JPH06349890A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH06349890A
JPH06349890A JP5141044A JP14104493A JPH06349890A JP H06349890 A JPH06349890 A JP H06349890A JP 5141044 A JP5141044 A JP 5141044A JP 14104493 A JP14104493 A JP 14104493A JP H06349890 A JPH06349890 A JP H06349890A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
semiconductor
carrier tape
lead
bonding pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5141044A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoaki Shimoishi
智明 下石
Munehiro Yamada
宗博 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi ULSI Engineering Corp
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi ULSI Engineering Corp
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi ULSI Engineering Corp, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi ULSI Engineering Corp
Priority to JP5141044A priority Critical patent/JPH06349890A/ja
Publication of JPH06349890A publication Critical patent/JPH06349890A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体素子とリードとの短絡に起因する不良
の発生を確実に防止することが可能な半導体装置を提供
する。 【構成】 絶縁性の樹脂などからなるキャリアテープ1
の一主面には、複数の配線リード2が、当該キャリアテ
ープ1の長手方向に対向し、かつ、先端部がほぼ交互に
隣合う状態で、キャリアテープ1の幅方向の直線上に整
列して配置されている。キャリアテープ1は、半導体ペ
レット3の中央部に設けられた電極バンプ4に接続され
る配線リード2の先端部を取り囲む額縁状の絶縁用テー
プ5として選択的に残存するようにスリット6および接
続用開口部6aが開設されている。絶縁用テープ5は、
半導体ペレット3と複数の配線リード2との短絡を阻止
し、スリット6は、樹脂封止工程において、半導体ペレ
ット3の回りに流動樹脂を充分に行き渡らせる働きをす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に、TAB(Tape Automated Bonding)技術によって組
み立てられるLOC(Lead On Chip)タイプの半導体装
置に適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】たとえば、半導体メモリや論理素子等の
半導体装置においては、従来、外部との信号や電力等の
授受を行うパッドを矩形の半導体ペレットの周辺部に配
置し、当該周辺部に外部から位置決めされたリード先端
と電気的に接続する構成が一般的であった。ところが、
素子構造の小形化や動作の高速化に伴って、内部の回路
構造から半導体ペレット周辺部に配置されたパッドまで
の距離も、信号等の伝播遅延の要因として顕在化するに
至っており、また、多数のパッドを微小寸法の半導体ペ
レットの周辺部のみに配置することは困難とっている。
このため、その対策として、半導体ペレットの中央部に
パッドを配置する構成が採用されてきている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
に、半導体ペレットの中央部にパッドを配置した場合に
は、組み立て工程における外部のリードとの接続に際し
て、リードの基端部から先端部までの寸法が長くなり、
リードの途中が半導体ペレット上を通過することとなっ
て、リードと半導体ペレットとの短絡による障害が懸念
される。
【0004】また、TAB方式の組み立て工程では、周
辺部にパッドを配した従来構造の半導体ペレットの場合
には、キャリアテープにおける半導体ペレットの搭載部
位を比較的大きく開口させることが容易であり、ポッテ
ィング樹脂等による封止でも特に問題となることは無か
った。
【0005】これに対して、中央部にパッドを配置した
構成の場合には、リード長が長くなるために、当該リー
ドの剛性を維持するなどの観点から、開口部を大きくと
ることができず、半導体ペレット回りにおける樹脂の流
れが阻害され、半導体ペレット周囲における樹脂の充填
不足等のために封止強度や気密性の低下などの封止不良
の発生が懸念される。
【0006】本発明は、上記課題に着目してなされたも
のであり、その目的は、半導体素子とリードとの短絡に
起因する不良の発生を確実に防止することが可能な半導
体装置を提供することにある。
【0007】本発明の他の目的は、封止工程における不
良の発生を確実に防止することが可能な半導体装置を提
供することにある。
【0008】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになる
であろう。
【0009】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【0010】すなわち、本発明の半導体装置は、一主面
の中央部にボンディングパッドを備えた半導体素子と、
絶縁物からなるキャリアテープの一主面に配置されたリ
ードとを接続してなる半導体装置であって、半導体素子
におけるボンディングパッドの周囲に、リードと当該半
導体素子とを隔てる絶縁部材を配置してなるものであ
る。
【0011】また、本発明は、請求項1記載の半導体装
置において、キャリアテープを挟んでリードとボンディ
ングパッド上の電極バンプとを接続し、ボンディングパ
ッドを取り囲むようにキャリアテープの一部を略枠状に
選択的に残存させることにより、絶縁部材として機能さ
せてなるものである。
【0012】また、本発明は、請求項1記載の半導体装
置において、キャリアテープにおける一主面側にリード
および半導体素子が位置するように当該リードとボンデ
ィングパッド上の電極バンプとを接続し、リードのボン
ディングパッドを取り囲む領域に絶縁部材を配置してな
るものである。
【0013】また、本発明は、請求項1記載の半導体装
置において、半導体素子におけるボンディングパッドの
周辺領域に絶縁部材を配置してなるものである。
【0014】また、本発明は、請求項1記載の半導体装
置において、絶縁部材が、リードのボンディングパッド
の周辺領域を挟持するように配置された絶縁用フィルム
からなる構成としたものである。
【0015】また、本発明は、請求項1,2,3,4ま
たは5記載の半導体装置において、キャリアテープにお
ける半導体素子のボンディング領域に、厚さ方向に貫通
する複数のスリットを開設してなるものである。
【0016】また、本発明は、請求項1,2,3,4,
5または6記載の半導体装置において、半導体素子をポ
ッティング樹脂によって封止してなるものである。
【0017】また、本発明は、請求項1,2,3,4ま
たは5記載の半導体装置において、半導体素子を型成形
された樹脂によって封止してなるものである。
【0018】
【作用】上記した本発明の半導体装置によれば、半導体
素子におけるボンディングパッドの周囲に配置された絶
縁部材により、リードと半導体素子とが短絡することが
確実に阻止され、両者の接触に起因する不良の発生を確
実に防止することができる。
【0019】また、キャリアテープにおける前記半導体
素子のボンディング領域に、厚さ方向に貫通する複数の
スリットを開設することにより、ポッティングや型成形
などの封止工程に際して、当該スリットを通じて半導体
ペレットの周囲の封止樹脂の流れが円滑に行われ、封止
不良の発生を確実に防止することが可能となる。
【0020】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。
【0021】(実施例1)図1は、本実施例の半導体装
置の要部の構造の一例を示す略斜視図であり、図2は、
図1において線A−A´で示される部分の断面図であ
る。
【0022】また、図3および図4は、本実施例の半導
体装置の封止状態の一例を示す略断面図である。
【0023】絶縁性の樹脂などからなるキャリアテープ
1の一主面には、複数の配線リード2が、当該キャリア
テープ1の長手方向に対向し、かつ、先端部がほぼ交互
に隣合う状態で、キャリアテープ1の幅方向の直線上に
整列して配置されている。
【0024】この場合、キャリアテープ1は、配線リー
ド2の先端部を取り囲む額縁状の絶縁用テープ5として
選択的に残存するようにスリット6および接続用開口部
6aが開設されている。
【0025】キャリアテープ1の裏面側には、中央部に
複数の電極バンプ4が一列に突設形成された半導体ペレ
ット3が、当該電極バンプ4を、接続用開口部6aを通
じて複数の配線リード2の先端部にボンディングされる
ことによって搭載されている。
【0026】前述の絶縁用テープ5の位置は、半導体ペ
レット3の輪郭の内側に入る位置に設定され、スリット
6は、半導体ペレット3の輪郭を含む位置に開設されて
いる。
【0027】すなわち、本実施例の場合、絶縁用テープ
5は、半導体ペレット3の中央部に配置された電極バン
プ4に先端部が接続される複数の配線リード2と、当該
半導体ペレット3とを隔てることによって両者が短絡す
ることを阻止する働きをしている。
【0028】また、図3に例示されるように、周知のポ
ッティング技術などを用いて、キャリアテープ1におけ
る配線リード2の配置面側から半導体ペレット3を封止
する場合、流動状態の樹脂10が、スリット6を通じて
半導体ペレット3の側に充分に回り込むので、ボイドな
どの無い、緻密で高強度の封止状態を得ることができ
る。
【0029】同様に、図4に例示されるような型成形に
よって半導体ペレット3を封止する場合でも、図示しな
い成形型内における半導体ペレット3の周囲にスリット
6を通じて樹脂11が充分に行き渡り、緻密な封止状態
が得られる。
【0030】この結果、半導体ペレット3と配線リード
2との短絡などに起因する障害が、絶縁用テープ5の存
在によって確実に防止されるとともに、封止工程におけ
る不良の発生を確実に防止することができる。
【0031】(実施例2)図5は、本発明の他の実施例
である半導体装置の略斜視図であり、図6は、図5にお
いて線B−B´で示される部分の略断面図である。
【0032】また、図7および図8は、本実施例の半導
体装置の封止状態の一例を示す略断面図である。
【0033】この実施例2の場合には、キャリアテープ
1の同一側面に配線リード2および半導体ペレット3が
位置する構成としたものであり、複数の配線リード2に
おいて、半導体ペレット3に臨む側面には、当該配線リ
ード2と半導体ペレット3とを隔てるテープ上形成絶縁
材料7が配置されているものである。これにより、半導
体ペレット3と複数の配線リード2との短絡が確実に阻
止される。
【0034】また、スリット6は、実施例1の場合と同
様に、半導体ペレット3の輪郭を含む位置に開設されて
いる。
【0035】また、図7に例示されるように、周知のポ
ッティング技術などを用いて、キャリアテープ1におけ
る配線リード2の配置面側から半導体ペレット3を封止
する場合、流動状態の樹脂10が、スリット6を通じて
半導体ペレット3の側に充分に回り込むので、ボイドな
どの無い、緻密で高強度の封止状態を得ることができ
る。
【0036】同様に、図8に例示されるような型成形に
よって半導体ペレット3を封止する場合でも、図示しな
い成形型内における半導体ペレット3の周囲にスリット
6を通じて樹脂11が充分に行き渡り、緻密な封止状態
が得られる。
【0037】この結果、半導体ペレット3と配線リード
2との短絡などに起因する障害が、テープ上形成絶縁材
料7の存在によって確実に防止されるとともに、封止工
程における不良の発生を確実に防止することができる。
【0038】(実施例3)図9は、本発明のさらに他の
実施例である半導体装置の略断面図である。
【0039】この実施例3の場合は、半導体ペレット3
の側に、予め、ペレット上形成絶縁材料8を配置した状
態で、当該半導体ペレット3の電極バンプ4と、配線リ
ード2の先端部とのボンディングによる組み立てを行う
ところが、前記実施例2の場合と異なっている。
【0040】本実施例の場合にも、ペレット上形成絶縁
材料8が、半導体ペレット3と複数の配線リード2とを
確実に隔てるので、両者の短絡による不良の発生を確実
に防止できる。また、スリット6の作用および効果は、
前記実施例2の場合と同様である。
【0041】(実施例4)図10は、本発明のさらに他
の実施例である半導体装置の略斜視図であり、図11
(a) および(b) は、図10において線C−C´で示され
る部分の略断面図である。
【0042】この実施例4の場合には、キャリアテープ
1における半導体ペレット3の搭載部位に、当該半導体
ペレット3の輪郭よりも大きな開口部20を開設すると
ともに、半導体ペレット3上を通過する複数の配線リー
ド2は、複数の分割絶縁テープ9または、単一の絶縁テ
ープ9Aによって幅方向に連ねられた構造となってい
る。
【0043】なお、表示の便宜上、図10には、複数の
分割絶縁テープ9および単一の絶縁テープ9Aを配した
状態が、纏めて図示されている。
【0044】これにより、半導体ペレット3と複数の配
線リード2との短絡が、複数の分割絶縁テープ9また
は、単一の絶縁テープ9Aによって確実に阻止されると
ともに、当該分割絶縁テープ9または、単一の絶縁テー
プ9Aによって連ねられることにより、配線リード2の
剛性が増すので、当該配線リード2の剛性の低下を懸念
することなく、充分に大きく開口部20を開設すること
ができ、当該開口部20によって、樹脂封止などにおい
て、半導体ペレット3の回りに樹脂が充分に行き渡り、
良好な封止結果を得ることができる。
【0045】以上発明者によってなされた発明を実施例
に基づき説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものでなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
である事はいうまでもない。
【0046】
【発明の効果】本願において開示される発明の代表的な
ものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の
通りである。
【0047】すなわち、本発明の半導体装置によれば、
半導体素子とリードとの短絡に起因する不良の発生を確
実に防止することができる、という効果が得られる。
【0048】また、本発明の半導体装置によれば、封止
工程における不良の発生を確実に防止することができ
る、という効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の半導体装置の要部の構造の
一例を示す略斜視図である。
【図2】図1において線A−A´で示される部分の断面
図である。
【図3】その封止状態の一例を示す略断面図である。
【図4】その封止状態の一例を示す略断面図である。
【図5】本発明の他の実施例である半導体装置の略斜視
図である。
【図6】図5において線B−B´で示される部分の略断
面図である。
【図7】その封止状態の一例を示す略断面図である。
【図8】その封止状態の一例を示す略断面図である。
【図9】本発明のさらに他の実施例である半導体装置の
略断面図である。
【図10】本発明のさらに他の実施例である半導体装置
の略斜視図である。
【図11】図10において線C−C´で示される部分の
略断面図である。
【符号の説明】
1 キャリアテープ 2 配線リード 3 半導体ペレット(半導体素子) 4 電極バンプ 5 絶縁用テープ(絶縁部材) 6 スリット 6a 接続用開口部 7 テープ上形成絶縁材料(絶縁部材) 8 ペレット上形成絶縁材料(絶縁部材) 9 分割絶縁テープ(絶縁部材) 9A 絶縁テープ(絶縁部材) 10 樹脂 11 樹脂 20 開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 宗博 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一主面の中央部にボンディングパッドを
    備えた半導体素子と、絶縁物からなるキャリアテープの
    一主面に配置されたリードとを接続してなる半導体装置
    であって、前記半導体素子における前記ボンディングパ
    ッドの周囲に、前記リードと当該半導体素子とを隔てる
    絶縁部材を配置してなることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 前記キャリアテープを挟んで前記リード
    と前記ボンディングパッド上の電極パンプとを接続し、
    前記ボンディングパッドを取り囲むように前記キャリア
    テープの一部を略枠状に選択的に残存させることによ
    り、前記絶縁部材として機能させてなることを特徴とす
    る請求項1記載の半導体装置。
  3. 【請求項3】 前記キャリアテープにおける前記一主面
    側に前記リードおよび前記半導体素子が位置するように
    当該リードと前記ボンディングパッド上の電極バンプと
    を接続し、前記リードの前記ボンディングパッドを取り
    囲む領域に前記絶縁部材を配置してなることを特徴とす
    る請求項1記載の半導体装置。
  4. 【請求項4】 前記半導体素子における前記ボンディン
    グパッドの周辺領域に前記絶縁部材を配置してなること
    を特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  5. 【請求項5】 前記絶縁部材は、前記リードの前記ボン
    ディングパッドの周辺領域を挟持するように配置された
    絶縁用フィルムからなることを特徴とする請求項1記載
    の半導体装置。
  6. 【請求項6】 前記キャリアテープにおける前記半導体
    素子のボンディング領域に、厚さ方向に貫通する複数の
    スリットを開設してなることを特徴とする請求項1,
    2,3,4または5記載の半導体装置。
  7. 【請求項7】 前記半導体素子をポッティング樹脂によ
    って封止してなることを特徴とする請求項1,2,3,
    4,5または6記載の半導体装置。
  8. 【請求項8】 前記半導体素子を型成形された樹脂によ
    って封止してなることを特徴とする請求項1,2,3,
    4または5記載の半導体装置。
JP5141044A 1993-06-14 1993-06-14 半導体装置 Pending JPH06349890A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5141044A JPH06349890A (ja) 1993-06-14 1993-06-14 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5141044A JPH06349890A (ja) 1993-06-14 1993-06-14 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06349890A true JPH06349890A (ja) 1994-12-22

Family

ID=15282948

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5141044A Pending JPH06349890A (ja) 1993-06-14 1993-06-14 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06349890A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09172039A (ja) * 1995-12-18 1997-06-30 Nec Corp 半導体装置
US6084310A (en) * 1997-04-21 2000-07-04 Nec Corporation Semiconductor device, lead frame, and lead bonding
US7355126B2 (en) 2000-06-16 2008-04-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic parts packaging method and electronic parts package

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09172039A (ja) * 1995-12-18 1997-06-30 Nec Corp 半導体装置
US6084310A (en) * 1997-04-21 2000-07-04 Nec Corporation Semiconductor device, lead frame, and lead bonding
US7355126B2 (en) 2000-06-16 2008-04-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic parts packaging method and electronic parts package

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5373188A (en) Packaged semiconductor device including multiple semiconductor chips and cross-over lead
KR950012921B1 (ko) 수지봉지형 반도체장치
US5614766A (en) Semiconductor device with stacked alternate-facing chips
US7049684B2 (en) Lead frame and method of producing the same, and resin-encapsulated semiconductor device and method of producing the same
US5252854A (en) Semiconductor device having stacked lead structure
TW200402133A (en) Semiconductor device
JPH0613525A (ja) 半導体装置
JPH06349890A (ja) 半導体装置
JP2908350B2 (ja) 半導体装置
JP3043484B2 (ja) 半導体装置
JPS622628A (ja) 半導体装置
JPS61287254A (ja) 半導体装置
JP2000124235A (ja) 樹脂封止半導体装置
JP3150560B2 (ja) 半導体装置
JP2756791B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH065647A (ja) 半導体装置
JPH05326621A (ja) Tabフィルム及びそのtabフィルムを用いた半導体装置
JP2963952B2 (ja) 半導体装置
JP2002176130A (ja) 封止型半導体装置およびそれに用いられるリードフレーム
JPH05136312A (ja) 半導体装置
JP2551243B2 (ja) 半導体装置
JP2968769B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2748620B2 (ja) 半導体装置
JPH08250545A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH0888310A (ja) 樹脂封止半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20011211