KR940010105A - 전압공급회로 및 이 회로를 포함하는 반도체 장치 - Google Patents
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Abstract
내부강압컨버터(1a)의 레벨시프터회로(50)는 저항성분(R1)을 구성하는 채널 MOS트랜지스터(501)과 저항성분(R2)을 구성하는 저항(502)을 포함한다.
저항성분(R1)의 온도계수는 저항성분(R2)의 온도계수보다 크게 성절되므로 레벨시프터회로(50)의 출력전압은 부의 온도특성을 갖는다.
기준전압 발생회로(10)에서 발생한 기준전압(Vref P)이 고온동작시 하강하면 레벨시프터회로(50)의 출력전압도 동시에 하강한다.
그러므로 동작온도의 변동으로 인한 내부전압(VintP)의 변동이 보상된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 제1실시예에 의한 내부강압 컨버터의 구성을 표시하는 회로도,
제2도는 제2실시예에 의한 내부강압 컨버터의 구성을 표시하는 희로도,
제3도는 제3실시예에 의한 내부강압 컨버터의 구성을 표시하는 회로도.
Claims (54)
- 외부전원전압(Vext)에 의하여 구동되고 출력전압(Vint P;Vr′)를 공급하는 전압공급 회로이며, 상기 외부전원전압(Vext)에 의하여 구동되고 기준전압(Vref P;Vr)를 발생하는 기준전압발생수단(10)과, 상기 전원전압(Vext)를 받아서 상기 출력전압(Vint P)를 공급하는 드라이버수단(30)과, 상기 드라이버수단(30)에 의하여 공급된 출력전압(Vint P)을 저항 분할하여 이 분할된 출력전압을 공급하며, 다른 온도계수(α1)(α2)의 저항치를 가진 제1 및 제2의 저항수단(R1)(R2)를 포함하는 분압수단(50)(80)과, 상기 분압수단(50)(80)에 의하여 공급된 분할된 출력전압과 상기 기준전압발생수단(10)에 의하여 발생된 기준전압(Vref P)(Vr)를 비교하고 상기 분할된 출력전압과 기준전압간의 차에 기준하여 상기 드라이버수단(30)을 제어하는 비교수단(20)으로 구성된 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제1항에 있어서, 상기 제1저항수단(R1)은 상기 출력전압(Vint P)을 받는 노드(L3)와 저항분할로 얻은 상기 분할된 출력전압을 출력하는 출력노드(N5)사이에 접속되고, 상기 제2저항수단(R2)은 상기 출력노드(N5)와 소정의 전위간에 접속되며, 상기 제1저항수단(R1)의 저항치는 제1온도계수(α1)를 갖고 있으며, 상기 제2 저항수단(R2)의 저항치는 상기 제1온도계수(α1)보다 작은 제2온도계수(α2)를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제2항에 있어서, 상기 제1온도계수(α1)은 정(正)의 특성이고, 상기 제2온도계수(α2)는 부(負)의 특성인 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제2항에 있어서, 상기 제1저항수단(R1)은 상기 출력전압(Vint P)(Vr′)을 받는 노드(L3)와 상기 출력노드(N5)간에 접속되고 소정의 활성화신호(/VDCEP)를 받는 게이트가 있는 트랜지스터(501)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제2항에 있어서, 상기 드라이버수단(30)은 상기 전원전압(Vext)을 받는 노드(L1)과 상기 출력전압(Vint P)(Vr′)을 받는 노드(L3)(L6)간에 접속되고 상기 비교수단(20)의 출력신호를 받는 게이트가 있는 트랜지스터(301)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제1항에 있어서, 상기 드라이버수단(30)은 상기 출력전압(Vint P)를 전원전압으로서 내부회로에 공급하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제1항에 있어서, 상기 드라이버수단(30)은 상기 출력전압을 기준전압(Vr′)로서 내부회로에 공급하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제1항에 있어서, 상기 드라이버수단(30)은 상기 출력전압(Vr′)을 버퍼수단(200)으로 공급하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 전원전압을 강압변환하고 강압변환된 전압을 전원전압(Vext P)로서 내부회로에 공급하는 강압컨버터이며, 상기 전원전압(Vext)에 의하여 구동되고 기준전압(Vref P)을 발생하는 기준전압발생수단(10)과, 상기 전원전압(Vint)을 상기 내부회로에 공급하는 드라이버수단(30)과, 상기 드라이버수단(30)에 의하여 공급된 전원전압(Vint)을 저항분할하여 분할된 출력전압을 공급하는 분압수단(60)과, 상기 분압수단(60)에 의하여 공급된 분할된 출력전압과 상기 기준전압발생수단(10)에 의하여 발생된 기준전압(Vref P)를 비교하고 상기 분할된 출력전압과 기준전압의 차에 기준하여 상기 드라이버수단(30)을 제어하는 비교수단(20)과, 상기 분압수단(60)의 분압비를 조정하는 조정수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 내부강압컨버터.
- 제9항에 있어서, 상기 분압수단(60)은 직렬로 접속된 제1및 제2의 저항수단(600)(610)은 포함하고, 상기 조정수단은 제3저항수단(601∼60n)(611∼61n)과 접속수단(L11∼L1n)(L21∼L2n)를 포함하고 상기 제3저항수단(601∼60n)(611∼61n)을 제1 및/또는 제2의 저항수단(600)(610)과 접속/차단 하는 것을 특징으로 하는 강압컨버터.
- 제10항에 있어서, 상기 제3저항수단은 복수의 저항수단(601∼60n)(611∼61n)을 포함하고 상기 접속수단은 복수의 링크수단(L11∼L1n)(L21∼L2n)을 포함하여 상기 복수의 저항수단(601∼60n)(611-61n)중 일부를 상기 제1 또는 제2의 저항수단(600)(610)에 선택적으로 접속/차단하는 것을 특징으로 하는 강압컨버터.
- 제11항에 있어서, 상기 복수의 링크수단은 각각 레이저 빔으로 절단될 수 있는 퓨즈링크(L11∼L1n)(L21∼L2n)를 포함하는 것을 특징으로 하는 강압컨버터.
- 제 10항에 있어서, 상기 제1저항수단은 상기 전원전압(Vext)을 받는 노드(L3)와 출력노드(N5)간에 접속되어 상기 저항분할에 의하여 얻은 출력 전압 출력하고 소정활성화신호(/VDCEP)를 받는 게이트가 있는 트랜지스터(600)를 포함하는 것을 특징으로 하는 강압컨버터.
- 제9항에 있어서, 상기 드라이버수단(30)은 상기 전원전압(Vext)을 받는 노드(L1)와 상기 전원전압(Vint P)을 받는 노드(L3)간에 접속되고 상기 비교수단(20)의 출력 신호를 받는 게이트를 가진 트랜지스터(301)를 포함하는 강압컨버터.
- 제9항에 있어서, 상기 기준전압박생수단(10)은 상기 기준전압(Vref P)로서 상기 전원전압(Vext)의 절반의 전압을 발생하는 것을 특징으로 하는 강압컨버터.
- 전원전압(Vext)을 강압변환하여 이 강압변환된 전압을 전원전압(Vint P)로서 내부회로에 공급하는 강압컨버터이며, 상기 전원전압(Vext)에 의하여 구동되고 기준전압(Vref P)을 발생하는 기준전압발생수단(10)과, 상기 전원전압(Vint P)을 내부회로에 공급하는 드라이버수단(30)과, 이 드라이버수단(30)에 의하여 공급되는 전원전압(Vint P)을 저항분할하여 소정 출력 전압을 공급하는 분압수단(60)과, 상기 분압수단(60)에 의하여 공급되는 출력전압과 상기 기준전압발생수단(10)에 의하여 발생되는 기준전압(Vref P)을 비교하고 상기 출력전압과 기준전압의 차에 기준하여 상기 드라이버수단(30)을 제어하는 비교수단(20)과, 상기 분압수단(60)의 분압비를 조정하는 조정수단(L11∼L1n)(L21∼L2n)을 구비하고, 상기 드라이 버수단(30)은 상기 전원전압(Vext)을 받는 노드(L1)와 전원전압(Vint P)을 받는 출력노드(L3)간에 접속되고 상기 비교수단(20)의 출력신호를 받는 게이트를 가진 트랜지스터(301)를 포함하고, 상기 외부 전원전압(Vext)보다 낮고 상기 외부 전원전압(Vext)에서 상기 트랜지스터(301)의 임계치 전압과 소정의 한계치를 삭감한 전압보다 높은 상기 전원전압(Vint P)으로서 공급하는 것을 특징으로 하는 내부강압컨버터.
- 제16항에 있어서, 상기 트랜지스터(301)는 P채널 전계효과 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 내부강압컨버터.
- 제16항에 있어서, 상기 기준전압발생수단(10)은 상기 전원전압(Vext)의 절반의 전압을 상기 기준전압(Vref P)로서 발생하는 것을 특징으로 하는 내부강압컨버터.
- 전원전압(Vext)에 의하여 구동되고 출력전압(Vint P)(Vr′)를 공급하는 전압공급회로이며, 상기 전원전압(Vext)에 의하여 구동되고 기준전압(Vref P)(Vr)을 발생하는 기준전압발생수단(10)과, 상기 전원전압(Vext)을 받아서 상기 출력전압(Vint P)(Vr′)을 공급하는 드라이버수단(30)과, 상기 드라이버수단(30)에서 공급된 출력전압을 저항분할하여 이 분할된 출력전압을 공급하며, 다른 온도계수(α1)(α2)의 저항치를 가진 제1 및 제2의 저항수단(R1)(R2)을 포함하는 분압수단(70)(80)과, 상기 분압수단(70)(80)에 의하여 공급된 분할된 출력전압과 상기 기준전압발생수단(10)에 의하여 발생된 기준전압(Vref P)(Vr)를 비교하고, 상기 출력전압과 사기 기준전압의 차에 기준하여 상기 드라이버수단(30)을 제어하는 비교수단(20)과, 상기 분압수단(70)(80)의 제1및 제2의 저항수단(R1)(R2)중 적어도 한쪽을 조정하는 조정수단(L11∼L1n)(L21∼L2n)으로 구성된 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제19항에 있어서, 상기 제1저항수단(R1)은 출력전압(Vint P;Vr′)을 입력하는 노드(L3)와 저항분할에 의해 얻어진 분할출력전압을 출력하는 출력노드(N5)사이에 접속되고, 상기 제2저항수단(R2)은 출력노드(N5)와 규정전압 사이에 접속되며, 상기 제1저항수단(R1)의 저항치는 제1온도계수(α1)를 가지며, 상기 제2저항수단(R2)의 저항치는 제1온도계수(α1)보다 더 적은 제2온도매수(α2)를 가짐을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제20항에 있어서, 상기 제1온도계수(α1)은 정의 특성이고, 상기 제2온도계수(α2)는 부의 특성인 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제20항에 있어서, 상기 조정수단은 상기 제1 및 제2의 저항수단(R1)(R2)의 저항치를 변경시키는 변경수단(L11∼L1n)(L21∼L2n)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제22항에 있어서, 상기 제1저항수단(R1)은 복수의 저항수단(600-60n)을 포함하는 제1저항회로수단이며, 상기 제2저항수단(R2)은 복수의 저항수단(700-70n)을 포함하는 제2저항회로수단이고, 상기 변경수단은 제1 또는 제2의 저항회로수단중 어느한쪽을 나머지 저항수단과 분리하는 분리수단(L11∼L1n)(L21∼L2n)인 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제23항에 있어서, 상기 분리수단은 레이저빔으로 절단할 수 있는 복수의 퓨즈링크(L11∼L1n)(L21∼L2n)인것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제24항에 있어서, 상기 제1저항수단(R1)은 소정의 활성화신호(/VDCEP)를 입력하는 게이트를 가진 트랜지스터(600-60n)를 포함하는 전압공급회로.
- 제19항에 있어서, 상기 드라이버수단(30)은 상기 전원전압(Vext)을 받는 노드(N1)와 상기 출력전압(Vint P)(Vr′)을 받는 노드(L3)(L6)간에 접속되고 상기 비교수단(20)의 출력신호를 받는 게이트를 가진 트랜지스터(301)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제19항에 있어서, 상기 드라이버수단(30)은 상기 출력전압을 전원전압(Vext P)으로서 내부회로에 공급하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제19항에 있어서, 상기 드라이버수단(30)은 상기 출력전압을 기준전압(Vr′)으로서 내부회로에 공급하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제19항에 있어서, 상기 드라이버수단(30)은 상기 출력전압을 버퍼수단(200)에 공급하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 반도체칩상에 형성된 반도체장치이며, 전원전압(Vext)에 의하여 구동되고 출력전압(Vint P)(Vr′)을 공급하는 전압공급수단(1a)-(1d)과, 상기 출력 전압(Vint P)(Vr′)를 받아 데이터를 저장하는 기억수단(3)을 구비하고, 상기 전압공급수단(1a)-(1d)은 상기 전원전압(Vext)에 의하여 구동되고 기준전압(Vref P)(Vr)을 발생하는 기준전압발생수단(10)과, 상기 전원전압(Vext)을 받아 상기 출력전압(Vint P)(Vr′)를 공급하는 드라이버수단(30)과, 상기 드라이버수단(30)에 의하여 공급되는 출력전압(Vint P)(Vr′)를 제1 및 제2의 저항수단(R1)(R2)에 의하여 저항분할하고 이 분할된 출력전압을 공급하며, 서로 다른 온도계수(α1)(α2)의 저항치를 가진 제1 및 제2의 저항수단(R1)(R2)을 포함하는 분압수단(50)(70)(80)과, 상기 분압수단(50)(70)(80)에 의하여 공급되는 상기 분할된 출력전압과 상기 기준전압발생수단에 의하여 발생된 기준전압(Vref P)(Vr)을 비교하고, 상기 분할된 출력전압과 상기 기준전압의 차에 기준하여 상기 드라이버수단(30)을 제어하는 비교수단(20)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제30항에 있어서, 상기 제1저항수단(R1)은 상기 출력전압(Vint P)(Vr′)를 받는 노드(N3)와 상기 저항분할에 의하여 얻은 상기 분할된 출력전압을 출력하는 출력노드(N5)간에 접속되고, 상기 제2저항수단(R2)은 상기 출력로드(N5)와 소정전위간에 접속되며, 상기 제1저항수단(R1)의 저항치는 제1온도계수(α1)를 갖고 있으며 상기 제2저항수단(R2)의 저항치는 상기 제 1온도계수(α1)보다 작은 제2온도계수(α2)를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제30항에 있어서, 상기 분압수단(70)(80)의 상기 제1 및 제2의 저항수단(R1)(R2)의 저항치수중 적어도 한쪽을 조정하는 조정수단을 추가구성한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제32항에 있어서, 상기 제1저항수단(R1)은 복수의 저항수단(600)-(60n)을 포함하는 제 1저항회로수단으로 형성되고, 상기 제2저항수단(R2)는 복수의 저항수단(700)-(70n)을 포함하는 제2항회로수단으로 형성되며, 상기 조정수단은 상기 제1 또는 제2저항 회로수단의 일부 저항수단을 나머지 저항수단으로 부터 분리시키는 분리수단(L11∼L1n)(L21∼L2n)으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 반도체칩상에 형성된 반도제장치이며, 전원전압(Vext)을 하강변환하여 이 하강변환된 전압을 전원전압(Vint P)로서 공급하는 내부하강변환수단(1a)-(1d)과, 상기 전원전압(Vint P)에 의하여 구동되는 데이터를 기억시키는 기억수단을 구비하고, 상기 내부가압변환수단(1a)-(1d)은 상기 전원전압(Vext)에 의하여 구동되고 기준전압(Vref P)을 발생하는 기준전압발생수단(10)과, 상기 전원전압(Vext)을 공급받아 상기 전원전압(Vint P)을 공급하는 드라이버수단(30)과, 상기 드라이버수단(30)에서 공급된 전원전압(Vint P)을 저항분할하고 분할된 출력전압을 공급하는 분압수단(60)과, 상기 분압수단(60)에서 공급된 분할된 출력전압을 상기 기준전압발생수단(10)에서 발생된 기준전압(Vref P)과 비교하여 상기 드라이버수단(30)을 상기 분할된 출력전압과 상기 기준전압의 차에 기준하여 제어하는 비교수단(20)과, 상기 분압수단(60)의 분압비를 조정하는 조정수단(L11-L1n)(L21-L2n)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제34항에 있어서, 상기 분압수단(60)은 직렬로 접속된 제1 및 제2의 저항수단(R1)(R2)를 포함하고, 상기 조정수단은 상기 제1또는 제2의 저항수단(R1)(R2)의 저항치를 변경시키는 변경수단(L11-L1n)(L21-L2n)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 전원전압(Vext)으로부터 기준전압(Vref P)(Vr)을 발생하는 스텝과, 드라이버수단(30)에 의하여 출력전압(Vint P)(Vr′)을 공급하는 스텝과, 상기 드라이버수단(30)에서 공급된 내부 출력전압(Vint P)(Vr′)을 다른 온도계수(α1)(α2)의 저항치를 가진 제1 및 제2의 저항수단(R1)(R2)에 의하여 저항분할하여 분할된 출력전압을 공급하는 스텝과, 상기 분할된 출력전압과 상기 기준전압(Vref P)(Vr)를 비교하고 상기 분할된 출력전압과 상기 기준전압의 차에 기준하여 상기 드라이버수단(30)을 제어하는 스텝으로 구성된 것을 특징으로 하는 전압공급회로의 운용방법.
- 전원전압을 공급받아 더 낮은 전원전압을 내부회로에 공급하는 전압공급회로이며, 공급받은 전원전압에 비례하여 제1기준전압을 발생하고 주위온도의 상승에 따라 상승시키는 제1기준전압 발생수단(10a)과, 공급받은 전원전압의 변화에 관계없이 제2기준전압을 발생하는 제2기준전압발생수단(10b)과, 상기 제1 및 제2의 기준전압을 받도록 접속되고 상기 제1 및 제2의 기준전압중 높은쪽을 선택적으로 출력하는 전압선택수단(90)과, 상기 전압선택수단의 출력 전압을 상기 내부회로에 공급하는 출력회로수단(20)(30)으로 구성된 것을 특징으로 하는 전압 공급회로.
- 제37항에 있어서, 상기 제 1기준전압발생수단은 부여된 전원전압과 접지전위간에 차례로 직렬접속된 제1저항수단(111)과 제1정전류원(112)를 포함하고, 상기 제1정전류원은 제1정전류를 상기 제1저항수단에 부여하고, 상기 제1저항수단과 상기 제1정전류원중 적어도 한쪽은 부의 온도특성을 가진 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제38항에 있어서, 상기 제1정전류원은 제2저항수단(136)과, 상기 제2저항수단에 병렬접속되고 부의 온도 특성을 가진 정전압을 상기 제2저항수단에 공급하는정전압공급수단(131)(132)과, 상기 제2저항수단에 흐르는 전류에 응답하여 상기 제1정전류를 상기 제1저항수단에 공급하는 전류미터(mierror)회로 수단(113)(114)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제39항에 있어서, 상기 제2저항수단은 정의 온도계수를 가진 제1저항재료를 형성된 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제40항에 있어서, 상기 제1저항수단은 부의 온도특성을 가진 제2저항재료로 형성되고, 상기 제1저항재료의 온도계수는 상기 제2저항재료의 온도계수보다 큰것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제38항에 있어서, 상기 제1기준전압발생수단은 상기 제1저항수단에 접속되고 상기 제1저항수단의 저항치를 소망치로 조정하는 제1저항치 조정수단(281)(282)……을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제39항에 있어서, 상기 제1정전류원은 상기 제2저항수단에 접속되고 상기 제2저항수단의 저항치를 소망치로 조정하는 제2저항치조정수단(271)(272)……를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제37항에 있어서, 상기 제2기준전압발생수단은 부여된 전원전압과 접지전위간에 차례로 직렬접속된 제2정전류원(121) 및 제2저항수단(122)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제37항에 있어서, 상기 전압선택수단은 상기 제1 및 제2의 기준전압에 응답하여 동작하는 제1차동증폭기수단(902)∼(906)과, 상기 제 1차동증폭기수단의 출력신호에 응답하여 추가전압을 상기 제2기준전압에 부가하여 상기 제1 및 제2의 기준전압간의 차이를 감소시키는 제1전압부가수단(907)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 공급회로.
- 제45항에 있어서, 상기 제1전압부가수단은 부여된 전원전압과 상기 제2기준전압 사이에 접속된 제1트랜지스터(907)를 포함하고 상기 제1차동증폭기수단의 출력 신호를 응답하여 동작하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제37항에 있어서, 상기 출력회로수단은 상기 전압선택수단의 출력전압에 응답하여 운용용 저전원전압을 출력하는 제2차동증폭기수단(202)∼(206)가, 상기 제2차동증폭기수단의 출력신호에 응답하여 상기 저전원전압에 추가전압을 부가하여 상기 전압선택수단의 출력전압과 저전원전압간의 차이를 감소시키는 제2전압부가 수단(30)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 제47항에 있어서, 상기 제2전압부가수단은 부여된 전원전압과 상기 저전원전압간에 접속된 제2트랜지스터(301)를 포함하고 상기 제2차동증폭기수단의 출력신호에 응답하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 전원전압을 공급받아 더 낮은 전원전압을 내부회로에 공급하는 전압공급회로이며, 소정의 번인검사용 주위온도에서 소정의 번인기준전압을 발생하고 주위온도상승에 응답하여 상승시키며 통상동작용 주위온도에서 상기 번인기준전압보다 낮은 기준전압을 발생하는 제1기준전압발생수단(10)과, 부여된 전원전압의 변화에 관계없이 소정의 기준전압을 발생하는 제2기준전압발생수단(10b)과, 상기 제1 및 제2의 기준전압 발생수단에서 발생된 기준전압 중 높은쪽을 선택적으로 출력하는 전압선택수단(90)과, 상기 전압선택수단의 출력전압을 상기 내부회로에 공급하는 출력회로수단(20)(30)으로 구성된 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
- 부여된 외부전압은 칩용 내부전압으로 변환하는 칩상의 강압 컨버터이며, 단일기준전압을 발생하는 기준전압발생수단과, 각각 제1 및 제2의 차동증폭기수단과, 상기 외부전압을 받도록 접속되고 각 내부전압을 출력하는 제1 및 제2의 구동수단을 각각 포함하는 제1 및 제2변환회로와, 상기 각 차동증폭기수단에 상기 각 내부전압의 소정기능을 나타내는 각 피드백전압을 피드백하는 피드백수단으로 구성되고, 상기 각 차동증폭기수단은 상기 단일기준전압과 상기 각 피드백전압의 차이에 응답하여 상기 각 구동수단을 제어하는 제어 전압을 각각 발생하고, 상기 각 피드백수단은 상기 각 내부전압을 받아 상기 각 피드백전압을 발생하기 위하여 각 피드백계수를 자체에 적용하는 각 레벨시프터 수단을 포함하며, 상기 각 레벨시프터수단은 상기 각 피드백계수를 설정하기 위한 비율 설정수단을 포함하고, 상기 각 비율설정수단은 상기 기준전압의 변동을 보상하기 위한 가거 보상수단을 포함하며, 이에 의하여 상기 기준전압 변동에 대한 상기 각 내부전압을 안정화 하는 것을 특징으로 하는 칩상의 강압컨버터.
- 제50항에 있어서, 상기 각 보상수단은 상기 기준전압변도으로 인한 동적이 온도를 보상하는 온도보상수단을 각각 포함하고, 상기 각 온도보상수단은, 제1온도계수를 가진 각 제1저항수단과, 제2온도계수를 가진 각 제2저항수단을 포함하고, 상기 각 제1 및 제2의 저항수단은 상기 각 내부전압과 공통단자간에 직렬접속되고, 상기 각 제1저항수단은 상기 각 내부전압에 접속되며, 상기 각 제2저항수단은 상기 공통단자에 접속되고 상기 각 제1온도계수는 상기 각 제2온도계수 보다 큰것을 특징으로 하는 칩상의 강압컨버터.
- 제51항에 있어서, 상기 각 보상수단은 상기 각 기준전압이 영속변동을 보상하는 각 프로세스 파라미터 보상수단을 추가구성하고, 이 각 프로세스파라미터 보상수단은 상기 각 제1및 제2의 저항수단중 적어도 한쪽에 복수의 소정치중의 한값으로 설정하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 칩상의 가압컨버터.
- 제50항에 있어서, 상기 각 레벨시프터수단은 상기 각 내부전압과 공통단자간에 직렬접속된 제1 및 제2의 저항수단을 각각 포함하고, 상기 각 보상수단은 상기 각 기준전압의 영속변동을 보상하는 각 프로세스파라미터 보상수단으로 구성되고 상기 각 프로세스파라미터 보상수단은 상기 각 제1 및 제2의 저항수단중 적어도 한쪽을 복수의 소정치중의 한값에 설정하는 수단을 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 칩상의 강압 컨버터.
- 제53항에 있어서, 상기 각 제1저항수단은 상기 각 내부전압에 접속되고, 상기 각 제2저항수단은 상기 공통단자에 접속되며, 상기 프로세스 파라미터 보상수단은 상기 각 제1저항수단의 값을 증가시켜 상기 각 기준전압의 하락을 보상하는 각 제1수단과, 상기 각 제2저항수단의 값을 가시켜 상기 각 기준전압을 보상하는 제2수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 칩상의 강압컨버터.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27639392 | 1992-10-15 | ||
JP92-276393 | 1992-10-15 | ||
JP28598692 | 1992-10-23 | ||
JP92-285986 | 1992-10-23 | ||
JP93-2233 | 1993-01-11 | ||
JP223393 | 1993-01-11 | ||
JP5157565A JP2851767B2 (ja) | 1992-10-15 | 1993-06-28 | 電圧供給回路および内部降圧回路 |
JP93-157565 | 1993-06-28 | ||
JP93-157656 | 1993-06-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940010105A true KR940010105A (ko) | 1994-05-24 |
KR960011557B1 KR960011557B1 (ko) | 1996-08-23 |
Family
ID=27453580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019930021339A KR960011557B1 (ko) | 1992-10-15 | 1993-10-14 | 전압공급회로 및 이 회로를 포함하는 반도체 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6011428A (ko) |
JP (1) | JP2851767B2 (ko) |
KR (1) | KR960011557B1 (ko) |
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Publication number | Publication date |
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US6011428A (en) | 2000-01-04 |
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