1C晶片11之接合面内之接合材料丨5均 勻分布，進而提高密著力及接合與密封之可靠性。 又’若使前述虛設凸塊13、…、13之配置間隔與凸塊 12、…、12之配置間隔大致相等，則四個邊部附近均同樣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -45- 1226085 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（43 ) 地成為似形成有凸塊12、…、12之狀態，而更可使前述接 合材料15之由中央部朝周邊部之流動大致均勻化。但本發 明不僅限於此，為較完全無前述虛設凸塊13、…、13存在 時更提高均勻度，虛設凸塊13、…、13之配置間隔亦可較 凸塊12、…、12之配置間隔大。 (第3實施形態） 將作為本發明之第3實施形態相關之電子零件之安裝 方法及依該方法製造之電子零件安裝體例示用之IC晶片之 安裝方法及依該方法製造之1C晶片安裝體依第7A圖、第7B 圖、第7C圖及第8圖加以說明。 第7A圖及第7B圖係第3實施形態相關1C晶片安裝方法 之接合程序前，前述1C晶片之側面圖及裏面圖；第7C圖係 接合程序中1C晶片、電路基板及接合材料之側面圖。第8 圖係一平面圖，用以顯示加壓接著程序中接合材料之流動 狀態’並透視1C晶片而顯示電路基板上接合材料之動向。 又’第9A圖及第9B圖係用以說明第3實施形態之習知例相 關ic晶片安裝方法之接合程序前，前述IC晶片之側面圖及 裏面圖·’第9C圖係接合程序中1C晶片、電路基板與接合材 料之側面圖；第9D圖係一平面圖，用以顯示加壓接著程序 中接合材料之流動狀態，並透視1C晶片而顯示電路基板上 接合材料之動向。 前述第1實施形態及第2實施形態中，正方形或長方形 之1C晶片i、u之四邊各邊邊部附近上具有一列凸塊2、…、 2、12、··.、12，且於該各邊之邊部附近之欠缺一列凸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵G χ 297公爱） I I I I --------訂-------- (貧先閱1**背面之注意事項再填寫本頁) -46- 1226085 A7 B7 五、發明說明（44 ) --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 部位上配置有虛設凸塊3、13 ;但本發明並不限於此。舉例 言之，第3實施形態中，如第7及第8圖所示，於正方形1C 晶片21之接合面上除其四隅之角落部附近外，四邊之各邊 邊部上具有一列凸塊22、…、22，而於1C晶片21之接合面 上四隅之各角落部附近，即原本無凸塊之部分，形成作接 合材料阻流構件用之虛設凸塊23，藉該虛設凸塊23阻止接 合材料25之流動。 :線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 習知者係如第9A〜第9D圖所示般，長方形1C晶片121 接合面之各邊邊部附近各自於電極124、...、124上大致等 間隔地配列一列凸塊122、…、122 ;另一方面，1C晶片121 之接合面上四隅之角落部附近則假定完全無凸塊122。如前 述般，凸塊122、…、122配置於1C晶片121之狀態下，將接 合材料125供至電路基板126後即刻於接合面之電極124上 形成有凸塊122之1C晶片121的前述接合面與前述電路基板 126間，藉前述接合材料125使前述1C晶片121之前述電極 124上前述凸塊122與前述電路基板126之電極127呈電性接 觸而接合，將前述電路基板126載置於基台130上，使已加 熱之按壓構件128直接接觸1C晶片121而加壓，藉此於加熱 及加壓狀態下將前述1C晶片121加壓接合並使前述1C晶片 121之前述接合面與前述電路基板126間之前述接合材料 125硬化。此時，相較於大致等間隔地配置有凸塊122、…、 122之邊部附近，接合材料125將由欠缺凸塊122之位置，即 各角落部附近123，大量流出至前述1C晶片121之前述接合 面周邊部上，導致1C晶片121中央部分之接合材料125密度 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐）
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226085 A7 B7 五、發明說明（45 ) 降低，進而使接合力與密封力降低。 為防止前述之接合力及密封力降低，第3實施形態中於 前述接合材料供給程序前係如第7A圖及第7B圖所示般，於 正方形1C晶片21之無凸塊22之各角落部附近123配置1個或 多數個虛設凸塊23。於此，於角落部附近123上設置1個或 多數個虛設凸塊23係意指第26圖所示般，前述1C晶片21之 前述接合面邊部附近之一列凸塊22、…、22之配置列延長 線LI、L2於1C晶片21之前述接合面角落部以大略90度呈交 叉時，配置如交叉領域之外側領域RI内之23A及23B ;或於 通過各列中最接近角落部之凸塊22且與前述延長線LI、L2. 各自垂直之基準線L3、L4所包圍之領域R2内，配置如23A、 23B及23C。結果，正方形1C晶片21之各角落部附近上亦存 有凸塊，所有邊部附近及角落部附近則成為各自均勻配列 有凸塊22、…、22或虛設凸塊23、…、23之狀態。 又，形成各凸塊22及各虛設凸塊23之方法係與第1實施 形態相同。 如前述般，凸塊22、…、22或虛設凸塊23、…、23之 列係形成於正方形1C晶片21各邊邊部附近之狀態下，於接 合材料供給程序中，至少將含有絕緣性熱硬化性樹脂之接 合材料25供至1C晶片21之接合面或作為電路形成體例示用 之電路基板26之1C晶片接合領域26a中至少任一者。接合材 料25之供給方法係與第i實施形態相同。 接著於接合程序中，挾接合材料25而使電路基板26之 1C晶片接合領域26a與1C晶片21之接合面重疊，前述各電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線- -48- 1226085 A7 B7 經 -濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（46 24上形成有凸塊22之1C晶片21的前述接合面與前述電路基 板26之1C晶片接合領域26a間係藉前述接合材料25而使前 述1C晶片21之前述各電極24上之前述凸塊22與前述電路基 板26之各電極27呈電性接觸而對位後接合。該接合程序可 於電路基板26載置於基台30上之狀態下進行，亦可於其他 部位藉接合材料25使1C晶片21重疊於電路基板26上而進行 接合程序後，於正式之加壓接合程序中，使藉接合材料25 而與1C晶片21重疊之電路基板26載置於基台30上。 接著，於正式加壓接著程序中，使按壓構件28直接接 觸1C晶片21，使按壓構件28朝向載置有藉接合材料25而與 1C晶片21重疊之電路基板26之基台30施加按壓力，同時， 使内藏於按壓構件28内之加熱器所產生之熱能由按壓構件 28傳達至1C晶片21。結果，藉於預定溫度下使預定之加壓 力發生作用’而將1C晶片21之接合面按壓於電路基板％之 1C晶片接合領域26a，藉此使1C晶片21接合面上各電極24 之凸塊22接觸電路基板26之1C晶片接合領域26a内之各電 極27。此時，將前述1C晶片21之前述接合面與前述電路基 板26之1C晶片接合領域26a間之前述接合材料25由前述ic 晶片21之前述接合面之中央部朝周邊部押出。於此，如前 述般將虛設凸塊23配置於欠缺凸塊22之位置，即角落部附 近，結果於1C晶片21之前述接合面各角落部附近中，與任 一邊之邊部附近相同地大致等間隔配置有凸塊22、...、22 及虛設凸塊23，如第8圖之箭號所示般，各邊之邊部附近及 各角落部附近均同樣地可阻止接合材料25由中央部朝向周 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I----------II 訂--— — — — —-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •49- 1226085
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（47 邊。卩机動’而可防止接合材料25不均勻地流動，且將接合 材料25保持至少大致均勻分布於ic晶片。之全體接合面上 並藉前述之熱使其硬化，進而可製造1C晶片安裝體。即， 於刖述正式加壓接合程序中，藉於前述IC晶片21上設置虛 «又凸塊23、…、23，而可於前述IC晶片21之前述接合面由 中央部朝向周邊部進行加壓接合時，阻止前述接合材料25 不均勻地押出。 作為前述接合材料阻流構件例示用之各虛設凸塊23之 兩度、各虛設凸塊23之耐熱性及接合材料25之例則與第1 實施形態相同。 又’前述說明中，接合程序時IC晶片21之各凸塊22雖 與電路基板26之各電極27接觸，但本發明並不限於此，接 合程序中亦可使1C晶片21之各凸塊22與電路基板26之各電 極27不接觸，而於正式加壓接著程序中初次使IC晶片21之 各凸塊22與電路基板26之各電極27接觸。 若依前述第3實施形態，其於長方形ic晶片21之接合面 上’除四隅之角落部外，於四邊之各邊邊部附近上具有大 致等間隔之一列凸塊22、…、22，藉於1C晶片21之接合面 上前述邊之邊部附近無凸塊22之部位形成虛設凸塊 23、…、23，可使凸塊22、…、22之配列狀態與ic晶片21 各邊之邊部附近及各角落部附近大致相同，而於前述加壓 接合程序中前述1C晶片21之前述接合面與前述電路基板％ 之1C晶片接合領域26a間之前述接合材料25由中央部分朝 周邊部流動時，虛設凸塊23可作為接合材料阻流構件發揮 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------^---------^ (½先閱t#·背面之注意事項再填寫本頁) -50- 1226〇85 A7 B7 五、發明說明（48 ) --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 機能，而可大致使前述接合材料25於1C晶片21之各邊邊部 附近及各角落部附近由中央部朝周邊部均勻流動，且使Ic 曰曰片21之接合面内之接合材料25均勻分布，進而提高密著 力及接合與密封之可靠性。 又，若使前述配置於角落部之虛設凸塊23、…、23與 鄰接該虛設凸塊23之凸塊22、…、22之配置間隔與凸塊 22、 …、22之配置間隔大致相等，則四個邊部附近至角落 部均同樣地成為似形成有凸塊22、…、22之狀態，而更可 使前述接合材料25之由中央部朝周邊部之流動大致均勻 化。但本發明不僅限於此，為較完全無前述虛設凸塊 23、 …、23存在時更提南均勻度，虛設凸塊23與鄰接於該 虛設凸塊23之凸塊22、22之配置間隔亦可較凸塊22、...、 22之配置間隔大。 (第4實施形態） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將作為本發明之第4實施形態相關之電子零件之安裝 方法及依該方法製造之電子零件安裝體例示用之1C晶片之 安裝方法及依該方法製造之1C晶片安裝體依第10A圖〜第 10D圖加以說明。第i〇A圖及第10B圖係第4實施形態相關ic 晶片安裝方法之接合程序前，前述1C晶片之側面圖及裏面 圖；第10C圖係接合程序中1C晶片、電路基板及接合材料 之側面圖。第10D圖係一平面圖，用以顯示加壓接著程序 中接合材料之流動狀態，並透視1C晶片而顯示電路基板上 接合材料之動向。又，第11A圖及第11B圖係用以說明第4 實施形態之習知例相關1C晶片安裝方法之接合程序前，前 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -51- 1226085
五、發明說明（49 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 述icra片之側面圖及裏面圖圖係接合程序中ic晶 片電路基板與接合材料之側面圖；第11D圖係-平面圖， 7以顯示加壓接著程#中接合材料之流動狀態
，並透視1C 晶片而顯示電路基板上接合材料之動向。 刖述第3實施形態中，正方形之1C晶片21之四邊各角落 邛附近上具有凸塊22 ,但本發明並不限於此。舉例言之， 第4實施形態中，如第10A及第10B圖所示，於長方形1C晶 片31之接合面上除其四隅之角落部附近外，四邊之各邊邊 邛上具有一列凸塊32、…、32，而於1C晶片31之接合面上 四隅之各角落部附近，即原本無凸塊之部分，形成作接合 材料阻流構件用之虛設凸塊33，藉該虛設凸塊33阻止接合 材料3 5之流動。 習知者係如第11A〜第11D圖所示般，長方形1C晶片13 1 接合面之各邊邊部附近各自於電極丨34、…、134上大致等 間隔地配列一列凸塊132、…、132 ;另一方面，1C晶片131 之接合面上四隅之角落部附近則假定完全無凸塊丨32。如前 述般，凸塊132、…、132配置於1C晶片131之狀態下，將接 合材料135供至電路基板136後即刻於接合面之電極134上 形成有凸塊132之1C晶片131的前述接合面與前述電路基板 136間，藉前述接合材料135使前述1C晶片131之前述電極 134上前述凸塊132與前述電路基板136之電極137呈電性接 觸而接合，將前述電路基板136載置於基台140上，使已加 熱之按壓構件138直接接觸1C晶片131而加壓，藉此於加熱 及加壓狀態下將前述1C晶片131加壓接合並使前述1C晶片 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------^---------^ {»·先閱tt·背面之注意事項再填寫本頁) -52· 1226085 A7
五、發明說明（5〇 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 131之前述接合面與前述電路基板136間之前述接合材料 135硬化。此時，相較於大致等間隔地配置有凸塊132、…、 132之邊部附近，接合材料135將由欠缺凸塊132之位置，即 各角落部附近133，大量流出至前述ic晶片131之前述接合 面周邊部上，導致1C晶片131中央部分之接合材料135密度 降低’進而使接合力與密封力降低。 為防止前述之接合力及密封力降低，第4實施形態中於 刖述接合材料供給程序前係如第丨〇A圖及第丨〇B圖所示 般’於長方形1C晶片31之無凸塊32之各角落部附近133配置 1個或多數個虛設凸塊33。結果，長方形1C晶片31之各角落. 部附近上亦存有凸塊，所有邊部附近及角落部附近則成為 各自均勻配列有凸塊32、…、32或虛設凸塊33、…、33之 狀態。 又’形成各凸塊32及各虛設凸塊33之方法係與第1實施 形態相同。 如前述般，凸塊32、…、32或虛設凸塊33、…、33之 列係形成於長方形1C晶片31各邊邊部附近之狀態下，於接 合材料供給程序中，至少將含有絕緣性熱硬化性樹脂之接 合材料35供至1C晶片31之接合面或作為電路形成體例示用 之電路基板36之1C晶片接合領域36a中至少任一者。接合材 料35之供給方法係與第1實施形態相同。 接著於接合程序中，挾接合材料35而使電路基板36之 1C晶片接合領域36&與1(：晶片31之接合面重疊，前述各電極 34上形成有凸塊32之1(：晶片31的前述接合面與前述電路基 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -53- 1226085
五、發明說明（Μ ) 板36之1C晶片接合領域36a間係藉前述接合材料35而使前 述1C晶片31之前述各電極34上之前述凸塊32與前述電路基 板36之各電極37呈電性接觸而定位後接合。該接合程序可 於電路基板36載置於基台40上之狀態下進行，亦可於其他 部位藉接合材料35使1C晶片31重疊於電路基板36上而進行 接合程序後’於正式之加壓接合程序中，使藉接合材料35 而與1C晶片31重疊之電路基板36載置於基台4〇上。 接著，於正式加壓接著程序中，使按壓構件38直接接 觸1C晶片31，再使按壓構件38朝向載置有藉接合材料35而 與1C晶片31重疊之電路基板36之基台40施加按壓力，同 時，使内藏於按壓構件38内之加熱器所產生之熱能由按壓 構件38傳達至1C晶片31。結果，藉於預定溫度下使預定之 加壓力發生作用，而將1C晶片31之接合面按壓於電路基板 36之1C晶片接合領域36a，藉此使1C晶片31接合面上各電極 34之凸塊32接觸電路基板36之1C晶片接合領域36a内之各 電極37。此時，將前述1C晶片31之前述接合面與前述電路 基板36之1C晶片接合領域36a間之前述接合材料35由前述 1C晶片31之前述接合面之中央部朝周邊部押出。於此，如 前述般將虛設凸塊33配置於欠缺凸塊32之位置，即角落部 附近，結果於1C晶片3 1之前述接合面各角落部附近中，與 任一邊之邊部附近相同地大致等間隔配置有凸塊32、…、 32及虛設凸塊33，如第10D圖之箭號所示般，各邊之邊部 附近及各角落部附近均同樣地可阻止接合材料35由中央部 朝向周邊部流動，而可防止接合材料35不均勻地流動，且 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • ! I I II I 訂！！ - . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -54- I226〇85 A7
五、發明說明（52 ) 經1部智慧財產局員工消費合作社印製 將接合材料35保持至少大致均勻分布於IC晶片31之全體接 合面上並藉前述之熱使其硬化，進而可製造1(：晶片安裝 體。即，於前述正式加壓接合程序中，藉於前述IC晶片31 上设置虛設凸塊33、…、33，而可於前述IC晶片31之前述 接合面由中央部朝向周邊部進行加壓接合時，阻止前述接 合材料35不均勻地押出。 作為則述接合材料阻流構件例示用之各虛設凸塊3 3之 南度、各虛設凸塊33之耐熱性及接合材料35之例則與第i 實施形態相同。 又，前述說明中，接合程序時IC晶片31之各凸塊32雖 與電路基板36之各電極37接觸，但本發明並不限於此，接 合程序中亦可使1C晶片31之各凸塊32與電路基板36之各電 極37不接觸，而於正式加壓接著程序中初次使IC晶片31之 各凸塊32與電路基板36之各電極37接觸。 若依前述第4實施形態，其於長方形IC晶片31之接合面 上，除四隅之角落部外，於四邊之各邊邊部附近上具有大 致呈等間隔之一列凸塊32、…、32，藉於1C晶片31之接合 面上前述邊之邊部附近無凸塊32之部位形成虛設凸塊 33、…、33，可使凸塊32、…、32之配列狀態與ic晶片31 各邊之邊部附近及各角落部附近大致相同，而於前述加壓 接合程序中前述1C晶片31之前述接合面與前述電路基板36 之1C晶片接合領域36a間之前述接合材料35由中央部分朝 周邊部流動時，虛設凸塊33可作為接合材料阻流構件發揮 機能，而可大致使前述接合材料35於1C晶片31之各邊邊部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝.-------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -55- 1226085 a7 B7 五、發明說明（53 ) 附近及各角落部附近由中央部朝周邊部均勻流動，且使IC 晶片31之接合面内之接合材料35均勻分布，進而提高密著 力及接合與密封之可靠性。 又，若使前述配置於角落部之虛設凸塊33、…、33與 鄰接該虛設凸塊33之凸塊32、…、32之配置間隔與凸塊 22、…、22之配置間隔大致相等，則四個邊部附近至角落 部均同樣地成為似形成有凸塊32、…、32之狀態，而更可 使前述接合材料35之由中央部朝周邊部之流動大致均勻 化。但本發明不僅限於此，為較完全無前述虛設凸塊 33、…、33存在時更提高均勻度，虛設凸塊33與鄰接於該 虛設凸塊33之凸塊32、32之配置間隔亦可較凸塊32、…、 32之配置間隔大。 (第5實施形態） 將作為本發明之第5實施形態相關之電子零件之安裝 方法及依該方法製造之電子零件安裝艎例示用之1C晶片之 安裝方法及依該方法製造之1C晶片安裝體依第12A圖〜第 12D圖及第13圖加以說明。第12A圖及第12B圖係第5實施形 態相關1C晶片安裝方法之接合程序前，前述1C晶片之側面 圖及裏面圖；第12C及第12D圖係接合程序中1C晶片、電路 基板及接合材料之側面圖及正面圖。第13圖係一平面圖， 用以顯示加壓接著程序中接合材料之流動狀態，並透視1C 晶片而顯示電路基板上接合材料之動向。又，第14A圖及 第14B圖係用以說明第5實施形態之習知例相關1C晶片安 裝方法之接合程序前，前述1C晶片之側面圖及裏面圖；第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 •56- 1226085
五、發明說明（54 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 14C及第15A圖係接合程序中1(：晶片、電路基板與接合材料 之側面圖及正面圖；第15B圖係一平面圖，用以顯示加壓 接著程序中接合材料之流動狀態，並透視1(：晶片而顯示電 路基板上接合材料之動向。 前述第1實施形態中，正方形或長方形之IC晶片！之四 邊各邊邊部附近上具有一列凸塊2、…、2，但本發明並不 限於此。舉例言之，第5實施形態中，如第12A〜12D圖所示， 於作為電子零件例示用之長方形IC晶片41之接合面上具有 凸塊42、…、42，而僅於ic晶片41接合面上之各角落部附 近，即無凸塊42之部分’形成作接合材料阻流構件例示用 之虛設凸塊43，藉該虛設凸塊43阻止接合材料45之流動。 習知者係如第14A圖、第14B圖、第14C圖、第15A圖 及第15B圖所示，於長方形ic晶片141之接合面中，短向之 中央部上具有沿長向延伸且大致呈等間隔之一列凸塊 142、…、142，另一方面，假定其於IC晶片141接合面上各 角落部附近143完全無凸塊《如前述般，凸塊142、...、142 配置於1C晶片141之狀態下，將接合材料145供至電路基板 146後即刻於接合面之電極144上形成有凸塊132之1C晶片 141的前述接合面與前述電路基板146間，藉前述接合材料 145使前述1C晶片141之前述電極144上前述凸塊142與前述 電路基板146之電極147呈電性接觸而接合後，將前述電路 基板146載置於基台150上，使已加熱之按壓構件148直接接 觸1C晶片141而加壓，藉此於加熱及加壓狀態下將前述ic 晶片141加壓接合並使前述1C晶片141之前述接合面與前述 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^--------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -57- 1226〇85
五、 發明說明（55 ) 電路基板146間之前述接合材料145硬化。此時，以短向之 中央部中沿長向延伸之配列成一列且大致等間隔之凸塊 142、…、142為中心，於凸塊142、…、142之列之兩側上， 如第15A圖及第15B圖所示，長方形ic晶片ι41相對於電路 基板146乃係於短向，即寬方向上由1個點所支持，故難以 使1C晶片141與電路基板146間之接合力保持均等，易使jc 晶片141對電路基板146傾斜而於凸塊142、…、142之列之 兩側中’ 1C晶片141與電路基板146間之間隔不均勻。結果， 將如第15B圖箭號所示般，於凸塊142、…、142之列中任 一方側，接合材料145大量流至前述ic晶片141之前述接合 面周邊部，而使接合材料145於前述之一方側上密度降低， 導致接合力與密封力降低。 為防止前述之接合力及密封力降低，於第5實施形態 中’於前述接合材料供給程序前係如第12a圖、第12B圖所 示’於長方形1C晶片41接合面之各角落部附近，即無凸塊 42之部分上至少形成一個虛設凸塊。結果，長方形IC晶片 41相對電路基板46將於短向（即寬方向）上由3點所支持，凸 塊42、…、42之列之兩側中係如第12D圖所示，可使ic晶 片41與電路基板46間接合力之平衡大致相等，防止IC晶片 41對電路基板46傾斜，進而可使凸塊42、…、42之列兩側 中1C晶片41與電路基板46間之間隔大致均勻。 又，形成各凸塊42及各虛設凸塊43之方法係與第1實施 形態相同。 如前述般，凸塊42、…、42或虛設凸塊43、···、43係 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 先 閱 讀· 背 面 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 I I I I I 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -58- 經 •濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 社 印 製 1226085
五、發明說明（56 ) 形成於長方形1C晶片41上之狀態下，於接合材料供給程序 中，至少將含有絕緣性熱硬化性樹脂之接合材料45供至IC 晶片41之接合面或作為電路形成體例示用之電路基板扑之 1C晶片接合領域46a中至少任一者。接合材料45之供給方法 係與第1實施形態相同。 接著於接合程序中，挾接合材料45而使電路基板46之 1C晶片接合領域46a與1C晶片41之接合面重疊，前述各電極 44上形成有凸塊42之1C晶片41的前述接合面與前述電路基 板46之1C晶片接合領域46a間係藉前述接合材料45而使前 述1C晶片41之前述各電極44上之前述凸塊42與前述電路基 板46之各電極47呈電性接觸而定位後接合。該接合程序可 於電路基板46載置於基台50上之狀態下進行，亦可於其他 部位藉接合材料45使1C晶片41重疊於電路基板46上而進行 接合程序後，於正式之加壓接合程序中，使藉接合材料45 而與1C晶片41重疊之電路基板46載置於基台50上。 接著，於正式加壓接著程序中，使按壓構件48直接接 觸1C晶片41後，使按壓構件48朝向載置有藉接合材料45而 與1C晶片41重疊之電路基板46之基台50施加按壓力，同 時，使内藏於按壓構件48内之加熱器所產生之熱能由按壓 構件48傳達至1C晶片41。結果，藉於預定溫度下使預定之 加壓力發生作用，而將1C晶片41之接合面按壓於電路基板 46之1C晶片接合領域46a，藉此使1C晶片41接合面上各電極 44之凸塊42接觸電路基板46之1C晶片接合領域46a内之各 電極47。此時，長方形1C晶片41相對電路基板46將於短向 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） i I I--I I t — — — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •59- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226085 A7 B7 五、發明說明（57 ) (即寬方向）上由3點所支持，於凸塊42、…、42之列之兩側 上如第12D圖所示，可使1C晶片41與電路基板46間之接合 力之平衡大致均等且凸塊42、…、42之列之兩側中1C晶片 141與電路基板46間之間隔大致均勻，如第13圖之箭號所示 般，於各邊之邊部附近，同樣地阻止接合材料45由中央部 朝向周邊部流動，而可防止接合材料45不均勻地流動，且 將接合材料45保持至少大致均勻分布於1C晶片41之全體接 合面上並藉前述之熱使其硬化，進而可製造1C晶片安裝 體。即，於前述正式加壓接合程序中，藉於前述1C晶片41 上設置虛設凸塊43、…、43，而可於前述1C晶片41之前述. 接合面由中央部朝向周邊部進行加壓接合時，阻止前述接 合材料45不均勻地押出。 作為前述接合材料阻流構件例示用之各虛設凸塊43之 尚度、各虛設凸塊43之财熱性及接合材料45之例則與第1 實施形態相同。 又，前述說明中，接合程序時1C晶片41之各凸塊42雖 與電路基板46之各電極47接觸，但本發明並不限於此，接 合程序中亦可使1C晶片41之各凸塊42與電路基板46之各電 極47不接觸，而於正式加壓接著程序中初次使IC晶片41之 各凸塊42與電路基板46之各電極47接觸。 若依前述第5實施形態，其於長方形IC晶片4丨之接合面 上，長方形之1C晶片41相對電路基板46將於短向（即寬方向） 由3點支持，於凸塊42、…、42之列之兩側上，可使IC晶片 41與電路基板46間之接合力之平衡大致均等，並防止1(：晶 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I I I I I I I I I - — — ml— ^ ·1111111 1-^ (tr先閱tf·背面之注意事項再填寫本頁) -60- 1226085 A7 B7 五、發明說明（58 ) 片41對於電路基板46之傾斜而可使凸塊42、...、42之列之 兩側上1C晶片41與電路基板46間之間隔大致均勻，而於前 述加壓接合程序中前述1C晶片41之前述接合面與前述電路 基板46之1C晶片接合領域46a間之前述接合材料45由中央 部分朝周邊部流動時，虛設凸塊43可作為接合材料阻流構 件發揮機能，而可大致使前述接合材料45由中央部朝周邊 部均勻流動，且使1C晶片41之接合面内之接合材料45均勻 分布，進而提高密著力及接合與密封之可靠性。 (第6實施形態） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I---— — — — —--裝·-- (請先閲·讀背面之注意事項再填寫本頁) ;線· 將作為本發明之第6實施形態相關之電子零件之安裝. 方法及依該方法製造之電子零件安裝體例示用之1C晶片之 安裝方法及依該方法製造之1C晶片安裝體依第16A圖、第 16B圖及第17圖加以說明。第16A圖及第16B圖係第6實施形 態相關1C晶片安裝方法之接合程序前，前述ic晶片之側面 圖及裏面圖；第17圖係前述接合程序中1C晶片、電路基板 及接合材料之側面圖。又，第1 8 A圖及第1 8B圖係用以說明 第6實施形態之習知例相關IC晶片安裝方法之接合程序 前，前述1C晶片之側面圖及裏面圖。第19圖係前述習知例 之接合程序中1C晶片、電路基板與接合材料之側面圖。 前述各實施形態中，係使作為接合材料阻流構件例示 用之虛設凸塊配置於無配置凸塊之位置上，但本發明不限 於此。舉例言之，於1C晶片51接合面上各邊邊部附近之凸 塊52、…、52之列内側四邊形領域中設置用以保護ic晶片 之有效（active)面（配線面）之鈍化膜59時，可將作為接合材 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -61- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226085 a7 B7 五、發明說明（59) 料阻流膜例示用之輔助鈍化膜53(圖中陰影領域）設置於IC 晶片5 1接合面各邊邊部附近凸塊52、…、52之列外側周邊 部分之四邊形外框領域上，並藉該輔助鈍化膜53阻止接合 材料5 5之流動。 習知者係假定如第18A圖及第18B圖所示，於正方形ic 晶片151之接合面各邊部附近上具有一列大致呈等間隔之 凸塊152、…、152，且鈍化膜159(圖中陰影部分）係配置於 由四邊之凸塊152、…、152所包圍之正方形領域中。如前 述般鈍化膜159係配置於1C晶片151之狀態下，將接合材料 155供至電路基板156後，接合面之電極154上形成有凸塊 152之1C晶片151之前述接合面與前述電路基板156間係藉 刚述接合材料155’使前述1C晶片151之前述電極154之前述 凸塊152與前述電路基板156之電極157呈電性接觸而接 合，再將前述電路基板156載置於基台160上，使已加熱之 按壓構件158直接接觸1C晶片151後加壓，藉此於加熱及加 壓狀態下加壓接合前述1C晶片151並使前述1C晶片151之前 述接合面與前述電路基板156間之前述接合材料155硬化。 此時，與配置有鈍化膜159之1C晶片151接合面内由四邊凸 塊152、…、152所包圍之正方形領域相較下，因四邊之凸 塊1 5 2、…、15 2間之位置及四邊凸塊1 5 2、…、15 2之外側 位置（即接合面之周圍部分）上無鈍化膜丨59，故該部分上接 合材料155之流動速度上升且接合材料155之密度降低，因 此於接合面周圍部分之密著力，即接合力及密封力降低， 而導致發生剝離。若如前述般，於1C晶片151之接合面之周 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） • · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-62- !226〇85 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（6〇 ) 圍部分與接合材料155間發生剝離，則水分將侵入該剝離部 分，將因吸濕造成晶片151等發生腐蝕。 為防止前述之接合力及密封力降低，於第6實施形態 中’前述接合材料供給程序前係如第16A圖及第16B圖所 示’不僅將鈍化膜59(圖中陰影部分）配置於正方形IC晶片 51之接合面各邊邊部中由配置成大致等間隔之一列之凸塊 52、…、52所包圍之正方形領域上，亦於四邊凸塊52、...、 52之外側位置（即接合面之周圍部分）上配置輔助鈍化膜 53(圖中陰影部分）。其結果為，接合材料55於配置有鈍化 膜59之1C晶片51之前述接合面内由四邊之凸塊52、…、52 所包圍之正方形領域與配置有辅助鈍化膜53之四邊凸塊 52、…、52外側之位置（即接合面周圍部分）上流動速度大 致相同，而可防止接合材料55之密度降低，進而防止接合 面周圍部分之密著力，即接合力及密封力降低。 又，形成各凸塊52之方法係與第1實施形態相同。另， 配置鈍化膜59及輔助鈍化膜53之方法則有塗佈鈍化膜形成 用樹脂之方法。鈍化膜形成用樹脂之塗佈可於形成各凸塊 52前或後，但於形成各凸塊52前塗佈鈍化膜形成用樹脂將 不致使凸塊52發生損傷而較為理想。令輔助鈍化膜53之材 料及形成方法與鈍化膜59相同。鈍化膜59及輔助鈍化膜53 各可舉例如下：有機材料為聚醯亞胺，無機材料為Si3N4 ; 基板由樹脂構成且基板為有機時，鈍化膜59及輔助鈍化膜 53宜亦使用有機材料以保持接著性。聚醯亞胺係將液狀體 旋轉塗佈後再以光刻（photoreso)法形成者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I------------訂·--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -63- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226085 A7 B7 五、發明說明（61 ) 如前述般於1C晶片51上形成有鈍化膜59、輔助鈍化膜 53及凸塊52、…、52之狀態下，於接合材料供給程序中係 至少將含有絕緣性熱硬化性樹脂之接合材料55供至1C晶片 51之接合面或作為電路形成體例示用之電路基板56之1C晶 片接合領域中至少一者上。接合材料55之供給方法係與第1 實施形態相同。 接著於接合程序中，挾接合材料55而使電路基板56之 1C晶片接合領域與1C晶片51之接合面重疊，前述各電極54 上形成有凸塊52之1C晶片51的前述接合面與前述電路基板 56之1C晶片接合領域間係藉前述接合材料55而使前述1C晶. 片51之前述各電極54上之前述凸塊52與前述電路基板56之 各電極57呈電性接觸而定位後接合。該接合程序可於電路 基板56載置於基台60上之狀態下進行，亦可於其他部位藉 接合材料55使1C晶片51重疊於電路基板56上而進行接合程 序後，於正式之加壓接合程序中，使藉接合材料55而與1C 晶片51重疊之電路基板56載置於基台60上。 接著，於正式加壓接著程序中，使按壓構件58直接接 觸1C晶片51後，使按壓構件58朝向載置有藉接合材料55而 與1C晶片51重疊之電路基板56之基台60施加按壓力，同 時，使内藏於按壓構件58内之加熱器所產生之熱能由按壓 構件58傳達至1C晶片51。結果，藉於預定溫度下使預定之 加壓力發生作用，而將1C晶片51之接合面按壓於電路基板 56之1C晶片接合領域，藉此使1C晶片51接合面上各電極54 之凸塊52接觸電路基板56之1C晶片接合領域内之各電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (貧先閱决背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線· 1226085 A7 五、發明說明（62 ) 57。此時，配置有鈍化膜59之1(：晶片51之前述接合面内由 四邊之凸塊52、…、52所包圍之正方形領域中接合材料55 之流動速度與配置有輔助鈍化膜53之四邊凸塊52、…、52 外側之位置（即接合面之周圍部分）上接合材料55之流動速 度大致相同，而可防止接合材料55於接合面周圍部分密度 降低，並防止接合面周圍部分之密著力，即接合力及密封 力降低，進而使接合材料55至少保持大致均勻分布於IC晶 片51之大致全體接合面並藉前述之熱發生硬化，而可製造 出1C晶片安裝體。即，於前述正式加壓接合程序中，藉於 前述1C晶片51上設置輔助鈍化膜53，而可消除接合材料55 於原本配置有鈍化膜59之前述接合面内由四邊凸塊 52、…、52所包圍之正方形領域與於四邊凸塊μ、…、52 之外側位置（即接合面之周圍部分）上流動速度之差異，進 而可防止前述1C晶片51之前述接合面周圍部分中接合材料 55之流動速度加快。 又，前述說明中，接合程序時1C晶片51之各凸塊52雖 與電路基板56之各電極57接觸，但本發明並不限於此，接 合程序中亦可使1C晶片51之各凸塊52與電路基板56之各電 極57不接觸，而於正式加壓接著程序中初次使IC晶片51之 各凸塊52與電路基板56之各電極57接觸。 又’舉例言之’凸塊52之高度為50〜75 μπι時，鈍化膜 59及輔助鈍化膜53之厚度宜為30〜40μπι。 若依前述第6實施形態，則不僅將鈍化膜59(圖中之陰 影部分）配置於1C晶片5 1接合面之各邊邊部附近中由配置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -65- 1226085 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（63 ) 成一列且大致等間隔之凸塊52、…、52所包圍之正方形領 域上，並將輔助鈍化膜53配置於四邊凸塊52、…、52外側 之位置（即接合面之周圍部分）上，因此前述正方形領域與 前述周圍部分上接合材料55之流動速度將大致相同，而可 防止接合材料55之密度降低，並防止接合面周圍部分密著 力，即接合力及密封力降低，而可防止剝離之發生，進而 防止水分入侵所導致之因吸濕而起之IC晶片5丨等發生腐 钱。因此，可使1C晶片51接合面内接合材料55之分布均勻 化’提高密著力，進而提高接合及密封之可靠性。 (第7實施形態） 將作為本發明之第7實施形態相關之電子零件之安裝 方法及依該方法製造之電子零件安裝體例示用之IC晶片之 女裝方法及依該方法製造之1C晶片安裝體依第20A圖、第 20B圖及第21圖加以說明。第20A圖及第20B圖係第7實施形 態相關1C晶片安裝方法之接合程序前，前述IC晶片之側面 圖及裏面圖；第21圖係前述接合程序中1C晶片、電路基板 及接合材料之側面圖。又，第1 8 A圖及第18B圖係用以說明 第7實施形態之習知例相關1C晶片安裝方法之接合程序 前’前述1C晶片之側面圖及裏面圖。第19圖係前述習知例 之接合程序中1C晶片、電路基板與接合材料之側面圖。 前述第6實施形態中，雖將鈍化膜53(圖中陰影部分） 設置於1C晶片51之接合面各邊邊部附近凸塊52、...、52之 列之外側周邊部分之四邊形外框領域上以作為接合材料阻 流構件例示用之接合材料阻流膜，但本發明不限於此。舉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (tr先閱冷背面之注意事項再填寫本頁) -------訂---------線r -66- 1226085
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 例言之，第7實施形態中，僅於IC晶片61之接合面上各邊邊 部附近之凸塊62、…、62之列外側周邊部分之各角落部上 設置略呈四邊形之輔助鈍化膜63(圖中陰影領域）以作為接 合材料阻流構件例示用者，並藉該輔助鈍化膜63、…、63 阻止接合材料65之流動。 %知者係叙定如第18A圖及第18B圖所示，於正方形ic 晶片151之接合面各邊部附近上具有一列大致呈等間隔之 凸塊152、…、152 ,且鈍化膜159(圖中陰影部分）係配置於 由四邊之凸塊152、…、152所包圍之正方形領域中。如前 述般鈍化膜159係配置於ic晶片151之狀態下，將接合材料 155供至電路基板156後，接合面之電極154上形成有凸塊 152之1C晶片151之前述接合面與前述電路基板156間係藉 刖述接合材料155,使前述1C晶片151之前述電極154之前述 凸塊152與前述電路基板156之電極157呈電性接觸而接 合’再將前述電路基板156載置於基台160上，使已加熱之 按壓構件158直接接觸1C晶片151後加壓，藉此於加熱及加 壓狀態下加壓接合前述1C晶片1 5 1並使前述1C晶片1 51之前 述接合面與前述電路基板156間之前述接合材料155硬化。 此時，與配置有鈍化膜159之1C晶片151接合面内由四邊凸 塊152、…、152所包圍之正方形領域相較下，因四邊之凸 塊152、…、152間之位置及四邊凸塊152、…、152之外側 位置（即接合面之周圍部分）上無鈍化膜159,故該部分上接 合材料155之流動速度上升且接合材料155之密度降低，因 此於接合面周圍部分之密著力，即接合力及密封力降低， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） ^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •67- 1226085 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（65 ) 而導致發生剝離。若如前述般，於IC晶片151之接合面之周 圍部分與接合材料155間發生剝離，則水分將侵入該剝離部 分，將因吸濕造成晶片151等發生腐蝕。 為防止前述之接合力及密封力降低，於第7實施形態 中’前述接合材料供給程序前係如第2〇a圖及第20B圖所 示’不僅將鈍化膜69(圖中陰影部分）配置於正方形IC晶片 61之接合面各邊邊部中由配置成大致等間隔之一列之凸塊 62、…、62所包圍之正方形領域上，亦於由正方形領域至 四邊凸塊62、…、62外側位置（即接合面之周圍部分）角落 部之領域上由鈍化膜69為始連續配置輔助鈍化膜63、…、 63(圖中陰影部分）。將其配置於接合面周圍部分之角落部 上之理由為，凸塊62、…、62於該接合面角落部附近之配 置間隔較其他部分大，接合材料65將容易流出而易使其於 接合面周圍部分角落部上之流動速度較其他部分為大，因 此乃將輔助鈍化膜63、…、63配置於該周圍部分之角落部 上以阻止接合材料65之流動。結果，接合材料65於配置有 純化膜69之1C晶片61之前述接合面内由四邊之凸塊 62、 …、62所包圍之正方形領域與配置有輔助鈍化膜 63、 …、63之四邊凸塊62、…、62外側位置（即接合面周圍 部分）之角落部上流動速度大致相同，而可防止接合材料65 之密度降低，進而防止接合面周圍部分角落部之密著力， 即接合力及密封力降低。 又，形成各凸塊62之方法係與第1實施形態相同。另， 配置鈍化膜69及輔助鈍化膜63、…、63之方法則有塗佈鈍 --------^--------- (諱先閱洚背面之注意事項再填寫本頁)
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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（66 ) 化膜形成用樹脂之方法。鈍化膜形成用樹脂之塗佈可於形 成各凸塊62前或後，但於形成各凸塊62前塗佈鈍化膜形成 用樹脂將不致使凸塊52發生損傷而較為理想。令輔助鈍化 膜63、…、63之材料及形成方法與鈍化膜69相同。鈍化膜 69及輔助鈍化膜63各可舉例如下：有機材料為聚醯亞胺， 無機材料為Si3N4 ;基板由樹脂構成且基板為有機時，鈍化 膜69及辅助鈍化膜63宜亦使用有機材料以保持接著性。聚 醯亞胺係將液狀體旋轉塗佈後再以光刻法形成者。 如前述般於1C晶片61上形成有鈍化膜69、輔助鈍化膜 63及凸塊62、…、62之狀態下，於接合材料供給程序中係 至少將含有絕緣性熱硬化性樹脂之接合材料65供至1C晶片 61之接合面或作為電路形成體例示用之電路基板66之1(：晶 片接合領域中至少一者上。接合材料65之供給方法係與第1 實施形態相同。 接著於接合程序中，挾接合材料65而使電路基板66之 1C晶片接合領域與1C晶片61之接合面重叠，前述各電極64 上形成有凸塊62之1C晶片61的前述接合面與前述電路基板 66之1C晶片接合領域間係藉前述接合材料65而使前述ic晶 片61之前述各電極64上之前述凸塊62與前述電路基板66之 各電極67呈電性接觸而定位後接合。該接合程序可於電路 基板66載置於基台70上之狀態下進行，亦可於其他部位藉 接合材料65使1C晶片61重疊於電路基板66上而進行接合程 序後，於正式之加壓接合程序中，使藉接合材料65與1(：晶 片61重疊之電路基板66載置於基台70上。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^--------^---I---1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -69- 1226085 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（67 ) 接著，於正式加壓接著程序中，使按壓構件68直接接 觸1C晶片61後，再使按壓構件68朝向載置有藉接合材料65 而與1C晶片61重疊之電路基板66之基台70施加按壓力，同 時，使内藏於按壓構件68内之加熱器所產生之熱能由按壓 構件68傳達至1C晶片61。結果，藉於預定溫度下使預定之 加壓力發生作用，而將1C晶片61之接合面按壓於電路基板 66之1C晶片接合領域，藉此使ic晶片61接合面上各電極64 之凸塊62接觸電路基板66之1C晶片接合領域内之各電極 67。此時，配置有鈍化膜69之1C晶片61之前述接合面内由 四邊之凸塊62、…、62所包圍之正方形領域中接合材料65 之動速度與配置有輔助純化膜63、…、63之前述正方形 領域之角落部至四邊凸塊62、…、62外側之位置（即接合面 之周圍部分）之角落部上接合材料65之流動速度大致相 同，而可防止接合材料65於接合面周圍部分之角落部密度 降低，並防止接合面周圍部分角落部之密著力，即接合力 及密封力降低，進而使接合材料65至少保持大致均勻分布 於1C晶片61之大致全體接合面並藉前述之熱發生硬化，而 可製造出1C晶片安裝體。即，於前述正式加壓接合程序中， 藉於前述1C晶片61上設置輔助鈍化膜63、…、63 ,而可消 除接合材料65於原本配置有鈍化膜69之前述接合面内由四 邊凸塊62、…、62所包圍之正方形領域與於四邊凸塊 62、…、62之外側位置（即接合面之周圍部分）之角落部上 流動速度之差異，進而可防止前述IC晶片61之前述接合面 周圍部分之角落部中接合材料65之流動速度加快。 (背先閱^背面之注意事項再填寫本頁) --------^---------線.
-70. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226085 A7 -------------- 五、發明說明（68 ) 又’前述說明中，接合程序時IC晶片61之各凸塊62雖 與電路基板66之各電極67接觸，但本發明並不限於此，接 合程序中亦可使1C晶片61之各凸塊62與電路基板66之各電 極67不接觸’而於正式加壓接著程序中初次使IC晶片61之 各凸塊62與電路基板66之各電極67接觸。 又’舉例言之，凸塊62之高度為50〜75μιη時，鈍化膜 69及輔助鈍化膜63之厚度宜為3〇〜4〇μιη。 若依前述第7實施形態，則不僅將鈍化膜69(圖中之陰 衫部分）配置於1C晶片61接合面之各邊邊部附近中由配置 成一列且大致等間隔之凸塊62、…、62所包圍之正方形領 域上，並將輔助鈍化膜63、…、63配置於四邊凸塊62、…、 62外側位置（即接合面之周圍部分）之角落部上，因此於前 述正方形領域與前述周圍部分之角落部上，接合材料65之 流動速度將大致相同，而可防止接合材料65之密度降低， 並防止接合面周圍部分角落部之密著力，即接合力及密封 力降低，而可防止剝離之發生，進而防止水分入侵所導致 之因吸濕而起之1C晶片61等發生腐蝕。因此，可使ic晶片 61接合面内接合材料65之分布均勻化，並提高密著力，進 而提高接合及密封之可靠性。 (第8實施形態） 將作為本發明之第8實施形態相關之電子零件之安裝 方法及依該方法製造之電子零件安裝體例示用之IC晶片之 安裝方法及依該方法製造之1C晶片安裝體依第22 A圖、第 22B圖及第23圖加以說明。第22A圖及第22B圖係第8實施形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •71· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226085 A7 B7 五、發明說明（69 ) 態相關1C晶片安裝方法之接合程序前，前述1C晶片之側面 圖及裏面圖；第23圖係前述接合程序中1C晶片、電路基板 及接合材料之側面圖。又，第18A圖及第18B圖係用以說明 第8實施形態之習知例相關1C晶片安裝方法之接合程序 前，前述1C晶片之側面圖及裏面圖。第19圖係前述習知例 之接合程序中1C晶片、電路基板與接合材料之側面圖。 前述第6實施形態中，雖將鈍化膜53(圖中陰影部分） 設置於1C晶片51之接合面各邊邊部附近凸塊52、…、52之 列之外側周邊部分之四邊形外框領域上以作為接合材料阻 流構件例示用之接合材料阻流膜，但本發明不限於此。舉 例言之，第8實施形態係第6及第7實施形態組合而成者，於 1C晶片81之接合面上各邊邊部附近之凸塊μ、…、82之列 外側周邊部分、前述鈍化膜59之正方形領域角落部至外側 周邊部分之角落部為止之領域（即接合面之周圍部分）及該 角落部附近之領域設置輔助鈍化膜83(圖中陰影領域）以作 為接合材料阻流構件例示用者，並藉該輔助純化膜83阻止 接合材料85之流動。 I知者係假疋如第18A圖及第18B圖所示，於正方形1C 晶片151之接合面各邊部附近上具有一列大致呈等間隔之 凸塊152、…、152，且鈍化膜159(圖中陰影部分）係配置於 由四邊之凸塊152、…、152所包圍之正方形領域中。如前 述般，鈍化膜159係配置於1C晶片151之狀態下，將接合材 料155供至電路基板156後，接合面之電極ι54上形成有凸塊 152之1C晶片151之前述接合面與前述電路基板156間係藉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (tt·先閱tt.背面之注意事項再填寫本頁) -11 I--— —訂------— II · -72- 1226085 經请部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（7〇 ) 前述接合材料155,使前述1C晶片151之前述電極154之前述 凸塊152與前述電路基板156之電極157呈電性接觸而接 合，再將前述電路基板156載置於基台160上，使已加熱之 按壓構件158直接接觸1C晶片151後加壓，藉此於加熱及加 壓狀態下加壓接合前述1C晶片151並使前述1C晶片151之前 述接合面與前述電路基板156間之前述接合材料155硬化。 此時，與配置有鈍化膜159之1<::晶片151接合面内由四邊凸 塊152、…、152所包圍之正方形領域相較下，因四邊之凸 塊152、…、152間之位置及四邊凸塊152、…、152之外側 位置（即接合面之周圍部分）上無鈍化膜159,故該部分上接 合材料155之流動速度上升且接合材料155之密度降低，因 此於接合面周圍部分之密著力，即接合力及密封力降低， 而導致發生剝離。若如前述般，於1C晶片151之接合面之周 圍部分與接合材料1 55間發生剝離，則水分將侵入該剝離部 分，將因吸濕造成晶片151等發生腐蝕。 為防止前述之接合力及密封力降低，於第8實施形態 中，前述接合材料供給程序前係如第22A圖及第22B圖所 示’不僅將鈍化膜89(圖中陰影部分）配置於正方形jc晶片 81之接合面各邊邊部中由配置成大致等間隔之一列之凸塊 82、…、82所包圍之正方形領域上，亦於四邊凸塊82、…、 82外側位置（即接合面之周圍部分）及其角落部上配置輔助 鈍化膜83、…、83(圖中陰影部分）。將其配置於接合面周 圍部分及其角落部上之理由在於同時達到第6及第7實施形 態兩者之作用及效果。結果，接合材料85於配置有鈍化膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------^--------^--------- (請先聞讀背面之涑意亊頊再填寫本 -73- A7 1226085 ______B7 五、發明說明（7!) 89之1C晶片81之前述接合面内由四邊之凸塊82、…、82所 包圍之正方形領域、配置有辅助鈍化膜83、…、83之四邊 凸塊82、…、82外側位置（即接合面周圍部分）及其角落部 上流動速度大致相同，而可防止接合材料85之密度降低， 進而防止接合面周圍部分及其角落部之密著力，即接合力 及密封力降低。 又，形成各凸塊82之方法係與第1實施形態相同。另， 配置鈍化膜89及輔助鈍化膜83之方法則有塗佈鈍化膜形成 用樹脂之方法。鈍化膜形成用樹脂之塗佈可於形成各凸塊 82前或後，但於形成各凸塊82前塗佈鈍化膜形成用樹脂將 不致使凸塊82發生損傷而較為理想。令輔助鈍化膜83之材 料及形成方法與鈍化膜89相同。鈍化膜89及輔助鈍化膜83 各可舉例如下：有機材料為聚醯亞胺，無機材料為Si3N4 ; 基板由樹脂構成且基板為有機時，鈍化膜89及輔助鈍化膜 83且亦使用有機材料以保持接著性。聚酿亞胺係將液狀趙 旋轉塗佈後再以光刻法形成者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如前述般於1C晶片81上形成有鈍化膜89、輔助鈍化膜 83及凸塊82、…、82之狀態下，於接合材料供給程序中係 至少將含有絕緣性熱硬化性樹脂之接合材料85供至IC晶片 81之接合面或作為電路形成體例示用之電路基板86之1(：晶 片接合領域中至少一者上。接合材料8 5之供給方法係與第i 實施形態相同。 接著於接合程序中，挾接合材料85而使電路基板％之 ic晶片接合領域與1(:晶片81之接合面重疊，前述各電極84 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） -74-
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226085 上形成有凸塊82之1C晶片81的前述接合面與前述電路基板 86之1C晶片接合領域間係藉前述接合材料85而使前述1(：晶 片81之前述各電極84上之前述凸塊82與前述電路基板86之 各電極87呈電性接觸而定位後接合。該接合程序可於電路 基板86載置於基台90上之狀態下進行，亦可於其他部位藉 接合材料85使1C晶片81重疊於電路基板86上而進行接合程 序後，於正式之加壓接合程序中，使藉接合材料85與1(：晶 片81重疊之電路基板86載置於基台90上。 接著，於正式加壓接著程序中，使按壓構件88直接接 觸1C晶片81後，再使按壓構件88朝向載置有藉接合材料85 而與1C晶片81重疊之電路基板86之基台90施加按壓力，同 時，使内藏於按壓構件88内之加熱器所產生之熱能由按壓 構件88傳達至1C晶片81。結果，藉於預定溫度下使預定之 加壓力發生作用，而將1C晶片81之接合面按壓於電路基板 86之1C晶片接合領域，藉此使1(：晶片81接合面上各電極84 之凸塊82接觸電路基板86之1<：晶片接合領域内之各電極 87。此時，配置有鈍化膜89之1C晶片81之前述接合面内由 四邊之凸塊82、…、82所包圍之正方形領域中接合材料85 之流動速度與配置有輔助鈍化膜83之四邊凸塊82、…、82 外側之位置（即接合面之周圍部分）及其角落部上接合材料 85之流動速度大致相同，而可防止接合材料85於接合面周 圍部分及其角落部密度降低，並防止接合面周圍部分及其 角落部之欲著力’即接合力及密封力降低，進而使接合材 料85至少保持大致均勻分布於IC晶片81之大致全體接合面 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
I — — — — — — — — · 11 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · -·線· •75- 1226085 Α7 Β7 五、發明說明（73 ) 並藉前述之熱發生硬化，而可製造出1C晶片安裝體。即， 於前述正式加壓接合程序中，藉於前述1C晶片81之接合面 周圍部分及其角落部上設置輔助鈍化膜83、…、83，而可 消除接合材料85於原本配置有鈍化膜89之前述接合面内由 四邊凸塊82、…、82所包圍之正方形領域、四邊凸塊82、…、 82之外側位置（即接合面之周圍部分）及其角落部上流動速 度之差異，進而可防止前述IC晶片81之前述接合面周圍部 分及其角落部中接合材料85之流動速度上升。 又’前述說明中，接合程序時1C晶片81之各凸塊82雖 與電路基板86之各電極87接觸，但本發明並不限於此，接. 合程序中亦可使1C晶片81之各凸塊82與電路基板86之各電 極87不接觸，而於正式加壓接著程序中初次使IC晶片81之 各凸塊82與電路基板86之各電極87接觸。 又’舉例言之，凸塊82之高度為50〜75μπι時，鈍化膜 89及辅助鈍化膜83之厚度宜為3〇〜4〇μηι。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 若依前述第8實施形態，則不僅將鈍化膜89(圖中之陰 影部分）配置於1C晶片81接合面之各邊邊部附近中由配置 成一列且大致等間隔之凸塊82、…、82所包圍之正方形領 域上’並將大致呈四邊形之輔助鈍化膜83(圖中陰影部分） 配置於四邊凸塊82、…、82之外側位置（即接合面之周圍部 分）及其角落部上，因此於前述正方形領域、前述周圍部分 及其角落部上，接合材料85之流動速度將大致相同，而可 防止接合材料85之密度降低，並防止接合面周圍部分及其 角落部之密著力，即接合力及密封力降低，而可防止 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵G χ 297公楚） •76- 1226085 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（74 ) 之發生，進而防止水分入侵所導致之因吸濕而起之1c晶片 81等發生腐蝕❶因此，可使1C晶片81接合面内接合材料85 之分布均勻化，並提高密著力，進而提高接合及密封之可 靠性。 (第9實施形態） 將作為本發明之第9實施形態相關之電子零件之安裝 方法及依該方法製造之電子零件安裝體例示用之1C晶片之 安裝方法及依該方法製造之1C晶片安裝體依第24A圖、第 24B圖及第25圖加以說明。第24A圖及第24B圖係第9實施形 態相關1C晶片安裝方法之接合程序前，前述1C晶片之側面. 圖及裏面圖；第25圖係前述接合程序中1C晶片、電路基板 及接合材料之側面圖。又，第1 8 A圖及第1 8B圖係用以說明 第9實施形態之習知例相關IC晶片安裝方法之接合程序 前，前述1C晶片之側面圖及裏面圖。第19圖係前述習知例 之接合程序中1C晶片、電路基板與接合材料之側面圖。 前述第6實施形態中，雖將鈍化膜53(圖中陰影部分） 設置於1C晶片51之接合面各邊邊部附近凸塊52、…、52之 列之外側周邊部分之四邊形外框領域上以作為接合材料阻 流構件例示用之接合材料阻流膜，但本發明不限於此。舉 例言之’第9實施形態係第6及第7實施形態組合而成之第8 實施形態中更於1C晶片91之接合面各邊邊部附近之凸塊 92、…、92間之間隙部分設置輔助鈍化膜93(圖中陰影領域） 以作為接合材料阻流構件例示用者，並藉該輔助鈍化膜93 阻止接合材料95之流動。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — — —----·1111111 ^ ·11111111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -77- 1226085
五、發明說明（75 ) 習知者係假定如第18A圖及第18B圖所示，於正方形ic 曰曰片151之接合面各邊部附近上具有一列大致呈等間隔之 凸塊152、…、152，且鈍化膜159(圖中陰影部分）係配置於 由四邊之凸塊152、…、152所包圍之正方形領域中。如前 述般，鈍化膜159係配置於1C晶片151之狀態下，將接合材 料155供至電路基板156後，接合面之電極154上形成有凸塊 152之1C晶片151之前述接合面與前述電路基板156間係藉 前述接合材料155,使前述1C晶片151之前述電極154之前述 凸塊152與前述電路基板156之電極157呈電性接觸而接 合，再將前述電路基板156載置於基台160上，使已加熱之. 按壓構件158直接接觸1C晶片151後加壓，藉此於加熱及加 壓狀態下加壓接合前述1C晶片151並使前述1C晶片151之前 述接合面與前述電路基板156間之前述接合材料155硬化。 此時，與配置有鈍化膜159之1C晶片151接合面内由四邊凸 塊152、…、152所包圍之正方形領域相較下，因四邊之凸 塊152、…、152間之位置及四邊凸塊152、…、152之外側 位置（即接合面之周圍部分）上無鈍化膜丨59，故該部分上接 合材料155之流動速度上升且接合材料155之密度降低，因 此於接合面周圍部分之密著力，即接合力及密封力降低， 而導致發生剝離。若如前述般，於1C晶片151之接合面之周 圍部分與接合材料155間發生剝離，則水分將侵入該剝離部 分，將因吸濕造成晶片151等發生腐蝕。 為防止前述之接合力及密封力降低，於第9實施形態 中’前述接合材料供給程序前係如第24A圖及第24B圖所 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (tr先閱tt·背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -78- 1226085 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（76 ) 示，不僅將鈍化膜99(圖中陰影部分）g己置於正方形ic晶片 91之接合面各邊邊部中由配置成大致等間隔之一列之凸塊 92、…、92所包圍之正方形領域上，亦於四邊凸塊92、…、 92外侧位置（即接合面之周圍部分）、其角落部及鄰接之凸 塊92、92間之部分上配置辅助鈍化膜93(圖中陰影部分）。 將辅助鈍化膜93配置於接合面周圍部分、其角落部以及鄰 接凸塊92、92間之部分上之理由在於除可同時達到第6及第 7實施形態兩者之作用及效果外，亦可使接合材料95於鄰接 凸塊92、92間之部分與其他部分間流動速度相同。結果， 接合材料95於配置有鈍化膜99之1C晶片91之前述接合面内. 配置有四邊凸塊92、…、92之部分以外之領域流動速度大 致相同，而可防止接合材料95之密度降低，進而防止接合 面周圍部分、其角落部以及鄰接凸塊92、92間之部分的密 著力，即接合力及密封力降低。 又，形成各凸塊92之方法係與第1實施形態相同。另， 配置鈍化膜99及輔助鈍化膜93之方法則有塗佈鈍化膜形成 用樹脂之方法。鈍化膜形成用樹脂之塗佈可於形成各凸塊 92前或後，但於形成各凸塊92前塗佈鈍化膜形成用樹脂將 不致使凸塊92發生損傷而較為理想。令輔助鈍化膜93之材 料及形成方法與鈍化膜99相同。舉例言之，將聚醯亞胺或 聚苄叉噁唑（PBO)等有機膜以僅3〜7μτη程度之厚度旋轉塗 佈而塗佈於1C晶片91之接合面全面上。之後，呈點狀地去 除形成凸塊92所需電極94以使電極94露出。 如前述般於1C晶片91上形成有鈍化膜99、輔助鈍化膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •79· 1226085
五、發明說明（77 ) 93及凸塊92、…、92之狀態下，於接合材料供給程序中係 至少將含有絕緣性熱硬化性樹脂之接合材料95供至IC晶片 91之接合面或作為電路形成體例示用之電路基板％之丨匸晶 片接合領域中至少一者上。接合材料95之供給方法係與第1 實施形態相同。 接著於接合程序中，挾接合材料95而使電路基板96之 1C晶片接合領域與1C晶片91之接合面重疊，前述各電極94 上形成有凸塊92之1C晶片91的前述接合面與前述電路基板 96之1C晶片接合領域間係藉前述接合材料95而使前述ic晶 片91之前述各電極94上之前述凸塊92與前述電路基板96之 各電極97呈電性接觸而定位後接合。該接合程序可於電路 基板96載置於基台100上之狀態下進行，亦可於其他部位藉 接合材料95使1C晶片91重疊於電路基板96上而進行接合程 序後，於正式之加壓接合程序中，使藉接合材料95與1C晶 片91重疊之電路基板96載置於基台1〇〇上。 接著，於正式加壓接著程序中，使按壓構件98直接接 觸1C晶片91後，再使按壓構件98朝向載置有藉接合材料95 而與1C晶片91重疊之電路基板96之基台100施加按壓力，同 時，使内藏於按壓構件98内之加熱器所產生之熱能由按壓 構件98傳達至1C晶片91 ^結果，藉於預定溫度下使預定之 加壓力發生作用，而將1C晶片91之接合面按壓於電路基板 96之1C晶片接合領域，藉此使1C晶片91接合面上各電極94 之凸塊92接觸電路基板96之1C晶片接合領域内之各電極 97。此時，配置有鈍化膜99之1C晶片91之前述接合面内由 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (货先閱命背面之注意事項再填寫本頁) ---I I---訂-----— II . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -80· 五、發明說明（78 ) 四邊之凸塊92、…、92所包圍之正方形領域中接合材料95 之流動速度與配置有辅助鈍化膜93之四邊凸塊92、·.·、92 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 外側之位置（即接合面之周圍部分）、其角落部及相鄰接凸 塊92、92間之部分上接合材料％之流動速度大致相同，而 可防止接合材料95於接合面周圍部分、其角落部及相鄰接 凸塊92 92間之部分上密度降低，並防止接合面周圍部分、 其角落部及相鄰接凸塊92、92間之部分之密著力，即接合 力及密封力降低，進而使接合材料95至少保持大致均勻分 布於1C晶片91之大致全體接合面並藉前述之熱發生硬化， 而可製造出IC晶片安裝體。即，於前述正式加壓接合程序 中，藉於前述1C晶片91之接合面周圍部分及其角落部上設 置輔助鈍化膜93 ,而可消除接合材料95於原本配置有鈍化 膜99之前述接合面内由四邊凸塊92、…、％所包圍之正方 形領域、四邊凸塊92、…、92之外側位置（即接合面之周圍 部分）、其角落部及相鄰接凸塊92、92間之部分上流動速度 之差異，進而可防止前述1C晶片91之前述接合面周圍部 分、其角落部及相鄰接凸塊92、92間之部分中接合材料85 之流動速度上升。 又，前述說明中，接合程序時1C晶片91之各凸塊92雖 與電路基板96之各電極97接觸，但本發明並不限於此，接 合程序中亦可使1C晶片91之各凸塊92與電路基板96之各電 極97不接觸，而於正式加壓接著程序中初次使晶片91之 各凸塊92與電路基板96之各電極97接觸。 又，舉例言之，凸塊92之高度為50〜75μιη時，鈍化膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -81- 1226085
五、發明說明（79 ) 99及辅助鈍化膜93之厚度宜為30〜40μιη。 若依前述第9實施形態，則不僅將鈍化膜99(圖中之陰 影部分）配置於1C晶片91接合面之各邊邊部附近中由配置 成一列且大致等間隔之凸塊92、…、92所包圍之正方形領 域上，並將辅助鈍化膜93(圖中陰影部分）配置於四邊凸塊 92、…、92之外側位置（即接合面之周圍部分）、其角落部 及相鄰凸塊92、92間之部分上，因此於前述正方形領域、 前述周圍部分、其角落部及相鄰凸塊92、92間之部分上， 接〇材料95之流動速度將大致相同，而可防止接合材料95 之密度降低，並防止接合面周圍部分、其角落部及相鄰凸 塊92、92間之部分之密著力，即接合力及密封力降低，而 可防止剝離之發生，進而防止水分入侵所導致之因吸濕而 起之1C晶片91等發生腐蝕。因此，可使ic晶片91接合面内 接合材料95之分布均勻化，並提高密著力，進而提高接合 及密封之可靠性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於前述第1〜第9實施形態中，即使接合材料中含有導 電性材料或無機填料時，均可藉虛設凸塊使進行加壓接著 時樹脂於1C晶片接合面内之流動均勻化，均勻配置導電性 材料或無機填料，而可使品質及可靠性趨於安定。相對於 此’無虛設凸塊時，添加有無機填料之樹脂若於加壓接著 時樹脂之流動不均勻則無機填料將變得有疏有密而使樹脂 物性部分相異，導致品質易於劣化；而添加有導電性材料 之樹脂若加壓接著時樹脂流動不均勻，則導電形材料變得 有疏有密而發生部分性之短路。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） -82- 1226085 A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（8〇 ) 又’刚述第1〜第9實施形態中，前述各凸塊2、12、22、 32 ' 42 ' 52、62、82、92除預先調整使其高度一致後即與 電路基板接觸者外亦可採用不預先進行調整而使各凸塊與 電路基板之各電極接觸後於各電極進行調整之無銷凸塊 (NSD)形式之安裝方法。茲將該無銷凸塊（NSD)形式之安裝 方法說明如下。 使用第27圖〜第31圖說明前述各實施形態中對電路基 板（以下代表性地以406表示之）之1C晶片（以下代表性地以 401表示之）安裝方法。 第27A圖之1C晶片401中，藉引線焊接裝置而依第30A 圖〜第30F圖之動作於ic晶片401之A1衰減電極（以下代表 性地以404表示之）上形成凸塊（凸起電極）（以下代表性地以 402表示之）。即，於第30A圖中由支持器193凸出之導線195 下端形成一球196，第30B圖中使用以固持導線195之支持 器193下降後，再使球193與1C晶片401之電極404接合而大 致形成凸塊402之形狀，於第30C圖中一面將導線195送至 下方一面使支持器193開始上升，而如第30D圖所示般使支 持器193移動至大致呈四邊形之線圈199，再如第30E圖所 示，於凸塊402之上部形成彎曲部198後扯斷而形成如第 30F圖所示之凸塊402。或，於第30B圖中以支持器193將導 線195夾緊，並使支持器193上升而提高至上方藉此扯斷金 屬導線195，而形成如第30G圖般凸塊402之形狀。如前述 般，將1C晶片401之各電極404上形成有凸塊402之狀態顯示 於第27B圖。舉例言之，亦以與前述凸塊402相同之方法形 本紙張尺度刺中_家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^--------t---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -83· 1226085 A7 B7 五、發明說明（S1 ) 成前述虛設凸塊。 接著，於第27C圖所示之電路基板406之電極407上如 第27D圖所示般，配置一以較ic晶片401之大小略大之尺寸 而切割之作為接合材料例示用之熱硬化性樹脂片（以下代 表性地以405表示之），舉例言之係藉加熱至80〜120°C之黏 貼工具408A並以49〜98N(5〜10kgf/cm2)程度之壓力將作為 前述接合材料具體例用之熱硬化性樹脂片405黏貼於基板 406上之電極407。之後，將配置於熱硬化性樹脂片405之黏 貼工具408A側之隔板405a剝離，而完成基板406之準備程 序。該隔板405a係一用以防止熱硬化性樹脂片405粘上黏貼 工具408 A者。於此，熱硬化性樹脂片405宜為含有二氧化 矽等無機系填料者（如環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺等） 及完全不含無機系填料者（如環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞 胺等），且宜具有可耐後續之圓滑熱處理程序下之高溫程度 之耐熱性（舉例言之如可於240。(：下耐受10秒之耐熱性）。 其次，如第27E圖及第28F圖所示，藉已加熱之接合工 具408將前述之前置程序中於電極404上形成有凸塊402之 1C晶片401定位於與前述前置程序中已準備之基板406之1(： 晶片401的電極404對應之電極407上後施行按壓。此時，凸 塊402之頭部402a將於基板406之電極407上如第31A圖至 第31B圖所示般一面變形一面往下壓，而此時經由ic晶片 41而施加於凸塊402側之荷重將依凸塊402之直徑而不同， 但將呈折曲而重疊之凸塊402之頭部402a必須施加可如 31C圖所示變形程度之荷重。令該荷重最低需 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 請* 先 閱 讀‘ 背 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 I I I I I 訂 ▲ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -84- 1226085 A7 B7 五、發明說明（82 ) 196mN(20gf)。荷重上限則令其為不致使1(：晶片401、凸塊 402及電路基板406等發生損傷之程度。依情況，該最大荷 重亦有超過980mN(100gf)之時。又，405m及405s係熱硬化 性樹脂片405因接合工具408之熱而熔融之熔融中熱硬化性 樹脂及熔融後已熱硬化之樹脂。 又’可藉以陶瓷加熱器或脈衝加熱器等内藏之加熱器 而加熱之接合工具408,再藉定位兼加壓接合裝置進行定位 程序及加壓接合程序；前述之定位程序係將前述前置程序 中於電極404上形成有凸塊402之1C晶片401定位於與前述 前置程序中已準備之基板406之1C晶片401的電極404相對 應之電極407上者，而加壓接合程序係於定位後進行。但， 其他裝置，舉例言之如連續生產多數基板時為同時進行定 位作業及加壓接合作業以提高生產性，亦可以定位裝置進 行定位程序、以加壓接合裝置進行加壓接合程序。 此時，舉例言之，電路基板406係使用玻璃布層積環氧 基板（玻璃環氧基板）及玻璃布層積聚醯亞胺樹脂基板等。 該等基板406因受熱壓程、裁斷及加工而產生彆曲及翹曲， 並非一定為完全之平面，因此可適當於電路基板406之f曲 受到矯正之狀態下，舉例言之如以140〜230°C之熱施加於 1C晶片401與電路基板406間之熱硬化性樹脂片405上數秒 〜20秒程度，該熱硬化性樹脂片405則硬化。此時，最初構 成熱硬化性樹脂片405之熱硬化性樹脂流動至ic晶片401之 邊緣而密封。又，因其為樹脂，故於加熱時將產生自然軟 化而如前述般流動至邊緣之流動性。使熱硬化性樹脂之體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------裝i — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-* .線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -85· 1226〇85
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此後，已加熱之接合工具408將上升，且因加熱源消 失，1C晶片401與熱硬化性樹脂片4〇5之溫度急速降低，熱 硬化性樹脂片405失去流動性，而如第28G圖及第31C圖所 示般1C晶片401藉已硬化之熱硬化性樹脂4〇5s而固定於電 路基板406上。又，若藉工作臺41〇將電路基板4〇6側預先加 熱’則可將接合工具408之溫度設定更低。 又’取代黏貼熱硬化性樹脂片405，亦可如第29H圖所 示般將熱硬化性接著劑405b藉灑佈器等塗佈、印刷或謄寫 於電路基板406上。使用熱硬化性接著劑405b時，基本上係 進行與前述使用熱硬化性樹脂片405者相同之程序。使用熱 硬化性樹脂片405時，除因其為固體而容易處理外，其無液 體成分而可以高分子形成之，具有容易形成高玻璃轉移點 之優點。相對於此，使用熱硬化性接著劑405b時，則可以 任意大小塗佈、印刷或謄寫於基板406之任意位置上。 又’亦可使用異向性導電膜（ACF)取代熱硬化性樹 脂’更可使用於鎳粉上施以鍍金者作為異向性導電膜中所 含之導電粒子，藉此可減低電極407與凸塊402間之接觸電 阻值，亦為理想。 又，第27A圖至第27G圖中係針對於電路基板406側形 成熱硬化性樹脂片405者加以說明，第29H圖則針對將熱液
-----------0^ (球先閱价背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線一
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐 -86- Α7 Β7 1226〇85 五、發明說明（84 ) 化性接著劑405b形成於電路基板406側者加以說明，但本發 明不限於此，而如第291圖或第29J圖所示般，亦可形成於 1C晶片401側。此時，特別係熱硬化樹脂片405時，可將1C 晶片401按壓在配置於熱硬化性樹脂片405之電路基板側且 可拆卸之隔板405a及橡膠等之彈性體117上，並沿凸塊402 之形狀使熱硬化性樹脂片405黏貼於1C晶片401上。 於前述之無銷凸塊（NSD)形式之安裝方法中，為使各 凸塊之前端部分壓碎於電路基板各電極上之對電路基板之 1C晶片押入量（按壓量）將增大。如此一來，使接合材料流 動至1C晶片接合面周邊部之力將增大，前述虛設凸塊之接 合材料阻流機能將發揮更大效果，而以NSB(無銷凸塊）更 可提高阻流效果。 舉例言之，無銷凸塊（NSD)形式之安裝方法中，藉將 直徑75 μηι之凸塊相對電路基板之電極按壓並壓碎而得電 性接合時’使凸塊壓碎為僅縮短3 5 μπι。此時，於1C晶片朝 向電路基板按壓時，兩者間接合材料將被押出，因此藉前 述接合材料阻流構件控制前述接合材料之流出，而可有效 果地防止1C晶片中央部分之接合材料密度降低。因此，前 述般無銷凸塊形式之安裝方法中，乃可大大期望其對接合 材料流出之抑制力。 又，前述第1〜第5實施形態中，為大致平均地控制接 合材料之流動，凸塊與虛設凸塊之形狀宜相同，但本發明 不限於此，於可容許之範圍内亦可為不同之形狀及高度。 又’凸塊與虛設凸塊亦可為不同材質者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） Μ-----------------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 •87- 1226085
五、發明說明（85 ) 又，前述第1〜第5實施形態中，雖以凸塊與凸塊間之 間隔、凸塊與虛設凸塊間之間隔甚或虛設凸塊與虛設凸塊 間之間隔係大致平均者為中心加以說明，但本發明不限於 此，於可容許之範圍内亦可為不平均之間隔。此時，容許 範圍外之部分將配置虛設凸塊。 前述實施形態中，係以於1C晶片之電極上形成虛設凸 塊作為接合材料阻流構件之例而加以說明，但本發明不限 於此，如第32A圖、第32B圖、第32C圖及第33圖所示般， 可藉樹脂糊之印刷或灑佈等，於前述IC晶片上直接形成與 虛設凸塊局度大致相等之虛設凸塊狀之凸部23 a。 又’雖於前述電子零件接合面之電極上形成凸塊，但 亦可於前述電子零件之接合面上形成突出電極上之凸狀電 極。 又’則述第6〜第9實施形態中，為使接合材料流動速 度大致均勻而宜使鈍化膜與輔助鈍化膜之厚度大致相同， 但本發明不限於此，於容許範圍内亦可厚度不同。又，純 化膜與輔助鈍化膜除可為不同材質者外，各膜不限於一層 而可為多層者。 又’前述第6〜第9實施形態中，亦可形成一層或多數 層之具有其他機能之膜以取代輔助鈍化膜而作為前述接合 材料阻流構件。 又’藉配置前述接合材料阻流構件如虛設凸塊或輔助 鈍化膜’而使1C晶片與基板接合時由ic晶片與基板間擠出 而***於1C晶片各側面上之接合材料因前述接合材料阻流 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） (tr先閱外背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線」 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -88- 1226085 A7 B7 五、發明說明（86 ) 構件而受到流動限制或流動速度限制，因此由1(:晶片與基 板間擠出之接合材料與配置有前述接合材料阻流構件之部 分及配置有凸塊或鈍化膜之部分係受到相同之流動限制或 流動速度之上升限制，可使為相對IC晶片側面之***部分 之嵌條增大，而可將1C晶片之側面於其厚度上由基板側覆 蓋至一半般***。即，習知技術中，配置有凸塊或鈍化膜 之部分係受流動限制或流動速度之上升限制，但無配置凸 塊或鈍化膜之部分則不受前述限制而無法使嵌條增大，舉 例5之’1C晶片之厚度為0.4mm時僅能形成〇· imm程度之喪 條。但，前述各實施形態中，因受到前述之限制，舉例言 之1C晶片厚度為0.4mm時將形成高度為0.2〜0.3mm之嵌 條，而可使嵌條增大。結果，嵌條較小時，1C晶片與接合 材料及/或基板與接合材料間之界面易形成水分可侵入之 路徑，又，該路徑亦短，耐濕可靠性低，且加熱循環時易 引起基板彎曲。但，彼條較大時，1C晶片與接合材料及/ 或基板與接合材料間之界面不易形成水分可侵入之路徑， 又，可使該路徑延長，具有優異之咐濕可靠性，且舉例言 之其於-6(TC〜150°c之加熱循環時不易引起因熱而起之基 板弯曲。 其次，前述第1〜第9實施形態中主要係相對電子零件 方面之改良而記載電路形成體方面之改良。 即，習知技術中，除使形成於四邊形1C晶片接合面之 電極上之凸塊與電路基板之電極接觸外，並於1C晶片與電 路基板間配置接合材料，藉該接合材料使1C晶片接合並固 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-· --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -89- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226085 五、發明說明（87 ) 持於電路基板上。 但具有刚述結構者中，與四邊形ic晶片接合之電路基 板ic晶片接合領域中接合材料不均句流出之部分，如電極 間配列較大之間隙或四邊形之邊部分上配列有電極時無電 極配列之角部間隙等中，藉接合材料使1(：晶片接合於電路 基板上時，1C曰曰片與電路基板間所挾之接合材料將通過電 路基板之電極間之前述間隙，而不均勻地流至電路基板與 1C曰曰片接合領域之周圍部分，因此IC晶片接合領域之中央 邛为中接合材料之密度易降低，而導致接合力及密封力降 低。 因此，本發明第10實施形態以下之目的在於解決前述 問題，圖謀電子零件與電路形成體接合時接合材料於電路 形成體之電子零件接合領域上分布均勻化，進而提供一種 可提高接合及密封可靠度之電子零件之安裝方法及電子零 件安裝體。 茲將本發明相關之第10實施形態後者依圖式加以詳細 說明如下。又，各平面圖中各凸塊及各虛設凸塊為求簡略 化而以四邊形圖示之，但實際之形狀並不限於此。 又’本說明書中所述電路形成體係指樹脂基板、紙_ 酚醛基板、陶瓷基板、膠膜基板及玻璃環氧基板等電路基 板、單層基板或多層基板等電路基板、零件、框體或框架 等形成有電路之對象物。 (第10實施形態） 茲將本發明第10實施形態相關之作為電子零件之安裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------1---------Μ. (貧先閱tt·背面之注意事項再填寫本頁) -90- 1226〇85
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（88 方法及依該方法製造之電子零件安裝體例示用之IC晶片之 安裝方法及依該方法製造之1(：晶片安裝體以第34A圖至第 39圖說明如下。第34A圖及第34B圖係第10實施形態相關1C 晶片安裝方法之接合程序前，電路基板之側面圖及平面 圖；第35A圖及第35B圖係加壓接合程序中1C晶片、電路基 板及接合材料之部分截面側面圖及透視IC晶片而顯示電路 基板上接合材料動向之平面圖；第36圖係將加壓接合程序 中1C晶片、電路基板及接合材料作部分擴大之部分截面側 面圖。又，第37A圖及第37B圖係用以說明第10實施形態之 習知例相關1C晶片安裝方法之接合程序前，前述電路基板 之側面圖及平面圖；第38A圖及第38B圖係第35A圖及第 35B圖之習知例相關加壓接合程序中IC晶片、電路基板及 接合材料之部分截面側面圖及透視j C晶片而顯示電路基板 上接合材料動向之平面圖；第39圖係將第35A圖及第3 5B圖 之習知例之加壓接合程序中IC晶片、電路基板與接合材料 作部分擴大之部分截面側面圖。 第1〇實施形態係如第34A圖及第34B圖所示，接合於作 為電路形成體例示用之電路基板6-1之正方形1C晶片接合 領域6a-l上之作為電子零件例示用之正方形IC晶片 中，於除其四隅角落部附近外之四邊各邊部附近設有一列 凸塊22、…、22時，則電路基板6-1之1C晶片接合領域6a-1 四隅之各角落部附近，即，與IC晶片1-1原本無凸塊之部分 對應之部分上形成有作為接合材料阻流構件例示用凸塊之 虛設電極303,並藉該虛設電極303阻止接合材料5之流動。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — — — — III ·1111111 — — — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} -91- 1226085 A7 B7 五、發明說明（89 ) 又，本說明書中所謂之1C晶片接合領域係指應與1C晶 片接合之電路基板上之領域，且與1C晶片同一形狀或係較 1C晶片大出若干之領域。 習知技術係如第37A圖及第37B圖所示，電路基板706 之正方形1C晶片接合領域706a之各邊邊部附近各自大致等 間隔地配列有一列電極707、…、707，但電路基板706之1C 晶片接合領域706a之四隅各角落部附近則假定完全無電極 707。如前述般電極707、…、707配置於1C晶片701之狀態 下將接合材料705供至電路基板706後，於電路基板706之接 合領域706a之電極707上形成有凸塊702之1C晶片701的前 述接合面與前述電路基板706之間藉著前述接合材料705， 使前述1C晶片701之前述電極704上之前述凸塊702與前述 電路基板706之電極707呈電性接觸而接合後，將前述電路 基板706載置於基台710上，再使已加熱之按壓構件708直接 接觸1C晶片701並加壓，藉此於加熱及加壓狀態下將前述1C 晶片701加壓接合並使前述1C晶片701之前述接合面與前述 電路基板706之前述接合領域706a間之前述接合材料705硬 化。此種狀態下，以加熱器一面加熱並進行正式加壓接合 時，就1C晶片701與基板706間之接合材料705而言，令基板 706之1C晶片接合領域706a中央部内、形成於1C晶片701接 合面上之SiN鈍化膜509與基板706之1C晶片接合領域706a 間之接合材料705之流動速度為SP1。另一方面，若令基板 706之1C晶片接合領域706a之周邊部上基板706之1C晶片接 合領域706a之電極表面Au電鍍與1C晶片701間接合材料 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (tr先閱命背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -92- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226085 A7 _ B7 五、發明說明（9〇 ) 705之流動速度為SP2，則1C晶片接合領域706a周邊部之流 動速度SP2將較前述1C晶片接合領域706a中央部内之流動 速度SP1大，且接合材料705將以較基板706之1C晶片接合 領域706a周邊部，特別係大致等間隔配置有電極7〇7、…、 707之邊部附近更大之流動速度由欠缺電極7〇7之位置，即 各角落部附近703沿基板流至1C晶片接合領域706a外側，而 使接合材料705密度降低，導致用以密封ic晶片701側面之 fef月曰置不足，而使用以後封IC晶片7 01側面之嵌條變小，I c 晶片接合領域周邊部中1C晶片701與接合材料705間發生剝 離進而使基板706之電極707與接合材料705間發生剝離。 為防止發生前述之剝離現象，第1 〇實施形態中，前述 接合材料供給程序前係如第34A圖及第34B圖所示，於正方 形1C晶片1-1之無電極7之各角落部附近上，配置一或多數 虛設電極3 03。於此，所謂於角落部附近上配置一或多數虛 設電極303意指如第79圖所示，當前述1(：晶片^之前述接 合面邊部附近一列電極7、…、7之配置列延長線L1與L2以 大致90度於1C晶片1-1之前述接合面角落部交叉時，如 303 A及303B般配置於交叉領域之外側領域ri内，·或通過各 列中最罪近角落部之電極7而如303A、303B及303C般地配 置於前述延長線LI、L2與各與其等垂直之基準線L3、l4 所包圍之領域R2内。結果，電路基板6·；!之正方形1(：晶片接 合領域6心1中亦有電極303之存在，所有各角落部附近則成 為大致均勻地配列有電極7、…、7或虛設電極3〇3、…、303 之狀態。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Μ--------^---------線 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -93- 1226085
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（91 ) 又’宜使各虛設電極3 03以與各電極7相同之方法形 成，但亦可以其他方法形成之。 如前述般於電極7、…、7或虛設電極303、…、303之 列係形成於電路基板6-1之正方形1C晶片接合領域6心丨各 邊部附近之狀態下，於接合材料供給程序中，至少將含有 絕緣性之熱硬化性樹脂之接合材料5供至IC晶片之接合 領域或電路基板6-1之1C晶片接合領域6a-l中至少一者 上。接合材料5之供給方法於接合材料5為液鱧時則可藉塗 佈進行’接合材料5為片狀等固體狀態時則可以載置或黏貼 進行之。 舉例言之，接合材料為液體狀時有異向性導電糊或密 封樹脂翔等；其為固體狀時則有片狀之異向性導電膜或密 封樹脂膜等。 接著’於接合程序中，挾接合材料5使電路基板 1C晶片接合領域以^與]^晶片υ之接合面重疊，並於前述 各電極4上形成有凸塊2之1(：晶片υ之前述接合面與前述 電路基板6-1之1C晶片接合領域6a-i間藉前述接合材料5而 使前述1C晶片1-1之前述各電極4上之前述凸塊2與前述電 路基板6-1之各電極7呈電性接觸而定位後接合。該接合程 序可於電路基板6-1載置於基台10上之狀態下進行，亦可於 其他部位藉接合材料5使1C晶片1-1與電路基板6-1重叠而 進行接合程序後，於正式加壓接合程序中藉接合材料5使重 疊有1C晶片1-1電路基板6β1載置於基台1〇上。 接著，於加壓接合程序中，使按壓構件8直接接觸1(： 本紙張過用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (f先閱t#·背面之注意事項再填寫本頁) -------—訂！---I . 1226085 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（92 ) 晶片1-1，藉著接合材料5使按壓力由按壓構件8朝向載置重 疊有1C晶片1_1之電路基板6·1之基台10發生作用，同時使 内藏於按壓構件8内之加熱器之熱由按壓構件傳達至〗匸晶 片1-1上。結果，於預定溫度下使預定之加壓力發生作用， 並將1C晶片1-1之接合面按壓於電路基板6-1之ic晶片接合 領域6a-l上’藉此使1C晶片1-1接合面各電極4上之凸塊2與 電路基板6-1之1C晶片接合領域6a-l内之各電極7接觸。此 時’使前述1C晶片1-1之前述接合面與前述電路基板6·丨之 1C晶片接合領域6a_l間之前述接合材料5由前述1(：晶片1-1 之前述接合面中央部朝周邊部壓出。於此，如前述般地於 欠缺電極7之部分，即，角落部附近配置虛設電極3〇3，結 果1C晶片1-1之前述接合面均與各角落部附近任一邊部附 近相同地大致等間隔配置有電極7、…、7及虛設電極3〇3， 而如第38B圖所示般，於各邊邊部附近及各角落部附近， 接合材料5由中央部朝周邊部之流動均同樣地受到限制，而 使基板6-1之1C晶片接合領域6a-l中央部之流動速度spi與 基板6-1之1C晶片接合領域周邊部之流動速度sp2大致相 同，進而使ic晶片接合領域6a-1之中央部及周邊部之IC晶 片1 -1與接合材料5之密著性增加外，並使基板6_ 1之電極7 或虛設電極313與接合材料5間之密著性增加，藉此可防止 前述之剝離，終而可製造出一IC晶片安裝體，該安裝體之 接合材料5係至少大致均勻分布於電路基板…丨之…晶片接 頁或6a 1王體上且係藉前述之熱而硬化者。即，前述正 式加壓接合程序中，藉設有前述1C晶片1“之虛設電極 ----I--II----- I I I----訂---I--I-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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五、發明說明（93 ) 3〇3、..^ 303,可於由電路基板之前述IC晶片接合領域 6a-l往周邊部（特別係角落部）加壓接合時阻止前述接合材 料5不均勻地壓出。 作為刖述接合材料阻流構件例示用之各虛設電極303 之尚度宜與電極7之高度大致相同。又，通常，基板之電極 网度於係多層基板’如松下電子零件株式會社製之亞力步 (ALIVH)玻璃環氧基板時，舉例而言係12〜25μιη(含Au/Ni 電鍍）；而於係陶瓷基板時，舉例言之係2〜15μπι(含Au/Ni 電鍍）。又，各虛設電極303宜具有耐熱性，於此，舉例言 之’耐熱性係指於無須圓滑熱處理程序時可耐2〇〇〇C2〇秒， 且通過圓滑熱處理程序時可耐25〇〇c 1〇秒程度熱能之性質 者。 又’接合材料5不限於僅由絕緣性之熱硬化性樹脂構成 者’可使其含有於絕緣性樹脂中含導電性粒子之導電性材 料亦可使其含無機填料。即使如前述般，接合材料5中含 有導電性材料或無機填料時，均可藉前述接合材料阻流構 件使接著時樹脂於1C晶片1 -1之接合面内平均流動，並平均 配置導電性材料或無機填料。對此，無前述接合材料阻流 構件時’添加有無機填料之樹脂若於加壓接合時樹脂之流 動趨於不均勻則無機填料將變得有疏有密，因樹脂物性部 分相異而使品質易於劣化；而添加有導電性材料之樹脂若 加壓接合時樹脂之流動不均勻，則導電性材料將疏密不均 而將部分性地發生短路。 又’前述說明中，接合程序時1C晶片1-1之各凸塊2係 本紙張尺iiS用中國國家標準（CNS)A4規格⑽x 297公爱） 一 — -96- (f先閱t*·背面之注意事項再填寫本頁)
1226085 五、發明說明（94 ) 與電路基板6]之各電極7接觸，但本發明祕於此，接合 程序中亦可使IC晶片Μ之各凸塊2與電路基板61之各電 極7不接觸’而於正式加壓接合程序中初次使ic晶片Μ之 各凸塊2與電路基板6-丨各電極7接觸。 若依前述第Η)實施形態，電路基板6-1之正方_晶片 接合領域6a#，除其四隅角落部外係於四邊之各邊邊部 附近大致等間隔地具有一列電極7、 ·、7,並於電路基板 6-1之1C晶片接合領域6a]之前述邊部附近無電極了之角落 部上形成虛設電極303、…、303,藉此可使電極7、…、7 之配列狀態於1C晶片1-1各邊邊部附近及各角落部附近大 致相同，前述加壓接合程序中之前述1(:晶片1β1之前述接合 領域與前述電路基板^丨之^:晶片接合領域以^間前述接 合材料5由其中央部朝其周邊部角落部流動時，虛設電極 303係作為接合材料阻流構件發揮機能，使基板6_丨之…晶 片接合領域6a-l中央部之流動速度SP1與基板卜晶片 接合領域6a-l周邊部之流動速度SP2大致相同，而可使接合 材料5於1C晶片接合領域6a-1之各邊邊部附近及各角落部 附近由中央部朝周邊部之角落部大致均勻流動，且接合材 料5將可均勻分布於1<：晶片卜丨之接合面，換言之即前述電 路基板6-1之1C晶片接合領域6a-1内。如前述般，JC晶片u 之接合面内及電路基板6-1之1C晶片接合領域6a-i内接合 材料5分布均勻化，結果，可防止接合材料5之密度降低， 且增加1C晶片接合領域6a-1之中央部與周邊部（特別係角 落部）中1C晶片1-1與接合材料5之密著性，並因使基板 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------Μ----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -=0· --線· -97- 1226085 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（95 ) 之電極7或虛設電極303與接合材料5間之密著性增加，而可 防止前述之剝離發生，提高接合及密封之可靠性。 又’若使配置於前述角落部之虛設電極3〇3與鄰接於該 虛設電極303之電極7、."7間之配置間隔與電極7、…、7 之配置間隔大致相等，則四邊邊部附近至角落部之領域成 為同樣地形成有電極7、…、7般之狀態，而可使前述接合 材料5由中央部朝周邊部之流動更大致均勻化，且電路基板 6-1之1C晶片接合領域6a-l内接合材料5之分布更平均。 但’本發明不限於此，為較完全無前述虛設電極3〇3、…、 303存在時更提高均勻度，亦可使虛設電極3〇3與鄰接於該 虛s又電極303之電極7、…、7間之配置間隔較電極7、…、7 之配置間隔大。 (第11實施形態） 兹將本發明第11實施形態相關之作為電子零件之安裝 方法及依該方法製造之電子零件安裝艎例示用之IC晶片之 女裝方法及依該方法製造之1C晶片安裝體以第40A圖至第 45圖說明如下。第4〇a圖及第40B圖係第1]t實施形態相關IC 晶片安裝方法之接合程序前，前述IC晶片之側面圖及裏面 圖；第41A圖係接合程序前電路基板之側面圖；第41B圖係 一平面圖，用以顯示加壓接合程序中接合材料之流動狀 態’並透視1C晶片而顯示電路基板上接合材料之動向。又 第42圖係將前述加壓接合程序中IC晶片、電路基板及接合 材料作部分擴大之部分截面側面圖。另，第43A圖及第43B 圖係用以說明第11實施形態之習知例相關電子零件安裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -I--I I I I ^ · I--1!!*^ ^ (貧先閲介背面之注意事項再填寫本頁) -98- 1226085 經-;#部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 1 丨一丨丨 B7 五、發明說明（96 ) 法之接合程序前，1C晶片之侧面圖及裏面圖；第44A圖係 第43A圖及第43B圖之習知例之接合程序前，電路基板之側 面圖，第44B圖係一平面圖，用以顯示第43圖之習知例之 加壓接合程序中接合材料之流動狀態，並透視IC晶片而顯 不電路基板上接合材料之動向。又，第45圖係將第43A圖 及第43B圖之習知例之前述加壓接合程序中1(：晶片、電路 基板與接合材料作部分擴大之部分截面側面圖。 前述ic晶片之安裝方法係如第4〇A圖及第4〇B圖所 不，於四邊形（即正方形或長方形）IC晶片12(第4〇A圖及第 40B圖中係正方形IC晶片1β2)之接合面上，除其四隅角落部 外之四邊各邊端緣附近部分設有與各邊大致平行且大致等 間隔之一列凸塊2、…、2,並於IC晶片1β2接合面之前述邊 部附近中無凸塊2之部分（第40Β圖中係IC晶片1-2四邊中上 下兩邊及左右兩邊之邊部附近無凸塊2之部位）上形成作為 接合材料阻流構件例示用之虛設凸塊3，並藉該虛設凸塊3 阻止接合材料5之流動。另一方面，基板方面亦如第41A圖 及第41B圖所示，與前述四邊形（即正方形或長方形）1(：晶片 1-2(第40A圖及第40B圖中係正方形IC晶片之接合面對 應之電路基板6-2之四邊形（即正方形或長方形）1(：晶片接 合領域6a-2(第40A圖及第40B圖中係正方形IC晶片接合領 域6a-2)中，其四隅角落部外四邊各邊部端緣附近部分上設 有與各邊大致平行且大致等間隔之一列電極7、…、7,並 於ic晶片接合領域6a-2之前述邊部附近中無電極7之部位 (第41B圖中係1C晶片接合領域6a-2四邊中之上下兩邊邊部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -99- 1226085 A7 B7 五、發明說明（97 ) 附近無電極7之部位（將形成虛設凸塊3之部位））上形成虛 δ又電極3 13 ’以作為接合材料阻流構件例示用之凸部，而藉 該虛設電極313阻止接合材料5之流動。 習知技術係假定如第43Α圖、第43Β圖、第44Α圖及第 44Β圖所示，各於正方形IC晶片7〇1之相對兩邊（第43Β圖係 上下兩邊及左右兩邊）邊部附近中大致等間隔地於電極 704、…、704上配列凸塊702、…、702，但其中具有欠缺 凸塊702之位置703,換言之，即具有兩兩相鄰凸塊7〇2、702 中凸塊間隔較其他凸塊間隔寬之寬幅間隔部分703，並如第 44Α圖所示，基板706側於與前述寬幅間隔部分對應之位置 上亦無電極707，兩兩相鄰之電極707、707中具有電極間隔 幸乂其他電極間隔寬之寬幅間隔部分。如前述般，於凸塊 702、…、702係配置於1C晶片701上且電極707、…、707 係配置於基板706上之狀態下，將接合材料705供至電路基 板706後’如第44Β圖及第45圖所示般，接合面之電極704 上形成有凸塊702之1C晶片701的前述接合面與前述電路基 板706之1C晶片接合領域706a間藉著前述接合材料705，使 前述1C晶片701之前述電極704上之前述凸塊702與前述電 路基板706之電極707呈電性接觸而接合後，將前述電路基 板706載置於基台710上，再使已加熱之按壓構件7〇8直接接 觸1C晶片701並加壓，藉此於加熱及加壓狀態下將前述IC 晶片701加壓接合並使前述ic晶片701之前述接合面與前述 電路基板706之前述接合領域706a間之前述接合材料7〇5硬 化。此時，與大致呈等間隔配列之凸塊702、···、702間之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — — — — —--訂 - ----I!線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 •100- 1226085 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（98 ) 間隙、欠缺凸塊702之寬幅間隔部分703及大致呈等間隔配 列之電極707、…、707間之間隙相較下，接合材料705將由 欠缺電極707之寬幅間隔部分大量流至前述1C晶片701之前 述接合面與電路基板706之1C晶片接合領域706a之外側外 周部，使接合材料705之密度降低。結果，如第45圖所示般， 用以後封1C晶片701側面之樹脂量變得不足，而使密封1C 晶片701之嵌條縮小或消失，進而導致ic晶片接合領域706a 之周邊部中1C晶片701與接合材料705間發生剝離或基板 706之電極707與接合材料705間發生剝離。 為防止發生前述之剝離現象，第11實施形態中，前述 接合材料供給程序前係如第40A圖及第40B圖所示，各於正 方形1C晶片1·2四邊中相對兩邊（第40B圖中係上下兩邊及 左右兩邊）之邊部附近大致呈等間隔配列之凸塊2、…、2 中欠缺凸塊2之寬幅間隔部分（參閱第43Β圖及第44Β圖中 上下兩邊及左右兩邊之703)，換言之即於相鄰凸塊2、2中 凸塊間隔較其他凸塊間隔寬之位置上與其他凸塊2相同地 形成虛設凸塊3而使凸塊2大致等間隔配列。結果，ic晶片 1-2之前述相對兩邊（第40Β圖中係上下兩邊）各於兩邊邊部 附近無欠缺凸塊2地成為與凸塊2、…、2呈大致等間隔配列 之狀態相同之狀態。 另一方面，基板方面亦於前述接合程序前如第41Α圖 及第41Β圖所示般，於電路基板6-2之1C晶片接合領域6a-2 四邊中互呈相對之兩邊（第41B圖中係上下兩邊及左右兩邊） 邊部附近内大致呈等間隔配列之電極7、…、7中欠缺電極7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — II — — — — — — · I---— — lei — — — — —-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -101- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226〇85 A7 五、發明說明（99 ) 之寬幅間隔部分（參閱第43B圖及第44B圖中上下兩邊及左 右兩邊之703)，換言之即於相鄰電極7、7間電極間隔較其 他電極間隔寬之位置上舉例言之以與電極7相同之方法形 成虛設電極313，而使電極7配列成大致等間隔。結果，電 路基板6-2之1C晶片接合領域6a-2之前述相對兩邊（第41B 圖中係上下兩邊及左右兩邊）各邊之邊部附近各自成為無 欠缺電極7且與電極7、…、7大致呈等間隔配列之狀態相同 之狀態。 又’形成各凸塊2及各虛設凸塊3之方法則有第80A圖〜 第80G圖所示凸塊形成方法等。乃針對第40A圖、第40B圖 之1C晶片1 -2中形成各凸塊2及各虛設凸塊3之例加以說 明。相當於1C晶片1-2之1C晶片401中，係藉引線焊接裝置 並依第80A圖〜第80F圖之動作而於1C晶片401之A1衰減電 極404(相當於電極4)上形成凸塊（凸起電極）402(相當於各 凸塊2及各虛設凸塊3)。即，於第80A圖中由支持器193凸 出之導線195下端形成一球196，第80B圖中使固持導線195 之支持器193下降後，再使球193與1C晶片401之電極404接 合而大致形成凸塊402之形狀，於第80C圖中一面將導線 195送至下方一面使支持器193開始上升，而如第80D圖所 示般使支持器193移動至大致呈四邊形之線圈199,再如第 80E圖所示，於凸塊402之上部形成彎曲部198後再扯斷而 形成如第80F圖所示之凸塊402。或，於第80B圖中以支持 器193將導線195夾緊，並使支持器193上升而提高至上方藉 此扯斷金屬導線195，而形成如第80G圖之凸塊402之形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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--------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如刖述般於形成有凸塊2、…、2及電極7、...、7之狀 態下，於接合材料供給程序中，係至少將含有絕緣性之熱 硬化性樹脂之接合材料5供至ic晶片1-2之接合面或電路基 板6-2之1C晶片接合領域6a-2中至少一者。接合材料5之供 給方法於接合材料5係液體時可藉塗佈進行之，而於接合材 料5係片狀等固體則可藉載置或黏貼進行之。 接合材料於其係液體狀時可例示有異向性導電糊或密 封樹脂糊等；其係固體狀時則有片狀之異向性導電膜或密 封樹脂膜等。 接著於接合程序中，使電路基板6-2之1C晶片接合領域 6a-2挾接合材料5而與IC晶片1-2之接合面重疊，並於前述 各電極4上形成有凸塊2之1(：晶片的前述接合面與前述 .線- 電路基板6-2之1C晶片接合領域6a-2間，藉前述接合材料5 使前述1C晶片1-2之前述各電極4上之前述凸塊2與前述電 路基板6·2之各電極7呈電性接觸而加以定位後並進行接 經遺部智慧財產局員工消費合作社印製 合。該接合程序可於電路基板6-2載置於基台1〇上之狀態下 進行，亦可於其他部位藉接合材料5使1(：晶片1_2重疊於電 路基板6-2上進行接合程序後，於正式加壓接合程序中藉接 合材料5使重疊有IC晶片1β2之電路基板6-2載置於基台10 上。 接著，於正式加壓接合程序中，使按壓構件8直接接觸 於1C晶片上丨_2，而使按壓構件8朝向載置有藉接合材料5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（21〇 x 297公釐） •103· 1226085 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（101) 而與1C晶片1-2重疊之電路基板6-2之基台10施加按壓力， 同時’使内藏於按壓構件8内之加熱器所產生之熱能由按壓 構件8傳達至1C晶片1-2 ^結果，藉於預定溫度下使預定之 加壓力作用，而將1C晶片1·2之接合面按壓於電路基板6-2 之1C晶片接合領域6a-2，藉此使1C晶片1-2接合面上各電極 4之凸塊2較接合程序時更接觸於電路基板6-2之1C晶片接 合領域6a-2内之各電極7。此時，將前述1C晶片1-2之前述 接合面與前述電路基板6-2之1C晶片接合領域6a-2間之前 述接合材料5由前述1C晶片1·2之前述接合面之中央部朝周 邊部壓出。於此，如前述般將虛設凸塊3配置於欠缺凸塊2 之寬幅間隔部分且將虛設電極313配置於欠缺電極7之寬幅 間隔4分’結果’於1C晶片1-2之前述接合面（換言之，即 基板6-2之1C晶片接合領域6a-2中各邊邊部附近）任一邊之 邊部附近均同樣地大致等間隔配置有凸塊2、…、2、虛設 凸塊3及虛設電極313 ,而如第41圖之箭號所示般，各邊之 邊部附近均同樣地可阻止接合材料5由中央部朝向周邊部 流動’而可防止接合材料5不均勻地流動，且將接合材料5 保持至少大致均勻分布於全體IC晶片1_2接合面及電路基 板6-2之1C晶片接合領域6a-2上，並藉前述之熱使其硬化， 進而可製造1C晶片安裝體。即，於前述正式加壓接合程序 中，藉於前述1C晶片1-2上設置虛設凸塊3及於電路基板6-2 上設置虛設電極313，而可於前述IC晶片1-2之前述接合面 (換言之即基板6-2之1C晶片接合領域6a_2)由中央部朝向周 邊部進行加壓接合時，阻止前述接合材料5不均勻地押出。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線.
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— — — — — — — — I· I I I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .線· 經^部智慧財產局員工消費合作社印製
1226085 A7 P ------si___ |五、發明說明（102 ) 作為前述接合材料阻流構件之例，各虛設凸塊3之高度 宜為1C晶片1-2與電路基板6_2接合後，IC晶片^與電路基 板6-2間之間隔之1〇〇/。〜30%，舉一例言之則宜為2〇0/广具體 I 之數值例則係，接合後IC晶片1-2與電路基板6-2間之間隔 之高度尺寸為30μιη〜4〇μηι時，使虛設凸塊之高度為7μιη程 度。 r 各虛設凸塊3宜為具有耐熱性者。作為耐熱性之一例， 舉例言之，係指於無須圓滑熱處理（refl〇w)程序時可於2〇〇 °C下耐20秒程度之熱，而通過圓滑熱處理程序時可於25〇 °C下耐10秒程度之熱之性質。 又，電路基板6-2之虛設電極313之高度宜與電極7之高 度大致相等。 又接合材料5不限於僅由絕緣性之熱硬化性樹脂構成 者，可使絕緣性樹脂中含有含導電性粒子之導電性材料， 亦可使其含無機填料。該等接合材料5中，無論係含有導電 性材料或無機填料時，均藉虛設凸塊3及虛設電極313使加 壓接合時樹脂之流動於1C晶片1-2之接合面内得以均勻 化，而可均勻配置導電性材料或無機填料。對此，無虛設 凸塊3及虛設電極313時，於添加無機填料之樹脂中，若加 壓接合時樹脂之流動不均勻，則無機填料將變得有疏有 密，將因部分樹脂物性不同而易使品質劣化；而於添加有 導電性材料之樹脂中，若加壓接著時樹脂之流動不均勻， 導電性材料將變得有疏有密而發生部分短路。 又，前述說明中，雖記載於接合程序中使IC晶片^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -105- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
--------^---------線. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1226〇85 A7 "〜 -----------B7___ 五、發明說明（1〇3) 各凸塊2與電路基板6·2之各電極7接觸，但本發明並不限 於此，接合程序中可使1C晶片1-2之各凸塊2與電路基板6_2 之各電極7不接觸，而於正式加壓接合程序中首次使1C晶片 1-2之各凸塊2與電路基板6·2之各電極7相接觸。 又刖述第11實施形態中，欲於欠缺電極7之寬幅間隔 Ρ刀換0之即相鄰電極7、7間之間隔較其他相鄰電極7、 7大之寬幅間隔部分中形成虛設電極313時，若相鄰電極7、 7間之間隔未必大致均勻時，僅需於相鄰電極7、7間之間隔 超過容許值之部分上形成虛設電極3Π即可。具體言之，如 第79圖所示，將虛設電極313配置成使電路基板6-2之電極 7、7間或電極7與虛設電極313間之節距中最大節距]?1^打與 最小節距Pmin之關係呈Pmax$ (Pmin>< 2α)[於此，α為卜6 之任意值，藉此可達到與前述同樣之效果。 依前述第11實施形態，於正方形或長方形之1(：晶片u 之接合面上，除四隅之角落部外，於四邊之各邊邊部附近 上具有大致等間隔之一列凸塊2、…、2 ,藉於IC晶片^2 之接合面上前述邊之邊部附近無凸塊2之部位形成虛設凸 塊3並於電路基板6_2之1(：晶片接合領域6心2上前述邊之邊 部附近無電極7之部位形成虛設電極3 13，可使凸塊2、…、 2之配列狀態大致與ic晶片1 -2各邊之邊部附近相同且電極 7、…、7之配列狀態與電路基板6-2之1(：晶片接合領域6a_2 各邊邊部附近大致相同，而於前述加壓接合程序中前述Ic 晶片1-2之前述接合面與前述電路基板6-2之1(：:晶片接合領 域6a-2間之前述接合材料5由中央部分朝周邊部流動時，虛 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -106· 1226085
五、發明說明（104) 經 •濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 ί 社 印 製 設凸塊3及虛設電極313可作為接合材料阻流構件發揮機 能，而可大致使前述接合材料5於1(：晶片卜2各邊邊部附近 上由中央部朝周邊部均勻流動，且使IC晶片卜2之接合面内 及電路基板6·2之1C晶片接合領域6a_2内之接合材料5均勾 分布，進而提高密著力及接合與密封之可靠性。又，如第 42圖所示，1C晶片ΐ·2之接合面内及電路基板6_2之1(：晶片 接合領域6a-2内接合材料5分布均勻化之結果，將可防止接 合材料5密度降低，充分供給用以密封IC晶片側面之樹脂 量，而可使用以密封1C晶片！·2側面之嵌條5A增大，進而 有效地防止1C晶片接合領域6a-2周邊部中1(：晶片^2與接 合材料5間發生剝離及基板6_2之電極7與接合材料5間發生 剝離。如前述，一旦充分供給用以密封1(：晶片側面之樹脂 量，則可使用以密封1C晶片1-2側面之嵌條5A增大，其原 因在於，1C晶片與基板間之間隔係依凸塊材質及形狀決 疋，因此若接合樹脂量充分供給而增多，加壓接合時〗匸晶 片之外部所壓出之樹脂量將增加，故可使嵌條增大。 作前述接合材料阻流構件例示用之虛設凸塊於IC晶片 1-2接合面上之配置位置並不限於前述相對之一對邊部附 近’而僅需與其他凸塊2相同地將虛設凸塊3形成於任一邊 部附近之凸塊2、…、2之列中兩兩相鄰凸塊2、…、2之間 隔較其他凸塊間隔寬之位置上，使凸塊2大致等間隔地配列 即可。 又，作前述接合材料阻流構件例示用之虛設電極3 13 於電路基板6-2之1C晶片接合領域6a-2上之配置位置並不 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — — — — ·1111111 ^ Φ — — — — — — — — Γ請先閱讀背面之ii意事項再填寫本頁) -107- 1226085
五、發明說明（105) 限於刖述相對之一對邊部附近，而僅需與其他電極7相同地 將虛设電極313形成於任一邊部附近之電極7、…、7之列中 兩兩相鄰電極7、7之電極間隔較其他電極間隔寬之位置 上，使電極7大致呈等間隔配列即可。 (第12實施形態） 將作為本發明之第12實施形態相關之電子零件之安裝 方法及依該方法製造之電子零件安裝體例示用之IC晶片之 安裝方法及依該方法製造之1(：晶片安裝體依第46A圖〜第 49圖加以說明。第46A圖及第46B圖係第12實施形態相關1C 晶片安裝方法之接合程序前，前述電路基板之側面圖及平 面圖；第46C圖及第47圖係前述接合程序中ic晶片、電路 基板及接合材料之部分截面側面圖及已作部分擴大之部分 截面側面圖。又，第48A圖及第48B圖係用以說明第12實施 形態之習知例相關1C晶片安裝方法之接合程序前，前述電 路基板之側面圖及平面圖。第48C圖及第49圖係前述習知 例之加壓接合程序中1C晶片、電路基板與接合材料之部分 截面側面圖及已作部分擴大之部分截面側面圖。 前述第10及第11實施形態中，係使作為接合材料阻流 構件例示用之虛設電極303配置於無電極7配置之位置上， 但本發明不限於此。舉例言之，於IC晶片U接合面上設置 用以保護1C晶片之有效（active)面（配線面）之鈍化膜309 時，並如第46B圖所示，於電路基板6-3之1C晶片接合領域 6a-3外側周圍之四邊形領域上設置有機膜319。此時，有機 膜3 19舉例言之係一種焊料光阻劑，不僅形成於電路基板 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -------I 訂·！----I 線 »· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -108-
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1226085 6-3之1C晶片接合領域6a-3外側周圍，並形成於由其周圍至 Ic曰日片接合領域6a-3各邊内側且係各邊邊部附近四邊形外 框領域（圖中陰影領域）32〇中前述電極7、···、7中除與凸塊 2、…、2之接合部外之部分及電極以外之電路基板6·3之表 面上。因此’由該IC晶片接合領域6a_3外側周圍至IC晶片 接合領域6a-3各邊内侧且各邊邊部附近之四邊形外框領域 320之有機膜319係作為接合材料阻流構件例示用之接合材 料阻流膜發揮機能，並可藉該有機膜319阻止接合材料5之 流動。於此’以無機膜取代有機膜319亦可得相同之效果， 但於無機膜時，其與樹脂間之密著性較弱，因此於加熱循 環等環境實驗下將有密封樹脂與無機膜間發生剝離而導致 也、封樹脂機能降低之虞❶對此，若使用有機膜319，則與密 封樹脂之密著性較無機膜強，將可提高可靠性及品質。 前述有機膜3 19舉例言之係作為防止與其他配線或凸 塊等發生電性接觸並保持絕緣性而保護導體之耐熱性塗佈 膜發揮機能，且係由聚醯亞胺或聚苄叉噁唑（PBO)等蟬料 光阻劑構成者。將該有機膜3 19舉例言之係僅以旋轉塗佈成 厚度3〜7μηι程度，如第46B圖所示，塗佈於電路基板6-3之 1C晶片接合領域6a_3外側周圍及IC晶片接合領域6a-3各邊 内側且各邊邊部附近之四邊形外框領域（圖中陰影部 分）320全面上。之後，以帶狀將電極7、…、7中與凸塊2、..、 2接合所必須之接合部除去而使該接合部露出。欲除去之領 域可獨立為帶狀，亦可連結成外框狀。結果，可將該有機 膜3 19形成於ic晶片接合領域6a-3外側周圍及前述四邊形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Μ--------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（1〇7) 外框領域（圖中陰影部分）320上除前述電極7、…、7中與凸 塊2、…、2之連結部外及電極以外之電路基板6_3表面。有 機膜319係如第47圖所示，具有縮短IC晶片外周部之IC晶片 與基板間之距離並提高1C晶片外周部樹脂量之機能。因該 有機膜319,除可防止密封樹脂與1(：晶片間之界面發生剝離 及密封樹脂與基板間之界面發生剝離外，並可提高密封樹 脂也、度、防止空洞（void)發生並極力防止水分於高溫環境 下進入，而可提高高溫高濕環境下之可靠性及品質。 習知技術係假定如第48A圖、第48B圖及第48C圖所 示，除於正方形1C晶片701之接合面上具有凸塊702、…、 702且由四邊凸塊702、…、702所包圍之正方形領域上配置 鈍化膜509(圖中陰影部分）外，並於與1(：；晶片7〇1接合之電 路基板706之1C晶片接合領域706a各邊外側周圍上空出預 定間隔將有機膜519配置成四邊形外框狀。如前述般，於有 機膜519係配置於電路基板706之1C晶片接合領域706a周圍 之狀態下，將接合材料705供至電路基板706後，接合面之 電極704上形成有凸塊702之1C晶片701之前述接合面與前 述電路基板706間係藉前述接合材料705,使前述1C晶片701 之前述電極704之前述凸塊702與前述電路基板706之電極 707呈電性接觸而接合，再將前述電路基板706載置於基台 710上，使已加熱之按壓構件708直接接觸1C晶片701後加 壓，藉此於加熱及加壓狀態下加壓接合前述1C晶片701並使 前述1C晶片701之前述接合面與前述電路基板706間之前述 接合材料705硬化。此時，與配置有鈍化膜509之1C晶片701 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (»·先閲t#·背面之注意事項再填寫本頁)
•110- 1226085 A7 B7 五、發明說明（108) 1----裝· 11 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之前述接合面内由四邊凸塊702、…、702所包圍之正方形 領域相較下，因四邊之凸塊702、…、702間之位置及四邊 凸塊702、…、702之外側位置（即1C晶片接合領域7〇6a内之 周圍部分）上除1C晶片側不具鈍化膜509外於基板側上亦無 有機膜519，故1C晶片701與基板706間之間隙較其他部分 大，該部分上接合材料705之流動速度降低且接合材料705 之密度降低，因此於1C晶片接合領域706a内之周圍部分上 密著力，即接合力及密封力降低，而導致發生剝離。換言 之’若1C晶片701與基板706間之間隙較其他部分大，則局 部之1C晶片與基板間之體積亦將增大，因此而使埋入此處 之密封樹脂量增多。因此1C晶片外周部上壓出之樹脂量將 於此部份減少’結果，嵌條隨之縮小。如前述般，於1(=;晶 片701之接合面周圍部分上與接合材料7〇5間若發生剝離， ·.線· 則水分將侵入該剝離部分，因吸濕而造成IC晶片7〇丨等發生 腐姓。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 為防止前述之接合力及密封力降低，於第12實施形態 中’前述接合材料供給程序前係如第46A圖及第46B圖所 示’將有機膜319(圖中陰影部分）配置於電路基板6-3之正 方形1C晶片接合領域6a-3各邊内側且係各邊邊部附近之四 邊形領域（圖中陰影部分）上前述電極7、…、7中除與凸塊 2、…、2之接合部外之部分及電極以外之電路基板表面， 以作為接合材料阻流構件例示用之接合材料阻流膜。結 果，配置有鈍化膜309之1C晶片1-3之前述接合面内由四邊 凸塊2、…、2所包圍之正方形領域上接合材料5之流動速度 本紙張尺度適財@ @家標準(CNS)A4規格（210 X 297公楚） •111- 1226085 A7 B7 五、發明說明（1〇9) 與1C晶片側無鈍化膜309而於基板側配置有機膜319替代之 四邊凸塊2、…、2外側位置（即ic晶片接合領域6a_3略為内 側之周圍部分）上接合材料5之流動速度大致相同，而可防 止接合材料5之密度降低，進而防止IC晶片接合領域6a_3 略為内側之周圍部分（即1C晶片接合領域6a-3各邊内側且 各邊之邊部附近）之密著力，即接合力及密封力降低。結 果，將可充分供給用以密封1C晶片1-3側面之樹脂量，使用 以後封1C晶片1 ·3側面之嵌條5 A增大，進而有效果地防止 晶片接合領域6a-3周邊部上1C晶片1-3與接合材料5間發 生剝離及基板6-3之電極7與接合材料5間發生剝離。 如前述般，於形成有有機膜319之狀態下，接合材料供 給程序中係至少將含有絕緣性熱硬化性樹脂之接合材料5 供至1C晶片1-3之接合面或電路基板6-3之1C晶片接合領域 6a-3中至少一者上。接合材料5之供給方法係與第1〇實施形 態相同。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 接著於接合程序中，挾接合材料5而使電路基板6_3之 1C曰曰片接合領域6a-3與1C晶片1-3之接合面重叠，前述各電 極4上形成有凸塊2之1C晶片1-3的前述接合面與前述電路 基板6-3之1C晶片接合領域6a-3間係藉前述接合材料5而使 刚述1C晶片1-3之前述各電極4上之前述凸塊2與前述電路 基板6-3之各電極7呈電性接觸而定位後接合。該接合程序 可於電路基板6-3載置於基台10上之狀態下進行，亦可於其 他部位藉接合材料5使1C晶片1-3重疊於電路基板6-3上而 進行接合程序後，於正式之加壓接合程序中，使藉接合材 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -112- 1226085
經-;#部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（110) 料5而與1C晶片1-3重疊之電路基板6-3載置於基台ίο上。 接著，於正式加壓接著程序中，使按壓構件8直接接觸 1C晶片1-3後，再使按壓構件8朝向載置有藉接合材料5而與 1C晶片1-3重疊之電路基板6-3之基台10施加按壓力，同 時’使内藏於按壓構件8内之加熱器所產生之熱能由按壓構 件8傳達至1C晶片1 -3。結果，藉於預定溫度下使預定之加 壓力發生作用’而將1C晶片1-3之接合面按壓於電路基板 6-3之1C晶片接合領域6a-3，藉此使1C晶片1-3接合面上各 電極4之凸塊2接觸電路基板6-3之1C晶片接合領域6a-3内 之各電極7。此時，使1C晶片1-3相對電路基板6-3於短向（即 寬方向）之兩側配置有有機膜319,藉此可增加對前述接合 材料5由前述1C晶片接合領域6a-3之中央部朝周邊部流動 之流動阻力，於凸塊2、…、2之列之兩側中，與不具有機 膜319之情形相較下’如第47圖所示，可使1C晶片1-3與電 路基板6-3間之流動速度降低，使電路基板6-3之1C晶片接 合領域6a-3内各邊邊部附近上接合材料由中央部朝周邊部 之流動受到相同限制，防止接合材料5流動不均，進而使接 合材料5至少保持大致均勻分布於IC晶片接合領域6a-3之 全體接合面並藉前述之熱發生硬化，而可製造出JC晶片安 裝體。即，於前述正式加壓接合程序中，可藉前述有機膜 3 19於前述1C晶片接合領域6a-3中央部往周邊部加壓接合 時阻止前述接合材料5不平均地押出。 又’前述說明中，接合程序時1C晶片1-3之各凸塊2雖 與電路基板6-3之各電極7接觸，但本發明並不限於此，接 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -113- 1226085
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 合程序中亦可使1C晶片1-3之各凸塊2與電路基板6-3之各 電極7不接觸，而於正式加壓接著程序中初次使晶片“3 之各凸塊2與電路基板6-3之各電極7接觸。 若依刖述第12實施形態，則於電路基板6_3之IC晶片接 合領域6a-3外側周圍之四邊形領域上配置有機膜319，藉 此，有機膜319可限制接合材料5之流動以作為接合材料阻 流構件例示用之接合材料阻流膜。結果，與不具有機膜319 之清开y相較下，如第47圖所示，於前述加壓接合程序中前 述1C晶片1-3之前述接合面與電路基板6_3之1(：晶片接合領 域6a-3間接合材料5由前述接合材料5之中央部流向周邊部 時，有機膜319可作為接合材料阻流構件發揮機能，使工匸 晶片1-3與電路基板6-3間流動速度降低，謀求前述接合材 料5由中央部朝周邊部大致均勻流動，並使IC晶片^接合 面内之接合材料5之分布均句化，以提高密著力，進而提高 接合及密封之可靠性。 (第13實施形態） 將作為本發明之第13實施形態相關之電子零件之安裝 方法及依該方法製造之電子零件安裝體例示用之IC晶片之 安裝方法及依該方法製造之冗晶片安裝體依第5〇A圖〜第 55圖加以說明。第50A圖及第50B圖係第13實施形態相關IC 晶片安裝方法之接合程序前，前述IC晶片之側面圖及裏面 圖；第5 1圖係一平面圖，用以顯示接合程序中接合材料之 流動狀態’並透視1C晶片顯示電路基板上接合材料之動 向。第52圖係加壓接合程序中IC晶片、電路基板及接合材 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂----------Μ ·· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）
•114- 1226085 A7 B7 五、 經 •濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 發明說明（112) 料之部分截面側面圖。又，第53A圖及第53B圖係用以說明 第13實施形態之習知例相關1C晶片安裝方法之接合程序 前，前述1C晶片之側面圖及裏面圖。第54圖係一平面圖， 用以顯示加壓接合程序中接合材料之流動狀態，並透視1C 晶片而顯示電路基板上接合材料之動向。第55圖係加壓接 合程序中1C晶片、電路基板與接合材料之部分截面側面圖。 前述第12實施形態中，係將有機膜319設置於四邊形 (即長方形或正方形）之1C晶片接合領域6a-4各邊内側且各 邊邊部附近之四邊形外框領域320上，但本發明不限於此， 舉例言之’ 1C晶片1 ·4雖為四邊之各邊邊部附近具有一列凸 塊2、…、2者，但本第13實施形態中係如第50Α圖及第50Β 圖所示，作為電子零件例示用之長方形1C晶片1-4之接合面 上’於短向之中央部上沿長向延伸而大致等間隔地配列有 一列之凸塊2、…、2 ,且如第51圖所示，至一列凸塊2、…、 2兩側附近為止配置有作為接合材料阻流構件用之有機膜 329，並藉該有機膜329阻止接合材料5之流動。 前述有機膜3 19舉例言之係作為防止與其他配線或凸 塊等發生電性接觸並保持絕緣性以保護導體之耐熱性塗佈 膜而發揮機能，且係由聚醯亞胺或聚苄叉噁唑（ρΒ〇)等焊 料光阻劑構成，舉例言之將該有機膜3 19旋轉塗佈成厚度僅 3〜7μπι程度，如第51圖所示，由電路基板6-4之…晶片接合 領域6a-4外側開始，留下IC晶片接合領域6心4短向之中央 部上形成有沿長向延伸成一列而大致呈等間隔配置之電極 7、…、7之沿長向延伸之中央部分，而至其兩側為止，全 --------------^--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： .線· •115- 1226085 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _____B7 五、發明說明（U3) 面性地實施塗佈而可形成前述有機膜。 習知技術係假定如第53A圖、第53B圖及第54圖所示， 於長方形1C晶片701之接合面短向之中央部上具有沿長向 延伸成一列且大致等間隔配置之凸塊702、…、702。如前 述，於凸塊702、…、702係配置於1C晶片701之狀態下，將 接合材料705供至電路基板706後，1C晶片701接合面之電極 704上形成有凸塊702之1C晶片701之前述接合面與前述電 路基板706間係藉前述接合材料705,使前述1C晶片701之前 述電極704之前述凸塊702與前述電路基板706之電極707呈 電性接觸而接合，再將前述電路基板706載置於基台710 上’使已加熱之按壓構件708直接接觸1C晶片701後加壓， 藉此於加熱及加壓狀態下加壓接合前述1C晶片701並使前 述1C晶片701之前述接合面與前述電路基板7〇6間之前述接 合材料705硬化。此時，以短向之中央部中沿長向延伸成一 列且大致等間隔配置之凸塊702、…、702為中心，凸塊 702、…、702之列之兩側上係如第55圓所示，長方形ic晶 片701相對電路基板706係於短向（即寬方向）上以甚大之流 動速度移動，接合材料705之密度因而降低，IC晶片接合領 域706a内短向之中央部以外之周圍部分上密著力，即接合 力及密封力將降低，而導致發生剝離。 為防止前述之接合力及密封力降低，於第13實施形態 中’刚述接合材料供給程序前係如第5丨圖所示，將作為接 合材料阻流構件例示用之有機膜329配置於長方形冗晶片 1-4之接合面中，與短向之中央部中沿長向延伸成一列且大 *· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮) -116- 1226085 A7 B7 五、發明說明（114 ) --------------裝--- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) --線- 致等間隔配置之凸塊2、···、2相對，於電路基板6_4之1〇晶 片接合領域6a-4之短向中央部中沿長向延伸成一列且大致 等間隔配列之電極7、···、7之附近為止。結果，於IC晶片 1-4之接合面，換言之即電路基板6_4之1(：晶片接合領域 6a 4外側周圍及ic晶片接合領域6a_4短向之中央部兩側附 近上均藉披覆有機膜329,而使配置有有機膜329之領域上 1C晶片1-4之接合面與電路基板6_4之1(：晶片接合領域6&-4 間之間隙變窄，使接合材料5之流動受到阻力，而較不具有 機膜329時更可使接合材料5於1C晶片1-4接合面内及電路 基板6-4之1C晶片接合領域6a-4内分布趨於均勻化。結果， 可防止接合材料5之密度降低，充分供給密封IC晶片側面用 之樹脂量，使用以密封1C晶片1-4側面之嵌條5A增大，進 而有效防止1C晶片接合領域6a-4周邊部上1C晶片1-4與接 合材料5間發生剝離及基板6-4之電極7與接合材料5間發生 剝離。 又，形成有機膜329之方法係與第12實施形態之有機膜 319之形成方法相同。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於如前述般形成有有機膜329狀態下，於接合材料供給 程序中係至少將含有絕緣性熱硬化性樹脂之接合材料5供 至1C晶片1-4之接合面或電路基板6-4之1C晶片接合領域 6a-4中至少一者上。接合材料5之供給方法係與第丨〇實施形 態相同。 接著於接合程序中，挾接合材料5而使電路基板6-4之 1C晶片接合領域6a-4與1C晶片1-4之接合面重疊，前述各電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -117- 1226085 A7 B7 五、發明說明（115) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 極4上形成有凸塊2之1C晶片1-4的前述接合面與前述電路 基板6-4之1C晶片接合領域6a-4間係藉前述接合材料5而使 前述1C晶片1-4之前述各電極4上之前述凸塊2與前述電路 基板6-4之各電極7呈電性接觸而定位後接合。該接合程序 可於電路基板6-4載置於基台1〇上之狀態下進行，亦可於其 他4位藉接合材料5使1C晶片1-4重叠於電路基板上而 進行接合程序後，於正式之加壓接合程序中，使藉接合材 料5而與1C晶片1-4重疊之電路基板6-4載置於基台1〇上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，於正式加壓接著程序中，使按壓構件8直接接觸 1C晶片1-4後，使按壓構件8朝向載置有藉接合材料5而與IC 晶片1-4重疊之電路基板6-4之基台10施加按壓力，同時， 使内藏於按壓構件8内之加熱器所產生之熱能由按壓構件8 傳達至1C晶片1 -4。結果，藉於預定溫度下使預定之加壓力 發生作用，而將1C晶片1-4之接合面按壓於電路基板6·4之 1C晶片接合領域6a-4，藉此使1C晶片1-4接合面上各電極4 之凸塊2接觸電路基板6-4之1C晶片接合領域6a-4内之各電 極7。此時’將有機膜329配置於長方形1C晶片1-4相對電路 基板6_4之短向（即寬方向）兩側，藉此可增加流動阻力，與 凸塊2、…、2之列兩側不具有機膜329之情形相較下，可如 第52圖所示般使1C晶片1-4與電路基板6-4間之流動速度降 低，阻止接合材料5於電路基板6-4之1C晶片接合領域6a-4 内各邊邊部附近由中央部朝周邊部流動，進而防止接合材 料5流動不均，而使接合材料5至少保持大致均勻分布於全 體1C晶片接合領域6a-4並藉前述之熱發生硬化，而可製造 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） •118- A7
經 _濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 1226085 五、發明說明（116) 出1c晶片安裝體。即，於前述正式加壓接合程序中，藉著 前述有機膜329，可於前述1C晶片1-4之前述接合領域6心4 由中央部往周邊部加壓接合時，阻止接合材料5不均勻地押 出0 又，前述說明中，接合程序時IC晶片L4之各凸塊2雖 與電路基板6-4之各電極7接觸，但本發明並不限於此，接 合程序中亦可使1(：晶片！·4之各凸塊2與電路基板6-4之各 電極7不接觸，而於正式加壓接著程序中初次使IC晶片ι_4 之各凸塊2與電路基板6-4之各電極7接觸。 若依前述第13實施形態，則於長方形ic晶片接合領域· 6a-4中’長方形IC晶片相對電路基板6_4係於短向（即寬 方向）上由1點所支持，且於其兩側上配置有機膜329，藉此 於凸塊2、…、2之列兩側上，與不具有機膜329之時相較下， 可如第52圖所示般使1C晶片1·4與電路基板6-4間之流動速 度降低，於前述加壓接合程序中前述1C晶片1-4之前述接合 面與前述電路基板6-4之1C晶片接合領域6a-4間前述接合 材料5由中央部朝周邊部流動時，有機膜329係作為前述接 合材料阻流構件發揮機能，而可圖前述接合材料由中央部 朝周邊部大致均勻流動，且前述1C晶片1-4之接合面内之接 合材料5均勻分布，提高密著力，進而提高接合及密封之可 靠性。 (第14實施形態） 將作為本發明之第14實施形態相關之電子零件之安裝 方法及依該方法製造之電子零件安裝體例示用之1C晶片之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -119- 1226085 A7 B7 五、發明說明（117) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 安裝方法及依該方法製造之1(:晶片安裝體依第56A圖〜第 59圖加以說明。第56A圖及第56B圖係第14實施形態相關ic 晶片安裝方法之接合程序前，前述IC晶片之側面圖及裏面 圖；第57圖係一平面圖，用以顯示加壓接合程序中接合材 料之流動狀態’並透視1C晶片而顯示電路基板上接合材料 之動向。又’第58A圖及第58B圖係用以說明第14實施形態 之習知例相關1C晶片安裝方法之接合程序前，前述IC晶片 之側面圖及裏面圖。第59圖係一平面圖，用以顯示前述加 壓接合程序中接合材料之流動狀態，並透視1(：晶片顯示電 路基板上接合材料之動向。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 前述第13實施形態係於四邊形ic晶片1-5之中央部上 設有一列凸塊2、…、2者，但本發明不限於此。舉例言之， 第14貫施形態中，如第56A圖及第56B圖所示，作為電子零 件例示用之長方形1C晶片1-5接合面上，僅於四邊中相對兩 邊（第56B圖中係左右兩邊）之邊部附近設有大致與各邊平 行且大致等間隔之一列凸塊2、…、2，且1C晶片1·5接合面 上殘餘之兩邊（第56Β圖中係上下兩邊）邊部附近則不具凸 塊2，並於作為電路形成體例示用之電路基板6-5之1C晶片 接合領域6a-5外側及内側整個領域上除與各電極7之各凸 塊2之接合部外，大致全面性地設置作為接合材料阻流構件 例示用之有機膜339,並藉該有機膜339阻止前述接合材料5 之流動。 前述有機膜339舉例言之係作為防止與其他配線或凸 塊等發生電性接觸並保持絕緣性而保護導體之耐熱性塗佈 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -120- 1226085
五、發明說明（118) _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 膜發揮機能，且係由聚醯亞胺或聚苄叉噁唑（PBO)等焊料 光阻劑構成者。舉例言之，將該有機膜339旋轉塗佈成厚度 僅3〜7μπι程度，並於電路基板6-5之1C晶片接合領域6a-5及 其外側進行全面塗佈。之後，如第57圖所示，將包含電極 7、…、7中與凸塊2、…、2接合所必須之接合部之領域340 帶狀去除，以使該接合部露出。欲去除之領域34〇可獨立為 帶狀，亦可連結成外框狀。結果，可將該有機膜33 9全面性 地形成於除各電極7之與各凸塊之連結部外之電路基板6_5 之1C晶片接合領域6a_5外側及内側全體領域上。 習知技術係假定如第58A圖及第58B圖所示，各於長方. 形1C晶片701之接合面相對兩邊（第58B圖中係左右兩邊）邊 部附近電極704、…、704上大致等間隔配列有凸塊7〇2、…、 702，且由1C晶片701接合面上殘餘兩邊（第58B圖中係上下 兩邊）邊部附近則完全不具有凸塊702，並於電路基板706 之1C晶片接合領域706a外側周圍配置有有機膜539。如前述 般，於凸塊702、…、702係配置於1C晶片701上之狀態，將 接合材料705供至電路基板706後，接合面之電極704上形成 有凸塊702之1C晶片701之前述接合面與前述電路基板7〇6 之1C晶片接合領域706a間係藉前述接合材料705，使前述1C 晶片701之前述電極704之前述凸塊702與前述電路基板706 之電極707呈電性接觸而接合，再將前述電路基板7〇6載置 於基台710上，使已加熱之按壓構件708直接接觸1C晶片701 後加壓，藉此於加熱及加壓狀態下加壓接合前述IC晶片7〇1 並使前述1C晶片701之前述接合面與前述電路基板7〇6間之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -121- 1226085 A7 五、發明說明（119) 前述接合材料705硬化。此時，接合材料5由不具有機膜539 之電路基板706之1C晶片接合領域706a内朝配置有有機膜 539之電路基板706之1(：晶片接合領域7〇6&外流出時，與IC 晶片701之接合面上大致等間隔配置有凸终7〇2、…、702 之邊部附近相較下，接合材料7〇5將於欠缺凸塊7〇2之位置 之邊部附近大量流出。結果，IC晶片7〇1之中央部分上接合 材料705之密度降低，接合力及密封力將降低。 為防止前述之接合力及密封力降低，於第14實施形態 中’前述接合材料供給程序前係如第56A圖及第56B圖所 示，將作為接合材料阻流構件用之有機膜339大致全面配置 於除與電極7之凸塊2之接合部外電路基板6-5之1C晶片接 合領域6a-5外側及内側全域上，並藉該有機膜339阻止接合 材料5之流動。結果，長方形ic晶片1-5之設有凸塊2、…、 2之前述相對兩邊（第56B圖中係左右短邊之兩邊）邊部附近 與不具有凸塊2之相對其他兩邊（第56B圖中係上下長邊之 兩邊）邊部附近上均同樣配置有有機膜339，因此流動阻力 亦變得相同，與不具有機膜339時相較下，流動阻力增加而 同樣可阻止接合材料5之流動。 如前述般，有機膜339係大致全面性地配置於除與電極 7之凸塊2之接合部外電路基板6a-5之1C晶片接合領域6a-5 外側及内側全域之狀態，於接合材料供給程序中係至少將 含有絕緣性熱硬化性樹脂之接合材料5供至1C晶片1 -5之接 合面或作電路形成體例示用之電路基板6-5之1C晶片接合 領域6a-5中至少一者上。接合材料5之供給方法係與第1〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I-----—訂i I 1--I I ·線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -122- 1226085 經-;#部智慧財產局員工消費合作社印製
實施形態相同。 接著於接合程序中，挾接合材料5而使電路基板6_5之 1C晶片接合領域6a-5與1C晶片1-5之接合面重疊，前述各電 極4上形成有凸塊2之1C晶片1-5的前述接合面與前述電路 基板6-5之1C晶片接合領域6a-5間係藉前述接合材料5而使 前述1C晶片1-5之前述各電極4上之前述凸塊2與前述電路 基板6-5之各電極7呈電性接觸而定位後接合。該接合程序 可於電路基板6_5載置於基台（舉例言之，參閱第52圖之基 台10)上之狀態下進行，亦可於其他部位藉接合材料5使1(： 晶片1·5重疊於電路基板6·5上而進行接合程序後，於正式 之加壓接合程序中，使藉接合材料5而與ic晶片ι·5重疊之 電路基板6-5載置於基台1〇上。 接著，於正式加壓接著程序中，使按壓構件（舉例言之 參閱第52圖之按壓構件8)直接接觸ic晶片1-5後，再使按壓 構件朝向載置有藉接合材料5而與1C晶片1 -5重疊之電路基 板6-5之基台施加按壓力，同時，使内藏於按壓構件内之加 熱器所產生之熱能由按壓構件傳達至1C晶片。結果，藉 於預定溫度下使預定之加壓力發生作用，而將IC晶片1-5 之接合面按壓於電路基板6-5之1C晶片接合領域6a-5，藉此 使1C晶片1-5接合面上各電極4之凸塊2接觸電路基板6-5之 1C晶片接合領域6a-5内之各電極7。此時，使1C晶片1-5之 前述接合面與前述電路基板6-5之1C晶片接合領域6a-5間 之接合材料5由前述1C晶片1-5之前述接合面中央部朝周邊 部押出。於此，如前述般於將有機膜339配置於欠缺凸塊2
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-123- 1226085 A7 ______ Β7五、發明說明（121 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之位置及配置有凸塊2之位置，結果，可使ic晶片ι·5之前 述接合面各邊之邊部附近中任一邊部附近之流動速度大致 呈一定，接合材料5由中央部朝周邊部之流動均同樣地受到 限制，而防止接合材料5流動不均，進而使接合材料5至少 保持大致均勻分布於1C晶片1-5之全體接合面並藉前述之 熱發生硬化，而可製造出1C晶片安裝體。即，於前述正式 加壓接合程序中，可藉設於前述1C晶片1-5之有機膜339 , 而可於則述1C晶片1-5之前述接合面由中央部往周邊部加 壓接合時阻止前述接合材料5不平均地押出。 又，前述說明中，接合程序時1C晶片1-5之各凸塊2雖 與電路基板6-5之各電極7接觸，但本發明並不限於此，接 合程序中亦可使1C晶片1-5之各凸塊2與電路基板6·5之各 電極7不接觸’而於正式加壓接著程序中初次使IC晶片ι_5 之各凸塊2與電路基板6-5之各電極7接觸。 若依前述第14實施形態，則於電路基板6—5之1C晶片接 合領域6a-5外側及内側全域上除與電極7之凸塊2之接合部 外大致全面性地配置作為接合材料阻流構件例示用之有機 膜339，藉此，於前述加壓接合程序中，前述π晶片^之 前述接合面與前述電路基板6_5之1(：晶片接合領域6a_5間 之則述接合材料5由中央部朝周邊部流動時，有機膜339可 作為接合材料阻流構件發揮機能，謀求IC晶片丨_5各邊邊部 附近上前述接合材料5由中央部朝周邊部大致均勻流動，並 使1C晶片1-5接合面内之接合材料5之分布均勻化，以提高 密著力，進而提高接合及密封之可靠性。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵G χ 297公髮 -124- 1226085 A7 B7 經 -濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（122) (第15實施形態） 將作為本發明之第15實施形態相關之電子零件之安裝 方法及依該方法製造之電子零件安裝體例示用之1C晶片之 安裝方法及依該方法製造之1C晶片安裝體依第60 A圖〜第 63圖加以說明。第60A圖及第60B圖係第15實施形態相關1C 晶片安裝方法之接合程序前，前述電路基板之側面圖及平 面圖，第60C圖及第61圖係將加壓接合程序中ic晶片、電 路基板及接合材料作部分擴大之部分截面斷面圖。又，第 62Α圖及第62Β圖係用以說明第15實施形態之習知例相關 1C晶片安裝方法之接合程序前，前述電路基板之側面圖及 平面圖，第62C圖及第63圖係將前述習知例之加壓接合程 序中接合1C晶片、電路基板及接合材料作部分擴大之部分 截面側面圖。 配置作為前述接合材料阻流構件例示用之有機膜3 3 9 之位置並不限於電路基板6-6之1C晶片接合領域6a-6内，亦 可如本第15實施形態所示，配置於電路基板6-6之1(：晶片領 域6a-6外側。即，前述之第15實施形態中，如第6〇A圖、第 60B圖、第60C圖及第61圖所示，於作為電路形成體例示用 之電路基板6-6中1C晶片接合領域6a-6外側之接合材料壓 出領域上设置一作為前述接合材料阻流構件例示用之堰部 345，該堰部345係呈包圍1C晶片接合領域6心6之四邊形外 框狀且由電路基板表面凸出甚多而可作為嵌條形成用凸 部；挾於作為電子零件例示用之正方形IC晶片1-6接合面與 電路基板6-6之1C晶片接合領域6a_6間之接合材料5於加壓 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I --— II--I ^--— — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -125- !226〇85
五、發明說明（123) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) σ程序中>’π_至電路基板6-6之1C晶片接合領域6a-6外側 時’精前述堰部345而大致被阻擋並***，使用以覆蓋IC 晶片1-6侧面之嵌條5A增大，進而提高作為密封樹脂發揮 機能之接合材料5之1C晶片1-6之密封效果，而可圖提高可 靠性。 前述堰部345舉例言之亦可由焊料光阻劑等之有機膜 或與前述電路基板6-6之前述電極7結構相同且較前述電極 7為厚之虛設電極所構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 使前述堰部345由前述有機膜構成時，舉例言之可以兩 層有機膜’即下側有機膜349及上側有機膜348構成。下側 有機膜舉例言之係作為防止與其他配線或凸塊等發生電性 接觸並保持絕緣性以保護導鱧之耐熱性塗佈膜而發揮機 能’且係由聚醯亞胺或聚苄又噁唑（PBO)等焊料光阻劑構 成’舉例言之將該有機膜349旋轉塗佈成厚度僅3〜7μηι程 度’如第60Β圖所示，塗佈成四邊形外框狀於電路基板6_6 之1c晶片接合領域6a-6外側上。之後，僅於有機膜349上1C 晶片接合領域6a-6近外側附近配置而形成上側有機膜 348。該上側有機膜348可依糊樹脂之網版印刷（通常係焊料 光阻劑印刷與凸部印刷之組合）或以黏貼或層壓膠膜形成 之。於此，前述堰部345之各層之具體例若以直接使用光阻 材料為中心而加以考慮，則以環氧樹脂或胺基甲酸酯樹脂 為佳。但若以黏貼膠膜等形成有機膜時，則可使用PET(聚 對苯二甲酸乙二醇酯）、聚乙烯或聚丙烯樹脂等熱塑性樹 脂’或環氧（未硬化）膠膜。若慮及與基板側之密著性，則 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） -126· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226085 A7 B7 五、發明說明（124 ) 以環氧系樹脂為佳。 習知技術係假定如第62A圖、第62B圖及第62C圖所 示，於與正方形1C晶片701對應之電路基板706之1C晶片接 合領域706a之外側周圍上呈四邊形外框狀地配置有有機膜 549。如前述，於配置有該有機膜549之狀態下，將接合材 料705供至電路基板706後，1C晶片701之前述接合面與與前 述電路基板706之前述1C晶片接合領域706a間係藉前述接 合材料705,使前述1C晶片701之前述電極704上之前述凸塊 702與前述電路基板706之電極707呈電性接觸而接合，再將 前述電路基板706載置於基台710上，使已加熱之按壓構件 708直接接觸1C晶片701後加壓，藉此於加熱及加壓狀態下 加壓接合前述1C晶片701並使前述1C晶片701之前述接合面 與前述電路基板706之1C晶片接合領域706a間之前述接合 材料705硬化。此時，接合材料705由不具有機膜539之電路 基板706之1C晶片接合領域706a内往配置有有機膜549之電 路基板706之1C晶片接合領域706a外流出時，至接合材料 705與遠離1C晶片接合領域706a外側而配置之有機膜549接 觸為止，若前述接合材料705由前述1C晶片701之前述接合 面與前述電路基板706之前述1C晶片接合領域706a間流出 而接觸有機膜549，則接合材料705***而部分覆蓋1C晶片 701之側面。但因其僅部分覆蓋1C晶片701之側面，故接合 材料705之密封變得不完整。 為防止前述之不完整密封，於第15實施形態中，前述 接合材料供給程序前係如第60A圖及第60B圖所示，將作為 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -127- 1226085 A7 B7 五、發明說明（i25) 接合材料阻流構件例示用之從電路基板表面凸出甚多且係 由焊料光阻劑等有機膜所構成之堰部345配置於電路基板 6-6之1C晶片接合領域6a-6外側接合材料壓出之領域，換言 之，即由1C晶片接合領域6a-6空出預定間隔而包圍IC晶片 接合領域6a-6之四邊形外框領域上，並藉該堰部345阻止接 合材料5之流動。結果，因配置有堰部345，而可與不具堰 部345或習知之較低者相較下，接合材料5因前述堰部345 而***，而可大致阻擋接合材料5沿電路基板表面流出，進 而使用以覆盖1C晶片1-6之嵌條5A增大。 於如前述般配置有堰部345之狀態下，於接合材料供給 程序中係至少將含有絕緣性熱硬化性樹脂之接合材料5供 至1C晶片1-6之接合面或作電路形成鱧例示用之電路基板 6-6之1C晶片接合領域6a_6中至少一者上。接合材料5之供 給方法係與第1 〇實施形態相同。 接著於接合程序中，挾接合材料5而使電路基板心6之 1C晶片接合領域6a-6與1C晶片1-6之接合面重疊，前述各電 極4上形成有凸塊2之1(：晶片ι-6的前述接合面與前述電路 基板6-6之1C晶片接合領域6a-6間係藉前述接合材料5而使 前述1C晶片1-6之前述各電極4上之前述凸塊2與前述電路 基板6-6之1C晶片接合領域6a-6内之各電極7接觸。此時， 使則述1C晶片1-6之前述接合面與前述電路基板6-6之晶 片接合領域6a-6間之前述接合材料5由前述ic晶片κ之前 述接合面與前述電路基板6-6之前述Ic晶片接合領域6心6 間朝外側押出。於此，如前述般，藉著由前述1(：晶片接合 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------訂---------線 »! 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -128- 1226〇85
五、 發明說明（126) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 領域空出預定間隔而配置於包圍1C晶片接合領域6a_6之四 邊形外框狀領域之堰部345，而可阻擋前述被押出而沿電路 基板表面流出之前述接合材料5，結果，ic晶片ι_6側面上 接合材料5因堰部345而***，進而可覆蓋IC晶片ι-6側面中 至少電路基板側之一半程度後，並藉前述之熱能硬化而可 製造1C晶片安裝體。即，於前述正式加壓接合程序中，係 藉設於前述1C晶片1-6之堰部345而可於前述1C晶片1-6側 面形成較大之嵌條5A，以提高1C晶片1-6側面之密封力。 為確實達成前述效果，作為前述接合材料阻流構件例 示用之堪部345之高度宜具有較習知之有機膜至少兩倍之 厚度。用以構成堰部345之各有機膜348、349之耐熱性及接 合材料5之例示則與第14實施形態相同。 又，前述說明中，接合程序時1C晶片1_6之各凸塊2雖 與電路基板6-6之各電極7接觸，但本發明並不限於此，接 合程序中亦可使1C晶片1-6之各凸塊2與電路基板6-6之各 電極7不接觸，而於正式加壓接著程序中初次使IC晶片1-6 之各凸塊2與電路基板6-6之各電極7接觸。 另，第60C圖及第61圖中，1C晶片1-6之接合面中雖配 置有鈍化膜309，但本發明不限於此，無鈍化膜3〇9亦可。 若依前述第15實施形態，則藉於由電路基板6-6之1C 晶片接合領域6a-6空出預定間隔且包圍IC晶片接合領域 6a-6之四邊形外框狀領域上配置作為接合材料阻流構件例 示用之堰部345，而可於前述加壓接合程序中前述IC晶片 1-6之前述接合面與前述電路基板6-6之1(：晶片接合領域 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） — — — — — — — — — — — — — - — — — III —訂-II — 11 11 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -129- 1226085
五、發明說明（127) 6a-6間之接合材料5朝1C晶片接合領域6a-6外側流動時，藉 前述堰部345使前述被押出並沿電路基板流出之接合材料5 被阻擋而***，而可於1C晶片1-6側面上形成較大之嵌條 5A ’進而提咼1C晶片1-6側面之密封力並提高密著力，以 提高接合及密封之可靠性。 (第16實施形態） 將作為本發明之第16實施形態相關之電子零件之安裝 方法及依該方法製造之電子零件安裝體例示用之IC晶片之 安裝方法及依該方法製造之1(:晶片安裝體依第64 A圖〜第 67圖加以說明。第64A圖及第64B圖係第16實施形態相關IC. 晶片安裝方法之接合程序前，電路基板之側面圖及平面 圖；第64C圖係前述接合程序中1(：晶片、電路基板及接合 材料之部分截面側面圖；第65圖係一平面圖，用以顯示加 壓接合程序中接合材料之流動狀態，並透視1(：晶片而顯示 電路基板上接合材料之動向。第66A圖及第66B圖係用以說 明第16實施形態之習知例相關IC晶片安裝方法之接合程序 前’前述電路基板之側面圖及平面圖。第66c圖係第66a 圖、第66B圖及第66C圖之前述習知例之加壓接合程序中IC 晶片、電路基板與接合材料之部分截面側面圖。第67圖係 一平面圖，用以顯示第66A圖、第66B圖及第66C圖之習知 例之加壓接合程序中接合材料之流動狀態，並透視圯晶片 而顯示電路基板上接合材料之動向。 第16實施形態中，係如第64B圖所示般，於與作為電 子零件例示用之正方形1C晶片1_7接合面對應之作為電路 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱y (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I I I I I I I 訂· —! *5^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -130- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226085 五、發明說明（128) 形成體例示用電路基板6-7之1C晶片接合基板6-7内，配線 密度於預定值以下且自中心偏離之領域（換言之，即接合材 料5顯示有不均勻流動之領域）上設置與電路基板…7之電 極7厚度大致相同且係作為接合材料阻流構件用之凸部 3 55。該凸起355係由焊料光阻劑或銅箔所構成。凸部355 之形成方法於其係銅箔時係與配線同時形成（舉例言之蝕 刻黏貼於樹脂上之銅箔，或對樹脂板電鑛而形成）者β使用 焊料阻劑膜時，則宜與向基板形成焊料光阻劑時同時進行。 如前述般，藉配置該凸部355而可圖電路基板6·7之1C 晶片接合領域6a-7内電極圖樣之配線密度均勻化，使係密 封樹脂之接合材料5均勻流動，且使1C晶片1-7與電路基板 6-7間押出之接合材料5之押出量平均化，進而可圖接合之 安定化。 相對於此，習知技術係假定如第66A圖、第66B圖、第 66C圖及第67圖所示，電路基板706之1C晶片接合領域706a 内存在有配線密度於預定值以下之領域706d，而成為圖樣 配線密度不均者時，係有以下之問題。將接合材料705供至 電路基板706後，接合面之電極704上形成有凸塊702之1C 晶片701之前述接合面與前述電路基板7〇6之1C晶片接合領 域706a間係藉前述接合材料705，使前述1C晶片701之前述 電極704之前述凸塊702與前述電路基板706之電極707呈電 性接觸而接合，將前述電路基板706載置於基台上，並使已 加熱之按壓構件直接接觸1C晶片701加壓，而於加熱及加壓 狀態下加壓接合前述1C晶片701且使前述1C晶片701之前述 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
!裝--1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •線- -131- 1226085 A7 B7 五、發明說明（1M) 接合面與前述電路基板706之1C晶片接合領域706a間之前 述接合材料705硬化。此時，接合材料7〇5由電路基板7〇6 之1C晶片接合領域7〇6a内朝外流出時，接合材料7〇5之流動 將變得不均勻，且1C晶片701與電路基板7〇6間押出至外側 之接合材料705押出量亦變得不均，而無法圖接合之安定 化。 為防止前述之接合力及密封力降低，第16實施形態 中’刖述接合材料供給程序前，係如第64 a圖及第64B圖所 示，於電路基板6-7之1C晶片接合基板6-7内電極配線密度 於預定值以下且自中心偏離之領域上設置與電路基板6_7 之電極7厚度大致相同之作為接合材料阻流構件用之凸部 355 〇 於前述般配置有凸部355之狀態下，接合材料供給程序 中係至少將含有絕緣性之熱硬化性樹脂之接合材料5供至 1C晶片1-7之接合面或電路基板6-7之1C晶片接合基板6-7 中至少一者。接合材料5之供給方法係與第丨〇實施形態相 同。 接著，於接合程序中，挾接合材料5使電路基板6-7之 1C晶片接合基板6-7與1C晶片1-7之接合面重疊，並於前述 各電極4上形成有凸塊2之1C晶片1-7之前述接合面與前述 電路基板6-7之1C晶片接合基板間藉前述接合材料5使前述 1C晶片1-7之前述各電極4上之前述凸塊2與前述電路基板 6-7之各電極7成電性接觸並定位後^該接合程序可於電路 基板6-7載置於基台10上之狀態下進行，亦可於其他部位藉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 la· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -132- 1226085
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接合材料5使1C晶片1-7重疊於電路基板6-7上而進行接合 程序後，於正式之加壓接合程序中，使藉接合材料5而與IC 晶片1-7重疊之電路基板6-7載置於基台1〇上。 接著，於正式加壓接著程序中，使按壓構件8直接接觸 1C晶片1-7後，再使按壓構件8朝向載置有藉接合材料5而與 1C晶片1-7重疊之電路基板6-7之基台1〇施加按壓力，同 時，使内藏於按壓構件8内之加熱器所產生之熱能由按壓構 件8傳達至ic晶片1-7。結果，藉於預定溫度下使預定之加 壓力發生作用’而將1C晶片1-7之接合面按壓於電路基板 6-7之1C晶片接合基板6-7，藉此使1C晶片1-7接合面上各電 極4上之凸塊2接觸電路基板6_7之1(：晶片接合基板6_7内之 各電極7。此時，前述接合材料5前述IC晶片ι_7之前述接合 面與前述電路基板6-7之1C晶片接合基板6·7間之接合材料 5由前述1C晶片接合基板6-7之中央部朝周邊部流動時，與 不具凸塊355之情形相較下，係如第65圖所示，設有凸塊355 時1C晶片接合基板6_7内之電極配線密度呈大致均勻化，而 於接合材料5由1C晶片接合基板6-7中央部朝周邊部流動時 可防止接合材料5流動不均，進而使接合材料5保持大致均 勻分布於1C晶片接合基板6-7全體上並藉前述之熱發生硬 化而可製造出ic晶片安裝體。即，於前述正式加壓接合 程序中，可藉前述凸部355於前述1C晶片接合基板6-7由中 央部往周邊部加壓接合時阻止前述接合材料5不平均地押 出。又，接合材料5之例係與第14實施形態相同。 又，前述說明中，接合程序時1C晶片υ之各凸塊2雖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐）
I · I I I ! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· · 線· -133- 1226085 A7 B7 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、發明說明（131 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一電路基板6-7之各電極7接觸，但本發明並不限於此，接 合程序中亦可使1c晶片1-7之各凸塊2與電路基板6-7之各 電極7不接觸，而於正式加壓接著程序中初次使IC晶片卜了 之各凸塊2與電路基板6-7之各電極7接觸。 又’第64C圖中，1C晶片1-7之接合面上配置有鈍化膜 309，但本發明不限於此，不設鈍化膜3〇9亦可。另，雖將 與習知有機膜549相同之有機膜356配置於1C晶片接合基板 6-7外側並空出預定間隔而呈四邊形外框狀，但亦可不設前 述之有機膜356。 -•線· 若依前述第16實施形態，則於電路基板6-7之1C晶片接 合基板6-7内電極配線密度於預定值以下且自中心偏離之 領域上配置與電路基板6-7之電極7厚度大致相同且係作為 接合材料阻流構件用之凸部355，藉此，可使電路基板6_7 之1C晶片接合基板6-7内圖樣配線密度均勻化，且使係密封 樹脂之接合材料5均勻流動，以使1C晶片1-7與電路基板6_7 間押出至外側之接合材料5之押出量平均化，進而可使接合 安定化。 (第17實施形態） 將作為本發明之第17實施形態相關之電子零件之安裝 方法及依該方法製造之電子零件安裝體例示用之IC晶片之 安裝方法及依該方法製造之1C晶片安裝體依第68a圖〜第 72圖加以說明。第68A圖及第68B圖係第17實施形態相關Ic 晶片安裝方法之接合程序前，電路基板之側面圖及平面 圖；第69 A圖及第69B圖係加壓接合程序中1C晶片、電路基 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -134- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226085 A7 ___________B7 五、發明說明（m) 板及接合材料之部分截面側面圖及部份擴大截面側面圖； 第70圖係一平面圖，用以顯示加壓接合程序中接合材料之 流動狀態，並透視1C晶片而顯示電路基板上接合材料之動 向。第71圖及第72圖係用以說明第16實施形態之習知例相 關1C晶片安裝方法之接合程序中，1C晶片、電路基板與接 合材料之部分擴大截面側面圖。 第17實施形態中，第16實施形態之由焊料光阻劑或銅 箔所成凸部355係用以提高接合材料5與基板6-8間之密著 性者。即，舉例言之若使第16實施形態之凸部355以與電極 7相同之結構加以構成，則如第71圖〜第72圖所示般，藉接 合材料5使1C晶片1與基板6接合時，接合材料5與基板6間之 凸部355係由接合材料側依序配置有Au層355a、Ni層355b 及Cu層355c，Cu層355c與基板6接觸，接合材料5與Al^ 355a間之密著性較弱，因此兩者間有發生如395所示般剝落 部分之可能。 於此’本第17實施形態中係以作接合材料阻流構件例 示用之網目狀電極369取代凸部355。即，於作為電路形成 體例示用之電路基板6-8之1C晶片接合領域6a-8中，配線密 度於預定值以下且自中心偏離之領域上設置作為電路基板 6-8之接合材料阻流構件例示用之網目狀電極369。該網目 狀電極369舉例言之係使金屬製電極呈網目狀，藉著對密封 樹脂之接合材料5之支撐效果，可使其容易與接合材料5接 著。 若依前述第17實施形態，則藉著配置網目狀電極369 , 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •135- 1226085 A7 B7 五、發明說明（133) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 可使電路基板6-8之1C晶片接合領域6a-8内之圖樣配線密 度均勻化’且使接合材料5均勻流動，並使由作為電子零件 例示用之正方形1C晶片1-8與電路基板6-8之1C晶片接合領 域6-8間押出至外側之接合材料5之押出量平均化，進而可 使接合安定化。除前述效果外，基板6_8更於構成網目狀電 極369之網目之貫通孔部份369h、…、369h露出，配置於網 目狀電極369上之接合材料5乃貫通前述貫通孔部分 369h、…、369h而與基板6-8直接接觸。結果，接合材料5 於網目狀電極369之貫通孔部分369h、…、369h與基板6-8 直接密著接合，可使接合材料5與基板6-8之密著性提高。 (第18實施形態） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將作為本發明之第18實施形態相關之電子零件之安裝 方法及依該方法製造之電子零件安裝體例示用之IC晶片之 安裝方法及依該方法製造之1C晶片安裝體依第73 A圖〜第 74B圖加以說明。第73A圖及第73B圖係第18實施形態相關 1C晶片安裝方法之接合程序前，電路基板之側面圖及平面 圖；第74A圖及第74B圖係加壓接合程序中1C晶片、電路基 板及接合材料之部分截面側面圖及部份擴大截面側面圖。 第18實施形態中，第16實施形態之由焊料光阻劑或銅 箔所成凸部355係用以提高接合材料5與凸部355間之密著 性者。即，舉例言之若於形成第16實施形態般之凸部355 後’於電路基板6-9之IC晶片接合領域6a-9外側及内側全域 上包含凸部355且除包含與各電極7之各凸塊2接合所需接 合部外之領域340外，大致全面性地配置作為接合材料阻流 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -136- 1226085 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ---------^____ 五、發明說明（m) 構件例示用之有機膜339,並藉該有機膜339阻止接合材料5 之流動。因此，本第18實施形態係以凸部355與有機膜339 兩者作為接合材料阻流構件而發揮機能。 刖述有機膜339係與第14實施形態中使用之有機膜339 相同者，舉例言之係作為防止與其他配線或凸塊等發生電 性接觸並保持絕緣性而保護導體之耐熱性塗佈膜發揮機 能，且係由聚醯亞胺或聚苄又噁唑（pB0)等焊料光阻劑構 成者。舉例言之，將該有機膜339旋轉塗佈成厚度僅3〜7μιη 程度，並於電路基板6-9之1C晶片接合領域6a-9及其外側進 行全面塗佈。之後’如第73A圖及第73B圖所示，將包含電 極7、…、7中與凸塊2、…、2接合所必須之接合部之領域 340帶狀去除，以使該接合部露出。欲去除之領域34〇可獨 立為帶狀，亦可連結成外框狀。結果，可將該有機膜339 包含凸部355全面性地形成於除各電極7之與各凸塊之連結 σΡ外之電路基板6-9之1C晶片接合領域6a-9外側及内側全 體領域上。 若依前述第18實施形態，則於電路基板6-9之1C晶片接 合領域6a-9外側及内側全域上除與電極7之凸塊2之接合部 外大致全面性地配置有機膜339，藉此，於前述加壓接合程 序中，前述1C晶片1-9之前述接合面與前述電路基板6-9之 iC晶片接合領域6a-9間之前述接合材料5由中央部朝周邊 部流動時，有機膜339可作為接合材料阻流構件發揮機能， 以謀求1C晶片1-9各邊邊部附近上前述接合材料5由中央部 朝周邊部大致均勻流動，並使1C晶片1-9接合面内之接合材 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -137- 1226085
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (第19實施形態） 將作為本發明之第19實施形態相關之電子零件之安裝 方法及依該方法製造之電子零件安裝體例示用之IC晶片之 安裝方法及依該方法製造之IC晶片安裝體依第75圖〜第78 圖加以說明。第75圖係第19實施形態相關1C晶片安裝方法 之接合程序前，電路基板之平面圖；第76圖係將加壓接合 程序中1C晶片、電路基板及接合材料作部分擴大之部份截 面側面圖。第77圖係用以說明第19實施形態之習知例相關 1C晶片安裝方法之接合程序前，電路基板之平面圖。第78 圖係將習知例之加壓接著程序中IC晶片、電路基板及接合 材料作部分擴大之部分截面側面圖。 第10實施形態中，係於正方形IC晶片1-1〇之不具電極7 之各角落部附近配置一或多數個虛設電極3〇3;但第i9實施 形態中則配置作為接合材料阻流構件例示用之有機膜36〇 以取代虛設電極303，亦可達到與第1 〇實施形態相同之作用 與效果。 即，如第75圖所示，使用作為接合材料5例示用之片狀 材料，並將作為接合材料阻流構件例示用之有機膜3 6〇配置 於與作為電子零件例示用之正方形IC晶片1-1〇接合面對應 之作為電路形成體例示用之電路基板6-1〇之正方形拕晶片 接合領域6a-10中未配置電極7之各角落部附近以將之全面 覆蓋，而藉該有機膜360阻止接合材料5之流動。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I ϋ · ·. -·線！ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -138- 1226085 A7 B7 五、發明說明（136) 有機膜360可僅配置於各角落部附近，亦可將配置於各 角落部附近者相互連結而配置成四邊形外框狀。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I知技術係如第77圖及第78圖所示，接合材料係以 較大之流動速度由基板706之1C晶片接合領域7〇6a中欠缺 電極707之位置，即各角落部附近沿著基板流至冗晶片接合 領域706a外側，而使接合材料705之密度降低，用以密封ic 晶片701側面之樹脂量變得不足，而使密封IC晶片7〇1之嵌 條縮小，進而導致ic晶片接合領域之周邊部中IC晶片7〇1 與接合材料705間發生剝離，或基板7〇6之電極7〇7與接合材 料705間發生剝離。 對此，第19實施形態中，係將作為接合材料阻流構件 例示用之有機膜360配置於1C晶片接合領域6a_1〇之未配置 電極7之各角落部附近並將其全部覆蓋，以解決前述問題。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 若依前述第19實施形態，電路基板6_1〇之正方形忆晶 片接合領域6a-10中，除其四隅角落部外係於四邊之各邊邊 部附近大致等間隔地設有一列電極7、…、7 ,並於電路基 板6-10之1C晶片接合領域6a-10之前述邊部附近不具電極7 之角落部上設置有機膜360,藉此可使前述加壓接合程序中 之前述1C晶片ι-ίο之前述接合領域與前述電路基板6·1〇之 W晶片接合領域6a-10間前述接合材料5由其中央部朝其周 邊部角落部流動時，有機膜360於不具電極7之角落部亦可 作為接合材料阻流構件而發揮機能，使基板6_1〇之1(：晶片 接合領域6&-10中央部之流動速度3!>1與基板6-1〇之1(：晶片 接合領域6a-10周邊部之流動速度Sp2大致相同，而可於1(：
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五、發明說明（137) {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 晶片接合領域6a-l〇之各邊邊部附近及各角落部附近上使 接合材料5由中央部朝周邊部之角落部大致均勻流動，且接 合材料5將可均勻分布於1(：晶片卜⑺之接合面，換言之即前 述電路基板6-10之1C晶片接合領域6a-10内，如前述般，除 可圖1C晶片1-1〇之接合面内及電路基板6_1〇之1(：晶片接合 領域6a-10内接合材料5分布均勻化外，並可於各角落部中 藉有機膜360阻止接合材料5沿電路基板表面之流動而隆 起’藉此形成用以覆蓋1C晶片1-10側面之嵌條5A。如前 述’接合材料5於1C晶片1-10之接合面内及電路基板卜1〇之 1C晶片接合領域6a-l〇内分布均勻化，其結果則可防止接合 材料5之密度降低，且增加1(：晶片接合領域6a_1〇之中央部 與周邊部（特別係角落部）中1C晶片1-10與接合材料5之密 著性，並因使基板6-10之電極7或有機膜360與接合材料5 間之密著性增加，而可防止前述之剝離發生，進而提高接 合及密封之可靠性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，前述第10〜第19實施形態中，前述各凸塊2除可預 先調整使其均高後與電路基板之各電極7接觸外，亦可採用 無須預先調整而係使各凸塊2與電路基板之各電極7接觸後 再於電極7上進行調整之無銷凸塊（NSD)形式之安裝方 法。該無銷凸塊（NSD)形式之安裝方法係說明如下。 係使用第81A圖〜第84C圖說明前述各實施形態中1(：晶 片（以下係代表性地以401表示）對電路基板（以下係代表性 地以406表示）之安裝方法。 藉引線焊接裝置並依第80A圖〜第80F圖之動作而於ic 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） •140- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 1226085 a7 B7 五、發明說明（l38) 晶片401之A1衰減電極404(以下係代表性地以404表示）上 形成凸塊（凸起電極）402(以下代表性地以402表示）。即，於 第80A圖中由支持器193凸出之導線195下端形成一球 196，第80B圖中使固持導線195之支持器193下降後，再使 球193與1C晶片401之電極404接合而大致形成凸塊402之形 狀，於第80C圖中一面將導線195送至下方一面使支持器 193開始上升，而如第80D圖所示般使支持器193移動至大 致呈四邊形之線圈199，再如第80E圖所示，於凸塊402之 上部形成彎曲部198後再扯斷而形成如第80F圖所示之凸 塊402。或，於第80B圖中以支持器193將導線195夾緊，並 使支持器193上升而提高至上方藉此扯斷金屬導線195，而 形成如第80G圖之凸塊402之形狀。如前述般，將1C晶片401 之各電極404上形成有凸塊402之狀態顯示於第81B圖。舉 例言之，亦與前述凸塊402相同地形成前述各虛設電極。 接著，於第81C圖所示之電路基板406之電極407上如 第81D圖所示般，配置一以較ic晶片401之大小略大之尺寸 而切割之作為接合材料例示用之熱硬化性樹脂片（以下代 表性地以405表示之），舉例言之係藉已加熱至80〜120°C之 黏貼工具408A並以49〜98N(5〜10kgf/cm2)程度之壓力將作 為前述接合材料具體例用之熱硬化性樹脂片405黏貼於基 板406上之電極407。之後，將配置於熱硬化性樹脂片405 之黏貼工具408A側之可卸下之隔板405a剝離，而完成基板 406之準備程序。該隔板405a係一用以防止熱硬化性樹脂片 4〇5沾粘黏貼工具408 A者。於此，熱硬化性樹脂片405宜為 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I -裝-------—訂-II------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •141- 1226085 A7 B7 五、發明說明（139) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 含有二氧化矽等無機系填料者（如環氧樹脂、酚醛樹脂、聚 醯亞胺等）及完全不含無機系填料者（如環氧樹脂、酚醛樹 脂、聚醯亞胺等），且宜具有可耐後續之圓滑熱處理程序下 之高溫程度之耐熱性（舉例言之如可於240°C下耐受10秒之 财熱性）。 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，如第81E圖及第82F圖所示，藉已加熱之接合工 具408將前述之前置程序中於電極404上形成有凸塊402之 1C晶片401定位於與前述前置程序中已準備之基板406之1C 晶片401的電極404對應之電極407上後施行按壓。此時，凸 塊402之頭部402a將於基板406之電極407上如第84A圖至 第84B圖所示般一面變形一面往下壓，而此時經由1C晶片 401而施加於凸塊402側之荷重將依凸塊402之直徑而不 同，但將呈折曲而重疊之凸塊402之頭部402a必須施加可如 84C圖所示變形程度之荷重。令該荷重最低需 196mN(20gf)。荷重上限則令其為不致使1C晶片401、凸塊 402及電路基板406等發生損傷之程度。依情況，該最大荷 重亦有超過980mN(100gf)之時。又，405m及405s係熱硬化 性樹脂片405因接合工具408之熱而熔融之熔融中熱硬化性 樹脂及熔融後已熱硬化之樹脂。 又，可藉以陶瓷加熱器或脈衝加熱器等内藏之加熱器 而加熱之接合工具40 8,並藉定位兼加壓接合裝置進行定位 程序及加壓接合程序；前述之定位程序係將前述前置程序 中於電極404上形成有凸塊402之1C晶片401定位於與前述 前置程序中已準備之基板406之1C晶片401的電極404相對 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -142- 1226〇85
五、 發明說明（140 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 應之電極407上者，而加壓接合程序係於定位後進行。但， 其他裝置，舉例言之如連績生產多數基板時為同時進行定 位作業及加壓接合作業以提高生產性，亦可以定位裝置進 行定位程序、以加壓接合裝置進行加壓接合程序。 此時，舉例言之，電路基板406係使用玻璃布層積環氧 基板（玻璃環氧基板）及玻璃布層積聚醯亞胺樹脂基板等。 該等基板406因受熱壓程、裁斷及加工而產生彎曲及翹曲， 並非一定為完全之平面，因此可適當於電路基板406之彎曲 受到矯正之狀態下，舉例言之如以140〜230°C之熱施加於 1C晶片401與電路基板406間之熱硬化性樹脂片405上數秒 〜20秒程度，該熱硬化性樹脂片405則硬化。此時，最初構 成熱硬化性樹脂片405之熱硬化性樹脂流動至1C晶片401之 邊緣而密封。又，因其為樹脂，故於加熱時將自然軟化而 產生如前述般流動至邊緣之流動性。使熱硬化性樹脂之體 積較1C晶片401與電路基板406間之空間體積大，藉此其將 由該空間擠出般地流出，而可達到密封效果。此時，可藉 前述各實施形態之接合材料阻流構件進行適當之流動限 制。 此後’已加熱之接合工具408將上升，且因加熱源消 失’ 1C晶片401與熱硬化性樹脂片405之溫度急速降低，熱 硬化性樹脂片405失去流動性，而如第82G圖及第84C圖所 示般1C晶片401藉已硬化之熱硬化性樹脂4〇5s而固定於電 路基板406上。又，若藉工作臺41〇將電路基板4〇6側預先加 熱’則可將接合工具408之溫度設定更低。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） — — — — — — --—II--I ^ ·11111111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -143- 1226085 A7 _ B7 五、發明說明（141) 又，取代黏貼熱硬化性樹脂片405，亦可如第83H圖所 示般將熱硬化性接著劑405b藉灑佈器等塗佈、印刷或謄寫 於電路基板406上。使用熱硬化性接著劑405b時，基本上係 進行與前述使用熱硬化性樹脂片405者相同之程序。使用熱 硬化性樹脂片405時，除因其為固體而容易處理外，其無液 體成分而可以高分子形成，具有容易形成高玻璃轉移點之 優點。相對於此，使用熱硬化性接著劑405b時，則可以任 意大小塗佈、印刷或謄寫於基板406之任意位置上。 又，亦可使用異向性導電膜（ACF)取代熱硬化性樹 脂，更可使用於鎳粉上施以鍍金者作為異向性導電膜中所. 含之導電粒子，藉此可減低電極407與凸塊402間之接觸電 阻值，尚稱理想。 又，第81A圖至第81G圖中係針對於電路基板406側形 成熱硬化性樹脂片405者加以說明，第83H圖則針對將熱液 化性接著劑405b形成於電路基板406側者加以說明，但本發 明不限於此，而如第831圖或第83J圖所示般，亦可形成於 1C晶片401側。此時，特別係熱硬化樹脂片405時，可將1C 晶片401按壓在配置於熱硬化性樹脂片405之電路基板側且 可拆卸之隔板405a及橡膠等之彈性體117上，並沿凸塊402 之形狀使熱硬化性樹脂片405黏貼於1C晶片401上。 於前述之無銷凸塊（NSD)形式之安裝方法中，為使各 凸塊之前端部分壓碎於電路基板各電極上之對電路基板之 1C晶片押入量（按壓量）將增大。如此一來，使接合材料流 動至1C晶片接合面周邊部之力將增大，前述虛設凸塊之接 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------- 訂·！ I!-線 ·· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -144- 1226085 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（M2) 合材料阻流機能將發揮更大效果，而以NSB(無銷凸塊）更 可提高阻流效果。 舉例言之，無銷凸塊（NSD)形式之安裝方法中，藉將 直徑75μιη之凸塊相對電路基板之電極按壓並壓碎而得電 性接合時，使凸塊壓碎為僅縮短35μπι。此時，於1C晶片朝 向電路基板按壓時，兩者間接合材料將被押出，因此藉前 述接合材料阻流構件控制前述接合材料之流出，而可有效 果地防止1C晶片中央部分之接合材料密度降低。因此，前 述般無銷凸塊形式之安裝方法中，乃可大大期望其對接合 材料流出之抑制力。 又’前述第11實施形態中，為大致平均地控制接合材 料之〃 動’凸塊2與虛設凸塊3之形狀宜相同，但本發明不 限於此，於可容許之範圍内亦可為不同之形狀及高度。又， 凸塊與虛設凸塊亦可為不同材質者。 又，前述第11實施形態中，雖以凸塊2與凸塊2間之間 隔、凸塊2與虛設凸塊3間之間隔甚或虛設凸塊3與虛設凸塊 3間之間隔係大致平均者為中心加以說明，但本發明不限於 此’於可容許之範圍内亦可為不平均之間隔。此時，容許 範圍外之部分將配置虛設凸塊3。 又’前述第10及第11實施形態中，為大致平均地阻止 接合材料流動，電極72與虛設電極303或313宜大致形狀相 同’但本發明不限於此，於容許範圍内亦可為不同之形狀 及高度。亦可使電極7與虛設電極303或313之材質不同。 又，前述第10及第11實施形態中，係以電極7與 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-145- 1226085 A7 B7 五、發明說明（143) 之間隔、電極7與虛設電極303或313間之間隔、或虛設電極 303或3 13與虛設電極303或3 13間之間隔呈大致平均之情形 為中心加以說明，但本發明不限於此，於容許範圍内亦可 為不平均之間隔。此時，於容許範圍外之部分上將配置虛 設電極303或313。 前述第11實施形態中，係以於1C晶片之電極4上形成虛 又凸塊3作為接合材料阻流構件之例而加以說明，但本發明 不限於此，如第85A圖及第85B圖所示般，可藉樹脂糊之印 刷或灑佈等，於前述1C晶片上直接形成與虛設凸塊高度大 致相等之呈虛設凸塊狀之凸部23 A。 又’雖於前述電子零件接合面之電極上形成凸塊，但 亦可於前述電子零件之接合面上形成突出電極4上之凸狀 電極以取代凸塊2。 又，前述各實施形態中，由1C晶片與電路基板間押出 之接合材料5因前述接合材料阻流構件而受到流動限制，因 此使係對IC晶片側面***部分之欲條5 A增大時，可使I c晶 片之側面***至厚度上由基板側覆蓋一半。即，習知技術 中’配置有凸塊或純化膜之部分係受流動限制，但無配置 凸塊或鈍化膜之部分則不受前述限制而無法使嵌條增大， 舉例言之’1C晶片之厚度為0.4mm時僅能形成〇· lmm程度之 嵌條。但，前述各實施形態中，因受到前述之限制，舉例 吕之1C晶片厚度為0.4mm時將形成南度為0.2〜0·3 πππ之嵌 條，而可使喪條增大。結果，嵌條較小時，1C晶片與接合 材料及/或基板與接合材料間之界面易形成水分可侵入之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·. 線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -146· 1226085 A7 _______B7___ 五、發明說明（M4) 路徑，又，該路徑亦短，耐濕可靠性低，且加熱循環時易 引起基板彎曲。但，嵌條5 A增大時，1C晶片與接合材料5 [ 及/或基板與接合材料5間之界面不易形成水分可侵入之路 • 徑，又，可使該路徑延長，具有優異之耐濕可靠性，且舉 例言之其於-65 °C〜150°C之加熱循環時不易引起因熱而起 之基板彎曲。 | 又，前述實施形態中，即使係未配置虛設凸塊之實施 形態，若配置虛設凸塊，則可使IC晶片全面上接合樹脂之 流動均勻化。 又，可將前述各種實施形態中任意之實施形態適當加 以組合，將可達到其等各自具有之效果。 本發明係將1C晶片等電子零件藉按壓力而按壓於電路 基板等電路形成體上並經由接合材料5而將兩者接合，其中 由鄰接凸塊間之間隙流出之接合材料量超過容許量之部分 中配置有前述接合材料阻流構件，因此將前述電子零件接 合於前述電路形成體上時，兩者間之前述接合材料之流動 因前述接合材料阻流構件而受到限制，由前述接合材料阻 流構件與鄰接凸塊間之間隙流出之接合材料之量將降至容 許量以下’因此’整趙而言’可使由電子零件之鄰接凸塊 間之間隙流出之接合材料量大致平均化。因此，可圓前述 接合材料由前述電子零件之中央部㈣邊部大致均句流 動二且使電子零件之接合面内接合材料分布平均化，進而 krl?岔著力與接合及密封之可靠性。 右依本發明之一種樣態，則於正方形或長方形π晶片 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公髮 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經-;#部智慧財產局員工消費合作社印製
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等電子零件接合面中，除其四隅角落部外各邊邊部附近設 有一列凸塊，且於電子零件接合面上前述邊之邊部附近中 未設凸塊之部位上配置接合材料阻流構件（如虛設凸塊） 時，可使凸塊之配列狀態與電子零件之各邊邊部附近大致 相同，而於前述加壓接合時前述電子零件之前述接合面與 前述電路形成體之電子零件接合領域間之前述接合材料由 其中央部朝周邊部流動時，前述虛設凸塊係作為接合材料 阻流構件發揮機能，進而可圖前述接合材料由中央部朝周 邊部之流動大致均勻化，且接合材料於電子零件接合面内 分布均勻化，以提高密著性與接合及密封之信賴性。 又，若依本發明之其他樣態，則於長方形1(:晶片等之 電子零件接合面中，除其四隅角落部外之各邊邊部附近設 有一列凸塊，且於電子零件接合面上前述邊之邊部附近中 未設凸塊之部位上配置接合材料阻流構件，如一列虛設凸 塊時，可使凸塊之配列狀態與電子零件之各邊邊部附近大 致相同，而於前述加壓接合時前述電子零件之前述接合面 與前述電路形成體之電子零件接合領域間之前述接合材料 由其中央部朝周邊部流動時，前述虛設凸塊係作為接合材 料阻流構件發揮機能，進而可圖前述接合材料由中央部朝 周邊部之流動大致均勻化，且接合材料於電子零件接^面 内分布均勻化，以提高密著性與接合及密封之信賴性。 又，若依本發明之其他樣態，則於正方形10晶片等電 子零件接合面中，除其四隅角落部外之各邊邊部附近設有 一列凸塊，且於電子零件接合面上前述邊之邊部附近中未 本紙張尺度剌巾關家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮)_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -mm— n · 訂· · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 •148- 五、發明說明（146) 設凸塊之部位上形成接合材料阻流構件，如虛設凸塊時， 可使凸塊之配列狀態與電子零件之各邊邊部附近及各角落 部附近大致相同，而於前述加壓接合時前述電子零件之前 述接合面與前述電路形成體之電子零件接合領域間之前述 接合材料由其中央部朝周邊部流動時，前述虛設凸塊係作 為接合材料阻流構件發揮機能，進而可圖前述接合材料由 中央部朝周邊部之流動大致均勻化，且接合材料於電子零 件接合面内分布均勻化，以提高密著性與接合及密封之信 賴性。 口 又，若依本發明之其他樣態，則於長方形電子零件之 接合面中，除其四隅角落部外四邊之各邊邊部附近設有一 列凸塊，且於電子零件接合面上前述邊之邊部附近中未設 凸塊之部位上形成接合材料阻流構件，如虛設凸塊時，可 使凸塊之配列狀態與電子零件之各邊邊部附近及各角落部 附近大致相同，而於前述加壓接合時前述電子零件之前述 接合面與前述電路形成遨之電子零件接合領域間之前^接 合材料由其中央部朝周邊部流動時，前述虛設凸塊係作為 接合材料阻流構件發揮機能，進而可圓前述接合材料由中 央部朝周邊部之流動大致均勻化，且接合材料於電子零件 接合面内分布均勻化’以提高密著性與接合及密封之信賴 又，若依本發明之其他樣態，則於前述電子零件之四 邊形接合面中央上形成有-列前述多數凸塊且將設於= 設凸塊之角落部上之前述作為接合材料阻流構件用之虛設 1226085 五、發明說明（147) 填 寫 凸塊加以配置時，電子零件將於相對電路形成趙之短向（即 寬方向）上由三點所固持，使凸塊之列兩側上電子零件與電 路形成體間接合力之平衡大致均等，而可防止電子零件相 對電路形成體發生傾斜且使凸塊之列兩側上電子零件與電 路形成趙間之間隔大致均等，並於前述加麼接合時前述電 子零件之前述接合面與前述電路形成趙之電子零件接合領 域間之前述接合材料由其中央部朝周邊部流動時，虛設凸 塊係作為接合材料阻流構件發揮機能，進而可圖前述接合 材料由中央部朝周邊部之流動大致均勻化，且接合材料於 電子零件接合面内分布均勻化，以提高密著性與接合及密 封之信賴性。 又，右依本發明之其他樣態，則不僅於電子零件接合 面之各邊邊部附近由配置成一列且呈大致等間隔之凸塊所 包圍之正方形領域上配置鈍化膜，並於四邊凸塊之外側位 線 置，即接合面之周圍部分上配置接合材料阻流構件，如辅 助鈍化膜時，則述正方形領域與前述周圍部分上接合材料 之飢動速度大致相同，而可防止接合材料密度降低，而防 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 止接合面周圍部分上之密著力，即接合力及密封力降低， 進而防止剝離之發生，以防止水分入侵而導致因吸濕而起 之1C晶片等發生腐蝕。因此，可圖電子零件接合面内之接 合材料分布均勻化，提高密著力，並提高接合及密封之可 靠性。 又，於欠缺凸塊之寬幅間隔部分，換言之即兩兩相鄰 凸塊間凸塊間隔較其他凸塊間隔寬之部分上形成虛設凸塊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -150· 1226085 A7 五、發明說明（148) 經 •濟 部 智 慧 財 產 局 消 f 合 作 社 印 製 時，若相鄰凸塊間之間隔未必大致平均時，則僅需於相鄰 凸塊間之間隔超過容許值之部分形成虛設凸塊即可。具體 言之’如第26圖所示，僅需將虛設凸塊配置成使電子零件 之凸塊間或凸塊與虛設凸塊間之節距中，最大節距1>111以與 最小節距Pmin之關係為pmaxS (Pminx 2α)[於此，α為1〜6 之任意值]，則可達到與前述者相同之效果。 又’若依本發明之其他樣態，則不僅於電子零件接合 面之各邊邊部附近由配置成一列且呈大致等間隔之凸塊所 包圍之正方形領域上配置鈍化膜，並於四邊凸塊之外側位 置’即接合面周圍部分之角落部上配置接合材料阻流構 件如大致呈四邊形之輔助純化膜時，前述正方形領域與 前述周圍部分之角落部上接合材料之流動速度將大致相 同，而可防止接合材料密度降低，而防止接合面周圍部分 上之密著力，即接合力及密封力降低，進而防止剝離之發 生，以防止水分入侵而導致因吸濕而起之IC晶片等發生腐 蝕。因此，可圖電子零件接合面内之接合材料分布均勻化， 提南密著力，並提高接合及密封之可靠性。 又，若依本發明之其他樣態，則不僅於電子零件接合 面之各邊邊部附近由配置成一列且呈大致等間隔之凸塊所 包圍之正方形領域上配置鈍化膜，並於四邊凸塊之外側位 置，即接合面之周圍部分及其角落部上配置接合材料阻流 構件，如大致呈四邊形之輔助鈍化膜時，前述正方形領域、 述周圍部分及其角落部上接合材料之流動速度將大致相 同 可防止接合材料密度降低，而防止接合面周圍部分 本紙張尺度適用中關家標準（CNS〉A4規格⑽χ 297公爱）
-1 I--1 — I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·- •線- -151· 1226085 A7 一 B7 五、發明說明（149) 上之密著力，即接合力及密封力降低，進而防止剝離之發 生’以防止水分入侵而導致因吸濕而起之Ic晶片等發生腐 蝕。因此，可圖電子零件接合面内之接合材料分布均勻化， 提高密著力，並提高接合及密封之可靠性。 又右依本發明之其他樣態’則不僅於電子零件接人 面之各邊邊部附近由配置成一列且呈大致等間隔之凸塊所 包圍之正方形領域上配置鈍化膜，並於四邊凸塊之外側位 置，即接合面之周圍部分、其角落部及與鄰接凸塊間之部 为上配置接合材料阻流構件，如輔助鈍化膜時，前述正方 形領域、前述周圍部分、其角落部及與相鄰凸塊間之部分 上接合材料之流動速度將大致相同，而可防止接合材料密 度降低，而防止接合面周圍部分上之密著力，即接合力及 密封力降低，進而防止剝離之發生，以防止水分入侵而導 致因吸濕而起之1C晶片等發生腐蚀。因此，可圖電子零件 接合面内之接合材料分布均勻化，提高密著力，並提高接 合及密封之可靠性。 又，依前述各樣態相關方法而製得之電子零件安裝趙 或設有如前述各樣態之接合材料阻流構件之電子零件安裝 體中’於藉接合材料阻流構件使電子零件接合面内之接合 材料分布均勻化之狀態下，因電子零件與電路形成體係藉 該接合材料而密著接合並密封，故可使前述之電子零件安 裝體具有高度接合及密封之可靠性而成為高品質者。 若依本發明，則藉按壓力將四邊形（即正方形或長方形） 之1c晶片等電子零件按壓於電路基板等電路形成體上並經 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格⑵G χ 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) :裝： 線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -152- 1226085 A7 B7 五、發明說明（15〇) 材料不均句流出之、 構件配置於接合 述電路开 因此將前述電子零件接合於前 '丨時，兩者間之接合材料之流動係因前述接 ^ ί流構件而受到限制’而可圖前述接合材料由中央 2朝周邊部之流動大致均句化，且接合材料於電子零件接 面内刀布均勻化，以提高密著性與接合及密封之信賴性。 卜更具體言之，若依本發明之一種樣態，則於前述電路 $成體之刖述電子零件接合領域為四邊形且該四邊形之前 述電子零件接合領域中相對兩對邊各自形成有前述多數凸 塊之情況下，形成係設置於與未設凸塊之角落部對應之前 述電路形成體之前述電子零件接合領域角落部上且無須電 性接合之凸部時，若凸部為虛設電極，則可使電極之配列 ^態與電子零件各邊邊部附近及各角落部附近者大致相 同，另一方面，若凸部為有機膜時，則可於電子零件各邊 邊部附近及各角落部附近配置有機膜之凸部以取代電極。 結果，加壓接合時前述電子零件之前述接合領域與前述電 路形成體之電子零件接合領域間接合材料由其中央部朝周 邊部之角落部流動時，前述凸部將作為接合材料阻流構件 而發揮機能，使電路形成體之電子零件接合領域中央部之 流動速度與電路形成體之電子零件接合領域周邊部之流動 速度大致相同，並使電子零件接合領域之各邊邊部附近及 各角落部附近接合材料由中央部朝周邊部之流動大致均勻 化’且使接合材料於電子零件之接合面，換言之，即前述 電子零件接合領域内之分布均勻化。如前述般，電子零件 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） . Μ 訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 妒.^部智慧財產局員工消費合作社印製
•153- 1226085 A7 Β7 五、發明說明（151) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之接合面内及電路形成體之電子零件接合領域内接合材料 之刀布可均勻化之結果，除可防止接合材料密度降低，而 增加電子零件接合領域中央部及周邊部，特別係角落部上 電子零件與接合材料之密著性外，並可增加電路形成體之 電極或前述凸部與接合材料間之密著性，進而防止剝離之 發生，以提高接合及密封之可靠性。 ;線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又若依本發明之其他樣態，則於四邊形（即正方形或 長方形）電子零件接合面中，除其四隅角落部外各邊邊部附 近設有一列凸塊，且於電子零件接合面上前述邊之邊部附 近中未設凸塊之部位上形成虛設凸塊外並於電路形成體之 電子零件接合領域中前述邊之邊部附近未設電極之部位上 形成虛設電極時，可使凸塊之配列狀態與電子零件之各邊 邊部附近者大致相同且電極之配列狀態與電路形成體之電 子零件接合領域中各邊之邊部附近大致相同，而於前述加 壓接σ中刖述電子零件之前述接合面與前述電路形成體之 電子零件接合領域間之前述接合材料由其中央部朝周邊部 流動時，虛設凸塊與虛設電極係作為接合材料阻流構件發 揮機能，進而可圖前述接合材料於電子零件各邊邊部附近 及電路形成體之電子零件接合領域各邊邊部附近中由中央 部朝周邊部之流動大致均勻化，且接合材料於電子零件接 合面内及電路形成體之電子零件接合領域内分布均勻化， 以提咼也、著力與接合及密封之信賴性。又，可圖電子零件 接合面内及電路形成體之電子零件接合領域内接合材料分 布均勻化之結果，將可防止接合材料密度降低，充分供給 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -154- 1226〇85 五、 發明說明（152) 件/封^子零件側面之接合材料量，使用以密封電子零 周2之嵌條增大’進而可有效地防止電子零件接合領域 電極ΐί電子零件與接合材料間發生剩離及電路形成體之 電極與接合材料間發生剝離。 訂 又，若依本發明之其他樣態，則於電路形成體之電子 2件接合領域㈣及前述電子零件接合領域之周邊部配置 有機膜時，有機膜係可作為接合材料阻流構件例示用之接 合材料阻流膜以進行接合材料之流動限制。結果，與不具 有機膜時相較下’前述加屋接合中前述接合材料於前述電 子零件之前述接合面與前述電路形成趙之電子零件接合領 域間由其中央部朝周邊部流動時，有機膜係作為接合材料 阻流構件發揮機能’使電子零件與電路形成體間之流動速 度=低’而可圖前述接合材料由其中央部朝周邊部大致均 勻流動’且電子零件之接合面内接合材料分布均勻化進 而提高密著性與接合及密封之可靠性。 由 又，若依本發明之其他樣態，則前述電路形成體之電 子零件接合領域呈四邊形且前述四邊形之前述電子零件接 合領域中央配置有-列前述多數電極且電子零件係相對電 路形成體於短向（即寬方向）上由丨點所固持外，其兩側並配 置有有機膜時，與不具有機膜時相較下，可使電子零件與 電路形成體間之流動速度降低，前述加壓接合中前述接人 材料於前述電子零件之前述接合面與前述電路形成體之電 子零件接合領域間由其中央部朝周邊部流動時，有機膜係 作為接合材料阻流構件發揮機能，而可圖前述接合材料 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -155- x 1226〇85
其中央部朝周邊部大致均勻流動，且電子零件之接合面内 接合材料分布均勻化，進而提高密著性與接合及密封之可 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 靠性。 又，若依本發明之其他樣態，則於電路形成體之電子 零件接合領域外側及内側全域除與電極之凸塊之接合部外 大致全面性地配置作為接合材料阻流構件例示用之有機膜 時，則述加壓接合中前述接合材料於前述電子零件之前述 ^合面與前述電路形成體之電子零件接合領域間由其中央 部朝周邊部流動時，有機膜係作為接合材料阻流構件發揮 機能，而可圖前述接合材料於電子零件之各邊邊部附近由 其中央部朝周邊部大致均勻流動，且電子零件之接合面内 接合材料分布均勻化，進而提高密著性與接合及密封之可 靠性。 又，若依本發明之其他樣態，則將嵌條形成用凸部作 i線· 為接σ材料阻流構件而配置於係由電路形成趙之電子零件 接〇領域空出預定間隔且包圍電子零件接合領域之四邊形 外框狀領域上時，前述加壓接合中前述電子零件之前述接 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 口面與則述電路形成體之電子零件接合領域間之前述接合 材料朝電子零件接合領域外側流動時，係藉嵌條形成用凸 部使前述被押出而沿基板表面流出之接合材料受到阻擋而 ***，而可於電子零件側面上形成較大之嵌條，以提高電 子零件側面之密封力，進而可提高密著力與接合及密封之 可靠性。 又’若依本發明之其他樣態，則將厚度與電路形成體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -156- 1226085 A7 B7 五、發明說明（154 ) 之電極大致相同之作為接合材料阻流構件用之凸部設於電 路开成體之電子零件接合領域内前述接合材料顯示有不均 勻流動之領域，舉例言之如電子零件接合領域内之電極配 線密度係於預定值以下且自中心偏離之領域上時，將可圖 電路形成體之電子零件接合領域内之圖樣配線密度均勻化 且接〇材料之流動均勻化，並使由電子零件與電路形成體 間押出至外側之接合材料押出量平均化，而使接合安定 化。又，嵌條形成用凸部係由一層以上之膜所構成且係由 焊料光阻劑形成時，與用以形成嵌條之樹脂間之密著性較 高’密封力可更為提高。 又，若依本發明之其他樣態，則配置網目狀之電極或 具有貫通孔之電極以作為前述凸部時，可使電路形成體之 電子零件接合領域内之電極圖樣之配線密度均勻化，並使 接合材料均勻流動，且使由作為電子零件例示用之正方形 電子零件接合面與電路形成體之電子零件接合領域間押出 至外側之接合材料之押出量平均化，而可圖連接之安定 化。除前述效果外，電路形成體將於用以構成前述電極之 網目之貫通孔部分或前述貫通穴露出，配置於前述電極上 之接合材料將貫通前述貫空孔部分或前述貫通孔而直接接 觸電路形成體。結果，接合材料將於前述電極之貫通孔部 份或前述貫通孔上與直接密著接合，而提高接合材料與電 路形成體間之密著性。 又，若依本發明之其他樣態，則包含前述凸部，於電 路形成體之電子零件接合領域外側及内側全域上除與各電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
----裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) k •線· -157- l226〇85 A7 ^^一 B7 五、發明說明（155) 極之各凸部之接合部外大致全面性地配置有機膜時，前述 加壓接合中别述接合材料於前述電子零件之前述接合面與 前述電路形成體之電子零件接合領域間由其中央部朝周邊 部流動時，有機膜係作為接合材料阻流構件發揮機能，使 電子零件各邊邊部附近上前述接合材料由中央部朝周邊部 大致均勻流動，且電子零件之接合面内接合材料分布均勻 化，進而提高密著性以提高接合及密封之可靠性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又’若依本發明之其他樣態，則於電路形成體之正方 形電子零件接合領域中，除其四隅角落部外四邊之各邊邊 部附近設有一列凸塊，且於電路形成體之電子零件接合領 域之前述邊之邊部附近中未設電極之部位上配置有機膜之 情形下，前述加壓接合中前述電子零件之前述接合領域與 刚述電路形成體之電子零件接合領域間之前述接合材料由 其中央部朝周邊部流動時，即使於未設電極之角落部中有 機膜亦作為接合材料阻流構件而發揮機能，使電路形成體 之電子零件接合領域中央部之流動速度與電路形成體之電 子零件接合領域周邊部之流動速度大致相同，進而可圖前 述接合材料於電子零件接合領域各邊之邊部附近及各角落 部附近之由中央部朝周邊部之流動大致均勻化，且除接合 材料於電子零件接合面内換言之即前述電路形成體之電子 零件接合領域内分布均勻化外，各角落部中係藉有機膜阻 擋接σ材料沿電路基板表面之流動而***，藉此形成覆蓋 電子零件側面之嵌條。如前述般，可圖電子零件接合面内 及電路形成體之電子零件接合領域内之接合材料分布均勻 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵Q χ 297公楚） -158- Ϊ226085
五、發明說明（156) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 化之結果，將可防止接合材料密度降低，除可增加電子零 件接合領域之中央部及周邊部，特別係角落部中電子零件 與接合材料之密著性外，並增加電路形成體之電極或有機 膜與接合材料間之密著性，藉此可防止前述之剝離，提高 接合及密封之可靠性。 又’依前述各樣態相關方法而製得之電子零件安裝體 或設有如前述樣態之接合材料阻流構件之電子零件安裝體 中’因係於以接合材料阻流構件阻止接合材料不均勻流動 而使電子零件接合領域内接合材料之分佈均勻化之狀態下 藉該接合材料使電子零件及電路形成體呈密著接合且密. 封’故可使前述之電子零件安裝體具有高度接合及密封之 可靠性，而具有高品質。 另，可將前述各種實施形態中任意之實施形態適當組 合’將可達到其等各自具有之效果。 本發明雖一面參照所附圖式而將較佳之實施形態相關 者充分記載，但就熟悉該項技術之人而言乃可明暸其種種 之變型及修正。前述修正及變形於不逸脫本發明申請專利 範圍之要旨内，均應視為包含於本發明之中。 元件標號對照表 1...IC晶片 5.··接合材料 1-1〜1-10…1C晶片 5A··.欲條 2…凸塊 6···電路基板 3…虛設凸塊 6-1〜6-10···電路基板 4…電極 6a...IC晶片接合領域 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） II — — — — — — — — — — — — — — — II ^ ·1111111 · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -159- 1226085 A7 B7 五、發明說明（157 ) 6a-l〜6a-10...IC晶片接合領 28...按壓構件 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 域 7.. .電極 8.. .按壓構件 10…基台 11…1C晶片 12.. .凸塊 13…虛設凸塊 14…電極 15…接合材料 16.. .電路基板 16a...1C晶片接合領域 17…電極 18.. .按壓構件 20…基台 21··. 1C 晶片 22…凸塊 23…虛設凸塊 23A…凸部 24…電極 25.. .接合材料 26.. .電路基板 26a...1C晶片接合領域 27…電極 30.. .基台 31.. . 1C 晶片 3 2 · · ·凸塊 33…虛設凸塊 34.. .電極 35.. .接合材料 36.. .電路基板 36a...1C晶片接合領域 3 7…電極 38.. .按壓構件 40…基台 41…1C晶片 42…凸塊 43…虛設凸塊 44…電極 45.. .接合材料 46.. .電路基板 46a... 1C晶片接合領域 47…電極 48.. .按壓構件 50…基台 51.. . 1C 晶片 52…凸塊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -160- 1226085 A7 B7 — II---· I I I----^ -------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（158 ) .53…輔助鈍化膜 5 4…電極 55.. .接合材料 56.. .電路基板 5 7…電 58…按壓構件 59.. .鈍化膜 60.. .基台 61.. .1. 晶片 62.. .凸塊 63.. .輔助鈍化膜 64…電 65…接合材料 66.. .電路基板 6 7…電極 68…按壓構件 69.. .鈍化膜 70.. .基台 81.. .1. 晶片 8 2…凸塊 83.. .輔助鈍化膜 84···電極 85.. .接合材料 86.. .電路基板 87.. .電極 88…按壓構件 89.. .鈍化膜 90.. .基台 91.. .1. 晶片 92.. .凸塊 93…輔助鈍化膜 94…電極 95…接合材料 96…電路基板 97.. .電極 98···按壓構件 99.. .鈍化膜 100···基台 101.. . 1C 晶片 102…凸塊 103.. .寬幅間隔部分 104…電極 105.. .接合材料 106…電路基板 107…電極 108.. .按壓構件 110.. .基台 111.. .1. 晶片 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -161- 1226085 A7 B7 五、發明說明（159 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 112··.凸塊 137··.電極 113…邊部附近 138…按壓構件 114.··電極 140...基台 115…接合材料 141...IC 晶片 116...電路基板 142…凸塊 117…電極 143…角落部附近 117(第29圖）...彈性體 144...電極 118…按壓構件 145…接合材料 120...基台 146…電路基板 121··. 1C 晶片 147··.電極 122…凸塊 148…按壓構件 123...欠缺凸塊之位置 150...基台 124...電極 151... 1C 晶片 125…接合材料 152…凸塊 126...電路基板 154...電極 127··.電極 155…接合材料 128…按壓構件 156…電路基板 130...基台 157…電極 131...IC 晶片 158…按壓構件 132...凸塊 159...鈍化膜 133...欠缺凸塊之位置 160...基台 134...電極 193...支持器 135...接合材料 195...導線 136·.·電路基板 196··.球 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -162· 1226085 A7 B7 ^--------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（l6〇 ) 198··.彎曲部 199.··線圈 303…虛設電極 309.. .鈍化膜 313…虛设電極 319…有機膜 320···四邊形外框領域 329…有機膜 339.. .有機膜 340…領域 345…堰部 348…上側有機膜 349…下側有機膜 345.··堰部 355…凸部 355a··· Au 層 355b".Ni 層 355c."Cu 層 356…有機膜 360.. .有機膜 369…網目狀電極 369h...it子匕咅p分 395…剝落部分 401.. .1. 晶片 402…凸塊 402a…頭部 404…衰減電極 405…熱硬化性樹脂片 405a...隔板 405b...熱硬化性接著劑 405s...熱硬化性樹脂 406.. .電路基板 407…電極 408…接合工具 408A...黏貼工具 509.. .鈍化膜 519.. .有機膜 539.··有機膜 549···有機膜 701…1C晶片 702…凸塊 703.. .各角落部附近 704…電極 705…接合材料 706…電路基板 706a··. 1C晶片接合領域 707…電極 708…按壓構件 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -163- 1226085 A7 _ B7 五、發明說明（16i ) 710...基台 A1...衰減電極 LI、L2···延長線 L3、L4···基準線 Rl、R2·.·領域 SP1、SP2…流動速度 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨裝 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -164-

Claims (1)

  1. 6 2 2
    A B c D 無劃線 六、申請專利範圍 第90114601號專利申請案申請專利範圍修正本 92年1月22曰 1. 一種電子零件之安裝方法，包含以下步驟，即： 將含有樹脂之接合材料（5、15、25、35、45、55、 65、 85、95)供至電路形成體（6、16、26、36、46、56、 66、 86、96)及電子零件（卜；Π、2卜3卜4卜5卜61、 κ 81、91)至少其中之一上； ^ 藉由前述接合材料將前述電子零件與前述電路 fi U 形成體定位，而使該電子零件接合面上之多數凸狀電 ’;、 極(4、14、24、34、44、54、64、84、94、2、12、22、 本 案 32、42、52、62、82、92)與前述電路形成體之電極（7、 修 玉 17、27、37、47、57、67、87、97)可相互電性接觸； 後 祛 及 ί 藉加熱及加壓將前述電子零件熱壓接合後，於前 ν：·> 3 述電子零件之前述凸狀電極與前述電路形成體之前 ft 述電極呈電性接觸之狀態下，令前述電子零件之前述 内 ^ 接合面與前述電路形成體間之前述接合材料硬化，以 進行正式之加壓接合； 且，於前述正式加壓接合時，並藉設於前述電子 零件之前述接合面上之接合材料阻流構件（3、13、23、 23A、33、43、53、63、83、93)阻止前述接合材料朝 前述電子零件之前述接合面周邊部流動者。 2. 一種電子零件之安裝方法，包含以下步驟，即： 將含有樹脂之接合材料（5、15、25、35、45、55、 65、85、95)供至電路形成體（6、16、26、36、46、56、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -165- 1226085 A B c D 六、申請專利範圍 66、 86、96)及電子零件（卜；Π、2卜31、4卜5卜61、 81、91)至少其中之一上； 藉由前述接合材料將前述電子零件與前述電路 形成體定位，而使該電子零件接合面上所具有之多數 電極（4、14、24、34、44、54、64、84、94)上之多數 接合用凸塊（2、12、22、32、42、52、62、82、92) 與前述電路形成體之電極（7、17、27、37、47、57、 67、 87、97)可相互電性接觸；及 藉加熱及加壓將前述電子零件熱壓接合後，於前 述電子零件之前述電極上之前述凸塊與前述電路形 成體之前述電極呈電性接觸之狀態下，令前述電子零 件之前述接合面與前述電路形成體間之前述接合材 料硬化，以進行正式之加壓接合； 且，於前述正式加壓接合時，並藉設於前述電子 零件之前述接合面上之接合材料阻流構件（3、13、23、 23A、33、43、53、63、83、93)阻止前述接合材料朝 前述電子零件之前述接合面周邊部流動者。 如申請專利範圍第2項之電子零件之安裝方法，其中 前述接合材料阻流構件係指一種虛設凸塊（3、13、23、 23A、43)，設於前述電子零件之前述接合面上兩兩相 鄰之凸塊中凸塊間隔較其他凸塊間隔寬之部份，而可 於前述正式加壓接合時，藉前述虚設凸塊阻止前述接 合材料朝前述電子零件之前述接合面上前述凸塊間 隔較寬部分之周邊部流動者。 裝 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -166- j226〇85 、申凊專利範圍 4· 5. ^請專利範圍第2項之電子零件之安裝方法，其於 零件之四邊形接合面中相對之兩邊各形成 =狀之前述多數凸塊時，前述接合材料阻流構件 =为別成列設置於另外無凸塊之相對兩邊上以作 口、=接合材料阻流構件用之多數虛設凸塊⑴），而 I:刖述正式加I接合時，藉前述虛設凸塊阻止前述 接。材料朝前述電子零件之前述接合面上前述另外 之相對兩邊之周邊部流動者。 裝 如申請專利範圍第2項之電子零件之安裝方法，其中 於前述電子零件之四邊形接合面中相對之兩對邊上 ^自形成有前述多數之凸塊時，前述接合材料阻流構 件係指設置於無凸塊之角落部上以作為前述接 料阻流構件用之虛設凸塊(23、23八、33)，而可於前 述正式加難合時，藉前述虛設凸塊阻止前述接合材 料於前述角落部中朝前述電子零件之前述接合面周 邊部流動。 ° 6. 如申請專利範圍第2項之電子零件之安裝方法，其於 前述電子零件之四邊形接合面中央上形成有前述多 數凸塊時，前述接合材料阻流構件係指設置於無凸塊 之角落部上以作為前述接合材料阻流構件用之虛設 凸塊(43)，而可於前述正式加壓接合時，藉前述二： 凸塊阻止前述接合材料於前述角落部中朝前述 零件之前述接合面周邊部流動。 如申請專利範圍第2至6項中任一項之電子零件之… I*氏張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚） -167- 六、申請專利範圍 裝方法，其係將前述接合材料供至前述電路形成體， 並於將前述接合材料供至前述電路形成體前，先於前 述電子零件之前述接合面上形成前述之多數凸塊；| 且’於形成前述凸塊時，並於前述電子零件之前 述接合面上兩兩相鄰之凸塊中凸塊間隔較其他凸塊 間隔寬之部分形成虛設凸塊（3、13、23、23八、43)者。 8·如申請專利範圍第2至6項中任一項之電子零件之安 裝方法，其係將前述虛設凸塊設置成前述電子零件之 别述凸塊間或前述凸塊與前述虛設凸塊間之節距中 最大節距Pmax與最小節距pmin具有如下關係者，即： Pmaxg (Pminx 2oc)【其中α係1〜6之任意值】。 9·如申請專利範圍第2至6項中任一項之電子零件之安 裝方法，其於前述電子零件（51、61、81、91)各接合 面上各邊邊部附近之前述多數凸塊（52)列内側之四邊 形領域設置有鈍化膜（59、69、89、99)時，前述接合 材料阻流構件係指設置於前述電子零件之前述接合 面上無前述鈍化膜部分之接合材料阻流膜（53、63: ‘ 83、93)，而可於前述正式加壓接合時，藉前述接合材 料阻流膜阻止位於前述電子零件之前述接合面上無 前述鈍化膜部分之前述接合材料流動速度上升。 W·如申請專利範圍第2至6項中任一項之電子零件之安 裝方法，其於前述電子零件（51)接合面上各邊邊部附 近之前述多數凸塊列内側之四邊形領域設置有鈍化 膜（59)時，係指設置於前述電子零件之前述接合面上 本紙張尺度適用中國國家標準 (CNS) A4ia^S- (210X297^51 1226085 、申請專利範圍 各邊邊部附近之前述凸塊列外側周邊部分四邊形外 框領域之辅助鈍化膜（53)，而可於前述正式加壓接合 時藉別述辅助鈍化膜阻止前述電子零件之前述接合 面上各邊邊部附近之前述凸塊列外側周邊部分四邊 形外框領域之前述接合材料流動速度上升。 11 ·如申凊專利範圍第2至6項中任一項之電子零件之安 裝方法，其於前述電子零件（61)接合面上各邊邊部附 近之刖述多數凸塊（62)之列之内側四邊形領域上備有 鈍化膜（69)時，係指略呈四邊形且僅設置於前述電子 零件之前述接合面邊部附近之前述凸塊列外側周邊 部分各角落部之輔助鈍化膜（63),而可於前述正式加 壓接合時，藉前述輔助鈍化膜阻止前述電子零件之前 述接合面各邊邊部附近上前述凸塊列外側周邊部分 各角落部之前述接合材料流動速度上升。 I2·如申請專利範圍第2至6項中任一項之電子零件之安 裝方法，其於前述電子零件（81)接合面上各邊邊部附 近之前述多數凸塊（82)之列之内側四邊形領域設置有 鈍化膜（89)時，係略成四邊形且設置於前述電子零件 之前述接合面各邊邊部附近之前述凸塊列外側周邊 部分與由前述鈍化膜領域角落部至外側周邊部分角 落部領域上之辅助鈍化膜（83)，而可於前述正式加壓 接著時，藉前述輔助鈍化膜阻止前述電子零件之前述 接合面各邊邊部附近上前述凸塊列外側周邊部分與 由前述鈍化膜領域角落部至外側周邊部分角落部之 本紙張尺度通用中關家標準（CNS) A4規格（2iGX297公楚「 -169- ABCD 1226085 六、申請專利範圍 領域上前述接合材料流動速度上升。 裝 13. 如申請專利範圍第2至6項中任一項之電子零件之安 裝方法，其於前述電子零件（91)接合面上各邊邊部附 近之前述多數凸塊（92)之列之内側四邊形領域上設置 有鈍化膜（99)時，前述接合材料阻流構件係設置於前 述電子零件之前述接合面上前述凸塊（92)外所有領域 之鈍化膜（93)，而可於前述正式加壓接著時，藉前述 輔助純化膜阻止前述電子零件之前述接合面上前述 凸塊（92)以外所有領域之前述接合材料流動速度上 升。 訂 14. 如申請專利範圍第10項之電子零件之安裝方法，其係 將前述接合材料供至前述電路形成體，並於將前述接 合材料供至前述電路形成體前，先於前述電子零件之 前述接合面上形成前述鈍化膜； 線 且，於形成前述鈍化膜時，並於前述電子零件之 前述接合面上無前述鈍化膜形成之領域形成作前述 接合材料阻流構件用之輔助鈍化膜（53、63、83、93) 15· —種電子零件安裝體，係以電子零件（1、11、21、31、 41、 51、61、81、91)接合面上多數電極（4、14、24、 34、44、54、64、84、94)之多數凸塊（2、12、22、32、 42、 52、62、82、92)與電路形成體（6、16、26、36、 46、56、66、86、96)之電極（7、17、27、37、47、57、 67、87、97)呈電性接觸之狀態下，藉由含有樹脂之接 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -170- l226〇85 圍 R、申請專利範 =T15、25、35、45、55、65、85、95)使前述 罨子零件接合於前述電路形成體上而構成者； 此而其用以阻止前述接合材料朝前述電子零件之 前述接合面周邊部流動之接合材料阻流構件（3、^之 :^、33、43、53、63、83，)係設置於前述電 子零件之前述接合面上。 16.如申請專利範圍第15項之電子零件安裝體，其中前述 接合材料阻流構件係指一種虛設凸塊（3、i3、U、 23Α、43)，設於前述電子零件之前述接合面上兩兩相 鄰之凸塊中凸塊間隔較其他凸塊間隔寬之部分者。 17·如申請專利範圍第ls項之電子零件安裝體，其於前述 電子零件之四邊形接合面中相對之兩邊各形成有呈 7狀之前述多數凸塊時，前述接合材料阻流構件係指 分別成列設置於另外無凸塊之相對兩邊上以作為前 述接合材料阻流構件用之多數虛設凸塊（13)。 於 虛 18·如申請專利範圍第15項之電子零件安裝體，其於前述 2子零件之四邊形接合面中相對之兩對邊各形成有 别述多數凸塊時，f述接合材料限制構件係指設置 無凸塊角落部以作為前述接合材料阻流構件用之 設凸塊（23、23A、33)。 I9·如申請專利範圍第項之電子零件安裝體，其於 電子零件之四邊形接合面中之中央上形成有前述多 數凸塊時，前述接合材料阻流構件係指設置於無凸塊 角落部以作為前述接合材料阻流構件用之虛設凸塊 G昧尺度適用中國·國糊I (CNS) A4规格（21〇χ297公澄） -171· 六、申請專利範圍 (43)。 2〇·如申請專利範圍第15至19項中任一項之電子零件安 裝體，其中前述接合材料阻流構件係一種虛設凸塊， 系將别述虛5又凸塊没置成前述電子零件之前述凸 鬼門或别述凸塊與前述虛設凸塊間之節距中最大節 距Pmax與最小節距Pmin具有如下關係者，即·· p丽 S(PminX2a)【其中…系！“之任意值】。 21·如申請專利範圍第15至19項中任一項《電子零件安 裝體’其係於前述電子零件（51、61、81、91)接合面 上各邊邊部附近前述多數凸塊（52)之列之内側四邊形 領域上設置有鈍化膜（59、69、89、99)之同時，於前 这電子零件之刖述接合面上無前述純化膜之部分設 置有作為前述接合材料阻流構件用之接合材料阻流 膜（53、63、83、93)，以阻止前述電子零件之前述接 合面上無前述鈍化膜部分之前述接合材料流動速度 上升。 22·如申請專利範圍第21項之電子零件安裝體，其中作前 述接合材料阻流構件用之前述接合材料阻流膜係一 種辅助鈍化膜（53)，設置於前述電子零件之前述結合 面邊部附近上前述凸塊列外側周邊部分之四邊形外 框領域。 23·如申請專利範圍第21項之電子零件安裝體，其中作前 述接合材料阻流構件用之前述接合材料阻流膜係略 呈四邊形之輔助鈍化膜（63)，僅設置於前述電子零件 ABCD 1226085 六、申請專利範圍 之前述接合面邊部附近上前述凸塊之列之外側周邊 部分各角落部。 24. 如申請專利範圍第21項之電子零件安裝體，其中作為 前述接合材料阻流構件用之前述接合材料阻流膜係 略呈四邊形之辅助鈍化膜（83)，設置於前述電子零件 之前述接合面各邊邊部附近上前述凸塊之列之外側 周邊部分與前述鈍化膜領域之角落部至外側周邊部 分之角落部之領域。 25. 如申請專利範圍第21項之電子零件安裝體，其中作前 述接合材料阻流構件用之前述接合材料阻流膜係一 種鈍化輔助膜（93)，設置於前述電子零件之前述接合 面上前述凸塊以外之所有領域。 26. —種電子零件，其係於接合面之多數電極（4、14、24、 34、44、54、64、84、94)上設置多數凸塊（2、12、22、 32、42、52、62、82、92)之同時， 並於前述接合面上設置用以阻止前述接合材料朝 前述電子零件之前述接合面周邊部流動之接合材料 * 阻流構件（3、13、23、23A、33、43、53、63、83、 93)； 並以前述接合面之前述多數電極之前述多數凸塊 與電路形成體（6、16、26、36、46、56、66、86、96) 之電極（7、17、27、37、47、57、67、87、97)發生電 性接觸之狀態下，藉著含有樹脂之接合材料（5、15、 25、35、45、55、65、85、95)而至少接合於前述電路 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -173- A B c D 1226085 申請專利範圍 形成體以構成電子零件安裝體者。 27. 如申請專利範圍第26項之電子零件，其中前述接合材 料阻流構件係指一種虛設凸塊（3、13、23、23A、43)， 設置於前述電子零件之前述接合面上兩兩相鄰之凸 塊中凸塊間隔較其他凸塊間隔寬之部分。 裝 訂 28. 如申請專利範圍第26或27項之電子零件，其於前述電 子零件（51、61、81、91)接合面上各邊邊部附近之前 述多數凸塊（52)之列之内側四邊形領域上設置有鈍化 膜（59、69、89、99)之同時，並於前述電子零件之前 述接合面上無前述鈍化膜之部分設置有用以作為前 述接合材料阻流構件用之接合材料阻流膜（53、63、 83、93)，該接合材料阻流膜係用以阻止前述電子零件 之前述接合面上無前述鈍化膜部分之前述接合材料 流動速度上升者。 29. —種電子零件之安裝方法，包含以下步驟，即： 線 將含有樹脂之接合材料（5)供至電路形成體（6)或 電子零件（1)至少其中之一上， 藉由前述接合材料將前述電子零件與前述電路 形成體定位，而使前述電子零件接合面上之多數凸狀 電極（4、2)與前述電路形成體之電子零件接合領域所 具有之電極可相互電性接觸；及， 藉加熱及加壓將前述電子零件熱壓接合，於前述 電子零件之前述凸狀電極與前述電路形成體之前述 電極呈電性接觸之狀態下，令前述電子零件之前述接 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -174- 1226085 A B c D 六、申請專利範圍 合面與前述電路形成體間之前述接合材料硬化，以進 行正式之加壓接合； 且，於前述正式加壓接合時，並藉將接合材料阻 流構件（303、313、319、329、339、355、369、360) 設置於前述電路形成體之前述電子零件接合領域上 前述接合材料不均勻流出之部分，以阻止前述接合材 料朝前述電路形成體之前述電子零件接合領域周邊 部流動者。 30. —種電子零件之安裝方法，包含以下步驟，即： 將含有樹脂之接合材料（5)供至電路形成體（6)或 電子零件（1)至少其中之一上， 藉由前述接合材料將前述電子零件與前述電路 形成體定位，而使前述電子零件接合面上多數電極（4) 之多數凸塊（2)與前述電路形成體之電子零件接合領 域上之電極（7)可相互電性接觸；及， 藉加熱及加壓將前述電子零件熱壓接合後，並於 前述電子零件之前述電極上前述凸塊與前述電路形 成體之前述電極呈電性接觸之狀態下，令前述電子零 件之前述接合面與前述電路形成體間之前述接合材 料硬化，以進行正式之加壓接合； 且，於前述正式加壓接合時，藉將接合材料阻流 構件（303、313、319、329、339、355、369、360)設 於前述電路形成體之前述電子零件接合領域上前述 接合材料不均勾地流出之部分，以阻止前述接合材料 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -175- 1226085 六、申請專利範園 朝別述電路形成體之前述電子零件接合領域周邊部 流動者。 σ 31·如申請專利範圍第30項之電子零件之安裝方法，其中 月1J述電路形成體之前述電子零件接合領域呈四邊 形，且於該四邊形之前述電子零件接合領域中相對之 兩對邊各形成有前述多數凸塊時，前述接合材料阻流 構件係指設於與無凸塊角落部對應之前述電路形成 體上前述電子零件接合領域之角落部且無電性接合 必要之凸部（303、360)，而可於前述正式加壓接合時， 藉則述凸部阻止前述接合材料於前述角落部中朝前 述電路形成體之前述電子零件接合領域周邊部流動 者。 32·如申請專利範圍第30項之電子零件之安裝方法，其中 前述接合材料阻流構件係指設於前述電路形成體之 刖述電子零件接合領域上兩兩相鄰電極中間隔較其 他間隔寬之部分且無電性接合必要之凸部（313)，而可 於前述正式加壓接合時，藉前述凸部阻止前述接合材 料於刚述較寬間隔部分中朝前述電路形成體之前述 電子零件接合領域周邊部流動。 33.如申請專利範圍第31或32項之電子零件之安裝方 法，其於前述接合時，係使為前述接合材料阻流構件 之前述凸部與無須與前述電子零件側電性連接之虛 設凸塊接觸。 34·如申請專利範圍第3〇至32項中任一項之電子零件之 i紙張尺度顧中關家標準（CNS) A4規格（210X297公笼） -176- A B c D 1226085 六、申請專利範圍 安裝方法，其於前述正式加壓接合時，係藉配置於前 述電路形成體之前述電子零件接合領域外側及前述 電子零件接合領域周邊部以作為前述接合材料阻流 構件用之有機膜（319)，而可阻止前述接合材料朝前述 電路形成體之前述電子零件接合領域之周邊部流動。 裝 35. 如申請專利範圍第30至32項中任一項之電子零件之 安裝方法，其於前述接合前更將作為前述接合材料阻 流構件用之有機膜（319)配置於前述形成體之電子零 件接合領域外側及前述電子零件接合領域之周邊部 訂 m 36. 如申請專利範圍第30至32項中任一項之電子零件之 安裝方法，其於前述正式加壓接著時，前述電路形成 體之前述電子零件接合領域係呈四邊形，且前述四邊 形之前述電子零件接合領域於中央上配置有前述多 數電極時，係藉作為前述接合材料阻流構件用之焊料 光阻劑膜（329)阻止前述接合材料朝前述電路形成體 之前述電子零件接合領域之周邊部流動，且該焊料光 阻劑膜係配置於由前述電子零件接合領域之外側至 前述中央一列之前述多數電極附近者。 37. 如申請專利範圍第30至32項中任一項之電子零件之 安裝方法，其中前述電路形成體之前述電子零件接合 領域係呈四邊形，而於該四邊形之前述電子零件接合 領域中央配置有一列前述多數電極時，前述作為接合 材料阻流構件用之焊料光阻劑膜（329)更配置於由前 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -177- ABCD 1226085 申請專利範圍 述電路形成體之前述電子零件接合領域外側至前述 中央一列之前述多數電極附近者。 裝 訂 38·如申請專利範圍第30至32項中任一項之電子零件之 安裝方法，其於前述正式加壓接合時，前述電路形成 體係呈四邊形，且前述四邊形之接合領域中相對兩邊 上各形成有呈列狀之前述多數凸塊時，可藉作為前述 接合材料阻流構件用之有機膜（339)阻止前述接合材 料朝前述電路形成體之前述電子零件接合領域周邊 部流動，且該有機膜係配置於除與前述電子零件之前 述電極接合所需之前述電極接合部外，前述電路形成 體之前述電子零件接合領域外側及前述電子零件接 合領域全面上。 線 39. 如申請專利範圍第30至32項中任一項之電子零件之 安裝方法，其中前述電路形成體之前述電子零件接合 領域係呈四邊形，且該四邊形接合領域中相對兩邊上 各形成有成列狀之前述多數凸塊時，前述作為接合材 料阻流構件用之有機膜（339)乃更配置於除與前述電 子零件之前述電極接合所必須之前述電極接合部 外，前述電路形成部之前述電子零件接合領域外側及 前述電子零件之接合領域全面上。 40. 如申請專利範圍第30至32項中任一項之電子零件之 安裝方法，其於前述正式加壓接合時，係藉作為前述 接合材料阻流構件用且配置於前述電路形成體之前 述電子零件接合領域外側周邊部上之嵌條形成用凸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -178- A B c D 1226085 六、申請專利範圍 部（345)，而可阻止前述接合材料朝前述電路形成體之 前述電子零件接合領域周邊部流動，並形成用以遮蓋 前述電子零件側面之嵌條。 41. 如申請專利範圍第30至32項中任一項之電子零件之 安裝方法，其中前述接合材料阻流構件係指配置於前 述電路形成體之前述電子零件接合領域外側周邊部 且用以覆蓋前述電子零件側面之嵌條形成用凸部（345) 者。 42. 如申請專利範圍第40項之電子零件之安裝方法，其中 前述嵌條形成用凸部（345)係由一層以上之膜所構成 者。 43. 如申請專利範圍第40項之電子零件之安裝方法，其中 前述嵌條形成用凸部（345)係由一層以上之基板焊料 光阻劑膜所構成#。 44. 如申請專利範圍第40項之電子零件之安裝方法，其中 前述嵌條形成用凸部（345)係由與前述電路形成體之 前述電極結構相同且較前述電極為厚之虛設電極所 構成者。 45. 如申請專利範圍第30至32項中任一項之電子零件之 安裝方法，其於前述正式加壓接合時，係藉作為前述 接合材料阻流構件用且位於前述電路形成體之前述 電子零件接合領域内前述接合材料顯示有不均勻流 動之領域上之凸部（355、369)，而可阻止前述接合材 料朝前述電路形成體之前述電子零件接合領域周邊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4·規格（210X297公釐） A B c D 1226085 申請專利範圍 部流動。 46. 如申請專利範圍第30至32項中任一項之電子零件之 安裝方法，其係於前述電路形成體之前述電子零件接 合領域内前述接合材料顯示有不均勻流動之領域 上，設置與前述電極大略厚度相同之凸部（355、369)。 裝 47. 如申請專利範圍第45項之電子零件之安裝方法，其中 前述凸部係指呈網目狀之虛設電極（369)，該虛設電極 不影響前述電路形成體之前述電子零件接合領域之 電性配線。 訂 48. 如申請專利範圍第45項之電子零件之安裝方法，其中 前述凸部係指一種虛設電極（369)，該虛設電極不影響 前述電路形成體之前述電子零件接合領域之電性配 線且設有前述接合材料可貫通之貫通孔（369h)。 線 49. 一種電子零件安裝體，係以電子零件（1)接合面上之多 數電極（4)及多數凸塊（2)與電路形成體（6)之電子零件 接合領域所具有之電極相互呈電性接觸之狀態下，藉 由含有樹脂之接合材料（5)而將前述電子零件至少接 合於前述電路形成體上； 且，用以阻止前述接合材料朝前述電路形成體之 前述電子零件接合領域周邊部流動之接合材料阻流 構件（303、313、319、329、339、355、369、360)係 設置於前述電路形成體之前述電子零件接合領域上 前述接合材料不均句流出之部分者。 50. 如申請專利範圍第49項之電子零件安裝體，其於前述 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -180- A B c D 1226085 六、申請專利範圍 電路形成體之前述電子零件接合領域呈四邊形且該 呈四邊形之前述電子零件接合領域中相對之兩對邊 各形成有前述多數凸塊時，前述接合材料阻流構件係 指一種設置於與無凸塊角落部對應之前述電路形成 體之前述電子零件接合領域角落部上，無需電性接合 且用以阻止前述角落部中前述接合材料朝前述電路 形成體之前述電子零件接合領域周邊部流動之凸部 (303 、 360) ° 51. 如申請專利範圍第49項之電子零件安裝體，其中前述 接合材料阻流構件更於前述電路形成體之前述電子 零件接合領域上兩兩相鄰之電極中電極間隔較其他 電極間隔寬之部分設置有凸部（3 13)，該凸部無須電性 接合且係用以限制前述較寬間隔部分中前述接合材 料朝前述電路形成體之前述電子零件接合領域周邊 部流動者。 52. 如申請專利範圍第50或51項之電子零件安裝體，其係 使為前述接合材料阻流構件之前述凸部與前述電子 ‘零件側無須電性接合之虛設凸塊（3)相接觸者。 53. 如申請專利範圍第49至51項中任一項之電子零件安 裝體，其於前述電路形成體之前述電子零件接合領域 之外側及前述電子零件領域接合領域之周邊部上設 置有作為前述接合材料阻流構件用有機膜（319)，而可 阻止前述接合材料朝前述電路形成體之前述電子零 件周邊部流動。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 1226085 as B8 C8
    -182- A B c D 1226085 六、申請專利範圍 且形成覆蓋前述電子零件側面之嵌條。 57. 如申請專利範圍第56項之電子零件安裝體，其中前述 嵌條形成用凸部（345)係由1層以上之膜所構成者。 58. 如申請專利範圍第56項之電子零件安裝體，前述嵌條 形成用凸部（345)係由1層以上之基板焊料光阻劑膜所 構成者。 59. 如申請專利範圍第56項之電子零件安裝體，其中前述 嵌條形成用凸部（345)係與前述電極形成體之前述電 極結構相同，且係由較前述電極厚之虛設電極所構成 者。 60. 如申請專利範圍第49至51項中任一項之電子零件安 裝體，其於前述電路形成體之前述電子零件接合領域 内顯示有前述接合材料不均勻流動之領域上設置有 作為前述接合材料阻流構件用之凸部（355、369)，該 凸部與前述電極大致厚度相同，而可阻止前述接合材 料朝前述電路形成體之前述電子零件接合領域周邊 部流動。 61/如申請專利範圍第60項之電子零件安裝體，其中前述 凸部係一種網目狀之虛設電極（369)，該虛設電極不影 響前述前述電路形成體之前述電子零件接合領域之 電性配線。 62.如申請專利範圍第60項之電子零件安裝體，其中前述 凸部係一種虛設電極（3 69)，該虛設電極不影響前述電 路形成體之前述電子零件接合領域之電性配線且設 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4·規格（210X297公釐） A B CD 1226085 申請專利範圍 有前述接合材料可貫通之貫通孔（369h)。 63. —種電子零件之安裝方法，係包含以下步驟，即： 將含有樹脂之接合材料（5、15、25、35、45、55、 65、 85、95)供至電路形成體（6、16、26、36、46、56、 66、 86、96)或電子零件（1、11、21、31、41、51、61、 81、91)至少其中之一上； 藉由前述接合材料將前述電子零件與前述電路 形成體定位，而使該電子零件接合面上多數凸狀電極 (4、14、24、34、44、54、64、84、94、2、12、22、 32、42、52、62、82、92)與前述電路形成體上電子零 件接合領域之電極（7、17、27、37、47、57、67、87、 97)可相互電性接觸；及 藉加熱及加壓將前述電子零件熱壓接合後，於前 述電子零件之前述凸狀電極與前述電路形成體之前 述電極呈電性接觸之狀態下令前述電子零件之前述 接合面與前述電路形成體間之前述接合材料硬化，以 進行正式之加壓接合； 且，於前述正式加壓接合時，並藉於前述電子零 件之前述接合面或前述電路形成體之前述電子零件 接合領域上前述接合材料不均勻流出之部分設置接 合材料阻流構件（3、13、23、23A、33、43、53、63、 83、93、303、313、319、329、339、355、369、3 60)， 而可阻止前述接合材料朝前述電子零件之前述接合 面或前述電路形成體之前述電子零件接合領域周邊 部流動。 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS) A4規格（210X297公釐） -184-
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