KR20180109710A - 기판 처리 방법 및 장치 - Google Patents

기판 처리 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20180109710A
KR20180109710A KR1020180033095A KR20180033095A KR20180109710A KR 20180109710 A KR20180109710 A KR 20180109710A KR 1020180033095 A KR1020180033095 A KR 1020180033095A KR 20180033095 A KR20180033095 A KR 20180033095A KR 20180109710 A KR20180109710 A KR 20180109710A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
periphery
tape
head
cleaning
Prior art date
Application number
KR1020180033095A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102442320B1 (ko
Inventor
도시후미 와타나베
사토루 야마모토
유 마치다
Original Assignee
가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 filed Critical 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
Publication of KR20180109710A publication Critical patent/KR20180109710A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102442320B1 publication Critical patent/KR102442320B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
    • B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/002—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding edges or bevels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/004—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor using abrasive rolled strips
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/008—Machines comprising two or more tools or having several working posts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/18—Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02021—Edge treatment, chamfering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/02087—Cleaning of wafer edges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

기판의 주연부를 연마한 후에 기판의 주연부를 세정하고, 그 세정 효과를 확인할 수 있고, 또한 종래는 제대로 세정하지 못했던 영역인 기판의 주연부를 세정할 수 있는 기판 처리 방법 및 장치를 제공한다.
기판 보유 지지부(2)에 의해 기판 W를 보유 지지하여 회전시키고, 제1 헤드(3A, 3B)에 의해 지립을 갖는 연마 테이프 PT를 기판 W의 주연부에 압박하여 기판 W의 주연부를 연마하고, 세정 노즐(53)에 의해 세정액을 연마 후의 기판 W의 주연부에 공급하여 기판 W의 주연부를 세정하고, 제2 헤드(3D)에 의해 지립을 갖지 않는 테이프 T를 세정 후의 기판 W의 주연부에 접촉시켜, 센서(70)에 의해 기판 W의 주연부에 접촉 후의 테이프 T에 광을 조사하여 테이프 T로부터의 반사광을 수광하고, 수광된 반사광의 강도가 소정값을 하회하는 경우에 기판 W의 주연부가 오염되어 있다고 판정한다.

Description

기판 처리 방법 및 장치{SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND APPARATUS}
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 기판의 주연부를 연마하고, 연마 후의 기판의 주연부를 세정하는 기판 처리 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조에 있어서의 수율 향상의 관점에서, 기판의 표면 상태의 관리가 최근 주목받고 있다. 반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 다양한 재료가 실리콘 웨이퍼 위에 성막된다. 이로 인해, 기판의 주연부에는 불필요한 막이나 표면 거칠기가 형성된다. 최근에는, 기판의 주연부만을 아암으로 보유 지지하여 기판을 반송하는 방법이 일반화되고 있다. 이러한 배경 하에서는, 주연부에 잔존한 불필요한 막이 다양한 공정을 거쳐 가는 동안에 박리하여 기판에 형성된 디바이스에 부착되어, 수율을 저하시켜 버린다. 그래서, 기판의 주연부에 형성된 불필요한 막을 제거하기 위하여, 연마 장치를 사용하여 기판의 주연부가 연마된다.
이러한 연마 장치로서, 연마 테이프를 사용하여 기판의 주연부를 연마하는 베벨 연마 모듈을 구비한 장치가 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 연마 장치는, 기판을 보유 지지하여 회전시키는 기판 보유 지지부와, 연마 테이프를 지지하는 복수의 가이드 롤러를 갖는 테이프 공급 회수 기구와, 테이프 공급 회수 기구로부터 공급된 연마 테이프를 기판의 주연부에 누르는 압박 부재를 갖는 연마 헤드를 구비하고 있다. 테이프 공급 회수 기구는, 또한 공급 릴과 회수 릴을 갖고 있으며, 복수의 가이드 롤러에 지지된 연마 테이프는, 테이프 이송 기구에 의해 공급 릴로부터 연마 헤드를 경유하여 회수 릴로 이송된다. 테이프 이송 기구에 의해 공급 릴로부터 연마 헤드를 경유하여 회수 릴에 소정의 이송 속도로 이송되는 연마 테이프를, 연마 헤드의 압박 부재로 회전하는 기판의 주연부에 압박함으로써, 기판의 주연부가 연마된다.
일본 특허 공개 제2012-213849호 공보 일본 특허 공개 제2013-4825호 공보
베벨 연마 모듈에서 연마된 기판에는 연마 찌꺼기 등의 입자가 부착되어 있다. 이것을, 종래에는 베벨 연마 모듈로부터 세정 유닛으로 반송하여, 세정 유닛 내에서 모두 이 입자를 세정·씻어내도록 하고 있었다.
또한, 종래는, 고가의 검사 장치를 베벨 연마 장치 내에 병설하는 것은 코스트 메리트를 생각하면 현실적이지 않으므로, 기판의 중앙 부근에 있는 티끌의 유무를, 연마 장치의 밖에 있는, 파티클 카운터 등으로 계측하여, 기판이 깨끗한 상태인지 여부를 판정하고 있었다.
한편, 작금에 소자의 디자인 룰의 미세화에 수반하여, 파티클 카운터에 있어서도 파티클의 검출 사이즈가 45㎚ 이하를 요구받는 등, 검출 감도의 한층 더한 향상을 향한 기술 개발이 진행되고 있다. 그러나, 검출 감도를 올리면, 원래 검출 불필요한 표면의 LPD(Light Point Defect)까지 검출되어 버린다는 새로운 과제가 발생함을 알게 되었다(예를 들어, 일본 특허 공개 제2013-4825호 공보 참조). 그래서, 미세화의 요구가 높아지고 있음에도 불구하고, 파티클 카운터를 기판 연마 장치에서 사용하는 경우에는, 상기 제약 상, 기판의 주연부의 오염의 유무를 충분히 확인할 수 없는 정밀도의 것을 사용하게 되고, 또한, 특수하면서, 또한 고가의 검사 장치를 사용하지 않으면, 기판 중심부를 관찰할 수 없는 것이었다. 그렇게 하면, 지금까지 사용되고 있는 파티클 카운터를 사용하여 청정이라고 판정되었을 기판이라도, 기판의 주연부에 있는 PID(Process Induced Defect)나 부착 입자 등의 이물이, 어떤 계기로, 기판의 디바이스면으로 이동해 버리는 일도 있을 수 있었다. 그리고, 그렇게 된 경우에, 디바이스면에 악영향을 미치는 것이 염려되지만, 이것에 대해서는, 대책이 취해지지 않았다.
그래서, 기판의 주연부를 연마한 후에 기판의 주연부를 세정하고, 게다가, 그 세정 효과를 바로 확인할 수 있고, 또한, 필요에 따라 다시 세정하도록 하는 기술이 요구되고 있다.
또한, 모든 처리가 끝나고, FOUP로 기판을 되돌리기 직전이나, 장치 밖으로 기판을 반출한 후에, 기판 위에 오염물이 발견되어 버리면, 다시 세정하는 것이 필요해지기 때문에, 이 다시 세정에 의한 시간적인 손실이나 수고가 발생해 버린다.
또한, 기판의 주연부의 디펙트의 원인이 될 수 있는 접촉 세정을 채용하지 않아, 종래는 제대로 세정하지 못했던 영역까지 세정할 수 있게 되면, 디바이스면에 악영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
본 발명은 상술한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 기판의 주연부를 연마한 후에 기판의 주연부를 세정하고, 그 세정 효과를 확인할 수 있고, 또한 종래는 제대로 세정하지 못했던 영역인 기판의 주연부를 확실하게 세정할 수 있는 기판 처리 방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 기판 처리 방법의 제1 양태는, 기판 보유 지지부에 의해 기판을 보유 지지하여 회전시키고, 제1 헤드에 의해 지립을 갖는 연마 테이프를 기판의 주연부에 압박하여 기판의 주연부를 연마하고, 세정 노즐에 의해 세정액을 연마 후의 기판의 주연부에 공급하여 기판의 주연부를 세정하고, 제2 헤드에 의해 지립을 갖지 않는 테이프를 세정 후의 기판의 주연부에 접촉시키고, 센서에 의해 기판의 주연부에 접촉 후의 테이프에 광을 조사하여 테이프로부터의 반사광을 수광하고, 상기 수광된 반사광의 강도가 소정값을 하회하는 경우에 기판의 주연부가 오염되어 있다고 판정하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 상기 지립을 갖지 않는 테이프는, 기재 테이프와, 해당 기재 테이프 위에 마련된 부직포 또는 다공질층을 포함하고, 상기 부직포 또는 다공질층을 기판의 주연부에 접촉시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 상기 세정 노즐은 이류체 제트 노즐을 포함하고, 해당 이류체 제트 노즐에 의해 액체와 기체의 혼합 유체를 기판의 주연부에 공급하여 기판의 주연부를 세정하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 상기 세정 노즐에 의해 오존수 또는 메가소닉이 부여된 세정액을 기판의 주연부에 공급하여 기판의 주연부를 세정하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 기판의 주연부가 오염되어 있다고 판정된 경우, 기판의 주연부를 다시 세정하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기판 처리 장치의 제1 양태는, 기판을 보유 지지하여 회전시키는 기판 보유 지지부와, 지립을 갖는 연마 테이프를 기판의 주연부에 압박하여 기판의 주연부를 연마하는 제1 헤드와, 세정액을 연마 후의 기판의 주연부에 공급하여 기판의 주연부를 세정하는 세정 노즐과, 지립을 갖지 않는 테이프를 세정 후의 기판의 주연부에 접촉시키는 제2 헤드와, 기판의 주연부에 접촉 후의 테이프에 광을 조사하여 테이프로부터의 반사광을 수광하는 센서와, 상기 수광된 반사광의 강도와 소정값을 비교하여, 반사광의 강도가 소정값을 하회하는 경우에 기판의 주연부가 오염되어 있다고 판정하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 상기 지립을 갖지 않는 테이프는, 기재 테이프와, 해당 기재 테이프 위에 마련된 부직포 또는 다공질층을 포함하고, 상기 부직포 또는 다공질층을 기판의 주연부에 접촉시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 상기 세정 노즐은 이류체 제트 노즐을 포함하고, 해당 이류체 제트 노즐에 의해 액체와 기체의 혼합 유체를 기판의 주연부에 공급하여 기판의 주연부를 세정하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 상기 세정 노즐에 의해 오존수 또는 메가소닉이 부여된 세정액을 기판의 주연부에 공급하여 기판의 주연부를 세정하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 상기 제어부에 의해 기판의 주연부가 오염되어 있다고 판정된 경우, 상기 세정 노즐에 의해 기판의 주연부를 다시 세정하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 상기 제2 헤드는, 지립을 갖지 않는 테이프의 이면측에 배치된 압박 부재와, 상기 압박 부재를 지립을 갖지 않는 테이프를 통하여 기판의 주연부에 대하여 압박하는 압박 기구를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 상기 제2 헤드는, 기판의 톱 에지부, 보텀 에지부, 베벨부 각각에 대하여 지립을 갖지 않는 테이프를 접촉시키기 위하여, 상기 압박 부재와 상기 압박 기구를 일체로 틸팅시키는 틸트 기구를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 상기 제어부는, 기판의 주연부가 오염되어 있다고 판정한 경우, 기판의 주연부를 다시 세정하는 신호를 상기 세정 노즐에 발신하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기판 처리 시스템은, 상기에 기재된 기판 처리 장치와, 상기 기판 처리 장치에서 기판을 처리하기 위한 처리 레시피의 데이터가 기억된 기억부와, 오퍼레이터가 기판의 종류의 데이터를 입력함으로써 상기 기억부로부터 처리 레시피의 데이터를 판독하여 처리 레시피를 설정하는 오토 모드로 할지, 오퍼레이터가 수동으로 처리 조건을 특정함으로써 처리 레시피를 설정하는 매뉴얼 모드로 할지를 결정하는 모드 설정부와, 상기 설정된 처리 레시피에 기초하여, 기판 처리 장치의 동작을 제어하기 위한 동작 제어부를 포함한다.
본 발명의 기판 처리 장치의 제2 양태는, 기판을 보유 지지하여 회전시키는 기판 보유 지지 스테이지와, 지립을 갖는 연마 테이프를 상기 기판 보유 지지 스테이지에 보유 지지된 기판의 주연부에 압박하여, 기판의 주연부를 연마하는 제1 헤드와, 상기 기판 보유 지지 스테이지에 보유 지지된 기판의 주연부에 액체와 기체의 혼합 유체의 분류를 공급하여, 기판의 주연부를 세정하는 이류체 제트 노즐을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 상기 이류체 제트 노즐을 상기 기판의 주연부에 대하여 틸팅 가능하게 하는 틸트 기구를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 상기 틸트 기구는, 기판의 주연부 -90°내지 +90°의 범위에 대하여 틸팅 가능해지도록 구성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 상기 이류체 제트 노즐을 복수 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기판 처리 방법의 제2 양태는, 기판을 기판 보유 지지 스테이지에 보유 지지하고, 기판을 회전시키는 공정과, 지립을 갖는 연마구를 상기 회전하는 기판의 주연부에 압박하여, 기판의 주연부를 연마하는 공정과, 상기 기판 보유 지지 스테이지에 보유 지지된 기판의 주연부에 액체와 기체의 혼합 유체의 분류를 공급하여, 해당 기판의 주연부를 세정하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 상기 지립을 갖는 연마구는 제1 헤드에 설치된 연마 테이프이며, 해당 제1 헤드가 기판의 톱 에지부를 연마하고, 상기 세정 공정은, 기판의 톱 에지부를 세정하고, 계속하여, 베벨부 및/또는 보텀 에지부를 세정하도록, 기판의 주연부에 액체와 기체의 혼합 유체의 분류를 순차 공급하도록 한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 상기 지립을 갖는 연마구는 제1 헤드에 설치된 연마 테이프이며, 해당 제1 헤드가 기판의 보텀 에지부를 연마하고, 상기 세정 공정은, 기판의 보텀 에지부를 세정하고, 계속하여, 베벨부 및/또는 톱 에지부를 세정하도록, 기판의 주연부에 액체와 기체의 혼합 유체의 분류를 순차 공급하도록 한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 상기 지립을 갖는 연마구는 제1 헤드에 설치된 연마 테이프이며, 해당 제1 헤드가 기판의 베벨부를 연마하고, 상기 세정 공정은, 기판의 베벨부를 세정하고, 계속하여, 톱 에지부 및/또는 보텀 에지부를 세정하도록, 기판의 주연부에 액체와 기체의 혼합 유체의 분류를 순차 공급하도록 한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기판 처리 장치의 제3 양태는, 기판을 보유 지지하여 회전시키는 기판 보유 지지 스테이지와, 연마구를 상기 기판 보유 지지 스테이지에 보유 지지된 기판의 주연부에 압박하여, 기판의 주연부를 연마하는 제1 헤드와, 상기 기판 보유 지지 스테이지에 보유 지지된 기판의 주연부에 액체와 기체의 혼합 유체의 분류를 공급하여, 기판의 주연부를 세정하는 이류체 제트 노즐과, 상기 이류체 제트 노즐을 상기 기판의 주연부 -90°내지 +90°의 범위에 대하여 틸팅 가능하게 하는 틸트 기구를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 이하에 열거하는 효과를 발휘한다.
1) 기판의 주연부를 연마한 후에 기판의 주연부를 세정할 수 있고, 게다가, 그 세정 효과를 바로 확인할 수 있고, 또한, 필요에 따라 기판의 주연부를 다시 세정하도록 할 수 있다.
2) 기판의 주연부를 청정하게 세정한 것을 확인하고 나서 다음 공정에 가지고 갈 수 있으므로, 나중에 기판 위에 오염물이 잔류되어 있음을 알고 다시 세정함으로써 발생하는 시간적인 손실이나 수고를 억제할 수 있다.
3) 기판의 주연부의 디펙트의 원인이 되는 접촉 세정을 채용하지 않아, 종래는 제대로 세정하지 못했던 영역인 기판의 주연부까지 세정할 수 있으므로, 디바이스면에 악영향을 미치는 것을 억제한 기판 세정 장치 및 방법을 제공할 수 있다.
도 1의 (a) 및 도 1의 (b)는 기판의 일례로서의 웨이퍼의 주연부를 도시하는 확대 단면도이며, 도 1의 (a)는 소위 스트레이트형의 웨이퍼의 단면도이며, 도 1의 (b)는 소위 라운드형의 웨이퍼의 단면도.
도 2는 본 발명에 관한 기판 처리 장치를 도시하는 평면도.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ 단면도.
도 4는 제1 헤드의 확대도.
도 5는 도 4에 도시하는 압박 부재의 정면도.
도 6은 도 5에 도시하는 압박 부재의 측면도.
도 7은 도 5의 A-A선 단면도.
도 8은 헤드 본체가 웨이퍼의 주연부를 연마하고 있는 상태를 도시하는 도면.
도 9는 헤드 본체가 웨이퍼의 주연부를 연마하고 있는 상태를 도시하는 도면.
도 10은 헤드 본체가 웨이퍼의 주연부를 연마하고 있는 상태를 도시하는 도면.
도 11은 세정용 헤드의 입면도.
도 12의 (a), (b), (c)는 도 11에 도시하는 세정 노즐이 웨이퍼의 주연부를 세정하고 있는 상태를 도시하는 모식도.
도 13은 제2 헤드의 확대도.
도 14는 도 2 내지 도 13에 도시하는 바와 같이 구성된 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 장치를 도시하는 블록도.
도 15는 웨이퍼에 대한 세정 노즐의 3개의 위치를 도시하는 모식도.
도 16의 (a), (b), (c)는, 세정용 헤드의 세정 노즐이 웨이퍼의 톱 에지부를 최초로 세정하고, 계속하여, 베벨부 및/또는 보텀 에지부를 세정하는 예를 도시하는 모식도.
이하, 본 발명에 관한 기판 처리 방법 및 장치의 실시 형태에 대하여 도 1 내지 도 16을 참조하여 설명한다. 또한, 도 1 내지 도 16에 있어서, 동일하거나 또는 상당하는 구성 요소에는, 동일한 부호를 부여하여 중복된 설명을 생략한다.
도 1의 (a) 및 도 1의 (b)는, 기판의 일례로서의 웨이퍼의 주연부를 도시하는 확대 단면도이다. 보다 상세하게는, 도 1의 (a)는 소위 스트레이트형의 웨이퍼의 단면도이며, 도 1의 (b)는 소위 라운드형의 웨이퍼의 단면도이다. 도 1의 (a)의 웨이퍼 W에 있어서, 베벨부는, 상측 경사부(상측 베벨부) P, 하측 경사부(하측 베벨부) Q 및 측부(아펙스) R로 구성되는 웨이퍼 W의 최외주면(부호 B로 나타낸다)이다. 도 1의 (b)의 웨이퍼 W에 있어서는, 베벨부는, 웨이퍼 W의 최외주면을 구성하는, 만곡된 단면을 갖는 부분(부호 B로 나타낸다)이다. 톱 에지부는, 베벨부 B보다도 직경 방향 내측에 위치하는 평탄부 E1이다. 보텀 에지부는, 톱 에지부와는 반대측에 위치하고, 베벨부 B보다도 직경 방향 내측에 위치하는 평탄부 E2이다. 톱 에지부는, 디바이스가 형성된 영역을 포함하는 경우도 있다. 이들 톱 에지부 E1 및 보텀 에지부 E2는, 총칭하여 니어 에지부라고 불리는 경우도 있다.
도 2는 본 발명에 관한 기판 처리 장치를 도시하는 평면도이며, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선 단면도이다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 연마 대상인 웨이퍼(기판) W를 수평하게 보유 지지하여 회전시키는 기판 보유 지지부(2)와, 지립을 갖는 연마 테이프 PT를 웨이퍼 W의 주연부에 압박하여 웨이퍼 W의 주연부를 연마하는 2개의 제1 헤드(3A, 3B)와, 세정액을 연마 후의 웨이퍼 W 주연부에 공급하여 웨이퍼 W의 주연부를 세정하는 세정 노즐을 갖는 세정용 헤드(3C)와, 지립을 갖지 않는 테이프 T를 세정 후의 웨이퍼 W 주연부에 접촉시키는 제2 헤드(3D)를 구비하고 있다. 도 2 및 도 3에 있어서는, 기판 보유 지지부(2)가 웨이퍼 W를 보유 지지하고 있는 상태를 나타내고 있다. 기판 보유 지지부(2)는 웨이퍼 W의 이면을 진공 흡착에 의해 보유 지지하는 접시 형상의 보유 지지 스테이지(4)와, 보유 지지 스테이지(4)의 중앙부에 연결된 중공 샤프트(5)와, 이 중공 샤프트(5)를 회전시키는 모터 M1을 구비하고 있다. 웨이퍼 W는, 반송 유닛(도시하지 않음)에 의해, 웨이퍼 W의 중심이 중공 샤프트(5)의 축심과 일치하도록 보유 지지 스테이지(4) 위에 적재된다.
중공 샤프트(5)는, 볼 스플라인 베어링(직동 베어링)(6)에 의해 상하동 가능하게 지지되어 있다. 보유 지지 스테이지(4)의 상면에는 홈(4a)이 형성되어 있고, 이 홈(4a)은, 중공 샤프트(5)를 통하여 연장되는 연통로(7)에 접속되어 있다. 연통로(7)는 중공 샤프트(5)의 하단에 설치된 로터리 조인트(8)를 통하여 진공 라인(9a)에 접속되어 있다. 연통로(7)는, 처리 후의 웨이퍼 W를 보유 지지 스테이지(4)로부터 이탈시키기 위한 질소 가스 공급 라인(9b)에도 접속되어 있다. 이들 진공 라인(9a)과 질소 가스 공급 라인(9b)을 전환함으로써, 웨이퍼 W를 보유 지지 스테이지(4)의 상면에 진공 흡착하여, 이탈시킨다.
중공 샤프트(5)는, 이 중공 샤프트(5)에 연결된 풀리 p1과, 모터 M1의 회전축에 설치된 풀리 p2와, 이들 풀리 p1, p2에 걸쳐진 벨트 b1을 통하여 모터 M1에 의해 회전된다. 볼 스플라인 베어링(6)은, 중공 샤프트(5)가 그 긴 쪽 방향으로 자유롭게 이동함을 허용하는 베어링이다. 볼 스플라인 베어링(6)은 원통형의 케이싱(12)에 고정되어 있다. 따라서, 본 실시 형태에 있어서는, 중공 샤프트(5)는, 케이싱(12)에 대하여 상하로 직선 동작할 수 있도록 구성되어 있고, 중공 샤프트(5)와 케이싱(12)은 일체로 회전한다. 중공 샤프트(5)는, 에어 실린더(승강 기구)(15)에 연결되어 있고, 에어 실린더(15)에 의해 중공 샤프트(5) 및 보유 지지 스테이지(4)가 상승 및 하강할 수 있게 되어 있다.
케이싱(12)과, 그 외측에 동심 상에 배치된 원통형의 케이싱(14) 사이에는 레이디얼 베어링(18)이 개재 장착되어 있고, 케이싱(12)은 베어링(18)에 의해 회전 가능하게 지지되어 있다. 이와 같은 구성에 의해, 기판 보유 지지부(2)는, 웨이퍼 W를 그 중심축 Cr 주위로 회전시키며, 또한 웨이퍼 W를 중심축 Cr을 따라 상승 및 하강시킬 수 있다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 연마 테이프 PT에 의해 웨이퍼 W의 주연부를 연마하는 2개의 제1 헤드(3A, 3B)와, 웨이퍼 W의 주연부를 세정하는 세정용 헤드(3C)와, 지립을 갖지 않는 테이프 T를 세정 후의 웨이퍼 W 주연부에 접촉시키는 제2 헤드(3D)는, 기판 보유 지지부(2)에 보유 지지된 웨이퍼 W를 둘러싸도록 웨이퍼 W의 반경 방향 외측에 배치되어 있다.
본 실시 형태에서는, 2개의 제1 헤드(3A, 3B) 및 제2 헤드(3D)의 반경 방향 외측에, 테이프 공급 회수 기구(10A, 10B, 10D)가 각각 설치되어 있다. 2개의 제1 헤드(3A, 3B) 및 제2 헤드(3D)와 테이프 공급 회수 기구(10A, 10B, 10D)는, 격벽(20)에 의해 격리되어 있다. 격벽(20)의 내부 공간은 처리실(21)을 구성하고, 4개의 헤드(3A, 3B, 3C, 3D) 및 보유 지지 스테이지(4)는 처리실(21) 내에 배치되어 있다. 한편, 테이프 공급 회수 기구(10A, 10B, 10D)는 격벽(20)의 외측(즉, 처리실(21)의 밖)에 배치되어 있다. 2개의 제1 헤드(3A, 3B)는 서로 동일한 구성을 갖고, 테이프 공급 회수 기구(10A, 10B)도 서로 동일한 구성을 갖고 있다.
이어서, 지립을 갖는 연마 테이프 PT를 웨이퍼 W의 주연부에 압박하여 웨이퍼 W의 주연부를 연마하는 제1 헤드(3A) 및 연마 테이프 PT의 공급 및 회수를 행하는 테이프 공급 회수 기구(10A)에 대하여 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다.
테이프 공급 회수 기구(10A)는, 지립을 갖는 연마 테이프 PT를 제1 헤드(3A)에 공급하는 공급 릴(24)과, 웨이퍼 W의 연마에 사용된 연마 테이프 PT를 회수하는 회수 릴(25)을 구비하고 있다. 공급 릴(24)은 회수 릴(25)의 상방에 배치되어 있다. 공급 릴(24) 및 회수 릴(25)에는 커플링(27)을 통하여 모터 M2가 각각 연결되어 있다(도 2에는 공급 릴(24)에 연결되는 커플링(27)과 모터 M2만을 나타낸다). 각각의 모터 M2는, 소정의 회전 방향으로 일정한 토크를 가하여, 연마 테이프 PT에 소정의 텐션을 가할 수 있게 되어 있다.
연마 테이프 PT는 긴 띠 형상의 연마구이며, 그 편면이 연마면을 구성하고 있다. 연마 테이프 PT는, 예를 들어 PET 시트 등을 포함하는 기재 테이프와, 기재 테이프 위에 형성되어 있는 연마층을 갖고 있다. 연마층은 기재 테이프의 한쪽의 표면을 피복하는 바인더(예를 들어 수지)와, 바인더에 보유 지지된 지립으로 구성되어 있고, 연마층의 표면이 연마면을 구성하고 있다.
연마 테이프 PT는 공급 릴(24)에 감긴 상태에서 테이프 공급 회수 기구(10A)에 세트된다. 연마 테이프 PT의 측면은 감다가 붕괴되는 일이 발생하지 않도록 릴판으로 지지되어 있다. 연마 테이프 PT의 일단부는 회수 릴(25)에 설치되고, 제1 헤드(3A)에 공급된 연마 테이프 PT를 회수 릴(25)을 권취함으로써 연마 테이프 PT를 회수하게 되어 있다. 또한, 공급 릴(24)에 세트된 연마 테이프 PT의 후단 근방에는, 엔드 마크(도시하지 않음)가 부여되어 있고, 공급 릴(24)의 근방에는 이 엔드 마크를 검출 가능한 마크 검출 센서(28)가 설치되어 있다.
제1 헤드(3A)는 테이프 공급 회수 기구(10A)로부터 공급된 연마 테이프 PT를 웨이퍼 W의 주연부에 맞닿게 하기 위한 헤드 본체(30)를 구비하고 있다. 연마 테이프 PT는, 연마 테이프 PT의 연마면이 웨이퍼 W를 향하도록 헤드 본체(30)에 공급된다.
테이프 공급 회수 기구(10A)는 복수의 가이드 롤러(31, 32, 33, 34)를 갖고 있으며, 제1 헤드(3A)에 공급되고, 제1 헤드(3A)로부터 회수되는 연마 테이프 PT가 이들 가이드 롤러(31, 32, 33, 34)에 의해 가이드된다. 연마 테이프 PT는, 격벽(20)에 형성된 개구부(20a)를 통하여 공급 릴(24)로부터 헤드 본체(30)로 공급되고, 사용된 연마 테이프 PT는 개구부(20a)를 통하여 회수 릴(25)에 회수된다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 W의 상방에는 상측 공급 노즐(36)이 배치되고, 기판 보유 지지부(2)에 보유 지지된 웨이퍼 W의 상면 중심을 향하여 연마액을 공급한다. 또한, 웨이퍼 W의 이면과 기판 보유 지지부(2)의 보유 지지 스테이지(4)의 경계부(보유 지지 스테이지(4)의 외주부)를 향하여 연마액을 공급하는 하측 공급 노즐(37)을 구비하고 있다. 연마액에는, 예를 들어 순수가 사용된다. 기판 처리 장치(1)는, 웨이퍼 W의 연마 처리 후에 헤드 본체(30)를 세정하는 헤드용 세정 노즐(도시하지 않음)을 더 구비하고 있고, 연마 처리 후에 웨이퍼 W가 기판 보유 지지부(2)에 의해 상승한 후, 헤드 본체(30)를 향하여 세정수를 분사하여, 연마 처리 후의 헤드 본체(30)를 세정할 수 있게 되어 있다.
중공 샤프트(5)가 케이싱(12)에 대하여 승강했을 때에 볼 스플라인 베어링(6)이나 레이디얼 베어링(18) 등의 기구를 처리실(21)로부터 격리하기 위하여, 도 3에 도시하는 바와 같이 중공 샤프트(5)와 케이싱(12)의 상단은 상하로 신축 가능한 벨로우즈(19)로 접속되어 있다. 도 3은 중공 샤프트(5)가 하강하고 있는 상태를 나타내고, 보유 지지 스테이지(4)가 처리 위치에 있음을 나타내고 있다. 처리 후에는, 에어 실린더(15)에 의해 웨이퍼 W를 보유 지지 스테이지(4) 및 중공 샤프트(5)와 함께 반송 위치까지 상승시키고, 이 반송 위치에서 웨이퍼 W를 보유 지지 스테이지(4)로부터 이탈시킨다.
격벽(20)은 웨이퍼 W를 처리실(21)에 반입 및 반출하기 위한 반송구(20b)를 구비하고 있다. 반송구(20b)는 수평하게 연장되는 노치로서 형성되어 있다. 따라서, 반송 기구(도시하지 않음)에 파지된 웨이퍼 W는, 수평한 상태를 유지하면서, 반송구(20b)를 통하여 처리실(21) 내를 가로지르는 것이 가능하게 되어 있다. 격벽(20)의 상면에는 개구(20c) 및 루버(40)가 설치되고, 하면에는 배기구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 처리 시는 반송구(20b)는 도시하지 않은 셔터로 폐쇄되게 되어 있다. 따라서, 배기구로부터 도시하지 않은 팬 기구에 의해 배기를 함으로써 처리실(21)의 내부에는 청정 공기의 다운 플로가 형성되게 되어 있다. 이 상태에 있어서 기판 처리가 되므로, 연마액이나 세정액이 상방으로 비산하는 것이 방지되어, 처리실(21)의 상부 공간을 청정하게 유지하면서 각종 처리를 할 수 있다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 연마 테이프 PT를 웨이퍼 W의 주연부에 맞닿게 하기 위한 헤드 본체(30)는 아암(60)의 일단부에 고정되고, 아암(60)은, 웨이퍼 W의 접선에 평행한 회전축 Ct 주위로 회전 가능하게 구성되어 있다. 아암(60)의 타단부는 풀리 p3, p4 및 벨트 b2를 통하여 모터 M4에 연결되어 있다. 모터 M4가 시계 방향 및 반시계 방향으로 소정의 각도만큼 회전함으로써, 아암(60)이 축 Ct 주위로 소정의 각도만큼 회전한다. 본 실시 형태에서는, 모터 M4, 아암(60), 풀리 p3, p4 및 벨트 b2에 의해, 헤드 본체(30)를 경사지게 하는 틸트 기구가 구성되어 있다.
틸트 기구는 이동대(61)에 탑재되어 있다. 도 3에 도시하는 바와 같이 이동대(61)는, 가이드(62) 및 레일(63)을 통하여 베이스 플레이트(65)로 이동 가능하게 연결되어 있다. 레일(63)은, 기판 보유 지지부(2)에 보유 지지된 웨이퍼 W의 반경 방향을 따라 직선적으로 연장되어 있고, 이동대(61)는 웨이퍼 W의 반경 방향을 따라 직선적으로 이동 가능하게 되어 있다. 이동대(61)에는 베이스 플레이트(65)를 관통하는 연결판(66)이 설치되고, 연결판(66)에는 리니어 액추에이터(67)가 조인트(68)를 통하여 연결되어 있다. 리니어 액추에이터(67)는 베이스 플레이트(65)에 직접 또는 간접적으로 고정되어 있다.
리니어 액추에이터(67)로서는, 에어 실린더나 위치 결정용 모터와 볼 나사의 조합 등을 채용할 수 있다. 이 리니어 액추에이터(67), 레일(63), 가이드(62)에 의해, 헤드 본체(30)를 웨이퍼 W의 반경 방향을 따라 직선적으로 이동시키는 이동 기구가 구성되어 있다. 즉, 이동 기구는 레일(63)을 따라 헤드 본체(30)를 웨이퍼 W로 근접 및 이격시키도록 동작한다. 한편, 테이프 공급 회수 기구(10A)는 베이스 플레이트(65)에 고정되어 있다.
도 4는 제1 헤드(3A)의 확대도이다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 제1 헤드(3A)는, 지립을 갖는 연마 테이프 PT를 웨이퍼 W의 주연부에 압박하기 위한 헤드 본체(30)를 구비하고 있다. 헤드 본체(30)는, 연마 테이프 PT의 연마면을 웨이퍼 W에 대하여 소정의 힘으로 압박하는 압박 기구(41)와, 연마 테이프 PT를 공급 릴(24)로부터 회수 릴(25)로 이송하는 테이프 이송 기구(42)를 구비하고 있다. 이 테이프 이송 기구(42)는 연마 테이프 PT를 이송하는 테이프 이송 롤러(42a)와, 연마 테이프 PT를 테이프 이송 롤러(42a)에 대하여 압박하는 닙 롤러(42b)와, 테이프 이송 롤러(42a)를 회전시키는 테이프 이송 모터 M3을 구비하고 있다. 닙 롤러(42b)는, 도 4의 화살표 NF로 나타내는 방향(테이프 이송 롤러(42a)를 향하는 방향)으로 힘을 발생시키도록 도시하지 않은 기구로 지지되어 있고, 테이프 이송 롤러(42a)를 압박하도록 구성되어 있다.
연마 테이프 PT는 테이프 이송 롤러(42a)와 닙 롤러(42b) 사이에 끼워져 있다. 테이프 이송 롤러(42a)를 도 4의 화살표로 나타내는 방향으로 회전시키면, 테이프 이송 롤러(42a)가 회전하여 연마 테이프 PT를 공급 릴(24)로부터 헤드 본체(30)를 경유하여 회수 릴(25)로 이송할 수 있다. 닙 롤러(42b)는 그 자신의 축 주위로 회전할 수 있도록 구성되고, 연마 테이프 PT가 이송됨으로써 회전한다. 헤드 본체(30)는 복수의 가이드 롤러(43, 44, 45, 46, 47, 48, 49)를 갖고 있고, 이들 가이드 롤러는 웨이퍼 W의 접선 방향과 직교하는 방향으로 연마 테이프 PT가 진행되도록 연마 테이프 PT를 가이드한다.
압박 기구(41)는 연마 테이프 PT의 이면측에 배치된 압박 부재(50)와, 이 압박 부재(50)를 웨이퍼 W의 주연부를 향하여 이동시키는 에어 실린더(구동 기구)(52)를 구비하고 있다. 압박 부재(50)는 전방면에 2개의 돌기부(51a, 51b)를 구비하고 있다. 에어 실린더(52)로 공급하는 기체(예를 들어, 공기)의 압력을 제어함으로써, 연마 테이프 PT를 웨이퍼 W에 대하여 압박하는 힘이 조정된다. 웨이퍼 W의 주위에 배치된 각 헤드(3A, 3B, 3D)에 배치된 틸트 기구, 압박 기구(41), 테이프 이송 기구(42)는, 각각 독립적으로 동작이 가능하게 구성되어 있다. 또한, 각 헤드를 이동시키는 이동 기구는, 각각 독립적으로 동작이 가능하게 구성되어 있다.
도 5는 도 4에 도시하는 압박 부재(50)의 정면도이며, 도 6은 도 5에 도시하는 압박 부재(50)의 측면도이며, 도 7은 도 5의 A-A선 단면도이다. 도 5 내지 도 7에 도시하는 바와 같이, 압박 부재(50)는 그 전방면에 형성된 2개의 돌기부(51a, 51b)를 갖고 있다. 이들 돌기부(51a, 51b)는, 레일과 같은 형상을 갖고 있으며, 병렬로 배치되어 있다. 돌기부(51a, 51b)는, 웨이퍼 W의 주위 방향을 따라 만곡되어 있다. 보다 구체적으로는, 돌기부(51a, 51b)는, 웨이퍼 W의 곡률과 실질적으로 동일한 곡률을 갖는 원호 형상을 갖고 있다.
2개의 돌기부(51a, 51b)는, 회전축 Ct(도 2 참조)에 관하여 대칭으로 배치되어 있고, 도 5에 도시하는 바와 같이 압박 부재(50)의 정면으로부터 보았을 때에 돌기부(51a, 51b)는 회전축 Ct를 향하여 내측으로 만곡되어 있다. 헤드 본체(30)는, 돌기부(51a, 51b)의 선단 사이의 중심선(즉 회전축 Ct)이 웨이퍼 W의 두께 방향에 있어서의 중심과 일치하도록 설치된다. 돌기부(51a, 51b)는, 헤드 본체(30)의 전방면에 배치된 가이드 롤러(46, 47)(도 4 참조)보다도 웨이퍼 W에 근접하여 배치되어 있고, 연마 테이프 PT는 돌기부(51a, 51b)에 의해 이면으로부터 지지되어 있다. 돌기부(51a, 51b)는, PEEK(폴리에테르에테르케톤) 등의 수지로 형성되어 있다.
도 7에 도시하는 바와 같이, 2개의 돌기부(51a, 51b) 사이에는 압박 패드(베벨 패드)(64)가 배치되어 있다. 압박 패드(64)는 실리콘 고무 등의 탄력성을 갖는 독립 발포재로 구성되어 있다. 압박 패드(64)의 높이는, 돌기부(51a, 51b)의 높이보다도 약간 낮게 되어 있다. 헤드 본체(30)를 수평하게 유지한 상태에서 압박 부재(50)가 에어 실린더(52)에 의해 웨이퍼 W를 향하여 이동되면, 압박 패드(64)는, 연마 테이프 PT를 그 이측으로부터 웨이퍼 W의 주연부에 대하여 압박한다.
도 8 내지 도 10은 헤드 본체(30)가 웨이퍼 W의 주연부를 연마하고 있는 상태를 도시하는 도면이다. 웨이퍼 W의 베벨부를 연마할 때는, 도 8에 도시하는 바와 같이 상술한 틸트 기구에 의해 헤드 본체(30)의 경사 각도를 연속적으로 변화시키면서, 압박 패드(64)에 의해 연마 테이프 PT를 웨이퍼 W의 베벨부에 누른다. 연마 중에는, 연마 테이프 PT는 테이프 이송 기구(42)에 의해 소정의 속도로 이송된다. 또한, 헤드 본체(30)는, 웨이퍼 W의 톱 에지부 및 보텀 에지부를 연마할 수 있다. 즉, 도 9에 도시하는 바와 같이 헤드 본체(30)를 상방으로 기울이고, 돌기부(51a)에 의해 연마 테이프 PT를 웨이퍼 W의 톱 에지부에 압박하여, 톱 에지부를 연마할 수 있다. 또한, 도 10에 도시하는 바와 같이, 헤드 본체(30)를 하방으로 기울이고, 돌기부(51b)에 의해 연마 테이프 PT를 웨이퍼 W의 보텀 에지부에 압박하여, 보텀 에지부를 연마할 수 있다.
본 실시 형태의 제1 헤드(3A, 3B)는 톱 에지부, 베벨부 및 보텀 에지부를 포함하는 웨이퍼 W의 주연부 전체를 연마할 수 있다. 예를 들어, 연마 레이트를 향상시키기 위하여, 제1 헤드(3A)로 톱 에지부, 베벨부 및 보텀 에지부를 포함하는 웨이퍼 W의 주연부 전체를 연마하고, 동시에, 제1 헤드(3B)로 톱 에지부, 베벨부 및 보텀 에지부를 포함하는 웨이퍼 W의 주연부 전체를 연마한다. 혹은, 제1 헤드(3A)로 톱 에지부를 연마하고, 제1 헤드(3B)로 베벨부를 연마하고, 제1 헤드(3A) 또는 제1 헤드(3B)로 톱 에지부를 연마해도 된다.
이어서, 세정액을 연마 후의 웨이퍼 W 주연부에 공급하여 웨이퍼 W의 주연부를 세정하는 세정용 헤드(3C)에 대하여, 도 2 및 도 11을 참조하여 설명한다. 도 11은 세정용 헤드(3C)의 입면도이다. 또한, 세정용 헤드(3C)를 제1 헤드(3A)와 제1 헤드(3B) 사이 및/또는 세정용 헤드(3C)와 제2 헤드(3D) 사이 등에 추가하여 설치함으로써, 복수의 세정용 헤드(3C)를 설치할 수 있다.
도 2 및 도 11에 도시하는 바와 같이, 세정용 헤드(3C)는, 세정액을 연마 후의 웨이퍼 W 주연부에 공급하여 웨이퍼 W를 세정하기 위한 세정 노즐(53)을 구비하고 있다. 세정 노즐(53)은 아암(60)의 일단부에 고정되고, 아암(60)은, 웨이퍼 W의 접선에 평행한 회전축 Ct 주위로 회전 가능하게 구성되어 있다. 아암(60)의 타단부는 풀리 p3, p4 및 벨트 b2를 통하여 모터 M4에 연결되어 있다. 모터 M4가 시계 방향 및 반시계 방향으로 소정의 각도만큼 회전함으로써, 아암(60)이 축 Ct 주위로 소정의 각도만큼 회전한다. 본 실시 형태에서는, 모터 M4, 아암(60), 풀리 p3, p4 및 벨트 b2에 의해, 세정 노즐(53)을 경사지게 하는 틸트 기구가 구성되어 있다. 이 틸트 기구에 의해, 세정 노즐(53)을 웨이퍼 W의 주연부 -90°내지 +90°의 범위에서 틸팅 가능하게 하고 있다.
틸트 기구는, 이동대(61)에 탑재되어 있다. 이동대(61)에 탑재되어 있는 틸트 기구는, 모터측의 축과 틸트측의 축에 풀리가 설치되고, 벨트에 의해 연결되어 있다. 틸트 기구에 의해 세정 노즐(53)을 틸트 동작시킬 때는, 모터로 위치 결정 제어하고, 세정 노즐(53)을 웨이퍼 W의 주연부 -90°내지 +90°의 범위에서 틸팅 가능하게 하고 있다. 도 11에 도시하는 바와 같이, 이동대(61)는 가이드(62) 및 레일(63)을 통하여 베이스 플레이트(65)로 이동 가능하게 연결되어 있다. 레일(63)은, 기판 보유 지지부(2)에 보유 지지된 웨이퍼 W의 반경 방향을 따라 직선적으로 연장되어 있고, 이동대(61)는 웨이퍼 W의 반경 방향을 따라 직선적으로 이동 가능하게 되어 있다. 이동대(61)에는 베이스 플레이트(65)를 관통하는 연결판(66)이 설치되고, 연결판(66)에는 리니어 액추에이터(67)가 조인트(68)를 통하여 연결되어 있다. 리니어 액추에이터(67)는 베이스 플레이트(65)에 직접 또는 간접적으로 고정되어 있다.
리니어 액추에이터(67)로서는, 에어 실린더나 위치 결정용 모터와 볼 나사의 조합 등을 채용할 수 있다. 이 리니어 액추에이터(67), 레일(63), 가이드(62)에 의해, 세정 노즐(53)을 웨이퍼 W의 반경 방향을 따라 직선적으로 이동시키는 이동 기구가 구성되어 있다. 즉, 이동 기구는 레일(63)을 따라 세정 노즐(53)을 웨이퍼 W에 근접 및 이격시키도록 동작한다.
도 11에 도시하는 바와 같이, 세정 노즐(53)은, 웨이퍼 W의 주연부에 액체와 기체의 혼합 유체의 분류를 공급하여, 웨이퍼 W의 주연부를 세정하는 이류체 제트 노즐로 구성되어 있다. 세정 노즐(53)의 후단부에는, 순수 또는 CO2 가스 용해수 등 세정액을 공급하는 세정액 공급 라인(54)과, N2 가스 또는 건조 에어 등의 기체를 공급하는 기체 공급 라인(55)이 접속되어 있고, 이 각 라인(54, 55)에는 세정액과 기체 각각의 유량을 조정하는 레귤레이터(56, 57)가 설치되어 있다. 각 라인(54, 55)은 신축성과 곡절성이 있는 벨로우즈 등으로 구성되어 있다.
도 11에 도시하는 세정 노즐(53)에 의하면, 순수 또는 CO2 가스 용해수 등의 세정액과, N2 가스 또는 건조 에어 등의 기체를 고속으로 분출함으로써, 기체 중에 세정액이 미소 미스트가 되어 존재하는 이류체 제트류가 생성되고, 이 이류체 제트류가 웨이퍼 W의 주연부를 향하여 고속으로 분사됨으로써, 이류체 제트류의 충돌 시의 압력으로 웨이퍼 W의 주연부 이물(오염)이 제거된다.
도 12의 (a), (b), (c)는, 도 11에 도시하는 세정 노즐(53)이 웨이퍼 W의 주연부를 세정하고 있는 상태를 도시하는 모식도이다.
도 12의 (a)는 리니어 액추에이터(67)에 의해 세정용 헤드(3C)를 전진시켜 세정 노즐(53)에 의해 웨이퍼 W의 베벨부를 세정하고 있는 상태를 나타낸다. 기판 보유 지지부(2)에 의해 웨이퍼 W를 보유 지지하여 회전시키면서, 세정 노즐(53)로부터 웨이퍼 W의 베벨부를 향하여 이류체 제트류를 분사함으로써, 웨이퍼 W의 베벨부를 세정한다.
도 12의 (b)는 웨이퍼 W의 톱 에지부에 이류체 제트류를 분사하기 위하여 틸트 기구에 의해 세정 노즐(53)을 +90° 경사지게 한 상태를 도시하고 있다.
도 12의 (c)는 웨이퍼 W의 보텀 에지부에 이류체 제트류를 분사하기 위하여 틸트 기구에 의해 세정 노즐(53)을 -90° 경사지게 한 상태를 도시하고 있다.
이어서, 세정용 헤드(3C)에 의해 세정된 후의 웨이퍼 W의 주연부에 지립을 갖지 않는 테이프 T를 접촉시키는 제2 헤드(3D) 및 지립을 갖지 않는 테이프 T의 공급 및 회수를 행하는 테이프 공급 회수 기구(10D)에 대하여 설명한다.
제2 헤드(3D)는 지립을 갖는 연마 테이프 PT 대신에 지립을 갖지 않는 테이프 T를 웨이퍼 W의 주연부에 접촉시키는 헤드이며, 기능적으로는 제1 헤드(3A)와 동일하다. 따라서, 제2 헤드(3D)는, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이 제1 헤드(3A)와 동일한 구성이기 때문에, 설명을 생략한다.
또한, 테이프 공급 회수 기구(10D)는, 지립을 갖는 연마 테이프 PT 대신에 지립을 갖지 않는 테이프 T를 제2 헤드(3D)에 공급하며, 또한 회수하는 것이며, 기능적으로는 테이프 공급 회수 기구(10A)와 동일하다. 따라서, 테이프 공급 회수 기구(10D)는, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이 테이프 공급 회수 기구(10A)와 동일한 구성이기 때문에, 설명을 생략한다.
이하에 있어서는, 지립을 갖지 않는 테이프 T에 대하여 설명한다. 지립을 갖지 않는 테이프 T는, 예를 들어 PET 시트 등을 포함하는 기재 테이프와, 기재 테이프 위에 바인더(예를 들어 수지)에 의해 보유 지지되어 있는 부직포 또는 다공질층으로 구성되어 있다. 부직포 또는 다공질층이 웨이퍼 W의 주연부에 접촉한다. 부직포 또는 다공질층은, 표면에 다수의 요철이 있기 때문에, 웨이퍼 W의 주연부에 부착된 오염을 제거하는 기능이 높다.
도 13은 제2 헤드(3D)의 확대도이다. 도 13에 도시하는 바와 같이, 제2 헤드(3D)는 지립을 갖지 않는 테이프 T를 웨이퍼 W의 주연부에 압박하기 위한 헤드 본체(30)를 구비하고 있다. 제2 헤드(3D)의 헤드 본체(30)는, 지립을 갖는 연마 테이프 PT 대신에 지립을 갖지 않는 테이프 T를 웨이퍼 W의 주연부에 압박하는 것이며, 기능적으로는 제1 헤드(3A)의 헤드 본체(30)와 동일하다. 따라서, 제2 헤드(3D)의 헤드 본체(30)는, 도 13에 도시하는 바와 같이 제1 헤드(3A)의 헤드 본체(30)와 기본적으로 동일한 구성이다.
제2 헤드(3D)는, 제1 헤드(3A)와 동일한 구성 외에도, 지립을 갖지 않는 테이프 T를 세정 후의 웨이퍼 W 주연부에 접촉시킨 후에, 테이프 T에 부착된 오염의 유무를 검출하기 위한 구성을 구비하고 있다. 즉, 제2 헤드(3D)는, 도 13에 도시하는 바와 같이, 가이드 롤러(49)와 회수 릴(25) 사이의 위치에, 세정 후의 웨이퍼 W 주연부에 접촉시킨 후의 테이프 T에 광을 조사하여 테이프 T로부터의 반사광을 수광하는 센서(70)를 구비하고 있다. 센서(70)는 테이프 T로부터의 반사광을 수광하여 반사광의 강도를 측정하도록 구성되어 있다. 그로 인해, 지립을 갖지 않는 테이프 T는 광의 흡수율이 높지 않은 재질이 바람직하다. 센서(70)는, 예를 들어 RGB 컬러 센서를 포함한다. RGB 컬러 센서는, 백색 LED 광을 조사하고, 반사광을 적·녹·청의 3원색으로 필터로 분해하고, 검출 소자로, 적색, 녹색, 청색의 각각의 색의 강도에 기초하여, 색 비율을 판별하게 되어 있다. 센서(70)에는, UV(자외) 영역의 광(375㎚의 파장광)을 조사 가능한 LED를 광원에 사용하고, 형광체 검출 UV 센서를 수광 센서로 하여, 수광된 광의 강도를 측정할 수도 있다. 센서(70)는 제어부(71)에 접속되어 있다. 제어부(71)는 센서(70)로부터의 신호를 수신하고, 센서(70)에 의해 수광한 반사광의 강도와, 미리 설정되어 있는 소정값을 비교하여, 반사광의 강도가 소정값을 하회하는 경우에, 테이프 T에 오염물이 부착되어 있다고 판단하여, 웨이퍼 W의 주연부가 오염되어 있다고 판정한다.
제2 헤드(3D)의 압박 부재(50)는, 도 5 내지 도 7에 도시하는 제1 헤드(3A)의 압박 부재(50)와 동일한 구성이기 때문에, 설명을 생략한다.
또한, 제2 헤드(3D)의 헤드 본체(30)가 웨이퍼 W의 주연부에 접촉하고 있는 상태는, 지립을 갖는 연마 테이프 PT가 지립을 갖지 않는 테이프 T를 대신하는 것 이외에도, 도 8 내지 도 10에 도시하는 제1 헤드(3A)의 헤드 본체(30)가 웨이퍼 W의 주연부를 연마하고 있는 상태와 동일하기 때문에, 설명을 생략한다.
도 14는 도 2 내지 도 13에 도시하는 바와 같이 구성된 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 장치를 도시하는 블록도이다. 제어 장치는 전용 컴퓨터 또는 범용의 컴퓨터로 구성된다. 도 14에 도시하는 바와 같이, 제어 장치(100)는 기판 처리 장치(1)에서 기판을 처리하기 위한 처리 레시피의 데이터가 기억된 기억부(101)와, 오퍼레이터가 기판의 종류의 데이터를 입력함으로써 기억부(101)로부터 처리 레시피의 데이터를 판독하여 처리 레시피를 설정하는 오토 모드로 할지, 오퍼레이터가 수동으로 처리 조건을 특정함으로써 처리 레시피를 설정하는 매뉴얼 모드로 할지를 결정하는 모드 설정부(102)와, 설정된 처리 레시피에 기초하여 기판 처리 장치의 동작을 제어하기 위한 동작 제어부(103)를 구비하고 있다. 또한, 제어 장치(100)는, 데이터, 프로그램 및 각종 정보를 기억부(101)에 입력하기 위한 입력부(104)와, 처리 결과나 처리된 데이터를 출력하기 위한 출력부(105)를 구비하고 있다.
기억부(101)는 동작 제어부(103)가 액세스 가능한 주기억부(107)와, 데이터 및 프로그램을 저장하는 보조 기억부(108)를 구비하고 있다. 주기억부(107)는 예를 들어 랜덤 액세스 메모리(RAM)이며, 보조 기억부(108)는 하드디스크 드라이브(HDD) 또는 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 등의 스토리지 장치이다.
입력부(104)는 키보드, 마우스를 구비하고 있고, 기록 매체로부터 데이터를 판독하기 위한 기록 매체 판독부(110)와, 기록 매체가 접속되는 기록 매체 포트(111)를 더 구비하고 있다. 기록 매체는, 비일시적인 유형물인 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체이며, 예를 들어 광 디스크(예를 들어, CD-ROM, DVD-ROM)나, 반도체 메모리(예를 들어, USB 플래시 드라이브, 메모리 카드)이다. 기록 매체 판독부(110)의 예로서는, CD 드라이브, DVD 드라이브 등의 광학 드라이브나, 카드 리더를 들 수 있다. 기록 매체 포트(111)의 예로서는, USB 단자를 들 수 있다. 기록 매체에 기록되어 있는 프로그램 및/또는 데이터는, 입력부(104)를 통하여 제어 장치(100)에 도입되어, 기억부(101)의 보조 기억부(108)에 저장된다. 출력부(105)는 디스플레이부(113), 인쇄부(114)를 구비하고 있다.
이어서, 도 14에 도시하는 제어 장치(100)에 저장된 처리 레시피에 기초하여 기판 처리 장치(1)에 의해 실행되는 기판 처리 공정에 대하여 설명한다.
먼저, 제1 헤드(3A, 3B)에 의해 웨이퍼 W의 주연부의 연마를 행한다. 즉, 웨이퍼 W는, 그 표면에 형성되어 있는 막(예를 들어, 디바이스층)이 위를 향하도록 기판 보유 지지부(2)의 보유 지지 스테이지(4)에 보유 지지되고, 또한 웨이퍼 W의 중심 주위로 회전된다. 계속하여, 상측 공급 노즐(36) 및 하측 공급 노즐(37)로부터 연마액(예를 들어, 순수)을 웨이퍼 W에 공급한다. 웨이퍼 W의 톱 에지부를 연마하는 경우는, 도 9에 도시하는 바와 같이 돌기부(51a)가 톱 에지부에 대향할 때까지 틸트 기구에 의해 헤드 본체(30)를 상방으로 경사지게 한다. 테이프 이송 기구(42)에 의해 연마 테이프 PT를 그 긴 쪽 방향으로 이송하면서, 상측의 돌기부(51a)에 의해 연마 테이프 PT를 웨이퍼 W의 톱 에지부에 대하여 상방으로부터 압박한다. 이 상태에서, 리니어 액추에이터(67)에 의해 헤드 본체(30)를 웨이퍼 W의 직경 방향 외측으로 일정한 속도로 이동시키고, 이에 의해 톱 에지부를 연마한다.
웨이퍼 W의 보텀 에지부를 연마하는 경우는, 도 10에 도시하는 바와 같이 돌기부(51b)가 보텀 에지부에 대향할 때까지 틸트 기구에 의해 헤드 본체(30)를 하방으로 경사지게 한다. 테이프 이송 기구(42)에 의해 연마 테이프 PT를 그 긴 쪽 방향으로 이송하면서, 돌기부(51b)에 의해 연마 테이프 PT를 웨이퍼 W의 보텀 에지부에 대하여 하방으로부터 압박한다. 이 상태에서, 리니어 액추에이터(67)에 의해 헤드 본체(30)를 웨이퍼 W의 직경 방향 외측으로 일정한 속도로 이동시키고, 이에 의해 보텀 에지부를 연마한다. 웨이퍼 W의 베벨부를 연마하는 경우는, 도 8에 도시하는 바와 같이 상술한 틸트 기구에 의해 헤드 본체(30)의 경사 각도를 연속적으로 변화시키면서, 압박 패드(64)에 의해 연마 테이프 PT를 웨이퍼 W의 베벨부에 압박한다. 연마 중에는, 연마 테이프 PT는 테이프 이송 기구(42)에 의해 소정의 속도로 이송된다. 이와 같이 하여, 웨이퍼 W의 주연부 연마가 종료되면, 헤드 본체(30)를 퇴피시켜 연마 테이프 PT를 퇴피시킨다.
이어서, 세정용 헤드(3C)에 의해 웨이퍼 W의 주연부의 세정을 행한다. 즉, 회전시킨 웨이퍼 W의 주연부에 이류체 제트 노즐을 포함하는 세정 노즐(53)로부터 이류체 제트류를 분사함으로써, 웨이퍼 W의 주연부의 세정을 행한다. 이 세정 중에, 세정 노즐(53)은, 도 12의 (a), (b), (c)에 도시하는 바와 같이 틸트 기구에 의해 -90°내지 +90°의 범위에서 틸팅된다. 세정 노즐(53)은, 이류체 제트 노즐에 한하지 않고, 오존수 또는 메가소닉이 부여된 세정액을 웨이퍼 W의 주연부에 공급하는 노즐이어도 된다.
세정 노즐(53)로부터 공급되는 세정액에 의해 웨이퍼 W의 주연부의 세정을 소정 시간 계속하고, 세정이 종료되면, 제2 헤드(3D)에 의해 지립을 갖지 않는 테이프 T를 웨이퍼 W의 주연부에 접촉시킨다. 즉, 웨이퍼 W를 회전시키면서, 기재 테이프와 부직포 또는 다공질층을 포함하고 지립을 갖지 않는 테이프 T를 웨이퍼 W의 주연부에 접촉시킨다. 이때, 도 8 내지 도 10에 도시하는 바와 같이, 헤드 본체(30)를 틸트 기구에 의해 틸팅시키고, 지립을 갖지 않는 테이프 T를 웨이퍼 W의 베벨부, 톱 에지부, 보텀 에지부에 접촉시킨다. 웨이퍼 W의 주연부에 오염물이 부착되어 있는 경우, 웨이퍼 W의 주연부와의 접촉으로 오염물이 테이프 T에 부착되고, 오염물이 부착된 테이프 T는 회수 릴(25)로 권취되지만, 이 회수 중의 테이프 T에 대하여 센서(70)로부터 광을 조사하여, 테이프 T로부터의 반사광을 센서(70)에 의해 수광한다. 센서(70)는 수광한 반사광의 강도를 측정한다.
센서(70)는 반사광의 강도를 나타내는 신호를 제어부(71)에 송신한다. 제어부(71)는 센서(70)에 의해 수광된 반사광의 강도와, 미리 설정되어 있는 소정값을 비교하여, 반사광의 강도가 소정값을 하회한 경우에, 테이프 T에 오염물이 부착되어 있다고 판단하여, 웨이퍼 W의 주연부가 오염되어 있다고 판정한다. 반사광의 강도가 소정값을 상회한 경우, 테이프 T에 오염물이 부착되어 있지 않다고 판정하여, 웨이퍼 W의 주연부가 오염되어 있지 않다고 판정한다. 오염되어 있지 않다고 판정된 웨이퍼 W는 다음 공정으로 반송된다. 다음 공정에서는, 세정기를 사용하여 웨이퍼 W의 전체면의 세정 공정이 행하여지고, 세정 공정 후에 건조기를 사용하여 웨이퍼 W의 건조 공정이 행하여진다.
한편, 웨이퍼 W의 주연부가 오염되어 있다고 판정된 경우, 세정용 헤드(3C)에 의해 웨이퍼 W의 주연부를 다시 세정한다. 즉, 회전시킨 웨이퍼 W의 주연부에 세정 노즐(53)로부터 이류체 제트류를 분사함으로써, 웨이퍼 W의 주연부를 다시 세정한다. 계속하여, 제2 헤드(3D)에 있어서의 테이프 T에 의한 웨이퍼 W의 주연부에 대한 접촉 공정, 센서(70)에 의한 오염의 검지 공정 및 제어부(71)에 의한 오염의 판정 공정을 다시 행한다.
이어서, 이류체 제트 노즐을 포함하는 세정 노즐(53)의 조작 방법을 도 15 및 도 16을 참조하여 설명한다.
도 15는 웨이퍼 W에 대한 세정 노즐(53)의 3개의 위치를 도시하는 모식도이다. 세정 노즐(53)을 0°의 위치인 P1과, +90°의 위치인 P2와, -90°의 위치인 P3 사이에서 틸팅시키고, 각 위치 P1, P2, P3 및 각 위치 사이에 있어서 웨이퍼 W의 주연부를 향하여 이류체 제트류를 분사시킨다. 동작예로서, 처음에는, P1 위치에서 0° 방향으로부터 이류체 제트류를 분사시킨다. 계속하여, P2 위치에서 90° 방향으로부터 이류체 제트류를 분사시킨다. 계속하여, 서서히 0°를 향하여 틸팅시키고, 0°가 되면 -90°까지 틸팅시키고, P3 위치에서 -90° 방향으로부터 이류체 제트류를 분사시킨다. 세정 노즐(53)은, 틸팅 동작 중에 있어서도 이류체 제트류를 계속하여 분사한다.
연마 후의 웨이퍼 W 주연부는, 연마 방법에 의해 오염의 정도가 상이한 경우가 있기 때문에, 세정용 헤드(3C)에 있어서는 가장 오염된 개소를 최초로 세정하고, 그 후에 다른 개소를 세정하는 레시피로 한다. 예를 들어, 제1 헤드(3A 및/또는 3B)가 웨이퍼 W의 톱 에지부를 연마한 경우에는, 세정용 헤드(3C)의 세정 노즐(53)은, 웨이퍼 W의 톱 에지부를 최초로 세정하고, 계속하여, 베벨부 및/또는 보텀 에지부를 세정한다. 또한, 세정 시간에 대해서도, 톱 에지부의 세정 시간을 다른 개소의 세정 시간보다도 길게 한다.
도 16의 (a), (b), (c)는, 세정용 헤드(3C)의 세정 노즐(53)이 웨이퍼 W의 톱 에지부를 최초로 세정하고, 계속하여, 베벨부 및/또는 보텀 에지부를 세정하는 예를 도시하는 모식도이다.
동작의 일례로서, 도 16의 (a)에 도시하는 바와 같이 세정 노즐(53)을 0°의 위치로부터 +90°의 위치로 이동시켜, +90°의 위치에서 세정 노즐(53)로부터 웨이퍼 W의 톱 에지부를 향하여 이류체 제트류를 분사시킴으로써, 웨이퍼 W의 톱 에지부를 최초로 세정한다. 계속하여, 도 16의 (b)에 도시하는 바와 같이, 세정 노즐(53)을 하방향으로 서서히 0°의 위치를 향하여 이동시키면서, 세정 노즐(53)로부터 이류체 제트류를 분사하여 톱 에지부부터 베벨부까지를 세정한다. 계속하여, 도 16의 (c)에 도시하는 바와 같이 세정 노즐(53)을 하방향으로 빠르게 -90°의 위치를 향하여 이동시키면서, 세정 노즐(53)로부터 이류체 제트류를 분사하여 베벨부로부터 보텀 에지부를 세정한다.
혹은, 톱 에지부의 세정 공정(도면 중의 도 16의 (a)에 상당한다)과, 보텀 에지부의 세정 공정(도면 중의 도 16의 (c)에 상당한다)은 행하도록 하고, 세정 노즐(53)을 0°의 위치로부터 세정하는 공정(도면 중의 도 16의 (b)에 상당한다)을 행하지 않도록 할 수도 있다. 이와 같이 하면, 기판의 주연부를 국소적으로 세정할 수 있고, 게다가, 세정에 있어서 기판의 디바이스면(패턴면)에 대미지를 끼쳐 버린다는 영향(예를 들어, 패턴의 도괴)이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이러한 구성 외에도, 또한, 톱 에지부와 보텀 에지부의 세정이 종료된 후, 도시하지 않은 노즐을 0°의 위치로부터 순수(DIW) 등을 공급하도록 하면, 기판의 베벨부를 보다 확실하게 세정할 수 있다.
또한, 기판의 톱 에지부에 부착된 이물을 세정할 때에 제거된 이물의 기판에 대한 재부착을 방지하기 위하여, 이류체 제트류를 분사시키기 위한 세정 노즐(53)의 톱 에지측의 가동 범위를 +90° 내지 -90°의 범위보다도 1° 내지 15° 정도 확장된 구성, 예를 들어 +100° 내지 -90°로 한 변형 실시예도 더 생각할 수 있다.
혹은, 기판의 보텀 에지부에 부착된 이물을 세정할 때에 제거된 이물의 기판에 대한 재부착을 방지하기 위하여, 이류체 제트 노즐을 분사시키기 위한 세정 노즐(53)의 보텀 에지측의 가동 범위를 +90° 내지 -90°의 범위보다도 1°내지 15° 정도 확장된 구성, 예를 들어 +90° 내지 -100°로 한 변형 실시예도 생각할 수 있다.
혹은, 세정 노즐(53)에 대하여 기판의 중심측이며, 기판의 상방과 하방의 어느 것 또는 양쪽에 위치하도록, 도시하지 않은 차폐 부재를 설치함으로써, 기판의 주연부에 부착된 이물을 세정할 때에 세정으로 제거된 이물의 기판에 대한 재부착을 방지하도록 구성할 수도 있다.
혹은, 기판의 세정 시에 기판 처리 장치의 하우징 내부에 형성되는 다운 플로의 공기의 흐름을 보다 강해지도록, 세정 처리 중에 기판 처리 장치 하면의 배기구에 연통한 도시하지 않은 팬 기구의 배기량을 증가시키도록 할 수도 있다. 이에 의해, 더 효과적으로 세정으로 제거된 세정액의 비말이 공기 중에 부유하여 기판에 재부착되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 동작의 일례로서, 제1 헤드(3A 및/또는 3B)가 웨이퍼 W의 보텀 에지부를 연마한 경우에는, 세정용 헤드(3C)의 세정 노즐(53)은 웨이퍼 W의 보텀 에지부를 최초로 세정하고, 계속하여 베벨부 및/또는 톱 에지부를 세정한다. 또한, 세정 시간에 대해서도, 보텀 에지부의 세정 시간을 다른 개소의 세정 시간보다도 길게 한다.
또한, 제1 헤드(3A 및/또는 3B)가 웨이퍼 W의 베벨부를 연마한 경우에는, 세정용 헤드(3C)의 세정 노즐(53)은, 웨이퍼 W의 베벨부를 최초로 세정하고, 계속하여, 톱 에지부 및/또는 보텀 에지부를 세정한다. 또한, 세정 시간에 대해서도, 베벨부의 세정 시간을 다른 개소의 세정 시간보다도 길게 한다.
이들처럼 하면, 기판의 주연부에 부착된 이물을 보다 양호하게 제거할 수 있다.
지금까지 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되지 않고, 그 기술적 사상의 범위 내에 있어서 다양한 상이한 형태로 실시되어도 됨은 말할 필요도 없고 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에 있어서 다양한 변경을 가할 수 있음은 물론이다. 예를 들어, 지립을 포함하는 연마 테이프를 사용하여 기판의 주연부를 처리하는 공정을 포함할 수 있는 장치, 보다 구체적으로는 기판의 표면 또는 이면을 연마하는 연마 장치, 기판의 단부를 연마하는 연마 장치(혹은 에지 연마 장치라고도 한다), 기판 연삭 장치, 기판 박화 장치 등에 본 발명을 적용할 수 있다. 또한, 변형 실시예의 일 형태로서, 지립을 포함하는 연마 테이프 대신에 지립을 포함하는 연마구를 사용하여 기판의 주연부를 연마하는 기판 연마 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다.
1: 기판 처리 장치
2: 기판 보유 지지부
3A, 3B: 제1 헤드
3C: 세정용 헤드
3D: 제2 헤드
4: 보유 지지 스테이지
5: 중공 샤프트
6: 볼 스플라인 베어링(직동 베어링)
7: 연통로
8: 로터리 조인트
9a: 진공 라인
9b: 질소 가스 공급 라인
10A, 10B, 10D: 테이프 공급 회수 기구
12: 케이싱
14: 원통형의 케이싱
15: 에어 실린더
18: 레이디얼 베어링
19: 벨로우즈
20: 격벽
20b: 반송구
20c: 개구
21: 처리실
24: 공급 릴
25: 회수 릴
27: 커플링
28: 검출 센서
30: 헤드 본체
31, 32, 33, 34: 가이드 롤러
36: 상측 공급 노즐
37: 하측 공급 노즐
40: 루버
41: 압박 기구
42: 테이프 이송 기구
42a: 테이프 이송 롤러
42b: 닙 롤러
43, 44, 45, 46, 47, 48, 49: 가이드 롤러
50: 압박 부재
53: 세정 노즐
54: 세정액 공급 라인
55: 기체 공급 라인
56, 57: 레귤레이터
60: 아암
61: 이동대
62: 가이드
63: 레일
65: 베이스 플레이트
66: 연결판
67: 리니어 액추에이터
68: 조인트
70: 센서
71: 제어부
100: 제어 장치
101: 기억부
102: 모드 설정부
103: 동작 제어부
104: 입력부
105: 출력부
107: 주기억부
108: 보조 기억부
110: 기록 매체 판독부
111: 기록 매체 포트
113: 디스플레이부
114: 인쇄부
b2: 벨트
Cr: 중심축
M1, M2, M3, M4: 모터
P1, P2: 풀리
PT: 지립을 갖는 연마 테이프
T: 지립을 갖지 않는 테이프
W: 웨이퍼

Claims (23)

  1. 기판 보유 지지부에 의해 기판을 보유 지지하여 회전시키고,
    제1 헤드에 의해 지립을 갖는 연마 테이프를 기판의 주연부에 압박하여 기판의 주연부를 연마하고,
    세정 노즐에 의해 세정액을 연마 후의 기판의 주연부에 공급하여 기판의 주연부를 세정하고,
    제2 헤드에 의해 지립을 갖지 않는 테이프를 세정 후의 기판의 주연부에 접촉시키고,
    센서에 의해 기판의 주연부에 접촉 후의 테이프에 광을 조사하여 테이프로부터의 반사광을 수광하고,
    상기 수광된 반사광의 강도가 소정값을 하회하는 경우에 기판의 주연부가 오염되어 있다고 판정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 지립을 갖지 않는 테이프는, 기재 테이프와, 해당 기재 테이프 위에 마련된 부직포 또는 다공질층을 포함하고, 상기 부직포 또는 다공질층을 기판의 주연부에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 세정 노즐은 이류체 제트 노즐을 포함하고, 해당 이류체 제트 노즐에 의해 액체와 기체의 혼합 유체를 기판의 주연부에 공급하여 기판의 주연부를 세정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 세정 노즐에 의해 오존수 또는 메가소닉이 부여된 세정액을 기판의 주연부에 공급하여 기판의 주연부를 세정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  5. 제1항에 있어서, 기판의 주연부가 오염되어 있다고 판정된 경우, 기판의 주연부를 다시 세정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  6. 기판을 보유 지지하여 회전시키는 기판 보유 지지부와,
    지립을 갖는 연마 테이프를 기판의 주연부에 압박하여 기판의 주연부를 연마하는 제1 헤드와,
    세정액을 연마 후의 기판의 주연부에 공급하여 기판의 주연부를 세정하는 세정 노즐과,
    지립을 갖지 않는 테이프를 세정 후의 기판의 주연부에 접촉시키는 제2 헤드와,
    기판의 주연부에 접촉 후의 테이프에 광을 조사하여 테이프로부터의 반사광을 수광하는 센서와,
    상기 수광된 반사광의 강도와 소정값을 비교하여, 반사광의 강도가 소정값을 하회하는 경우에 기판의 주연부가 오염되어 있다고 판정하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 지립을 갖지 않는 테이프는, 기재 테이프와, 해당 기재 테이프 위에 마련된 부직포 또는 다공질층을 포함하고, 상기 부직포 또는 다공질층을 기판의 주연부에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 세정 노즐은 이류체 제트 노즐을 포함하고, 해당 이류체 제트 노즐에 의해 액체와 기체의 혼합 유체를 기판의 주연부에 공급하여 기판의 주연부를 세정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 세정 노즐에 의해 오존수 또는 메가소닉이 부여된 세정액을 기판의 주연부에 공급하여 기판의 주연부를 세정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 제어부에 의해 기판의 주연부가 오염되어 있다고 판정된 경우, 상기 세정 노즐에 의해 기판의 주연부를 다시 세정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제6항에 있어서, 상기 제2 헤드는, 지립을 갖지 않는 테이프의 이면측에 배치된 압박 부재와, 상기 압박 부재를 지립을 갖지 않는 테이프를 통하여 기판의 주연부에 대하여 압박하는 압박 기구를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제2 헤드는, 기판의 톱 에지부, 보텀 에지부, 베벨부 각각에 대하여 지립을 갖지 않는 테이프를 접촉시키기 위하여, 상기 압박 부재와 상기 압박 기구를 일체로 틸팅시키는 틸트 기구를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제6항에 있어서, 상기 제어부는, 기판의 주연부가 오염되어 있다고 판정한 경우, 기판의 주연부를 다시 세정하는 신호를 상기 세정 노즐에 발신하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제6항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 장치와,
    상기 기판 처리 장치에서 기판을 처리하기 위한 처리 레시피의 데이터가 기억된 기억부와,
    오퍼레이터가 기판의 종류의 데이터를 입력함으로써 상기 기억부로부터 처리 레시피의 데이터를 판독하여 처리 레시피를 설정하는 오토 모드로 할지, 오퍼레이터가 수동으로 처리 조건을 특정함으로써 처리 레시피를 설정하는 매뉴얼 모드로 할지를 결정하는 모드 설정부와,
    상기 설정된 처리 레시피에 기초하여, 기판 처리 장치의 동작을 제어하기 위한 동작 제어부를
    포함하는, 기판 처리 시스템.
  15. 기판을 보유 지지하여 회전시키는 기판 보유 지지 스테이지와,
    지립을 갖는 연마 테이프를 상기 기판 보유 지지 스테이지에 보유 지지된 기판의 주연부에 압박하여, 기판의 주연부를 연마하는 제1 헤드와,
    상기 기판 보유 지지 스테이지에 보유 지지된 기판의 주연부에 액체와 기체의 혼합 유체의 분류를 공급하여, 기판의 주연부를 세정하는 이류체 제트 노즐을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 이류체 제트 노즐을 상기 기판의 주연부에 대하여 틸팅 가능하게 하는 틸트 기구를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 틸트 기구는, 기판의 주연부 -90°내지 +90°의 범위에 대하여 틸팅 가능해지도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  18. 제15항에 있어서, 상기 이류체 제트 노즐을 복수 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  19. 기판을 기판 보유 지지 스테이지에 보유 지지하고, 기판을 회전시키는 공정과,
    지립을 갖는 연마구를 상기 회전하는 기판의 주연부에 압박하여, 기판의 주연부를 연마하는 공정과,
    상기 기판 보유 지지 스테이지에 보유 지지된 기판의 주연부에 액체와 기체의 혼합 유체의 분류를 공급하여, 해당 기판의 주연부를 세정하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 지립을 갖는 연마구는 제1 헤드에 설치된 연마 테이프이며, 해당 제1 헤드가 기판의 톱 에지부를 연마하고,
    상기 세정 공정은, 기판의 톱 에지부를 세정하고, 계속하여, 베벨부 및/또는 보텀 에지부를 세정하도록, 기판의 주연부에 액체와 기체의 혼합 유체의 분류를 순차 공급하도록 한 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  21. 제19항에 있어서, 상기 지립을 갖는 연마구는 제1 헤드에 설치된 연마 테이프이며, 해당 제1 헤드가 기판의 보텀 에지부를 연마하고,
    상기 세정 공정은, 기판의 보텀 에지부를 세정하고, 계속하여, 베벨부 및/또는 톱 에지부를 세정하도록, 기판의 주연부에 액체와 기체의 혼합 유체의 분류를 순차 공급하도록 한 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  22. 제19항에 있어서, 상기 지립을 갖는 연마구는 제1 헤드에 설치된 연마 테이프이며, 해당 제1 헤드가 기판의 베벨부를 연마하고,
    상기 세정 공정은, 기판의 베벨부를 세정하고, 계속하여, 톱 에지부 및/또는 보텀 에지부를 세정하도록, 기판의 주연부에 액체와 기체의 혼합 유체의 분류를 순차 공급하도록 한 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  23. 기판을 보유 지지하여 회전시키는 기판 보유 지지 스테이지와,
    연마구를 상기 기판 보유 지지 스테이지에 보유 지지된 기판의 주연부에 압박하여, 기판의 주연부를 연마하는 제1 헤드와,
    상기 기판 보유 지지 스테이지에 보유 지지된 기판의 주연부에 액체와 기체의 혼합 유체의 분류를 공급하여, 기판의 주연부를 세정하는 이류체 제트 노즐과,
    상기 이류체 제트 노즐을 상기 기판의 주연부 -90°내지 +90°의 범위에 대하여 틸팅 가능하게 하는 틸트 기구를
    구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
KR1020180033095A 2017-03-27 2018-03-22 기판 처리 방법 및 장치 KR102442320B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017060432A JP6920849B2 (ja) 2017-03-27 2017-03-27 基板処理方法および装置
JPJP-P-2017-060432 2017-03-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180109710A true KR20180109710A (ko) 2018-10-08
KR102442320B1 KR102442320B1 (ko) 2022-09-14

Family

ID=63582824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180033095A KR102442320B1 (ko) 2017-03-27 2018-03-22 기판 처리 방법 및 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10811284B2 (ko)
JP (1) JP6920849B2 (ko)
KR (1) KR102442320B1 (ko)
CN (1) CN108705383B (ko)
TW (1) TWI761463B (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6908496B2 (ja) * 2017-10-25 2021-07-28 株式会社荏原製作所 研磨装置
EP3633718A1 (en) * 2018-10-01 2020-04-08 Infineon Technologies AG Detection of adhesive residue on a wafer
CN109571232B (zh) * 2018-12-28 2020-05-19 西安奕斯伟硅片技术有限公司 晶圆研磨方法及其研磨***
JP2021091030A (ja) * 2019-12-10 2021-06-17 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
JP7287271B2 (ja) * 2019-12-26 2023-06-06 株式会社Sumco ワークの洗浄装置および洗浄方法
CN111266989B (zh) * 2020-02-28 2021-02-09 太仓市凯福士机械有限公司 金属工件除油光饰一体桶
JP7451324B2 (ja) 2020-06-26 2024-03-18 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
JP7464467B2 (ja) * 2020-07-01 2024-04-09 株式会社ディスコ ウェーハ洗浄装置
JP2022063417A (ja) 2020-10-12 2022-04-22 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2023087757A (ja) * 2021-12-14 2023-06-26 東京エレクトロン株式会社 ノズル、基板処理装置および基板処理方法
CN118003177A (zh) * 2024-01-05 2024-05-10 浙江龙纪汽车零部件股份有限公司 一种汽车铝防撞梁生产边缘毛刺去除装置及其加工方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003234314A (ja) * 2002-02-12 2003-08-22 Ebara Corp 基板処理装置
JP2004241434A (ja) * 2003-02-03 2004-08-26 Ebara Corp 基板処理装置
US20080293331A1 (en) * 2007-05-21 2008-11-27 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for low cost and high performance polishing tape for substrate bevel and edge polishing in seminconductor manufacturing
JP2009154285A (ja) * 2007-12-03 2009-07-16 Ebara Corp 研磨装置および研磨方法
JP4846915B2 (ja) * 2000-03-29 2011-12-28 信越半導体株式会社 貼り合わせウェーハの製造方法
JP2012213849A (ja) 2011-03-25 2012-11-08 Ebara Corp 研磨装置および研磨方法
JP2013004825A (ja) 2011-06-20 2013-01-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコンウェーハ及びその製造方法

Family Cites Families (206)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1365583A (en) * 1921-01-11 Corner-rounding machine
US3170272A (en) * 1963-06-03 1965-02-23 Richard C Burnham Contour abrading machine and method
US3524284A (en) * 1967-08-22 1970-08-18 Corning Glass Works Abrasive milling head for numerically controlled apparatus
US3596413A (en) * 1969-11-26 1971-08-03 Donald R Stewart Abrading tool chip extractor and remover
AT302097B (de) * 1970-09-15 1972-09-25 Heesemann Karl Schleifvorrichtung zum abrundenden Brechen con Kanten an Werkstücken
US3753269A (en) * 1971-05-21 1973-08-21 R Budman Abrasive cloth cleaner
US3922820A (en) * 1974-01-09 1975-12-02 Structural Fibers Means for feathering rubber stock
US4031668A (en) * 1974-02-19 1977-06-28 Hitchcock Chair Company Sanding machine for anatomically contoured wooden chair seats and the like
US4109422A (en) * 1976-04-05 1978-08-29 Parsons Enterprises, Inc. Sander cleaning process
BE856402A (fr) * 1977-07-01 1978-01-02 Centre Rech Metallurgique Procede pour ameliorer la proprete de surface de la tole d'acier
US4231193A (en) * 1978-12-22 1980-11-04 Siegel John R Vertical belt sanding apparatus
US4344260A (en) * 1979-07-13 1982-08-17 Nagano Electronics Industrial Co., Ltd. Method for precision shaping of wafer materials
DE3103874A1 (de) * 1981-02-05 1982-09-09 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Verfahren und vorrichtung zum bearbeiten der oberflaeche magnetischer aufzeichnungstraeger
US4525955A (en) * 1981-10-20 1985-07-02 Timesavers, Inc. Abrasive belt cleaning system
US4719721A (en) * 1986-12-18 1988-01-19 Timesavers, Inc. Conveyor bed assembly and vacuum platen
US5209027A (en) * 1989-10-13 1993-05-11 Tdk Corporation Polishing of the rear surface of a stamper for optical disk reproduction
JP2719855B2 (ja) * 1991-05-24 1998-02-25 信越半導体株式会社 ウエーハ外周の鏡面面取り装置
US5128281A (en) * 1991-06-05 1992-07-07 Texas Instruments Incorporated Method for polishing semiconductor wafer edges
JPH06155271A (ja) * 1992-11-16 1994-06-03 Fuji Photo Film Co Ltd 磁気ディスクのバーニッシュ方法および装置
US5289661A (en) * 1992-12-23 1994-03-01 Texas Instruments Incorporated Notch beveling on semiconductor wafer edges
US5885138A (en) * 1993-09-21 1999-03-23 Ebara Corporation Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device
US5679059A (en) * 1994-11-29 1997-10-21 Ebara Corporation Polishing aparatus and method
JP2832142B2 (ja) * 1993-10-29 1998-12-02 信越半導体株式会社 ウェーハのノッチ部研磨装置
JPH07205001A (ja) * 1993-11-16 1995-08-08 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ面取り機
JP2837342B2 (ja) * 1993-12-13 1998-12-16 日本ミクロコーティング株式会社 研磨装置
JP2728628B2 (ja) * 1994-03-23 1998-03-18 アミテック株式会社 ベルトサンダー及びサンディングベルトのクリーニング方法
US5593344A (en) * 1994-10-11 1997-01-14 Ontrak Systems, Inc. Wafer polishing machine with fluid bearings and drive systems
US5643044A (en) * 1994-11-01 1997-07-01 Lund; Douglas E. Automatic chemical and mechanical polishing system for semiconductor wafers
JP2882458B2 (ja) * 1994-11-28 1999-04-12 株式会社東京精密 ウェーハ面取り機
US5655954A (en) * 1994-11-29 1997-08-12 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Polishing apparatus
JPH08174411A (ja) * 1994-12-22 1996-07-09 Ebara Corp ポリッシング装置
JP3828176B2 (ja) * 1995-02-28 2006-10-04 コマツ電子金属株式会社 半導体ウェハの製造方法
JPH08267347A (ja) * 1995-03-31 1996-10-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd オリエンテーション・フラットを有するウエーハ面取り部の鏡面研磨方法とその装置
JP3305557B2 (ja) * 1995-04-10 2002-07-22 大日本印刷株式会社 研磨テープ、その製造方法および研磨テープ用塗工剤
JP3580600B2 (ja) * 1995-06-09 2004-10-27 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法およびそれに使用される半導体ウエハ並びにその製造方法
US5798164A (en) * 1995-06-23 1998-08-25 Stormedia, Inc. Zone textured magnetic recording media
JPH09107423A (ja) * 1995-10-09 1997-04-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> カード式公衆電話機におけるカード搬送ベルトの清掃装置
US6050884A (en) * 1996-02-28 2000-04-18 Ebara Corporation Polishing apparatus
JP3620554B2 (ja) * 1996-03-25 2005-02-16 信越半導体株式会社 半導体ウェーハ製造方法
US5713784A (en) * 1996-05-17 1998-02-03 Mark A. Miller Apparatus for grinding edges of a glass sheet
JP3441322B2 (ja) * 1996-12-17 2003-09-02 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び方法
US5868857A (en) * 1996-12-30 1999-02-09 Intel Corporation Rotating belt wafer edge cleaning apparatus
JP3352896B2 (ja) * 1997-01-17 2002-12-03 信越半導体株式会社 貼り合わせ基板の作製方法
JP3454658B2 (ja) * 1997-02-03 2003-10-06 大日本スクリーン製造株式会社 研磨処理モニター装置
US6110025A (en) * 1997-05-07 2000-08-29 Obsidian, Inc. Containment ring for substrate carrier apparatus
JPH10328993A (ja) * 1997-05-26 1998-12-15 Topcon Corp レンズ形状測定装置
US6108091A (en) * 1997-05-28 2000-08-22 Lam Research Corporation Method and apparatus for in-situ monitoring of thickness during chemical-mechanical polishing
JP3024947B2 (ja) * 1997-07-03 2000-03-27 日本ミクロコーティング株式会社 研磨装置
IT1294167B1 (it) * 1997-08-08 1999-03-22 Scm Group Autec Division Spa Macchina levigatrice di pannelli con cambio automatico e rigenerazione del nastro abrasivo utensile.
US5980368A (en) * 1997-11-05 1999-11-09 Aplex Group Polishing tool having a sealed fluid chamber for support of polishing pad
US6132289A (en) * 1998-03-31 2000-10-17 Lam Research Corporation Apparatus and method for film thickness measurement integrated into a wafer load/unload unit
JP3197253B2 (ja) * 1998-04-13 2001-08-13 株式会社日平トヤマ ウエーハの面取り方法
JP3730406B2 (ja) * 1998-04-30 2006-01-05 株式会社ニデック 眼鏡レンズ加工装置
JP3261362B2 (ja) * 1998-05-28 2002-02-25 株式会社アドバンテスト 表面状態測定方法及び装置
JP3183259B2 (ja) * 1998-06-03 2001-07-09 日本電気株式会社 半導体ウェハ研磨状態モニタリング装置及び研磨終了点検出方法
JPH11347917A (ja) * 1998-06-09 1999-12-21 Ebara Corp ポリッシング装置
TW396084B (en) * 1998-08-12 2000-07-01 Worldwild Semiconductor Mfg Co Chemical mechanic polishing machine
JP4049900B2 (ja) * 1998-08-20 2008-02-20 株式会社スーパーシリコン研究所 ワイヤソー切断装置
US6439967B2 (en) * 1998-09-01 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Microelectronic substrate assembly planarizing machines and methods of mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies
JP3664593B2 (ja) * 1998-11-06 2005-06-29 信越半導体株式会社 半導体ウエーハおよびその製造方法
US6202658B1 (en) * 1998-11-11 2001-03-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning the edge of a thin disc
US6311702B1 (en) * 1998-11-11 2001-11-06 Applied Materials, Inc. Megasonic cleaner
US6227950B1 (en) * 1999-03-08 2001-05-08 Speedfam-Ipec Corporation Dual purpose handoff station for workpiece polishing machine
US6352595B1 (en) * 1999-05-28 2002-03-05 Lam Research Corporation Method and system for cleaning a chemical mechanical polishing pad
US6776692B1 (en) * 1999-07-09 2004-08-17 Applied Materials Inc. Closed-loop control of wafer polishing in a chemical mechanical polishing system
US6290573B1 (en) * 1999-08-23 2001-09-18 Komag, Incorporated Tape burnish with monitoring device
US6685539B1 (en) * 1999-08-24 2004-02-03 Ricoh Company, Ltd. Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus
US6261163B1 (en) * 1999-08-30 2001-07-17 Micron Technology, Inc. Web-format planarizing machines and methods for planarizing microelectronic substrate assemblies
JP2001071249A (ja) * 1999-09-03 2001-03-21 Sony Corp 研磨装置
JP2001212750A (ja) * 1999-11-25 2001-08-07 Fujikoshi Mach Corp ポリシングマシンの洗浄装置およびポリシングマシン
US6447374B1 (en) * 1999-12-17 2002-09-10 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical planarization system
JP2001205549A (ja) * 2000-01-25 2001-07-31 Speedfam Co Ltd 基板エッジ部の片面研磨方法およびその装置
US6629875B2 (en) * 2000-01-28 2003-10-07 Accretech Usa, Inc. Machine for grinding-polishing of a water edge
JP2001228701A (ja) * 2000-02-14 2001-08-24 Ricoh Co Ltd 現像方法
US6342099B1 (en) * 2000-05-01 2002-01-29 Millennium Inorganic Chemicals, Inc. Coated titanium dioxide pigments and processes for production and use
JP2002030275A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Nihon Micro Coating Co Ltd テクスチャ加工液及び方法
US7077733B1 (en) * 2000-08-31 2006-07-18 Micron Technology, Inc. Subpad support with a releasable subpad securing element and polishing apparatus including the subpad support
US6805613B1 (en) * 2000-10-17 2004-10-19 Speedfam-Ipec Corporation Multiprobe detection system for chemical-mechanical planarization tool
US6482072B1 (en) * 2000-10-26 2002-11-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for providing and controlling delivery of a web of polishing material
DE10058305A1 (de) * 2000-11-24 2002-06-06 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Oberflächenpolitur von Siliciumscheiben
US20020072296A1 (en) * 2000-11-29 2002-06-13 Muilenburg Michael J. Abrasive article having a window system for polishing wafers, and methods
JP4156200B2 (ja) * 2001-01-09 2008-09-24 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨方法
US6670089B2 (en) * 2001-01-11 2003-12-30 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic image forming method and apparatus
US6485355B1 (en) * 2001-06-22 2002-11-26 International Business Machines Corporation Method to increase removal rate of oxide using fixed-abrasive
KR100420205B1 (ko) * 2001-09-10 2004-03-04 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 제조 방법
JP2003100688A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6849369B2 (en) * 2001-11-02 2005-02-01 Ricoh Company, Limited Toner for developing electrostatic image, method for manufacturing the toner, developer including the toner, container containing the toner, and developing method using the toner
JP2003145064A (ja) * 2001-11-12 2003-05-20 Tokyo Electron Ltd ２流体ジェットノズル及び基板洗浄装置
JP3949941B2 (ja) * 2001-11-26 2007-07-25 株式会社東芝 半導体装置の製造方法および研磨装置
JP4542324B2 (ja) * 2002-10-17 2010-09-15 株式会社荏原製作所 研磨状態監視装置及びポリッシング装置
US6641464B1 (en) * 2003-02-21 2003-11-04 Accretech Usa, Inc. Method and apparatus for polishing the edge of a bonded wafer
JP4030907B2 (ja) * 2003-03-19 2008-01-09 株式会社リコー 静電荷像現像用トナー
KR100636035B1 (ko) * 2003-11-08 2006-10-18 삼성전자주식회사 웨이퍼를 건조하기 위한 방법 및 장치, 그리고 웨이퍼 건조 장치를 포함하는 웨이퍼 처리 장치
US6913520B1 (en) * 2004-01-16 2005-07-05 United Microelectronics Corp. All-in-one polishing process for a semiconductor wafer
EP1719161B1 (en) * 2004-02-25 2014-05-07 Ebara Corporation Polishing apparatus
US8403727B1 (en) * 2004-03-31 2013-03-26 Lam Research Corporation Pre-planarization system and method
JP2005305586A (ja) * 2004-04-20 2005-11-04 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨装置
TWI352645B (en) * 2004-05-28 2011-11-21 Ebara Corp Apparatus for inspecting and polishing substrate r
US7682653B1 (en) * 2004-06-17 2010-03-23 Seagate Technology Llc Magnetic disk with uniform lubricant thickness distribution
KR101249430B1 (ko) * 2004-10-15 2013-04-03 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 폴리싱장치 및 폴리싱방법
JP4077439B2 (ja) * 2004-10-15 2008-04-16 株式会社東芝 基板処理方法及び基板処理装置
JP4748968B2 (ja) * 2004-10-27 2011-08-17 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの製造方法
JP2006142388A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨テープ及び方法
JP4998815B2 (ja) * 2005-02-16 2012-08-15 日本電気硝子株式会社 ガラス基板洗浄装置及びガラス基板洗浄方法
JP5196709B2 (ja) * 2005-04-19 2013-05-15 株式会社荏原製作所 半導体ウエハ周縁研磨装置及び方法
JP4916890B2 (ja) * 2005-04-19 2012-04-18 株式会社荏原製作所 基板処理装置及び基板処理方法
JP2007098500A (ja) * 2005-10-03 2007-04-19 Bridgestone Corp ウェハの加工方法
US7758404B1 (en) * 2005-10-17 2010-07-20 Lam Research Corporation Apparatus for cleaning edge of substrate and method for using the same
US7993485B2 (en) * 2005-12-09 2011-08-09 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate
US20070131653A1 (en) * 2005-12-09 2007-06-14 Ettinger Gary C Methods and apparatus for processing a substrate
EP1976806A4 (en) * 2005-12-09 2011-08-10 Applied Materials Inc METHOD AND DEVICE FOR PROCESSING A SUBSTRATE
JP5132108B2 (ja) * 2006-02-02 2013-01-30 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
WO2007099848A1 (ja) * 2006-03-02 2007-09-07 Kabushiki Kaisha Toshiba クリーニング装置、クリーニング方法、パターン形成装置、およびパターン形成方法
US20070238393A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-11 Shin Ho S Methods and apparatus for polishing an edge of a substrate
US7503831B2 (en) * 2006-04-26 2009-03-17 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. System and method for cutting soluble scintillator material
US20090053639A1 (en) * 2006-07-11 2009-02-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Developing agent
JP5279992B2 (ja) * 2006-07-13 2013-09-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 表面検査方法及び装置
JP2008036783A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Sony Corp 研磨方法および研磨装置
JP4999417B2 (ja) * 2006-10-04 2012-08-15 株式会社荏原製作所 研磨装置、研磨方法、処理装置
JP4928972B2 (ja) * 2007-02-14 2012-05-09 株式会社リコー 画像形成装置
US20080207093A1 (en) * 2007-02-28 2008-08-28 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for cleaning a substrate edge using chemical and mechanical polishing
JP2008288447A (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Sokudo:Kk 基板処理装置
TW200908124A (en) * 2007-05-21 2009-02-16 Applied Materials Inc Methods and apparatus for using a bevel polishing head with an efficient tape routing arrangement
TW200908122A (en) * 2007-05-21 2009-02-16 Applied Materials Inc Methods and apparatus for using a rolling backing pad for substrate polishing
US20080293329A1 (en) * 2007-05-21 2008-11-27 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for identifying a substrate edge profile and adjusting the processing of the substrate according to the identified edge profile
US20080293337A1 (en) * 2007-05-21 2008-11-27 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for polishing a notch of a substrate by substrate vibration
US20080291448A1 (en) * 2007-05-21 2008-11-27 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for finding a substrate notch center
US8142260B2 (en) * 2007-05-21 2012-03-27 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for removal of films and flakes from the edge of both sides of a substrate using backing pads
US7976361B2 (en) * 2007-06-29 2011-07-12 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
JP5004701B2 (ja) * 2007-07-11 2012-08-22 株式会社荏原製作所 研磨装置
JP2009045679A (ja) * 2007-08-16 2009-03-05 Ebara Corp 研磨装置
KR101236472B1 (ko) * 2007-10-15 2013-02-22 삼성전자주식회사 웨이퍼 베벨 영역 폴리싱 장치 및 그 장치에서의 연마종말점 검출 방법
JP2009119537A (ja) * 2007-11-12 2009-06-04 Toshiba Corp 基板処理方法及び基板処理装置
JP5136103B2 (ja) * 2008-02-12 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置及びその方法、塗布、現像装置及びその方法、並びに記憶媒体
JP5393039B2 (ja) * 2008-03-06 2014-01-22 株式会社荏原製作所 研磨装置
JP2011519735A (ja) * 2008-04-21 2011-07-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 研磨中に基板縁部の厚さを測定する方法および装置
JP5211835B2 (ja) * 2008-04-30 2013-06-12 ソニー株式会社 ウエハ研磨装置およびウエハ研磨方法
JP2009285774A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Showa Denko Kk 表面加工方法及び装置
JP5160993B2 (ja) * 2008-07-25 2013-03-13 株式会社荏原製作所 基板処理装置
US9073169B2 (en) * 2008-11-07 2015-07-07 Applied Materials, Inc. Feedback control of polishing using optical detection of clearance
DE102009030292B4 (de) * 2009-06-24 2011-12-01 Siltronic Ag Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe
JP5325681B2 (ja) * 2009-07-08 2013-10-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP5407693B2 (ja) * 2009-09-17 2014-02-05 旭硝子株式会社 ガラス基板の製造方法、研磨方法及び研磨装置、並びにガラス基板
JP5519256B2 (ja) * 2009-12-03 2014-06-11 株式会社荏原製作所 裏面が研削された基板を研磨する方法および装置
JP5500422B2 (ja) * 2009-12-22 2014-05-21 株式会社リコー 現像装置、並びに、これを備えたプロセスカートリッジ及び画像形成装置
US8952496B2 (en) * 2009-12-24 2015-02-10 Sumco Corporation Semiconductor wafer and method of producing same
JP5663295B2 (ja) * 2010-01-15 2015-02-04 株式会社荏原製作所 研磨装置、研磨方法、研磨具を押圧する押圧部材
JP5571409B2 (ja) * 2010-02-22 2014-08-13 株式会社荏原製作所 半導体装置の製造方法
JP2011177842A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Ebara Corp 研磨装置及び研磨方法
JP5572575B2 (ja) * 2010-05-12 2014-08-13 東京エレクトロン株式会社 基板位置決め装置、基板処理装置、基板位置決め方法及びプログラムを記録した記憶媒体
JP5449239B2 (ja) * 2010-05-12 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びプログラムを記録した記憶媒体
JP5457384B2 (ja) * 2010-05-21 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP5583503B2 (ja) * 2010-07-14 2014-09-03 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、およびこれを備える塗布現像装置
TWI521625B (zh) * 2010-07-30 2016-02-11 應用材料股份有限公司 使用光譜監測來偵測層級清除
JP5464497B2 (ja) * 2010-08-19 2014-04-09 株式会社サンシン 基板研磨方法及びその装置
JP5649417B2 (ja) * 2010-11-26 2015-01-07 株式会社荏原製作所 固定砥粒を有する研磨テープを用いた基板の研磨方法
US8540551B2 (en) * 2010-12-15 2013-09-24 Corning Incorporated Glass edge finish system, belt assembly, and method for using same
JP5474853B2 (ja) * 2011-03-08 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
US9457447B2 (en) * 2011-03-28 2016-10-04 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
EP2537633B1 (fr) * 2011-06-24 2014-05-07 Comadur S.A. Système d'usinage d'un biseau
JP2013012395A (ja) * 2011-06-29 2013-01-17 Panasonic Corp パターニング装置及びそれを用いた有機ｅｌパネルの製造方法
US20130217228A1 (en) * 2012-02-21 2013-08-22 Masako Kodera Method for fabricating semiconductor device
JP6113960B2 (ja) * 2012-02-21 2017-04-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
US8563335B1 (en) * 2012-04-23 2013-10-22 Applied Materials, Inc. Method of controlling polishing using in-situ optical monitoring and fourier transform
US9289875B2 (en) * 2012-04-25 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Feed forward and feed-back techniques for in-situ process control
JP5917346B2 (ja) * 2012-09-07 2016-05-11 株式会社東芝 エッチング方法、およびエッチング装置
DE102012216632A1 (de) * 2012-09-18 2014-03-20 Trumpf Laser Gmbh + Co. Kg Bearbeitungsmaschine und Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks
TWI680031B (zh) * 2012-09-24 2019-12-21 日商荏原製作所股份有限公司 研磨方法及研磨裝置
JP5889760B2 (ja) * 2012-09-24 2016-03-22 株式会社荏原製作所 基板の研磨異常検出方法および研磨装置
JP6250924B2 (ja) * 2012-10-02 2017-12-20 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置および研磨装置
US9718164B2 (en) * 2012-12-06 2017-08-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Polishing system and polishing method
JP6140439B2 (ja) * 2012-12-27 2017-05-31 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び研磨方法
JP2014130881A (ja) * 2012-12-28 2014-07-10 Ebara Corp 研磨装置
JP6100541B2 (ja) * 2013-01-30 2017-03-22 株式会社荏原製作所 研磨方法
US9931726B2 (en) * 2013-01-31 2018-04-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer edge trimming tool using abrasive tape
JP6130677B2 (ja) * 2013-01-31 2017-05-17 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
JP6100002B2 (ja) * 2013-02-01 2017-03-22 株式会社荏原製作所 基板裏面の研磨方法および基板処理装置
JP6071611B2 (ja) * 2013-02-13 2017-02-01 Ｍｉｐｏｘ株式会社 オリエンテーションフラット等切り欠き部を有する、結晶材料から成るウエハの周縁を、研磨テープを使用して研磨することにより円形ウエハを製造する方法
JP2014167996A (ja) * 2013-02-28 2014-09-11 Ebara Corp 研磨装置および研磨方法
US9296082B1 (en) * 2013-06-11 2016-03-29 WD Media, LLC Disk buffing apparatus with abrasive tape loading pad having a vibration absorbing layer
KR20150034866A (ko) * 2013-09-25 2015-04-06 삼성전자주식회사 연마 장치
JP6113624B2 (ja) * 2013-10-11 2017-04-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
KR20150075357A (ko) * 2013-12-25 2015-07-03 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 세정 장치 및 기판 처리 장치
US9857680B2 (en) * 2014-01-14 2018-01-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cleaning module, cleaning apparatus and method of cleaning photomask
JP6204848B2 (ja) * 2014-02-17 2017-09-27 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
US9287127B2 (en) * 2014-02-17 2016-03-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer back-side polishing system and method for integrated circuit device manufacturing processes
JP6042029B2 (ja) * 2014-03-11 2016-12-14 株式会社シンク・ラボラトリー モジュール式処理ユニット及びそれを用いたグラビアシリンダーの全自動製造システム
JP6223873B2 (ja) * 2014-03-14 2017-11-01 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨方法
US9855637B2 (en) * 2014-04-10 2018-01-02 Apple Inc. Thermographic characterization for surface finishing process development
US9595302B2 (en) * 2014-04-17 2017-03-14 Intri-Plex Technologies, Inc. Hard disk drive cover with differential inner and outer surface roughness
EP2955745A1 (en) * 2014-06-11 2015-12-16 Applied Materials Switzerland Sàrl Wafer cleaning system
JP2016038578A (ja) * 2014-08-08 2016-03-22 キヤノン株式会社 帯電部材、プロセスカートリッジ及び電子写真画像形成装置
JP2016058675A (ja) * 2014-09-12 2016-04-21 株式会社東芝 研磨装置および半導体ウェハの研磨方法
US9360789B1 (en) * 2014-11-28 2016-06-07 Canon Kabushiki Kaisha Member for electrophotography, process cartridge and image forming apparatus
US10249518B2 (en) * 2015-03-04 2019-04-02 Toshiba Memory Corporation Polishing device and polishing method
US20160299451A1 (en) * 2015-04-10 2016-10-13 Canon Kabushiki Kaisha Charging member, process cartridge, and electrophotographic image forming apparatus
JP6475071B2 (ja) * 2015-04-24 2019-02-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6434367B2 (ja) * 2015-05-14 2018-12-05 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6540430B2 (ja) * 2015-09-28 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
US9740133B2 (en) * 2015-09-30 2017-08-22 Canon Kabushiki Kaisha Charging member, process cartridge and electrophotographic image forming apparatus
JP6562819B2 (ja) * 2015-11-12 2019-08-21 株式会社ディスコ ＳｉＣ基板の分離方法
US10074472B2 (en) * 2015-12-15 2018-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. InFO coil on metal plate with slot
US9865477B2 (en) * 2016-02-24 2018-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Backside polisher with dry frontside design and method using the same
JP6568006B2 (ja) * 2016-04-08 2019-08-28 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
DE102016113500B4 (de) * 2016-07-21 2022-12-15 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zum Steuern einer Bewegung einer Schleifscheibe und Verfahren zum Bilden von Halbleiterbauelementen
US10368467B2 (en) * 2017-10-10 2019-07-30 Facebook, Inc. System and method for data center heat containment

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4846915B2 (ja) * 2000-03-29 2011-12-28 信越半導体株式会社 貼り合わせウェーハの製造方法
JP2003234314A (ja) * 2002-02-12 2003-08-22 Ebara Corp 基板処理装置
JP2004241434A (ja) * 2003-02-03 2004-08-26 Ebara Corp 基板処理装置
US20080293331A1 (en) * 2007-05-21 2008-11-27 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for low cost and high performance polishing tape for substrate bevel and edge polishing in seminconductor manufacturing
JP2009154285A (ja) * 2007-12-03 2009-07-16 Ebara Corp 研磨装置および研磨方法
JP2012213849A (ja) 2011-03-25 2012-11-08 Ebara Corp 研磨装置および研磨方法
JP2013004825A (ja) 2011-06-20 2013-01-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコンウェーハ及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10811284B2 (en) 2020-10-20
TWI761463B (zh) 2022-04-21
TW201834789A (zh) 2018-10-01
CN108705383B (zh) 2021-09-10
JP6920849B2 (ja) 2021-08-18
CN108705383A (zh) 2018-10-26
KR102442320B1 (ko) 2022-09-14
US20180277401A1 (en) 2018-09-27
JP2018161721A (ja) 2018-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180109710A (ko) 기판 처리 방법 및 장치
JP4772679B2 (ja) 研磨装置及び基板処理装置
TWI462169B (zh) 基板處理裝置
TWI523092B (zh) 研磨裝置及研磨方法
US9457448B2 (en) Polishing apparatus and polishing method
JP4916890B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
CN108527010B (zh) 研磨方法、研磨装置以及基板处理***
TWI759364B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
TW201812928A (zh) 研磨基板表面的裝置及方法
US10155294B2 (en) Polishing apparatus and polishing method
KR102233392B1 (ko) 화학 기계적 폴리싱을 위한 웨이퍼 및 웨이퍼 에지/사면 클리닝 모듈을 이용하는 디스크/패드 클리닝의 설계
JP2008155292A (ja) 基板の加工方法および加工装置
TW202002049A (zh) 基板處理方法
KR102074269B1 (ko) 기판의 표면을 연마하는 장치 및 방법
KR20230082677A (ko) 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
JP6849506B2 (ja) 基板保持装置、基板処理装置、基板処理方法、およびプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6283434B2 (ja) 研磨装置
JP2021130145A (ja) 研磨装置および研磨方法
TW202042299A (zh) 基板處理裝置及基板處理裝置中應部分研磨區域之限定方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant