KR940010105A - 전압공급회로 및 이 회로를 포함하는 반도체 장치 - Google Patents

전압공급회로 및 이 회로를 포함하는 반도체 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR940010105A
KR940010105A KR1019930021339A KR930021339A KR940010105A KR 940010105 A KR940010105 A KR 940010105A KR 1019930021339 A KR1019930021339 A KR 1019930021339A KR 930021339 A KR930021339 A KR 930021339A KR 940010105 A KR940010105 A KR 940010105A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
resistance
power supply
output
circuit
Prior art date
Application number
KR1019930021339A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960011557B1 (ko
Inventor
마사키 쓰기데
마사노리 하야시코시
Original Assignee
기타오카 다카시
미쓰비시덴키 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 기타오카 다카시, 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 filed Critical 기타오카 다카시
Publication of KR940010105A publication Critical patent/KR940010105A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR960011557B1 publication Critical patent/KR960011557B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
    • G05F3/242—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
    • G05F3/245—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage producing a voltage or current as a predetermined function of the temperature
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S323/00—Electricity: power supply or regulation systems
    • Y10S323/907—Temperature compensation of semiconductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Abstract

내부강압컨버터(1a)의 레벨시프터회로(50)는 저항성분(R1)을 구성하는 채널 MOS트랜지스터(501)과 저항성분(R2)을 구성하는 저항(502)을 포함한다.
저항성분(R1)의 온도계수는 저항성분(R2)의 온도계수보다 크게 성절되므로 레벨시프터회로(50)의 출력전압은 부의 온도특성을 갖는다.
기준전압 발생회로(10)에서 발생한 기준전압(Vref P)이 고온동작시 하강하면 레벨시프터회로(50)의 출력전압도 동시에 하강한다.
그러므로 동작온도의 변동으로 인한 내부전압(VintP)의 변동이 보상된다.

Description

전압공급회로 및 이 회로를 포함하는 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 제1실시예에 의한 내부강압 컨버터의 구성을 표시하는 회로도,
제2도는 제2실시예에 의한 내부강압 컨버터의 구성을 표시하는 희로도,
제3도는 제3실시예에 의한 내부강압 컨버터의 구성을 표시하는 회로도.

Claims (54)

  1. 외부전원전압(Vext)에 의하여 구동되고 출력전압(Vint P;Vr′)를 공급하는 전압공급 회로이며, 상기 외부전원전압(Vext)에 의하여 구동되고 기준전압(Vref P;Vr)를 발생하는 기준전압발생수단(10)과, 상기 전원전압(Vext)를 받아서 상기 출력전압(Vint P)를 공급하는 드라이버수단(30)과, 상기 드라이버수단(30)에 의하여 공급된 출력전압(Vint P)을 저항 분할하여 이 분할된 출력전압을 공급하며, 다른 온도계수(α1)(α2)의 저항치를 가진 제1 및 제2의 저항수단(R1)(R2)를 포함하는 분압수단(50)(80)과, 상기 분압수단(50)(80)에 의하여 공급된 분할된 출력전압과 상기 기준전압발생수단(10)에 의하여 발생된 기준전압(Vref P)(Vr)를 비교하고 상기 분할된 출력전압과 기준전압간의 차에 기준하여 상기 드라이버수단(30)을 제어하는 비교수단(20)으로 구성된 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1저항수단(R1)은 상기 출력전압(Vint P)을 받는 노드(L3)와 저항분할로 얻은 상기 분할된 출력전압을 출력하는 출력노드(N5)사이에 접속되고, 상기 제2저항수단(R2)은 상기 출력노드(N5)와 소정의 전위간에 접속되며, 상기 제1저항수단(R1)의 저항치는 제1온도계수(α1)를 갖고 있으며, 상기 제2 저항수단(R2)의 저항치는 상기 제1온도계수(α1)보다 작은 제2온도계수(α2)를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1온도계수(α1)은 정(正)의 특성이고, 상기 제2온도계수(α2)는 부(負)의 특성인 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제1저항수단(R1)은 상기 출력전압(Vint P)(Vr′)을 받는 노드(L3)와 상기 출력노드(N5)간에 접속되고 소정의 활성화신호(/VDCEP)를 받는 게이트가 있는 트랜지스터(501)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  5. 제2항에 있어서, 상기 드라이버수단(30)은 상기 전원전압(Vext)을 받는 노드(L1)과 상기 출력전압(Vint P)(Vr′)을 받는 노드(L3)(L6)간에 접속되고 상기 비교수단(20)의 출력신호를 받는 게이트가 있는 트랜지스터(301)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 드라이버수단(30)은 상기 출력전압(Vint P)를 전원전압으로서 내부회로에 공급하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  7. 제1항에 있어서, 상기 드라이버수단(30)은 상기 출력전압을 기준전압(Vr′)로서 내부회로에 공급하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  8. 제1항에 있어서, 상기 드라이버수단(30)은 상기 출력전압(Vr′)을 버퍼수단(200)으로 공급하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  9. 전원전압을 강압변환하고 강압변환된 전압을 전원전압(Vext P)로서 내부회로에 공급하는 강압컨버터이며, 상기 전원전압(Vext)에 의하여 구동되고 기준전압(Vref P)을 발생하는 기준전압발생수단(10)과, 상기 전원전압(Vint)을 상기 내부회로에 공급하는 드라이버수단(30)과, 상기 드라이버수단(30)에 의하여 공급된 전원전압(Vint)을 저항분할하여 분할된 출력전압을 공급하는 분압수단(60)과, 상기 분압수단(60)에 의하여 공급된 분할된 출력전압과 상기 기준전압발생수단(10)에 의하여 발생된 기준전압(Vref P)를 비교하고 상기 분할된 출력전압과 기준전압의 차에 기준하여 상기 드라이버수단(30)을 제어하는 비교수단(20)과, 상기 분압수단(60)의 분압비를 조정하는 조정수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 내부강압컨버터.
  10. 제9항에 있어서, 상기 분압수단(60)은 직렬로 접속된 제1및 제2의 저항수단(600)(610)은 포함하고, 상기 조정수단은 제3저항수단(601∼60n)(611∼61n)과 접속수단(L11∼L1n)(L21∼L2n)를 포함하고 상기 제3저항수단(601∼60n)(611∼61n)을 제1 및/또는 제2의 저항수단(600)(610)과 접속/차단 하는 것을 특징으로 하는 강압컨버터.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제3저항수단은 복수의 저항수단(601∼60n)(611∼61n)을 포함하고 상기 접속수단은 복수의 링크수단(L11∼L1n)(L21∼L2n)을 포함하여 상기 복수의 저항수단(601∼60n)(611-61n)중 일부를 상기 제1 또는 제2의 저항수단(600)(610)에 선택적으로 접속/차단하는 것을 특징으로 하는 강압컨버터.
  12. 제11항에 있어서, 상기 복수의 링크수단은 각각 레이저 빔으로 절단될 수 있는 퓨즈링크(L11∼L1n)(L21∼L2n)를 포함하는 것을 특징으로 하는 강압컨버터.
  13. 제 10항에 있어서, 상기 제1저항수단은 상기 전원전압(Vext)을 받는 노드(L3)와 출력노드(N5)간에 접속되어 상기 저항분할에 의하여 얻은 출력 전압 출력하고 소정활성화신호(/VDCEP)를 받는 게이트가 있는 트랜지스터(600)를 포함하는 것을 특징으로 하는 강압컨버터.
  14. 제9항에 있어서, 상기 드라이버수단(30)은 상기 전원전압(Vext)을 받는 노드(L1)와 상기 전원전압(Vint P)을 받는 노드(L3)간에 접속되고 상기 비교수단(20)의 출력 신호를 받는 게이트를 가진 트랜지스터(301)를 포함하는 강압컨버터.
  15. 제9항에 있어서, 상기 기준전압박생수단(10)은 상기 기준전압(Vref P)로서 상기 전원전압(Vext)의 절반의 전압을 발생하는 것을 특징으로 하는 강압컨버터.
  16. 전원전압(Vext)을 강압변환하여 이 강압변환된 전압을 전원전압(Vint P)로서 내부회로에 공급하는 강압컨버터이며, 상기 전원전압(Vext)에 의하여 구동되고 기준전압(Vref P)을 발생하는 기준전압발생수단(10)과, 상기 전원전압(Vint P)을 내부회로에 공급하는 드라이버수단(30)과, 이 드라이버수단(30)에 의하여 공급되는 전원전압(Vint P)을 저항분할하여 소정 출력 전압을 공급하는 분압수단(60)과, 상기 분압수단(60)에 의하여 공급되는 출력전압과 상기 기준전압발생수단(10)에 의하여 발생되는 기준전압(Vref P)을 비교하고 상기 출력전압과 기준전압의 차에 기준하여 상기 드라이버수단(30)을 제어하는 비교수단(20)과, 상기 분압수단(60)의 분압비를 조정하는 조정수단(L11∼L1n)(L21∼L2n)을 구비하고, 상기 드라이 버수단(30)은 상기 전원전압(Vext)을 받는 노드(L1)와 전원전압(Vint P)을 받는 출력노드(L3)간에 접속되고 상기 비교수단(20)의 출력신호를 받는 게이트를 가진 트랜지스터(301)를 포함하고, 상기 외부 전원전압(Vext)보다 낮고 상기 외부 전원전압(Vext)에서 상기 트랜지스터(301)의 임계치 전압과 소정의 한계치를 삭감한 전압보다 높은 상기 전원전압(Vint P)으로서 공급하는 것을 특징으로 하는 내부강압컨버터.
  17. 제16항에 있어서, 상기 트랜지스터(301)는 P채널 전계효과 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 내부강압컨버터.
  18. 제16항에 있어서, 상기 기준전압발생수단(10)은 상기 전원전압(Vext)의 절반의 전압을 상기 기준전압(Vref P)로서 발생하는 것을 특징으로 하는 내부강압컨버터.
  19. 전원전압(Vext)에 의하여 구동되고 출력전압(Vint P)(Vr′)를 공급하는 전압공급회로이며, 상기 전원전압(Vext)에 의하여 구동되고 기준전압(Vref P)(Vr)을 발생하는 기준전압발생수단(10)과, 상기 전원전압(Vext)을 받아서 상기 출력전압(Vint P)(Vr′)을 공급하는 드라이버수단(30)과, 상기 드라이버수단(30)에서 공급된 출력전압을 저항분할하여 이 분할된 출력전압을 공급하며, 다른 온도계수(α1)(α2)의 저항치를 가진 제1 및 제2의 저항수단(R1)(R2)을 포함하는 분압수단(70)(80)과, 상기 분압수단(70)(80)에 의하여 공급된 분할된 출력전압과 상기 기준전압발생수단(10)에 의하여 발생된 기준전압(Vref P)(Vr)를 비교하고, 상기 출력전압과 사기 기준전압의 차에 기준하여 상기 드라이버수단(30)을 제어하는 비교수단(20)과, 상기 분압수단(70)(80)의 제1및 제2의 저항수단(R1)(R2)중 적어도 한쪽을 조정하는 조정수단(L11∼L1n)(L21∼L2n)으로 구성된 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  20. 제19항에 있어서, 상기 제1저항수단(R1)은 출력전압(Vint P;Vr′)을 입력하는 노드(L3)와 저항분할에 의해 얻어진 분할출력전압을 출력하는 출력노드(N5)사이에 접속되고, 상기 제2저항수단(R2)은 출력노드(N5)와 규정전압 사이에 접속되며, 상기 제1저항수단(R1)의 저항치는 제1온도계수(α1)를 가지며, 상기 제2저항수단(R2)의 저항치는 제1온도계수(α1)보다 더 적은 제2온도매수(α2)를 가짐을 특징으로 하는 전압공급회로.
  21. 제20항에 있어서, 상기 제1온도계수(α1)은 정의 특성이고, 상기 제2온도계수(α2)는 부의 특성인 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  22. 제20항에 있어서, 상기 조정수단은 상기 제1 및 제2의 저항수단(R1)(R2)의 저항치를 변경시키는 변경수단(L11∼L1n)(L21∼L2n)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  23. 제22항에 있어서, 상기 제1저항수단(R1)은 복수의 저항수단(600-60n)을 포함하는 제1저항회로수단이며, 상기 제2저항수단(R2)은 복수의 저항수단(700-70n)을 포함하는 제2저항회로수단이고, 상기 변경수단은 제1 또는 제2의 저항회로수단중 어느한쪽을 나머지 저항수단과 분리하는 분리수단(L11∼L1n)(L21∼L2n)인 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  24. 제23항에 있어서, 상기 분리수단은 레이저빔으로 절단할 수 있는 복수의 퓨즈링크(L11∼L1n)(L21∼L2n)인것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  25. 제24항에 있어서, 상기 제1저항수단(R1)은 소정의 활성화신호(/VDCEP)를 입력하는 게이트를 가진 트랜지스터(600-60n)를 포함하는 전압공급회로.
  26. 제19항에 있어서, 상기 드라이버수단(30)은 상기 전원전압(Vext)을 받는 노드(N1)와 상기 출력전압(Vint P)(Vr′)을 받는 노드(L3)(L6)간에 접속되고 상기 비교수단(20)의 출력신호를 받는 게이트를 가진 트랜지스터(301)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  27. 제19항에 있어서, 상기 드라이버수단(30)은 상기 출력전압을 전원전압(Vext P)으로서 내부회로에 공급하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  28. 제19항에 있어서, 상기 드라이버수단(30)은 상기 출력전압을 기준전압(Vr′)으로서 내부회로에 공급하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  29. 제19항에 있어서, 상기 드라이버수단(30)은 상기 출력전압을 버퍼수단(200)에 공급하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  30. 반도체칩상에 형성된 반도체장치이며, 전원전압(Vext)에 의하여 구동되고 출력전압(Vint P)(Vr′)을 공급하는 전압공급수단(1a)-(1d)과, 상기 출력 전압(Vint P)(Vr′)를 받아 데이터를 저장하는 기억수단(3)을 구비하고, 상기 전압공급수단(1a)-(1d)은 상기 전원전압(Vext)에 의하여 구동되고 기준전압(Vref P)(Vr)을 발생하는 기준전압발생수단(10)과, 상기 전원전압(Vext)을 받아 상기 출력전압(Vint P)(Vr′)를 공급하는 드라이버수단(30)과, 상기 드라이버수단(30)에 의하여 공급되는 출력전압(Vint P)(Vr′)를 제1 및 제2의 저항수단(R1)(R2)에 의하여 저항분할하고 이 분할된 출력전압을 공급하며, 서로 다른 온도계수(α1)(α2)의 저항치를 가진 제1 및 제2의 저항수단(R1)(R2)을 포함하는 분압수단(50)(70)(80)과, 상기 분압수단(50)(70)(80)에 의하여 공급되는 상기 분할된 출력전압과 상기 기준전압발생수단에 의하여 발생된 기준전압(Vref P)(Vr)을 비교하고, 상기 분할된 출력전압과 상기 기준전압의 차에 기준하여 상기 드라이버수단(30)을 제어하는 비교수단(20)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  31. 제30항에 있어서, 상기 제1저항수단(R1)은 상기 출력전압(Vint P)(Vr′)를 받는 노드(N3)와 상기 저항분할에 의하여 얻은 상기 분할된 출력전압을 출력하는 출력노드(N5)간에 접속되고, 상기 제2저항수단(R2)은 상기 출력로드(N5)와 소정전위간에 접속되며, 상기 제1저항수단(R1)의 저항치는 제1온도계수(α1)를 갖고 있으며 상기 제2저항수단(R2)의 저항치는 상기 제 1온도계수(α1)보다 작은 제2온도계수(α2)를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  32. 제30항에 있어서, 상기 분압수단(70)(80)의 상기 제1 및 제2의 저항수단(R1)(R2)의 저항치수중 적어도 한쪽을 조정하는 조정수단을 추가구성한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  33. 제32항에 있어서, 상기 제1저항수단(R1)은 복수의 저항수단(600)-(60n)을 포함하는 제 1저항회로수단으로 형성되고, 상기 제2저항수단(R2)는 복수의 저항수단(700)-(70n)을 포함하는 제2항회로수단으로 형성되며, 상기 조정수단은 상기 제1 또는 제2저항 회로수단의 일부 저항수단을 나머지 저항수단으로 부터 분리시키는 분리수단(L11∼L1n)(L21∼L2n)으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  34. 반도체칩상에 형성된 반도제장치이며, 전원전압(Vext)을 하강변환하여 이 하강변환된 전압을 전원전압(Vint P)로서 공급하는 내부하강변환수단(1a)-(1d)과, 상기 전원전압(Vint P)에 의하여 구동되는 데이터를 기억시키는 기억수단을 구비하고, 상기 내부가압변환수단(1a)-(1d)은 상기 전원전압(Vext)에 의하여 구동되고 기준전압(Vref P)을 발생하는 기준전압발생수단(10)과, 상기 전원전압(Vext)을 공급받아 상기 전원전압(Vint P)을 공급하는 드라이버수단(30)과, 상기 드라이버수단(30)에서 공급된 전원전압(Vint P)을 저항분할하고 분할된 출력전압을 공급하는 분압수단(60)과, 상기 분압수단(60)에서 공급된 분할된 출력전압을 상기 기준전압발생수단(10)에서 발생된 기준전압(Vref P)과 비교하여 상기 드라이버수단(30)을 상기 분할된 출력전압과 상기 기준전압의 차에 기준하여 제어하는 비교수단(20)과, 상기 분압수단(60)의 분압비를 조정하는 조정수단(L11-L1n)(L21-L2n)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  35. 제34항에 있어서, 상기 분압수단(60)은 직렬로 접속된 제1 및 제2의 저항수단(R1)(R2)를 포함하고, 상기 조정수단은 상기 제1또는 제2의 저항수단(R1)(R2)의 저항치를 변경시키는 변경수단(L11-L1n)(L21-L2n)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  36. 전원전압(Vext)으로부터 기준전압(Vref P)(Vr)을 발생하는 스텝과, 드라이버수단(30)에 의하여 출력전압(Vint P)(Vr′)을 공급하는 스텝과, 상기 드라이버수단(30)에서 공급된 내부 출력전압(Vint P)(Vr′)을 다른 온도계수(α1)(α2)의 저항치를 가진 제1 및 제2의 저항수단(R1)(R2)에 의하여 저항분할하여 분할된 출력전압을 공급하는 스텝과, 상기 분할된 출력전압과 상기 기준전압(Vref P)(Vr)를 비교하고 상기 분할된 출력전압과 상기 기준전압의 차에 기준하여 상기 드라이버수단(30)을 제어하는 스텝으로 구성된 것을 특징으로 하는 전압공급회로의 운용방법.
  37. 전원전압을 공급받아 더 낮은 전원전압을 내부회로에 공급하는 전압공급회로이며, 공급받은 전원전압에 비례하여 제1기준전압을 발생하고 주위온도의 상승에 따라 상승시키는 제1기준전압 발생수단(10a)과, 공급받은 전원전압의 변화에 관계없이 제2기준전압을 발생하는 제2기준전압발생수단(10b)과, 상기 제1 및 제2의 기준전압을 받도록 접속되고 상기 제1 및 제2의 기준전압중 높은쪽을 선택적으로 출력하는 전압선택수단(90)과, 상기 전압선택수단의 출력 전압을 상기 내부회로에 공급하는 출력회로수단(20)(30)으로 구성된 것을 특징으로 하는 전압 공급회로.
  38. 제37항에 있어서, 상기 제 1기준전압발생수단은 부여된 전원전압과 접지전위간에 차례로 직렬접속된 제1저항수단(111)과 제1정전류원(112)를 포함하고, 상기 제1정전류원은 제1정전류를 상기 제1저항수단에 부여하고, 상기 제1저항수단과 상기 제1정전류원중 적어도 한쪽은 부의 온도특성을 가진 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  39. 제38항에 있어서, 상기 제1정전류원은 제2저항수단(136)과, 상기 제2저항수단에 병렬접속되고 부의 온도 특성을 가진 정전압을 상기 제2저항수단에 공급하는정전압공급수단(131)(132)과, 상기 제2저항수단에 흐르는 전류에 응답하여 상기 제1정전류를 상기 제1저항수단에 공급하는 전류미터(mierror)회로 수단(113)(114)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  40. 제39항에 있어서, 상기 제2저항수단은 정의 온도계수를 가진 제1저항재료를 형성된 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  41. 제40항에 있어서, 상기 제1저항수단은 부의 온도특성을 가진 제2저항재료로 형성되고, 상기 제1저항재료의 온도계수는 상기 제2저항재료의 온도계수보다 큰것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  42. 제38항에 있어서, 상기 제1기준전압발생수단은 상기 제1저항수단에 접속되고 상기 제1저항수단의 저항치를 소망치로 조정하는 제1저항치 조정수단(281)(282)……을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  43. 제39항에 있어서, 상기 제1정전류원은 상기 제2저항수단에 접속되고 상기 제2저항수단의 저항치를 소망치로 조정하는 제2저항치조정수단(271)(272)……를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  44. 제37항에 있어서, 상기 제2기준전압발생수단은 부여된 전원전압과 접지전위간에 차례로 직렬접속된 제2정전류원(121) 및 제2저항수단(122)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  45. 제37항에 있어서, 상기 전압선택수단은 상기 제1 및 제2의 기준전압에 응답하여 동작하는 제1차동증폭기수단(902)∼(906)과, 상기 제 1차동증폭기수단의 출력신호에 응답하여 추가전압을 상기 제2기준전압에 부가하여 상기 제1 및 제2의 기준전압간의 차이를 감소시키는 제1전압부가수단(907)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 공급회로.
  46. 제45항에 있어서, 상기 제1전압부가수단은 부여된 전원전압과 상기 제2기준전압 사이에 접속된 제1트랜지스터(907)를 포함하고 상기 제1차동증폭기수단의 출력 신호를 응답하여 동작하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  47. 제37항에 있어서, 상기 출력회로수단은 상기 전압선택수단의 출력전압에 응답하여 운용용 저전원전압을 출력하는 제2차동증폭기수단(202)∼(206)가, 상기 제2차동증폭기수단의 출력신호에 응답하여 상기 저전원전압에 추가전압을 부가하여 상기 전압선택수단의 출력전압과 저전원전압간의 차이를 감소시키는 제2전압부가 수단(30)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  48. 제47항에 있어서, 상기 제2전압부가수단은 부여된 전원전압과 상기 저전원전압간에 접속된 제2트랜지스터(301)를 포함하고 상기 제2차동증폭기수단의 출력신호에 응답하는 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  49. 전원전압을 공급받아 더 낮은 전원전압을 내부회로에 공급하는 전압공급회로이며, 소정의 번인검사용 주위온도에서 소정의 번인기준전압을 발생하고 주위온도상승에 응답하여 상승시키며 통상동작용 주위온도에서 상기 번인기준전압보다 낮은 기준전압을 발생하는 제1기준전압발생수단(10)과, 부여된 전원전압의 변화에 관계없이 소정의 기준전압을 발생하는 제2기준전압발생수단(10b)과, 상기 제1 및 제2의 기준전압 발생수단에서 발생된 기준전압 중 높은쪽을 선택적으로 출력하는 전압선택수단(90)과, 상기 전압선택수단의 출력전압을 상기 내부회로에 공급하는 출력회로수단(20)(30)으로 구성된 것을 특징으로 하는 전압공급회로.
  50. 부여된 외부전압은 칩용 내부전압으로 변환하는 칩상의 강압 컨버터이며, 단일기준전압을 발생하는 기준전압발생수단과, 각각 제1 및 제2의 차동증폭기수단과, 상기 외부전압을 받도록 접속되고 각 내부전압을 출력하는 제1 및 제2의 구동수단을 각각 포함하는 제1 및 제2변환회로와, 상기 각 차동증폭기수단에 상기 각 내부전압의 소정기능을 나타내는 각 피드백전압을 피드백하는 피드백수단으로 구성되고, 상기 각 차동증폭기수단은 상기 단일기준전압과 상기 각 피드백전압의 차이에 응답하여 상기 각 구동수단을 제어하는 제어 전압을 각각 발생하고, 상기 각 피드백수단은 상기 각 내부전압을 받아 상기 각 피드백전압을 발생하기 위하여 각 피드백계수를 자체에 적용하는 각 레벨시프터 수단을 포함하며, 상기 각 레벨시프터수단은 상기 각 피드백계수를 설정하기 위한 비율 설정수단을 포함하고, 상기 각 비율설정수단은 상기 기준전압의 변동을 보상하기 위한 가거 보상수단을 포함하며, 이에 의하여 상기 기준전압 변동에 대한 상기 각 내부전압을 안정화 하는 것을 특징으로 하는 칩상의 강압컨버터.
  51. 제50항에 있어서, 상기 각 보상수단은 상기 기준전압변도으로 인한 동적이 온도를 보상하는 온도보상수단을 각각 포함하고, 상기 각 온도보상수단은, 제1온도계수를 가진 각 제1저항수단과, 제2온도계수를 가진 각 제2저항수단을 포함하고, 상기 각 제1 및 제2의 저항수단은 상기 각 내부전압과 공통단자간에 직렬접속되고, 상기 각 제1저항수단은 상기 각 내부전압에 접속되며, 상기 각 제2저항수단은 상기 공통단자에 접속되고 상기 각 제1온도계수는 상기 각 제2온도계수 보다 큰것을 특징으로 하는 칩상의 강압컨버터.
  52. 제51항에 있어서, 상기 각 보상수단은 상기 각 기준전압이 영속변동을 보상하는 각 프로세스 파라미터 보상수단을 추가구성하고, 이 각 프로세스파라미터 보상수단은 상기 각 제1및 제2의 저항수단중 적어도 한쪽에 복수의 소정치중의 한값으로 설정하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 칩상의 가압컨버터.
  53. 제50항에 있어서, 상기 각 레벨시프터수단은 상기 각 내부전압과 공통단자간에 직렬접속된 제1 및 제2의 저항수단을 각각 포함하고, 상기 각 보상수단은 상기 각 기준전압의 영속변동을 보상하는 각 프로세스파라미터 보상수단으로 구성되고 상기 각 프로세스파라미터 보상수단은 상기 각 제1 및 제2의 저항수단중 적어도 한쪽을 복수의 소정치중의 한값에 설정하는 수단을 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 칩상의 강압 컨버터.
  54. 제53항에 있어서, 상기 각 제1저항수단은 상기 각 내부전압에 접속되고, 상기 각 제2저항수단은 상기 공통단자에 접속되며, 상기 프로세스 파라미터 보상수단은 상기 각 제1저항수단의 값을 증가시켜 상기 각 기준전압의 하락을 보상하는 각 제1수단과, 상기 각 제2저항수단의 값을 가시켜 상기 각 기준전압을 보상하는 제2수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 칩상의 강압컨버터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930021339A 1992-10-15 1993-10-14 전압공급회로 및 이 회로를 포함하는 반도체 장치 KR960011557B1 (ko)

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27639392 1992-10-15
JP92-276393 1992-10-15
JP28598692 1992-10-23
JP92-285986 1992-10-23
JP93-2233 1993-01-11
JP223393 1993-01-11
JP5157565A JP2851767B2 (ja) 1992-10-15 1993-06-28 電圧供給回路および内部降圧回路
JP93-157565 1993-06-28
JP93-157656 1993-06-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940010105A true KR940010105A (ko) 1994-05-24
KR960011557B1 KR960011557B1 (ko) 1996-08-23

Family

ID=27453580

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930021339A KR960011557B1 (ko) 1992-10-15 1993-10-14 전압공급회로 및 이 회로를 포함하는 반도체 장치

Country Status (3)

Country Link
US (2) US6011428A (ko)
JP (1) JP2851767B2 (ko)
KR (1) KR960011557B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100464897B1 (ko) * 2001-09-13 2005-01-07 가부시끼가이샤 도시바 정전압 발생 회로 및 반도체 기억 장치
KR100480599B1 (ko) * 2002-06-11 2005-04-06 삼성전자주식회사 데이터 패턴에 의한 ｔＱ 변동을 최소화하기 위한 데이터출력 드라이버 및 데이터 출력방법
KR101358930B1 (ko) * 2007-07-23 2014-02-05 삼성전자주식회사 전압 디바이더 및 이를 포함하는 내부 전원 전압 발생 회로

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3705842B2 (ja) * 1994-08-04 2005-10-12 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
KR100272508B1 (ko) * 1997-12-12 2000-11-15 김영환 내부전압(vdd) 발생회로
US6147540A (en) 1998-08-31 2000-11-14 Motorola Inc. High voltage input buffer made by a low voltage process and having a self-adjusting trigger point
US6259302B1 (en) * 1998-10-22 2001-07-10 National Semiconductor Corporation Gain control signal generator that tracks operating variations due to variations in manufacturing processes and operating conditions by tracking variations in DC biasing
KR100549938B1 (ko) * 1999-01-12 2006-02-07 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 내부 전압 변환회로
JP3519646B2 (ja) * 1999-09-13 2004-04-19 東光株式会社 半導体装置
US6316987B1 (en) * 1999-10-22 2001-11-13 Velio Communications, Inc. Low-power low-jitter variable delay timing circuit
JP3762599B2 (ja) * 1999-12-27 2006-04-05 富士通株式会社 電源調整回路及びその回路を用いた半導体装置
JP2001210076A (ja) 2000-01-27 2001-08-03 Fujitsu Ltd 半導体集積回路および半導体集積回路の内部電源電圧発生方法
JP3738280B2 (ja) * 2000-01-31 2006-01-25 富士通株式会社 内部電源電圧生成回路
US6731273B2 (en) * 2000-06-27 2004-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Level shifter
JP4959046B2 (ja) 2000-08-08 2012-06-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置
US6486730B1 (en) * 2000-10-23 2002-11-26 Sonic Innovations, Inc. Voltage down pump and method of operation
JP3868756B2 (ja) * 2001-04-10 2007-01-17 シャープ株式会社 半導体装置の内部電源電圧発生回路
KR100675273B1 (ko) * 2001-05-17 2007-01-26 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 전압 레벨 및 지연 시간 조절회로
KR20020091958A (ko) * 2001-06-01 2002-12-11 삼성전자 주식회사 반도체 메모리장치의 내부전원전압 발생회로
KR100393226B1 (ko) * 2001-07-04 2003-07-31 삼성전자주식회사 온도변화에 따라 내부 기준전압 값을 조절할 수 있는 내부기준전압 생성회로 및 이를 구비하는 내부 공급전압생성회로
JP4073708B2 (ja) * 2001-07-25 2008-04-09 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路
JP2003150254A (ja) * 2001-11-09 2003-05-23 Seiko Instruments Inc ボルテージ・レギュレータ
JP2003168290A (ja) * 2001-11-29 2003-06-13 Fujitsu Ltd 電源回路及び半導体装置
JP2003283321A (ja) * 2002-03-27 2003-10-03 Mitsubishi Electric Corp 内部電源電位発生回路
US6686789B2 (en) * 2002-03-28 2004-02-03 Agere Systems, Inc. Dynamic low power reference circuit
KR100452323B1 (ko) 2002-07-02 2004-10-12 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 기준전압 선택회로 및 그 방법
FR2842917B1 (fr) * 2002-07-29 2005-02-11 St Microelectronics Sa Dispositif et procede d'ajustement d'un parametre de fonctionnement d'un circuit electronique analogique
KR100545711B1 (ko) * 2003-07-29 2006-01-24 주식회사 하이닉스반도체 퓨즈트리밍을 이용하여 다양한 레벨의 기준전압을 출력할수 있는 기준전압 발생회로
JP2005050473A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Renesas Technology Corp 半導体装置
KR100626367B1 (ko) * 2003-10-02 2006-09-20 삼성전자주식회사 내부전압 발생장치
KR20050041592A (ko) * 2003-10-31 2005-05-04 주식회사 하이닉스반도체 온도 보상이 가능한 내부전압 발생장치
US7064602B2 (en) * 2004-05-05 2006-06-20 Rambus Inc. Dynamic gain compensation and calibration
JP4703133B2 (ja) * 2004-05-25 2011-06-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 内部電圧発生回路および半導体集積回路装置
JP2005352683A (ja) * 2004-06-09 2005-12-22 Pioneer Electronic Corp 電源装置及び電源制御方法
US7119527B2 (en) * 2004-06-30 2006-10-10 Silicon Labs Cp, Inc. Voltage reference circuit using PTAT voltage
US7098721B2 (en) * 2004-09-01 2006-08-29 International Business Machines Corporation Low voltage programmable eFuse with differential sensing scheme
US20060082412A1 (en) * 2004-10-20 2006-04-20 D Angelo Kevin P Single, multiplexed operational amplifier to improve current matching between channels
KR100587087B1 (ko) * 2004-11-15 2006-06-08 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치용 내부전압 발생기
KR100754328B1 (ko) * 2005-02-15 2007-08-31 삼성전자주식회사 내부전원전압 발생회로 및 이를 포함하는 반도체 메모리 장치
KR100707306B1 (ko) * 2005-03-03 2007-04-12 삼성전자주식회사 온도에 반비례하는 다양한 온도계수들을 가지는 기준 전압발생기 및 이를 구비하는 디스플레이 장치
US7215186B2 (en) * 2005-04-18 2007-05-08 Advanced Analogic Technologies, Inc. Method for operational amplifier sharing between channels
KR100884001B1 (ko) * 2006-02-22 2009-02-17 삼성전자주식회사 입력 차단 모드에서 전류가 흐르지 않으며 고정된 출력값을발생하는 레벨 쉬프터 및 레벨 쉬프팅 방법
JP2007241777A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Nec Corp 温度補償レギュレータ回路
KR100780209B1 (ko) * 2006-05-26 2007-11-27 삼성전기주식회사 공급전압 변환 장치
KR100846387B1 (ko) * 2006-05-31 2008-07-15 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자의 온도 정보 출력 장치
US7504878B2 (en) * 2006-07-03 2009-03-17 Mediatek Inc. Device having temperature compensation for providing constant current through utilizing compensating unit with positive temperature coefficient
KR101465598B1 (ko) * 2008-06-05 2014-12-15 삼성전자주식회사 기준 전압 발생 장치 및 방법
JP2010246287A (ja) * 2009-04-07 2010-10-28 Renesas Electronics Corp 電流制御回路
US8174308B2 (en) * 2009-11-02 2012-05-08 Nanya Technology Corp. DC slope generator
US8575976B2 (en) * 2009-11-23 2013-11-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Frequency divider systems and methods thereof
CN102213967A (zh) * 2010-04-12 2011-10-12 辉达公司 具有电压调节功能的gpu芯片及其制作方法
IT1400576B1 (it) * 2010-06-17 2013-06-14 St Microelectronics Grenoble 2 Circuito integrato con dispositivo per la variazione del valore di un parametro operativo di un circuito elettronico e con lo stesso circuito elettronico.
TWI400464B (zh) * 2011-02-11 2013-07-01 Etron Technology Inc 具有外部測試電壓的電路
US11892862B2 (en) * 2021-08-30 2024-02-06 Micron Technology, Inc. Power supply circuit having voltage switching function

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2830826A1 (de) * 1978-07-13 1980-01-24 Licentia Gmbh Elektronik-einrichtung zur drehzahlregelung eines universalmotors
JPS5663237U (ko) * 1979-10-19 1981-05-28
JPS6058415B2 (ja) * 1979-10-26 1985-12-19 東レエンジニアリング株式会社 突合せ溶接継手の型曲げ方法及び装置
US4484331A (en) * 1981-07-20 1984-11-20 Rca Corporation Regulator for bias current of semiconductor laser diode
JPS5970217A (ja) * 1982-10-13 1984-04-20 Automob Antipollut & Saf Res Center 自動車用自動空調装置
JPS5970217U (ja) * 1982-10-25 1984-05-12 株式会社東芝 安定化電源装置
US4613809A (en) * 1985-07-02 1986-09-23 National Semiconductor Corporation Quiescent current reduction in low dropout voltage regulators
US4677369A (en) * 1985-09-19 1987-06-30 Precision Monolithics, Inc. CMOS temperature insensitive voltage reference
US4853628A (en) * 1987-09-10 1989-08-01 Gazelle Microcircuits, Inc. Apparatus for measuring circuit parameters of a packaged semiconductor device
DE3806968A1 (de) * 1988-01-11 1989-07-20 Bregenhorn Buetow & Co Verfahren und schaltungsanordnung zur erzeugung einer geregelten ausgleichsspannung aus einer hoeheren eingangsgleichspannung
US4954769A (en) * 1989-02-08 1990-09-04 Burr-Brown Corporation CMOS voltage reference and buffer circuit
JPH02245810A (ja) * 1989-03-20 1990-10-01 Hitachi Ltd 基準電圧発生回路
GB8913439D0 (en) * 1989-06-12 1989-08-02 Inmos Ltd Current mirror circuit
JP2893774B2 (ja) * 1989-12-26 1999-05-24 日本電気株式会社 半導体集積回路装置
JPH03296118A (ja) * 1990-04-13 1991-12-26 Oki Micro Design Miyazaki:Kk 基準電圧発生回路
KR100188821B1 (ko) * 1990-08-20 1999-06-01 사와무라 시코 정전압발생회로
KR940003406B1 (ko) * 1991-06-12 1994-04-21 삼성전자 주식회사 내부 전원전압 발생회로
JP2945508B2 (ja) * 1991-06-20 1999-09-06 三菱電機株式会社 半導体装置
KR940008286B1 (ko) * 1991-08-19 1994-09-09 삼성전자 주식회사 내부전원발생회로
KR930008886B1 (ko) * 1991-08-19 1993-09-16 삼성전자 주식회사 전기적으로 프로그램 할 수 있는 내부전원 발생회로
US5339272A (en) * 1992-12-21 1994-08-16 Intel Corporation Precision voltage reference
JP2792416B2 (ja) * 1993-11-17 1998-09-03 日本電気株式会社 半導体集積回路
JP3517493B2 (ja) * 1995-09-21 2004-04-12 松下電器産業株式会社 内部降圧回路
JP2874634B2 (ja) * 1996-03-01 1999-03-24 日本電気株式会社 基準電圧回路
KR100400383B1 (ko) * 1996-03-07 2003-12-31 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 기준 전압원 회로 및 전압 피드백 회로
JP3334548B2 (ja) * 1997-03-21 2002-10-15 ヤマハ株式会社 定電流駆動回路
JP3676904B2 (ja) * 1997-04-11 2005-07-27 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100464897B1 (ko) * 2001-09-13 2005-01-07 가부시끼가이샤 도시바 정전압 발생 회로 및 반도체 기억 장치
KR100480599B1 (ko) * 2002-06-11 2005-04-06 삼성전자주식회사 데이터 패턴에 의한 ｔＱ 변동을 최소화하기 위한 데이터출력 드라이버 및 데이터 출력방법
KR101358930B1 (ko) * 2007-07-23 2014-02-05 삼성전자주식회사 전압 디바이더 및 이를 포함하는 내부 전원 전압 발생 회로

Also Published As

Publication number Publication date
US6011428A (en) 2000-01-04
JPH06259150A (ja) 1994-09-16
US6097180A (en) 2000-08-01
KR960011557B1 (ko) 1996-08-23
JP2851767B2 (ja) 1999-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940010105A (ko) 전압공급회로 및 이 회로를 포함하는 반도체 장치
US6498469B2 (en) Internal supply voltage generating circuit and method of generating internal supply voltage using an internal reference voltage generating circuit and voltage-drop regulator
US5861771A (en) Regulator circuit and semiconductor integrated circuit device having the same
US5512817A (en) Bandgap voltage reference generator
US6806690B2 (en) Ultra-low quiescent current low dropout (LDO) voltage regulator with dynamic bias and bandwidth
JP5233136B2 (ja) 定電流回路及び定電流回路を使用した発光ダイオード駆動装置
US8446215B2 (en) Constant voltage circuit
KR100825029B1 (ko) 밴드갭 기준전압 발생장치 및 이를 구비하는 반도체 소자
US6518828B2 (en) Pumping voltage regulation circuit
EP1865397B1 (en) Low drop-out voltage regulator
US7564300B2 (en) High voltage generator
US5933051A (en) Constant-voltage generating device
US20080238530A1 (en) Semiconductor Device Generating Voltage for Temperature Compensation
GB2256731A (en) Positive temperature coefficient internal supply voltage generator
JP5499944B2 (ja) 定電流回路及び定電流回路を使用した発光ダイオード駆動装置
US6380799B1 (en) Internal voltage generation circuit having stable operating characteristics at low external supply voltages
EP0620515A1 (en) Band gap reference voltage source
US5990671A (en) Constant power voltage generator with current mirror amplifier optimized by level shifters
KR100818105B1 (ko) 내부 전압 발생 회로
JP2004192743A (ja) 電圧発生回路
EP0451870B1 (en) Reference voltage generating circuit
US5801584A (en) Constant-current circuit using field-effect transistor
JP2925995B2 (ja) 半導体素子の基板電圧調整装置
KR100762873B1 (ko) 내부 전압 발생기
US20050093581A1 (en) Apparatus for generating internal voltage capable of compensating temperature variation

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090807

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee