KR20120123581A - 패턴 정렬을 수행하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents
패턴 정렬을 수행하기 위한 방법 및 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120123581A KR20120123581A KR1020127025012A KR20127025012A KR20120123581A KR 20120123581 A KR20120123581 A KR 20120123581A KR 1020127025012 A KR1020127025012 A KR 1020127025012A KR 20127025012 A KR20127025012 A KR 20127025012A KR 20120123581 A KR20120123581 A KR 20120123581A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- workpiece
- die
- pattern
- layer
- circuit pattern
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4679—Aligning added circuit layers or via connections relative to previous circuit layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Image Processing (AREA)
Abstract
본 발명은 다층 패키지 시스템 스택을 제조할 때 직접 기록 기계에서 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법에 관한 것이다. 상기 작업물은 임의로 배치된 다이(1502)의 형태로 복수의 전기 부품을 가지는 제 1 층을 구비한다. 각 부품은 부품들 사이에 일부가 연결될 필요가 있는 연결점을 구비한다. 제 1 패턴에서 제 1 층에 분배된 다이의 연결점을 포함하는 상이한 영역(1510)은 상이한 정렬 요구조건과 연관된다. 본 방법은 a. 패키지 시스템 스택의 선택된 특징부에 또는 배치된 부품에 높은 정렬 요구조건을 가지는 제 1 패턴 내의 새크리드 영역을 검출하는 단계; b. 상기 패키지 시스템 스택의 다른 특징부에 낮은 정렬 요구조건을 가지는 것이 허용된 제 1 패턴의 스트레치 영역(1510)을 검출하는 단계; c. i. 인접한 새크리드 영역에 있는 연결점이 미리 설정가능한 정렬 편차 파라미터 내에서 정렬되도록; 그리고 ii. 상기 새크리드 영역에 있는 대응하는 연결점의 위치들 사이의 편차가 스트레치 영역의 연결점에 대한 패턴에서 보상되도록 상기 원래의 회로 패턴의 변환을 포함하는 조정된 제 1 패턴 데이터를 계산하는 것에 의해 제 1 패턴을 변환하는 단계; d. 조정된 패턴 데이터에 따라 작업물의 층에 패턴을 기록하는 단계를 포함한다. 제 1 패턴은 또한 제 2 패턴과 동시에 일치할 수 있다.
Description
본 발명은 일반적으로 레이저 직접 이미징 디바이스를 사용하여 감광성 면을 패터닝하는 것을 포함하는 제품을 제조할 때 작업물의 레이저 패턴 이미징에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 다이와 같은 개별 또는 다수의 부품에 대한 패턴 정렬 후에 패턴 재연결을 수행하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일반적인 배경기술
여러 전기 회로 패턴을 가지는 층의 시퀀스를 형성하는 방법으로 인쇄 회로 보드를 제조하는 것은 일반적인 실무이다. 이를 위하여 기판 위에 전기 회로 패턴을 기록하는 이미징 디바이스로서 레이저 직접 기록기를 사용하는 패턴 생성기가 잘 알려져 있다.
예를 들어, 집적 회로를 가지는 인쇄 회로 보드를 제조할 때, 기능성 전자 회로를 각각 가지는 반도체 물질의 작은 블록 형태인 복수의 다이는 예를 들어 캐리어 실리콘 웨이퍼 형태인 인쇄 회로 보드 작업물 상에 분배된다. 다이는 이후 일련의 제조 단계에서 집적 회로를 형성하기 위하여 추가적인 물질 층으로 커버된다. 제조 공정 동안 패턴이 하나 또는 복수의 패턴 단계에서 작업물의 선택된 층에 생성된다.
패턴 생성
예를 들어 원하는 전기 회로에 다이와 같은 부품의 접촉 패드 또는 연결 점을 연결하기 위하여 생성된 전기 회로 패턴을 형성하기 위하여 작업물 층에 패턴이 생성된다. 다이라는 표현은 본 명세서에서 수동 부품, 능동 부품 또는 전자회로와 연관된 임의의 다른 부품과 같은 임의의 전자 부품에 대한 일반적인 표현으로 사용된다. 이러한 패턴은 회로 패턴의 이미지가 작업물 상에 있는 전도성 층을 커버하는 표면 층 위에 사영되고 기록되고 인쇄되는 기록 또는 인쇄 공정에서 생성된다.
본 문맥에서 기록 및 인쇄는 넓은 의미로 이해되어야 한다. 예를 들어, 표면에 패턴을 사영하거나 기록하거나 인쇄하는 것은 포토레지스트 또는 다른 감광성 물질을 노출시키는 것, 광학적 가열에 의해 어닐링하는 것, 광학 빔에 의해 표면을 식각하고, 이 표면에 임의의 다른 변화를 생성하는 것 등을 포함할 수 있다.
사용되는 감광성 표면 물질의 종류에 따라 감광성 표면 층의 노출 또는 비노출 부분이 제거되어 작업물 상에 에칭 마스크를 형성하게 된다. 마스킹된 작업물은 이후 전도성 층에 원하는 전기 회로 패턴을 형성하도록 에칭된다. 이런 개념의 변형예는 하부 층 상에 물질을 증착하기 위해 예를 들어 작업물 상에 전기 회로 패턴이나 연결 점을 형성하기 위해 패턴을 사용하는 것이다.
패턴 생성기
패턴 생성기는 예를 들어 이미지 패턴 데이터에 따라 변조된 레이저 빔으로 표면을 레이저 스캐닝하고 원하는 전기 회로 패턴을 나타내는 이미지를 형성하는 것에 의해 감광성 표면에 패턴을 기록하도록 고안된 레이저 직접 이미징(LDI) 시스템에 의하여 실현된다.
본 발명의 특정한 배경기술
이 분야에서 제조 방법의 최근의 개선예에서 임베디드 다이 기술 및 웨이퍼 레벨의 패키징 기술에 대한 관심이 비용과 성능 면에서 예상되는 잇점으로 인해 증가되었다. 이들이 서로 다른 기술인 것으로 언급되고 있으나, 이들 둘은 다이의 임베딩과 관련 문제를 수반한다.
층의 패터닝을 수반하는 집적 회로 및 다른 제품을 제조하는 이러한 개선예에서는 그러나 생산성에 영향을 미치는 인자들이 여러 가지 있다. 다이의 배치와 패턴의 정렬은 이들 기술을 사용하여 제조 공정에서 전체 수율에 결정적인 중요한 인자들이다. 예를 들어, 웨이퍼 레벨의 패키징에서 팬아웃 공정은 생산성을 제한하는 스테이지를 포함한다.
정렬 및 오버레이 제어
인쇄된 패턴은 각 다이의 기능성 전자 회로에 있는 연결점에 맞추거나 또는 작업물의 동일하거나 상이한 층에 있는 다른 패턴에 맞추기(fit) 위하여 작업물의 특정 특징부, 예를 들어 다이와 정렬되어야 한다. 오버레이 제어는 다층 구조물에서 패턴 대 패턴 정렬의 모니터링과 제어를 기술하는 용어이다.
종래 기술에서 이미저, 예를 들어 CCD 카메라를 포함하는 측정 시스템은 일반적으로 작업물의 위치와 이 작업물 위에서 선택된 특징부를 결정하는 정렬 절차에서 사용된다. 예를 들어, 카메라는 작업물 위 에지나 마킹과 같은 작업물의 특징부를 검출하는데 사용되고, 이미지에서 특징부의 위치는 패턴 생성기에서 참조에 대하여 실제 물리적 위치를 계산하는데 사용된다. 원래 설계된 이미지 패턴 데이터가 가정되는 이상적인 물리적 조건으로부터 실제 물리적 조건의 편차를 보상하는 방법은 여러 가지 있다. 예를 들어, 이미지 패턴 데이터가 조정되고 이후 패턴은 조정된 이미지 패턴 데이터에 따라 기록된다. 다른 예에서, 기록기의 좌표 시스템이 보상을 위해 조정되고 원래의 패턴 데이터는 조정된 좌표 시스템에 기록된다.
작업물 상에 다이의 배치
종래 기술의 패터닝 시스템은 다이에 패턴을 정렬할 수 있기 위하여 작업물 위에 매우 정밀하게 배치된 다이를 가지는 작업물을 요구한다. 이것은 종래 기술의 패터닝 시스템이 패터닝 공정을 상당히 느리게 함이 없이 개별 다이에 정렬을 수행하는데 제한된 능력을 가지는 스테퍼와 정렬기를 사용한 결과 패터닝된 층을 구비하는 제품을 제조하는 공정에서 페이스를 설정하는 택트 시간(takt time)에 대한 현재 요구조건이 충족될 수 없는 것으로 인한 것이다. 종래 기술에서 다이는 작업물에 정밀하게 배치되고 작업물에 공융 접합 또는 접착에 의하여 다이를 고정하며 이는 매우 시간을 소비하는 공정이다.
픽앤플레이스 기계에 의한 작업물 상에 다이의 배치
생산성 율을 증가시키기 위하여 픽앤플레이스 기계에 의하여 작업물 상에 다이를 분배하는 요구가 산업계에 있다. 그러나, 오늘날 픽앤플레이스 기계는 정렬을 관리하기 위해 종래 기술의 패턴 생성기에 의해 요구되는 배치 정밀도를 유지하면서 제조 공정의 택트 시간에 의해 요구되는 속도를 맞출 수 없다. 픽앤플레이스 기계에 의하여 배치된 다이는 랜덤한 위치 에러를 가지는 것으로 고려될 수 있다.
팬아웃 공정
팬아웃 공정은 작업물 상에 다이의 연결 점을 연결하기 위하여 전도성 경로를 배열하는 것을 포함하는 공정의 일례이다. 다이를 커버하는 재분배 층은 다이와 정렬되고 예를 들어 재분배 층 위에 증착된 솔더 볼을 통해 접촉 패드에 연결되고 상이한 층에 있는 전도체들 사이에 수직 상호연결 액세스를 위해 간단히 비아(via)라고 불리는 애퍼처에 의하여 수직 전기 연결에서 다른 층으로 연장하는 회로 패턴을 구비한다. 일반적으로 연결 점 또는 연결 라인은 더 높은 볼 그리드 피치를 가능하게 하기 위하여 더 큰 표면적에 걸쳐 확산된다. 층 간 정렬은 팬아웃 공정에서 중요한 인자이고 부정확하게 배치된 다이에서 종래 기술의 종래 팬아웃 공정은 종래 기술의 패터닝 시스템에서 개별 다이에 정렬 성능이 불량한 것으로 인해 비용 효과적이지 않다. 도 1은 팬아웃 웨이퍼 레벨의 패키징 공정의 종래 기술의 공정 설명에서 임베디드 다이의 일례를 개략적으로 도시한다. 이 공정은 하기 상세한 설명에서 더 기술된다.
종래 기술
종래 기술의 패턴 생성기 및 정렬의 예는 특허 문헌(특허 공개공보, US2003/0086600 Multilayer Printed Circuit Board Fabrication System and Method; WO 03/094582 및 관련된 US2005/0213806 (Al) A System and Method for Manufacturing Printed Circuit Boards Employing Non - uniformly Modified Images)에서 찾아볼 수 있다. 종래 기술의 이들 부분은 패턴 이미지 데이터에 따라 인쇄 회로 보드에 전기 회로 패턴을 기록하도록 적응된 레이저 직접 이미징 시스템의 형태로 패턴 생성기의 일반적인 기능을 기술한다. 이들 문헌은 기판 상에서 패턴을 정렬하기 위해 종래 기술을 더 설명한다.
종래 기술의 곤란성
도 2는 전체 레벨에서는 일반적인 순서이지만 국부 레벨에서는 비시스템적인 순서로 웨이퍼(200) 형태인 작업물 위에 배치된 다이(202)의 일례를 도시한다. 요약해서 생산율을 증가시키기 위해서는 다이 배치는 도 2에서와 같이 덜 정밀하고 심지어 비시스템적인 것이 허용되어야 한다. 그러나, 다이에 대해 랜덤한 위치 에러는 상대적으로 종래의 정렬기와 원하는 오버레이 성능을 달성하는 것을 곤란하게 한다. 종래 기술에서 EGA 정렬(Enhanced Global Alignment) 성능은 종래의 스테퍼 기술이 상대적으로 타이트한 설계 규칙을 가지고 디바이스를 패키징할 때 노출 율을 증가시킬 수 있게 한다. 이 경우에 이러한 스테퍼는 이들이 동일한 변환에 맞춘다는 가정 하에 여러 다이에 대해 동일한 패턴 변환을 노출시킨다. 대안적으로 동일한 패턴은 명세로부터 과도하게 큰 편차의 가능성이 회피될 수 있을 만큼 적은 개수의 다이에 노출된다.
도 3은 국부 정렬 문제, 여기서 2개의 다이 그룹에 있는 개별 다이(300)에 정렬하는 국부 정렬 문제를 처리하기 위해 종래의 종래 기술의 인쇄 방법을 도시한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 노출 영역은 각 다이에서 아래로 작은 영역으로 분할된다. A에서 1x1 필드는 이 예에서 390회의 노출 숏/웨이퍼를 요구하는 2드롭인(drop-in) 다이를 구비한다; B에서 2x2 필드는 에지에서 오버프린트되고 103회의 숏/웨이퍼를 요구하며; 및 C에서 5x3 필드는 에지에서 34회의 숏/웨이퍼를 오버프린트한다. 노출은 이 종래 기술의 방법에서 스테퍼로 수행된다. 그러나, 이 종래 기술의 접근법은 각 숏에 대한 재정렬이 필요하므로 상대적으로 큰 택트 페널티를 가지고 있다.
상이한 층들 사이에 정렬을 기술하는 종래 기술의 예는 특히 다음 특허 문헌에서 볼 수 있다: WO2010049924(Al) (출원인: Orbotech), US7508515(B2) 및 WO2004109760(A2) (출원인: Sony)은 후속 층의 패턴을 이전 층의 실제 패턴으로 변환하는 예, 예를 들어 접촉 패드를 변환하는 예를 도시한다. 그러나, 종래 기술의 이 부분에는 본 출원에서의 특정 문제를 해소하는 해법과 다이를 가지는 스택에 응용하는 개시내용이 없다.
2개 이상의 다이들로부터 다수의 연결 라인이 연결되어야 하는 임베디드 다이 공정과 같은 팬아웃 공정 또는 이와 유사한 공정에서 다이에 패턴을 정렬한 후에 문제점이 여전히 있을 수 있다. 도 12는 이상적인 설계 영역, 일반적으로 CAD(computer aided design) 영역에서 2개의 다이(1502, 1504)로부터 연결 라인(1506)을 도시한다. 각 연결 라인은 연결 점(1508)에서 연결된다.
도 13은 종래 기술에 따라 각 다이(1502, 1504) 또는 다른 부품에 패턴이 정렬된 후에 실제 볼 수 있는 결과를 도시한다. 개별 다이로 패턴을 변환하므로 개별 변환에서의 차이가 다이를 서로 연결하거나 다른 층에 연결하도록 의도된 패턴 내 라인에 대해 에지 러프니스를 형성하거나 또는 심지어 불량한 연결을 형성할 수 있다. 도 13에 도시된 바와 같이, 많은 연결 점(1508)들이 연결되어 있지 않다. 이것은 정상적인 현재 품질 요건을 가지고 각 다이에 개별적으로 정렬하기에 적합하지 않거나 심지어 불가능하게 한다. 연결 점(1508)을 포함하는 패턴 부분에 있는 연결 점은 명백히 잘못 정렬되어 있다.
문제
본 발명의 일반적인 목적은 개별적으로 정렬된 패턴 부분의 연결을 가능하게 하는 방법을 제공하는 것이다. 이 문제의 일 측면은 상이한 다이에 대해 개별적으로 정렬된 패턴 부분에서 연결점을 재연결하는 것이다.
보다 구체적으로, 본 발명은 복수의 층에 있는 패턴에 대하여 패턴 정렬을 수행하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일반적인 목적은 첨부된 청구범위에 따른 방법 및/또는 장치 및/또는 컴퓨터 프로그램 제품을 제공하는 것에 의해 해결된다.
본 발명은 레이저 직접 이미징 디바이스를 사용하여 표면을 패터닝하는 것을 포함하는 제품을 제조할 때 작업물에 레이저 패턴 이미징을 하는 분야에 적용가능하다. 예를 들어, 표면에 패턴을 사영하거나 기록하거나 인쇄하는 것에 의해 패터닝하는 것은 포토레지스트 또는 다른 감광성 물질을 노출하는 것, 광학적 열로 어닐링하는 것, 광빔에 의해 표면을 식각하고, 이 표면에 임의의 다른 변화를 형성하는 것 등을 포함할 수 있다.
이러한 제품의 예는 인쇄 회로 보드(PCB), 기판, 플렉시블한 롤 기판, 플렉시블한 디스플레이, 웨이퍼 레벨의 패키지(WLP), 플렉시블한 전자회로, 솔러 패널 및 디스플레이이다. 본 발명은 직접 기록 기계에서 다이를 가지는 이러한 제품에 대해 작업물 위 감광성 표면을 패터닝하는 것에 관한 것이며, 여기서 작업물은 레이저 직접 이미징 시스템으로 패턴이 인쇄될 수 있는 표면 층을 가지는 임의의 캐리어일 수 있다.
전술된 바와 같은 보다 특정한 문제는 본 발명에 따라 제 1 새크리드 영역에서는 엄격한 정렬 요구조건을 가지고 정밀하게 정렬하고 제 2 스트레치 영역에서는 덜 엄격한 정렬 요구조건을 가지고 정렬하는 것에 의해 서로 또는 다른 층과 다이를 연결해야 하는 라인에 대한 에지 러프니스와 불량한 연결을 회피하면서 각 다이(부품)에 대해 개별 정렬을 가능하게 하는 것에 의해 해결된다.
본 발명은 첨부하는 도면을 참조하여 이하 더 설명된다.
도 1은 팬아웃 웨이퍼 레벨의 패키징 공정의 종래 기술의 공정 설명에서 임베디드 다이의 일례를 개략적으로 도시한 도면;
도 2는 그 위에 분배된 다이를 가지는 작업물의 일례를 개략적으로 도시한 도면;
도 3은 개별적인 다이 또는 다이 그룹에 정렬하기 위한 종래 기술의 방법의 일례를 개략적으로 도시한 도면;
도 4는 다이 위 정렬 마크의 일례를 개략적으로 도시한 도면;
도 5a 내지 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따라 개별 다이의 국부 패턴 적응의 일례를 개략적으로 도시한 도면;
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 방법의 흐름도를 도시한 도면;
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따라 국부 좌표 시스템의 조정의 일례를 개략적으로 도시한 도면;
도 8은 작업물의 형상에 따라 다이의 국부 및 전체 위치와 배향을 도시하는, 그 위에 분배된 다이를 가지는 작업물의 일례를 개략적으로 도시한 도면;
도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따라 다이에 패턴을 정렬하는 방법의 흐름도를 도시한 도면;
도 9b는 본 발명에 따라 작업물을 패터닝하는 장치의 실시예를 도시하는 블록도를 개략적으로 도시한 도면;
도 9c는 패키지로 3D 시스템의 일례를 도시한 도면;
도 10a는 작업물의 평면도로 다이의 연결 점에 패턴의 일부분이 연결된 방법의 일례를 도시한 도면;
도 10b는 도 10a의 예에서 측면을 도시한 도면;
도 11a 내지 도 11b는 제 1 작업물 층에 있는 다이가 동일하거나 상이한 작업물의 제 2 층에 있는 다이와 오버레이된 방법을 도시하는 평면도와 측면도를 도시한 도면;
도 11c는 복수의 층에 있는 특징부에 패턴을 정렬하는 흐름도를 도시한 도면;
도 12는 설계(CAD) 영역에 있는 패턴을 도시한 도면;
도 13은 각 다이의 변환으로 패턴이 조정된 후의 일례를 도시한 도면;
도 14는 식별된 새크리드(sacred) 영역과 스트레치(stretch) 영역을 도시한 도면;
도 15는 CAD 영역에서 다른 패턴을 도시한 도면;
도 16a는 스트레치 영역 개념을 사용함이 없이 개별 변환만이 패턴에 적용된 패턴을 도시한 도면;
도 16b는 새크리드 영역들 사이에 선형 연결을 사용하여 이상적인(원래) 좌표 시스템에 연결된 영역을 재연결하는데 스트레치 영역 개념이 사용될 때 예시적인 패턴을 도시한 도면;
도 17a는 스트레치 영역 개념을 사용함이 없이 개별적인 변환만이 패턴에 적용된 예시적인 패턴을 도시한 도면;
도 17b는 개별적인 변환들 사이에 선형 결합을 사용하여 이상적인(원래) 좌표 시스템에 연결된 영역을 재연결하는데 스트레치 영역이 사용될 때 예시적인 패턴을 도시한 도면;
도 18은 추가적인 영역이 패턴 파일에 또는 기계에 의하여 자동적으로 식별되거나 마킹된 일례를 도시한 도면;
도 19a는 제 3 영역이 적용되지 않는 일례를 도시한 도면;
도 19b는 제 3 영역이 적용된 일례를 도시한 도면;
도 20a는 보상 없이 예시적인 인쇄 패턴을 도시한 도면;
도 21a 내지 도 21b는 예시적인 변환 맵을 도시한 도면;
도 22a는 보상이 있는 예시적인 인쇄 패턴을 도시한 도면;
도 22b는 본 발명의 일 실시예에 따른 새크리드 영역 개념을 사용하는 방법의 흐름도를 도시한 도면.
도 1은 팬아웃 웨이퍼 레벨의 패키징 공정의 종래 기술의 공정 설명에서 임베디드 다이의 일례를 개략적으로 도시한 도면;
도 2는 그 위에 분배된 다이를 가지는 작업물의 일례를 개략적으로 도시한 도면;
도 3은 개별적인 다이 또는 다이 그룹에 정렬하기 위한 종래 기술의 방법의 일례를 개략적으로 도시한 도면;
도 4는 다이 위 정렬 마크의 일례를 개략적으로 도시한 도면;
도 5a 내지 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따라 개별 다이의 국부 패턴 적응의 일례를 개략적으로 도시한 도면;
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 방법의 흐름도를 도시한 도면;
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따라 국부 좌표 시스템의 조정의 일례를 개략적으로 도시한 도면;
도 8은 작업물의 형상에 따라 다이의 국부 및 전체 위치와 배향을 도시하는, 그 위에 분배된 다이를 가지는 작업물의 일례를 개략적으로 도시한 도면;
도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따라 다이에 패턴을 정렬하는 방법의 흐름도를 도시한 도면;
도 9b는 본 발명에 따라 작업물을 패터닝하는 장치의 실시예를 도시하는 블록도를 개략적으로 도시한 도면;
도 9c는 패키지로 3D 시스템의 일례를 도시한 도면;
도 10a는 작업물의 평면도로 다이의 연결 점에 패턴의 일부분이 연결된 방법의 일례를 도시한 도면;
도 10b는 도 10a의 예에서 측면을 도시한 도면;
도 11a 내지 도 11b는 제 1 작업물 층에 있는 다이가 동일하거나 상이한 작업물의 제 2 층에 있는 다이와 오버레이된 방법을 도시하는 평면도와 측면도를 도시한 도면;
도 11c는 복수의 층에 있는 특징부에 패턴을 정렬하는 흐름도를 도시한 도면;
도 12는 설계(CAD) 영역에 있는 패턴을 도시한 도면;
도 13은 각 다이의 변환으로 패턴이 조정된 후의 일례를 도시한 도면;
도 14는 식별된 새크리드(sacred) 영역과 스트레치(stretch) 영역을 도시한 도면;
도 15는 CAD 영역에서 다른 패턴을 도시한 도면;
도 16a는 스트레치 영역 개념을 사용함이 없이 개별 변환만이 패턴에 적용된 패턴을 도시한 도면;
도 16b는 새크리드 영역들 사이에 선형 연결을 사용하여 이상적인(원래) 좌표 시스템에 연결된 영역을 재연결하는데 스트레치 영역 개념이 사용될 때 예시적인 패턴을 도시한 도면;
도 17a는 스트레치 영역 개념을 사용함이 없이 개별적인 변환만이 패턴에 적용된 예시적인 패턴을 도시한 도면;
도 17b는 개별적인 변환들 사이에 선형 결합을 사용하여 이상적인(원래) 좌표 시스템에 연결된 영역을 재연결하는데 스트레치 영역이 사용될 때 예시적인 패턴을 도시한 도면;
도 18은 추가적인 영역이 패턴 파일에 또는 기계에 의하여 자동적으로 식별되거나 마킹된 일례를 도시한 도면;
도 19a는 제 3 영역이 적용되지 않는 일례를 도시한 도면;
도 19b는 제 3 영역이 적용된 일례를 도시한 도면;
도 20a는 보상 없이 예시적인 인쇄 패턴을 도시한 도면;
도 21a 내지 도 21b는 예시적인 변환 맵을 도시한 도면;
도 22a는 보상이 있는 예시적인 인쇄 패턴을 도시한 도면;
도 22b는 본 발명의 일 실시예에 따른 새크리드 영역 개념을 사용하는 방법의 흐름도를 도시한 도면.
본 문헌에서 사용된 용어의 설명과 실시예
작업물
본 출원의 설명을 위하여, 작업물이라는 용어는 레이저 직접 이미징 시스템으로 패턴이 인쇄될 수 있는 표면 층을 가지는 임의의 캐리어를 언급하는데 사용된다. 예를 들어, 인쇄 회로 보드 작업물을 위한 실리콘 기판이나 실리콘 웨이퍼 또는 유기 기판이다. 작업물은 원형, 직사각형 또는 다각형과 같은 임의의 형상 및 예를 들어 단편 또는 롤로 된 임의의 사이즈일 수 있다.
다이
본 출원의 설명을 위하여 다이라는 용어는 수동 부품, 능동 부품, 또는 전자회로와 연관된 임의의 다른 부품을 언급하는데 사용된다. 예를 들어, 다이는 주어진 기능 회로가 제조되는 반도체 물질의 작은 블록일 수 있다.
국부적 정렬
본 출원의 설명을 위하여 국부적 정렬이라는 용어는 개별 다이 또는 다이 그룹 상에 정렬 특징부, 예를 들어, 정렬 마크에 대하여 정렬을 언급하는데 사용된다.
전체 정렬
본 출원의 설명을 위하여 전체 정렬이라는 용어는 작업물 상에 정렬 특징부, 예를 들어 정렬 마크에 대하여 정렬을 언급하는데 사용된다.
여러 가지 설명
도면에서, 층과 영역의 두께는 명확화를 위해 과장되어 있다. 동일한 부호는 도면의 설명에서 동일한 요소를 말한다.
상세한 예시적인 실시예가 본 명세서에 개시된다. 그러나, 본 명세서에 개시된 특정 구조와 기능 상세는 예시적인 실시예를 기술하기 위하여 단지 예시적인 것이다. 예시적인 실시예는 많은 다른 형태로 구현될 수 있으며 본 명세서에 개시된 예시적인 실시예만으로 제한되는 것으로 해석되어서는 아니된다. 그러나, 예시적인 실시예를 개시된 특정된 것으로 제한하려는 것이 전혀 아니라 그 반대로 예시적인 실시예는 적절한 범위 내에 있는 모든 변형, 균등물 및 대안물을 모두 커버하려는 것이라는 것을 이해하여야 할 것이다.
제 1, 제 2 등의 용어는 본 명세서에서 여러 요소를 설명하기 위해 사용되는 것이지만, 이들 요소들은 이들 용어로 제한되는 것은 아니라는 것을 이해할 수 있을 것이다. 이들 용어는 단지 하나의 요소를 다른 요소와 구별하기 위해 사용되는 것이다. 예를 들어, 예시적인 실시예의 범위를 벗어남이 없이 제 1 요소는 제 2 요소라 명명될 수 있고, 이와 유사하게 제 2 요소는 제 1 요소라 명명될 수도 있다. 본 명세서에 사용된 바와 같이 "및/또는" 이라는 용어는 연관되어 나열된 항목 중 하나 이상의 항목의 임의의 모든 조합을 포함하는 것이다.
하나의 요소가 다른 요소와 "연결"되거나 "결합"되는 것이라고 언급할 때 이 요소는 다른 요소에 직접 연결되거나 결합될 수 있고 또는 중간 요소들이 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 이와 대조적으로, 하나의 요소가 다른 요소에 "직접 연결"되거나 "직접 결합"된다고 언급할 때, 중간 요소는 존재하지 않는다. 요소들 사이의 관계를 설명하는데 사용되는 다른 단어들(예를 들어, "사이에" 대 "직접 사이에", "인접한" 대 "직접 인접한" 등)도 이와 동일한 방식으로 해석되어야 한다.
본 명세서에 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위한 것일 뿐, 예시적인 실시예를 제한하려고 의도한 것이 전혀 아니다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, 단수 형태 "하나" 및 "상기"는 문맥이 명백히 달리 지시하지 않는 한, 복수의 형태를 더 포함하도록 의도된 것이다. 용어 "포함하고", "포함하는", "구비하고" 및/또는 "구비하는"이라는 용어는 본 명세서에 사용될 때 언급된 특징부, 완전체, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분의 존재를 나타내는 것이지만, 하나 이상의 다른 특징부, 완전체, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 이들의 그룹의 존재나 추가를 배제하는 것이 아니라는 것을 더 이해할 수 있을 것이다.
일부 대안적인 구현예에서, 언급된 기능/동작은 그 도면에서 언급된 순서와는 다르게 일어날 수 있다는 것을 또한 주지해야 한다. 예를 들어, 연속적으로 도시된 2개의 도면은 사실 실질적으로 동시에 실행될 수 있으며 또는 종종 수반되는 기능/동작에 따라 역순으로 실행될 수 있다.
예시적인 실시예는 패턴 및/또는 이미지를 판독하고 기록하기 위해 기판이나 웨이퍼와 같은 작업물을 스캐닝하는 것에 관한 것이다. 예시적인 실시예는 또한 작업물을 측정하는 것에 관한 것이다. 예시적인 기판이나 웨이퍼는 평판 패널 디스플레이, 인쇄 회로 보드(PCB), 플렉시블한 인쇄 회로 보드(FPB), 플렉시블 전자회로, 인쇄 전자회로, 응용 광전 패널 등을 패키징하기 위한 기판 또는 작업물을 포함한다.
예시적인 실시예에 따라, 판독하고 기록하는 것은 넓은 의미로 해석되어야 한다. 예를 들어, 판독 동작은 상대적으로 작거나 상대적으로 큰 작업물의 마이크로스코피, 검사, 계측, 스펙트로스코피, 간섭계, 산란계 등을 포함할 수 있다. 기록하는 것은 포토레지스트 또는 다른 감광 물질을 노출하는 것과, 광학적 가열에 의해 어닐링하는 것과, 광빔에 의해 표면을 식각하고, 이 표면에 임의의 다른 변화를 생성하는 것 등을 포함할 수 있다.
본 실시예의 상세한 설명
본 발명은 작업물을 패터닝하는 방법, 장치 및 컴퓨터 프로그램 제품에서 구현된다.
전술된 바와 같은 보다 특정한 문제는 본 발명에 따라 제 1 새크리드 영역에서는 엄격한 정렬 요구조건을 가지고 정밀하게 정렬하고 제 2 스트레치 영역에서는 덜 엄격한 정렬 요구조건을 가지고 정렬하는 것에 의해 서로 또는 다른 층과 다이를 연결해야 하는 라인에 대한 에지 러프니스와 불량한 연결을 회피하면서 각 다이(부품)에 대해 개별 정렬을 가능하게 하는 것에 의해 해결된다.
다층 스택을 제조할 때 직접 기록 기계에서 작업물의 제 2 층을 패터닝하도록 구성된 방법, 장치의 시스템 및/또는 컴퓨터 프로그램 제품에서, 작업물은 그 위에 임의로 배치된 다이 형태로 복수의 전기 부품을 가지는 제 1 층을 구비한다. 각 다이는 다이 사이에 그 일부가 연결되는 연결점을 구비한다. 상기 다이의 선택은 제 1 패턴과 연관되고 제 1 층에 분배된 다이의 연결점을 구비하는 상이한 영역은 상이한 정렬 요구조건과 연관된다.
스택의 선택된 특징부 또는 배치된 다이에 높은 정렬 요구조건을 가지는 제 1 패턴 내의 새크리드 영역이 검출된다. 나아가, 스택의 다른 특징부에 더 낮은 정렬 요구조건을 가지는 것이 허용되는 제 1 패턴의 스트레치 영역이 검출된다. 이후 제 1 패턴이, i. 인접한 새크리드 영역에 있는 연결점이 미리 설정가능한 정렬 편차 파라미터 내에서 정렬되도록; 그리고 ii. 새크리드 영역에 있는 대응하는 연결점의 위치들 사이의 편차가 스트레치 영역의 연결점에 대한 패턴에서 보상되도록 원래의 회로 패턴의 변환을 포함하는 조정된 제 1 패턴 데이터를 계산하는 것에 의해 변환된다. 마지막으로, 조정된 패턴 데이터에 따라 작업물의 층에 패턴이 기록된다.
본 발명의 동작 환경
본 발명은 본 발명의 실시예의 구현을 위해 사용될 수 있는 기계의 일례로서 본 명세서에 참조 문헌으로 병합된 전술된 종래 기술의 문헌 US 2003/008660에 기술된 바와 같은 예를 들어 레이저 직접 기록기를 포함하는 스캐닝 레이저 직접 이미징(LDI) 시스템에 일반적으로 사용된다. 이러한 시스템에서, 레이저 빔은 패턴 이미지 데이터에 따라 패턴을 층에 노출하기 위하여 작업물의 감광 면 층에 스캐닝된다. 본 발명의 상이한 실시예는 예를 들어 포토레지스트 또는 다른 감광성 물질을 노출하는 것과, 광학적 가열에 의해 어닐링하는 것과, 광빔에 의해 표면을 식각하고, 이 표면에 임의의 다른 변화를 생성하는 것 등을 포함할 수 있는 표면 위에 패턴을 사영하거나 기록하거나 또는 인쇄하는 것에 의해 패턴을 생성하기 위한 패터닝 장비를 포함할 수 있다.
본 시스템은 바람직하게는 특히 조정되거나 보상되거나 변환될 수 있는 이미지 패턴 데이터에 따라 패터닝, 예를 들어 레이저 빔 스캐닝을 제어하도록 구성된 컴퓨터를 포함한다. 본 시스템은 작업물 상에 정렬 마크와 같은 다이 또는 특징부와 같은 물체를 인식하도록 고안된 CCD 카메라와 인식 소프트웨어를 일반적으로 구비하는 컴퓨터화된 측정 시스템을 더 포함하거나 이에 연결된다. 측정 시스템으로부터 측정 데이터는 가정된 조건으로부터 작업물에 있는 편차를 보상하기 위하여 원래의 이미지 패턴 데이터를 적응하기 위하여 정렬 시스템에서 사용된다. 본 발명을 구현할 때 컴퓨터는 본 발명의 방법 단계를 수행하도록 적응된 특별히 설계된 컴퓨터 프로그램을 구비한다.
본 발명은 작업물 위 임의의 위치에 배치되고 분배된 다이를 구비하는 작업물, 예를 들어 실리콘 기판, 유기 기판 또는 웨이퍼에서 동작하도록 고안된다. 다이의 위치는 3차원 좌표 시스템에서 한정되며 이에 따라 위치와 배향을 나타낸다. 예를 들어, 다이는 픽앤플레이스 기계에 의하여 작업물 위에 배치되었을 수 있으며 이에 다이의 위치 정밀도가 낮은 작업물을 초래할 수 있다. 다이는 일반적으로 회로 패턴이 예를 들어 팬아웃 공정에서 다이의 연결 점에 연결될 수 있도록 표면 층에 인쇄되도록 회로 패턴과 정렬되어야 한다. 바람직한 실시예는 직접 기록 기계 및 정렬 시스템으로 구현되거나 이와 연관하여 구현된다.
팬아웃 공정의 예
도 1은 팬아웃 웨이퍼 레벨의 패키징 공정의 종래 기술의 공정 설명에서 임베디드 다이의 일례를 개략적으로 도시한다. Infineon에서 제공하는 것으로 알려진 여기서 종래 기술의 팬아웃 웨이퍼 레벨의 패키징으로 간략화된 이러한 종래의 팬아웃 공정(소스: Infineon)은 일반적으로 다음 단계를 포함한다:
단계 1: 적층 캐리어, 예를 들어, 캐리어 웨이퍼는 접착 테이프 위에 다이를 수용하도록 제공되고 배열된다.
단계 2: (하나 또는 수 개의 유형의) 복수의 다이는 픽앤플레이스 기계에 의하여 캐리어에 배치된다.
단계 3: 몰딩된 캐리어 웨이퍼에 다이를 고정하기 위하여 접착 테이프와 다이 위에 압축 몰딩.
단계 4: 접착 케이프와 몰딩된 캐리어 웨이퍼로부터 캐리어 분리.
단계 5: 재구성된 웨이퍼를 형성하기 위하여 몰딩된 웨이퍼로부터 접착 테이프를 제거하기 예를 들어 벗겨내기.
몰딩된 캐리어 웨이퍼에 다이를 배치한 후에, 다음 중에서 선택된 하나 이상의 패터닝 단계들이 웨이퍼 위에 수행되는데, 예를 들어,
단계 6: 가능하게는 복수의 이러한 단계의 유전체의 증착과 패터닝.
단계 7: 금속화 및 패터닝.
단계 8: 유전체의 증착과 패터닝.
단계 9: 다이의 연결점에 연결된 접촉 패드에 외부 연결을 위한 전기 연결을 달성하기 위한 솔더 범프 증착.
본 발명의 일 실시예는 비용 효율성을 개선하기 위하여 이런 종류의 팬아웃 공정에서 패터닝 단계에서 정렬하기 위해 적용하도록 적응된다.
임의로 배치된 다이를 가지는 작업물
배경 기술 란에 간단히 언급된 바와 같이 도 2는 그 위에 분배된 복수의 다이(202)를 가지는 작업물(200)의 일례를 개략적으로 도시하며, 이 작업물은 본 예에서 eWLB 패키징 구조에서 재구성된 웨이퍼이고 eWLB는 임베디드 웨이퍼 레벨의 볼 그리드 어레이(embedded Wafer Level Ball Grid Array)의 약어이다. 도 2에 도시된 바와 같이 종래에 다이 배치는 비시스템적이고 인쇄 필드, 즉 인쇄 회로 패턴의 필드는 상이한 다이에 대하여 상이한 등록 에러를 가질 수 있고 실제로 이와 같이 생성된 작업물은 랜덤한 위치 에러를 가질 수 있다. 본 발명은 예를 들어 이런 종류의 작업물에서 임베디드 다이에 패턴을 국부적으로 정렬하는 것을 가능하게 하도록 적응된다.
본 발명이 동작하도록 의도된 작업물은 그 위에 분배된 복수의 다이를 구비한다. 다이는 작업물 상에 임의로 또는 랜덤하게 분배되고 위치되지만 이 다이는 작업물에 일반적으로 전체 순서로 배치될 수 있다. 다이의 위치는 또한 일반적으로 작업물의 형상과 형상 편차에 의해 영향을 받을 수 있다. 도 8은 그 위에 다이의 국부 및 전체 위치와 배향을 가지는 웨이퍼의 형태인 작업물의 일례를 도시한다. 좌측에는 원래의 작업물이 평면도(802)와 측면도(800)로 웨이퍼 형태로 있다. 중간에는 행으로 일반적으로 정렬되고 위치된 그 위에 분배된 다이(807)를 가지는 웨이퍼의 평면도(804)와 측면도(808)가 도시된다. 우측에는 다이(807)의 위치가 2차원 전체 좌표 시스템(806)으로 그리고 개별 다이(807)의 배향이 각 개별 다이에 속하는 국부 3차원 좌표 시스템(x, y, 세타)(808)이 도시되어 있다. 각 다이의 위치는 병진이동, 회전, 휨(warpage) 등을 포함할 수 있다. 우측에는 또한 웨이퍼의 전체 휨(812)과 다이의 국부 휨(810)을 도시하는 작업물의 측면도가 도시된다.
작업물을 패터닝하는 방법의 실시예
일 변형예에서 본 발명은 예를 들어 직접 기록 기계에서 작업물을 패터닝하는 방법에서 구현된다. 작업물은 그 위에 분배된 하나 또는 복수의 다이를 구비한다. 직접 기록 기게는 그 자체로 알려진 방식으로 기록 동작을 제어하기 위해 좌표 시스템을 구비한다.
각 다이는 원래의 회로 패턴 데이터의 형태로 회로 패턴과 연관된다. 이것은 도 5a 및 도 5b에 도시되며 이는 본 발명의 일 실시예에 따라 작업물 위 개별 다이에 국부 패턴 적응의 예를 개략적으로 도시한다. 도 5a에서, 전체 참조 마크, 예를 들어 정렬 마크를 구비하는 작업물(500)은 2개의 상이한 유형의 복수의 임의로 배치된 다이, 즉 다이 유형 1(504)과 다이 유형 2(506)를 구비한다. 도 4는 다이(400) 위에 정렬 마크 형태로 참조 마크(402)의 그 자체로 알려진 예를 개략적으로 도시하며 이 예에서 정렬 마크는 밝은 십자가(402)이다. 상이한 다이 유형은 상이한 패턴 유형, 즉 패턴 유형 1(508)과 패턴 유형 2(510)와 정렬된다. 도 5b는 패턴 유형 1(508)이 다이 유형 2(506) 위의 층과 정렬되고 이 위에 인쇄되고 패턴 유형 2(510)가 이와 유사하게 다이 유형 1(504) 위의 층과 정렬되고 이 위에 인쇄된 것을 도시한다. 나아가, 동일한 유형의 다수의 다이는 상이한 유형의 패턴을 구비할 수 있다. 도 5b에서, 패턴의 회전은 각 다이(셀)에 조정된 것이다. 이 연결에서 다이 또는 다이 그룹(512)은 셀이라고 불리울 수 있다. 또한 각 다이(셀)에 대한 조정 또는 다이 그룹(셀)(512)에 대한 조정, 예를 들어 3x3 셀에 대해 동일한 회전과 병진이동을 하는 것이 가능하다.
작업물은 바람직하게는 서브 영역으로 분할되고 예를 들어 이 예시적인 도 5b에서 패턴(510)과 정렬된 다이(504)와 연관된 서브 영역(514)으로 분할된다. 서브 영역(516)은 다이 그룹(512)과 또한 연관될 수 있다.
도 6은 작업물을 패터닝하는 방법을 예시적인 실시예로 도시하는 개략적인 흐름도를 도시한다. 도 6에 도시된 방법은 예를 들어 직접 기록 기계에서 구현될 수 있다. 도 6에 있는 단계를 참조하면 이 실시예는,
S602에서: 작업물, 예를 들어, 웨이퍼 위에 있거나 참조 다이 위에 있는 정렬 마크가 측정된다.
S604에서: 작업물(예를 들어, 웨이퍼) 위에 하나 이상의 다이(들)의 위치가 측정된다. 언급된 바와 같이, 각 다이의 위치는 병진이동, 회전, 휨 등을 포함할 수 있다. 각 다이의 위치는 직접 기록 기계를 포함하는 동일한 기계에서 또는 외부 측정 기계에서 측정될 수 있다. 단계(S602, S604)는 역순으로 수행될 수 있다.
다이의 위치가 외부 측정 기계에서 측정된다면, 다이의 위치는 캐리어 웨이퍼 또는 주어진 참조 다이 위 일부 전체 참조 마크에 대한 것이다. 측정이 직접 기록 기계에서 수행된다면, 동일한 원리가 사용될 수 있고 또는 측정이 기계에서 직접 사용될 수 있다. 각 다이의 위치는 참조 마크를 측정하고 각 다이의 위치와 회전을 기계의 좌표 시스템으로 변환하는 것에 의해 기록기의 좌표 시스템에서 한정된다. 대안적으로, 미리 한정된 참조 다이(들)는 동일한 방식으로 사용될 수 있다.
나아가, 적어도 일부 예시적인 실시예에 따라, 각 다이는 측정을 위한 정렬 마크를 구비할 수 있다. 대안적으로, 각 다이는 예를 들어 다이의 형상, 마이크로스코픽 불균일성 및/또는 다이의 표면에 내재한 특성을 측정하고 다이의 절대적 및/또는 상대적 위치를 결정하기 위해 이들 측정값을 사용하는 것에 의해 정렬 마크 없이 다이의 절대적 및/또는 상대적 위치를 측정할 수 있는 일부 형상 기반 측정 알고리즘으로 측정될 수 있다. 적어도 하나의 카메라(예를 들어, CCD 카메라 등)가 다이의 절대적 및/또는 상대적 위치를 결정하기 위하여 전체 작업물이나 다이의 형상, 특징부 및/또는 마이크로스코픽 불균일성을 측정하는데 사용될 수 있다. 다이의 형상 및/또는 위치는 또한 적어도 하나의 센서(예를 들어, 물리적 센서 등)를 사용하여 측정될 수 있다. 특정 예시적인 실시예에 따라, 각 다이의 위치는 정렬 마크를 사용하는 것과 함께(또는 대안적으로 정렬 마크를 사용함이 없이) 작업물의 전면(예를 들어, 기록면) 위에 및/또는 작업물의 배면(예를 들어 기록면의 반대면) 위에 측정될 수 있으며, 여기서 작업물의 전면이나 그 배면의 측정된 형상 및/또는 마이크로스코픽 불균일성은 작업물 내에 또는 작업물 상에 있는 다이의 절대적 및/또는 상대적 위치를 결정하기 위한 참조 위치로 사용된다.
전술된 바와 같이, 다이의 위치는 작업물의 전면이나 그 배면의 측정된 형상, 특징부 및/또는 마이크로스코픽 불균일성이 다이의 절대적 및/또는 상대적 위치를 결정하기 위한 위치 참조로서 사용되는 기록기에서 또한 측정가능한 전체 작업물(예를 들어, 작업물의 코너)의 마이크로스코픽 불균일성, 특징부 또는 형상을 측정하는 것에 의해 결정될 수 있다.
S606에서: 패턴 데이터는 측정된 정렬 마크와 각 다이의 위치에 기초하여 제공된다.
S608에서: 기록되는 패턴은 각 다이의 위치를 맞추기 위해 재샘플링된다. 하나의 예에서, 패턴은 각 다이에 맞추기 위해 원래의 패턴 데이터로부터 재샘플링된다. 다른 실시예에서, 패턴은 각 다이에 맞추기 위하여 병진이동되거나 변환된 벡터 데이터로부터 래스터라이즈(rasterized)된다. 또한 후술되는 대안적인 실시예에서, 기록 도구의 좌표 시스템은 원래의 패턴을 다이의 위치에 맞추기 위해 대응하는 방식으로 변환되며 이후 원래의 패턴은 변환된 좌표 시스템에 의해 기록된다.
예시적인 실시예에 따라, 상이한 다이는 상이한 유형의 패턴을 구비할 수 있다. 도 5에 도시되고 전술된 바와 같이, 여러 유형의 다이들이 있을 수 있고 이에 따라 상이한 유형의 패턴이 동일한 웨이퍼 위에 있을 수 있다. 도 5는 도 6의 이들 단계에서 다이의 위치에 패턴이 적응될 수 있는 방법을 도시한다.
S610에서: 패턴은 웨이퍼 위에 기록되고 이 패턴은 이에 따라 각 다이에 맞추기 위해 조정된다.
도 9a는 예를 들어 직접 기록 기계에서 작업물을 패터닝하는 방법의 다른 실시예를 개략적으로 도시한다. 작업물은 그 위에 분배된 복수의 다이를 구비하며, 여기서 다이는 수동 부품, 능동 부품, 또는 전자회로와 연관된 임의의 다른 부품 중에서 선택된다. 직접 기록 기계는 그 자체로 알려진 방식으로 기록 동작을 제어하는 좌표 시스템을 구비하며 본 방법은 다음 단계를 포함한다:
902: 작업물의 적어도 하나의 참조 특징부에 대해 작업물 위에 분배된 복수의 다이 또는 다이 그룹의 측정된 위치를 나타내고 작업물과 연관된 측정 데이터를 수신하는 단계. 측정 데이터는 일반적으로 작업물의 참조 특징부를 결정하고 이 참조 특징부에 대하여 다이의 위치를 측정하는 것에 의해 결정된다.
더 후술되는 다른 실시예에서, 측정 데이터 파일은 이들이 커버하는 변환 및 영역 리스트를 포함할 수 있으며, 대안적으로 주어진 점에서 변환을 기술하는 데이터를 가지는 측정 파일을 포함할 수 있다. 다이에 대한 측정값은 기록기 전 단계에서 분석되고 국부 정렬 영역과 그 값을 기술하는 고해상도 맵이 이 기록기에 사용된다.
다이 또는 다이 그룹의 위치는 바람직하게는 참조에 대하여 작업물을 포함하는 공간에서 적어도 하나의 참조에 대하여 작업물 위 다이의 위치와 배향 면에서 및/또는 다이 또는 다이 그룹의 공간적 위치와 배향 면에서 결정된다. 다른 용어로 전술된 바와 같이 이 위치는 각 개별 다이에 속하는 국부 3차원 좌표 시스템(x, y, 쎄타)에서 개별 다이의 배향과 작업물의 2차원 전체 좌표 시스템에서 위치 또는 위치와 배향으로 나타날 수 있다.
다이의 참조 특징부는 예를 들어 다이 위에 제공된 하나 또는 수 개의 정렬 마크(들); 또는 다이(들)의 표면 구조의 특성; 또는 다이의 에지 또는 코너와 같은 다이의 형상 특성 중에서 선택된 것으로 결정된다.
전술된 바와 같이 다이의 위치의 측정은, 예를 들어
a. 참조 특징부로부터 위치를 추출하도록 고안된 형상 기반 위치 결정 알고리즘, 에지 검출 기반 알고리즘, 상관 기반 알고리즘 또는 다른 이미지 분석 기술 중 선택된 것에 의하여 참조 특징부에 대하여 다이의 공간적 위치를 결정하는 것; 또는
b. 다이 위에 하나 또는 수 개의 정렬 마크(들)를 가지고 참조 특징부에 대하여 다이의 공간적 위치를 결정하는 것; 또는
c. 다이의 표면 구조의 특성에 의하여 참조 특징부에 대하여 다이의 공간적 위치를 결정하는 것
중 선택된 것에 의하여 결정된다.
측정 데이터는 작업물 위 다이 또는 다이 그룹 또는 다이 클러스트의 위치를 나타내도록 결정될 수 있다. 측정 데이터는 별개의 측정 기계에서 선택적으로 결정될 수 있고 또는 직접 기록 기계와 통합되거나 이에 통합된 측정 배열에서 결정될 수 있다. 측정 데이터는 바람직하게는 이미지 패턴 데이터를 조작하고 및/또는 직접 기록 기계의 기록 레이저 빔을 제어하도록 적응된 컴퓨터에 수신된다.
나아가, 측정 데이터는 작업물의 참조 특징부를 결정하고 및/또는 상기 참조 특징부에 대하여 다이 그룹의 위치를 측정하는 것에 의해 선택적으로 결정된다. 측정 데이터는 매 하나의 다이에 대한 측정 값을 반드시 포함할 필요는 없다. 언급된 바와 같이, 예를 들어 2x2 다이, 4x4 다이의 클러스터들에 대한 측정 값을 포함하는 것이 또한 가능하다. 클러스터의 측정 값은 예를 들어 공칭 위치로부터 평균 편차를 나타낼 수 있다.
다이의 참조 특징부는 예를 들어, 다이 위에 제공된 하나 또는 수 개의 정렬 마크(들); 또는 다이(들)의 표면 구조의 특성; 또는 다이의 에지 또는 코너와 같은 다이의 형상의 특성의 선택 또는 그 조합에 의하여, 또는 작업물의 배면 또는 기록면에 대해 측정하는 것에 의해 결정된다.
904: 바람직하게는 측정 시스템의 형태로 검출 수단에 의해 작업물의 적어도 하나의 참조 특징부를 검출하는 단계.
작업물의 참조 특징부는 전술된 바와 같이 다이에 대해 참조 특징부를 검출하는 것과 유사한 방식으로, 즉 예를 들어 작업물 위 정렬 마크에 의하여, 작업물 위 또는 다이 중에서 형상이나 다른 특성 특징부에 의하여 검출될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 작업물의 적어도 하나의 참조 특징부는 작업물 위에 제공된 하나 또는 수 개의 정렬 마크(들); 또는 복수의 다이 중에서 선택된 하나 또는 복수의 참조 다이(들) 위에 제공된 하나 또는 수 개의 참조 특징부(들); 또는 작업물 위에 분배된 다이의 배열의 특성; 또는 작업물의 표면 구조의 특성; 또는 다이(들)의 표면 구조의 특성; 또는 하나 또는 수 개의 참조 다이(들); 또는 작업물의 에지 또는 코너와 같은 작업물의 형상의 특성의 선택이나 그 조합에 의하여; 또는 작업물의 기록면이나 그 배면에 대해 측정하는 것에 의해 결정된다.
906: 직접 기록 기계의 좌표 시스템과 작업물의 적어도 하나의 참조 특징부 사이에 관계를 결정하는 단계. 이 관계는 선택적으로 측정되거나 가정될 수 있고 또는 미리 설정가능한 파라미터일 수 있다.
다이가 직접 기록 기계에서 위치되는 방법을 한정하는 관계는, 다이의 위치, 작업물의 위치 및 직접 기록 기계의 좌표 시스템의 위치 중에서 선택된 것을 사용하거나 바람직하게는 모두 사용하는 것을 포함한다.
908: 직접 기록 기계의 좌표 시스템과 작업물의 적어도 하나의 참조 특징부 사이에 결정된 관계에 따라 직접 기록 기계의 좌표 시스템에서 한정된 변환된 위치로 작업물 위에 분배된 복수의 다이 또는 다이 그룹의 측정된 위치를 변환하는 단계.
일반적으로, 모든 다이는 작업물에 대하여 제 1 변환에 의하여 기술되고 이후 작업물은 기록기의 좌표 시스템에 대하여 변환에 의하여 기술된다.
변환은 기록기 좌표 시스템에서 한정되는 작업물의 위치와 형상의 변환을 더 포함할 수 있다. 이것은 측정 단계에서 작업물이 이상적인 변환으로부터 벗어나는 변환을 가지는 것으로 발견된 경우 그러하다. 이 경우에 매 다이에 대한 측정 데이터는 통상 공칭 위치일 수 있는 기록기에 사용된 참조 위치에 기초하여 측정 기계에서 작업물의 위치를 한정하는 변환으로 보상된다. 따라서, 기록기와 측정 기계에서 작업물의 상이한 변환이 각각 최종 결과에 영향을 주는 것을 회피하기 위하여.
변환 결정
적용될 변환은 예를 들어 작업물의 특성 및/또는 그 위에 분배된 다이에 따라 여러 방식으로 결정된다.
일 실시예에서, 다이 또는 다이 그룹의 위치는 기록기 좌표 시스템에 대해 작업물의 위치와 배향과 함께 작업물에 대한 위치와 배향 면에서 직접 기록 기계의 좌표 시스템에 한정된 측정 위치의 변환을 결정하는데 사용된다.
910: 원래의 패턴 데이터와 변환된 위치에 따라 작업물 위에 기록하기 위한 조정된 회로 패턴 데이터를 제공하는 단계, 여기서 조정된 회로 패턴 데이터는 조정된 회로 패턴이 작업물 영역의 적어도 일부에 맞춰지게 복수의 다이 또는 다이 그룹의 회로 패턴을 나타낸다.
서브 영역
조정된 회로 패턴 데이터는 실시예에서 작업물 영역의 복수의 서브 영역에 조정된 회로 패턴이 맞춰지도록 더 렌더링되며, 아마도 여기서 각 서브 영역은 작업물 위에 분배된 복수의 다이 중에서 다이 또는 다이 그룹과 연관된다. 나아가, 조정된 회로 패턴 데이터는 조정된 패턴 데이터의 서브 부분 각각이 특정 다이 또는 다이 그룹과 연관된 작업물의 서브 영역을 나타내도록 복수의 다이 또는 다이 그룹에 맞춰지게 렌더링될 수 있으며, 상기 서브 영역 각각은 상기 특정 다이 또는 다이 그룹을 포함하거나 커버한다.
작업물은 여러 방식으로 서브 영역으로 분할될 수 있다. 일 실시예에서, 작업 영역의 적어도 일 부분은 조정된 패턴 데이터의 서브 부분에 의해 각각이 표현되는 서브 영역으로 분할되고, 서브 영역은 수신된 측정 데이터에 의해 식별되고 및/또는 작업물 영역은 미리 결정된 알고리즘의 사용에 의하여 서브 영역으로 분할된다. 다른 실시예에서 서브 영역은 수신된 측정 데이터에 의해 자동으로 식별되고 및/또는 작업물 영역은 미리 결정된 알고리즘의 사용에 의해 서브 영역으로 자동으로 분할된다. 나아가, 조정된 패턴 데이터의 복수의 상기 서브 부분은 적어도 하나의 미리 설정가능한 편차 파라미터 및/또는 특정 요구조건 내에서 각 서브 영역에 맞춰지게 렌더링될 수 있다.
조정된 회로 패턴 데이터를 제공하기 위하여, 측정은 일 실시예에서 전체 패턴에 대한 재샘플링 맵을 한정하는 것을 포함한다.
일 실시예에서, 조정된 회로 패턴 데이터를 제공하는 단계는 각 다이 또는 다이 그룹에 맞추기 위해 벡터 데이터의 형태로 원래의 패턴 데이터를 변환하는 것과, 래스터라이즈된 벡터 데이터가 그 위에 분배된 다이 전부를 구비하는 전체 작업물을 나타내도록 상기 변환된 벡터 데이터를 래스터라이즈하는 것을 포함한다.
다른 실시예에서, 조정된 회로 패턴 데이터를 제공하는 단계는 일 실시예에서 이상적인 패턴 데이터 세트로부터 원래의 패턴 데이터를 렌더링하는 단계를 포함한다. 이상적인 패턴은 이 문맥에서 공칭 좌표 시스템, 일반적으로 CAD 시스템 또는 이와 유사한 것에서 패턴의 위치와 레이아웃이다. 이후 직접 기록 기계의 좌표 시스템에서 작업물 위 각 다이에 데이터를 맞추기 위하여 작업물의 변환된 위치와 형상 그리고 다이(들)의 측정된 위치 데이터에 따라 원래의 패턴 데이터를 재샘플링하는 단계가 있다. 선택적으로, 직접 기록 기계의 좌표 시스템에서 작업물 위 각 그룹이나 클러스터에 데이터를 맞추기 위하여 다이의 그룹이나 클러스트의 측정된 위치 데이터 및 작업물의 변환된 위치와 형상에 따라 원래의 패턴 데이터를 재샘플링하는 단계가 있다.
바람직하게는 조정된 회로 패턴 데이터는 그 위에 분배된 다이 전부를 가지는 전체 작업물을 나타낸다.
요구조건 및/또는 편차 파라미터
조정된 회로 패턴의 맞춤은 상이한 옵션 방식으로 수행된다.
예를 들어, 조정된 패턴 데이터의 복수의 상기 서브 부분은 특정 요구조건 또는 하나 이상의 미리 설정가능한 편차 파라미터 내에서 각 서브 영역에 맞추도록 렌더링된다. 특정 요구조건 또는 미리 설정가능한 편차 파라미터는 상이한 실시예에서 다이, 부품 또는 다이/부품 그룹의 유형; 또는 b. 다이(들)/부품(들)의 표면 구조의 특성; 또는 c. 다이(들)/부품(들)의 형상의 에지나 코너와 같은 다이(들)/부품(들)의 형상 특성 중 적어도 하나와 연관된다.
일 실시예에서, 전체 조정된 회로 패턴 데이터는 미리 설정가능한 편차 파라미터 또는 편차 파라미터 세트 내에서 작업물 위 복수의 다이 또는 다이 그룹에 맞춰진다. 편차 파라미터는 여러 방식으로, 예를 들어 미리 설정가능한 값, 최소 임계값, 최대 임계값, 값의 간격 또는 편차 파라미터를 계산하기 위한 선택가능한 수식을 가지게 한정될 수 있다.
미리 설정가능한 편차 파라미터는 배향과 연관된 위치와 파라미터(들)와 연관된 두 파라미터(들)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 일 실시예에서, 편차 파라미터는 배치의 잔류 에러이고 또는 다이에 대해 조정된 회로 패턴의 위치는 100마이크로미터(㎛) 이하의 범위에 있다. 다른 실시예에서, 잔류 에러는 10마이크로미터(㎛) 이하의 범위, 5마이크로미터(㎛) 이하의 범위, 또는 아마도 가장 빈번히 1마이크로미터(㎛) 이하의 범위이다. 따라서, 상이한 실시예에서, 조정된 회로 패턴 데이터는 작업물 위에 분배된 다이 또는 다이 그룹 중 적어도 일부에 대해 100㎛ 미만, 또는 10㎛ 미만 또는 5㎛ 미만 또는 1㎛ 미만으로 설정된 미리 설정가능한 편차 파라미터 내에서 작업물 위에 복수의 다이 또는 다이 그룹에 맞춰진다.
완전한 맞춤 또는 일치(match)에서 벗어나는 것은 예를 들어 이 문맥에서 전이 영역이라고 불리는 동일한 영역에서 동시에 공존하여야 하는 복수의 변환이 있다면 일어난다. 다른 예에서, 요구되는 변환이 적용가능한 것보다 더 복잡한 변환이 있을 때 일어난다.
특정 다이 또는 다이 그룹과 연관된 조정된 회로 패턴 데이터는 예를 들어 상기 특정 다이 또는 다이 그룹에 개별적으로 맞춰진다. 바람직하게는 복수의 다이 또는 다이 그룹은 작업물 위에 분배된 다이 전부를 포함한다. 하나의 실시예에서, 작업물 위 다이 또는 다이 그룹 중 적어도 하나와 연관된 회로 패턴 데이터는 작업물 위 다른 다이와 연관된 회로 패턴 데이터와 독립적으로 그리고 개별적으로 조정된다. 다른 실시예에서, 작업물 위 다이 또는 다이 그룹 각각과 연관된 회로 패턴 데이터는 작업물 위 다른 다이 중 어느 것과 연관된 회로 패턴 데이터와 독립적으로 그리고 개별적으로 조정된다.
조정된 회로 패턴 데이터를 제공하는 단계는 하나의 실시예에서 이상적인 패턴 데이터의 세트로부터 원래의 패턴 데이터를 렌더링하는 것을 포함한다. 이상적인 패턴은 본 문맥에서 공칭 좌표 시스템, 일반적으로 CAD 시스템 또는 이와 유사한 것에서 패턴의 위치와 레이아웃이다.
이후 직접 기록 기계의 좌표 시스템에서 작업물 위 각 다이에 데이터를 맞추기 위하여 다이(들)의 측정된 위치 데이터와, 작업물의 변환된 위치와 형상에 따라 원래의 패턴 데이터를 재샘플링하는 단계가 있다. 대안적으로, 직접 기록 기계의 좌표 시스템에서 작업물 위 각 그룹이나 클러스터에 데이터를 맞추기 위하여 작업물의 변환된 위치와 형상 및 다이의 그룹이나 클러스트의 측정된 위치 데이터에 따라 원래의 패턴 데이터를 재샘플링하는 단계가 있다.
912: 조정된 회로 패턴 데이터에 따라 작업물에 패턴을 기록하는 단계.
다른 실시예에서, 측정 데이터가 수신되고 단계(904 내지 910)들이 시퀀스로 수행되어 이에 의해 실시간으로 측정과 기록을 가능하게 한다. 바람직하게는 조정된 회로 패턴 데이터를 제공하는 것은 작업물과 연관된 데이터와 측정에만 기초하며 이에 의해 실시간으로 측정과 시간 기록을 가능하게 한다.
다른 변환 옵션
본 발명의 다른 실시예에서 다른 옵션 변환이 있다.
다이(들) 또는 다이 그룹/클러스트의 공간 위치를 맞추기 위하여 패턴 데이터, 벡터 데이터 또는 좌표 시스템의 변환은 선형 또는 비선형, 예를 들어, 스플라인(spline), 다항식(polynomial) 또는 사영(projective)일 수 있다. 이와 유사하게 다이, 즉 하나의 다이 또는 다이 그룹의 변환된 위치로 측정된 위치를 변환하는 것은 선형 또는 비선형 변환 중에서 선택된 것을 포함한다. 나아가, 조정된 회로 패턴 데이터를 제공하는 것은 다이 또는 다이 그룹의 위치를 맞추기 위하여 패턴 데이터를 변환하는 것을 포함하며 선형 또는 비선형 변환 중에서 선택된 것을 사용하는 것을 포함할 수 있다.
다른 실시예에 따라 선택적인 전체 또는 국부 변환의 예는 스케일, 회전, 평균만; 아핀 변환; 사영 변환; 이중 선형 보간, 스플라인, 다항식 중에서 선택된 것이나 또는 그 조합을 포함한다.
직접 기록 기계에서 좌표 시스템의 변환
본 발명의 개념은 또한 직접 기록 기계의 좌표 시스템이 데이터를 재샘플링 또는 재래스터라이즈하는 대신 각 다이에 맞추기 위해 변환되는 일 실시예에서 적용될 수 있다. 다른 측면에서 이 실시예는 전술된 특징을 포함한다.
도 7은 도 5a 및 도 5b의 것과 유사한 작업물과, 708에 있는 전체 작업물과 702, 704, 706에 있는 개별 다이에 맞추도록 변환된 직접 기록 기계의 좌표 시스템을 도시한다.
요약하면 이 실시예는 직접 기록 기계에서 다이를 구비하는 작업물을 패터닝하는 방법을 포함하며, 여기서 다이의 위치의 측정 데이터는 위치와 배향 면에서 미리 결정된 회로 패턴이 각 다이에 맞춰지도록 직접 기록 기계의 좌표 시스템의 변환을 결정하는데 사용된다. 미리 결정된 패턴 데이터는 직접 기록 기계의 변환된 좌표 시스템에 따라 작업물에 기록된다.
보다 상세히, 이러한 실시예는 직접 기록 기계에서 작업물을 패터닝하는 방법으로서,
- 직접 기록 기계는 기록 동작을 제어하기 위해 좌표 시스템을 구비하며;
- 작업물은 그 위에 분배된 복수의 다이를 구비하며;
- 각 다이는 원래의 패턴 데이터의 형태로 미리 결정된 회로 패턴과 연관되며,
상기 방법은,
a. 작업물의 참조 특징부에 대하여 각 다이의 측정된 위치를 나타내며 작업물과 연관된 측정 데이터를 수신하는 단계;
b. 작업물의 미리 결정된 참조 특징부를 검출하는 단계;
c. 직접 기록 기계의 좌표 시스템과 작업물의 참조 특징부 사이에 관계를 결정하는 단계;
d. 미리 결정된 회로 패턴이 작업물 위 다이에 맞춰지도록 직접 기록 기계의 좌표 시스템과 작업물의 참조 특징부 사이에 미리 결정된 관계 및 각 다이의 측정된 위치에 따라 직접 기록 기계의 좌표 시스템을 변환하는 단계; 및
e. 직접 기록 기계의 변환된 좌표 시스템에서 미리 결정된 패턴 데이터에 따라 작업물에 패턴을 기록하는 단계
를 포함하는, 직접 기록 기계에서 작업물에 패터닝하는 방법을 포함한다.
본 방법의 실시예 요약
복수의 다이를 구비하는 작업물 예를 들어 웨이퍼를 패터닝하는 본 발명의 방법의 일 실시예는, 복수의 다이 중에서 참조 다이 또는 웨이퍼 위에 정렬 마크를 측정하는 단계; 상기 복수의 다이 중 적어도 제 1 다이의 위치를 측정하는 단계; 적어도 제 1 다이의 위치와 측정된 정렬 마크에 기초하여 패턴 데이터를 제공하는 단계; 적어도 제 1 다이의 위치를 맞추기 위해 패턴 데이터를 재샘플링하는 단계; 및 상기 재샘플링된 패턴 데이터에 따라 웨이퍼에 패턴을 기록하는 단계를 포함한다.
다른 실시예는 기록기의 좌표 시스템으로 제 1 다이의 위치를 변환하는 것에 의해 기록기의 좌표 시스템에서 제 1 다이의 측정된 위치를 한정하는 단계를 포함한다.
복수의 다이를 구비하는 웨이퍼를 패터닝하는 방법은, 복수의 다이 중에서 참조 다이 또는 웨이퍼 위에 정렬 마크를 측정하는 단계; 상기 복수의 다이 중 적어도 제 1 다이의 위치를 측정하는 단계; 상기 측정된 정렬 마크와 적어도 제 1 다이의 위치에 기초하여 적어도 제 1 다이에 맞추도록 병진이동된 벡터 데이터를 포함하는 패턴 데이터를 제공하는 단계; 및 상기 패턴 데이터를 래스터라이징하는 단계; 및 상기 래스터라이즈된 패턴 데이터에 따라 상기 웨이퍼에 패턴을 기록하는 단계를 포함한다.
작업물을 패터닝하는 장치의 실시예
본 발명의 방법은 바람직한 실시예에서 작업물을 패터닝하는 장치의 시스템에 적용된다. 도 9b는 본 발명의 실시예에 따라 작업물을 패터닝하는 장치의 실시예를 도시하는 블록도를 개략적으로 도시한다. 본 시스템은 특히 구체적으로 설계된 컴퓨터 소프트웨어 프로그램 코드 또는 구체적으로 설계된 하드웨어 또는 그 조합에 의하여 전술된 방법 단계 및/또는 기능 중 어느 것을 실현하도록 구성된 적어도 하나의 컴퓨터 시스템을 구비하는 장치 유닛을 포함한다. 본 발명에 따른 컴퓨터 프로그램 제품은 본 방법의 전술된 단계 및/또는 기능 중 어느 것을 수행하도록 컴퓨터 시스템을 제어하도록 구성된 컴퓨터 프로그램 코드 부분을 포함한다.
도 9b에 도시된 장치는 컴퓨터 시스템(15) 예를 들어 레이저 직접 이미징(LDI) 컴퓨터 시스템(15)을 통해 및 가능하게는 또한 기계적 연결을 통해 기록 도구(20)에 직접 결합된 별개의 측정 유닛일 수 있는 측정 유닛(12)을 포함한다. 일 실시예에서, LDI 컴퓨터 시스템(15)은 임의의 데이터 캐리어에 의하여 별개의 측정 유닛으로부터 측정 파일을 수신한다. 기록 도구는 예를 들어 레이저 직접 기록 기계를 포함한다.
컴퓨터 시스템(15)은 데이터 제공 유닛(14), 변환 유닛 및 기록 도구(20)에 통신가능하게 연결되고 바람직하게는 소프트웨어로 실현되는 기록 도구 제어 유닛을 포함한다. 기록 도구의 직접 기록 기계는 작업물 위에 기록 동작을 제어하기 위해 좌표 시스템과, 바람직하게는 이미징 기술에 의하여 작업물 위에 참조 특징부를 검출하도록 구성된 메커니즘을 구비한다.
컴퓨터 시스템(15)의 실시예는 직접 기록 기계의 좌표 시스템과 작업물의 적어도 하나의 참조 특징부 사이에 관계를 결정하는 유닛을 더 포함한다. 컴퓨터 시스템(15)에 또한 포함된 데이터 제공 유닛(14)은 변환 전 및/또는 후에 패턴 데이터를 제공하도록 구성된다. 변환 유닛(16)은 일 실시예에서, 직접 기록 기계의 좌표 시스템과 작업물의 적어도 하나의 참조 특징부 사이에 결정된 관계에 따라 기록 도구(20)에 포함된 직접 기록 기계의 좌표 시스템에 한정된 변환된 위치로 복수의 다이의 측정된 위치를 변환하도록 구성된다. 일 변형예에서 변환 유닛(16)은 다이를 맞추기 위하여 패턴 데이터를 재샘플링하도록 구성된 재샘플링 유닛을 포함한다. 다른 변형예에서 변환 유닛(16)은 패턴 데이터를 래스터라이즈하도록 구성된 래스터라이저를 포함한다.
데이터 제공 유닛(14)은 일 실시예에서 원래의 패턴 데이터와 변환된 위치에 따라 작업물 위에 기록하기 위한 조정된 회로 패턴 데이터를 제공하도록 구성되며, 여기서 조정된 회로 패턴 데이터는 복수의 다이 또는 다이 그룹의 회로 패턴을 나타내며 이에 조정된 회포 패턴은 작업물 영역의 복수의 서브 영역에 맞춰지고 각 서브 영역은 작업물 위에 분배된 복수의 다이 중에서 다이 또는 다이 그룹과 연관된다. 기록 도구 제어 유닛(18)은 조정된 회로 패턴 데이터에 따라 작업물에 패턴을 기록하기 위해 기록 도구의 직접 기록 기계를 제어하도록 구성된다. 이와 유사하게, 장치의 유닛의 다른 실시예는 본 방법의 여러 실시예를 수행하도록 구성된다.
본 발명의 개념의 대안적인 실시예에서, 변환 유닛(16)은 전술된 바와 같이 기록 도구, 예를 들어, 직접 기록 기계의 좌표 시스템을 변환하도록 구성된다.
장치의 실시예 요약
복수의 다이를 구비하는 작업물, 예를 들어 웨이퍼를 패터닝하는 본 발명의 장치의 실시예로서, 상기 작업물 또는 웨이퍼는 복수의 다이를 구비하며, 상기 장치는 상기 복수의 다이 중에서 참조 다이 또는 웨이퍼를 위한 정렬 마크를 측정하도록 구성되고 상기 복수의 다이 중 제 1 다이의 위치를 측정하도록 구성된 적어도 하나의 측정 유닛; 상기 측정된 정렬 마크와 제 1 다이의 위치에 기초하여 패턴 데이터를 제공하도록 구성된 데이터 제공 유닛; 적어도 제 1 다이의 위치를 맞추기 위하여 패턴 데이터를 재샘플링하도록 구성된 재샘플링 유닛; 및 재샘플링된 패턴 데이터에 따라 웨이퍼에 패턴을 기록하도록 구성된 기록 도구를 포함한다.
장치의 일 실시예에서, 측정 유닛은 기록기의 좌표 시스템으로 제 1 다이의 위치를 변환하는 것에 의해 기록기의 좌표 시스템에서 제 1 다이의 측정된 위치를 한정하도록 더 구성된다.
다른 실시예에서, 복수의 다이를 구비하는 작업물, 예를 들어, 웨이퍼를 패터닝하는 장치는 복수의 다이 중에서 참조 다이 또는 웨이퍼 위 정렬 마크를 측정하도록 구성되고 상기 복수의 다이 중 적어도 제 1 다이의 위치를 측정하도록 구성된 측정 유닛; 상기 측정된 정렬 마크와 적어도 제 1 다이의 위치에 기초하여 적어도 제 1 다이를 맞추기 위해 병진이동된 벡터 데이터를 포함하는 패턴 데이터를 제공하도록 구성된 데이터 제공 유닛; 상기 패턴 데이터를 래스터라이즈하도록 구성된 래스터라이저; 및 래스터라이즈된 패턴 데이터에 따라 웨이퍼에 패턴을 기록하도록 구성된 기록 도구를 포함한다.
다른 실시예에서, 측정 유닛은 기록기의 좌표 시스템으로 제 1 다이의 위치를 변환하는 것에 의해 기록기의 좌표 시스템에서 제 1 다이의 측정된 위치를 한정하도록 구성된다.
복수의 층 사이의 정렬
본 발명의 개념의 개선예에서 제 1 층 내에 있는 패턴은 앞이나 뒤에 있는 다른 층에 있는 특정 특징부와 정렬된다. 이것은 집적된 부품, 즉 이 문맥에서 다이, 예를 들어 패키지(Package) SiP에서 3D 시스템의 다층 스택을 제조할 때 적용된다. 본 발명에 따라 이것은 작업물의 제 1 층에 분배된 다이에 맞춰지고 정렬됨과 동시에 연결되는 다이를 가지는 다른 제 2 패턴에 맞춰지는 재라우팅 층에 대한 제 1 패턴을 제공하는 것에 의해 일반적으로 달성된다. 가능하게는 제 2 패턴은 제 1 작업물에 연결되는 제 2 작업물 위에 위치된다.
도 9c는 3D SiP의 일례를 도시한다. 도 9c의 예에서, 부분(1110)은 능동 부품의 형태인 제 1 유형의 다이를 나타내는 반면, 부분(1108)은 수동 부품의 형태인 제 2 유형의 다이를 나타낸다. 부품들은 작업물(1112)의 에지에 연결되거나 또는 리소그래피 공정과 같은 공정에 의해 서로 연결된다.
예를 들어 능동 및/또는 수동 부품의 형태인 다이가 작업물 내에 및/또는 작업물 위에 및/또는 연결되거나 또는 작업물의 반대측에 배치된 별개의 작업물(예를 들어, 도 11a 내지 도 11b에서와 같이) 위에 서로 적층될 때, 패턴의 하나 또는 수 개의 부분이 기계가 프린트하는 작업물에 연결된 변환을 가질 수 있고 패턴의 하나 또는 수 개의 부분이 이 층 위 상부에 층(들)을 포함하는 다이(현재, 2D 또는 3D 임베디드 다이, 팬아웃 다이, 양면 팬아웃 다이 등으로 알려진)에 연결된 변환을 가진다.
공정의 목적은 공정(예를 들어, 리소그래피 공정)에 의해 서로 또는 작업물의 에지에 다이/부품이 연결되도록 다이/부품에 전도성 물질을 연결하는 것이다. 전도성 물질이 다이/부품 연결에 정확하게 연결하는 것이 전자 접촉부의 품질에 상대적으로 중요하다.
LDI는 충분히 정확한 연결을 달성하기 위해 여러 다른 패턴 변환을 사용할 수 있다. 3D 다이/부품을 적층할 때, 패턴의 다른 부분에의 다른 변환은 후속 층에 부품을 배치할 때 타이트한 배치 제한을 억제 및/또는 방지할 수 있다. 대신, 패턴 변환과 결합된 2D 팬아웃 또는 임베디드 다이와 유사한 공정이 각 층에 대해 다이/부품 등록(배치)에 완화된 요구조건을 가지는 모든 또는 상당한 층에 사용될 수 있다.
도 10a 및 도 10b는 작업물(1204)의 평면도 및 측면도이며 작업물(1204)의 층 위에 다이(1206, 1208)에 패턴의 하나의 부분(1202)이 연결되는 방법의 일례를 도시한다. 도 10b에서 패턴(1202)의 단 하나의 층만이 도시된다. 그러나, 여러 패턴 층이 동일하거나 개별 변환을 가지고 추가될 수 있다.
도 11a 및 도 11b는 다층 스택, 여기서는 패키지 스택에 있는 시스템의 평면도 및 측면도이며 도 10에서와 같이 제 1 작업물(1204)이 이 경우에는 그 위에 분배된 다른 유형의 다이를 가지는 제 2 작업물(1302)과 오버레이되는 방법의 일례를 도시한다.
도 11b 및 도 11b에서, 패턴(1202)의 단 하나의 층만이 도시된다. 그러나, 여러 패턴 층들이 동일하거나 개별 변환으로 추가될 수 있다. 또한, 다이(부품)의 단 2개의 층만이 이 예에서 도시된다. 그러나, 다이의 더 많은 층이 추가될 수 있다. 또한 다이 또는 다른 부품이 작업물의 에지 내 및/또는 위에 배치될 수 있다. 전술된 바와 같이 후속 층들을 위한 변환은 측정 데이터에 기초할 수 있다. 측정 데이터는 외부 측정 기계에 또는 기록기에서 달성될 수 있다. 그 다음 층에 사용되는 변환은 특정 부품이 더 높은 층(다른 층) 위에 다른 다이, 부품 또는 PCB/기판/작업물 또는 다른 커넥터에 연결을 가질 수 있으므로 이전 층으로부터 유도되지 못할 수 있다. 나아가, 스택이 여러 작업물(예를 들어, 캐리어 웨이퍼)을 구비하는 경우, 패터닝 단계는 주변 다이, 예를 들어 웨이퍼/부품/PCB/기판)의 변환 또는 스택에 있는 작업물을 연결하는 모든 또는 실질적으로 모든 층에 있는 주변 다이의 부분의 변환을 처리하도록 수행될 수 있다. 두 측면에서 변환의 일부는 또한 완전히 오버레이할 때까지 추가하는 것을 고려하여 수행될 수 있다.
따라서, 일반적으로 제 1 층에서 제 1 패턴은 다이 또는 다이 그룹에 정렬되고 이와 동시에 앞서거나 후속 층과 연관된 연결 점을 위한 제 2 패턴에 정렬된다. 제 2 패턴은 일반적으로 제 1 패턴의 서브세트이며 여기서 패턴의 일부나 부분은 다른 층이나 패턴과 접촉하게 설정되도록 마킹되거나 검출된다. 이 마킹은 예를 들어 패턴 데이터 파일에서의 라벨에 의하여 실현될 수 있거나 적절한 알고리즘에 의하여 자동으로 검출될 수 있다.
다이 또는 다이 그룹에 제 1 패턴을 정렬하는 것은 바람직하게는 전술된 바와 같이 수행된다. 본 발명의 개념의 이러한 개선예를 적용할 때 현재 기록된 층의 패턴에 하나 또는 복수의 연결 점이 있다. 패턴에서 연결 점은 예를 들어 프린트가능한 특징부의 사이즈 또는 표면 층 물질에 의하여 제한된 크기를 가지는 라인이나 점일 수 있다. 연결 점은 또한 비교적 더 큰 영역을 가질 수도 있고 접촉 패드의 특성을 가질 수도 있다. 연결 점이나 접촉 패드는 다이의 연결 점에 연결되도록 의도된다.
본 발명의 개념은 다른 실시예에서 다층 스택을 제조할 때 직접 기록 기계에서 작업물의 층을 패터닝하도록 구성된 방법, 장치의 시스템 및/또는 컴퓨터 프로그램 제품으로 적용된다. 직접 기록 기계는 그 위에 분배된 복수의 다이를 일반적으로 가지는 제 1 작업물의 제 1 층 위에 대해 기록 동작을 제어하기 위해 일반적으로 좌표 시스템을 구비한다. 일반적으로, 복수의 다이 각각은 복수의 연결 점을 구비한다.
일반적으로, 각 다이는 재라우팅 층을 위한 제 1 회로 패턴과 연관된다. 재라우팅 층의 회로 패턴은 다이의 연결 점에 맞추는 제 1 패턴 부분과, 적어도 하나의 다른 앞서거나 후속하는 제 2 층에 있는 특정 특징부에 맞추는 제 2 패턴 부분을 포함한다. 제 2 층에 있는 특정 특징부는 예를 들어 다른 층에 있는 다이의 연결 점이나 제 2 패턴의 부분, 접촉 점, 접촉 패드, 비아, 접촉부, 라인 또는 패턴이 맞춰질 수 있는 다른 특징부일 수 있다. 나아가, 제 2 층은 제 1 작업물에 연결될 수 있는 동일하거나 다른 작업물에 있을 수 있다. 제 2 층은 예를 들어 이전 층에서 이전에 형성된 것일 수 있으며 또는 제 1 또는 제 2 작업물 위 후속 층에 후속적으로 형성되는 것일 수 있다. 따라서, 제 1 및 제 2 층 사이에 중간 층이 있는 것으로 이해된다. 제 1 및 제 2 작업물이 연결되거나 결합되는 경우에 이것은 일반적으로 다른 작업물의 패턴 사이에 적절한 정렬을 가지고 후속하는 조립 단계에서 차후에 일어난다. 일부 실시예에 대해 다른 용어를 사용하면 제 2 층(들)은 이전에 형성된 것이거나 또는 스택에서 제 1 작업물에 결합되는 동일한 제 1 작업물 위에 또는 제 2 작업물 위에/을 위해 후속적으로 형성되는 것이다.
제 1 회로 패턴은 다른 실시예에서 다이(들) 위에 연결 점을 맞추도록 조정된 원래의 회로 패턴 데이터 및/또는 변환된 회로 패턴 데이터의 형태로 나타난다. 이러한 변환된 회로 패턴 데이터는 바람직하게는 전술된 방법에 의하여 조정된다.
도 11c에 개략적으로 도시된 방법의 실시예는 다음 단계 중 선택된 것을 포함한다:
1402: 제 1 작업물의 제 1 층의 적어도 하나의 제 1 서브영역을 나타내는 제 1 회로 패턴의 제 1 회로 패턴 데이터를 검색하는 단계.
1404: 제 2 층(들)의 하나 또는 복수의 특정 특징부의 복수의 연결 점과 연관된 적어도 제 2 서브영역을 나타내는 제 2 회로 패턴의 제 2 회로 패턴 데이터를 검색하는 단계.
1406: 제 1 층의 적어도 제 1 서브영역으로 제 1 회로 패턴을 조정하는데 필요한 제 1 맞춤 공차(들)를 결정하는 단계.
1408: 조정된 제 1 회로 패턴의 연결 점이 적어도 하나의 제 2 회로 패턴의 연결 점에 맞추도록 제 1 회로 패턴을 조정하는데 필요한 제 2 맞춤 공차(들)를 결정하는 단계.
1410: 조정된 제 1 회로 패턴에 맞추는 조정된 제 1 회로 패턴 데이터를 제공하는 단계.
1412: 조정된 제 1 회로 패턴 데이터에 따라 제 1 작업물에 패턴을 기록하는 단계.
이들 단계들의 상세 및 실시예는 아래에서 더 설명된다.
1402: 제 1 작업물의 상기 제 1 층의 적어도 하나의 제 1 서브 영역을 나타내는 제 1 회로 패턴의 제 1 회로 패턴 데이터를 검색하는 단계, 여기서 상기 적어도 하나의 제 1 서브 영역은 상기 제 1 층의 복수의 다이 중 적어도 하나의 다이와 연관되고 이를 커버한다.
1404: 제 2 층(들)의 하나 또는 복수의 특정 특징부의 복수의 연결점과 연관된 적어도 제 2 서브 영역을 나타내는 제 2 회로 패턴의 제 2 회로 패턴 데이터를 검색하는 단계, 여기서 제 2 층(들)은 제 1 작업물의 하나 또는 복수의 앞서거나 후속 층(들) 및/또는 상기 제 1 작업물에 연결되는 제 2 작업물에서 하나 또는 복수의 층(들)이며, 상기 제 1 층의 적어도 하나의 다이의 복수의 연결점 중 적어도 하나는 상기 제 2 층(들)의 하나 또는 복수의 특정 특징부의 연결점 중 적어도 하나에 연결하도록 적응된다.
다른 실시예에서, 제 2 층(들)의 특정 특징부 중 적어도 일부는 패드, 비아, 접촉부, 라인 또는 다이 중 하나의 형태이거나 이와 연관된 접촉점을 나타낸다.
언급된 바와 같이, 제 2 층은 작업물의 표면 상에 이전에 형성된 것이거나 동일하거나 다른 작업물에 후속적으로 형성될 수 있다.
제 1 회로 패턴 데이터 및/또는 제 2 회로 패턴 데이터는 예를 들어 원래의 패턴 데이터로부터, 측정 스테이지에 의해 생성된 측정 데이터로부터, 또는 전술된 것과 같은 이전에 정렬 절차에서 생성된 조정된 패턴 데이터로부터 수신되거나 검색될 수 있다. 그래서, 일 실시예에서, 제 1 회로 패턴의 제 1 회로 데이터를 검색하는 단계는,
a. 제 1 작업물과 연관된 측정 데이터를 수신하는 단계로서, 상기 작업물의 적어도 하나의 참조 특징부에 대하여 제 1 작업물 위에 분배된 복수의 다이 또는 다이 그룹의 측정된 위치를 나타내는 측정 데이터를 수신하는 단계;
b. 상기 작업물의 적어도 하나의 참조 특징부를 검출하는 단계; 및
c. 직접 기록 기계의 좌표 시스템과 제 1 작업물의 적어도 하나의 참조 특징부 사이에 관계를 결정하는 단계
를 포함한다.
1406: 상기 제 1 회로 패턴을 적어도 제 1 층의 제 1 서브 영역으로 조정하는데 필요한 제 1 맞춤 공차(들)를 결정하는 단계.
1408: 조정된 제 1 회로 패턴의 연결점이 상기 제 2 층(들)의 하나 또는 복수의 다이를 나타내는 적어도 하나의 제 2 회로 패턴의 연결점에 맞추도록 제 1 회로 패턴을 조정하는데 필요한 제 2 맞춤 공차(들)를 결정하는 단계.
1410: 조정된 제 1 회로 패턴을,
i. 상기 필요한 제 1 맞춤 공차 내에서 제 1 층의 적어도 하나의 제 1 서브 영역; 및
ii. 제 2 맞춤 공차(들) 내에서 적어도 하나의 제 2 회로 패턴의 하나 또는 복수의 다이의 연결점 중 적어도 하나로 적어도 하나의 제 1 서브 영역을 나타내는 제 1 회로 패턴의 적어도 하나의 다이의 연결점 중 적어도 하나
에 맞추는 조정된 제 1 회로 패턴 데이터를 제공하는 단계.
조정된 제 1 회로 패턴 데이터는 바람직하게는 필요한 제 2 맞춤 공차(들)를 커버하는 표면 영역 및 위치를 가지는 조정된 연결점 패턴으로 제 1 패턴 데이터의 연결점 패턴을 변환하는 것에 의해 제공된다. 조정된 연결점 패턴의 위치는 제 2 회로 패턴의 원래의 회로 패턴 데이터에서 연결점 패턴의 공칭 위치이다.
일 실시예에서 모든 점이 이상적인 위치로부터 필요한 맞춤 공차(들)보다 더 작은 거리를 가지는 표면 영역과 위치를 각각 가지는 조정된 연결점 패턴을 만들도록 구성된다.
일 실시예에서, 조정된 제 1 회로 패턴 데이터를 제공하는 단계는,
a. 이상적인 패턴 데이터의 세트로부터 제 1 회로 패턴 데이터를 렌더링하는 단계;
이후
b. 조정된 제 1 회로 패턴을,
i. 필요한 제 1 맞춤 공차 내에서 제 1 층의 적어도 하나의 제 1 서브 영역; 및
ii. 제 2 맞춤 공차(들) 내에서 적어도 하나의 제 2 회로 패턴의 하나 또는 복수의 다이의 연결점 중 적어도 하나로 적어도 하나의 제 1 서브 영역을 나타내는 제 1 회로 패턴의 적어도 하나의 다이의 연결 점 중 적어도 하나
로 맞추기 위하여 제 1 회로 패턴 데이터를 재샘플링하는 단계
를 포함한다.
다른 실시예에서, 조정된 제 1 회로 패턴 데이터를 제공하는 단계는 조정된 제 1 회로 패턴 데이터를 제 1 층의 적어도 하나의 제 1 서브 영역으로 맞추기 위하여 적어도 하나의 제 2 회로 패턴 데이터의 재샘플링과는 독립적으로 제 1 회로 패턴 데이터를 재샘플링하는 단계; 및 제 1 및 제 2 맞춤 공차 내에서 조정된 적어도 하나의 제 2 회로 패턴과 조정된 제 1 회로 패턴을 나타내는 재샘플링된 제 3 회로 패턴 데이터를 생성하기 위하여 적어도 하나의 재샘플링된 제 2 회로 패턴 데이터와 재샘플링된 제 1 회로 패턴을 병합하는 단계를 포함한다. 이것은 데이터 수집물의 병합을 사용하는 일 실시예와 관련하여 아래에 더 설명된다.
다른 실시예는 작업물 위에 분배된 복수의 다이 또는 다이 그룹의 측정된 위치를 직접 기록 기계의 좌표 시스템과 작업물의 적어도 하나의 참조 특징부 사이에 결정된 관계에 따라 직접 기록 기계의 좌표 시스템에 한정된 변환된 위치로 변환하는 단계; 원래의 패턴 데이터와 변환된 위치에 따라 작업물 위에 기록하기 위해 조정된 제 1 회로 패턴 데이터를 제공하는 단계를 포함하며, 상기 조정된 제 1 회로 패턴 데이터는 제 1 작업물 위에 복수의 다이의 회로 패턴을 나타내며 이에 조정된 제 1 회로 패턴은 제 1 작업물 영역의 복수의 서브 영역에 맞춰지고 각 서브 영역은 작업물 위에 분배된 복수의 다이 중에서 다이 또는 다이 그룹과 연관된다.
조정된 제 1 회로 패턴 데이터를 제공하는 단계는, 또한 이상적인 패턴 데이터의 세트로부터 제 1 회로 패턴 데이터를 렌더링하는 단계; 이후 직접 기록 기계의 좌표 시스템에서 제 1 작업물 위 각 다이에 데이터를 맞추기 위하여 제 1 작업물의 형상과 변환된 위치 및 적어도 하나의 다이(들)의 측정된 위치 데이터에 따라 제 1 회로 패턴 데이터를 재샘플링하는 단계; 및
또는 직접 기록 기계의 좌표 시스템에서 제 1 작업물 위 복수와 연관된 것을 나타내는 데이터를 맞추기 위하여 작업물의 형상과 변환된 위치 및 복수의 다이의 그룹 또는 클러스트의 측정된 위치 데이터에 따라 제 1 패턴 데이터를 재샘플링하는 단계
를 포함할 수 있다.
그래서, 예를 들어, 도 11b에 도시된 바와 같이, 연결점 패턴(1202)은 제 1 층(1204)에서 다이(1206)의 연결점(1310)과, 제 2 층에 있는 다이(1306)의 연결점(1312)이 연결점 패턴(1202)의 영역 내에 있어 이에 의해 두 연결점(1310, 1312)이 연결점 패턴(1202)을 통해 전기적 접촉을 할 수 있도록 변환된다.
1412: 조정된 제 1 회로 패턴 데이터에 따라 제 1 작업물에 패턴을 기록하는 단계.
상기 단계들은 제 1 회로 패턴에 있는 다이의 연결점에 맞추기 위하여 조정된 연결점에 필요한 맞춤 공차를 먼저 결정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이들 단계들은 작업물 위 다이에 회로 패턴 데이터를 정렬하도록 동작하는 본 발명의 개념의 일부에 대해 전술된 바와 같은 단계를 포함할 수 있다.
연결점 및 필요한 맞춤 공차의 조정
이전의 층과 아래쪽으로 또는 후속 층과 위쪽으로 정렬되는 연결점, 예를 들어, 패드 또는 전도체 라인의 위치는 일 실시예에서 측정 데이터 파일 형태로 제공된다. 바람직하게는 직접 기록 기계의 제조사, 즉 오퍼레이터는 변환 전 또는 후에 기록된 점, 패드 또는 라인 사이에 달성되어야 하는 공차 또는 공차 세트 및 그 각 이상적인 위치를 명시한다. 이상적인 위치는 패턴의 설계로부터 이상적인 패턴 데이터에서 주어진다. 최종 기록된 패턴의 위치 및/또는 맞춤은 일 실시예에서 기록 후에 또는 기록과 관련하여 측정되고 달성된 맞춤은 필요한 맞춤 공차와 비교된다. 달성된 맞춤이 필요한 맞춤 공차 밖에 있는 경우 기계는 예를 들어 경고 신호 또는 기록 정지 동작을 제공하도록 제어된다.
필요한 맞춤 공차를 위한 임계값은 바람직하게는 특정 층 또는 층의 유형 또는 제조되는 특정 제품 또는 제품의 유형에 따른다. 상이한 유형의 층과 제품에 필요한 맞춤 공차는 예를 들어 이상적인 위치로부터 50㎛(마이크로미터) 미만(<)과 1㎛(마이크로미터) 미만(<)일 수 있다. 사용 사례의 일례에서 필요한 맞춤 공차는 5-8㎛(마이크로미터) 미만(<)의 범위이다.
조정된 연결점 패턴과 필요한 맞춤 공차는 여러 실시예에서 여러 방식으로 결정된다. 일 실시예에서 조정된 연결점 패턴의 위치는 제 1 회로 패턴의 원래의 회로 패턴 데이터에서 연결점 패턴의 공칭 위치이다. 일 실시예에서, 필요한 맞춤 공차는 패턴이 정렬될 때 제 1 회로 패턴의 연결 점의 사영과 제 2 회로 패턴의 연결점의 사영을 커버하는 위치 및/또는 표면 영역으로 결정된다. 다른 실시예에서, 필요한 맞춤 공차는 공통면으로 상기 패턴과 상기 층을 변환하는 것과, 상기 공통 면으로 조정된 패턴 데이터와 이상적인 패턴 데이터 사이의 거리에 기초하여 필요한 맞춤 공차를 계산하는 것에 의해 결정된다.
조정된 연결점 패턴은 모든 점이 이상적인 위치로부터 필요한 맞춤 공차 미만의 거리를 가지는 위치와 표면 영역을 각각 가질 수 있다. 맞춤 공차는 일반적으로 2D(x, y)에서 임의의 크기로 유클리드 노름(Euclidian norm)으로 기술되는 거리로서 종종 한정된다. 다른 응용을 위한 실시예에서, 필요한 맞춤 공차(들)는 이상적인 위치로부터 50㎛ 미만의 거리이며; 또는 이상적인 거리로부터 1㎛ 미만의 거리이며; 또는 이상적인 위치로부터 5-8㎛ 미만의 거리이다.
복수의 층 사이에 정렬을 제공하기 위한 본 발명의 개념의 이러한 개선예는 전술된 바와 같이 단일 층 내에 있는 다이로 패턴을 정렬하는 것과 용이하게 결합된다. 복수의 층 사이에 정렬을 제공하는 방법은 실시예에서 이와 유사하게 장치의 시스템 및/또는 컴퓨터 프로그램 제품으로 실현된다.
패턴을 나타내는 데이터 수집물의 병합을 사용하는 실시예
일 실시예에서 조정된 회로 패턴 데이터를 제공하는 단계는 별개의 데이터 수집물에 있는 여러 층으로부터 후술되는 바와 같이 아마도 스트레치 영역을 포함하는 여러 변환 영역에 대한 패턴 데이터를 저장하는 단계, 상기 데이터 수집물을 개별적으로 래스터라이즈하고 변환하는 단계, 이후 상기 별개의 데이터 수집물을 단일 데이터 수집물로 병합하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서 전술된 바와 같이, 조정된 제 1 회로 패턴 데이터를 제공하는 단계는 제 1 회로 패턴 데이터를 재샘플링하는 단계를 포함한다. 제 1 회로 패턴 데이터는 제 2 회로 패턴 데이터를 재샘플링하는 것과는 독립적으로 재샘플링된다. 이후 재샘플링된 제 1 회로 패턴 데이터는 조정된 제 1 회로 패턴과 조정된 제 2 회로 패턴을 나타내는 재샘플링된 제 3 회로 패턴 데이터를 생성하기 위하여 재샘플링된 제 2 회로 패턴 데이터와 병합된다.
실제 구현예에서 픽셀 맵 형태의 패턴 데이터가 병합되고 재샘플링된다. 이것은 예를 들어 다른 층에 속하는 데이터 파일(데이터 수집물)에 있는 패턴의 다른 부분이나 부분들을 유저가 한정하는 단계와, 이후 자기 자신의 왜곡 맵으로 예를 들어 각 층에 대응하는 각 부분을 렌더링하는 단계를 포함할 수 있다.
병합 및 재샘플링 부품은 2개의 데이터 경로에서 표준 패턴 데이터 및 주문 패턴 데이터를 수신한다. 데이터 경로는 단일 데이터 버스 또는 메모리 액세스 채널에서와 같이 물리적으로 분리되어 있거나 인터리빙되어 있을 수 있다. "데이터 경로"라는 것은 재샘플링 및 병합 부품으로 데이터를 전달하는 방법을 말하는 것을 의미한다. 데이터는 벡터 또는 래스터 데이터로부터 올 수 있고 회전 또는 비회전 메모리에 저장될 수 있다.
제조를 위해 설계 데이터, 일반적으로 벡터 데이터 세트는 공통 벡터 포맷으로 변환된다. 벡터 영역의 기하학적 처리는 이 포맷으로 적용된다. 벡터 포맷은 기하학적 픽셀 맵으로 렌더링되고 이에 "표준 패턴 데이터"라고 언급하는 것을 생성한다. 픽셀 영역 이미지 처리가 적용되고 데이터는 프린트를 위해 변조기 종속 포맷으로 재샘플링된다.
다이의 에지가 다이의 주된 영역과 다른 패턴을 요구하는 다른 경우가 있다. 이를 위해 주문 패턴 데이터의 제 2 픽셀 맵이 사용될 수 있다. 예를 들어 데이터가 지연 이미지를 형성하는데 사용되고 있을 때 주문 패턴 데이터와 표준 패턴 데이터를 병합하고 이를 재샘플링하는 것을 개시한다.
병합은 재샘플링 전 또는 후 여러 시간에 수행될 수 있다. 이 문맥에서 재샘플링이라는 것은 (이 본문에서 설명된 다른 실시예에서와 같이 다른 영역에 대한 재샘플링과의 혼동을 막기 위해) 패턴을 하부 패턴에 맞추기 위하여 재샘플링하는 것을 의미한다. 따라서, 변환을 가지는 제 1 모든 파일이 재샘플링되고 이후 이것은 이 실시예에서 재샘플링이 수행되기 전 또는 후에 단일 파일로 비트맵 파일을 병합하는 것은 선택적이다. 따라서, 병합하고 재샘플링하는 것은 단일 부품으로 나타나고 병합 및 재샘플링의 순서가 표준 및 주문 패턴 데이터의 특성에 따르므로 단일 동작으로 청구될 수 있다. 일부 사용 경우에, 병합은 재샘플링 전에 수행되어 시간이 덜 중요한 경우 처리가 오프라인으로 수행될 수 있게 한다. 이때 온라인 처리는 보다 거의 시간에 결정적이며 이는 계산 능력의 최적화를 가능하게 한다. 재샘플링 동작은 하나의 입력 맵을 하나의 출력 맵으로 변환하며 이는 재샘플링 동작을 간단하게 한다. 결합된 픽셀 맵은 프린트 전에 검사하기 위해 액세스될 수 있다.
병합이 재샘플링 동안 수행될 때 주문 패턴 데이터 픽셀 맵은 프린트 바로 전에, 변조기 픽셀 맵이 생성되기 바로 전에 생성될 수 있다. 최근 주문 패턴 데이터의 하나의 예는 정확한 제작 시간에 패턴에 병합되게 거의 제작 시간에 생성된다.
병합이 재샘플링 후에 수행될 때 추가적인 픽셀 맵은 또한 기존의 변조기 픽셀 맵으로 병합될 수 있다. 이것은 프린트 전에 다수의 변조기 픽셀 맵의 병합을 요구하는 방식으로 데이터 흐름이 분할될 때 유리할 수 있다.
병합 동안, 주문 패턴 데이터는 임의의 주문이 특정 영역, 프레임 또는 타일에 요구되는지 여부를 결정하기 위해 테스트될 수 있다. 주문이 없다면, 병합은 병합을 바이패스하는 것에 의해 또는 표준 패턴 데이터에서 픽셀 값을 변경시키지 않게 병합을 수행하는 것에 의해 최적화될 수 있다.
베이스 기하학적 픽셀 맵에 있는 표준 패턴 데이터와 추가적인 기하학적 픽셀 맵(들)에 있는 주문 패턴 데이터 사이의 병합은 일치하는 또는 많이 다른 픽셀 그리드에 대해 수행될 수 있다. 첫째, 동일한 그리고 정렬된 픽셀 그리드가 병합될 수 있다. 가장 간단한 형태에서 병합은 그리드와 타일이 일치하는, 즉 픽셀 크기와 맵의 정렬이 동일한 다수의 픽셀 맵에 수행된다. 이 경우에 병합은 간단한 병합 동작으로 픽셀 대 픽셀로 재샘플링전에 수행될 수 있다. 대안적인 병합 동작은 아래에 설명된다.
둘째, 동일하지만 오프셋된 픽셀 그리드가 병합될 수 있다. 여기서 다수의 픽셀 맵의 그리드는 동일한 픽셀 크기를 가지지만 하나의 맵에 있는 하나의 픽셀이 다른 맵에 있는 하나의 픽셀에 대응하지 않게 오프셋되어 있다. 이 경우에 오프셋은 베이스 맵에 일치하도록 추가적인 맵의 오프셋을 스냅 결합하는 것에 의해 제거될 수 있다. 이후 병합이 단일 병합 동작으로 픽셀 대 픽셀로 재샘플링 전에 수행된다. 또는 추가적인 맵에서 다수의 인접한 픽셀이 병합되는 최종 픽셀의 값을 결정하도록 재샘플링될 수 있다.
셋째, 비일치하는 픽셀 그리드가 병합될 수 있다. 일례는 상이한 픽셀 사이즈와 타일 사이즈의 그리드를 포함한다. 표준 패턴 데이터는 제 1 그리드에 있고 주문 패턴 데이터는 제 2 그리드에 있다. 주문 데이터의 3개의 픽셀은 표준 데이터의 12개의 픽셀에 걸쳐 맞춰진다. 연결 패턴이 개방 갭의 패드와 오버레이한다. 이것은 닫힌 연결과 개방 연결로서 1과 0의 주문 패턴을 프로그래밍하는 것을 간단하게 해준다. 픽셀 그리드가 피치 또는 오프셋에 의하여 일치하지 않을 때 병합은 공통 그리드와 타일에 이미지를 재샘플링하는 것에 의해 수행될 수 있다. 또는 다수의 그리드는 동시에 재샘플링될 수 있고 재샘플링 결과는 병합될 수 있다.
픽셀 그리드가 일치할 때 병합은 간단한 일대일 병합 연산(merge operation)으로 픽셀마다 수행될 수 있다. 수반되는 데이터에 따라, 대체(Replace), 가산(Add), 감산(Subtract), XOR, AND, OR와 같은 상이한 병합 연산이 사용될 수 있다. 대체, 가산 및 감산은 부동 소수점(floating point)이나 정수값으로 표현된 픽셀에 대해 사용될 수 있으나, 논리 연산은 지수 스케일링(exponent scaling)으로 인한 부동 소수점 값에 적용하는 것이 곤란하다. 만약 픽셀이 정수 값으로 표현된다면, 이들 병합 연산 중 임의의 것이 적용될 수 있다.
주문 패턴 데이터로부터 유익을 얻을 수 있는 작업물은 실리콘 또는 반도체 웨이퍼, 회로 보드, 평판 패널 디스플레이 및 롤대롤 생산시 사용되는 플렉시블한 물질의 기판을 포함한다. 예를 들어, 그 위에 다수의 다이가 형성된 원형 웨이퍼와 직사각형 기판이다. 다이는 칩 또는 평판 패널 기판을 형성하도록 분리된다.
순차 방식으로 프린트하는 픽셀 기반 노출 시스템에 대한 데이터가 (집합된 하나의 픽셀에 기여하는 모든 데이터)"평탄화"되고 국부화된다. 렌더링된 기하학적 픽셀 맵(GPM 121)으로 표현된 패턴은 이들 특성을 충족하하고 중간 저장으로 적절한 포맷을 만든다.
재샘플링 공정은 GPM을 변조기 픽셀 맵(MPM 123)에 있는 변조기 픽셀로 변환한다. 이미지 처리 및 형태 연산(morphological operations)이 또한 이 재샘플링 공정 동안 적용될 수도 있다. 예를 들어 노출 시스템 시야에 걸쳐 또는 전체적으로 패턴에 걸쳐 패턴의 국부적 부분에 이미지 처리 및 형태 연산을 적용하는 것이 가능하다. 이미지 처리 및 형태 연산은 스케일링, 병진이동, 회전, 왜곡 및 사이징을 포함하나 이로 제한되지 않는다. 이들 연산은 노출 시스템이 픽셀을 마스크/기판에 사영하는 방법과 사영/기판의 특성을 보상하는데 사용될 수 있다.
재샘플링 공정 동안 충실도 요구조건과 잠재적인 정보로 인해, 중간 픽셀 맵(GPM 121)은 변조기 픽셀 맵(MPM 123)보다 더 높은 해상도를 가진다. 재샘플링 공정에서 그래디언트 정보를 사용하는 것에 의해 GPM 121의 요구조건을 만족시키는데 필요한 메모리 해상도는 상당히 감소될 수 있다.
패턴 종속 처리 단계의 대다수는 GPM 121의 생성 동안 수행된다. 재샘플링은 국부화된 패턴 종속 (형태) 연산을 처리하는데 주로 사용된다. 국부화된 패턴 종속 연산으로 재샘플링을 제한하는 것이 유리한데 이것은 재샘플링을 계산하는데 드는 노력에 대한 예상을 개선하기 때문이다. 예상가능한 계산 노력은 구성을 최적화하는 것을 더 용이하게 한다.
개시된 기술은 기판 위에 감광성 층에 주문 지연 이미지를 형성하는 방법을 포함한다. 이 방법은 제 1 데이터 경로에서 표준 데이터를 수신하는 단계와 제 2 데이터 경로에서 주문 패턴 데이터를 수신하는 단계를 포함한다. 데이터 경로는 넓게 해석되는 것으로 의도된다. 표준 패턴 데이터는 주문에 따라 배치(batch)로 다수의 기판에 대해 그리고 다수의 다이 또는 다이 내 영역에 대해 반복적으로 사용되는 패턴 데이터이다. 주문 패턴 데이터는 주문 지연 이미지를 생성하기 위해 표준 패턴 데이터를 변경하는데 사용된다. 본 방법은 복사선에 민감한 층에 형성되는 물리적 주문 지연 이미지를 나타내는 병합된 래스터라이즈된 패턴 데이터를 형성하기 위해 표준 주문 패턴 데이터를 재샘플링하고 병합하는 단계를 더 포함한다. 지연 이미지는 기판 위에 적용되는 레지스트 또는 다른 복사선에 민감한 물질에 따라 포지티브이거나 네거티브일 수 있다. 일반적인 디바이스 제조 공정에서 지연 이미지는 현상되고 복사선에 민감한 층의 부분은 제거되어 패턴을 형성한다. 패턴은 전자 디바이스를 형성하는 부분으로 물질을 추가하거나 제거하는데 사용된다.
개별 또는 다수 부분 정렬 후에 패턴 재연결
본 발명의 개념의 다른 개선예는 정렬 후에 다이들 사이에 연결 라인을 포함하는 패턴 부분을 치유하거나 재연결을 달성하는 문제 측면을 처리한다. 본 발명의 이 부분의 실시예는 2개 이상의 임의로 배치된 다이들이 상호연결될 수 있게 하기 위하여 패턴을 재계산하도록 고안된다. 이들 실시예는 동일한 층에 있는 다이를 상호연결하기 위해 또는 제 2 층에 있는 특징부, 참조 또는 다이와 연관된 제 2 패턴 부분에 맞추기 위하여 제 1 층의 제 1 패턴 부분에 있는 연결점을 조정하기 위해 전술된 실시예와 조합하여 적용가능하다. 이 개선은 예를 들어 제 2 다이 또는 제 2 패턴의 제 2 연결점(또는 연결 패드)에 제 1 다이와 연관된 제 1 연결 점(또는 연결 패드)을 맞추기 위해 패턴을 조정한다.
본 발명의 개념의 이 다른 개선은 이전 층에 대하여 역방향으로 정렬하는데 다른 요구조건을 가지는 제 1 영역과 제 2 영역(또는 제 1 및 제 2 서브 영역)으로 작업물 위 영역의 파티션에 기초한다. 제 1 영역은 여기서 새크리드 영역이라고 불리고 동시에 처리되거나 패터닝된 제 2 층 아래 층에 잘 정렬될 필요가 있다. 제 2 영역은 여기서 새크리드 영역이라고 불리고 현재 층 아래 이전 층 또는 현재 층 위 후속 층과의 정렬에 대하여 덜 민감하다.
이 다른 개선의 실시예는 패키지 내에 단층 또는 다층 시스템 스택을 제조할 때 직접 기록 기계에서 작업물의 제 2 층을 패터닝하도록 구성된 방법, 장치의 시스템 및 컴퓨터 프로그램 제품으로 적용된다. 작업물은 일반적으로 작업물 위에 랜덤하게 배치되거나 임의로 배치된 복수의 전기 부품을 가지는 제 1 층을 구비한다. 다이는 전술된 바와 같이 본문에서 전자회로와 연관된 임의의 유형의 부품에 대해 사용하는 표현을 말한다. 일반적으로, 각 다이는 연결 점을 구비하며, 이 연결점 중 일부는 다른 다이들 사이에 연결될 필요가 있다. 제 1 층에 분배된 다이의 연결점을 포함하는 다른 영역이나 서브 영역을 가지는 제 1 패턴이 정렬시 다른 요구조건과 연관된다.
새크리드 영역과 스트레치 영역은 제 1 패턴에 검출된다. 이후 제 1 패턴은 인접한 새크리드 영역에 있는 연결점이 미리 한정된 및/또는 미리 설정된 정렬 편차 파라미터 내에서 정렬되도록 변환된다. 나아가, 변환시에 새크리드 영역에 있는 대응하는 연결 점의 위치들 들 사이의 편차가 스트레치 영역의 연결점을 위한 패턴에서 보상된다. 조정된 패턴 데이터는 변환을 실현하도록 계산되고 패턴은 조정된 회로 패턴 데이터에 따라 작업물의 층 위에 기록된다.
다른 실시예는 제 1 층 위에 복수의 새크리드 영역과 이 새크리드 영역에 대응하는 복수의 스트레치 영역을 구비하는 패턴을 재연결하기 위한 방법으로서, 상기 방법은, 패턴의 개별 변환 후에 새크리드 영역 중 인접한 영역의 경계를 연결하는 단계; 및 스트레치 영역에서 인접한 새크리드 영역들 사이에 연결점 사이에 차이 또는 오프셋을 보상하는 단계를 포함하는, 패턴을 재연결하기 위한 방법을 포함한다. 예를 들어, 보상은 선형이다. 본 방법은 제 1 층과 적어도 하나의 추가적인 층 사이에 연결하기 위한 추가적인 영역을 제공하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명은 서로 상하로 순차 형성된 제 1, 제 2 및 제 3 층을 구비하는 작업물 위에 패턴을 재연결하기 위한 방법으로서, 제 1 층에 있는 연결 점이 제 3 층에 있는 연결점에 연결되도록 제 2 층에 대한 패턴 파일을 변환하는 단계를 포함하는, 패턴을 재연결하기 위한 방법의 실시예를 더 포함한다. 이 연결점은 다른 실시예에서 비아이다.
팬아웃 또는 이와 유사한 공정(예를 들어, 임베디드 등)에서, 많은 다이 및/또는 수동 부품(하나 또는 수 개의 유형의)은 예를 들어 캐리어 웨이퍼 또는 임의의 다른 적용가능한 작업물 위에 배치된다. 다이가 캐리어 웨이퍼 위에 배치된 후에, 하나 이상의 패터닝 단계가 작업물의 하나 이상의 층에 수행된다. 각 다이 또는 임의의 다른 능동 또는 수동 부품이 자기 자신의 고유한 변환(예를 들어, 회전, 병진이동 등)을 가진다. 패턴이 LDI 기계를 사용하여 각 다이/부품에 정렬된다면, 개별 변환에서 차이는 에지 러프니스를 형성할 수 있으며 또는 각 다른 또는 다른 층들(예를 들어, 기판/3D SiP/PCB/작업물)과 다이를 연결해야 하는 라인에 대해 불량한 연결을 형성할 수 있다. 따라서, 각 부품에 개별적으로 정렬하는 것은 가능하지 않을 수 있다(또는 적절치 않을 수 있다). 전술된 배경 기술 란에서 설명된 바와 같이, 도 16a는 이 문제의 일례를 도시한다. 보다 구체적으로, 도 16a는 각 칩의 변환으로 패턴이 조정된 후의 일례를 도시한다.
본 발명에 따라, 아래 층과 상대적으로 잘 정렬될 필요가 있는 칩 영역과 같은 민감 영역은 패턴 파일, 즉 회로 패턴 데이터에서 새크리드 영역으로 마킹되고 또는 기계에서 잘 한정된 알고리즘은 회로 패턴 데이터에서 이들 영역을 식별하고 찾는다(예를 들어 아래 층 위 비아에 연결해야 하는 패드를 가지는 모든 또는 실질적으로 모든 영역을 찾는다). 아래 층 및/또는 후속 층과 정렬하는 것에 매우 민감하지 않는 영역은 도 14에서 도시된 바와 같이 스트레치 영역으로 사용되며 이 도 14는 서브 영역 내에 위치되거나 이 서브 영역과 연관된 2개의 다이의 작업물(1702, 1704)의 서브 영역이나 식별된 새크리드 영역과 식별된 스트레치 영역 또는 서브 영역(1706)을 도시한다. 이 예에서, 스트레치 영역은 연속적으로 링크된 것으로 도시되어 있으나 당연히 스트레치 영역은 또한 서로 분리될 수 있다. 새크리드 영역, 새크리드 구역, 새크리드 서브 영역, 및 이와 유사하게 스트레치 영역, 스트레치 구역, 스트레치 서브 영역이라는 용어는 각각 대안적인 표현으로 사용된다.
새크리드 영역에서 패턴의 정렬 변환은 하부 패턴(또는 다이, 부품 등)의 변환이 주어질 때 바람직하게는 아마도 최상이어야 하거나 아마도 최상에 가깝게 해야 한다. 일부 실시예에서 사용되는 하나의 해법은 개별 변환 후에 직교 좌표 시스템( 및/또는 CAD 시스템)에서 새크리드 영역의 경계를 연결하는 것이다. 개별 정렬 후에 이들 점들 사이의 차이는 스트레치 영역에서 보상된다. 이 영역에서 보상은 아래에 더 상세히 설명된 도면에 도시된 바와 같이 선형일 수 있다.
도 15는 다이(1502, 1504)와 연관된 설계(CAD) 영역에서 예시적인 패턴을 도시한다. 도 15에서 작업물의 도시된 영역은 간헐적으로 라이닝된 서브 영역(1510) 내 허용된 스트레치 영역으로 식별되거나 마킹되며 패턴의 나머지는 새크리드 영역이다.
도 16a는 본 발명의 스트레치 영역 개념을 사용하지 않고 패터닝하는 것으로 인해 야기되는 다이(1502, 1504)와 연관된 패턴을 도시하며 여기서 개별 변환만을 패터닝하는 것이 패턴에 적용된다. 연결점(1508) 중 일부는 연결되지 않는다. 도 16b는 다이(1502, 1504)와 연관된 예시적인 패턴을 도시하며, 여기서 스트레치 영역 개념은 새크리드 영역들 사이에 선형 연결을 사용하여 이상적인(원래의) 좌표 시스템에 연결된 영역들을 재연결하는데 사용된다. 연결 점(1508)은 스트레치 영역(1510)에 모두 연결된다. 새크리드 영역을 연결하는 스트레치 영역에서 변환은 또한 다른 유형, 예를 들어 개별 변환들 사이에 선형 결합일 수 있으며 또는 예를 들어 본 발명의 개념의 이전의 개선과 실시예와 관련하여 설명된 바와 같이 스플라인이나 다른 맞춤 방법을 사용하여 이들의 근사값일 수 있다.
도 17a 및 도 17b는 다이(1502, 1504)와 연관된 예시적인 패턴을 도시하며 여기서 새크리드 영역의 경계에서 변환이 올바른 경계 조건을 가지는 개별 변환들 사이에 선형 결합이 있다. 보다 구체적으로, 도 17a는 스트레치 영역 개념을 사용함이 없이 예시적인 패턴을 도시하며 개별적인 변환만이 패턴에 적용된다. 이 예에서, 상기 연결점(1508)이 연결되지 않는 것으로 도시된다. 도 17b는 스트레치 영역이 이 개별 변환들 사이에 선형 결합을 사용하여 이상적인(원래의) 좌표 시스템에서 연결된 영역을 재연결하기 위해 서브 영역(1510)에 사용되는 경우 예시적인 패턴을 도시한다.
이 예시적인 실시예의 확장은 또한 그 다음 층이나 그 사이 일부 층에 하나의 변환에 맞추기 위해 수 개의 개별 변환을 만들기 위하여 동일한 변환을 가지는 제 3 "패턴 영역 유형"을 도입하는 것이다. 도 18은 추가적인 영역(2102)이 패턴 데이터 파일에서 또는 기계에 의하여 자동으로 식별되거나 마킹된 예를 도시한다. 도 18에서 제 3 영역 유형의 서브 영역(2102)은 예를 들어 그 다음 층이나 외부 부품, PCB 등에 연결되도록 의도된다.
도 19a는 스트레치 영역(1510)이 사용되나 제 3 영역이 적용되지 않은 일례를 도시한다. 도 19b는 제 3 영역(2102)이 적용된 일례를 도시한다. 도 19a 및 도 19b에 도시된 바와 같이, 작업물의 다이(1502, 1504)와 연관된 패턴 부분(예를 들어, 칩 영역)은 그 변환을 가지고 있다. 다이(1502, 1504)와 제 3 영역(2200)에 있는 영역을 연결하는 패턴을 가지는 스트레치 영역(1510)은 공통 변환을 가진다. 제 3 영역(2102)에 대한 변환은 임의로 (예를 들어, 새크리드 변환, 선형 결합 등 중 하나) 선택될 수 있거나 또는 그 다음 층 또는 외부 부품, PCB, 캐리어 웨이퍼에 있는 부품 등에 알려진 변환과 일치하도록 선택될 수 있다.
예시적인 실시예는 3유형의 영역으로 제한되어서는 아니된다. 오히려, 임의의 개수의 영역이 사용될 수 있고 변환을 위한 규칙(rule)과 또한 영역이 연결되는 방법은 변할 수 있다. 영역들 사이에 재연결은 재샘플링을 사용하여 래스터라이즈된 이미지에서 벡터 영역에서 직접 수행될 수 있다.
3개의 층을 포함하는 예시적인 실시예가 이제 기술된다. 이 예에서, 제 1 층은 다수의 주어진 점을 포함한다. 이 예에서, "주어진"은 점의 위치들이 외부 측정 기계로부터, 패턴 파일 등으로부터 추가적인 측정 데이터 및/또는 정렬 시스템에 의하여 주어지거나 제공된 것을 나타낸다. 이 점들은 비아 홀(바이)일 수 있으며 이는 예를 들어 능동 또는 수동 부품 형태로 다이와 같은 부품에 연결될 수 있으나 또한 작업물의 에지나 작업물에 있는 다른 층에 연결될 수 있다. 작업물은 위에서 더 예시된 바와 같이 기판, PCB, 캐리어 웨이퍼, 패널 등일 수 있으나 이들 예로 제한되는 것은 아니다. 그 위치 데이터는 각 점, 점의 점의 섹션 또는 그룹, 각 다이 또는 부품, 다이 또는 부품의 그룹이나 섹션 등에 대해 주어질 수 있다.
이 예시적인 실시예에서, 제 1 층과 동일한 또는 실질적으로 동일한 특성을 가지는 제 3 층이 존재한다. 제 1 및 제 3 층 사이에 형성되는 제 2 층에는 제 1 층과 제 3 층에 있는 점을 연결하는 패턴 파일이 있다. 그러나, 이것은 제 1 및 제 3 층 중 적어도 하나에 있는 점들 중 일부나 전부가 패턴 파일에 설명된 원래의 위치로부터 잘못 위치되었을 수 있는 경우이다. 혁신의 하나의 부분은 제 1 층과 제 3 층에 있는 점들이 연결되고 이 패턴이 제 1 또는 제 3 층 위에 직접 기록 기계로 프린트되도록 제 2 층에 대해 주어진 패턴 파일을 변환하는 것이다. 하나의 예에서, 이것은 다음 방식으로 수행될 수 있다:
1. 주변 층(예를 들어, 제 1 층과 제 3 층 중 하나 이상) 중 하나 또는 둘 모두와 상대적으로 잘 정렬될 필요가 있는 점이나 점 영역과 같은 민감 영역은 패턴 파일에서 새크리드 영역으로 마킹되고 또는 기계에서 잘 한정된 알고리즘은 이들 영역을 찾기 위해 사용될 수 있다{예를 들어, 주변 층(들) 위 비아/비아들에 연결해야 하는 패드를 갖는 모든 영역을 찾는다}.
2. 주변 층 및/또는 후속 층에 대한 정렬에 매우 민감하지 않는 영역이 스트레치 영역으로 사용된다. 새크리드 영역에서, 패턴의 정렬 변환은 주변 패턴의 변환이 주어질 때 아마도 최상이거나 아마도 최상에 가까울 수 있다.
3. 하나의 예시적인 해법은 개별 변환 후에 직교 좌표 시스템(및/또는 CAD 시스템)에서 새크리드 영역의 경계를 연결하는 것이다. 개별 정렬 후 이들 점들 사이에 차이는 스트레치 영역에서 보상된다.
4. 이 영역에서 보상은 선형 또는 다른 유형, 예를 들어 스플라인 또는 다른 맞춤 방법을 사용하여 개별 변환들 사이에 선형 결합이거나 이들의 근사값일 수 있다.
예시적인 실시예는 특정 개수의 점/영역으로 제한되어서는 아니된다. 오히려, 임의의 개수의 점/영역이 가능하고 변환을 위한 규칙과 이들이 연결되어야 하는 방법은 변할 수 있다. 점/영역 사이의 재연결은 재샘플링을 사용하여 래스터라이즈된 이미지에서 또는 벡터 영역에서 직접 수행될 수 있다.
도 20a에 도시된 예에서, 2개의 다이 예를 들어 칩이 서로 연결 및 작업물(예를 들어, PCB/기판/작업물)에서 그 다음 층에 공통 연결을 가진다. 흑색 도트(2306)는 제 1 다이, 예를 들어, 작업물(2302) 위 칩 또는 부품에 대한 새크리드 영역을 나타낸다 (여기서 새크리드 영역은 예를 들어 비아에 연결을 포함한다. 백색 도트(2308)는 제 2 다이에 대한 새크리드 영역을 나타낸다. 그레이 도트(2307)는 작업물의 그 다음 후속 층에 연결하기 위한 새크리드 영역이다. 흑색 라인으로 마킹된 도트들 사이에 영역은 스트레치 영역(2310)이다.
이 예에서, 작업물 위 제 1 다이는 X 방향으로 약 20㎛ 그리고 Y 방향으로 약 -20㎛의 병진이동을 한다. 회전은 약 -10mrad이다. 제 2 다이는 X 방향으로 약 -20㎛ 그리고 Y 방향으로 약 -20㎛의 병진이동을 한다. 회전은 약 10mrad이다. 변환 데이터는 기계 내 또는 외부에 또는 실제 기록과 관련하여 수행되는 개별 측정으로부터 획득될 수 있다. 그레이 도트(2304)의 변환은 이 경우에 모두 0으로 설정되었다. 패턴 치료 또는 재연결이 스트레치 영역에서 수행되지 않는다면, 라인(커넥터)은 모든 새크리드 영역의 에지에 경계 조건을 충족하지 않는다.
단절된 라인(2305)이나 커넥터는 보상 없이 프린트된 패턴에서 발생할 수 있다. 예시적인 실시예가 적용되고 스트레치 영역에서 변환에 차이 또는 차이의 일부분이 처리된다면 단절된 라인이나 커넥터 현상이 개선되고 심지어 제거될 수 있다.
보상된 패턴에 사용되는 예시적인 변환 맵은 도 21a 내지 도 21b에 도시된다. 변환 맵은 다이/부품의 상대적 측정 데이터가 결정되자마자 계산될 수 있다. 전체 작업물 변환은 이 맵의 전체 변환이다.
도 22a는 보상을 갖는 예시적인 인쇄 패턴을 도시한다. 도 22a에 도시된 바와 같이 새크리드 영역(2308)은 올바른 변환을 가지며 새크리드 영역들 사이에 커넥터(패턴)(2010)는 경계 조건을 지원하기 위해 확장되었다.
이 예시적인 접근법은 상대적으로 작은 양만큼 커넥터의 길이를 변경할 수 있다. 예를 들어, 버퍼가 제공되는 경우 래스터라이즈된 영역에서 필터를 적용하는 것에 의해 또는 벡터 영역에서 패턴 데이터에 정정을 수행하는 것에 의해 이 변경을 보상하는 것이 가능하다.
도 22b의 흐름도로 개략적으로 도시된 방법의 바람직한 실시예는,
2252: 패키지 내 시스템 스택의 선택된 특징부 또는 배치된 부품에 정렬시 높은 요구조건을 가지는 제 1 패턴에서 새크리드 영역을 검출하는 단계.
새크리드 영역은 일 실시예에서 원래의 회로 패턴 데이터에서 미리 설정된 마킹에 의하여 검출되거나 또는 다른 실시예에서 미리 한정된 규칙에 따라 원래의 회로 패턴 데이터에서 새크리드 영역을 재구성하도록 고안된 인식 알고리즘에 의하여 검출된다. 이러한 미리 한정된 규칙의 일례는 특정 인식가능한 특징, 예를 들어 연결점, 비아 또는 접촉 패드의 발생이 새크리드 영역을 나타내는 것이다.
2254: 패키지 내 시스템 스택의 다른 특징부와 정렬시 더 낮은 요구조건을 가지도록 허용된 제 1 패턴의 스트레치 영역을 검출하는 단계.
2256:
i. 인접한 새크리드 영역에 있는 연결 점이 미리 설정가능한 정렬 편차 파라미터 내에서 정렬되도록; 그리고
ii. 새크리드 영역에 있는 대응하는 연결 점의 위치들 사이의 편차가 스트레치 영역의 연결점에 대한 패턴에서 보상되도록
원래의 회로 패턴의 변환을 포함하는 조정된 제 1 패턴 데이터를 계산하는 것에 의해 제 1 패턴을 변환하는 단계.
새크리드 영역에서 회로 패턴에 대한 변환은 일 실시예에서 인접한 새크리드 영역에 있는 연결점이 개별 변환 후에도 연결되도록 구성된다.
2258: 이후 조정된 패턴 데이터에 따라 작업물의 층에 패턴을 기록하는 단계.
다른 개선된 실시예는 추가적인 제 3 영역 유형의 개념을 포함한다. 이러한 개선은,
a. 제 1 층과 적어도 하나의 제 2 층 사이에 연결을 위한 연결점을 포함하는 다이의 회로 패턴의 추가적인 영역 유형을 검출하는 단계; 및
b. 추가적인 영역 유형의 회로 패턴에 대해 선택된 변환을 사용하여 조정된 회로 패턴 데이터를 계산하는 단계
를 더 포함한다.
새크리드 영역이나 스트레치 영역에 대한 것과 동일한 변환 유형이 추가적인 영역 유형의 회로 패턴에 사용될 수 있다.
다른 변환, 예를 들어 본 발명의 개념의 다른 개선예에서 전술된 변환들 중 어느 것이 사용될 수 있다. 예를 들어, 새크리드 영역에서 정렬 변환은 선형 또는 비선형 변환 중에서 선택된다. 이와 유사하게 스트레치 영역에서 보상을 위한 변환은 선형 또는 비선형 변환 중에서 선택된다.
조정된 회로 패턴을 제공하는 여러 대안이 있다. 예를 들어, 조정된 회로 패턴이 벡터 영역이나 래스터라이즈된 이미지에서 회로 패턴 데이터의 변환에 의하여 제공된다.
상이한 층 사이에 다이 또는 특징부에 대한 패턴 정렬시 구현되는 새크리드 영역/스트레치 영역 개념의 일부 실시예에서, 스트레치 영역은 층 스택에서 아래쪽 또는 위쪽으로 층을 연결하도록 형성된 별개의 새크리드 영역 사이의 차이를 균일화하는데 적용될 수 있다.
본 발명의 개념의 이러한 개선의 여러 변형예는 또한 제 2 패턴에 동시에 일치할 수 있다. 이러한 실시예는 제 1 회로 패턴 데이터가 제 1 다이(또는 부품)의 연결점이나 접촉 패드에 맞추기 위해 조정되어 제 2 다이(또는 부품)의 연결점이나 접촉 패드에 연결하고 동시에 제 2 패턴에 연결하도록 유리하게 결합된다. 간단히 말해, 이전 실시예 중 어느 것의 방법은 이에 따라 제 1 패턴이 조정된 제 1 패턴 데이터로 변환되고 또 이전 또는 이후 층에 제 2 패턴의 특징부에 정렬하는 것을 포함할 수 있다.
좌표 시스템 결정 및 참조 보드와 정렬 수행
LDI 시스템에서 직접 기록기와 같은 기록 기계에서 좌표 시스템은 예를 들어 참조 스케일 또는 참조 보드를 검출하는 것에 의해; 또는 고정된 것으로 고려되는 카메라의 위치와 같은 구조적 메커니즘에 의하여; 또는 간섭계와 같은 광 측정을 사용하는 것에 의해 여러 방식으로 결정될 수 있다.
예시적인 실시예에서 기록 기계의 좌표 시스템을 결정하는 것은 이하 구성에서 참조 보드에 의하여 수행된다. 참조 보드는 작업물 캐리어 스테이지에 장착된 참조 보드와 측정 스테이션을 구비하는 정렬 시스템과 기록 시스템에 적용된다. 정렬 시스템은 이에 따라 카메라 브리지를 가지는 측정 스테이션을 구비하며 이 카메라 브리지 위에는 이 예에서 복수의 카메라 시스템이 장착되고 참조 보드는 복수의 작업물 캐리어 스테이지 각각 위에 장착된다. 측정 스테이션에 포함된 하나 또는 복수의 카메라가 있을 수 있다. 캐리어 스테이지는 기록 시스템과 정렬 시스템의 측정 스테이션 사이에 이동한다. 컴퓨터는 기록기 시스템과 정렬 시스템의 측정 스테이션에 동작가능하게 및/또는 통신가능하게 연결된다. 동작시 일반적으로 복수의 캐리어 스테이지는 패터닝을 위해 별개의 작업물을 운반하는데 사용된다. 캐리어 스테이지는 기록기에서 기록 스테이션과 측정 스테이션에서 측정 위치 사이에 캐리어 스테이지 트랙 위에서 일반적으로 이동가능하다.
참조 보드는 각 캐리어 스테이지에 부착된다. 참조 보드는 예를 들어 QZ(석영)와 같은 온도 안정 물질로 구성될 수 있다. 참조 보드는 기록기 좌표 시스템과 정렬 시스템의 측정 스테이션 좌표 시스템 사이에 정보를 운반한다.
참조 보드는 바람직하게는 참조 보드가 캐리어 스테이지에 고정된 방식으로 캐리어 스테이지에 부착된다. 예를 들어 일 실시예에서와 같이 참조 보드는 볼트나 나사에 의하여 캐리어 스테이지에 고정되거나 결합된다. 바람직하게는 예를 들어 온도 변화로 인한 인장을 보상하기 위해 휨 조인트 메커니즘과 함께 조인트가 배열될 수 있다. 다른 실시예에서, 참조 보드는 캐리어 스테이지에 접착된다.
예를 들어 그리드 패턴 형태인 참조 특징부가 참조 보드 위에 제공된다. 참조 특징부는 충진된 원 및 환형 링 형상의 원 형태인 원을 포함하는 보드 참조 특징부를 구성하는 마크를 포함할 수 있다. 마크의 위치는 이 마크가 이상적인 것으로 가정되도록 충분히 정확한 측정 기계로부터 알려지거나 장비에 의해 기록된다. 본 발명의 하나의 예시적인 응용에서, 마크의 위치가 측정되고 마크의 측정된 위치는 보상 맵을 생성하도록 공칭 위치와 비교된다. 보상 맵은 잔류 에러를 해소하고 조정된 패턴을 형성하도록 정렬 공정에서 사용된다.
보다 일반적인 의미에서, 참조 보드는 캐리어 스테이지와 참조 특징부를 직접 통합하는 것에 의해 캐리어 스테이지와 참조 특징부를 연관시키게 구현된다. 이것은 특히 정렬 시스템을 교정하는 방법에 사용된다.
참조 보드는 정렬 공정시 기록 기계의 좌표 시스템을 결정하는데 사용될 수 있다. 일반적인 용어로 설명된 이러한 정렬 공정은 일반적으로 패턴 생성 도구가 스테이지에 부착되거나 고정된 참조 보드를 구비하고 참조 보드는 기록 도구와 정렬 시스템 사이에 정렬 정보를 운반하도록 구성된 설정에서 적용된다. 하나 이상의 카메라는 카메라 브리지 상에 장착되고 하나 이상의 카메라는 참조 보드에 대해 기판 상에 정렬 마크의 위치를 측정하도록 구성되고 기판은 스테이지에 부착되거나 고정된다. 기록 시스템은 기판을 노출시키도록 구성된다. 컴퓨터는 정렬 시스템과 기록기 시스템에 동작가능하게 연결된다.
본 방법은 미리 결정된 공칭 위치 상에 보드 참조 특징부를 구비하는 참조 보드를 캐리어 스테이지에 부착하여 제공하는 단계; 참조 보드에 대하여 작업물의 적어도 하나의 참조 특징부의 위치, 예를 들어, 위치와 배향을 측정 스테이션에서 적어도 한번 측정하는 단계; 측정 스테이션으로부터 기록 스테이션으로 참조 보드를 가지는 캐리어 스테이지를 변위시키는 단계; 및 참조 보드의 적어도 하나의 보드 참조 특징부를 사용하여 참조 보드의 위치를 측정하는 것에 의해 기록 스테이션을 교정하는 단계를 포함한다.
나아가, 본 방법의 실시예는 선택적인 교정 단계의 선택을 포함한다. 첫째, 본 방법은 참조 보드의 보드 참조 특징부 중 적어도 하나를 사용하여 참조 보드의 위치를 측정하는 것에 의해 기록 스테이션을 교정하는 단계를 포함할 수 있다.
둘째, 본 방법은 참조 보드의 보드 참조 특징부 중 적어도 하나를 측정 스테이션에서 측정하는 것에 의해 측정 스테이션을 참조 보드로 교정하는 단계를 포함할 수 있다.
측정 스테이션을 교정하는 단계는, 일 변형예에서,
참조 보드 상에 균일한 또는 불균일한 그리드 패턴으로 배열된 보드 참조 특징부의 위치를 측정하고 보드 참조 특징부의 공칭 위치를 비교하는 것에 의해 측정 스테이션에서 각 카메라에 대한 스케일 에러와 왜곡을 결정하는 단계;
카메라의 측정된 스케일 에러 왜곡에 따라 렌즈 왜곡 맵을 계산하는 단계(상기 맵은 비선형 스케일 에러/왜곡만을 보유하거나 또는 또한 전체 선형 스케일 에러를 보유할 수 있음);
상이한 높이에 있는 참조 보드의 위치를 측정하는 것에 의해 카메라의 랜딩 각도를 계산하는 단계; 및
참조 보드 상에 보드 참조 특징부의 위치를 검출하고, 상기 보드 참조 특징부의 위치와 참조 보드 상에 참조 점 사이에 미리 결정된 관계에 따라 각 카메라의 위치를 계산하고, 카메라와 연관된 좌표 시스템과 패턴 사이에 회전량으로 각 카메라의 회전을 계산하는 것에 의해 참조 보드에 대해 측정 스테이션에서 각 카메라의 위치를 결정하는 단계
를 포함한다.
기록 기계와 선택적으로 또한 측정 시스템을 교정하는 것은 이에 따라 기록 기계의 좌표 시스템을 결정하는데 유리하게 사용된다.
전술된 바와 같이 여러 실시예에 따라 패터닝하고 정렬할 때 이것은 이하 방법에 따라 참조 보드를 사용하여 수행될 수 있다:
기록 기계에서 작업물의 층을 패터닝하는 방법으로서, 여기서 기록 기계는,
기록 기계 좌표 시스템을 구비하는 패턴 기록 스테이션; 및
측정 좌표 시스템을 구비하는 측정 스테이션으로서, 상기 측정 스테이션은 참조 특징부와 연관된 작업물 상에 물체의 측정을 수행하도록 구성되고, 상기 작업물은 캐리어 스테이지 상에 더 배치되고, 상기 기록 기계는 상기 측정 스테이션과 상기 기록 스테이션 사이에 캐리어 스테이지를 이동시키도록 구성된, 측정 스테이션
을 포함하며,
상기 방법은,
a. 미리 결정된 공칭 위치 상에 보드 참조 특징부를 가지는 참조 보드를 상기 캐리어 스테이지에 부착하여 제공하는 단계;
b. 참조 보드에 대해 작업물의 적어도 하나의 참조 특징부의 위치, 예를 들어, 위치와 배향을 측정 스테이션에서 적어도 한번 측정하는 단계;
c. 작업물의 참조 특징부(들)의 공칭 위치(들) 및 측정된 참조 위치(들)에 따라 공칭 위치(들)로부터 측정된 위치의 편차를 기술하는 변환을 계산하는 단계;
d. 측정 스테이션으로부터 기록 스테이션으로 참조 보드를 가지는 캐리어 스테이지를 이동시키는 단계; 및
e. 공칭 위치(들)로부터 측정된 위치(들)의 편차를 기술하는 변환을 조정하는 것에 의해 작업물에 패턴을 기록하는 단계
를 포함한다.
정렬 방법은,
- 변환에 따라 조정된 패턴 데이터를 계산하는 동작, 및
- 조정된 패턴 데이터를 참조 보드의 위치에 대해 주어지는 작업물의 위치에 맞추는 동작
을 포함하는 변환을 계산하는 단계를 더 포함할 수 있으며,
- 상기 작업물에 패턴을 기록하는 단계는 조정된 패턴 데이터에 따라 작업물을 노출시키는 것에 의해 수행된다.
다른 실시예도 전개되며 여기서
작업물에 기록하기 위해 조정된 패턴 데이터를 계산하는 단계는 참조 보드의 보드 참조 특징부에 대해 작업물의 참조 특징부의 측정된 위치에 따라 다르며, 상기 참조 보드는 캐리어 스테이지까지 부착된 상대 거리를 가지는 것에 의해 캐리어 스테이지의 좌표 시스템을 나타낸다.
본 방법은 참조 보드의 보드 참조 특징부 중 적어도 하나를 사용하여 참조 보드의 위치를 측정하는 것에 의해 기록 스테이션을 계산하는 단계를 더 포함한다.
본 방법은 참조 보드의 보드 참조 특징부 중 적어도 하나를 측정 스테이션에서 측정하는 것에 의해 참조 보드에 대해 측정 스테이션을 교정하는 단계를 더 포함한다.
기록 기계에서 사용하기 위한 캐리어 스테이지는 작업물의 층을 패터닝하도록 구성되고 여기서 참조 특징부는 캐리어 스테이지와 연관되고 참조 특징부는 미리 결정된 공칭 위치를 가진다.
이를 위하여 캐리어 스테이지는 캐리어 스테이지에 부착된 참조 보드를 포함하며, 상기 참조 보드는 미리 결정된 공칭 위치에 보드 참조 특징부를 구비한다. 참조 특징부 및/또는 참조 보드는 캐리어 스테이지에서 배향을 가지게 구성되는데, 즉,
- 참조 보드의 주된 이동 방향에 대하여 수직으로; 및/또는
- 참조 보드의 주된 이동 방향에 대하여 동축으로 구성된다.
참조 특징부 및/또는 참조 보드는 예를 들어 길다란 형상으로 구성될 수 있는데, 즉 L 자형으로 구성될 수 있고 여기서 참조 보드는 예를 들어 나사 또는 볼트 조인트; 접착 조인트에 의해 캐리어 스테이지에 부착된다.
Claims (64)
- 다층 스택을 제조할 때 직접 기록 기계에서 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법으로서, 상기 작업물은 임의로 배치된 다이 형태로 복수의 전기 부품을 가지는 제 1 층을 구비하고, 각 다이는 상기 다이 사이에 일부가 연결되는 연결점을 구비하며, 상기 다이의 선택은 제 1 패턴과 연관되고, 상기 제 1 층에 분배된 다이의 연결점을 구비하는 상이한 영역은 상이한 정렬 요구조건과 관련되며,
상기 방법은,
a. 상기 스택의 선택된 특징부에 또는 배치된 다이에 높은 정렬 요구조건을 가지는 상기 제 1 패턴 내의 새크리드 영역을 검출하는 단계;
b. 상기 스택의 다른 특징부에 낮은 정렬 요구조건을 가지는 것이 허용되는 상기 제 1 패턴의 스트레치 영역을 검출하는 단계;
c. i. 인접한 새크리드 영역에 있는 연결점이 미리 설정가능한 정렬 편차 파라미터 내에 정렬되도록; 그리고
ii. 상기 새크리드 영역에서 대응하는 연결점의 위치들 사이의 편차가 상기 스트레치 영역의 연결점에 대한 패턴에서 보상되도록
원래의 회로 패턴의 변환을 포함하는 조정된 제 1 패턴 데이터를 계산하는 것에 의해 상기 제 1 패턴을 변환하는 단계; 및
d. 상기 조정된 패턴 데이터에 따라 상기 작업물의 층에 패턴을 기록하는 단계
를 포함하는, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법. - 제 1 항에 있어서, 상기 새크리드 영역은,
상기 원래의 회로 패턴 데이터에 있는 미리 설정된 마킹, 또는
미리 한정된 규칙에 따라 상기 원래의 회로 패턴 데이터 내에 있는 새크리드 영역을 인식하도록 고안된 인식 알고리즘
에 의해 검출되는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 새크리드 영역에 있는 상기 회로 패턴에 대한 변환은 인접한 새크리드 영역에 있는 연결점이 개별 변환 후에 또한 연결되도록 하는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
a. 제 1 층 및 적어도 하나의 제 2 층 사이를 연결하기 위한 연결점을 포함하는 상기 다이의 회로 패턴의 추가적인 영역 유형을 검출하는 단계; 및
b. 상기 추가적인 영역 유형의 회로 패턴에 대해 선택된 변환을 사용하여 조정된 회로 패턴 데이터를 계산하는 단계
를 더 포함하는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법. - 제 4 항에 있어서, 상기 동일한 변환이 상기 추가적인 영역 유형의 회로 패턴에 대해 사용되는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 새크리드 영역에서 정렬을 위한 변환은 선형 또는 비선형 변환 중에서 선택된 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스트레치 영역에서 보상을 위한 변환은 선형 또는 비선형 변환 중에서 선택된 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조정된 회로 패턴은 벡터 영역에서 또는 래스터라이즈된 이미지에서 회로 패턴 데이터의 재샘플링에 의하여 제공되는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 패턴은 이전 또는 후속 층에 있는 제 2 패턴의 특징부와 또한 정렬되는 조정된 제 1 패턴 데이터로 변환되는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 패턴은 동시에 제 2 패턴과 일치하는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 패턴은 또한 제 2 패턴과 일치하고,
상기 방법은,
a. 상기 제 1 작업물의 상기 제 1 층의 적어도 하나의 제 1 서브 영역을 나타내는 제 1 회로 패턴의 제 1 회로 패턴 데이터를 검색하는 단계로서, 상기 적어도 하나의 제 1 서브 영역은 상기 제 1 층의 상기 복수의 다이 중 적어도 하나의 다이와 연관되고 커버하는, 제 1 회로 패턴 데이터를 검색하는 단계;
b. 제 2 층(들)의 하나 또는 복수의 특정 특징부의 복수의 연결점과 연관된 적어도 제 2 서브 영역을 나타내는 제 2 회로 패턴의 제 2 회로 패턴 데이터를 검색하는 단계로서, 상기 제 2 층(들)은 상기 제 1 작업물의 하나 또는 복수의 이전 또는 후속 층(들) 및/또는 상기 제 1 작업물에 연결되는 제 2 작업물에 있는 하나 또는 복수의 층(들)이며, 상기 제 1 층의 적어도 하나의 다이의 복수의 연결점 중 적어도 하나는 상기 제 2 층(들)의 하나 또는 복수의 특정 특징부의 연결점 중 적어도 하나에 연결하도록 적응되는, 제 2 회로 패턴 데이터를 검색하는 단계;
c. 상기 제 1 회로 패턴을 적어도 상기 제 1 층의 상기 제 1 서브 영역으로 조정하는데 필요한 제 1 맞춤 공차(들)를 결정하는 단계;
d. 상기 조정된 제 1 회로 패턴의 연결점이 상기 제 2 층(들)의 하나 또는 복수의 특정 특징부를 나타내는 적어도 하나의 제 2 회로 패턴의 연결점에 맞추도록 상기 제 1 회로 패턴을 조정하는데 필요한 제 2 맞춤 공차(들)를 결정하는 단계;
e. 상기 조정된 제 1 회로 패턴을,
i. 상기 필요한 제 1 맞춤 공차 내에서 상기 제 1 층의 상기 적어도 하나의 제 1 서브 영역; 및
ii. 상기 제 2 맞춤 공차(들) 내에서 상기 적어도 하나의 제 2 회로 패턴의 하나 또는 복수의 특정 특징부의 연결점 중 적어도 하나에 대해 상기 적어도 하나의 제 1 서브 영역을 나타내는 상기 제 1 회로 패턴의 적어도 하나의 다이의 연결점 중 적어도 하나
에 맞추는 조정된 제 1 회로 패턴을 제공하는 단계; 및
f. 상기 조정된 제 1 회로 패턴 데이터에 따라 상기 제 1 작업물에 패턴을 기록하는 단계
를 더 포함하는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법. - 제 11 항에 있어서, 상기 조정된 제 1 회로 패턴 데이터는 상기 제 1 패턴 데이터의 연결점 패턴을 상기 필요한 제 2 맞춤 공차(들)를 커버하는 위치와 표면 영역을 가지는 조정된 연결점 패턴으로 변환하는 것에 의해 제공되는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 조정된 연결점 패턴의 위치는 상기 제 1 회로 패턴의 원래의 회로 패턴 데이터에서 연결점 패턴의 공칭 위치인 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서, 상기 조정된 연결점 패턴은 모든 점이 이상적인 위치로부터 상기 필요한 맞춤 공차(들)보다 더 작은 거리를 가지는 위치와 표면 영역을 각각 가지는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 회로 패턴에서 상기 다이의 연결점에 맞추기 위해 조정된 연결점에 대해 필요한 맞춤 공차를 제일먼저 결정하는 단계를 더 포함하는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 16 항에 있어서, 상기 제 2 층(들)은 이전에 형성된 것이거나 또는 상기 스택에서 동일한 제 1 작업물 위에 또는 상기 제 1 작업물에 결합되는 제 2 작업물 위에/에 대해 후속적으로 형성되는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 필요한 맞춤 공차(들)는 상기 패턴이 정렬될 때 상기 제 1 회로 패턴의 연결점의 사영 및 상기 적어도 하나의 제 2 회로 패턴의 연결점의 사영을 커버하는 위치 및/또는 표면 영역으로 결정되는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 필요한 맞춤 공차는 상기 패턴과 상기 층들을 공통면으로 변환하는 것과, 상기 공통면에서 이상적인 패턴 데이터와 조정된 패턴 데이터 사이의 거리에 기초하여 상기 필요한 맞춤 공차를 계산하는 것에 의해 결정되는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 필요한 맞춤 공차(들)는 상기 이상적인 위치로부터 50㎛ 미만의 거리인 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 필요한 맞춤 공차(들)는 이상적인 위치로부터 5-8㎛ 미만의 거리인 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 필요한 맞춤 공차(들)는 이상적인 위치로부터 1㎛ 미만의 거리인 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 제 2 회로 패턴 데이터는 상기 제 1 회로 패턴 데이터의 서브세트인 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 제 2 회로 패턴은 상기 제 1 회로 패턴에 의해 표시된 영역으로부터 완전히 분리된 영역을 나타내는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 회로 패턴의 서브 부분은 상기 적어도 하나의 제 2 회로 패턴에 의해 표시된 전체 영역의 서브 영역을 나타내는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조정된 제 1 회로 패턴 데이터를 제공하는 단계는,
c. 이상적인 패턴 데이터의 세트로부터 상기 제 1 회로 패턴 데이터를 렌더링하는 단계; 이후
d. 상기 조정된 제 1 회로 패턴을,
i. 상기 필요한 제 1 맞춤 공차 내에서 상기 제 1 층의 상기 적어도 하나의 제 1 서브 영역; 및
ii. 상기 제 2 맞춤 공차(들) 내에서 상기 적어도 하나의 제 2 회로 패턴의 하나 또는 복수의 다이의 연결점 중 적어도 하나에 대해 상기 적어도 하나의 제 1 서브 영역을 나타내는 상기 제 1 회로 패턴의 적어도 하나의 다이의 연결점 중 적어도 하나
에 맞추기 위하여 상기 제 1 회로 패턴 데이터를 재샘플링하는 단계; 또는
e. 상기 조정된 제 1 회로 패턴 데이터를 상기 제 1 층의 상기 적어도 하나의 제 1 서브 영역에 맞추기 위하여 상기 적어도 하나의 제 2 회로 패턴 데이터의 재샘플링과는 독립적으로 상기 제 1 회로 패턴 데이터를 재샘플링하는 단계; 및 상기 제 1 및 제 2 맞춤 공차 내에서 조정된 적어도 하나의 제 2 회로 패턴과 조정된 제 1 회로 패턴을 나타내는 재샘플링된 제 3 회로 패턴 데이터를 생성하기 위하여 상기 적어도 하나의 재샘플링된 제 2 회로 패턴 데이터와 상기 재샘플링된 제 1 회로 패턴 데이터를 병합하는 단계
를 포함하는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법. - 제 11 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 회로 패턴의 제 1 회로 데이터를 검색하는 단계는,
a. 상기 작업물의 적어도 하나의 참조 특징부에 대해 상기 제 1 작업물 위에 분배된 복수의 다이 또는 다이 그룹의 측정된 위치를 나타내며 상기 제 1 작업물과 연관된 측정 데이터를 수신하는 단계;
b. 상기 작업물의 상기 적어도 하나의 참조 특징부를 검출하는 단계; 및
c. 상기 직접 기록 기계의 상기 좌표 시스템과 상기 제 1 작업물의 상기 적어도 하나의 참조 특징부 사이에 관계를 결정하는 단계
를 포함하는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법. - 제 27 항에 있어서,
d. 상기 직접 기록 기계의 상기 좌표 시스템과 상기 작업물의 상기 적어도 하나의 참조 특징부 사이에 결정된 관계에 따라, 상기 작업물 위에 분배된 상기 복수의 다이 또는 다이 그룹의 측정된 위치를 상기 직접 기록 기계의 상기 좌표 시스템에 한정된 변환된 위치로 변환하는 단계; 및
e. 상기 원래의 패턴 데이터와 상기 변환된 위치에 따라 상기 작업물에 기록하기 위해 상기 조정된 제 1 회로 패턴 데이터를 제공하는 단계
를 더 포함하며,
상기 조정된 제 1 회로 패턴 데이터는 상기 조정된 제 1 회로 패턴이 상기 제 1 작업물 영역의 복수의 서브 영역에 맞춰지도록 상기 제 1 작업물 위에 상기 복수의 다이의 상기 회로 패턴을 나타내며, 각 서브 영역은 상기 작업물 위에 분배된 복수의 다이 중에서 다이 또는 다이 그룹과 연관된 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법. - 제 11 항 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조정된 제 1 회로 패턴 데이터를 제공하는 단계는,
f. 이상적인 패턴 데이터의 세트로부터 상기 제 1 회로 패턴 데이터를 렌더링하는 단계; 이후
g. 상기 직접 기록 기계의 상기 좌표 시스템에서 상기 제 1 작업물 위 각 다이에 데이터를 맞추기 위하여 상기 적어도 하나의 다이(들)의 측정된 위치 데이터 및 상기 제 1 작업물의 변환된 위치와 형상에 따라 상기 제 1 회로 패턴 데이터를 재샘플링하는 단계; 또는
h. 상기 직접 기록 기계의 상기 좌표 시스템에서 상기 제 1 작업물 위의 복수의 것과 연관된 것을 나타내는 데이터를 맞추기 위하여 상기 작업물의 변환된 위치와 형상 및 상기 복수의 다이의 그룹 또는 클러스터의 측정된 위치 데이터에 따라 상기 제 1 패턴 데이터를 재샘플링하는 단계
를 포함하는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법. - 제 11 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 층(들)은 이전에 형성된 것이거나 상기 제 1 작업물 위에 후속적으로 형성되는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 층(들) 중 적어도 하나는 상기 스택에서 결합되는 제 2 작업물 위에/에 대해 있는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 31 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 필요한 맞춤 공차는 상기 패턴이 정렬될 때 상기 제 1 회로 패턴의 연결점의 사영과 상기 제 2 회로 패턴의 연결점의 사영을 커버하는 위치 및/또는 표면 영역으로 결정되는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 32 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 필요한 맞춤 공차는 상기 패턴과 상기 층을 공통면으로 변환하는 것과, 상기 공통면에서 이상적인 패턴 데이터와 조정된 패턴 데이터 사이의 거리에 기초하여 상기 필요한 맞춤 공차를 계산하는 것에 의해 결정되는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조정된 제 1 회로 패턴 데이터는 상기 조정된 패턴 데이터의 서브 부분 각각이 특정 다이 또는 다이 그룹과 연관된 상기 작업물의 서브 영역을 나타내는 방식으로 상기 복수의 다이 또는 다이 그룹에 맞춰지도록 렌더링되고, 상기 서브 영역 각각은 상기 특정 다이 또는 다이 그룹을 포함하거나 커버하는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 작업물 영역의 적어도 일부는 상기 조정된 패턴 데이터의 서브 부분에 의해 각각 표시되는 서브 영역으로 분할되고, 상기 서브 영역은 상기 수신된 측정 데이터에 의해 식별되고 및/또는 상기 작업물 영역은 미리 결정된 알고리즘의 사용에 의하여 서브 영역으로 분할되는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 35 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 서브 영역은 수신된 측정 데이터에 의해 자동으로 식별되고 및/또는 상기 제 1 작업물 영역은 상기 미리 결정된 알고리즘의 사용에 의하여 서브 영역으로 자동으로 분할되는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 36 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조정된 제 1 회로 패턴 데이터의 복수의 상기 서브 부분은 특정 요구조건 또는 미리 설정가능한 편차 파라미터 내에서 각 서브 영역에 맞추도록 렌더링되는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 37 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 특정 요구조건 또는 미리 설정가능한 편차 파라미터는,
a. 다이, 부품 또는 다이/부품의 그룹의 유형; 또는
b. 상기 다이(들)/부품(들)의 표면 구조의 특성; 또는
c. 상기 다이(들)/부품(들)의 에지나 코너와 같은 상기 다이(들)/부품(들)의 형상 특성
중 적어도 하나와 연관된 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법. - 제 11 항 내지 제 38 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전체 조정된 회로 패턴 데이터는 미리 설정가능한 편차 파라미터 또는 편차 파라미터 세트 내에서 상기 작업물 위 상기 복수의 다이 또는 다이 그룹에 맞춰지는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 39 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 미리 설정가능한 편차 파라미터는 위치와 연관된 파라미터(들)와 배향과 연관된 파라미터(들)를 포함하는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 40 항 중 어느 한 항에 있어서, 특정 다이 또는 다이 그룹과 연관된 상기 조정된 회로 패턴 데이터는 상기 특정 다이 또는 다이 그룹에 개별적으로 맞춰지는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 41 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 다이 또는 다이 그룹은 상기 작업물 위에 분배된 다이 전부를 포함하는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 42 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 작업물 위 상기 다이 또는 다이 그룹 중 적어도 하나와 연관된 상기 회로 패턴 데이터는 상기 작업물 위 다른 다이와 연관된 회로 패턴 데이터와는 독립적으로 그리고 개별적으로 조정되는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 43 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 작업물 위 상기 다이 또는 다이 그룹 각각과 연관된 상기 회로 패턴 데이터는 상기 작업물 위 다른 임의의 다이와 연관된 회로 패턴 데이터와 독립적으로 그리고 개별적으로 조정되는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 44 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다이 또는 다이 그룹의 위치는 기록기 좌표 시스템에 대해 상기 작업물의 위치와 배향과 함께 위치와 배향 면에서 상기 직접 기록 기계의 상기 좌표 시스템에 한정된 상기 측정된 위치의 변환을 결정하는데 사용되는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 45 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다이 또는 다이 그룹의 위치는,
적어도 하나의 상기 참조에 대하여 상기 작업물 위 상기 다이의 위치와 배향; 및/또는
상기 참조에 대하여 상기 작업물을 포함하는 공간에서 상기 다이 또는 다이 그룹의 공간적 위치와 배향
면에서 결정되는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법. - 제 11 항 내지 제 46 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조정된 회로 패턴 데이터는 그 위에 분배된 상기 다이 전부를 가지는 전체 작업물을 나타내는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 47 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 작업물의 상기 적어도 하나의 참조 특징부는,
a. 상기 작업물 위에 제공된 하나 또는 수 개의 정렬 마크(들); 또는
b. 상기 복수의 다이 중에서 선택된 하나 또는 복수의 참조 다이(들) 위에 제공된 하나 또는 수 개의 참조 특징부(들); 또는
c. 상기 작업물 위에 분배된 상기 다이의 배열의 특성; 또는
d. 상기 작업물의 표면 구조의 특성; 또는
e. 상기 다이(들)의 표면 구조의 특성; 또는
f. 하나 또는 수 개의 참조 다이(들); 또는
g. 상기 작업물의 에지 또는 코너와 같은 상기 작업물의 형상의 특성
중에서 선택된 것에 의해 결정되는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법. - 제 11 항 내지 제 48 항 중 어느 한 항에 있어서, 다이의 참조 특징부는,
a. 상기 다이 위에 제공된 하나 또는 수 개의 정렬 마크(들); 또는
b. 상기 다이(들)의 표면 구조의 특성; 또는
c. 상기 다이의 에지나 코너와 같은 상기 다이의 형상 특성
중에서 선택된 것에 의해 결정되는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법. - 제 11 항 내지 제 49 항 중 어느 한 항에 있어서, 다이의 위치의 측정은,
a. 형상 기반 위치 결정 알고리즘, 에지 검출 기반 알고리즘, 상관 기반 알고리즘 또는 참조 특징부로부터 위치를 추출하도록 고안된 다른 이미지 분석 기술 중에서 선택된 것에 의해 상기 참조 특징부에 대하여 상기 다이의 공간적 위치를 결정하는 것; 또는
b. 상기 다이 위 하나 또는 수 개의 정렬 마크(들)와 상기 참조 특징부에 대해 상기 다이의 공간적 위치를 결정하는 것; 또는
c. 상기 다이의 표면 구조의 특성에 의하여 상기 참조 특징부에 대하여 상기 다이의 공간적 위치를 결정하는 것
중에서 선택된 것에 의해 결정되는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법. - 제 11 항 내지 제 50 항 중 어느 한 항에 있어서, 조정된 회로 패턴 데이터를 제공하는 단계는,
i. 이상적인 패턴 데이터의 세트로부터 상기 원래의 패턴 데이터를 렌더링하는 단계; 이후
j. 상기 직접 기록 기계의 상기 좌표 시스템에서 상기 작업물 위 각 다이에 데이터를 맞추기 위하여 상기 다이(들)의 측정된 위치 데이터 및 상기 작업물의 변환된 위치와 형상에 따라 상기 원래의 패턴 데이터를 재샘플링하는 단계; 또는
k. 상기 직접 기록 기계의 상기 좌표 시스템에서 상기 작업물 위 각 그룹 또는 클러스터에 데이터를 맞추기 위하여 상기 작업물의 변환된 위치와 형상 및 상기 다이의 그룹 또는 클러스터의 측정된 위치 데이터에 따라 상기 원래의 패턴 데이터를 재샘플링하는 단계
를 포함하는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법. - 제 1 항 내지 제 51 항 중 어느 한 항에 있어서, 조정된 회로 패턴 데이터의 제공은,
각 다이 또는 다이 그룹을 맞추기 위하여 벡터 데이터 형태로 상기 원래의 패턴 데이터를 변환하는 것과, 상기 변환된 벡터 데이터를 래스터라이즈하는 것을 포함하는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법. - 제 1 항 내지 제 52 항 중 어느 한 항에 있어서, 조정된 회로 패턴 데이터의 제공은,
각 다이 또는 다이 그룹을 맞추기 위하여 벡터 데이터 형태로 상기 원래의 패턴 데이터를 변환하는 것과, 상기 변환된 벡터 데이터를 래스터라이즈하되, 상기 래스터라이즈된 벡터 데이터가 그 위에 분배된 상기 다이 전부를 가지는 전체 작업물을 나타내도록 래스터라이즈하는 것을 포함하는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법. - 제 1 항 내지 제 53 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다이(들) 또는 다이 그룹/클러스터의 공간적 위치를 맞추기 위하여 패턴 데이터, 벡터 데이터 또는 좌표 시스템의 변환은 선형 또는 비선형, 예를 들어 스플라인, 다항식 또는 사영일 수 있는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 1 항 내지 제 54 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 작업물 위 상기 다이 또는 다이의 그룹/클러스터의 위치를 나타내는 측정 데이터는,
a. 별개의 측정 기계에서; 또는
b. 상기 직접 기록 기계와 통합되거나 상기 직접 기록 기계 내에 통합된 측정 배열에서
결정되는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법. - 제 27 항 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 측정 데이터가 수신되고, 제 1 항의 단계(b 내지 e)는 시퀀스로 수행되어 이에 의해 측정을 가능하게 하고 실시간으로 기록하는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 1 항 내지 제 56 항 중 어느 한 항에 있어서, 조정된 회로 패턴 데이터의 제공은 상기 작업물과 연관된 데이터와 측정에만 기초하고 이에 의해 측정을 가능하게 하고 실시간으로 시간을 기록하는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 1 항 내지 제 57 항 중 어느 한 항에 있어서, 다이는 수동 부품, 능동 부품, 또는 전자장치와 연관된 임의의 다른 부품인 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 11 항 내지 제 58 항 중 어느 한 항에 있어서, 조정된 회로 패턴 데이터의 제공은, 선형 또는 비선형 변환 중에서 선택된 것을 사용하여 상기 다이 또는 다이 그룹의 위치를 맞추기 위하여 패턴 데이터의 변환을 포함하는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 제 1 항 내지 제 59 항 중 어느 한 항에 있어서, 측정된 위치를 상기 다이 또는 다이 그룹의 변환된 위치로 변환하는 것은 선형 또는 비선형 변환 중에서 선택된 것을 포함하는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 방법.
- 다층 스택을 제조할 때 직접 기록 기계에서 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 장치로서, 상기 작업물은 임의로 배치된 다이 형태로 복수의 전기 부품을 가지는 제 1 층을 구비하고, 각 다이는 상기 다이 사이에 일부가 연결되는 연결점을 구비하며, 상기 다이의 선택은 제 1 패턴과 연관되고, 상기 제 1 층에 분배된 다이의 연결점을 포함하는 상이한 영역은 상이한 정렬 요구조건과 연관되고;
상기 직접 기록 기계는,
a. 상기 스택의 선택된 특징부 또는 배치된 다이에 높은 정렬 요구조건을 가지는 상기 제 1 패턴 내의 새크리드 영역을 검출하는 동작;
b. 상기 스택의 다른 특징부에 낮은 정렬 요구조건을 가지는 것이 허용된 상기 제 1 패턴의 스트레치 영역을 검출하는 동작;
c.
i. 인접한 새크리드 영역에 있는 연결점이 미리 설정가능한 정렬 편차 파라미터 내에 있도록; 그리고
ii. 상기 새크리드 영역에 있는 대응하는 연결점의 위치들 사이의 편차가 상기 스트레치 영역의 연결점에 대한 패턴에서 보상되도록
상기 원래의 회로 패턴의 변환을 포함하는 조정된 제 1 패턴 데이터를 계산하는 것에 의해 상기 제 1 패턴을 변환하는 동작; 및
d. 상기 조정된 회로 패턴 데이터에 따라 상기 작업물에 패턴을 기록하기 위해 기록 도구(20)를 제어하도록 구성된 기록 도구 제어 유닛(18)을 제어하는 동작
을 수행하도록 구성된 컴퓨터 시스템(15)을 포함하는 장치의 기록 동작을 제어하기 위해 좌표 시스템을 구비하는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 장치. - 제 1 항 내지 제 61항에 있어서, 제 1 항 내지 제 60 항 중 어느 한 항에 따른 방법의 단계 및/또는 기능을 수행하도록 구성된 기능 유닛 및/또는 메커니즘을 더 포함하는 것인, 작업물의 제 2 층을 패터닝하는 장치.
- 다층 스택을 제조할 때 직접 기록 기계에서 작업물의 층을 패터닝하는 컴퓨터 프로그램 제품으로서, 상기 직접 기록 기계는 임의로 배치된 다이 형태로 복수의 전기 부품을 가지는 제 1 작업물의 제 1 층에 대한 기록 동작을 제어하기 위해 좌표 시스템을 구비하고, 각 다이는 상기 다이 사이에 일부가 연결되는 연결점을 구비하고, 상기 다이의 선택은 제 1 패턴과 연관되며, 상기 제 1 층에 분배된 다이의 연결점을 포함하는 상이한 영역은 상이한 정렬 요구조건과 연관되고;
상기 컴퓨터 프로그램 제품은,
a. 상기 스택의 선택된 특징부에 또는 배치된 다이에 높은 정렬 요구조건을 가지는 상기 제 1 패턴 내의 새크리드 영역을 검출하는 단계;
b. 상기 스택의 다른 특징부에 낮은 정렬 요구조건을 가지는 것이 허용된 상기 제 1 패턴의 스트레치 영역을 검출하는 단계;
c.
i. 인접한 새크리드 영역에 있는 연결점이 미리 설정가능한 정렬 편차 파라미터 내에서 정렬되도록; 그리고
ii. 상기 새크리드 영역에 있는 대응하는 연결점의 위치들 사이의 편차가 상기 스트레치 영역의 연결점에 대한 패턴에서 보상되도록
상기 원래의 회로 패턴의 변환을 포함하는 조정된 제 1 패턴 데이터를 계산하는 것에 의해 상기 제 1 패턴을 변환하는 단계; 및
d. 상기 조정된 회로 패턴 데이터에 따라 상기 작업물에 패턴을 기록하기 위해 기록 도구(20)를 제어하는 단계
를 수행하도록 컴퓨터 시스템을 제어하도록 구성된 컴퓨터 프로그램 코드 부분을 포함하는 것인 컴퓨터 프로그램 제품. - 제 63 항에 있어서, 제 1 항 내지 제 60 항 중 어느 한 항에 따른 방법의 단계 및/또는 기능을 수행하도록 컴퓨터 시스템을 제어하도록 구성된 컴퓨터 프로그램 코드 부분을 더 포함하는 것인 컴퓨터 프로그램 제품.
Applications Claiming Priority (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US28254710P | 2010-02-26 | 2010-02-26 | |
US61/282,547 | 2010-02-26 | ||
US28256110P | 2010-03-01 | 2010-03-01 | |
US61/282,561 | 2010-03-01 | ||
US32304810P | 2010-04-12 | 2010-04-12 | |
US32304710P | 2010-04-12 | 2010-04-12 | |
US61/323,047 | 2010-04-12 | ||
US61/323,048 | 2010-04-12 | ||
US32368510P | 2010-04-13 | 2010-04-13 | |
US61/323,685 | 2010-04-13 | ||
PCT/EP2011/052867 WO2011104375A1 (en) | 2010-02-26 | 2011-02-25 | Method and apparatus for performing pattern alignment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120123581A true KR20120123581A (ko) | 2012-11-08 |
KR101926423B1 KR101926423B1 (ko) | 2018-12-07 |
Family
ID=43927654
Family Applications (8)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020127025008A KR101798678B1 (ko) | 2010-02-26 | 2011-02-25 | 패턴 정렬을 수행하기 위한 방법 및 장치 |
KR1020127025009A KR101850163B1 (ko) | 2010-02-26 | 2011-02-25 | 패턴 정렬을 수행하기 위한 방법 및 장치 |
KR1020197004064A KR102146638B1 (ko) | 2010-02-26 | 2011-02-25 | 패턴 정렬을 수행하기 위한 방법 및 장치 |
KR1020127025012A KR101926423B1 (ko) | 2010-02-26 | 2011-02-25 | 패턴 정렬을 수행하기 위한 방법 및 장치 |
KR1020127025011A KR101885385B1 (ko) | 2010-02-26 | 2011-02-25 | 패턴 정렬을 수행하기 위한 방법 및 장치 |
KR1020127025013A KR101872538B1 (ko) | 2010-02-26 | 2011-02-25 | 복수의 층에 대해 정렬 최적화를 하기 위한 방법 및 장치 |
KR1020177026331A KR101948923B1 (ko) | 2010-02-26 | 2011-02-25 | 패턴 정렬을 수행하기 위한 방법 및 장치 |
KR20127025010A KR20120120479A (ko) | 2010-02-26 | 2011-02-25 | 패턴 정렬을 수행하기 위한 방법 및 장치 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020127025008A KR101798678B1 (ko) | 2010-02-26 | 2011-02-25 | 패턴 정렬을 수행하기 위한 방법 및 장치 |
KR1020127025009A KR101850163B1 (ko) | 2010-02-26 | 2011-02-25 | 패턴 정렬을 수행하기 위한 방법 및 장치 |
KR1020197004064A KR102146638B1 (ko) | 2010-02-26 | 2011-02-25 | 패턴 정렬을 수행하기 위한 방법 및 장치 |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020127025011A KR101885385B1 (ko) | 2010-02-26 | 2011-02-25 | 패턴 정렬을 수행하기 위한 방법 및 장치 |
KR1020127025013A KR101872538B1 (ko) | 2010-02-26 | 2011-02-25 | 복수의 층에 대해 정렬 최적화를 하기 위한 방법 및 장치 |
KR1020177026331A KR101948923B1 (ko) | 2010-02-26 | 2011-02-25 | 패턴 정렬을 수행하기 위한 방법 및 장치 |
KR20127025010A KR20120120479A (ko) | 2010-02-26 | 2011-02-25 | 패턴 정렬을 수행하기 위한 방법 및 장치 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US9341962B2 (ko) |
EP (6) | EP2539775B1 (ko) |
JP (6) | JP5766725B2 (ko) |
KR (8) | KR101798678B1 (ko) |
CN (6) | CN102939565B (ko) |
WO (6) | WO2011104374A1 (ko) |
Families Citing this family (69)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100100820A1 (en) * | 2008-10-19 | 2010-04-22 | International Business Machines Corporation | User specific music in virtual worlds |
CN102939565B (zh) * | 2010-02-26 | 2015-08-05 | 密克罗尼克麦达塔公司 | 用于执行与管芯的图案对准的方法和装置 |
US8539395B2 (en) * | 2010-03-05 | 2013-09-17 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for merging multiple geometrical pixel images and generating a single modulator pixel image |
US8836780B2 (en) * | 2010-03-18 | 2014-09-16 | Camtek Ltd. | Process control and manufacturing method for fan out wafers |
US9210814B2 (en) | 2010-09-15 | 2015-12-08 | Mycronic AB | Apparatuses and methods for compensation of carrier distortions from measurement machines |
EP2617053B1 (en) | 2010-09-15 | 2014-11-12 | Micronic Mydata AB | Apparatus and method for generating patterns on workpieces |
US8712577B2 (en) * | 2011-02-23 | 2014-04-29 | GM Global Technology Operations LLC | Electronic system and method for compensating the dimensional accuracy of a 4-axis CNC machining system using global and local offsets |
KR20130020404A (ko) * | 2011-08-19 | 2013-02-27 | 삼성전자주식회사 | 정렬계를 이용한 계측 시스템 및 위치 계측 방법 |
JP2013058520A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 描画装置、データ補正装置、再配線層の形成方法、および、データ補正方法 |
JP5852374B2 (ja) * | 2011-09-07 | 2016-02-03 | 株式会社Screenホールディングス | 描画装置および描画方法 |
JP2013195778A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
US9282686B2 (en) * | 2012-07-10 | 2016-03-08 | Flextronics International Usa, Inc. | System and method for high resolution, high throughput processing of conductive patterns of flexible substrates |
US10149390B2 (en) | 2012-08-27 | 2018-12-04 | Mycronic AB | Maskless writing of a workpiece using a plurality of exposures having different focal planes using multiple DMDs |
US8742599B2 (en) * | 2012-08-30 | 2014-06-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | Identification mechanism for semiconductor device die |
CN102880011B (zh) * | 2012-09-11 | 2014-12-10 | 天津芯硕精密机械有限公司 | 一种层间图形对准精度的检测方法 |
JP6291426B2 (ja) * | 2013-01-31 | 2018-03-14 | 東レエンジニアリング株式会社 | 実装方法および実装装置 |
JP6453780B2 (ja) * | 2013-03-12 | 2019-01-16 | マイクロニック アーベーMycronic Ab | 機械的に形成されるアライメント基準体の方法及び装置 |
TWI489223B (zh) * | 2013-07-19 | 2015-06-21 | Au Optronics Corp | 基板上的圖案化方法 |
US10163747B2 (en) | 2013-09-25 | 2018-12-25 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Semiconductor device and method of controlling warpage in reconstituted wafer |
JP6116456B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2017-04-19 | 株式会社Screenホールディングス | 描画方法および描画装置 |
US9607965B2 (en) | 2013-09-25 | 2017-03-28 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Semiconductor device and method of controlling warpage in reconstituted wafer |
CN103559344B (zh) * | 2013-10-30 | 2016-08-17 | 苏州微影光电科技有限公司 | 一种用于激光直接成像的版图预处理方法 |
JP6452086B2 (ja) * | 2013-10-31 | 2019-01-16 | キヤノン株式会社 | 形状算出装置及び方法、計測装置、物品製造方法、及び、プログラム |
CN104636525B (zh) * | 2013-11-14 | 2017-12-19 | 英业达科技有限公司 | 印刷电路检查方法与装置 |
TW201520702A (zh) * | 2013-11-19 | 2015-06-01 | Huang Tian Xing | 對準誤差補償方法、系統,及圖案化方法 |
US9806884B2 (en) * | 2014-01-10 | 2017-10-31 | Robert Bosch Gmbh | System and method for cryptographic key identification |
US20160004983A1 (en) * | 2014-07-07 | 2016-01-07 | GM Global Technology Operations LLC | Method and apparatus for quantifying dimensional variations and process capability independently of datum points |
US9523735B2 (en) * | 2014-10-08 | 2016-12-20 | Eastman Kodak Company | Electrical test system with vision-guided alignment |
US20160172243A1 (en) * | 2014-12-11 | 2016-06-16 | Nxp B.V. | Wafer material removal |
JP2017067992A (ja) | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置、露光装置のアライメント方法、およびプログラム |
US11054802B2 (en) * | 2015-10-21 | 2021-07-06 | Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. | System and method for performing operations of numerical control machines |
CN105914157A (zh) * | 2016-04-28 | 2016-08-31 | 合肥祖安投资合伙企业(有限合伙) | 芯片封装工艺以及芯片封装结构 |
JP6730851B2 (ja) * | 2016-06-01 | 2020-07-29 | キヤノン株式会社 | 決定方法、形成方法、プログラム、および物品の製造方法 |
CN106024981B (zh) * | 2016-07-08 | 2018-10-09 | 江苏博硕智能***有限公司 | 一种物料的铺设方法及所用的铺设*** |
US20180068047A1 (en) * | 2016-09-08 | 2018-03-08 | Mapper Lithography Ip B.V. | Method and system for fabricating unique chips using a charged particle multi-beamlet lithography system |
JP6307730B1 (ja) | 2016-09-29 | 2018-04-11 | 株式会社新川 | 半導体装置の製造方法、及び実装装置 |
EP3541602A4 (en) | 2016-11-17 | 2020-10-28 | Orbotech Ltd. | 3D HYBRID PRINTING FROM MULTIPLE MATERIALS |
DE102017102320A1 (de) * | 2017-02-07 | 2018-08-09 | Manz Ag | Bearbeitungsanlage |
US10276796B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-04-30 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Ejection volume compensation method, ejection volume compensation device, inkjet printing device, and non-transitory machine readable medium |
CN106827814B (zh) * | 2017-02-15 | 2018-07-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 喷射量补偿方法、喷射量补偿设备和喷墨打印*** |
JP6295355B1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-03-14 | 株式会社ピーエムティー | 露光装置、露光方法、半導体モジュールの製造方法、パターン形成装置、及びパターン形成方法 |
EP3396458A1 (en) * | 2017-04-28 | 2018-10-31 | ASML Netherlands B.V. | Method and apparatus for optimization of lithographic process |
JP6876218B2 (ja) * | 2017-09-05 | 2021-05-26 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置 |
TWI630383B (zh) * | 2017-10-17 | 2018-07-21 | 亞亞科技股份有限公司 | 檢測開孔鋼板的定位方法 |
US10522376B2 (en) * | 2017-10-20 | 2019-12-31 | Kla-Tencor Corporation | Multi-step image alignment method for large offset die-die inspection |
CN110221731B (zh) | 2018-03-02 | 2023-03-28 | 宸鸿光电科技股份有限公司 | 触控面板的直接图案化方法及其触控面板 |
JP6808684B2 (ja) * | 2018-06-14 | 2021-01-06 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置、判定方法、プログラム、リソグラフィシステム、および物品の製造方法 |
US10719018B2 (en) * | 2018-07-10 | 2020-07-21 | Applied Materials, Inc. | Dynamic imaging system |
US11733684B2 (en) | 2018-09-27 | 2023-08-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Overlaying production data on rendered 3D printed object |
TWI809201B (zh) * | 2018-10-23 | 2023-07-21 | 以色列商奧寶科技有限公司 | 用於校正晶粒放置錯誤之適應性路由 |
JP7229637B2 (ja) * | 2019-02-28 | 2023-02-28 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置および露光方法 |
US11018030B2 (en) * | 2019-03-20 | 2021-05-25 | Semiconductor Components Industries, Llc | Fan-out wafer level chip-scale packages and methods of manufacture |
CN110517961B (zh) * | 2019-08-21 | 2021-08-27 | 上海交通大学 | 减小芯片埋置与光刻图形位置偏差的方法及装置 |
US11003164B2 (en) * | 2019-08-30 | 2021-05-11 | Micron Technology, Inc. | Methods for aligning a physical layer to a pattern formed via multi-patterning, and associated systems |
JP7339826B2 (ja) * | 2019-09-19 | 2023-09-06 | キヤノン株式会社 | マーク位置決定方法、リソグラフィー方法、物品製造方法、プログラムおよびリソグラフィー装置 |
JP7418080B2 (ja) * | 2019-10-04 | 2024-01-19 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置、位置検出方法、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 |
EP4042373A4 (en) * | 2019-10-11 | 2023-11-29 | Applied Materials, Inc. | MATRIC SYSTEM AND METHOD FOR COMPARING ALIGNMENT VECTORS |
US11201074B2 (en) * | 2020-01-31 | 2021-12-14 | Kla Corporation | System and method for semiconductor device print check alignment |
CN111958128B (zh) * | 2020-08-11 | 2022-05-06 | 无锡市大德汽车部件科技有限公司 | 一种承载垫板的加工方法 |
US20220319885A1 (en) * | 2020-08-20 | 2022-10-06 | Shinkawa Ltd. | Arrangement apparatus and arrangement method |
CN114185248A (zh) * | 2020-09-14 | 2022-03-15 | 刘大有 | 无光罩曝光机的晶片偏移校正方法 |
JP7521988B2 (ja) | 2020-09-23 | 2024-07-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板位置検出方法、描画方法、基板位置検出装置および描画装置 |
CN112312666B (zh) * | 2020-11-06 | 2023-08-15 | 浪潮电子信息产业股份有限公司 | 一种电路板打螺钉方法和*** |
US11829077B2 (en) | 2020-12-11 | 2023-11-28 | Kla Corporation | System and method for determining post bonding overlay |
CN112581562B (zh) * | 2020-12-17 | 2024-03-22 | 全芯智造技术有限公司 | 图案着色方法、电子设备和计算机可读存储介质 |
US20220269184A1 (en) * | 2021-02-25 | 2022-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Machine learning on overlay management |
CN113097080B (zh) * | 2021-03-23 | 2024-05-07 | 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 | 晶圆级芯片扇出封装方法 |
US11782411B2 (en) | 2021-07-28 | 2023-10-10 | Kla Corporation | System and method for mitigating overlay distortion patterns caused by a wafer bonding tool |
CN116525464B (zh) * | 2023-06-29 | 2023-09-22 | 苏州铂煜诺自动化设备科技有限公司 | 一种多芯片封装的布线方法和装置 |
Family Cites Families (106)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3796497A (en) | 1971-12-01 | 1974-03-12 | Ibm | Optical alignment method and apparatus |
JPS63137425A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-09 | Ricoh Co Ltd | 液晶シヤツタレテイクルを備えた投影露光装置 |
US4835704A (en) * | 1986-12-29 | 1989-05-30 | General Electric Company | Adaptive lithography system to provide high density interconnect |
JP2663726B2 (ja) * | 1991-01-08 | 1997-10-15 | 株式会社デンソー | 複層状態検査装置 |
JPH0620909A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-28 | Hitachi Ltd | 露光方法及び薄膜多層基板 |
US5532934A (en) * | 1992-07-17 | 1996-07-02 | Lsi Logic Corporation | Floorplanning technique using multi-partitioning based on a partition cost factor for non-square shaped partitions |
JP3284641B2 (ja) * | 1992-09-03 | 2002-05-20 | ソニー株式会社 | 重ね合わせ精度測定機の測定条件の最適化方法、並びにアラインメントマーク形状あるいは露光装置におけるアラインメントマーク測定方式の最適化方法 |
US6018384A (en) * | 1994-09-07 | 2000-01-25 | Nikon Corporation | Projection exposure system |
US5917332A (en) * | 1996-05-09 | 1999-06-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Arrangement for improving defect scanner sensitivity and scanning defects on die of a semiconductor wafer |
US6681145B1 (en) * | 1996-06-06 | 2004-01-20 | The Boeing Company | Method for improving the accuracy of machines |
US5942805A (en) * | 1996-12-20 | 1999-08-24 | Intel Corporation | Fiducial for aligning an integrated circuit die |
JP3047863B2 (ja) * | 1997-08-04 | 2000-06-05 | 日本電気株式会社 | アライメント方法 |
US5985680A (en) * | 1997-08-08 | 1999-11-16 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for transforming a substrate coordinate system into a wafer analysis tool coordinate system |
JP4109736B2 (ja) * | 1997-11-14 | 2008-07-02 | キヤノン株式会社 | 位置ずれ検出方法 |
US6480989B2 (en) * | 1998-06-29 | 2002-11-12 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit design incorporating a power mesh |
JP2000122303A (ja) * | 1998-10-20 | 2000-04-28 | Asahi Optical Co Ltd | 描画装置 |
US6205364B1 (en) * | 1999-02-02 | 2001-03-20 | Creo Ltd. | Method and apparatus for registration control during processing of a workpiece particularly during producing images on substrates in preparing printed circuit boards |
US7328425B2 (en) * | 1999-05-20 | 2008-02-05 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for correcting SLM stamp image imperfections |
JP2000353657A (ja) * | 1999-06-14 | 2000-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | 露光方法、露光装置およびその露光装置を用いて製造された半導体装置 |
EP1189732B1 (de) * | 1999-06-26 | 2003-05-07 | KUKA Schweissanlagen GmbH | Verfahren und vorrichtung zum kalibrieren von robotermessstationen, manipulatoren und mitgeführten optischen messeinrichtungen |
US6165658A (en) * | 1999-07-06 | 2000-12-26 | Creo Ltd. | Nonlinear image distortion correction in printed circuit board manufacturing |
US6331711B1 (en) * | 1999-08-06 | 2001-12-18 | Etec Systems, Inc. | Correction for systematic, low spatial frequency critical dimension variations in lithography |
JP3258312B2 (ja) * | 2000-01-01 | 2002-02-18 | 株式会社日立製作所 | 厚膜薄膜混成多層配線基板の製造システム |
JP3671822B2 (ja) * | 2000-07-26 | 2005-07-13 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査方法および欠陥検査システム |
KR100336525B1 (ko) * | 2000-08-07 | 2002-05-11 | 윤종용 | 반도체 장치의 제조를 위한 노광 방법 |
AU2000279433A1 (en) * | 2000-10-19 | 2002-04-29 | Creo Il. Ltd | Nonlinear image distortion correction in printed circuit board manufacturing |
JP2002134396A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法および半導体パターン自動調節装置 |
US7058474B2 (en) | 2000-11-08 | 2006-06-06 | Orbotech Ltd. | Multi-layer printed circuit board fabrication system and method |
US6701197B2 (en) * | 2000-11-08 | 2004-03-02 | Orbotech Ltd. | System and method for side to side registration in a printed circuit imager |
US7062354B2 (en) * | 2000-11-08 | 2006-06-13 | Orbotech Ltd. | Multi-layer printed circuit board fabrication system and method |
WO2003005782A2 (en) * | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Irvine Sensors Corporation | Stackable microcircuit and method of making the same |
US6496058B1 (en) * | 2001-07-24 | 2002-12-17 | Virtual Ip Group | Method for designing an integrated circuit containing multiple integrated circuit designs and an integrated circuit so designed |
JP4320694B2 (ja) | 2001-08-08 | 2009-08-26 | 株式会社オーク製作所 | 多重露光描画装置および多重露光式描画方法 |
US6580962B2 (en) * | 2001-08-10 | 2003-06-17 | Gerber Technology, Inc. | Method for aligning a spatial array of pattern pieces comprising a marker method |
JP2003107672A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク外観検証システム及び方法 |
JP4076341B2 (ja) * | 2001-11-29 | 2008-04-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | レーザ描画方法とその装置 |
SE0104238D0 (sv) * | 2001-12-14 | 2001-12-14 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for patterning a workpiece |
JP2003186173A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-03 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
JP2003226999A (ja) * | 2002-02-01 | 2003-08-15 | Fujitsu Ltd | めっき面積の制御方法、プログラム、記録媒体及び制御装置ならびにめっき方法 |
US20030158622A1 (en) * | 2002-02-21 | 2003-08-21 | Corey Gary John | Multi-axes tool compensation: 3D and 5-axis real-time interactive tool compensation inside the CNC machine tool controller |
WO2003094582A2 (en) | 2002-05-02 | 2003-11-13 | Orbotech Ltd. | A system and method for manufacturing printed circuit boards employing non-uniformly modified images |
US7015418B2 (en) * | 2002-05-17 | 2006-03-21 | Gsi Group Corporation | Method and system for calibrating a laser processing system and laser marking system utilizing same |
JP4307022B2 (ja) * | 2002-07-05 | 2009-08-05 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の設計方法、半導体装置の設計プログラム及び半導体装置の設計装置 |
JP4190269B2 (ja) * | 2002-07-09 | 2008-12-03 | 新光電気工業株式会社 | 素子内蔵基板製造方法およびその装置 |
US7093225B2 (en) * | 2002-07-17 | 2006-08-15 | Osann Robert Jr | FPGA with hybrid interconnect |
US7245982B2 (en) * | 2002-10-11 | 2007-07-17 | Fidia S.P.A. | System and process for measuring, compensating and testing numerically controlled machine tool heads and/or tables |
US6778876B1 (en) * | 2002-11-01 | 2004-08-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | Methods of processing substrates based upon substrate orientation |
US7283889B2 (en) * | 2003-02-19 | 2007-10-16 | Fanuc Ltd | Numerical control device, and numerical control method |
JP2004327546A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造システム |
US20050099615A1 (en) | 2003-06-03 | 2005-05-12 | Fusao Ishii | System for fabricating electronic modules on substrates having arbitrary and unexpected dimensional changes |
US20050105071A1 (en) * | 2003-06-03 | 2005-05-19 | Fusao Ishii | Methods for patterning substrates having arbitrary and unexpected dimensional changes |
DE10334577B3 (de) * | 2003-07-28 | 2005-02-10 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Aufbringen einer Umverdrahtung auf einen Nutzen unter Kompensation von Positionsfehlern und Halbleiterchips in Bauteilpositionen des Nutzens |
JP2007501430A (ja) * | 2003-08-04 | 2007-01-25 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | Psm位置調整方法及び装置 |
US6948254B2 (en) * | 2003-10-27 | 2005-09-27 | Micronic Laser Systems Ab | Method for calibration of a metrology stage |
US20050254032A1 (en) | 2003-11-13 | 2005-11-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Exposure device |
US6937337B2 (en) * | 2003-11-19 | 2005-08-30 | International Business Machines Corporation | Overlay target and measurement method using reference and sub-grids |
KR100567622B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2006-04-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 패턴 선폭 측정 방법 및 장치 |
WO2005081603A1 (de) * | 2004-02-17 | 2005-09-01 | Hitachi Via Mechanics, Ltd. | Verfahren zum herstellen von substraten |
EP1589578B1 (en) * | 2004-04-19 | 2015-02-25 | STMicroelectronics Srl | Method for indexing dice |
WO2005104196A1 (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-03 | Nikon Corporation | 計測方法、計測装置、露光方法及び露光装置 |
JP4528558B2 (ja) * | 2004-05-28 | 2010-08-18 | 株式会社東芝 | パターンのデータ作成方法、及びパターン検証手法 |
CN101416279A (zh) * | 2004-07-15 | 2009-04-22 | 凸版光掩膜公司 | 形成具有匹配几何形状的集成电路部件的***和方法 |
US7102733B2 (en) * | 2004-08-13 | 2006-09-05 | Asml Holding N.V. | System and method to compensate for static and dynamic misalignments and deformations in a maskless lithography tool |
US20060032866A1 (en) * | 2004-08-13 | 2006-02-16 | Pechiney Plastic Packaging, Inc. | Plastic dispensing container having reduced moisture penetration and method for same |
JP5044095B2 (ja) * | 2004-11-02 | 2012-10-10 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7678288B2 (en) * | 2004-12-03 | 2010-03-16 | Miradia Inc. | Method and structure for manufacturing bonded substrates using multiple photolithography tools |
WO2006079865A1 (en) * | 2005-01-27 | 2006-08-03 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor package and method of assembling the same |
SG124407A1 (en) * | 2005-02-03 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Method of generating a photolithography patterningdevice, computer program, patterning device, meth od of determining the position of a target image on or proximate a substrate, measurement device, and lithographic apparatus |
JP2006229119A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Ulvac Seimaku Kk | 露光装置における位置合わせ方法 |
US7216324B2 (en) * | 2005-03-11 | 2007-05-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for designing chip package by re-using existing mask designs |
JP2006251571A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | アライメント用光源ユニット、アライメント装置、露光装置、デジタル露光装置、アライメント方法、露光方法及び照明装置の条件を設定する方法 |
JP4533785B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-09-01 | 富士フイルム株式会社 | アライメントセンサの位置校正方法、基準パターン校正方法、露光位置補正方法、校正用パターン及びアライメント装置 |
JP2006309022A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 描画装置および描画方法 |
KR20080005413A (ko) * | 2005-04-28 | 2008-01-11 | 후지필름 가부시키가이샤 | 묘화 장치 및 묘화 방법 |
JP2006309023A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 描画装置および描画方法 |
US20070003128A1 (en) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | International Business Machines Corporation | A Method Of Aligning A Pattern On A Workpiece |
KR101359562B1 (ko) * | 2005-07-08 | 2014-02-07 | 넥스젠 세미 홀딩 인코포레이티드 | 제어 입자 빔 제조를 위한 장치 및 방법 |
WO2007031105A1 (en) * | 2005-09-16 | 2007-03-22 | Micronic Laser Systems Ab | Alignment method with compensation of non linear errors |
JP4890846B2 (ja) * | 2005-12-08 | 2012-03-07 | キヤノン株式会社 | 計測装置、計測方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2007199225A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Cmk Corp | 露光システム及び部品内蔵型プリント配線板の製造方法 |
JP2007235108A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-09-13 | Nec Electronics Corp | 半導体検査装置、半導体検査方法 |
WO2007125791A1 (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Alps Electric Co., Ltd. | 配線基板の製造方法 |
JP5339671B2 (ja) * | 2006-06-26 | 2013-11-13 | 株式会社オーク製作所 | 描画システム |
JP2008051866A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | パターン描画装置、パターン描画方法、および基板処理システム |
JP2008083227A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Fujifilm Corp | アライメントマーク位置測定装置及び方法、及び描画装置 |
US7539552B2 (en) * | 2006-10-09 | 2009-05-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for implementing a universal coordinate system for metrology data |
US20080188016A1 (en) * | 2007-02-02 | 2008-08-07 | Texas Instruments, Inc. | Die detection and reference die wafermap alignment |
JP2008250072A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | 描画装置及び方法 |
US20080243416A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Mitutoyo Corporation | Global calibration for stereo vision probe |
US8295969B2 (en) * | 2007-07-27 | 2012-10-23 | Intermolecular, Inc. | Combinatorial processing management system |
US7872745B2 (en) * | 2007-08-08 | 2011-01-18 | Nuflare Technology, Inc. | Pattern inspection apparatus and pattern inspection method |
US8457790B2 (en) * | 2007-09-14 | 2013-06-04 | Zimmer, Inc. | Robotic calibration method |
WO2010006935A2 (en) * | 2008-07-14 | 2010-01-21 | Asml Netherlands B.V. | Alignment system, lithographic system and method |
IL194967A0 (en) * | 2008-10-28 | 2009-08-03 | Orbotech Ltd | Producing electrical circuit patterns using multi-population transformation |
EP2359192B1 (en) * | 2008-12-05 | 2013-02-13 | Micronic Mydata AB | Gradient-assisted image resampling for microlithography |
US8150140B2 (en) * | 2008-12-22 | 2012-04-03 | Ngr Inc. | System and method for a semiconductor lithographic process control using statistical information in defect identification |
US7979813B2 (en) * | 2009-01-15 | 2011-07-12 | Micrel, Inc. | Chip-scale package conversion technique for dies |
JP5355112B2 (ja) * | 2009-01-28 | 2013-11-27 | 株式会社東芝 | パターンレイアウト作成方法 |
US8799845B2 (en) * | 2010-02-16 | 2014-08-05 | Deca Technologies Inc. | Adaptive patterning for panelized packaging |
CN102939565B (zh) * | 2010-02-26 | 2015-08-05 | 密克罗尼克麦达塔公司 | 用于执行与管芯的图案对准的方法和装置 |
US8934081B2 (en) * | 2010-03-01 | 2015-01-13 | Mycronic AB | Method and apparatus for performing alignment using reference board |
EP2617053B1 (en) * | 2010-09-15 | 2014-11-12 | Micronic Mydata AB | Apparatus and method for generating patterns on workpieces |
US9210814B2 (en) * | 2010-09-15 | 2015-12-08 | Mycronic AB | Apparatuses and methods for compensation of carrier distortions from measurement machines |
JP5525421B2 (ja) * | 2010-11-24 | 2014-06-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 画像撮像装置および画像撮像方法 |
US8509940B2 (en) * | 2011-02-23 | 2013-08-13 | GM Global Technology Operations LLC | Electronic system and method for compensating the dimensional accuracy of a 4-axis CNC machining system using global offsets |
US8712577B2 (en) * | 2011-02-23 | 2014-04-29 | GM Global Technology Operations LLC | Electronic system and method for compensating the dimensional accuracy of a 4-axis CNC machining system using global and local offsets |
-
2011
- 2011-02-25 CN CN201180015182.4A patent/CN102939565B/zh active Active
- 2011-02-25 JP JP2012554365A patent/JP5766725B2/ja active Active
- 2011-02-25 EP EP11712784.5A patent/EP2539775B1/en active Active
- 2011-02-25 KR KR1020127025008A patent/KR101798678B1/ko active IP Right Grant
- 2011-02-25 CN CN201180014722.7A patent/CN103097956B/zh active Active
- 2011-02-25 KR KR1020127025009A patent/KR101850163B1/ko active IP Right Grant
- 2011-02-25 JP JP2012554362A patent/JP5873030B2/ja active Active
- 2011-02-25 EP EP20110713197 patent/EP2539777B1/en active Active
- 2011-02-25 EP EP11712783.7A patent/EP2539774B1/en active Active
- 2011-02-25 CN CN201180015336.XA patent/CN103026299B/zh active Active
- 2011-02-25 WO PCT/EP2011/052866 patent/WO2011104374A1/en active Application Filing
- 2011-02-25 KR KR1020197004064A patent/KR102146638B1/ko active IP Right Grant
- 2011-02-25 EP EP11712782.9A patent/EP2539773B1/en active Active
- 2011-02-25 WO PCT/EP2011/052864 patent/WO2011104372A1/en active Application Filing
- 2011-02-25 CN CN201180014848.4A patent/CN102959469B/zh active Active
- 2011-02-25 WO PCT/EP2011/052869 patent/WO2011113682A1/en active Application Filing
- 2011-02-25 CN CN201180015988.3A patent/CN102971674B/zh active Active
- 2011-02-25 KR KR1020127025012A patent/KR101926423B1/ko active IP Right Grant
- 2011-02-25 JP JP2012554366A patent/JP5784639B2/ja active Active
- 2011-02-25 KR KR1020127025011A patent/KR101885385B1/ko active IP Right Grant
- 2011-02-25 KR KR1020127025013A patent/KR101872538B1/ko active IP Right Grant
- 2011-02-25 KR KR1020177026331A patent/KR101948923B1/ko active IP Right Grant
- 2011-02-25 KR KR20127025010A patent/KR20120120479A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-02-25 JP JP2012554364A patent/JP5795777B2/ja active Active
- 2011-02-25 JP JP2012554363A patent/JP5767255B2/ja active Active
- 2011-02-25 CN CN201180016214.2A patent/CN102985878B/zh active Active
- 2011-02-25 EP EP20110714236 patent/EP2539778B1/en active Active
- 2011-02-25 WO PCT/EP2011/052867 patent/WO2011104375A1/en active Application Filing
- 2011-02-25 EP EP20110712785 patent/EP2539776A1/en not_active Withdrawn
- 2011-02-25 JP JP2012554361A patent/JP5767254B2/ja active Active
- 2011-02-25 WO PCT/EP2011/052865 patent/WO2011104373A1/en active Application Filing
- 2011-02-25 WO PCT/EP2011/052868 patent/WO2011104376A1/en active Application Filing
- 2011-02-28 US US12/929,976 patent/US9341962B2/en active Active
- 2011-02-28 US US12/929,981 patent/US8530120B2/en active Active
- 2011-02-28 US US12/929,978 patent/US8594825B2/en active Active
- 2011-02-28 US US12/929,975 patent/US9032342B2/en active Active
- 2011-02-28 US US12/929,973 patent/US8594824B2/en active Active
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101885385B1 (ko) | 패턴 정렬을 수행하기 위한 방법 및 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |