JP2882458B2 - ウェーハ面取り機 - Google Patents

ウェーハ面取り機

Info

Publication number
JP2882458B2
JP2882458B2 JP6317608A JP31760894A JP2882458B2 JP 2882458 B2 JP2882458 B2 JP 2882458B2 JP 6317608 A JP6317608 A JP 6317608A JP 31760894 A JP31760894 A JP 31760894A JP 2882458 B2 JP2882458 B2 JP 2882458B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
unit
wafer
processing
cleaning
time
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP6317608A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08150551A (ja
Inventor
一郎 片山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority to JP6317608A priority Critical patent/JP2882458B2/ja
Priority to TW084112006A priority patent/TW366532B/zh
Priority to GB9523733A priority patent/GB2296458B/en
Priority to DE19543867A priority patent/DE19543867C2/de
Priority to KR1019950044161A priority patent/KR100197091B1/ko
Publication of JPH08150551A publication Critical patent/JPH08150551A/ja
Priority to US08/865,048 priority patent/US5769695A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2882458B2 publication Critical patent/JP2882458B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/005—Feeding or manipulating devices specially adapted to grinding machines
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B51/00—Arrangements for automatic control of a series of individual steps in grinding a workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
    • B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子の素材となる
シリコン等のウェーハの外周の面取り加工を行うウェー
ハ面取り機に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の素材となるシリコン等のウ
ェーハは、インゴットの状態からスライシングマシンに
て薄く切り出された後、外周をウェーハ面取り機によっ
て面取り加工される。ところで、ウェーハには円周方向
の位置決め用に、その周縁部にノッチが形成されている
ことがあり、このノッチ付きウェーハについては、ノッ
チ部分についても面取り加工が施される。
【０００３】従来、このノッチ付きウェーハの面取り加
工を行う方法としては、ウェーハの円形部とノッチ部を
各々別々の面取り機を用いて加工する方法や、１台の面
取り機内に円形部の面取り加工を行う加工部とノッチの
面取り加工を行う加工部の２つの加工部を設けて加工す
る方法が採用されていた。また、ノッチが形成されてい
ないウェーハであっても、粗面取りをした後に仕上げ面
取りをするという加工法を採る場合があり、この場合も
前記同様に、粗加工と仕上げ加工を各々別々の面取り機
で行う場合と、１台の面取り機内に粗面取り加工を行う
加工部と、仕上げ加工を行う加工部の２つの加工部を設
けて加工する方法が採用されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ごとく別々の面取り機で加工したり、１台の面取り機内
に２つの加工部を設けて加工したりする方法を採用する
と、各段階でウェーハのセッティングが必要となるた
め、加工精度が低下するという欠点がある。すなわち、
ウェーハは、加工に際して正確な位置に位置決めして加
工する必要があるが、２回目の加工の際に、１回目の加
工と同じ状態でウェーハをセッティングすることは極め
て困難であり、このため、ウェーハの加工精度が低下す
る。
【０００５】以上のことに鑑みて、１つのウェーハテー
ブル上で全加工、すなわち、ウェーハの円形部の面取り
とノッチの面取りを行うことができる面取り機や、１つ
のウェーハテーブル上で粗加工と仕上げ加工を行うこと
ができる面取り機が提案されている。しかしながら、当
該装置を用いた場合、加工精度は向上するが、一方の加
工中に他方の加工装置が遊んだ状態になってしまうた
め、全体としてスループットが低下するという欠点があ
る。
【０００６】つまり、面取り加工精度を上げるために１
つの加工部で全加工を行うとスループットが小さくな
り、スループットを大きくするために２台の面取り機や
２つの加工部で加工すると加工精度が低下するという矛
盾が生じる。本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、ウェーハの外周の面取り加工精度が高く、スル
ープットも大きいウェーハ面取り機を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために、ウェーハが格納された供給カセットを設
置する少なくとも１つの供給部と、面取り加工前のウェ
ーハの厚さを測定するとともにウェーハの円周方向位置
を設定する前設定部と、ウェーハを保持するウェーハテ
ーブルと、粗加工用の砥石と仕上げ加工用の砥石とを組
み合わせて成る外周加工砥石と、粗加工用の砥石と仕上
げ加工用の砥石とを組み合わせて成るノッチ加工砥石と
を備え、前記外周加工砥石の粗加工用の砥石で前記ウェ
ーハテーブルに保持されたウェーハの円形部とオリフラ
部とを粗面取り加工するとともに、前記外周加工砥石の
仕上げ加工用の砥石で前記ウェーハの円形部とオリフラ
部を仕上げ面取り加工し、前記ウェーハテーブルに保持
されたウェーハのノッチ部を前記ノッチ加工砥石の粗加
工用の砥石で粗面取り加工するとともに、前記ノッチ加
工砥石の仕上げ加工用の砥石で前記ウェーハのノッチ部
の仕上げ面取り加工をする複数の加工部と、面取り加工
が完了したウェーハを洗浄する洗浄部と、洗浄の終了し
たウェーハの形状寸法を測定する後測定部と、後測定が
行われたウェーハを格納する格納カセットを設置する格
納部と、前記供給カセットからウェーハを１枚ずつ取り
出して前記前設定部へ搬送するとともに、その前設定部
で所定の前設定が行われたウェーハを前記前設定部から
加工搬送部に搬送する供給搬送部と、前記供給搬送部か
ら搬送されたウェーハを受け取り、その受け取ったウェ
ーハを一方の加工部で加工が行われている間に加工が行
われていない他方の加工部に供給する１つの加工搬送部
と、前記加工部で面取り加工が完了したウェーハを前記
加工部から取り出し、前記洗浄部へ搬送する洗浄搬送部
と、洗浄が行われたウェーハを前記洗浄部から取り出し
て前記後測定部に搬送するとともに、該後測定部で後測
定されたウェーハを該後測定部から取り出して前記格納
部に設置された格納カセットに格納する格納搬送部と、
からなることを特徴とする。
【０００８】
【作用】１枚のウェーハの処理時間は加工部が１つのと
きは加工時間と加工部への搬入搬出時間との合計となる
が、本発明では加工部が複数設られており、ウェーハは
加工が行われていない方の加工部に搬入されて複数のウ
ェーハが平行して加工されるので、１枚のウェーハの処
理時間は加工時間と加工部への搬入搬出時間との合計よ
り短くなり、スループットが大きくなる。
【０００９】
【実施例】以下、添付図面に従って本発明に係るウェー
ハ面取り機の実施例を詳細に説明する。図１は、本発明
に係るウェーハ面取り機の実施例の各部配置説明図であ
り、図２は、その機能説明図である。また、図３は、搬
送部関係の説明図（図１のＡ−Ａ断面の上側部分）であ
る。
【００１０】図１〜図３に示すウェーハ面取り機は、一
般的なウェーハ面取り機に採用されている機能の他に、
当出願人が「特願平６−０２３５８２号（ウェーハ直径
・断面形状測定装置及びそれを組み込んだウェーハ面取
り機）」にて開示している直径・断面形状測定装置（本
明細書では「後測定部」）を付加している。ウェーハの
外周の面取り加工には、ウェーハと砥石の相対的な上下
方向位置を設定するためにウェーハの厚さ情報が必要で
あり、また、加工部のウェーハテーブルにウェーハを固
定したときに、ウェーハの円形部の中心がウェーハテー
ブルの回転中心に一致するとともに、オリフラまたはノ
ッチの方向が正確に設定されていることが必要である。
そこで、ウェーハ面取り機では、加工前にウェーハの厚
さを測定するとともに、円形部の中心とオリフラまたは
ノッチの方向（以下「円周方向位置」という）を設定す
る。図１〜図３に示すように、面取り加工前のウェーハ
１０ａ（以下単に「ウェーハ１０ａ」ともいう）が格納
された供給カセット２１を設置する供給部２０が２箇所
に設けられており、その近傍にウェーハ１０ａの厚さを
測定するとともに円周方向位置を概略設定する前設定部
３０が設けられている。また、２箇所の供給部２０と前
設定部３０で囲まれた部分には、供給搬送部８０があ
り、供給搬送部８０の搬送アーム８１は水平移動と旋回
と上下移動が可能であり、ウェーハ１０ａを搬送アーム
８１に載せて搬送する。
【００１１】前記前設定部３０の隣には加工部４０、４
５が設けられている。加工部４０、４５は、ウェーハ１
０ａの外周の面取り加工をする。ここで、ウェーハ１０
ａには、円周方向位置決め用にオリフラ又はノッチが形
成されており、これらについても面取り加工される。図
６にオリフラ付きウェーハの外観図を示す。図６におい
て、Ｄはウェーハの円形部１１の直径、Ｌはオリフラ径
（円形部１１からオリフラ１２までの距離）である。ま
た、図７にノッチ付きウェーハの外観図を示す。図７に
おいて、Ｄは図６と同様にウェーハの円形部１１の直
径、αはノッチ１３の開き角度、δは円形部１１の中心
に対するノッチ１３の傾き角、Ｍはノッチ距離（円形部
１１からノッチ１３までの距離である。ノッチ１３部分
に示す円はこの距離を表すための円でありウェーハの一
部ではない。）である。図８にウェーハの外周に必要な
断面形状を示す。図８において、ＢｕとＢｄは面取り
幅、θｕとθｄはテーパ角であり、ＲｕとＲｄはコーナ
ーが曲面で、ｔは外周が平らな部分を持っている（尖っ
ていない）ことを示す。Ｔはウェーハの厚さである。直
径Ｄ・オリフラ径Ｌ・ノッチ距離Ｍ・断面形状は各々許
容値があり、許容値から外れると不良品となる。なお、
本明細書で述べる「ウェーハの外周」はウェーハの円形
部１１とオリフラ１２又はノッチ１３を含めたものの総
称とする。前記加工部４０（加工部４５においても同
様）では、ウェーハ１０ａをウェーハテーブル４１に真
空等で吸着固定し、ウェーハテ一ブル４１と砥石４２ま
たは４３（砥石４２は円形部１１やオリフラ１２用、砥
石４３はノッチ１３用）の相対的な上下位置を設定した
後、ウェーハテーブル４ｌと砥石４２または４３を回転
させなからウェーハテーブル４１と砥石４２または４３
を相対的に近づけることによって、ウェーハ１０ａの外
周の面取り加工をする。
【００１２】なお、オリフラ付きウェーハの外周面取り
加工をする場合は、砥石４２のみを用いて加工し、ノッ
チ付きウェーハを加工する場合は、円形部用の砥石４２
とノッチ用の砥石４３の２つの砥石を用いて加工する。
【００１３】また、ウェーハ面取り機が使用されるウェ
ーハ製造工程によって、面取り精度や面粗さが粗加工
（粗研削）でよい場合と仕上げ加工（精研削）が必要な
場合がある。この場合、粗加工又は仕上げ加工のいずれ
か一方のみの加工を行う場合は、いずれか１つの砥石を
用いて加工し、粗加工から仕上げ加工まで行う場合は、
粗加工用の砥石と仕上げ加工用の砥石を組み合わせた砥
石を用いて加工する。
【００１４】面取り加工用の砥石は、図９に示す台形砥
石４２ａと図１０に示す総形砥石４２ｂの２種類があ
り、台形砥石４２ａはウェーハ１０ａと台形砥石４２ａ
を厚さ方向（上下方向）に相対移動し台形砥石４２ａの
テーパ部をウェーハ１０ａの片面に押し当てて片面ずつ
加工するが、総形砥石４２ｂは外周の内側形状がウェー
ハ１０ａに要求される面取り形状と同じ形状になってい
るので、総形砥石４２ｂをウェーハ１０ａの外周に押し
込むだけでウェーハ１０ａの両面の面取りが加工でき
る。
【００１５】図９及び図１０に示した砥石はいずれも粗
加工用と仕上げ加工用が１個ずつで構成されているが、
いずれか１個のみとした砥石、粗加工用１個と仕上げ加
工用数個を組み合わせた砥石等を必要に応じて用いる。
図９及び図１０に示した砥石は円形部１１やオリフラ１
２の面取り加工用であるが、ノッチ加工用も砥石外周形
状は同様である。
【００１６】前記加工部４０、４５のウェーハテーブル
４１、４１側には、加工搬送部９０があり、加工搬送部
９０は上下移動及び２つの加工部４０及び４５との間の
水平移動が可能で、２個のローラ９１と１個の位置決め
駒９２でウェーハ１０ａを挟んで支持し、これによっ
て、前設定部３０で概略設定されたウェーハ１０ａの円
周方向位置を正確に設定し直す。また、前記供給搬送部
８０から搬送アーム８１で水平方向に搬送されたウェー
ハ１０ａは、加工搬送部９０のローラ９１と位置決め駒
９２の下部のフランジで（ウェーハ１０ａを挟まない状
態で）受けられる。
【００１７】前記加工部４０、４５の隣には洗浄部５０
が設けられている。洗浄部５０は、加工部４０、４５で
面取り加工されたウェーハの洗浄を行う。洗浄搬送部１
００は上下移動及び加工部４０と洗浄部５０の間、加工
部４５と洗浄部５０との間の２種類の水平移動が可能
で、４個のローラ１０１で面取り加工が完了したウェー
ハ１０ｂ（以下単に「ウェーハ１０ｂ」ともいう）を挟
んで支持する。なお、図３に示すように、前記加工搬送
部９０と洗浄搬送部１００の上昇端位置は異なり、この
状態で水平移動しても互いに干渉しないようになってい
る。
【００１８】前記洗浄部５０の隣には格納搬送部１１０
があり、その周囲には加工後のウェーハ１０ｂの形状寸
法を測定する後測定部６０が１箇所、ウェーハ１０ｂを
格納する格納カセット７１を設置する格納部７０が２箇
所設けられている。格納搬送部１１０の搬送アーム１１
１は供給搬送部８０の搬送アーム８１と同様に、水平移
動と旋回と上下移動が可能であり、ウェーハ１０ｂを搬
送アーム１１１に載せて搬送する。
【００１９】次に、このように構成されたウェーハ面取
り機の作用について説明する。供給部２０に設置された
カセットの中のウェーハ１０ａは供給搬送部８０の搬送
アーム８１によって１枚ずつ取り出され前設定部３０へ
搬送される。前設定部３０ではウェーハ１０ａの厚さの
測定と円周方向位置の概略設定がされる。それらが終了
するとウェーハ１０ａは前段定部３０に最も近い加工部
（以下「加工部４０」といい、もう１つの加工部を「加
工部４５」という）のウェーハテーブルの上方位置まで
供給搬送部８０によって（搬送アーム８１が水平移動し
て）搬送され、加工搬送部９０に移載される。
【００２０】加工搬送部９０に移載されたウェーハ１０
ａは、加工搬送部９０で２個のローラ９１と位置決め駒
９２で挟まれて支持されることによって前設定部３０で
概略設定された円周方向位置が正確に設定し直され、そ
の後、２つのうち加工がされていない方の加工部４０ま
たは４５のウェーハテーブル４１に搬入される。加工部
４０または４５で加工が完了したウェーハｌ０ｂは洗浄
搬送部１００によってウェーハテーブル４１から取り出
され、洗浄部５０のテーブル５１に搬入されて洗浄され
る。洗浄が完了するとウェーハｌ０ｂは洗浄部５０のテ
ーブル５１から格納搬送部１１０によって（搬送アーム
１１１が水平移動した後わずかに上昇して）取り出さ
れ、後測定部６０へ搬送される。後測定部６０では、ウ
ェーハｌ０ｂの形状寸法が測定され、測定が完了すると
ウェーハｌ０ｂは格納搬送部１１０によって格納部７０
に設置された格納カセット７１に格納される。
【００２１】次に、このように構成されたウェーハ面取
り機によるウェーハの処理時間について説明する。図４
に各部の動作の関連を表す動作線図を示す。また、図５
に各部の動作時間の詳細を示す。図５の各搬送名の右側
に記載している名称は、搬送部の水平位置を表してい
る。また、前設定部３０と後測定部６０の動作について
は各々供給搬送部８０と格納搬送部１１０の動作時間に
含まれているので、記載していない。
【００２２】図５において、供給搬送部８０の搬送アー
ム８１は初めに供給部２０の方向にあったとすると、ま
ず、供給カセット２１からのウェーハ１０ａを取り出し
て前設定部３０に搬入し、前設定部３０でウェーハ１０
ａの厚さ測定と円周方向位置設定が終了するまでその方
向に位置する。この時間をＦとする。厚さ測定と円周方
向位置設定が終了すると、加工搬送部９０が加工部４０
のウェーハテーブル４１の上方位置にある状態で、供給
搬送部８０はウェーハ１０ａをその位置まで搬送し、加
工搬送部９０にウェーハ１０ａを移載した後、供給部２
０の方向に戻る。この時間をＦａとする。
【００２３】加工搬送部９０は受け取ったウェーハ１０
ａの円周方向位置を設定し直して加工部４０のウェーハ
テーブル４１に搬入する。この時間をＨａとする。ま
た、加工搬送部９０は加工部４０が加工中の場合は、受
け取ったウェーハ１０ａを加工部４５まで搬送する。こ
の時間をＨｂ（搬入時間は加工部４０の場合と同じくＨ
ａ）とする。
【００２４】加工部４０及び４５ではウェーハテーブル
４１にウェーハ１０ａが搬入されると外周面取り加工が
行われるが、この時間をＧとする。加工部４０で加工が
完了すると、洗浄搬送部１００はウェーハテーブル４１
からウェーハｌ０ｂを取り出して洗浄部５０まで搬送す
る。この時間をＨｃとする。
【００２５】また、洗浄搬送部１００が加工部４５から
ウェーハｌ０ｂを取り出して洗浄部５０まで搬送する時
間をＨｄとする。洗浄搬送部１００が洗浄部５０までウ
ェーハｌ０ｂを搬送した後、洗浄部５０のテーブル５１
にウェーハｌ０ｂを搬入すると、洗浄部５０ではウェー
ハｌ０ｂを洗浄する。搬入から洗浄完了までの時間をＷ
とする。
【００２６】洗浄が完了すると格納搬送部１１０の搬送
アーム１１１が洗浄部５０まで移動して、ウェーハｌ０
ｂを洗浄部５０から取り出す。この時間をＨｅとする。
格納搬送部１１０は洗浄部５０からウェーハｌ０ｂを取
り出すと、ウェーハｌ０ｂを後測定部６０へ搬送し、後
測定部６０での測定が完了するとウェーハ１０ｂを格納
部７０に設置された格納カセット７１に格納する。ここ
までの時間をＥとする。
【００２７】図４に、各処理時間の関係が示されてい
る。図４で各時間線に添付した数字は処理されるウェー
ハの符号（が１枚目、が２枚目等）である。図４に
示すように、供給搬送部８０が供給カセット２１からウ
ェーハ１０ａを取り出し加工搬送部９０に移載して戻る
までの時間が「Ｆ＋Ｆａ」、加工搬送部９０がウェーハ
１０ａを受け取った後から加工部４０での加工が完了し
たウェーハｌ０ｂを洗浄搬送部１００が洗浄部５０に搬
送するまでの時間が「Ｈａ＋Ｇ＋Ｈｃ」、洗浄搬送部１
００がウェーハｌ０ｂを洗浄部５０に搬入する時から洗
浄完了後格納搬送部１１０がウェーハｌ０ｂを取り出す
までの時間が「Ｗ＋Ｈｅ」、格納搬送部１１０がウェー
ハｌ０ｂを取り出す時から格納カセット７１に格納する
までの時間が「Ｅ＋Ｈｅ」となる。
【００２８】なお、図４には加工が加工部４５で行われ
る場合についても同様に「Ｈａ＋Ｈｂ＋Ｇ＋Ｈｄ」とし
て示しているが、加工部４０で加工する場合とほぼ同じ
時間となるので、以下、加工部４０で加工する場合の時
間で説明する。また、加工搬送部９０と洗浄搬送部１０
０が搬入動作後に次の位置へ移動する時間については、
他の動作に影響を与えないことが多いのでそれらの時間
については考慮していない。
【００２９】これから明らかなように、加工部の数は、
次の式で求められる数のいずれか小さい方の数以下の整
数まで設置可能となる。 Ｎａ＝（Ｈａ＋Ｇ＋Ｈｃ）／（Ｆ＋Ｆａ）……（１） Ｎｂ＝（Ｈａ＋Ｇ＋Ｈｃ）／（Ｗ＋Ｈｅ）……（２） Ｎｃ＝（Ｈａ＋Ｇ＋Ｈｃ）／（Ｅ＋Ｈｅ）……（３） また、加工部の設置数をＮ（Ｎ＜Ｎａ，Ｎｂ，Ｎｃ）と
すると、１枚のウェーハの平均的な処理時間ＳＴは、 ＳＴ＝（Ｈａ＋Ｇ＋Ｈｃ）／Ｎ ……（４） となる。
【００３０】なお、実施例は加工時間が一番長く、他の
動作時間（「Ｆ＋Ｆａ」、「Ｗ＋Ｈｅ」、「Ｅ＋Ｈ
ｅ」）の中で一番長い時間の２倍以上３倍未満の場合で
あったが、加工時間が３倍以上の場合は、加工部の数を
３以上に増設し、加工搬送部９０と洗浄搬送部１００の
水平方向の移動距離を増加させればよい。同様に、洗浄
時間が長く、「Ｎ＜Ｎａ，Ｎｃ」であるのに、「Ｎ＞Ｎ
ｂ」となる場合は、洗浄部５０を増設し、洗浄搬送部１
００の水平方向の移動距離を増加させることによってＳ
Ｔが実現できる。
【００３１】また、供給カセット２１からウェーハ１０
ａを取り出す時間や、ウェーハ１０ａの厚さ測定と円周
方向位置設定の時間が長く、「Ｎ＜Ｎｂ，Ｎｃ」である
のに、「Ｎ＞Ｎａ」となる場合は、供給部２０や前設定
部３０を増設したり、前設定部３０の機能を厚さ測定と
円周方向位置設定に分割して設置してもよい。この場合
は供給部２０と前設定部３０のなす角度を、実施例では
略９０°であるが、例えば供給部２０と前設定部３０の
合計が４のときは略６０°にすればよい。
【００３２】同様に、ウェーハｌ０ｂの形状寸法測定の
時間や、格納カセット７１へのウェーハｌ０ｂの格納の
時間が長く、「Ｎ＜Ｎａ，Ｎｂ」であるのに、「Ｎ＞Ｎ
ｃ」となる場合は、後測定部６０や格納部７０を増設し
たり、後測定部６０の機能を分割して設置してもよい。
この場合は後測定部６０と格納部７０のなす角度を、実
施例では略９０°であるが、例えば後測定部６０と格納
部７０の合計が４のときは略６０°にすればよい。
【００３３】また、実施例ではウェーハ１０ａの円周方
向位置設定を前設定部で概略行い、加工搬送部で加工部
のウェーハテーブルにウェーハを搬入する前に再設定す
る方法としたが、前設定部で正確に行い、加工搬送部に
そのまま受け渡す方法としてもよい。さらに、実施例で
は加工完了後ウェーハｌ０ｂを洗浄するとともに形状寸
法を測定してから格納カセット７１に格納したが、従来
の技術で記述した「加工完了後ウェーハｌ０ｂを洗浄し
た後形状寸法測定をせずに格納カセット７１に格納して
後で別途測定する」場合や、「加工完了後ウェーハｌ０
ｂを水槽等に入れて後で別途取り出して処理する」場合
についても、本発明は適用できる。
【００３４】以上説明したように、本実施の形態のウェ
ーハ面取り機によれば、１つの加工部でウェーハの外周
面取りの全加工が可能な加工部を複数設け、複数の加工
部で平行して加工ができるようにした。これによって、
ノッチ付きウェーハで円形部１１とノッチ１３を各々専
用の２台の面取り機や１台の面取り機内の各々専用の２
つの加工部で面取り加工したり、粗加工と仕上げ加工を
各々専用の２台の面取り機や１台の面取り機内の各々専
用の２つの加工部で加工しなくても、ウェーハ１枚当た
りの処理時間を短くすることができ、加工時においてウ
ェーハ１０ａをウェーハテーブル４１に１度取り付けれ
ば動かす必要がなくウェーハ１０ａの円周方向位置や厚
さ方向位置が正確に設定できるので、ウェーハの外周の
面取り加工精度が高い。
【００３５】したがって、ウェーハの外周の面取り加工
精度が高く、スループットも大きいウェーハ面取り機を
提供することができる。また、オリフラ付きウェーハの
面取り加工や、粗加工または仕上げ加工のみを行う場合
にも他の動作よりも加工時間が長いので、本発明によっ
てスループットが大きいウェーハ面取り機を提供するこ
とができる。
【００３６】さらに、各々専用の２台の面取り機で加工
する場合に比べて、設備費用が安価になるとともに機械
の設置面積が小さいウェーハ面取り機を提供することが
できる。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、ウェーハの面取り加工
を行う加工部が複数設られており、ウェーハは加工が行
われていない方の加工部に搬入されて複数のウェーハが
平行して加工される。したがって、１枚のウェーハの処
理時間は加工時間と加工部への搬入搬出時間との合計よ
り短くなり、スループットが大きくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るウェーハ面取り機の実施例の各部
の配置説明図
【図２】本発明に係るウェーハ面取り機の実施例の機能
説明図
【図３】本発明に係るウェーハ面取り機の実施例の搬送
部関係の説明図
【図４】本発明に係るウェーハ面取り機の実施例の各部
動作関連を表す動作線図
【図５】図４の詳細動作線図
【図６】オリフラ付きウェーハの外観を示す図
【図７】ノッチ付きウェーハの外観を示す図
【図８】ウェーハに必要な面取り形状を示す図
【図９】台形砥石の外周形状を示す図
【図１０】総形砥石の外周形状を示す図
【符号の説明】
１０ａ…加工前のウェーハ ｌ０ｂ…加工完了のウェーハ ２０……供給部 ２１……供給カセット ３０……前設定部 ４０、４５…加工部 ４１……ウェーハテーブル ４２……円形部及びオリフラ面取り加工用砥石 ４３……ノッチ面取り加工用砥石 ６０……後測定部 ７０……格納部 ７１……格納カセット ８０……供給搬送部 ８１……搬送アーム ９０……加工搬送部 ９１……ローラ ９２……位置決め駒 １００……洗浄搬送部 １０１……ローラ １１０……格納搬送部 １１１……搬送アーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B24B 9/00 601

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウェーハが格納された供給カセットを設
    置する少なくとも１つの供給部と、 面取り加工前のウェーハの厚さを測定するとともにウェ
    ーハの円周方向位置を設定する前設定部と、ウェーハを保持するウェーハテーブルと、粗加工用の砥
    石と仕上げ加工用の砥石とを組み合わせて成る外周加工
    砥石と、粗加工用の砥石と仕上げ加工用の砥石とを組み
    合わせて成るノッチ加工砥石とを備え、前記外周加工砥
    石の粗加工用の砥石で前記ウェーハテーブルに保持され
    たウェーハの円形部とオリフラ部とを粗面取り加工する
    とともに、前記外周加工砥石の仕上げ加工用の砥石で前
    記ウェーハの円形部とオリフラ部を仕上げ面取り加工
    し、前記ウェーハテーブルに保持されたウェーハのノッ
    チ部を前記ノッチ加工砥石の粗加工用の砥石で粗面取り
    加工するとともに、前記ノッチ加工砥石の仕上げ加工用
    の砥石で前記ウェーハのノッチ部の仕上げ面取り加工を
    する 複数の加工部と、 面取り加工が完了したウェーハを洗浄する洗浄部と、 洗浄の終了したウェーハの形状寸法を測定する後測定部
    と、 後測定が行われたウェーハを格納する格納カセットを設
    置する格納部と、 前記供給カセットからウェーハを１枚ずつ取り出して前
    記前設定部へ搬送するとともに、その前設定部で所定の
    前設定が行われたウェーハを前記前設定部から加工搬送
    部に搬送する供給搬送部と、 前記供給搬送部から搬送されたウェーハを受け取り、そ
    の受け取ったウェーハを一方の加工部で加工が行われて
    いる間に加工が行われていない他方の加工部に供給する
    １つの加工搬送部と、 前記加工部で面取り加工が完了したウェーハを前記加工
    部から取り出し、前記洗浄部へ搬送する洗浄搬送部と、 洗浄が行われたウェーハを前記洗浄部から取り出して前
    記後測定部に搬送するとともに、該後測定部で後測定さ
    れたウェーハを該後測定部から取り出して前記格納部に
    設置された格納カセットに格納する格納搬送部と、 からなることを特徴とするウェーハ面取り機。
  2. 【請求項２】 前記供給搬送部が、前記供給カセットか
    らのウェーハを取り出して前記前設定部に搬入し、該前
    設定部で行う所定の前設定が終了するまでの時間をＦ、 前記供給搬送部が、前記前設定部で前設定されたウェー
    ハを、該前設定部から前記加工搬送部に搬送する時間を
    Ｆａ、 前記加工搬送部が、前記供給搬送部から受け取ったウェ
    ーハを前記加工部に搬送する時間をＨａ、 前記加工部が、前記加工搬送部で搬送されたウェーハの
    面取り加工を行う時間をＧ、 前記洗浄搬送部が、前記加工部から面取り加工の完了し
    たウェーハを取り出して前記洗浄部まで搬送する時間を
    Ｈｃ、 前記洗浄部が、前記洗浄搬送部で搬送されたウェーハの
    洗浄を行う時間をＷ、 前記格納搬送部が、前記洗浄部からウェーハを取り出す
    までの時間をＨｅ、 前記格納搬送部が、前記洗浄部から取り出したウェーハ
    を前記後測定部へ搬送し、該後測定部での測定が完了し
    て前記格納部に設置された前記格納カセットに格納され
    るまでの時間をＥ、 としたとき、次式 Ｎａ＝（Ｈａ＋Ｇ＋Ｈｃ）／（Ｆ＋Ｆａ） Ｎｂ＝（Ｈａ＋Ｇ＋Ｈｃ）／（Ｗ＋Ｈｅ） Ｎｃ＝（Ｈａ＋Ｇ＋Ｈｃ）／（Ｅ＋Ｈｅ） で求められるＮａ、Ｎｂ、Ｎｃのいずれか小さい方の数
    以下の整数まで前記加工部を設置することを特徴とする
    請求項１記載のウェーハ面取り機。
  3. 【請求項３】 前記供給搬送部が、前記供給カセットか
    らのウェーハを取り出して前記前設定部に搬入し、該前
    設定部で行う所定の前設定が終了するまでの時間をＦ、 前記供給搬送部が、前記前設定部で前設定されたウェー
    ハを、該前設定部から前記加工搬送部に搬送する時間を
    Ｆａ、 前記加工搬送部が、前記供給搬送部から受け取ったウェ
    ーハを前記加工部に搬送する時間をＨａ、 前記加工部が、前記加工搬送部で搬送されたウェーハの
    面取り加工を行う時間をＧ、 前記洗浄搬送部が、前記加工部から面取り加工の完了し
    たウェーハを取り出して前記洗浄部まで搬送する時間を
    Ｈｃ、 前記洗浄部が、前記洗浄搬送部で搬送されたウェーハの
    洗浄を行う時間をＷ、前記格納搬送部が、前記洗浄部か
    らウェーハを取り出すまでの時間をＨｅ、 前記格納搬送部が、前記洗浄部から取り出したウェーハ
    を前記後測定部へ搬送し、該後測定部での測定が完了し
    て前記格納部に設置された前記格納カセットに格納され
    るまでの時間をＥ、 としたとき、次式 Ｎａ＝（Ｈａ＋Ｇ＋Ｈｃ）／（Ｆ＋Ｆａ） Ｎｂ＝（Ｈａ＋Ｇ＋Ｈｃ）／（Ｗ＋Ｈｅ） Ｎｃ＝（Ｈａ＋Ｇ＋Ｈｃ）／（Ｅ＋Ｈｅ） で求めたＮａ、Ｎｂ、Ｎｃが、次式 Ｎ＜Ｎａ，Ｎｃ Ｎ＞Ｎｂ 但し、Ｎ：加工部の設置数の関係となるとき、前記洗浄
    部を増設することを特徴とする請求項１記載のウェーハ
    面取り機。
  4. 【請求項４】 前記供給搬送部が、前記供給カセットか
    らのウェーハを取り出して前記前設定部に搬入し、該前
    設定部で行う所定の前設定が終了するまでの時間をＦ、 前記供給搬送部が、前記前設定部で前設定されたウェー
    ハを、該前設定部から前記加工搬送部に搬送する時間を
    Ｆａ、 前記加工搬送部が、前記供給搬送部から受け取ったウェ
    ーハを前記加工部に搬送する時間をＨａ、 前記加工部が、前記加工搬送部で搬送されたウェーハの
    面取り加工を行う時間をＧ、 前記洗浄搬送部が、前記加工部から面取り加工の完了し
    たウェーハを取り出して前記洗浄部まで搬送する時間を
    Ｈｃ、 前記洗浄部が、前記洗浄搬送部で搬送されたウェーハの
    洗浄を行う時間をＷ、 前記格納搬送部が、前記洗浄部からウェーハを取り出す
    までの時間をＨｅ、 前記格納搬送部が、前記洗浄部から取り出したウェーハ
    を前記後測定部へ搬送し、該後測定部での測定が完了し
    て前記格納部に設置された前記格納カセットに格納され
    るまでの時間をＥ、 としたとき、次式 Ｎａ＝（Ｈａ＋Ｇ＋Ｈｃ）／（Ｆ＋Ｆａ） Ｎｂ＝（Ｈａ＋Ｇ＋Ｈｃ）／（Ｗ＋Ｈｅ） Ｎｃ＝（Ｈａ＋Ｇ＋Ｈｃ）／（Ｅ＋Ｈｅ） で求めたＮａ、Ｎｂ、Ｎｃが、次式 Ｎ＜Ｎｂ，Ｎｃ Ｎ＞Ｎａ 但し、Ｎ：加工部の設置数の関係となるとき、前記供給
    部、及び／又は、前記前設定部を増設することを特徴と
    する請求項１記載のウェーハ面取り機。
  5. 【請求項５】 前記供給搬送部が、前記供給カセットか
    らのウェーハを取り出して前記前設定部に搬入し、該前
    設定部で行う所定の前設定が終了するまでの時間をＦ、 前記供給搬送部が、前記前設定部で前設定されたウェー
    ハを、該前設定部から前記加工搬送部に搬送する時間を
    Ｆａ、 前記加工搬送部が、前記供給搬送部から受け取ったウェ
    ーハを前記加工部に搬送する時間をＨａ、 前記加工部が、前記加工搬送部で搬送されたウェーハの
    面取り加工を行う時間をＧ、 前記洗浄搬送部が、前記加工部から面取り加工の完了し
    たウェーハを取り出して前記洗浄部まで搬送する時間を
    Ｈｃ、 前記洗浄部が、前記洗浄搬送部で搬送されたウェーハの
    洗浄を行う時間をＷ、 前記格納搬送部が、前記洗浄部からウェーハを取り出す
    までの時間をＨｅ、 前記格納搬送部が、前記洗浄部から取り出したウェーハ
    を前記後測定部へ搬送し、該後測定部での測定が完了し
    て前記格納部に設置された前記格納カセットに格納され
    るまでの時間をＥ、 としたとき、次式 Ｎａ＝（Ｈａ＋Ｇ＋Ｈｃ）／（Ｆ＋Ｆａ） Ｎｂ＝（Ｈａ＋Ｇ＋Ｈｃ）／（Ｗ＋Ｈｅ） Ｎｃ＝（Ｈａ＋Ｇ＋Ｈｃ）／（Ｅ＋Ｈｅ） で求めたＮａ、Ｎｂ、Ｎｃが、次式 Ｎ＜Ｎａ，Ｎｂ Ｎ＞Ｎｃ 但し、Ｎ：加工部の設置数の関係となるとき、前記後測
    定部、及び／又は、前記格納部を増設することを特徴と
    する請求項１記載のウェーハ面取り機。
  6. 【請求項６】 前記加工搬送部は、前記ウェーハの円周
    方向位置を再設定する機能を有することを特徴とする請
    求項１記載のウェーハ面取り機。
JP6317608A 1994-11-28 1994-11-28 ウェーハ面取り機 Expired - Fee Related JP2882458B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6317608A JP2882458B2 (ja) 1994-11-28 1994-11-28 ウェーハ面取り機
TW084112006A TW366532B (en) 1994-11-28 1995-11-14 A chamfer grinding system for a wafer
GB9523733A GB2296458B (en) 1994-11-28 1995-11-20 A chamfer grinding apparatus for wafers
DE19543867A DE19543867C2 (de) 1994-11-28 1995-11-24 Anfas-Schleifanlage für einen Wafer
KR1019950044161A KR100197091B1 (ko) 1994-11-28 1995-11-28 웨이퍼 모깎기 장치 및 방법
US08/865,048 US5769695A (en) 1994-11-28 1997-05-29 Chamfer grinding system for wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6317608A JP2882458B2 (ja) 1994-11-28 1994-11-28 ウェーハ面取り機

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08150551A JPH08150551A (ja) 1996-06-11
JP2882458B2 true JP2882458B2 (ja) 1999-04-12

Family

ID=18090101

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6317608A Expired - Fee Related JP2882458B2 (ja) 1994-11-28 1994-11-28 ウェーハ面取り機

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5769695A (ja)
JP (1) JP2882458B2 (ja)
KR (1) KR100197091B1 (ja)
DE (1) DE19543867C2 (ja)
GB (1) GB2296458B (ja)
TW (1) TW366532B (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2322319B (en) * 1996-06-15 1999-12-01 Unova Uk Ltd Method of grinding disc workpieces
AU3042097A (en) * 1996-06-15 1998-01-07 Unova U.K. Limited Improvements in and relating to grinding machines
GB2317585B (en) * 1997-06-11 1999-12-01 Western Atlas Uk Ltd Improvements in and relating to grinding machines
JPH11154655A (ja) * 1997-11-21 1999-06-08 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体ウェハの製造方法
US6132289A (en) * 1998-03-31 2000-10-17 Lam Research Corporation Apparatus and method for film thickness measurement integrated into a wafer load/unload unit
JPH11320363A (ja) 1998-05-18 1999-11-24 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ面取り装置
JP2003077872A (ja) * 2001-09-06 2003-03-14 Speedfam Co Ltd 半導体ウェハ研磨装置及び研磨方法
JP4748968B2 (ja) * 2004-10-27 2011-08-17 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの製造方法
US7752996B2 (en) * 2006-05-11 2010-07-13 Lam Research Corporation Apparatus for applying a plating solution for electroless deposition
JP5385519B2 (ja) * 2007-08-24 2014-01-08 株式会社東京精密 面取り機能つき洗浄装置
JP5491273B2 (ja) 2010-05-11 2014-05-14 ダイトエレクトロン株式会社 ウェーハの面取り装置
JP2014167996A (ja) * 2013-02-28 2014-09-11 Ebara Corp 研磨装置および研磨方法
JP2014226767A (ja) * 2013-05-27 2014-12-08 株式会社東京精密 ウェーハ面取り装置及びウェーハ面取り方法
JP6920849B2 (ja) * 2017-03-27 2021-08-18 株式会社荏原製作所 基板処理方法および装置
CN107598763A (zh) * 2017-10-24 2018-01-19 江门市奥伦德光电有限公司 一种多尺寸兼容的晶圆研磨设备及其研磨方法
CN113334245B (zh) * 2020-02-18 2022-10-18 长鑫存储技术有限公司 一种研磨液供给***

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3530571A (en) * 1967-12-15 1970-09-29 Cincinnati Milacron Inc Manufacturing system
US3665648A (en) * 1969-12-18 1972-05-30 Yugen Kaisha Yamanaka Seisakus Grinding apparatus
GB1365142A (en) * 1971-10-01 1974-08-29 Werkzeugmasch Heckert Veb Method of and a machine tool installation for handling and ma chining workpieces
JPS59214554A (ja) * 1983-05-17 1984-12-04 Daiichi Seiki Kk ウエハ−の面取り研削装置
JPS60109859U (ja) * 1983-12-28 1985-07-25 株式会社　デイスコ 半導体ウエ−ハ表面研削装置
US4982827A (en) * 1985-04-01 1991-01-08 Globe Products Inc. Workpiece processing system
US4753045A (en) * 1985-10-01 1988-06-28 General Motors Corporation Adjustable double end grinding machine
JPS6299065A (ja) * 1985-10-22 1987-05-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 球面研削装置
US4638601A (en) * 1985-11-04 1987-01-27 Silicon Technology Corporation Automatic edge grinder
JPH0230464A (ja) * 1988-07-16 1990-01-31 Daiichi Seiki Kk ノッチの研削されたウエハとその研削加工装置
US5117590A (en) * 1988-08-12 1992-06-02 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of automatically chamfering a wafer and apparatus therefor
JP3027882B2 (ja) * 1992-07-31 2000-04-04 信越半導体株式会社 ウエーハ面取部研磨装置
KR0167000B1 (ko) * 1992-10-30 1999-02-01 슈지 가와사키 연마 방법, 그 장치 및 연마용 버프 휠

Also Published As

Publication number Publication date
KR100197091B1 (ko) 1999-06-15
US5769695A (en) 1998-06-23
GB2296458A (en) 1996-07-03
DE19543867A1 (de) 1996-05-30
JPH08150551A (ja) 1996-06-11
GB2296458B (en) 1998-07-29
KR960017051A (ko) 1996-06-17
DE19543867C2 (de) 1998-07-02
GB9523733D0 (en) 1996-01-24
TW366532B (en) 1999-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2882458B2 (ja) ウェーハ面取り機
US6431961B1 (en) Apparatus and method for chamfering wafer
JP5491273B2 (ja) ウェーハの面取り装置
JP2007173487A (ja) ウエーハの加工方法および装置
CN110809816A (zh) 磨削装置、磨削方法以及计算机存储介质
TW201927469A (zh) 基板處理系統、基板處理方法、程式及電腦記錄媒體
JPH07130692A (ja) 平面研削装置
JP2554432B2 (ja) 半導体ウエーハの外周面加工装置
TWI806935B (zh) 基板處理系統、基板處理方法、基板處理程式及電腦記錄媒體
CN114641369B (zh) 基板处理方法和基板处理装置
KR20200087674A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치에서 부분 연마되어야 할 영역을 특정하는 방법
JP7434352B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2014226767A (ja) ウェーハ面取り装置及びウェーハ面取り方法
WO2021166668A1 (ja) 加工方法及び加工装置
US20240149393A1 (en) Processing apparatus
WO2023095669A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理システム
JP3283057B2 (ja) 半導体ウェーハ加工装置
JP2024068111A (ja) 加工装置
JP2000005990A (ja) 研削盤
TW202419187A (zh) 加工裝置
KR20240110049A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템
JPS63174855A (ja) 半導体ウエハ−研削装置
JPS61166133A (ja) ウエハおよびその製造方法
CN117995713A (zh) 加工装置
JP2022018648A (ja) 基板処理装置及び記憶媒体

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080205

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090205

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees