JP2000286297A - 電子部品の実装方法及びその装置 - Google Patents

電子部品の実装方法及びその装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 回路基板と電子部品との接合後、封止樹脂工
程やバンプレベリング工程を必要とせず、電子部品を基
板に生産性良くかつ高信頼性で接合する電子部品実装方
法及び装置を提供する。 【解決手段】 ＩＣチップ１の電極２に形成されたバン
プ３と基板電極との間に無機フィラー６ｆを含む絶縁性
樹脂６，６ｂ，１０を介在させてバンプと基板電極を位
置合わせし、ヘッド８によりチップを基板に１バンプあ
たり２０ｇｆ以上の加圧力により押圧して、チップと基
板の反り矯正、バンプを押しつぶしつつ絶縁性樹脂を硬
化しチップと基板を接合する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路用プリン
ト基板（本明細書では、代表例として「基板」と称する
が、この「基板」にはインタポーザや電子部品が装着さ
れる他の部品などの被装着体を意味する。）に電子部品
例えばＩＣチップや表面弾性波（ＳＡＷ）デバイスなど
を単体（ＩＣチップの場合にはベアＩＣ）状態で実装す
る回路基板への電子部品の実装方法及びその装置及び上
記実装方法により上記電子部品が上記基板に実装された
電子部品ユニットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】今日、電子回路基板は、あらゆる製品に
使用されるようになり、日増しにその性能が向上し、回
路基板上で用いられる周波数も高くなっており、インピ
ーダンスが低くなるフリップチップ実装は高周波を使用
する電子機器に適した実装方法となっている。また、携
帯機器の増加から、回路基板にＩＣチップをパッケージ
ではなく裸のまま搭載するフリップチップ実装が求めら
れている。このために、ＩＣチップそのまま単体で回路
基板に搭載したときのＩＣチップや、電子機器及びフラ
ットパネルディスブレイへ実装したＩＣチップには、一
定数の不良品が混在している。また、上記フリップチッ
プ以外にもＣＳＰ（Ｃｈｉｐ ＳｉｚｅＰａｃｋａｇ
ｅ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）等が
用いられるようになってきている。
【０００３】従来の電子機器の回路基板へＩＣチップを
接合する方法（従来例１）としては特公平０６−６６３
５５号公報等により開示されたものがある。これを図１
５に示す。図１５に示すように、バンプ７３を形成した
ＩＣチップ７１にＡｇペースト７４を転写して回路基板
７６の電極７５に接続したのちＡｇペースト７４を硬化
し、その後、封止材７８をＩＣチップ７１と回路基板７
６の間に流し込む方法が一般的に知られている。
【０００４】また、液晶ディスプレイにＩＣチップを接
合する方法（従来例２）として、図１６に示される特公
昭６２−６６５２号公報のように、異方性導電フィルム
８０を使用するものであって、絶縁性樹脂８３中に導電
性微片８２を加えて構成する異方性導電接着剤層８１を
セパレータ８５から剥がして基板や液晶ディスプレイ８
４のガラスに塗布し、ＩＣチップ８６を熱圧着すること
によって、Ａｕバンプ８７の下以外のＩＣチップ８６の
下面と基板８４の間に上記異方性導電接着剤層８１が介
在している半導体チップの接続構造が、一般に知られて
いる。
【０００５】従来例３としては、ＵＶ硬化樹脂を基板に
塗布し、その上にＩＣチップをマウントし加圧しなが
ら、ＵＶ照射することにより両者の間の樹脂を硬化し、
その収縮力により両者間のコンタクトを維持する方法
が、知られている。
【０００６】このように、ＩＣチップを接合するには、
フラットパッケージのようなＩＣチップをリードフレー
ム上にダイボンディングし、ＩＣチップの電極とリード
フレームをワイヤボンドしてつなぎ、樹脂成形してパッ
ケージを形成した後に、クリームハンダを回路基板に印
刷し、その上にフラットパッケージＩＣを搭載しリフロ
ーするという工程を行うことにより、上記接合が行われ
ていた。これらのＳＭＴ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）といわれる工法では、ＩＣを
パッケージにする工程が長く、ＩＣ部品の生産に時間を
要し、また、回路基板を小型化するのが困難であった。
例えばＩＣチップは、フラットパックに封止された状態
では、ＩＣチップの約４〜１０倍程度の面積を必要とす
るため、小型化を妨げる要因となっていた。
【０００７】これに対し、工程の短縮と小型軽量化の為
にＩＣチップを裸の状態でダイレクトに基板に搭載する
フリップチップ工法が最近では用いられるようになって
きた。このフリップチップ工法は、ＩＣチップへのバン
プ形成、バンプレベリング、Ａｇ・Ｐｄペースト転写、
実装、検査、封止樹脂による封止、検査とを行うスタッ
ド・バンプ・ボンディング（ＳＢＢ）や、ＩＣチップへ
のバンプ形成と基板へのＵＶ硬化樹脂塗布とを並行して
行い、その後、実装、樹脂のＵＶ硬化、検査を行うＵＶ
樹脂接合のような多くの工法が開発されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、どの工法に
おいてもＩＣチップのバンプと基板の電極を接合するペ
ーストの硬化や封止樹脂の塗布硬化に時間がかかり生産
性が悪いという欠点を有していた。また、回路基板とし
て、反り量を管理されたセラミックやガラスを用いる必
要が有り、高価となる欠点を有していた。
【０００９】また、従来例１のような導電性ペーストを
接合材に用いる工法においては、その転写量を安定化す
るために、ＩＣチップのバンプはレベリングして、平坦
化してから用いる必要があった。
【００１０】また、従来例２のような異方性導電接着剤
による接合構造においては、回路基板の基材としてガラ
スを用いるものが開発されているが、導電性接着剤中の
導電粒子を均一に分散することが困難であり、粒子の分
散異常によりショートの原因になったり、導電性接着剤
が高価であったり、バンプの高さをそろえる為に、ＩＣ
チップの電極のバンプは電気メッキにより形成しなけれ
ばならなかったりした。
【００１１】また、従来例３のようにＵＶ硬化樹脂を用
いて接合する方法においては、バンプの高さバラツキを
±１（μｍ）以下にしなければならず、また、樹脂基板
（ガラスエポキシ基板）等の平面度の悪い基板には接合
することができないといった問題があった。また、ハン
ダを用いる方法においても、接合後に基板とＩＣチップ
の熱膨張収縮差を緩和する為に封止樹脂を流し込み硬化
する必要があった。この樹脂封止の硬化には、２〜８時
間の時間を必要とし、生産性がきわめて悪いといった問
題があった。
【００１２】従って、本発明の目的は、上記問題を解決
することにあって、回路基板と電子部品を接合した後
に、電子部品と基板の間に流し込む封止樹脂工程やバン
プの高さを一定に揃えるバンプレベリング工程を必要と
せず、電子部品を基板に生産性良くかつ高信頼性で接合
する回路基板への電子部品の実装方法及び装置及び上記
実装方法により上記電子部品が上記基板に実装された電
子部品ユニットを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下のように構成する。
【００１４】本発明の第１態様によれば、ワイヤボンデ
ィングと同様に金属線の先端に電気スパークによりボー
ルを形成し、上記形成されたボールをキャピラリーによ
り電子部品の電極に超音波熱圧着してバンプを形成し、
上記形成されたバンプをレベリングせずに、絶縁性樹脂
に無機フィラーを配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂
層を介在させながら、上記電子部品の上記電極と回路基
板の電極とを位置合わせして上記電子部品を上記基板に
搭載し、その後、上記電子部品側から加熱しながら、又
は基板側から加熱しながら、又は、上記電子部品側と上
記基板側の両方から加熱しながら、ツールにより上記電
子部品を上記回路基板に１バンプあたり２０ｇｆ以上の
加圧力により押圧し、上記基板の反りの矯正と上記バン
プを押しつぶしながら、上記電子部品と上記回路基板の
間に介在する上記絶縁性樹脂層を硬化して、上記電子部
品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と
上記回路基板の上記電極を電気的に接続するようにした
ことを特徴とする電子部品の実装方法を提供する。
【００１５】本発明の第２態様によれば、上記バンプを
形成したのち、上記絶縁性樹脂に上記無機フィラーを配
合した上記固体又は半固体の絶縁性樹脂層を介在させな
がら、上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電
極とを位置合わせして上記電子部品を上記基板に搭載す
る前に、上記形成されたバンプを、一度、２０ｇｆ以下
の荷重で押圧して上記バンプのネック部分の倒れを防止
するように先端を整えるようにした第１態様に記載の電
子部品の実装方法を提供する。
【００１６】本発明の第３態様によれば、上記絶縁性樹
脂が絶縁性熱硬化性エポキシ樹脂であり、この絶縁性熱
硬化性エポキシ樹脂に配合する上記無機フィラーの量は
上記絶縁性熱硬化性エポキシ樹脂の５〜９０ｗｔ％であ
る第１又は２態様に記載の電子部品の実装方法を提供す
る。
【００１７】本発明の第４態様によれば、上記絶縁性樹
脂は当初上記基板に塗布する際に液体であり、上記基板
に塗布後、上記基板を炉内に入れて上記塗布された絶縁
性樹脂の液体を硬化させることにより、又は、加熱され
たツールにより上記塗布された絶縁性樹脂の液体を押圧
することにより、半固体化したのち、上記電子部品を上
記基板に搭載する第１〜３のいずれかの態様に記載の電
子部品の実装方法を提供する。
【００１８】本発明の第５態様によれば、ワイヤボンデ
ィングと同様に金属線の先端に電気スパークによりボー
ルを形成し、上記形成されたボールをキャピラリーによ
り電子部品の電極に超音波熱圧着して金バンプを形成
し、上記形成されたバンプをレベリングせずに、絶縁性
樹脂に無機フィラーを配合した固体又は半固体の絶縁性
樹脂層を介在させながら、上記電子部品の上記電極と回
路基板の電極とを位置合わせして上記電子部品を上記基
板に搭載し、その後、ツールにより上記電子部品の上面
側から荷重を印加して上記金バンプのネック部分の倒れ
を防止するように先端を整えるとともに超音波を印加し
て上記金バンプと上記基板の上記電極とを金属接合し、
次に、上記電子部品の上記上面側から加熱しながら、又
は、上記基板側から加熱しながら、又は、上記電子部品
側と上記基板側の両方から加熱しながら、上記電子部品
を上記回路基板に１バンプあたり２０ｇｆ以上の加圧力
により押圧し、上記基板の反りの矯正と上記バンプを押
しつぶしながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介
在する上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電子部品と上記
回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路
基板の上記電極を電気的に接続するようにしたことを特
徴とする電子部品の実装方法を提供する。
【００１９】本発明の第６態様によれば、上記電子部品
は複数の電極を有し、上記位置合わせの前に、上記回路
基板に、上記絶縁性樹脂層として、上記電子部品の上記
複数の電極を結んだ外形寸法より小さい形状寸法の固形
の絶縁性樹脂シートを貼り付けたのち上記位置合わせを
行い、上記接合においては、上記絶縁性樹脂シートを加
熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に加圧押圧し
て、上記回路基板の反りの矯正を同時に行いながら、上
記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記絶縁性樹
脂を硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合する
ようにした第１〜５のいずれかの態様に記載の電子部品
の実装方法を提供する。
【００２０】本発明の第７態様によれば、上記バンプを
上記電子部品上に形成する際にワイヤボンディングと同
様に金属線の先端に電気スパークにより金ボールを形成
するとき、チャムファー角を１００°以下とし、かつ、
上記金ボールと接する部分に平らな部位を設けない先端
形状を有する上記キャピラリーにより、先端が大略円錐
状の上記金バンプを上記電子部品の上記電極に形成する
第１〜６のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法
を提供する。
【００２１】本発明の第８態様によれば、ワイヤボンデ
ィングと同様に金属線の先端に電気スパークによりボー
ルを形成し、上記形成されたボールをキャピラリーによ
り電子部品の電極にバンプを形成し、上記形成されたバ
ンプをレベリングせずに、絶縁性樹脂に無機フィラーを
配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂層を介在させなが
ら、上記電子部品の上記電極と回路基板の電極とを位置
合わせして上記電子部品を上記基板に搭載し、その後、
所定温度に加熱されたツールにより上記電子部品の上面
から加熱しながら、加圧力として上記電子部品を上記回
路基板に圧力Ｐ１により押圧して上記基板の反りの矯正
を行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在
する上記絶縁性樹脂を硬化し、その後、所定時間後、上
記加圧力を上記圧力Ｐ１より低い圧力Ｐ２に降下させて
上記絶縁性樹脂の硬化時の応力を緩和しながら、上記電
子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電
極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続するように
したことを特徴とする電子部品の実装方法を提供する。
【００２２】本発明の第９態様によれば、上記圧力Ｐ１
は２０ｇｆ／バンプ以上、上記圧力Ｐ２は上記圧力Ｐ１
の１／２以下とする第８態様に記載の電子部品の実装方
法を提供する。
【００２３】本発明の第１０態様によれば、絶縁性樹脂
に無機フィラーを配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂
層を、回路基板の電極又は電子部品に貼り付ける装置
と、上記電子部品の電極にワイヤボンディングと同様に
金属線の先端に電気スパークによりボールを形成し、こ
れをキャピラリーにより上記基板の上記電極に超音波熱
圧着して形成してレベリングしないバンプを形成する装
置と、上記電子部品を上記回路基板の上記電極に位置合
わせして搭載する装置と、ツールにより、加熱しなが
ら、上記電子部品を上記回路基板に１バンプあたり２０
ｇｆ以上の加圧力により押圧し、上記基板の反りの矯正
を行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在
する上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電子部品と上記回
路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基
板の上記電極を電気的に接続する装置とを備えるように
したことを特徴とする電子部品の実装装置を提供する。
【００２４】本発明の第１１態様によれば、上記絶縁性
樹脂が絶縁性熱硬化性エポキシ樹脂であり、この絶縁性
熱硬化性エポキシ樹脂に配合する上記無機フィラーの量
は上記絶縁性熱硬化性エポキシ樹脂の５〜９０ｗｔ％で
ある第１０態様に記載の電子部品の実装装置を提供す
る。
【００２５】本発明の第１２態様によれば、上記絶縁性
樹脂は液体であり、上記絶縁性樹脂の液体を上記基板に
塗布するディスペンサと、該ディスペンサにより上記基
板に塗布された上記絶縁性樹脂の液体を、上記塗布され
た基板を挿入して硬化させて上記絶縁性樹脂を半固体化
する炉とを備えるようにした第１０又は１１態様に記載
の電子部品の実装装置を提供する。
【００２６】本発明の第１３態様によれば、上記絶縁性
樹脂は液体であり、上記絶縁性樹脂の液体を上記基板に
塗布するディスペンサと、該ディスペンサにより上記基
板に塗布された上記絶縁性樹脂の液体を押圧して上記絶
縁性樹脂を半固体化する装置とを備える第１０又は１１
態様に記載の電子部品の実装装置を提供する。
【００２７】本発明の第１４態様によれば、絶縁性樹脂
に無機フィラーを配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂
層を、回路基板の電極又は電子部品に貼り付ける装置
と、上記電子部品の電極にワイヤボンディングと同様に
金属線の先端に電気スパークによりボールを形成し、こ
れをキャピラリーにより上記基板の上記電極に超音波熱
圧着して形成してレベリングしない金バンプを形成する
装置と、上記電子部品を上記回路基板の上記電極に位置
合わせして搭載する装置と、ツールにより上記電子部品
の上面から荷重を印加して上記金バンプのネック部分の
倒れを防止するように先端を整えるとともに超音波を印
加して上記金バンプと上記基板の上記電極とを金属接合
する装置と、ツールにより加熱しながら、上記電子部品
を上記回路基板に１バンプあたり２０ｇｆ以上の加圧力
により押圧し、上記基板の反りの矯正を行うとともに上
記バンプを押しつぶしながら、上記電子部品と上記回路
基板の間に介在する上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電
子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電
極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する装置と
を備えるようにしたことを特徴とする電子部品の実装装
置を提供する。
【００２８】本発明の第１５態様によれば、上記位置合
わせの前に、上記回路基板に、上記絶縁性樹脂層とし
て、上記電子部品の電極を結んだ外形寸法より小さい形
状寸法の固形の絶縁性樹脂シートを貼り付ける装置と、
この後、上記回路基板と電子部品の位置合わせを行い装
着する装置と、接合においては、上記絶縁性樹脂シート
を加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に加圧押
圧して、上記回路基板の反りの矯正を同時に行いなが
ら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記絶
縁性樹脂シートを硬化して、上記電子部品と上記回路基
板を接合する装置を具備する第１０〜１３のいずれかの
態様に記載の電子部品の実装装置を提供する。
【００２９】本発明の第１６態様によれば、上記金ボー
ルを形成する装置は、上記金ボールと接する部分に平ら
な部位を設けない先端形状を有するとともにチャムファ
ー角が１００°以下となる上記キャピラリーを有して、
該キャピラリーにより、先端が大略円錐状の上記金バン
プを上記電子部品の上記電極に形成する第１０〜１５の
いずれかの態様に記載の電子部品の実装装置を提供す
る。
【００３０】本発明の第１７態様によれば、絶縁性樹脂
に無機フィラーを配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂
層を回路基板又は電子部品に貼り付ける装置と、上記電
子部品の電極にワイヤボンディング同様に金属線の先端
に電気スパークによりボールを形成し、これをキャピラ
リーにより上記基板の上記電極に形成してレベリングし
ないバンプを形成する装置と、上記電子部品を上記回路
基板の上記電極に位置合わせして搭載する装置と、所定
温度に加熱されたツールにより、上記電子部品の上面か
ら加熱しながら、加圧力として上記電子部品を上記回路
基板に圧力Ｐ１により押圧して上記基板の反りの矯正を
行いながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在す
る上記絶縁性樹脂を硬化し、その後、所定時間後、上記
加圧力を上記圧力Ｐ１より低い圧力Ｐ２に降下させて上
記絶縁性樹脂の硬化時の応力を緩和しながら上記電子部
品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と
上記回路基板の上記電極を電気的に接続する装置とを備
えるようにしたことを特徴とする電子部品の実装装置を
提供する。
【００３１】本発明の第１８態様によれば、上記圧力Ｐ
１は２０ｇｆ／バンプ以上、上記圧力Ｐ２は上記圧力Ｐ
１の１／２以下とする第１７態様に記載の電子部品の実
装装置を提供する。
【００３２】本発明の第１９態様によれば、上記絶縁性
樹脂に配合する上記無機フィラーの平均粒径が３μｍ以
上であることを特徴とする第１〜３のいずれかの態様に
記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００３３】本発明の第２０態様によれば、上記絶縁性
樹脂に配合する上記無機フィラーは、異なる平均粒径を
持つ複数種類の無機フィラーである第１〜３，１９のい
ずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００３４】本発明の第２１態様によれば、上記絶縁性
樹脂に配合する上記無機フィラーは、複数の異なる平均
粒径を持つ少なくとも２種類の無機フィラーであって、
上記少なくとも２種類の無機フィラーのうちの一方の無
機フィラーの平均粒径は、上記少なくとも２種類の無機
フィラーのうちの他方の無機フィラーの平均粒径の２倍
以上異なっている第１〜３，１９のいずれかの態様に記
載の電子部品の実装方法を提供する。
【００３５】本発明の第２２態様によれば、上記絶縁性
樹脂に配合する上記無機フィラーは、複数の異なる平均
粒径を持つ少なくとも２種類の無機フィラーであって、
上記少なくとも２種類の無機フィラーのうちの一方の無
機フィラーは３μｍを超える平均粒径を持ち、上記少な
くとも２種類の無機フィラーのうちの他方の無機フィラ
ーは３μｍ以下の平均粒径を持つ第１〜３，１９のいず
れかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００３６】本発明の第２３態様によれば、上記絶縁性
樹脂に配合する上記無機フィラーは、複数の異なる平均
粒径を持つ少なくとも２種類の無機フィラーであって、
上記少なくとも２種類の無機フィラーのうちの平均粒径
の大きい一方の無機フィラーは上記絶縁性樹脂と同一材
料からなることにより、応力緩和作用を奏する第１〜
３，１９のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法
を提供する。
【００３７】本発明の第２４態様によれば、上記絶縁性
樹脂に配合する上記無機フィラーは、複数の異なる平均
粒径を持つ少なくとも２種類の無機フィラーであって、
上記少なくとも２種類の無機フィラーのうちの平均粒径
の大きい一方の無機フィラーは上記絶縁性樹脂であるエ
ポキシ樹脂よりも柔らかく、上記一方の無機フィラーが
圧縮されることにより、応力緩和作用を奏する第１〜
３，１９のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法
を提供する。
【００３８】本発明の第２５態様によれば、上記絶縁性
樹脂層は、上記電子部品又は上記基板のいずれか一方に
接触する部分が、他の部分よりも上記無機フィラー量が
少ないようにした第１〜３，１９〜２４のいずれかの態
様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００３９】本発明の第２６態様によれば、上記絶縁性
樹脂層は、上記電子部品又は上記基板のいずれか一方に
接触する部分に位置されかつ上記絶縁性樹脂と同一の絶
縁性樹脂に上記無機フィラーを配合した第１樹脂層と、
上記第１樹脂層に接触し、かつ、上記第１樹脂層よりも
上記無機フィラー量が少ない絶縁性樹脂で構成される第
２樹脂層とを備える第２５態様に記載の電子部品の実装
方法を提供する。
【００４０】本発明の第２７態様によれば、上記絶縁性
樹脂層は、上記電子部品及び上記基板にそれぞれ接触す
る部分が、他の部分よりも上記無機フィラー量が少ない
ようにした第２５態様に記載の電子部品の実装方法を提
供する。
【００４１】本発明の第２８態様によれば、上記絶縁性
樹脂層は、上記第１樹脂層の上記第２樹脂層とは反対側
に、上記第１樹脂層よりも上記無機フィラー量が少ない
絶縁性樹脂で構成される第３樹脂層をさらに備えて、上
記第１樹脂層と上記第３樹脂層は、それぞれ、上記電子
部品と上記基板に接触する第２６態様に記載の電子部品
の実装方法を提供する。
【００４２】本発明の第２９態様によれば、上記電子部
品及び上記基板にそれぞれ接触する部分は、その上記無
機フィラー量が２０ｗｔ％未満にする一方、上記他の部
分はその上記無機フィラー量が２０ｗｔ％以上である第
２７態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００４３】本発明の第３０態様によれば、上記第１樹
脂層及び上記第３樹脂層のそれぞれは、その上記無機フ
ィラー量が２０ｗｔ％未満にする一方、上記第２樹脂層
はその上記無機フィラー量が２０ｗｔ％以上である第２
８態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００４４】本発明の第３１態様によれば、上記絶縁性
樹脂層は、上記電子部品又は上記基板のいずれか一方に
接触する部分から他の部分に向かって、上記無機フィラ
ー量が徐々に又は段階的に少なくなるようにした第１〜
３，１９〜２４のいずれかの態様に記載の電子部品の実
装方法を提供する。
【００４５】本発明の第３２態様によれば、上記絶縁性
樹脂層は、上記電子部品及び上記基板にそれぞれ接触す
る部分から他の部分に向かって、上記無機フィラー量が
徐々に又は段階的に少なくなるようにした第３１態様に
記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００４６】本発明の第３３態様によれば、上記電子部
品に接触する部分では、電子部品表面に用いられる膜素
材に対して密着性を向上させる絶縁性樹脂を用いる一
方、上記基板に接触する部分では、基板表面の材料に対
して密着性を向上させる絶縁性樹脂を用いるようにした
第２５，２７，２９，３１のいずれかの態様に記載の電
子部品の実装方法を提供する。
【００４７】本発明の第３４態様によれば、上記電子部
品に接触する上記樹脂層では、電子部品表面に用いられ
る膜素材に対して密着性を向上させる絶縁性樹脂を用い
る一方、上記基板に接触する上記樹脂層では、基板表面
の材料に対して密着性を向上させる絶縁性樹脂を用いる
ようにした第２６，２８，３０，３２のいずれかの態様
に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００４８】本発明の第３５態様によれば、上記絶縁性
樹脂層は、上記電子部品又は上記基板のいずれか一方に
接触する部分が、上記無機フィラーを配合しないように
した第１〜３，１９〜２４のいずれかの態様に記載の電
子部品の実装方法を提供する。
【００４９】本発明の第３６態様によれば、上記絶縁性
樹脂層は、上記電子部品又は上記基板のいずれか一方に
接触する部分に位置されかつ上記絶縁性樹脂と同一の絶
縁性樹脂に上記無機フィラーを配合した第１樹脂層と、
上記第１樹脂層に接触し、かつ、上記無機フィラーを配
合しない絶縁性樹脂で構成される第２樹脂層とを備える
第３５態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００５０】本発明の第３７態様によれば、上記絶縁性
樹脂層は、上記電子部品及び上記基板にそれぞれ接触す
る部分が、上記無機フィラーを配合しないようにした第
３５態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００５１】本発明の第３８態様によれば、上記絶縁性
樹脂層は、上記第１樹脂層の上記第２樹脂層とは反対側
に、上記無機フィラーを配合しない絶縁性樹脂で構成さ
れる第３樹脂層をさらに備えて、上記第１樹脂層と上記
第３樹脂層は、それぞれ、上記電子部品と上記基板に接
触する第３６態様に記載の電子部品の実装方法を提供す
る。
【００５２】本発明の第３９態様によれば、上記電子部
品及び上記基板にそれぞれ接触する部分は、上記無機フ
ィラーを配合しないようにする一方、上記他の部分はそ
の上記無機フィラー量が２０ｗｔ％以上である第３７態
様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００５３】本発明の第４０態様によれば、上記第１樹
脂層及び上記第３樹脂層のそれぞれは、上記無機フィラ
ーを配合しないようにする一方、上記第２樹脂層はその
上記無機フィラー量が２０ｗｔ％以上である第３８態様
に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００５４】本発明の第４１態様によれば、上記絶縁性
樹脂層は、上記電子部品及び上記基板に接触する部分に
位置されかつ上記無機フィラーを配合した絶縁性樹脂で
構成される第４樹脂層と、上記電子部品と上記基板との
中間部分に位置されかつ上記第４樹脂層よりも上記無機
フィラー量が少ない絶縁性樹脂で構成される第５樹脂層
とを備える第１〜３，１９〜２４のいずれかの態様に記
載の電子部品の実装方法を提供する。
【００５５】本発明の第４２態様によれば、上記絶縁性
樹脂層は、上記電子部品及び上記基板に接触する部分に
位置されかつ上記無機フィラーを配合した絶縁性樹脂で
構成される第４樹脂層と、上記電子部品と上記基板との
中間部分に位置されかつ上記無機フィラー量が含まれて
いない絶縁性樹脂で構成される第５樹脂層とを備える第
１〜３，１９〜２４のいずれかの態様に記載の電子部品
の実装方法を提供する。
【００５６】本発明の第４３態様によれば、上記絶縁性
樹脂層は、上記電子部品及び上記基板にそれぞれ接触す
る部分から、上記電子部品及び上記基板との中間部分に
向かって、上記無機フィラー量が徐々に少なくなるよう
にした第１〜３，１９〜２４のいずれかの態様に記載の
電子部品の実装方法を提供する。
【００５７】本発明の第４４態様によれば、上記絶縁性
樹脂層は、上記電子部品の近傍部分、次いで、上記基板
の近傍部分、次いで、上記電子部品の近傍部分と上記基
板の近傍部分との中間部分の順に上記無機フィラー量が
少ないようにした第１〜３，１９〜２４のいずれかの態
様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００５８】本発明の第４５態様によれば、上記絶縁性
樹脂層の上記電子部品の近傍部分と上記基板の近傍部分
とのそれぞれの無機フィラー量は、上記電子部品の上記
絶縁性樹脂層に接触する部分の線膨張係数と上記基板の
上記絶縁性樹脂層に接触する部分の線膨張係数とにそれ
ぞれ対応して配合されるようにした第４３又は４４態様
に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００５９】本発明の第４６態様によれば、電子部品の
電極に形成されたバンプを、絶縁性樹脂に無機フィラー
が配合されかつ硬化された絶縁性樹脂層を介在させかつ
上記バンプが押しつぶされた状態で、回路基板の電極に
接合されて上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上
記電極を電気的に接続しており、上記絶縁性樹脂層は、
上記電子部品又は上記基板のいずれか一方に接触する部
分が、他の部分よりも上記無機フィラー量が少ないよう
にしたことを特徴とする電子部品ユニットを提供する。
【００６０】本発明の第４７態様によれば、電子部品の
電極に形成されたバンプを、絶縁性樹脂に無機フィラー
が配合されかつ硬化された絶縁性樹脂層を介在させかつ
上記バンプが押しつぶされた状態で、回路基板の電極に
接合されて上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上
記電極を電気的に接続しており、上記絶縁性樹脂層は、
上記電子部品又は上記基板のいずれか一方に接触する部
分に位置されかつ上記絶縁性樹脂と同一の絶縁性樹脂に
上記無機フィラーを配合した第１樹脂層と、上記第１樹
脂層に接触し、かつ、上記第１樹脂層よりも上記無機フ
ィラー量が少ない絶縁性樹脂で構成される第２樹脂層と
を備えるようにしたことを特徴とする電子部品ユニット
を提供する。
【００６１】本発明の第４８態様によれば、上記超音波
を印加して上記金バンプと上記基板の上記電極とを金属
接合するとき、上記電子部品の上記上面側から加熱しな
がら、又は、上記基板側から加熱しながら、又は、上記
電子部品側と上記基板側の両方から加熱するようにした
第５の態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。本
発明の第４９態様によれば、第１〜９，１９〜４５，４
８のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法により
上記電子部品が上記基板に実装された電子部品ユニット
を提供する。本発明の第５０態様によれば、上記超音波
を印加して上記金バンプと上記基板の上記電極とを金属
接合する装置は、上記電子部品の上記上面側から、又
は、上記基板側から、又は、上記電子部品側と上記基板
側の両方から加熱する加熱部材を備えて、上記金属接合
時に上記加熱部材により加熱するようにした第１４の態
様に記載の電子部品の実装装置を提供する。
【００６２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明にかかる実施の形
態を図面に基づいて詳細に説明する。 （第１実施形態）以下、本発明の第１実施形態にかかる
電子部品例えばＩＣチップの実装方法及びその装置及び
上記実装方法により上記ＩＣチップが上記基板に実装さ
れた電子部品ユニット若しくはモジュール例えば半導体
装置の一例としての回路基板へのＩＣチップの実装方法
及びその実装装置を図１（Ａ）から図１４を参照しなが
ら説明する。
【００６３】まず、本発明の第１実施形態にかかる回路
基板へのＩＣチップ実装方法を図１（Ａ）〜図４（Ｃ）
を用いて説明する。図１（Ａ）の電子部品の一例である
ＩＣチップ１においてＩＣチップ１のＡｌパッド電極２
にワイヤボンディング装置により図３（Ａ）〜図３
（Ｆ）のごとき動作によりバンプ（突起電極）３を形成
する。すなわち、図３（Ａ）でホルダであるキャピラリ
ー９３から突出したワイヤ９５の下端にボール９６を形
成し、図３（Ｂ）でワイヤ９５を保持するキャピラリー
９３を下降させ、ボール９６をＩＣチップ１の電極２に
接合して大略バンプ３の形状を形成し、図３（Ｃ）でワ
イヤ９５を下方に送りつつキャピラリー９３の上昇を開
始し、図３（Ｄ）に示すような大略矩形のループ９９に
キャピラリー９３を移動させて図３（Ｅ）に示すように
バンプ３の上部に湾曲部９８を形成し、引きちぎること
により図３（Ｆ）に示すようなバンプ３を形成する。あ
るいは、図３（Ｂ）でワイヤ９５をキャピラリー９３で
クランプして、キャピラリー９３を上昇させて上方に引
き上げることにより、金属線、例えば、金ワイヤ（金
線）９５（なお、金属線の例としては、スズ、アルミニ
ウム、銅、又はこれらの金属に微量元素を含有させた合
金のワイヤなどがあるが、以下の実施形態では代表例と
して金ワイヤ（金線）として記載する。）を引きちぎ
り、図３（Ｇ）のようなバンプ３の形状を形成するよう
にしてもよい。このように、ＩＣチップ１の各電極２に
バンプ３を形成した状態を図１（Ｂ）に示す。
【００６４】次に、図１（Ｃ）に示す回路基板４の電極
５上に、図１（Ｄ）に示すように、ＩＣチップ１の大き
さより若干大きな寸法にてカットされた無機フィラー６
ｆを配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂層の一例とし
ての絶縁性樹脂シート例えば熱硬化性樹脂シート６を配
置し、例えば８０〜１２０℃に熱せられた貼付けツール
７により、例えば５〜１０ｋｇｆ／ｃｍ2程度の圧力で
熱硬化性樹脂シート６をステージ１０９上の基板４の電
極５上に貼り付ける。この後、無機フィラー６ｆを配合
した固体又は半固体の熱硬化性樹脂シート６のツール７
側に取り外し可能に配置されたセパレータ６ａを剥がす
ことにより、基板４の準備工程が完了する。このセパレ
ータ６ａは、ツ−ル７に無機フィラー６ｆを配合した固
体又は半固体の熱硬化性樹脂シート６が貼り付くのを防
止するためのものである。ここで、図１（Ｇ）に図１
（Ｆ）のＧ部分を部分的に拡大して示すように、熱硬化
性樹脂シート６は、球状又は破砕シリカ、アルミナ等の
セラミクスなどの無機系フィラー６ｆを絶縁性樹脂６ｍ
に分散させて混合し、これをドクターブレード法などに
より平坦化し溶剤成分を気化させ固体化したものが好ま
しいとともに、後工程のリフロー工程での高温に耐えう
る程度の耐熱性（例えば、２４０℃に１０秒間耐えうる
程度の耐熱性）を有することが好ましい。上記絶縁性樹
脂は、例えば、絶縁性熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ
樹脂、フェノール樹脂、ポリイミドなど）、又は絶縁性
熱可塑性樹脂（例えば、ポニフェニレンサルファイド
（ＰＰＳ）、ポリカーボネイト、変性ポリフェニレンオ
キサイド（ＰＰＯ）など）、又は、絶縁性熱硬化性樹脂
に絶縁性熱可塑性樹脂を混合したものなどが使用できる
が、ここでは、代表例として絶縁性熱硬化性樹脂として
説明を続ける。この熱硬化性樹脂６ｍのガラス転移点は
一般に１２０〜２００℃程度である。なお、熱可塑性樹
脂のみを使用する場合には、最初は加熱して一旦軟化さ
せたのち、加熱を停止して自然冷却させることにより硬
化させる一方、絶縁性熱硬化性樹脂に熱可塑性樹脂を混
合したものを使用する場合には、熱硬化性樹脂のほうが
支配的に機能するため、熱硬化性樹脂のみと場合と同様
に加熱することにより硬化する。
【００６５】次に、図１（Ｅ）及び図１（Ｆ）に示すよ
うに、図２０の電子部品搭載装置６００において、部品
保持部材６０１の先端の熱せられた接合ツール８によ
り、上記前工程でバンプ３が電極２上に形成されたＩＣ
チップ１をトレー６０２から吸着保持しつつ、該ＩＣチ
ップ１を、上記前工程で準備されかつステージ９上に載
置された基板４に対して、ＩＣチップ１の電極２が対応
する基板４の電極５上に位置するように位置合わせした
のち、上記熱せられた接合ツール８によりＩＣチップ１
を基板４に押圧する。この位置合わせは、公知の位置認
識動作を使用する。例えば、図２１（Ｃ）に示すよう
に、基板４に形成された位置認識マーク６０５又はリー
ド若しくはランドパターンを、電子部品搭載装置６００
の基板認識用カメラ６０４で認識して、図２１（Ｄ）に
示すようにカメラ６０４で得られた画像６０６を基に、
基板４のステージ９上での直交するＸＹ方向のＸＹ座標
位置とＸＹ座標の原点に対する回転位置とを認識して基
板４の位置を認識する。一方、図２１（Ａ）に示すよう
に、接合ツール８に吸着保持されたＩＣチップ１の位置
認識用マーク６０８又は回路パターンをＩＣチップ用位
置認識カメラ６０３で認識して、図２１（Ｂ）に示すよ
うにカメラ６０３で得られた画像６０７を基に、ＩＣチ
ップ１の上記ＸＹ方向のＸＹ座標位置とＸＹ座標の原点
に対する回転位置とを認識してＩＣチップ１の位置を認
識する。そして、上記基板４とＩＣチップ１との位置認
識結果を基に、接合ツール８又はステージ９を移動させ
て、ＩＣチップ１の電極２が対応する基板４の電極５上
に位置するように位置合わせしたのち、上記熱せられた
接合ツール８によりＩＣチップ１を基板４に押圧する。
このとき、バンプ３は、その頭部３ａが、基板４の電極
５上で図４（Ａ）から図４（Ｂ）に示すように変形され
ながら押しつけられていく。このとき、図２（Ａ）から
図２（Ｂ）に示すように、熱硬化性樹脂６ｍ中の無機フ
ィラー６ｆは、接合開始当初に熱硬化性樹脂６ｍ中に入
り込んできた尖っているバンプ３により、バンプ３の外
側方向へ押し出される。また、図２（Ｃ）に示すよう
に、この外側方向への押し出し作用によりバンプ３と基
板電極５の間に無機フィラー６ｆが入り込まないことに
より、接続抵抗値を低下させる効果を発揮する。このと
き、もし、バンプ３と基板電極５の間に無機フィラー６
ｆが多少入り込んだとしても、バンプ３と基板電極５と
が直接接触していることにより、全く問題はない。この
とき、ＩＣチップ１を介してバンプ３側に印加する荷重
は、バンプ３の外径により異なるが、折れ曲がって重な
り合うようになっているバンプ３の頭部３ａが、必ず図
４（Ｃ）のように変形する程度の荷重を加えることが必
要である。この荷重は、最低で２０（ｇｆ／バンプ１ケ
あたり）を必要とする。すなわち、図１７には、８０μ
ｍの外径のバンプの場合の抵抗値と荷重との関係のグラ
フより２０（ｇｆ／バンプ１ケあたり）未満では抵抗値
１００ｍｍΩ／バンプより大きくなって抵抗値が大きく
なりすぎて実用上問題があるため、２０（ｇｆ／バンプ
１ケあたり）以上であることが好ましいことが示されて
いる。また、図１８には、８０μｍ，４０μｍのそれぞ
れの外径のバンプと最低荷重との関係に基づき信頼性の
高い領域を示したグラフである。これより、４０μｍ以
上の外径のバンプでは最低荷重は２５（ｇｆ／バンプ１
ケあたり）以上であることが好ましく、４０μｍ未満の
外径のバンプでは最低荷重は２０（ｇｆ／バンプ１ケあ
たり）以上ぐらいが信頼性が高いことが推定される。な
お、今後、リードの狭ピッチ化とともにバンプ外径が４
０μｍ未満と小さくなった場合、バンプの投影面積に応
じて、その２乗に比例して荷重が減少する傾向があるこ
とが推定される。よって、ＩＣチップ１を介してバンプ
３側に印加する最低荷重は、最低で２０（ｇｆ／バンプ
１ケあたり）を必要とするのが好ましい。上記ＩＣチッ
プ１を介してバンプ３側に印加する荷重の上限は、ＩＣ
チップ１、バンプ３、回路基板４などが損傷しない程度
とする。場合によって、その最大荷重は１５０（ｇｆ／
バンプ１ケあたり）を越えることもある。なお、図中、
参照符号６ｓは、熱硬化性樹脂シート６のうち接合ツー
ル８の熱により溶融した溶融中の熱硬化性樹脂６ｍが溶
融後に熱硬化された樹脂である。
【００６６】なお、セラミックヒータ又はパルスヒータ
などの内蔵ヒータ８ａにより熱せられた接合ツール８に
より、上記前工程でバンプ３が電極２上に形成されたＩ
Ｃチップ１を、上記前工程で準備された基板４に対して
ＩＣチップ１の電極２が対応する基板４の電極５上に図
１（Ｅ）に示すように位置するように位置合わせする位
置合わせ工程と、位置合わせしたのち図１（Ｆ）に示す
ように押圧接合する工程とを、１つの位置合わせ兼押圧
接合装置、例えば、図１（Ｅ）の位置合わせ兼押圧接合
装置で行うようにしてもよい。しかしながら、別々の装
置、例えば、多数の基板を連続生産する場合において位
置合わせ作業と押圧接合作業とを同時的に行うことによ
り生産性を向上させるため、上記位置合わせ工程は図５
（Ｂ）の位置合わせ装置で行い、上記押圧接合工程は図
５（Ｃ）の接合装置で行うようにしてもよい。なお、図
５（Ｃ）では、生産性を向上させるため、２つの接合装
置８を示しており、１枚の回路基板４の２個所を同時に
押圧接合できるようにしている。
【００６７】回路基板４は、セラミック多層基板、ＦＰ
Ｃ、ガラス布積層エポキシ基板（ガラエポ基板）やガラ
ス布積層ポリイミド樹脂基板、アラミド不織布エポキシ
基板（例えば、松下電器産業株式会社製の登録商標アリ
ブ「ＡＬＩＶＨ」として販売されている樹脂多層基板）
などが用いられる。これらの基板４は、熱履歴や、裁
断、加工により反りやうねりを生じており、必ずしも完
全な平面ではない。そこで、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）
に示すように、例えば約１０μｍ以下に調整されるよう
に平行度がそれぞれ管理された接合ツール８とステージ
９とにより、接合ツール８側からステージ９側に向けて
熱と荷重をＩＣチップ１を通じて回路基板４に局所的に
印加することにより、その印加された部分の回路基板４
の反りが矯正せしめられる。また、ＩＣチップ１は、ア
クティブ面の中心を凹として反っているが、これを接合
時に１バンプあたり２０ｇｆ以上の強い荷重で加圧する
ことで、基板４とＩＣチップ１の両方の反りやうねりを
矯正することができる。このＩＣチップ１の反りは、Ｉ
Ｃチップ１を形成するとき、Ｓｉに薄膜を形成する際に
生じる内部応力により発生するものである。バンプの変
形量は１０〜２５μｍ程度であり、この程度の基板が当
初から持っている内層銅箔から表面に現れるうねりの影
響にバンプ３の変形でそれぞれのバンプ３が順応するこ
とで許容できるようになる。
【００６８】こうして回路基板４の反りが矯正された状
態で、例えば１４０〜２３０℃の熱がＩＣチップ１と回
路基板４の間の熱硬化性樹脂シート６に例えば数秒〜２
０秒程度印加され、この熱硬化性樹脂シート６が硬化さ
れる。このとき、最初は熱硬化性樹脂シート６を構成す
る熱硬化性樹脂６ｍが流れてＩＣチップ１のエッジまで
封止する。また、樹脂であるため、加熱されたとき、当
初は自然に軟化するため、このようにエッジまで流れる
ような流動性が生じる。熱硬化性樹脂６ｍの体積はＩＣ
チップ１と回路基板４との間の空間の体積より大きくす
ることにより、この空間からはみ出すように流れ出て、
封止効果を奏することができる。この後、加熱されたツ
ール８が上昇することにより、加熱源がなくなるためＩ
Ｃチップ１と熱硬化性樹脂シート６の温度が急激に低下
して、熱硬化性樹脂シート６は流動性を失い、図１
（Ｆ）及び図４（Ｃ）に示すように、ＩＣチップ１は硬
化した熱硬化性樹脂６ｓにより回路基板４上に固定され
る。また、回路基板４側をステージ９のヒータ９ａなど
により加熱しておくと、接合ツール８の温度をより低く
設定することができる。 （第２実施形態）次に、本発明の第２実施形態にかかる
回路基板への電子部品例えばＩＣチップの実装方法及び
装置及び上記実装方法により上記ＩＣチップが上記基板
に実装された電子部品ユニット若しくはモジュール例え
ば半導体装置を説明する。
【００６９】この第２実施形態においては、第１実施形
態において、熱硬化性樹脂シート６に配合する無機フィ
ラー６ｆの混合割合を上記絶縁性熱硬化性樹脂例えば絶
縁性熱硬化性エポキシ樹脂６ｍの５〜９０ｗｔ％とし
て、一層好適なものとしたものである。５ｗｔ％未満で
は無機フィラー６ｆを混合する意味がない一方、９０ｗ
ｔ％を超えると、接着力が極度に低下するとともに、シ
ート化するのが困難になるため好ましくない。一例とし
て、高い信頼性を維持させる観点から、樹脂基板では２
０〜４０ｗｔ％、セラミック基板では４０〜７０ｗｔ％
が好ましいとともに、ガラエポ基板では２０ｗｔ％程度
でもシート封止剤の線膨張係数をかなり低下させること
ができ、樹脂基板において効果がある。なお、体積％で
は、ｗｔ％のおよそ半分の割合、又はエポキシ樹脂が１
に対してシリカ約２の比重の割合とする。通常では、熱
硬化性樹脂６ｍのシート化する際の製造上の条件と基板
４の弾性率、及び最終的には信頼性試験結果により、こ
の無機フィラー６ｆの混合割合が決定される。
【００７０】上記したような混合割合の無機フィラー６
ｆを熱硬化性樹脂シート６に配合することにより、熱硬
化性樹脂シート６の熱硬化性樹脂６ｍの弾性率を増加さ
せることができ、熱膨張係数を低下させてＩＣチップ１
と基板４の接合信頼性を向上させることができる。ま
た、基板４の材料に合わせて、熱硬化性樹脂６ｍの材料
常数、すなわち弾性率、線膨張係数を最適なものとする
ように、無機フィラー６ｆの混合割合を決定することが
できる。なお、無機フィラー６ｆの混合割合が挿花する
につれて、弾性率は大きくなるが、線膨張係数は小さく
なる傾向がある。
【００７１】第１実施形態及び第２実施形態において
は、液体ではなく固体の熱硬化性樹脂シート６を使用す
るため取り扱いやすいとともに、液体成分が無いため高
分子で形成することができ、ガラス転移点の高いものを
形成しやすいといった利点がある。
【００７２】なお、図１（Ａ）から図１（Ｇ）及び図２
（Ａ）〜図２（Ｃ）、後述する図６及び図７において
は、絶縁性樹脂層の一例としての熱硬化性樹脂シート６
又は熱硬化性接着剤６ｂを回路基板４側に形成すること
について説明したが、これに限定されるものではなく、
図１４（Ａ）又は図１４（Ｂ）に示すように、ＩＣチッ
プ１側に形成したのち、基板４に接合するようにしても
よい。この場合、特に、熱硬化性樹脂シート６の場合に
は、熱硬化性樹脂シート６の回路基板側に取り外し可能
に配置されたセパレータ６ａとともに、ステージ２０１
上のゴムなどの弾性体１１７に吸着ノズルなどの保持部
材２００により保持されたＩＣチップ１を押し付けて、
バンプ３の形状に沿って熱硬化性樹脂シート６がＩＣチ
ップ１に貼り付けられるようにしてもよい。 （第３実施形態）次に、本発明の第３実施形態にかかる
回路基板への電子部品例えばＩＣチップの実装方法及び
装置及び上記実装方法により上記ＩＣチップが上記基板
に実装された電子部品ユニット若しくはモジュール例え
ば半導体装置を図６（Ａ）〜図６（Ｃ）及び図７（Ａ）
〜図７（Ｆ）を用いて説明する。
【００７３】この第３実施形態では、第１実施形態にお
いて、熱硬化性樹脂シート６を基板４に貼り付ける代わ
りに、図６（Ａ）及び図７（Ａ），（Ｄ）に示すよう
に、絶縁性樹脂層の一例としての液体状の熱硬化性接着
剤６ｂを回路基板４上に、ディスペンス５０２などによ
る塗布、又は印刷、又は転写するようにしたのち、半固
体状態、いわゆるＢステージ状態、まで固化し。その
後、上記第１又は第２実施形態と同様に、上記ＩＣチッ
プ１を上記基板４に搭載する。
【００７４】詳しくは、図６（Ａ）に示すように、液体
状の熱硬化性接着剤６ｂを回路基板４上に、図７（Ａ）
に示すような空気圧で吐出量が制御されかつ基板平面上
で直交する２方向に移動可能なディスペンス５０２など
による塗布、又は印刷、又は転写する。次いで、図６
（Ｂ）のごとくヒータ７８ａを内蔵したツール７８によ
り、熱と圧力を印加して均一化しながら、図６（Ｃ）の
ように半固体状態、いわゆるＢステージ状態、まで固化
する。
【００７５】又は、液体状の熱硬化性接着剤６ｂの粘性
が低い場合には、図７（Ａ）に示すように、ディスペン
サ５０２で基板４上の所定位置に液体の熱硬化性接着剤
６ｂを塗布したのち、熱硬化性接着剤６ｂの粘性が低い
ために自然に基板上で広がり、図７（Ｂ）に示すような
状態となる。その後、図７（Ｃ）に示すように、コンベ
ヤのような搬送装置５０５により上記基板４を炉５０３
内に入れて、炉５０３のヒータ５０４により上記塗布さ
れた絶縁性樹脂の液体状熱硬化性接着剤６ｂを硬化させ
ることにより、半固体化、すなわち、いわゆるＢステー
ジ状態まで固化する。
【００７６】一方、液体状の熱硬化性接着剤６ｂの粘性
が高い場合には、図７（Ｄ）に示すように、ディスペン
サ５０２で基板４上の所定位置に液体の熱硬化性接着剤
６ｂを塗布したのち、熱硬化性接着剤６ｂの粘性が高い
ために自然に基板上で広がらないため、図７（Ｅ），
（Ｆ）に示すように、スキージ５０６で平らに延ばす。
その後、図７（Ｃ）に示すように、コンベヤのような搬
送装置５０５により上記基板４を炉５０３内に入れて、
炉５０３のヒータ５０４により上記塗布された絶縁性樹
脂の液体状熱硬化性接着剤６ｂを硬化させることによ
り、半固体化、すなわち、いわゆるＢステージ状態、ま
で固化する。
【００７７】このように熱硬化性接着剤６ｂを半固体化
するときには、熱硬化性接着剤６ｂ中の熱硬化性樹脂の
特性により差はあるものの、該熱硬化性樹脂のガラス転
移点の３０〜８０％の温度である８０〜１３０℃で押圧
する。通常は、熱硬化性樹脂のガラス転移点の３０％程
度の温度で行う。このように熱硬化性樹脂のガラス転移
点の３０〜８０％とする理由は、図１９の樹脂シートの
加熱温度と反応率とのグラフより、８０〜１３０℃の範
囲内ならば、まだ、後工程でさらに反応する範囲を充分
に残すことができる。言い換えれば、８０〜１３０℃の
範囲内の温度ならば、時間にもよるが、絶縁性樹脂たと
えばエポキシ樹脂の反応率が１０〜５０％程度に抑制で
きるので、後工程のＩＣチップ圧着時の接合に問題が生
じない。すなわち、ＩＣチップ圧着時に押圧するときに
所定の押圧量を確保することができ、押し切れなくなる
という問題を生じにくい。なお、反応を抑えて溶剤分の
みを気化させることにより、半固体化することもある。
【００７８】上記熱硬化性接着剤６ｂを上記したように
半固体化させたのち、基板４に複数のＩＣチップ１を装
着する場合には、基板４の複数のＩＣチップ１を装着す
る複数の個所において上記熱硬化性接着剤６ｂの上記半
固体化工程を前段取り工程とし予め行っておき、このよ
うに前段取りされた基板４を供給して供給された基板４
に複数のＩＣチップ１を上記複数の個所に接合すること
でより生産性が高くなる。この後の工程では、熱硬化性
接着剤６ｂを使用する場合でも、基本的には上記した第
１又は第２実施形態の熱硬化性樹脂シート６を用いる工
程と同一の工程を行う。上記半固定化工程を加えること
で、液体の熱硬化性接着剤６ｂを熱硬化性樹脂シート６
と同様に使用することができ、固体ゆえに取り扱いやす
いとともに、液体成分が無いため高分子で形成すること
ができ、ガラス転移点の高いものを形成しやすいといっ
た利点がある。このように流動性のある熱硬化性接着剤
６ｂを使用する場合には、固体の熱硬化性樹脂シート６
を使用する場合と比較して、基板４の任意の位置に任意
の大きさに塗布、印刷、又は転写することができる利点
をも合わせて持つ。 （第４実施形態）次に、本発明の第４実施形態にかかる
回路基板への電子部品例えばＩＣチップの実装方法及び
装置及び上記実装方法により上記ＩＣチップが上記基板
に実装された電子部品ユニット若しくはモジュール例え
ば半導体装置を図２２を用いて説明する。第４実施形態
が第１実施形態と異なる点は、ＩＣチップ１を基板４に
接合するとき、荷重に加えて超音波も印加して、バンプ
３をレベリングせずに、必要に応じて２０ｇｆ以下の荷
重で押圧して、バンプ形成時の引き千切りにより生じた
上記バンプ３の先端のネック（ヒゲ）部分の倒れによる
隣接バンプ又は電極とのショートを防止するようにバン
プ先端を整えたのち、ＩＣチップ１と位置合わせしてＩ
Ｃチップ１を基板４に搭載して、金属バンプ３を基板側
の電極表面の金属と超音波併用熱圧着することである。
ＩＣチップ１を基板４に接合する状態は、先の実施形態
での図２及び図６などと同様である。上記超音波を印加
して上記金バンプと上記基板の上記電極とを金属接合す
るとき、上記電子部品の上記上面側から加熱しながら、
又は、上記基板側から加熱しながら、又は、上記電子部
品側と上記基板側の両方から加熱するようにしてもよ
い。
【００７９】この第４実施形態では、絶縁性熱硬化性樹
脂６ｍに無機フィラー６ｆを配合した固体の熱硬化性樹
脂シート６又は液体の熱硬化性接着剤６ｂを上記したよ
うに半固体化させたものを基板４に貼り付け、又は熱硬
化性樹脂を含む熱硬化性接着剤６ｂを基板４に塗布し半
固体化させたのち、回路基板４の電極５と電子部品１の
電極２にワイヤボンディングと同様に図３（Ａ）〜図３
（Ｆ）のごとき動作により金線９５の先端に電気スパー
クによりボール９６を形成し、このボール９６をキャピ
ラリー９３により基板電極５に超音波熱圧着して形成さ
れたバンプ３を、レベリングせずに、ＩＣチップ１と位
置合わせしてＩＣチップ１を基板４に搭載する。ここ
で、上記「液体の熱硬化性接着剤６ｂを上記したように
半固体化させたもの」とは、第３実施形態で説明したよ
うな液体の熱硬化性接着剤６ｂを半分固体化したもので
あり、Ｂステージ化したものとほぼ同じものである。こ
れを使用することにより、シート封止材料やＡＣＦ（異
方性導電膜）よりも安価な材料が利用できる。このと
き、図２２に示す超音波印加装置６２０において、内蔵
ヒータ６２２により予め加熱された接合ツール６２８に
より、該接合ツール６２８に吸着されたＩＣチップ１の
上面からエアシリンダ６２５による荷重と、ピエゾ素子
のような超音波発生素子６２３により発生させられて超
音波ホーン６２４を介して印加される超音波とを作用さ
せて金バンプ３のネック部分の倒れを防止するように先
端を整えつつ金バンプ３と基板側の金メッキとを金属接
合する。次に、ＩＣチップ１の上面又は、及び基板側か
ら加熱しながら、上記ＩＣチップ１を上記回路基板４に
１バンプあたり２０ｇｆ以上の加圧力により押圧し、上
記基板４の反りの矯正とバンプ３を押しつぶしながら、
上記ＩＣチップ１と上記回路基板４の間に介在する上記
熱硬化性樹脂シート６又は熱硬化性接着剤６ｂを上記熱
により硬化して、上記ＩＣチップ１と上記回路基板４を
接合して両電極２，５を電気的に接続する。なお、超音
波印加装置６２０による上記金属接合時に、上記ＩＣチ
ップ１の上記上面側から、又は、上記基板側から、又
は、上記ＩＣチップ１側と上記基板側の両方から加熱す
るようにしてもよい。すなわち、具体的には、内蔵ヒー
タ６２２により上記ＩＣチップ１の上記上面側から加熱
したり、又は、上記基板側から回路基板４側をステージ
９のヒータ９ａにより加熱したり、又は、内蔵ヒータ６
２２とステージ９のヒータ９ａとにより上記ＩＣチップ
１側と上記基板側の両方から加熱するようにしてもよ
い。
【００８０】なお、１バンプあたり２０ｇｆ以上の加圧
力を必要とする理由は、このように超音波を用いた接合
でも摩擦熱が生じにくくなるので、接合できなくなるた
めである。金と金とを接合するような場合においても、
ある一定加重でバンプを押しつけて、そこに超音波を印
加することにより摩擦熱が生じて金属同士が接合され
る。したがって、この場合にもバンプを押圧する程度の
一定荷重すなわち１バンプあたり２０ｇｆ以上の加圧力
が必要となる。加圧力の一例としては、１バンプあたり
５０ｇｆ以上とする。
【００８１】上記第４実施形態によれば、金属バンプ３
と基板４の金属メッキが金属拡散接合されるので、より
バンプ部分での強度を持たせたいような場合や、接続抵
抗値をさらに低くしたいような場合に好適である。 （第５実施形態）次に、本発明の第５実施形態にかかる
回路基板への電子部品例えばＩＣチップの実装方法及び
装置及び上記実装方法により上記ＩＣチップが上記基板
に実装された電子部品ユニット若しくはモジュール例え
ば半導体装置を図８（Ａ）〜図８（Ｃ）及び図９（Ａ）
〜図９（Ｃ）を用いて説明する。第５実施形態は、第１
実施形態とは封止工程を省略することができる点が異な
る。
【００８２】上記したようにＩＣチップ１上の電極２に
突起電極（バンプ）３を形成しておき、回路基板４に
は、図８（Ｂ），図８（Ｃ），図９（Ａ）及び図２３に
示すように、ＩＣチップ１の複数の電極２の内端縁を結
んだ大略矩形の外形寸法ＯＬより小さい形状寸法の矩形
のシート状の熱硬化性樹脂シート６又は熱硬化性接着剤
６ｂを回路基板４の電極５を結んだ中心部分に貼り付け
又は塗布しておく。このとき、シート状の熱硬化性樹脂
シート６又は熱硬化性接着剤６ｂの厚みは、その体積が
ＩＣチップ１と基板４との隙間より大きくなるようにす
る。また、図２３の貼り付け装置６４０により、巻き戻
しロール６４４から巻き戻されて巻き付けロール６４３
に巻き取られる矩形のシート状の熱硬化性樹脂シート６
５６を、その切り目６５７が予め入れられた部分で、上
下のカッター６４１により、ＩＣチップ１の複数の電極
２の内端縁を結んだ大略矩形の外形寸法ＯＬより小さい
形状寸法に切断する。切断された矩形のシート状の熱硬
化性樹脂シート６は、内蔵ヒータ６４６で予め加熱され
た貼り付けヘッド６４２で吸着保持されて、上記回路基
板４の電極５を結んだ中心部分に貼り付けされる。次
に、バンプ３と回路基板４の電極５を位置合わせし、図
８（Ａ）及び図９（Ｂ）に示すように、ヒータ８ａによ
り加熱された接合ツール８によりＩＣチップ１を回路基
板４に加圧押圧して、基板４の反りの矯正を同時に行い
ながら、ＩＣチップ１と回路基板４の間に介在する熱硬
化性樹脂シート６又は熱硬化性接着剤６ｂを硬化する。
このとき、熱硬化性樹脂シート６又は熱硬化性接着剤６
ｂは、接合ツール８からＩＣチップ１を介して加えられ
た熱により上記したように軟化し、図９（Ｃ）のごとく
貼り付けられた又は塗布された位置より加圧されて外側
へ向かって流れ出る。この流れ出た熱硬化性樹脂シート
６又は熱硬化性接着剤６ｂが封止材料（アンダーフィ
ル）となり、バンプ３と電極５との接合の信頼性を著し
く向上する。また、ある一定時間がたつと、上記熱硬化
性樹脂シート６又は熱硬化性接着剤６ｂでは徐々に硬化
が進行し、最終的には硬化した樹脂６ｓによりＩＣチッ
プ１と回路基板４を接合することになる。ＩＣチップ１
を押圧している接合ツール８を上昇することで、ＩＣチ
ップ１と回路基板４の電極５の接合が完了する。厳密に
言えば、熱硬化の場合には、熱硬化性樹脂の反応は加熱
している間に進み、接合ツール８が上昇するとともに流
動性はほとんど無くなる。上記したような方法による
と、接合前では熱硬化性樹脂シート６又は熱硬化性接着
剤６ｂが電極５を覆っていないので、接合する際にバン
プ３が電極５に直接接触し、電極５の下に熱硬化性樹脂
シート６又は熱硬化性接着剤６ｂが入り込まず、バンプ
３と電極５との間での接続抵抗値を低くすることができ
る。また、回路基板側を加熱しておくと、接合ヘッド８
の温度をより低くすることができる。この方法を上記第
３実施形態に適用すると金バンプと回路基板の金電極
（例えば、銅やタングステンにニッケル、金メッキした
もの）との接合がより容易に行える。 （第６実施形態）次に、第６実施形態にかかる回路基板
への電子部品例えばＩＣチップの実装方法及び装置及び
上記実装方法により上記ＩＣチップが上記基板に実装さ
れた電子部品ユニット若しくはモジュール例えば半導体
装置を図１０〜図１１を用いて説明する。第６実施形態
においては、第１実施形態と異なる点は、バンプ１０３
を回路基板４の電極５にズレて実装された場合において
も、信頼性の高い接合を達成することもできる点であ
る。
【００８３】第６実施形態においては、図１０（Ａ）に
示すように、バンプ３をＩＣチップ１上に形成する際に
ワイヤボンディングと同様に金線９５を電気スパークに
より金ボール９６を形成する。次に、電気スパークする
ときの時間でボールの大きさを調整しつつ、９５ａで示
す直径Φｄ−Ｂｕｍｐのボール９６ａを形成し、このよ
うに形成された直径Φｄ−Ｂｕｍｐのボール９６ａを、
電気スパークを発生させるための時間又は電圧のパラメ
ータを制御して、チャムファー角θｃが１００°以下の
キャピラリー１９３の９３ａで示すチャムファー直径φ
Ｄが金ボール直径ｄ−Ｂｕｍｐの１／２から３／４とな
るようにボール９６ａを成形し、図１０（Ｃ）に示すよ
うにキャピラリー９３の金ボールと接する部分に平らな
部位９３ｂを設けて図１０（Ｄ）に示すようなバンプ３
を形成するのではなく、図１０（Ａ）に示すようにキャ
ピラリー１９３の金ボール９６ａと接する部分に平らな
部位を設けない先端部位１９３ａを有する先端形状とし
たキャピラリー１９３で、ＩＣチップ１の電極２に、超
音波熱圧着により、図１０（Ｂ）に示すようなバンプ１
０３を形成する。上記先端形状のキャピラリー１９３を
用いることで、図１０（Ｂ）のｂのような先端が大略円
錐状のバンプ１０３をＩＣチップ１の電極２に形成する
ことができる。上記方法で形成した先端が大略円錐状の
バンプ１０３を回路基板４の電極５に図１１（Ｃ）のご
とくズレて実装された場合においても、バンプ１０３が
その先端が大略円錐形であるため、バンプ１０３の外径
の半分までのズレである場合は、バンプ１０３の一部が
必ず基板４の電極５と接触することができる。
【００８４】これに対して、図１１（Ｄ）に示すような
バンプ３では、バンプ３を回路基板４の電極５に図１１
（Ｃ）のごとく寸法Ｚだけズレて実装された場合には、
図１１（Ｅ）に示すように、幅寸法ｄのいわゆる台座３
ｇの一部が電極５に接触するが、部分的にしか接触せ
ず、接触状態が不安定な接合となる。このような不安定
な接合状態のままでは、このような基板４を冷熱衝撃試
験やリフローにかけた場合には、上記不安定な接合状態
の接合がオープンすなわち接合不良となってしまう可能
性があった。これに対して、上記第６実施形態では、図
１１（Ｃ）のごとく先端が大略円錐状のバンプ１０３が
回路基板４の電極５に対して寸法Ｚだけズレて実装され
た場合においても、バンプ１０３が円錐形であるため、
バンプ１０３の外径の半分までのズレである場合は、バ
ンプ１０３の一部が必ず基板４の電極５と接触すること
ができ、冷熱衝撃試験やリフローにかけた場合でも接合
不良となることが防止できる。 （第７実施形態）次に、第７実施形態にかかる回路基板
への電子部品例えばＩＣチップの実装方法及び装置及び
上記実装方法により上記ＩＣチップが上記基板に実装さ
れた電子部品ユニット若しくはモジュール例えば半導体
装置を図１２〜図１３を用いて説明する。この第７実施
形態では、第１実施形態において、回路基板４へのＩＣ
チップ１の接合したのちの熱硬化性樹脂の硬化時にＩＣ
チップ１と回路基板４の応力を緩和することができるよ
うにしたものである。
【００８５】第７実施形態においては、絶縁性熱硬化性
樹脂６ｍに無機フィラー６ｆを配合した固体又は半固体
の熱硬化性樹脂シート６又は熱硬化性接着剤６ｂを介在
させながら、ＩＣチップ１の電極２に上記ワイヤボンデ
ィングにより形成されたバンプ３を、レベリングせず
に、回路基板４の電極５と位置合わせする。例えば２３
０℃程度の一定温度に加熱されたツール８によりＩＣチ
ップ１をその裏面から加熱しながら、上記ＩＣチップ１
を上記回路基板４に１バンプあたりセラミック基板の場
合には圧力Ｐ１＝８０ｇｆ以上の加圧力により押圧し、
上記基板４の反りの矯正を行いながら、上記ＩＣチップ
１と上記回路基板４の間に介在する上記熱硬化性樹脂シ
ート６又は熱硬化性接着剤６ｂを上記熱により硬化す
る。次に、一定時間ｔ1後、すなわち、全体時間を例え
ば２０秒とすれば、材料の反応率により変わるが、その
１／４とか１／２の５秒〜１０秒後、言い換えれば、材
料の反応率が９０％に達する前に、上記圧力Ｐ１より低
い圧力Ｐ２まで下げて熱硬化性接着剤６ｂの硬化時の応
力を緩和し、上記ＩＣチップ１と上記回路基板４を接合
して両電極２，５を電気的に接続する。好適には、バン
プが変形していくためには最低限２０ｇｆ程度は必要で
あるため、すなわち、バンプの変形及び順応に必要な圧
力を得るとともに、余分な樹脂をＩＣチップ１と基板４
との間から押し出すため、上記圧力Ｐ１は２０ｇｆ／バ
ンプ以上である一方、バンプの変形等の前に樹脂内部に
偏在した硬化歪み除去するため、圧力Ｐ２は２０ｇｆ／
バンプ未満とすることにより、より信頼性が向上する。
その理由は詳しくは以下のとおりである。すなわち、図
１２（Ｃ）に示すように、熱硬化性樹脂シート６又は熱
硬化性接着剤６ｂ中の熱硬化性樹脂の応力分布は圧着時
にＩＣチップ１と基板４側とで大きくなっている。この
ままでは、信頼性試験や通常の長期使用で繰り返し疲労
が与えられると、ＩＣチップ１又は基板４側で熱硬化性
樹脂シート６又は熱硬化性接着剤６ｂ中の熱硬化性樹脂
が応力に耐えきれずに剥離することがある。このような
状態になると、ＩＣチップ１と回路基板４の接着力が十
分でなくなり、接合部がオープンすることになる。そこ
で、図１３のように、より高い圧力Ｐ１とより低い圧力
Ｐ２との２段階の圧力プロファイルを用いることによ
り、熱硬化性接着剤６ｂの硬化時に上記圧力Ｐ１より低
い圧力Ｐ２まで下げることができて、図１２（Ｄ）のご
とく、圧力Ｐ２のときに樹脂内部に偏在した硬化歪み除
去してＩＣチップ１と回路基板４の応力を緩和する（言
い換えれば、応力の集中度合いを減らす）ことができ、
その後、上記圧力Ｐ１まで上げることにより、バンプの
変形及び順応に必要な圧力を得るとともに、余分な樹脂
をＩＣチップ１と基板４との間から押し出すことができ
て、信頼性が向上する。
【００８６】なお、上記「ＩＣチップ１と回路基板４の
接着力」とは、ＩＣチップ１と基板４をひっつける力の
ことを意味する。これは、接着剤による接着力と、接着
剤を硬化したときの硬化収縮力と、Ｚ方向の収縮力（例
えば１８０℃に熱せられている接着剤が常温に戻るとき
に収縮するときの収縮力）のこれら３つの力によって、
ＩＣ１と基板４とは接合されている。 （第８実施形態）次に、第８実施形態にかかる回路基板
への電子部品例えばＩＣチップの実装方法及び装置及び
上記実装方法により上記ＩＣチップが上記基板に実装さ
れた電子部品ユニット若しくはモジュール例えば半導体
装置を図１２〜図１３を用いて説明する。この第８実施
形態では、上記各実施形態において、上記絶縁性樹脂６
ｍに配合する上記無機フィラー６ｆの平均粒径が３μｍ
以上であるようにしたものである。ただし、上記無機フ
ィラー６ｆの最大平均粒径は、ＩＣチップ１と基板４と
の接合後の隙間寸法を超えない大きさとする。
【００８７】もし、無機フィラー６ｆを絶縁性樹脂６ｍ
に配合するときに、平均粒径が３μｍ未満の細かな粒子
を無機フィラー６ｆとして用いると、それらの粒子の表
面積自体が全体として大きくなり、平均粒径が３μｍ未
満の細かな粒子である無機フィラー６ｆの周りに吸湿す
ることがあり、ＩＣチップ１と基板４との接合において
好ましくない。
【００８８】従って、同じ重量の無機フィラー６ｆを配
合する場合には、平均粒径が３μｍ以上の大きな無機フ
ィラー６ｆを用いることで、無機フィラー６ｆの周りに
おける吸湿量を減らしめることができ、耐湿性を向上さ
せることが可能となる。また、一般に、平均粒径（言い
換えれば平均粒度）の大きな無機フィラーの方が安価で
あるため、コスト的にも好ましい。また、図２４（Ａ）
に示すように、ＩＣチップ１と基板４との接合において
ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖ
ｅ Ｆｉｌｍ：異方性導電膜）５９８を使用する工法で
は、ＡＣＦ５９８中の導電粒子５９９をバンプ３と基板
電極５との間に必ず挟む必要があるが、本発明の上記実
施形態では導電粒子が無いためそのような必要は無く、
図２４（Ｂ）に示すようにバンプ３を基板電極５で押し
つぶしながら圧着するので、この圧着のときにバンプ３
と基板電極４との間の絶縁性樹脂層６，６ｂとともに無
機フィラー６ｆもバンプ３と基板電極４と間から抜け出
ることになり、基板電極４とバンプ３の間に不要な無機
フィラー６ｆが挟まることにより導電性を阻害すること
がほとんど無いという特徴に基づき、３μｍ以上の大き
な平均粒径の無機フィラー６ｆを使用することができ
る。 （第９実施形態）次に、本発明の第９実施形態にかかる
回路基板への電子部品例えばＩＣチップの実装方法及び
装置及び上記実装方法により上記ＩＣチップが上記基板
に実装された電子部品ユニット若しくはモジュール例え
ば半導体装置を図２５，２６を用いて説明する。図２
５，２６は、それぞれ、上記第９実施形態にかかる回路
基板への電子部品例えばＩＣチップの実装方法及び装置
により製造された接合状態の模式断面図及びそのときに
使用される樹脂シート６の部分拡大模式断面図である。
この第９実施形態では、上記各実施形態において、上記
絶縁性樹脂層６，６ｂの上記絶縁性樹脂６ｍに配合する
上記無機フィラー６ｆは、複数の異なる平均粒径を持つ
無機フィラー６ｆ−１，６ｆ−２とするものである。具
体例としては、０．５μｍの平均粒径を持つ無機フィラ
ーと、２〜４μｍの平均粒径を持つ無機フィラーとす
る。
【００８９】上記第９実施形態によれば、複数の異なる
平均粒径を持つ無機フィラー６ｆ−１，６ｆ−２を絶縁
性樹脂６ｍに混合することにより、絶縁性樹脂６ｍに混
合する無機フィラー６ｆの量を増加させることができ
て、、無機フィラーの周りにおける吸湿量を減らしめる
ことができ、耐湿性を向上させることが可能となるとと
もに、フィルム化（固体化）することが容易になる。す
なわち、重量％で考えた場合、一種類の無機フィラーよ
りも、粒径の異なる無機フィラーを混在して入れた方
が、単位体積あたりの無機フィラーの量を増やすことが
可能である。これによって、封止シートとしての樹脂シ
ート６又は接着剤６ｂへの無機フィラー６ｆの配合量を
増加し、樹脂シート６又は接着剤６ｂの線膨張係数を低
下させることができ、より長寿命化させることができ
て、信頼性を向上させることができる。 （第１０実施形態）次に、本発明の第１０実施形態にか
かる回路基板への電子部品例えばＩＣチップの実装方法
及び装置及び上記実装方法により上記ＩＣチップが上記
基板に実装された電子部品ユニット若しくはモジュール
例えば半導体装置においては、上記第９実施形態におけ
る効果をより確実なものとするため、さらに、上記複数
の異なる平均粒径を持つ無機フィラー６ｆ−１，６ｆ−
２のうちの一方の無機フィラー６ｆ−１の平均粒径は、
他方の無機フィラー６ｆ−２の平均粒径の２倍以上異な
っているものである。具体例としては、０．５μｍの平
均粒径を持つ無機フィラーと、２〜４μｍの平均粒径を
持つ無機フィラーとする。
【００９０】このようにすることにより、上記第９実施
形態での効果をより一層高めることができる。すなわ
ち、一方の無機フィラー６ｆ−１の平均粒径は、他方の
無機フィラー６ｆ−２の平均粒径の２倍以上異なってい
る複数の異なる平均粒径を持つ無機フィラー６ｆ−１，
６ｆ−２を絶縁性樹脂６ｍに混合することにより、絶縁
性樹脂６ｍに混合する無機フィラー６ｆの量をより確実
に増加させることができて、フィルム化（固体化）する
ことがより容易になり、樹脂シート６又は接着剤６ｂへ
の無機フィラー６ｆの配合量を増加し、樹脂シート６又
は接着剤６ｂの線膨張係数をより低下させることがで
き、より長寿命化させることができて、信頼性をより向
上させることができる。 （第１１実施形態）次に、本発明の第１１実施形態にか
かる回路基板への電子部品例えばＩＣチップの実装方法
及び装置及び上記実装方法により上記ＩＣチップが上記
基板に実装された電子部品ユニット若しくはモジュール
例えば半導体装置においては、上記第９実施形態におけ
る効果をより確実なものとするため、さらに、上記絶縁
性樹脂６ｍに配合する上記無機フィラー６ｆは、複数の
異なる平均粒径を持つ少なくとも２種類の無機フィラー
６ｆ−１，６ｆ−２であって、上記少なくとも２種類の
無機フィラーのうちの一方の無機フィラー６ｆ−１は３
μｍを超える平均粒径を持ち、上記少なくとも２種類の
無機フィラーのうちの他方の無機フィラー６ｆ−２は３
μｍ以下の平均粒径を持つことが好ましい。具体例とし
ては、０．５μｍの平均粒径を持つ無機フィラーと、２
〜４μｍの平均粒径を持つ無機フィラーとする。 （第１２実施形態）次に、本発明の第１２実施形態にか
かる回路基板への電子部品例えばＩＣチップの実装方法
及び装置及び上記実装方法により上記ＩＣチップが上記
基板に実装された電子部品ユニット若しくはモジュール
例えば半導体装置においては、上記各実施形態におい
て、さらに、上記絶縁性樹脂６ｍに配合する上記無機フ
ィラー６ｆは、複数の異なる平均粒径を持つ少なくとも
２種類の無機フィラー６ｆ−１，６ｆ−２であって、上
記少なくとも２種類の無機フィラーのうちの平均粒径の
大きい一方の無機フィラー６ｆ−１は上記絶縁性樹脂６
ｍと同一材料からなることにより、応力緩和作用を奏す
るようにすることもできる。具体例としては、０．５μ
ｍの平均粒径を持つ無機フィラーと、２〜４μｍの平均
粒径を持つ無機フィラーとする。
【００９１】この第１２実施形態によれば、第９実施形
態での作用効果に加えて、平均粒径の大きい一方の無機
フィラー６ｆ−１は上記絶縁性樹脂６ｍと同一材料から
なることにより、上記絶縁性樹脂６ｍに応力が作用した
とき、平均粒径の大きい一方の無機フィラー６ｆ−１が
上記絶縁性樹脂６ｍと一体化することにより、応力緩和
作用を奏することができる。 （第１３実施形態）次に、本発明の第１３実施形態にか
かる回路基板への電子部品例えばＩＣチップの実装方法
及び装置及び上記実装方法により上記ＩＣチップが上記
基板に実装された電子部品ユニット若しくはモジュール
例えば半導体装置においては、上記各実施形態におい
て、さらに、上記絶縁性樹脂６ｍに配合する上記無機フ
ィラー６ｆは、複数の異なる平均粒径を持つ少なくとも
２種類の無機フィラー６ｆ−１，６ｆ−２であって、上
記少なくとも２種類の無機フィラーのうちの平均粒径の
大きい一方の無機フィラー６ｆ−１は上記絶縁性樹脂６
ｍであるエポキシ樹脂よりも柔らかく、上記一方の無機
フィラー６ｆ−１が圧縮されることにより、応力緩和作
用を奏するようにすることもできる。
【００９２】この第１３実施形態によれば、第９実施形
態での作用効果に加えて、平均粒径の大きい一方の無機
フィラー６ｆ−１は上記絶縁性樹脂６ｍと同一材料から
なることにより、上記絶縁性樹脂６ｍに応力が作用した
とき、平均粒径の大きい一方の無機フィラー６ｆ−１が
上記絶縁性樹脂６ｍであるエポキシ樹脂よりも柔らかい
ため、上記応力により、上記一方の無機フィラー６ｆ−
１が図２７に示すように圧縮されてその周囲で圧縮に対
する反力である引張力が分散されることにより、応力緩
和作用を奏することができる。 （第１４実施形態）次に、本発明の第１４実施形態にか
かる回路基板への電子部品例えばＩＣチップの実装方法
及び装置及び上記実装方法により上記ＩＣチップが上記
基板に実装された電子部品ユニット若しくはモジュール
例えば半導体装置においては、上記各実施形態におい
て、さらに、図２８（Ａ），（Ｂ），図２９（Ａ），
（Ｂ），図３０及び図３１に示されるように、上記絶縁
性樹脂層６，６ｂは、上記ＩＣチップ１又は上記基板４
に接触する部分７００又は層６ｘが、他の部分７０１又
は層６ｙよりも上記無機フィラー量が少ないか、もしく
は上記無機フィラー６ｆを配合しないようにすることが
できる。この場合、図２８（Ａ），（Ｂ）に示すよう
に、上記ＩＣチップ１又は上記基板４に接触する部分７
００と、他の部分７０１とを明確に区別することなく、
徐々に無機フィラー量が変わるようにしてもよいし、図
２９（Ａ），（Ｂ）及び図３０，図３１に示すように明
確に区別するようにしてもよい。すなわち、図２９
（Ａ），（Ｂ）及び図３０，図３１において、上記絶縁
性樹脂層６，６ｂは、上記ＩＣチップ１又は上記基板４
に接触する部分に位置されかつ上記絶縁性樹脂６ｍと同
一の絶縁性樹脂に上記無機フィラー６ｆを配合した第１
樹脂層６ｘと、上記第１樹脂層６ｘに接触し、かつ、上
記第１樹脂層６ｘよりも上記無機フィラー量が少ない
か、もしくは上記無機フィラー６ｆを配合しない上記絶
縁性樹脂で構成される第２樹脂層６ｙとを備えて多層構
造にすることもできる。
【００９３】このようにすれば、以下のような効果を奏
することができる。すなわち、もし、上記無機フィラー
６ｆを絶縁性樹脂層全体に同じ重量パーセント（ｗｔ
％）で入れると、ＩＣチップ側又は基板側又はその両方
の対向面の近傍に無機フィラー６ｆが多くなることがあ
り、ＩＣチップ１と基板４との中間部分では逆に少なく
なる。この結果、ＩＣチップ側又は基板側又はその両方
の対向面の近傍に無機フィラー６ｆが多いため、絶縁性
樹脂層６，６ｂとＩＣチップ１又は基板４又はその両方
との間での接着力が低下することがある。上記第１４実
施形態によれば、上記ＩＣチップ１又は上記基板４のい
ずれか一方に接触する部分７００又は層６ｘが、他の部
分７０１又は層６ｙよりも上記無機フィラー量が少ない
か、もしくは上記無機フィラー６ｆを配合しないように
することにより、無機フィラー量が多いために接着力が
低下することを防止できる。
【００９４】以下に、この第１４実施形態の種々の変形
例について説明する。
【００９５】まず、第１の変形例として、図２８
（Ｃ），図２９（Ｃ）及び図３２（Ａ）に示されるよう
に、上記絶縁性樹脂層６，６ｂは、上記ＩＣチップ１及
び上記基板４の両方にそれぞれ接触する部分７００が、
他の部分７０１よりも上記無機フィラー量が少ないか、
もしくは上記無機フィラー６ｆを配合しないようにする
こともできる。この場合も、図２８（Ｃ）に示すよう
に、上記ＩＣチップ１及び上記基板４の両方に接触する
部分７００と、他の部分７０１とを明確に区別すること
なく、徐々に無機フィラー量が変わるようにしてもよい
し、図２９（Ｃ）及び図３２（Ａ）に示されるように、
明確に区別するようにしてもよい。すなわち、図２９
（Ｃ）及び図３２（Ａ）において、上記絶縁性樹脂層
６，６ｂは、上記第１樹脂層６ｘの上記第２樹脂層６ｙ
とは反対側に、上記第１樹脂層６ｘよりも上記無機フィ
ラー量が少ないか、もしくは上記無機フィラー６ｆを配
合しない上記絶縁性樹脂で構成される第３樹脂層６ｚを
さらに備えて多層構造とし、上記第１樹脂層６ｘと上記
第３樹脂層６ｚは、それぞれ、上記ＩＣチップ１と上記
基板４とに接触するようにすることもできる。
【００９６】さらに、別の変形例として、上記ＩＣチッ
プ１又は上記基板４又はその両方にそれぞれ接触する部
分７００は、その上記無機フィラー量が２０ｗｔ％未満
か、もしくは上記無機フィラー６ｆを配合しないように
する一方、上記他の部分７０１はその上記無機フィラー
量が２０ｗｔ％以上であるようにすることもできる。こ
の場合、図２８（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に示すように上
記ＩＣチップ１又は上記基板４又は両方に接触する部分
７００と、他の部分７０１とを明確に区別することな
く、徐々に無機フィラー量が変わるようにしてもよい
し、図２９（Ａ），（Ｂ），図２９（Ｃ），図３０，図
３１，及び図３２（Ａ）に示すように明確に区別するよ
うにしてもよい。すなわち、上記第１樹脂層６ｘ又は第
１樹脂層６ｘ及び上記第３樹脂層６ｚは、その上記無機
フィラー量が２０ｗｔ％未満か、もしくは上記無機フィ
ラー６ｆを配合しないようにする一方、上記第２樹脂層
６ｙはその上記無機フィラー量が２０ｗｔ％以上である
ようにすることもできる。
【００９７】具体例としては、上記第２樹脂層６ｙは、
絶縁性樹脂６ｍとして熱硬化性エポキシ樹脂としたと
き、セラミック基板の場合には５０ｗｔ％であり、ガラ
エポ基板の場合は２０ｗｔ％とする。また、一例とし
て、第１樹脂層６ｘ又は第３樹脂層６ｚ又はその両方の
厚さは１５μｍ、第２樹脂層６ｙの厚さは４０〜６０μ
ｍとする。また、上記絶縁性樹脂層６，６ｂの厚さは、
ＩＣチップ１と基板４との接合後の隙間寸法よりも大き
な寸法として、ＩＣチップ１と基板４との接合時にＩＣ
チップ１と基板４との間に完全に満たされるようにして
接合をより確実なものとする。
【００９８】また、別の変形例として、図２８（Ｃ），
図２９（Ｃ）及び図３２（Ａ）に示す変形例と無機フィ
ラーの配合量を逆にするようにしてもよい。すなわち、
図２８（Ｄ）に示されるように、上記絶縁性樹脂層６，
６ｂは、上記ＩＣチップ１及び上記基板４の両方にそれ
ぞれ接触する部分７０３の中間部分７０２が、上記ＩＣ
チップ１及び上記基板４の両方にそれぞれ接触する部分
７０３よりも上記無機フィラー量が少ないか、もしくは
上記無機フィラー６ｆを配合しないようにすることもで
きる。この場合も、上記ＩＣチップ１又は上記基板４又
は両方に接触する部分７０３と、中間部分７０２とを明
確に区別することなく、徐々に無機フィラー量が変わる
ようにしてもよいし、図２９（Ｄ）及び図３２（Ｂ）に
示されるように、明確に区別するようにしてもよい。す
なわち、図２９（Ｄ）及び図３２（Ｂ）に示されるよう
に、上記絶縁性樹脂層６，６ｂは、上記ＩＣチップ１及
び上記基板４に接触する部分に位置されかつ上記無機フ
ィラー６ｆを配合した絶縁性樹脂６ｍで構成される第４
樹脂層６ｖと、上記ＩＣチップ１と上記基板４との中間
部分に位置されかつ上記第４樹脂層６ｖよりも上記無機
フィラー量が少ないか又は含まれていない絶縁性樹脂６
ｍで構成される第５樹脂層６ｗとを備えるようにするこ
ともできる。
【００９９】このようにすれば、上記ＩＣチップ１と上
記基板４との上記中間部分７０２又は上記第５樹脂層６
ｗでは、上記ＩＣチップ１と上記基板４とにそれぞれ接
触する部分７０３又は上記第４樹脂層６ｖよりも上記無
機フィラー量が少ないか又は含まれていないため、弾性
率が低くなり、応力緩和効果を奏することができる。ま
た、上記ＩＣチップ１と上記基板４とにそれぞれ接触す
る部分７０３又は上記第４樹脂層６ｖの絶縁性樹脂とし
てＩＣチップ１と基板４とに対する密着力の高いものを
選択して使用すれば、上記ＩＣチップ１に接触する部分
７０３又はＩＣチップ１の近傍部分の上記第４樹脂層６
ｖでは、ＩＣチップ１の線膨張係数にできるだけ近くな
るように無機フィラー６ｆの配合量又は材料を選択する
一方、上記基板４に接触する部分７０３又は基板４の近
傍部分の上記第４樹脂層６ｖでは、基板４の線膨張係数
にできるだけ近くなるように無機フィラー６ｆの配合量
又は材料を選択することができる。この結果、上記ＩＣ
チップ１に接触する部分７０３又はＩＣチップ１の近傍
部分の上記第４樹脂層６ｖとＩＣチップ１との線膨張係
数が接近するため、両者の間での剥離が生じにくくなる
とともに、上記基板４に接触する部分７０３又は基板４
の近傍部分の上記第４樹脂層６ｖと基板４との線膨張係
数が接近するため、両者の間での剥離が生じにくくな
る。
【０１００】さらに、図３３（Ａ），（Ｂ）に実線で示
すように、上記絶縁性樹脂層６，６ｂは、上記ＩＣチッ
プ１又は上記基板４のいずれか一方に接触する部分Ｐ１
から他の部分Ｐ２に向かって、上記無機フィラー量が徐
々に又は段階的に少なくなるようにすることもできる。
【０１０１】また、図３３（Ｃ），（Ｄ）に実線で示す
ように、上記絶縁性樹脂層６，６ｂは、上記ＩＣチップ
１及び上記基板４にそれぞれ接触する部分Ｐ３，Ｐ４か
ら他の部分すなわちＩＣチップ１と上記基板４との中間
部分Ｐ５に向かって、上記無機フィラー量が徐々に又は
段階的に多くなるようにすることもできる。
【０１０２】また、図３３（Ｅ）に実線で示すように、
上記絶縁性樹脂層６，６ｂは、上記ＩＣチップ１及び上
記基板４にそれぞれ接触する部分（図２８（Ｄ）の変形
例における接触部分７０３に相当する部分）から、上記
ＩＣチップ１及び上記基板４との中間部分（図２８
（Ｄ）の変形例における中間部分７０２に相当する部
分）に向かって、上記無機フィラー量が徐々に少なくな
るようにすることもできる。
【０１０３】また、図３３（Ｆ）に実線で示すように、
上記絶縁性樹脂層６，６ｂは、上記ＩＣチップ１の近傍
部分、次いで、上記基板４の近傍部分、次いで、上記Ｉ
Ｃチップ１の近傍部分と上記基板４の近傍部分との中間
部分の順に上記無機フィラー量が少ないようにすること
もできる。なお、図３３（Ｆ）では、上記順に徐々に上
記無機フィラー量が変化するように例示しているが、こ
れに限られるものではなく、段階的に変化するようにし
てもよい。
【０１０４】上記図３３（Ｅ），（Ｆ）の変形例のよう
にすれば、上記ＩＣチップ１と上記基板４との中間部分
では、上記ＩＣチップ１及び上記基板４にそれぞれ接触
する部分よりも上記無機フィラー量が少ないか又は含ま
れていないため、弾性率が低くなり、応力緩和効果を奏
することができる。また、上記ＩＣチップ１及び上記基
板４にそれぞれ接触する部分の絶縁性樹脂としてＩＣチ
ップ１と基板４とに対する密着力の高いものを選択して
使用すれば、ＩＣチップ１に接触する部分では、ＩＣチ
ップ１の線膨張係数にできるだけ近くなるように無機フ
ィラー６ｆの配合量又は材料を選択する一方、基板４に
接触する部分では、基板４の線膨張係数にできるだけ近
くなるように無機フィラー６ｆの配合量又は材料を選択
することができる。この観点で無機フィラー６ｆの配合
量を決定すると、通常は、図３３（Ｆ）に実線で示すよ
うに、上記ＩＣチップ１の近傍部分、次いで、上記基板
４の近傍部分、次いで、上記ＩＣチップ１の近傍部分と
上記基板４の近傍部分との中間部分の順に上記無機フィ
ラー量が少ないようなる。このような構成とすることに
より、ＩＣチップ１に接触する部分とＩＣチップ１との
線膨張係数が接近するため、両者の間での剥離が生じに
くくなるとともに、基板４に接触する部分と基板４との
線膨張係数が接近するため、両者の間での剥離が生じに
くくなる。
【０１０５】図３３（Ａ）〜（Ｆ）のいずれの場合で
も、実用上、上記無機フィラー量は５〜９０ｗｔ％の範
囲内とすることが好ましい。５ｗｔ％未満では無機フィ
ラー６ｆを混合する意味がない一方、９０ｗｔ％を超え
ると、接着力が極度に低下するとともに、シート化する
のが困難になるため好ましくないためである。
【０１０６】なお、上記のような複数の樹脂層６ｘ，６
ｙ又は６ｘ，６ｙ，６ｚで構成される多層構造の膜を絶
縁性樹脂層として用いてＩＣチップ１を基板４に熱圧着
した場合には、接合時の熱により絶縁性樹脂６ｍが軟
化、溶融して上記樹脂層が混じり合うので、最終的に
は、各樹脂層の明確な境界が無くなり、図３３のように
傾斜した無機フィラー分布となる。
【０１０７】さらに、上記第１４実施形態又は各変形例
において、無機フィラー６ｆの入った部分又は層を有す
る絶縁性樹脂層、又は、無機フィラー分布が傾斜した絶
縁性樹脂層において、上記部分又は樹脂層に応じて、異
なった絶縁性樹脂を用いることも可能である。例えば、
ＩＣチップ１に接触する部分又は樹脂層では、ＩＣチッ
プ表面に用いられる膜素材に対して密着性を向上させる
絶縁性樹脂を用いる一方、基板４に接触する部分又は樹
脂層では、基板表面の材料に対して密着性を向上させる
絶縁性樹脂を用いることも可能となる。
【０１０８】上記第１４実施形態及びそれらの上記種々
の変形例によれば、ＩＣチップ１又は上記基板４と絶縁
性樹脂層６，６ｂとの接合界面では無機フィラー６ｆが
存在しないかその量が少なく、絶縁性樹脂本来の接着性
が発揮されて、上記接合界面で接着性の高い絶縁性樹脂
が多くなり、ＩＣチップ１又は上記基板４と絶縁性樹脂
６ｍとの密着強度を向上させることができて、ＩＣチッ
プ１又は上記基板４との接着性が向上する。これによ
り、各種信頼性試験での寿命が向上するとともに、曲げ
に対しての剥離強度が向上する。
【０１０９】もし、接着そのものには寄与しないが線膨
張係数を下げる効果を持つ無機フィラー６ｆが絶縁性樹
脂６ｍ中に均一に分散されていると、基板４又はＩＣチ
ップ表面に無機フィラー６ｆが接触し、接着に寄与する
接着剤の量が減少することになり、接着性の低下を招
く。この結果、もしＩＣチップ１または基板４と接着剤
の間で剥離が生じると、そこから水分が侵入し、ＩＣチ
ップ１の電極の腐食などの原因となる。また、剥離部分
から剥がれが進行すると、ＩＣチップ１と基板４の接合
そのものが不良となり、電気的に接続不良となる。
【０１１０】これに対して、上記第１４実施形態及びそ
れらの上記種々の変形例によれば、上記したように、無
機フィラー６ｆによる線膨張係数を下げる効果を持たせ
たまま接着力を向上させることができる。これによっ
て、ＩＣチップ１及び基板４との密着強度が向上し、信
頼性が向上する。
【０１１１】さらに、無機フィラー６ｆの少ない部分７
００又は樹脂層６ｘをＩＣチップ側に配置した場合、又
は、ＩＣチップ側において無機フィラー分布を小さくし
た場合には、当該部分７００又は樹脂層６ｘは、ＩＣチ
ップ表面の窒化シリコンや酸化珪素からなるパッシベイ
ション膜に対して密着力を向上させることが可能とな
る。また、これらＩＣチップ表面に用いられる膜素材に
対して密着性を向上させる絶縁性樹脂を適宜選択して用
いることも可能となる。また、ＩＣチップ近傍での弾性
率を下げることで、絶縁性樹脂層の一例である封止シー
ト材料のなかでの応力集中が緩和される。基板４に用い
られる材料がセラミックのように固い（弾性率の高い）
場合には、このような構造をとると、基板近傍での封止
シート材料との弾性率、線膨張係数がマッチングして、
尚、好適である。
【０１１２】一方、無機フィラー６ｆの少ない部分７０
０又は樹脂層６ｘを基板側に配置した場合には、又は、
基板側において無機フィラー分布を小さくした場合に
は、樹脂基板やフレキシブル基板（ＦＰＣ）などのよう
に基板４に曲げが加わるような場合において、基板４を
電子機器の筐体に組み込む際に曲げ応力が加わるような
とき、基板４と絶縁性樹脂層の一例である封止シートと
の密着強度を向上する目的で用いることができる。ＩＣ
チップ側の表面層がポリイミド膜で形成された保護膜よ
りなる場合においては、一般に、絶縁性樹脂の密着が良
好で、問題とならない場合にＩＣチップ１から基板４に
かけて、弾性率と線膨張係数が連続的または段階的に変
化することで、ＩＣチップ側で封止シートが固く、基板
側では柔らかい材料とすることができる。これにより、
封止シート内部での応力発生が小さくなることから信頼
性が向上する。
【０１１３】さらに、ＩＣチップ側と基板側の両側に無
機フィラー６ｆの少ない部分７００又は樹脂層６ｘ，６
ｚを配置した場合、又は、ＩＣチップ側と基板側の両側
において無機フィラー分布を小さくした場合には、上記
ＩＣチップ側と基板側との２つの場合を両立させるもの
であり、ＩＣチップ側及び基板側の両方での密着性を向
上させることができるとともに、線膨張係数を下げてＩ
Ｃチップ１と基板４の両者を高い信頼性で接続させるこ
とができる。また、ＩＣチップ側表面の材質及び基板材
質に応じて、より密着性、樹脂塗れ性の良好な絶縁性樹
脂を選択して用いることができる。また、これらの無機
フィラー６ｆの量の多い少ないの傾斜は自由に変えるこ
とができるので、無機フィラー６ｆの少ない部分又は層
を極薄くしたりすることで、基板材料とのマッチングが
可能である。 （第１５実施形態）次に、本発明の第１５実施形態にお
いては、上記第８〜１４実施形態及びそれらの変形例に
かかる回路基板への電子部品例えばＩＣチップの実装方
法及び装置及び上記実装方法により上記ＩＣチップが上
記基板に実装された電子部品ユニット若しくはモジュー
ル例えば半導体装置により使用される絶縁性樹脂層の製
造工程を図３４，図３５に基づいて説明する。
【０１１４】まず、直接、回路基板４上で絶縁性樹脂層
を形成する場合には、回路基板４の上に、第１樹脂シー
トを貼付け、その上に第２樹脂シートを貼付ける。この
とき、第１樹脂シートに無機フィラー６ｆが多い場合は
図２８（Ａ）または図３０のようになり、逆の場合には
図２８（Ｂ）または図３１のようになる。すなわち、前
者の場合には、第１樹脂シートは上記無機フィラー６ｆ
が多い部分７０１又は第２樹脂層６ｙに対応する樹脂シ
ートであり、後者の場合には、上記無機フィラー６ｆが
少ない部分７００又は第１樹脂層６ｘに対応する樹脂シ
ートとなる。
【０１１５】また、第２樹脂シートの上にさらに第３樹
脂シートを形成して、第１樹脂シートと第３樹脂シート
とが無機フィラー６ｆが少ない部分７００又は第１樹脂
層６ｘに対応する場合には、図２８（Ｃ）または図３２
（Ａ）のようになる。
【０１１６】また、これらを、図３４，図３５に示すよ
うに、予めセパレータと呼ばれるベースフィルム６７２
上で、第１樹脂シート６７３と第２樹脂シート６７４と
をこの順に（図３４，図３５にはこの場合のみ示
す。）、又はこれとは逆に、又はさらに第３樹脂シート
をも、貼り付けて形成してもよい。この場合には、図３
４，図３５のように、上下一対の加熱可能なローラ６７
０，２７０などで複数の樹脂シート６７３，６７４を、
必要に応じて加熱しつつ、貼り付けていく。その後、形
成された樹脂シート体６７１を所定寸法毎に切断すれ
ば、図２８（Ａ）〜（Ｃ），図２９（Ａ）〜（Ｃ），図
３０〜３２のいずれかに示すような上記絶縁性樹脂シー
ト６となる。
【０１１７】また、別の変形例として、絶縁性樹脂シー
ト６が連続した絶縁性樹脂シート体を作製する際には、
溶剤に溶かせたエポキシ及び無機フィラーをドクターブ
レード法などによりセパレーターと呼ばれるベースフィ
ルム上に塗布する。この溶剤を乾燥させて絶縁性樹脂シ
ート体が製作される。
【０１１８】このとき、一旦、無機フィラー６ｆの濃度
が低いか、又は、無機フィラー６ｆが入っていない液体
状の絶縁性樹脂を第１層としてベースフィルム上に塗布
し、場合によっては、その塗布された第１層の乾燥を行
う。乾燥しない場合には、無機フィラー６ｆが、若干、
第１層に第２層の無機フィラー６ｆが混入していき、図
３３のように無機フィラー分布が傾斜した構造となる。
【０１１９】上記塗布形成された第１層の上に、無機フ
ィラー６ｆを第１層よりも多く混入した液体状の絶縁性
樹脂を塗布して第２層とする。第２層を乾燥することに
より、ベースフィルム上に第１層と第２層とが形成され
た２層構造の絶縁性樹脂シート体が形成できる。絶縁性
樹脂シート体を所定寸法毎に切断すれば、図２８
（Ａ），図２９（Ａ），図３０に示すような上記絶縁性
樹脂シート６となる。
【０１２０】なお、基板側に無機フィラー６ｆが少ない
層を配置する場合には、上記と逆の工程、すなわち、ベ
ースフィルム上に第２層を形成したのち、第２層上に第
１層を形成して、２層構造の絶縁性樹脂シート体が形成
できる。絶縁性樹脂シート体を所定寸法毎に切断すれ
ば、図２８（Ｂ），図２９（Ｂ），図３１に示すような
上記絶縁性樹脂シート６となる。
【０１２１】また、一旦、無機フィラー６ｆの濃度が低
い、又は、無機フィラー６ｆが入っていない絶縁性樹脂
６ｍを第１層として塗布乾燥（省略されることもあ
る。）し、第１層の上に無機フィラー３ｆを第１層より
も多く混入した絶縁性樹脂を塗布して第２層として塗布
乾燥（省略されることもある。）し、この上に無機フィ
ラーの量が第２層より少ないまたは無い第３層を塗布す
る。これを乾燥することにより、ベースフィルム上に第
１層と第２層と第３層とが形成された３層構造の絶縁性
樹脂シート体が形成できる。絶縁性樹脂シート体を所定
寸法毎に切断すれば、図２８（Ｃ），図２９（Ｃ），図
３２（Ａ）に示すような上記絶縁性樹脂シート６とな
る。
【０１２２】上記直接、回路基板４上で絶縁性樹脂層を
形成する方法によれば、上記電子部品ユニットを製造す
る側で、上記絶縁性樹脂層において、電子部品に最適な
材料の樹脂を選択して電子部品側に配置する一方、基板
に最適な材料の樹脂を選択して基板側に配置することが
でき、樹脂の選択の自由度を高めることができる。
【０１２３】これに対して、絶縁性樹脂シート体を製造
する方法では、上記したほど選択の自由度は無いが、一
括して多数の上記絶縁性樹脂シート６を製造することか
できて、製造効率が良いとともに安価なものとなるとと
もに、貼り付け装置が１台で十分になる。
【０１２４】上記したように、本発明の上記各実施形態
によれば、電子部品例えばＩＣチップと回路基板を接合
するのに従来要した工程の多くを無くすことができ、非
常に生産性を向上させることができる。すなわち、例え
ば、従来例として記載したスタッド・バンプ・ボンディ
ングや半田バンプによる接合では、フリップチップ接合
した後に封止材を注入してバッチ炉に入れて硬化する必
要がある。この封止材の注入には、１ケあたり数分、ま
た、封止材の硬化に、２から５時間を要する。スタッド
・バンプ・ボンディング実装においては、さらにその前
行程として、バンプにＡｇペーストを転写して、これを
基板に搭載した後、Ａｇペーストを硬化するという工程
が必要となる。この工程には２時間を要する。これに対
して、上記実施形態の方法では、上記封止工程を無くす
ことができ、非常に生産性を向上させることができる。
さらに、上記実施形態では、固体又は半固体の絶縁性樹
脂の封止シート等を用いることにより、例えば分子量の
大きなエポキシ樹脂を用いることができることとなり、
１０〜２０秒程度の短時間で接合が可能となり、接合時
間の短縮も図ることができ、さらに生産性を向上させる
ことができる。また、接合材料として導電粒子の無い熱
硬化性樹脂シート６又は熱硬化性接着剤６ｂを用いた場
合には、従来例２で示した方法に比べて絶縁性樹脂中に
導電性微片を加える必要が無いため、安価なＩＣチップ
の実装方法及び装置を提供することができる。
【０１２５】さらに、以下のような効果をも奏すること
ができる。
【０１２６】（１）バンプ形成 バンプをメッキで形成する方法（従来例３）では、専用
のバンプ形成工程を半導体メーカーで行う必要があり、
限定されたメーカーでしかバンプの形成ができない。と
ころが、本発明の上記実施形態によれば、ワイヤボンデ
ィング装置により、汎用のワイヤボンディング用のＩＣ
チップを用いることができ、ＩＣチップの入手が容易と
なる。すなわち、汎用のワイヤボンディング用のＩＣチ
ップを用いることができる理由は、ワイヤボンディング
であれば、Ａｌパッドが形成された通常のＩＣパッド上
に、ワイヤボンディング装置やバンプボンディング装置
を用いてバンプが形成可能であるからである。一方、バ
ンプをメッキで形成する方法（従来例３）によりメッキ
バンプを形成するには、Ａｌパッドの上に、Ｔｉ、Ｃ
ｕ、Ｃｒなどのバリヤメタルを形成したのちにレジスト
をスピンコートで塗布し、露光してバンプ形成部のみ穴
をあける。これに電気を通電して、その穴部分にＡｕな
どからなるメッキを行うことで形成する。従って、メッ
キバンプを形成するには、大規模なメッキ装置や、シア
ン化合物などの危険物の廃液処理装置を必要とするの
で、通常のアセンブリ工程を行う工場では現実には実施
不可能である。
【０１２７】また、従来例１の方法に比べて、導電性接
着剤の転写といった不安定な転写工程での接着剤の転写
量を安定させるためのバンプレベリングが不要となり、
そのようなレベリング工程用のレベリング装置が不要と
なる。その理由は、バンプを押圧しながら基板の電極上
で押しつぶすため、予めバンプだけをレベリングしてお
く必要がないためである。
【０１２８】また、上記実施形態において以下のように
すれば、バンプ１０３を回路基板４の電極５にズレて実
装された場合においても、信頼性の高い接合を達成する
こともできる。すなわち、バンプ３をＩＣチップ１上に
形成する際にワイヤボンディングと同様に金線を電気ス
パークにより金ボール９６ａを形成する。次に、９５ａ
で示す直径Φｄ−Ｂｕｍｐのボール９６ａを形成し、こ
れをチャムファー角θｃが１００°以下となるキャピラ
リー１９３の９３ａで示すチャムファー直径φＤを金ボ
ール９６ａの直径ｄ−Ｂｕｍｐの１／２から３／４と
し、キャピラリー１９３の金ボール９６ａと接する部分
に平らな部位を設けない先端形状としたキャピラリー１
９３でＩＣチップ１の電極２に超音波及び熱圧着により
バンプ１０３を形成する。上記形状のキャピラリー１９
３を用いることで図１０（Ｂ）のような先端が大略円錐
状のバンプ１０３をＩＣチップ１の電極２に形成するこ
とができる。上記方法で形成したバンプ１０３を回路基
板４の電極５に図１１（Ｃ）のごとく寸法Ｚだけズレて
実装された場合においても、バンプ１０３がその先端が
大略円錐形であるためバンプ１０３の外径の半分までの
ズレである場合はバンプ１０３の一部が必ず基板４の電
極５と接触することができる。従来のバンプ３の図１１
（Ｄ）ではバンプ３のいわゆる台座３ｇの幅寸法ｄの一
部が接触するが、部分的にしか接触せず不安定な接合と
なる。これを冷熱衝撃試験やリフローにかけた場合に接
合部分がオープンとなる。本発明では、このような不安
定な接合がなくなり、生産歩留まりと信頼性の高い接合
を提供することができる。
【０１２９】（２）ＩＣチップと回路基板の接合 従来例２の方法によれば、接続抵抗は、バンプと回路基
板の電極の間に存在する導電粒子の数に依存していた
が、本発明の上記実施形態では、独立した工程としての
レベリング工程においてバンプ３をレベリングせずに回
路基板４の電極５に従来例１、２よりも強い荷重（例え
ば、１バンプ３あたり２０ｇｆ以上の加圧力）で押しつ
けてバンプ３と電極５とを直接的に接合することができ
るため、介在する粒子数に接続抵抗値が依存せず、安定
して接続抵抗値が得られる。
【０１３０】また、従来のレベリング工程では基板電極
との接合時のバンプ高さを一定に整えるために行ってい
るが、本発明の上記各実施形態ではバンプ３の押しつぶ
しを電極２又は５への接合と同時に行うことができるの
で、独立したレベリング工程が不要であるばかりでな
く、接合時に回路基板４の反りやうねりを変形させて矯
正しながら接合することができるので、又は、バンプ
３，１０３に付着させた導電性ペーストを硬化して接合
時に導電性ペーストを変形させることにより、バンプ
３，１０３のレベリングを一切不要として、接合時に回
路基板４の反りやうねりを変形させて矯正しながら接合
するので、反りやうねりに強い。
【０１３１】ところで、従来例１では１０μｍ／ＩＣチ
ップ（１個のＩＣチップ当たり１０μｍの厚み反り寸法
精度が必要であることを意味する。）、従来例２では２
μｍ／ＩＣ、従来例３でも１μｍ／ＩＣチップ（バンプ
高さバラツキ±１μｍ以下）というような高精度の基板
４やバンプ３，１０３の均一化が必要であり、実際上
は、ＬＣＤに代表されるガラス基板が用いられている。
これに対して、本発明の上記実施形態によれば、接合時
に回路基板４の反りやうねりを変形させて矯正しながら
接合するので、反りやうねりのある平面度の悪い基板、
例えば、樹脂基板、フレキシブル基板、多層セラミック
基板などを用いることができ、より低廉で汎用性のある
ＩＣチップの接合方法を提供することができる。
【０１３２】また、ＩＣチップ１と回路基板４との間の
熱硬化性樹脂６ｍの体積をＩＣチップ１と回路基板４と
の間の空間の体積より大きくするようにすれば、この空
間からはみ出すように流れ出て、封止効果を奏すること
ができる。よって、従来例１で必要とした導電性接着剤
でＩＣチップと回路基板を接合した後にＩＣチップの下
に封止樹脂（アンダーフィルコート）を行う必要がな
く、工程を短縮することができる。
【０１３３】なお、無機フィラー６ｆを熱硬化性樹脂６
ｍにその５〜９０ｗｔ％程度配合することにより、熱硬
化性樹脂の弾性率、熱膨張係数を基板４に最適なものに
コントロールすることができる。これに加えて、通常の
メッキバンプでこれを利用すると、バンプと回路基板の
間に無機フィラーが入り込み、接合信頼性が低くなる。
しかしながら、本発明の上記実施形態のようにスタッド
バンプ（ワイヤーボンディングを応用した形成方法）を
用いるようにすれば、接合開始当初に熱硬化性樹脂６ｍ
中に入り込んできた尖っているバンプ３，１０３によ
り、無機フィラー６ｆを、よって、熱硬化性樹脂６ｍ
を、バンプ３，１０３の外側方向へ押し出さすことによ
り、バンプ３，１０３が変形していく過程で無機フィラ
ー６ｆと熱硬化性樹脂６ｍをバンプ３，１０３と電極
５，２の間から押し出し、不要な介在物を存在させない
ようにすることができ、より信頼性を向上させることが
できる。
【０１３４】以上、本発明によれば、従来の接合工法よ
りも生産性よく、低廉な電子部品例えばＩＣチップと回
路基板の接合方法及びその装置を提供することができ
る。
【０１３５】
【発明の効果】上記したように、本発明によれば、電子
部品と回路基板を接合するのに従来要した工程の多くを
無くすことができ、非常に生産性を向上させることがで
きる。
【０１３６】また、接合材料として導電粒子の無い絶縁
性樹脂（例えば、熱硬化性樹脂シート又は熱硬化性接着
剤）を用いた場合には、従来例２で示した方法に比べて
絶縁性樹脂中に導電性微片を加える必要が無いため、安
価な電子部品の実装方法及び装置を提供することができ
る。
【０１３７】さらに、以下のような効果をも奏すること
ができる。
【０１３８】（１）バンプ形成 バンプをメッキで形成する方法（従来例３）では、専用
のバンプ形成工程を半導体メーカーで行う必要があり、
限定されたメーカーでしかバンプの形成ができない。と
ころが、本発明によれば、ワイヤボンディング装置によ
り、電子部品の例として汎用のワイヤボンディング用の
ＩＣチップを用いることができ、ＩＣチップの入手が容
易となる。
【０１３９】また、従来例１の方法に比べて、導電性接
着剤の転写といった不安定な転写工程での接着剤の転写
量を安定させるためのバンプレベリングが不要となり、
そのようなレベリング工程用のレベリング装置が不要と
なる。
【０１４０】また、先端が大略円錐状のバンプを電子部
品の電極に形成すれば、バンプを回路基板の電極にズレ
て実装された場合においても、バンプがその先端が大略
円錐形であるためバンプの外径の半分までのズレである
場合はバンプの一部が必ず基板の電極と接触することが
できる。従来のバンプではバンプのいわゆる台座の一部
が接触するが、部分的にしか接触せず不安定な接合とな
る。これを冷熱衝撃試験やリフローにかけた場合に接合
部分がオープンとなる。本発明では、このような不安定
な接合がなくなり、生産歩留まりと信頼性の高い接合を
提供することができる。
【０１４１】（２）ＩＣチップと回路基板の接合 従来例２の方法によれば、接続抵抗は、バンプと回路基
板の電極の間に存在する導電粒子の数に依存していた
が、本発明では、独立した工程としてのレベリング工程
においてバンプをレベリングせずに回路基板の電極に従
来例１、２よりも強い荷重（例えば、１バンプあたり２
０ｇｆ以上の加圧力）で押しつけてバンプと電極とを直
接的に接合することができるため、介在する粒子数に接
続抵抗値が依存せず、安定して接続抵抗値が得られる。
【０１４２】また、従来のレベリング工程では基板電極
との接合時のバンプ高さを一定に整えるために行ってい
るが、本発明ではバンプの押しつぶしを電極への接合と
同時に行うことができるので、独立したレベリング工程
が不要であるばかりでなく、接合時に回路基板の反りや
うねりを変形させて矯正しながら接合することができる
ので、又は、バンプに付着させた導電性ペーストを硬化
して接合時に導電性ペーストを変形させることにより、
バンプのレベリングを一切不要として、接合時に回路基
板の反りやうねりを変形させて矯正しながら接合するの
で、反りやうねりに強い。
【０１４３】ところで、従来例１では１０μｍ／ＩＣチ
ップ（１個のＩＣチップ当たり１０μｍの厚み反り寸法
精度が必要であることを意味する。）、従来例２では２
μｍ／ＩＣ、従来例３でも１μｍ／ＩＣチップ（バンプ
高さバラツキ±１μｍ以下）というような高精度の基板
やバンプの均一化が必要であり、実際上は、ＬＣＤに代
表されるガラス基板が用いられている。これに対して、
本発明によれば、接合時に回路基板の反りやうねりを変
形させて矯正しながら接合することができるので、反り
やうねりのある平面度の悪い基板、例えば、樹脂基板、
フレキシブル基板、多層セラミック基板などを用いるこ
とができ、より低廉で汎用性のあるＩＣチップの接合方
法を提供することができる。
【０１４４】また、電子部品と回路基板との間の絶縁性
樹脂の体積を電子部品と回路基板との間の空間の体積よ
り大きくするようにすれば、この空間からはみ出すよう
に流れ出て、封止効果を奏することができる。よって、
従来例１で必要とした導電性接着剤でＩＣチップと回路
基板を接合した後にＩＣチップの下に封止樹脂（アンダ
ーフィルコート）を行う必要がなく、工程を短縮するこ
とができる。
【０１４５】なお、無機フィラーを絶縁性樹脂にその５
〜９０ｗｔ％程度配合することにより、絶縁性樹脂の弾
性率、熱膨張係数を基板に最適なものにコントロールす
ることができる。これに加えて、通常のメッキバンプで
これを利用すると、バンプと回路基板の間に無機フィラ
ーが入り込み、接合信頼性が低くなる。しかしながら、
本発明のようにスタッドバンプ（ワイヤーボンディング
を応用した形成方法）を用いるようにすれぱ、接合開始
当初に絶縁性樹脂中に入り込んできた尖っているバンプ
により、無機フィラーを、よって、絶縁性樹脂を、バン
プの外側方向へ押し出さすことにより、バンプが変形し
ていく過程で無機フィラーと絶縁性樹脂をバンプと電極
の間から押し出し、不要な介在物を存在させないように
することができ、より信頼性を向上させることができ
る。
【０１４６】また、同じ重量の無機フィラーを配合する
場合には、平均粒径が３μｍ以上の大きな無機フィラー
を用いるようにするか、複数の異なる平均粒径を持つ無
機フィラーを用いるようにするか、一方の無機フィラー
の平均粒径は、他方の無機フィラーの平均粒径の２倍以
上異なっている無機フィラーを用いるようにするか、少
なくとも２種類の無機フィラーのうちの一方の無機フィ
ラーは３μｍを超える平均粒径を持ち、他方の無機フィ
ラーは３μｍ以下の平均粒径を持つ無機フィラーを用い
るようにすれば、無機フィラーの周りにおける吸湿量を
減らしめることができ、耐湿性を向上させることが可能
となるとともに、無機フィラーの量を増加させることが
できて、フィルム化（固体化）することが容易になる上
に、絶縁性樹脂層例えば樹脂シート又は接着剤の線膨張
係数を低下させることができ、より長寿命化させること
ができて、信頼性を向上させることができる。。
【０１４７】さらに、平均粒径の大きい一方の無機フィ
ラーは上記絶縁性樹脂と同一材料からなるようにすれ
ば、応力緩和作用を奏するようにすることができ、又、
平均粒径の大きい一方の無機フィラーは上記絶縁性樹脂
であるエポキシ樹脂よりも柔らかく、上記一方の無機フ
ィラーが圧縮されるようにすれば、応力緩和作用を奏す
るようにすることもできる。
【０１４８】また、電子部品又は上記基板と絶縁性樹脂
層との接合界面では無機フィラーが存在しないかその量
を少なくすれば、絶縁性樹脂本来の接着性が発揮され
て、上記接合界面で接着性の高い絶縁性樹脂が多くな
り、電子部品又は上記基板と絶縁性樹脂との密着強度を
向上させることができて、無機フィラーによる線膨張係
数を下げる効果を持たせたまま、電子部品又は上記基板
との接着性が向上する。これにより、各種信頼性試験で
の寿命が向上するとともに、曲げに対しての剥離強度が
向上する。
【０１４９】さらに、上記電子部品に接触する部分又は
層では、電子部品表面に用いられる膜素材に対して密着
性を向上させる絶縁性樹脂を用いる一方、上記基板に接
触する部分又は層では、基板表面の材料に対して密着性
を向上させる絶縁性樹脂を用いるようにすれば、さらに
密着性を向上させることができる。なお、上記各実施形
態において、上記超音波を印加して上記金バンプと上記
基板の上記電極とを金属接合するとき及び上記基板の反
りの矯正と上記バンプを押しつぶすときの両方の工程に
おいて上記電子部品及び基板の両方とも加熱することな
く、それぞれ、行ったのち、上記電子部品側から、又は
基板側から、又は、上記電子部品側と上記基板側の両方
から加熱するようにしてもよい。
【０１５０】以上、本発明によれば、回路基板と電子部
品を接合した後に、電子部品と基板の間に流し込む封止
樹脂工程やバンプの高さを一定に揃えるバンプレベリン
グ工程を必要とせず、電子部品を基板に生産性良くかつ
高信頼性で接合する回路基板への電子部品の実装方法及
び装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、
（Ｆ）、（Ｇ）はそれぞれ本発明の第１実施形態にかか
る回路基板への電子部品例えばＩＣチップの実装方法を
示す説明図である。
【図２】 （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ第１実施形態にか
かる回路基板への電子部品例えばＩＣチップの実装方法
において、熱硬化性樹脂中の無機フィラーが接合開始当
初に熱硬化性樹脂中に入り込んできた尖っているバンプ
によりバンプ外側方向へ押し出される状態を示す説明
図、及び、（Ｃ）はバンプと基板電極の間に無機フィラ
ーが入り込まない状態を示す説明図である。
【図３】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、
（Ｆ）、（Ｇ）はそれぞれ本発明の第１実施形態におけ
る実装方法において、ＩＣチップのワイヤボンダーを用
いたバンプ形成工程を示す説明図である。
【図４】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ本発明の
第１実施形態にかかる実装方法において、回路基板とＩ
Ｃチップの接合工程を示す説明図である。
【図５】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ本発明の
第１実施形態である実装方法において回路基板とＩＣチ
ップの接合工程を示す説明図である。
【図６】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、本発
明の第３実施形態の実装方法において熱硬化性樹脂シー
トに代えて、熱硬化性接着剤を回路基板上に配置するこ
とを説明するための説明図である。
【図７】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ），
（Ｆ）は、それぞれ、本発明の第３実施形態の実装方法
において、図６の変形例として、熱硬化性樹脂シートに
代えて、熱硬化性接着剤を回路基板上に配置することを
説明するための説明図である。
【図８】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ本発明の
第５実施形態にかかる実装方法において、回路基板とＩ
Ｃチップの接合工程を示す説明図である。
【図９】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ本発明の
第５実施形態である実装方法において回路基板とＩＣチ
ップの接合工程を示す説明図である。
【図１０】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）はそれぞ
れ本発明の第６実施形態である実装方法において回路基
板とＩＣチップの接合工程を示す説明図である。
【図１１】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）
はそれぞれ本発明の第６実施形態である実装方法におい
て回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図であ
る。
【図１２】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）はそれぞ
れ本発明の第７実施形態である実装方法において回路基
板とＩＣチップの接合工程を示す説明図である。
【図１３】 は本発明の第７実施形態である実装方法に
おいて回路基板とＩＣチップの接合工程を示す説明図で
ある。
【図１４】 （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ熱硬化性樹脂シ
ートをＩＣチップ１側に形成した第１実施形態の変形例
を示す説明図、及び、熱硬化性接着剤をＩＣチップ１側
に形成した第１実施形態の変形例を示す説明図である。
【図１５】 従来の回路基板とのＩＣチップの接合方法
を示す断面図である。
【図１６】 （Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ従来の回路基板
とのＩＣチップの接合方法を示す説明図である。
【図１７】 上記第１実施形態において、８０μｍの外
径のバンプの場合の抵抗値と荷重との関係のグラフの図
である。
【図１８】 上記第１実施形態において、８０μｍ，４
０μｍのそれぞれの外径のバンプと最低荷重との関係に
基づき信頼性の高い領域を示したグラフの図である。
【図１９】 上記第３実施形態において、樹脂シートの
加熱温度と反応率とのグラフの図である。
【図２０】 上記第１実施形態で使用される電子部品搭
載装置の斜視図である。
【図２１】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）はそれぞ
れ図２０の電子部品搭載装置での部品側での位置認識動
作を示す斜視図、部品の位置認識画像の図、基板側での
位置認識動作を示す斜視図、基板の位置認識画像の図で
ある。
【図２２】 上記第４実施形態で使用する超音波印加装
置の概略図である。
【図２３】 上記第５実施形態で使用される貼り付け装
置の概略図である。
【図２４】 （Ａ），（Ｂ）はそれぞれＡＣＦ工法と上
記実施形態の工法との比較説明のためのバンプ付近の拡
大断面図である。
【図２５】 本発明の第９実施形態にかかる回路基板へ
の電子部品例えばＩＣチップの実装方法及び装置により
接合された接合状態の模式断面図である。
【図２６】 上記第９実施形態にかかる回路基板への電
子部品例えばＩＣチップの実装方法及び装置により使用
される樹脂シートの部分拡大模式断面図である。
【図２７】 本発明の第１３実施形態にかかる回路基板
への電子部品例えばＩＣチップの実装方法及び装置によ
り接合された接合状態での絶縁性樹脂と無機フィラーの
模式断面図である。
【図２８】 （Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）はそれぞ
れ本発明の第１４実施形態にかかる回路基板への電子部
品例えばＩＣチップの実装方法及び装置により使用され
る絶縁性樹脂層の種々の例を示す電子部品ユニットの模
式断面図である。
【図２９】 （Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）はそれぞ
れ本発明の第１４実施形態の変形例にかかる回路基板へ
の電子部品例えばＩＣチップの実装方法及び装置により
使用される絶縁性樹脂層の種々の例の模式断面図であ
る。
【図３０】 図２９（Ａ）に示された上記第１４実施形
態にかかる回路基板への電子部品例えばＩＣチップの実
装方法及び装置により使用される絶縁性樹脂層を使用し
て接合された接合状態の模式断面図である。
【図３１】 図２９（Ｂ）に示された上記第１４実施形
態にかかる回路基板への電子部品例えばＩＣチップの実
装方法及び装置により使用される絶縁性樹脂層を使用し
て接合された接合状態の模式断面図である。
【図３２】 （Ａ），（Ｂ）は図２９（Ｃ），（Ｄ）に
それぞれ示された上記第１４実施形態にかかる回路基板
への電子部品例えばＩＣチップの実装方法及び装置によ
り使用される絶縁性樹脂層を使用して接合された接合状
態の模式断面図である。
【図３３】 （Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ），
（Ｅ），（Ｆ）はそれぞれ上記第１４実施形態にかかる
回路基板への電子部品例えばＩＣチップの実装方法及び
装置により使用される絶縁性樹脂層の無機フィラーの量
と絶縁性樹脂層の厚み方向の位置との様々な関係のグラ
フを示す図である。
【図３４】 本発明の第１５実施形態にかかる回路基板
への電子部品例えばＩＣチップの実装方法及び装置によ
り使用される絶縁性樹脂層の製造工程の説明図である。
【図３５】 図３４の部分拡大図である。
【符号の説明】
１…ＩＣチップ、２，５…電極、３，１０３…バンプ、
３ｇ…台座、４…回路基板、６…熱硬化性樹脂シート、
６ａ…セパレータ、６ｂ…熱硬化性接着剤、６ｆ…無機
フィラー、６ｆ−１…平均粒径の大きな無機フィラー、
６ｆ−２…平均粒径の小さな無機フィラー、６ｍ…絶縁
性樹脂層（例としては熱硬化性樹脂）、６ｓ…熱硬化さ
れた樹脂、６ｖ…第４樹脂層、６ｗ…第５樹脂層、６ｘ
…第１樹脂層、６ｙ…第２樹脂層、６ｚ…第３樹脂層、
７…貼付けツール、８…接合ツール、８ａ…ヒータ、
９，１０９，２０１…ステージ、９３，１９３…キャピ
ラリー、１９３ａ…先端部位、９３ｂ…平らな部位、９
５…ワイヤ、９６，９６ａ…ボール、９８…湾曲部、９
９…ループ、２００…保持部材、６７０…ローラ、６７
１…絶縁性樹脂シート体、６７２…ベースフィルム、６
７３…第１樹脂シート、６７４…第２樹脂シート、７０
０…ＩＣチップ及び／又は基板に接触する部分（無機フ
ィラー量が少ないか、もしくは上記無機フィラーを配合
しない部分）、７０１…他の部分（無機フィラー量が多
い部分）、７０２…無機フィラー量が少ないか、もしく
は上記無機フィラーを配合しない部分、７０３…無機フ
ィラー量が多い部分。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 和田 義則 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 大谷 博之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F044 KK02 KK04 KK07 KK21 LL11 RR01

Claims (50)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ワイヤボンディングと同様に金属線（９
    ５）の先端に電気スパークによりボール（９６，９６
    ａ）を形成し、上記形成されたボールをキャピラリー
    （９３，１９３）により電子部品（１）の電極（２）に
    超音波熱圧着してバンプ（３，１０３）を形成し、 上記形成されたバンプをレベリングせずに、絶縁性樹脂
    （６ｍ）に無機フィラー（６ｆ）を配合した固体又は半
    固体の絶縁性樹脂層（６，６ｂ）を介在させながら、上
    記電子部品の上記電極と回路基板（４）の電極（５）と
    を位置合わせして上記電子部品を上記基板に搭載し、 その後、上記電子部品側から加熱しながら、又は基板側
    から加熱しながら、又は、上記電子部品側と上記基板側
    の両方から加熱しながら、ツール（８）により上記電子
    部品を上記回路基板に１バンプあたり２０ｇｆ以上の加
    圧力により押圧し、上記基板の反りの矯正と上記バンプ
    を押しつぶしながら、上記電子部品と上記回路基板の間
    に介在する上記絶縁性樹脂層を硬化して、上記電子部品
    と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上
    記回路基板の上記電極を電気的に接続するようにしたこ
    とを特徴とする電子部品の実装方法。
  2. 【請求項２】 上記バンプを形成したのち、上記絶縁性
    樹脂（６ｍ）に上記無機フィラー（６ｆ）を配合した上
    記固体又は半固体の絶縁性樹脂層（６，６ｂ）を介在さ
    せながら、上記電子部品の上記電極と上記回路基板
    （４）の上記電極（５）とを位置合わせして上記電子部
    品を上記基板に搭載する前に、 上記形成されたバンプを、一度、２０ｇｆ以下の荷重で
    押圧して上記バンプのネック部分の倒れを防止するよう
    に先端を整えるようにした請求項１に記載の電子部品の
    実装方法。
  3. 【請求項３】 上記絶縁性樹脂（６ｍ）が絶縁性熱硬化
    性エポキシ樹脂であり、この絶縁性熱硬化性エポキシ樹
    脂に配合する上記無機フィラーの量は上記絶縁性熱硬化
    性エポキシ樹脂の５〜９０ｗｔ％である請求項１又は２
    に記載の電子部品の実装方法。
  4. 【請求項４】 上記絶縁性樹脂（６ｍ）は当初上記基板
    に塗布する際に液体であり、上記基板に塗布後、上記基
    板を炉（５０３）内に入れて上記塗布された絶縁性樹脂
    の液体を硬化させることにより、又は、加熱されたツー
    ル（７８）により上記塗布された絶縁性樹脂の液体を押
    圧することにより、半固体化したのち、上記電子部品を
    上記基板に搭載する請求項１〜３のいずれかに記載の電
    子部品の実装方法。
  5. 【請求項５】 ワイヤボンディングと同様に金属線（９
    ５）の先端に電気スパークによりボール（９６，９６
    ａ）を形成し、上記形成されたボールをキャピラリー
    （９３，１９３）により電子部品（１）の電極（２）に
    超音波熱圧着して金バンプ（３，１０３）を形成し、 上記形成されたバンプをレベリングせずに、絶縁性樹脂
    （６ｍ）に無機フィラー（６ｆ）を配合した固体又は半
    固体の絶縁性樹脂層（６，６ｂ）を介在させながら、上
    記電子部品の上記電極と回路基板（４）の電極（５）と
    を位置合わせして上記電子部品を上記基板に搭載し、 その後、ツール（８）により上記電子部品の上面側から
    荷重を印加して上記金バンプのネック部分の倒れを防止
    するように先端を整えるとともに超音波を印加して上記
    金バンプと上記基板の上記電極とを金属接合し、 次に、上記電子部品の上記上面側から加熱しながら、又
    は、上記基板側から加熱しながら、又は、上記電子部品
    側と上記基板側の両方から加熱しながら、上記電子部品
    を上記回路基板に１バンプあたり２０ｇｆ以上の加圧力
    により押圧し、上記基板の反りの矯正と上記バンプを押
    しつぶしながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介
    在する上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電子部品と上記
    回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路
    基板の上記電極を電気的に接続するようにしたことを特
    徴とする電子部品の実装方法。
  6. 【請求項６】 上記電子部品（１）は複数の電極（２）
    を有し、上記位置合わせの前に、上記回路基板（４）
    に、上記絶縁性樹脂層として、上記電子部品（１）の上
    記複数の電極（２）を結んだ外形寸法（ＯＬ）より小さ
    い形状寸法の固形の絶縁性樹脂シート（６）を貼り付け
    たのち上記位置合わせを行い、上記接合においては、上
    記絶縁性樹脂シート（６）を加熱しながら、上記電子部
    品を上記回路基板に加圧押圧して、上記回路基板の反り
    の矯正を同時に行いながら、上記電子部品と上記回路基
    板の間に介在する上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電子
    部品と上記回路基板を接合するようにした請求項１〜５
    のいずれかに記載の電子部品の実装方法。
  7. 【請求項７】 上記バンプを上記電子部品上に形成する
    際にワイヤボンディングと同様に金属線（９５）の先端
    に電気スパークにより金ボール（９６ａ）を形成すると
    き、チャムファー角（θｃ）を１００°以下とし、か
    つ、上記金ボールと接する部分に平らな部位を設けない
    先端形状を有する上記キャピラリーにより、先端が大略
    円錐状の上記金バンプを上記電子部品の上記電極に形成
    する請求項１〜６のいずれかに記載の電子部品の実装方
    法。
  8. 【請求項８】 ワイヤボンディングと同様に金属線（９
    ５）の先端に電気スパークによりボール（９６，９６
    ａ）を形成し、上記形成されたボールをキャピラリー
    （９３，１９３）により電子部品（１）の電極（２）に
    バンプ（３，１０３）を形成し、 上記形成されたバンプをレベリングせずに、絶縁性樹脂
    （６ｍ）に無機フィラー（６ｆ）を配合した固体又は半
    固体の絶縁性樹脂層（６，６ｂ）を介在させながら、上
    記電子部品の上記電極と回路基板（４）の電極（５）と
    を位置合わせして上記電子部品を上記基板に搭載し、 その後、所定温度に加熱されたツール（８）により上記
    電子部品の上面から加熱しながら、加圧力として上記電
    子部品を上記回路基板に圧力Ｐ１により押圧して上記基
    板の反りの矯正を行いながら、上記電子部品と上記回路
    基板の間に介在する上記絶縁性樹脂を硬化し、 その後、所定時間後、上記加圧力を上記圧力Ｐ１より低
    い圧力Ｐ２に降下させて上記絶縁性樹脂の硬化時の応力
    を緩和しながら、上記電子部品と上記回路基板を接合し
    て上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を
    電気的に接続するようにしたことを特徴とする電子部品
    の実装方法。
  9. 【請求項９】 上記圧力Ｐ１は２０ｇｆ／バンプ以上、
    上記圧力Ｐ２は上記圧力Ｐ１の１／２以下とする請求項
    ８に記載の電子部品の実装方法。
  10. 【請求項１０】 絶縁性樹脂（６ｍ）に無機フィラー
    （６ｆ）を配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂層
    （６，６ｂ）を、回路基板（４）の電極（５）又は電子
    部品（１）に貼り付ける装置（７，１０９，２００，２
    ０１）と、 上記電子部品（１）の電極（２）にワイヤボンディング
    と同様に金属線（９５）の先端に電気スパークによりボ
    ール（９６，９６ａ）を形成し、これをキャピラリー
    （９３，１９３）により上記基板の上記電極に超音波熱
    圧着して形成してレベリングしないバンプ（３，１０
    ３）を形成する装置（９３，１９３）と、 上記電子部品を上記回路基板（４）の上記電極（５）に
    位置合わせして搭載する装置（６００）と、 ツール（８）により、加熱しながら、上記電子部品を上
    記回路基板に１バンプあたり２０ｇｆ以上の加圧力によ
    り押圧し、上記基板の反りの矯正を行いながら、上記電
    子部品と上記回路基板の間に介在する上記絶縁性樹脂を
    硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合して上記
    電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的
    に接続する装置（８，９）とを備えるようにしたことを
    特徴とする電子部品の実装装置。
  11. 【請求項１１】 上記絶縁性樹脂が絶縁性熱硬化性エポ
    キシ樹脂であり、この絶縁性熱硬化性エポキシ樹脂に配
    合する上記無機フィラーの量は上記絶縁性熱硬化性エポ
    キシ樹脂の５〜９０ｗｔ％である請求項１０に記載の電
    子部品の実装装置。
  12. 【請求項１２】 上記絶縁性樹脂（６ｍ）は液体であ
    り、上記絶縁性樹脂の液体を上記基板に塗布するディス
    ペンサ（５０２）と、 該ディスペンサにより上記基板に塗布された上記絶縁性
    樹脂の液体を、上記塗布された基板を挿入して硬化させ
    て上記絶縁性樹脂を半固体化する炉（５０３）とを備え
    るようにした請求項１０又は１１に記載の電子部品の実
    装装置。
  13. 【請求項１３】 上記絶縁性樹脂（６ｍ）は液体であ
    り、上記絶縁性樹脂の液体を上記基板に塗布するディス
    ペンサ（５０２）と、 該ディスペンサにより上記基板に塗布された上記絶縁性
    樹脂の液体を押圧して上記絶縁性樹脂を半固体化する装
    置（７８）とを備える請求項１０又は１１に記載の電子
    部品の実装装置。
  14. 【請求項１４】絶縁性樹脂（６ｍ）に無機フィラー（６
    ｆ）を配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂層（６，６
    ｂ）を、回路基板（４）の電極（５）又は電子部品
    （１）に貼り付ける装置（７，１０９，２００，２０
    １）と、 上記電子部品（１）の電極（２）にワイヤボンディング
    と同様に金属線（９５）の先端に電気スパークによりボ
    ール（９６，９６ａ）を形成し、これをキャピラリー
    （９３，１９３）により上記基板の上記電極に超音波熱
    圧着して形成してレベリングしない金バンプ（３，１０
    ３）を形成する装置（９３，１９３）と、上記電子部品
    を上記回路基板（４）の上記電極（５）に位置合わせし
    て搭載する装置（６００）と、 ツール（６２８）により上記電子部品の上面から荷重を
    印加して上記金バンプのネック部分の倒れを防止するよ
    うに先端を整えるとともに超音波を印加して上記金バン
    プと上記基板の上記電極とを金属接合する装置（６２
    ０）と、 ツール（８）により加熱しながら、上記電子部品を上記
    回路基板に１バンプあたり２０ｇｆ以上の加圧力により
    押圧し、上記基板の反りの矯正を行うとともに上記バン
    プを押しつぶしながら、上記電子部品と上記回路基板の
    間に介在する上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電子部品
    と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上
    記回路基板の上記電極を電気的に接続する装置（８，
    ９）とを備えるようにしたことを特徴とする電子部品の
    実装装置。
  15. 【請求項１５】 上記位置合わせの前に、上記回路基板
    （４）に、上記絶縁性樹脂層として、上記電子部品
    （１）の電極（２）を結んだ外形寸法（ＯＬ）より小さ
    い形状寸法の固形の絶縁性樹脂シート（６）を貼り付け
    る装置（６４０）と、 この後、上記回路基板と電子部品の位置合わせを行い装
    着する装置（６００）と、 接合においては、上記絶縁性樹脂シート（６）を加熱し
    ながら、上記電子部品を上記回路基板に加圧押圧して、
    上記回路基板の反りの矯正を同時に行いながら、上記電
    子部品と上記回路基板の間に介在する上記絶縁性樹脂シ
    ートを硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合す
    る装置（７，８）を具備する請求項１０〜１３のいずれ
    かに記載の電子部品の実装装置。
  16. 【請求項１６】 上記金ボール（９６ａ）を形成する装
    置（９３，１９３）は、上記金ボールと接する部分に平
    らな部位を設けない先端形状を有するとともにチャムフ
    ァー角（θｃ）が１００°以下となる上記キャピラリー
    を有して、該キャピラリーにより、先端が大略円錐状の
    上記金バンプを上記電子部品の上記電極に形成する請求
    項１０〜１５のいずれかに記載の電子部品の実装装置。
  17. 【請求項１７】 絶縁性樹脂（６ｍ）に無機フィラー
    （６ｆ）を配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂層
    （６，６ｂ）を回路基板（４）又は電子部品（１）に貼
    り付ける装置（７，１０９，２００，２０１）と、 上記電子部品（１）の電極（２）にワイヤボンディング
    同様に金属線（９５）の先端に電気スパークによりボー
    ル（９６，９６ａ）を形成し、これをキャピラリー（９
    ３，１９３）により上記基板の上記電極に形成してレベ
    リングしないバンプ（３，１０３）を形成する装置（９
    ３，１９３）と、 上記電子部品を上記回路基板（４）の上記電極（５）に
    位置合わせして搭載する装置（６００）と、 所定温度に加熱されたツール（８）により、上記電子部
    品の上面から加熱しながら、加圧力として上記電子部品
    を上記回路基板に圧力Ｐ１により押圧して上記基板の反
    りの矯正を行いながら、上記電子部品と上記回路基板の
    間に介在する上記絶縁性樹脂を硬化し、その後、所定時
    間後、上記加圧力を上記圧力Ｐ１より低い圧力Ｐ２に降
    下させて上記絶縁性樹脂の硬化時の応力を緩和しながら
    上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の
    上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続する
    装置（８，９）とを備えるようにしたことを特徴とする
    電子部品の実装装置。
  18. 【請求項１８】 上記圧力Ｐ１は２０ｇｆ／バンプ以
    上、上記圧力Ｐ２は上記圧力Ｐ１の１／２以下とする請
    求項１７に記載の電子部品の実装装置。
  19. 【請求項１９】 上記絶縁性樹脂に配合する上記無機フ
    ィラーの平均粒径が３μｍ以上であることを特徴とする
    請求項１〜３のいずれかに記載の電子部品の実装方法。
  20. 【請求項２０】 上記絶縁性樹脂に配合する上記無機フ
    ィラーは、異なる平均粒径を持つ複数種類の無機フィラ
    ー（６ｆ−１，６ｆ−２）である請求項１〜３，１９の
    いずれかに記載の電子部品の実装方法。
  21. 【請求項２１】 上記絶縁性樹脂に配合する上記無機フ
    ィラーは、複数の異なる平均粒径を持つ少なくとも２種
    類の無機フィラー（６ｆ−１，６ｆ−２）であって、上
    記少なくとも２種類の無機フィラーのうちの一方の無機
    フィラー（６ｆ−１）の平均粒径は、上記少なくとも２
    種類の無機フィラーのうちの他方の無機フィラー（６ｆ
    −２）の平均粒径の２倍以上異なっている請求項１〜
    ３，１９のいずれかに記載の電子部品の実装方法。
  22. 【請求項２２】 上記絶縁性樹脂に配合する上記無機フ
    ィラーは、複数の異なる平均粒径を持つ少なくとも２種
    類の無機フィラー（６ｆ−１，６ｆ−２）であって、上
    記少なくとも２種類の無機フィラーのうちの一方の無機
    フィラー（６ｆ−１）は３μｍを超える平均粒径を持
    ち、上記少なくとも２種類の無機フィラーのうちの他方
    の無機フィラー（６ｆ−２）は３μｍ以下の平均粒径を
    持つ請求項１〜３，１９のいずれかに記載の電子部品の
    実装方法。
  23. 【請求項２３】 上記絶縁性樹脂（６ｍ）に配合する上
    記無機フィラー（６ｆ）は、複数の異なる平均粒径を持
    つ少なくとも２種類の無機フィラー（６ｆ−１，６ｆ−
    ２）であって、上記少なくとも２種類の無機フィラーの
    うちの平均粒径の大きい一方の無機フィラー（６ｆ−
    １）は上記絶縁性樹脂と同一材料からなることにより、
    応力緩和作用を奏する請求項１〜３，１９のいずれかに
    記載の電子部品の実装方法。
  24. 【請求項２４】 上記絶縁性樹脂（６ｍ）に配合する上
    記無機フィラー（６ｆ）は、複数の異なる平均粒径を持
    つ少なくとも２種類の無機フィラー（６ｆ−１，６ｆ−
    ２）であって、上記少なくとも２種類の無機フィラーの
    うちの平均粒径の大きい一方の無機フィラー（６ｆ−
    １）は上記絶縁性樹脂（６ｍ）であるエポキシ樹脂より
    も柔らかく、上記一方の無機フィラー（６ｆ−１）が圧
    縮されることにより、応力緩和作用を奏する請求項１〜
    ３，１９のいずれかに記載の電子部品の実装方法。
  25. 【請求項２５】 上記絶縁性樹脂層（６，６ｂ）は、上
    記電子部品又は上記基板のいずれか一方に接触する部分
    が、他の部分よりも上記無機フィラー量が少ないように
    した請求項１〜３，１９〜２４のいずれかに記載の電子
    部品の実装方法。
  26. 【請求項２６】 上記絶縁性樹脂層（６，６ｂ）は、上
    記電子部品又は上記基板のいずれか一方に接触する部分
    に位置されかつ上記絶縁性樹脂と同一の絶縁性樹脂に上
    記無機フィラーを配合した第１樹脂層（６ｘ）と、上記
    第１樹脂層に接触し、かつ、上記第１樹脂層よりも上記
    無機フィラー量が少ない絶縁性樹脂で構成される第２樹
    脂層（６ｙ）とを備える請求項２５に記載の電子部品の
    実装方法。
  27. 【請求項２７】 上記絶縁性樹脂層（６，６ｂ）は、上
    記電子部品及び上記基板にそれぞれ接触する部分が、他
    の部分よりも上記無機フィラー量が少ないようにした請
    求項２５に記載の電子部品の実装方法。
  28. 【請求項２８】 上記絶縁性樹脂層（６，６ｂ）は、上
    記第１樹脂層の上記第２樹脂層とは反対側に、上記第１
    樹脂層よりも上記無機フィラー量が少ない絶縁性樹脂で
    構成される第３樹脂層（６ｚ）をさらに備えて、上記第
    １樹脂層と上記第３樹脂層は、それぞれ、上記電子部品
    と上記基板に接触する請求項２６に記載の電子部品の実
    装方法。
  29. 【請求項２９】 上記電子部品及び上記基板にそれぞれ
    接触する部分は、その上記無機フィラー量が２０ｗｔ％
    未満にする一方、上記他の部分はその上記無機フィラー
    量が２０ｗｔ％以上である請求項２７に記載の電子部品
    の実装方法。
  30. 【請求項３０】 上記第１樹脂層及び上記第３樹脂層の
    それぞれは、その上記無機フィラー量が２０ｗｔ％未満
    にする一方、上記第２樹脂層はその上記無機フィラー量
    が２０ｗｔ％以上である請求項２８に記載の電子部品の
    実装方法。
  31. 【請求項３１】 上記絶縁性樹脂層（６，６ｂ）は、上
    記電子部品又は上記基板のいずれか一方に接触する部分
    から他の部分に向かって、上記無機フィラー量が徐々に
    又は段階的に少なくなるようにした請求項１〜３，１９
    〜２４のいずれかに記載の電子部品の実装方法。
  32. 【請求項３２】 上記絶縁性樹脂層（６，６ｂ）は、上
    記電子部品及び上記基板にそれぞれ接触する部分から他
    の部分に向かって、上記無機フィラー量が徐々に又は段
    階的に少なくなるようにした請求項３１に記載の電子部
    品の実装方法。
  33. 【請求項３３】 上記電子部品に接触する部分では、電
    子部品表面に用いられる膜素材に対して密着性を向上さ
    せる絶縁性樹脂を用いる一方、上記基板に接触する部分
    では、基板表面の材料に対して密着性を向上させる絶縁
    性樹脂を用いるようにした請求項２５，２７，２９，３
    １のいずれかに記載の電子部品の実装方法。
  34. 【請求項３４】 上記電子部品に接触する上記樹脂層で
    は、電子部品表面に用いられる膜素材に対して密着性を
    向上させる絶縁性樹脂を用いる一方、上記基板に接触す
    る上記樹脂層では、基板表面の材料に対して密着性を向
    上させる絶縁性樹脂を用いるようにした請求項２６，２
    ８，３０，３２のいずれかに記載の電子部品の実装方
    法。
  35. 【請求項３５】 上記絶縁性樹脂層（６，６ｂ）は、上
    記電子部品又は上記基板のいずれか一方に接触する部分
    が、上記無機フィラーを配合しないようにした請求項１
    〜３，１９〜２４のいずれかに記載の電子部品の実装方
    法。
  36. 【請求項３６】 上記絶縁性樹脂層（６，６ｂ）は、上
    記電子部品又は上記基板のいずれか一方に接触する部分
    に位置されかつ上記絶縁性樹脂と同一の絶縁性樹脂に上
    記無機フィラーを配合した第１樹脂層（６ｘ）と、上記
    第１樹脂層に接触し、かつ、上記無機フィラーを配合し
    ない絶縁性樹脂で構成される第２樹脂層（６ｙ）とを備
    える請求項３５に記載の電子部品の実装方法。
  37. 【請求項３７】 上記絶縁性樹脂層（６，６ｂ）は、上
    記電子部品及び上記基板にそれぞれ接触する部分が、上
    記無機フィラーを配合しないようにした請求項３５に記
    載の電子部品の実装方法。
  38. 【請求項３８】 上記絶縁性樹脂層（６，６ｂ）は、上
    記第１樹脂層の上記第２樹脂層とは反対側に、上記無機
    フィラーを配合しない絶縁性樹脂で構成される第３樹脂
    層（６ｚ）をさらに備えて、上記第１樹脂層と上記第３
    樹脂層は、それぞれ、上記電子部品と上記基板に接触す
    る請求項３６に記載の電子部品の実装方法。
  39. 【請求項３９】 上記電子部品及び上記基板にそれぞれ
    接触する部分は、上記無機フィラーを配合しないように
    する一方、上記他の部分はその上記無機フィラー量が２
    ０ｗｔ％以上である請求項３７に記載の電子部品の実装
    方法。
  40. 【請求項４０】 上記第１樹脂層及び上記第３樹脂層の
    それぞれは、上記無機フィラーを配合しないようにする
    一方、上記第２樹脂層はその上記無機フィラー量が２０
    ｗｔ％以上である請求項３８に記載の電子部品の実装方
    法。
  41. 【請求項４１】 上記絶縁性樹脂層（６，６ｂ）は、上
    記電子部品及び上記基板に接触する部分に位置されかつ
    上記無機フィラーを配合した絶縁性樹脂で構成される第
    ４樹脂層（６ｖ）と、上記電子部品と上記基板との中間
    部分に位置されかつ上記第４樹脂層よりも上記無機フィ
    ラー量が少ない絶縁性樹脂で構成される第５樹脂層（６
    ｗ）とを備える請求項１〜３，１９〜２４のいずれかに
    記載の電子部品の実装方法。
  42. 【請求項４２】 上記絶縁性樹脂層（６，６ｂ）は、上
    記電子部品及び上記基板に接触する部分に位置されかつ
    上記無機フィラーを配合した絶縁性樹脂で構成される第
    ４樹脂層（６ｖ）と、上記電子部品と上記基板との中間
    部分に位置されかつ上記無機フィラー量が含まれていな
    い絶縁性樹脂で構成される第５樹脂層（６ｗ）とを備え
    る請求項１〜３，１９〜２４のいずれかに記載の電子部
    品の実装方法。
  43. 【請求項４３】 上記絶縁性樹脂層（６，６ｂ）は、上
    記電子部品及び上記基板にそれぞれ接触する部分から、
    上記電子部品及び上記基板との中間部分に向かって、上
    記無機フィラー量が徐々に少なくなるようにした請求項
    １〜３，１９〜２４のいずれかに記載の電子部品の実装
    方法。
  44. 【請求項４４】 上記絶縁性樹脂層（６，６ｂ）は、上
    記電子部品の近傍部分、次いで、上記基板の近傍部分、
    次いで、上記電子部品の近傍部分と上記基板の近傍部分
    との中間部分の順に上記無機フィラー量が少ないように
    した請求項１〜３，１９〜２４のいずれかに記載の電子
    部品の実装方法。
  45. 【請求項４５】 上記絶縁性樹脂層（６，６ｂ）の上記
    電子部品の近傍部分と上記基板の近傍部分とのそれぞれ
    の無機フィラー量は、上記電子部品の上記絶縁性樹脂層
    に接触する部分の線膨張係数と上記基板の上記絶縁性樹
    脂層に接触する部分の線膨張係数とにそれぞれ対応して
    配合されるようにした請求項４３又は４４に記載の電子
    部品の実装方法。
  46. 【請求項４６】 電子部品（１）の電極（２）に形成さ
    れたバンプ（３，１０３）を、絶縁性樹脂（６ｍ）に無
    機フィラー（６ｆ）が配合されかつ硬化された絶縁性樹
    脂層（６，６ｂ）を介在させかつ上記バンプが押しつぶ
    された状態で、回路基板（４）の電極（５）に接合され
    て上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を
    電気的に接続しており、 上記絶縁性樹脂層（６，６ｂ）は、上記電子部品又は上
    記基板のいずれか一方に接触する部分が、他の部分より
    も上記無機フィラー量が少ないようにしたことを特徴と
    する電子部品ユニット。
  47. 【請求項４７】 電子部品（１）の電極（２）に形成さ
    れたバンプ（３，１０３）を、絶縁性樹脂（６ｍ）に無
    機フィラー（６ｆ）が配合されかつ硬化された絶縁性樹
    脂層（６，６ｂ）を介在させかつ上記バンプが押しつぶ
    された状態で、回路基板（４）の電極（５）に接合され
    て上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を
    電気的に接続しており、 上記絶縁性樹脂層（６，６ｂ）は、上記電子部品又は上
    記基板のいずれか一方に接触する部分に位置されかつ上
    記絶縁性樹脂と同一の絶縁性樹脂に上記無機フィラーを
    配合した第１樹脂層（６ｘ）と、上記第１樹脂層に接触
    し、かつ、上記第１樹脂層よりも上記無機フィラー量が
    少ない絶縁性樹脂で構成される第２樹脂層（６ｙ）とを
    備えるようにしたことを特徴とする電子部品ユニット。
  48. 【請求項４８】 上記超音波を印加して上記金バンプと
    上記基板の上記電極とを金属接合するとき、上記電子部
    品の上記上面側から加熱しながら、又は、上記基板側か
    ら加熱しながら、又は、上記電子部品側と上記基板側の
    両方から加熱するようにした請求項５に記載の電子部品
    の実装方法。
  49. 【請求項４９】 請求項１〜９，１９〜４５，４８のい
    ずれかに記載の電子部品の実装方法により上記電子部品
    が上記基板に実装された電子部品ユニット。
  50. 【請求項５０】 上記超音波を印加して上記金バンプと
    上記基板の上記電極とを金属接合する装置は、上記電子
    部品の上記上面側から、又は、上記基板側から、又は、
    上記電子部品側と上記基板側の両方から加熱する加熱部
    材を備えて、上記金属接合時に上記加熱部材により加熱
    するようにした請求項１４に記載の電子部品の実装装
    置。
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