JP7229637B2 - 露光装置および露光方法 - Google Patents
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Description
を算出する(S102)。そして、求められたチップ配列誤差量から、最小二乗法などを用いて線形成分を抽出し(S103)、これを取り除くことによって、各チップの固有位置ずれ量となるX、Y、θ成分を求める(S104)。
15 測定装置
40 ステージ
42 ステージ駆動部
50 制御部
W 基板
AM アライメントマーク
R レチクル
Claims (11)
- 基板上の複数のユニットに対し露光可能であって、ユニット毎に形成されたアライメントマークの位置を測定する測定装置と通信可能な露光装置であって、
前記基板に設けられたGA(グローバルアライメント)用アライメントマークの位置を測定する測定部と、
前記測定部による前記GA用アライメントマークの位置情報測定よりも前に前記測定装置によって測定されたユニット毎のアライメントマークの位置から得られる各ユニットの位置情報と、前記測定部によって得られる前記GA用アライメントマークの位置情報とに基づいて、露光工程時における各ユニットの露光位置を算出し、定められた露光方式に従って露光したときの前記基板に形成される露光パターンと各ユニットとの位置合わせ残差を予測する残差予測部とを備え、
位置合わせ残差に基づいて、複数のレチクルフィールドが設けられたレチクルに対するレチクルフィールドの切り替え、もしくはレチクルの交換を行うことを特徴とする露光装置。 - 前記レチクルは、互いにサイズの異なるワンショット領域を規定する複数のレチクルフィールドを有するレチクルであって、
前記露光装置は、位置合わせ残差に基づいて前記レチクルフィールドを選択し、ワンショットで露光するユニット数を調整することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 - 前記レチクルは、互いに異なるスケーリング量により描画された複数のレチクルフィールドを有するレチクルであって、
前記露光装置は、前記位置合わせ残差に基づいて前記レチクルフィールドを選択し、スケーリング補正することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 - 前記残差予測部が、さらに、あらかじめ定められた各ユニットの設計位置情報を用いて、位置合わせ残差を予測することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 各ユニットの位置合わせ残差が最小となる位置に対し、各ユニットの設計位置に近づく方向へ所定量だけオフセットしたターゲット座標位置を求め、前記基板上のターゲット座標位置とレチクルとを相対的にアライメントすることを特徴とする請求項4に記載の露光装置。
- 前記基板は、複数のユニットを有するマルチチップパッケージ基板領域が多面取り配置されている基板であることを特徴とする請求項4または5に記載の露光装置。
- 前記残差予測部が、前記マルチチップパッケージ基板領域毎に、前記各ユニットの位置合わせ残差を予測し、前記位置合わせ残差が閾値以内となるようにターゲット座標を設定することを特徴とする請求項6に記載の露光装置。
- 各ユニットの位置合わせ残差が閾値以内となる場合、前記マルチチップパッケージ基板領域を一括露光することを特徴とする請求項7に記載の露光装置。
- 各ユニットの位置合わせ残差が閾値より大きくなる場合、前記レチクルの交換によって、ユニット毎に異なるパターンを露光することを特徴とする請求項7に記載の露光装置。
- 各ユニットの位置合わせ残差が閾値より大きくなる場合、レチクルフィールドの切換えによって、ユニット毎に異なるパターンを露光することを特徴とする請求項7に記載の露光装置。
- アライメントマークの位置を測定する、露光装置とは独立していて前記露光装置と通信可能な測定装置によって、ユニット毎に形成されたアライメントマークから基板上に配置された各ユニットの位置を測定し、
前記測定装置による各ユニットの位置の測定後、前記露光装置に設けられた測定部によって、前記基板に設けられたGA(グローバルアライメント)用アライメントマークの位置を測定し、
前記測定装置により得られる各ユニットの位置情報と、前記測定部によって得られるGA用アライメントマークの位置情報とに基づいて、露光工程時における各ユニットの露光位置を算出し、定められた露光方式に従って露光したときの前記基板に形成される露光パターンと各ユニットとの位置合わせ残差を予測し、
位置合わせ残差に基づいて、複数のレチクルフィールドが設けられたレチクルに対するレチクルフィールドの切り替え、もしくはレチクル交換を行うことを特徴とする露光方法。
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